WO2023124046A1 - 一种隧穿氧化层、n型双面太阳能晶硅电池及制备方法 - Google Patents

一种隧穿氧化层、n型双面太阳能晶硅电池及制备方法 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供一种隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法，涉及晶硅太阳能电池领域。隧穿氧化层的制备方法主要是先在硅片表面形成富余-OH，再采用等离子体增强原子层沉积法，在硅片背面沉积形成隧穿氧化层。N型双面太阳能晶硅电池的制备方法主要是将N型硅片依次进行清洗制绒、硼扩散、碱抛光；在正面依次形成P型掺杂层、钝化层、减反射层；在背面先形成隧穿氧化层，再形成N型掺杂多晶硅层，进行退火后，形成减反射层。采用该方法制得的SiOx层的生长速度快，且连续、致密，吸杂与阻塞效果优异，膜厚精确可控，经高温退火后具有高密度、大尺寸的针孔。

Description

一种隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月30日提交中国国家知识产权局的申请号为202111650174.9、名称为“一种隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及晶硅太阳能电池领域，具体而言，涉及一种隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法。
背景技术
近年来，超薄SiO x层、重掺杂poly硅钝化接触结构使晶硅太阳能电池效率得到了极大的提高。其中超薄SiO x层具有极低的界面态密度，一定的化学钝化效果，饱和的硅表面悬挂键，以及因空穴和电子高度不对称的俘获能力(空穴势垒大于电子势垒)而具有的电子选择性收集的能力。还有研究表明SiO x层可以有效阻止重金属杂质原子从多晶硅层进入到硅体区内，具有阻断作用与吸杂效应。
现在制备SiO x层主要采用湿化学生长法(例如采用热硝酸的湿化学生长法)，热氧化生长法(例如采用热硝酸的氧化生长法)和等离子增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、热原子层沉积法(Atomic Layer Deposition，ALD)。其中，热氧化生长法制备SiO x层的速度十分缓慢，不利于工业化生产；PECVD法生成SiO x的沉积速率过快，难以精确控制SiO x的沉积，因此很难将SiO x层的厚度控制在超薄的范围内。湿化学生长法与PECVD法制备的SiO x中Si 4+计量比低，阻塞与吸杂效果弱，热稳定性差。ALD法制得的SiO x层的致密度差，表面态密度高，钝化性能下降，无法得到高密度与大尺寸的针孔，不利于降低接触电阻；而且需要在高温下沉积，制备SiO x层时间比较长，不利于工业化生产。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法，SiO x层的生长速度快，且连续、致密，吸杂与阻塞效果优异，膜厚精确可控，经高温退火后具有高密度、大尺寸的针孔。
本申请的一些实施例提供了一种隧穿氧化层的制备方法，先在硅片表面形成富余-OH， 再采用等离子体增强原子层沉积法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition，PEALD)，在硅片背面沉积形成隧穿氧化层。
在上述技术方案中，先在硅片表面形成富余-OH，为PEALD沉积制备SiO x隧穿氧化层提供-OH，PEALD克服了ALD的缺点，利用硅前驱体和氧源在射频电源产生的电场作用下发生原子反应：氧源被电离成等离子体，等离子体具有较高的能量和活性，快速与吸附在硅片上面的硅原子结合，生成SiO x；PEALD沉积生长的SiO x膜纯度高，是单一组分的SiO 2(Si与O的配位比为1比2)，薄膜致密性好，膜厚可以精确控制在纳米量级；SiO x膜中Si 4+含量比例高，具有非常强的吸杂、阻塞效果和热稳定性，额外氧原子少，界面态密度低，还可以精确控制膜厚；可以耐高温退火，在高温退火后能够保证均匀性，具有高密度、大尺寸的针孔。而且-OH能够增强PEALD过程中硅前驱体的覆盖率，保证形成致密、连续的SiO 2薄膜，还可以节约有机硅源的成本。
