WO2023085099A1 - 発熱性電子部品用カバー - Google Patents

発熱性電子部品用カバー Download PDF

Info

Publication number
WO2023085099A1
WO2023085099A1 PCT/JP2022/040031 JP2022040031W WO2023085099A1 WO 2023085099 A1 WO2023085099 A1 WO 2023085099A1 JP 2022040031 W JP2022040031 W JP 2022040031W WO 2023085099 A1 WO2023085099 A1 WO 2023085099A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
heat
cover
electronic component
generating electronic
silicone rubber
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/040031
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
祐貴 櫻井
淳一 塚田
晃洋 遠藤
良一 住吉
Original Assignee
信越化学工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 信越化学工業株式会社 filed Critical 信越化学工業株式会社
Publication of WO2023085099A1 publication Critical patent/WO2023085099A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating

Definitions

  • the present invention relates to covers for heat-generating electronic components.
  • a typical power transistor T has a configuration as shown in FIG.
  • the transistor in FIG. 4 has a transistor body 11 and a terminal 12 projecting from one end surface of the transistor body 11 . Further, a plate-like radiator plate 13 is attached so as to be flush with the bottom surface 11a of the power transistor body 11 . One end of the radiator plate is inserted into a notch 11b formed by cutting the transistor main body 11, and the other end is installed in a direction opposite to the projecting direction of the terminal 12. As shown in FIG. One of the plurality of terminals 12 is connected to a plate-like radiator plate 13 inside the power transistor main body 11 . Heat generated in the power transistor is conducted to the outside through the thermally conductive material sandwiched between the radiator plate 13 and an external heat sink such as a metal chassis.
  • thermally conductive materials liquid materials such as heat dissipating grease and molded products such as heat dissipating sheets are used from the viewpoint of insulation and assembly.
  • the creepage distance for electrical insulation (the distance from other electronic components and the external heat sink) becomes large.
  • Patent Documents 1 and 2 A method of three-dimensionally wrapping an electronic component by molding a hollow cover having an opening has been devised (Patent Documents 1 and 2).
  • a tube-shaped cover is used as shown in FIG.
  • a hollow cover 18 having an opening on one side is shaped to have an opening 19 as shown in FIG. 6, through which a transistor T is inserted.
  • Patent Document 3 a structure has been proposed in which the thickness of each surface of the hollow cover is varied.
  • the structure is such that heat dissipation can be improved by grounding the thick surface on the side of the heat sink where current leakage is likely to occur and reducing the thickness of the opposing surface.
  • thermally conductive moldings are designed according to the cross-sectional dimensions of the power transistors, which has the advantage of being easily attached to the transistors.
  • vibrations during transportation and processing in the manufacturing process can easily cause it to fall off or shift its position. , there is a problem that work efficiency and product yield are deteriorated.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a heat-generating electronic component cover capable of suppressing falling off of an electronic component such as a transistor.
  • the present invention provides a heat-generating electronic component cover comprising a hollow structure having one or more openings for inserting an electronic circuit component, wherein the hollow structure Provided is a heat-generating electronic component cover characterized by having at least one convex shape on an inner wall surface of a heat-generating electronic component.
  • the height of the convex shape is in the range of 0.1 to 1 mm.
  • the height of the convex shape is within this range, it is possible to sufficiently prevent falling off and misalignment during substrate manufacturing, and it is possible to smoothly insert transistors and the like.
  • the heat-generating electronic component cover of the present invention is made of a cured product of a silicone rubber composition containing silicone rubber and a thermally conductive filler.
  • the material forming the cover has thermal conductivity, electrical insulation, and is a soft elastic material. It has sufficient heat resistance so that it can be used even if it is exposed to high temperatures due to the generated heat.
  • the cured product of the silicone rubber composition preferably has a thermal conductivity of 0.5 W/m ⁇ K or more.
  • heat dissipation from heat-generating electronic components such as power transistors can be sufficiently promoted.
  • the dielectric breakdown voltage in air at a thickness of 0.45 mm of the cured product of the silicone rubber composition is 4.5 kV or more.
  • the silicone rubber composition contains the following (A) to (D) (A) an organopolysiloxane having an average degree of polymerization of 3,000 to 10,000: 100 parts by mass; (B) an organopolysiloxane having an average degree of polymerization of 2 to 2,000 and having alkenyl groups only at both ends of the molecular chain: 10 to 100 parts by mass; (C) a thermally conductive filler: 500 to 2,700 parts by mass; and (D) a curing agent: an effective amount.
  • thermally conductive silicone rubber composition is more preferable as the thermally conductive filler-containing silicone rubber composition that serves as the matrix of the heat-generating electronic component cover of the present invention.
  • the total content of diorganocyclopolysiloxanes having 3 to 10 silicon atoms contained in component (A) is 500 ppm or less relative to the total amount of component (A). is preferred.
  • Such a thermally conductive silicone rubber composition is more preferable as the silicone rubber composition that forms the matrix of the heat-generating electronic component cover of the present invention.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a heat-generating electronic component cover of the present invention
  • FIG. It is a figure which shows the shape of the cover for exothermic electronic components with a convex-shaped part of an Example.
  • FIG. 5 is a diagram showing the shape of a heat-generating electronic component cover without a convex portion in a comparative example
  • 1 is a perspective view of an example of a power transistor
  • FIG. 11 is a perspective view showing an example of use of a tubular cover
  • FIG. 10 is a perspective view showing an example of use of the hollow cover;
  • the inventors of the present invention conducted intensive studies to achieve the above object, and found that the inner wall surface of a hollow structure having one or more openings has one or more protrusions, thereby enabling attachment to a transistor. can be easily performed, and it is possible to suppress drop-off and displacement from the transistor, leading to the present invention.
  • the present invention provides a heat-generating electronic component cover comprising a hollow structure having one or more openings for inserting an electronic circuit component, wherein one or more openings are provided on the inner wall surface of the hollow structure.
  • a cover for an exothermic electronic component characterized in that it has a convex shape of at least one point.
  • the heat-generating electronic component cover of the present invention comprises a hollow structure having one or more openings for inserting electronic circuit components, and one or more projections on the inner wall surface of the hollow structure. It is characterized by having a shape part.
  • the heat-generating electronic component is not particularly limited as long as it is an electronic component that generates heat during use, such as a power transistor. A power transistor will be described below as an example of a heat-generating electronic component.
  • FIG. 1 shows a heat-generating electronic component cover according to one embodiment of the present invention.
  • This cover is suitable for use as a power transistor cover as previously shown in FIG.
  • the exothermic electronic component cover of the present invention has a convex shape 3 on the inner wall for preventing the transistor T from coming off after the transistor T is inserted.
  • the convex shape 3 will come into contact with the transistor after insertion, and the transistor will be pressurized, thereby preventing the cover 1 from coming off.
  • the width of the opening of the heat-generating electronic component cover is sufficient as long as it is wide enough to insert the power transistor. or the width and height are usually 0.1 to 3 mm, preferably 0.3 to 2 mm, particularly 0.5 to 1 mm larger than the maximum width and maximum height.
