JP2004172061A

JP2004172061A - 陰極線管

Info

Publication number: JP2004172061A
Application number: JP2002339439A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Hasegawa; 隆弘長谷川; Shigeru Sugawara; 繁菅原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2002-11-22
Filing date: 2002-11-22
Publication date: 2004-06-17

Abstract

【課題】抵抗器に起因するスパークやグロー放電を抑制し、耐電圧特性の良好な抵抗器を内蔵した電子銃構体を具備する陰極線管を提供することを目的とする。
【解決手段】内面に蛍光体スクリーンが配置されたパネルを含む外囲器と、外囲器における径小部に対応するネック内に封入され蛍光体スクリーンに向けて電子ビームを放出する複数個の電極を備えた電子銃構体と、外囲器内における電子銃構体近傍に配置され複数個の電極の少なくとも１つに高電圧を分圧した分圧電圧を供給するための抵抗器１００と、を備えた陰極線管において、抵抗器１００は、その少なくとも一部に配置されたＳｉＯ_２を基体とする薄膜１１０を有することを特徴とする。
【選択図】図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、陰極線管に係り、特に、耐電圧特性を向上させるための陰極線管構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、カラー陰極線管は、外囲器の径小部に相当するネック内に封入されたインライン型電子銃構体を備えている。この電子銃構体は、一列配置された３電子ビームを発生する電子ビーム発生部と、これらの電子ビームを画面上に集束するための主レンズ部とにより構成されており、これらの電極はそれぞれ所定の間隔で配置され、少なくとも２本の絶縁支持体によって支持・固定されている。
【０００３】
主レンズ部は、少なくとも２つ以上の電極によって構成される。すなわち、主レンズ部を構成する最終加速電極には、ネック内面に塗布された内部導電膜を介して２５〜３０ｋＶ程度の陽極高電圧が供給される。また、主レンズ部を構成する集束電極には、ステムピンを介して陽極高電圧の２０〜４０％程度の集束電圧が供給される。
【０００４】
通常、最終加速電極及び集束電極は、それぞれの電子ビーム通過孔が１ｍｍ程度の間隔を置いて対向するように配置されるのが一般的である。また、近年の高解像度のフォーカス性能を要求される電子銃構体では、集束電極と最終加速電極との間に少なくとも１個の中間電極を設け、陽極高電圧を管内に内蔵した抵抗器によって分圧して中間電極に供給する構造が多く採用されている。
【０００５】
このような構造の電子銃構体は、直径２０〜４０ｍｍ程度の円筒状のネック内に封入されている。このため、管内に内蔵された抵抗器とネック内壁との間隔が非常に接近している。また、電子銃構体の各電極を支持する絶縁支持体と抵抗器との間隔も非常に接近している。このため、ネック内壁の電位と抵抗器の電位との差、または絶縁支持体の電位と抵抗器の電位との差によって起こるリーク電流が問題となる。特に、このリーク電流が抵抗器の抵抗素子に流れ込むと、中間電極に供給する電圧が変動してしまい、解像度の劣化を招く。
【０００６】
また、抵抗器の絶縁性基板としてアルミナ基板を採用したことも上述したリーク電流を引き起すきっかけとなる。すなわち、アルミナ基板は、陰極から放出された電子の一部が漏れて衝突すると２次電子を放出する。この２次電子放出は、アルミナ基板の電位を上昇させ、さらに漏れ電子の衝突を促す。この悪循環によって、アルミナ基板の電位が極端に上昇し、リーク電流に発展する場合が多い。
【０００７】
このような現象は、アルミナ基板の２次電子放出係数が比較的大きいことも要因の一つである。このため、通常、抵抗器は、アルミナ基板上に所定パターンの抵抗素子を形成した後、絶縁ガラス層によって抵抗素子を含めてアルミナ基板の大部分を覆うようにコーティングされた構造のものが主流である。
