WO2023026887A1 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
［課題］金属膜および第２シリコン酸化膜に対して高い選択比で第１シリコン酸化膜のウエットエッチングを可能とする技術を提供する。 ［解決手段］一実施形態によれば、金属膜と、第１シリコン酸化膜と、第１シリコン酸化膜よりも水分含有量が低い第２シリコン酸化膜と含む積層構造が形成された基板をウエットエッチングする基板処理方法であって、硫酸、過酸化水素およびフッ化水素酸を無水有機溶媒によって希釈してなるエッチング液を、前記金属膜と、前記第１シリコン酸化膜および前記第２シリコン酸化膜が同時に前記エッチング液に晒されるように前記基板に前記エッチング液を供給し、これにより、前記第２シリコン酸化膜および前記金属膜に対する前記第１シリコン酸化膜のエッチング選択比を高めてエッチングを行うエッチング工程を備えた、基板処理方法が提供される。
Description
本開示は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
半導体装置の製造工程には、基板上に形成された複数種類の膜を選択的にエッチングするウエットエッチング工程が含まれる。特許文献１には、第１の絶縁膜として熱酸化ＳｉＯ２膜と、第１の絶縁膜上に積層される第２の絶縁膜としてＳｉＮ膜（あるいはＣＶＤ法によるＳｉＯＮ膜）とを備えた基板を、ＨＦ水溶液を用いてウエットエッチングする方法が開示されている。特許文献１には、ＳｉＯ２膜のＳｉＮ膜に対するエッチング選択比を高くしたいときにはＨＦ濃度を５％程度に高くし、非選択エッチングを行いたいときにはＨＦ濃度を低くすることが記載されている。
本開示は、金属膜および第２シリコン酸化膜に対して高い選択比で第１シリコン酸化膜のウエットエッチングを可能とする技術を提供する。
本開示の一実施形態によれば、金属膜と、第１シリコン酸化膜と、第１シリコン酸化膜よりも水分含有量が低い第２シリコン酸化膜と含む積層構造が形成された基板をウエットエッチングする基板処理方法であって、硫酸、過酸化水素およびフッ化水素酸を無水有機溶媒によって希釈してなるエッチング液を、前記金属膜と、前記第１シリコン酸化膜および前記第２シリコン酸化膜が同時に前記エッチング液に晒されるように前記基板に前記エッチング液を供給し、これにより、前記第２シリコン酸化膜および前記金属膜に対する前記第１シリコン酸化膜のエッチング選択比を高めてエッチングを行うエッチング工程を備えた、基板処理方法が提供される。
上記実施形態によれば、金属膜および第２シリコン酸化膜に対して高い選択比で第１シリコン酸化膜のウエットエッチングを行うことが可能となる。
図１は、本開示の基板処理方法の一実施形態に係るウエットエッチング処理の対象となる積層構造を示す概略断面図である。
本実施形態では、ウエットエッチング処理は、キャパシタ形状補正処理の一環として行われる。ウエットエッチング工程は、ドライエッチング工程の次工程として行われる。
図１には、ウエットエッチングの対象である積層構造が示されている。積層構造は、下層から順に、タングステン膜（Ｗ）、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）、第１シリコン酸化膜としてのＢＰＳＧ（Boro-phospho Silicate Glass、ホウリンケイ酸ガラス）膜、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）、第２シリコン酸化膜としてのＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）膜、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）、ハードマスク（ＨＭ）を有している。このような積層構造は、シリコンウエハ等の基板（図示せず）の上に直接的に形成されているか、あるいは基板の上に別の１つ以上の層（膜）を介して形成されている。
図１は、ハードマスク（ＨＭ）をエッチマスクとして、タングステン膜（Ｗ）よりも上側の層（膜）をドライエッチングして、ホールを形成した直後の状態を示している。トレンチの表面には、ドライエッチングの際に生じたポリマー（Ｐ）が付着している。
