JPS6217347B2 - - Google Patents
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- JPS6217347B2 JPS6217347B2 JP53086507A JP8650778A JPS6217347B2 JP S6217347 B2 JPS6217347 B2 JP S6217347B2 JP 53086507 A JP53086507 A JP 53086507A JP 8650778 A JP8650778 A JP 8650778A JP S6217347 B2 JPS6217347 B2 JP S6217347B2
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- Japan
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- resistor
- electrode
- electrodes
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- electron gun
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/96—One or more circuit elements structurally associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/50—Electron guns two or more guns in a single vacuum space, e.g. for plural-ray tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/96—Circuit elements other than coils, reactors or the like, associated with the tube
- H01J2229/966—Circuit elements other than coils, reactors or the like, associated with the tube associated with the gun structure
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は陰極線管の内部に電子銃構体と共に組
み込まれて、この電子銃構体を構成する所定の電
極に所定の電圧を分圧して供給するための抵抗器
に関するものである。
み込まれて、この電子銃構体を構成する所定の電
極に所定の電圧を分圧して供給するための抵抗器
に関するものである。
本出願人は先に「特願昭52−4577号」により、
カラー陰極線管に用いられる電子銃構体を提案し
た。上記出願による発明では、電子銃構体の近傍
に厚膜抵抗器を配し、この厚膜抵抗器の一端に外
部からアノード電圧を加えると共に所定位置で分
圧された電圧を電子銃の所定の電極に供給するよ
うにしている。本発明は上記厚膜抵抗器に関する
ものであるが、本発明の説明に先立ち、上記出願
における実施例についてその概略を第１〜３図と
共に説明する。
カラー陰極線管に用いられる電子銃構体を提案し
た。上記出願による発明では、電子銃構体の近傍
に厚膜抵抗器を配し、この厚膜抵抗器の一端に外
部からアノード電圧を加えると共に所定位置で分
圧された電圧を電子銃の所定の電極に供給するよ
うにしている。本発明は上記厚膜抵抗器に関する
ものであるが、本発明の説明に先立ち、上記出願
における実施例についてその概略を第１〜３図と
共に説明する。
第１〜３図はトリニトロン（登録商標）方式に
よる陰極線管に適用した場合の実施例を示す。
よる陰極線管に適用した場合の実施例を示す。
第１図及び第２図において１は電子銃、２はガ
ラス製のステム、３はステム２と一体的な排気パ
イプ、４はステム２に設けた端子ピン、G1〜G5
は夫々円筒状を成し、互いに同軸的に配列された
第１〜第５グリツド、５，６は上記グリツドG1
〜G5を支持片７を介して支持するためのビード
ガラス製の支持体、８，９はグリツドG5のフラ
ンジ１０に取付けた内側コンバージエンス電極、
１１，１２は上記支持体５，６に支持片１３を介
して支持された外側コンバージエンス電極、１４
は上記フランジ１０に一体的に設けられた接片
で、後述するようにこの電子銃１が封入される陰
極線管のネツク部の内周面に塗布されたカーボン
膜に接触することにより所定の電圧が加えられ
る。１５はグリツドG1〜G5の側面に金属支持片
１６及びリード線２２で両端を支持されたセラミ
ツク等の絶縁基板で、その表面には抵抗体１７が
プリントされ、さらにガラスコートされて設けら
れている。尚この基板１５の寸法は例えば巾10
mm、長さ50mm、厚さ1.5mmである。抵抗体１７の
一端には電極３０ａが形成され、この電極３０ａ
とグリツドG5とが支持片１６で接続され、この
グリツドG5とグリツドG3とがリード線１９で接
続されている。また抵抗体１７の所定位置には電
極３０ｂが形成され、この電極３０ｂとグリツド
G4とがリード線２０で接続されている。さらに
電極３０ａから所定の長さ隔つた位置には電極３
０ｃが形成され、この電極３０ｃとコンバージエ
ンス電極１１，１２とがリード線２１で接続され
ている。またさらに抵抗体１７の他端部には電極
３０ｄが形成され、この電極３０ｄと端子ピン４
ａとがリード線２２で接続されている。尚、コン
バージエンス電極１１，１２は互いに電気的に接
続されている。
ラス製のステム、３はステム２と一体的な排気パ
イプ、４はステム２に設けた端子ピン、G1〜G5