【０００８】
しかしながら、抵抗器において、中間電極に電圧を供給するための端子近傍には、この端子と中間電極とを接続するための金属製の引出しタブが設けられている。この引出しタブに絶縁ガラス層が接触すると、抵抗器の製造工程で加わる熱によって引出しタブと絶縁ガラス層との熱膨張差が原因となって絶縁ガラス層にクラックが発生してしまうという問題がある。このため、引出しタブと絶縁ガラス層との間には隙間を形成する必要があり、このような隙間から少なからずアルミナ基板が露出してしまう。
【０００９】
カラー陰極線管の動作中に強電界中にさらされる抵抗器にとって、２次電子放出係数が比較的高いアルミナ基板が露出しているということは、上述したように陰極等からの漏れ電子がアルミナ基板に衝突することによって２次電子を放出し、アルミナ基板の電位を極端に上昇させる。このアルミナ基板の電位の上昇が更に電子を引き寄せ、最終的には、スパークやグロー放電を引き起こし、リーク電流を発生するといった問題につながる。
【００１０】
このような問題を改善するために、金属製のワイヤーを電子銃の各電極を支持する絶縁支持体を取り囲むように配置し、カラー陰極線管の製造工程において高周波を与えて加熱することによって、絶縁支持体及びこれに対向するネック内壁に金属膜を蒸着して、ネック電位及び絶縁支持体電位を安定させる手法が開示されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）。しかしながら、この手法は、一部の漏れ電子を金属膜によってある程度捕捉することができ、アルミナ基板に衝突する電子を減少させることができるが、完全に漏れ電子を捉えることはできず、根本的な解決策とはならない。
【００１１】
また、抵抗器表面の帯電を防止するために、絶縁ガラス層上に、低電位側から高電位側に向かって互いに分離された複数の導電膜を設ける手法が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。しかしながら、この手法でも、この引出しタブに絶縁ガラス層を接触させることができず、引出しタブと絶縁ガラス層との間から少なからずアルミナ基板が露出してしまう。このため、上述したように、アルミナ基板の露出に伴ったアルミナ基板の電位上場を招くとともに、不所望な放電やリーク電流の発生といった問題が生ずる。
【００１２】
【特許文献１】
特公昭６３−１０８５９号公報
【００１３】
【特許文献２】
特開２００１−２９７７１７号公報
【００１４】
【特許文献３】
特開平１１−１７６３４７号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、抵抗器に起因するスパークやグロー放電を抑制し、耐電圧特性の良好な抵抗器を内蔵した電子銃構体を具備する陰極線管を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
この発明の様態による陰極線管は、
内面に蛍光体スクリーンが配置されたパネルを含む外囲器と、
前記外囲器における径小部に対応するネック内に封入され、前記蛍光体スクリーンに向けて電子ビームを放出する複数個の電極を備えた電子銃構体と、
前記外囲器内における前記電子銃構体近傍に配置され、前記複数個の電極の少なくとも１つに高電圧を分圧した分圧電圧を供給するための抵抗器と、を備えた陰極線管において、
前記抵抗器は、その少なくとも一部に配置されたＳｉＯ_２を基体とする薄膜を有することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態に係る陰極線管について図面を参照して説明する。
【００１８】
図１に示すように、陰極線管装置の一例としてのカラー陰極線管装置は、真空外囲器３０を備えている。この真空外囲器３０は、パネル２０、及びこのパネル２０に一体に接合されたファンネル２１を有している。このパネル２０は、その内面に、青、緑、赤にそれぞれ発光するドット状またはストライプ状の３色の蛍光体層を有した蛍光体スクリーン２２を備えている。シャドウマスク２３は、蛍光体スクリーン２２に対向して配置され、その内側に多数の電子ビーム通過孔を有している。
【００１９】