在一种可能的实现方式中，形成富余-OH的方法为：在硼扩散后的碱抛光工序中，使用NaOH或KOH与H 2O 2配制而成的碱液清洗硅片。
在上述技术方案中，利用硼扩后的碱抛工序就能在硅片背面形成富余-OH，增强硅前驱体的覆盖率，从而形成致密、连续的SiO 2薄膜。
在一种可能的实现方式中，等离子体增强原子层沉积法包括以下步骤：
S1、通入硅前驱体，吸附硅片表面的硅原子，吹扫氩气，吹掉多余的硅原子，以在硅片表面保留吸附一层硅原子；
S2、通入氧源，并在射频电源产生的电场作用下，在硅片表面沉积形成SiO x膜；
S3、重复步骤S1～S2，形成隧穿氧化层。
在上述技术方案中，首先通入硅前驱体在硅片表面吸附硅原子，通过氩气吹扫，吹掉多余的原子，仅保留一层硅原子吸附在硅片表面，然后再通入氧源，在射频电源产生的电场作用下，氧源被电离成等离子体，快速与吸附在硅片上面的硅原子结合，形成SiO 2膜，经过多次循环可以精确制备适用于晶硅太阳能电池的隧穿氧化层。
在一种可能的实现方式中，射频电源为40kHz-400kHz的方形波或者正弦波电源。
在上述技术方案中，射频电源属于中低频电源，信号变化慢，波形平滑，不同于MHz或者GHz信号变化非常快，容易产生突变，因此本申请形成的SiO x膜层的均匀性更佳，可制备单一组分的SiO x膜，制备的SiO x膜Si 4+化学计量比高，具有优异的吸杂、阻塞、热稳定性。
在一种可能的实现方式中，沉积的温度为80℃-400℃。
在上述技术方案中，沉积的温度范围宽，且相对较低，能够制备钝化性能好的隧穿氧化层；且低温沉积有利于降低用电量，降低制造成本，即PEALD的温度范围广而且可低 温生长，减少能源消耗。
在一种可能的实现方式中，硅前驱体为有机硅源(TMA)或硅烷(SiH 4)；氧源为氧气(O 2)或笑气(N 2O)。
在上述技术方案中，有机硅源或硅烷作为PEALD法沉积SiO x膜的典型硅前驱体，氧气或者笑气作为典型的氧源。
在一种可能的实现方式中，SiO x膜的沉积次数为1次-400次；和/或，隧穿氧化层的厚度为1nm-2nm。
在上述技术方案中，通过控制SiO x膜的沉积次数，可以使隧穿氧化层具有明显的多层结构，可以通过调控修改界面SiO x的工艺影响多晶/非晶硅的结构与性能。
本申请的另一些实施例提供了一种N型双面太阳能晶硅电池的制备方法，其包括以下步骤：
将N型硅片依次进行清洗制绒、硼扩散、碱抛光；
在碱抛光后的N型硅片的正面依次形成P型掺杂层、钝化层、减反射层；
在碱抛光后的N型硅片的背面先采用本申请的一些实施方式提供的制备方法形成隧穿氧化层，再形成N型掺杂多晶硅层，进行退火后，形成减反射层。
在上述技术方案中，在射频电源电场的作用下生长SiO x膜速度较快，提高了设备的利用率，便于产业化低成本生产这种双面N型太阳能晶硅电池；隧穿氧化层经过退火后，具有较高密度与大尺寸的针孔，能够有效选择电子透过，同时具有低的表面态密度与接触电阻，能够大幅提高N型双面晶硅太阳能电池的转换效率。
在一种可能的实现方式中，所述方法还可以包括：在正面的减反射层上形成正面电极，在背面的减反射层上形成背面电极。
在一种可能的实现方式中，退火的温度为850℃-1100℃。
在上述技术方案中，经过高温退火以形成高密度、大尺寸的针孔。
在一种可能的实现方式中，碱抛光的方法包括依次进行预清洗、水洗、刻蚀、水洗、碱洗、水洗、酸洗和水洗，其中碱洗采用NaOH或KOH与H 2O 2按照体积比1：9-10配制而成的碱液，碱洗温度为45°-55°。
在上述技术方案中，通过特定的碱抛光工序就能同时在硅片表面形成富余-OH。
在一种可能的实现方式中，在所述P型掺杂层的正面利用等离子体原子层沉积PEALD方式制备氧化铝钝化层，其中，射频电源为40kHz，沉积的温度为430℃。