  • the cover of the present invention is installed in an electronic device. The placement of the power transistors does not result in excess space around the transistors. Further, the depth (depth) of the heat-generating electronic component cover should be such that at least 1/2, more preferably at least 4/5 of the terminals protrude from the opening 2 when attached to the power transistor. is preferred.
  • the thickness of the heat-generating electronic component cover of the present invention is preferably 0.1 to 2.0 mm, more preferably 0.1 to 1.0 mm. If it is 0.1 mm or more, the withstand voltage strength is sufficiently high. For example, when a metal chassis or a metal heat radiation fin is used as an external heat radiation plate, short circuit does not occur and the self-supporting force is sufficient. Yes, shape is maintained. On the other hand, if the thickness of the plate portion (cover) is 2.0 mm or less, the heat dissipation effect is excellent.
  • the convex shape of the inner wall surface of the heat-generating electronic component cover of the present invention is characterized by having one or more convex shapes, preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5. If the number of protrusions is 10 or less, the space between the power transistor and the power transistor is sufficiently small and does not interfere with heat conduction.
  • the shape of the convex portion of the present invention includes a columnar shape such as a square columnar shape, a triangular columnar shape, and a cylindrical columnar shape, and a frustum shape such as a square pyramidal shape, a triangular pyramidal shape, and a conical shape.
  • the height of the convex shape of the inner wall surface of the heat-generating electronic component cover of the present invention is preferably in the range of 0.1 to 1 mm, more preferably 0.2 to 0.5 mm. If the height of the convex shape is 0.1 mm or more, it is possible to sufficiently suppress drop-off and displacement during substrate manufacturing.
  • Each dimension of the inner wall surface of the heat-generating electronic component cover of the present invention is preferably larger than the dimension of the electronic component to be covered within the range of 0 to 1.0 mm, more preferably 0.1 to 0.8 mm. preferable. If the size of the inner wall surface of the heat-generating electronic component cover, which is to be increased relative to the size of the electronic component, is 1.0 mm or less, the effect of suppressing falling off due to the convex shape can be effectively obtained. If it is larger than the dimension, it becomes easier to insert electronic components.
  • the material forming the heat-generating electronic component cover may be any material that has thermal conductivity and electrical insulation. Furthermore, a soft elastic material such as rubber is preferable in consideration of damage during insertion of electronic components and ease of insertion. In addition, it is preferable to use a silicone rubber composition in which a thermally conductive filler is incorporated into the silicone rubber, since there is a possibility that the electronic component may be exposed to high temperatures due to the heat generated by the electronic component.
  • the thermally conductive filler-containing silicone rubber composition that serves as the matrix of the heat-generating electronic component cover of the present invention comprises the following components (A) to (D): (A) an organopolysiloxane having an average degree of polymerization of 3,000 to 10,000: 100 parts by mass; (B) an organopolysiloxane having an average degree of polymerization of 2 to 2,000 and having alkenyl groups only at both ends of the molecular chain: 10 to 100 parts by mass; (C) Thermally conductive filler: 500 to 2,700 parts by mass, and (D) Curing agent: Effective amount and, if necessary, a thermally conductive silicone rubber composition containing additional components. preferable.
  • Component (A) is the main component of the silicone rubber composition, and preferably has an average composition formula represented by the following formula (1).
  • R is independently a monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, for example, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a vinyl group, an alkenyl group such as an allyl group, Aryl groups such as a phenyl group and a tolyl group, cycloalkyl groups such as a cyclohexyl group and a cyclopentyl group, and the like can be mentioned. Moreover, those obtained by substituting some or all of the hydrogen atoms directly attached to the carbon atoms of these groups with halogen atoms such as chlorine and fluorine may also be used. A methyl group, a phenyl group, a trifluoropropyl group and a vinyl group are preferred. Also, a is a positive number between 1.85 and 2.10.
  • the organopolysiloxane preferably has a linear molecular structure, but may have a partially branched structure in the molecule. Furthermore, the organopolysiloxane preferably has a molecular chain end capped with a triorganosilyl group or a hydroxyl group. Examples of the triorganosilyl group include trimethylsilyl group, dimethylvinylsilyl group, trivinylsilyl group, methylphenylvinylsilyl group, methyldiphenylsilyl group, dimethylphenylsilyl group and dimethylhydroxysilyl group.
  • the average degree of polymerization of component (A) is 3,000 to 10,000, preferably 5,000 to 10,000.
  • the average degree of polymerization referred to in this specification refers to the average degree of polymerization determined from the number average molecular weight using tetrahydrofuran (THF) as a solvent and polystyrene as a standard substance by gel permeation chromatography (GPC). and
  • the total content of diorganocyclopolysiloxanes having 3 to 10 silicon atoms contained in component (A) is preferably 500 ppm (by mass) or less relative to the total amount of component (A).
  • the lower limit is preferably as low as possible and is not particularly limited, but may be, for example, 10 ppm or more.
  • Component (B) is a component that undergoes a cross-linking reaction in the silicone rubber composition. It is an organopolysiloxane having an average degree of polymerization of 2 to 2,000 and having alkenyl groups only at both ends of the molecular chain.
  • the alkenyl group is preferably an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, such as vinyl, allyl, propenyl, isopropenyl, butenyl, hexenyl, cyclohexenyl and the like.
  • the (B) component organopolysiloxane may be used singly or in combination of two or more having different average degrees of polymerization.
  • the average degree of polymerization of component (B) is 2 to 2,000, preferably 10 to 2,000.
  • the blending amount of component (B) is preferably 10 to 100 parts by mass, more preferably 30 to 70 parts by mass, per 100 parts by mass of component (A).
  • Component (C) is a component used as a filler that imparts thermal conductivity in the silicone rubber composition.
  • the component (C) may have thermal conductivity, and preferably has electrical insulation.
  • examples include metal oxides such as alumina, silica, magnesia, red iron oxide, beryllia, titania, and zirconia; metal nitrides such as aluminum nitride, silicon nitride, and boron nitride; metal hydroxides such as magnesium hydroxide; Substances generally regarded as thermally conductive fillers, such as synthetic diamond or silicon carbide, can be used.
  • the shape of the thermally conductive filler is not particularly limited, and may be crushed, spherical, or the like, if necessary.
  • the average particle size (volume average particle size) of the thermally conductive filler is preferably 0.1 to 100 ⁇ m, more preferably 0.5 to 50 ⁇ m, as measured by a laser diffraction/scattering method (microtrack method). is more preferable, and 1 to 45 ⁇ m is even more preferable.
  • the blending amount of component (C) is preferably 500 to 2,700 parts by mass, more preferably 600 to 2,500 parts by mass, per 100 parts by mass of component (A).
  • thermally conductive fillers include silane coupling agents or partial hydrolysates thereof, alkylalkoxysilanes or partial hydrolysates thereof, organic silazanes, organopolysiloxane oils, and hydrolyzable functional group-containing organopolysiloxanes. It may be surface-treated with a surface treatment agent (wetter) such as. Examples of surface treatment agents include polysiloxanes having an alkoxy group or a hydroxy group in the molecule, such as dimethylpolysiloxane having one-end trialkoxysilyl group-blocked. can be random. These treatments may be carried out in advance on the thermally conductive filler itself, or may be carried out at the time of mixing the organopolysiloxane of component (A) or component (B) with the thermally conductive filler (C). .
