CN113299768B - 太阳能电池和太阳能电池的制作方法 - Google Patents

太阳能电池和太阳能电池的制作方法 Download PDF

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Abstract

本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制作方法。自太阳能电池的正面至太阳能电池的背面，太阳能电池包括依次层叠的：第一正面氧化硅层、正面氮氧化硅层、第二正面氧化硅层、正面氮化硅层、电池基片、背面氧化铝层、第一背面氧化硅层、背面氮化硅层、背面氮氧化硅层、第二背面氧化硅层。这样，有利于提高太阳能电池的双面光电转换效率。

Description

太阳能电池和太阳能电池的制作方法
技术领域
本申请属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池和太阳能电池的制作方法。
背景技术
相关技术中的太阳能电池，在电池基片的正面和背面通常镀有各种膜层，以提升太阳能电池的性能。例如，在电池基片镀减反射层，以减少太阳能电池反射太阳光，使得太阳能电池吸收更多的太阳光。又如，在电池基片镀钝化层，以减小复合速率，提高少数载流子寿命。然而，太阳能电池的光电转换效率还是较低。基于此，如何进一步提高太阳能电池的光电转换效率，成为了亟待解决的问题。
发明内容
本申请提供一种太阳能电池和太阳能电池的制作方法，旨在解决如何进一步提高太阳能电池的光电转换效率的问题。
第一方面，本申请提供的太阳能电池，自所述太阳能电池的正面至所述太阳能电池的背面，所述太阳能电池包括依次层叠的：第一正面氧化硅层、正面氮氧化硅层、第二正面氧化硅层、正面氮化硅层、电池基片、背面氧化铝层、第一背面氧化硅层、背面氮化硅层、背面氮氧化硅层、第二背面氧化硅层。
可选地，所述第一正面氧化硅层的层数、所述正面氮氧化硅层和所述第二正面氧化硅层的层数均为1层，所述正面氮化硅层的层数为5层。
可选地，所述第一正面氧化硅层的厚度范围为4-6nm，所述正面氮氧化硅层的厚度范围为4-6nm，所述第二正面氧化硅层的厚度范围为4-6nm，所述正面氮化硅层的厚度范围为50-70nm。
可选地，所述背面氧化铝层和所述第一背面氧化硅层的层数均为1层，所述背面氮化硅层的层数为3层，所述背面氮氧化硅层的层数为2层，所述第二背面氧化硅层的层数为1层。
可选地，所述背面氧化铝层的厚度范围为8-12nm，所述第一背面氧化硅层的厚度范围为4-6nm所述背面氮化硅层的厚度范围为50-60nm，所述背面氮氧化硅层的厚度范围为8-12nm，所述第二背面氧化硅层的厚度范围为4-6nm。
第二方面，本申请提供的太阳能电池的制作方法，包括：
在待沉积背面膜层的电池基片的背面依次沉积背面氧化铝层、第一背面氧化硅层、背面氮化硅层、背面氮氧化硅层和第二背面氧化硅层；
在待沉积正面膜层的电池基片的正面依次沉积正面氮化硅层、第二正面氧化硅层、正面氮氧化硅层和第一正面氧化硅层；
在沉积了背面膜层和正面膜层的电池基片上制作电路；
烧结制作了电路的电池基片。
可选地，在所述在待沉积背面膜层的电池基片的背面依次沉积背面氧化铝层、第一背面氧化硅层、背面氮化硅层、背面氮氧化硅层和第二背面氧化硅层的步骤中，和，在所述在待沉积正面膜层的电池基片的正面依次沉积正面氮化硅层、第二正面氧化硅层、正面氮氧化硅层和第一正面氧化硅层的步骤中：
PECVD设备的功率的范围为1000-20000w，压力的范围为1000-2000motr，硅烷的流量范围为0-2000sccm，氨气的流量范围为0-50slm，笑气的流量范围为0-50slm。
可选地，在所述在待沉积背面膜层的电池基片的背面依次沉积背面氧化铝层、第一背面氧化硅层、背面氮化硅层、背面氮氧化硅层和第二背面氧化硅层的步骤中：
