AT131782B - Photoelektrische Vorrichtung. - Google Patents

Description

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  Photoelektrisehe Vorrichtung. 
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 einem Behälter herüberdestilliert sein, der an das Röhrchen 8 augeschlossen sein kann. Das   Zäsmm,   das sich aus der Zirkoniumoxydschicht absetzt, bildet die photoelektrische Elektrode 9. 
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 nach aussen geführt und an einen   Stromzufiihrullgsdraht   11 angeschlossen ist. 



   Bei Bestrahlung der photoelektrischen Schicht 9 durch die   Lichtquelle-L3 wird zwischen   den Elektroden 3 und 9 ein Spannungsunterschied erzeugt, der einen Strom durch die Vor- 
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  Die Grosse des Spannungsunterschiedes ist von der Intensität der Belichtung abhängig. 



   Es hat sich ergeben. dass die Polarität des erzeugten Potentialunterschiedes und somit die Richtung des durch diese Spannung herbeigeführten Stromes von der Stelle der Belichtung der Elektrode 9 abhängig sind. 



   Es wurden bei Bestrahlung der beschriebenen Vorrichtung mit einem LichtbündeL das die Elektrode nur über eine sehr kleine Oberfläche, z. B. von einigen Quadratmillimetern. 
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 Verbindung der Drähte 5 und 11 mit einem Galvanometer ein   Elektronenstrom   von der photoelektrischen Elektrode 9 durch die Kontaktfeder 10, das Galvanometer und den   Stüfzdraht 4   zur Elektrode 3   floss.   Traf das Lichtbündel den photoelektrischen Stoff in dem in Fig. 2 mit B 
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 in umgekehrter Richtung wahrgenommen. Wurde das Zäsium in dem Grenzgebiet der Teile A und B belichtet, so wurden keine Spannungsunterschiede oder elektrischen Strom wahrgenommen. 



   Man ist nun dazu übergegangen, das Kontaktorgan der photoelektrischen Elektrode auf andere Weise auszubilden. Es werden nämlich die Kontaktstellen dieses Organs über die Oberfläche der photoelektrischen Elektrode verteilt. Bei Bestrahlung dieser Elektrode tritt infolgedessen in der Umgebung   sämtlicher   Kontaktstellen die Wirkung auf, die bei der Vorrichtung gemäss den Fig. 1   und bei Bestrahlung des Gebietes B   auftritt. Die in den verschiedenen 
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 der gersamte Strom hingegen aus dem Unterschied zweier in entgegengesetzter Richtung fliessender Ströme. 



   Eine   ernndungsgemäss   verbesserte Vorrichtung ist in den Fig. 3   und -1, der beiliegenden   Zeichnung dargestellt. 



   Diese Vorrichtung enthält auch eine aus   Zirkonium   bestehende Elektrode 3. die durch eine Zirkoniumoxydschicht 6 von der   Zäsiumelektrode   9 getrennt ist. Vor dem Anbringen des Zäsiums wurde gegen die Zirkoniumoxydschicht 6 ein Metallgeflecht 13 gedrückt. das mit dem 
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 Geflecht 13 absetzt. Dieses Geflecht, das in Fig. 4 mit gestrichelten Linien angedeutet ist. bildet das   Kontaktorgan   der photoelektrischen Elektrode 9. Da die   Kontaktstellen   iiber die ganze Oberfläche dieser Elektrode verteilt sind, wird der oben beschriebene Vorteil erzielt, der in einem   verhältnismässig     grossen,   bei einer bestimmten Belichtung der Elektrode 9 erzeugten Strom besteht. 



   Es ist einleuchtend, dass das   Kontaktorgan   auch auf andere Weise gebildet werden kann. Es kann z. B. vorteilhaft sein, dieses Organ aus einer   dünnen,   elektrisch leitenden Platte bestehen zu lassen. Nachdem die Trennschicht mit einer Schicht des photoelektrischen Stoffs bedeckt worden ist, kann auf diesen photoelektrischen   Stoff z.   B. eine dünne Platinschicht aufgebracht werden. so dass in jedem Punkt der photoelektrischen Elektrode Kontakt hergestellt wird. Diese Platinschicht kann durch Verdampfung eines in der Vorrichtung ange-   ordneten Platindrahtes gebildet werden,   welcher   der photoelektrischen Elektrode gegenüber   angeordnet sein kann.

   Bei der Herstellung der Metallplatte soll dafür Sorge getragen werden. 
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 elektrische Elektrode erreichen müssen, durch   diese Metallschicht hindurchdringen   können und von ihr nicht abgefangen werden. 



   Die Elektroden-und die Trennschicht der Vorrichtung können selbstverständlich auch aus 
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   umgewandelt werden. Nach Entfernung des überflüssigen Sauerstoffs kann darauf eine neue   Bariurnmenge in den Kolben der Vorrichtung eingelassen werden. wodurch die photoelektrische Elektrode auf der   Bariumoxydschicht   gebildet wird. 



   Wünscht man die Trennschicht aus einem elektrisch halbleitenden Stoff herzustellen, so können z. B. Jodide verwendet werden. Wird in diesem Fall die Elektrode 3 aus einer Silberplatte hergestellt, so kann die Oberfläche der Silberplatte der Einwirkung von   Joddampf   ausgesetzt werden, wodurch eine dünne Schicht aus Silberjodid, einem halbleitenden Stoff. gebildet wird. Diese Silberjodidschicht kann dann mit einem photoelektrischen Stoff, wie   Barium,   überzogen werden. 



   Die Zwischenschicht kann auch aus Kupferoxyd bestehen, das z. B. durch Oxydierung einer Kupferelektrode hergestellt und mit dem photoelektrischen Stoff. z. B. mit   Zäsium.   überzogen werden kann. Kupferoxyd ist bekanntlich ein elektrisch halbleitender Stoff. 



     PATENT-ANSPRÜCHE   :   J.   Photoelektrische Vorrichtung mit einer aus einem   photoelektrischeH     Stoff bestehenden   photoelektrischen Elektrode, die durch eine der Hauptsache nach aus einem oder mehreren isolierenden oder   halbleitenden   festen Stoffen bestehende Schicht von einer andern elektrisch leitenden Elektrode getrennt ist, wobei die Vorrichtung mit einem derartigen Kontaktorgan für die photoelektrische Elektrode versehen ist, dass die Kontaktstellen zwischen diesem Organ und der photoelektrischen Elektrode über die   Oberfläche   dieser Elektrode verteilt sind.

Claims (1)

1. 2. Photoelektrische Vorrichtung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet. dass das Kontaktorgan ans einem Metallgeflecht besteht.

   3. Photoelektrische Vorrichtung nach Anspruch l. dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktorgan aus einer Metallschicht besteht, welche die auf die photolektrische Elektrode wirksamen Strahlen durchlässt. EMI3.1