JPH054190Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［考案の目的］ （産業上の利用分野） 本考案は、陰極線管に係り、特に分圧用の低抗
体を備えた陰極線管に関する。

（従来の技術） 一般に、カラー受像管のような陰極線管の電子
銃では約25kV〜30kVの陽極高電圧以外に、フオ
ーカス電圧として約5kV〜8kVの中電圧が必要さ
れる。

しかしながら、陽極高電圧以外にこのような中
電圧を別途管外より供給することは、主として供
給部の耐圧が大きな問題となるし、またこのため
供給部の構造が複雑になる等の問題がある。

このため、陰極線管内に抵抗体を配置し、これ
によつて陽極高電圧を分圧してそれぞれ所要の中
高電圧を得る方法が例えば実開昭48−21561号公
報、実開昭55−38484号公報、米国特許第3932786
号、米国特許第4143298号などに提案されている。

このように陰極線管内に低抗体を配置する場
合、管内には大きな低抗体を配置するための十分
なスペースがなく、たとえば電子銃が配置されて
いるネツク部のわずかなスペースに配置されるこ
とがある。

第３図はこのようなネツク部に低抗体が配置さ
れた従来の陰極線管の概略的一部斜視図ある。ま
た、第４図は第３図の正面図、第５図は第４図の
Ｂ−Ｂ断面図である。

同図に示す陰極線管１は、図示しないスクリー
ン面を有する部分と、電子銃２を有するネツク部
３と、それらを結ぶフアネル部（図示せず）とか
らなる。

また、第３図および第４図において、電子銃２
は、後述する複数個の電極と、これを支える複数
の絶縁支持体４とを有し、ガラス円筒のネツク部
３内に封入されている。

上記した複数個の電極は、それぞれ赤、緑、青
色蛍光体に射突される３本の電子ビーム５Ｒ，５
Ｇ，５Ｂを発生するための３個のそれぞれヒータ
ー６Ｒ，６Ｇ，６Ｂを内装する１列配設された陰
極７Ｒ，７Ｇ，７Ｂと、これら３個の陰極７Ｒ，
７Ｇ，７Ｂに対応する位置にそれぞれ所定の電子
ビーム通過孔部が穿孔され一体化構造（ユニタイ
ズ構造）を有する第１グリツドG₁８、第２グリ
ツドG₂９、第３グリツドG₃１０、第４グリツド
G₄１１、第５グリツドG₅１２およびコンバーゼ
ンス電極１３からなり、それぞれこの順序で前記
絶縁支持体４に植設固定支持されている。

前記したコンバーゼンス電極１３には陽極端子
（図示しない）に印加され内部導電膜１４を通し
約25kVの高電圧Ebを加えるバルブスペーサ１５
が取付けられている。そして低抗体１６が絶縁支
持体４の背後にリボンやワイヤ等からなる管内部
品接続体１７により管内部品に機械的取着と共に
電気的接続がなされている。

次に第３図ないし第５図により低抗体１６を詳
細に説明する。

低抗体１６は、幅5.0mm、厚さ1.0mm、長さ60mm
のセラミツクス基板１８と、この基板１８上に形
成された酸化ルテニウムを主体としガラスを混合
した1000MΩ程度の高低抗材１９と、この高抵抗
材１９部を覆うように厚さが50〜200μm程度で薄
くコートされたガラス材２０と、前記高抵抗材１
９から貫通孔内壁まで延在して形成される酸化ル
テニウムを主体とし数KΩ程度の低抵抗材である
導電部２１と、所定の長さを有しかつ端部Ｓと中
間部C₁，C₂に形成される貫通孔２２と、この貫
通孔２２に挿入固着されると同時に前記導電部１
４と電気的に接続される抵抗体接続部２３と、一
部がこの低抗体接続部２３に固着され他部が管内
の所定部品に固着されると同時に電気的接続が行
なわれる管内部品接続部１７とを有する。

抵抗体接続部２３は例えばアイレツト状金属で
あり、貫通孔２２に挿入されその上下から押圧し
て変形することによりセラミツクス基板１８に固
着され、同時に高抵抗材１９の延長部の導電部１
４に電気的に接続される。

