JP2006147840A5 - - Google Patents

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  1. 厚肉部と、前記厚肉部の端面上に一体的に架設された薄肉ダイヤフラム部、及び、前記厚肉部及び前記薄肉ダイヤフラム部によって外部に連通するように形成された空洞とからなるセラミック基体、及び
    前記セラミック基体の薄肉ダイヤフラム部の外表面上に固定された層構造からなる下部電極、圧電／電歪膜及び上部電極を含む圧電／電歪素子
    とから構成され、
    前記セラミック基体の薄肉ダイヤフラム部が、前記圧電／電歪素子の駆動に連動して振動することが可能であり、
    下記（Ａ）〜（Ｃ）に規定された形状及び寸法関係を満たすことを特徴とする圧電／電歪デバイス。
    （Ａ）前記薄肉ダイヤフラム部の形状が、外方に凸のアーチ形状であり、かつ前記アーチ形状の外方への突出量が、５〜５０μｍであること、
    （Ｂ）前記薄肉ダイヤフラム部の架設幅が、６００〜２０００μｍであること、
    （Ｃ）前記厚肉部の高さの、その幅に対する割合（高さ／幅）が、０．２５〜３であること。
  2. 前記薄肉ダイヤフラム部及び薄肉ダイヤフラム部の外表面上に固定された圧電／電歪素子をそれぞれ２以上有し、前記薄肉ダイヤフラム部及び前記圧電／電歪素子が、第１の平面上及び前記第１の平面に平行な第２の平面上にそれぞれ配設されてなる請求項１に記載の圧電／電歪デバイス。
  3. 前記薄肉ダイヤフラム部及び薄肉ダイヤフラム部の外表面上に固定された圧電／電歪素子をそれぞれ２以上有し、前記薄肉ダイヤフラム部及び前記圧電／電歪素子が、第１の平面上、前記第１の平面に平行な第２の平面上及び前記第１の平面に垂直な第３の平面上にそれぞれ配設されてなる請求項１に記載の圧電／電歪デバイス。
  4. 前記圧電／電歪素子が、膜形成手法にて形成されたものであるとともに、前記圧電／電歪素子の構成材料が、前記薄肉ダイヤフラム部の外表面上に配設された後、熱処理されて、前記薄肉ダイヤフラム部の外表面上に固定されることによって得られてなる請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧電／電歪デバイス。
  5. 前記セラミック基体の前記薄肉ダイヤフラム部の厚さが１００μｍ以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の圧電／電歪デバイス。
  6. 前記薄肉ダイヤフラム部の外形形状が、アスペクト比が１．５以上の、長方形、長円形、又は楕円形である請求項１〜５のいずれか１項に記載の圧電／電歪デバイス。
  7. 前記上部電極の中心と前記薄肉ダイヤフラム部の中央とのずれが、前記薄肉ダイヤフラム部の長さ方向において、該薄肉ダイヤフラム部の長さに対し５％以下、該薄肉ダイヤフラム部の幅方向において、該薄肉ダイヤフラム部の幅に対し１０％以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の圧電／電歪デバイス。
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