JP2000173511A - 陰極線管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】コンバーゼンスドリフトを抑制する高抵抗導電
膜をネックの内壁に設け、且つ電子銃構体のグリッドな
どの金属部分とネック内壁との間のフィールドエミッシ
ョンを抑制することができる耐電圧特性が良好な陰極線
管を提供することを目的とする。 【解決手段】この陰極線管のネック部１０５の内壁に
は、内部導電膜１１７が被着形成され、この内部導電膜
１１７の端部に接触するとともに電子銃構体１０７が配
置されたネック部１０５の一部を覆うように、内部導電
膜１１７より高い電気抵抗を有する高抵抗導電膜１１４
が設けられている。内部導電膜１１７に接触している高
抵抗導電膜１１４の一端部側の内部導電膜１１７端部近
傍における管軸方向の単位長さあたりの導電体濃度は、
高抵抗導電膜１１４の他端部１１６近傍より高くなるよ
うに設定されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、カラー受像管な
どの陰極線管に係り、特に陰極線管のネック内壁に塗布
される高抵抗導電膜に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、カラー受像管は、パネルと、フ
ァンネルと、ネックとが一体に接合された外囲器を有し
ている。この外囲器は、パネルの内面に、青、緑、赤に
それぞれ発光するストライプ状あるいはドット状の３色
蛍光体層からなる蛍光体スクリーン（ターゲット）を備
えている。この蛍光体スクリーンに対向して、その内側
に多数のアパーチャを有するシャドウマスクが装着され
ている。

【０００３】また、カラー受像管は、外囲器のネック内
に配設された、同一水平面上を通る一列配置の中央及び
２本の両サイドの３電子ビームを放出する電子銃構体を
備えている。この電子銃構体は、３本の電子ビームそれ
ぞれを蛍光体スクリーン上において集束すると同時に、
３本の電子ビームを蛍光体スクリーン上でコンバーゼン
スする。この電子銃構体から放出される３電子ビーム
は、ファンネルの外側に装着された偏向ヨークの発生す
る水平偏向磁界及び垂直偏向磁界により偏向され、シャ
ドウマスクを介して蛍光体スクリーンを水平走査、及び
垂直走査される。これにより、カラー画像が表示され
る。

【０００４】図１に示すように、このようなカラー受像
管において、ファンネルからネック３にかけての内面に
は、ファンネルに設けられた陽極端子に導通する内部導
電膜７が被着形成されている。電子銃構体８のコンバー
ゼンス電極９は、バルブスペーサ１０を介して内部導電
膜７に接触導通され、陽極端子から陽極電圧を供給され
る。

【０００５】しかしながら、ネック３の内壁電位の変化
の影響で、３電子ビームのコンバーゼンス状態が経時変
化し、結果的に色ずれが生じるといった問題がある。こ
の原因は、ネック内壁の帯電電位が電子銃構体の主電子
レンズに浸透し、主電子レンズを形成する電界に影響を
与え、両サイドビームの軌道を変えることによるもので
ある。すなわち、ネックは、絶縁体、例えばガラスによ
って形成されているため、帯電すなわち電荷が蓄積され
やすく、放電を生じやすい。このため、陽極電圧を印加
した直後のネック内壁は、内部導電膜７や、電子銃構体
８のコンバーゼンス電極９などの影響を受けて、ある一
定の電位分布状態に到達するが、ネック内に発生した浮
遊電子が帯電したネック内壁に衝突し、ネックから２次
電子を放出させてネック電位を徐々に上昇させる。その
結果、このネック電位が電子銃構体９の主電子レンズを
形成する電界に悪影響を及ぼし、両サイドビームの軌道
が変化する。このように、電子銃構体では、コンバーゼ
ンス状態が経時変化するいわゆるコンバーゼンスドリフ
トが起こり、色ずれが起こる。