  • a surface treatment agent wetter
  • surface treatment agents include polysiloxanes having an alkoxy group or a hydroxy group in the molecule, such as
  • Component (D) is a component for curing the silicone rubber composition.
  • the curing agent is appropriately selected according to the mechanism of the cross-linking reaction of the composition.
  • organic peroxides are used, specifically benzoyl peroxide, monochlorobenzoyl peroxide, bis-2,4-dichlorobenzoyl peroxide, o-methylbenzoyl peroxide, p-methylbenzoyl peroxide.
  • Peroxide, di(t-butyl)perbenzoate, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis(t-butylperoxy)hexane, di(t-butyl)peroxide and the like are exemplified.
  • the organic peroxide is preferably added in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, particularly 0.2 to 5 parts by weight, per 100 parts by weight of the total organopolysiloxane of components (A) and (B).
  • an organohydrogensiloxane containing two or more hydrogen atoms directly bonded to a silicon atom per molecule and an effective amount (catalytic amount) of a platinum group element (preferably platinum) or compounds are used.
  • the organopolysiloxane must contain two or more alkenyl groups per molecule.
  • the organohydrogenpolysiloxane should be used in such an amount that hydrogen atoms directly bonded to silicon atoms are 0.5 to 5 times, especially 0.6 to 3 times the alkenyl groups contained in components (A) and (B). Blending is preferred.
  • the hydrolyzable silane or siloxane containing two or more, preferably three or more hydrolyzable groups such as an alkoxy group, an acetoxy group, and an oxime group in one molecule is a cross-linking agent ( hardener).
  • the amount to be added is 1 to 20 parts by weight, particularly 2 to 10 parts by weight per 100 parts by weight of the total amount of organopolysiloxane of components (A) and (B).
  • organometallic compounds such as Sn, Ti, Fe, and Co as catalysts. In this case, both ends of the molecular chain of the organopolysiloxane must be blocked with hydroxyl groups or alkoxy groups.
  • the blending amount of the curing agent may be an effective amount, and can be adjusted as appropriate according to the type and blending ratio of other components.
  • Other examples include radical reactions using ultraviolet irradiation and electron beam irradiation, but the curing method is not limited to these.
  • the silicone rubber composition of the present invention may be blended with the surface treatment agent described above and other components.
  • optional components such as heat resistance improvers such as iron oxide and cerium oxide; viscosity modifiers such as silica; colorants; and internal release agents such as methylphenylpolysiloxane can be blended.
  • the above silicone rubber composition can be produced by mixing the above components.
  • a known method may be adopted for the production method, and is not particularly limited.
  • a silicone rubber composition can be produced as follows. (1) The above components (A) to (C) and the optional surface treatment agent and internal release agent are put into a 5 L heat treatment kneader and mixed at 25 to 40° C. for 30 minutes. Then, after confirming that the temperature of the composition reached 170° C. by heating the inside of the kneader, heating and stirring are further carried out for 2 hours. (2) After heating and stirring, the mixture is cooled to about room temperature (25° C.) and the kneaded compound is taken out. Furthermore, using a twin roll, a curing agent is added to the compound and kneaded to obtain a thermally conductive silicone rubber composition.
  • Molding of the heat-generating electronic component cover of the present invention is preferably carried out by mold molding in which the silicone rubber composition is injected into a molding mold and cured by heating. Molding is preferable from the viewpoint of dimensional accuracy of the molded product and mass productivity.
  • the pressure of the silicone rubber composition into the mold is preferably 100 to 300 kgf/cm 2 . If the injection pressure is 300 kgf/cm 2 or less , the oily component of the silicone rubber composition and the thermally conductive filler will not separate. Curing does not progress. Also, in order to release the molded heat-generating electronic component cover from the mold, it is effective to apply and spray a surface active agent onto the surface of the mold.
  • the heat-generating electronic component cover of the present invention preferably comprises a cured silicone rubber composition containing a silicone rubber and a thermally conductive filler.
  • the material forming the cover has thermal conductivity and electrical insulation and is a soft elastic material, it is easy to insert electronic components without causing damage when the electronic components are inserted.
  • it has sufficient heat resistance so that it can be used even when it is exposed to high temperatures due to heat generated by electronic components.
  • the cured product of the silicone rubber composition preferably has a thermal conductivity of 0.5 W/m ⁇ K or higher.
  • Such a structure can sufficiently promote the heat dissipation of heat-generating electronic components such as power transistors.
  • the upper limit is preferably as high as possible and is not particularly limited, but may be, for example, 10 W/m ⁇ K or less.
  • TPA-501 manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.
  • TPA-501 manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.
  • the dielectric breakdown voltage in air at a thickness of 0.45 mm of the cured product of the above silicone rubber composition is 4.5 kV or more.
  • the upper limit is preferably as high as possible and is not particularly limited, but may be, for example, 10 kV or less.
  • Dielectric breakdown measurement in air at a thickness of 0.45 mm of the cured product (molded product) is performed by attaching the measurement target to the electrode, applying a voltage of 4.5 kV in the air for 10 seconds, and measuring the presence or absence of leakage current. do it.
  • Component (A) Dimethylpolysiloxane having vinyl groups at both ends and an average degree of polymerization of 8,000: 100 parts by mass
  • (E) Component As the surface treatment agent (wetter component) of component (C), a one-end trialkoxysilyl group-blocked dimethylpolysiloxane represented by the following formula (E-1): 19 parts by mass; And a vinyl-containing dimethylpolysiloxane represented by the following formula (E-2): 6 parts by mass (The connection state of the siloxane units may be block or random.)
  • Methylphenylpolysiloxane represented by the following formula as an internal release agent: 7 parts by mass (The connection state of the siloxane units may be block or random.)
  • Thermal conductivity measurement The resulting thermally conductive silicone rubber composition was poured into a flat plate mold with a depth of 6 mm, and press-cured at 165° C. and 100 kgf/cm 2 for 10 minutes using a high-pressure press (manufactured by Shoji Iron Works Co., Ltd.). A thick sheet was produced. Using two 6 mm thick sheets prepared, TPA-501 (manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) was used to measure the thermal conductivity at 25 ° C. by the hot disk method in accordance with ISO 22007-2. The conductivity was 2.8 W/m ⁇ K.
  • Example 1 As described above, the thermally conductive silicone rubber composition was molded to form a heat-generating electronic component cover having the shape shown in Fig. 2 (with a convex portion). Dimensions (unit: mm) are shown in the figure.
  • thermoly conductive silicone rubber composition was molded to form a heat-generating electronic component cover having the shape shown in Fig. 3 (without convex portions). Dimensions (unit: mm) are shown in the figure.
  • Example 1 [Dropout test] The moldings produced in the shapes of Example 1 and Comparative Example 1 were mounted on a TO-247 type transistor (Fig. 4, CLA 50 E 1200 HB manufactured by IXYS) fixed to a vibration base with the terminal part facing upward, and the gravity Vibration with an amplitude of 10 cm and a frequency of 10 Hz was applied in the direction for 5 minutes, and the presence or absence of falling off from the transistor was confirmed. Table 1 shows the results.
  • the exothermic electronic component cover can be prevented from falling off from the transistor by providing the convex shape.
  • the present invention is not limited to the above embodiments.
  • the above-described embodiment is an example, and any device having substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and exhibiting the same effect is the present invention. included in the technical scope of