所述背面氧化铝层的层数为1层，在沉积所述背面氧化铝层时，PECVD设备的功率为4200w，占空比为2/120，压力为1540motr，笑气的流量为6slm，TMA为81％；
所述第一背面氧化硅层的层数为1层，在沉积所述第一背面氧化硅层时，PECVD设备的功率为9500w，占空比为5/175，压力为1050mtor，硅烷的流量为550sccm，笑气为10slm；
所述背面氮化硅层的层数为3层，在沉积所述背面氮化硅层时，PECVD设备的功率分别为14000w、14000w和10000w，占空比为5/70，压力为1600mtor，硅烷的流量为1940sccm，氨气的流量分别为6.3slm、11slm和13.8slm；
所述背面氮氧化硅层的层数为2层，在沉积所述背面氮氧化硅层时，PECVD设备的功率为13500w，占空比为5/100，压力分别为1200motr和1500motr，氨气的流量分别为0.52slm和1slm，硅烷的流量分别为1600sccm和1000sccm，笑气的流量分别为8.4slm和9.6slm；
所述第二背面氧化硅层的层数为1层，在沉积所述第二背面氧化硅层时，PECVD设备的功率为13500w，占空比为5/165，压力为1050mtor，硅烷的流量为400sccm，笑气的流量为10slm。
可选地，在所述在待沉积正面膜层的电池基片的正面依次沉积正面氮化硅层、第二正面氧化硅层、正面氮氧化硅层和第一正面氧化硅层的步骤中：
所述正面氮化硅层的层数为5层，在沉积所述正面氮化硅层时，PECVD设备的功率分别为8800w、9300w、9800w、9800W和9800W，占空比分别为4/48，4/52，4/52，4/52和4/52，压力为1650motr，硅烷的流量分别为1900sccm、1900sccm、1660sccm、1340sccm和1100sccm，氨气的流量为8.36slm、13.3slm、15slm、15slm和15slm；
所述第二正面氧化硅层的层数为1层，在沉积所述第二正面氧化硅层时，PECVD设备的功率为9800w，占空比为5/100，压力为1600motr，氨气的流量为1.6slm，笑气的流量为14.4slm；
所述正面氮氧化硅层的层数为1层，在沉积所述正面氮氧化硅层时，PECVD设备的功率为9365w，占空比为5/100，氨气的流量为2.25slm，笑气的流量为11.81slm，硅烷的流量为731sccm；
所述第一正面氧化硅层的层数为1层，在沉积所述第一正面氧化硅层时，PECVD设备的功率为9365w，占空比为5/120，硅烷的流量为1040sccm，笑气的流量为11.2slm。
第三方面，本申请提供的太阳能电池，采用上述任一项的方法制作得到。
本申请实施例的太阳能电池和太阳能电池的制作方法中，通过依次层叠于电池基片正面的正面膜层，即第一正面氧化硅层、正面氮氧化硅层、第二正面氧化硅层和正面氮化硅层，可以提高太阳能电池的正面光电转换效率。通过依次层叠于电池基片背面的膜层，即背面氧化铝层、第一背面氧化硅层、背面氮化硅层、背面氮氧化硅层和第二背面氧化硅层，可以提高太阳能电池的背面光电转换效率。这样，有利于提高太阳能电池的双面光电转换效率。
附图说明
图1是本申请实施例的太阳能电池的结构示意图；
图2是本申请实施例的太阳能电池的结构示意图；
图3是本申请实施例的太阳能电池的结构示意图；
图4是本申请实施例的太阳能电池的结构示意图；
图5是本申请实施例的太阳能电池的制作方法的流程示意图；
图6是本申请实施例的太阳能电池的制作方法的流程示意图。
主要元件符号说明：
第一正面氧化硅层111、正面氮氧化硅层112、第二正面氧化硅层113、正面氮化硅层114、电池基片12、背面氧化铝层131、第一背面氧化硅层132、背面氮化硅层133、背面氮氧化硅层134、第二背面氧化硅层135。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