は夫々円筒状を成し、互いに同軸的に配列された
第１〜第５グリツド、５，６は上記グリツドG1
〜G5を支持片７を介して支持するためのビード
ガラス製の支持体、８，９はグリツドG5のフラ
ンジ１０に取付けた内側コンバージエンス電極、
１１，１２は上記支持体５，６に支持片１３を介
して支持された外側コンバージエンス電極、１４
は上記フランジ１０に一体的に設けられた接片
で、後述するようにこの電子銃１が封入される陰
極線管のネツク部の内周面に塗布されたカーボン
膜に接触することにより所定の電圧が加えられ
る。１５はグリツドG1〜G5の側面に金属支持片
１６及びリード線２２で両端を支持されたセラミ
ツク等の絶縁基板で、その表面には抵抗体１７が
プリントされ、さらにガラスコートされて設けら
れている。尚この基板１５の寸法は例えば巾10
mm、長さ50mm、厚さ1.5mmである。抵抗体１７の
一端には電極３０ａが形成され、この電極３０ａ
とグリツドG5とが支持片１６で接続され、この
グリツドG5とグリツドG3とがリード線１９で接
続されている。また抵抗体１７の所定位置には電
極３０ｂが形成され、この電極３０ｂとグリツド
G4とがリード線２０で接続されている。さらに
電極３０ａから所定の長さ隔つた位置には電極３
０ｃが形成され、この電極３０ｃとコンバージエ
ンス電極１１，１２とがリード線２１で接続され
ている。またさらに抵抗体１７の他端部には電極
３０ｄが形成され、この電極３０ｄと端子ピン４
ａとがリード線２２で接続されている。尚、コン
バージエンス電極１１，１２は互いに電気的に接
続されている。
上記構成による電子銃１は第３図のように陰極
線管のネツク部２３内に封入される。このネツク
部２３の内周面には接片１４が接触するカーボン
膜２４が形成されており、このカーボン膜２４は
図示せずもフアンネル部に設けた電圧供給ボタン
と電気的に接続され、外部からこのボタンを介し
て例えば約30KVの高電圧が加えられている。
線管のネツク部２３内に封入される。このネツク
部２３の内周面には接片１４が接触するカーボン
膜２４が形成されており、このカーボン膜２４は
図示せずもフアンネル部に設けた電圧供給ボタン
と電気的に接続され、外部からこのボタンを介し
て例えば約30KVの高電圧が加えられている。
上記構成によればカーボン膜２４に加えられた
高電圧は接片１４を介してコンバージエンス電極
８，９及びグリツドG5に加えられる。またグリ
ツドG5の電圧はリード線１９を介してグリツド
G3に加えられると共に支持片１６を介して抵抗
体１７の一端部に加えられる。これによつてコン
バージエンス電極８，９及びグリツドG5，G3は
同電位に保たれる。また抵抗体１７に加えられた
電圧はａ点で分圧されてリード線２１を介してコ
ンバージエンス電極１１，１２に加えられ、さら
にｂ点で分圧されてリード線２０を介してグリツ
ドG4に加えられる。これによつてコンバージエ
ンス電極１１，１２の電位をコンバージエンス電
極８，９の電位よりやや低くし（例えば29KV）、
グリツドG4の電位をさらに低くする（例えば
12KV）ことができる。また抵抗体１７の他端部
はリード線２２を介してピン４ａに接続され、こ
のピン４ａは可変抵抗器２５を介してアースされ
ている。この可変抵抗器２５はグリツドG4及び
コンバージエンス電極１１，１２の電位を微調整
するために設けられるものである。尚グリツド
G1，G2には所定のピン４を介して外部から所定
の電圧が夫々加えられている。
高電圧は接片１４を介してコンバージエンス電極
８，９及びグリツドG5に加えられる。またグリ
ツドG5の電圧はリード線１９を介してグリツド
G3に加えられると共に支持片１６を介して抵抗
体１７の一端部に加えられる。これによつてコン
バージエンス電極８，９及びグリツドG5，G3は
同電位に保たれる。また抵抗体１７に加えられた
電圧はａ点で分圧されてリード線２１を介してコ
ンバージエンス電極１１，１２に加えられ、さら
にｂ点で分圧されてリード線２０を介してグリツ
ドG4に加えられる。これによつてコンバージエ
ンス電極１１，１２の電位をコンバージエンス電
極８，９の電位よりやや低くし（例えば29KV）、
グリツドG4の電位をさらに低くする（例えば
12KV）ことができる。また抵抗体１７の他端部
はリード線２２を介してピン４ａに接続され、こ
のピン４ａは可変抵抗器２５を介してアースされ
ている。この可変抵抗器２５はグリツドG4及び
コンバージエンス電極１１，１２の電位を微調整
するために設けられるものである。尚グリツド
G1，G2には所定のピン４を介して外部から所定
の電圧が夫々加えられている。
以上によれば接片１４から得られる電圧に基き
この電圧を抵抗体１７で分圧して各電極に加える
ことにより各電極を所定の電位に保持することが
できる。尚、本実施例では抵抗体１７からコンバ
ージエンス電圧とフオーカス電圧とを抵抗分割で
取り出しているが、コンバージエンス電圧のみま
たはフオーカス電圧のみを取り出すようにしても
よい。コンバージエンス電圧のみを取り出す場合
の一例としては、グリツドG4への給電を抵抗体
１７からではなく、従来のように端子ピン４から
０ないし5KVの電圧を供給することにより行われ
る場合がある。
この電圧を抵抗体１７で分圧して各電極に加える
ことにより各電極を所定の電位に保持することが
できる。尚、本実施例では抵抗体１７からコンバ
ージエンス電圧とフオーカス電圧とを抵抗分割で
取り出しているが、コンバージエンス電圧のみま
たはフオーカス電圧のみを取り出すようにしても
よい。コンバージエンス電圧のみを取り出す場合
の一例としては、グリツドG4への給電を抵抗体
１７からではなく、従来のように端子ピン４から
０ないし5KVの電圧を供給することにより行われ
る場合がある。
