WO2025142014A1

WO2025142014A1 - 半導体装置および半導体モジュール

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Publication number: WO2025142014A1
Application number: PCT/JP2024/035507
Authority: WO
Inventors: 晶英田口; 隆油井
Original assignee: Nuvoton Technology Corp Japan
Current assignee: Nuvoton Technology Corp Japan
Priority date: 2023-12-26
Filing date: 2024-10-03
Publication date: 2025-07-03
Anticipated expiration: 2026-06-26
Also published as: TW202527272A; US20260101808A1; JP7729003B1; JPWO2025142014A1; CN121219836A

Abstract

チップサイズパッケージ型の半導体装置（１）であって、半導体層（４０）と、複数のパッド（５０）と、それぞれが１以上のパッド（５０）に接続された、半導体層（４０）の上面よりも上方に位置する複数の金属再配線（２０）と、を備え、複数の金属再配線（２０）には、第１の部分（２４Ａ）と、第１の部分（２４Ａ）よりも上方に位置する第２の部分（２４Ｂ）、とからなり、平面視において、第２の部分（２４Ｂ）が第１の部分（２４Ａ）に内包され、かつ、第２の部分（２４Ｂ）の面積が第１の部分（２４Ａ）の面積よりも小さい複数の第１の金属再配線（２１）が含まれ、複数の第１の金属再配線（２１）のそれぞれは、当該第１の金属再配線（２１）の表面における、第１の部分（２４Ａ）と第２の部分（２４Ｂ）との境界部分に、当該第１の金属再配線（２１）の断面における内角の角度が１８０度より大きい１以上の線状折れ曲がり部（２５）を有する。

Description

半導体装置および半導体モジュール

　本開示は、半導体装置および半導体モジュールに関する。

　従来、チップサイズパッケージ型の半導体装置を、はんだ部材を介して実装基板に実装する技術が知られている。

　また、従来、半導体チップを樹脂、ベース部材等で封止した半導体装置においては、半導体装置を実装基板に実装する際に、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとを、半導体装置の平面視において、少なくとも一部が半導体装置の外部にはみ出しているはんだ接合材からなるはんだフィレットを介して接合させる技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

　この技術を利用することで、半導体チップを樹脂、ベース部材等で封止した半導体装置においては、半導体装置を実装基板に実装する際に、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを外観により確認することができる。

特開２０２０－０４３２３６号公報

　一方で、従来、チップサイズパッケージ型の半導体装置においては、半導体装置を実装基板に実装する際に、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとを、半導体装置の平面視において、少なくとも一部が半導体装置の外部にはみ出しているはんだ接合材からなるはんだフィレットを介して接合させる技術は実現されていない。

　このため、従来、チップサイズパッケージ型の半導体装置においては、半導体装置を実装基板に実装する際に、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを外観により確認することができない。

　そこで、本開示は、チップサイズパッケージ型の半導体装置を実装基板に実装する際に、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを外観により確認することができる半導体装置等を提供することを目的とする。

　本開示の一態様に係る半導体装置は、チップサイズパッケージ型の半導体装置であって、半導体層と、前記半導体層に形成された１以上の縦型ＭＯＳトランジスタと、前記半導体層の上面よりも上方に位置し、複数の開口部を有する保護膜と、前記複数の開口部のそれぞれにおいて前記保護膜の外部に露出する複数のパッドであって、それぞれが、前記１以上の縦型ＭＯＳトランジスタのいずれかの端子として機能する前記複数のパッドと、前記半導体層の上面よりも上方に位置する複数の金属再配線であって、それぞれが、前記複数のパッドのうちの、互いに重複しないいずれか１以上のパッドに接続された複数の金属再配線と、を備え、前記半導体装置の平面視において、前記保護膜は、前記半導体層に内包され、前記複数の金属再配線のそれぞれは、前記半導体層に内包され、かつ、当該金属再配線に接続される前記１以上のパッドを内包し、前記複数の金属再配線には、第１の部分と、前記第１の部分よりも上方に位置する第２の部分とからなる複数の第１の金属再配線であって、前記平面視において、前記第２の部分が前記第１の部分に内包され、かつ、前記第２の部分の面積が前記第１の部分の面積よりも小さい前記複数の第１の金属再配線が含まれ、前記複数の第１の金属再配線のそれぞれは、当該第１の金属再配線の表面における、前記第１の部分と前記第２の部分との境界部分に、当該第１の金属再配線の断面における内角の角度が１８０度より大きい１以上の線状折れ曲がり部を有し、前記平面視において、前記１以上の線状折れ曲がり部には、前記半導体装置の外周側に面する部分が存在する。

　本開示の一態様に係る半導体モジュールは、上記の半導体装置と、前記半導体装置がフェイスダウン実装された実装基板と、を備え、前記実装基板は、前記半導体装置が備える複数の金属再配線のそれぞれと１対１で対応する複数のランドパターンを有し、前記複数のランドパターンのそれぞれは、当該ランドパターンに対応する、前記複数の金属再配線のうちの１の金属再配線に、はんだ接合材からなるはんだフィレットを介して接合し、前記平面視において、前記複数のランドパターンのそれぞれにおける、当該ランドパターンの面積は、当該ランドパターンに対応する、前記複数の金属再配線のうちの１の金属再配線の面積よりも大きく、前記複数のランドパターンのそれぞれは、前記半導体装置に内包されない部分を有し、前記複数の第１の金属再配線のそれぞれにおける前記１以上の線状折れ曲がり部は、当該第１の金属再配線に対応する前記はんだフィレットで埋められている。

　本開示の一態様に係る半導体モジュールは、上記の半導体装置と、前記半導体装置がフェイスダウン実装された実装基板と、を備え、前記実装基板は、前記半導体装置が備える複数の金属再配線のそれぞれと１対１で対応する複数のランドパターンを有し、前記複数のランドパターンのそれぞれは、当該ランドパターンに対応する、前記複数の金属再配線のうちの１の金属再配線に、当該ランドパターンに対応する、はんだ接合材からなるはんだフィレットを介して接合し、前記平面視において、前記複数のランドパターンのそれぞれにおける、当該ランドパターンの面積は、当該ランドパターンに対応する、前記複数の金属再配線のうちの１の金属再配線の面積よりも大きく、前記複数のランドパターンのそれぞれは、前記半導体装置に内包されない部分を有し、前記複数の第１の金属再配線のそれぞれにおける前記１以上の線状折れ曲がり部は、前記はんだフィレットで埋められており、前記平面視において、前記複数のランドパターンのうちの、前記第１の特定金属再配線に対応する第１のランドパターンは、前記第１の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域と、前記第２の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域とを有し、前記複数のランドパターンのうちの、前記第２の特定金属再配線に対応する第２のランドパターンは、前記第２の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域と、前記第３の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域とを有し、前記複数のランドパターンのうちの、前記第３の特定金属再配線に対応する第３のランドパターンは、前記第３の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域と、前記第４の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域とを有し、前記複数のランドパターンのうちの、前記第４の特定金属再配線に対応する第４のランドパターンは、前記第４の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域と、前記第１の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域とを有する。

　本開示の一態様に係る半導体装置等によると、チップサイズパッケージ型の半導体装置を実装基板に実装する際に、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを外観により確認することができる半導体装置等が提供される。

図１Ａは、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す平面図である。図１Ｂは、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す平面図である。図２は、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す断面模式図である。図３は、実施の形態に係る半導体装置の回路図である。図４Ａは、実施の形態に係る半導体モジュールの構造の一例を示す平面図である。図４Ｂは、実施の形態に係る半導体モジュールの平面視における、半導体モジュールの構成要素の位置関係の一例を示す平面図である。図５は、実施の形態に係る半導体モジュールの構造の一例を示す断面模式図である。図６Ａは、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す断面模式図である。図６Ｂは、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す断面模式図である。図７は、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す断面模式図である。図８Ａは、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す平面図である。図８Ｂは、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す平面図である。図８Ｃは、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す平面図である。図８Ｄは、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す平面図である。図８Ｅは、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す平面図である。図９は、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す断面模式図である。図１０は、実施の形態に係る半導体モジュールの構造の一例を示す断面模式図である。図１１は、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す平面図である。図１２は、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す平面図である。図１３は、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す平面図である。図１４は、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す平面図である。図１５は、実施の形態に係る半導体装置の構造の一例を示す平面図である。

　（本開示の一態様を得るに至った経緯）
　上述したように、従来、チップサイズパッケージ型の半導体装置においては、半導体装置を実装基板に実装する際に、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを外観により確認することができない。

　このため、チップサイズパッケージ型の半導体装置においては、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを確認するためには、例えば、Ｘ線透過装置を使用する必要がある。

　このため、チップサイズパッケージ型の半導体装置においては、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを効率的に確認することが難しい。

　これに対して、チップサイズパッケージ型の半導体装置において、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを外観により確認することができれば、例えば、自動光学検査（ＡＯＩ：Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ）を行う基板外観検査装置を利用して、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを効率的に確認することができる。

　そこで、発明者らは、チップサイズパッケージ型の半導体装置において、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを外観により確認することができる技術を実現すべく、鋭意、実験、検討を重ねた。

　その結果、発明者らは、下記本開示に係る半導体装置等に想到した。

　上記構成の半導体装置によると、上記構成のチップサイズパッケージ型の半導体装置を、複数の金属再配線のそれぞれに対応する複数のランドパターンを有する実装基板に実装する際に、複数の金属再配線のそれぞれと、複数のランドパターンのそれぞれとに接合する、半導体装置の平面視において、少なくとも一部が半導体装置の外部にはみ出しているはんだ接合材からなる複数のはんだフィレットを形成することができる。

　このため、上記構成の半導体装置によると、上記構成のチップサイズパッケージ型の半導体装置を実装基板に実装する際に、半導体装置の端子として機能する複数のパッドと、実装基板の複数のランドパターンとを、上記複数のはんだフィレットを介して接合させることができる。

　したがって、上記構成の半導体装置によると、チップサイズパッケージ型の半導体装置を実装基板に実装する際に、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを外観により確認することができる半導体装置が提供される。

