WO2023024165A1 - 显示面板及电子终端 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及电子终端，其中，显示面板包括：衬底；阵列驱动层，位于衬底上，包括栅极层和源漏极层；信号线，包括位于非显示区的转接部，转接部包括与栅极层同层设置的第一段导线、与源漏极层同层设置的第二段导线以及与第一段导线和第二段导线电连接的桥接部；第一段导线、第二段导线以及桥接部异层设置。
Description
本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及电子终端。
液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。LCD有A-Si（非晶硅）薄膜晶体管/LTPS（Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅）薄膜晶体管对应的两种显示技术，LTPS薄膜晶体管由于具有高迁移率的优点，被广泛用于高规格面板技术。
LTPS薄膜晶体管的显示产品受限于高温制程，如需要600摄氏度左右，目前业界中大多使用钼（Mo）金属。然而Mo金属阻抗较高，不利用高分辨率、高频率中尺寸产品的高充电率的产品需求。可使用耐高温低阻金属材料替代Mo金属，以降低其电阻率，从而提高充电率等性能。
当前在LTPS薄膜晶体管的显示产品形成源漏极层和半导体层的过孔的制程中，要利用氢氟酸（Hydrofluoric Acid，HF）去除绝缘层（ILD）接触孔内的氧化层，以提升电性，同时也会处理非显示区的转接孔里面的金属，该金属使用的是耐高温低阻材料的金属。由于耐高温低阻材料的金属不耐氢氟酸，其容易被刻蚀，导致转接孔里面的金属损失量较大，转接孔的接触阻抗增加，影响了显示面板产品的性能品质。
本申请提供一种显示面板及电子终端，以改善当前显示面板的转接孔内的金属因过蚀刻而导致转接孔的接触阻抗增加的技术问题。
本申请提供了一种显示面板，其中，所述显示面板包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区；其中，所述显示面板包括：
衬底；
阵列驱动层，位于所述衬底上，包括栅极层和源漏极层；
信号线，包括位于所述非显示区的转接部，所述转接部包括与所述栅极层同层设置的第一段导线、与所述源漏极层同层设置的第二段导线以及与所述第一段导线和所述第二段导线电连接的桥接部；
其中，所述第一段导线、所述第二段导线以及所述桥接部异层设置。
在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括位于所述阵列驱动层两侧的多层金属层，所述桥接部与多层所述金属层中的至少一者同层设置。
在本申请的显示面板中，所述显示面板包括位于所述衬底和所述阵列驱动层之间的遮光层，所述桥接部与所述遮光层同层设置，所述第一段导线和所述第二段导线之间的层间绝缘层完全覆盖所述第一段导线，所述遮光层的耐氢氟酸腐蚀的能力比栅极的耐氢氟酸腐蚀的能力强。
在本申请的显示面板中，所述显示面板包括位于所述阵列驱动层上的第一电极层，所述第一电极层与所述源漏极层电连接；
其中，所述桥接部与所述第一电极层同层设置。
在本申请的显示面板中，所述显示面板包括位于所述阵列驱动层上的第一电极层、以及位于所述阵列驱动层和所述第一电极层之间的第二电极层，所述第一电极层与所述源漏极层电连接，所述第一电极层和第二电极层之间相互绝缘；
其中，所述桥接部与所述第二电极层同层设置。
在本申请的显示面板中，所述显示面板包括位于所述阵列驱动层上的第一电极层、位于所述阵列驱动层和所述第一电极层之间的第二电极层、以及位于所述阵列驱动层和所述第二电极层之间的触控走线层，所述第一电极层与所述源漏极层电连接，所述第一电极层与所述第二电极层相互绝缘，所述触控走线层和第二电极层电连接；
其中，所述桥接部与所述触控走线层同层设置。
在本申请的显示面板中，所述转接部还包括第一过孔和第二过孔，所述第一段导线通过所述第一过孔内的连接金属与所述桥接部电连接，所述第二段导线通过所述第二过孔内的连接金属与所述桥接部电连接；
所述阵列驱动层还包括半导体层，所述阵列驱动层的所述源漏极层通过第三过孔内的连接金属与所述半导体层电连接，所述第三过孔内的所述连接金属的接触阻抗小于所述第一过孔内的所述连接金属或所述第二过孔内的所述连接金属的接触阻抗。
