AT153457B - Verfahren zur Herstellung elektrischer Sperrschicht-Photozellen. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung elektrischer Sperrschicht-Photozellen.Info
- Publication number
- AT153457B AT153457B AT153457DA AT153457B AT 153457 B AT153457 B AT 153457B AT 153457D A AT153457D A AT 153457DA AT 153457 B AT153457 B AT 153457B
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- light
- photocells
- electrical junction
- making electrical
- gold
- Prior art date
Links
Landscapes
- Hybrid Cells (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1> Verfahren zur Herstellung elektrischer Sperrsehieht-Photozellen. Es ist bekannt, schichtmässig aufgebaute Sperrschicht-Photozellen mit einer lichtdurchlässigen Metallelektrode zu versehen. Diese wird entweder in Form eines hauchdünnen Blättchens auf die lichtempfindliche Schicht aufgedrückt oder nach einem der bekannten Verfahren kathodisch aufgestäubt, aufgedampft oder auf ähnliche Weise aufgebracht. Die lichtdurchlässige Metallelektrode, die sogenannte Deckelektrode, hat die Aufgabe, Lichtstrahlen, welche die Photozelle treffen, zur lichtempfindlichen Schicht hindurchzulassen und die beim Auftreffen der Lichtstrahlen freiwerdenden Elektronen nach dem Zellenrand hin abzuleiten. Versuche haben ergeben, dass die Leistungsfähigkeit einer Sperrschichtphotozelle in hohem Masse von der Gleichrichterwirkung ihrer Sperrschicht abhängig ist ; die Wirksamkeit der Sperrschicht wiederum hängt ab von der Natur der Deckelektrode. Es hat sich gezeigt, dass die bisher als lichtdurchlässige Deckelektroden benutzten Metalle oder sonstigen Stoffe (Gold, Platin, Silber usw. ) für die Erzielung einer guten Sperrschicht und damit eines guten Photoeffektes nicht besonders geeignet sind. Versuche haben ergeben, dass der Gleichrichtereffekt bei Photozellen mit den bekannten Deckelektroden, gemessen mit den niedrigen Spannungen, wie sie an Sperrschichtphotozellen auftreten, verhältnismässig sehr gering ist. Die bisher verwendeten Deckelektrodenmetalle gehen nach kürzerer oder längerer Zeit infolge der steten Berührung mit der lichtempfindlichen Halbleiterschicht chemische Verbindungen mit dieser ein, die den Sperrschichtphotoeffekt der Zelle allmählich immer mehr verringern. So bilden sich z. B. in einer Selenphotozelle, die mit einer lichtdurchlässigen Goldschicht bestäubt ist, zwischen Selen-und Goldschicht Goldselenide, welche die Verschlechterung der Zellen bewirken. Um diese Schwierigkeiten zu beseitigen, wird der Erfindung gemäss auf die lichtempfindliche Schicht der Photozelle zunächst eine lichtdurchlässige Elektrode aus Kadmium und dann noch eine lichtdurchlässige Elektrode aus Gold aufgebracht. Die Sperrwirkung des Kadmiums bei kleinen Spannungen, wie sie beim Belichten einer Photozelle auftreten, und daher auch der Photoeffekt ist bedeutend grösser als bei den bisher bekanntgewordenen Zellen, die nur eine aufgestäubte Goldelektrode haben. Das Gold hat gegenüber dem Kadmium eine verhältnismässig grosse Leitfähigkeit, so dass die in dieser Deckschicht auftretenden Stromverluste gering sind. Beide Deckschichten werden zweckmässig nach einem der bekannten Verfahren auf die Halbleiterschicht aufgestäubt oder aufgedampft. Besonders geeignet ist das Kathodenzerstäubungsverfahren. Die neue Anordnung hat noch den Vorteil, dass durch die Wahl der Stärke und der Anzahl der einzelnen Metallschichten die spektrale Empfindlichkeit in weiten Grenzen beeinflusst werden kann. Bei den bisher bekanntgewordenen Zellen wird die spektrale Empfindlichkeit geändert durch Vorsetzen von Glas-oder Farbfiltern oder durch Überziehen mit einem Lack. In der neuen Anordnung ist die Filterwirkung ohne die Verluste, die in zusätzlich angeordneten Filtern entstehen, allein durch die beiden lichtdurchlässigen Deckschichten erreichbar. PATENT-ANSPRÜCHE : 1. Verfahren zur Herstellung elektrischer Sperrschicht-Photozellen mit lichtdurchlässiger Metallelektrode auf der lichtempfindlichen Schicht, dadurch gekennzeichnet, dass auf die lichtempfindliche Schicht, die insbesondere aus Selen besteht, zunächst eine lichtdurchlässige Elektrode aus Kadmium und dann eine Elektrode aus Gold aufgebracht wird. **WARNUNG** Ende DESC Feld kannt Anfang CLMS uberlappen**.