またフオーカス電圧のみを取り出す場合はコン
バージエンス電極のない場合であつて、トリニト
ロン方式以外の陰極線管に対しても適用される。
この場合については第１図のコンバージエンス電
極８，９，１１，１２のないものを考えればよ
い。
バージエンス電極のない場合であつて、トリニト
ロン方式以外の陰極線管に対しても適用される。
この場合については第１図のコンバージエンス電
極８，９，１１，１２のないものを考えればよ
い。
以上によれば、カーボン膜２４に高電圧を供給
するために、陰極線管のフアンネル部に簡単な構
造のアノードボタンを１個設けるだけでよく、従
来用いられていた同軸ボタンを用いる必要がなく
なる。また従来行われていた管内のケーブル配線
工程も省略でき、組立て作業を容易に行うことが
できる等の効果が得られる。
するために、陰極線管のフアンネル部に簡単な構
造のアノードボタンを１個設けるだけでよく、従
来用いられていた同軸ボタンを用いる必要がなく
なる。また従来行われていた管内のケーブル配線
工程も省略でき、組立て作業を容易に行うことが
できる等の効果が得られる。
次に本発明に関する厚膜抵抗器について述べ
る。
る。
この厚膜抵抗器は第１図及び第２図に示すよう
に、基板１５に抵抗体１７及び電極３０ａ〜３０
ｄを形成した構造を有している。このように陰極
線管の内部に組み込まれて使用される抵抗体１７
の材料に要求される条件としては、(1)高温に耐え
ること、(2)気化量の少いこと、(3)スパツタリング
の少いこと、(4)抵抗値変化の少いこと、等であ
る。特に(1)については、陰極線管の製造工程にお
けるフリツトシールやノツキング時に高温による
ガスの放出が重要な問題となる。一般に陰極線管
のような真空デバイスの寿命を決める要因の一つ
として、真空度の低下がある。このため真空デバ
イスに使用される材料のガス放出の問題は特に重
要であり、材料の選定、前処理等に充分な考慮を
払わなければならない。
に、基板１５に抵抗体１７及び電極３０ａ〜３０
ｄを形成した構造を有している。このように陰極
線管の内部に組み込まれて使用される抵抗体１７
の材料に要求される条件としては、(1)高温に耐え
ること、(2)気化量の少いこと、(3)スパツタリング
の少いこと、(4)抵抗値変化の少いこと、等であ
る。特に(1)については、陰極線管の製造工程にお
けるフリツトシールやノツキング時に高温による
ガスの放出が重要な問題となる。一般に陰極線管
のような真空デバイスの寿命を決める要因の一つ
として、真空度の低下がある。このため真空デバ
イスに使用される材料のガス放出の問題は特に重
要であり、材料の選定、前処理等に充分な考慮を
払わなければならない。
フリツトシールの工程では、430℃位で加熱が
行われるが、この加熱によるガスの発生が少いこ
とが必要である。またノツキング工程では電子銃
の組立て完了後に、コンバージエンス電極と端子
ピンとの間に、定格の２〜３倍である50〜60KV
の高圧を印加して、各グリツドG1〜G5間で放電
を生じさせることによつて、円筒状グリツドのエ
ツジに不要に形成された細かいバリを取り除くよ
うにしている。上記の高圧は抵抗体１７にも加え
られることになり、このため抵抗体１７には、そ
の抵抗値Ｒと電流ＩとによるI2Rに基く高熱が発
生する。この熱によつて抵抗体１７が変質して抵
抗値Ｒが変化したり、ガスを放出したりしないよ
うにすることが必要となる。抵抗値Ｒは300〜
1000MΩに選ばれるが、その安定度はかなり厳し
い精度を要求される。例えば第２図において、電
極３０ａとａ点までの抵抗値をR1とし、ａ点か
ら電極３０ｄまでの抵抗値をR2とした場合に要
求される安定度は、Ｒ１／Ｒ１＋Ｒ２の値が所定値の±
0.3 ％以内に収まらなければならない。この他に重要
な問題として、ノツキングによる高電界によつて
生じる沿面放電のために抵抗体１７のパターン間
でスパッタリングが生じ、このために抵抗値Ｒが
変化したり、スパツター物質が電子銃に対して悪
影響を及ぼすので、これを防止することが必要で
ある。
行われるが、この加熱によるガスの発生が少いこ
とが必要である。またノツキング工程では電子銃
の組立て完了後に、コンバージエンス電極と端子
ピンとの間に、定格の２〜３倍である50〜60KV
の高圧を印加して、各グリツドG1〜G5間で放電
を生じさせることによつて、円筒状グリツドのエ
ツジに不要に形成された細かいバリを取り除くよ
うにしている。上記の高圧は抵抗体１７にも加え
られることになり、このため抵抗体１７には、そ
の抵抗値Ｒと電流ＩとによるI2Rに基く高熱が発
生する。この熱によつて抵抗体１７が変質して抵
抗値Ｒが変化したり、ガスを放出したりしないよ
うにすることが必要となる。抵抗値Ｒは300〜
1000MΩに選ばれるが、その安定度はかなり厳し
い精度を要求される。例えば第２図において、電
極３０ａとａ点までの抵抗値をR1とし、ａ点か
ら電極３０ｄまでの抵抗値をR2とした場合に要
求される安定度は、Ｒ１／Ｒ１＋Ｒ２の値が所定値の±
0.3 ％以内に収まらなければならない。この他に重要
な問題として、ノツキングによる高電界によつて
生じる沿面放電のために抵抗体１７のパターン間
でスパッタリングが生じ、このために抵抗値Ｒが
変化したり、スパツター物質が電子銃に対して悪
影響を及ぼすので、これを防止することが必要で
ある。
以上のような要求を実用上満足できるものとし
て、本発明では抵抗体１７の材料としてRuO2−
ガラス系を用いている。一例として硼珪酸ガラス
を結合剤とし、これにRuO2粉末とTi，Al2O3等
の添加剤とを加え、さらにエチルセルロース等の
有機バインダとBCA等の溶剤で混合、撹拌して
ペースト化したものが用いられる。基板１５とし
ては、90〜97％のアルミナから成るものが用いら