【０００６】このような問題を解決するために、特開昭
６４−１２４４９号公報、及び特開平５−２０５５６０
号公報によれば、図１に示すように、ネック３の内面に
電子放出係数が１より小さい高抵抗導電膜１７を内部導
電膜７に接触するように被着形成することによって、２
次電子による帯電を防止しているとともに、コンバーゼ
ンスドリフトによる色ずれを抑制している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６４−１２４４９号公報、及び特開平５−２０５６６０
号公報に示されているように、ネック内面に高抵抗導電
膜を内部導電膜に接触させて被着形成したカラー受像管
においては、図１における高抵抗導電膜１７のように、
管軸方向の単位長さあたりの導電体濃度、すなわち高抵
抗導電膜を構成する絶縁性物質と導電性物質との総量に
対する導電性物質の割合が一定の場合、高抵抗導体膜１
７の管軸方向の単位長さあたりの抵抗値が、管軸方向で
一定となり、高抵抗導電膜１７の他端部１８近傍のネッ
ク内壁の電位は、高抵抗導電膜が設けられていない場合
と比較して相対的に高く、電子銃構体に備えられた電極
などの金属部分からフィールドエミッションが発生しや
すいという問題がある。

【０００８】そこで、この発明は、上述した従来技術の
問題点に鑑みて、コンバーゼンスドリフトを抑制する高
抵抗導電膜をネックの内壁に設け、且つ電子銃構体のグ
リッドなどの金属部分からのフィールドエミッションを
抑制することができる耐電圧特性が良好な陰極線管を提
供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明の陰極線管は、同一水平面上を通る一列に
配列された複数の電子ビームを放出してターゲット上に
集束する電子銃構体と、この電子銃構体から放出された
電子ビームをターゲット上の水平方向及び垂直方向に偏
向する磁界を発生する偏向ヨークと、前記電子銃構体を
配置するネック部、前記ターゲットが形成されるパネル
部及びネック部からパネル部にわたって内径が拡張され
たファンネル部を含む外囲器と、前記ファンネル部から
ネック部の内壁にかけて被着形成された内部導電膜と、
前記ネック部の内壁に被着形成された前記内部導電膜の
端部に接触するとともに前記電子銃構体が配置されたネ
ック部の少なくとも一部を覆うように形成された、前記
内部導電膜より高い電気抵抗を有する高抵抗導電膜と、
を備え、前記高抵抗導電膜は、実質的に絶縁性物質中に
導電性物質を分散した膜であり、前記内部導電膜に接触
している前記高抵抗導電膜の一端部の前記内部導電膜近
傍における管軸方向の単位長さあたりの導電体濃度が、
前記高抵抗導電膜の他端部近傍の管軸方向の長さあたり
の導電体濃度より高いことを特徴としている。

【００１０】この発明の陰極線管によれば、ネック部の
内壁において、内部導電膜の端部に接触する位置から電
子銃構体が配置された位置の一部にかけて、内部導電膜
より高い電気抵抗を有する高抵抗導電膜が形成されてい
るため、２次電子の放出によるネック電位の変化を抑制
し、コンバーゼンスドリフトによる色ずれを防止するこ
とが可能となる。

【００１１】また、管軸方向の単位長さあたりの導電体
濃度が、高抵抗導電膜の一端部側の内部導電膜端部近傍
における導電体濃度と比較して、高抵抗導電膜の他端部
近傍において、相対的に低いため、この部分の抵抗値が
高くなり、ネック部の内壁の電位を相対的に低く抑える
ことが可能となり、電子銃構体における電圧が印加され
ている金属部分からの間のフィールドエミッションを抑
制することが可能となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
陰極線管、例えばカラー陰極線管の実施の形態について
説明する。

【００１３】図２には、この発明の陰極線管の一例とし
てのカラー陰極線管が示されている。このカラー陰極線
管は、図２に示すように、パネル１０１と、ファンネル
１０２と、ネック１０５とが接合された外囲器を有して
いる。このパネル１０１は、その内面に、赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）にそれぞれ発光するストライプ状ある
いはドット状の３色蛍光体層及びメタルバック層からな
る蛍光体スクリーン１０３（ターゲット）を備えてい
る。また、このカラー陰極線管は、蛍光体スクリーン１
０３に対向する位置に所定の間隔をおいて装着されたシ
ャドウマスク１０４を有している。このシャドウマスク
１０４は、その内側に、電子ビームを通過させるための
多数のアパーチャを有している。

【００１４】ネック１０５は、略円筒状に形成され、そ
の内径の断面形状も略円形である。このネック１０５
は、その内部に、同一水平面上を通る一列配置の３電子
ビーム１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒを放出する電子銃
構体１０７、いわゆるインライン型電子銃構体を備えて
いる。この電子ビーム１０６Ｇ、１０６Ｂ、１０６Ｒ
は、一列配置され、管軸方向すなわち円筒状のネック１
０５の中心軸と平行な方向に向けて放出される。センタ
ービームとしての電子ビーム１０６Ｇは、ネック１０５
の中心軸に最も近接した軌道を進行する。サイドビーム
としての電子ビーム１０６Ｂ、１０６Ｒは、センタービ
ーム１０６Ｇの両サイドを進行する。この電子銃構体１
０７は、３電子ビーム１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂを
それぞれ蛍光体スクリーン１０３面上において集束する
と同時に、３電子ビームを蛍光体スクリーン１０３面上
でコンバーゼンスする。

