WO2023189093A1 - シャント抵抗器及びシャント抵抗器の製造方法 - Google Patents

シャント抵抗器及びシャント抵抗器の製造方法 Download PDF

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shunt
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健太郎 中
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ローム株式会社
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    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
    • H01C17/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material

Definitions

  • the present disclosure relates to a shunt resistor and a method for manufacturing a shunt resistor.
  • Patent Document 1 For example, US Pat. No. 5,999,085 (Patent Document 1) describes a resistor.
  • the resistor described in Patent Document 1 includes a resistance plate, a first pad, and a second pad.
  • the resistance plate has a rectangular shape in plan view.
  • the resistance plate has a first end and a second end that is the opposite end of the first end in a second direction that is orthogonal to the first direction that is the thickness direction of the resistance plate.
  • the resistance plate has a third end and a fourth end opposite to the third end in a second direction perpendicular to the first direction and the second direction.
  • a first slit is formed at the fourth end.
  • a first pad and a second pad are joined to the first end and the second end.
  • Each of the first pad and the second pad has a fifth end that is the end on the resistor plate side, and a sixth end that is the end on the opposite side of the fifth end.
  • a second slit extending along the second direction toward the fifth end is formed at the sixth end.
  • Each of the first pad and the second pad is divided into a current pad and a sense pad by a second slit.
  • the resistor described in Patent Document 1 is a shunt resistor.
  • the position of the second slit in the third direction is closer to the third end than the center of the resistance plate in the third direction.
  • the behavior of the amount of heat generated and the temperature coefficient of resistance in the shunt resistor described in Patent Document 1 differs depending on whether the first slit is formed at the third end or the first slit is formed at the fourth end. More specifically, in the resistor described in Patent Document 1, since the first slit is formed at the fourth end, the amount of increase in the temperature coefficient of resistance is small, but the amount of increase in heat generation is large.
  • the present disclosure has been made in view of the problems of the prior art as described above. More specifically, the present disclosure provides a shunt resistor that can suppress an increase in heat generation amount while suppressing an increase in the temperature coefficient of resistance.
  • the shunt resistor of the present disclosure includes a resistor, a first terminal portion, and a second terminal portion.
  • the resistor has a first end in a second direction that is perpendicular to the first direction, which is the thickness direction of the resistor, and a second end that is the opposite end to the first end. It has a third end and a fourth end that is the opposite end of the third end in a third direction that is orthogonal to the two directions.
  • a first terminal portion and a second terminal portion are joined to the first end and the second end, respectively.
  • a first slit is formed at the third end.
  • Each of the first terminal portion and the second terminal portion has a fifth end that is the end on the resistor side, and a sixth end that is the end on the opposite side of the fifth end.
  • a second slit extending along the second direction toward the fifth end is formed at the sixth end. The position of the second slit in the third direction is closer to the third end than the center of the resistor in the third direction.
  • the shunt resistor of the present disclosure it is possible to suppress an increase in the temperature coefficient of resistance and an increase in the amount of heat generated.
  • FIG. 1 is a perspective view of a shunt resistor 100.
  • FIG. 1 is a plan view of a shunt resistor 100.
  • FIG. 3 is a bottom view of shunt resistor 100.
  • FIG. 1 is a front view of a shunt resistor 100.
  • FIG. 3 is a manufacturing process diagram of the shunt resistor 100.
  • FIG. It is a perspective view explaining welding process S12. It is a perspective view explaining punching process S131. It is a perspective view explaining bending process S132. It is a perspective view explaining slit formation process S14. It is a perspective view explaining trimming process S2. It is a perspective view explaining slit formation process S14 and trimming process S2 concerning a modification. It is a perspective view of shunt resistor 100A.
  • FIG. 1 is a perspective view of the shunt resistor 100.
  • FIG. 2 is a plan view of shunt resistor 100.
  • FIG. 3 is a bottom view of shunt resistor 100.
  • FIG. 4 is a front view of shunt resistor 100.
  • shunt resistor 100 is a four-terminal shunt resistor.
  • the shunt resistor 100 includes a resistor 10, a first terminal portion 21, and a second terminal portion 22.
  • the resistor 10 has a flat plate shape.
  • the thickness direction of the resistor 10 is defined as a first direction DR1.
  • a direction perpendicular to the first direction DR1 is defined as a second direction DR2.
  • a direction perpendicular to the first direction DR1 and the second direction DR2 is defined as a third direction DR3.
  • the resistor 10 has, for example, a rectangular shape in plan view.
  • the resistor 10 has a first end 10a and a second end 10b.
  • the first end 10a and the second end 10b are both ends of the resistor 10 in the second direction DR2.
  • the second end 10b is the end opposite to the first end 10a.
  • the resistor 10 has a third end 10c and a fourth end 10d.
  • the third end 10c and the fourth end 10d are both ends of the resistor 10 in the third direction DR3.
  • the fourth end 10d is the end opposite to the third end 10c.
  • a first slit 10e is formed at the third end 10c.
  • the first slit 10e extends along the third direction DR3 toward the fourth end 10d.
  • the first slit 10e passes through the resistor 10 along the first direction DR1.
  • the resistor 10 is formed of a conductor.
  • the resistor 10 is formed of, for example, gelanin (registered trademark, CuMn7Sn), CuMn3, manganin (registered trademark, CuMn12Ni), NiCrAl, or the like.
  • the resistor 10 may be formed of materials other than these.
  • the constituent material of the resistor 10 may be appropriately selected depending on the required characteristics such as specific resistance and temperature coefficient of resistance.
  • the thickness of the resistor 10 is preferably 0.4 mm or more. Note that if the resistor 10 is made thicker, the first terminal portion 21 and the second terminal portion 22 must also be made thicker.
  • the length is preferably 0.6 mm or less.
  • the first terminal portion 21 is joined to the first end 10a.
  • the second terminal portion 22 is joined to the second end 10b.
  • the first terminal portion 21 and the second terminal portion 22 are joined to the resistor 10 by, for example, welding.
  • Each of the first terminal section 21 and the second terminal section 22 has a fifth end 20a and a sixth end 20b.
  • the fifth end 20a is the end on the resistor 10 side.
  • the sixth end 20b is an end opposite to the fifth end 20a.
  • a second slit 20c is formed in each of the first terminal portion 21 and the second terminal portion 22.
