CN113659032B - 避开氧化铝钝化的perc电池和电池钝化层的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法。避开氧化铝钝化的PERC电池，包括依次层叠设置的：电池基片、氧化硅膜、第一氮氧化硅膜、第二氮氧化硅膜、第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜。如此，通过依次层叠设置的1层氧化硅膜、2层氮氧化硅膜和3层氮化硅膜，可以避开氧化铝钝化，使得PERC电池的钝化效果和抗潜在电势诱导衰减(Potential Induced Degradation，PID)效果较好，而且可以降低成本。

Description

避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法
技术领域
本申请属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法。
背景技术
相关技术中的钝化发射极背面接触电池(PERC)的背面钝化技术，主要是在P型硅基体上沉积一层AlOx钝化层，然后在AlOx层外沉积若干层SiNx层。AlOx钝化层不仅能够降低电池背面复合，而且能改善长波响应，提高电池效率。
然而，单晶PERC电池钝化的主要辅材是TMA及N2O，且TMA价格昂贵，难以取代，导致成本较高。而且，现有的AlOx钝化层的钝化技术存在专利壁垒。
基于此，如何实现PERC电池的钝化以降低成本并规避AlOx钝化层，成为了亟待解决的问题。
发明内容
本申请提供一种避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法，旨在解决如何实现PERC电池的钝化以降低成本并规避AlOx钝化层的问题。
第一方面，本申请提供的避开氧化铝钝化的PERC电池，包括依次层叠设置的：电池基片、氧化硅膜、第一氮氧化硅膜、第二氮氧化硅膜、第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜。
可选地，所述氧化硅膜的厚度范围为5nm-40nm。
可选地，所述氧化硅膜的折射率范围为1.5-1.6。
可选地，所述第一氮氧化硅膜的厚度范围为5nm-40nm，所述第二氮氧化硅膜的厚度范围为10nm-80nm。
可选地，所述第一氮氧化硅膜的折射率范围为1.8-2.0，所述第二氮氧化硅膜的折射率范围为1.7-1.9。
可选地，所述第一氮化硅膜的厚度范围为30nm-70nm，所述第二氮化硅膜的厚度范围为20nm-40nm，所述第三氮化硅膜的厚度范围为10nm-30nm。
可选地，所述第一氮化硅膜的折射率范围为2.2-2.3，所述第二氮化硅膜的折射率范围为2.1-2.2，所述第三氮化硅膜的折射率范围为2.0-2.1。
第二方面，本申请提供的电池钝化层的制作方法，包括：
在待沉积钝化膜的电池基片上沉积氧化硅膜；
在所述氧化硅膜上沉积第一氮氧化硅膜；
在所述第一氮氧化硅膜上沉积第二氮氧化硅膜；
在所述第二氮氧化硅膜上沉积第一氮化硅膜；
在所述第一氮化硅膜上沉积第二氮化硅膜；
在所述第二氮化硅膜上沉积第三氮化硅膜。
可选地，在待沉积钝化膜的电池基片上沉积氧化硅膜，包括：
在镀膜设备中通入SiH4和N2O，以形成所述氧化硅膜；
在所述氧化硅膜上沉积第一氮氧化硅膜，包括：
在所述镀膜设备中通入SiH4、NH3和N2O，以形成所述第一氮氧化硅膜；
在所述第一氮氧化硅膜上沉积第二氮氧化硅膜，包括：
在所述镀膜设备中通入SiH4、NH3和N2O，以形成所述第二氮氧化硅膜；
在所述第二氮氧化硅膜上沉积第一氮化硅膜，包括：
在所述镀膜设备中通入SiH4和NH3，以形成所述第一氮化硅膜；
在所述第一氮化硅膜上沉积第二氮化硅膜，包括：
在所述镀膜设备中通入SiH4和NH3，以形成所述第二氮化硅膜；
在所述第二氮化硅膜上沉积第三氮化硅膜，包括：
在所述镀膜设备中通入SiH4和NH3，以形成所述第三氮化硅膜。