管内部品接続部１７は例えばリボン状金属材料
よりなり、一部が前記低抗体接続部２３の平坦部
に溶接固着され、他部が管内の所定部品に固着さ
れる。その結果、低抗体１６は管内に確実に機械
的に固着され、かつ低抗体１６と管内部品との電
気的接続も同時に行なわれる。

なお、上述の陰極線管において、管内部品接続
部１７はコンバーゼンス電極１３、第４グリツド
G₄１１、第３グリツドG₃１０およびステムピン
２４に接続されており、また電気回路は第６図に
示される通りである。なお、第６図において、符
号２５は管外に設けられる可変低抗である。

その結果、コンバーゼンス電極１３に25kVの
電圧が印加されると低抗材１９の抵抗により電圧
降下が生じ、第４グリツド１１には約12kV、第
３グリツド１０には約6kVの電圧が印加される。

このように上述した従来の陰極線管にあつて
は、低抗体１６はネツク３と電子銃２とのわずか
な空間部に配置されているが、このような空間部
は電子銃２の各電極での電位、内部導電膜１４で
の電位等の影響によつて複雑な電位分布すなわち
不安定な電位分布が形成される。特にネツク３内
壁や絶縁支持体４の背後や低抗体１６の絶縁支持
体１４との対向面はガラスやセラミツクス等の絶
縁物であるため、これらの表面の電位分布は不安
定である。

したがつて、陰極７Ｒ，７Ｇ，７Ｂから発生し
た電子ビームの散乱、電子銃２を構成する金属部
分や他の金属からの電界放出等によつて浮遊して
いる電子がこれらの絶縁物に衝撃したときには、
後述する電子の増倍によつてこれら絶縁物の表面
の電位分布が大きく変動し、グロー状の放電現象
が発生してフオーカス状態が変動するという問題
がある。

また、後述する理由により低抗体１６の低抗体
接続部２３近傍においてスパークが発生し、陰極
線管動作回路を破壊させてしまうという問題があ
る。

すなわち、上記の電子の増倍さらにはスパーク
は次のような理由により生じるとものと考えられ
る。

上記したように電子銃２の周囲には、陰極７
Ｒ，７Ｇ，７Ｂから発生した電子ビームの散乱、
電子銃２を構成する金属部分や他の金属からの電
界放出等によつて電子が浮遊している。そして、
低抗体１６の低抗体接続部２３は陽極の電位より
もわずかに低い高電圧となつているため、上記の
浮遊電子は低抗体接続部２３に集中して衝突す
る。またこの集中の際、これらの浮遊電子は低抗
体１６と絶縁支持体４との間隙を移動するのであ
るが、この場合、低抗体１６のセラミツクス基板
１８の２次電子放出係数は1.3〜３程度であるた
め、１次電子である浮遊電子がこのセラミツクス
基板１８に衝突したときに多量の２次電子が放出
され、電子が増倍される。さらにはこのような電
子増倍をくり返しながら高エネルギとなり低抗体
接続部２３に衝突する。

また、セラミツクス基板１８の表面粒界層には
多くのガスが吸蔵されているため、上記した電子
の衝突によりガスも放出される。

このようにして浮遊電子は電子増倍とガス放出
をくり返しながら移動するため、しかる後にガス
は電子の衝突を受け電離されプラズマ状態となり
高電位の低抗体１６の低抗体接続部２３近傍で局
部的な発光を伴う放電が発生し、これが大きなス
パークへ発展するものと考えられる。

（考案が解決しようとする問題点） このように上述した従来の陰極線管において
は、低抗体１６のセラミツクス基板１８と絶縁支
持体４との間隙で電子の増倍によつてグロー状の
局部的放電現象が発生し、このため低抗体１６か
らの供給電位が変動し、フオーカス状態が変動す
るという問題がある。

また、低抗体１６の低抗体接続部２３近傍にお
いてはスパークが発生し、陰極線管動作回路を破
壊させてしまうという問題がある。

本考案はこのような問題点を解決するためにな
されたものでその目的とするところは、低抗体と
絶縁支持体間での放電およびスパークの発生を防
止することができる陰極線管を提供することにあ
る。

