WO2024071868A1 - Oled 화소 증착을 위한 증착용 마스크 - Google Patents

Oled 화소 증착을 위한 증착용 마스크 Download PDF

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WO2024071868A1
WO2024071868A1 PCT/KR2023/014560 KR2023014560W WO2024071868A1 WO 2024071868 A1 WO2024071868 A1 WO 2024071868A1 KR 2023014560 W KR2023014560 W KR 2023014560W WO 2024071868 A1 WO2024071868 A1 WO 2024071868A1
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WO
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deposition
area
hole
mask
deposition mask
Prior art date
Application number
PCT/KR2023/014560
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English (en)
French (fr)
Inventor
권기영
이권진
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Definitions

  • the embodiment relates to a deposition mask for OLED pixel deposition.
  • Display devices are applied to various devices.
  • the display device is applied to small devices such as smartphones or tablet PCs.
  • the display device is applied to large devices such as TVs, monitors, or public displays (PDs).
  • UHD ultra-high definition
  • PPI Matel Per Inch
  • Display devices are classified into LCD (Liquid Crystal Display) and OLED (Organic Light Emitting Diode) depending on the driving method.
  • the LCD is a display device driven using liquid crystal. Additionally, OLED is a display device driven using organic materials.
  • the OLED can express an infinite contrast ratio, has a response speed more than 1000 times faster than LCD, and has an excellent viewing angle. Accordingly, the OELD is attracting attention as a display device that can replace the LCD.
  • the OLED includes a light emitting layer.
  • the light-emitting layer includes an organic material.
  • the organic material is deposited on the substrate using a deposition mask.
  • the deposition mask may include an open mask (OM) or a fine metal mask (FMM).
  • OM open mask
  • FMM fine metal mask
  • a deposition pattern corresponding to the pattern formed on the deposition mask is formed on the substrate. As a result, the deposition pattern can serve as a pixel.
  • the open mask is a thin plate that forms a deposition pattern only at specific locations when manufacturing OLED.
  • the open mask is used in a deposition process to form a light emitting layer on the backplane after the display manufacturing process is completed.
  • the open mask is a mask that does not cover the area within the operating range of the display in order to deposit the front surface of the display. Therefore, the open mask is used when depositing a light-emitting layer with a light-emitting material of one color.
  • the pi metal mask includes ultrafine holes.
  • the process using the fine metal mask requires several stages of deposition. Therefore, the process requires precise alignment. Accordingly, the process using the fine metal mask is more difficult than the process using the open mask.
  • the fine metal mask is generally manufactured from an Invar alloy metal plate containing iron (Fe) and nickel (Ni). A through hole penetrating through one side and the other side of the metal plate is formed. The through hole is formed at a position corresponding to the pixel pattern. Accordingly, red, green, and blue organic materials can pass through the through-hole of the metal plate and be deposited on the substrate. As a result, a pixel pattern can be formed on the substrate.
  • the fine metal mask includes small holes formed on one side of the metal plate and large holes formed on the other side of the metal plate.
  • the small hole and the large hole are connected by a connection part, thereby forming the through hole.
  • the organic material is sprayed in the direction of the fine metal mask.
  • the organic material is deposited on the deposition substrate using the large hole as an inlet and the small hole as an outlet.
  • a plurality of strip-shaped fine metal masks are disposed on the deposition substrate.
  • the organic matter moves to the carding pore through the facing pore.
  • the deposition pattern formed on the deposition substrate may have a shadow area formed according to the shape of the carding hole.
  • the shadow area is a pattern formed outside the deposition pattern. Adjacent patterns may overlap each other due to the shadow area.
  • the deposition quality and deposition reliability of the deposition mask may decrease.
  • Embodiments provide a deposition mask with improved deposition reliability and deposition quality.
  • a deposition mask includes a metal plate having a first side and a second side opposite to the first side, wherein the metal plate includes a deposition area and a non-deposition area, and the deposition area is an effective area. and a non-effective area, wherein the effective area includes a plurality of small holes formed on the first surface, large holes formed on the second surface, and a connection portion connecting the small holes and the large holes.
  • a through hole is disposed, the carding hole extends from the connection portion in the direction of the first surface and has a step height defined as the height of the area where the width of the carding hole is widened, and the step height of the carding hole is 0 ⁇ m. am.
  • the deposition mask according to the embodiment includes a carding hole.
  • the carding hole has a step height of a set size.
  • the step height of the carding hole may be 0. Accordingly, the size of the shadow area decreases. Accordingly, it is possible to prevent adjacent deposition patterns from overlapping.
  • the step height of the carding hole may be greater than 0 to 5 ⁇ m. Accordingly, the size of the shadow area decreases. Additionally, the amount of organic material disposed on the first side of the deposition mask is minimized. Accordingly, separation of the deposition mask and the deposition substrate becomes easy.
  • the deposition mask according to the embodiment includes protrusions.
  • the protrusion is disposed on the first side where the carding hole is formed.
  • the deposition mask and the deposition substrate are easily separated by the protrusion.
  • the surface roughness of the first surface is smaller than that of the second surface.
  • the amount of organic material deposited on the first side is reduced. Accordingly, the deposition mask and the deposition substrate are easily separated by the protrusion.
  • a gap between the deposition mask and the deposition substrate can be prevented. Accordingly, the size and shape of the deposition pattern become uniform.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating the combination of a deposition mask and a frame according to an embodiment.
  • Figure 2 is a cross-sectional view of an organic material deposition apparatus including a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a deposition pattern being formed on a deposition substrate through a through hole of a deposition mask according to an embodiment.
  • Figure 4 is a diagram for explaining the difference in deposition patterns according to the step height of the deposition mask according to the embodiment.
  • Figure 5 is a top view of a deposition mask according to an embodiment.
  • Figures 6 and 7 are cross-sectional views taken along the line C-C' of Figure 5.
  • Figure 8 is a diagram for explaining the change in step height according to electrolytic polishing of the carding hole of the deposition mask according to the embodiment.
  • Figure 9 is a cross-sectional view taken along area D-D' of Figure 5.
  • Figure 10 is a diagram for explaining the effect of the protrusions of the deposition mask according to the embodiment.
  • Figure 11 is a diagram for explaining the surface roughness of a deposition mask according to an embodiment.
  • Figure 12 is a diagram for explaining the relationship between the surface roughness and current density of a deposition mask according to an embodiment.
  • FIG. 13 is a photograph of the first and second sides of a deposition mask according to an embodiment.
  • the terms used in the embodiments of the present invention are for describing the embodiments and are not intended to limit the present invention.
  • the singular may also include the plural unless specifically stated in the phrase, and when described as “at least one (or more than one) of A, B, and C,” it can be combined with A, B, and C. It can contain one or more of all possible combinations.
  • first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and are not limited to the essence, sequence, or order of the component.
  • a component when a component is described as being 'connected', 'coupled' or 'connected' to another component, the component is not only directly connected, coupled or connected to that other component, but also is connected to that component. It may also include cases where other components are 'connected', 'coupled', or 'connected' by another component between them.
  • “above” or “below” refers not only to cases where two components are in direct contact with each other, but also to one This also includes cases where another component described above is formed or placed between two components.
  • top (above) or bottom (bottom), it can include the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one component.
  • the deposition mask described below is a fine metal mask (FMM) that can form an RGB pixel pattern on the deposition substrate by depositing organic materials such as red, green, and blue on the deposition substrate. , and the following description does not apply to the open mask (OM).
  • FMM fine metal mask
  • the first direction is the longitudinal direction of the deposition mask. Additionally, the second direction is the width direction of the vapor deposition mask.
  • the height of the carding hole is the height from the connection portion to the first surface. Additionally, the step height of the carding hole is the height of the area where the width of the carding hole is widened in the direction extending from the connection portion to the first surface.
  • 1 to 3 are diagrams for explaining a process of depositing an organic material on a deposition substrate 300 using a deposition mask 100 according to an embodiment.
  • the organic material deposition apparatus includes a deposition mask 100, a mask frame 200, a deposition substrate 300, an organic material deposition container 400, and a vacuum chamber 500.
  • the deposition mask 100 includes metal.
  • the deposition mask includes iron (Fe) and nickel (Ni).