相关技术中的太阳能电池的光电转换效率较低。本申请通过依次层叠在电池基片的新型膜层结构，可以提高太阳能电池的双面光电转换效率。
请参阅图1，本申请实施例提供的太阳能电池10，自太阳能电池10的正面至太阳能电池10的背面，太阳能电池10包括依次层叠的：第一正面氧化硅层111(SiO)、正面氮氧化硅层112(SiNxOy)、第二正面氧化硅层113(SiO)、正面氮化硅层114(SiNx)、电池基片12、背面氧化铝层131(AlOx)、第一背面氧化硅层132(SiO)、背面氮化硅层133(SiNx3)、背面氮氧化硅层134氮氧化硅(SiNxOy)、第二背面氧化硅层135(SiO)。
本申请实施例的太阳能电池10，通过依次层叠于电池基片12正面的正面膜层(PE)，即第一正面氧化硅层111、正面氮氧化硅层112、第二正面氧化硅层113和正面氮化硅层114，可以提高太阳能电池10的正面光电转换效率。通过依次层叠于电池基片12背面的背面膜层(PERC)，即背面氧化铝层131、第一背面氧化硅层132、背面氮化硅层133、背面氮氧化硅层134和第二背面氧化硅层135，可以提高太阳能电池10的背面光电转换效率。这样，有利于提高太阳能电池10的双面光电转换效率。
请参阅图2，可选地，第一正面氧化硅层111的层数、正面氮氧化硅层112和第二正面氧化硅层113的层数均为1层，正面氮化硅层114的层数为5层。如此，通过设计正面各膜层的层数，可以提高正面各膜层的性能，从而提高太阳能电池10的正面光电转换效率。
可选地，第一正面氧化硅层111的厚度范围为4-6nm，正面氮氧化硅层112的厚度范围为4-6nm，第二正面氧化硅层113的厚度范围为4-6nm，正面氮化硅层114的厚度范围为50-70nm。如此，通过将正面各膜层的厚度限制在前述范围，可以提高各膜层的性能，从而提高正面光电转换效率。
具体地，第一正面氧化硅层111的厚度例如为4nm、4.2nm、4.7nm、5nm、5.3nm、5.9nm、6nm。正面氮氧化硅层112的厚度例如为4nm、4.2nm、4.7nm、5nm、5.3nm、5.9nm、6nm。第二正面氧化硅层113的厚度例如为4nm、4.2nm、4.7nm、5nm、5.3nm、5.9nm、6nm。正面氮化硅层114的厚度例如为50nm、52nm、57nm、60nm、63nm、69nm、70nm。
在本实施例中，第一正面氧化硅层111的厚度为5nm，正面氮氧化硅层112的厚度为5nm，第二正面氧化硅层113的厚度为5nm，正面氮化硅层114的厚度为60nm。如此，提高正面光电转换效率的效果最好。
请参阅图3和图4，可选地，背面氧化铝层131和第一背面氧化硅层132的层数均为1层，背面氮化硅层133的层数为3层，背面氮氧化硅层134的层数为2层，第二背面氧化硅层135的层数为1层。如此，通过设计背面各膜层的层数，可以提高背面各膜层的性能，从而提高太阳能电池10的背面光电转换效率。
可选地，背面氧化铝层131的厚度范围为8-12nm，第一背面氧化硅层132的厚度范围为4-6nm，背面氮化硅层133的厚度范围为50-60nm，背面氮氧化硅层134的厚度范围为8-12nm，第二背面氧化硅层135的厚度范围为4-6nm。如此，通过将背面各膜层的厚度限制在前述范围，可以提高各膜层的性能，从而提高正面光电转换效率。
具体地，背面氧化铝层131的厚度例如为8nm、8.2nm、8.5nm、9.2nm、10nm、10.5nm、10.8nm、11.5nm、12nm。第一背面氧化硅层132的厚度例如为4nm、4.2nm、4.7nm、5nm、5.3nm、5.9nm、6nm。背面氮化硅层133的厚度例如为50nm、52nm、55nm、57nm、59nm、60nm。背面氮氧化硅层134的厚度例如为8nm、8.2nm、8.5nm、9.2nm、10nm、10.5nm、10.8nm、11.5nm、12nm。第二背面氧化硅层135的厚度例如为4nm、4.2nm、4.7nm、5nm、5.3nm、5.9nm、6nm。