［考案の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本考案は、ガラス製のネツク管と、こ
のネツク管に内蔵され高電圧のターゲツトに向つ
て電子ビームを照射する電子銃構体とを少なくと
も有し、前記電子銃構体が、軸方向に所定の間隔
をおいて配置される複数の電極と、これら電極の
側面に配置され各電極を保持する絶縁支持体と、
この絶縁支持体の前記電極保持面の反対面に配置
されターゲツトからの高電圧を前記電極に分圧供
給する抵抗体とを備え、前記抵抗体が、絶縁性支
持基板と、この支持基板の絶縁支持体との対向面
の反対面に形成された抵抗材とを有する陰極線管
において、前記抵抗体の絶縁性支持基板の表裏両
面および抵抗材が、薄い絶縁被覆層で覆われてい
ることを特徴としている。

（作用） 本考案の陰極線管において、低抗体の絶縁性支
持基板の表裏両面および低抗材が、薄い絶縁被覆
層で覆われているので、絶縁性支持基板での浮遊
電子の増倍およびガスの放出がなくなり、低抗体
と絶縁支持体間での放電およびスパークの発生が
防止される。

（実施例） 以下、本考案の実施例の詳細を図面に基づいて
説明する。

第１図は本考案の一実施例に係る陰極線管に用
いられる低抗体を示す概略的斜視図であり、第２
図は第１図のＡ−Ａ断面図である。なお、これら
の図に示す低抗体は従来例の第３図および第４図
に示した陰極線管に用いられるものであるため、
以下重複した説明は省略し同一の要素には同一の
符号を用いて説明する。

すなわち、第１図および第２図に示す低抗体４
０は第３図および第４図に示した陰極線管１の低
抗体１６の代わりに用いられるものであり、第１
図および第２図において、符号４１は幅5.0mm、
厚さ1.0mm、長さ60mmの薄板矩形状のセラミツク
ス基板であり、セラミツクス基板４１の端部Ｓお
よび中間部C₁……には直径３mmの円形の貫通孔
４２が穿設されている。この貫通孔４２の内壁お
よびその周辺のセラミツクス基板４１表面には低
抗材もしくは金属製薄膜等からなる導電部４３…
…が形成され、これら導電部４３……間のセラミ
ツクス基板４１表面には所定パターンで低抗材４
４……が形成されている。

そして、セラミツクス基板４１表面に形成され
た低抗材４４およびこのセラミツクス基板４１の
表裏全面を覆うように絶縁性薄膜４５が形成さ
れ、貫通孔４２に低抗体接続部４６が嵌入固着さ
れ、この低抗体接続部４６が導電部４３に電気的
に接続されてなる。

次に、この低抗体４０の形成方法について上記
の構成を詳細にしながら説明する。

まず、低抗材４４として酸化ルテニウムを主体
としガラスを混合した500MΩ〜5000MΩ程度の
高抵抗値の抵抗材を、導電部４３として酸化ルテ
ニウムを主体とした数KΩ程度の低抵抗値の抵抗
材を所定パターンでセラミツクス基板４１表面に
塗布し、約800〜1000℃で焼結する。

次いで、絶縁性薄膜４５としてはセラミツクス
基板４１表面に形成された抵抗材４４およびこの
セラミツクス基板４１の裏面を覆うように50μm
〜300μm程度の珪酸鉛ガラスを主体としＡ₂O₃
を混合あるいはホウ珪酸鉛ガラスを主体としＡ
_２O₃、Fe₂O₃、Cr₂O₃を混合してなるガラス材をハ
ケ塗り、スプレー、印刷あるいはスパツタリング
等の方法で被覆し約500℃で焼結する。

しかる後、例えばアイレツト状金属からなる低
抗体接続部４６を貫通孔４２に挿入しその上下か
ら押圧して変形することによりこの低抗体接続部
４６をセラミツクス基板４１に固着し、同時に導
電部４３に電気的に接続する。