  • the deposition mask includes an Invar alloy containing iron (Fe) and nickel (Ni).
  • the deposition mask 100 includes a plurality of through holes (TH).
  • the through hole is disposed in the effective portion.
  • the through hole is arranged to correspond to the pixel pattern to be formed on the deposition substrate.
  • the mask frame 200 includes an opening 205.
  • the plurality of through holes are disposed in an area corresponding to the opening 205. Accordingly, the organic material supplied to the organic material deposition container 400 is deposited on the deposition substrate 300.
  • the deposition mask 100 is placed and fixed on the mask frame 200. For example, the deposition mask 100 is stretched with a constant tensile force. Additionally, the deposition mask 100 is welded and fixed on the mask frame 200.
  • the non-effective area of the deposition mask 100 is welded.
  • the deposition mask 100 is fixed on the mask frame 200. Subsequently, the portion protruding outside of the mask frame 200 is cut and removed.
  • the mask frame 200 includes metal with high rigidity. Thereby, deformation of the mask frame during the welding process is reduced.
  • the deposition substrate 300 is a substrate used when manufacturing a display device. For example, an OLED pixel pattern is formed on the deposition substrate 300. Organic patterns of red, green, and blue are formed on the deposition substrate 300 to form pixels of the three primary colors of light. That is, an RGB pattern is formed on the deposition substrate 300.
  • the organic material deposition vessel 400 is a crucible. An organic material is placed inside the crucible.
  • the organic material deposition vessel 400 moves within the vacuum chamber 500. That is, the organic material deposition vessel 400 moves in one direction within the vacuum chamber 500. For example, the organic material deposition container 400 moves in the width direction of the deposition mask 100 within the vacuum chamber 500.
  • a heat source and/or current is supplied to the organic material deposition vessel 400. Thereby, the organic material is deposited on the deposition substrate 300.
  • the deposition mask 100 includes a metal plate 10.
  • the metal plate includes a first side (1S) and a second side (2S).
  • the first surface 1S and the second surface 2S are opposite surfaces to each other.
  • the first surface 1S includes a carding hole V1.
  • the second surface 2S includes a facing hole V2.
  • a plurality of small holes V1 and a plurality of large holes V2 are formed on the first surface 1S and the second surface 2S, respectively.
  • the deposition mask 100 includes a through hole (TH).
  • the through hole (TH) is formed by a connection portion (CA) connecting the boundaries of the small hole (V1) and the large hole (V2).
  • the width of the large hole (V2) is larger than the width of the small hole (V1).
  • the width of the small hole V1 is measured on the first surface 1S of the deposition mask 100.
  • the width of the facing hole V2 is measured on the second surface 2S of the deposition mask 100.
  • the width of the connection portion CA has a set size.
  • the width of the connection portion (CA) may be 15 ⁇ m to 33 ⁇ m.
  • the width of the connection portion CA may be 19 ⁇ m to 33 ⁇ m.
  • the width of the connection portion (CA) may be 20 ⁇ m to 27 ⁇ m. If the width of the connection portion (CA) exceeds 33 ⁇ m, it is difficult to achieve a resolution of 500PPI or higher. Additionally, if the width of the connection portion CA is less than 15 ⁇ m, defects may occur during the deposition process.
  • the carding hole V1 faces the deposition substrate 300.
  • the carding hole V1 is disposed close to the deposition substrate 300. Accordingly, the small hole V1 has a shape corresponding to the deposition pattern DP.
  • the facing hole V2 faces the organic material deposition container 400. Accordingly, the organic material supplied from the organic material deposition container 400 can be accommodated in a wide area by the facing hole V2. Additionally, a fine pattern can be quickly formed on the deposition substrate 300 through the carding hole V1.
  • the organic material accommodated by the large hole (V1) is deposited on the deposition substrate 300 by the small hole (V1). Accordingly, one of red, green, or blue pixel patterns is formed on the deposition substrate 300. Then, repeat the above process. Accordingly, all red, green, or blue pixel patterns are formed on the deposition substrate 300.
  • the carding hole (V1) has a step height (Step Height. SH).
  • the step height SH is the height of the area where the width of the carding hole V1 is widened in the direction extending from the connection portion to the first surface 1S.
  • the step height SH is an area where the angle ⁇ 1 formed between the connection portion CA and the inner surface ES of the carding hole V1 is an obtuse angle or a right angle.
  • the boundary area between the carding hole V1 and the first surface 1S may have a curvature. Additionally, the boundary area between the facing hole V2 and the second surface 2S may have a curvature.
  • the area where the width of the carding hole is widened by the curvature is excluded from the step height (SH). That is, the corner area (M) in FIG. 7 is excluded from the step height (SH).
  • the corner area (M) is a tolerance that occurs when manufacturing a deposition mask.
  • a small curvature may be formed at an edge where the small hole and the first surface meet by using an etchant.
  • the edge where the inner surface of the through hole and the first surface meet may be curved during the electrolytic polishing process.
  • the edge where the inner surface of the through hole and the second surface meet may be curved during the electrolytic polishing process.
  • the corner area may be an area where the curvature is formed.
  • the height H of the carding hole V1 is the height from the connection portion CA to the first surface 1S.
  • the step height (SH) of the carding hole and the height (H) may be the same or similar.
  • the step height (SH) of the carding hole and the height (H) are the same or similar. can do.
  • the step height (SH) of the carding hole and the height (H) may be different.
  • the angle ( ⁇ 1) formed between the connection portion (CA) and the inner surface (ES) of the carding hole (V1) is an acute angle or a right angle
  • the step height (SH) of the carding hole and the height (H) are different. You can.
  • Figure 4 is a diagram for explaining the difference in deposition patterns according to the step height (SH) of the small hole (V1).
  • Figure 4 (a) is a diagram showing the deposition pattern (DP) when the step height (SH) of the carding hole (V1) is relatively small.
  • Figure 4(b) is a diagram showing the deposition pattern DP when the step height SH of the small hole V1 is relatively large.
  • the deposition pattern DP may include a first area 1A and a second area 2A.
  • the width of the first area 1A changes depending on the width of the connection portion CA.
  • the width of the second area 2A changes depending on the step height SH.
  • the thickness of the first area 1A may be uniform. Additionally, the thickness of the second area 2A may not be uniform.
  • the first area 1A and the second area 2A may be deposition patterns disposed on the deposition substrate 300.
  • the second area 2A is an area where the organic material spreads in the deposition pattern DP. That is, the second area 2A is a shadow area.
  • the width of the second area 2A may increase as the step height SH increases. If the width of the second area 2A increases beyond a set range, adjacent deposition patterns may overlap each other. Accordingly, there is a problem in that the deposition quality of the deposition mask is reduced.
  • the deposition mask 100 includes a deposition area (DA) and a non-deposition area (NDA).
  • DA deposition area
  • NDA non-deposition area
  • the deposition area DA is an area for forming a deposition pattern.
  • the deposition area (DA) includes an active area (AA) and an unactive area (UA).
  • the effective area (AA) is an area where a through hole (TH) through which the organic material passes is formed. Additionally, the uneffective area UA is an area in which the through hole TH is not formed.
  • the effective area AA is shown in a square shape. However, the embodiment is not limited thereto.
  • the effective area AA may be rectangular or circular.
  • the effective area AA includes a plurality of effective areas.
  • the plurality of effective areas are spaced apart in the first direction.
  • the deposition area DA is an area from a point where the first effective area starts to a point where the last effective area ends in the first direction.
  • the uneffective area (UA) is a deposition area other than the effective area (AA).
  • the non-deposition area (NDA) is an area that is not involved in deposition.
  • the non-deposition area NDA includes frame fixing areas FA1 and FA2.
  • the frame fixing area is an area for fixing the deposition mask 100 to the mask frame 200.
  • the non-deposition area (NDA) may include at least one of a half-etched portion (HF) and an open portion (OA).
  • the half-etched portion HF is formed by partially etching the metal plate 10.
  • the open portion (OA) is formed by etching all of the metal plate 10.
  • Residual stress generated when the deposition mask 100 is stretched is distributed by the half-etching portion HF. Accordingly, the waviness of the deposition mask decreases.
  • a jig such as a clamp used to tension the deposition mask 100 is fixed to the open portion OP.