在一种可能的实现方式中，在所述氧化铝钝化层正面利用等离子体气相沉积法PECVD沉积含有多层不同折射率的含氮化硅的减反射层。
在一种可能的实现方式中，在N型掺杂多晶硅层背面制备含氮化硅的减反射层。
在一种可能的实现方式中，可以通过印刷银铝浆来在正面的减反射层上形成正面电极，以及通过印刷银浆来在背面的减反射层上形成背面电极。
本申请的又一些实施例提供了一种N型双面太阳能晶硅电池，其包括N型硅片，以及依次叠加位于N型硅片正面的P型掺杂层、钝化层、减反射层，依次叠加于N型硅片背面的隧穿氧化层、N型掺杂多晶硅层和减反射层，隧穿氧化层按照本申请的前述一些方式提供的隧穿氧化层的制备方法形成。
在上述技术方案中，N型双面晶硅太阳能电池的转换效率高。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例1中的隧穿氧化硅层透射电镜图。
具体实施方式
申请人在实现本申请的过程中发现：电池中氧化物钝化层的钝化质量在很大程度上取决于界面氧化物的制备与退火温度；而且SiO x薄膜的致密性，SiO x薄膜的厚度以及Si 4+化学计量比对阻塞杂质迁移，吸杂效应以及热稳定性具有非常明显的影响。对于SiO x薄膜来说，电子穿过致密的SiO x薄膜是通过量子隧穿与局部针孔Pinhole来完成的，因此局部高密度与大尺寸的针孔Pinhole有利于电子的传输，接触电阻的降低，从而提高晶硅太阳能电池的开压与短路电流。
现在制备SiO x薄膜主要采用湿化学生长法、热氧化生长法和等离子增强化学气相沉积法PECVD、热原子层沉积法ALD。这些方法存在各种各样的问题：
热氧化法制备SiO x薄膜的速度十分缓慢，因为其需要先使HNO 3分解才能提供活性氧，不利于工业化快速批量生产。PECVD法制备SiO x薄膜在太阳能工业界中已经被广泛应用于抑制电位诱导降解PID，然而由于硅烷(SiH 4)与笑气(N 2O)或者氧气反应生成SiO x薄膜的沉积速率过快，难以精确控制SiO x薄膜的沉积，因此很难将SiO x薄膜的厚度控制在2nm以内，而SiO x薄膜厚度超过2nm，则电子难以隧穿，电流大大降低。氧化层厚度严重依赖于氧原子的扩散能，而变得自饱和。硝酸湿热生长与PECVD法制备的SiO x薄膜中Si 4+计量比比热氧化法制备的SiO x薄膜的要低，阻塞与吸杂效果弱，热稳定性差；硝酸湿热生长的SiO x薄膜不能承受高的退火温度，此外富余的氧在退火过程中会与硅原子再次结合， 增加SiOx的厚度。热氧化法制备的SiO x薄膜具有优异的薄膜质量与致密性，在吸杂、阻塞、热稳定性上都有较好的效果，但热氧化法通常时间较长，温度高，不利于大规模量产。
热原子层沉积ALD通产是利用硅烷(SiH 4)在200-500℃的沉积温度下和氧气或笑气一起来使用。以氧气为例，简述具体过程如下：基底表面的原生吸附——硅烷与表面的羟基发生反应——表面吸附硅基基团至饱和——剩余的硅烷被抽走——氧气输入腔体，氧气与硅基团反应，产生Si-O桥键——表面被羟基钝化，多余的氧气被抽走——再次开始新一轮循环表面第一层SiO x薄膜生成。缺点一是膜层致密度差，表面态密度高，钝化性能下降；缺点二是需要在200℃-500℃的高温下沉积；缺点三是制备SiOx膜层时间比较长，降低了设备的利用率，设备产能下降，这在工业化生产中是不可接受的；缺点四是无法得到高密度与大尺寸的Pinhole，不利于降低接触电阻。
分析相关技术的各种制备SiO x薄膜的方法和缺陷后，申请人发现，SiO x薄膜制备主要存在的问题就是：SiO x层的生长速度过快或过慢，致密性差，Si 4+计量比低，无法经高温退火，也就无法得到高密度与大尺寸的Pinhole。
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面对本申请实施例的隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法进行具体说明。