　また、上述した通り、上記構成の半導体装置によると、上記構成のチップサイズパッケージ型の半導体装置を実装基板に実装する際に、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとを、上記はんだフィレットを介して接合させることができる。

　このため、上記構成の半導体装置によると、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとを、上記はんだフィレットを形成しない状態のはんだ接合材を介して接合させる半導体装置に比べて、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとの接合領域における応力の過度な集中を抑制することができる。

　したがって、上記構成の半導体装置によると、半導体装置と実装基板とが接合されて構成される半導体モジュールの信頼性を向上させることができる。

　一般に、線状折れ曲がり部を有する金属再配線の方が、線状折れ曲がり部を有さない金属再配線よりも、より強固に接合材と接合する。

　上記構成の半導体装置によると、複数の金属再配線のうちの複数個は、１以上の線状折れ曲がり部を有する第１の金属再配線である。

　このため、上記構成の半導体装置によると、金属再配線とはんだフィレットとの接合を比較的強固なものとすることができる。

　したがって、上記構成の半導体装置によると、半導体装置と実装基板とが接合されて構成される半導体モジュールの信頼性をさらに向上させることができる。

　また、前記第２の部分の、前記半導体層の上面から法線が伸びる方向における長さは、前記第１の部分の、前記法線が伸びる方向における長さよりも長いとしてもよい。

　これにより、複数の第１の金属再配線のそれぞれに接合されるはんだフィレットを、比較的高くすることができる。

　このため、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとの接合領域における応力の過度な集中をさらに抑制することができる。

　また、前記第２の部分の側面のうちの、前記平面視における前記半導体装置の外周側に面する領域内に、前記半導体層の上面に対する仰角が９０度未満となる領域が存在するとしてもよい。

　これにより、はんだフィレットと第１の金属再配線との接合強度を向上させることができる。

　また、前記平面視において、前記保護膜の外周は、前記半導体層の外周よりも内側に位置し、前記第１の部分の最下面は、前記法線が伸びる方向において前記パッドよりも前記半導体層の上面に近く、前記平面視において、前記半導体層に内包され、かつ、前記保護膜の外周に内包されないとしてもよい。

　これにより、複数の第１の金属再配線のそれぞれに接合されるはんだフィレットを、さらに高くすることができる。

　また、前記平面視において、前記第１の部分の外周には、前記保護膜の外周に内包されない部分が存在し、前記第２の部分は、前記保護膜の外周に内包されるとしてもよい。

　また、前記複数の金属再配線のそれぞれは、金を含まない第１の金属からなる第１の金属層と、金を含む第２の金属からなる第２の金属層とを含む多層構造であり、前記第１の部分の側面には、前記平面視において、前記半導体層の側面と一致する第１の領域が存在し、前記第１の領域の少なくとも一部で、前記第１の金属が露出するとしてもよい。

　一般に、はんだ接合材が金錫はんだである場合には、金を含まない金属とはんだ接合材とは接合しない。

　このため、上記構成の半導体装置によると、はんだ接合材が金錫はんだである場合において、はんだ接合材と半導体層の側面とが接触してしまうことを抑制することができる。

　また、前記複数の金属再配線のそれぞれは、金を含まない第１の金属からなる第１の金属層と、金を含む第２の金属からなる第２の金属層とを含む多層構造であり、前記第１の部分の側面は、前記平面視において、前記半導体層の側面よりも内側に位置し、前記第１の部分の側面の全体において、前記第１の金属が露出せず、前記第２の金属が露出するとしてもよい。

　一般に、はんだ接合材が金錫はんだである場合には、金を含む金属とはんだ接合材とは良好に接合する。

　このため、上記構成の半導体装置によると、はんだ接合材が金錫はんだである場合において、金属再配線とはんだフィレットとの接合を比較的強固なものとすることができる。

　また、前記平面視において、前記１以上の線状折れ曲がり部には、さらに、前記半導体装置の中央側に面する部分も存在し、前記１以上の線状折れ曲がり部のうちの、前記半導体装置の外周側に面する部分における、当該部分と前記第１の部分の外周部分との最短距離は、前記１以上の線状折れ曲がり部のうちの、前記半導体装置の中央側に面する部分における、当該部分と前記第１の部分の外周部分との最短距離よりも長いとしてもよい。

　これにより、第１の金属再配線とはんだフィレットとの接合をより強固なものとすることができる。

　また、前記複数の金属再配線の数と前記複数のパッドの数とは等しいとしてもよい。

　これにより、半導体装置と実装基板とが接合されて構成される半導体モジュールにおいて、半導体装置の複数のパッドの全てを有効に利用することができる。

　したがって、上記構成の半導体装置によると、半導体モジュールにおいて、半導体装置の複数のパッドの全てを有効に利用することが出来ない場合に比べて、より特性のよい半導体モジュールを実現することができる。

　また、前記複数の金属再配線の全てが、前記複数の第１の金属再配線であるとしてもよい。

　これにより、複数の金属再配線の全てにおいて、金属再配線とはんだフィレットとの接合を比較的強固なものとすることができる。

　また、前記平面視において、前記半導体層は矩形であり、前記複数のパッドには、前記半導体層の第１の辺および前記第１の辺と直交する前記半導体層の第２の辺との間に他のパッドを含まない第１のパッドと、前記第２の辺および前記第２の辺と直交する前記半導体層の第３の辺との間に他のパッドを含まない第２のパッドと、前記第３の辺および前記第３の辺と直交する前記半導体層の第４の辺との間に他のパッドを含まない第３のパッドと、前記第４の辺および前記第１の辺との間に他のパッドを含まない第４のパッドとが含まれ、前記複数の金属再配線のうち、前記第１のパッドに接続される第１の特定金属再配線と、前記第２のパッドに接続される第２の特定金属再配線と、前記第３のパッドに接続される第３の特定金属再配線と、前記第４のパッドに接続される第４の特定金属再配線とのそれぞれは、前記複数の第１の金属再配線のうちのいずれかであるとしてもよい。

　これにより、半導体装置の平面視において、矩形である半導体装置の四隅に位置する４つの金属再配線において、金属再配線とはんだフィレットとの接合を比較的強固なものとすることができる。

　また、前記第１の特定金属再配線と、前記第２の特定金属再配線と、前記第３の特定金属再配線と、前記第４の特定金属再配線とのそれぞれは、前記複数のパッドのうちの、２つ以上のパッドに接続されるとしてもよい。

　また、前記複数のパッドのうち、前記第１のパッドと、前記第２のパッドと、前記第３のパッドと、前記第４のパッドとを除く１以上の特定パッドの少なくとも１つは、前記複数の金属再配線のいずれにも接続されないとしてもよい。

　これにより、少なくとも１つのパッドを金属再配線に接続させずに済ませながら、半導体装置の平面視において矩形である半導体装置の四隅に位置する４つの金属再配線において、金属再配線とはんだフィレットとの接合を比較的強固なものとすることができる。

　したがって、上記構成の半導体装置によると、半導体装置と実装基板とが接合されて構成される半導体モジュールの信頼性を維持しながら、金属再配線を形成するためのコストを抑制することができる。

　また、前記複数のパッドのうち、前記第１のパッドと、前記第２のパッドと、前記第３のパッドと、前記第４のパッドとを除く１以上の特定パッドの少なくとも１つは、前記複数の金属再配線のうちの、前記複数の第１の金属再配線ではない、前記１以上の線状折れ曲がり部を有さない第２の金属再配線に接続されるとしてもよい。

　これにより、１以上の特定パッドの少なくとも１つに接続する金属再配線を、半導体装置の平面視において、第１の金属再配線よりも小さな第２の金属再配線とすることができる。

　したがって、上記構成の半導体装置によると、半導体装置の平面視における面積の増加を抑制することができる。

　上記構成の半導体モジュールによると、複数の金属再配線のそれぞれと、複数のランドパターンのそれぞれとが、半導体装置の平面視において、少なくとも一部が半導体装置の外部にはみ出しているはんだ接合材からなるはんだフィレットを介して接合される。

　したがって、上記構成の半導体モジュールによると、チップサイズパッケージ型の半導体装置を実装基板に実装する際に、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを外観により確認することができる半導体モジュールが提供される。

　また、上述した通り、上記構成の半導体モジュールによると、上記構成のチップサイズパッケージ型の半導体装置を実装基板に実装する際に、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、上記はんだフィレットを介して接合される。

　このため、上記構成の半導体モジュールによると、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、上記はんだフィレットを形成しない状態のはんだ接合材を介して接合される、従来型の半導体モジュールに比べて、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとの接合領域における応力の過度な集中を抑制することができる。

　したがって、上記構成の半導体モジュールによると、半導体モジュールの信頼性を向上させることができる。

　上記構成の半導体モジュールによると、複数の金属再配線のうちの複数個は、１以上の線状折れ曲がり部を有する第１の金属再配線である。

　このため、上記構成の半導体モジュールによると、金属再配線とはんだフィレットとの接合を比較的強固なものとすることができる。

　したがって、上記構成の半導体モジュールによると、半導体モジュールの信頼性をさらに向上させることができる。

　このため、上記構成の半導体モジュールによると、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとが、上記はんだフィレットを形成しない状態のはんだ接合材を介して接合される半導体装置に比べて、半導体装置の端子と、実装基板のランドパターンとの接合領域における応力の過度な集中を抑制することができる。

　また、上記構成の半導体モジュールによると、半導体装置に対して、第１の辺および第３の辺の延びる方向と、第２の辺および第４の辺の延びる方向とのいずれの方向、または、双方向の力が加わったとしても、金属再配線とはんだフィレットとの接合を比較的強固なものとすることができる。

　以下、本開示の一態様に係る半導体装置等の具体例について、図面を参照しながら説明する。ここで示す実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、構成要素、構成要素の配置および接続形態、ならびに、ステップ（工程）およびステップの順序等は、一例であって本開示を限定する趣旨ではない。また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する。

　（実施の形態）
　＜半導体装置の構造＞
　図１Ａは、実施の形態に係る半導体装置１の構造の一例を示す平面図である。

　図１Ａでは、パッド５０Ａ（後述）と、パッド５０Ｂ（後述）と、パッド５０Ｃ（後述）と、パッド５０Ｄ（後述）とを、あたかも半導体装置１の外部から視認できるかの如く破線で示しているが、実際には、これらを半導体装置１の外部から直接視認することはできない。