  • a plurality of through holes TH are formed inside the effective area AA.
  • a plurality of islands (IS) are disposed between the plurality of through holes (TH).
  • the island portion IS is a surface on which the first surface 1S or the second surface 2S is not etched.
  • the island portion IS connects adjacent ribs RB.
  • the rib RB is an area where inner surfaces of adjacent through holes meet.
  • the rib RB is an area where the metal plate 10 is partially etched.
  • the metal plate 10 includes a first surface 1S and a second surface 2S opposite to the first surface 1S.
  • a plurality of carding holes V1 are formed on the first surface 1S.
  • a facing hole V2 is formed in the second surface 2S.
  • the small hole (V1) and the facing hole (V2) are connected by the connection portion (CA). Accordingly, the through hole TH is formed.
  • the step height (SH) of the carding hole (V1) may have a set range.
  • the step height (SH) of the carding hole (V1) may be 0 ⁇ m.
  • the width of the carding hole V1 may be narrowed from the connection portion CA toward the first surface 1S.
  • the step height (SH) may be 0 ⁇ m. That is, the carding hole V1 may have a height H within a set range, and the step height SH may be 0 ⁇ m.
  • the angle ⁇ 1 formed between the inner surface ES of the carding hole V1 and the connecting portion CA may be an acute angle or a right angle.
  • the angle ⁇ 2 formed between the inner surface ES of the carding hole V1 and the first surface 1S may be an obtuse angle or a right angle.
  • the step height (SH) may be 0.
  • the shadow area of the deposition pattern is reduced.
  • the width of the carding hole V1 narrows from the connection portion CA toward the first surface 1S. Accordingly, when the organic material is deposited on the deposition substrate 300, the area in which the organic material spreads outward is reduced.
  • the deposition mask has improved deposition reliability.
  • the carding hole (V1) may have a step height (SH) within a set range.
  • the step height (SH) of the carding hole (V1) may be 5 ⁇ m or less.
  • the step height (SH) of the carding hole (V1) is greater than 0 ⁇ m to 5 ⁇ m, and 0.01 ⁇ m to 3 ⁇ m. It may be 0.1 ⁇ m to 2.5 ⁇ m or 1 ⁇ m to 2.2 ⁇ m.
  • the step height (SH) of the carding hole (V1) can be controlled by a process of etching or polishing the carding hole (V1).
  • the step height SH can be controlled by selectively wet etching or dry etching the carding hole V1.
  • the step height (SH) can be controlled by electrolytic polishing, chemical polishing, mechanical polishing, or chemical mechanical polishing (CMP) of the carding hole (V1).
  • the step height (SH) can be controlled by electropolishing.
  • the step height (SH) may vary depending on the magnitude and application time of the current applied during the electrolytic polishing process.
  • the step height (SH) may be greater than 0 ⁇ m to 5 ⁇ m depending on the size and application time of the applied current. That is, the step height (SH) may decrease as the time for which the current is applied and/or the magnitude of the current increases.
  • the width of the carding hole V1 widens in the direction from the connection portion CA to the first surface 1S, and the step height SH may have the above range.
  • the angle formed between the inner surface (ES) of the carding hole (V1) and the connecting portion (CA) may be an obtuse angle.
  • the angle ⁇ 2 formed between the inner surface ES of the carding hole V1 and the first surface 1S may be an acute angle.
  • the step height (SH) may have the above range.
  • angle ⁇ 2 formed between the inner surface ES of the carding hole V1 and the first surface 1S may be 35° to 55°.
  • the step height (SH) exceeds 5 ⁇ m, the shadow area may increase. Accordingly, adjacent deposition patterns may overlap. Accordingly, the deposition reliability of the deposition mask is reduced.
  • the step height SH of the carding hole V1 is controlled within the above range. Accordingly, when the organic material is deposited on the deposition substrate 300, the area in which the organic material spreads outward is reduced.
  • the deposition mask has improved deposition reliability.
  • the carding hole has a set step height. Accordingly, deposition of organic material on the first side adjacent the carding hole is minimized. Accordingly, separation of the deposition mask and the deposition substrate becomes easy.
  • the deposition mask 100 may include at least one protrusion 15 .
  • the protrusion 15 is disposed in the non-deposition area NDA.
  • the protrusion 15 is disposed on the first surface 1S.
  • the protrusion 15 and the metal plate 10 may include the same material.
  • the protrusion 15 may be formed integrally with the metal plate 10. The examples are not limited thereto.
  • the protrusion 15 may include a material different from that of the metal plate 10. Additionally, the protrusion 15 may be separated from the metal plate 10.
  • the protrusion 15 and the metal plate 10 may include the same material. Additionally, the protrusion 15 may be formed together when forming the through hole. In detail, after forming the small hole and the large hole, the first surface may be further etched to control the height of the step. For example, the first side may be further etched by an electrolytic polishing process.
  • the deposition mask 100 and the deposition substrate 300 are easily separated by the protrusion.
  • the carding hole (V1) may have a step height (SH).
  • Organic material 450 may flow into an area adjacent to the carding hole V1. Accordingly, the organic material 450 may be deposited on the first surface 1S.
  • the deposition mask 100 and the deposition substrate 300 may be bonded to each other using an organic material deposited on the first surface. Accordingly, it becomes difficult to separate the deposition mask 100 and the deposition substrate 300. Additionally, when separating the deposition mask 100 and the deposition substrate 300, the deposition mask 100 may be damaged.
  • At least one protrusion is disposed on the first surface. Therefore, the above problem can be solved. That is, when the organic material is deposited on the first surface 1S, the deposition mask 100 and the deposition substrate 300 are easily separated by the protrusion.
  • the embodiment is not limited thereto.
  • the protrusion 15 may be disposed in the deposition area.
  • the protrusion 15 may be disposed in both the non-deposition area and the deposition area.
  • the first surface 1S and the second surface 2S may include a pattern.
  • the first surface 1S includes a plurality of first patterns P1.
  • the second surface 2S includes a plurality of second patterns P2.
  • the first surface 1S and the second surface 2S have surface roughness within a set range.
  • the first surface 1S has a first surface roughness.
  • the second surface 2S has a second surface roughness.
  • the first surface roughness and the second surface roughness may be different.
  • the first surface roughness may be smaller than the second surface roughness.
  • the first surface roughness may have an arithmetic average roughness (Ra) of 30 nm to 160 nm.
  • the first surface roughness may have an arithmetic mean roughness (Ra) of 35 nm to 80 nm or 35 nm to 75 nm.
  • the first surface roughness may have a 10-point average roughness (Rz) of 0.5 ⁇ m to 1.7 ⁇ m.
  • the first surface roughness may have a 10-point average roughness (Rz) of 0.5 ⁇ m to 1.5 ⁇ m or 0.5 ⁇ m to 1.1 ⁇ m.
  • the first surface roughness may change depending on the current density during the electrolytic polishing process. In detail, as the magnitude of the current applied and/or the current application time increases during the electrolytic polishing process, the magnitude of the first surface roughness decreases.
  • the first surface roughness has the above range. Additionally, the first surface roughness is smaller than the second surface roughness. That is, referring to FIG. 13, the first surface roughness of the first surface ((a) of FIG. 13) is smaller than the second surface roughness of the second surface ((b) of FIG. 13).
  • the first surface is further etched or polished. Accordingly, the surface roughness of the first surface 1S becomes smaller than that of the second surface 2S.
  • the deposition mask 100 and the deposition substrate 300 are easily separated.
  • the carding hole (V1) may have a step height (SH).
  • Organic material 450 may flow into an area adjacent to the carding hole V1. Accordingly, the organic material 450 may be deposited on the first surface 1S.
  • the deposition mask 100 and the deposition substrate 300 may be bonded to each other using an organic material deposited on the first surface. Accordingly, it becomes difficult to separate the deposition mask 100 and the deposition substrate 300. Additionally, when separating the deposition mask 100 and the deposition substrate 300, the deposition mask 100 may be damaged.
  • the surface roughness of the first surface is reduced. Accordingly, the amount of organic material deposited on the first surface 1S can be reduced. Accordingly, separation of the deposition mask 100 and the deposition substrate 300 becomes easy.
  • the gap between the deposition mask 100 and the deposition substrate 300 is minimized.