  • the second slit 20c penetrates the first terminal portion 21 (second terminal portion 22) along its thickness direction.
  • the width of the first terminal portion 21 in the third direction DR3 and the width of the second terminal portion 22 in the third direction DR3 are, for example, equal to the width of the resistor 10 in the third direction DR3.
  • the position of the second slit 20c in the third direction DR3 is closer to the third end 10c than the center of the resistor 10 in the third direction DR3. That is, the width of the portion of the first terminal portion 21 (second terminal portion 22) located on one side (upper side in FIG. 3) of the third direction DR3 than the second slit 20c is smaller than that of the second slit 20c. The width is smaller than the width of the first terminal portion 21 (second terminal portion 22) on the other side (lower side in FIG. 3) in the direction DR3.
  • a portion of the first terminal portion 21 (second terminal portion 22) located on one side of the second slit 20c in the third direction DR3 is a sense terminal of the first terminal portion 21 (second terminal portion 22).
  • the value of the current flowing through the shunt resistor 100 is detected based on the value of the voltage between the sense terminal of the first terminal part 21 and the sense terminal of the second terminal part 22.
  • the position of the tip of the first slit 10e in the third direction DR3 preferably overlaps with the position of the second slit 20c in the third direction DR3.
  • the position of the tip of the first slit 10e in the third direction DR3 may be closer to the fourth end 10d than the position of the second slit 20c in the third direction DR3.
  • Each of the first terminal portion 21 and the second terminal portion 22 is formed of a conductor.
  • Each of the first terminal portion 21 and the second terminal portion 22 is made of copper or a copper alloy, for example.
  • the resistor 10 has a first surface 10f and a second surface 10g.
  • the first surface 10f and the second surface 10g are end surfaces of the resistor 10 in the first direction DR1.
  • the second surface 10g is the opposite surface to the first surface 10f.
  • Each of the first terminal section 21 and the second terminal section 22 is arranged such that the sixth end 20b of the first terminal section 21 and the sixth end 20b of the second terminal section 22 face each other with a gap in the second direction DR2. It is bent inward. Note that the sixth end 20b of the first terminal portion 21 and the sixth end 20b of the second terminal portion 22 face the second surface 10g with an interval in the first direction DR1.
  • a third slit 10h may be formed at the fourth end 10d.
  • the third slit 10h extends, for example, along the third direction DR3 toward the third end 10c.
  • the length of the third slit 10h in the third direction DR3 is smaller than the length of the first slit 10e in the third direction DR3.
  • the temperature coefficient of resistance (TCR) of the shunt resistor 100 is preferably -50 ppm/°C or more and 50 ppm/°C or less. Note that the temperature coefficient of resistance of the shunt resistor 100 is measured using, for example, RM3543 manufactured by Hioki Electric. The temperature coefficient of resistance of the shunt resistor 100 is measured, for example, while it is mounted on a substrate.
  • This board includes, for example, a base material made of glass epoxy with a thickness of 1.6 mm, and a copper foil disposed on the base material and with a thickness of 35 ⁇ m.
  • FIG. 5 is a manufacturing process diagram of the shunt resistor 100. As shown in FIG. 5, the method for manufacturing the shunt resistor 100 includes a preparation step S1 and a trimming step S2. The trimming step S2 is performed after the preparation step S1.
  • the preparation step S1 includes a rolling step S11, a welding step S12, a pressing step S13, and a slit forming step S14.
  • Welding process S12 is performed after rolling process S11.
  • the pressing step S13 is performed after the welding step S12.
  • the slit forming step S14 is performed after the pressing step S13.
  • the pressing step S13 includes a punching step S131, a bending step S132, and a singulation step S133.
  • the bending process S132 is performed after the punching process S131.
  • the singulation process S133 is performed after the bending process S132.
  • the first plate member 11, the second plate member 23, and the third plate member 24 are rolled, so that the first plate member 11, the second plate member 23, and the third plate member 24 are rolled.
  • the thickness is adjusted.
  • the warpage and bending of the first plate member 11, second plate member 23, and third plate member 24 are also corrected.
  • the first plate member 11 is a plate member made of the same material as the resistor 10
  • the second plate member 23 is a plate member made of the same material as the first terminal part
  • the third plate member 24 is a plate member made of the same material as the first terminal part 21. It is a plate member made of the same material as .
  • the longitudinal direction of the first plate member 11, the second plate member 23, and the third plate member 24 is along the third direction DR3.
  • FIG. 6 is a perspective view illustrating the welding process S12. As shown in FIG. 6, in the welding step S12, the second plate member 23 and the third plate member 24 are welded to the first plate member 11. In the welding step S12, first, the first plate member 11, the second plate member 23, and the third plate member 24 are arranged along the second direction DR2. At this time, the first plate member 11 is sandwiched between the second plate member 23 and the third plate member 24.
  • the boundary between the first plate member 11 and the second plate member 23 and the boundary between the first plate member 11 and the third plate member 24 are welded. This welding is performed, for example, by scanning the laser L1 along the boundary between the first plate member 11 and the second plate member 23 and the boundary between the first plate member 11 and the third plate member 24. be exposed.
  • the first plate member 11, the second plate member 23, and the third plate member 24 are pressed.
  • FIG. 7 is a perspective view illustrating the punching step S131.
  • a plurality of second slits 20c are formed in the second plate member 23 and the third plate member 24.
  • the plurality of second slits 20c are formed so as to be spaced apart from each other in the third direction DR3.
  • the second plate member 23 is divided into a plurality of first terminal parts 21, and the third plate member 24 is divided into a plurality of second terminal parts 22.
  • FIG. 8 is a perspective view illustrating the bending step S132.
  • the sixth end 20b of the first terminal part 21 and the sixth end 20b of the second terminal part 22 are arranged so that they face each other with an interval in the second direction DR2.
  • the first terminal portion 21 and the second terminal portion 22 are bent inward.
  • the singulation step S133 the first plate member 11 is cut to obtain a plurality of shunt resistors 100.
  • FIG. 9 is a perspective view illustrating the slit forming step S14.
  • a first slit 10e is formed at the third end 10c of each of the plurality of shunt resistors 100.
  • the first slit 10e is formed, for example, by irradiating the resistor 10 with a laser L2.