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finger-Pressure Massage (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本発明は、電子回路部品を挿入するための１か所以上の開口部を持つ中空状構造体からなる発熱性電子部品用カバーであって、前記中空状構造体の内壁面に１か所以上の凸形状を持つものであることを特徴とする発熱性電子部品用カバーである。これにより、電子部品の脱落を抑制可能な発熱性電子部品用カバーを提供する。

Description

発熱性電子部品用カバー
　本発明は、発熱性電子部品のカバーに関するものである。
　近年、各種電子機器のマイクロ化、高密度化に伴い、これらの電子機器に組み込まれる電力トランジスタのような発熱性電子部品の放熱の問題がクローズアップされている。
　代表的な電力トランジスタＴは、図４に示すような構成を有する。図４のトランジスタは、トランジスタ本体１１と、トランジスタ本体１１の一端面から突出する端子１２を持つ。さらに、電力トランジスタ本体１１の底面１１ａと同一平面になるように取り付けられた平板状の放熱板１３を備える。この放熱板はトランジスタ本体１１を切り欠くことで形成された切り欠き１１ｂに一端側が挿入され、他端側は前記端子１２の突出方向と反対方向に設置される。また、複数ある前記端子１２のうちのいずれか一本は、平板状の放熱板１３と電力トランジスタ本体１１の内部で接続されている。電力トランジスタ内で発生した熱は、この放熱板１３と金属製シャーシなどの外部ヒートシンクに挟み込んだ熱伝導性材料を介することで外部へと熱伝導される。
　これらの熱伝導性材料には、放熱グリースなどの液状材料や絶縁性、組付け性の観点から放熱シートなどの成型物が使用される。一方で平面状に放熱材料を配置する場合には電気絶縁のための沿面距離（他の電子部品や外部放熱板との距離）が大きくなるため、熱伝導性組成物をチューブ状カバーや一面に開口部を持つ中空状カバーに成型し立体的に電子部品を包み込む方法が考案されている（特許文献１、特許文献２）。チューブ状カバーは図５のように使用され、チューブ状カバー１４の一端にトランジスタが挿入され、２枚の外部ヒートシンク１５，１６で挟み込み、固定ネジ１７により固定される。同様に一面に開口部を持つ中空状カバー１８は図６のように開口部１９を有した形状で、開口部１９からトランジスタＴを挿入して使用される。また、より効果的に放熱性と電気絶縁性を両立するため、中空状カバーの面ごとの厚さを変化させた構造も提案されている（特許文献３）。すなわち、電流リークの発生し易い放熱板側に厚い面を接地させ、対する面の厚さを薄くすることで放熱性を高めうる構造である。
　これらの熱伝導性成型物の内寸は、電力トランジスタの断面寸法に合せて設計されており、簡便にトランジスタに装着できるメリットがある。
　しかしながら、簡便に取り付けられることが可能であるが故に、ヒートシンクのような外部放熱板に固定されるまでは製造工程の搬送や加工作業時の振動で容易に脱落、位置ズレが発生する場合があり、作業効率や製品歩留まりを悪化させてしまう問題があった。
実開昭５７－２６６６号公報 実公平３－５３５１０号公報 特開２００７－１１５８１６号公報
　本発明は、上記事情を鑑みなされたもので、トランジスタのような電子部品の脱落を抑制可能な発熱性電子部品用カバーを提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、本発明では、電子回路部品を挿入するための１か所以上の開口部を持つ中空状構造体からなる発熱性電子部品用カバーであって、前記中空状構造体の内壁面に１か所以上の凸形状を持つものであることを特徴とする発熱性電子部品用カバーを提供する。
　このような本発明の発熱性電子部品用カバーであれば、トランジスタのような電子部品の脱落を抑制することができる。
　この場合、前記凸形状の高さが０．１～１ｍｍの範囲であることが好ましい。
　凸形状の高さがこの範囲内であれば、基板製造時の脱落やズレを十分に抑制でき、トランジスタなどの挿入を円滑に行うことができる。
　また、本発明の発熱性電子部品用カバーが、シリコーンゴムと熱伝導性充填材を含むシリコーンゴム組成物の硬化物からなるものであることが好ましい。
　このようなものであれば、カバーを形成する素材が、熱伝導性及び電気絶縁性を有し、柔らかい弾性材料であるため、電子部品挿入時にダメージを与えず、挿入も容易で、電子部品で発生した熱により高温に曝されても使用できる十分な耐熱性を備えている。
　この場合、前記シリコーンゴム組成物の硬化物が０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を持つものであることが好ましい。
　このようなものであれば、電力トランジスタのような発熱性電子部品の放熱を十分に促進することができる。
　また、前記シリコーンゴム組成物の硬化物の厚さ０．４５ｍｍにおける空気中での絶縁破壊電圧が４．５ｋＶ以上であることが好ましい。
　このようなものであれば、良好な電気絶縁性を有するため、より効果的に放熱性と電気絶縁性を両立することができる。
　また、前記シリコーンゴム組成物が、下記（Ａ）～（Ｄ）
（Ａ）平均重合度が３，０００～１０，０００であるオルガノポリシロキサン：１００質量部、
（Ｂ）平均重合度が２～２，０００であり、分子鎖両末端にのみアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン：１０～１００質量部、
（Ｃ）熱伝導性充填材：５００～２，７００質量部、及び
（Ｄ）硬化剤：有効量
を含有する熱伝導性シリコーンゴム組成物であることが好ましい。
　このような熱伝導性シリコーンゴム組成物が、本発明の発熱性電子部品用カバーのマトリックスとなる熱伝導性充填材含有シリコーンゴム組成物としてより好ましい。
　この場合、前記シリコーンゴム組成物において、前記（Ａ）成分に含有されるケイ素原子数３～１０のジオルガノシクロポリシロキサンの合計含有量が、前記（Ａ）成分の全体量に対して５００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
　このような熱伝導性シリコーンゴム組成物が、本発明の発熱性電子部品用カバーのマトリックスとなるシリコーンゴム組成物としてより一層好ましい。
　以上のように、本発明によれば、トランジスタのような電子部品からの脱落を抑制可能な発熱性電子部品用カバーを提供できる。
本発明の発熱性電子部品用カバーの一実施形態を示す斜視図である。 実施例の凸形状部付き発熱性電子部品用カバーの形状を示す図である。 比較例の凸形状部のない発熱性電子部品用カバーの形状を示す図である。 電力トランジスタの一例を示す斜視図である。 チューブ状カバーの使用例を示す斜視図である。 中空状カバーの使用例を示す斜視図である。
　本発明者らは上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、１か所以上の開口部を持つ中空状構造の内壁面に１か所以上の凸形状を有することで、トランジスタへの取り付けが容易にでき、かつトランジスタからの脱落やズレを抑制可能であることを知見し、本発明をなすに至った。
　即ち、本発明は、電子回路部品を挿入するための１か所以上の開口部を持つ中空状構造体からなる発熱性電子部品用カバーであって、前記中空状構造体の内壁面に１か所以上の凸形状を持つものであることを特徴とする発熱性電子部品用カバーである。
　以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　本発明の発熱性電子部品用カバーは、電子回路部品を挿入するための１か所以上の開口部を持つ中空状構造体からなり、前記中空状構造体の内壁面に１か所以上の凸形状部を持つものであることを特徴とする。発熱性電子部品は、電力トランジスタなど使用時に発熱する電子部品であれば特に限定されない。
　以下、発熱性電子部品として電力トランジスタを例に挙げて説明する。
　この発明の一実施形態に係る発熱性電子部品用カバーを図１に示す。このカバーは先に図４で示したような電力用トランジスタカバーとして好適に用いられるもので、カバー１の一端に電力トランジスタＴ挿入のための開口部２を有する。さらに本発明の発熱性電子部品カバーはトランジスタＴを挿入した後、トランジスタからの脱落を防止するための凸形状３を内壁に備える。
　ここで開口部２がトランジスタＴの断面と近似した形状であれば挿入後に凸形状３がトランジスタと接触し、トランジスタが加圧されることでカバー１の脱落を抑制することができる。
　発熱性電子部品用カバーの開口部の広さは、電力トランジスタを挿入することができる広さであればよいが、通常は、電力トランジスタの最大幅及び最大高さと実質的に同一の幅及び高さ、または上記最大幅及び最大高さよりも、通常０．１～３ｍｍ、好ましくは０．３～２ｍｍ、特に０．５～１ｍｍ程度大きい幅及び高さに形成することが好ましい。このように開口部（及び開口部を含む中空部）の幅及び高さを上記電力トランジスタの最大幅及び最大高さよりもわずかに大きく形成することにより、電子機器内にこの発明のカバーを装着した電力トランジスタを配置しても、トランジスタの周囲に余剰空間が生ずることがない。また、発熱性電子部品用カバーの深さ（奥行き）は、電力トランジスタに装着した際に端子の少なくとも１／２が、より好ましくは少なくとも４／５が、開口部２から突出する程度であることが好ましい。