れる。この基板上にRuO2−ガラス系ペーストを
スクリーン印刷法により、第１図及び第２図のよ
うにジグザグ状あるいは波状に形成する。次に
750〜850℃で40〜60分焼成することにより、抵抗
体１７を得ることができる。RuO2−ガラス系ペ
ーストはＲｕＯ２／ガラス比が増すと面積抵抗が低下し
、同 じ比率ではRuO2粉末が粗い程面積抵抗が高くな
る。本発明では上記比率が20／80程度までの範囲
に選ばれる。尚、焼成後における抵抗体１７の膜
厚は10〜15μｍである。このようにして得られた
抵抗体１７は、ノツキング時における高温、高圧
の下でも抵抗値の変化が−10％以下と少く、また
ガスの放出も少く安定であることが認められた。
さらにRuO2系はスパツタ係数が小さいので、ス
パッタ物質による電子銃への悪影響を少くするこ
とができる。
て、本発明では抵抗体１７の材料としてRuO2−
ガラス系を用いている。一例として硼珪酸ガラス
を結合剤とし、これにRuO2粉末とTi，Al2O3等
の添加剤とを加え、さらにエチルセルロース等の
有機バインダとBCA等の溶剤で混合、撹拌して
ペースト化したものが用いられる。基板１５とし
ては、90〜97％のアルミナから成るものが用いら
れる。この基板上にRuO2−ガラス系ペーストを
スクリーン印刷法により、第１図及び第２図のよ
うにジグザグ状あるいは波状に形成する。次に
750〜850℃で40〜60分焼成することにより、抵抗
体１７を得ることができる。RuO2−ガラス系ペ
ーストはＲｕＯ２／ガラス比が増すと面積抵抗が低下し
、同 じ比率ではRuO2粉末が粗い程面積抵抗が高くな
る。本発明では上記比率が20／80程度までの範囲
に選ばれる。尚、焼成後における抵抗体１７の膜
厚は10〜15μｍである。このようにして得られた
抵抗体１７は、ノツキング時における高温、高圧
の下でも抵抗値の変化が−10％以下と少く、また
ガスの放出も少く安定であることが認められた。
さらにRuO2系はスパツタ係数が小さいので、ス
パッタ物質による電子銃への悪影響を少くするこ
とができる。
次に電極３０ａ〜３０ｄについて述べる。
一般に斯種厚膜抵抗器の電極材料としては、
AgまたはAg−Pd系のものが多く用いられる。抵
抗器が陰極線管の内部で用いられる場合は、抵抗
体１７の場合と同様に前記(1)〜(4)で述べた条件が
要求され、特にノツキング時の高温、高電界によ
るガスの放出及びスパツタリングの問題が重要と
なる。
AgまたはAg−Pd系のものが多く用いられる。抵
抗器が陰極線管の内部で用いられる場合は、抵抗
体１７の場合と同様に前記(1)〜(4)で述べた条件が
要求され、特にノツキング時の高温、高電界によ
るガスの放出及びスパツタリングの問題が重要と
なる。
アルミナ基板上にAgまたはAg−Pd系の電極を
形成し、この電極間に前述のRuO2−ガラス系か
ら成る抵抗体１７を形成した抵抗器について実験
を行つた結果では、第４図に示すように電極から
のかなりのガス放出が見られた。またノツキング
時に放電によるアークが電極面に多く集中するこ
とが認められた。
形成し、この電極間に前述のRuO2−ガラス系か
ら成る抵抗体１７を形成した抵抗器について実験
を行つた結果では、第４図に示すように電極から
のかなりのガス放出が見られた。またノツキング
時に放電によるアークが電極面に多く集中するこ
とが認められた。
本発明では電極材料として、抵抗体１７と同じ
RuO2−ガラス系であつて、そのＲｕＯ２／ガラス比が抵
抗 体１７よりも高く、面積抵抗が低いものを用いて
いる。第５図Ａ，Ｂは本発明による抵抗器の第１
の実施例を示すものであり、以下その製造方法を
述べる。
RuO2−ガラス系であつて、そのＲｕＯ２／ガラス比が抵
抗 体１７よりも高く、面積抵抗が低いものを用いて
いる。第５図Ａ，Ｂは本発明による抵抗器の第１
の実施例を示すものであり、以下その製造方法を
述べる。
先ずアルミナ基板１５にRuO2−ガラス系ペー
ストをスクリーン印刷により塗布し、電極３０ａ
〜３０ｄを所定形状に形成する。ガラスペースト
としては、ＲｕＯ２／ガラス比が35／65程度以上のもの
が用 いられる。次にRuO2−ガラス系ペーストの面積
抵抗の高いものを各電極間に図示のような波状に
塗布して、抵抗体１７を形成する。この場合各電
極３０ａ〜３０ｄの互いに対向する縁部が若干覆
われるようなガードパターン３１ａ〜３１ｆが設
けられる。次に電極及び抵抗体が形成された基板
１５を焼成することによつて第５図Ａ，Ｂの抵抗
器を得ることができる。尚、焼成後における電極
３０ａ〜３０ｄの膜厚は10μｍ前後である。
ストをスクリーン印刷により塗布し、電極３０ａ
〜３０ｄを所定形状に形成する。ガラスペースト
としては、ＲｕＯ２／ガラス比が35／65程度以上のもの
が用 いられる。次にRuO2−ガラス系ペーストの面積
抵抗の高いものを各電極間に図示のような波状に
塗布して、抵抗体１７を形成する。この場合各電
極３０ａ〜３０ｄの互いに対向する縁部が若干覆
われるようなガードパターン３１ａ〜３１ｆが設
けられる。次に電極及び抵抗体が形成された基板
１５を焼成することによつて第５図Ａ，Ｂの抵抗
器を得ることができる。尚、焼成後における電極
３０ａ〜３０ｄの膜厚は10μｍ前後である。
この抵抗器では、第４図に示すように、Agま
たはAg−Pd系電極に比してガスの放出量が少い
ことが認められた。ガスの成分としてはO2が最
も多く、Ag系電極でO2の発生が多いのは、Agが
酸化し易く高温で焼成しても、AgOあるいは
Ag2O2等の不安定なものが混在し、これらの因子
がAg2Oの安定な形になる過程で分解して、O2が
発生するためであろうと考えられる。またこの抵
抗器によれば、低い抵抗値の電極３０ａ〜３０ｄ
の縁部を高い抵抗値のガードパターン３１ａ〜３
