AT132199B - Kupferoxydul-Photozelle. - Google Patents

Kupferoxydul-Photozelle.

Info

Publication number
AT132199B
AT132199B AT132199DA AT132199B AT 132199 B AT132199 B AT 132199B AT 132199D A AT132199D A AT 132199DA AT 132199 B AT132199 B AT 132199B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
copper oxide
photocell
oxide
metal
electrode
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Bruno Dr Lange
Original Assignee
Bruno Dr Lange
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bruno Dr Lange filed Critical Bruno Dr Lange
Application granted granted Critical
Publication of AT132199B publication Critical patent/AT132199B/de

Links

Landscapes

  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



    Kupferoxydul- Photozelle.   



   Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von   Kupferoxydul-Photozellen   für die unmittelbare Umwandlung von Licht in elektrische Energie. Kupferoxydul-Photozellen zeigen bekanntlich einen trägheitslosen primären Photoeffekt im Gegensatz zu dem schon länger bekannten sekundären 
 EMI1.1 
 standes beim Anlegen einer Hilfsspannung äussert und träge verläuft. 



   Eine wesentliche Verbesserung im photoelektrischen Wirkungsgrad der Kupferoxydul-Photozelle lässt sich durch eine besondere Ausgestaltung der auf der   Oxydulsehicht   befindlichen Elektrode erreichen. Bei Anwendung einer Netzelektrode oder einer siebartigen auf der Oxydulschicht befindlichen Metallelektrode ist nicht nur der Lichtverlust im Metall störend, sondern auch der Umstand, dass die durch Metallteile verdeckten Stellen der Oxydulsehieht überhaupt nicht oder nur in stark verringertem Masse bestrahlt werden, so dass der Photostrom an verschiedenen Stellen der Oberfläche durchaus verschieden gross ist, was bei vielen Anwendungsgebieten sehr störend wirkt.

   Bei Anwendung einer gleichmässig dünnen Metallelektrode ist zwar die   Ungleichmässigkeit   in der Lichtempfindlichkeit vermieden, doch sind die Lichtverluste in der Metallschicht erheblich. Die auf dem bestrahlten Oxydul befindliche   Metallschieht vollständig fortzulassen, schien   bisher nicht möglich, da der Photostrom bei Anwendung von auf das Oxydul aufgestäubten Metallelektroden nach einem Exponentialgesetz abklingt, wenn die bestrahlte Fläche von der Metallelektrode fortrückt, u. zw. beträgt nach neueren Untersuchungen 
 EMI1.2 
 wertsbreite 4 mm, so dass bei 14   mm   Entfernung des   Lichtauffalles   von der Metallelektrode der Photostrom auf etwa den zehnten Teil sinkt.

   Aus diesem Grunde hielt man es für erforderlich, die Oberfläche der Oxydulsehieht mit einer Netzelektrode zu versehen, deren   Masehenweite   nur etwa   0'2   bis   1'0     MMM   beträgt. 



   Wie zahlreiche Versuche und physikalische   Erwägungen   zeigten, lässt sieh auch bei völlig freier Oxyduloberfläche ein derartig   störendes Abklingen vermeiden,   wenn die Abnahmeelektrode, vorzugsweise in einem geschlossenen Zuge, ringförmig die bestrahlte   Zellenoberfläche   umgrenzt. Zur   Verringerung   des Kontaktwiderstandes zwischen Oxydul und Metallelektrode kann eine derartige Ringelektrode durch Aufspritzen, durch Elektrolyse oder Kathodenzerstäubung auf den Rand einer oxydierten und geätzten Kupferscheibe aufgebracht werden, so dass die Elektrode z. B. einen Kreisring von nur wenigen Millimeter Durchmesser bildet.

   Bei einem Durchmesser der nach diesem Verfahren hergestellten völlig freien Oxyduloberfläehe von 20 mm unterscheiden sich mittlere Stellen der   Zellenoberfläehe   von Randstellen in ihrer Empfindlichkeit um weniger als   1%.   Diese ringförmige Metallschicht kann   zweckmässig     aus einem Edelmetall bestehen (Gold, Platin od. dgl. ). Ihre Form ist beliebig rund oder eckig.   