【００１５】また、このカラー受像管は、ファンネル１
０２の外側に装着された偏向ヨーク１０８と、ファンネ
ル１０２の外側に形成された外部導電膜１１３と、ファ
ンネル１０２からネック１０５の一部にわたる内面に被
着形成された内部導電膜１１７と、を有している。内部
導電膜１１７は、陽極電圧を供給する陽極端子に導通さ
れている。

【００１６】このような構造のカラー陰極線管では、電
子銃構体１０７から放出された３電子ビーム１０６Ｂ，
１０６Ｇ，１０６Ｒは、偏向ヨーク１０８によって発生
された水平偏向磁界および垂直偏向磁界により偏向さ
れ、シャドウマスク１０４を介して蛍光体スクリーン１
０３を水平走査及び垂直走査される。これにより、カラ
ー画像が表示される。

【００１７】図３は、図２に示したカラー陰極線管のネ
ック部を拡大した図である。

【００１８】図３に示すように、カラー陰極線管は、ネ
ック部１０５に配設されたインライン型電子銃構体１０
７を備えている。この電子銃構体１０７は、インライン
方向、すなわち水平方向に一列配置された３電子ビーム
１０６Ｂ，１０６Ｇ，１０６Ｒを放出する３個のカソー
ドＫ、及びこれらのカソードＫをそれぞれ個別に加熱す
る３個のヒータを備えている。

【００１９】また、この電子銃構体１０７は、カソード
Ｋから順次蛍光体スクリーン（ターゲット）方向に所定
の間隔に離間されて配置された第１乃至第６グリッドＧ
１〜Ｇ６、及びその第６グリッドＧ６の蛍光体スクリー
ン側に位置する端部に取り付けられたコンバーゼンス電
極１１９を有している。第１および第２グリッドＧ１、
Ｇ２は、それぞれ一体構造の板状電極によって形成さ
れ、第３乃至第６Ｇ３〜Ｇ６は、一体構造の筒状電極に
よって形成されており、各々の電極には、３つの電子ビ
ーム通過孔が形成されている。

【００２０】これらのヒーター、カソードＫおよび第１
乃至第６グリッドＧ１〜Ｇ６は、インライン方向に直交
する垂直方向に対向して配置された一対の絶縁支持体、
すなわちビードガラス１１２によって一体に支持されて
いる。このビードガラス１１２は、図３に示すように、
管軸方向に延出されている。

【００２１】第１および第２グリッドＧ１、Ｇ２は、イ
ンライン方向に沿って一列に形成された、比較的小さな
３個のほぼ円形の電子ビーム通過孔を有している。

【００２２】第３グリッドＧ３の第２グリッドＧ２側に
位置する電極は、第２グリッドＧ２との対向面にインラ
イン方向に沿って一列に形成された、第２グリッドＧ２
を通過した３電子ビームの通過を許容するために、第２
グリッドＧ２の電子ビーム通過孔よりも大きい３個のほ
ぼ円形の電子ビーム通過孔を有している。また、この第
３グリッドＧ３の第４グリッドＧ４側に位置する電極
は、第４グリッドＧ４との対向面にインライン方向に沿
って一列に形成された、第２グリッドＧ２との対向面の
電子ビーム通過孔よりも更に大きい３個のほぼ円形の電
子ビーム通過孔を有している。

【００２３】第４グリッドＧ４を構成する電極は、第３
グリッドＧ３および第５グリッドＧ５との対向面にイン
ライン方向に沿って一列に形成された、第３グリッドＧ
３の第４グリッドＧ４側の対向面に形成された電子ビー
ム通過孔と同じ大きさの３個のほぼ円形の電子ビーム通
過孔を有している。

【００２４】第５グリッドＧ５を構成する電極は、第４
グリッドＧ４および第６グリッドＧ６との対向面にイン
ライン方向に沿って一列に形成された、第４グリッドＧ
４の電子ビーム通過孔とほぼ同じ大きさの３個のほぼ円
形の電子ビーム通過孔を有している。

