WO2023181957A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2023181957A1
WO2023181957A1 PCT/JP2023/008997 JP2023008997W WO2023181957A1 WO 2023181957 A1 WO2023181957 A1 WO 2023181957A1 JP 2023008997 W JP2023008997 W JP 2023008997W WO 2023181957 A1 WO2023181957 A1 WO 2023181957A1
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WO
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semiconductor device
protrusion
lead
recess
bonding
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/008997
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
弘匡 河野
Original Assignee
ローム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor

Definitions

  • the present disclosure relates to a semiconductor device.
  • Patent Document 1 discloses an example of a semiconductor device (power module) in which a plurality of semiconductor elements are bonded to a conductor layer.
  • the semiconductor device includes a plurality of connection metal members (conducting members) joined to a conductor layer and a plurality of semiconductor elements. This allows a larger current to flow through the plurality of semiconductor elements.
  • any of the plurality of connecting metal members may rotate relative to the electrode of the semiconductor element to be bonded.
  • the connecting metal member rotates, shear stress is generated at the interface between the electrode of the semiconductor element and the connecting metal member.
  • the shear stress increases.
  • the shear stress concentrates on the semiconductor element, which may cause problems such as cracks in the semiconductor element.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that is improved over the conventional semiconductor device. Particularly, in view of the above circumstances, one object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that can suppress rotation of a conductive member with respect to a semiconductor element during manufacturing of the device.
  • a semiconductor device provided by one aspect of the present disclosure includes a semiconductor element, a first lead separated from the semiconductor element, a conductive member that connects the semiconductor element and the first lead, and a conductive member that connects the semiconductor element and the first lead. and a first bonding layer that electrically connects the conductive member.
  • the first lead has a bonding surface facing in a first direction and a recessed portion recessed from the bonding surface.
  • the conductive member includes a first joint portion facing the joint surface, and a first protrusion protruding from the first joint portion. At least a portion of the first bonding layer is accommodated in the recess, and when viewed in the first direction, the first protrusion overlaps the first bonding layer accommodated in the recess.
  • FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure, through which a sealing resin is seen.
  • FIG. 2 is a plan view corresponding to FIG. 1, and further shows the conductive member, the first bonding layer, and the second bonding layer.
  • FIG. 3 is a bottom view of the semiconductor device shown in FIG. 1.
  • 4 is a right side view of the semiconductor device shown in FIG. 1.
  • FIG. 5 is a rear view of the semiconductor device shown in FIG. 1.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG.
  • FIG. 9 is a partially enlarged view of FIG. 6.
  • FIG. 10 is a perspective view of a conductive member included in the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 11 is a partially enlarged view of FIG. 1.
  • FIG. 12 is a sectional view taken along line XII-XII in FIG. 11.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII in FIG. 11.
  • FIG. 14 is a sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 11.
  • FIG. 15 is a partially enlarged sectional view of a modification of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 16 is a partially enlarged plan view of the semiconductor device according to the second embodiment of the present disclosure, through which the sealing resin is seen.
  • FIG. 10 is a perspective view of a conductive member included in the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 11 is a partially enlarged view of FIG. 1.
  • FIG. 12 is a sectional view taken along line XII-XI
  • FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line XVII-XVII in FIG. 16.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line XVIII-XVIII in FIG. 16.
  • FIG. 19 is a partially enlarged plan view of a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure, through which the sealing resin is seen.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX in FIG. 19.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view taken along line XXI-XXI in FIG. 19.
  • a semiconductor device A10 according to a first embodiment of the present disclosure will be described based on FIGS. 1 to 14.
  • the semiconductor device A10 is used in electronic equipment including a power conversion circuit, such as a DC-DC converter.
  • the semiconductor device A10 includes a semiconductor element 10, a conductive member 30, a first lead 21, a second lead 22, a die pad 23, a conductive bonding layer 29, a first bonding layer 61, a second bonding layer 62, a wire 40, and a sealing resin 50. Equipped with Here, in FIG. 1, for convenience of understanding, the sealing resin 50 is shown.
  • FIG. 2 further shows the conductive member 30, the first bonding layer 61, and the second bonding layer 62 compared to FIG.
  • the transparent sealing resin 50 is shown by an imaginary line (two-dot chain line).
  • the transparent conductive member 30 is shown with imaginary lines.
  • first direction z An example of a direction perpendicular to the first direction z is referred to as a "second direction x.”
  • second direction x An example of a direction perpendicular to the first direction z and the second direction x is referred to as a "third direction y.”
  • the semiconductor element 10 is mounted on the die pad 23, as shown in FIGS. 1, 2, 6, and 7.
  • the semiconductor element 10 is, for example, a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
  • the semiconductor element 10 may be a switching element such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) or a diode.
  • the semiconductor element 10 is an n-channel type MOSFET with a vertical structure.
  • Semiconductor element 10 includes a compound semiconductor substrate.
  • the composition of the compound semiconductor substrate includes silicon carbide (SiC).
  • the semiconductor element 10 has a first electrode 11, a second electrode 12, and a gate electrode 13.
  • the first electrode 11 is located on one side in the first direction z. A current corresponding to the power converted by the semiconductor element 10 flows through the first electrode 11 . That is, the first electrode 11 corresponds to the source electrode of the semiconductor element 10.
  • the first electrode 11 includes multiple metal plating layers.
  • the first electrode 11 includes a nickel (Ni) plating layer and a gold (Au) plating layer laminated on the nickel plating layer.
  • the first electrode 11 may include a nickel plating layer, a palladium (Pd) plating layer laminated on the nickel plating layer, and a gold plating layer laminated on the palladium plating layer. .
  • the second electrode 12 is located on the opposite side to the first electrode 11 in the first direction z, and faces the die pad 23. A current corresponding to the power before being converted by the semiconductor element 10 flows through the second electrode 12 . That is, the second electrode 12 corresponds to the drain electrode of the semiconductor element 10.
  • the gate electrode 13 is located on the same side as the first electrode 11 in the first direction z.
  • a gate voltage for driving the semiconductor element 10 is applied to the gate electrode 13 .
  • the area of the gate electrode 13 is smaller than the area of the first electrode 11 when viewed in the first direction z.
  • the first lead 21, the second lead 22, and the die pad 23 are constructed from the same lead frame.
  • the lead frame is made of copper (Cu) or a copper alloy. Therefore, the compositions of the first lead 21, the second lead 22, and the die pad 23 include copper.
  • the first lead 21 is located on one side in the third direction y, as shown in FIGS. 1 and 2.
  • the first lead 21 is electrically connected to the first electrode 11 of the semiconductor element 10 via the conductive member 30. Therefore, the first lead 21 forms a source terminal of the semiconductor device A10.
  • the first lead 21 has a first bonding surface 211, a first mounting surface 212, a plurality of first end surfaces 213, a first thin part 214, and a recess 215.
  • the first joint surface 211 faces the side facing the conductive member 30 in the first direction z.
  • a plating layer containing nickel, silver (Ag), or the like in its composition may be provided on the first bonding surface 211.
  • the first mounting surface 212 faces the opposite side from the first bonding surface 211 in the first direction z.
  • a plating layer containing tin (Sn) or the like may be provided on the first mounting surface 212 exposed from the sealing resin 50.
  • the plurality of first end surfaces 213 face the side opposite to the side where the semiconductor element 10 is located in the third direction y.
  • the plurality of first end surfaces 213 are connected to the first bonding surface 211 and the first mounting surface 212.
  • the plurality of first end surfaces 213 are arranged along the second direction x. As shown in FIG. 4, the plurality of first end surfaces 213 are exposed from the sealing resin 50.
  • the first thin portion 214 has an eave shape that extends from the first mounting surface 212 in a direction perpendicular to the first direction z when viewed in the first direction z. .
  • a portion of the first joint surface 211 is included in the second thin portion 224.
  • the first thin portion 214 includes an intermediate surface 214A and an exposed surface 214B. As shown in FIGS. 6 and 8, the intermediate surface 214A faces opposite to the first bonding surface 211 in the first direction z. The intermediate surface 214A is located between the first bonding surface 211 and the first mounting surface 212 in the first direction z. The intermediate surface 214A is in contact with the sealing resin 50. The exposed surface 214B is connected to the first joint surface 211 and the intermediate surface 214A, and faces the second direction x. The exposed surface 214B is exposed from the sealing resin 50. The area of the exposed surface 214B is smaller than the area of each of the plurality of first end surfaces 213.
  • the recess 215 is recessed from the first joint surface 211. As shown in FIG. 11, the recess 215 extends in the second direction x. As shown in FIGS. 12 to 14, the recess 215 is defined by an inner peripheral surface 215A. The inner peripheral surface 215A is connected to the first joint surface 211. As shown in FIGS. 12 and 13, the inner circumferential surface 215A has a semicircular arc shape in a cross section whose in-plane directions are the first direction z and the third direction y. The recess 215 is formed, for example, by press working.
  • the second lead 22 is located away from the first lead 21 in the second direction x, as shown in FIGS. 1 and 2.
  • the second lead 22 is electrically connected to the gate electrode 13 of the semiconductor element 10 . Therefore, the second lead 22 forms the gate terminal of the semiconductor device A10.
  • the second lead 22 has a second bonding surface 221, a second mounting surface 222, a second end surface 223, and a second thin portion 224.
  • the second bonding surface 221 faces the same side as the first bonding surface 211 of the first lead 21 in the first direction z.
  • the position of the second joint surface 221 in the first direction z is equal to the position of the first joint surface 211 of the first lead 21 in the first direction z.
  • a plating layer containing nickel, silver, or the like in its composition may be provided on the second bonding surface 221.
  • the second mounting surface 222 faces the opposite side from the second bonding surface 221 in the first direction z. As shown in FIG. 3, the second mounting surface 222 is exposed from the sealing resin 50.
  • a plating layer containing tin or the like may be provided on the first mounting surface 212.
  • the second end surface 223 faces the same side as the plurality of first end surfaces 213 of the first lead 21 in the third direction y.