　また、図１Ａでは、保護膜３５（後述）のうち、金属再配線２０Ａ（後述）に隠れている部分と、金属再配線２０Ｂ（後述）に隠れている部分と、金属再配線２０Ｃ（後述）に隠れている部分と、金属再配線２０Ｄ（後述）に隠れている部分とを、あたかも半導体装置１の外部から視認できるかの如く破線で示しているが、実際には、これらの部分を半導体装置１の外部から直接視認することはできない。

　図１Ｂは、半導体装置１から、金属再配線２０Ａ（後述）と、金属再配線２０Ｂ（後述）と、金属再配線２０Ｃ（後述）と、金属再配線２０Ｄ（後述）とを削除したと仮定した場合における半導体装置１の構造の一例を示す平面図である。図１Ｂでは、電極６０Ａ（後述）と、電極６０Ｂ（後述）と、電極６０Ｃ（後述）とを、あたかも、金属再配線２０Ａと、金属再配線２０Ｂと、金属再配線２０Ｃと、金属再配線２０Ｄとを削除したと仮定した場合における半導体装置１の外部から視認できるかの如く破線で示しているが、実際には、これらを、金属再配線２０Ａと、金属再配線２０Ｂと、金属再配線２０Ｃと、金属再配線２０Ｄとを削除したと仮定した場合における半導体装置１の外部から直接視認することはできない。

　図２は、半導体装置１の構造の一例を示す断面模式図であって、図１ＡのＩ－Ｉにおける半導体装置１の切断面を模式的に示す断面模式図である。

　図１Ａ、図１Ｂ、図２に示すように、半導体装置１は、半導体層４０と、酸化膜３４と、保護膜３５と、金属層３０と、複数の電極６０（ここでは、電極６０Ａと、電極６０Ｂと、電極６０Ｃとが対応）と、複数のパッド５０（ここでは、パッド５０Ａと、パッド５０Ｂと、パッド５０Ｃと、パッド５０Ｄとが対応）と、複数の金属再配線２０（ここでは、金属再配線２０Ａと、金属再配線２０Ｂと、金属再配線２０Ｃと、金属再配線２０Ｄとが対応）と、を備える。

　ここでは、複数の電極６０が、電極６０Ａと、電極６０Ｂと、電極６０Ｃとの３つである構成を例に挙げて説明するが、これは一例であって、複数の電極６０は、必ずしも、３つである構成に限定される必要はない。

　以下の説明において、電極６０Ａと、電極６０Ｂと、電極６０Ｃとを明示的に区別して説明する必要がある場合を除き、電極６０Ａと、電極６０Ｂと、電極６０Ｃとのことを、単に、電極６０とも称する。

　また、ここでは、複数のパッド５０が、パッド５０Ａと、パッド５０Ｂと、パッド５０Ｃと、パッド５０Ｄとの４つである構成を例に挙げて説明するが、これは一例であって、複数のパッド５０は、必ずしも、４つである構成に限定される必要はない。

　以下の説明において、パッド５０Ａと、パッド５０Ｂと、パッド５０Ｃと、パッド５０Ｄとを明示的に区別して説明する必要がある場合を除き、パッド５０Ａと、パッド５０Ｂと、パッド５０Ｃと、パッド５０Ｄとのことを、単に、パッド５０とも称する。

　また、ここでは、複数の金属再配線２０が、金属再配線２０Ａと、金属再配線２０Ｂと、金属再配線２０Ｃと、金属再配線２０Ｄとの４つである構成を例に挙げて説明するが、これは一例であって、複数の金属再配線２０は、必ずしも、４つである構成に限定される必要はない。

　以下の説明において、金属再配線２０Ａと、金属再配線２０Ｂと、金属再配線２０Ｃと、金属再配線２０Ｄとを明示的に区別して説明する必要がある場合を除き、金属再配線２０Ａと、金属再配線２０Ｂと、金属再配線２０Ｃと、金属再配線２０Ｄとのことを、単に、金属再配線２０とも称する。

　半導体層４０は、半導体基板３２と低濃度不純物層３３とが積層されて構成される。

　半導体層４０は、必ずしも限定される必要のない一例として、半導体装置１の平面視において矩形であってよい。

　以下では、半導体層４０は、半導体装置１の平面視において矩形であるとして説明する。

　半導体基板３２は、半導体層４０の裏面側に配置され、第１の濃度の不純物を含む第１導電型のシリコンからなる。

　低濃度不純物層３３は、半導体層４０の表面側に配置され、半導体基板３２に接触して形成され、第１の濃度よりも低い第２の濃度の不純物を含む第１導電型のシリコンからなる。低濃度不純物層３３は、例えば、エピタキシャル成長により半導体基板３２上に形成されるとしてもよい。

　一般に、半導体の導電型には、Ｐ型とＮ型との２種類の導電型が存在する。第１導電型は、Ｐ型であってもよいし、Ｎ型であってもよい。ここでは、説明の都合上、第１導電型がＮ型であり、後述の第２導電型がＰ型であるとして説明する。しかしながら、第１導電型がＰ型であり、第２導電型がＮ型であるとしても構わない。

　酸化膜３４は、半導体層４０の上面に配置され、低濃度不純物層３３に接触して形成される。

　保護膜３５は、半導体層４０よりも上面に位置し、半導体装置１の平面視において半導体層４０に内包され、複数の開口部を有する。より具体的には、保護膜３５は、酸化膜３４、電極６０Ａ、電極６０Ｂ、および、電極６０Ｃの上面を被覆する保護膜であって、パッド５０Ａを保護膜３５の外部に露出させる開口部、パッド５０Ｂを保護膜３５の外部に露出させる開口部、パッド５０Ｃを保護膜３５の外部に露出させる開口部、および、パッド５０Ｄを保護膜３５の外部に露出させる開口部を有する。

　ここでは、複数の開口部が、上記４つの開口部である構成を例に挙げて説明するが、これは一例であって、複数の開口部は、必ずしも、４つである構成に限定される必要はない。

　ここで、保護膜３５が、酸化膜３４、電極６０Ａ、電極６０Ｂ、および、電極６０Ｃの上面を被覆するとは、半導体装置１の平面視において、開口部を除く半導体装置１のほぼ全面で保護膜３５が製膜されている状態のことをいう。ここで、半導体装置１のほぼ全面とは、半導体装置１をウェーハからダイシングして切り出す際のダイシングマージンとして確保されたウェーハの領域のうち、ダイシング後の半導体装置１の四辺にわずかに残った外周領域を除く、半導体装置１の全面のことをいう。このため、この外周領域では、例外的に酸化膜３４が保護膜３５の外部に露出している。

　また、本開示でいう保護膜３５の開口部とは、半導体装置１の平面視において、開口部の外周の全長が保護膜３５で閉じている形状のことをいう。このため、半導体装置１の平面視において、外周の一部が、上記例外的に酸化膜３４が保護膜３５の外部に露出している外周領域と重複する形状は、本開示でいう保護膜３５の開口部には該当しない。

　金属層３０は、半導体層４０の裏面全面に接触して配置される。

　金属層３０は、限定されない一例として、銀もしくは銅で構成される層を含む多層構成であってもよい。なお、金属層３０には、製造工程において不純物として混入する他の元素が微量に含まれていてもよい。

　なお、ここでは、半導体装置１は、金属層３０を備えるとして説明するが、半導体装置１は、必ずしも金属層３０を備える構成に限定される必要はない。

　金属層３０は、後述する縦型ＭＯＳトランジスタ１０のドレイン電極として機能する。

　半導体装置１の平面視において、低濃度不純物層３３の、電極６０Ａに内包される領域には、半導体層４０の上面から第１の所定の深さまでの範囲に、第１導電型と異なる第２導電型のボディ領域１８が形成されている。

　ボディ領域１８には、半導体層４０の上面からボディ領域１８を貫通しない第２の所定の深さまでの範囲に、不純物を含む第１導電型のソース領域１４が形成されている。

　また、半導体装置１の平面視において、低濃度不純物層３３の、ボディ領域１８に内包される領域には、半導体層４０の上面からソース領域１４およびボディ領域１８を貫通して低濃度不純物層３３の一部までの第３の所定の深さまでの範囲に、複数のゲートトレンチ１７が形成されている。

　そして、複数のゲートトレンチ１７のそれぞれの内部に、ゲート絶縁膜１６に周囲を取り囲まれたゲート導体１５が形成されている。

　ゲート導体１５のそれぞれは、電極６０Ｃに電気的に接続される。

　ゲート導体１５は、限定されない一例として、不純物を含むポリシリコンからなる。

　半導体装置１の平面視において、低濃度不純物層３３の、電極６０Ｂに内包される領域には、半導体層４０の上面から、低濃度不純物層３３を貫通して半導体基板３２にまで到達する、第２の濃度よりも高い第３の濃度の不純物を含む第１導電型のドレイン引き上げ領域３６が形成されている。

　上記構成により、半導体装置１は、半導体層４０に形成された縦型ＭＯＳトランジスタ１０を備える。

　電極６０Ａは、ソース領域１４およびボディ領域１８に接続される電極であって、縦型ＭＯＳトランジスタ１０のソース電極として機能する。

　電極６０Ｂは、ドレイン引き上げ領域３６に接続される電極であって、縦型ＭＯＳトランジスタ１０のドレイン電極として機能する。

　実施の形態において、半導体装置１は、表面側と裏面側との両側にドレイン電極を備える。すなわち、半導体装置１は、表面側にドレイン電極として機能する電極６０Ｂと、裏面側にドレイン電極として機能する金属層３０とを備える。

　電極６０Ｃは、ゲート導体１５に接続される電極であって、縦型ＭＯＳトランジスタ１０のゲート電極として機能する。

　すなわち、複数の電極６０は、それぞれが、縦型ＭＯＳトランジスタ１０の電極として機能する。

　ここでは、半導体装置１が備える縦型ＭＯＳトランジスタが、縦型ＭＯＳトランジスタ１０の１つである構成を例に挙げて説明するが、これは一例であって、半導体装置１が備える縦型ＭＯＳトランジスタは、１以上であれば、必ずしも１つである構成に限定される必要はない。