在本申请的显示面板中，所述转接部包括至少两个第一过孔和至少两个第二过孔，所述至少两个第一过孔并联连接，所述至少两个第二过孔并联连接。
在本申请的显示面板中，所述第一段导线的材料包括合金材料或者叠加的多层金属膜层。
在本申请的显示面板中，所述合金材料包括铝合金、钨合金、铜合金、银合金、锌合金，所述叠加的多层金属膜层包括铝叠层、钨叠层、铜叠层、银叠层、锌叠层。
本申请实施例还提供一种电子终端，包括显示面板及终端主体，所述显示面板安装于所述终端主体；所述显示面板包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区；其中，所述显示面板包括：
衬底；
阵列驱动层，位于所述衬底上，包括栅极层和源漏极层；
信号线，包括位于所述非显示区的转接部，所述转接部包括与所述栅极层同层设置的第一段导线、与所述源漏极层同层设置的第二段导线以及与所述第一段导线和所述第二段导线电连接的桥接部；
其中，所述第一段导线、所述第二段导线以及所述桥接部异层设置。
在本申请的电子终端中，所述显示面板还包括位于所述阵列驱动层两侧的多层金属层，所述桥接部与多层所述金属层中的至少一者同层设置。
在本申请的电子终端中，所述显示面板包括位于所述衬底和所述阵列驱动层之间的遮光层，所述桥接部与所述遮光层同层设置，所述第一段导线和所述第二段导线之间的层间绝缘层完全覆盖所述第一段导线，所述遮光层的耐氢氟酸腐蚀的能力比所述栅极层的耐氢氟酸腐蚀的能力强。
在本申请的电子终端中，所述显示面板包括位于所述阵列驱动层上的第一电极层，所述第一电极层与所述源漏极层电连接；
其中，所述桥接部与所述第一电极层同层设置。
在本申请的电子终端中，所述显示面板包括位于所述阵列驱动层上的第一电极层、以及位于所述阵列驱动层和所述第一电极层之间的第二电极层，所述第一电极层与所述源漏极层电连接，所述第一电极层和第二电极层之间相互绝缘；
其中，所述桥接部与所述第二电极层同层设置。
在本申请的电子终端中，所述显示面板包括位于所述阵列驱动层上的第一电极层、位于所述阵列驱动层和所述第一电极层之间的第二电极层、以及位于所述阵列驱动层和所述第二电极层之间的触控走线层，所述第一电极层与所述源漏极层电连接，所述第一电极层与所述第二电极层相互绝缘，所述触控走线层和第二电极层电连接；
其中，所述桥接部与所述触控走线层同层设置。
在本申请的电子终端中，所述转接部还包括第一过孔和第二过孔，所述第一段导线通过所述第一过孔内的连接金属与所述桥接部电连接，所述第二段导线通过所述第二过孔内的连接金属与所述桥接部电连接；
所述阵列驱动层还包括半导体层，所述阵列驱动层的所述源漏极层通过第三过孔内的连接金属与所述半导体层电连接，所述第三过孔内的所述连接金属的接触阻抗大于所述第一过孔内的所述连接金属或所述第二过孔内的所述连接金属的接触阻抗。
在本申请的电子终端中，所述转接部包括至少两个第一过孔和至少两个第二过孔，所述至少两个第一过孔并联连接，所述至少两个第二过孔并联连接。
在本申请的电子终端中，所述第一段导线的材料包括合金材料或者叠加的多层金属膜层。
在本申请的电子终端中，所述合金材料包括铝合金、钨合金、铜合金、银合金、锌合金，所述叠加的多层金属膜层包括铝叠层、钨叠层、铜叠层、银叠层、锌叠层。
本申请提出了一种显示面板及电子终端，其中，所述显示面板包括显示区和位于显示区外围的非显示区；其中，所述显示面板包括：衬底；阵列驱动层，位于衬底上，包括栅极层和源漏极层；信号线，包括位于非显示区的转接部，转接部包括与栅极层同层设置的第一段导线、与源漏极层同层设置的第二段导线以及与第一段导线和第二段导线电连接的桥接部；其中，第一段导线、第二段导线以及桥接部异层设置。本申请实施例通过在非显示区内设置与第一段导线和第二段导线异层设置且电连接的桥接部，以避免在形成转接部的转接孔时，对第一段导线过蚀刻，避免了第一段导线的阻抗、第一段导线与第二段导线之间的接触阻抗的增加，提高了信号线的数据传输的准确性，提高了显示面板的产品性能。
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术中提供的显示面板的制作的一工艺结构示意图；
图2为本申请实施例提供的显示面板的第一种结构图；
图3至图6为本申请实施例提供的显示面板的第一制作工艺的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的第一流程示意图；