  • the second end surface 223 is connected to the second bonding surface 221 and the second mounting surface 222. As shown in FIG. 5, the second end surface 223 is exposed from the sealing resin 50.
  • the second thin portion 224 has an eave shape that extends from the second mounting surface 222 in a direction perpendicular to the first direction z when viewed in the first direction z.
  • a portion of the second joint surface 221 is included in the second thin portion 224 .
  • the second thin portion 224 includes an intermediate surface 224A and an exposed surface 224B.
  • the intermediate surface 224A faces the opposite side to the second bonding surface 221 in the first direction z.
  • the intermediate surface 224A is located between the second bonding surface 221 and the second mounting surface 222 in the first direction z.
  • the intermediate surface 224A is in contact with the sealing resin 50.
  • the exposed surface 224B is connected to the second joint surface 221 and the intermediate surface 224A, and faces in the second direction x.
  • the exposed surface 224B faces the opposite side of the exposed surface 214B of the first lead 21 in the second direction x.
  • the exposed surface 224B is exposed from the sealing resin 50.
  • the area of the exposed surface 224B is smaller than the area of the second end surface 223.
  • the die pad 23 is located away from the first lead 21 and the second lead 22 in the third direction y.
  • the die pad 23 is electrically connected to the second electrode 12 of the semiconductor element 10 . Therefore, the die pad 23 forms the drain terminal of the semiconductor device A10.
  • the die pad 23 has a mounting surface 231, a back surface 232, a plurality of third end surfaces 233, and a third thin portion 234.
  • the mounting surface 231 faces the same side as the first bonding surface 211 of the first lead 21 in the first direction z.
  • the position of the mounting surface 231 in the first direction z is equal to the position of the first joint surface 211 of the first lead 21 in the first direction z.
  • the semiconductor element 10 is mounted on the mounting surface 231.
  • a plating layer containing nickel, silver, or the like may be provided on the mounting surface 231.
  • the back surface 232 faces the side opposite to the side where the semiconductor element 10 is located in the first direction z. As shown in FIG. 3, the back surface 232 is exposed from the sealing resin 50. The back surface 232 overlaps the semiconductor element 10 when viewed in the first direction z.
  • a plating layer containing tin or the like may be provided on the back surface 232.
  • the plurality of third end surfaces 233 face opposite to the first end surface 213 of the first lead 21 in the third direction y.
  • the plurality of third end surfaces 233 are connected to the mounting surface 231 and the back surface 232.
  • the plurality of third end surfaces 233 are arranged along the second direction x. As shown in FIG. 6, the plurality of third end surfaces 233 are exposed from the sealing resin 50.
  • the third thin portion 234 has an eave shape that extends from the back surface 232 in a direction perpendicular to the first direction z when viewed in the first direction z.
  • a portion of the mounting surface 231 is included in the third thin portion 234 .
  • the third thin portion 234 includes an intermediate surface 234A and a pair of exposed surfaces 234B.
  • the intermediate surface 234A faces the opposite side to the mounting surface 231 in the first direction z.
  • the intermediate surface 234A is located between the mounting surface 231 and the back surface 232 in the first direction z.
  • the intermediate surface 234A is in contact with the sealing resin 50.
  • the pair of exposed surfaces 234B are connected to the mounting surface 231 and the intermediate surface 234A, and face opposite to each other in the second direction x.
  • the pair of exposed surfaces 234B are located apart from each other in the second direction x.
  • a pair of exposed surfaces 234B are exposed from the sealing resin 50.
  • the area of each of the pair of exposed surfaces 234B is smaller than the area of each of the plurality of third end surfaces 233.
  • the conductive bonding layer 29 is interposed between the mounting surface 231 of the die pad 23 and the second electrode 12 of the semiconductor element 10, as shown in FIG.
  • the conductive bonding layer 29 is in contact with the mounting surface 231 and the second electrode 12 .
  • the conductive bonding layer 29 conductively bonds the die pad 23 and the second electrode 12 together. Thereby, the die pad 23 is electrically connected to the second electrode 12.
  • the composition of the conductive bonding layer 29 includes tin.
  • the conductive bonding layer 29 is solder.
  • the conductive member 30 connects the first electrode 11 of the semiconductor element 10 and the first lead 21 to each other. Therefore, the conductive member 30 forms part of the conductive path of the semiconductor device A10.
  • the composition of the conductive member 30 includes copper.
  • the conductive member 30 is a metal clip. As shown in FIGS. 1 and 6, the conductive member 30 straddles between the first lead 21 and the die pad 23. As shown in FIGS. As shown in FIGS. 1 and 10, the conductive member 30 has a first joint 31, a second joint 32, an intermediate portion 33, a first protrusion 34, and a second protrusion 35.
  • the first joint portion 31 faces the first joint surface 211 of the first lead 21.
  • the first joint portion 31 stands up in the first direction z.
  • the first joint portion 31 has a facing surface 311 .
  • the opposing surface 311 faces the first bonding surface 211 .
  • the dimension B2 of the first joint 31 in the third direction y is larger than the dimension b of the recess 215 of the first lead 21 in the third direction y.
  • the second bonding portion 32 faces the semiconductor element 10. As shown in FIG. 1, the entire second joint portion 32 overlaps the mounting surface 231 of the die pad 23. As shown in FIG. 6, the second joint portion 32 has a main surface 321, a first inclined surface 322, and a second inclined surface 323. As shown in FIG. 9, the main surface 321 faces the side facing the first electrode 11 of the semiconductor element 10 in the first direction z.
  • the first inclined surface 322 is located between the main surface 321 and the first joint portion 31 in the third direction y.
  • the second inclined surface 323 is located on the opposite side of the first inclined surface 322 with respect to the main surface 321 in the third direction y.
  • the first inclined surface 322 and the second inclined surface 323 are connected to the main surface 321.
  • Each of the first inclined surface 322 and the second inclined surface 323 is inclined with respect to the main surface 321 on the side away from the semiconductor element 10 in the first direction z. As shown in FIG. 9, the first inclined surface 322 is inclined with respect to the main surface 321 at an inclination angle ⁇ .
  • the inclination angle ⁇ is 30° or more and 60° or less.
  • the intermediate portion 33 is located between the first joint portion 31 and the second joint portion 32 in the third direction y.
  • the intermediate part 33 connects the first joint part 31 and the second joint part 32.
  • the intermediate portion 33 straddles between the first lead 21 and the die pad 23 .
  • the first protrusion 34 protrudes from the first joint portion 31 in the second direction x.
  • the first protrusion 34 is located on the opposite side of the recess 215 with respect to the first bonding surface 211 of the first lead 21 in the first direction z.
  • the dimension B1 of the first protrusion 34 in the third direction y is smaller than the dimension B2 of the first joint 31 in the third direction y (see FIGS. 12 and 13).
  • the dimension b of the recess 215 in the third direction y is larger than the dimension B1 of the first protrusion 34 in the third direction y.
  • the first protrusion 34 has a pair of first surfaces 341 and second surfaces 342.
  • the pair of first surfaces 341 face opposite to each other in the third direction y.
  • the second surface 342 faces the recess 215 of the first lead 21 .
  • the second surface 342 is flush with the opposing surface 311 of the first joint portion 31.
  • the second protrusion 35 is located on the opposite side of the first protrusion 34 with respect to the first joint 31 in the second direction x.
  • the second protrusion 35 protrudes from the first joint portion 31 in the second direction x.
  • the first bonding layer 61 conductively bonds the first lead 21 and the first bonding portion 31 of the conductive member 30. As shown in FIGS. 6 and 8, at least a portion of the first bonding layer 61 is accommodated in the recess 215 of the first lead 21. As shown in FIGS. As shown in FIG. 11, when viewed in the first direction z, the first bonding portion 31, the first protrusion 34, and the second protrusion 35 of the conductive member 30 overlap the first bonding layer 61 accommodated in the recess 215.
  • the composition of the first bonding layer 61 includes tin.
  • the first bonding layer 61 is solder.
  • the first bonding layer 61 has a first portion 611 and a second portion 612.
  • the first portion 611 is accommodated in the recess 215 of the first lead 21 .
  • the first portion 611 is in contact with the inner peripheral surface 215A of the recess 215.
  • the second portion 612 is a portion protruding from the recess 215.
  • the second portion 612 is in contact with the first bonding surface 211 of the first lead 21 .
  • the second portion 612 is in contact with the pair of first surfaces 341 of the first protrusion 34 of the conductive member 30 and the second surface 342 of the first protrusion 34.
  • the second portion 612 includes a portion located between the first bonding surface 211 and the second surface 342 of the first lead 21 .
  • the second portion 612 is in contact with the opposing surface 311 of the first joint portion 31 of the conductive member 30.
  • the second portion 612 includes a portion located between the first bonding surface 211 and the opposing surface 311 of the first lead 21 .
  • the second bonding layer 62 conductively bonds the first electrode 11 of the semiconductor element 10 and the second bonding portion 32 of the conductive member 30. As shown in FIG. 9 , the second bonding layer 62 includes a portion located between the first electrode 11 and the main surface 321 of the second bonding portion 32 . The second bonding layer 62 is in contact with the main surface 321 and the first inclined surface 322 of the second bonding portion 32 .
  • the composition of the second bonding layer 62 includes tin.
  • the second bonding layer 62 is solder.
  • the wire 40 is conductively bonded to the gate electrode 13 of the semiconductor element 10 and the second bonding surface 221 of the second lead 22. Thereby, the second lead 22 is electrically connected to the gate electrode 13.
  • the composition of wire 40 includes gold.
  • the composition of the wire 40 may include aluminum (Al) or copper.
  • the sealing resin 50 covers the semiconductor element 10, the conductive member 30, the wire 40, and a portion of each of the first lead 21, the second lead 22, and the die pad 23. .
  • the sealing resin 50 has electrical insulation properties.
  • the sealing resin 50 is made of a material containing, for example, a black epoxy resin.
  • the sealing resin 50 has a top surface 51, a bottom surface 52, a pair of first side surfaces 53, and a pair of second side surfaces 54.