　また、ここでは、複数の電極６０は、それぞれが、縦型ＭＯＳトランジスタ１０の電極として機能する構成を例に挙げて説明するが、これは、半導体装置１が１つの縦型ＭＯＳトランジスタ１０を備える場合における一例であって、半導体装置１が１以上の縦型ＭＯＳトランジスタ１０を備える場合には、複数の電極６０は、それぞれが、１以上の縦型ＭＯＳトランジスタ１０のいずれかの電極として機能する。

　電極６０Ａは、保護膜３５の２つの開口部において、保護膜３５の外部に露出している。そして、この保護膜３５の２つの開口部において、保護膜３５の外部に露出している、電極６０Ａの上面が、パッド５０Ａとパッド５０Ｄとになっている。

　すなわち、パッド５０Ａは、電極６０Ａの上面のうち、開口部において保護膜３５の外部に露出している部分であり、パッド５０Ｄは、電極６０Ａの上面のうち、開口部において保護膜３５の外部に露出している部分である。

　このため、パッド５０Ａは、縦型ＭＯＳトランジスタ１０のソース端子として機能する。また、パッド５０Ｄは、縦型ＭＯＳトランジスタ１０のソース端子として機能する。

　電極６０Ｂは、保護膜３５の開口部において、保護膜３５の外部に露出している。そして、この保護膜３５の開口部において、保護膜３５の外部に露出している、電極６０Ｂの上面が、パッド５０Ｂになっている。

　すなわち、パッド５０Ｂは、電極６０Ｂの上面のうち、開口部において保護膜３５の外部に露出している部分である。

　このため、パッド５０Ｂは、縦型ＭＯＳトランジスタ１０のドレイン端子として機能する。

　電極６０Ｃは、保護膜３５の開口部において、保護膜３５の外部に露出している。そして、この保護膜３５の開口部において、保護膜３５の外部に露出している、電極６０Ｃの上面が、パッド５０Ｃになっている。

　すなわち、パッド５０Ｃは、電極６０Ｃの上面のうち、開口部において保護膜３５の外部に露出している部分である。

　このため、パッド５０Ｃは、縦型ＭＯＳトランジスタ１０のゲート端子として機能する。

　すなわち、複数のパッド５０は、それぞれが、縦型ＭＯＳトランジスタ１０の端子として機能する。

　なお、ここでは、複数のパッド５０は、それぞれが、縦型ＭＯＳトランジスタ１０の端子として機能する構成を例に挙げて説明するが、これは、半導体装置１が１つの縦型ＭＯＳトランジスタ１０を備える場合における一例であって、半導体装置１が１以上の縦型ＭＯＳトランジスタ１０を備える場合には、複数のパッド５０は、それぞれが、１以上の縦型ＭＯＳトランジスタ１０のいずれかの端子として機能する。

　なお、半導体装置１が１以上の縦型ＭＯＳトランジスタ以外の素子をさらに備える場合には、複数のパッド５０の中には、その素子の端子として機能するものが含まれていてもよい。

　図３は、半導体装置１の回路図である。

　図３に示すように、半導体装置１は、縦型ＭＯＳトランジスタ１０と、縦型ＭＯＳトランジスタ１０のソース端子として機能するパッド５０Ａおよびパッド５０Ｄと、縦型ＭＯＳトランジスタ１０のドレイン端子として機能するパッド５０Ｂと、縦型ＭＯＳトランジスタ１０のゲート端子として機能するパッド５０Ｃとを備える。

　再び、図１Ａ、図１Ｂ、図２に戻って、半導体装置１の構造の説明を続ける。

　金属再配線２０Ａは、半導体層４０の上面よりも上方に位置し、パッド５０Ａに接続する。

　金属再配線２０Ａは、半導体装置１の平面視において、半導体層４０に内包され、パッド５０Ａを内包する。

　金属再配線２０Ｂは、半導体層４０の上面よりも上方に位置し、パッド５０Ｂに接続する。

　金属再配線２０Ｂは、半導体装置１の平面視において、半導体層４０に内包され、パッド５０Ｂを内包する。

　金属再配線２０Ｃは、半導体層４０の上面よりも上方に位置し、パッド５０Ｃに接続する。

　金属再配線２０Ｃは、半導体装置１の平面視において、半導体層４０に内包され、パッド５０Ｃを内包する。

　金属再配線２０Ｄは、半導体層４０の上面よりも上方に位置し、パッド５０Ｄに接続する。

　金属再配線２０Ｄは、半導体装置１の平面視において、半導体層４０に内包され、パッド５０Ｄを内包する。

　複数の金属再配線２０には、第１の部分２４Ａ（ここでは、第１の部分２４ＡＡと、第１の部分２４ＢＡと、第１の部分２４ＣＡと、第１の部分２４ＤＡとが対応）と、第１の部分２４Ａよりも上方に位置する第２の部分２４Ｂ（ここでは、第２の部分２４ＡＢと、第２の部分２４ＢＢと、第２の部分２４ＣＢと、第２の部分２４ＤＢとが対応）とからなる複数の第１の金属再配線２１（ここでは、第１の金属再配線２１Ａと、第１の金属再配線２１Ｂと、第１の金属再配線２１Ｃと、第１の金属再配線２１Ｄとが対応）であって、半導体装置１の平面視において、第２の部分２４Ｂが第１の部分２４Ａに内包され、かつ、第２の部分２４Ｂの面積が第１の部分２４Ａの面積よりも小さい複数の第１の金属再配線２１が含まれる。

　すなわち、複数の金属再配線２０のうちの少なくとも複数は、第１の金属再配線２１である。

　ここでは、複数の金属再配線２０の全てが、第１の金属再配線２１である構成を例に挙げて説明するが、必ずしも、金属再配線２０の全てが、第１の金属再配線２１である構成に限定される必要はない。

　以下の説明において、第１の部分２４ＡＡと、第１の部分２４ＢＡと、第１の部分２４ＣＡと、第１の部分２４ＤＡとを明示的に区別して説明する必要がある場合を除き、第１の部分２４ＡＡと、第１の部分２４ＢＡと、第１の部分２４ＣＡと、第１の部分２４ＤＡとのことを、単に、第１の部分２４Ａとも称する。

　また、以下の説明において、第２の部分２４ＡＢと、第２の部分２４ＢＢと、第２の部分２４ＣＢと、第２の部分２４ＤＢとを明示的に区別して説明する場合を除き、第２の部分２４ＡＢと、第２の部分２４ＢＢと、第２の部分２４ＣＢと、第２の部分２４ＤＢとのことを、単に、第２の部分２４Ｂとも称する。

　また、以下の説明において、第１の金属再配線２１Ａと、第１の金属再配線２１Ｂと、第１の金属再配線２１Ｃと、第１の金属再配線２１Ｄとを明示的に区別して説明する必要がある場合を除き、第１の金属再配線２１Ａと、第１の金属再配線２１Ｂと、第１の金属再配線２１Ｃと、第１の金属再配線２１Ｄとのことを、単に、第１の金属再配線２１とも称する。

　複数の第１の金属再配線２１のそれぞれは、第１の金属再配線２１の表面における、第１の部分２４Ａと第２の部分２４Ｂとの境界部分に、第１の金属再配線２１の断面における内角の角度が１８０度より大きい１以上の線状折れ曲がり部２５（ここでは、線状折れ曲がり部２５Ａと、線状折れ曲がり部２５Ｂと、線状折れ曲がり部２５Ｃと、線状折れ曲がり部２５Ｄとが対応）を有する。

　以下の説明において、線状折れ曲がり部２５Ａと、線状折れ曲がり部２５Ｂと、線状折れ曲がり部２５Ｃと、線状折れ曲がり部２５Ｄとを明示的に区別して説明する必要がある場合を除き、線状折れ曲がり部２５Ａと、線状折れ曲がり部２５Ｂと、線状折れ曲がり部２５Ｃと、線状折れ曲がり部２５Ｄとのことを、単に、線状折れ曲がり部２５とも称する。

　半導体装置１の平面視において、線状折れ曲がり部２５には、半導体装置１の外周側に面する部分が存在する。ただし、必ずしも、複数の第１の金属再配線２１のそれぞれの、半導体装置１の外周側に面する全ての部分に線状折れ曲がり部２５が存在している必要はない。

　第１の部分２４Ａの高さ（図１Ａ、図１Ｂ、図２におけるＺ方向の長さ）は、必ずしも限定される必要のない一例として、およそ２０［μｍ］であってもよく、第２の部分２４Ｂの高さは、必ずしも限定される必要のない一例として、およそ５０～９０［μｍ］であってもよい。

　複数の金属再配線２０のそれぞれは、必ずしも限定される必要のない一例として、図２に示すように、金を含まない第１の金属からなる第１の金属層２２Ａ（図２においては、第１の金属層２２ＡＡと、第１の金属層２２ＢＡとが対応）と、金を含む第２の金属からなる第２の金属層２２Ｂ（図２においては、第２の金属層２２ＡＢと、第２の金属層２２ＢＢとが対応）を含む多層構造であってもよい。

　ここでは、複数の金属再配線２０のそれぞれが、第１の金属層２２Ａと、第２の金属層２２Ｂとを含む多層構造であるとして説明するが、必ずしも、複数の金属再配線２０のそれぞれは、第１の金属層２２Ａと、第２の金属層２２Ｂとを含む多層構造である構成に限定される必要はない。

　以下の説明において、第１の金属層２２ＡＡと、第１の金属層２２ＢＡとを明示的に区別して説明する必要がある場合を除き、第１の金属層２２ＡＡと第１の金属層２２ＢＡとのことを、単に、第１の金属層２２Ａとも称する。

　また、以下の説明において、第２の金属層２２ＡＢと、第２の金属層２２ＢＢとを明示的に区別して説明する必要がある場合を除き、第２の金属層２２ＡＢと第２の金属層２２ＢＢとのことを、単に、第２の金属層２２Ｂとも称する。