このような低抗体４０を有する陰極線管１によ
れば、陰極７Ｒ，７Ｇ，７Ｂから発生した電子ビ
ームの散乱、電子銃２を構成する金属部分や他の
金属からの電界放出等によつて発生し電子銃２周
辺を浮遊する電子は低抗体４０の導電部４３等の
高電圧により引き寄せられて低抗体４０と絶縁支
持体４との間を移動する。その際、低抗体４０の
セラミツクス基板４１は絶縁性薄膜４５により覆
われているため、セラミツクス基板４１に電子が
衝突することにより生じる２次電子の放出がほぼ
なくなる。

また、セラミツクス基板４１の表面粒界に吸蔵
されているガスや水分は、上記した製造工程で焼
結するときに、その大部分が放出され、その後こ
のセラミツクス基板４１の表面粒界は緻密なガラ
ス材である絶縁性薄膜４５で被覆されるため、再
度粒界に多量のガスや水分が吸蔵されることはな
く、その後は絶縁性薄膜４５表面に付着する程度
である。さらにはこの絶縁性薄膜４５表面に付着
したガスや水分は陰極線管を製造する通常の排気
作業でほとんど取り除かれる。このため、セラミ
ツクス基板４１に電子が衝突することにより生じ
るガス放出は極めて少なくなる。

かくして、局部的放電の発生さらにはこれに基
因するスパークの発生が完全に抑制されることと
なり、フオーカス状態の変動および陰極線管動作
回路の破壊が防止される。

なお、上述した実施例では絶縁性薄膜４５を低
抗体接続部４６近傍まで形成しセラミツクス基板
４１を露出しない場合について説明したが、低抗
体接続部４６との電気的な接触が良好な低抵抗の
厚膜抵抗材を低抗体接続部４６近傍に形成しその
周辺を絶縁性薄膜４５で覆つた場合も良好な結果
を得ることができる。

また、上述の実施例では低抗体４０に貫通孔４
２を穿設しこの貫通孔４２に低抗体接続部４６を
嵌入固着しているが、本考案はこれに限らず、低
抗体接続部４６として弾性材を使用しこの弾性材
を被接続部との間に介挿させる周知の技術を用い
ても勿論よい。

〔考案の効果〕

以上説明したように本考案の陰極線管によれ
ば、低抗体と絶縁支持体間での放電およびスパー
クの発生が防止され、フオーカス状態の変動およ
び陰極線管動作回路の破壊が防止される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例に係る陰極線管に用
いられる低抗体を示す概略的斜視図であり、第２
図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３図はネツク部に
低抗体が配置された従来の陰極線管の概略的一部
斜視図、第４図は第３図の正面図、第５図は第４
図のＢ−Ｂ断面図、第６図は低抗体の回路図であ
る。 ４０……低抗体、４１……セラミツクス基板、
４２……貫通孔、４３……導電部、４４……抵抗
材、４５……絶縁性薄膜、４６……低抗体接続
部。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ガラス製のネツク管と、このネツク管に内蔵
   され高電圧のターゲツトに向つて電子ビームを
   照射する電子銃構体とを少なくとも有し、 前記電子銃構体が、軸方向に所定の間隔をお
   いて配置される複数の電極と、これら電極の側
   面に配置され各電極を保持する絶縁支持体と、
   この絶縁支持体の前記電極保持面の反対面に配
   置されターゲツトからの高電圧を前記電極に分
   圧供給する抵抗体とを備え、 前記抵抗体が、絶縁性支持基板と、この支持
   基板の絶縁支持体との対向面の反対面に形成さ
   れた抵抗材とを有する陰極線管において、 前記抵抗体の絶縁性支持基板の表裏両面およ
   び抵抗材が、薄い絶縁被覆層で覆われているこ
   とを特徴とする陰極線管。 (2) 絶縁被覆層が、珪酸鉛ガラスを主体としＡ
   _２O₃を混合あるいはホウ珪酸鉛ガラスを主体と
   しＡ₂O₃、Fe₂O₃、Cr₂O₃を混合してなるガラ
   ス材であることを特徴とする実用新案登録請求
   の範囲第１項記載の陰極線管。 (3) 絶縁性支持基板が、セラミツクス基板である
   ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１
   項記載の陰極線管。