  • the top surface 51 faces the same side as the mounting surface 231 of the die pad 23 in the first direction z.
  • the bottom surface 52 faces opposite to the top surface 51 in the first direction z.
  • the first mounting surface 212 of the first lead 21, the second mounting surface 222 of the second lead 22, and the back surface 232 of the die pad 23 are exposed from the bottom surface 52.
  • the pair of first side surfaces 53 face oppositely to each other in the third direction y, and are located apart from each other in the third direction y.
  • a pair of first side surfaces 53 are connected to the top surface 51 and the bottom surface 52.
  • a plurality of first end surfaces 213 of the first leads 21 and second end surfaces 223 of the second leads 22 are exposed from one of the pair of first side surfaces 53 .
  • a plurality of third end surfaces 233 of the die pad 23 are exposed from the other first side surface 53 of the pair of first side surfaces 53.
  • the plurality of first end surfaces 213, the second end surfaces 223, and the plurality of third end surfaces 233 are flush with either of the pair of first side surfaces 53.
  • the pair of second side surfaces 54 face oppositely to each other in the second direction x, and are located apart from each other in the second direction x.
  • a pair of second side surfaces 54 are connected to the top surface 51 and the bottom surface 52.
  • a pair of exposed surfaces 234B of the die pad 23 are individually exposed from the pair of second side surfaces 54.
  • the exposed surface 214B of the first lead 21 is exposed from one of the pair of second side surfaces 54.
  • the exposed surface 224B of the second lead 22 is exposed from the other of the pair of second side surfaces 54.
  • Each of the pair of exposed surfaces 234B, 214B, and 224B is flush with one of the pair of second side surfaces 54.
  • FIG. 15 a semiconductor device A11 that is a modification of the semiconductor device A10 will be described.
  • the cross-sectional position in FIG. 15 is the same (or substantially the same) as the cross-sectional position in FIG. 12.
  • the configuration of the recess 215 of the first lead 21 is different from the configuration of the semiconductor device A10.
  • the dimension d of the recess 215 in the first direction z is larger than the dimension b of the recess 215 in the third direction y.
  • the volume of the first portion 611 of the first bonding layer 61 and the dimension of the first portion 611 in the first direction z each increase compared to the case of the semiconductor device A10.
  • the dimension in the first direction z is increased compared to the case of the semiconductor device A10.
  • the semiconductor device A10 includes a first lead 21 having a first bonding surface 211 and a recess 215, a first bonding portion 31 and a first protrusion 34, and a conductive member 30 that connects the semiconductor element 10 and the first lead 21. and a first bonding layer 61 that electrically connects the first lead 21 and the conductive member 30. At least a portion of the first bonding layer 61 is accommodated in the recess 215. When viewed in the first direction z, the first protrusion 34 overlaps the first bonding layer 61 accommodated in the recess 215 .
  • the first bonding layer 61 accommodated in the recess 215 and in a molten state is exposed to the inner peripheral surface 215A. It receives a force R (see Figure 12).
  • the reaction force R is directed in a direction perpendicular to the first direction z.
  • the first protrusion 34 is displaced together with the first bonding layer 61 in the direction in which the reaction force R is directed. That is, self-alignment by the first bonding layer 61 acts on the first protrusion 34 .
  • the first protrusion 34 of the conductive member 30 projects from the first joint portion 31 of the conductive member 30 in the second direction x.
  • the torque generated in the conductive member 30 around the first direction z increases.
  • the rotational force in the opposite direction to the rotation increases more. Therefore, rotation of the conductive member 30 around the first direction z can be effectively suppressed.
  • the dimension b of the recess 215 of the first lead 21 in the third direction y is larger than the dimension B1 of the first protrusion 34 in the third direction y.
  • the recess 215 of the first lead 21 extends in the second direction x.
  • the first bonding portion 31 of the conductive member 30 overlaps the first bonding layer 61 accommodated in the recess 215 .
  • self-alignment by the first bonding layer 61 also acts on the first bonding portion 31. Therefore, the self-alignment effect acting on the conductive member 30 can be improved.
  • the dimension B2 of the first joint 31 of the conductive member 30 in the third direction y is larger than the dimension b of the recess 215 of the first lead 21 in the third direction y.
  • the conductive member 30 has a second protrusion 35 located on the opposite side of the first protrusion 34 with respect to the first joint 31 in the second direction x.
  • the second protrusion 35 protrudes from the first joint portion 31 in the second direction x.
  • the second protrusion 35 overlaps the first bonding layer 61 accommodated in the recess 215 when viewed in the first direction z.
  • the first bonding layer 61 has a first portion 611 accommodated in the recess 215 of the first lead 21 and a second portion 612 protruding from the recess 215.
  • the first protrusion 34 has a first surface 341 facing in the third direction y.
  • the second portion 612 is in contact with the first surface 341.
  • the first protrusion 34 has a second surface 342 facing the recess 215 of the first lead 21.
  • the second surface 342 is in contact with the second portion 612 of the first bonding layer 61 .
  • the dimension in the first direction z of the first bonding layer 61 in contact with the second surface 342 is increased.
  • the shear stress acting on the interface between the first bonding layer 61 and the second surface 342 increases as the first bonding layer 61 performs self-alignment. Therefore, the self-alignment effect acting on the conductive member 30 can be further improved.
  • the dimension d of the recess 215 of the first lead 21 in the first direction z is larger than the dimension b of the recess 215 in the third direction y.
  • the dimensions of the first bonding layer 61 accommodated in the recess 215 in the first direction z and the region facing the third direction y included in the inner circumferential surface 215A of the recess 215 in the first direction z are The dimensions are increased compared to the case of the semiconductor device A10.
  • the shear stress acting on the interface between the first bonding layer 61 and the second surface 342 of the first protrusion 34 further increases as the first bonding layer 61 performs self-alignment. Therefore, the self-alignment effect acting on the conductive member 30 can be further improved.
  • compositions of the first bonding layer 61, the second bonding layer 62, and the conductive bonding layer 29 include tin.
  • the first lead 21 has a first end surface 213 facing the opposite side to the side where the semiconductor element 10 is located in the third direction y.
  • the first end surface 213 is exposed from the sealing resin 50.
  • the back surface 232 of the die pad 23 is exposed from the sealing resin 50. Thereby, the heat dissipation of the semiconductor device A10 can be improved.
  • the composition of the conductive member 30 includes copper. Thereby, the electrical resistance of the conductive member 30 can be reduced compared to a wire containing aluminum in its composition. This is suitable for allowing a larger current to flow through the semiconductor element 10.
  • FIGS. 16 to 18 A semiconductor device A20 according to a second embodiment of the present disclosure will be described based on FIGS. 16 to 18.
  • elements that are the same as or similar to those of the semiconductor device A10 described above are denoted by the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted.
  • the sealing resin 50 is shown.
  • the configuration of the conductive member 30 in the semiconductor device A20 is different from that of the semiconductor device A10.
  • the center C1 of the first protrusion 34 of the conductive member 30 is separated from the center C2 of the second protrusion 35 of the conductive member 30 by a distance D in the third direction y.
  • the center C1 corresponds to the centroid of the figure formed by the outer shape of the first protrusion 34 when viewed in the first direction z.
  • the center C2 corresponds to the centroid of the figure formed by the outer shape of the second protrusion 35 when viewed in the first direction z.
  • each of the center C1 and the center C2 is separated from the center C0 of the first joint portion 31 of the conductive member 30 in the third direction y.
  • the center C0 corresponds to the centroid of the figure formed by the outer shape of the first joint portion 31 when viewed in the first direction z.
  • the first protrusion 34 of the conductive member 30 connects the first bonding layer 61 (first portion 611) accommodated in the recess 215 of the first lead 21 and the first protrusion 34 of the conductive member 30. It overlaps with the first bonding surface 211 of the first lead 21 .
  • the second portion 612 of the first bonding layer 61 is located between the first bonding surface 211 and the second surface 342 of the first protrusion 34 .
  • the second portion 612 is in contact with one of the pair of first surfaces 341 of the first protrusion 34 .
  • the second protrusion 35 of the conductive member 30 has a pair of third surfaces 351 and a fourth surface 352.
  • the pair of third surfaces 351 face oppositely to each other in the third direction y.
  • the fourth surface 352 faces the recess 215 of the first lead 21 .
  • the second portion 612 of the first bonding layer 61 is in contact with one of the pair of third surfaces 351 .
  • the dimension b of the recess 215 in the third direction y is larger than the dimension B3 of the second protrusion 35 in the third direction y.
  • the second protrusion 35 of the conductive member 30 connects the first bonding layer 61 (first portion 611) accommodated in the recess 215 of the first lead 21 and the second protrusion 35 of the conductive member 30. It overlaps with the first bonding surface 211 of the first lead 21 .
  • the second portion 612 of the first bonding layer 61 is located between the first bonding surface 211 and the fourth surface 352 of the second protrusion 35 .
  • the semiconductor device A20 includes a first lead 21 having a first bonding surface 211 and a recess 215, a first bonding portion 31 and a first protrusion 34, and a conductive member 30 that connects the semiconductor element 10 and the first lead 21. and a first bonding layer 61 that electrically connects the first lead 21 and the conductive member 30. At least a portion of the first bonding layer 61 is accommodated in the recess 215. When viewed in the first direction z, the first protrusion 34 overlaps the first bonding layer 61 accommodated in the recess 215 . Therefore, according to this configuration, it is possible to suppress rotation of the conductive member 30 with respect to the semiconductor element 10 even when manufacturing the semiconductor device A20. Further, since the semiconductor device A20 has the same configuration as the semiconductor device A10, the semiconductor device A20 also exhibits the effects of the configuration.
  • the center C1 of the first protrusion 34 of the conductive member 30 and the center C2 of the second protrusion 35 of the conductive member 30 are located at the first junction of the conductive member 30. It is separated from the center C0 of the portion 31 in the third direction y.
  • the distance from the center C0 to the center C1 and the distance from the center C0 to the center C2 are each increased compared to the case of the semiconductor device A10.