图8为本申请实施例提供的显示面板的第二种结构图；
图9至图12为本申请实施例提供的显示面板的第二制作工艺的结构示意图；
图13为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的第二流程示意图；
图14为本申请实施例提供的显示面板的第三种结构图；
图15至图16为本申请实施例提供的显示面板的第二制作工艺的结构示意图；
图17为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的第三流程示意图；
图18为本申请实施例提供的显示面板的第四种结构图；
图19为本申请实施例提供的显示面板的第五种结构图。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
现有技术中，如图1所示，为本申请提供的制作LTPS薄膜晶体管的显示产品一制程下的显示结构，该显示结构包括显示区10和非显示区20，显示结构的显示区10包括依次层叠设置的衬底101、遮光层102、第一绝缘层103、半导体层104、第二绝缘层105、栅极层106、第三绝缘层107和源漏极层108。显示结构的非显示区20包括依次层叠设置的衬底101、第一绝缘层103、第二绝缘层105、栅极层106、第三绝缘层107和源漏极层108。
其中，形成源漏极层108之前，在形成源漏极层108（也称为SD）和半导体层104（包括Poly）的接触孔的制程中，要用氢氟酸去除过接触孔内的氧化层，如去除第三绝缘层107中的接触孔内的氧化层，得到优异的SD-Poly，提升电性。在利用氢氟酸对显示区10的接触孔蚀刻时，同时也会对非显示区20的转接孔进行蚀刻，但是由于非显示区20的栅极层106与显示区10的半导体层104不在同一层，在非显示区20的转接孔蚀刻完成后，将继续对转接孔内的栅极层106进行蚀刻。其中，栅极层106为Mo金属，Mo金属阻抗较高，然而高分辨率、高频率中尺寸产品的高充电率对低阻金属需求强烈。若将Mo金属换成耐高温低阻材料的金属的话，那么由于耐高温低阻材料的金属不耐氢氟酸，其很容易被氢氟酸刻蚀掉，导致转接孔里面的耐高温低阻材料的金属损失量较大，转接孔的接触阻抗增加，影响了显示面板产品的性能品质。
本申请提出了下列技术方案以解决上述技术问题。
请参阅图2、图8、图14和图18，本申请提供了一种显示面板1000，其包括显示区10和非显示区20。
显示面板1000包括衬底101和位于衬底101上的阵列驱动层100。
衬底101可以是刚性基板，也可以是柔性基板。制成衬底101的材料包括玻璃、石英或者聚酰亚胺等。
阵列驱动层100包括依次层叠设置的半导体层104、第二绝缘层105、栅极层106、第三绝缘层107和源漏极层108。半导体层104是经过图案化形成的多晶硅层，设置于衬底101的一侧。第二绝缘层105设置于半导体层104之上，第二绝缘层105也可以称为栅极绝缘层（GI），第二绝缘层105可以采用氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiNxOy)等材料制成。栅极层106设置于第二绝缘层105之上，栅极层106经过图案化之后形成。栅极层106的材料为耐高温低阻且导电的金属材料，包括合金材料或者叠加的多层金属膜层，如铝合金、钨合金、铜合金、银合金或锌合金等合金材料，铝叠层、钨叠层、铜叠层、银叠层或锌叠层等多层金属膜层，铝、钨、铜、银或锌等金属材料。第三绝缘层107设置于栅极层106和第二绝缘层105之上，第三绝缘层107也可以称为层间绝缘层（ILD）。源漏极层108设置于第三绝缘层107之上，经过图案化之后形成。其中，源漏极层108通过接触孔与半导体层104电连接。
显示面板1000还包括信号线，信号线包括位于非显示区20的转接部120。其中，转接部120包括与栅极层106同层设置的第一段导线121、与源漏极层108同层设置的第二段导线122，以及与第一段导线121和第二段导线122电连接的桥接部123。其中，第一段导线121、第二段导线122和其桥接部123异层设置。第一段导线的材料为耐高温低阻且导电的金属材料，包括合金材料或者叠加的多层金属膜层，如铝合金、钨合金、铜合金、银合金或锌合金等合金材料，铝叠层、钨叠层、铜叠层、银叠层或锌叠层等多层金属膜层，铝、钨、铜、银或锌等金属材料。