  • the distance between the deposition mask 100 and the deposition substrate 300 becomes uniform. Accordingly, the shape or size of the deposition pattern becomes uniform, thereby improving deposition quality.
  • the deposition mask according to the embodiment includes a carding hole.
  • the carding hole has a step height of a set size.
  • the step height of the carding hole may be 0. Accordingly, the size of the shadow area decreases. Accordingly, it is possible to prevent adjacent deposition patterns from overlapping.
  • the step height of the carding hole may be greater than 0 to 5 ⁇ m. Accordingly, the size of the shadow area decreases. Additionally, the amount of organic material disposed on the first side of the deposition mask is minimized. Accordingly, separation of the deposition mask and the deposition substrate becomes easy.
  • the deposition mask according to the embodiment includes protrusions.
  • the protrusion is disposed on the first side where the carding hole is formed.
  • the deposition mask and the deposition substrate are easily separated by the protrusion.
  • the surface roughness of the first surface is smaller than that of the second surface.
  • the amount of organic material deposited on the first side is reduced. Accordingly, the deposition mask and the deposition substrate are easily separated by the protrusion.
  • a gap between the deposition mask and the deposition substrate can be prevented. Accordingly, the size and shape of the deposition pattern become uniform.

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Abstract

실시예에 따른 증착용 마스크는, 제 1 면 및 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면이 정의되는 금속판을 포함하고, 상기 금속판은 증착 영역 및 비증착 영역을 포함하고, 상기 증착 영역은 유효 영역 및 비유효 영역을 포함하고, 상기 유효 영역에는 상기 제 1 면 상에 형성되는 소면공, 상기 제 2 면 상에 형성되는 대면공 및 상기 소면공 및 상기 대면공을 연결하는 연결부에 의해 형성되는 복수의 관통홀이 배치되고, 상기 소면공은 상기 연결부에서 상기 제 1 면 방향으로 연장하면서 상기 소면공의 폭이 넓어지는 영역의 높이로 정의되는 단차 높이가 정의되고, 상기 소면공의 단차 높이는 0㎛이다.

Description

OLED 화소 증착을 위한 증착용 마스크
실시예는 OLED 화소 증착을 위한 증착용 마스크에 관한 것이다.
표시 장치는 다양한 디바이스에 적용된다. 예를 들어, 상기 표시 장치는 스마트폰 또는 태블릿 PC와 같은 소형 디바이스에 적용된다. 또는, 상기 표시 장치는 TV, 모니터 또는 퍼블릭 디스플레이(PD, Public Display)과 같은 대형 디바이스에 적용된다. 최근에는 500 PPI(Pixel Per Inch) 이상의 초고해상도 UHD(UHD, Ultra High Definition)에 대한 수요가 증가하고 있다. 이에 따라, 고해상도를 가지는 표시 장치가 소형 디바이스 및 대형 디바이스에 적용되고 있다.
표시 장치는 구동 방법에 따라서 LCD(Liquid Crystal Display) 및 OLED(Organic Light Emitting Diode)로 구분된다.
상기 LCD는 액정(Liquid Crystal)을 이용하여 구동되는 표시 장치이다. 또한, OLED는 유기물을 이용해 구동되는 표시 장치이다.
상기 OLED는 무한한 명암비를 표현할 수 있고, LCD보다 1000배 이상의 빠른 응답 속도를 가지며 시야각이 우수하다. 이에 따라, 상기 OELD는 상기 LCD를 대체할 수 있는 표시 장치로 주목 받고 있다.
상기 OLED는 발광층을 포함한다. 상기 발광층은 유기물을 포함한다. 상기 유기물은 증착용 마스크에 의해 기판 상에 증착된다. 상기 증착용 마스크는 오픈 마스크(OM, Open Mask) 또는 파인 메탈 마스크(FMM, Fine Metal Mask)를 포함할 수 있다. 상기 기판 상에는 증착용 마스크에 형성된 패턴과 대응되는 증착 패턴이 형성된다. 이에 의해, 상기 증착 패턴은 화소의 역할을 할 수 있다.
상기 오픈마스크는 OLED를 제조할 때, 특정 위치에만 증착 패턴을 형성하는얇은 판이다. 상기 오픈 마스크는 디스플레이 제조 과정에서 백플레인(Backplane)이 완료된 후 그 위에 발광층을 형성하는 증착공정에서 사용된다. 즉, 상기 오픈마스크는 디스플레이의 전면을 증착하기 위해 디스플레이가 작동하는 범위 내에서 가림 부위가 없는 마스크이다. 따라서, 상기 오픈 마스크는 한 가지 색깔의 발광물질로 발광층을 증착할 때 사용된다.
반면에, 파인 메탈 마스크는 발광층의 서브 픽셀(Sub-pixel)에 색깔을 달리하기 위해 사용한다. 따라서, 상기 파이 메탈 마스크는 초미세 홀(Hole)을 포함한다. 상기 파인 메탈 마스크를 이용하는 공정은 여러 단계의 증착 과정을 진행해야 한다. 따라서, 상기 공정은 정확한 정렬이 요구된다. 이에 따라, 상기 파인 메탈 마스크를 이용하는 공정은 오픈 마스크를 이용하는 공정보다 난이도가 높다.
상기 OLED의 발광층을 오픈 마스크에 의해 증착하는 경우 한가지 색의 발광층만이 형성된다. 따라서, 다양한 색의 구현을 위해 별도의 컬러필터(Color Filter, C/F)가 요구된다. 반면에, 상기 파인 메탈 마스크를 사용하는 경우 RGB 발광층을 형성할 수 있다. 따라서, 별도의 컬러필더가 요구되지 않는다. 즉, 상기 파인 메탈 마스크를 사용하는 기술은 난이도가 높다. 그러나, 오픈 마스크를 사용하는 방식과 대비하여 빛을 차단하는 필터가 요구되지 않으므로 빛 효율이 좋다.
상기 파인 메탈 마스크는 일반적으로 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함하는 인바(Invar) 합금 금속판에 의해 제조된다. 상기 금속판의 일면 및 타면에는 상기 일면 및 상기 타면을 관통하는 관통홀이 형성된다. 상기 관통홀은 화소 패턴과 대응되는 위치에 형성된다. 이에 따라, 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 유기물은 상기 금속판의 관통홀을 통과하여 기판 상에 증착될 수 있다. 이에 의해, 상기 기판 상에는 화소 패턴이 형성될 수 있다.
한편, 상기 파인 메탈 마스크는 금속판의 일면에 형성되는 소면공 및 상기 금속판의 타면에 형성되는 대면공을 포함한다. 상기 관통홀은 상기 소면공과 상기 대면공은 연결부에 의해 연결된다, 이에 의해, 상기 관통홀이 형성된다.
상기 유기물은 상기 파인 메탈 마스크 방향으로 분사된다. 상기 유기물은 상기 대면공을 입구로 하고, 상기 소면공을 출구로 하여 상기 증착 기판 상에 증착된다.
자세하게, 상기 증착 기판 상에는 스트립 형상의 복수의 파인 메탈 마스크가 배치된다. 상기 유기물은 상기 대면공을 통해 상기 소면공으로 이동한다.
이때, 상기 증착 기판 상에 형성되는 증착 패턴은 상기 소면공의 형상에 따라서 쉐도우 영역이 형성될 수 있다. 상기 쉐도우 영역은 증착 패턴의 외부에 형성되는 패턴이다. 상기 쉐도우 영역에 의해 인접하는 패턴들이 서로 중첩될 수 있다.
이에 의해, 증착용 마스크의 증착 품질 및 증착 신뢰성이 감소할 수 있다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 새로운 구조의 증착용 마스크가 요구된다.
실시예는 향상된 증착 신뢰성 및 증착 품질을 가지는 증착용 마스크를 제공한다.
실시예에 따른 증착용 마스크는, 제 1 면 및 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면이 정의되는 금속판을 포함하고, 상기 금속판은 증착 영역 및 비증착 영역을 포함하고, 상기 증착 영역은 유효 영역 및 비유효 영역을 포함하고, 상기 유효 영역에는 상기 제 1 면 상에 형성되는 소면공, 상기 제 2 면 상에 형성되는 대면공 및 상기 소면공 및 상기 대면공을 연결하는 연결부에 의해 형성되는 복수의 관통홀이 배치되고, 상기 소면공은 상기 연결부에서 상기 제 1 면 방향으로 연장하면서 상기 소면공의 폭이 넓어지는 영역의 높이로 정의되는 단차 높이가 정의되고, 상기 소면공의 단차 높이는 0㎛이다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 소면공을 포함한다. 상기 소면공은 설정된 크기의 단차 높이를 가진다.