  • the first slit 10e of each of the plurality of shunt resistors 100 is formed to have a constant length in the third direction DR3.
  • FIG. 10 is a perspective view illustrating the trimming step S2.
  • a third slit 10h is formed at the fourth end 10d of each of the plurality of shunt resistors 100, so that the electrical resistance value of the plurality of shunt resistors 100 is adjusted. be done.
  • the lengths of the third slits 10h of the plurality of shunt resistors 100 in the third direction DR3 may be different from each other.
  • the third slit 10h is formed, for example, by irradiating the resistor 10 with a laser L3.
  • the shunt resistor 100 having the structure shown in FIGS. 1 to 4 is manufactured. Note that after the trimming step S2 is performed, the surface of the shunt resistor 100 may be subjected to cleaning or antirust treatment.
  • FIG. 11 is a perspective view illustrating a slit forming step S14 and a trimming step S2 according to a modification.
  • the slit forming step S14 and the trimming step S2 may be performed by press working between the punching step S131 and the bending step S132.
  • the slit forming step S14 may be performed by press working between the punching step S131 and the bending step S132.
  • FIG. 12 is a perspective view of the shunt resistor 100A. As shown in FIG. 12, in the shunt resistor 100A, a first slit 10e is formed at the fourth end 10d, and a third slit 10h is formed at the third end 10c. Except for this point, the configuration of shunt resistor 100A is common to the configuration of shunt resistor 100.
  • FIG. 13 is a graph showing the relationship between the length of the first slit 10e, the surface temperature of the shunt resistor 100, and the surface temperature of the shunt resistor 100A. The graph in FIG. 13 is created based on data measured when 5 W of power is applied to the shunt resistor 100 and the shunt resistor 100A.
  • FIG. 14 is a graph showing the relationship between the length of the first slit 10e and the temperature coefficient of resistance of the shunt resistor 100 and the temperature coefficient of resistance of the shunt resistor 100A. As shown in FIGS. 13 and 14, the amount of heat generated by the shunt resistor differs depending on whether the first slit 10e is formed at the third end 10c or the first slit 10e is formed at the fourth end 10d. The behavior of the temperature coefficient of resistance is different.
  • the temperature coefficient of resistance does not easily increase even if the length of the first slit 10e becomes large. As the length increases, the amount of heat generated increases greatly. On the other hand, in the shunt resistor 100 in which the first slit 10e is formed at the third end 10c, the amount of heat generated is difficult to increase even if the length of the first slit 10e becomes large; As the value increases, the temperature coefficient of resistance increases significantly.
  • FIG. 15 is a graph showing the relationship between the length of the second slit 20c and the temperature coefficient of resistance of the shunt resistor 100.
  • the graph in FIG. 15 was calculated by CAE (Computer Aided Engineering) analysis.
  • CAE Computer Aided Engineering
  • the temperature coefficient of resistance of the shunt resistor 100 changes with the length of the second slit 20c. Therefore, in the shunt resistor 100, the increase in the temperature coefficient of resistance due to the increase in the length of the first slit 10e can be canceled by adjusting the length of the second slit 20c. Therefore, according to the shunt resistor 100, it is possible to suppress an increase in the temperature coefficient of resistance and an increase in the amount of heat generated.
  • a third slit 10h is formed at the third end 10c to adjust the electrical resistance value. Therefore, in the shunt resistor 100A, the amount of increase in the temperature coefficient of resistance due to adjustment of the electrical resistance value is large. Similarly, in the shunt resistor 100, a third slit 10h is formed to adjust the electrical resistance value. However, in the shunt resistor 100, since the third slit 10h is formed at the fourth end 10d, the amount of increase in the temperature coefficient of resistance due to the formation of the third slit 10h is small. In this way, in the shunt resistor 100, even when the electrical resistance value is adjusted by forming the third slit 10h, it is possible to suppress an increase in the temperature coefficient of resistance.
  • the electrical resistance value of the resistor 10 is calculated by specific resistance ⁇ width of the resistor 10 ⁇ (thickness of the resistor 10 ⁇ length of the resistor 10 in the second direction DR2). Therefore, the electrical resistance value of the resistor 10 can also be increased by reducing the thickness of the resistor 10 without forming the first slit 10e. However, when the thickness of the resistor 10 is reduced, the amount of heat generated in the resistor 10 increases. In the shunt resistor 100, the thickness of the resistor 10 is preferably 0.4 mm or more, so the amount of heat generated by the shunt resistor 100 is suppressed from this point of view as well.
  • the first terminal part 21 and the second terminal part 22 are arranged inwardly so that the sixth end 20b of the first terminal part 21 and the sixth end 20b of the second terminal part 22 face each other with a gap between them.
  • the shunt resistor 100 is bent, the area occupied by the shunt resistor 100 in plan view can be reduced.
  • shunt resistor 100B A shunt resistor (shunt resistor 100B) according to the second embodiment will be described below. Here, points different from the shunt resistor 100 will be mainly explained, and duplicate explanations will not be repeated.
  • FIG. 16 is a front view of the shunt resistor 100B.
  • the shunt resistor 100B includes a resistor 10, a first terminal portion 21, and a second terminal portion 22.
  • a first slit 10e is formed at the third end 10c
  • a second slit 20c is formed at the sixth end 20b
  • a third slit 10h is formed at the fourth end 10d. It is formed.
  • the configuration of shunt resistor 100B is common to the configuration of shunt resistor 100.
  • each of the first terminal portion 21 and the second terminal portion 22 has a first portion 20d and a second portion 20e.
  • the first portion 20d is a portion of the first terminal portion 21 (second terminal portion 22) that is joined to the resistor 10 and includes the fifth end 20a.
  • the second portion 20e is a portion of the first terminal portion 21 (second terminal portion 22) that continues to the first portion 20d from the side opposite to the resistor 10 and includes the sixth end 20b.
  • the first portion 20d is bent such that the sixth end 20b is further away from the resistor 10 in the first direction DR1 than the fifth end 20a.
  • the sixth end 20b of the first terminal portion 21 and the sixth end 20b of the second terminal portion 22 are located at both ends of the shunt resistor 100B in the second direction DR2, respectively. That is, in the shunt resistor 100B, the first terminal portion 21 and the second terminal portion 22 are bent outward.
  • the configuration of shunt resistor 100B differs from the configuration of shunt resistor 100.