  • the torque generated in the conductive member 30 in the first direction z about the center C0 increases compared to the case of the semiconductor device A10. Therefore, rotation of the conductive member 30 about the first direction z can be suppressed more effectively.
  • FIGS. 19 to 21 A semiconductor device A30 according to a third embodiment of the present disclosure will be described based on FIGS. 19 to 21.
  • elements that are the same as or similar to those of the semiconductor device A10 described above are denoted by the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted.
  • FIG. 19 for convenience of understanding, the sealing resin 50 is shown.
  • the configuration of the conductive member 30 in the semiconductor device A30 is different from that of the semiconductor device A10.
  • the conductive member 30 has a convex portion 36.
  • the convex portion 36 protrudes from the second surface 342 of the first protrusion 34 of the conductive member 30 in the first direction z. Furthermore, the convex portion 36 protrudes from the opposing surface 311 of the first joint portion 31 of the conductive member 30 in the first direction z.
  • the protrusion 36 is accommodated in the recess 215 of the first lead 21 .
  • the convex portion 36 is in contact with the first portion 611 of the first bonding layer 61 .
  • the convex portion 36 extends in the second direction x.
  • the protrusion 36 is formed, for example, by etching.
  • the semiconductor device A30 includes a first lead 21 having a first bonding surface 211 and a recess 215, a first bonding portion 31 and a first protrusion 34, and a conductive member 30 that connects the semiconductor element 10 and the first lead 21. and a first bonding layer 61 that electrically connects the first lead 21 and the conductive member 30. At least a portion of the first bonding layer 61 is accommodated in the recess 215. When viewed in the first direction z, the first protrusion 34 overlaps the first bonding layer 61 accommodated in the recess 215 . Therefore, according to this configuration, it is possible to suppress rotation of the conductive member 30 with respect to the semiconductor element 10 even when manufacturing the semiconductor device A30. Furthermore, since the semiconductor device A30 has the same configuration as the semiconductor device A10, the semiconductor device A30 also exhibits the effects of the configuration.
  • the conductive member 30 has a convex portion 36 that protrudes from the first joint portion 31 and the first protrusion 34 in the first direction z.
  • the protrusion 36 is accommodated in the recess 215 of the first lead 21 .
  • the present disclosure includes the embodiments described in the appendix below. Additional note 1. a semiconductor element; a first lead separated from the semiconductor element; a conductive member that connects the semiconductor element and the first lead; a first bonding layer that electrically connects the first lead and the conductive member;
  • the first lead has a bonding surface facing in a first direction and a recess recessed from the bonding surface,
  • the conductive member has a first joint portion facing the joint surface, and a first protrusion protruding from the first joint portion, At least a portion of the first bonding layer is accommodated in the recess,
  • the semiconductor device when viewed in the first direction, the first protrusion overlaps the first bonding layer accommodated in the recess.
  • the semiconductor device according to appendix 1 wherein the first protrusion is located on the opposite side of the recess with respect to the bonding surface in the first direction.
  • Appendix 3. The semiconductor device according to appendix 2, wherein the first protrusion protrudes from the first joint in a second direction perpendicular to the first direction.
  • Appendix 4. The semiconductor device according to appendix 3, wherein a dimension of the first protrusion in a third direction perpendicular to the first direction and the second direction is smaller than a dimension of the first joint in the third direction.
  • Appendix 5. The semiconductor device according to appendix 4, wherein a dimension of the recess in the third direction is larger than a dimension of the first protrusion in the third direction.
  • the first joint portion has a facing surface opposite to the joint surface,
  • Appendix 7. The recess extends in the second direction, The semiconductor device according to any one of appendices 4 to 6, wherein the first bonding portion overlaps the first bonding layer accommodated in the recess when viewed in the first direction.
  • Appendix 8. The semiconductor device according to appendix 7, wherein a dimension of the first joint in the third direction is larger than a dimension of the recess in the third direction.
  • the first bonding layer has a first part accommodated in the recess and a second part protruding from the recess, The first protrusion has a first surface facing the third direction, The semiconductor device according to any one of appendices 4 to 9, wherein the second portion is in contact with the first surface.
  • Appendix 11 The first protrusion has a second surface facing the recess, The semiconductor device according to appendix 10, wherein the second portion is in contact with the second surface.
  • the conductive member has a second protrusion located on the opposite side of the first protrusion with respect to the first joint in the second direction, The second protrusion protrudes from the first joint in the second direction, 12.
  • Appendix 13 further comprising a die pad on which the semiconductor element is mounted, The semiconductor element has a first electrode located on a side opposite to a side facing the die pad in the first direction, The conductive member has a second joint portion facing the semiconductor element, The second bonding portion has a main surface facing the first electrode in the first direction, and a portion between the main surface and the first bonding portion in a direction perpendicular to the first direction.