本申请实施例提供一种隧穿氧化层的制备方法，其可以包括以下步骤：先在硅片表面形成富余-OH，通常是在硼扩散后的碱抛光工序中，使用NaOH或KOH与H 2O 2配制而成的碱液清洗硅片；再采用等离子体增强原子层沉积法，在硅片背面沉积形成隧穿氧化层。
其中，等离子体增强原子层沉积法可以包括以下步骤：
S1、通入硅前驱体，硅前驱体为有机硅源或硅烷，吸附硅片表面的硅原子，吹扫氩气，吹掉多余的硅原子，以在硅片表面保留吸附一层硅原子；
S2、通入氧源，氧源为氧气或笑气，并在射频电源产生的电场作用下，射频电源为40kHz-400kHz的方形波或者正弦波电源，沉积的温度为80℃-400℃，在硅片表面沉积形成SiO x膜；
S3、重复步骤S1～S2，直至形成隧穿氧化层。
通常情况下，SiO x膜的沉积次数为1次-400次；对应制得的隧穿氧化层的厚度为1nm-2nm。
本申请实施例还提供一种N型双面太阳能晶硅电池，其包括硅片，以及依次叠加位于硅片正面的钝化层、减反射层和正面电极，依次叠加于硅片背面的隧穿氧化层、掺杂多晶 硅层和减反射层、背面电极，隧穿氧化层按照上述的隧穿氧化层的制备方法形成。
需要说明的是，本申请实施例中的硅片为N型硅片，不限定硅片的几何尺寸和规格形状。隧穿氧化层处于N型硅片背面和掺杂多晶硅层之间，顺序不得调整。
另外，本申请实施例还提供一种上述N型双面太阳能晶硅电池的制备方法，其采用PEALD设备进行，可以包括以下步骤：
(1)将N型硅片依次进行清洗制绒、硼扩散、碱抛光。
其中，碱抛光的方法包括依次进行预清洗、水洗、刻蚀、水洗、碱洗、水洗、酸洗和水洗，其中碱洗采用NaOH或KOH与H 2O 2按照体积比1：9-10配制而成的碱液，碱洗温度为45°-55°，从而在硅片表面形成富余-OH。
(2)在碱抛光后的N型硅片的正面依次形成P型掺杂层、钝化层、减反射层。
(3)在碱抛光后的N型硅片的背面先采用上述的隧穿氧化层的制备方法形成隧穿氧化层，具体是采用等离子体增强原子层沉积法沉积形成隧穿氧化层；再形成N型掺杂多晶硅层，进行退火后，退火的温度为850℃-1100℃，形成减反射层。
(4)在正面的减反射层上形成正面电极，在背面的减反射层上形成背面电极。
需要说明的是，本申请实施例不限定PEALD设备的形式和形状，如管式或者板式设备均可，也不限定于设备厂家和使用的环境条件。本申请实施例也不限定硅片承载装置的材质和形状，比如石墨舟的形状和大小不做限定。
以下结合实施例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供一种N型双面太阳能晶硅电池，其按照以下制备过程制得：
第一步、在清洗N型硅片后，在硅片正表面制备绒面以减小光反射，在N型硅片的正面进行硼扩散得到含硼化合物，形成P型掺杂层。
第二步、在硼扩散后去掉硼硅玻璃，具体方式为：
1.预清洗：NaOH与H 2O 2为1比10体积比；70℃；135s；
2.水洗：去离子水；120s；
3.刻蚀：NaOH与添加剂；460s，背面抛光。
4.水洗：去离子水；120s。
5.碱洗，NaOH或KOH与H 2O 2体积比为3比28，50℃，120s。
6.水洗：去离子水；120s。
7.酸洗，HCl水溶液；120s。
8.水洗：去离子水；120s。
其中，用NaOH或KOH与H 2O 2结尾形成富余-OH，有利于后续等离子原子层沉积SiO x 膜。
第三步、在P型掺杂层的正面利用等离子体原子层沉积PEALD方式制备氧化铝钝化层：射频电源为40kHz，沉积的温度为430℃。
第四步、在氧化铝钝化层正面利用等离子体气相沉积法PECVD沉积含有多层不同折射率的含氮化硅的减反射层，从里至外具体为3层氮化硅层(从里到外折射率依次降低)，1层氮氧化硅层和1层氧化硅层。
第五步、在N型硅片的背面利用PEALD方式制备SiO x隧穿氧化硅层，SiO x隧穿氧化硅层厚度为1.5nm：射频电源为40kHz的方形波电源，沉积的温度为400℃，再形成本征以及掺杂含磷化合物的N型掺杂多晶硅层，然后高温退火，退火温度920℃，经过RCA清洗。
制备的隧穿氧化硅层透射电镜图如图1所示，由图可以看出，生长的SiO x晶格方向是沿着Poly的晶格生长；而且出现高密度、大尺寸pinhole。