本実施形態に係るウエットエッチングでは、図１に示した状態から、図２に示すように、Ｗ膜およびＴＥＯＳ膜のエッチングを抑制しつつＢＰＳＧ膜をウエットエッチングすることが求められている。図３に概略的に示したように、ＴＥＯＳ膜までが深くエッチングされることは好ましくない。具体的には例えば、「ＢＰＳＧのエッチレート／ＴＥＯＳのエッチレート＞４」を満たし、かつ、「Ｗ膜のエッチレート＜１０Å／min」という条件を満足することが求められている。
また、これと併せて、本実施形態のウエットエッチングでは、前工程のドライエッチング工程において生じたポリマー（Ｐ）を除去することも求められている。ポリマーは図示されたものに限らず、エッチング対象物の表面（積層構造の表面（最上層の上面）および凹部（孔または溝）の内壁面に）に付着しうる。
上記の目的を達成するため、本実施形態で用いるエッチング液の組成は以下のようなものとすることができる。
硫酸（Ｈ２ＳＯ４）：０．０１～１５ｗｔ％
過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）：０．１～１０ｗｔ％
フッ化水素酸（ＨＦ）：０．００５～１ｗｔ％
残部：無水有機溶媒および主に原料（エッチング液を調合するための原液を意味吸する。以下同じ）由来の水分（原料に不可避的に存在する微量の不純物も含む）
硫酸（Ｈ２ＳＯ４）：０．０１～１５ｗｔ％
過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）：０．１～１０ｗｔ％
フッ化水素酸（ＨＦ）：０．００５～１ｗｔ％
残部：無水有機溶媒および主に原料（エッチング液を調合するための原液を意味吸する。以下同じ）由来の水分（原料に不可避的に存在する微量の不純物も含む）
好ましくは、エッチング液の組成は以下の通りとすることができる。
硫酸（Ｈ２ＳＯ４）：１～１５ｗｔ％，
過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）：０．２～２ｗｔ％，
フッ化水素酸（ＨＦ）：０．００５～０．５ｗｔ％、
残部：無水有機溶媒および主に原料由来の水分（原料に不可避的に存在する微量の不純物も含む）
硫酸（Ｈ２ＳＯ４）：１～１５ｗｔ％，
過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）：０．２～２ｗｔ％，
フッ化水素酸（ＨＦ）：０．００５～０．５ｗｔ％、
残部：無水有機溶媒および主に原料由来の水分（原料に不可避的に存在する微量の不純物も含む）
フッ化水素酸（ＨＦ）の含有量は、より好ましくは約０．０１ｗｔ％である。
なお、上記のエッチング液の組成は、一般的な計算方法により計算している。具体的には例えば、エッチング液に例えば９８％濃度の硫酸を１００ｇ含めた場合には、エッチング液中に９８ｇの硫酸と２ｇの水が含まれるものとして計算している。
上記の組成より理解できるように、エッチング液の主成分は、有機物除去に効果のある硫酸と過酸化水素の混合物であるＳＰＭ（硫酸過水）、およびシリコン酸化膜除去に効果があるＨＦ（フッ化水素酸）からなる。シリコン酸化膜のウエットエッチングおよびポリマーの除去を同時に行うためにこのような主成分を有する薬液を用いることは自体は公知であり、主成分についての詳細な説明は省略する。
上記主成分として、半導体装置製造用途に一般的に用いられる濃度のものを用いることができる。具体的には例えば、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）としては濃度が９８wt％程度のもの、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）としては濃度が３１～３５wt％程度のもの、フッ化水素酸（ＨＦ）としては濃度が５０wt％程度のものが用いられる。このような工業的に常用される薬剤には、安定化のために意図的に、あるいは不可避的に水分が含まれている。
本実施形態は、ウエットエッチング液において一般的に溶媒として用いられている水に代えて、無水有機溶媒を用いていることを特徴としている。エッチング液の組成の大半を占める溶媒として実質的に水分を含まない無水有機溶媒を用いることにより、上記の原料に水分が含まれていたとしても、最終的に得られるエッチング液に含まれる水分を低く、例えば３％未満に抑えることができる。これにより得られる効果については後述する。