  • the first terminal part 21 and the second terminal part 22 are bent outward, so compared to the shunt resistor 100 in which the first terminal part 21 and the second terminal part 22 are bent inward. By doing so, it is possible to reduce the height.
  • the rotary blade when the rotary blade is brought into contact with the resistor 10 to form the first slit 10e and the third slit 10h, the rotary blade is bent inward to form the first terminal portion 21 and the second terminal. Since there is a risk of contact with the portion 22, it is difficult to form the first slit 10e and the third slit 10h by cutting with the rotary blade.
  • the rotary blade can be used without contacting the first terminal part 21 and the second terminal part 22. It is possible to form a first slit 10e and a third slit 10h. In this way, according to the shunt resistor 100B, compared to the shunt resistor 100, it is possible to increase the degree of freedom in processing in the slit forming step S14 and the trimming step S2.
  • 10 resistor 10a first end, 10b second end, 10c third end, 10d fourth end, 10e first slit, 10f first surface, 10g second surface, 10h third slit, 11 first plate member, 20a fifth end, 20b sixth end, 20c second slit, 20d first part, 20e second part, 21 first terminal part, 22 second terminal part, 23 second plate member, 24 third plate member, 100 Shunt resistor, 100A shunt resistor, 100B shunt resistor, DR1 first direction, DR2 second direction, DR3 third direction, L1, L2, L3 laser, S1 preparation process, S11 rolling process, S12 welding process, S13 press Process, S131 punching process, S132 process, S133 singulation process, S14 slit forming process, S2 trimming process.

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Abstract

シャント抵抗器は、抵抗体と、第１端子部及び第２端子部とを備える。抵抗体は、抵抗体の厚さ方向である第１方向に直交している第２方向において第１端と第１端の反対側の端である第２端を有するとともに、第１方向及び第２方向に直交している第３方向において第３端と第３端の反対側の端である第４端とを有する。第１端及び第２端には、それぞれ、第１端子部及び第２端子部が接合されている。第３端には、第１スリットが形成されている。第１端子部及び第２端子部の各々は、抵抗体側の端である第５端と、第５端の反対側の端である第６端とを有する。第６端には、第５端側に向かって第２方向に沿って延在している第２スリットが形成されている。第２スリットの第３方向における位置は、抵抗体の第３方向における中央よりも第３端の近くにある。

Description

シャント抵抗器及びシャント抵抗器の製造方法
　本開示は、シャント抵抗器及びシャント抵抗器の製造方法に関する。
　例えば、米国特許第５９９９０８５号明細書（特許文献１）には、抵抗器が記載されている。特許文献１に記載の抵抗器は、抵抗板と、第１パッド及び第２パッドとを有している。抵抗板は、平面視において、矩形状である。抵抗板は、抵抗板の厚さ方向である第１方向に直交している第２方向において、第１端と、第１端の反対側の端である第２端とを有している。抵抗板は、第１方向及び第２方向に直交している第２方向において、第３端と、第３端の反対側の端である第４端とを有している。第４端には、第１スリットが形成されている。
　第１端及び第２端には、第１パッド及び第２パッドが接合されている。第１パッド及び第２パッドの各々は、抵抗体板側の端である第５端と、第５端の反対側の端である第６端とを有している。第６端には、第５端側に向かって第２方向に沿って延在している第２スリットが形成されている。
　第１パッド及び第２パッドの各々は、第２スリットにより、電流パッドとセンスパッドとに区分されている。第１パッドのセンスパッドと第２パッドのセンスパッドとの間の電圧を測定することにより、特許文献１に記載の抵抗器を流れる電流が測定される。すなわち、特許文献１に記載の抵抗器は、シャント抵抗器である。第２スリットの第３方向における位置は、抵抗板の第３方向における中央よりも第３端側にある。
米国特許第５９９９０８５号明細書
　第１スリットを第３端に形成した場合と第１スリットを第４端に形成した場合とで、特許文献１に記載のシャント抵抗器における発熱量及び抵抗温度係数の挙動が異なる。より具体的には、特許文献１に記載の抵抗器では、第１スリットが第４端に形成されていることにより、抵抗温度係数の増加量が小さいが、発熱の増加量が大きい。