　第１の金属層２２Ａは、限定されない一例として、銅、アルミニウム、または、チタンで構成されてもよい。なお、第１の金属層２２Ａは、製造工程において不純物として混入する他の元素が微量に含まれていてもよい。

　第１の金属層２２Ａは、例えば、めっきにより形成される。

　第２の金属層２２Ｂは、限定されない一例として、金で構成されてもよい。なお、第２の金属層２２Ｂは、製造工程において不純物として混入する他の元素が微量に含まれていてもよい。

　第２の金属層２２Ｂは、例えば、めっきにより形成される。

　図２に示すように、複数の金属再配線２０のそれぞれは、金属再配線２０の外側の層が第２の金属層２２Ｂとなり、内側の層が第１の金属層２２Ａとなる多層構造であるとしてもよい。

　一般に、はんだ接合材が金錫はんだである場合には、金とはんだ接合材とは良好に接合する。

　また、一般に、銅、アルミニウム、および、チタンは、メッキにより、比較的高さが高い構造物を実現することができる。

　したがって、複数の金属再配線２０のそれぞれを上記構成とすることで、はんだ接合材が金錫はんだである場合において、金属再配線２０とはんだ接合材との接合を比較的強固なものとすることができ、かつ、金属再配線２０を比較的高くすることができる。

　また、複数の金属再配線２０のそれぞれは、第１の金属層２２Ａと、第２の金属層２２Ｂとに加えて、第１の金属層２２Ａと第２の金属層２２Ｂとの間に挟まれた第３の金属層（不図示）をさらに含んで構成されるとしてもよい。

　この場合、第３の金属層は、例えば、第２の金属層２２Ｂの金属が第１の金属層２２Ａへ拡散することを防ぐバリアメタルとして機能する金属層であってもよい。

　この場合、第３の金属層は、限定されない一例として、ニッケルで構成されてもよい。なお、第３の金属層は、製造工程において不純物として混入する他の元素が微量に含まれていてもよい。

　第３の金属層は、例えば、めっきにより形成される。

　＜半導体モジュールの構造＞
　図４Ａは、実施の形態に係る半導体モジュール１００の構造の一例を示す平面図である。

　図４Ａでは、金属再配線２０Ａの第１の部分２４ＡＡおよび第２の部分２４ＡＢと、金属再配線２０Ｂの第１の部分２４ＢＡおよび第２の部分２４ＢＢと、金属再配線２０Ｃの第１の部分２４ＣＡおよび第２の部分２４ＣＢと、金属再配線２０Ｄの第１の部分２４ＤＡおよび第２の部分２４ＤＢとを、あたかも半導体モジュール１００の平面視において視認できるかの如く破線で示しているが、実際にはこれらを、半導体モジュール１００平面視において直接視認することはできない。

　また、図４Ａでは、はんだフィレット７０Ａ（後述）のうちの、半導体装置１に隠れている部分と、はんだフィレット７０Ｂ（後述）のうちの、半導体装置１に隠れている部分と、はんだフィレット７０Ｃ（後述）のうちの、半導体装置１に隠れている部分と、はんだフィレット７０Ｄ（後述）のうちの、半導体装置１に隠れている部分とを、あたかも半導体モジュール１００の平面視において視認できるかの如く破線で示しているが、実際にはこれら半導体装置１に隠れている部分を、半導体モジュール１００平面視において直接視認することはできない。

　図４Ｂは、半導体モジュール１００の平面視における、金属再配線２０Ａの第１の部分２４ＡＡ、第２の部分２４ＡＢ、および、線状折れ曲がり部２５Ａと、金属再配線２０Ｂの第１の部分２４ＢＡ、第２の部分２４ＢＢ、および、線状折れ曲がり部２５Ｂと、金属再配線２０Ｃの第１の部分２４ＣＡ、第２の部分２４ＣＢ、および、線状折れ曲がり部２５Ｃと、金属再配線２０Ｄの第１の部分２４ＤＡ、第２の部分２４ＤＢ、および、線状折れ曲がり部２５Ｄと、ランドパターン８０Ａ（後述）と、ランドパターン８０Ｂ（後述）と、ランドパターン８０Ｃ（後述）と、ランドパターン８０Ｄ（後述）と、半導体装置１との位置関係の一例を示す平面図である。

　図５は、半導体モジュール１００の構造の一例を示す断面模式図であって、図４ＡのＩＩ－ＩＩにおける半導体モジュール１００の切断面を模式的に示す断面模式図である。

　図４Ａ、図４Ｂ、図５に示すように、半導体モジュール１００は、半導体装置１と、実装基板９０と、複数のはんだフィレット７０（ここでは、はんだフィレット７０Ａと、はんだフィレット７０Ｂと、はんだフィレット７０Ｃと、はんだフィレット７０Ｄとが対応）とを備える。

　以下の説明において、はんだフィレット７０Ａと、はんだフィレット７０Ｂと、はんだフィレット７０Ｃと、はんだフィレット７０Ｄとを明示的に区別して説明する必要がある場合を除き、はんだフィレット７０Ａと、はんだフィレット７０Ｂと、はんだフィレット７０Ｃと、はんだフィレット７０Ｄとのことを、単にはんだフィレット７０とも称する。

　半導体装置１は、実装基板９０にフェイスダウン実装される。

　実装基板９０は、半導体装置１が備える複数の金属再配線２０のそれぞれと１対１で対応する複数のランドパターン８０（ここでは、ランドパターン８０Ａと、ランドパターン８０Ｂと、ランドパターン８０Ｃと、ランドパターン８０Ｄとが対応）を有する。

　より具体的には、実装基板９０は、金属再配線２０Ａに対応するランドパターン８０Ａと、金属再配線２０Ｂに対応するランドパターン８０Ｂと、金属再配線２０Ｃに対応するランドパターン８０Ｃと、金属再配線２０Ｄに対応するランドパターン８０Ｄとを有する。

　以下の説明において、ランドパターン８０Ａと、ランドパターン８０Ｂと、ランドパターン８０Ｃと、ランドパターン８０Ｄとを明示的に区別して説明する必要がある場合を除き、ランドパターン８０Ａと、ランドパターン８０Ｂと、ランドパターン８０Ｃと、ランドパターン８０Ｄとのことを、単に、ランドパターン８０とも称する。

　半導体装置１の平面視において、複数のランドパターン８０のそれぞれにおける、当該ランドパターン８０の面積は、当該ランドパターン８０に対応する金属再配線２０の面積よりも大きい。

　半導体装置１の平面視において、複数のランドパターン８０のそれぞれは、半導体装置１に内包されない部分を有する。

　複数のはんだフィレット７０のそれぞれは、はんだ接合材からなり、複数のランドパターン８０のそれぞれ、および、複数の金属再配線２０のそれぞれと１対１で対応し、対応するランドパターン８０と、対応する金属再配線２０とを接合する。

　ここでは、はんだフィレット７０Ａは、ランドパターン８０Ａ、および、金属再配線２０Ａに対応し、ランドパターン８０Ａと、金属再配線２０Ａとを接合し、はんだフィレット７０Ｂは、ランドパターン８０Ｂ、および、金属再配線２０Ｂに対応し、ランドパターン８０Ｂと、金属再配線２０Ｂとを接合し、はんだフィレット７０Ｃは、ランドパターン８０Ｃ、および、金属再配線２０Ｃに対応し、ランドパターン８０Ｃと、金属再配線２０Ｃとを接合し、はんだフィレット７０Ｄは、ランドパターン８０Ｄ、および、金属再配線２０Ｄに対応し、ランドパターン８０Ｄと、金属再配線２０Ｄとを接合する。

　すなわち、ランドパターン８０Ａは、金属再配線２０Ａに、はんだフィレット７０Ａを介して接合され、ランドパターン８０Ｂは、金属再配線２０Ｂに、はんだフィレット７０Ｂを介して接合され、ランドパターン８０Ｃは、金属再配線２０Ｃに、はんだフィレット７０Ｃを介して接合され、ランドパターン８０Ｄは、金属再配線２０Ｄに、はんだフィレット７０Ｄを介して接合される。

　複数の金属再配線２０のうちの複数の第１の金属再配線２１（ここでは、複数の金属再配線２０の全てが第１の金属再配線２１）のそれぞれにおける１以上の線状折れ曲がり部２５は、当該第１の金属再配線２１に対応するはんだフィレット７０で埋められている。

　ここでは、第１の金属再配線２１Ａの線状折れ曲がり部２５Ａは、はんだフィレット７０Ａで埋められ、第１の金属再配線２１Ｂの線状折れ曲がり部２５Ｂは、はんだフィレット７０Ｂで埋められ、第１の金属再配線２１Ｃの線状折れ曲がり部２５Ｃは、はんだフィレット７０Ｃで埋められ、第１の金属再配線２１Ｄの線状折れ曲がり部２５Ｄは、はんだフィレット７０Ｄで埋められている。

　＜考察＞
　上記構成の半導体装置１によると、上記構成のチップサイズパッケージ型の半導体装置１を、複数の金属再配線２０のそれぞれに対応する複数のランドパターン８０を有する実装基板９０に実装する際に、複数の金属再配線２０のそれぞれと、複数のランドパターン８０のそれぞれとに接合する、半導体装置１の平面視において、少なくとも一部が半導体装置１の外部にはみ出しているはんだ接合材からなる複数のはんだフィレット７０を形成することができる。

　このため、上記構成の半導体装置１によると、上記構成のチップサイズパッケージ型の半導体装置１を実装基板９０に実装する際に、半導体装置１の端子として機能する複数のパッド５０と、実装基板９０の複数のランドパターン８０とを、上記複数のはんだフィレット７０を介して接合させることができる。

　したがって、上記構成の半導体装置１によると、チップサイズパッケージ型の半導体装置１を実装基板９０に実装する際に、半導体装置１の端子と、実装基板９０のランドパターン８０とが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを外観により確認することができる半導体装置１が提供される。

　また、上述した通り、上記構成の半導体装置１によると、上記構成のチップサイズパッケージ型の半導体装置１を実装基板９０に実装する際に、半導体装置１の端子と、実装基板９０のランドパターン８０とを、上記はんだフィレット７０を介して接合させることができる。