無水有機溶媒としては、ＣＨ３ＣＯＯＨ（酢酸）、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、エチレングリコール、グリセリン、アセトンが例示される。これらのうちで、目下のところ特に好適であると考えられているものは、ＣＨ３ＣＯＯＨおよびエチレングリコールである。
半導体装置製造用途に一般的に用いられる無水有機溶媒（上記リストに挙げられているもの）の純度は以下の通りである。
ＣＨ３ＣＯＯＨ：＞９９．７％
ＩＰＡ：＞９９．９９％
エチレングリコール：＞９９．５％
グリセリン：＞９９．０％
アセトン：＞９９．７％
包括的に言うと、上記リストに挙げられている無水有機溶媒の水分含有量は１wt％未満と考えてよい。
ＣＨ３ＣＯＯＨ：＞９９．７％
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グリセリン：＞９９．０％
アセトン：＞９９．７％
包括的に言うと、上記リストに挙げられている無水有機溶媒の水分含有量は１wt％未満と考えてよい。
ウエットエッチング時のエッチング液の温度は、常温から８０℃程度の温度範囲から適宜選択することができる。
以下の２種類のエッチング液に対してエッチング選択比を確認する試験を行った。
＜エッチング液１＞
Ｈ２ＳＯ４：６．６７（ｗｔ％）
Ｈ２Ｏ２：０．７１（ｗｔ％）
ＨＦ：０．１５（ｗｔ％）
ＣＨ３ＣＯＯＨ：９０．２２（ｗｔ％）
残部：水分（約２．２５ｗｔ％）
Ｈ２ＳＯ４：６．６７（ｗｔ％）
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残部：水分（約２．２５ｗｔ％）
＜エッチング液２＞
６０℃処理
Ｈ２ＳＯ４：６．６７（ｗｔ％）
Ｈ２Ｏ２：０．７１（ｗｔ％）
ＨＦ：０．１５（ｗｔ％）
エチレングリコール：９０．４０（ｗｔ％）
残部：水分（約２．０７ｗｔ％）
６０℃処理
Ｈ２ＳＯ４：６．６７（ｗｔ％）
Ｈ２Ｏ２：０．７１（ｗｔ％）
ＨＦ：０．１５（ｗｔ％）
エチレングリコール：９０．４０（ｗｔ％）
残部：水分（約２．０７ｗｔ％）
試験片として以下のものを用いた。
（Ａ）シリコンウエハ上に厚さ６０００ÅのＢＰＳＧ膜を形成したもの
（Ｂ）シリコンウエハ上に厚さ３４００ÅのＴＥＯＳ膜を形成したもの
（Ｃ）シリコンウエハ上に厚さ１０００ÅのＳｉＯ膜を形成し、さらにその上に厚さ３００ÅのＷ膜を形成したもの
（Ａ）シリコンウエハ上に厚さ６０００ÅのＢＰＳＧ膜を形成したもの
（Ｂ）シリコンウエハ上に厚さ３４００ÅのＴＥＯＳ膜を形成したもの
（Ｃ）シリコンウエハ上に厚さ１０００ÅのＳｉＯ膜を形成し、さらにその上に厚さ３００ÅのＷ膜を形成したもの
ビーカーにエッチング液を満たし、エッチング液中に試験片（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を、３０秒、６０秒または９０秒浸漬した。エッチング液１の温度は常温、エッチング液２は６０℃とした。その後ＤＩＷを満たしたビーカーに試験片を６０秒浸漬することによりＤＩＷリンスを行った。その後、エアブローを行うことにより試験片を乾燥させた。エッチング前後のＢＰＳＧ膜およびＴＥＯＳ膜の膜厚は分光エリプソメトリー法を用いて測定した。また、エッチング前後のＷ膜の膜厚は四探針法を用いて測定した。
エッチング液１を用いた場合の試験結果を下記の表１に、エッチング液２を用いた場合の試験結果を下記の表２に、それぞれ示す。
上記の表１および表２より明らかなように、ＴＥＯＳ膜に対するＢＰＳＧ膜のエッチング選択比は、エッチング液１を用いた場合には１７．５～１９．５、エッチング液２を用いた場合には１２．２～１４．２であり、いずれの場合も、目標値である４を大幅に上回る値を示した。
また、Ｗ膜のエッチレートは、エッチング液１を用いた場合には約１．２３Å／min、エッチング液２を用いた場合には約１．９７Å／minと、１０Å／min未満という目標よりも大幅に小さい値を示した。なお、上記のエッチレートは処理時間６０秒のときのデータに基づいて算出したが、３０秒および９０秒のときのデータに基づいて算出しても１０Å／minよりもずっと小さいことは明らかである。なお、Ｗ膜に対するＢＰＳＧ膜のエッチング選択比は、エッチング液１を用いた場合には約４１．７～５２．０、エッチング液２を用いた場合には約５．１～８．８であり、いずれの場合も十分に大きかった。