インライン型電子銃構体２６は、ファンネル２１の径小部に相当する直径２０〜４０ｍｍ程度の円筒状のネック２４内に配置されている。この電子銃構体２６は、管軸方向すなわちＺ軸方向に沿って蛍光体スクリーン２２に向けて３電子ビーム２５Ｂ、２５Ｇ、２５Ｒを放出する。この電子銃構体２６から放出された３電子ビームは、同一平面上の水平方向すなわちＨ軸方向に一列に配列されたセンタービーム２５Ｇ及び一対のサイドビーム２５Ｂ、２５Ｒからなる。
【００２０】
ファンネル２１には、陽極端子２７が設けられているとともに、ファンネル２１の内面には、グラファイト製の内部導電膜２８が形成されている。ファンネル２１の外側には、電子銃構体２６から放出された３電子ビーム２５Ｂ、２５Ｇ、２５Ｒを偏向するための非斉一な偏向磁界を形成する偏向ヨーク２９が設けられている。この偏向ヨーク２９は、ピンクッション型の水平偏向磁界を発生する水平偏向コイル、及び、バレル型の垂直偏向磁界を発生する垂直偏向コイルを備えている。
【００２１】
このような構成のカラー陰極線管装置では、電子銃構体２６から放出された３電子ビーム２５Ｂ、２５Ｇ、２５Ｒは、セルフコンバージェンスしつつ蛍光体スクリーン２２の対応する蛍光体層上にフォーカスされる。また、これらの３電子ビーム２５Ｂ、２５Ｇ、２５Ｒは、偏向ヨーク２９が発生する非斉一磁界によって蛍光体スクリーン２２上を偏向され、蛍光体スクリーン２２上を水平方向Ｈ及び垂直方向Ｖに走査する。これにより、蛍光体スクリーン２２上にカラー画像が表示される。
【００２２】
図２に示すように、電子銃構体２６は、水平方向Ｈに一列に配置された３個の陰極Ｋ（Ｂ、Ｇ、Ｒ）、及び、管軸方向Ｚに沿って同軸上に配置された複数の電極を備えている。複数の電極、すなわち、第１グリッド電極Ｇ１、第２グリッド電極Ｇ２、第３グリッド電極Ｇ３、第４グリッド電極Ｇ４、第５グリッド電極（集束電極）Ｇ５、第６グリッド電極（中間電極）Ｇ６、第７グリッド電極（最終加速電極）Ｇ７、及びコンバージェンス電極ＣＧは、陰極Ｋ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）から蛍光体スクリーン２２に向かって順次配置されている。
【００２３】
これらの３個の陰極Ｋ（Ｂ、Ｇ、Ｒ）は、それぞれヒータＨ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を内装している。また、３個の陰極Ｋ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）、及び、第１乃至第７グリッド電極Ｇ１乃至Ｇ７は、相互に所定の位置関係を維持して、一対の絶縁支持体すなわちビードガラス２によって垂直方向Ｖから挟持されることにより一体的に保持されている。コンバージェンス電極ＣＧは、第７グリッド電極Ｇ７に溶接され、電気的に接続されている。
【００２４】
このような構成の電子銃構体２６は、ネック２４端部に溶着された円形ガラス部すなわちステム部５００を気密に貫通する金属製の複数のステムピン４００によって保持・固定される。また、このステムピン４００は、管外と管内との電気的導通をとるためにも利用される。
【００２５】
３個の陰極Ｋ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、それぞれ約５ｍｍの間隔で水平方向Ｈに等間隔に配置されている。また、第１グリッド電極Ｇ１及び第２グリッド電極Ｇ２は、０．５ｍｍ以下の非常に狭い間隔で対向して配置されている。また、第２グリッド電極Ｇ２乃至第７グリッド電極Ｇ７は、それぞれ０．５〜１ｍｍ程度の間隔で対向して配置されている。
【００２６】
第１グリッド電極Ｇ１及び第２グリッド電極Ｇ２は、それぞれ比較的板厚の薄い板状電極によって形成されている。また、第３グリッド電極Ｇ３、第４グリッド電極Ｇ４、第５グリッド電極Ｇ５、及び第７グリッド電極Ｇ７は、それぞれ複数のカップ状電極を付け合わせて構成された一体構造の筒状電極によって形成されている。第６グリッド電極Ｇ６は、比較的板厚の厚い板状電極によって形成されている。
【００２７】