第三方面，本申请提供的避开氧化铝钝化的PERC电池，包括电池基片和设置在电池基片的钝化层，所述钝化层采用上述任一项的方法制作得到。
本申请实施例的避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法中，通过依次层叠设置的1层氧化硅膜、2层氮氧化硅膜和3层氮化硅膜，可以避开氧化铝钝化，使得PERC电池的钝化效果和抗潜在电势诱导衰减(Potential Induced Degradation，PID)效果较好，而且可以降低成本。
附图说明
图1是本申请实施例的避开氧化铝钝化的PERC电池的结构示意图；
图2是本申请实施例的电池钝化层的制作方法的流程示意图；
图3是本申请实施例的电池钝化层的制作方法的流程示意图；
图4是相关技术中的PERC电池的钝化层的结构示意图。
主要元件符号说明：
PERC电池10、电池基片11、氧化硅膜12、第一氮氧化硅膜13、第二氮氧化硅膜14、第一氮化硅膜15、第二氮化硅膜16和第三氮化硅膜17。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
现有技术通常通过AlOx钝化层对电池进行钝化。然而如此，成本较高且存在专利壁垒。本发明实施例提供的PERC电池，通过依次层叠设置的1层氧化硅膜、2层氮氧化硅膜和3层氮化硅膜，可以避开氧化铝钝化，并降低成本。
请参阅图1，本申请实施例的避开氧化铝钝化的PERC电池10，包括依次层叠设置的：电池基片11、氧化硅膜12、第一氮氧化硅膜13、第二氮氧化硅膜14、第一氮化硅膜15、第二氮化硅膜16和第三氮化硅膜17。
本申请实施例的PERC电池10，通过依次层叠设置的1层氧化硅膜、2层氮氧化硅膜和3层氮化硅膜，可以避开氧化铝钝化，使得PERC电池10的钝化效果和抗潜在电势诱导衰减(Potential Induced Degradation，PID)效果较好，而且可以降低成本。
可选地，氧化硅膜12的厚度范围为5nm-40nm。例如为5nm、6nm、10nm、12nm、15nm、18nm、20nm、21nm、27nm、30nm、32nm、35nm、38nm、40nm。如此，有利于钝化电池背面缺陷和形成正电荷场效应，减少载流子复合，提高电池的开路电压和短路电流。
可选地，氧化硅膜12的折射率范围为1.5-1.6。例如为1.5、1.51、1.52、1.53、1.54、1.55、1.56、1.57、1.58、1.59、1.6。如此，有利于保证钝化效果并提高PERC电池10的转换效率。
可选地，第一氮氧化硅膜13的厚度范围为5nm-40nm，第二氮氧化硅膜14的厚度范围为10nm-80nm。第一氮氧化硅膜13的厚度例如为5nm、6nm、10nm、12nm、15nm、18nm、20nm、21nm、27nm、30nm、32nm、35nm、38nm、40nm。第二氮氧化硅膜14的厚度例如为10nm、11nm、15nm、20nm、28nm、30nm、41nm、57nm、60nm、72nm、78nm、80nm。如此，通过两层氮氧化硅膜辅助钝化电池背面，使得提高电池效率的效果更好。
可选地，第一氮氧化硅膜13的折射率范围为1.8-2.0，第二氮氧化硅膜14的折射率范围为1.7-1.9。第一氮氧化硅膜13的折射率例如1.8、1.81、1.82、1.85、1.87、1.90、1.92、1.93、1.95、1.98、2.0。第二氮氧化硅膜14的折射率例如1.7、1.71、1.72、1.75、1.77、1.80、1.82、1.83、1.85、1.88、1.9。如此，有利于保证钝化效果并提高PERC电池10的转换效率。