在本实施例中，背面氧化铝层131的厚度为10nm，第一背面氧化硅层132的厚度为5nm，背面氮化硅层133的厚度为55nm，背面氮氧化硅层134的厚度为10nm，第二背面氧化硅层135的厚度为5nm。如此，提高背面光电转换效率的效果最好。
请参阅图5，本申请实施例提供的太阳能电池10的制作方法，包括：
步骤S16：在待沉积背面膜层的电池基片12的背面依次沉积背面氧化铝层131、第一背面氧化硅层132、背面氮化硅层133、背面氮氧化硅层134和第二背面氧化硅层135；
步骤S17：在待沉积正面膜层的电池基片12的正面依次沉积正面氮化硅层114、第二正面氧化硅层113、正面氮氧化硅层112和第一正面氧化硅层111；
步骤S18：在沉积了背面膜层和正面膜层的电池基片12上制作电路；
步骤S19：烧结制作了电路的电池基片12。
本申请实施例的太阳能电池10的制作方法，通过依次层叠于电池基片12正面的正面膜层(PE)，即第一正面氧化硅层111、正面氮氧化硅层112、第二正面氧化硅层113和正面氮化硅层114，可以提高太阳能电池10的正面光电转换效率。通过依次层叠于电池基片12背面的背面膜层(PERC)，即背面氧化铝层131、第一背面氧化硅层132、背面氮化硅层133、背面氮氧化硅层134和第二背面氧化硅层135，可以提高太阳能电池10的背面光电转换效率。这样，有利于提高太阳能电池10的双面光电转换效率。
请参阅图6，在步骤S16前，太阳能电池10的制作方法，包括：
步骤S11：对硅片进行制绒；
步骤S12：对制绒后的硅片进行扩散，以形成扩散层；
步骤S13：对扩散后的硅片进行正面激光开槽，形成重掺区域；
步骤S14：对形成重掺区域后的硅片进行刻蚀；
步骤S15：对刻蚀后的硅片进行退火处理，以形成待沉积正面膜层和背面膜层的电池基片12。
如此，可以制成待沉积正面膜层和背面膜层的电池基片12，便于后续对电池基片12膜层的沉积。
在步骤S11中，硅片可为P型单晶硅片。硅片的电阻率可在0.5-1.5ΩΩcm。请注意，由于同一硅片，测试位置的不同，电阻率都存在不同，因此，前述的硅片的电阻率为范围值，而非固定值。
可对硅片进行碱制绒。具体地，可将体积比为2％的KOH水溶液作为制绒剂，将体积比为0.5％-0.7％的KOH水溶液作为制绒添加剂。制绒温度可为80℃，制绒时间为300s。如此，使得所述P型单晶硅片的正表面和背表面均形成金字塔状的减反射绒面。减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9％-15％之间。
在步骤S12中，可对制绒后的硅片进行磷扩散，以形成N型扩散层。具体地，可将硅片置于850℃的炉管进行磷扩散。扩散时间为70min。扩散结深为0.2um。扩散方阻为150Ω±5Ω。例如为145Ω、146Ω、148Ω、150Ω、153Ω、155Ω。
在步骤S13中，可将硅片经过激光器，以对扩散后的硅片进行正面激光开槽，从而形成重掺区域。雕刻速度的范围为26000-30000mm/s。例如为26000mm/s、26500mm/s、27000mm/s、27800mm/s、28000mm/s、28600mm/s、29000mm/s、29900mm/s、30000mm/s。衬底的方阻为85±5Ω。例如为80Ω、82Ω、85Ω、88Ω、90Ω。激光能量大小为23-25w。例如为23w、23.5w、24w、24.5w、25w。激光频率为225KHz。
在步骤S14中，可采用等离子刻蚀法去除硅片边缘PN结，去除硅片正面磷硅玻璃。刻蚀溶液包括浓度为80g/L的HF溶液，浓度为380g/L的HNO3溶液，浓度为200g/LH2SO4溶液。刻蚀后硅片减重0.21g，硅片的反射率为30％。