本申请通过在非显示区20内设置与第一段导线121和第二段导线122异层设置且电连接的桥接部123，以避免在形成转接部120的转接孔时，对第一段导线121和第二段导线122过蚀刻，避免第一段导线121的阻抗、第一段导线121与第二段导线122之间的接触阻抗的增加，提高信号线的数据传输的准确性，提高显示面板的产品性能。
在一实施例中，显示面板1000还包括位于阵列驱动层100两侧的多层金属层，桥接部123与多层金属层中的至少一者同层设置，以实现与第一段导线121与第二段导线122的电连接。桥接部123与多层金属层中的至少一者同层设置，使得桥接部123可以与对应金属层在同一制程中形成。
在一实施例中，如图2所示，显示面板1000包括位于衬底101和阵列驱动层100之间的遮光层102（金属层），其中，第一段导线121和第二段导线122之间的第三绝缘层107（层间绝缘层）完全覆盖第一段导线121，位于非显示区20的桥接部123与遮光层102同层设置，桥接部123设置于转接孔的下方。桥接部123通过制作遮光层102的制程形成。或者也可以理解为，在制作遮光层102时，在非显示区20中，（在转接孔的下方）也形成对应的遮光层，将非显示区20所形成的遮光层作为桥接部123。该实施例中，将非显示区20所形成的遮光层作为桥接部123，使得桥接部123通过制作遮光层102的制程形成，实现第一段导线121和第二段导线122通过遮光层（桥接部123）连接。其中，遮光层102（桥接部123）材料例如可以为钼铝合金、铬金属、钼金属、钨、钨合金或是其它同时具有遮光功能与导电性质的材料。所述遮光层102的耐氢氟酸腐蚀的能力比栅极层106的耐氢氟酸腐蚀的能力强，如此，即使在相应制程中使用氢氟酸处理，遮光层102（桥接部123）被腐蚀的损失量也会降低。
其中，转接部120还包括第一过孔和第二过孔，第一过孔和第二过孔都为转接孔，第一段导线121通过第一过孔与桥接部123电连接，第二段导线122通过第二过孔与桥接部123电连接。
具体地，如图2所示，显示面板1000包括依次层叠设置的衬底101、遮光层102、第一绝缘层103、半导体层104、第二绝缘层105、栅极层106、第三绝缘层107、源漏极层108、第四绝缘层109、第二电极层110、第五绝缘层111和第一电极层112。
其中，遮光层102（桥接部123）设置于衬底101上，第一绝缘层103设置于衬底101和遮光层102（桥接部123）上，第一绝缘层103可以是缓冲层，也可以是其他的实现绝缘功能的膜层。半导体层104设置于第一绝缘层103之上。第二绝缘层105设置于半导体层104和第一绝缘层103之上。其中，半导体层104、第二绝缘层105、栅极层106、第三绝缘层107和源漏极层108的部分请参看上文中的描述，在此不再赘述。第四绝缘层109形成于第三绝缘层107和源漏极层108之上，第四绝缘层109也可以称为平坦层（PLN），第四绝缘层109的材料为有机材料。第二电极层（BITO）110形成于第四绝缘层109之上。第五绝缘层111形成于第二电极层110和第四绝缘层109之上，第五绝缘层111也可以称为钝化层（PV）或者绝缘保护层等。第一电极层（TITO）112形成于第五绝缘层111之上，且通过过孔与源漏极层108电连接。
在一些实施例中，显示面板1000中可只有第一个电极层，如第一电极层112。例如，第一电极层112设置于显示面板1000的第四绝缘层109之上，图中并未示出该实施例。
图7为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。该显示面板的制作方法用于制作如图2所示的显示面板。显示面板的制作方法包括如下步骤。
S101，提供一衬底，并在衬底上涂布遮光层材料，对遮光层材料进行曝光刻蚀，以在衬底上形成遮光层，将在非显示区中形成的遮光层作为桥接部。
在整个衬底101上涂布遮光层材料，并对遮光层材料进行曝光刻蚀。其中，曝光刻蚀的掩膜版与现有技术中的掩膜版存在不同，在非显示区有对应的图案。进行曝光刻蚀后，在衬底101上形成图案化的遮光层。如图3所示，在显示区的衬底上会形成对应的遮光层102，在非显示区的衬底上同样存在遮光层102。非显示区的遮光层102后续将作为桥接部123存在。
S102，在遮光层和衬底上沉积形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成半导体层，并在半导体层上和第一绝缘层上形成第二绝缘层。