　本開示は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本開示は、抵抗温度係数の増加を抑制しつつ、発熱量の増加も抑制することが可能なシャント抵抗器を提供するものである。
　本開示のシャント抵抗器は、抵抗体と、第１端子部及び第２端子部とを備えている。抵抗体は、抵抗体の厚さ方向である第１方向に直交している第２方向において第１端と第１端の反対側の端である第２端を有するとともに、第１方向及び第２方向に直交している第３方向において第３端と第３端の反対側の端である第４端とを有する。第１端及び第２端には、それぞれ第１端子部及び第２端子部が接合されている。第３端には、第１スリットが形成されている。第１端子部及び第２端子部の各々は、抵抗体側の端である第５端と、第５端の反対側の端である第６端とを有する。第６端には、第５端側に向かって第２方向に沿って延在している第２スリットが形成されている。第２スリットの第３方向における位置は、抵抗体の第３方向における中央よりも第３端の近くにある。
　本開示のシャント抵抗器によると、抵抗温度係数の増加を抑制しつつ、発熱量の増加も抑制することが可能である。
シャント抵抗器１００の斜視図である。 シャント抵抗器１００の平面図である。 シャント抵抗器１００の底面図である。 シャント抵抗器１００の正面図である。 シャント抵抗器１００の製造工程図である。 溶接工程Ｓ１２を説明する斜視図である。 打ち抜き工程Ｓ１３１を説明する斜視図である。 曲げ工程Ｓ１３２を説明する斜視図である。 スリット形成工程Ｓ１４を説明する斜視図である。 トリミング工程Ｓ２を説明する斜視図である。 変形例に係るスリット形成工程Ｓ１４及びトリミング工程Ｓ２を説明する斜視図である。 シャント抵抗器１００Ａの斜視図である。 第１スリット１０ｅの長さとシャント抵抗器１００の表面温度及びシャント抵抗器１００Ａの表面温度との関係を示すグラフである。 第１スリット１０ｅの長さとシャント抵抗器１００の抵抗温度係数及びシャント抵抗器１００Ａの抵抗温度係数との関係を示すグラフである。 第２スリット２０ｃの長さとシャント抵抗器１００の抵抗温度係数との関係を示すグラフである。 シャント抵抗器１００Ｂの正面図である。
　本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。
　（第１実施形態）
　以下に、第１実施形態に係るシャント抵抗器（シャント抵抗器１００）を説明する。
　＜シャント抵抗器１００の構成＞
　以下に、シャント抵抗器１００の構成を説明する。
　図１は、シャント抵抗器１００の斜視図である。図２は、シャント抵抗器１００の平面図である。図３は、シャント抵抗器１００の底面図である。図４は、シャント抵抗器１００の正面図である。図１から図４に示されるように、シャント抵抗器１００は、４端子のシャント抵抗器である。シャント抵抗器１００は、抵抗体１０と、第１端子部２１と、第２端子部２２とを有している。
　抵抗体１０は、平板状である。抵抗体１０の厚さ方向を、第１方向ＤＲ１とする。第１方向ＤＲ１に直交している方向を、第２方向ＤＲ２とする。第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２に直交している方向を、第３方向ＤＲ３とする。抵抗体１０は、平面視において、例えば矩形状になっている。
　抵抗体１０は、第１端１０ａと第２端１０ｂとを有している。第１端１０ａ及び第２端１０ｂは、第２方向ＤＲ２における抵抗体１０の両端である。第２端１０ｂは、第１端１０ａの反対側の端である。抵抗体１０は、第３端１０ｃと第４端１０ｄとを有している。第３端１０ｃ及び第４端１０ｄは、第３方向ＤＲ３における抵抗体１０の両端である。第４端１０ｄは、第３端１０ｃの反対側の端である。
　第３端１０ｃには、第１スリット１０ｅが形成されている。第１スリット１０ｅは、例えば、第４端１０ｄに向かって第３方向ＤＲ３に沿って延在している。第１スリット１０ｅは、抵抗体１０を第１方向ＤＲ１に沿って貫通している。
　抵抗体１０は、導体により形成されている。抵抗体１０は、例えば、ゼラニン（登録商標、ＣｕＭｎ７Ｓｎ）、ＣｕＭｎ３、マンガニン（登録商標、ＣｕＭｎ１２Ｎｉ）、ＮｉＣｒＡｌ等により形成されている。但し、抵抗体１０は、これら以外の材料により形成されていてもよい。抵抗体１０の構成材料は、求められる比抵抗、抵抗温度係数等の特性に応じて、適宜選択されればよい。抵抗体１０の厚さは、好ましくは、０．４ｍｍ以上である。なお、抵抗体１０を厚くすると第１端子部２１及び第２端子部２２も厚くする必要があるため、第１端子部２１及び第２端子部２２の加工性を考慮し、抵抗体１０の厚さは、０．６ｍｍ以下であることが好ましい。
　第１端子部２１は、第１端１０ａに接合されている。第２端子部２２は、第２端１０ｂに接合されている。第１端子部２１及び第２端子部２２と抵抗体１０との間の接合は、例えば、溶接により行われる。第１端子部２１及び第２端子部２２の各々は、第５端２０ａと、第６端２０ｂとを有している。第５端２０ａは、抵抗体１０側の端である。第６端２０ｂは、第５端２０ａの反対側の端である。第１端子部２１及び第２端子部２２の各々には、第２スリット２０ｃが形成されている。第２スリット２０ｃは、第１端子部２１（第２端子部２２）をその厚さ方向に沿って貫通している。第１端子部２１の第３方向ＤＲ３における幅及び第２端子部２２の第３方向ＤＲ３における幅は、例えば、抵抗体１０の第３方向ＤＲ３における幅と等しい。
　第２スリット２０ｃの第３方向ＤＲ３における位置は、抵抗体１０の第３方向ＤＲ３における中央よりも、第３端１０ｃ側にある。すなわち、第２スリット２０ｃよりも第３方向ＤＲ３の一方側（図３中の上側）にある第１端子部２１（第２端子部２２）の部分の幅は、第２スリット２０ｃよりも第３方向ＤＲ３の他方側（図３中の下側）にある第１端子部２１（第２端子部２２）の部分の幅よりも小さくなっている。第２スリット２０ｃよりも第３方向ＤＲ３の一方側にある第１端子部２１（第２端子部２２）の部分は、第１端子部２１（第２端子部２２）のセンス端子である。シャント抵抗器１００は、第１端子部２１のセンス端子と第２端子部２２のセンス端子との間の電圧の値に基づいて、シャント抵抗器１００を流れる電流の値が検知される。
　第１スリット１０ｅの先端の第３方向ＤＲ３における位置は、好ましくは、第２スリット２０ｃの第３方向ＤＲ３における位置と重なっている。第１スリット１０ｅの先端の第３方向ＤＲ３における位置は、第２スリット２０ｃの第３方向ＤＲ３における位置よりも第４端１０ｄの近くにあってもよい。第１端子部２１及び第２端子部２２の各々は、導体により形成されている。第１端子部２１及び第２端子部２２の各々は、例えば、銅又は銅合金より形成されている。