第六步、在N型掺杂多晶硅层背面制备一层含氮化硅的减反射层，从里至外具体为4层氮化硅层(折射率依次降低)，1层氮氧化硅层，1层氧化硅层。
第七步、在正面的减反射层上面印刷银铝浆形成正面电极，在背面的减反射层上面印刷银浆形成背面电极。
制备的双面晶硅太阳能电池iVoc可达720mV以上，电池转换效率达到24.5％以上。
对比例1
本对比例提供一种N型双面太阳能晶硅电池，其制备过程与实施例1的不同之处：本对比例在抛光后没有采用高比例NaOH或KOH加H 2O 2碱抛。
该N型双面太阳能晶硅电池的开压为705mV左右，电池转换效率为24％左右。
对比例2
本对比例提供一种N型双面太阳能晶硅电池，其制备过程与实施例1的不同之处在于：本对比例硼扩时，降低硼源流量，降低沉积表面源浓度，方阻控制在100左右，且没有退火。
该N型双面太阳能晶硅电池的开压为700mV左右，电池转换效率为23.7％左右。
对比例3
本对比例提供一种N型双面太阳能晶硅电池，其制备过程与实施例1的不同之处在于：将硅片在一定浓度的热硝酸溶液中氧化，且没有退火。
该N型双面太阳能晶硅电池的开压为708mV左右，电池转换效率为23.9％左右。
对比例4
本对比例提供一种N型双面太阳能晶硅电池，其制备过程与实施例1的不同之处在于：本对比例的沉积温度为360℃，通入10000sccm笑气，PECVD功率为10kW，沉积120s。
该N型双面太阳能晶硅电池的开压为710mV左右，电池转换效率为24％左右。
一、电池转换效率对比数据
此外，目前市面上大部分为PERC电池，与本产品结构不同，因此常规工艺电池的转换效率大多低于24％(电池转换效率为23％，开压低于710mV，电流低于18A)，本方法制备的太阳能电池最高转换效率目前可达24.7％。
二、电池表观对比
通过实施例和对比例可知，本申请实施例的PEALD方式通过调整循环次数，能够制备出膜厚可控隧穿氧化层；能够经过高温退火，获得了高密度与大尺寸的Pinhole。
综上所述，本申请实施例的隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法，SiO x层的生长速度快，且连续、致密，吸杂与阻塞效果优异，膜厚精确可控，经高温退火后具有高密度、大尺寸的针孔。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
工业实用性
本申请提供了本申请实施例提供一种隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法，涉及晶硅太阳能电池领域。隧穿氧化层的制备方法主要是先在硅片表面形成富余-OH，再采用等离子体增强原子层沉积法，在硅片背面沉积形成隧穿氧化层。N型双面太阳能晶硅电池的制备方法主要是将N型硅片依次进行清洗制绒、硼扩散、碱抛光；在正面依次形成P型掺杂层、钝化层、减反射层；在背面先形成隧穿氧化层，再形成N型掺杂多晶硅层，进行退火后，形成减反射层。采用该方法制得的SiO x层的生长速度快，且连续、致密，吸杂与阻塞效果优异，膜厚精确可控，经高温退火后具有高密度、大尺寸的针孔。
此外，可以理解的是，本申请的一种隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法是可以重现的，并且可以用在多种工业应用中。例如，本申请的一种隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法可以用于晶硅太阳能电池领域。

Claims (15)

  1. 一种隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：先在硅片表面形成富余-OH，再采用等离子体增强原子层沉积法，在所述硅片背面沉积形成隧穿氧化层。
  2. 根据权利要求1所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，形成富余-OH的方法为：在硼扩散后的碱抛光工序中，使用NaOH或KOH与H 2O 2配制而成的碱液清洗所述硅片。