在步骤S15中，可将硅片经过700℃的退火炉，以在硅片形成氧化保护膜。退火温度为700℃，时间为900S，O2流量为100sccm，压力为150pa。退火后硅片的亲水性为直径小于15mm。
可选地，在步骤S16中，和，在步骤S17中：PECVD设备的功率的范围为1000-20000w，压力的范围为1000-2000motr，硅烷(SiH4)的流量范围为0-2000sccm，氨气(NH3)的流量的范围为0-50slm，笑气(N2O)的流量范围为0-50slm。如此，使得沉积正面膜层和背面膜层时，前述各参数处于合适的范围，避免因参数不合适而导致膜层性能差。
具体地，压力例如为1000motr、1100motr、1250motr、1330motr、1400motr、1580motr、1650motr、1780motr、1850motr、1980motr、2000motr。
具体地，硅烷的范围为0sccm、100sccm、600sccm、1000sccm、1200sccm、1500sccm、1600sccm、1800sccm、2000sccm。
具体地，氨气的流量例如为0slm、5slm、10slm、25slm、30slm、36slm、40slm、48slm、50slm。
具体地，笑气的流量例如为0slm、5slm、10slm、25slm、30slm、36slm、40slm、48slm、50slm。
可选地，在步骤S16中：
背面氧化铝层131的层数为1层，在沉积背面氧化铝层131时，PECVD设备的功率为4200w，占空比为2/120，压力为1540motr，笑气的流量为6slm，TMA为81％；
第一背面氧化硅层132的层数为1层，在沉积第一背面氧化硅层132时，PECVD设备的功率为9500w，占空比为5/175，压力为1050mtor，硅烷的流量为550sccm，笑气为10slm；
背面氮化硅层133的层数为3层，在沉积背面氮化硅层133时，PECVD设备的功率分别为14000w、14000w和10000w，占空比为5/70，压力为1600mtor，硅烷的流量为1940sccm，氨气的流量分别为6.3slm、11slm和13.8slm；
背面氮氧化硅层134的层数为2层，在沉积背面氮氧化硅层134时，PECVD设备的功率为13500w，占空比为5/100，压力分别为1200motr和1500motr，氨气的流量分别为0.52slm和1slm，硅烷的流量分别为1600sccm和1000sccm，笑气的流量分别为8.4slm和9.6slm；
第二背面氧化硅层135的层数为1层，在沉积第二背面氧化硅层135时，PECVD设备的功率为13500w，占空比为5/165，压力为1050mtor，硅烷的流量为400sccm，笑气的流量为10slm。
如此，可以高效地实现背面膜层的沉积，且沉积的背面膜层质量较好。
具体地，在沉积背面氧化铝层131时，时长的范围为10-90s。例如为10s、12s、25s、38s、40s、52s、65s、78s、88s、90s。在沉积背面氮化硅层133、背面氮氧化硅层134和第二背面氧化硅层135时，时长的范围均为0-300s。例如为1s、15s、125s、200s、240s、268s、278s、300s。
可选地，步骤S17中：
正面氮化硅层114的层数为5层，在沉积正面氮化硅层114时，PECVD设备的功率分别为8800w、9300w、9800w、9800W和9800W，占空比分别为4/48，4/52，4/52，4/52和4/52，压力为1650motr，硅烷的流量分别为1900sccm、1900sccm、1660sccm、1340sccm和1100sccm，氨气的流量为8.36slm、13.3slm、15slm、15slm和15slm；