半导体层采用的材料包括低温多晶硅，对低温多晶硅进行激光镭射退火，然后再经过图案化，形成半导体层104的Poly-Si图案，具体如图4所示。在半导体层104和第一绝缘层103之上形成第二绝缘层105。
S103，在非显示区的桥接部的上方，在第二绝缘层上形成抵至桥接部的至少两个过孔。
如图4所示，在非显示区20的桥接部123的上方，在第二绝缘层105上形成抵至遮光层的至少两个过孔，可分别是第一过孔131和第二过孔132。
S104，在第二绝缘层上形成栅极层，其中，栅极层的材料填充至少两个过孔中的第一过孔。
在第二绝缘层105上涂布第一金属材料，以形成第一金属层，并对第一金属层进行光罩、刻蚀显影。其中，第一金属材料为耐高温低阻且导电的金属材料，包括合金材料或者叠加的多层金属膜层，如铝合金、钨合金、铜合金、银合金或锌合金等合金材料，铝叠层、钨叠层、铜叠层、银叠层或锌叠层等多层金属膜层，铝、钨、铜、银或锌等金属材料。如图5所示，经光罩、刻蚀显影之后形成栅极层106。栅极层106填充了第一过孔131。由于第一段导线在形成栅极层106的制程中形成的，对应地，第一段导线121的材料与第一金属材料一致。
S105，在栅极层和第二绝缘层上形成第三绝缘层，在第三绝缘层、第二绝缘层中形成抵至显示区的半导体层的第三过孔，以及在第三绝缘层、第二绝缘层、第一绝缘层中形成抵至非显示区的桥接部的第二过孔，并在第三绝缘层上形成源漏极层。
如图6所示，在栅极层106和第二绝缘层105上形成第三绝缘层107，并在第三绝缘层107、第二绝缘层105中形成抵至显示区10的半导体层104的第三过孔，以及在第三绝缘层107、第二绝缘层105、第一绝缘层103中形成抵至非显示区20的桥接部123的第二过孔，并在第三绝缘层107上形成源漏极层108。形成源漏极层108时，在第三绝缘层107上涂布第二金属材料，以形成第二金属层，并对第二金属层进行光罩、蚀刻显影等，经光罩、蚀刻显影之后形成源漏极层108。其中，第二金属材料填充抵至显示区10的半导体层104的第三过孔，以及抵至非显示区20的桥接部123的第二过孔。
至此，如图6所示，在非显示区20中形成了转接部120。其中，转接部包括非显示区20中，在形成栅极层106的制程中形成的第一段导线121和在形成源漏极层108的制程中形成的第二段导线122。第一段导线121和第二段导线122通过非显示区20中的遮光层（桥接部123）相互电连接。第一段导线121和第二段导线122之间的第三绝缘层107（层间绝缘层）完全覆盖第一段导线121。
需要注意的是，利用桥接部123来电连接第一段导线121和第二段导线122，相当于通过两个转接孔进行换线，转接孔的增加对进一步增加换线的接触阻抗，但将栅极层106的材料换成第一金属材料，可以抵消转接孔的增加所带来的换线的接触阻抗的增加，又可以避免第一段导线121的过蚀刻问题。且设置至少两个过孔（转接孔），使得栅极层106的总体阻抗低，多个过孔对充电率也有改善。
S106，在源漏极层上依次形成第四绝缘层、第二电极层、第五绝缘层和第一电极层。
其中，在源漏极层108上依次形成第四绝缘层109、第二电极层110、第五绝缘层111和第一电极层112，形成后的显示面板如图2所示。具体的，形成第四绝缘层109、第二电极层110、第五绝缘层111和第一电极层112的方式请参看现有的实现方式，在此不再赘述。
该显示面板的制作方法形成如图2所示的显示面板，通过该显示面板的制作方法形成的显示面板，将非显示区20中的遮光层作为桥接部123，将第一段导线121和第二段导线122通过桥接部123连接，以避免在形成转接部120的转接孔时，对第一段导线121过蚀刻，避免了第一段导线121的阻抗、第一段导线121与第二段导线122之间的接触阻抗的增加，提高了信号线的数据传输的准确性，提高了显示面板的产品性能。
在一实施例中，如图8所述，显示面板1000包括位于阵列驱动层100上的第一电极层112。第一电极层112与阵列驱动层100上的源漏极层108电连接。桥接部123与第一电极层112同层设置。桥接部123通过制作第一电极层112的制程形成。或者也可以理解为，在制作第一电极层112时，在非显示区20中，在（转接孔的上方）形成对应的第一电极，将所形成的第一电极作为桥接部123。该实施例中，将在（转接孔的上方）形成的第一电极作为桥接部123，使得桥接部123通过制作第一电极层112的制程形成，实现第一段导线121和第二段导线122通过转接孔的上方形成的第一电极（桥接部123）电连接。具体地，第一段导线121通过第一过孔与桥接部123电连接，第二段导线122通过第二过孔与桥接部123电连接。