可选地，第一氮化硅膜15的厚度范围为30nm-70nm，第二氮化硅膜16的厚度范围为20nm-40nm，第三氮化硅膜17的厚度范围为10nm-30nm。第一氮化硅膜15的厚度例如为30nm、32nm、35nm、38nm、40nm、41nm、45nm、49nm、50nm、52nm、55nm、58nm、60nm、61nm、66nm、69nm、70nm。，第二氮化硅膜16的厚度例如为20nm、21nm、27nm、30nm、32nm、35nm、38nm、40nm。第三氮化硅膜17的厚度例如为10nm、11nm、17nm、20nm、22nm、25nm、28nm、30nm。如此，通过三层氮化硅膜，保护电池背面钝化层并起到减反射作用，增强长波吸收，使得提高电池效率的效果更好。
可选地，第一氮化硅膜15的折射率范围为2.2-2.3，第二氮化硅膜16的折射率范围为2.1-2.2，第三氮化硅膜17的折射率范围为2.0-2.1。第一氮化硅膜15的折射率例如为2.2、2.21、2.22、2.23、2.24、2.25、2.26、2.27、2.28、2.29、2.3。第二氮化硅膜16的折射率例如为2.1、2.11、2.12、2.13、2.14、2.15、2.16、2.17、2.18、2.19、2.2。第三氮化硅膜17的折射率例如为2.0、2.01、2.02、2.03、2.04、2.05、2.06、2.07、2.08、2.09、2.1。如此，有利于保证钝化效果并提高PERC电池10的转换效率。
请查阅图2，本申请实施例的电池钝化层的制作方法，包括：
步骤S12：在待沉积钝化膜的电池基片11上沉积氧化硅膜12；
步骤S13：在氧化硅膜12上沉积第一氮氧化硅膜13；
步骤S14：在第一氮氧化硅膜13上沉积第二氮氧化硅膜14；
步骤S15：在第二氮氧化硅膜14上沉积第一氮化硅膜15；
步骤S16：在第一氮化硅膜15上沉积第二氮化硅膜16；
步骤S17：在第二氮化硅膜16上沉积第三氮化硅膜17。
本申请实施例的电池钝化层的制作方法，通过依次层叠设置的1层氧化硅膜、2层氮氧化硅膜和3层氮化硅膜，可以避开氧化铝钝化，使得PERC电池10的钝化效果和抗潜在电势诱导衰减(Potential Induced Degradation，PID)效果较好，而且可以降低成本。
在本实施例中，在步骤S12前，可对P型单晶硅片进行制绒、硼扩散、SE激光、刻蚀、退火处理，从而制成待沉积钝化膜的电池基片12。然后可将待沉积钝化膜的电池基片12放入镀膜设备中沉积钝化膜。镀膜设备可为Centrotherm/捷佳伟创或其他镀膜设备。在其他实施例中，可对N型硅片或多晶硅片进行前述处理，以制成待沉积钝化膜的电池基片12。在此不进行限定。
在本实施例中，可使用体积比为2％的KOH溶液配合制绒添加剂，在温度为80℃和时间为400s的条件下，在硅片正面和背面形成金字塔状绒面。可使用HF和HNO3混合液，将硅片背面进行粗抛光，其中HF体积浓度为10％，HNO3体积浓度为40％。可使用温度为80℃的KOH药液将硅片背面抛光。可使用HF和HCL混合液清洗以中和硅片表面残留的碱液，其中HF的体积浓度为5％，HCL的体积浓度为10％。可使用RCA2#液清洗硅片，去除硅片表面的金属离子。
在本实施例中，镀膜设备可通过等离子体增强化学气相沉积法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)在待沉积钝化膜的电池基片12上沉积氧化硅膜12、第一氮氧化硅膜13、第二氮氧化硅膜14、第一氮化硅膜15、第二氮化硅膜16和第三氮化硅膜17。
如此，镀膜时所需的基本温度较低，沉积的速率较快，效率较高，形成的钝化膜针孔较少，不易龟裂，质量较好，有利于提高生产效率和电池性能。
在本实施例中，在步骤S17后，可将沉积了氧化硅膜12、第一氮氧化硅膜13、第二氮氧化硅膜14、第一氮化硅膜15、第二氮化硅膜16和第三氮化硅膜17的电池基片12从镀膜设备中取出。在步骤S17后，可将沉积了氧化硅膜12、第一氮氧化硅膜13、第二氮氧化硅膜14、第一氮化硅膜15、第二氮化硅膜16和第三氮化硅膜17的电池基片12进行正面镀膜、背面激光和丝网印刷，以制成PERC电池10。
在本实施例中，可在电池基片12的正面镀氧化硅层。进一步地，可通过热氧化对电池基片12进行退火处理，以形成氧化硅层。如此，可以有效阻止载流子在表面处的复合，提高PERC电池10的转换效率，改善PERC电池10的抗PID性能，延长使用寿命。