【００２５】第６グリッドＧ６を構成する電極は、第５
グリッドＧ５およびコンバーゼンス電極１１９に対向す
る面にインライン方向に沿って一列に形成された、第５
グリッドＧ５の電子ビーム通過孔とほぼ同じ大きさの３
個のほぼ円形の電子ビーム通過孔を有している。

【００２６】コンバーゼンス電極１１９は、その底部、
すなわち第６グリッドＧ６に対向する面にインライン方
向に沿って一列に形成された、第６グリッドＧ６の電子
ビーム通過孔とほぼ同じ大きさの３個のほぼ円形の電子
ビーム通過孔を有している。また、このコンバーゼンス
電極１１９は、バルブスペーサー１１０を介して陽極電
圧Ｅｂが供給される内部導電膜１１７に接続されてい
る。

【００２７】次に、図３を参照して、この電子銃構体に
含まれる各グリッドの接続関係について説明する。

【００２８】この電子銃構体のカソードＫは、図示しな
い直流電源及び映像信号源に電気的に接続される。この
カソードには、１００〜２００Ｖの直流電圧に映像信号
を重畳した電圧が印加される。第１グリッドＧ１は、接
地されている。

【００２９】第２グリッドＧ２とＧ４グリッドＧ４と
は、管内で互いに接続されているとともに、直流電源に
電気的に接続されている。そして、これら第２グリッド
Ｇ２及び第４グリッドＧ４には、５００〜１０００Ｖの
電圧が印加される。

【００３０】第３グリッドＧ３と第５グリッドＧ５と
は、管内で互いに接続されているとともに、直流電源に
電気的に接続されている。そして、これら第３グリッド
Ｇ３及び第５グリッドＧ５には、第６グリッドＧ６に印
加される陽極電圧Ｅｂの約２０〜３５％の直流電圧すな
わちフォーカス電圧Ｖｆが印加される。

【００３１】第６グリッドＧ６には、２５〜３５ｋＶの
陽極電圧Ｅｂがバルブスペーサ１１０及び内部導電膜１
１７を通して印加される。

【００３２】このようなレベルの電圧を印加することに
より、この電子銃構体においては、カソードＫおよび第
１乃至第３グリッドＧ１〜Ｇ３によってカソードＫから
の電子放出を制御し、かつ放出された電子を加速・集束
して電子ビームを形成する電子ビーム発生部ＧＥが形成
される。また、第３グリッドＧ３、第４グリッドＧ４、
第５グリッドＧ５、第６グリッドＧ６によって、電子ビ
ーム発生部ＧＥで形成された電子ビームを蛍光体スクリ
ーン上に加速・集束する主電子レンズ部ＭＬが形成され
る。

【００３３】ところで、このカラ−陰極線管は、図２及
び図３に示すように、ファンネル部１０２からネック部
１０５の一部にかけて内面に設けられた内部導電膜１１
７が塗布されており、この膜よりも高抵抗の高抵抗導電
膜１１４を有している。この高抵抗導電膜１１４は、そ
の一端部１１５側で内部導電膜１１７に接触している。
この高抵抗導電膜１１４は、導電性物質としてのＡＴＯ
すなわち酸化錫にアンチモンをドープした酸化物導電体
と、絶縁性物質としてのバインダとなるエチルシリケー
トなどのシランカップリング剤とをエチルアルコールな
どの有機溶媒に分散した溶液をスプレー方式などで塗布
した後、乾燥・焼成することによって形成される。この
方式で形成される高抵抗導電膜１１４は、その膜厚が極
めて薄く、１μｍ未満である。

【００３４】この高抵抗導電膜１１４を設けることによ
り、電子ビームのコンバーゼンス状態が経時変換するい
わゆるコンバーゼンスドリフトを抑制している。すなわ
ち、陽極電圧Ｅｂを印加した直後のネック内壁の電位が
内部導電膜１１７や電子銃構体１０７のコンバーゼンス
電極１１９などの影響を受けてある一定の電位分布状態
に到達した後、ネック部１０５内に発生した浮遊電子が
帯電したネック内壁に衝突してネック部１０５から２次
電子が放出されることを抑制している。