  • the inclined surface is inclined with respect to the main surface on a side away from the semiconductor element in the first direction, further comprising a second bonding layer that electrically connects the first electrode and the second bonding portion,
  • the semiconductor device according to any one of appendices 1 to 12, wherein the second bonding layer is in contact with the main surface and the inclined surface.
  • Appendix 14 The semiconductor element has a second electrode located on the opposite side of the first electrode in the first direction, The semiconductor device according to attachment 13, wherein the second electrode is conductively bonded to the die pad.
  • Appendix 16. further comprising a sealing resin that covers a portion of each of the die pad and the first lead, the semiconductor element and the conductive member,
  • the die pad has a back surface facing opposite to the side where the semiconductor element is located in the first direction
  • the first lead has a mounting surface facing opposite to the bonding surface in the first direction, 16.
  • Appendix 17. The first lead has an end face facing opposite to the side where the semiconductor element is located in a direction perpendicular to the first direction, The semiconductor device according to appendix 16, wherein the end surface is exposed from the sealing resin.

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Abstract

半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子から離れた第１リードと、前記半導体素子と前記第１リードとを導通する導通部材と、前記第１リードと前記導通部材とを接合する第１接合層とを備える。前記第１リードは、第１方向を向く第１接合面と、前記第１接合面から凹む凹部とを有する。前記導通部材は、前記第１接合面に対向する第１接合部と、前記第１接合部から突出する第１突起とを有する。前記第１接合層の少なくとも一部は、前記凹部に収容されている。前記第１方向に視て、前記第１突起は、前記凹部に収容された前記第１接合層に重なる。

Description

半導体装置
　本開示は、半導体装置に関する。
　特許文献１には、導体層に複数の半導体素子が接合された半導体装置（パワーモジュール）の一例が開示されている。当該半導体装置は、導体層と複数の半導体素子とに接合された複数の接続金属部材（導通部材）を備える。これにより、複数の半導体素子により大きな電流を流すことができる。
　しかし、特許文献１に開示されている半導体装置の製造の際、複数の接続金属部材のいずれかが、その接合対象となる半導体素子の電極に対して回転することがある。接続金属部材が回転すると、半導体素子の電極と当該接続金属部材との界面にせん断応力が発生する。回転に伴う接続金属部材の変位が大きくなると、当該せん断応力がより大きくなる。これにより、当該せん断応力が半導体素子により集中するため、当該半導体素子に亀裂が発生するなどの不具合が生じるおそれがある。
特開２０１６－１６２７７３号公報
　本開示は、従来より改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記事情に鑑み、装置の製造の際、半導体素子に対する導通部材の回転を抑制することが可能な半導体装置を提供することをその一の課題とする。
　本開示の一の側面によって提供される半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子から離れた第１リードと、前記半導体素子と前記第１リードとを導通する導通部材と、前記第１リードと前記導通部材とを導電接合する第１接合層と、を備える。前記第１リードは、第１方向を向く接合面と、前記接合面から凹む凹部と、有する。前記導通部材は、前記接合面に対向する第１接合部と、前記第１接合部から突出する第１突起と、を有する。前記第１接合層の少なくとも一部は、前記凹部に収容されており、前記第１方向に視て、前記第１突起は、前記凹部に収容された前記第１接合層に重なる。
　上記構成によれば、当該装置の製造の際、半導体素子に対する導通部材の回転を抑制することが可能な半導体装置を提供することが可能である。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。 図２は、図１に対応する平面図であり、導通部材、第１接合層および第２接合層をさらに透過している。 図３は、図１に示す半導体装置の底面図である。 図４は、図１に示す半導体装置の右側面図である。 図５は、図１に示す半導体装置の背面図である。 図６は、図１のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。 図７は、図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、図１のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図９は、図６の部分拡大図である。 図１０は、図１に示す半導体装置が具備する導通部材の斜視図である。 図１１は、図１の部分拡大図である。 図１２は、図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。 図１３は、図１１のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１４は、図１１のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。 図１５は、図１に示す半導体装置の変形例の部分拡大断面図である。 図１６は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。 図１７は、図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 図１８は、図１６のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１９は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。 図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿う断面図である。 図２１は、図１９のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。
　本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。
　第１実施形態：
　図１～図１４に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、たとえばＤＣ－ＤＣコンバータといった、電力変換回路を備える電子機器などに使用される。半導体装置Ａ１０は、半導体素子１０、導通部材３０、第１リード２１、第２リード２２、ダイパッド２３、導電接合層２９、第１接合層６１、第２接合層６２、ワイヤ４０および封止樹脂５０を備える。ここで、図１は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図２は、理解の便宜上、図１に対して導通部材３０、第１接合層６１および第２接合層６２をさらに透過している。図１および図２では、透過した封止樹脂５０を想像線（二点鎖線）で示している。図２では、透過した導通部材３０を想像線で示している。
　半導体装置Ａ１０の説明においては、便宜上、後述する第１リード２１の第１接合面２１１の法線方向の一例を「第１方向ｚ」と呼ぶ。第１方向ｚに対して直交する方向の一例を「第２方向ｘ」と呼ぶ。第１方向ｚおよび第２方向ｘに対して直交する方向の一例を「第３方向ｙ」と呼ぶ。
　半導体素子１０は、図１、図２、図６および図７に示すように、ダイパッド２３に搭載されている。半導体素子１０は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。この他、半導体素子１０は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのスイッチング素子や、ダイオードでもよい。半導体装置Ａ１０の説明においては、半導体素子１０は、ｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴを対象とする。半導体素子１０は、化合物半導体基板を含む。当該化合物半導体基板の組成は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。図２および図９に示すように、半導体素子１０は、第１電極１１、第２電極１２およびゲート電極１３を有する。
　図９に示すように、第１電極１１は、第１方向ｚの一方側に位置する。第１電極１１に は、半導体素子１０により変換された後の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第１電極１１は、半導体素子１０のソース電極に相当する。第１電極１１は、複数の金属めっき層を含む。第１電極１１は、ニッケル（Ｎｉ）めっき層と、当該ニッケルめっき層の上に積層された金（Ａｕ）めっき層を含む。この他、第１電極１１は、ニッケルめっき層と、当該ニッケルめっき層の上に積層されたパラジウム（Ｐｄ）めっき層と、当該パラジウムめっき層の上に積層された金めっき層を含む場合でもよい。
　図９に示すように、第２電極１２は、第１方向ｚにおいて第１電極１１とは反対側に位置し、かつダイパッド２３に対向している。第２電極１２には、半導体素子１０により変換される前の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第２電極１２は、半導体素子１０のドレイン電極に相当する。
　図２に示すように、ゲート電極１３は、第１方向ｚにおいて第１電極１１と同じ側に位置する。ゲート電極１３には、半導体素子１０を駆動するためのゲート電圧が印加される。第１方向ｚに視て、ゲート電極１３の面積は、第１電極１１の面積よりも小さい。
　第１リード２１、第２リード２２およびダイパッド２３は、導通部材３０とともに半導体装置Ａ１０の導電経路をなす。第１リード２１、第２リード２２およびダイパッド２３は、同一のリードフレームから構成されている。当該リードフレームは、銅（Ｃｕ）、または銅合金である。このため、第１リード２１、第２リード２２およびダイパッド２３の組成は、銅を含む。
　第１リード２１は、図１および図２に示すように、第３方向ｙの一方側に位置する。第１リード２１は、導通部材３０を介して半導体素子１０の第１電極１１に導通している。したがって、第１リード２１は、半導体装置Ａ１０のソース端子をなす。図１～図３に示すように、第１リード２１は、第１接合面２１１、第１実装面２１２、複数の第１端面２１３、第１薄肉部２１４および凹部２１５を有する。
　図６に示すように、第１接合面２１１は、第１方向ｚにおいて導通部材３０に対向する側を向く。第１接合面２１１の上には、ニッケル、または銀（Ａｇ）などを組成に含むめっき層を設けてもよい。
　図６に示すように、第１実装面２１２は、第１方向ｚにおいて第１接合面２１１とは反対側を向く。図３に示すように、第１実装面２１２は、封止樹脂５０から露出している第１実装面２１２の上には、錫（Ｓｎ）などを組成に含むめっき層を設けてもよい。