在本实施例中，可在电池基片12的正面镀氮化硅层。如此，可以降低PERC电池10对太阳光的反射率，有利于提高PERC电池10的光电转换效率。
在本实施例中，可利用激光进行背面开槽，利用银浆料在开槽后的电池基片12进行丝网印刷形成背面电极，利用铝浆料丝网印刷形成背电场，利用银浆料丝网印刷形成正面电极。再烧结印刷后的电池基片12。如此，可以通过背电场减少表面的复合率，钝化背表面，可通过正面电极和背面电极输出电流。
可以理解，在其他的实施例中，可通过利用掩膜沉积金属来制作电极。在此不对制作电极的具体方式进行限定。
另外，可对制成的PERC电池10进行电性能测试。如此，可以检测PERC电池10的性能，有利于及时发现问题并改进。
请查阅图3，可选地，步骤S12包括：
步骤S121：在镀膜设备中通入SiH4和N2O，以形成氧化硅膜12；
步骤S13包括：
步骤S131：在镀膜设备中通入SiH4、NH3和N2O，以形成第一氮氧化硅膜13；
步骤S14包括：
步骤S141：在镀膜设备中通入SiH4、NH3和N2O，以形成第二氮氧化硅膜14；
步骤S15包括：
步骤S151：在镀膜设备中通入SiH4和NH3，以形成第一氮化硅膜15；
步骤S16包括：
步骤S161：在镀膜设备中通入SiH4和NH3，以形成第二氮化硅膜16；
步骤S17包括：
步骤S171：在镀膜设备中通入SiH4和NH3，以形成第三氮化硅膜17。
如此，通过气相沉积形成钝化膜，沉积的速率较快，效率较高，形成的钝化膜针孔较少，不易龟裂，质量较好，有利于提高生产效率和电池性能。
可选地，在步骤S121中，按照SiH4和N2O的比例为1：(5-15)通入SiH4和N2O，并打开射频电源，以形成1层氧化硅膜12；其中，SiH4气体流量的范围为300sccm-1500sccm，N2O气体流量的范围为5slm-15slm，镀膜时间的范围为50s-400s。如此，实现氧化硅膜12的制作。
具体地，SiH4和N2O的比例，例如为1:5、1:5.1、1:5.5、1:6、1:6.2、1:6.9、1:7、1:7.5、1:8、1:8.2、1:8.9、1:9、1:9.3、1:9.7、1:10、1:11、1:14、1:15。
具体地，SiH4气体流量例如为300sccm、302sccm、460sccm、820sccm、1000sccm、1200sccm、1400sccm、1500sccm。
具体地，N2O气体流量例如为5slm、5.2slm、5.7slm、6.3slm、7.5slm、8.2slm、9.3slm、10slm、11slm、12slm、14slm、15slm。
具体地，镀膜时间例如为50s、52s、88s、95s、100s、108s、136s、147s、350s、400s。
可选地，在步骤S131中，按照SiH4、NH3和N2O的比例为1：(2-6)：(3-7)通入SiH4、NH3和N2O，并打开射频电源，以形成第一氮氧化硅膜13；其中，SiH4气体流量的范围为500sccm-2000sccm，NH3气体流量的范围为2slm-6slm，N2O气体流量的范围为3slm-7slm，镀膜时间的范围为20s-200s。如此，实现第一氮氧化硅膜13的制作。
具体地，SiH4、NH3和N2O的比例，例如为1：2：3、1：2：4、1：2：5、1：2：7、1：3：3、1：4：3、1：5：3、1：6：3、1：3：4、1：4：5、1：5：6。
具体地，SiH4气体流量例如为500sccm、502sccm、560sccm、820sccm、1000sccm、1200sccm、1400sccm、1500sccm、1800sccm、2000sccm。
具体地，NH3气体流量例如为2slm、2.1slm、3.2slm、3.7slm、4.3slm、4.5slm、5.2slm、6slm。
具体地，N2O气体流量例如为3slm、3.2slm、3.7slm、4.3slm、4.5slm、5.2slm、6.3slm、6.5slm、7slm。
