DE887542C - Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfaehigkeit - Google Patents

Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfaehigkeit

Info

Publication number
DE887542C
DE887542C DEA10138D DEA0010138D DE887542C DE 887542 C DE887542 C DE 887542C DE A10138 D DEA10138 D DE A10138D DE A0010138 D DEA0010138 D DE A0010138D DE 887542 C DE887542 C DE 887542C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
electrode system
layer
control electrode
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEA10138D
Other languages
English (en)
Inventor
August Dr Glaser
Werner Dr Phil Koch
Karl Heinrich Dr Voigt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AEG AG
Original Assignee
AEG AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AEG AG filed Critical AEG AG
Priority to DEA10138D priority Critical patent/DE887542C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE887542C publication Critical patent/DE887542C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/0256—Selenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/479—Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/22—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/22—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
    • H01L29/227—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds further characterised by the doping material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Description

  • Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfähigkeit Die Erfindung betrifft ein Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfähigkeit, das aus einer elektropositiven und einer elektronegativen Elektrode besteht, die durch einen kristallinen Stoff getrennt sind, sowie aus einer in diesem eingelagerten Steuerelektrode. Es unterscheidet sich von den. bekannten Systemen dadurch, daß der kristalline Stoff einen Brechungsexponenten höher als a und gestörtes stöchiometrisches Gleichgewicht besitzt und daß die Steuerelektrode aus einem Metall mit elektronegativem Verhalten gegenüber den Anionen des kristallinen Stoffes besteht.
  • Die bekannten Anordnungen dieser Art ergeben kein befriedigendes Resultat, da die gewählten Dielektrika, wie z. B. Kunstharz, praktisch einen Durchgang von Elektronen nicht zulassen. Diese, die praktische Durchbildung gesteuerter Elektronensysteme in Form fester Körper hindernden Mängel werden durch die Erfindung behoben. Nach der Erfindung wird als Dielektrikum, welches die Steuerelektrode aufnimmt, eine kristalline Metallverbindung gewählt, die, an sich ein Isolator, in ihrem Kristallgitter Zentren aufweist, welche unter geeigneten Bedingungen einen Weg für eine Elektronenleitung bilden. Solche Zentren können gebildet werden durch einen Überschuß einer Komponente der Mzetallverbindung, d. h. sobald ihr stöchiometrisches Gleichgewicht gestört ist. Kristalline Stoffe dieser Art gibt es in großer Anzahl. Bei den meisten setzt jedoch jener Leitungsmechanismus erst bei erhöhter Temperatur ein. Erfindungsgemäß werden jedoch kristalline Stoffe mit einem hohenBrechungsexponenten (yai2) gewählt, welche die oben angegebenen Eigenschaften haben. Bei ihnen setzt die Elektronenleitung bereits bei Zimmertemperatur ein. Geeignet sind z. B. Kadmiumselenid und Zinkoxyd.
  • Die Störung des stöchiometrischen Gleichgewichtes oder allgemeiner die Erzeugung solcher Zentren kann auf verschiedene Weise erfolgen. Ein einfaches Verfahren besteht darin, daß man den kristallinen Stoff bei erhöhter Temperatur dem Dampf eines geeigneten Elementes aussetzt.
  • Die unsymmetrische Leitfähigkeit in einem System, in welchem als Dielektrikum eine Kristallschicht der beschriebenen Art zur Anmeldung gelangt, wird durch die Wahl der Elektroden hergestellt. Als Kathode dient ein Metall, welches Elektronen abgeben kann, also ein elektropositives Verhalten zeigt. Gute Resultate erhält man beispielsweise mit einer Calciumkathode. Die Kathode kann auch dadurch zur Abgabe von Elektronen befähigt werden, daß man sie in Form einer oder mehrerer Spitzen ausbildet, welche zuvor durch anodische Polarisation formiert werden. Als Anode verwendet man hingegen ein Metall, welches keine Elektronen liefert, z. B. Platin.
  • Der Einbau der Steuerelektrode in ein kristallines Dielektrikum der beschriebenen Art begegnet keinen grundsätzlichen Schwierigkeiten. Die kristalline Schicht kann aus der Schmelze um die erhitzte Elektrode herumwachsen oder aus übersättigter Lösung oder durch Aufdampfen auf ihr zur Entstehung gebracht werden. Wesentlich ist aber, eine Gitteremission, wie sie analog in Entladungsröhren auftreten kann, zu verhindern. Zu diesem Zweck wird erfindungsgemäß die Steuerelektrode aus einem Metall mit elektronegativem Verhalten gegenüber dem Anion der Kristallschicht hergestellt.
  • Eine günstige Ausführungsform,des Elektrodensystems -besteht darin, daß- die Kathode und die Anode aus konzentrisch angeordneten zylindrischen Körpern bestehen, auf deren Innern die dielektrische Schicht, die Steuerelektrode umhüllend, aufgedampft ist.