上記のことから、溶媒として無水有機溶媒を用いた水分含有量の少ないエッチング液を用いることにより、ＴＥＯＳ膜に対するＢＰＳＧ膜のエッチング選択比を大きくし、かつＷのエッチレートを小さくすることができることが明らかである。
上記の試験結果に対して発明者は以下のように考えている。
シリコン酸化膜とフッ化水素とが反応するには、下式に示すように、Ｈ２Ｏを介してＨＦ２
－ が生成される必要がある。
２ＨＦ ＋ Ｈ２Ｏ → ＨＦ２ － ＋ Ｈ３Ｏ＋
ＳｉＯ２ ＋ ２ＨＦ２ － ＋ ２Ｈ３Ｏ＋ → ＳｉＦ４ ＋ ４Ｈ２Ｏ
２ＨＦ ＋ Ｈ２Ｏ → ＨＦ２ － ＋ Ｈ３Ｏ＋
ＳｉＯ２ ＋ ２ＨＦ２ － ＋ ２Ｈ３Ｏ＋ → ＳｉＦ４ ＋ ４Ｈ２Ｏ
シリコン酸化膜の水分含有量はＢＰＳＧ＞ＴＥＯＳ＞Ｔｈ－Ｏｘという関係にある。
十分な量のＨ２Ｏがエッチング液中に存在していたとすると（例えば溶媒が水の場合）、シリコン酸化膜の種類に関わらず十分なＨＦ２
－ が生成されるため、シリコン酸化膜の種類によるエッチレートに大きな差は生じない。
一方、上記実施形態のように、エッチング液の溶媒が無水有機溶媒である場合には、エッチング液中に十分な量のＨＦ２
－ が生成されない。この場合、Ｈ２Ｏはシリコン酸化膜から供給されることになる。従って、水分含有量の多いＢＰＳＧのエッチレートは高くなるが、水分含有量の少ないＴＥＯＳのエッチレートは低くなる。このことが、ＴＥＯＳ膜に対するＢＰＳＧ膜のエッチング選択比が大きくなった原因と考えられる。
Ｗのエッチングは主に次式に従って生じるものと考えられる。
Ｗ ＋ ２Ｈ２Ｏ２ → ＷＯ２ ＋ ２Ｈ２Ｏ
ＷＯ２ → Ｗ２Ｏ５ → ・・・ → ＷＯ３ （酸化の進行）
ＷＯ３ ＋ Ｈ２Ｏ → Ｈ２ＷＯ４
Ｈ２ＷＯ４ ＋ Ｈ２Ｏ → Ｈ３Ｏ＋ ＋ ＨＷＯ４ －
上式より、Ｗのエッチングは、Ｈ２Ｏ２ およびＨ２Ｏが殆ど無い条件下では進行しないことがわかる。従って、エッチング液の溶媒が無水有機溶媒である上記試験においては、Ｗのエッチングは殆ど進行しなかったものと考えられる。
Ｗ ＋ ２Ｈ２Ｏ２ → ＷＯ２ ＋ ２Ｈ２Ｏ
ＷＯ２ → Ｗ２Ｏ５ → ・・・ → ＷＯ３ （酸化の進行）
ＷＯ３ ＋ Ｈ２Ｏ → Ｈ２ＷＯ４
Ｈ２ＷＯ４ ＋ Ｈ２Ｏ → Ｈ３Ｏ＋ ＋ ＨＷＯ４ －
上式より、Ｗのエッチングは、Ｈ２Ｏ２ およびＨ２Ｏが殆ど無い条件下では進行しないことがわかる。従って、エッチング液の溶媒が無水有機溶媒である上記試験においては、Ｗのエッチングは殆ど進行しなかったものと考えられる。
上記の理論から明らかなように、上記実施形態に基づくウエットエッチング技術は、水分含有量の異なる２種類以上のシリコン酸化膜の選択的エッチングに用いることができる。
上記のウエットエッチング処理は、枚葉式基板処理装置およびバッチ式基板処理装置のいずれによっても行うことができる。
枚葉式基板処理装置の一例を図４に概略的に示す。枚葉式の基板処理装置１６はチャンバ２０を備えている。チャンバ２０内には、基板保持機構３０と、少なくとも１つのノズル４０と、液受けカップ５０とが設けられている。基板保持機構３０は、基板保持部３１と、回転軸３２と、回転駆動部３３とを備える。基板保持部３１は、バキュームチャックまたはメカニカルチャックとして構成されており、基板を水平姿勢で保持する。回転駆動部３３は、回転軸３２を介して，基板保持部３１およびこれに保持された基板を鉛直軸線回りに回転させる。処理流体供給源７０は必要な処理液（処理流体）をノズル４０に供給する。液受けカップ５０は回転する基板から飛散する処理液を回収する。処理液は液受けカップ５０の底部に形成された排液口５１から、基板処理装置１６の外部に排出される。チャンバ２０の天井部に設けられたＦＦＵ２１から清浄ガスが下向きに吐出される。一方で、液受けカップ５０の底部に形成された排気口５２を介して液受けカップ５０の内部が吸引され、これにより清浄ガスが液受けカップ５０内に引き込まれる。清浄ガスの流れに乗って基板から飛散した処理液のミストが液受けカップ５０から排出される。制御部６０が、所定の処理レシピに従って、基板保持機構３０により保持された基板を回転させ、かつ、ノズル４０から前述したエッチング液およびリンス液などの所要の処理液を回転する基板に供給することにより、基板に対する一連の液処理が行われる。リンス工程を第１リンス段階および第２リンス段階の２段階で行ってもよい。第１リンス段階を前述した無水有機溶媒を用いて行い、第２リンス段階をＤＩＷを用いて行うこともできる。