具体地，镀膜时间例如为20s、22s、38s、45s、52s、88s、95s、100s、108s、136s、147s、166s、187s、200s。
可选地，在步骤S141中，按照SiH4、NH3和N2O的比例为1：(3-7)：(4-8)通入SiH4、NH3和N2O，并打开射频电源，以形成第二氮氧化硅膜14；其中，SiH4气体流量的范围为500sccm-2000sccm，NH3气体流量的范围为3slm-7slm，N2O气体流量的范围为4slm-8slm，镀膜时间的范围为40s-400s。如此，实现第二氮氧化硅膜14的制作。
具体地，SiH4、NH3和N2O的比例，例如为1：3：4、1：3：5、1：3：6、1：3：7、1：3：8、1：3：4、1：4：4、1：5：4、1：6：4、1：4：5、1：5：6。
具体地，SiH4气体流量例如为500sccm、502sccm、560sccm、820sccm、1000sccm、1200sccm、1400sccm、1500sccm、1800sccm、2000sccm。
具体地，NH3气体流量例如为3slm、3.1slm、4.2slm、4.7slm、5.3slm、5.5slm、6.2slm、7slm。
具体地，N2O气体流量例如为4slm、4.2slm、4.7slm、5.3slm、5.5slm、6.2slm、7.3slm、7.5slm、8slm。
具体地，镀膜时间例如为40s、45s、88s、95s、100s、136s、166s、200s、227s、256s、287s、300s、347s、387s、400s。
可选地，在步骤S151中，按照SiH4和NH3的比例为1：(3-8)通入SiH4和NH3，并打开射频电源，以形成第一氮化硅膜15；其中，SiH4气体流量的范围为500sccm-2000sccm，NH3气体流量的范围为3slm-8slm，镀膜时间的范围为100s-400s。如此，实现第一氮化硅膜15的制作。
具体地，SiH4和NH3的比例，例如为1：3、1：4、1：5、1：6、1：7、1：8。
具体地，SiH4气体流量例如为500sccm、502sccm、560sccm、820sccm、1000sccm、1200sccm、1400sccm、1500sccm、1800sccm、2000sccm。
具体地，NH3气体流量例如为3slm、3.1slm、4.2slm、4.7slm、5.3slm、5.5slm、6.2slm、7slm。
具体地，镀膜时间例如为100s、102s、136s、166s、200s、227s、256s、287s、300s、347s、387s、400s。
可选地，在步骤S161中，按照SiH4和NH3的比例为1：(4-9)通入SiH4和NH3，并打开射频电源，以形成第二氮化硅膜16；其中，SiH4气体流量的范围为500sccm-2000sccm，NH3气体流量的范围为4slm-9slm，镀膜时间的范围为80s-300s。如此，实现第二氮化硅膜16的制作。
具体地，SiH4和NH3的比例，例如为1：4、1：5、1：6、1：7、1：8、1：9。
具体地，SiH4气体流量例如为500sccm、502sccm、560sccm、820sccm、1000sccm、1200sccm、1400sccm、1500sccm、1800sccm、2000sccm。
具体地，NH3气体流量例如为4slm、4.1slm、5.2slm、5.7slm、6.3slm、6.5slm、7.2slm、8slm、8.5slm、9slm。
具体地，镀膜时间例如为80s、82s、100s、112s、136s、166s、200s、227s、256s、287s、300s。
可选地，在步骤S171中，按照SiH4和NH3的比例为1：(5-10)通入SiH4和NH3，并打开射频电源，以形成第三氮化硅膜17；其中，SiH4气体流量的范围为500sccm-2000sccm，NH3气体流量的范围为5slm-10slm，镀膜时间的范围为50s-200s。如此，实现第三氮化硅膜17的制作。