상기 소면공의 단차 높이는 0일 수 있다. 이에 따라, 쉐도우 영역의 크기가 감소한다. 따라서, 인접한 증착 패턴이 중첩되는 것을 방지할 수 있다.
또는, 상기 소면공의 단차 높이는 0 초과 내지 5㎛일 수 있다. 이에 따라, 상기 쉐도우 영역의 크기가 감소한다. 또한, 상기 증착용 마스크의 제 1 면에 배치되는 유기 물질의 양이 최소화된다. 따라서, 상기 증착용 마스크와 상기 증착 기판의 분리가 용이해진다.
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크는 돌출부를 포함한다. 상기 돌출부는 상기 소면공이 형성되는 제 1 면 상에 배치된다.
이에 따라, 상기 제 1 면과 상기 증착 기판 사이에 유기 물질이 존재할 때, 상기 증착용 마스크와 상기 증착 기판은 상기 돌출부에 의해 용이하게 분리된다.
따라서, 상기 증착용 마스크를 분리할 때, 상기 증착용 마스크가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제 1 면의 표면조도는 상기 제 2 면의 표면조도보다 작다.
이에 따라, 상기 제 1 면 상에 증착되는 유기 물질의 양이 감소한다. 따라서, 상기 증착용 마스크와 상기 증착 기판은 상기 돌출부를 의해 용이하게 분리된다.
따라서, 상기 증착용 마스크를 분리할 때, 상기 증착용 마스크가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크와 상기 증착 기판 사이의 갭을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 증착 패턴의 크기 및 형상이 균일해진다..
따라서, 상기 증착용 마스크의 증착 품질이 향상된다.
도 1은 실시예에 따른 증착용 마스크 및 프레임의 결합을 도시한 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 증착용 마스크를 포함하는 유기물 증착 장치의 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 증착용 마스크의 관통홀에 의해 증착 기판 상에 증착 패턴이 형성되는 것을 도시한 도면이다.
도 4는 실시예에 따른 증착용 마스크의 단차 높이에 따른 증착 패턴의 차이를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 증착용 마스크의 평면도이다.
도 6 및 도 7은 도 5의 C-C' 영역을 절단한 단면도이다.
도 8은 실시예에 따른 증착용 마스크의 소면공의 전해연마에 따른 단차 높이의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 도 5의 D-D' 영역을 절단한 단면도이다.
도 10은 실시예에 따른 증착용 마스크의 돌출부에 의한 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 실시예에 따른 증착용 마스크의 표면 조도를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 실시예에 따른 증착용 마스크의 표면 조도와 전류 밀도의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 실시예에 따른 증착용 마스크의 제 1 면 및 제 2 면의 사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한개이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함 할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다.
그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우 뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다.
또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다.
또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하에서 설명하는 증착용 마스크는 증착 기판에 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 등의 유기물을 증착하여 상기 증착 기판 상에 RGB 화소 패턴을 형성할 수 있는 파인 메탈 마스크(FMM)이며, 오픈 마스크(OM)에 대해서는 이하의 설명이 적용되지 않는다.
이하의 설명에서 제 1 방향은 증착용 마스크의 길이 방향이다. 또한, 제 2 방향은 증착용 마스크의 폭 방향이다.
이하의 설명에서 소면공의 높이는 연결부에서 제 1 면까지의 높이이다. 또한, 소면공의 단차 높이는 상기 연결부에서 상기 제 1 면으로 연장하는 방향으로 소면공의 폭이 넓어지는 영역의 높이이다.
이하 도면들을 참조하여 실시예에 따른 증착용 마스크를 설명한다.
도 1 내지 도 3은 실시예에 따른 증착용 마스크(100)를 사용하여 증착 기판(300) 상에 유기 물질을 증착하는 공정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 유기물 증착 장치는 증착용 마스크(100), 마스크 프레임(200), 증착 기판(300), 유기물 증착 용기(400) 및 진공 챔버(500)를 포함한다.
상기 증착용 마스크(100)는 금속을 포함한다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함한다. 자세하게, 예를 들어, 상기 증착용 마스크는 철(Fe) 및 니켈(Ni)을 포함하는 인바 합금을 포함한다.
상기 증착용 마스크(100)는 복수의 관통홀(TH)을 포함한다. 상기 관통홀은 유효부에 배치된다. 상기 관통홀은 증착 기판 상에 형성될 화소 패턴과 대응되도록 배치된다.
상기 마스크 프레임(200)은 개구부(205)를 포함한다. 상기 복수의 관통홀은 상기 개구부(205)와 대응되는 영역 상에 배치된다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로 공급되는 유기 물질이 상기 증착 기판(300) 상에 증착된다. 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 배치되어 고정된다. 예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)는 일정한 인장력으로 인장된다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 용접되어 고정된다.
예를 들어, 상기 증착용 마스크(100)의 비유효 영역을 용접한다. 이에 의해, 상기 증착용 마스크(100)는 상기 마스크 프레임(200) 상에 고정된다. 이어서, 상기 마스크 프레임(200)의 외부로 돌출되는 부분은 절단하여 제거한다.
상기 마스크 프레임(200)은 강성이 큰 금속을 포함한다. 이에 의해, 용접 공정 중에 상기 마스크 프레임의 변형이 감소된다
상기 증착 기판(300)은 표시 장치를 제조할 때 사용하는 기판이다. 예를 들어, 상기 증착 기판(300) 상에는 OLED 화소 패턴이 형성된다. 상기 증착 기판(300) 상에는 빛의 3원색인 화소를 형성하기 위하여 적색(Red), 녹색(Greed) 및 청색(Blue)의 유기물 패턴이 형성된다. 즉, 상기 증착 기판(300) 상에는 RGB 패턴이 형성된다.
상기 유기물 증착 용기(400)는 도가니이다. 상기 도가니의 내부에는 유기 물질이 배치된다. 상기 유기물 증착 용기(400)는 상기 진공 챔버(500) 내에서 이동한다. 즉, 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 일 방향으로 이동한다. 예를 들어, 상기 유기물 증착 용기(400)는 진공 챔버(500) 내에서 상기 증착용 마스크(100)의 폭 방향으로 이동한다.
상기 유기물 증착 용기(400)에는 열원 및/또는 전류가 공급된다. 이에 의해, 상기 유기 물질은 상기 증착 기판(300) 상에 증착된다.
도 3을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 금속판(10)을 포함한다. 상기 금속판은 제 1 면(1S) 및 제 2 면(2S)을 포함한다. 상기 제 1 면(1S) 및 상기 제 2 면(2S)은 서로 반대되는 면이다.
상기 제 1 면(1S)은 소면공(V1)을 포함한다. 상기 제 2 면(2S)은 대면공(V2)을 포함한다. 예를 들어, 상기 제 1 면(1S) 및 상기 제 2 면(2S)에는 각각 복수의 소면공(V1)들 및 복수의 대면공(V2)들이 형성된다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)는 관통홀(TH)을 포함한다. 상기 관통홀(TH)은 상기 소면공(V1) 및 상기 대면공(V2)의 경계가 연결되는 연결부(CA)에 의해 형성된다.
상기 대면공(V2)의 폭은 상기 소면공(V1)의 폭보다 크다. 상기 소면공(V1)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 제 1 면(1S)에서 측정된다. 상기 대면공(V2)의 폭은 상기 증착용 마스크(100)의 제 2 면(2S)에서 측정된다.
또한, 상기 연결부(CA)의 폭은 설정된 크기를 가진다. 자세하게, 상기 연결부(CA)의 폭은 15㎛ 내지 33㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 연결부(CA)의 폭은 19㎛ 내지 33㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 연결부(CA)의 폭은 20㎛ 내지 27㎛일 수 있다. 상기 연결부(CA)의 폭이 33㎛ 초과하면 500PPI 급 이상의 해상도를 구현하기 어렵다. 또한, 상기 연결부(CA)의 폭이 15㎛ 미만인 경우에는 증착 공정 중 불량이 발생할 수 있다.