これらの各電極は、３個の陰極Ｋ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応して３電子ビームをそれぞれ通過するための３個の電子ビーム通過孔を有している。すなわち、第１グリッド電極Ｇ１及び第２グリッド電極Ｇ２は、直径１ｍｍ以下の小さな電子ビーム通過孔を有している。第３グリッド電極Ｇ３は、その第２グリッド電極Ｇ２に対向する端面に直径約２ｍｍ程度の電子ビーム通過孔を有している。第３グリッド電極Ｇ３の第４グリッド電極Ｇ４側端面、第４グリッド電極Ｇ４の両端面、第５グリッド電極Ｇ５の両端面、第６グリッド電極Ｇ６、及び、第７グリッド電極Ｇ７の両端面には、直径約４乃至６ｍｍ程度の比較的大きな電子ビーム通過孔が形成されている。
【００２８】
また、この電子銃構体２６の近傍には、電子銃構体用抵抗器１００が配置されている。この抵抗器１００は、電子銃構体２６に備えられたグリッド電極に対して高電圧を所定の抵抗分割比で分圧するために適用され、分圧された電圧が所定のグリッド電極に印加される。
【００２９】
この抵抗器１００の一端部に設けられた高圧端子は、第７グリッド電極Ｇ７及びコンバージェンス電極ＣＧに接続されている。また、抵抗器１００の他端部に設けられた接地端子は、ネック端部を封止しているステムピン４００に接続されている。このステムピン４００は、直接接地又は管外で可変抵抗器を介して接地されている。また、この抵抗器１００は、その中間部において、少なくとも１つの中間端子１０１を備えている。この中間端子１０１は、第６グリッド電極Ｇ６と接続されている。
【００３０】
この電子銃構体２６の陰極Ｋ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及び各グリッド電極には、ステムピン４００を介して所定の電圧が供給される。すなわち、陰極Ｋ（Ｂ、Ｇ、Ｒ）には、直流電圧に画像信号の重畳された百数十ボルトの電圧が印加される。また、第１グリッド電極Ｇ１は、ステムピン４００を介して接地されている。第２グリッド電極Ｇ２及び第４グリッド電極Ｇ４は、導線３Ａを介して管内で接続されている。これらのグリッド電極には、ステムピン４００を介して数百ボルトの直流電圧が印加される。第３グリッド電極Ｇ３及び第５グリッド電極Ｇ５は、導線３Ｂを介して管内で電気的に接続されている。これらのグリッド電極には、ステムピン４００を介して陽極電圧の２０乃至４０％程度の電圧が印加される。
【００３１】
第７グリッド電極Ｇ７には、約２５乃至３０ｋＶ程度の陽極電圧が印加される。すなわち、第７グリッド電極Ｇ７に溶接されたコンバージェンス電極ＣＧは、内部導電膜２８に圧接された複数個の接触子１０を備えている。陽極電圧は、ファンネル２１に設けられた陽極端子２７、内部導電膜２８、及び、接触子１０を介して、コンバージェンス電極ＣＧ及び第７グリッド電極Ｇ７に供給される。
【００３２】
また、この陽極電圧は、コンバージェンス電極ＣＧに電気的に接続された高圧端子を介して抵抗器１００に供給される。第６グリッド電極Ｇ６には、抵抗器１００の中間端子１０１を介して、所定の抵抗分割比に分圧された所定の分圧電圧が印加される。
【００３３】
このような電子銃構体２６の各グリッド電極に、上述したような電圧をそれぞれ印加することにより、陰極Ｋ（Ｂ、Ｇ、Ｒ）、第１グリッド電極Ｇ１、及び第２グリッド電極Ｇ２は、電子ビームを発生する電子ビーム発生部を構成する。また、第２グリッド電極Ｇ２及び第３グリッド電極Ｇ３は、電子ビーム発生部から発生された電子ビームをプリフォーカスするプリフォーカスレンズを構成する。
【００３４】
第３グリッド電極Ｇ３、第４グリッド電極Ｇ４、及び第５グリッド電極Ｇ５は、プリフォーカスレンズによってプリフォーカスされた電子ビームをさらにフォーカスするサブレンズを構成する。第５グリッド電極Ｇ５、第６グリッド電極Ｇ６、及び、第７グリッド電極Ｇ７は、サブレンズによってフォーカスされた電子ビームを最終的に蛍光体スクリーン２２上にフォーカスする主レンズを構成する。
【００３５】
次に、電子銃構体用抵抗器１００の構造について、より詳細に説明する。
【００３６】
図３乃至図５に示すように、抵抗器１００は、絶縁性基板２００と、絶縁性基板２００上に設けられた複数の端子部１０６、１０７、１０８と、絶縁性基板上に設けられた抵抗素子１５０と、抵抗素子１５０を被覆する絶縁被覆層１６０と、各端子部１０６、１０７、１０８にそれぞれ対応して接続された引出しタブ１７０、１８０、１９０と、を備えている。