　図２および図６に示すように、複数の第１端面２１３は、第３方向ｙにおいて半導体素子１０が位置する側とは反対側を向く。複数の第１端面２１３は、第１接合面２１１および第１実装面２１２につながっている。複数の第１端面２１３は、第２方向ｘに沿って配列されている。図４に示すように、複数の第１端面２１３は、封止樹脂５０から露出している。
　図３、図６および図８に示すように、第１薄肉部２１４は、第１方向ｚに視て第１実装面２１２から第１方向ｚに対して直交する方向に張り出す庇状である。第１接合面２１１の一部は、第２薄肉部２２４に含まれる。
　第１薄肉部２１４は、中間面２１４Ａおよび露出面２１４Ｂを含む。図６および図８に示すように、中間面２１４Ａは、第１方向ｚにおいて第１接合面２１１とは反対側を向く。中間面２１４Ａは、第１方向ｚにおいて第１接合面２１１と第１実装面２１２との間に位置する。中間面２１４Ａは、封止樹脂５０に接している。露出面２１４Ｂは、第１接合面２１１および中間面２１４Ａにつながり、かつ第２方向ｘを向く。露出面２１４Ｂは、封止樹脂５０から露出している。露出面２１４Ｂの面積は、複数の第１端面２１３の各々の面積よりも小さい。
　図６および図８に示すように、凹部２１５は、第１接合面２１１から凹んでいる。図１１に示すように、凹部２１５は、第２方向ｘに延びている。図１２～図１４に示すように、凹部２１５は、内周面２１５Ａにより規定される。内周面２１５Ａは、第１接合面２１１につながっている。図１２および図１３に示すように、第１方向ｚおよび第３方向ｙを面内方向とする断面において、内周面２１５Ａは、半円弧状である。凹部２１５は、たとえばプレス加工により形成される。
　第２リード２２は、図１および図２に示すように、第２方向ｘにおいて第１リード２１から離れて位置する。第２リード２２は、半導体素子１０のゲート電極１３に導通している。したがって、第２リード２２は、半導体装置Ａ１０のゲート端子をなす。図１～図３に示すように、第２リード２２は、第２接合面２２１、第２実装面２２２、第２端面２２３および第２薄肉部２２４を有する。
　図８に示すように、第２接合面２２１は、第１方向ｚにおいて第１リード２１の第１接合面２１１と同じ側を向く。第２接合面２２１の第１方向ｚの位置は、第１リード２１の第１接合面２１１の第１方向ｚの位置に等しい。第２接合面２２１の上には、ニッケル、または銀などを組成に含むめっき層を設けてもよい。
　図８に示すように、第２実装面２２２は、第１方向ｚにおいて第２接合面２２１とは反対側を向く。図３に示すように、第２実装面２２２は、封止樹脂５０から露出している。第１実装面２１２の上には、錫などを組成に含むめっき層を設けてもよい。
　図１および図２に示すように、第２端面２２３は、第３方向ｙにおいて第１リード２１の複数の第１端面２１３と同じ側を向く。第２端面２２３は、第２接合面２２１および第２実装面２２２につながっている。図５に示すように、第２端面２２３は、封止樹脂５０から露出している。
　図３および図８に示すように、第２薄肉部２２４は、第１方向ｚに視て第２実装面２２２から第１方向ｚに対して直交する方向に張り出す庇状である。第２接合面２２１の一部は、第２薄肉部２２４に含まれる。
　第２薄肉部２２４は、中間面２２４Ａおよび露出面２２４Ｂを含む。図８に示すように、中間面２２４Ａは、第１方向ｚにおいて第２接合面２２１とは反対側を向く。中間面２２４Ａは、第１方向ｚにおいて第２接合面２２１と第２実装面２２２との間に位置する。中間面２２４Ａは、封止樹脂５０に接している。露出面２２４Ｂは、第２接合面２２１および中間面２２４Ａにつながり、かつ第２方向ｘを向く。図１および図２に示すように、露出面２２４Ｂは、第２方向ｘにおいて第１リード２１の露出面２１４Ｂが向く側とは反対側を向く。図５に示すように、露出面２２４Ｂは、封止樹脂５０から露出している。露出面２２４Ｂの面積は、第２端面２２３の面積よりも小さい。
　ダイパッド２３は、図１および図２に示すように、第３方向ｙにおいて第１リード２１および第２リード２２から離れて位置する。ダイパッド２３は、半導体素子１０の第２電極１２に導通している。したがって、ダイパッド２３は、半導体装置Ａ１０のドレイン端子をなす。図１～図３に示すように、ダイパッド２３は、搭載面２３１、裏面２３２、複数の第３端面２３３、および第３薄肉部２３４を有する。
　図６に示すように、搭載面２３１は、第１方向ｚにおいて第１リード２１の第１接合面２１１と同じ側を向く。搭載面２３１の第１方向ｚの位置は、第１リード２１の第１接合面２１１の第１方向ｚの位置に等しい。搭載面２３１には、半導体素子１０が搭載されている。搭載面２３１の上には、ニッケル、または銀などを組成に含むめっき層を設けてもよい。
　図６および図７に示すように、裏面２３２は、第１方向ｚにおいて半導体素子１０が位置する側とは反対側を向く。図３に示すように、裏面２３２は、封止樹脂５０から露出している。第１方向ｚに視て、裏面２３２は、半導体素子１０に重なっている。裏面２３２の上には、錫などを組成に含むめっき層を設けてもよい。
　図１および図２に示すように、複数の第３端面２３３は、第３方向ｙにおいて第１リード２１の第１端面２１３とは反対側を向く。複数の第３端面２３３は、搭載面２３１および裏面２３２につながっている。複数の第３端面２３３は、第２方向ｘに沿って配列されている。図６に示すように、複数の第３端面２３３は、封止樹脂５０から露出している。
　図３、図６および図７に示すように、第３薄肉部２３４は、第１方向ｚに視て裏面２３２から第１方向ｚに対して直交する方向に張り出す庇状である。搭載面２３１の一部は、第３薄肉部２３４に含まれる。
　図７に示すように、第３薄肉部２３４は、中間面２３４Ａ、および一対の露出面２３４Ｂを含む。中間面２３４Ａは、第１方向ｚにおいて搭載面２３１とは反対側を向く。中間面２３４Ａは、第１方向ｚにおいて搭載面２３１と裏面２３２との間に位置する。中間面２３４Ａは、封止樹脂５０に接している。一対の露出面２３４Ｂは、搭載面２３１および中間面２３４Ａにつながり、かつ第２方向ｘにおいて互いに反対側を向く。一対の露出面２３４Ｂは、第２方向ｘにおいて互いに離れて位置する。一対の露出面２３４Ｂは、封止樹脂５０から露出している。一対の露出面２３４Ｂの各々の面積は、複数の第３端面２３３の各々の面積よりも小さい。
　導電接合層２９は、図９に示すように、ダイパッド２３の搭載面２３１と、半導体素子１０の第２電極１２との間に介在している。導電接合層２９は、搭載面２３１および第２電極１２に接している。導電接合層２９は、ダイパッド２３と第２電極１２とを導電接合する。これにより、ダイパッド２３は、第２電極１２に導通している。導電接合層２９の組成は、錫を含む。導電接合層２９は、ハンダである。
　導通部材３０は、半導体素子１０の第１電極１１と、第１リード２１とを導通する。したがって、導通部材３０は、半導体装置Ａ１０の導電経路の一部をなす。導通部材３０の組成は、銅を含む。導通部材３０は、金属クリップである。図１および図６に示すように、導通部材３０は、第１リード２１とダイパッド２３との間を跨いでいる。図１および図１０に示すように、導通部材３０は、第１接合部３１、第２接合部３２、中間部３３、第１突起３４および第２突起３５を有する。
　図６に示すように、第１接合部３１は、第１リード２１の第１接合面２１１に対向している。第１接合部３１は、第１方向ｚに起立している。第１接合部３１は、対向面３１１を有する。対向面３１１は、第１接合面２１１に対向している。
　図１３に示すように、第１接合部３１の第３方向ｙにおける寸法Ｂ２は、第１リード２１の凹部２１５の第３方向ｙにおける寸法ｂよりも大きい。
　図６に示すように、第２接合部３２は、半導体素子１０に対向している。図１に示すように、第２接合部３２の全体が、ダイパッド２３の搭載面２３１に重なる。図６に示すように、第２接合部３２は、主面３２１、第１傾斜面３２２および第２傾斜面３２３を有する。図９に示すように、主面３２１は、第１方向ｚにおいて半導体素子１０の第１電極１１に対向する側を向く。第１傾斜面３２２は、第３方向ｙにおいて主面３２１と第１接合部３１との間に位置する。第２傾斜面３２３は、第３方向ｙにおいて主面３２１を基準として第１傾斜面３２２とは反対側に位置する。第１傾斜面３２２および第２傾斜面３２３は、主面３２１につながっている。第１傾斜面３２２および第２傾斜面３２３の各々は、第１方向ｚにおいて半導体素子１０から離れる側に主面３２１に対して傾斜している。図９に示すように、第１傾斜面３２２は、主面３２１に対して傾斜角αで傾斜している。傾斜角αは、３０°以上６０°以下である。
　図１および図６に示すように、中間部３３は、第３方向ｙにおいて第１接合部３１と第２接合部３２との間に位置する。中間部３３は、第１接合部３１と第２接合部３２とを連結している。中間部３３は、第１リード２１とダイパッド２３との間を跨いでいる。
　図１１に示すように、第１突起３４は、第１接合部３１から第２方向ｘに突出している。第１突起３４は、第１方向ｚにおいて第１リード２１の第１接合面２１１を基準として凹部２１５とは反対側に位置する。第１突起３４の第３方向ｙにおける寸法Ｂ１は、第１接合部３１の第３方向ｙにおける寸法Ｂ２よりも小さい（図１２および図１３参照）。図１２に示すように、凹部２１５の第３方向ｙにおける寸法ｂは、第１突起３４の第３方向ｙにおける寸法Ｂ１よりも大きい。
　図１２に示すように、第１突起３４は、一対の第１面３４１と、第２面３４２とを有する。一対の第１面３４１は、第３方向ｙにおいて互いに反対側を向く。第２面３４２は、第１リード２１の凹部２１５に対向している。図１４に示すように、第２面３４２は、第１接合部３１の対向面３１１と面一である。
　図１１に示すように、第２突起３５は、第２方向ｘにおいて第１接合部３１を基準として第１突起３４とは反対側に位置する。第２突起３５は、第１接合部３１から第２方向ｘに突出している。
　第１接合層６１は、第１リード２１と、導通部材３０の第１接合部３１とを導電接合する。図６および図８に示すように、第１接合層６１の少なくとも一部は、第１リード２１の凹部２１５に収容されている。図１１に示すように、第１方向ｚに視て、導通部材３０の第１接合部３１、第１突起３４および第２突起３５は、凹部２１５に収容された第１接合層６１に重なる。第１接合層６１の組成は、錫を含む。第１接合層６１は、ハンダである。
　図１２～図１４に示すように、第１接合層６１は、第１部６１１および第２部６１２を有する。第１部６１１は、第１リード２１の凹部２１５に収容されている。第１部６１１は、凹部２１５の内周面２１５Ａに接している。第２部６１２は、凹部２１５からはみ出した部分である。第２部６１２は、第１リード２１の第１接合面２１１に接している。
　図１２に示すように、第２部６１２は、導通部材３０の第１突起３４の一対の第１面３４１と、第１突起３４の第２面３４２とに接している。第２部６１２は、第１リード２１の第１接合面２１１と第２面３４２との間に位置する部分を含む。
　図１３に示すように、第２部６１２は、導通部材３０の第１接合部３１の対向面３１１に接している。第２部６１２は、第１リード２１の第１接合面２１１と対向面３１１との間に位置する部分を含む。
　第２接合層６２は、半導体素子１０の第１電極１１と、導通部材３０の第２接合部３２とを導電接合する。図９に示すように、第２接合層６２は、第１電極１１と、第２接合部３２の主面３２１との間に位置する部分を含む。第２接合層６２は、主面３２１と、第２接合部３２の第１傾斜面３２２とに接している。第２接合層６２の組成は、錫を含む。第２接合層６２は、ハンダである。
　ワイヤ４０は、図１に示すように、半導体素子１０のゲート電極１３と、第２リード２２の第２接合面２２１とに導電接合されている。これにより、第２リード２２は、ゲート電極１３に導通している。ワイヤ４０の組成は、金を含む。この他、ワイヤ４０の組成は、アルミニウム（Ａｌ）を含む場合や、銅を含む場合でもよい。
　封止樹脂５０は、図１および図６に示すように、半導体素子１０、導通部材３０およびワイヤ４０と、第１リード２１、第２リード２２およびダイパッド２３の各々の一部とを覆っている。封止樹脂５０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂５０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。封止樹脂５０は、頂面５１、底面５２、一対の第１側面５３、および一対の第２側面５４を有する。
　図６および図７に示すように、頂面５１は、第１方向ｚにおいてダイパッド２３の搭載面２３１と同じ側を向く。図６および図７に示すように、底面５２は、第１方向ｚにおいて頂面５１とは反対側を向く。図３に示すように、底面５２から第１リード２１の第１実装面２１２、第２リード２２の第２実装面２２２、およびダイパッド２３の裏面２３２が露出している。
　図３、図５および図６に示すように、一対の第１側面５３は、第３方向ｙにおいて互いに反対側を向き、かつ第３方向ｙにおいて互いに離れて位置する。一対の第１側面５３は、頂面５１および底面５２につながっている。一対の第１側面５３のうち一方の第１側面５３から、第１リード２１の複数の第１端面２１３、および第２リード２２の第２端面２２３が露出している。一対の第１側面５３のうち他方の第１側面５３から、ダイパッド２３の複数の第３端面２３３が露出している。複数の第１端面２１３、第２端面２２３、および複数の第３端面２３３は、一対の第１側面５３のいずれかと面一である。