　本発明の発熱性電子部品用カバーの厚さは０．１～２．０ｍｍが好ましく、より好ましくは０．１～１．０ｍｍである。０．１ｍｍ以上であれば、耐電圧強度が十分高くなり、例えば、外部放熱板として金属シャーシや金属製放熱フィンを用いた場合に、これらとショートすることもなく、更に自己支持力が十分であり、形状が維持される。他方、板部（カバー）の厚さが２．０ｍｍ以下であれば、放熱効果の点で優れたものとなる。
　本発明の発熱性電子部品用カバーの内壁面の凸形状は、１か所以上有することが特徴であり、好ましくは１～１０か所有し、より好ましくは１～５か所有する。凸形状が１０か所以下であれば、電力トランジスタとの間の空間が十分小さく、熱伝導を妨げない。
　本発明の凸形状の凸部を形成する形状は、特に制限はない。具体的には、四角柱状、三角柱状、円柱状等の柱状や四角錘状、三角錐状、円錐状などの錘台状が挙げられる。
　本発明の発熱性電子部品用カバーの内壁面の凸形状の高さは、好ましくは０．１～１ｍｍの範囲であり、より好ましくは０．２～０．５ｍｍである。凸形状の高さが０．１ｍｍ以上であれば、基板製造時の脱落やズレを十分に抑制でき、１ｍｍ以下であれば、トランジスタの挿入の際、妨げにならない。
　本発明の発熱性電子部品用カバーの内壁面の各寸法は、カバーする電子部品の寸法に対して０～１．０ｍｍの範囲内で大きくすることが好ましく、０．１～０．８ｍｍがより好ましい。電子部品の寸法に対して、大きくする発熱性電子部品用カバーの内壁面の寸法が、１．０ｍｍ以下であれば凸形状による脱落抑制効果が有効に得られ、電子部品の寸法以上、好ましくは寸法よりも大きい場合は電子部品の挿入が容易となる。
　この発熱性電子部品用カバーを形成する素材は、熱伝導性及び電気絶縁性を有するものであればよい。さらに、電子部品挿入時のダメージや挿入の容易さを考慮するとゴムのような柔らかい弾性材料が好ましい。また、電子部品で発生した熱により高温に曝される可能性があるため、シリコーンゴムへ熱伝導性充填材を含有させたシリコーンゴム組成物を用いることが好ましい。
　本発明の発熱性電子部品用カバーのマトリックスとなる熱伝導性充填材含有シリコーンゴム組成物は、以下のような、（Ａ）～（Ｄ）成分：
（Ａ）平均重合度が３，０００～１０，０００であるオルガノポリシロキサン：１００質量部、
（Ｂ）平均重合度が２～２，０００であり、分子鎖両末端にのみアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン：１０～１００質量部、
（Ｃ）熱伝導性充填材：５００～２，７００質量部、及び
（Ｄ）硬化剤：有効量
と、必要に応じて更なる成分を含有する熱伝導性シリコーンゴム組成物であることがより好ましい。
［（Ａ）平均重合度が３，０００～１０，０００のオルガノポリシロキサン］
　（Ａ）成分は、前記シリコーンゴム組成物の主剤となるものであり、下記式（１）で示される平均組成式を有するものが好ましい。
　　　　ＲａＳｉＯ（４－ａ）／２　　　　　　　　　　（１）
　上記式（１）において、Ｒは独立して炭素数１～８の１価炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等のシクロアルキル基などが挙げられる。また、これらの基の炭素原子に直結した水素原子の一部又は全部を塩素、フッ素などのハロゲン原子で置換したものを用いてもよい。好ましくはメチル基、フェニル基、トリフロロプロピル基、ビニル基である。また、ａは１．８５～２．１０の正数である。
　オルガノポリシロキサンは直鎖状の分子構造を有することが好ましいが、分子中に一部分岐状の構造を有していてもよい。更にオルガノポリシロキサンは分子鎖末端をトリオルガノシリル基又は水酸基で封鎖していることが好ましい。トリオルガノシリル基としては、トリメチルシリル基、ジメチルビニルシリル基、トリビニルシリル基、メチルフェニルビニルシリル基、メチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、ジメチルヒドロキシシリル基等が例示される。
　前記（Ａ）成分の平均重合度は３，０００～１０，０００であり、好ましくは５，０００～１０，０００である。
　なお、本明細書中で言及する平均重合度とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）による、溶媒としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いポリスチレンを標準物質とした数平均分子量から求めた平均重合度を指すものとする。
　前記（Ａ）成分に含有されるケイ素原子数３～１０のジオルガノシクロポリシロキサンの合計含有量が、（Ａ）成分の全体量に対して５００ｐｐｍ（質量基準）以下であることが好ましい。下限は低いほど好ましく特に限定されないが、例えば、１０ｐｐｍ以上であってよい。
［（Ｂ）平均重合度が２～２，０００のアルケニル基含有オルガノポリシロキサン］
　（Ｂ）成分は、前記シリコーンゴム組成物において、架橋反応に供される成分である。平均重合度が２～２，０００であり、分子鎖両末端にのみアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。アルケニル基としては、炭素原子数２～８のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。中でもビニル基、アリル基等炭素原子数２～４の低級アルケニル基が好ましく、特に好ましくはビニル基である。この（Ｂ）成分のオルガノポリシロキサンは、１種単独でも、平均重合度が異なる２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　前記（Ｂ）成分の平均重合度は２～２，０００であり、好ましくは１０～２，０００である。
　前記（Ｂ）成分の配合量は、前記（Ａ）成分１００質量部に対して、１０～１００質量部が好ましく、３０～７０質量部がより好ましい。
［（Ｃ）熱伝導性充填材］
　（Ｃ）成分は、前記シリコーンゴム組成物おいて、熱伝導性を付与する充填材として用いられる成分である。前記（Ｃ）成分は、熱伝導性を有するものであればよく、さらに電気絶縁性を備えることが好ましい。特に限定されないが、例えば、アルミナ、シリカ、マグネシア、ベンガラ、ベリリア、チタニア、ジルコニア等の金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化硼素等の金属窒化物、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、人工ダイヤモンドあるいは炭化ケイ素等の一般に熱伝導性充填材とされる物質を用いることができる。
　熱伝導性充填材の形状は特に限定されず、必要に応じて破砕状、球状などとすることができる。
　熱伝導性充填材の平均粒径（体積平均粒径）は、レーザー回折・散乱法（マイクロトラック法）による測定値で、０．１～１００μｍであることが好ましく、０．５～５０μｍであることがより好ましく、１～４５μｍであることが更に好ましい。
　前記（Ｃ）成分の配合量は、前記（Ａ）成分１００質量部に対して、５００～２，７００質量部が好ましく、６００～２，５００質量部がより好ましい。
　なお、これら熱伝導性充填材は、シラン系カップリング剤又はその部分加水分解物、アルキルアルコキシシラン又はその部分加水分解物、有機シラザン類、オルガノポリシロキサンオイル、加水分解性官能基含有オルガノポリシロキサン等の表面処理剤（ウエッター）により表面処理されたものであってもよい。表面処理剤としては、分子内にアルコキシ基やヒドロキシ基を持つポリシロキサン、例えば片末端トリアルコキシシリル基封鎖ジメチルポリシロキサンなどを挙げることができ、ポリシロキサン中のシロキサン単位の連結状態はブロックであってもランダムであってもよい。これら処理は、熱伝導性充填材自体を予め処理しても、あるいは（Ａ）成分や（Ｂ）成分のオルガノポリシロキサンと（Ｃ）熱伝導性充填材との混合時に処理を行ってもよい。
［（Ｄ）硬化剤］
　（Ｄ）成分は、前記シリコーンゴム組成物を硬化するための成分である。前記硬化剤は組成物の架橋反応の機構により適宜選択される。
　架橋がラジカル反応の場合は有機過酸化物が使用され、具体的には、ベンゾイルパーオキサイド、モノクロルベンゾイルパーオキサイド、ビス２，４－ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｏ－メチルベンゾイルパーオキサイド、ｐ－メチルベンゾイルパーオキサイド、ジ（ｔ－ブチル）パーベンゾエート、ジクミルパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジ（ｔ－ブチル）パーオキサイド等が例示される。有機過酸化物は（Ａ）成分と（Ｂ）成分のオルガノポリシロキサン総量１００質量部に対して０．１～１０質量部、特に０．２～５質量部添加することが好ましい。
　また、架橋が付加反応の場合はケイ素原子に直結した水素原子を１分子中に２個以上含有するオルガノハイドロジェンシロキサンと触媒として有効量（触媒量）の白金族元素（好ましくは白金）又はその化合物が使用される。この場合はオルガノポリシロキサンが１分子中に２個以上のアルケニル基を含有することが必要である。オルガノハイドロジェンポリシロキサンは、ケイ素原子に直結した水素原子が（Ａ）成分と（Ｂ）成分に含まれるアルケニル基に対して０．５～５倍、特に０．６～３倍となる量を配合することが好ましい。