【００３７】
すなわち、絶縁性基板２００は、板状のアルミナ基板などで構成されている。複数の端子部１０６、１０７、１０８は、それぞれ中間端子１０１、高圧端子１０２、及び接地端子１０３に対応して設けられ、絶縁性基板２００上において独立島状に形成されている。抵抗素子１５０は、各端子部間において所定の抵抗値を得るために所定のパターンを有するように形成されている。抵抗器１００の総抵抗値は、約１０^９Ω／□となっている。引出しタブ１７０、１８０、１９０は、金属製であり、各端子部と各電極を接続するのに用いられる。
【００３８】
絶縁被覆層１６０は、ガラス材などで構成され、抵抗素子１５０を覆うとともに絶縁性基板２００のほぼ全体を覆う。中間端子１０１、高圧端子１０２、及び接地端子１０３近傍においては、絶縁被覆層１６０は、引出しタブ１７０、１８０、１９０との接触を避け、これらの間に隙間を形成している。絶縁被覆層と引出しタブとが接触すると、熱膨張差が原因となって、抵抗器の製造工程で加わる熱によって絶縁被覆層にクラックが発生するためである。
【００３９】
また、この抵抗器１００は、その少なくとも一部に配置されたＳｉＯ_２を基体とする薄膜１１０を有している。この薄膜１１０は、少なくとも各端子付近において絶縁性基板２００を被覆するように配置されている。これにより、絶縁被覆層１６０と引出しタブ１７０、１８０、１９０との隙間において、絶縁性基板２００が露出されることがない。この実施の形態では、薄膜１１０は、抵抗器１００の最外表面全体を被覆するように配置されている。
【００４０】
この薄膜１１０は、例えばＳｉＯ_２単体で形成されている。ＳｉＯ_２の２次電子放出係数は最大で約２程度であるのに対して、アルミナの２次電子放出係数は最大で約５程度である。これらの２次電子放出係数は、１次電子の加速電圧に依存する１次電子の衝突エネルギに対して分布を有しており、ＳｉＯ_２及びアルミナの１次電子エネルギに対する２次電子放出係数の分布は、概ね図６に示す通りである。
【００４１】
アルミナの２次電子放出係数の分布は、１次電子エネルギが約１３００ｅＶで最大値４．８を示し、１３００ｅＶ以上の１次電子エネルギの上昇に対しては徐々に小さくなっていく傾向にある。一方、ＳｉＯ_２の２次電子放出係数の分布は、１次電子エネルギが約４００ｅＶで最大値２．１を示し、同様に４００ｅＶ以上の１次電子エネルギの上昇に対しては徐々に小さくなっていく傾向にある。
【００４２】
これらの特性から、カラー陰極線管内で発生する１次電子エネルギが、陽極高圧以下のあらゆるエネルギ分布を持った１次電子が存在すると仮定すると、２次電子の絶対的な放出量は、図６に示す分布の面積に比例することになる。すなわち、ＳｉＯ_２の２次電子放出量は、アルミナの２次電子放出量に比べて約１／３以下となる。
【００４３】
したがって、陰極等から発生した漏れ電子が抵抗器１００におけるＳｉＯ_２からなる薄膜１１０に衝突しても２次電子の放出量が極めて少なく抑えることができる。このため、絶縁被覆層１６０によって被覆されていない中間端子１０１、高圧端子１０２、及び接地端子１０３近傍におけるアルミナ基板をＳｉＯ_２からなる薄膜１１０で被覆することにより、これらの部分での２次電子放出量を大幅に減少させることができる。これにより、抵抗器１００の電位上昇を抑えることができるので、抵抗器の耐電圧特性を改善することができ、スパークやグロー放電が無く、リーク電流の問題も発生しない抵抗器１００を提供することができる。
【００４４】
このように、抵抗器１００における端子付近の絶縁性基板２００を被覆する薄膜１１０は、ＳｉＯ_２を基体としたものであればＳｉＯ_２単体であっても良いが、ＳｉＯ_２を基体とした中に導電物質を含有する導電性薄膜であっても良く、導電性の有無は問わない。
【００４５】
例えば、薄膜１１０として、ＳｉＯ_２基体中に酸化スズを分散させた導電性薄膜を適用した場合について説明する。すなわち、この導電性薄膜１１０は、１μｍ以下の厚さを有しているとともに、１０^１１〜１０^１４Ω／□程度の抵抗値で導電性を有している。
【００４６】