  • Bewährt hat sich ein Herstellungsverfahren, bei dem das Dielektrikum aus einer die innere Elektrode einhüllenden Schicht besteht, die durch Aufdampfen auf einen isolierenden Träger erzeugt wird.
  • Mit Vorteil kann die äußere Elektrode bei einem konzentrisch angeordneten System durch Aufdampfen eines geeigneten Metalls auf die dielektrische Schicht unmittelbar gebildet werden.
  • Die Zeichnung zeigt in zum Teil schematischer Darstellung Ausführungsbeispiele gemäß der Lehre der Erfindung.
  • In Abb. i ist in eine kristalline Schicht i aus Kadmiumselenid eine Steuerelektrode 2 aus Platin eingebettet. Auf der einen Seite des Dielektrikums ist als Anode 3 eine Schicht aus Graphit oder Platin aufgedampft, während auf der entgegengesetzten Seite eine Schicht aus einem Elektronen abgebenden Metall, z. B. Calcium, als Kathode q. aufgebracht ist. .Die Stromzuführung kann über angedrückte Metall- oder Graphitelelctrode:l5 -erfolgen. Legt man nun zwischen die Elektroden 3 und q. eineAnodenspannung 6 und führt der Steuerelektrode 2 eine von negativen zu positiven Werten wechselnde Gitterspannung 7 zu, so erhält man die für die Verstärkerröhre typische Charakteristik des Anodenstromes in Abhängigkeit von der Gitterspannung. Derartige Systeme sind also in gleicher Weise als Audion und Verstärker anwendbar wie die gittergesteuerten Vakuumröhren.
  • In Abb.2 und 3 sind zwei praktische Ausführungsbeispiele für ein unsymmetrisch leitendes System mit Steuerelektrode nach der Erfindung dargestellt, und zwar in mindestens fünf- bis zehnfacher Vergrößerung.
  • Abb. 2 zeigt eine ebene Anordnung, deren Ausdehnung senkrecht zur. Bildebene erheblich größer zu denken ist als in der Bildebene. Auf einer isolierenden Trägerplatte 8 ist beispielsweise Kadmiumselenid in dünner Schicht aufgedampft. Auf dieser Teilschicht sind die Kathode 9, die Anode io und die Steuerelektrode i i angeordnet. Die Steuerelektrode kann zweckmäßig auch mehrteilig oder durchbrochen ausgebildet sein, um den Elektronen einen bequemen Weg zu schaffen und den inneren Widerstand der Anordnung zu verringern. Darauf wird eine weitere Teilschicht aus Kadmiumselenid aufgedampft, so daß die drei Elektroden bis auf die aus dem System hervorragenden Zuführungen von der Schicht 12 vollständig eingehüllt sind. Zum Schutz dieser Schicht kann eine weitere Deckelektrode 13 aus Isoliermaterial vorgesehen sein.
  • Abb. 3 zeigt ein kreissymmetrisch angeordnetes System nach der Erfindung. Auf die als Draht oder Röhrchen von zylindrischem Querschnitt zu denkende Elektrode 14 ist Kadmiumselenid oder ein ähnlicher dielektrischer Körper 15 aufgedampft. Auf ihr ist eine Anzahl von Steuerelektroden, beispielsweise in Form dünner Metallfäden 16, angeordnet und hierauf eine weitere Schicht von Kadmiumselenid 15 od. dgl. aufgedampft, so daß die Steuerelektroden völlig von ihr eingehüllt sind. Diese dielektrisehe Schicht wird auf ihrer Oberfläche mit der Kathode 17 in Verbindung gebracht, die zur Erzielung eines anliegenden Kontaktes ebenfalls durch Verdampfung eines geeigneten Metalls, z. B. Calcium, erzeugt werden kann. Auf diese Weise lassen- sich steuerbare Trockengleichrichter herstellen, welche sich durch hohe Feldstärke und geringe Kapazität auszeichnen. Die Erzeugung der dielektrischen Schicht durch Aufdampfen hat den Vorzug, daß sich besonders leicht Schichten mit gestörtem stöchiometrischem Gleichgewicht herstellen lassen, die sich den Elektroden der verschiedensten Formen lückenlos anschließen.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfähigkeit, bestehend aus einer elektropositiven und einer elektronegativen Elektrode, einem beide trennenden kristallinen Stoff sowie einer in diesem eingelagerten Steuerelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß der kristalline Stoff einen Brechungsexponenten höher als 2 und gestörtes stöchiometrisches Gleichgewicht besitzt und. daß die Steuerelektrode aus einem Metall mit elektronegativem Verhalten gegenüber dem Anion des kristallinen Stoffes besteht.
  2. 2. Elektrodensystem nach Anspruch r, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathode und die Anode aus konzentrisch angeordneten zylindrischen Körpern bestehen, auf deren Innerem die dielektrische Schicht, die Steuerelektrode umhüllend, aufgedampft ist.
  3. 3. Verfahren zum Herstellen eines Elektrodensystems gemäß Anspruch r, dadurch gekennzeichnet, daß das Dielektrikum aus einer die innere Elektrode einhüllenden Schicht besteht, die durch Aufdampfen auf einen isolierenden Träger erzeugt wird. 4.. Verfahren zum Herstellen eines Elektrodensystems gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die äußere Elektrode durch Aufdampfen eines geeigneten Metalls auf der dielektrischen Schicht unmittelbar gebildet wird.
DEA10138D 1938-11-15 1938-11-16 Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfaehigkeit Expired DE887542C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEA10138D DE887542C (de) 1938-11-15 1938-11-16 Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfaehigkeit

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEA0010138 1938-11-15
DEA10138D DE887542C (de) 1938-11-15 1938-11-16 Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfaehigkeit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE887542C true DE887542C (de) 1953-08-24

Family

ID=25963087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEA10138D Expired DE887542C (de) 1938-11-15 1938-11-16 Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfaehigkeit

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE887542C (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1025526B (de) * 1955-07-13 1958-03-06 Siemens Ag Halbleitergrundkoerper, vorzugsweise Einkristall, zum Aufbau von Halbleiteranordnungen, beispielsweise Gleichrichtern und Transistoren, und Verfahren zu seiner Herstellung
DE973206C (de) * 1949-05-31 1959-12-24 Siemens Ag Regelbarer Widerstand
DE1244987B (de) * 1963-12-24 1967-07-20 Hughes Aircraft Co Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE973206C (de) * 1949-05-31 1959-12-24 Siemens Ag Regelbarer Widerstand
DE1025526B (de) * 1955-07-13 1958-03-06 Siemens Ag Halbleitergrundkoerper, vorzugsweise Einkristall, zum Aufbau von Halbleiteranordnungen, beispielsweise Gleichrichtern und Transistoren, und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1244987B (de) * 1963-12-24 1967-07-20 Hughes Aircraft Co Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1464363B1 (de) Unipolartransistor
DE1789084B2 (de) Duennschicht-verknuepfungsglied und verfahren zu seiner herstellung
DE2363088B2 (de) Koronaentladungselektrode zur Erzeugung einer negativen Koronaentladung
DE887542C (de) Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfaehigkeit
DE919360C (de) Selen-Gleichrichter mit Tellur und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1614233B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE1204738B (de) Elektrischer Schichtwiderstand
DE1244310B (de) Elektrisch verstaerkendes Bauelement mit duennen isolierenden Festkoerperschichten
DE2039734A1 (de) Verbessertes Metall-Isolator-Halbleiter-Bauelement
DE1275221B (de) Verfahren zur Herstellung eines einen Tunneleffekt aufweisenden elektronischen Festkoerperbauelementes
DE628900C (de) Verfahren zum Herstellen von hochemittierenden Kathoden in Mehrsystemroehren
DE1014154B (de) Verfahren zum Anbringen eines leitenden Netzwerkes auf einem aus Isolierstoff bestehenden Traeger zur Herstellung einer Bildelektrode
DE2924569C2 (de) Halbleiterdetektor aus hochreinem Grundmaterial, insbesondere Germanium
DE710006C (de) Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Zelle
AT150558B (de) Trockengleichrichter.
DE1619973B2 (de) Verfahren zur herstellung von halbleitermaterial durch ab scheiden aus der gasphase
DE1060053B (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einem mehrschichtigen Halbleiter mit verschiedenem Gehalt an Halogen und elektropositiven Zusaetzen in den einzelnen Schichten
DE875968C (de) Elektrisch unsymmetrisch leitendes System
DE2228145C3 (de) Rohrförmiger Durchführungsisolator
DE2543079A1 (de) Verfahren zum herstellen von festkoerperkondensatoren
DE1764756A1 (de) Duennschicht-Feldeffekt-Halbleiterbauelement
DE823012C (de) Schaltung mit einer Entladungsroehre
AT149761B (de) Verfahren zur Herstellung von Elektroden für elektrische Sammler.
DE976530C (de) Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators
DE941143C (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrolytischen Kondensators, bei welchem die Kathode aus einer auf einem Abstandhalter aufgebrachten Belegung aus Metall besteht