  3. 根据权利要求1所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述等离子体增强原子层沉积法包括以下步骤：
    S1、通入硅前驱体，吸附硅片表面的硅原子，吹扫氩气，吹掉多余的硅原子，以在硅片表面保留吸附一层硅原子；
    S2、通入氧源，并在射频电源产生的电场作用下，在所述硅片表面沉积形成SiO x膜；
    S3、重复步骤S1～S2，形成所述隧穿氧化层。
  4. 根据权利要求3所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述射频电源为40kHz-400kHz的方形波或者正弦波电源。
  5. 根据权利要求3或4所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述沉积的温度为80℃-400℃；
    和/或，所述硅前驱体为有机硅源或硅烷；所述氧源为氧气或笑气。
  6. 根据权利要求3所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述SiO x膜的沉积次数为1次-400次；和/或，所述隧穿氧化层的厚度为1nm-2nm。
  7. 一种N型双面太阳能晶硅电池的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：
    将N型硅片依次进行清洗制绒、硼扩散、碱抛光；
    在碱抛光后的N型硅片的正面依次形成P型掺杂层、钝化层、减反射层；
    在碱抛光后的N型硅片的背面先采用如权利要求1至6中任一项所述的隧穿氧化层的制备方法形成隧穿氧化层，再形成N型掺杂多晶硅层，进行退火，清洗后，形成减反射层。
  8. 根据权利要求7所述的N型双面太阳能晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在正面的减反射层上形成正面电极，在背面的减反射层上形成背面电极。
  9. 根据权利要求7或8所述的N型双面太阳能晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为850℃-1100℃。
  10. 根据权利要求7至9中任一项所述的N型双面太阳能晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述碱抛光的方法包括依次进行预清洗、水洗、刻蚀、水洗、碱洗、水洗、酸洗和水洗，其中碱洗采用NaOH或KOH与H 2O 2按照体积比1：9-10配制而成的碱液，碱洗 温度为45°-55°。
  11. 根据权利要求7至10中任一项所述的N型双面太阳能晶硅电池的制备方法，其特征在于，在所述P型掺杂层的正面利用等离子体原子层沉积PEALD方式制备氧化铝钝化层，其中，射频电源为40kHz，沉积的温度为430℃。
  12. 根据权利要求11所述的N型双面太阳能晶硅电池的制备方法，其特征在于，在所述氧化铝钝化层正面利用等离子体气相沉积法PECVD沉积含有多层不同折射率的含氮化硅的减反射层。
  13. 根据权利要求7至11所述的N型双面太阳能晶硅电池的制备方法，其特征在于，在所述N型掺杂多晶硅层的背面制备含氮化硅的减反射层。
  14. 根据权利要求8所述的N型双面太阳能晶硅电池的制备方法，其特征在于，通过印刷银铝浆来在正面的减反射层上形成正面电极，以及通过印刷银浆来在背面的减反射层上形成背面电极。
  15. 一种N型双面太阳能晶硅电池，其特征在于，其包括N型硅片，以及依次叠加位于所述N型硅片正面的P型掺杂层、钝化层、减反射层，依次叠加于所述N型硅片背面的隧穿氧化层、N型掺杂多晶硅层和减反射层，所述隧穿氧化层按照根据权利要求1至6中任一项所述的隧穿氧化层的制备方法形成。
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