導電性薄膜１１０の表面抵抗値が１０^１１Ω／□を下回ってしまうと、不所望なリークを生ずるおそれがあり、望ましくない。また、導電性薄膜１１０の表面抵抗値が１０^１４Ω／□を上回ってしまうと、ほとんど絶縁膜と同等の抵抗値となってしまい、導電性を有することによるメリットを失ってしまうことになり、望ましくない。
【００４７】
この導電性薄膜１１０は、抵抗器１００の中間端子１０１、高圧端子１０２、及び接地端子１０３と電気的に導通しているが、実質的な電気的導通を得ているのは各端子部１０６、１０７、１０８と導電性薄膜１１０との接触によるものである。
【００４８】
導電性薄膜１１０の膜厚は、１μｍ以下と極めて薄いため、金属製の引出しタブ１７０、１８０、１９０と抵抗素子１５０との間に導電性薄膜１１０が形成される形となり、微視的に見ると、引出しタブ１７０、１８０、１９０と導電性薄膜１１０とは複数の点接触で接触している状態となる。
【００４９】
したがって、抵抗器１００の製造工程で加わる熱工程において、導電性薄膜１１０に引出しタブ１７０、１８０、１９０との熱膨張差による張力はほとんど発生せず、導電性薄膜１１０にクラックはほとんど発生しない。なお、仮に導電性薄膜１１０にクラックが発生したとしても、引出しタブ１７０、１８０、１９０と抵抗素子１５０との間の極めて微少な領域であるため、アルミナ基板２００が露出してしまうようなクラックとは成り得ない。
【００５０】
また、抵抗器１００の総抵抗値が約１０^９Ω／□であるのに対して、導電性薄膜１１０の抵抗値が１０^１１〜１０^１４Ω／□程度である。すなわち、導電性薄膜１１０は、抵抗器１００の総抵抗値の１００倍以上の抵抗値を有することになる。このため、導電性薄膜１１０の抵抗値は、抵抗器１００本来の分圧特性に影響を与えることはない。つまり、抵抗器１００は、所定の電極（ここでは第６グリッド電極Ｇ６）に対して陽極電圧を所定の抵抗分割比に分圧した電圧を供給するが、導電性薄膜１１０の存在によって抵抗分割比に影響を与えることがなく、所定の電極に対して確実に所望する分圧電圧を供給することができる。
【００５１】
なお、抵抗器１００は、カラー陰極線管装置の動作中に自己発熱するため、導電性薄膜１１０の抵抗値は、温度の変化に対して安定な値を示すことである必要がある。この導電性薄膜１１０の抵抗値の温度依存性は、導電性薄膜１１０の導電物質によって決まる。すなわち、導電性薄膜１１０として、酸化スズを含有したＳｉＯ_２基体に、抵抗値の温度依存性の少ない導電物質、例えばインジウムやアンチモンを選択してドープすることによって、抵抗値温度特性の安定した導電性薄膜を形成することが可能である。
【００５２】
このような導電性薄膜１１０を抵抗器１００の最外表面に形成し、導電性薄膜１１０を高圧端子１０２と実質的に電気的導通した状態とする。これにより、電子銃構体２６の陰極等から漏れ出た不所望な漏れ電子が抵抗器１００に衝突しても、これらの電子は、抵抗器表面の薄膜１１０の導電性により、薄膜１１０中を移動する。すなわち、抵抗器１００の表面に衝突した電子は、導電性薄膜１１０内を移動して高電圧側に流れ、最終的に高圧端子１０２に吸収される。したがって、漏れ電子の抵抗器１００への衝突によって２次電子放出を抑制することができ、抵抗器１００表面の電位上昇を抑制することができる。
【００５３】
特に、絶縁被覆層１６０で覆われていない中間端子１０１、高圧端子１０２、及び接地端子１０３近傍部分は、通常絶縁性基板２００が露出している。この絶縁性基板２００は、２次電子放出係数が比較的高い素材であるアルミナによって構成される場合が多い。このため、このようなアルミナ基板２００を導電性薄膜１１０によって被覆することは、２次電子放出抑制効果が極めて高く、アルミナ基板の電位上昇を大幅に抑制できる。また、絶縁被覆層１６０で覆われている部分も２次電子放出係数が０ではないので、２次電子放出を抑制することで抵抗器１００の絶縁被覆層１６０の電位上昇を抑制できる。
【００５４】
したがって、スパークやグロー放電等の発生を防止することができ、耐電圧特性を改善することができる。
【００５５】
なお、上述した実施の形態では、抵抗器１００の全体に導電性薄膜１１０を形成する場合について説明したが、この発明はこの例に限定されるものではなく、抵抗器１００の一部に導電性薄膜１１０を形成しても、上述した実施の形態と同様の効果が得られる。