１ｆで覆つているので、ノツキング時の放電によ
るアークが電極に集中しにくくなり、スパツタリ
ングを抑えることができる。尚、第６図に第２の
実施例として示すように、電極３０ａ〜３０ｄの
各々の全体を抵抗体１７で被覆するようにしても
よい。その場合は接触抵抗が多少増すが、膜厚が
薄いので実用上問題はない。
たはAg−Pd系電極に比してガスの放出量が少い
ことが認められた。ガスの成分としてはO2が最
も多く、Ag系電極でO2の発生が多いのは、Agが
酸化し易く高温で焼成しても、AgOあるいは
Ag2O2等の不安定なものが混在し、これらの因子
がAg2Oの安定な形になる過程で分解して、O2が
発生するためであろうと考えられる。またこの抵
抗器によれば、低い抵抗値の電極３０ａ〜３０ｄ
の縁部を高い抵抗値のガードパターン３１ａ〜３
１ｆで覆つているので、ノツキング時の放電によ
るアークが電極に集中しにくくなり、スパツタリ
ングを抑えることができる。尚、第６図に第２の
実施例として示すように、電極３０ａ〜３０ｄの
各々の全体を抵抗体１７で被覆するようにしても
よい。その場合は接触抵抗が多少増すが、膜厚が
薄いので実用上問題はない。
第７図Ａ，Ｂは第３の実施例を示すもので、基
板１５の電極３０ａ〜３０ｄ及び抵抗体１７を含
む表面にガラス層３２を設けることによつて、ガ
スの放出及びスパツタリングによる抵抗値変化を
防止するようにしたものである。ガラス層３２と
しては、硼珪酸鉛ガラスにAl2O3の微粉末を10〜
40％程度混入したガラスペーストが用いられる。
一例として、ガラス／Ａｌ２Ｏ３比を90／10，80／20，
75／25 等に選び、これに有機バインダと溶剤を10〜20％
加えた混合したものをスクリーン印刷により塗布
する。この際膜厚を厚くするために、50〜120メ
ツシユ（厚さ200〜300μｍ）のスクリーンを使用
して、２層または３層に重ねて印刷する。次に
550〜650℃で20〜30分焼成して、膜厚200〜400μ
ｍのガラス層３２を得る。Al2O3粉末は、ガラス
層３２の機械的強度を上げることを目的として混
入される。即ち、ガラス層３２の膜厚を厚くする
と、外力によりクラツクが入り易くなるので、こ
れを防止するために混入されている。これと共に
ガラス層３２の膨張係数をアルミナ基板１５の膨
張係数に近づけることができる効果も得られる。
板１５の電極３０ａ〜３０ｄ及び抵抗体１７を含
む表面にガラス層３２を設けることによつて、ガ
スの放出及びスパツタリングによる抵抗値変化を
防止するようにしたものである。ガラス層３２と
しては、硼珪酸鉛ガラスにAl2O3の微粉末を10〜
40％程度混入したガラスペーストが用いられる。
一例として、ガラス／Ａｌ２Ｏ３比を90／10，80／20，
75／25 等に選び、これに有機バインダと溶剤を10〜20％
加えた混合したものをスクリーン印刷により塗布
する。この際膜厚を厚くするために、50〜120メ
ツシユ（厚さ200〜300μｍ）のスクリーンを使用
して、２層または３層に重ねて印刷する。次に
550〜650℃で20〜30分焼成して、膜厚200〜400μ
ｍのガラス層３２を得る。Al2O3粉末は、ガラス
層３２の機械的強度を上げることを目的として混
入される。即ち、ガラス層３２の膜厚を厚くする
と、外力によりクラツクが入り易くなるので、こ
れを防止するために混入されている。これと共に
ガラス層３２の膨張係数をアルミナ基板１５の膨
張係数に近づけることができる効果も得られる。
第８図は、Al2O3の混合量を種々変えたペース
トを用い、これらを種々の厚さで形成した抵抗器
を組み込んだ電子銃に対して夫々高圧ノツキング
を行い、ノツキング終了後における抵抗値Ｒの変
化を求めたものである。ノツキング終了後の抵抗
値の変化は、第２図の可変抵抗２５により調整さ
れるが、第８図の縦軸はこの可変抵抗器２５の調
整量を示している。この第８図によれば、Al2O3
が10〜20％のものについては、ガラス層３２の厚
さを200〜400μｍとすれば、抵抗値の変化が少い
ことが認められる。またAl2O3を混入しない場合
は、強度的及び抵抗値の安定性の面で膜厚を80〜
100μｍ以上に厚くすることができず、この程度
の厚さでは、スパツタリング及び高温における抵
抗値の変化が大きく、実用的でないことが確認さ
れた。さらにAl2O3が40％以上になると、ガラス
層３２がポーラスとなり、抵抗体１７及び電極３
０ａ〜３０ｄを保護することができないことが確
認された。
トを用い、これらを種々の厚さで形成した抵抗器
を組み込んだ電子銃に対して夫々高圧ノツキング
を行い、ノツキング終了後における抵抗値Ｒの変
化を求めたものである。ノツキング終了後の抵抗
値の変化は、第２図の可変抵抗２５により調整さ
れるが、第８図の縦軸はこの可変抵抗器２５の調
整量を示している。この第８図によれば、Al2O3
が10〜20％のものについては、ガラス層３２の厚
さを200〜400μｍとすれば、抵抗値の変化が少い
ことが認められる。またAl2O3を混入しない場合
は、強度的及び抵抗値の安定性の面で膜厚を80〜
100μｍ以上に厚くすることができず、この程度
の厚さでは、スパツタリング及び高温における抵
抗値の変化が大きく、実用的でないことが確認さ
れた。さらにAl2O3が40％以上になると、ガラス
層３２がポーラスとなり、抵抗体１７及び電極３
０ａ〜３０ｄを保護することができないことが確
認された。
尚、第７図の実施例では、電極３０ａ〜３０ｄ
にガイドパターンを設けていないが、第５図ある
いは第６図の抵抗器に、ガラス層３２を形成する
ようにしてもよい。またガラス層３２のうちの最
上層の50〜100μｍ程度の部分を、Al2O3を混入
しないガラスで形成するようにしてもよい。
Al2O3を混入すると若干耐圧が下るが、上述のよ