バッチ式の基板処理装置の一例を図５を参照して説明する。バッチ式の基板処理装置は、少なくとも２つのバッチ式の基板処理ユニット１００と、少なくとも２つの基板処理ユニット１００間で基板を搬送する図示しない基板搬送機とを有する。基板処理ユニット１００は、処理液を貯留する内槽１０２と、内槽１０２からオーバーフローした処理液が流入する外槽１０４とを有している。外槽１０４には、循環ライン１０６の一端が接続されている。内槽１０２内にはノズル１０８が設けられており、このノズル１０８には循環ライン１０６の他端が接続されている。循環ライン１０６には循環ポンプＰ、ヒータＨ等の温調器、パーティクルフィルタＦなどが介設されている。処理液は、内槽１０２を出た後に、外槽１０４、循環ライン１０６、ノズル１０８を通って内槽１０２に戻るように循環する。上下方向に可動の基板保持具１１０に鉛直姿勢で水平方向に等間隔で保持された複数の基板が内槽１０２に貯留された処理液中に浸漬されることにより、当該基板のエッチング処理が行われる。制御部１２０が、所定の処理レシピに従って、少なくとも２つのバッチ式の基板処理ユニット１００を動作させることにより、基板に対する一連の液処理が行われる。このとき、１つのバッチ式の基板処理ユニット１００で前述したエッチング液を用いたエッチング処理が行われ、他の一つの１つのバッチ式の基板処理ユニット１００でリンス処理が行われる。
前述した制御部６０，１２０は例えばコンピュータからなり、該コンピュータは、例えば演算処理部と記憶部とを備える。記憶部には、基板処理装置（システム）において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。演算処理部は、記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置の動作を制御する。上記のプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に格納した状態で提供することができる。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
基板は半導体ウエハに限定されるものではなく、ガラス基板、セラミック基板等の半導体装置の製造において用いられる他の種類の基板であってもよい。
Ｗ 金属膜（タングステン膜）
ＢＰＳＧ 第１シリコン酸化膜（ホウリンケイ酸ガラス膜）
ＴＥＯＳ 第２シリコン酸化膜（テトラエトキシシラン膜）
ＢＰＳＧ 第１シリコン酸化膜（ホウリンケイ酸ガラス膜）
ＴＥＯＳ 第２シリコン酸化膜（テトラエトキシシラン膜）
Claims (20)
- 金属膜と、第１シリコン酸化膜と、第１シリコン酸化膜よりも水分含有量が低い第２シリコン酸化膜と含む積層構造が形成された基板をウエットエッチングする基板処理方法であって、
硫酸、過酸化水素およびフッ化水素酸を無水有機溶媒によって希釈してなるエッチング液を、前記金属膜と、前記第１シリコン酸化膜および前記第２シリコン酸化膜が同時に前記エッチング液に晒されるように前記基板に前記エッチング液を供給し、これにより、前記第２シリコン酸化膜および前記金属膜に対する前記第１シリコン酸化膜のエッチング選択比を高めてエッチングを行うエッチング工程を備えた、基板処理方法。 - 前記無水有機溶媒は、酢酸、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、エチレングリコール、グリセリン、またはアセトンである、請求項１記載の基板処理方法。
- 前記無水有機溶媒は、酢酸またはエチレングリコールである、請求項１記載の基板処理方法。
- 前記金属膜はタングステン膜であり、
前記第１シリコン酸化膜はＢＰＳＧ（ホウリンケイ酸ガラス）であり、
前記第２シリコン酸化膜はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）である、