【００５６】
例えば、図７に示すように、導電性薄膜１１０を、抵抗器１００の中間端子１０１及び高圧端子１０２を覆う程度まで形成しても良いし、図８に示すように、抵抗器１００の中間端子１０１近傍のみに形成しても良い。このような構造の場合でも、陰極等から発生した漏れ電子が中間端子１０１近傍に衝突した場合、衝突した電子は抵抗器１００の抵抗素子１５０を通って最終的に高圧端子１０２に吸収されるので、同様の効果を発揮する。なお、この場合の抵抗素子１５０内を通る電子は一時的なものであり、電子数個レベルの電流であるので、定常的に流れるリーク電流のように抵抗器の抵抗分割比に影響を及ぼすことはない。
【００５７】
また、上述した実施の形態では、ＳｉＯ_２を基体とする薄膜１１０を抵抗器１００の最外表面に形成する場合について説明したが、この発明はこの例に限定されるものではなく、アルミナ基板２００が露出する部分を覆う構造であれば、ＳｉＯ_２を基体とする薄膜１１０は必ずしも最外表面に形成する必要はない。
【００５８】
例えば、図９に示すように、抵抗器１００における絶縁性基板２００膳体を被覆するように薄膜１１０を形成しても良い。このような構造では、薄膜１１０を形成した後に、各端子部１０６、１０７，１０８や、抵抗素子１５０などを形成し、その後、絶縁被覆層１６０で所定の部分を覆う。
【００５９】
このような構造とすることにより、絶縁性基板２００の表面は確実に薄膜１１０によって被覆されることになり、露出部が無くなる。したがって、絶縁性基板２００が２次電子放出係数の高いアルミナ基板であっても、アルミナ基板２００自体に漏れ電子が衝突することを防止することができる。このため、絶縁性基板２００からの２次電子放出を抑制することができる。
【００６０】
また、このような構造は、ＳｉＯ_２を基体とする薄膜（導電性薄膜も含む）１１０を用いた場合のみ可能となる。すなわち、ＳｉＯ_２の融点が１５００℃以上と極めて高いため、抵抗器１００の製造工程で端子部１０６などの焼成時に加わる温度（約６００℃）によってもＳｉＯ_２を基体とした薄膜１１０の組成が変化することはない。したがって、端子部１０６などの形成前に薄膜１１０を形成しても何ら問題無い。
【００６１】
さらに、上述した実施の形態では、抵抗器の少なくとも一部に配置する薄膜として酸化スズを含有する導電性薄膜を例に説明したが、この発明はこれに限らず、基体となるＳｉＯ_２に含まれる導電物質の元素は問わない。例えば、抵抗値の温度依存性の少ないアンチモンやインジウム等の少なくとも１つの酸化物を導電物質とした含有した導電性薄膜を形成しても良い。
【００６２】
また、上述した実施の形態では、電子銃構体２６において、主レンズを構成する集束電極と最終加速電極との間に１個の中間電極を配置した場合について説明したが、この発明は抵抗器１００を具備する電子銃構体であれば、特に電子銃構体の構造は問わない。
【００６３】
さらに、上述した実施の形態では、抵抗器１００の総抵抗値が約１０^９Ω／□の場合について説明したが、この発明はこの例に限定されるものではなく、抵抗器１００の総抵抗値は問わない。また、導電性薄膜１１０の抵抗値は、抵抗器１００の総抵抗値の１００倍以上であればいくらでも良い。
【００６４】
以上説明したように、この実施の形態に係る陰極線管によれば、抵抗器の少なくとも一部にＳｉＯ_２を基体とする薄膜を配置することにより、抵抗器の絶縁性基板からの２次電子の放出を抑制することができ、不所望な抵抗器の電位上昇を抑制することができる。したがって、抵抗器に起因するスパークやグロー放電を抑制することができ、耐電圧特性を改善することができる。
【００６５】
なお、この発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々な変形・変更が可能である。また、各実施の形態は可能な限り適宜組み合わせて実施されてもよく、その場合組み合わせによる効果が得られる。
【００６６】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、抵抗器に起因するスパークやグロー放電を抑制し、耐電圧特性の良好な抵抗器を内蔵した電子銃構体を具備する陰極線管を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係るカラー陰極線管装置の構造を概略的に示す水平断面図である。