상기 소면공(V1)은 상기 증착 기판(300)과 마주본다. 상기 소면공(V1)은 상기 증착 기판(300)과 가까이 배치된다. 이에 따라, 상기 소면공(V1)은 증착 패턴(DP)과 대응되는 형상을 가진다.
상기 대면공(V2)은 상기 유기물 증착 용기(400)과 마주본다. 이에 따라, 상기 유기물 증착 용기(400)로부터 공급되는 유기물질은 상기 대면공(V2)에 의해 넓은 폭에서 수용될 수 있다. 또한, 상기 소면공(V1)을 통하여 상기 증착 기판(300) 상에 미세한 패턴을 빠르게 형성할 수 있다.
이에 따라, 상기 대면공(V1)에 의해 수용되는 유기물질은 상기 소면공(V1)에 의해 상기 증착 기판(300)에 증착된다. 이에 따라, 상기 증착 기판(300) 상에는 적색, 녹색 또는 청색의 화소 패턴 중 어느 하나의 패턴이 형성된다. 이어서, 상기 공정을 반복한다. 이에 따라, 상기 증착 기판(300) 상에 적색, 녹색 또는 청색의 화소 패턴이 모두 형성된다.
도 3을 참조하면, 상기 소면공(V1)은 단차 높이(Step Height. SH)를 가진다. 상기 단차 높이(SH)는 상기 연결부에서 상기 제 1 면(1S)으로 연장하는 방향으로 소면공(V1)의 폭이 넓어지는 영역의 높이이다. 또한, 상기 단차 높이(SH)는 상기 연결부(CA)와 상기 소면공(V1)의 내측면(ES)이 이루는 각도(θ1)가 둔각 또는 직각인 영역이다.
상기 소면공(V1)과 상기 제 1 면(1S)의 경계 영역은 곡률을 가질 수 있다. 또한, 상기 대면공(V2)과 상기 제 2 면(2S)의 경계 영역은 곡률을 가질 수 있다. 상기 소면공의 폭이 상기 곡률에 의해 넓어지는 영역은 상기 단차 높이(SH)에서 제외한다. 즉, 도 7의 모서리 영역(M)은 상기 단차 높이(SH)에서 제외한다.
상기 모서리 영역(M)은 증착용 마스크를 제조할 때 발생하는 공차이다. 예를 들어, 상기 대면공을 형성할 때, 상기 소면공과 상기 제 1 면이 만나는 모서리는 에칭액에 의해 작은 곡률이 형성될 수 있다. 또는, 상기 관통홀의 내측면과 상기 제 1 면이 만나는 모서리는 전해 연마 공정 중 곡률이 형성될 수 있다. 또는, 상기 관통홀의 내측면과 상기 제 2 면이 만나는 모서리는 전해 연마 공정 중 곡률이 형성될 수 있다. 상기 모서리 영역은 상기 곡률이 형성되는 영역일 수 있다.
상기 소면공(V1)의 높이(H)는 상기 연결부(CA)에서 상기 제 1 면(1S)까지의 높이이다.
따라서, 상기 소면공(V1)의 폭이 상기 연결부에서 상기 제 1 면(1S)의 방향으로 넓어지는 경우, 상기 소면공의 단차 높이(SH)와 상기 높이(H)는 동일 또는 유사할 수 있다.
또는, 상기 연결부(CA)와 상기 소면공(V1)의 내측면(ES)이 이루는 각도(θ1)가 둔각인 경우, 상기 소면공의 단차 높이(SH)와 상기 높이(H)는 동일 또는 유사할 수 있다.
반면에, 상기 소면공(V1)의 폭이 상기 연결부에서 상기 제 1 면(1S)의 방향으로 좁아지는 경우, 상기 소면공의 단차 높이(SH)와 상기 높이(H)는 다를 수 있다.
또는, 상기 연결부(CA)와 상기 소면공(V1)의 내측면(ES)이 이루는 각도(θ1)가 예각 또는 직각인 경우, 상기 소면공의 단차 높이(SH)와 상기 높이(H)는 다를 수 있다.
도 4는 상기 소면공(V1)의 단차 높이(SH)에 따른 증착 패턴의 차이를 설명하기 위한 도면이다.
도 4의 (a)는 상기 소면공(V1)의 단차 높이(SH)가 상대적으로 작은 경우의 증착 패턴(DP)을 도시한 도면이다. 도 4의 (b)는 상기 소면공(V1)의 단차 높이(SH)가 상대적으로 큰 경우의 증착 패턴(DP)을 도시한 도면이다.
상기 증착 패턴(DP)은 제 1 영역(1A) 및 제 2 영역(2A)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 영역(1A)의 폭은 상기 연결부(CA)의 폭에 의해 변화한다. 상기 제 2 영역(2A)의 폭은 상기 단차 높이(SH)에 의해 변화한다.
상기 제 1 영역(1A)의 두께는 균일할 수 있다. 또한, 상기 제 2 영역(2A)의 두께는 균일하지 않을 수 있다.
즉, 상기 제 1 영역(1A) 및 상기 제 2 영역(2A)은 상기 증착 기판(300) 상에 배치되는 증착 패턴일 수 있다. 또한, 상기 제 2 영역(2A)은 상기 증착 패턴(DP)에서 유기 물질이 퍼지는 영역이다. 즉, 상기 제 2 영역(2A)은 쉐도우 영역(Shadow area)이다. 상기 제 2 영역(2A)의 폭은 상기 단차 높이(SH)가 커질수록 증가할 수 있다. 상기 제 2 영역(2A)의 폭이 설정 범위 이상으로 커지면, 인접하는 증착 패턴들이 서로 중첩될 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크의 증착 품질이 감소하는 문제점이 있다.
이하에서는, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 증착용 마스크를 설명한다.
도 5 내지 도 13을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 증착 영역(DA) 및 비증착 영역(NDA)을 포함한다.
상기 증착 영역(DA)은 증착 패턴을 형성하기 위한 영역이다. 상기 증착 영역(DA)은 유효 영역(AA) 및 비유효 영역(UA)을 포함한다. 상기 유효 영역(AA)은 상기 유기 물질이 통과하는 관통홀(TH)이 형성되는 영역이다. 또한, 상기 비유효 영역(UA)은 상기 관통홀(TH)이 형성되지 않는 영역이다.
도면에서는 상기 유효 영역(AA)이 정사각형 형상으로 도시되었다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 상기 유효 영역(AA)은 직사각형 형상 또는 원형 일 수 있다.
상기 유효 영역(AA)은 복수의 유효 영역을 포함한다. 상기 복수의 유효 영역은 상기 제 1 방향으로 이격한다.
상기 증착 영역(DA)은 상기 제 1 방향으로 첫 번째 유효 영역이 시작되는 지점에서부터 마지막 유효 영역이 종료되는 지점까지의 영역이다.
상기 비유효 영역(UA)은 상기 유효 영역(AA) 이외의 증착 영역이다.
상기 비증착 영역(NDA)은 증착에 관여하지 않는 영역이다. 상기 비증착 영역(NDA)은 프레임 고정영역(FA1, FA2)을 포함한다. 상기 프레임 고정 영역은 상기 증착용 마스크(100)를 마스크 프레임(200)에 고정하기 위한 영역이다. 또한, 상기 비증착 영역(NDA)은 하프에칭부(HF) 및 오픈부(OA) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 하프에칭부(HF)는 상기 금속판(10)을 부분적으로 식각하여 형성한다. 상기 오픈부(OA)는 상기 금속판(10)을 모두 식각하여 형성한다.
상기 증착용 마스크(100)를 인장할 때 발생하는 잔류 응력은 상기 하프에칭부(HF)에 의해 분산된다. 이에 따라, 증착용 마스크의 웨이브니스가 감소한다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)를 인장할 때 사용하는 클램프와 같은 지그(jig)는 상기 오픈부(OP)에 고정된다.