　そして、架橋が縮合反応の場合は、アルコキシ基、アセトキシ基、オキシム基等の加水分解性基を１分子中に２個以上、好ましくは３個以上含有する加水分解性シラン又はシロキサンが架橋剤（硬化剤）として使用される。この配合量は（Ａ）成分と（Ｂ）成分のオルガノポリシロキサン総量１００質量部に対して１～２０質量部、特に２～１０質量部である。また、触媒としてＳｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ等の有機金属化合物を使用することが好ましい。この場合はオルガノポリシロキサンの分子鎖両末端が水酸基又はアルコキシ基で封鎖されていることが必要である。
　硬化剤（架橋剤）の配合量は、有効量であればよく、その他の成分の種類や配合比に合わせて適宜調整し得る。その他紫外線照射や電子線照射を用いたラジカル反応などが挙げられるが、硬化方法はこれらに限定されるものではない。
［その他の成分］
　本発明のシリコーンゴム組成物には、必要に応じて、上述した表面処理剤や、更に他の成分を配合してもよい。例えば、酸化鉄、酸化セリウム等の耐熱性向上剤；シリカ等の粘度調整剤；着色剤；メチルフェニルポリシロキサンなどの内添離型剤等の任意成分を配合することができる。
［シリコーンゴム組成物の製造］
　上記シリコーンゴム組成物は、上記成分を混合して製造することができる。製造方法は公知の方法を採用すればよく、特に限定されない。例えば、以下のようにしてシリコーンゴム組成物を製造することができる。
（１）上記（Ａ）～（Ｃ）成分、及び任意成分である表面処理剤及び内添離型剤を５Ｌの熱処理用ニーダー内に投入し、２５～４０℃で３０分間混合する。その後、ニーダー内を加熱し組成物の温度が１７０℃になったことを確認した後、加熱撹拌を更に２時間行う。
（２）加熱攪拌後に、室温（２５℃）付近まで冷却し、混練したコンパウンドを取り出す。さらに、二本ロールを用いて、前記コンパウンドに硬化剤を添加、混練して熱伝導性シリコーンゴム組成物とする。
［成型方法（発熱性電子部品用カバーの製造方法）］
　本発明の発熱性電子部品用カバーの成型は、成型用金型に前記シリコーンゴム組成物を注入して加熱硬化させる金型成型が好ましく、特に熱軟化させた原料を型に注入し硬化させるトランスファー成型が成型物の寸法精度や量産性の観点から好ましい。トランスファー成型で成型を行う場合、金型へのシリコーンゴム組成物の圧入圧力は、１００～３００ｋｇｆ／ｃｍ２が好ましい。圧入圧力が３００ｋｇｆ／ｃｍ２以下であれば、シリコーンゴム組成物のオイル状成分と熱伝導性充填材とが分離することがなく、１００ｋｇｆ／ｃｍ２以上であれば、圧入に時間がかかり原料の硬化が進行してしまうこともない。また、成型した発熱性電子部品用カバーを金型から脱型するために、金型表面に界面活性剤を塗布、スプレーすることが効果的である。
［シリコーンゴム組成物の硬化物］
　本発明の発熱性電子部品用カバーは、シリコーンゴムと熱伝導性充填材を含むシリコーンゴム組成物の硬化物からなるものであることが好ましい。
　このようなものであれば、カバーを形成する素材が、熱伝導性及び電気絶縁性を有し、柔らかい弾性材料であるため、電子部品挿入時にダメージを与えず、挿入も容易である。また、電子部品で発生した熱により高温に曝されても使用できる十分な耐熱性を備えている。
　シリコーンゴム組成物の硬化物は、０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を持つものであることが好ましい。このようなものであれば、電力トランジスタのような発熱性電子部品の放熱を十分に促進することができる。上限は高いほど好ましく特に限定されないが、例えば、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であってよい。
　本発明における熱伝導率は、例えばＴＰＡ－５０１（京都電子工業（株）製）を用いて、ＩＳＯ２２００７－２に準拠するホットディスク法により２５℃における熱伝導率を測定すればよい。
　また、上記シリコーンゴム組成物の硬化物の厚さ０．４５ｍｍにおける空気中での絶縁破壊電圧が４．５ｋＶ以上であることが好ましい。このようなものであれば、良好な電気絶縁性を有するため、より効果的に放熱性と電気絶縁性を両立することができる。上限は高いほど好ましく特に限定されないが、例えば、１０ｋＶ以下であってよい。
　硬化物（成型物）の厚さ０．４５ｍｍにおける空気中での絶縁破壊測定は、電極に測定対象を装着し、空気中で４．５ｋＶの電圧を１０秒間印加し、リーク電流の有無を測定すればよい。
　以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
［熱伝導性シリコーン組成物の調製］
（１）下記に示す（Ａ）～（Ｃ）成分、及び任意成分である（Ｅ）及び（Ｆ）成分を５Ｌの熱処理用ニーダー（井上製作所製）内に投入し、２５～４０℃で３０分間混合した。その後、ニーダー内を加熱し組成物の温度が１７０℃になったことを確認した後、加熱撹拌を更に２時間おこなった。
（Ａ）成分
両末端にビニル基を有し、平均重合度が８，０００であるジメチルポリシロキサン：１００質量部
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
（Ｂ）成分
（Ｂ－１）両末端にビニル基を有し、平均重合度が５００であるジメチルポリシロキサン：２７質量部
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
（Ｂ－２）両末端にビニル基を有し、平均重合度が１，６００であるジメチルポリシロキサン：１５質量部
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
（Ｃ）成分
熱伝導性充填材：
（Ｃ－１）平均粒径：１μｍ：破砕状アルミナ　　１０８０質量部
（Ｃ－２）平均粒径：１μｍ：球状アルミナ　　　　３８５質量部
（Ｃ－３）平均粒径：１０μｍ：球状アルミナ　　　４６２質量部
（Ｃ－４）平均粒径：４５μｍ：球状アルミナ　　　２３１質量部
（平均粒径はレーザー回折・散乱法により測定した体積平均粒径である。）
（Ｅ）成分
前記（Ｃ）成分の表面処理剤（ウエッター成分）として、下記式（Ｅ－１）で表される片末端トリアルコキシシリル基封鎖ジメチルポリシロキサン：１９質量部、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 及び下記式（Ｅ－２）で表されるビニル含有ジメチルポリシロキサン：６質量部
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 （上記シロキサン単位の連結状態はブロックであってもランダムであってもよい）
（Ｆ）成分
内添離型剤として下記式で表されるメチルフェニルポリシロキサン：７質量部
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 （上記シロキサン単位の連結状態はブロックであってもランダムであってもよい）
（２）加熱攪拌後に、室温（２５℃）付近まで冷却し、混練したコンパウンドを取り出した。さらに、二本ロール（ダイシン機械（株））を用いて、前記コンパウンドに硬化剤として下記（Ｄ）成分を混練して熱伝導性シリコーンゴム組成物とした。
（Ｄ）下記式で表される有機過酸化物：０．８質量部
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
［熱伝導率測定］
　得られた熱伝導性シリコーンゴム組成物を深さ６ｍｍの平板金型に流し込み、高圧プレス機（庄司鉄工（株）製）を用いて１６５℃、１００ｋｇｆ／ｃｍ２で１０分間プレスキュアし、６ｍｍ厚のシートを作製した。
　作製した６ｍｍ厚のシートを２枚使用し、ＴＰＡ－５０１（京都電子工業（株）製）を用いて、ＩＳＯ２２００７－２に準拠するホットディスク法により２５℃における熱伝導率を測定した結果、熱伝導率は２．８Ｗ／ｍ・Ｋであった。
［発熱性電子部品用カバーの成型］
　混錬後の熱伝導性シリコーンゴム組成物をピストン、ポット、中型、下型からなるトランスファー成型機（（株）ピーアールシー製）を用い１６５℃、１００ｋｇｆ／ｃｍ２で１０分間加熱プレスすることで成型した。成型物を脱型後１５０℃／１時間の二次加硫をおこない、発熱性電子部品用カバーを作製した。発熱性電子部品用カバーの形状は下記実施例１および比較例１に示すとおりである。
［実施例１］上記の通り熱伝導性シリコーンゴム組成物を成型して発熱性電子部品用カバーを図２に示す形状（凸形状部有り）とした。図中に寸法（単位ｍｍ）を示す。
［比較例１］上記の通り熱伝導性シリコーンゴム組成物を成型して発熱性電子部品用カバーを図３に示す形状（凸形状部無し）とした。図中に寸法（単位ｍｍ）を示す。
［成型物の絶縁破壊測定］
　１５ｍｍ×４．５ｍｍ×高さ２０ｍｍの電極（（株）セーフ製）に実施例１および比較例１で作製した発熱性電子部品用カバーを装着し、４．５ｋＶの電圧を１０秒間印加し、リーク電流の有無を測定した。結果を表１に示す。
［脱落試験］
　実施例１および比較例１の形状で作製した成型物を、端子部分を上に向け振動台座に固定したＴＯ－２４７型トランジスタ（図４、ＩＸＹＳ社製ＣＬＡ　５０　Ｅ　１２００　ＨＢ）に装着し、重力方向へ振幅１０ｃｍ、振動数１０Ｈｚの振動を５分間与え、トランジスタからの脱落の有無を確認した。その結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　表１の結果から明らかな通り、凸形状の付与により発熱性電子部品用カバーがトランジスタから脱落することを抑制できる。
　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (7)