【００３５】ネック部１０５から２次電子が放出される
と、ネック電位が徐々に上昇し、ネック内壁の帯電によ
る電位が電子銃構体１０７の主電子レンズ部ＭＬに浸透
し、主電子レンズ部ＭＬを形成する電界に影響を与え、
両サイドビームの軌道を変化させてしまう。これによ
り、３電子ビームのコンバーゼンス状態が経時変化し、
色ずれを発生する原因となる。

【００３６】また、この高抵抗導電膜１１４は、その一
端部１１５側において、内部導電膜１１７の端部に接触
するとともに、その他端部１１６側において、電子銃構
体１０７が配置されたネック部１０５の一部の内面を覆
うように設けられている。高抵抗導電膜１１４の一端部
側における内部導電膜１１７との接触部近傍１１５で
は、管軸方向の単位長さあたりの導電体濃度、すなわち
高抵抗導電膜１１４を構成する絶縁性物質と導電性物質
との総量に対する導電性物質の割合が、高抵抗導電膜１
１４の他端部１１６近傍より高くなるように設定されて
いる。

【００３７】すなわち、この高抵抗導電膜１１４の管軸
方向単位長さあたりの導電体濃度は、高抵抗導電膜１１
４の他端部１１６から内部導電膜１１７端部との接触部
１１５に向かうにしたがって次第に高くなり、内部導電
膜１１７端部との接触部１１５において、最高となる。
そして、高抵抗導電膜１１４の管軸方向単位長さあたり
の導電体濃度は、内部導電膜１１７端部との接触部１１
５から高抵抗導電膜１１４の他端部１１６に向かうにし
たがって次第に低くなり、他端部１１６において、最低
となる。

【００３８】このような導電体濃度の分布を形成するこ
とにより、電子銃構体１０７に備えられた複数のグリッ
ドのうち、フォーカス電圧Ｖｆが印加されているグリッ
ドなどの金属部分に近接する付近で、導電体濃度の分布
が一定の場合と比較して、高抵抗導電膜１１４のネック
内電位を相対的に低く抑えることができ、グリッドから
のフィールドエミッションを抑制することができる。

【００３９】次に、上述したようにして導電体濃度の分
布が形成された高抵抗導電膜を設けたカラー陰極線管の
ネック内電位をシミュレーションした。ネック内電位
と、高抵抗導電膜が設けられていない陰極線管のネック
内電位、及び導電体濃度の分布が一定の陰極線管のネッ
ク内電位とを比較した。

【００４０】図４の（ａ）は、ネック内電位の測定結果
を示す図であり、図４の（ｂ）は、図３に示した構造の
カラー陰極線管における内部導電膜１１７端部近傍の高
抵抗導電膜１１４の導電体濃度分布１２０を概略的に示
す断面図であり、図４の（ｃ）は、図１に示した高抵抗
導電膜１７の導電体濃度が一定となるカラー陰極線管に
おける高抵抗導電膜１７の導電体濃度分布１２１を概略
的に示す断面図であり、図４の（ｄ）は、高抵抗導電膜
が設けられていないカラー陰極線管における内部導電膜
１１７端部近傍の断面図である。

【００４１】図４の（ａ）には、図４の（ｂ）に示した
ような導電体濃度分布１２０を有する高抵抗導電膜１１
４を設けた場合のその管軸方向に沿ったネック内電位の
分布曲線１９（ｂ）と、図４の（ｃ）に示したような一
定の導電体濃度分布１２１を有する高抵抗導電膜を設け
た場合のその管軸方向に沿ったネック内電位の分布曲線
２０（ｃ）と、図４の（ｄ）に示したような高抵抗導電
膜が設けられていない場合のその管軸方向に沿ったネッ
ク内電位の分布曲線２１（ｄ）とが、それぞれ示されて
いる。

【００４２】図４の（ｂ）に示したような導電体濃度分
布１２０を有する高抵抗導電膜１１４の他端部１１６近
傍におけるネック内電位２２は、図４の（ｃ）に示した
ような一定の導電体濃度分布を有する高抵抗導電膜を設
けた場合のネック内電位２３より相対的に小さく、ま
た、図４の（ｄ）に示したような高抵抗導電膜が設けら
れていない場合のネック内電位２３に近似できるほど小
さい。