상기 유효 영역(AA) 내부에는 복수의 관통홀(TH)이 형성된다. 상기 복수의 관통홀(TH)들 사이에는 복수의 아일랜드부(IS)가 배치된다. 상기 아일랜드부(IS)는 상기 제 1 면(1S) 또는 상기 제 2 면(2S)이 식각되지 않은 면이다. 상기 아일랜드부(IS)는 인접하는 리브(RB)를 연결한다. 상기 리브(RB)는 인접하는 관통홀들의 내측면들이 만나는 영역이다. 상기 리브(RB)는 상기 금속판(10)이 부분적으로 식각되는 영역이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 금속판(10)은 제 1 면(1S) 및 상기 제 1 면(1S)과 반대되는 제 2 면(2S)을 포함한다.
상기 제 1 면(1S)에는 복수의 소면공(V1)이 형성된다. 상기 제 2 면(2S)에는 대면공(V2)이 형성된다.
상기 소면공(V1)과 상기 대면공(V2)은 상기 연결부(CA)에 의해 연결된다. 이에 따라, 상기 관통홀(TH)이 형성된다.
상기 소면공(V1)의 단차 높이(SH)는 설정된 범위를 가질 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 소면공(V1)의 단차 높이(SH)는 0㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 소면공(V1)의 폭은 상기 연결부(CA)에서 상기 제 1 면(1S) 방향으로 좁아질 수 있다. 또한, 상기 단차 높이(SH)는 0㎛일 수 있다. 즉, 상기 소면공(V1)은 설정 범위의 높이(H)를 가지고, 상기 단차 높이(SH)는 0㎛일 수 있다.
즉, 상기 소면공(V1)의 내측면(ES)과 상기 연결부(CA)가 이루는 각도(θ1)는 예각 또는 직각일 수 있다. 또한, 상기 소면공(V1)의 내측면(ES)과 상기 제 1 면(1S)이 이루는 각도(θ2)는 둔각 또는 직각일 수 있다. 또한, 상기 단차 높이(SH)는 0일 수 있다.
따라서, 상기 증착 패턴의 쉐도우 영역이 감소된다. 자세하게, 상기 소면공(V1)의 폭은 상기 연결부(CA)에서 상기 제 1 면(1S) 방향으로 좁아진다. 따라서, 상기 유기 물질이 상기 증착 기판(300) 상에 증착될 때, 상기 유기 물질이 외곽 방향으로 퍼지는 영역이 감소된다.
이에 따라, 상기 쉐도우 영역에 따른 증착 패턴의 중첩을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크는 향상된 증착 신뢰성을 가진다.
도 7을 참조하면, 상기 소면공(V1)은 설정 범위의 단차 높이(SH)를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 소면공(V1)의 단차 높이(SH)는 5㎛ 이하일 수 있다. 더 자세하게, 상기 소면공(V1)의 단차 높이(SH)는 0㎛ 초과 내지 5㎛, 0.01㎛ 내지 3㎛. 0.1㎛ 내지 2.5㎛ 또는 1㎛ 내지 2.2㎛일 수 있다.
상기 소면공(V1)의 단차 높이(SH)는 상기 소면공(V1)을 식각 또는 연마하는 공정에 의해 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 단차 높이(SH)는 상기 소면공(V1)을 선택적으로 웨트(wet) 에칭 또는 드라이(dry) 에칭하여 제어할 수 있다. 또는, 상기 단차 높이(SH)는 상기 소면공(V1)을 전해 연마, 화학 연마, 기계 연마 또는 화학 기계 연마(CMP)하여 제어할 수 있다.
일례로, 상기 단차 높이(SH)는 전해 연마에 의해 제어할 수 있다. 상기 단차 높이(SH)는 전해 연마 공정 중 인가되는 전류의 크기 및 인가 시간에 따라서 변화될 수 있다. 자세하게, 도 8을 참조하면, 상기 단차 높이(SH)는 인가되는 전류의 크기 및 인가 시간에 따라서 0㎛ 초과 내지 5㎛일 수 있다. 즉, 상기 단차 높이(SH)는 전류가 인가되는 시간 및/또는 전류의 크기가 증가하면서 감소할 수 있다.
자세하게, 상기 소면공(V1)의 폭은 상기 연결부(CA)에서 상기 제 1 면(1S)의 방향으로 넓어지고, 상기 단차 높이(SH)는 상기 범위를 가질 수 있다.
즉, 상기 소면공(V1)의 내측면(ES)과 상기 연결부(CA)가 이루는 각도는 둔각일수 있다. 또한, 상기 소면공(V1)의 내측면(ES)과 상기 제 1 면(1S)이 이루는 각도(θ2)는 예각일 수 있다. 또한, 상기 단차 높이(SH)는 상기 범위를 가질 수 있다.
또한, 상기 소면공(V1)의 내측면(ES)과 상기 제 1 면(1S)이 이루는 각도(θ2)는 35° 내지 55°일 수 있다.
상기 단차 높이(SH)가 5㎛를 초과하는 경우, 상기 쉐도우 영역이 증가할 수 있다. 이에 따라, 인접하는 증착 패턴들이 중첩될 수 있다. 따라서, 증착용 마스크의 증착 신뢰성이 감소된다.
따라서, 상기 소면공(V1)의 단차 높이(SH)를 상기 범위로 제어한다. 이에 따라, 상기 유기 물질이 증착 기판(300) 상에 증착될 때, 상기 유기 물질이 외곽 방향으로 퍼지는 영역을 감소한다.
이에 따라, 상기 쉐도우 영역에 따른 증착 패턴의 중첩을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크는 향상된 증착 신뢰성을 가진다.
또한, 상기 소면공은 설정된 단차 높이를 가진다. 따라서, 상기 소면공과 인접하는 제 1 면 상에 유기 물질이 증착되는 것이 최소화된다. 따라서, 상기 증착용 마스크와 증착 기판의 분리가 용이해진다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 증착용 마스크(100)는 적어도 하나의 돌출부(15)를 포함할 수 있다.
상기 돌출부(15)는 상기 비증착 영역(NDA)에 배치된다. 상기 돌출부(15)는 상기 제 1 면(1S) 상에 배치된다.
상기 돌출부(15)와 상기 금속판(10)은 동일 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 돌출부(15)는 상기 금속판(10)과 일체로 형성될 수 있다. 실시예는 이에 제한되지 않는다. 상기 돌출부(15)는 상기 금속판(10)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 돌출부(15)는 상기 금속판(10)에서 분리될 수 있다.
일례로, 상기 돌출부(15)와 상기 금속판(10)은 동일 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 돌출부(15)는 상기 관통홀을 형성할 때 함께 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 소면공 및 상기 대면공을 형성한 후, 상기 단차 높이를 제어하기 위해, 상기 제 1 면이 추가로 에칭될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 면은 전해 연마 공정에 의해 추가 에칭될 수 있다.
이때, 상기 돌출부가 형성되는 영역에는 마스크를 배치한다. 이에 따라, 상기 마스크가 배치되는 영역은 에칭되지 않으므로, 상기 돌출부가 상기 제 1 면 상에 형성된다.
상기 증착용 마스크(100)와 상기 증착 기판(300)은 상기 돌출부에 의해 용이하게 분리된다.
도 10을 참조하면, 상기 소면공(V1)은 단차 높이(SH)를 가질 수 있다. 유기 물질(450)은 상기 소면공(V1)과 인접한 영역으로 흐를 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 물질(450)이 상기 제 1 면(1S) 상에 증착될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)와 상기 증착 기판(300)은 상기 제 1 면 상에 증착된 유기 물질에 의해 접합할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)와 상기 증착 기판(300)의 분리가 어려워진다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)와 상기 증착 기판(300)을 분리할 때, 상기 증착용 마스크(100)가 손상될 수 있다.
따라서, 상기 제 1 면 상에 적어도 하나의 돌출부를 배치한다. 따라서, 상기와 같은 문제를 해결할 수 있다. 즉, 상기 유기 물질이 상기 제 1 면(1S) 상에 증착될 때, 상기 증착용 마스크(100)와 상기 증착 기판(300)은 상기 돌출부에 의해 용이하게 분리된다.
도 9 및 도 10에서는 상기 돌출부(15)가 상기 비증착 영역에 배치되는 것을 도시하였다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 상기 돌출부(15)는 상기 증착 영역에 배치될 수 있다. 또는, 상기 돌출부(15)는 상기 비증착 영역 및 상기 증착 영역에 모두 배치될 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 제 1 면(1S) 및 상기 제 2 면(2S)은 패턴을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 면(1S)은 복수의 제 1 패턴(P1)을 포함한다. 상기 제 2 면(2S)은 복수의 제 2 패턴(P2)을 포함한다.