第二正面氧化硅层113的层数为1层，在沉积第二正面氧化硅层113时，PECVD设备的功率为9800w，占空比为5/100，压力为1600motr，氨气的流量为1.6slm，笑气的流量为14.4slm；
正面氮氧化硅层112的层数为1层，在沉积正面氮氧化硅层112时，PECVD设备的功率为9365w，占空比为5/100，氨气的流量为2.25slm，笑气的流量为11.81slm，硅烷的流量为731sccm；
第一正面氧化硅层111的层数为1层，在沉积第一正面氧化硅层111时，PECVD设备的功率为9365w，占空比为5/120，硅烷的流量为1040sccm，笑气的流量为11.2slm。
如此，可以高效地实现正面膜层的沉积，且沉积的正面膜层质量较好。
具体地，在沉积正面氮化硅层114、第二正面氧化硅层113、正面氮氧化硅层112和第一正面氧化硅层111时，时长的范围均为0-300s。例如为1s、15s、125s、200s、240s、268s、278s、300s。
在步骤S18中，可在沉积了背面膜层和正面膜层的电池基片12的背面激光开槽，雕刻成激光图形；再在开槽后的电池基片12上印刷背面电极、铝背场和正面电极。
具体地，可在沉积了背面膜层和正面膜层的电池基片12的背面采用丝网印刷的方法印刷金属背电极。所采用的金属可为银。印刷速度为450mm/s。压力为60N。网版间距为2.1mm，即，栅线间距为2.1mm。然后，可将印刷了背电极的电池基片12通过温度为280℃的烘干炉，从而将银电极烘干。
具体地，可在沉积了背面膜层和正面膜层的电池基片12的背面采用丝网印刷的方法印刷铝背场。印刷速度为450mm/s。压力为60N。网版间距为2.1mm。可将印刷了铝背场的电池基片12通过温度为330℃的烘干炉，从而将铝背场烘干。
具体地，可在沉积了背面膜层和正面膜层的电池基片12的正面采用丝网印刷的方法印刷正面金属电极。所采用的金属为银。印刷速度为450mm/s。压力为60N。网版间距为2.1mm。可将印刷了正面电极的电池基片12通过温度为280℃的烘干炉，从而将银栅线和银电极烘干。
在步骤S19中，可将制作了电路的电池基片12置于烧结炉中烧结，烧结温度为750℃，带速为10000mm/s，烧结时间为60s。
在烧结后，可将太阳能电池片10进行测试分选。具体地，可利用halm测试机进行测试分选。
本申请实施例提供的太阳能电池10，采用上述任一项的方法制作得到。
本申请实施例的太阳能电池10，通过依次层叠于电池基片12正面的正面膜层(PE)，即第一正面氧化硅层111、正面氮氧化硅层112、第二正面氧化硅层113和正面氮化硅层114，可以提高太阳能电池10的正面光电转换效率。通过依次层叠于电池基片12背面的背面膜层(PERC)，即背面氧化铝层131、第一背面氧化硅层132、背面氮化硅层133、背面氮氧化硅层134和第二背面氧化硅层135，可以提高太阳能电池10的背面光电转换效率。这样，有利于提高太阳能电池10的双面光电转换效率。
下表1为相关技术中的太阳能电池与本申请中的太阳能电池10的电性能对比表。其中，相关技术中的太阳能电池的背面膜层包括1层氧化铝、1层氧化硅和3层氮化硅，正面膜层包括2层氮化硅。本申请中的太阳能电池10的结构如图4所示。
表1
Figure BDA0003086659740000121
显然，相较于相关技术，本申请的太阳能电池10的正面效率提升0.05％以上，背面效率提升0.3-0.5％，双面率提升1-2％，光电转换效率得到了提升，品质更好。
以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
在待沉积背面膜层的电池基片的背面依次沉积背面氧化铝层、第一背面氧化硅层、背面氮化硅层、背面氮氧化硅层和第二背面氧化硅层；