具体地，SiH4和NH3的比例，例如为1：5、1：6、1：7、1：8、1：9、1：10。
具体地，SiH4气体流量例如为500sccm、502sccm、560sccm、820sccm、1000sccm、1200sccm、1400sccm、1500sccm、1800sccm、2000sccm。
具体地，NH3气体流量例如为5slm、5.2slm、5.7slm、6.3slm、6.5slm、7.2slm、8slm、8.5slm、9slm、9.8slm、10slm。
具体地，镀膜时间例如为50s、52s、70s、92s、100s、112s、136s、166s、200s。
可选地，在步骤S121前，方法包括：
将镀膜设备升温至预定温度，预定温度的范围为400℃-480℃；
在镀膜设备中通入反应气体；
在镀膜设备中通入N2O和NH3，并打开射频电源进行预处理，气体流量的范围为2slm-5slm，通入时间的范围为2min-5min；
抽空镀膜设备中通入的N2O和NH3；
在镀膜设备中通入N2O，并打开射频电源进行预处理，气体流量的范围为4slm-10slm，通入时间的范围为1min-3min；
抽空镀膜设备中通入的N2O。
如此，在沉积钝化膜之前进行预处理，可以提高沉积钝化膜的效果。而且，在通入的气体使用完毕后，先抽空使用完毕的气体，再通入后续需要使用的气体，可以避免先前的气体对后续过程产生影响。
具体地，预定温度例如为400℃、401℃、412℃、432℃、443℃、450℃、456℃、462℃、478℃、480℃。N2O和NH3气体流量例如为2slm、2.1slm、2.5slm、3slm、3.5slm、4.2slm、5slm，通入时间例如为2min、2.1min、2.5min、3min、3.5min、4.2min、5min。N2O气体流量的范围为4slm、4.2slm、5.5slm、6.6slm、7slm、8.2slm、9.6slm、10slm，通入时间例如为1min、1.1min、2min、2.5min、3min。在此不对具体数值进行限定，只要满足上述范围即可。
可选地，方法包括：
在步骤S131前，抽空镀膜设备中通入的SiH4和N2O；
在步骤S141前，抽空镀膜设备中通入的SiH4、NH3和N2O；
在步骤S151前，抽空镀膜设备中通入的SiH4、NH3和N2O；
在步骤S161前，抽空镀膜设备中通入的SiH4和NH3；
在步骤S171前，抽空镀膜设备中通入的SiH4和NH3。
如此，在每个步骤通入的气体使用完毕后，先抽空通入的气体，再通入下一步骤的气体，可以避免前步骤的气体对后续步骤产生影响，能够更加准确地形成钝化膜。
本申请实施例的避开氧化铝钝化的PERC电池10，包括电池基片11和设置在电池基片11的钝化层，钝化层采用上述任一项的方法制作得到。
本申请实施例的避开氧化铝钝化的PERC电池10，通过依次层叠设置的1层氧化硅膜、2层氮氧化硅膜和3层氮化硅膜，可以避开氧化铝钝化，使得PERC电池10的钝化效果和抗潜在电势诱导衰减(Potential Induced Degradation，PID)效果较好，而且可以降低成本。
关于该部分的解释和说明可参照前文，为避免冗余，在此不再赘述。
请参阅图4，相关技术中的太阳能电池的钝化层20包括氧化铝(AlOx)钝化层21、氧化硅(SiOx)钝化层22和氮化硅(SixNy)钝化层23。
选取2000片P型单晶硅片，P型单晶硅片掺镓，平均分为两组，即对比组和实验组。对比组的硅片经过制绒、扩散、SE激光、刻蚀、退火、正膜、丝网印刷制备成太阳能电池。实验组的硅片经过制绒、扩散、SE激光、刻蚀和退火后，采用本实施例的电池钝化层的制作方法钝化背面，然后经过正膜、背面激光、丝网印刷制备成太阳能电池。对比组和实验组的太阳能电池的电性能数据如下：
Figure BDA0003144976950000121
Figure BDA0003144976950000122