  1. 　電子回路部品を挿入するための１か所以上の開口部を持つ中空状構造体からなる発熱性電子部品用カバーであって、前記中空状構造体の内壁面に１か所以上の凸形状を持つものであることを特徴とする発熱性電子部品用カバー。
  2. 　前記凸形状の高さが０．１～１ｍｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の発熱性電子部品用カバー。
  3. 　前記発熱性電子部品用カバーが、シリコーンゴムと熱伝導性充填材を含むシリコーンゴム組成物の硬化物からなるものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発熱性電子部品用カバー。
  4. 　前記シリコーンゴム組成物の硬化物が０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を持つものであることを特徴とする請求項３に記載の発熱性電子部品用カバー。
  5. 　前記シリコーンゴム組成物の硬化物の厚さ０．４５ｍｍにおける空気中での絶縁破壊電圧が４．５ｋＶ以上であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の発熱性電子部品用カバー。
  6. 　前記シリコーンゴム組成物が、下記（Ａ）～（Ｄ）
    （Ａ）平均重合度が３，０００～１０，０００であるオルガノポリシロキサン：１００質量部、
    （Ｂ）平均重合度が２～２，０００であり、分子鎖両末端にのみアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン：１０～１００質量部、
    （Ｃ）熱伝導性充填材：５００～２，７００質量部、及び
    （Ｄ）硬化剤：有効量
    を含有する熱伝導性シリコーンゴム組成物であることを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の発熱性電子部品用カバー。
  7. 　前記シリコーンゴム組成物において、前記（Ａ）成分に含有されるケイ素原子数３～１０のジオルガノシクロポリシロキサンの合計含有量が、前記（Ａ）成分の全体量に対して５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の発熱性電子部品用カバー。
PCT/JP2022/040031 2021-11-10 2022-10-26 発熱性電子部品用カバー WO2023085099A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-183699 2021-11-10
JP2021183699 2021-11-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023085099A1 true WO2023085099A1 (ja) 2023-05-19

