AR001255A1 - Dispositivo de celda de memoria estacionaria y procedimiento para su elaboración - Google Patents

Dispositivo de celda de memoria estacionaria y procedimiento para su elaboración

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AR001255A1
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AR
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memory cell
cell device
elaboration
procedure
stationary
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AR33577196A
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Wolfgang Dr Krautschneider
Lothar Dr Risch
Franz Dr Hofmann
Original Assignee
Siemens Ag
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
    • H10B20/27—ROM only
    • H10B20/30—ROM only having the source region and the drain region on the same level, e.g. lateral transistors
    • H10B20/38—Doping programmed, e.g. mask ROM
    • H10B20/383—Channel doping programmed

Abstract

Un dispositivo de celdas de memoria estacionaria comprende una cantidad de celdas de memorias individuales, que siempre incluyen un transitor MOS, y queestán dispuestas en hileras que corren paralelas. Las hileras contiguas corren en este caso siempre alternativamente en el piso de los surcos longitudinales(6) y entre surcos longitudinales (6) contiguos, y están aisladas entre sí. El dispositivo de celdas de memoria estacionaria se puede realizar con pasos deproceso autoajustables, con un requerimiento de superficie por celda de memoria de 2 F Exponente 2 (F: tamano estructural mínimo).
AR33577196A 1995-03-20 1996-03-15 Dispositivo de celda de memoria estacionaria y procedimiento para su elaboración AR001255A1 (es)

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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19545903C2 (de) * 1995-12-08 1997-09-18 Siemens Ag Festwertspeicherzellenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE19630050B4 (de) * 1996-07-25 2005-03-10 Infineon Technologies Ag Herstellverfahren für eine Lackmaske auf einem Substrat mit einem Graben
DE19640235C2 (de) 1996-09-30 2001-10-25 Infineon Technologies Ag Halbleiter-Festwertspeicher mit in Grabenseitenwänden vertikal verlaufenden Transistoren und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19652547C2 (de) * 1996-12-17 2002-04-25 Infineon Technologies Ag Speicherzellenanordnung mit Grabenstruktur und einem Gatedielektrikum, das ein Material mit Ladungsträger-Haftstellen enthält, und Verfahren zu deren Herstellung
KR19980084469A (ko) * 1997-05-23 1998-12-05 문정환 마스크 롬 및 그의 제조방법
DE19742397C2 (de) * 1997-09-25 2000-07-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit einer Mehrzahl von Gräben
TW406419B (en) * 1998-01-15 2000-09-21 Siemens Ag Memory-cells arrangement and its production method
DE19805712A1 (de) 1998-02-12 1999-08-26 Siemens Ag Speicherzellenanordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE19807776A1 (de) * 1998-02-24 1999-09-02 Siemens Ag Halbleitervorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE19807920A1 (de) * 1998-02-25 1999-09-02 Siemens Ag Speicherzellenanordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren
WO1999049516A1 (de) 1998-03-24 1999-09-30 Infineon Technologies Ag Speicherzellenanordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE19843979C1 (de) * 1998-09-24 2000-03-02 Siemens Ag Speicherzellenanordnung mit ferroelektrischem oder dynamischen Speicherzellen und entsprechendes Herstellungsverfahren

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04226071A (ja) * 1990-05-16 1992-08-14 Ricoh Co Ltd 半導体メモリ装置
JPH04354159A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH05102436A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Ricoh Co Ltd 半導体メモリ装置とその製造方法
JPH05110036A (ja) * 1991-10-18 1993-04-30 Ricoh Co Ltd 半導体メモリ装置とその製造方法

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JPH11502370A (ja) 1999-02-23

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