　抵抗体１０は、第１面１０ｆと第２面１０ｇとを有している。第１面１０ｆ及び第２面１０ｇは、抵抗体１０の第１方向ＤＲ１における端面である。第２面１０ｇは、第１面１０ｆの反対面である。第１端子部２１及び第２端子部２２の各々は、第１端子部２１の第６端２０ｂと第２端子部２２の第６端２０ｂとが第２方向ＤＲ２において間隔を空けて対向するように、内側に曲げられている。なお、第１端子部２１の第６端２０ｂ及び第２端子部２２の第６端２０ｂは、第１方向ＤＲ１において、第２面１０ｇと間隔を空けて対向している。
　第４端１０ｄには、第３スリット１０ｈが形成されていてもよい。第３スリット１０ｈは、例えば、第３端１０ｃに向かって第３方向ＤＲ３に沿って延在している。第３スリット１０ｈの第３方向ＤＲ３における長さは、第１スリット１０ｅの第３方向ＤＲ３における長さよりも小さい。
　シャント抵抗器１００の抵抗温度係数（ＴＣＲ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｅｆｆｃｉｅｎｔ　ｏｆ　Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）は、好ましくは、－５０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である。なお、シャント抵抗器１００の抵抗温度係数は、例えば、日置電機製のＲＭ３５４３を用いて測定される。シャント抵抗器１００の抵抗温度係数は、例えば、基板上に実装された状態で測定される。この基板は、例えば、厚さが１．６ｍｍのガラスエポキシ製の基材と、当該基材上に配置され、かつ厚さが３５μｍの銅箔とを有している。
　＜シャント抵抗器１００の製造方法＞
　以下に、シャント抵抗器１００の製造方法を説明する。
　図５は、シャント抵抗器１００の製造工程図である。図５に示されるように、シャント抵抗器１００の製造方法は、準備工程Ｓ１と、トリミング工程Ｓ２とを有している。トリミング工程Ｓ２は、準備工程Ｓ１の後に行われる。
　準備工程Ｓ１では、複数のシャント抵抗器１００が準備される。但し、準備工程Ｓ１において準備される複数のシャント抵抗器１００では、第３スリット１０ｈが形成されていない。準備工程Ｓ１は、圧延工程Ｓ１１と、溶接工程Ｓ１２と、プレス工程Ｓ１３と、スリット形成工程Ｓ１４とを有している。溶接工程Ｓ１２は、圧延工程Ｓ１１の後に行われる。プレス工程Ｓ１３は、溶接工程Ｓ１２の後に行われる。スリット形成工程Ｓ１４は、プレス工程Ｓ１３の後に行われる。
　プレス工程Ｓ１３は、打ち抜き工程Ｓ１３１と、曲げ工程Ｓ１３２と、個片化工程Ｓ１３３とを有している。曲げ工程Ｓ１３２は、打ち抜き工程Ｓ１３１の後に行われる。個片化工程Ｓ１３３は、曲げ工程Ｓ１３２の後に行われる。
　圧延工程Ｓ１１では、第１板部材１１、第２板部材２３及び第３板部材２４に対して圧延が行われることにより、第１板部材１１、第２板部材２３及び第３板部材２４の厚さの調整が行われる。この際に、第１板部材１１、第２板部材２３及び第３板部材２４の反りや曲がりも矯正される。第１板部材１１は、抵抗体１０と同一材料の板部材であり、第２板部材２３は第１端子部２１と同一材料の板部材であり、第３板部材２４は第２端子部２２と同一材料の板部材である。第１板部材１１、第２板部材２３及び第３板部材２４の長手方向は、第３方向ＤＲ３に沿っている。
　図６は、溶接工程Ｓ１２を説明する斜視図である。図６に示されるように、溶接工程Ｓ１２では、第２板部材２３及び第３板部材２４が、第１板部材１１に溶接される。溶接工程Ｓ１２では、第１に、第１板部材１１、第２板部材２３及び第３板部材２４が、第２方向ＤＲ２に沿って並べられる。この際、第１板部材１１は、第２板部材２３と第３板部材２４との間に挟み込まれている。
　第２に、第１板部材１１と第２板部材２３との間の境界及び第１板部材１１と第３板部材２４との間の境界が溶接される。この溶接は、例えば、第１板部材１１と第２板部材２３との間の境界及び第１板部材１１と第３板部材２４との間の境界に沿ってレーザＬ１を走査することにより行われる。
　プレス工程Ｓ１３では、第１板部材１１、第２板部材２３及び第３板部材２４に対するプレス加工が行われる。
　図７は、打ち抜き工程Ｓ１３１を説明する斜視図である。図７に示されるように、打ち抜き工程Ｓ１３１では、第１に、第２板部材２３及び第３板部材２４に複数の第２スリット２０ｃが形成される。複数の第２スリット２０ｃは、第３方向ＤＲ３において間隔を空けて並ぶように形成される。第２に、第２板部材２３が複数の第１端子部２１に分割されるとともに、第３板部材２４が複数の第２端子部２２に分割される。
　図８は、曲げ工程Ｓ１３２を説明する斜視図である。図８に示されるように、曲げ工程Ｓ１３２では、第１端子部２１の第６端２０ｂと第２端子部２２の第６端２０ｂとが第２方向ＤＲ２において間隔を空けて対向するように、第１端子部２１及び第２端子部２２が内側に曲げられる。個片化工程Ｓ１３３では、第１板部材１１が切断されることにより、複数のシャント抵抗器１００が得られる。
　図９は、スリット形成工程Ｓ１４を説明する斜視図である。図９に示されるように、スリット形成工程Ｓ１４では、複数のシャント抵抗器１００の各々の第３端１０ｃに第１スリット１０ｅが形成される。第１スリット１０ｅは、例えば、抵抗体１０にレーザＬ２を照射することにより形成される。複数のシャント抵抗器１００の各々の第１スリット１０ｅは、第３方向ＤＲ３における長さが一定となるように形成される。
　図１０は、トリミング工程Ｓ２を説明する斜視図である。図１０に示されるように、トリミング工程Ｓ２では、複数のシャント抵抗器１００の各々の第４端１０ｄに第３スリット１０ｈが形成されることにより、複数のシャント抵抗器１００の電気抵抗値が調整される。複数のシャント抵抗器１００の各々の第３スリット１０ｈの第３方向ＤＲ３における長さは、互いに異なっていてもよい。第３スリット１０ｈは、例えば、抵抗体１０にレーザＬ３を照射することにより形成される。以上により、図１から図４に示される構造のシャント抵抗器１００が製造される。なお、トリミング工程Ｓ２が行われた後、シャント抵抗器１００の表面に対しては、洗浄や防錆処理が行われてもよい。
　図１１は、変形例に係るスリット形成工程Ｓ１４及びトリミング工程Ｓ２を説明する斜視図である。図１１に示されるように、スリット形成工程Ｓ１４及びトリミング工程Ｓ２は、打ち抜き工程Ｓ１３１と曲げ工程Ｓ１３２との間で、プレス加工により行われてもよい。図示されていないが、スリット形成工程Ｓ１４が打ち抜き工程Ｓ１３１と曲げ工程Ｓ１３２との間でプレス加工により行われてもよい。
　＜シャント抵抗器１００の効果＞