　図３、図４、図７および図８に示すように、一対の第２側面５４は、第２方向ｘにおいて互いに反対側を向き、かつ第２方向ｘにおいて互いに離れて位置する。一対の第２側面５４は、頂面５１および底面５２につながっている。一対の第２側面５４から、ダイパッド２３の一対の露出面２３４Ｂが個別に露出している。一対の第２側面５４のうち一方の第２側面５４から、第１リード２１の露出面２１４Ｂが露出している。一対の第２側面５４のうち他方の第２側面５４から、第２リード２２の露出面２２４Ｂが露出している。一対の露出面２３４Ｂ、露出面２１４Ｂおよび露出面２２４Ｂの各々は、一対の第２側面５４のいずれかと面一である。
　変形例：
　次に、図１５に基づき、半導体装置Ａ１０の変形例である半導体装置Ａ１１について説明する。ここで、図１５の断面位置は、図１２の断面位置と同一(または略同一)である。
　図１５に示すように、半導体装置Ａ１１においては、第１リード２１の凹部２１５の構成が、半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。凹部２１５の第１方向ｚにおける寸法ｄは、凹部２１５の第３方向ｙにおける寸法ｂよりも大きい。これにより、第１接合層６１の第１部６１１の体積と、第１部６１１の第１方向ｚの寸法との各々が、半導体装置Ａ１０の場合に対して増加する。さらに、凹部２１５の内周面２１５Ａに含まれる第３方向ｙを向く領域において、第１方向ｚの寸法が半導体装置Ａ１０の場合に対して増加する。
　次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ１０は、第１接合面２１１および凹部２１５を有する第１リード２１と、第１接合部３１および第１突起３４を有するとともに、半導体素子１０と第１リード２１とを導通する導通部材３０と、第１リード２１と導通部材３０とを導電接合する第１接合層６１とを備える。第１接合層６１の少なくとも一部は、凹部２１５に収容されている。第１方向ｚに視て、第１突起３４は、凹部２１５に収容された第１接合層６１に重なる。本構成とることにより、半導体装置Ａ１０の製造において導通部材３０を第１リード２１に導電接合させる際、凹部２１５に収容され、かつ溶融状態の第１接合層６１には、内周面２１５Ａから反力Ｒを受ける（図１２参照）。反力Ｒは、第１方向ｚに対して直交する方向を向く。これにより、第１突起３４は、反力Ｒが向く向きに第１接合層６１とともに変位する。すなわち、第１突起３４には、第１接合層６１によるセルフアライメントが作用する。したがって、導通部材３０が第１方向ｚの回りに回転しようとすると、当該回転とは逆回りのセルフアライメントが導通部材３０に作用する。以上より、本構成によれば、半導体装置Ａ１０の製造の際、半導体素子１０に対する導通部材３０の回転を抑制することが可能となる。
　導通部材３０の第１突起３４は、導通部材３０の第１接合部３１から第２方向ｘに突出している。この場合において、第１方向ｚに視て第１接合部３１の長辺が第２方向ｘであれば、導通部材３０に発生する第１方向ｚの回りのトルクが増加する。本構成をとることにより、導通部材３０が第１方向ｚの回りに回転しようとすると、当該回転とは逆回りの回転力がより増加する。したがって、導通部材３０の第１方向ｚの回りの回転を効果的に抑制できる。
　第１リード２１の凹部２１５の第３方向ｙにおける寸法ｂは、第１突起３４の第３方向ｙにおける寸法Ｂ１よりも大きい。本構成をとることにより、第１方向ｚに視て、第１突起３４の全体が、凹部２１５に収容された第１接合層６１に重なる。これにより、第１突起３４に作用するセルフアライメントの効果の損失を抑制できる。
　第１リード２１の凹部２１５は、第２方向ｘに延びている。第１方向ｚに視て、導通部材３０の第１接合部３１は、凹部２１５に収容された第１接合層６１に重なる。本構成をとることにより、第１接合部３１にも、第１接合層６１によるセルフアライメントが作用する。したがって、導通部材３０に作用するセルフアライメントの効果を向上させることができる。
　上記の場合において、導通部材３０の第１接合部３１の第３方向ｙにおける寸法Ｂ２は、第１リード２１の凹部２１５の第３方向ｙにおける寸法ｂよりも大きい。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０の製造において導通部材３０を第１リード２１に導電接合させる際、溶融状態の第１接合層６１に起因した第１接合部３１の凹部２１５への進入を防止できる。これにより、導通部材３０の安定性を保つことができる。
　導通部材３０は、第２方向ｘにおいて第１接合部３１を基準として第１突起３４とは反対側に位置する第２突起３５を有する。第２突起３５は、第１接合部３１から第２方向ｘに突出している。第１方向ｚに視て、第２突起３５は、凹部２１５に収容された第１接合層６１に重なる。本構成をとることにより、第２突起３５にも、第１接合層６１によるセルフアライメントが作用する。したがって、導通部材３０に作用するセルフアライメントの効果を向上させることができる。
　第１接合層６１は、第１リード２１の凹部２１５に収容された第１部６１１と、凹部２１５からはみ出した第２部６１２とを有する。第１突起３４は、第３方向ｙを向く第１面３４１を有する。第２部６１２は、第１面３４１に接している。本構成をとることにより、第１突起３４に対する第１接合層６１の接触面積が増加する。これにより、第１接合層６１に対する導通部材３０の接合強度の向上を図ることができる。
　第１突起３４は、第１リード２１の凹部２１５に対向する第２面３４２を有する。第２面３４２は、第１接合層６１の第２部６１２に接している。本構成をとることにより、第２面３４２に接触する第１接合層６１の第１方向ｚの寸法が拡大する。これにより、第１接合層６１によるセルフアライメントに伴い、第１接合層６１と第２面３４２との界面に作用するせん断応力がより増加する。したがって、導通部材３０に作用するセルフアライメントの効果をより向上させることができる。
　半導体装置Ａ１１においては、第１リード２１の凹部２１５の第１方向ｚにおける寸法ｄは、凹部２１５の第３方向ｙにおける寸法ｂよりも大きい。本構成をとることにより、凹部２１５に収容された第１接合層６１の第１方向ｚの寸法と、凹部２１５の内周面２１５Ａに含まれる第３方向ｙを向く領域における第１方向ｚの寸法とが、半導体装置Ａ１０の場合に対して増加する。これにより、第１接合層６１によるセルフアライメントに伴い、第１接合層６１と第１突起３４の第２面３４２との界面に作用するせん断応力がさらに増加する。したがって、導通部材３０に作用するセルフアライメントの効果をさらに向上させることができる。
　第１接合層６１、第２接合層６２および導電接合層２９の組成は、錫を含む。本構成をとることにより、第１接合層６１、第２接合層６２および導電接合層２９の各々の融点を比較的低く設定しつつ、これらの融点を互いに略等しくすることができる。これにより、第１リード２１および半導体素子１０の第１電極１１の各々に導電接合する際、これらの導電接合と同時に半導体素子１０をダイパッド２３に接合することができる。
　第１リード２１は、第３方向ｙにおいて半導体素子１０が位置する側とは反対側を向く第１端面２１３を有する。第１端面２１３は、封止樹脂５０から露出している。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０を配線基板に実装する際、ハンダが第１リード２１の第１実装面２１２と第１端面２１３に接触する。これにより、第１端面２１３を覆うハンダフィレットが形成される。したがって、配線基板に対する半導体装置Ａ１０の実装強度の向上を図ることができる。
　ダイパッド２３の裏面２３２は、封止樹脂５０から露出している。これにより、半導体装置Ａ１０の放熱性を向上させることができる。
　導通部材３０の組成は、銅を含む。これにより、アルミニウムを組成に含むワイヤと比較して、導通部材３０の電気抵抗を低減させることができる。このことは、半導体素子１０により大きな電流を流すことに好適である。
　第２実施形態：
　図１６～図１８に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図１６は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。
　半導体装置Ａ２０は、導通部材３０の構成が、半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。
　図１６に示すように、導通部材３０の第１突起３４の中心Ｃ１は、導通部材３０の第２突起３５の中心Ｃ２から第３方向ｙにおいて間隔Ｄで離れている。ここで、中心Ｃ１は、第１方向ｚに視て第１突起３４の外形がなす図形の図心に相当する。中心Ｃ２は、第１方向ｚに視て第２突起３５の外形がなす図形の図心に相当する。これにより、中心Ｃ１および中心Ｃ２の各々は、導通部材３０の第１接合部３１の中心Ｃ０から第３方向ｙにおいて離れている。ここで、中心Ｃ０は、第１方向ｚに視て第１接合部３１の外形がなす図形の図心に相当する。
　図１７に示すように、第１方向ｚに視て、導通部材３０の第１突起３４は、第１リード２１の凹部２１５に収容された第１接合層６１（第１部６１１）と、第１リード２１の第１接合面２１１とに重なる。第１接合面２１１と、第１突起３４の第２面３４２との間には、第１接合層６１の第２部６１２が位置する。第２部６１２は、第１突起３４の一対の第１面３４１のうち一方の第１面３４１に接している。
　図１８に示すように、導通部材３０の第２突起３５は、一対の第３面３５１と、第４面３５２とを有する。一対の第３面３５１は、第３方向ｙにおいて互いに反対側を向く。第４面３５２は、第１リード２１の凹部２１５に対向している。第１接合層６１の第２部６１２は、一対の第３面３５１のうち一方の第３面３５１に接している。凹部２１５の第３方向ｙにおける寸法ｂは、第２突起３５の第３方向ｙにおける寸法Ｂ３よりも大きい。
　図１８に示すように、第１方向ｚに視て、導通部材３０の第２突起３５は、第１リード２１の凹部２１５に収容された第１接合層６１（第１部６１１）と、第１リード２１の第１接合面２１１とに重なる。第１接合面２１１と、第２突起３５の第４面３５２との間には、第１接合層６１の第２部６１２が位置する。
　次に、半導体装置Ａ２０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ２０は、第１接合面２１１および凹部２１５を有する第１リード２１と、第１接合部３１および第１突起３４を有するとともに、半導体素子１０と第１リード２１とを導通する導通部材３０と、第１リード２１と導通部材３０とを導電接合する第１接合層６１とを備える。第１接合層６１の少なくとも一部は、凹部２１５に収容されている。第１方向ｚに視て、第１突起３４は、凹部２１５に収容された第１接合層６１に重なる。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ２０の製造の際にも、半導体素子１０に対する導通部材３０の回転を抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ２０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ２０においても当該構成にかかる作用効果を奏する。
　半導体装置Ａ２０においては、第１方向ｚに視て、導通部材３０の第１突起３４の中心Ｃ１と、導通部材３０の第２突起３５の中心Ｃ２との各々は、導通部材３０の第１接合部３１の中心Ｃ０から第３方向ｙにおいて離れている。本構成をとることにより、中心Ｃ０から中心Ｃ１に至る距離と、中心Ｃ０から中心Ｃ２に至る距離の各々が、半導体装置Ａ１０の場合に対して増加する。これにより、導通部材３０に発生する中心Ｃ０を軸心とする第１方向ｚの回りのトルクが、半導体装置Ａ１０の場合に対して増加する。したがって、導通部材３０の第１方向ｚの回りの回転を、より効果的に抑制できる。
　第３実施形態：
　図１９～図２１に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図１９は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。
　半導体装置Ａ３０は、導通部材３０の構成が、半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。
　図２０および図２１に示すように、導通部材３０は、凸部３６を有する。凸部３６は、導通部材３０の第１突起３４の第２面３４２から第１方向ｚに突出している。さらに凸部３６は、導通部材３０の第１接合部３１の対向面３１１から第１方向ｚに突出している。凸部３６は、第１リード２１の凹部２１５に収容されている。凸部３６は、第１接合層６１の第１部６１１に接している。図１９に示すように、凸部３６は、第２方向ｘに延びている。凸部３６は、第１突起３４および第２突起３５と同様に、たとえばエッチング加工により形成される。
　次に、半導体装置Ａ３０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ３０は、第１接合面２１１および凹部２１５を有する第１リード２１と、第１接合部３１および第１突起３４を有するとともに、半導体素子１０と第１リード２１とを導通する導通部材３０と、第１リード２１と導通部材３０とを導電接合する第１接合層６１とを備える。第１接合層６１の少なくとも一部は、凹部２１５に収容されている。第１方向ｚに視て、第１突起３４は、凹部２１５に収容された第１接合層６１に重なる。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ３０の製造の際にも、半導体素子１０に対する導通部材３０の回転を抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ３０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ３０においても当該構成にかかる作用効果を奏する。