うにすれば、抵抗値の変化を抑えながら耐圧を大
きくとることができる。
にガイドパターンを設けていないが、第５図ある
いは第６図の抵抗器に、ガラス層３２を形成する
ようにしてもよい。またガラス層３２のうちの最
上層の50〜100μｍ程度の部分を、Al2O3を混入
しないガラスで形成するようにしてもよい。
Al2O3を混入すると若干耐圧が下るが、上述のよ
うにすれば、抵抗値の変化を抑えながら耐圧を大
きくとることができる。
第９図は電極材料としてAgを用い且つガラス
層を設けない抵抗器と、電極材料としてRuO2を
用いた抵抗器について、温度に対するO2ガスの
放出量を求めたものである。フリツトシールは
430℃前後の温度で行われるが、RuO2電極の方が
ガス放出の少いことが認められる。尚、縦軸は酸
素放出速度を質量分析してイオン電流Ｉiで読み
取つた値を示している。
層を設けない抵抗器と、電極材料としてRuO2を
用いた抵抗器について、温度に対するO2ガスの
放出量を求めたものである。フリツトシールは
430℃前後の温度で行われるが、RuO2電極の方が
ガス放出の少いことが認められる。尚、縦軸は酸
素放出速度を質量分析してイオン電流Ｉiで読み
取つた値を示している。
本発明は、例えば第１図及び第２図のように陰
極線管の内部に組み込まれて用いられる抵抗器に
おいて、抵抗体をRuO2−ガラス系により形成す
ると共に、上記絶縁基板の上記抵抗体及び上記電
極を含む表面にガラス層を形成したことを特徴と
する電子銃構体における分圧用抵抗器に係るもの
である。
極線管の内部に組み込まれて用いられる抵抗器に
おいて、抵抗体をRuO2−ガラス系により形成す
ると共に、上記絶縁基板の上記抵抗体及び上記電
極を含む表面にガラス層を形成したことを特徴と
する電子銃構体における分圧用抵抗器に係るもの
である。
従つて本発明によれば、陰極線管の製造工程に
おける高温、高圧に対して安定で、抵抗値の精度
が高い厚膜抵抗器を得ることができる。
おける高温、高圧に対して安定で、抵抗値の精度
が高い厚膜抵抗器を得ることができる。
第１図は本発明による抵抗器の使用状態の一例
を示す斜視図、第２図は抵抗器から電子銃の電極
に分圧することを示す回路図、第３図は陰極線管
のネツク部の概略的な側面断面図、第４図は従来
電極と本発明電極の温度−ガス放出量特性図、第
５図Ａ，Ｂは本発明の第１の実施例を示す平面図
及び断面側面図、第６図は第２の実施例を示す断
面側面図、第７図Ａ，Ｂは第３の実施例を示す平
面図及び断面側面図、第８図はガラス層の膜厚−
抵抗変化特性図、第９図は従来の抵抗器と本発明
の抵抗器の温度−ガス放出量特性図である。 また図面に用いられた符号において、１……電
子銃、８，９，１１，１２……コンバージエンス
電極、１５……絶縁基板、１７……抵抗体、G1
〜G4……グリツド、３０ａ〜３０ｄ……電極、
３２……ガラス層、である。
を示す斜視図、第２図は抵抗器から電子銃の電極
に分圧することを示す回路図、第３図は陰極線管
のネツク部の概略的な側面断面図、第４図は従来
電極と本発明電極の温度−ガス放出量特性図、第
５図Ａ，Ｂは本発明の第１の実施例を示す平面図
及び断面側面図、第６図は第２の実施例を示す断
面側面図、第７図Ａ，Ｂは第３の実施例を示す平
面図及び断面側面図、第８図はガラス層の膜厚−
抵抗変化特性図、第９図は従来の抵抗器と本発明
の抵抗器の温度−ガス放出量特性図である。 また図面に用いられた符号において、１……電
子銃、８，９，１１，１２……コンバージエンス
電極、１５……絶縁基板、１７……抵抗体、G1
〜G4……グリツド、３０ａ〜３０ｄ……電極、
３２……ガラス層、である。
Claims (1)
- １ 絶縁基板の表面に長手方向に沿つて抵抗体が
形成されると共に、この抵抗体の両端部及びこの
両端部間の所定位置に電極が形成されて成り、且
つ上記絶縁基板が電子銃構体の側部に、この電子
銃構体を構成する複数の電極の配列方向と上記長
手方向とが略平行となるようにして配され、上記
抵抗体の一端部の上記電極がアノード電圧に保持
されると共に、他端部の上記電極が充分に低い電
圧に保持され、上記所定位置の電極から分圧され
た電圧が上記電子銃構体の所定の電極に供給され
るように成された抵抗器において、上記抵抗体を
RuO2−ガラス系により形成すると共に、上記絶
縁基板の上記抵抗体及び上記電極を含む表面にガ
ラス層を形成したことを特徴とする電子銃構体に
おける分圧用抵抗器。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8650778A JPS5514627A (en) | 1978-07-15 | 1978-07-15 | Voltage dividing resistor for electron gun structure |
| NL7905524A NL7905524A (nl) | 1978-07-15 | 1979-07-16 | Electronenkanon voor een als kleurenbeeldbuis dienende kathodestraalbuis, benevens weerstand met aansluit- electroden voor een dergelijk electronenkanon. |
| US06/058,104 US4349767A (en) | 1977-01-17 | 1979-07-16 | Cathode ray tube resistance of ruthenium oxide and glass containing alumina powder |