　以下に、シャント抵抗器１００の効果を、比較例に係るシャント抵抗器と対比しながら説明する。比較例に係るシャント抵抗器を、シャント抵抗器１００Ａとする。図１２は、シャント抵抗器１００Ａの斜視図である。図１２に示されるように、シャント抵抗器１００Ａでは、第１スリット１０ｅが第４端１０ｄに形成されているとともに、第３スリット１０ｈが第３端１０ｃに形成されている。この点を除き、シャント抵抗器１００Ａの構成は、シャント抵抗器１００の構成と共通している。
　図１３は、第１スリット１０ｅの長さとシャント抵抗器１００の表面温度及びシャント抵抗器１００Ａの表面温度との関係を示すグラフである。図１３のグラフは、シャント抵抗器１００及びシャント抵抗器１００Ａに５Ｗの電力が加えられた状態で測定されたデータに基づいて作成されている。図１４は、第１スリット１０ｅの長さとシャント抵抗器１００の抵抗温度係数及びシャント抵抗器１００Ａの抵抗温度係数との関係を示すグラフである。図１３及び図１４に示されるように、第１スリット１０ｅが第３端１０ｃに形成される場合と第１スリット１０ｅが第４端１０ｄに形成される場合とで、シャント抵抗器の発熱量及び抵抗温度係数の挙動が異なっている。
　より具体的には、第１スリット１０ｅが第４端１０ｄに形成されるシャント抵抗器１００Ａでは、第１スリット１０ｅの長さが大きくなっても抵抗温度係数が大きくなりにくいが、第１スリット１０ｅの長さが大きくなると発熱量が大きく増加する。他方で、第１スリット１０ｅが第３端１０ｃに形成されるシャント抵抗器１００では、第１スリット１０ｅの長さが大きくなっても発熱量は増加しにくいが、第１スリット１０ｅの長さが大きくなると抵抗温度係数が大きく増加する。
　図１５は、第２スリット２０ｃの長さとシャント抵抗器１００の抵抗温度係数との関係を示すグラフである。図１５のグラフは、ＣＡＥ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ　Ａｉｄｅｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）解析により算出された。図１５に示されるように、シャント抵抗器１００の抵抗温度係数は、第２スリット２０ｃの長さに伴って変化する。そのため、シャント抵抗器１００では、第１スリット１０ｅの長さが大きくなることに伴う抵抗温度係数の増加を、第２スリット２０ｃの長さを調整することによりキャンセル可能である。そのため、シャント抵抗器１００によると、抵抗温度係数の増加を抑制しつつ、発熱量の増加も抑制することが可能である。
　シャント抵抗器１００Ａでは、電気抵抗値の調整のために第３スリット１０ｈが第３端１０ｃに形成される。そのため、シャント抵抗器１００Ａでは、電気抵抗値の調整に伴う抵抗温度係数の増加量が大きい。シャント抵抗器１００でも、同様に電気抵抗値の調整のために第３スリット１０ｈが形成される。しかしながら、シャント抵抗器１００では第３スリット１０ｈが第４端１０ｄに形成されるため、第３スリット１０ｈの形成に伴う抵抗温度係数の増加量が小さい。このように、シャント抵抗器１００では、第３スリット１０ｈの形成による電気抵抗値の調整が行われる場合でも、抵抗温度係数の増加を抑制することが可能である。
　抵抗体１０の電気抵抗値は、比抵抗×抵抗体１０の幅÷（抵抗体１０の厚さ×抵抗体１０の第２方向ＤＲ２における長さ）により算出される。そのため、抵抗体１０の電気抵抗値は、第１スリット１０ｅを形成せずに抵抗体１０の厚さを小さくすることによっても増加させることができる。しかしながら、抵抗体１０の厚さを小さくなると、抵抗体１０における発熱量が増加してしまう。シャント抵抗器１００では、好ましくは抵抗体１０の厚さが０．４ｍｍ以上となっているため、シャント抵抗器１００の発熱量は、この観点からも抑制されることになる。
　シャント抵抗器１００において第１端子部２１の第６端２０ｂと第２端子部２２の第６端２０ｂとが間隔を空けて対向するように第１端子部２１及び第２端子部２２が内側に曲げられている場合、平面視におけるシャント抵抗器１００の占有面積を小さくすることが可能となる。
　（第２実施形態）
　以下に、第２実施形態に係るシャント抵抗器（シャント抵抗器１００Ｂ）を説明する。ここでは、シャント抵抗器１００と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。
　＜シャント抵抗器１００Ｂの構成＞
　以下に、シャント抵抗器１００Ｂの構成を説明する。
　図１６は、シャント抵抗器１００Ｂの正面図である。図１６に示されているように、シャント抵抗器１００Ｂは、抵抗体１０と、第１端子部２１及び第２端子部２２とを有している。図１６に図示されていないが、第３端１０ｃには第１スリット１０ｅが形成されており、第６端２０ｂに第２スリット２０ｃが形成されており、第４端１０ｄに第３スリット１０ｈが形成されている。これらの点に関して、シャント抵抗器１００Ｂの構成は、シャント抵抗器１００の構成と共通している。
　シャント抵抗器１００Ｂでは、第１端子部２１及び第２端子部２２の各々が、第１部分２０ｄと、第２部分２０ｅとを有している。第１部分２０ｄは、抵抗体１０に接合され、かつ第５端２０ａを含む第１端子部２１（第２端子部２２）の部分である。第２部分２０ｅは、抵抗体１０と反対側から第１部分２０ｄに連なり、かつ第６端２０ｂを含む第１端子部２１（第２端子部２２）の部分である。
　第１部分２０ｄは、第６端２０ｂが第５端２０ａよりも第１方向ＤＲ１において抵抗体１０から離れるように曲げられている。シャント抵抗器１００Ｂでは、第１端子部２１の第６端２０ｂ及び第２端子部２２の第６端２０ｂが、それぞれ、第２方向ＤＲ２におけるシャント抵抗器１００Ｂの両端にある。すなわち、シャント抵抗器１００Ｂでは、第１端子部２１及び第２端子部２２が外側に曲げられている。これらの点に関して、シャント抵抗器１００Ｂの構成は、シャント抵抗器１００の構成と異なっている。
　＜シャント抵抗器１００Ｂの効果＞
　以下に、シャント抵抗器１００Ｂの効果を説明する。
　シャント抵抗器１００Ｂでは、第１端子部２１及び第２端子部２２が外側に曲げられているため、第１端子部２１及び第２端子部２２が内側に曲げられているシャント抵抗器１００と比較して、低背化が可能である。
　シャント抵抗器１００では、回転刃を抵抗体１０に接触させて第１スリット１０ｅ及び第３スリット１０ｈを形成しようとすると、当該回転刃が内側に曲げられている第１端子部２１及び第２端子部２２に接触してしまうおそれがあるため、第１スリット１０ｅ及び第３スリット１０ｈを当該回転刃による切削加工により形成することが困難である。
　他方で、シャント抵抗器１００Ｂでは、第１端子部２１及び第２端子部２２が外側に曲げられているため、第１端子部２１及び第２端子部２２と接触することなく上記の回転刃により第１スリット１０ｅ及び第３スリット１０ｈを形成することが可能である。このように、シャント抵抗器１００Ｂによると、シャント抵抗器１００と比較して、スリット形成工程Ｓ１４及びトリミング工程Ｓ２における加工の自由度を高めることが可能である。