Family

ID=86335689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/040031 WO2023085099A1 (ja) 2021-11-10 2022-10-26 発熱性電子部品用カバー

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW202324626A (ja)
WO (1) WO2023085099A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS572666U (ja) 1980-06-05 1982-01-08
JPH0353510U (ja) 1989-09-29 1991-05-23
JPH04328163A (ja) * 1991-04-26 1992-11-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性シリコーンゴム組成物
JPH0631194U (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 太陽誘電株式会社 混成集積回路装置
JP2007115816A (ja) 2005-10-19 2007-05-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 発熱性電子部品用カバー及びカバーの装着方法
JP2014099550A (ja) * 2012-11-15 2014-05-29 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 電子機器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS572666U (ja) 1980-06-05 1982-01-08
JPH0353510U (ja) 1989-09-29 1991-05-23
JPH04328163A (ja) * 1991-04-26 1992-11-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性シリコーンゴム組成物
JPH0631194U (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 太陽誘電株式会社 混成集積回路装置
JP2007115816A (ja) 2005-10-19 2007-05-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 発熱性電子部品用カバー及びカバーの装着方法
JP2014099550A (ja) * 2012-11-15 2014-05-29 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
TW202324626A (zh) 2023-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI753029B (zh) 熱傳導性矽氧組成物
KR102364992B1 (ko) 축열성 조성물
KR102132243B1 (ko) 열전도성 실리콘 조성물 및 경화물, 및 복합 시트
JP2017210518A (ja) 熱伝導性シリコーン組成物及びその硬化物
CN115943186B (zh) 硅酮组合物及具有高热传导性的热传导性硅酮硬化物
KR20210098991A (ko) 열전도성 실리콘 조성물의 경화물
KR102416096B1 (ko) 열전도성 시트
JP2018053260A (ja) 熱伝導性シリコーン組成物及び硬化物並びに複合シート
JP3127093B2 (ja) 熱伝導性シリコーンゴム組成物
WO2023085099A1 (ja) 発熱性電子部品用カバー
JP2023168633A (ja) 熱伝導性シリコーン組成物および該組成物を使用するギャップフィラーの製造方法
CN110226225A (zh) 导热性片材
CN114423825A (zh) 导热性有机硅组合物及其制造方法、以及半导体装置
KR101889194B1 (ko) 방열 시트 및 이의 제조방법
KR20210080351A (ko) 열전도성 실리콘 조성물 및 그의 경화물
JP2023071105A (ja) 熱伝導性シリコーンゴム組成物
JP2023049417A (ja) 熱伝導性シリコーン組成物の製造方法
JP2024051534A (ja) 熱伝導性シリコーン組成物、熱伝導性シリコーン硬化物及び電気部品
JP2023166880A (ja) 耐熱性シリコーン組成物、耐熱性シリコーンシート及びその製造方法
CN117430866A (zh) 表面处理填料、表面处理填料的制造方法和导热组合物

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22892599

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2023559545

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A