| FR7918378A FR2431183A1 (fr) | 1978-07-15 | 1979-07-16 | Canon a electrons de tube de television ainsi qu'element de resistance pour ce canon a electrons |
| AU48937/79A AU537737B2 (en) | 1978-07-15 | 1979-07-16 | Electron gun |
| GB7924700A GB2028576B (en) | 1978-07-15 | 1979-07-16 | Electron guns and resistors for cathode ray tubes |
| DE19792928702 DE2928702A1 (de) | 1978-07-15 | 1979-07-16 | Etronenkanone fuer eine kathodenstrahlroehre |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8650778A JPS5514627A (en) | 1978-07-15 | 1978-07-15 | Voltage dividing resistor for electron gun structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5514627A JPS5514627A (en) | 1980-02-01 |
| JPS6217347B2 true JPS6217347B2 (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=13888885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8650778A Granted JPS5514627A (en) | 1977-01-17 | 1978-07-15 | Voltage dividing resistor for electron gun structure |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5514627A (ja) |
| AU (1) | AU537737B2 (ja) |
| DE (1) | DE2928702A1 (ja) |
| FR (1) | FR2431183A1 (ja) |
| GB (1) | GB2028576B (ja) |
| NL (1) | NL7905524A (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5829894Y2 (ja) * | 1978-09-05 | 1983-06-30 | 三菱電機株式会社 | 電子銃構体 |
| GB2122414A (en) * | 1982-06-15 | 1984-01-11 | Thorn Emi Brimar Limited | Cathode ray tubes incorporating a protective resistor |
| JPS6079644A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | 大電力クライストロン用電子銃 |
| JPS60130033A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Sony Corp | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
| JPS60169771A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 静電位検出装置 |
| JPS60212943A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Sony Corp | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
| JPS60239001A (ja) * | 1984-05-12 | 1985-11-27 | ソニー株式会社 | 被膜絶縁型抵抗器 |
| DE3575495D1 (de) * | 1984-05-24 | 1990-02-22 | Toshiba Kawasaki Kk | In eine elektronenroehre eingebauter widerstand. |
| US4672269A (en) * | 1984-06-14 | 1987-06-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Built-in resistor for a cathode ray tube |
| EP0251137B1 (en) * | 1986-06-27 | 1991-12-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A resistor and an electron tube incorporating the same |
| JPH0785403B2 (ja) * | 1986-10-25 | 1995-09-13 | ソニー株式会社 | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
| JPH02214484A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 単相誘導電動機の速度制御兼制動装置 |
| JP2823223B2 (ja) * | 1989-03-17 | 1998-11-11 | 株式会社東芝 | 電子管内蔵用分圧抵抗素子および電子管 |