　このため、上記構成の半導体装置１によると、半導体装置１の端子と、実装基板９０のランドパターン８０とを、上記はんだフィレット７０を形成しない状態のはんだ接合材を介して接合させる半導体装置１に比べて、半導体装置１の端子と、実装基板９０のランドパターン８０との接合領域における応力の過度な集中を抑制することができる。

　したがって、上記構成の半導体装置１によると、半導体装置１と実装基板９０とが接合されて構成される半導体モジュール１００の信頼性を向上させることができる。

　一般に、線状折れ曲がり部２５を有する金属再配線２０の方が、線状折れ曲がり部２５を有さない金属再配線２０よりも、より強固に接合材と接合する。

　上記構成の半導体装置１によると、複数の金属再配線２０のうちの複数個は、１以上の線状折れ曲がり部２５を有する第１の金属再配線２１である。

　このため、上記構成の半導体装置１によると、金属再配線２０とはんだフィレット７０との接合を比較的強固なものとすることができる。

　したがって、上記構成の半導体装置１によると、半導体装置１と実装基板９０とが接合されて構成される半導体モジュール１００の信頼性をさらに向上させることができる。

　図２に示すように、第２の部分２４Ｂの、半導体層４０の上面から法線が伸びる方向（図１Ａ、図１Ｂ、図２におけるＺ方向）における長さは、第１の部分２４Ａの、上記法線が伸びる方向における長さよりも長いとしてもよい。

　これにより、複数の第１の金属再配線２１のそれぞれに接合されるはんだフィレット７０を、比較的高くすることができる。

　このため、半導体装置１の端子と、実装基板９０のランドパターン８０との接合領域における応力の過度な集中をさらに抑制することができる。

　ところで、第２の部分２４Ｂの形状は、必ずしも、図１Ａ、図１Ｂ、図２に例示された形状に限定される必要はない。

　図６Ａ、図６Ｂは、第２の部分２４Ｂが他の形状である場合における、半導体装置１の構造の一例を示す断面模式図である。

　図６Ａ、図６Ｂに例示されるように、第２の部分２４Ｂは、第２の部分２４Ｂの側面のうちの、半導体装置１の平面視における半導体装置１の外周側に面する領域内に、半導体層４０の上面に対する仰角が９０度未満となる領域が存在する形状であってもよい。

　これにより、はんだフィレット７０と第１の金属再配線２１との接合強度を向上させることができる。

　なお、図１Ａ、図１Ｂ、図２に示すように、半導体装置１の平面視において、保護膜３５の外周は、半導体層４０の外周よりも内側に位置し、第１の部分２４Ａの最下面は、半導体層４０の上面から法線が伸びる方向（図１Ａ、図１Ｂ、図２におけるＺ方向）においてパッド５０よりも半導体層４０の上面に近く、半導体装置１の平面視において、半導体層４０に内包され、かつ、保護膜３５の外周に内包されないとしてもよい。

　これにより、複数の第１の金属再配線２１のそれぞれに接合されるはんだフィレット７０を、さらに高くすることができる。

　この際、図１Ａ、図１Ｂ、図２に示すように、半導体装置１の平面視において、第１の部分２４Ａの外周には、保護膜３５の外周に内包されない部分が存在し、第２の部分２４Ｂは、保護膜３５の外周に内包されるとしてもよい。

　ところで、第１の部分２４Ａの形状は、必ずしも、図１Ａ、図１Ｂ、図２に例示された形状に限定される必要はない。

　図７は、第１の部分２４Ａが他の形状である場合における、半導体装置１の構造の他の一例を示す断面模式図である。

　図７に例示されるように、第１の部分２４Ａの形状は、第１の部分２４Ａの側面には、半導体装置１の平面視において、半導体層４０の側面と一致する第１の領域２３（ここでは、第１の領域２３Ａと、第１の領域２３Ｂとが対応）が存在し、第１の領域２３の少なくとも一部で、第１の金属が露出する形状であるとしてもよい。

　このため、上記構成の半導体装置１によると、はんだ接合材が金錫はんだである場合において、はんだ接合材と半導体層４０の側面とが接触してしまうことを抑制することができる。

　なお、図７に例示される第１の部分２４Ａの形状は、例えば、ウェーハから半導体装置１をダイシングする際に、ダイシングブレード等を用いて第１の部分２４Ａと酸化膜３４と半導体層４０と金属層３０とを同時に切断することで実現される。

　逆に、第１の部分２４Ａの形状は、図１Ａ、図１Ｂ、図２に示すように、第１の部分２４Ａの側面は、半導体装置１の平面視において、半導体層４０の側面よりも内側に位置し、第１の部分２４Ａの全体において、第１の金属が露出しない形状であるとしてもよい。

　上述したように、一般に、はんだ接合材が金錫はんだである場合には、金を含む金属とはんだ接合材とは良好に接合する。

　このため、上記構成の半導体装置１によると、はんだ接合材が金錫はんだである場合において、金属再配線２０とはんだフィレット７０との接合を比較的強固なものとすることができる。

　ところで、第１の部分２４Ａと第２の部分２４Ｂとの位置関係は、必ずしも、図１Ａ、図１Ｂ、図２に例示された形状に限定される必要はない。

　図８Ａ～図８Ｅは、第１の部分２４Ａと第２の部分２４Ｂとが他の位置関係である場合における、半導体装置１の構造の一例を示す平面図であり、図９は、第１の部分２４Ａと第２の部分２４Ｂとが他の位置関係である場合における、半導体装置１の構造の一例を示す断面模式図であって、図８ＡのＩＩＩ－ＩＩＩにおける半導体装置１の切断面を示す断面模式図である。

　また、図１０は、半導体装置１が図８Ａおよび図９で示される構造である場合における、半導体モジュール１００の構造の一例を示す断面模式図である。

　図８Ａ～図８Ｅでは、保護膜３５のうち、各第１の金属再配線２１に隠れている部分を、あたかも半導体装置１の外部から視認できるかの如く破線で示しているが、実際には、これらの部分を半導体装置１の外部から直接視認することはできない。

　図８Ａ～図８Ｅ、図９に例示されるように、半導体装置１の平面視において、各第１の金属再配線２１において、１以上の線状折れ曲がり部２５には、さらに、半導体装置１の中央側に面する部分も存在し、１以上の線状折れ曲がり部２５のうちの、半導体装置１の外周側に面する部分における、当該部分と第１の部分２４Ａの外周部分との最短距離は、１以上の線状折れ曲がり部２５のうちの、半導体装置１の中央側に面する部分における、当該部分と第１の部分２４Ａの外周部分との最短距離よりも長いとしてもよい。

　これにより、図１０に示すように、各第１の金属再配線２１において、線状折れ曲がり部２５のうちの、半導体装置１の外周側に面する部分に加えて、半導体装置１の中央側に面する部分も、はんだフィレット７０で埋められる。

　これにより、第１の金属再配線２１とはんだフィレット７０との接合をより強固なものとすることができる。

　なお、図８Ａ～図８Ｃに例示されるように、１以上の線状折れ曲がり部２５に、半導体装置１の互いに異なる２つの外周辺のそれぞれに対しての、外周側に面する部分が存在する場合には、それらの部分のそれぞれにおける、当該部分と第１の部分２４Ａの外周部分との最短距離は等しいとしてもよい。

　なお、図１Ａ、図１Ｂ、図２に示すように、複数の金属再配線２０の数と複数のパッド５０の数とは等しいとしてもよい。

　これにより、半導体装置１と実装基板９０とが接合されて構成される半導体モジュール１００において、半導体装置１の複数のパッド５０の全てを有効に利用することができる。

　したがって、上記構成の半導体装置１によると、半導体モジュール１００において、半導体装置１の複数のパッド５０の全てを有効に利用することが出来ない場合に比べて、より特性のよい半導体モジュール１００を実現することができる。

　図１１は、複数の金属再配線２０の数と複数のパッド５０の数とが等しい場合における、半導体装置１の構造の他の一例を示す平面図である。

　図１１は、半導体装置１が備える複数の金属再配線２０の数が１０であり、複数のパッド５０の数が、複数の金属再配線２０の数と同数の１０である場合における、半導体装置１の平面図である。

　図１１では、複数のパッド５０を、あたかも半導体装置１の外部から視認できるかの如く破線で示しているが、実際には、これらを半導体装置１の外部から直接視認することはできない。

　また、図１１では、保護膜３５のうち、各金属再配線２０に隠れている部分を、あたかも半導体装置１の外部から視認できるかの如く破線で示しているが、実際には、これらの部分を半導体装置１の外部から直接視認することはできない。

　なお、図１Ａ、図１Ｂ、図２に示すように、複数の金属再配線２０の全てが、複数の第１の金属再配線２１であるとしてもよい。

　これにより、複数の金属再配線２０の全てにおいて、金属再配線２０とはんだフィレット７０との接合を比較的強固なものとすることができる。

　図１２は、半導体装置１が備える複数の金属再配線２０の数が１０であり、その全てが複数の第１の金属再配線２１であり、複数のパッド５０の数が、複数の金属再配線２０の数と同数の１０である場合における、半導体装置１の構造の一例を示す平面図である。

　図１２では、複数のパッド５０を、あたかも半導体装置１の外部から視認できるかの如く破線で示しているが、実際には、これらを半導体装置１の外部から直接視認することはできない。