이에 따라, 상기 제 1 면(1S) 및 상기 제 2 면(2S)은 설정된 범위의 표면 조도를 가진다. 상기 제 1 면(1S)은 제 1 표면 조도를 가진다. 또한, 상기 제 2 면(2S)은 제 2 표면 조도를 가진다.
상기 제 1 표면조도와 상기 제 2 표면조도는 다를 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 표면조도는 상기 제 2 표면조도보다 작을 수 있다.
상기 제 1 표면조도는 30㎚ 내지 160㎚의 산술평균조도(Ra)를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 표면조도는 35㎚ 내지 80㎚ 또는 35㎚ 내지 75㎚의 산술평균조도(Ra)를 가질 수 있다.
또한, 상기 제 1 표면조도는 0.5㎛ 내지 1.7㎛의 10점평균조도(Rz)를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 표면조도는 0.5㎛ 내지 1.5㎛ 또는 0.5㎛ 내지 1.1㎛의 10점평균조도(Rz)를 가질 수 있다.
상기 제 1 표면조도는 전해 연마 공정 중 전류 밀도에 따라서 변화할 수 있다. 자세하게, 전해 연마 공정 중 인가되는 전류의 크기 및/또는 전류 인가 시간이 커지면, 상기 제 1 표면조도의 크기가 감소한다.
자세하게, 도 12를 참조하면, 제 1 구간에 비해 전류밀도가 2배인 제 2 구간에서는 상기 제 1 면(1S)의 산술평균조도(Ra) 및 10점평균조도(Rz)가 감소된다.
상기 제 1 표면조도는 상기 범위를 가진다. 또한, 상기 제 1 표면조도는 상기 제 2 표면조도보다 작다. 즉, 도 13을 참조하면, 상기 제 1 면(도 13의 (a))의 제 1 표면 조도는 상기 제 2 면(도 13의 (b))의 제 2 표면 조도보다 작다.
앞서 설명하였듯이, 상기 소면공 및 상기 대면공을 형성한 후, 상기 제 1 면은 추가로 식각 또는 연마된다. 이에 따라, 상기 제 1 면(1S)의 표면조도는 상기 제 2 면(2S)의 표면조도보다 작아진다.
상기 제 1 면의 표면조도를 작게하여 상기 증착용 마스크(100)와 증착 기판(300)은 용이하게 분리된다.
상기 소면공(V1)은 단차 높이(SH)를 가질 수 있다. 유기 물질(450)은 상기 소면공(V1)과 인접한 영역으로 흐를 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 물질(450)이 상기 제 1 면(1S) 상에 증착될 수 있다. 상기 증착용 마스크(100)와 상기 증착 기판(300)은 상기 제 1 면 상에 증착된 유기 물질에 의해 접합할 수 있다. 이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)와 상기 증착 기판(300)의 분리가 어려워진다. 또한, 상기 증착용 마스크(100)와 상기 증착 기판(300)을 분리할 때, 상기 증착용 마스크(100)가 손상될 수 있다.
따라서, 상기 제 1 면의 표면조도를 작게한다. 따라서, 상기 제 1 면(1S) 상에 증착되는 유기 물질의 양이 감소될 수 있다. 따라서, 상기 증착용 마스크(100)와 상기 증착 기판(300)의 분리가 용이해진다.
또한, 상기 증착용 마스크(100)와 증착 기판(300) 사이의 갭이 최소화된다.
이에 따라, 상기 증착용 마스크(100)와 증착 기판(300) 사이의 거리가 균일해진다. 따라서, 상기 증착 패턴의 형상 또는 크기가 균일해지므로 증착 품질이 향상된다.
실시예에 따른 증착용 마스크는 소면공을 포함한다. 상기 소면공은 설정된 크기의 단차 높이를 가진다.
상기 소면공의 단차 높이는 0일 수 있다. 이에 따라, 쉐도우 영역의 크기가 감소한다. 따라서, 인접한 증착 패턴이 중첩되는 것을 방지할 수 있다.
또는, 상기 소면공의 단차 높이는 0 초과 내지 5㎛일 수 있다. 이에 따라, 상기 쉐도우 영역의 크기가 감소한다. 또한, 상기 증착용 마스크의 제 1 면에 배치되는 유기 물질의 양이 최소화된다. 따라서, 상기 증착용 마스크와 상기 증착 기판의 분리가 용이해진다.
또한, 실시예에 따른 증착용 마스크는 돌출부를 포함한다. 상기 돌출부는 상기 소면공이 형성되는 제 1 면 상에 배치된다.
이에 따라, 상기 제 1 면과 상기 증착 기판 사이에 유기 물질이 존재할 때, 상기 증착용 마스크와 상기 증착 기판은 상기 돌출부에 의해 용이하게 분리된다.
따라서, 상기 증착용 마스크를 분리할 때, 상기 증착용 마스크가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제 1 면의 표면조도는 상기 제 2 면의 표면조도보다 작다.
이에 따라, 상기 제 1 면 상에 증착되는 유기 물질의 양이 감소한다. 따라서, 상기 증착용 마스크와 상기 증착 기판은 상기 돌출부를 의해 용이하게 분리된다.
따라서, 상기 증착용 마스크를 분리할 때, 상기 증착용 마스크가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 증착용 마스크와 상기 증착 기판 사이의 갭을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 증착 패턴의 크기 및 형상이 균일해진다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 제 1 면 및 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면이 정의되는 금속판을 포함하고,
    상기 금속판은 증착 영역 및 비증착 영역을 포함하고,
    상기 증착 영역은 유효 영역 및 비유효 영역을 포함하고,
    상기 유효 영역에는 상기 제 1 면 상에 형성되는 소면공, 상기 제 2 면 상에 형성되는 대면공 및 상기 소면공 및 상기 대면공을 연결하는 연결부에 의해 형성되는 복수의 관통홀이 배치되고,
    상기 소면공은 상기 연결부에서 상기 제 1 면 방향으로 연장하면서 상기 소면공의 폭이 넓어지는 영역의 높이로 정의되는 단차 높이가 정의되고,
    상기 소면공의 단차 높이는 0㎛인 증착용 마스크.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 연결부와 상기 소면공의 내측면이 이루는 각도는 예각 또는 직각인 증착용 마스크.
  3. 제 1 면 및 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면이 정의되는 금속판을 포함하고,
    상기 금속판은 증착 영역 및 비증착 영역을 포함하고,
    상기 증착 영역은 유효 영역 및 비유효 영역을 포함하고,
    상기 유효 영역에는 상기 제 1 면 상에 형성되는 소면공, 상기 제 2 면 상에 형성되는 대면공 및 상기 소면공 및 상기 대면공을 연결하는 연결부에 의해 형성되는 복수의 관통홀이 배치되고,
    상기 소면공은 상기 연결부에서 상기 제 1 면 방향으로 연장하면서 상기 소면공의 폭이 넓어지는 영역의 높이로 정의되는 단차 높이가 정의되고,
    상기 소면공의 단차 높이는 0㎛ 초과 내지 5㎛이고,
    상기 소면공의 표면조도는 상기 대면공의 표면조도보다 작은 증착용 마스크.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 소면공의 산술평균조도(Ra)는 30㎚ 내지 160㎚인 증착용 마스크,
  5. 제 1 항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 제 1 면 상에 배치되는 돌출부를 더 포함하는 증착용 마스크.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 증착 영역 및 상기 비증착 영역 중 적어도 하나의 영역 상에 배치되는 증착용 마스크.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 금속판과 일체로 형성되는 증착용 마스크.
  8. 제 1항에 있어서
    상기 제 1 면의 표면조도와 상기 제 2 면의 표면조도는 다른 증착용 마스크.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 1 면의 표면조도는 상기 제 2 면의 표면조도 보다 작은 증착용 마스크.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제 1 표면조도는 30㎚ 내지 160㎚의 산술평균조도(Ra) 또는 0.5㎛ 내지 1.7㎛의 10점평균조도를 가지는 증착용 마스크.
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