【図２】図２は、図１に示したカラー陰極線管装置に適用される電子銃構体の構造を概略的に示す垂直断面図である。
【図３】図３は、図２に示した電子銃構体近傍に配置される抵抗器の構造を概略的に示す平面図である。
【図４】図４は、図３に示した抵抗器における中間端子近傍の構造を概略的に示す断面図である。
【図５】図５は、図３に示した抵抗器の構造を概略的に示す図である。
【図６】図６は、アルミナ及びＳｉＯ_２の１次電子エネルギに対する２次電子放出係数の分布を示す図である。
【図７】図７は、図２に示した電子銃構体近傍に配置可能な抵抗器の他の構造を概略的に示す平面図である。
【図８】図８は、図２に示した電子銃構体近傍に配置可能な抵抗器の他の構造を概略的に示す平面図である。
【図９】図９は、図２に示した電子銃構体近傍に配置可能な抵抗器の他の構造を概略的に示す平面図である。
【図１０】図１０は、図９に示した抵抗器の中間端子近傍の構造を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
２４…ネック
２６…電子銃構体
３０…外囲器
１００…抵抗器
１０１…中間端子
１０２…高圧端子
１０３…接地端子
１０６、１０７、１０８…端子部
１１０…薄膜（導電性薄膜）
１５０…抵抗素子
１６０…絶縁被覆層
１７０、１８０、１９０…引出しタブ
２００…絶縁性基板（アルミナ基板）

Claims

内面に蛍光体スクリーンが配置されたパネルを含む外囲器と、
前記外囲器における径小部に対応するネック内に封入され、前記蛍光体スクリーンに向けて電子ビームを放出する複数個の電極を備えた電子銃構体と、
前記外囲器内における前記電子銃構体近傍に配置され、前記複数個の電極の少なくとも１つに高電圧を分圧した分圧電圧を供給するための抵抗器と、を備えた陰極線管において、
前記抵抗器は、その少なくとも一部に配置されたＳｉＯ_２を基体とする薄膜を有することを特徴とする陰極線管。
前記抵抗器は、
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に設けられた複数の端子部と、
前記絶縁性基板上に設けられ、前記端子部間において所定の抵抗値を得るためのパターンを有する抵抗素子と、
前記抵抗素子を被覆する絶縁被覆層と、
前記各端子部にそれぞれ対応して接続された引出しタブと、を備え、
前記薄膜は、前記各端子部付近において前記絶縁性基板を被覆するように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の陰極線管。
前記薄膜は、ＳｉＯ_２に導電物質を含有する導電性薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の陰極線管。
前記導電性薄膜の表面抵抗値は、１０^１１〜１０^１４Ω／□であることを特徴とする請求項３に記載の陰極線管。
前記導電性薄膜は、スズ、アンチモン、インジウムの少なくとも１つの酸化物を含有することを特徴とする請求項３に記載の陰極線管。
前記抵抗器において、隣接する前記端子部間に形成された前記導電性薄膜の抵抗値が、前記端子部間における抵抗素子の抵抗値の１００倍以上であることを特徴とする請求項３に記載の陰極線管。
前記導電性薄膜の厚さは、１μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の陰極線管。
前記薄膜は、前記抵抗器の表面全体を被覆するように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の陰極線管。
前記薄膜は、前記抵抗器における高圧側に位置する端子部周辺の表面を被覆するように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の陰極線管。
前記薄膜は、前記抵抗器の前記絶縁性基板全体を被覆するように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の陰極線管。