Claims (1)
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Stärke der beiden Deckschichten so gewählt wird, dass eine bestimmte spektrale Beeinflussung der Lichtempfindlichkeit der Zelle entsteht.3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass durch zusätzliches Aufbringen einer oder mehrerer lichtdurchlässiger Metallelektroden eine Beeinflussung der spektralen Empfindlichkeit der Zelle erfolgt. **WARNUNG** Ende CLMS Feld Kannt Anfang DESC uberlappen**.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT153457T | 1937-03-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
AT153457B true AT153457B (de) | 1938-05-25 |
Family
ID=3647580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT153457D AT153457B (de) | 1937-03-27 | 1937-03-27 | Verfahren zur Herstellung elektrischer Sperrschicht-Photozellen. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT153457B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1044298B (de) * | 1952-04-29 | 1958-11-20 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Photoelement |
-
1937
- 1937-03-27 AT AT153457D patent/AT153457B/de active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1044298B (de) * | 1952-04-29 | 1958-11-20 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Photoelement |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AT153457B (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Sperrschicht-Photozellen. | |
CH196791A (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Sperrschicht-Photozellen. | |
DE1564356A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von photoelektrischen Zellen unter Verwendung von polykristallinen pulverfoermigen Stoffen | |
DE1614234A1 (de) | Verfahren zum Anbringen von mindestens zwei nebeneinanderliegenden Kontakten auf einem Halbleiterkoerper und durch Anwendung dieses Verfahrens hergestellte Halbleitervorrichtung | |
DE737089C (de) | Verfahren zur Herstellung von Sperrschicht-Photozellen | |
DE669992C (de) | Zahnradhobelmaschine mit einer Vorrichtung zum Abheben und Wiederanstellen des Werkzeugs an dessen Hubenden | |
DE1166935B (de) | Verfahren zum Erzeugen von Masken auf Halbleiterkoerpern | |
DE861450C (de) | Photoelektrische Widerstandszelle | |
DE1813551C3 (de) | Hochfrequenz-Planartransistor | |
DE720445C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial und nach diesem Verfahren hergestellter Trockenplattengleichrichter | |
DE689104C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kleinflaechen-Trockengleichrichtern | |
AT141431B (de) | Photoelektrische Vorrichtung. | |
DE1044298B (de) | Photoelement | |
DE887542C (de) | Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfaehigkeit | |
AT132199B (de) | Kupferoxydul-Photozelle. | |
DE649335C (de) | Kristallphotozelle fuer Verstaerkerbetrieb | |
AT150578B (de) | Lichtelektrische Zelle. | |
DE851833C (de) | Lichtelement der Schichtenbauart | |
DE1161363B (de) | Photoelement | |
DE524822C (de) | Lichtempfindliche Zelle mit einer duennen Schicht lichtempfindlichen Materials | |
DE1539971C3 (de) | Photoleitende Schicht | |
DE922726C (de) | Photozelle zum Umsetzen von Licht in Strom- oder Spannungsaenderungen aus einem Halbleiter | |
DE1514668B2 (de) | Verfahren zum herstellen von chrom- silber-kontakten auf halbleiterbauelementen | |
DE2147291B2 (de) | Kapazitätsdiode mit einem großen Kapazitätshub und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1086822B (de) | Fotoelement mit Vorderwandeffekt |