【００４３】このため、電子銃構体に備えられた複数の
グリッドのうち、フォーカス電圧などの高電圧が印加さ
れているグリッドなどの金属部分と、高抵抗導電膜の端
部付近との電位差は、図４の（ｂ）に示したような導電
体濃度分布１２０を有するように形成された陰極線管の
方が、図４の（ｃ）に示したような導電体濃度分布１２
１を有するように形成された陰極線管より小さい。すな
わち、図４の（ｂ）に示したような陰極線管では、電子
銃構体における電圧が印加されているグリッドなどの部
分とこの部分に近接する高抵抗導電膜との間の電位差
は、高抵抗導電膜が設けられていない場合、すなわち図
４の（ｄ）に示したような陰極線管の場合と実質的に近
似することができるほど小さい。

【００４４】したがって、コンバーゼンスドリフトを抑
制する高抵抗導電膜を設けつつ、且つ電子銃構体のグリ
ッドなどの金属部分とネック内壁との間のフィールドエ
ミッションを抑制することが可能となる。これにより、
色ずれの発生を防止し、耐電圧特性の良好な陰極線管を
提供することができる。

【００４５】次に、図３に示したような構造の陰極線管
における耐電圧特性の優位性について実験データを基に
して説明する。

【００４６】図５は、カラー陰極線管の耐電圧評価の一
つであるフィールドエミッションを測定するための測定
回路図である。

【００４７】図５に示したような回路構成において、電
流計Ａに流れる電流が０．０１μＡとなる時の陽極定圧
電源の電圧値を測定し、耐電圧特性として評価した。な
お、この測定で使用した陰極線管のネック部の外径は、
直径が２２．５ｍｍである。図６に電圧値の測定結果を
示す。図６に示した電圧値は、１０回の測定で得られた
測定値の平均値であり、この電圧が高いほど、耐電圧特
性が良いことを示す。る。

【００４８】図６に示したように、本発明の陰極線管に
おける高抵抗導電膜の塗布状態すなわち図４の（ｂ）に
示したような塗布状態では、陽極定圧電源の電圧値は、
３３ＫＶであるのに対して、従来の陰極線管における高
抵抗導電膜の塗布状態すなわち図４の（ｃ）に示したよ
うな塗布状態では、２６ＫＶであり、約７ＫＶ程度高い
ことがわかる。このように、本発明の陰極線管は、図４
の（ｂ）に示したような導電体濃度分布としたことによ
り、耐電圧特性として従来の陰極線管より優位であるこ
とがわかる。

【００４９】以上説明したように、この発明の陰極線管
によれば、同一水平面上を通る一列に配列された複数の
電子ビームを放出してターゲット１０３上に集束する電
子銃構体１０７と、この電子銃構体１０７から放出され
た電子ビームをターゲット１０３上の水平方向及び垂直
方向に偏向する磁界を発生する偏向ヨーク１０８と、電
子銃構体１０７を配置するネック部１０５、ターゲット
１０３が形成されるパネル部１０１及びネック部１０５
からパネル部１０１にわたって内径が拡張されたファン
ネル部１０２を含む外囲器と、ファンネル部１０２から
ネック部１０５の内壁の一部にかけて被着形成された内
部導電膜１１７と、ネック部１０５の内壁に被着形成さ
れた内部導電膜１１７の端部に接触するとともに電子銃
構体１０７が配置されたネック部１０５の一部を覆うよ
うに形成された、内部導電膜１１７より高い電気抵抗を
有する高抵抗導電膜１１４と、を備え、高抵抗導電膜
は、実質的に絶縁性物質中に導電体物質を分散した膜で
あり、内部導電膜１１７に接触している高抵抗導電膜１
１４の一端部に内部導電膜１１７近傍における管軸方向
の単位長さあたりの導電体濃度が、高抵抗導電膜１１４
の他端部１１６近傍より高いことを特徴としている。

【００５０】この発明の陰極線管によれば、ネック部１
０５の内壁において、内部導電膜１１７の端部に接触す
る位置から電子銃構体１０７が配置された位置の一部に
かけて、内部導電膜１１７より高い電気抵抗を有する高
抵抗導電膜１１４が形成されているため、ネック部１０
５からの２次電子の放出を抑制し、コンバーゼンスドリ
フトによる色ずれを防止することが可能となる。

【００５１】また、高抵抗導電膜１１４の他端部１１６
近傍において、管軸方向の単位長さあたりの導電体濃度
が、高抵抗導電膜１１４の一端部側の内部導電膜１１７
端部近傍における導電体濃度と比較して相対的に低いた
め、ネック部１０５の高抵抗導電膜１１４の他端部１１
６近傍の内壁の電位を相対的に低く抑えることが可能と
なり、電子銃構体１０７における金属部分との間のフィ
ールドエミッションを抑制することが可能となる。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、コンバーゼンスドリフトを抑制する高抵抗導電膜を
ネックの内壁に設け、且つ電子銃構体のグリッドなどの
金属部分とネック内壁との間のフィールドエミッション
を抑制することができる耐電圧特性が良好な陰極線管を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、従来の陰極線管のネック部の構造を概
略的に示す平面図である。