   In der Zeichnung ist der Erfindungsgegenstand durch ein Ausfühmngsbeispiel schematisch veranschaulich. 



   Die Fig. zeigt die Photozelle gemäss der Erfindung im Schnitt. 



   Eine   Kupferscheibe   1 ist mit einer aufgewachsenen Kupferoxydulschicht 2 überzogen. Zur Ableitung des Stromes dient die ringförmige leitende Metallsehieht 3. Das Gehäuse besteht aus zwei von einander durch die isolierende Zwischenlage 4 getrennten Teilen   5   und 6 ; der Teil 5 steht mit der Kupfer-   Scheibe     1,   der Teil 6 mit dem Ring 3 in leitender Verbindung. Die Stromabnahme erfolgt einerseits durch 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 die Klemme   f,   anderseits durch die durch den Rückteil 5 des Gehäuses isoliert durchgeführte und mit dem Vorderteil 6 leitend verbundene Klemme 8. 
 EMI2.1 
 



   PATENT-ANSPRÜCHE :
1.   Kupferoxydul-Photozelle,   dadurch gekennzeichnet, dass eine oxydierte   Kupferscheibe   lediglich am Rande mit einer leitenden ringförmigen Metallschicht als Abnahmeelektrode versehen ist.

Claims (1)

  1. 2. Kupferoxydul-Photozelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die von der Strahlung getroffene Kupferoxydulfläche vollkommen unbedeckt von Metallelektroden ist.
    3. Kupferoxydul-Photozelle nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die leitende Metallschicht aus Edelmetall besteht. EMI2.2
AT132199D 1931-10-30 1931-10-30 Kupferoxydul-Photozelle. AT132199B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT132199T 1931-10-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT132199B true AT132199B (de) 1933-03-10

Family

ID=29274538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT132199D AT132199B (de) 1931-10-30 1931-10-30 Kupferoxydul-Photozelle.

Country Status (1)

Country Link
AT (1) AT132199B (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT132199B (de) Kupferoxydul-Photozelle.
DE643447C (de) Trockengleichrichter
DE1299311B (de) Speicherelektrode fuer Vidicon-Bildaufnahmeroehren
AT127570B (de) Lichtelektrische Anordnung.
DE737089C (de) Verfahren zur Herstellung von Sperrschicht-Photozellen
DE546676C (de) Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Photozellen fuer die unmittelbare Umwandlung von Licht in elektrische Energie
AT141431B (de) Photoelektrische Vorrichtung.
AT153457B (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Sperrschicht-Photozellen.
AT132202B (de) Photoelektrische Vorrichtung.
DE1975749U (de) Schaltplatte fuer magnetische duennschichtfilme.
DE654916C (de) Elektrodensystem zum Gleichrichten oder Steuern hoch- oder mittelfrequenter elektrischer Schwingungen
DE610879C (de) Lichtelektrische, ohne Hilfsspannung arbeitende Zelle fuer intermittierende Beleuchtung
AT95048B (de) Elektrode für elektrische Sammler.
AT143970B (de) Verfahren zur Herstellung einer elektronenaussendenden Elektrode.
DE646469C (de) Durch Licht gesteuerte Verstaerkerroehre mit Gluehkathode, Anode und als Steuerelektrode dienender photoelektrisch wirksamer Flaeche
DE668909C (de) Verfahren zur Herstellung einer elektronenaussendenden Elektrode
DE102009020029A1 (de) Elektrisches Kontaktierungselement für photovoltaische Zellen
DE680131C (de) Einrichtung zur stetigen lichtelektrischen Stromsteuerung mittels einer Hochvakuumroehre
DE592734C (de) Sperrschichtphotozelle, insbesondere Vakuumsperrschichtzelle
AT131782B (de) Photoelektrische Vorrichtung.
AT164430B (de) Sperrschichtzelle der Selentype, bei welcher ein Stromzuführungsleiter auf der gutleitenden Elektrode festgelötet ist, sowie Verfahren zur Herstellung dieser Sperrschichtzelle
DE649335C (de) Kristallphotozelle fuer Verstaerkerbetrieb
AT131784B (de) Photoelektrische Zelle.
AT92550B (de) Elektrische Glimmlichtlampe.
CH196791A (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Sperrschicht-Photozellen.