显然，相较于通过现有技术中的AlOx钝化方法制成的太阳能电池，采用本申请中的电池钝化层的制作方法制成的太阳能电池10，因不需要用三甲基铝(TMA)，成本更低，制作的组件抗PID性能明显更优。同时本申请中采用的SiOx-SiONx-SiNx背面复合膜结构的钝化层钝化效果略优，开路电压略高，光电转换效率与AlOx钝化方法制成的太阳能电池效率持平。
以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种电池钝化层的制作方法，其特征在于，包括：
在镀膜设备中通入SiH4和N2O，以在待沉积钝化膜的电池基片上沉积氧化硅膜；具体地，按照SiH4和N2O的比例为1：(11-15)通入SiH4和N2O，并打开射频电源，以形成1层所述氧化硅膜；其中，SiH4气体流量的范围为1400sccm-1500sccm，N2O气体流量的范围为11slm-15slm，镀膜时间的范围为108s-400s；
在所述镀膜设备中通入SiH4、NH3和N2O，以在所述氧化硅膜上沉积第一氮氧化硅膜；具体地，按照SiH4、NH3和N2O的比例为1：(4-6)：(5-7)通入SiH4、NH3和N2O，并打开射频电源，以形成所述第一氮氧化硅膜；其中，SiH4气体流量的范围为502sccm-2000sccm，NH3气体流量的范围为2.1slm-4.5slm，N2O气体流量的范围为3slm-4.5slm，镀膜时间的范围为20s-95s；
在所述镀膜设备中通入SiH4和NH3，以在所述第一氮氧化硅膜上沉积第二氮氧化硅膜；具体地，按照SiH4、NH3和N2O的比例为1：(4-6)：(5-7)通入SiH4、NH3和N2O，并打开射频电源，以形成所述第二氮氧化硅膜；其中，SiH4气体流量的范围为502sccm-2000sccm，NH3气体流量的范围为3.1slm-4.7slm，N2O气体流量的范围为5.3slm-8slm，镀膜时间的范围为136s-400s；
在所述镀膜设备中通入SiH4和NH3，以在所述第二氮氧化硅膜上沉积第一氮化硅膜；具体地，按照SiH4和NH3的比例为1：(3-8)通入SiH4和NH3，并打开射频电源，以形成所述第一氮化硅膜；其中，SiH4气体流量的范围为820sccm-2000sccm，NH3气体流量的范围为3.1slm-8slm，镀膜时间的范围为347s-400s；
在所述镀膜设备中通入SiH4和NH3，以在所述第一氮化硅膜上沉积第二氮化硅膜；具体地，按照SiH4和NH3的比例为1：(4-7)通入SiH4和NH3，并打开射频电源，以形成所述第二氮化硅膜；其中，SiH4气体流量的范围为820sccm-2000sccm，NH3气体流量的范围为5.2slm-9slm，镀膜时间的范围为112s-287s；
在所述镀膜设备中通入SiH4和NH3，以在所述第二氮化硅膜上沉积第三氮化硅膜；具体地，按照SiH4和NH3的比例为1：(9-10)通入SiH4和NH3，并打开射频电源，以形成所述第三氮化硅膜；其中，SiH4气体流量的范围为820sccm-2000sccm，NH3气体流量的范围为5slm-10slm，镀膜时间的范围为50s-200s；
其中，所述第一氮氧化硅膜的厚度范围为10nm-20nm，所述第二氮氧化硅膜的厚度范围为20nm-80nm；所述第一氮氧化硅膜的折射率范围为1.8-2.0，所述第二氮氧化硅膜的折射率范围为1.7-1.9；所述第一氮化硅膜的厚度范围为40nm-70nm，所述第二氮化硅膜的厚度范围为20nm-40nm，所述第三氮化硅膜的厚度范围为10nm-30nm；所述第一氮化硅膜的折射率范围为2.2-2.3，所述第二氮化硅膜的折射率范围为2.1-2.2，所述第三氮化硅膜的折射率范围为2.0-2.1。
2.一种避开氧化铝钝化的PERC电池，其特征在于，包括电池基片和设置在电池基片的钝化层，所述钝化层采用权利要求1所述的方法制作得到。
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