| JPH07161308A (ja) * | 1993-12-07 | 1995-06-23 | Hitachi Ltd | カラー陰極線管用電子銃 |
| DE69938408T2 (de) * | 1998-09-08 | 2009-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma-shi | Feldemissionsanzeige mit Oxid-Widerstand |
| US6495966B2 (en) | 1999-09-08 | 2002-12-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field emission display including a resistor |
| WO2004066412A2 (en) * | 2003-01-20 | 2004-08-05 | Lg. Philips Displays | Resistive high-voltage divider, electron gun incorporating a resistive divider and cathode ray tube |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE893109C (de) * | 1942-03-08 | 1953-10-12 | Siemens Planiawerke Ag | Heizstab mit Schutzschicht fuer elektrische Widerstandsoefen |
| DE1465394B2 (de) * | 1964-11-12 | 1972-12-14 | CTS Corp , Elkhart, Ind (VStA) | Elektrisches widerstandselement |
| GB1136501A (en) * | 1965-01-27 | 1968-12-11 | English Electric Co Ltd | Articles having glass-ceramic coatings |
| US3654121A (en) * | 1968-12-23 | 1972-04-04 | Engelhard Min & Chem | Electrolytic anode |
| DE2050125A1 (de) * | 1970-10-13 | 1972-04-20 | Moeller J D Optik | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Sicherungselementen |
| US3914514A (en) * | 1973-08-16 | 1975-10-21 | Trw Inc | Termination for resistor and method of making the same |
| US4016525A (en) * | 1974-11-29 | 1977-04-05 | Sprague Electric Company | Glass containing resistor having a sub-micron metal film termination |
| US3932786A (en) * | 1974-11-29 | 1976-01-13 | Rca Corporation | Electron gun with a multi-element electron lens |
| JPS5389360A (en) * | 1977-01-17 | 1978-08-05 | Sony Corp | Electronic gun constituent |
-
1978
- 1978-07-15 JP JP8650778A patent/JPS5514627A/ja active Granted
-
1979
- 1979-07-16 NL NL7905524A patent/NL7905524A/nl not_active Application Discontinuation
- 1979-07-16 FR FR7918378A patent/FR2431183A1/fr active Granted
- 1979-07-16 AU AU48937/79A patent/AU537737B2/en not_active Ceased
- 1979-07-16 GB GB7924700A patent/GB2028576B/en not_active Expired
- 1979-07-16 DE DE19792928702 patent/DE2928702A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU537737B2 (en) | 1984-07-12 |
| AU4893779A (en) | 1980-02-21 |
| DE2928702C2 (ja) | 1993-07-08 |
| DE2928702A1 (de) | 1980-02-07 |
| FR2431183A1 (fr) | 1980-02-08 |
| GB2028576A (en) | 1980-03-05 |
| JPS5514627A (en) | 1980-02-01 |
| NL7905524A (nl) | 1980-01-17 |
| GB2028576B (en) | 1982-09-08 |
| FR2431183B1 (ja) | 1982-05-14 |
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