　半導体装置Ａ３０においては、導通部材３０は、第１接合部３１および第１突起３４から第１方向ｚに突出する凸部３６を有する。凸部３６は、第１リード２１の凹部２１５に収容されている。本構成をとることにより、導通部材３０が第１方向ｚの回りに回転しようとすると、凸部３６が凹部２１５の内周面２１５Ａに接触することにより、導通部材３０の回転が規制される。したがって、導通部材３０の第１方向ｚの回りの回転を、さらに効果的に抑制できる。
　本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
　本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
　付記１．
　半導体素子と、
　前記半導体素子から離れた第１リードと、
　前記半導体素子と前記第１リードとを導通する導通部材と、
　前記第１リードと前記導通部材とを導電接合する第１接合層と、を備え、
　前記第１リードは、第１方向を向く接合面と、前記接合面から凹む凹部と、有し、
　前記導通部材は、前記接合面に対向する第１接合部と、前記第１接合部から突出する第１突起と、を有し、
　前記第１接合層の少なくとも一部は、前記凹部に収容されており、
　前記第１方向に視て、前記第１突起は、前記凹部に収容された前記第１接合層に重なる、半導体装置。
　付記２．
　前記第１突起は、前記第１方向において前記接合面を基準として前記凹部とは反対側に位置する、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記第１突起は、前記第１接合部から前記第１方向に対して直交する第２方向に突出している、付記２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記第１方向および前記第２方向に対して直交する第３方向における前記第１突起の寸法は、前記第１接合部の前記第３方向における寸法よりも小さい、付記３に記載の半導体装置。
　付記５．
　前記凹部の前記第３方向における寸法は、前記第１突起の前記第３方向における寸法よりも大きい、付記４に記載の半導体装置。
　付記６．
　前記第１接合部は、前記接合面に対向する対向面を有し、
　前記第１突起は、前記対向面と面一である、付記４または５に記載の半導体装置。
　付記７．
　前記凹部は、前記第２方向に延びており、
　前記第１方向に視て、前記第１接合部は、前記凹部に収容された前記第１接合層に重なる、付記４ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
　付記８．
　前記第１接合部の前記第３方向における寸法は、前記凹部の前記第３方向における寸法よりも大きい、付記７に記載の半導体装置。
　付記９．
　前記凹部の前記第１方向における寸法は、前記凹部の前記第３方向における寸法よりも大きい、付記４ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記第１接合層は、前記凹部に収容された第１部と、前記凹部からはみ出した第２部と、を有し、
　前記第１突起は、前記第３方向を向く第１面を有し、
　前記第２部は、前記第１面に接している、付記４ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記第１突起は、前記凹部に対向する第２面を有し、
　前記第２部は、前記第２面に接している、付記１０に記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記導通部材は、前記第２方向において前記第１接合部を基準として前記第１突起とは反対側に位置する第２突起を有し、
　前記第２突起は、前記第１接合部から前記第２方向に突出しており、
　前記第１方向に視て、前記第２突起は、前記凹部に収容された前記第１接合層に重なる、付記３ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記半導体素子を搭載するダイパッドをさらに備え、
　前記半導体素子は、前記第１方向において前記ダイパッドに対向する側とは反対側に位置する第１電極を有し、
　前記導通部材は、前記半導体素子に対向する第２接合部を有し、
　前記第２接合部は、前記第１方向において前記第１電極に対向する側を向く主面と、前記第１方向に対して直交する方向において前記主面と前記第１接合部との間に位置する傾斜面と、を有し、
　前記傾斜面は、前記第１方向において前記半導体素子から離れる側に前記主面に対して傾斜しており、
　前記第１電極と前記第２接合部とを導電接合する第２接合層をさらに備え、
　前記第２接合層は、前記主面および前記傾斜面に接している、付記１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記半導体素子は、前記第１方向において前記第１電極とは反対側に位置する第２電極を有し、
　前記第２電極は、前記ダイパッドに導電接合されている、付記１３に記載の半導体装置。
　付記１５．
　第２リードをさらに備え、
　前記半導体素子は、前記第１方向において前記第１電極とは同じ側に位置するゲート電極を有し、
　前記第２リードは、前記ゲート電極に導通している、付記１４に記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記ダイパッドおよび前記第１リードの各々の一部と、前記半導体素子および前記導通部材と、を覆う封止樹脂をさらに備え、
　前記ダイパッドは、前記第１方向において前記半導体素子が位置する側とは反対側を向く裏面を有し、
　前記第１リードは、前記第１方向において前記接合面とは反対側を向く実装面を有し、
　前記裏面および前記実装面は、前記封止樹脂から露出している、付記１３ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１７．
　前記第１リードは、前記第１方向に対して直交する方向において前記半導体素子が位置する側とは反対側を向く端面を有し、
　前記端面は、前記封止樹脂から露出している、付記１６に記載の半導体装置。
Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０：半導体装置　　　１０：半導体素子
１１：第１電極　　　１２：第２電極
１３：ゲート電極　　　２１：第１リード
２１１：第１接合面　　　２１２：第１実装面
２１３：第１端面　　　２１４：第１薄肉部
２１４Ａ：中間面　　　２１４Ｂ：露出面
２１５：凹部　　　２１５Ａ：内周面
２２：第２リード　　　２２１：第２接合面
２２２：第２実装面　　　２２３：第２端面
２２４：第２薄肉部　　　２２４Ａ：中間面
２２４Ｂ：露出面　　　２３：ダイパッド
２３１：搭載面　　　２３２：裏面
２３３：第３端面　　　２３４：第３薄肉部
２３４Ａ：中間面　　　２３４Ｂ：露出面
２９：導電接合層　　　３０：導通部材
３１：第１接合部　　　３１１：対向面
３２：第２接合部　　　３２１：主面
３２２：第１傾斜面　　　３２３：第２傾斜面
３３：中間部　　　３４：第１突起
３４１：第１面　　　３４２：第２面
３５：第２突起　　　３５１：第３面
３５２：第４面　　　３６：凸部
４０：ワイヤ　　　５０：封止樹脂
５１：頂面　　　５２：底面
５３：第１側面　　　５４：第２側面
６１：第１接合層　　　６１１：第１部
６１２：第２部　　　６２：第２接合層
ｚ：第１方向　　　ｘ：第２方向
ｙ：第３方向

Claims (17)

  1. 　半導体素子と、
    　前記半導体素子から離れた第１リードと、
    　前記半導体素子と前記第１リードとを導通する導通部材と、
    　前記第１リードと前記導通部材とを導電接合する第１接合層と、を備え、
    　前記第１リードは、第１方向を向く接合面と、前記接合面から凹む凹部と、有し、
    　前記導通部材は、前記接合面に対向する第１接合部と、前記第１接合部から突出する第１突起と、を有し、
    　前記第１接合層の少なくとも一部は、前記凹部に収容されており、
    　前記第１方向に視て、前記第１突起は、前記凹部に収容された前記第１接合層に重なる、半導体装置。
  2. 　前記第１突起は、前記第１方向において前記接合面を基準として前記凹部とは反対側に位置する、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記第１突起は、前記第１接合部から前記第１方向に対して直交する第２方向に突出している、請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記第１方向および前記第２方向に対して直交する第３方向における前記第１突起の寸法は、前記第１接合部の前記第３方向における寸法よりも小さい、請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　前記凹部の前記第３方向における寸法は、前記第１突起の前記第３方向における寸法よりも大きい、請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記第１接合部は、前記接合面に対向する対向面を有し、
    　前記第１突起は、前記対向面と面一である、請求項４または５に記載の半導体装置。
  7. 　前記凹部は、前記第２方向に延びており、
    　前記第１方向に視て、前記第１接合部は、前記凹部に収容された前記第１接合層に重なる、請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
  8. 　前記第１接合部の前記第３方向における寸法は、前記凹部の前記第３方向における寸法よりも大きい、請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記凹部の前記第１方向における寸法は、前記凹部の前記第３方向における寸法よりも大きい、請求項４ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 　前記第１接合層は、前記凹部に収容された第１部と、前記凹部からはみ出した第２部と、を有し、
    　前記第１突起は、前記第３方向を向く第１面を有し、
    　前記第２部は、前記第１面に接している、請求項４ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
  11. 　前記第１突起は、前記凹部に対向する第２面を有し、
    　前記第２部は、前記第２面に接している、請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 　前記導通部材は、前記第２方向において前記第１接合部を基準として前記第１突起とは反対側に位置する第２突起を有し、
    　前記第２突起は、前記第１接合部から前記第２方向に突出しており、
    　前記第１方向に視て、前記第２突起は、前記凹部に収容された前記第１接合層に重なる、請求項３ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
  13. 　前記半導体素子を搭載するダイパッドをさらに備え、
    　前記半導体素子は、前記第１方向において前記ダイパッドに対向する側とは反対側に位置する第１電極を有し、
    　前記導通部材は、前記半導体素子に対向する第２接合部を有し、
    　前記第２接合部は、前記第１方向において前記第１電極に対向する側を向く主面と、前記第１方向に対して直交する方向において前記主面と前記第１接合部との間に位置する傾斜面と、を有し、
    　前記傾斜面は、前記第１方向において前記半導体素子から離れる側に前記主面に対して傾斜しており、
    　前記第１電極と前記第２接合部とを導電接合する第２接合層をさらに備え、
    　前記第２接合層は、前記主面および前記傾斜面に接している、請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
  14. 　前記半導体素子は、前記第１方向において前記第１電極とは反対側に位置する第２電極を有し、
    　前記第２電極は、前記ダイパッドに導電接合されている、請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 　第２リードをさらに備え、
    　前記半導体素子は、前記第１方向において前記第１電極とは同じ側に位置するゲート電極を有し、
    　前記第２リードは、前記ゲート電極に導通している、請求項１４に記載の半導体装置。
  16. 　前記ダイパッドおよび前記第１リードの各々の一部と、前記半導体素子および前記導通部材と、を覆う封止樹脂をさらに備え、
    　前記ダイパッドは、前記第１方向において前記半導体素子が位置する側とは反対側を向く裏面を有し、
    　前記第１リードは、前記第１方向において前記接合面とは反対側を向く実装面を有し、
    　前記裏面および前記実装面は、前記封止樹脂から露出している、請求項１３ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。
  17. 　前記第１リードは、前記第１方向に対して直交する方向において前記半導体素子が位置する側とは反対側を向く端面を有し、
    　前記端面は、前記封止樹脂から露出している、請求項１６に記載の半導体装置。
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