　なお、図１Ａ、図１Ｂ、図２に示すように、半導体装置１の平面視において、半導体層４０は矩形であり、複数のパッド５０には、半導体層４０の第１の辺６１および第１の辺６１と直交する半導体層４０の第２の辺６２との間に他のパッド５０を含まないパッド５０Ａ（以下、第１のパッド５０Ａとも称する）と、第２の辺６２および第２の辺６２と直交する半導体層４０の第３の辺６３との間に他のパッド５０を含まないパッド５０Ｂ（以下、第２のパッド５０Ｂとも称する）と、第３の辺６３および第３の辺６３と直交する半導体層４０の第４の辺６４との間に他のパッド５０を含まないパッド５０Ｃ（以下、第３のパッド５０Ｃとも称する）と、第４の辺６４および第１の辺６１との間に他のパッド５０を含まないパッド５０Ｄ（以下、第４のパッド５０Ｄとも称する）とが含まれ、複数の金属再配線２０のうち、第１のパッド５０Ａに接続される金属再配線２０Ａ（以下、第１の特定金属再配線２０Ａとも称する）と、第２のパッド５０Ｂに接続される金属再配線２０Ｂ（以下、第２の特定金属再配線２０Ｂとも称する）と、第３のパッド５０Ｃに接続される金属再配線２０Ｃ（以下、第３の特定金属再配線２０Ｃとも称する）と、第４のパッド５０Ｄに接続される金属再配線２０Ｄ（以下、第４の特定金属再配線２０Ｄとも称する）とのそれぞれは、複数の第１の金属再配線２１のうちのいずれかであるとしてもよい。

　これにより、半導体装置１の平面視において、矩形である半導体装置１の四隅に位置する４つの金属再配線２０において、金属再配線２０とはんだフィレット７０との接合を比較的強固なものとすることができる。

　図１２に例示された半導体装置１は、上記構成の半導体装置１の他の一例である。

　また、この際、第１の特定金属再配線２０Ａと、第２の特定金属再配線２０Ｂと、第３の特定金属再配線２０Ｃと、第４の特定金属再配線２０Ｄとは、複数のパッド５０のうちの、２つ以上のパッド５０に接続されるとしてもよい。

　図１３は、第１の特定金属再配線２０Ａと、第２の特定金属再配線２０Ｂと、第３の特定金属再配線２０Ｃと、第４の特定金属再配線２０Ｄとが、複数のパッド５０のうちの、２つ以上のパッド５０に接続される場合における、半導体装置１の構造の一例を示す平面図である。

　図１３では、複数のパッド５０を、あたかも半導体装置１の外部から視認できるかの如く破線で示しているが、実際には、これらを半導体装置１の外部から直接視認することはできない。

　また、図１３では、保護膜３５のうち、各金属再配線２０（第１の特定金属再配線２０Ａと、第２の特定金属再配線２０Ｂと、第３の特定金属再配線２０Ｃと、第４の特定金属再配線２０Ｄとを含む）に隠れている部分を、あたかも半導体装置１の外部から視認できるかの如く破線で示しているが、実際には、これらの部分を半導体装置１の外部から直接視認することはできない。

　図１３に例示する半導体装置１は、第１の特定金属再配線２０Ａと、第２の特定金属再配線２０Ｂと、第３の特定金属再配線２０Ｃと、第４の特定金属再配線２０Ｄとが、それぞれ、２つのパッド５０に接続される構成の例となっている。

　図１４は、複数のパッド５０のうち、第１のパッド５０Ａと、第２のパッド５０Ｂと、第３のパッド５０Ｃと、第４のパッド５０Ｄとを除く１以上の特定パッドの少なくとも１つは、複数の金属再配線２０のいずれにも接続されない場合における、半導体装置１の構造の一例を示す平面図である。

　図１４では、複数のパッド５０のうちの、第１のパッド５０Ａと、第２のパッド５０Ｂと、第３のパッド５０Ｃと、第４のパッド５０Ｄと、２つの円形のパッド５０とを、あたかも半導体装置１の外部から視認できるかの如く破線で示しているが、実際には、これらを半導体装置１の外部から直接視認することはできない。

　また、図１４では、保護膜３５のうち、各金属再配線２０に隠れている部分を、あたかも半導体装置１の外部から視認できるかの如く破線で示しているが、実際には、これらの部分を半導体装置１の外部から直接視認することはできない。

　図１４に例示するように、１以上の特定パッドの少なくとも１つは、複数の金属再配線２０のいずれにも接続されないとしてもよい。

　これにより、少なくとも１つのパッド５０を金属再配線２０に接続させずに済ませながら、半導体装置１の平面視において矩形である半導体装置１の四隅に位置する４つの金属再配線２０において、金属再配線２０とはんだフィレット７０との接合を比較的強固なものとすることができる。

　したがって、上記構成の半導体装置１によると、半導体装置１と実装基板９０とが接合されて構成される半導体モジュール１００の信頼性を維持しながら、金属再配線２０を形成するためのコストを抑制することができる。

　図１４に例示する半導体装置１は、８つの特定パッドのうちの６つの特定パッド（図１４においては、半導体装置１の平面視において、いずれの金属再配線２０にも内包されない長円形の６つのパッド５０）が、複数の金属再配線２０のいずれにも接続されない構成の例となっている。ここでは、これら６つの特定パッドは、複数の金属再配線２０のいずれにも接続されていないため、実装基板９０のいずれのランドパターン８０にも接続されない。

　図１５は、半導体装置１の構造の他の一例を示す平面図である。

　図１５では、複数のパッド５０のうちの、第１のパッド５０Ａと、第２のパッド５０Ｂと、第３のパッド５０Ｃと、第４のパッド５０Ｄと、２つの円形のパッド５０とを、あたかも半導体装置１の外部から視認できるかの如く破線で示しているが、実際には、これらを半導体装置１の外部から直接視認することはできない。

　図１５に示すように、半導体装置１は、複数のパッド５０のうち、第１のパッド５０Ａと、第２のパッド５０Ｂと、第３のパッド５０Ｃと、第４のパッド５０Ｄとを除く１以上の特定パッドの少なくとも１つ（図１５においては、２つの円形のパッド５０）は、複数の金属再配線２０のうちの、第１の金属再配線２１ではない、線状折れ曲がり部２５を有さない第２の金属再配線２６に接続されるとしてもよい。

　これにより、１以上の特定パッドの少なくとも１つに接続される金属再配線２０を、半導体装置１の平面視において、第１の金属再配線２１よりも小さな第２の金属再配線２６とすることができる。

　したがって、上記構成の半導体装置１によると、半導体装置１の平面視における面積の増加を抑制することができる。

　実施の形態において開示された構成の半導体モジュール１００によると、複数の金属再配線２０のそれぞれと、複数のランドパターン８０のそれぞれとが、半導体装置１の平面視において、少なくとも一部が半導体装置１の外部にはみ出しているはんだ接合材からなるはんだフィレット７０を介して接合される。

　したがって、上記構成の半導体モジュール１００によると、チップサイズパッケージ型の半導体装置１を実装基板９０に実装する際に、半導体装置１の端子と、実装基板９０のランドパターン８０とが、はんだ接合材を介して接合しているか否かを外観により確認することができる半導体モジュール１００が提供される。

　また、上述した通り、上記構成の半導体モジュール１００によると、上記構成のチップサイズパッケージ型の半導体装置１を実装基板９０に実装する際に、半導体装置１の端子と、実装基板９０のランドパターン８０とが、上記はんだフィレット７０を介して接合される。

　このため、上記構成の半導体モジュール１００によると、半導体装置１の端子と、実装基板９０のランドパターン８０とが、上記はんだフィレット７０を形成しない状態のはんだ接合材を介して接合される、従来型の半導体モジュールに比べて、半導体装置１の端子と、実装基板９０のランドパターン８０との接合領域における応力の過度な集中を抑制することができる。

　したがって、上記構成の半導体モジュール１００によると、半導体モジュール１００の信頼性を向上させることができる。

　上記構成の半導体モジュール１００によると、複数の金属再配線２０のうちの複数個は、１以上の線状折れ曲がり部２５を有する第１の金属再配線２１である。

　このため、上記構成の半導体モジュール１００によると、金属再配線２０とはんだフィレット７０との接合を比較的強固なものとすることができる。

　したがって、上記構成の半導体モジュール１００によると、半導体モジュール１００の信頼性をさらに向上させることができる。

　なお、図４Ｂに示すように、半導体層４０が、半導体装置１の平面視において、第１の辺６１と、第１の辺６１と直交する第２の辺６２と、第２の辺６２と直交する第３の辺６３と、第３の辺６３と直交する第４の辺６４とを有する矩形である場合には、半導体装置１の平面視において、複数のランドパターン８０のうちの、第１の特定金属再配線２０Ａに対応するランドパターン８０Ａは、第１の辺６１を超えて半導体装置１の外側に広がる領域と、第２の辺６２を超えて半導体装置１の外側に広がる領域とを有し、複数のランドパターン８０のうちの、第２の特定金属再配線２０Ｂに対応するランドパターン８０Ｂは、第２の辺６２を超えて半導体装置１の外側に広がる領域と、第３の辺６３を超えて半導体装置１の外側に広がる領域とを有し、複数のランドパターン８０のうちの、第３の特定金属再配線２０Ｃに対応するランドパターン８０Ｃは、第３の辺６３を超えて半導体装置１の外側に広がる領域と、第４の辺６４を超えて半導体装置１の外側に広がる領域とを有し、複数のランドパターン８０のうちの、第４の特定金属再配線２０Ｄに対応するランドパターン８０Ｄは、第４の辺６４を超えて半導体装置１の外側に広がる領域と、第１の辺６１を超えて半導体装置１の外側に広がる領域とを有するとしてもよい。

　これにより、半導体装置１に対して、第１の辺６１および第３の辺６３の延びる方向（図４Ｂ中のＹ軸方向）と、第２の辺６２および第４の辺６４の延びる方向（図４Ｂ中のＸ軸方向）とのいずれの方向、または、双方向の力が加わった場合であっても、金属再配線２０とはんだフィレット７０との接合を比較的強固なものとすることができる。

　（補足）
　以上、本開示の一態様に係る半導体装置等について、実施の形態に基づいて説明したが、本開示は、実施の形態に限定されるものではない。本開示の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を実施の形態に施した形態も、本開示の１つまたは複数の態様の範囲内に含まれてもよい。