在待沉积正面膜层的电池基片的正面依次沉积正面氮化硅层、第二正面氧化硅层、正面氮氧化硅层和第一正面氧化硅层；
在沉积了背面膜层和正面膜层的电池基片上制作电路；
烧结制作了电路的电池基片；
在所述在待沉积背面膜层的电池基片的背面依次沉积背面氧化铝层、第一背面氧化硅层、背面氮化硅层、背面氮氧化硅层和第二背面氧化硅层的步骤中，和，在所述在待沉积正面膜层的电池基片的正面依次沉积正面氮化硅层、第二正面氧化硅层、正面氮氧化硅层和第一正面氧化硅层的步骤中：
PECVD设备的功率的范围为1000-20000w，压力的范围为1000-2000motr，硅烷的流量范围为0-2000sccm，氨气的流量范围为0-50slm，笑气的流量范围为0-50slm；
在所述在待沉积背面膜层的电池基片的背面依次沉积背面氧化铝层、第一背面氧化硅层、背面氮化硅层、背面氮氧化硅层和第二背面氧化硅层的步骤中：
所述背面氧化铝层的层数为1层，在沉积所述背面氧化铝层时，PECVD设备的功率为4200w，占空比为2/120，压力为1540motr，笑气的流量为6slm，TMA为81％；
所述第一背面氧化硅层的层数为1层，在沉积所述第一背面氧化硅层时，PECVD设备的功率为9500w，占空比为5/175，压力为1050mtor，硅烷的流量为550sccm，笑气为10slm；
所述背面氮化硅层的层数为3层，在沉积所述背面氮化硅层时，PECVD设备的功率分别为14000w、14000w和10000w，占空比为5/70，压力为1600mtor，硅烷的流量为1940sccm，氨气的流量分别为6.3slm、11slm和13.8slm；
所述背面氮氧化硅层的层数为2层，在沉积所述背面氮氧化硅层时，PECVD设备的功率为13500w，占空比为5/100，压力分别为1200motr和1500motr，氨气的流量分别为0.52slm和1slm，硅烷的流量分别为1600sccm和1000sccm，笑气的流量分别为8.4slm和9.6slm；
所述第二背面氧化硅层的层数为1层，在沉积所述第二背面氧化硅层时，PECVD设备的功率为13500w，占空比为5/165，压力为1050mtor，硅烷的流量为400sccm，笑气的流量为10slm。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述在待沉积正面膜层的电池基片的正面依次沉积正面氮化硅层、第二正面氧化硅层、正面氮氧化硅层和第一正面氧化硅层的步骤中：
所述正面氮化硅层的层数为5层，在沉积所述正面氮化硅层时，PECVD设备的功率分别为8800w、9300w、9800w、9800W和9800W，占空比分别为4/48，4/52，4/52，4/52和4/52，压力为1650motr，硅烷的流量分别为1900sccm、1900sccm、1660sccm、1340sccm和1100sccm，氨气的流量为8.36slm、13.3slm、15slm、15slm和15slm；
所述第二正面氧化硅层的层数为1层，在沉积所述第二正面氧化硅层时，PECVD设备的功率为9800w，占空比为5/100，压力为1600motr，氨气的流量为1.6slm，笑气的流量为14.4slm；
所述正面氮氧化硅层的层数为1层，在沉积所述正面氮氧化硅层时，PECVD设备的功率为9365w，占空比为5/100，氨气的流量为2.25slm，笑气的流量为11.81slm，硅烷的流量为731sccm；
所述第一正面氧化硅层的层数为1层，在沉积所述第一正面氧化硅层时，PECVD设备的功率为9365w，占空比为5/120，硅烷的流量为1040sccm，笑气的流量为11.2slm。
3.一种太阳能电池，其特征在于，采用权利要求1或2所述的方法制作得到。
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