請求項１記載の基板処理方法。 - 前記エッチング液に晒される前記積層構造の表面に付着したポリマーが前記エッチング液によって同時に除去される、請求項１記載の基板処理方法。
- 前記エッチング液の温度が常温から８０℃の範囲内である、請求項１記載の基板処理方法。
- 前記第２シリコン酸化膜に対する前記第１シリコン酸化膜のエッチング選択比は４より大きい、請求項１記載の基板処理方法。
- 前記金属膜のエッチングレートは１０Å／min（オングストローム毎分）未満である、
請求項１記載の基板処理方法。 - 前記エッチング液は、０．０１～１５ｗｔ％の硫酸と、０．１～１０ｗｔ％の過酸化水素と、０．００５～１ｗｔ％のフッ化水素酸とを含み、残部が前記無水有機溶媒、並びに前記硫酸、前記フッ化水素酸および前記過酸化水素の原液に含まれる水分からなる、請求項１記載の基板処理方法。
- 前記エッチング液は、１～１５ｗｔ％の硫酸と、０．２～２ｗｔ％の過酸化水素と、０．００５～０．５ｗｔ％のフッ化水素酸とを含み、残部が前記無水有機溶媒、並びに前記硫酸、前記フッ化水素酸および前記過酸化水素の原液に含まれる水分からなる、請求項１記載の基板処理方法。
- ウエットエッチングの対象である前記積層構造は、最下層としてのタングステンからなる前記金属膜と、前記金属膜の上に形成されたＢＰＳＧ（ホウリンケイ酸ガラス）からなる前記第１シリコン酸化膜と、前記第１シリコン酸化膜の上に形成されたＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）からなる前記第２シリコン酸化膜とを備え、前記積層構造の最上部から前記金属膜の表面まで連続的に積層方向に延びるトレンチが形成されている、請求項１記載の基板処理方法。
- 前記積層構造は、前記金属膜と前記第１シリコン酸化膜との間、前記第１シリコン酸化膜と前記第２シリコン酸化膜との間にそれぞれシリコン窒化膜を備えている、請求項１１記載の基板処理方法。
- 前記積層構造は、前記第２シリコン酸化膜の上に直接設けられたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜の上に直接設けられたハードマスク層を備え、前記積層構造は、前記ハードマスク層をエッチマスクとしてドライエッチングを行うことにより形成された前記トレンチを有し、前記トレンチの内壁面に前記ドライエッチングにより生じたポリマーが付着しており、前記ポリマーが前記エッチング液により除去される、請求項１２記載の基板処理方法。
- 前記エッチング液は、０．０１～１５ｗｔ％の硫酸と、０．１～１０ｗｔ％の過酸化水素と、０．００５～１ｗｔ％のフッ化水素酸とを含み、残部が前記無水有機溶媒、並びに前記硫酸、前記フッ化水素酸および前記過酸化水素の原液に含まれる水分からなる、請求項１３記載の基板処理方法。
- 前記無水有機溶媒は、酢酸、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、エチレングリコール、グリセリン、またはアセトンである、請求項１４記載の基板処理方法。
- 前記無水有機溶媒は、酢酸またはエチレングリコールである、請求項１４記載の基板処理方法。
- 前記エッチング液は、１～１５ｗｔ％の硫酸と、０．２～２ｗｔ％の過酸化水素と、０．００５～０．５ｗｔ％のフッ化水素酸とを含み、残部が前記無水有機溶媒、並びに前記硫酸、前記フッ化水素酸および前記過酸化水素の原液に含まれる水分からなる、請求項１３記載の基板処理方法。
- 前記無水有機溶媒は、酢酸、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、エチレングリコール、グリセリン、またはアセトンである、請求項１７記載の基板処理方法。
- 前記無水有機溶媒は、酢酸またはエチレングリコールである、請求項１７記載の基板処理方法。
- 基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板にエッチング液を供給するエッチング液供給部と、
前記基板処理装置の動作を制御して請求項１記載の基板処理方法を実行させる制御部と、
を備えた基板処理装置。
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