　本開示は、チップサイズパッケージ型の半導体装置等に広く利用可能である。

　１　半導体装置
　１０　縦型ＭＯＳトランジスタ
　１４　ソース領域
　１５　ゲート導体
　１６　ゲート絶縁膜
　１７　ゲートトレンチ
　１８　ボディ領域
　２０　金属再配線
　２０Ａ　金属再配線、第１の特定金属再配線
　２０Ｂ　金属再配線、第２の特定金属再配線
　２０Ｃ　金属再配線、第３の特定金属再配線
　２０Ｄ　金属再配線、第４の特定金属再配線
　２１、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ　第１の金属再配線
　２２Ａ、２２ＡＡ、２２ＢＡ　第１の金属層
　２２Ｂ、２２ＡＢ、２２ＢＢ　第２の金属層
　２３、２３Ａ、２３Ｂ　第１の領域
　２４Ａ、２４ＡＡ、２４ＢＡ、２４ＣＡ、２４ＤＡ　第１の部分
　２４Ｂ、２４ＡＢ、２４ＢＢ、２４ＣＢ、２４ＤＢ　第２の部分
　２５、２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｄ　線状折れ曲がり部
　２６　第２の金属再配線
　３０　金属層
　３２　半導体基板
　３３　低濃度不純物層
　３４　酸化膜
　３５　保護膜
　３６　ドレイン引き上げ領域
　４０　半導体層
　５０　パッド
　５０Ａ　パッド、第１のパッド
　５０Ｂ　パッド、第２のパッド
　５０Ｃ　パッド、第３のパッド
　５０Ｄ　パッド、第４のパッド
　６０、６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ　電極
　６１　第１の辺
　６２　第２の辺
　６３　第３の辺
　６４　第４の辺
　７０、７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃ、７０Ｄ　はんだフィレット
　８０、８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃ、８０Ｄ　ランドパターン
　９０　実装基板
　１００　半導体モジュール

Claims

　チップサイズパッケージ型の半導体装置であって、
　半導体層と、
　前記半導体層に形成された１以上の縦型ＭＯＳトランジスタと、
　前記半導体層の上面よりも上方に位置し、複数の開口部を有する保護膜と、
　前記複数の開口部のそれぞれにおいて前記保護膜の外部に露出する複数のパッドであって、それぞれが、前記１以上の縦型ＭＯＳトランジスタのいずれかの端子として機能する前記複数のパッドと、
　前記半導体層の上面よりも上方に位置する複数の金属再配線であって、それぞれが、前記複数のパッドのうちの、互いに重複しないいずれか１以上のパッドに接続された複数の金属再配線と、を備え、
　前記半導体装置の平面視において、
　　前記保護膜は、前記半導体層に内包され、
　　前記複数の金属再配線のそれぞれは、前記半導体層に内包され、かつ、当該金属再配線に接続される前記１以上のパッドを内包し、
　前記複数の金属再配線には、第１の部分と、前記第１の部分よりも上方に位置する第２の部分とからなる複数の第１の金属再配線であって、前記平面視において、前記第２の部分が前記第１の部分に内包され、かつ、前記第２の部分の面積が前記第１の部分の面積よりも小さい前記複数の第１の金属再配線が含まれ、
　前記複数の第１の金属再配線のそれぞれは、当該第１の金属再配線の表面における、前記第１の部分と前記第２の部分との境界部分に、当該第１の金属再配線の断面における内角の角度が１８０度より大きい１以上の線状折れ曲がり部を有し、
　前記平面視において、前記１以上の線状折れ曲がり部には、前記半導体装置の外周側に面する部分が存在する
　半導体装置。
　前記第２の部分の、前記半導体層の上面から法線が伸びる方向における長さは、前記第１の部分の、前記法線が伸びる方向における長さよりも長い
　請求項１に記載の半導体装置。
　前記第２の部分の側面のうちの、前記平面視における前記半導体装置の外周側に面する領域内に、前記半導体層の上面に対する仰角が９０度未満となる領域が存在する
　請求項２に記載の半導体装置。
　前記平面視において、前記保護膜の外周は、前記半導体層の外周よりも内側に位置し、
　前記第１の部分の最下面は、前記法線が伸びる方向において前記パッドよりも前記半導体層の上面に近く、前記平面視において、前記半導体層に内包され、かつ、前記保護膜の外周に内包されない
　請求項２に記載の半導体装置。
　前記平面視において、
　　前記第１の部分の外周には、前記保護膜の外周に内包されない部分が存在し、
　　前記第２の部分は、前記保護膜の外周に内包される
　請求項４に記載の半導体装置。
　前記複数の金属再配線のそれぞれは、金を含まない第１の金属からなる第１の金属層と、金を含む第２の金属からなる第２の金属層とを含む多層構造であり、
　前記第１の部分の側面には、前記平面視において、前記半導体層の側面と一致する第１の領域が存在し、
　前記第１の領域の少なくとも一部で、前記第１の金属が露出する
　請求項２に記載の半導体装置。
　前記複数の金属再配線のそれぞれは、金を含まない第１の金属からなる第１の金属層と、金を含む第２の金属からなる第２の金属層とを含む多層構造であり、
　前記第１の部分の側面は、前記平面視において、前記半導体層の側面よりも内側に位置し、
　前記第１の部分の側面の全体において、前記第１の金属が露出せず、前記第２の金属が露出する
　請求項２に記載の半導体装置。
　前記平面視において、
　　前記１以上の線状折れ曲がり部には、さらに、前記半導体装置の中央側に面する部分も存在し、
　　前記１以上の線状折れ曲がり部のうちの、前記半導体装置の外周側に面する部分における、当該部分と前記第１の部分の外周部分との最短距離は、前記１以上の線状折れ曲がり部のうちの、前記半導体装置の中央側に面する部分における、当該部分と前記第１の部分の外周部分との最短距離よりも長い
　請求項２に記載の半導体装置。
　前記複数の金属再配線の数と前記複数のパッドの数とは等しい
　請求項２に記載の半導体装置。
　前記複数の金属再配線の全てが、前記複数の第１の金属再配線である
　請求項９に記載の半導体装置。
　前記平面視において、
　前記半導体層は矩形であり、
　前記複数のパッドには、前記半導体層の第１の辺および前記第１の辺と直交する前記半導体層の第２の辺との間に他のパッドを含まない第１のパッドと、前記第２の辺および前記第２の辺と直交する前記半導体層の第３の辺との間に他のパッドを含まない第２のパッドと、前記第３の辺および前記第３の辺と直交する前記半導体層の第４の辺との間に他のパッドを含まない第３のパッドと、前記第４の辺および前記第１の辺との間に他のパッドを含まない第４のパッドとが含まれ、
　前記複数の金属再配線のうち、前記第１のパッドに接続される第１の特定金属再配線と、前記第２のパッドに接続される第２の特定金属再配線と、前記第３のパッドに接続される第３の特定金属再配線と、前記第４のパッドに接続される第４の特定金属再配線とのそれぞれは、前記複数の第１の金属再配線のうちのいずれかである
　請求項２に記載の半導体装置。
　前記第１の特定金属再配線と、前記第２の特定金属再配線と、前記第３の特定金属再配線と、前記第４の特定金属再配線とのそれぞれは、前記複数のパッドのうちの、２つ以上のパッドに接続される
　請求項１１に記載の半導体装置。
　前記複数のパッドのうち、前記第１のパッドと、前記第２のパッドと、前記第３のパッドと、前記第４のパッドとを除く１以上の特定パッドの少なくとも１つは、前記複数の金属再配線のいずれにも接続されない
　請求項１１に記載の半導体装置。
　前記複数のパッドのうち、前記第１のパッドと、前記第２のパッドと、前記第３のパッドと、前記第４のパッドとを除く１以上の特定パッドの少なくとも１つは、前記複数の金属再配線のうちの、前記複数の第１の金属再配線ではない、前記１以上の線状折れ曲がり部を有さない第２の金属再配線に接続される
　請求項１１に記載の半導体装置。
　請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の半導体装置と、
　前記半導体装置がフェイスダウン実装された実装基板と、を備え、
　前記実装基板は、前記半導体装置が備える複数の金属再配線のそれぞれと１対１で対応する複数のランドパターンを有し、
　前記複数のランドパターンのそれぞれは、当該ランドパターンに対応する、前記複数の金属再配線のうちの１の金属再配線に、はんだ接合材からなるはんだフィレットを介して接合し、
　前記平面視において、
　　前記複数のランドパターンのそれぞれにおける、当該ランドパターンの面積は、当該ランドパターンに対応する、前記複数の金属再配線のうちの１の金属再配線の面積よりも大きく、
　　前記複数のランドパターンのそれぞれは、前記半導体装置に内包されない部分を有し、
　前記複数の第１の金属再配線のそれぞれにおける前記１以上の線状折れ曲がり部は、当該第１の金属再配線に対応する前記はんだフィレットで埋められている
　半導体モジュール。
　請求項１１から請求項１４のいずれか１項に記載の半導体装置と、
　前記半導体装置がフェイスダウン実装された実装基板と、を備え、
　前記実装基板は、前記半導体装置が備える複数の金属再配線のそれぞれと１対１で対応する複数のランドパターンを有し、
　前記複数のランドパターンのそれぞれは、当該ランドパターンに対応する、前記複数の金属再配線のうちの１の金属再配線に、当該ランドパターンに対応する、はんだ接合材からなるはんだフィレットを介して接合し、
　前記平面視において、
　　前記複数のランドパターンのそれぞれにおける、当該ランドパターンの面積は、当該ランドパターンに対応する、前記複数の金属再配線のうちの１の金属再配線の面積よりも大きく、
　　前記複数のランドパターンのそれぞれは、前記半導体装置に内包されない部分を有し、
　前記複数の第１の金属再配線のそれぞれにおける前記１以上の線状折れ曲がり部は、前記はんだフィレットで埋められており、
　前記平面視において、
　　前記複数のランドパターンのうちの、前記第１の特定金属再配線に対応する第１のランドパターンは、前記第１の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域と、前記第２の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域とを有し、
　　前記複数のランドパターンのうちの、前記第２の特定金属再配線に対応する第２のランドパターンは、前記第２の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域と、前記第３の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域とを有し、
　　前記複数のランドパターンのうちの、前記第３の特定金属再配線に対応する第３のランドパターンは、前記第３の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域と、前記第４の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域とを有し、
　　前記複数のランドパターンのうちの、前記第４の特定金属再配線に対応する第４のランドパターンは、前記第４の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域と、前記第１の辺を超えて前記半導体装置の外側に広がる領域とを有する
　半導体モジュール。