　以上のように本開示の実施形態について説明を行ったが、上述の実施形態を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は、上述の実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むことが意図される。
　１０　抵抗体、１０ａ　第１端、１０ｂ　第２端、１０ｃ　第３端、１０ｄ　第４端、１０ｅ　第１スリット、１０ｆ　第１面、１０ｇ　第２面、１０ｈ　第３スリット、１１　第１板部材、２０ａ　第５端、２０ｂ　第６端、２０ｃ　第２スリット、２０ｄ　第１部分、２０ｅ　第２部分、２１　第１端子部、２２　第２端子部、２３　第２板部材、２４　第３板部材、１００　シャント抵抗器、１００Ａ　シャント抵抗器、１００Ｂ　シャント抵抗器、ＤＲ１　第１方向、ＤＲ２　第２方向、ＤＲ３　第３方向、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３　レーザ、Ｓ１　準備工程、Ｓ１１　圧延工程、Ｓ１２　溶接工程、Ｓ１３　プレス工程、Ｓ１３１　打ち抜き工程、Ｓ１３２　工程、Ｓ１３３　個片化工程、Ｓ１４　スリット形成工程、Ｓ２　トリミング工程。

Claims (8)

  1. 　シャント抵抗器であって、
    　抵抗体と、
    　第１端子部及び第２端子部とを備え、
    　前記抵抗体は、前記抵抗体の厚さ方向である第１方向に直交している第２方向において第１端と前記第１端の反対側の端である第２端を有するとともに、前記第１方向及び前記第２方向に直交している第３方向において第３端と前記第３端の反対側の端である第４端とを有し、
    　前記第１端及び前記第２端には、それぞれ、前記第１端子部及び前記第２端子部が接合されており、
    　前記第３端には、第１スリットが形成されており、
    　前記第１端子部及び前記第２端子部の各々は、前記抵抗体側の端である第５端と、前記第５端の反対側の端である第６端とを有し、
    　前記第６端には、前記第５端側に向かって前記第２方向に沿って延在している第２スリットが形成されており、
    　前記第２スリットの前記第３方向における位置は、前記抵抗体の前記第３方向における中央よりも前記第３端の近くにある、シャント抵抗器。
  2. 　前記第１スリットの先端の前記第３方向における位置は、前記第２スリットの前記第３方向における位置と重なっている又は前記第２スリットの前記第３方向における位置よりも前記第４端側にある、請求項１に記載のシャント抵抗器。
  3. 　前記第４端には、前記第３端側に向かって前記第３方向に沿って延在している第３スリットが形成されており、
    　前記第３スリットの前記第３方向における長さは、前記第１スリットの前記第３方向における長さよりも小さい、請求項１又は請求項２に記載のシャント抵抗器。
  4. 　前記抵抗体の厚さは、０．４ｍｍ以上である、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載のシャント抵抗器。
  5. 　前記第１端子部及び前記第２端子部の各々は、前記第１端子部の前記第６端と前記第２端子部の前記第６端とが前記第２方向において間隔を空けて対向するように、内側に曲げられている、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載のシャント抵抗器。
  6. 　前記第１端子部及び前記第２端子部の各々は、前記抵抗体に接合され、かつ前記第５端を含む第１部分と、前記抵抗体と反対側から前記第１部分に連なり、かつ前記第６端を含む第２部分とを有し、
    　前記第１部分は、前記第６端が前記第１方向において前記第５端よりも前記抵抗体から離れ、かつ前記第６端が前記シャント抵抗器の前記第１方向における端に位置するように曲げられている、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載のシャント抵抗器。
  7. 　前記シャント抵抗器の抵抗温度係数は、－５０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である、請求項１～請求項６のいずれか１項に記載のシャント抵抗器。
  8. 　複数のシャント抵抗器を準備する工程と、
    　トリミング工程とを備え、
    　前記複数のシャント抵抗器の各々は、抵抗体と、第１端子部及び第２端子部とを備え、
    　前記抵抗体は、前記抵抗体の厚さ方向である第１方向に直交している第２方向において第１端と前記第１端の反対側の端である第２端を有するとともに、前記第１方向及び前記第２方向に直交している第３方向において第３端と前記第３端の反対側の端である第４端とを有し、
    　前記第１端及び前記第２端には、それぞれ、前記第１端子部及び前記第２端子部が接合されており、
    　前記第３端には、第１スリットが形成されており、
    　前記第１端子部及び前記第２端子部の各々は、前記抵抗体側の端である第５端と、前記第５端の反対側の端である第６端とを有し、
    　前記第６端には、前記第５端側に向かって前記第２方向に沿って延在している第２スリットが形成されており、
    　前記第２スリットの前記第３方向における位置は、前記抵抗体の前記第３方向における中央よりも前記第３端の近くにあり、
    　前記複数のシャント抵抗器の各々では、前記第１スリットの前記第２方向における長さが一定になっており、
    　前記トリミング工程では、前記複数のシャント抵抗器の各々の前記第４端に第３スリットが形成されることにより、前記複数のシャント抵抗器の各々の電気抵抗値が調整され、
    　前記第３スリットの前記第３方向における長さは、前記第１スリットの前記第３方向における長さよりも小さい、シャント抵抗器の製造方法。
PCT/JP2023/007058 2022-03-29 2023-02-27 シャント抵抗器及びシャント抵抗器の製造方法 WO2023189093A1 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008182077A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属板抵抗器
WO2016129168A1 (ja) * 2015-02-10 2016-08-18 Koa株式会社 抵抗器及びその製造方法

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