【図２】図２は、この発明の陰極線管の一例としてのカ
ラー陰極線管の構造を概略的に示す断面図である。

【図３】図３は、この発明に係る高抵抗導電膜を備えた
陰極線管のネック部の構造を概略的に示す平面図であ
る。

【図４】図４の（ａ）は、ネック内電位の測定結果を示
す図であり、図４の（ｂ）は、図３に示した本発明のカ
ラー陰極線管における内部導電膜端部近傍の高抵抗導電
膜の導電体濃度分布を概略的に示す断面図であり、図４
の（ｃ）は、従来のカラー陰極線管における内部導電膜
端部近傍の高抵抗導電膜の導電体濃度分布を概略的に示
す断面図であり、図４の（ｄ）は、高抵抗導電膜が設け
られていないカラー陰極線管における内部導電膜端部近
傍の断面図である。

【図５】図５は、高抵抗導電膜の内部導電膜端部との接
触部における導電体濃度分布が高抵抗導電膜の他端部の
導電体濃度より高くなるような膜抵抗値分布を有するカ
ラー陰極線管において、フィールドエミッションを測定
するための測定回路図である。

【図６】図６は、図５に示した回路構成において、電流
計Ａに流れる電流が０．０１μＡとなる時に測定される
陽極定圧電源の電圧値を示す図である。

【符号の説明】

１０１…パネル部 １０２…ファンネル部 １０３…蛍光体スクリーン １０４…シャドウマスク １０５…ネック部 １０６（Ｂ、Ｇ、Ｒ）…電子ビーム １０７…電子銃構体 １０８…偏向装置 １１０…バルブスペーサ １１３…外部導電膜 １１４…高抵抗導電膜 １１７…内部導電膜

フロントページの続き (72)発明者 長谷川 隆弘 埼玉県深谷市幡羅町１丁目９番２号 株式 会社東芝深谷電子工場内 Ｆターム(参考） 5C032 AA02 DD06 DE01 DG09

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】同一水平面上を通る一列に配列された複数
   の電子ビームを放出してターゲット上に集束する電子銃
   構体と、 この電子銃構体から放出された電子ビームをターゲット
   上の水平方向及び垂直方向に偏向する磁界を発生する偏
   向ヨークと、 前記電子銃構体を配置するネック部、前記ターゲットが
   形成されるパネル部及びネック部からパネル部にわたっ
   て内径が拡張されたファンネル部を含む外囲器と、 前記ファンネル部からネック部の内壁にかけて被着形成
   された内部導電膜と、前記ネック部の内壁に被着形成さ
   れた前記内部導電膜の端部に接触するとともに前記電子
   銃構体が配置されたネック部の少なくとも一部を覆うよ
   うに形成された、前記内部導電膜より高い電気抵抗を有
   する高抵抗導電膜と、を備え、 前記高抵抗導電膜は、実質的に絶縁性物質中に導電性物
   質を分散した膜であり、前記内部導電膜に接触している
   前記高抵抗導電膜の一端部の前記内部導電膜近傍におけ
   る管軸方向の単位長さあたりの導電体濃度が、前記高抵
   抗導電膜の他端部近傍の管軸方向の単位長さあたりの導
   電体濃度より高いことを特徴とする陰極線管。
2. 【請求項２】前記高抵抗導電膜は、前記内部導電膜に接
   触している部分近傍で、管軸方向の単位長さあたりの導
   電体濃度が最高となり、前記高抵抗導電膜の他端部近傍
   で、管軸方向の単位長さあたりの導電体濃度が最低とな
   ることを特徴とする請求項１に記載の陰極線管。
3. 【請求項３】前記高抵抗導電膜は、高抵抗導電膜の一端
   部から前記内部導電膜に向かうにしたがって、前記導電
   体濃度が次第に高くなるとともに、前記内部導電膜端部
   から高抵抗導電膜の他端部に向かうにしたがって、前記
   導電体濃度が次第に低くなることを特徴とする請求項２
   に記載の陰極線管。