具体地，如图8所示，显示面板1000包括依次层叠设置的衬底101、遮光层102、第一绝缘层103、半导体层104、第二绝缘层105、栅极层106、第三绝缘层107、源漏极层108、第四绝缘层109、第二电极层110、第五绝缘层111和第一电极层112。
在一实施例中，显示面板1000中可只有第一个电极层，如第一电极层112。例如，第一电极层112设置于显示面板1000的第四绝缘层109之上，图中并未示出该实施例。
该实施例与图2所示实施例的区别在于：非显示区20中并未设置遮光层102；第一电极层112通过在第四绝缘层109和第五绝缘层111中形成的第二过孔与第二段导线122电连接，第一电极层112通过在第五绝缘层111、第四绝缘层109和第三绝缘层107中形成的第一过孔与第一段导线121电连接。在一实施例中，该实施例与图2所示实施例的区别还包括：在制作源漏极层108时，在第三绝缘层107上涂布形成的第二金属层的厚度大于图2实施例中涂布形成的第二金属层的厚度。其他的部分，请参看图2所示的实施例的描述，在此不再赘述。
图13为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。该显示面板的制作方法用于制作如图8所示的显示面板。显示面板的制作方法包括如下步骤。
S201，提供一衬底，并在衬底上依次形成遮光层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层。
按照现有实现方式在衬底101上依次形成遮光层102、第一绝缘层103、半导体层104和第二绝缘层105。
S202，在第二绝缘层上形成栅极层，并在栅极层上形成第三绝缘层，将在非显示区中，栅极层所对应的一段导线作为第一段导线。
在第二绝缘层105上涂布第一光阻以形成第一金属层，并对第一金属层进行光罩、蚀刻显影。其中，第一光阻的材料为第一金属材料，第一金属材料请参看上文中的描述，在此不再赘述。经光罩、蚀刻显影之后形成栅极层106，将在非显示区20中，栅极层106所对应的一段导线作为第一段导线121。形成栅极层106后，在栅极层106上形成第三绝缘层107，具体如图9所示。
S203，在第二绝缘层和第三绝缘层上形成源漏极层，将在非显示区中源漏极层所对应的一段导线作为第二段导线。
在第二绝缘层105和第三绝缘层107上形成第三过孔133，该第三过孔133用以形成源漏极。具体地，通过光罩在第三绝缘层107上形成过孔位（图中未示出），通过蚀刻对过孔位所对应的第二绝缘层105、第三绝缘层107进行蚀刻形成第三过孔133，如图9所示。形成第三过孔133后，通过在第三绝缘层107上涂布第二光阻以形成第二金属层，对第二金属层进行光罩蚀刻显影等工艺以在第三绝缘层107上形成源漏极层108，具体如图10所示。第二光阻的材料为第二金属材料，第二金属材料填充第三过孔133。
在非显示区20中，将源漏极层108所对应的一段导线作为第二段导线122。其中，第一段导线121和第二段导线122的垂直投影不重合。在一些实施例中，第一段导线121和第二段导线122的垂直投影也可以重合一部分。但无论哪种情况，如图12所示，第一段导线121所对应的第一过孔137和第二段导线122所对应的第二过孔138的垂直投影不能重合。
需要注意的是，为了避免在后续的工艺中可能造成对第二段导线122过蚀刻的问题，因此，在源漏极层的制程过程中，形成的第二金属层的厚度大于正常情况下（如图2实施例中）形成的第二金属层的厚度。
S204，在源漏极层上形成第四绝缘层，并在第四绝缘层上形成多个过孔。
其中，形成与第一段导线对应的位置处形成一过孔，与第二段导线对应的位置处形成一过孔，与源漏极层对应的位置处形成一过孔。
如图11所示，在源漏极层108上形成第四绝缘层109，并在第四绝缘层109上形成多个过孔，其中，包括与第一段导线121对应的位置处形成的过孔134、与第二段导线122对应的位置处形成的过孔135、与源漏极层对应的位置处形成的过孔136。
S205，在第四绝缘层上形成第二电极层，在第二电极层、第四绝缘层上形成第五绝缘层，并在第四绝缘层、第五绝缘层、第三绝缘层中，与第一段导线对应的位置处形成第一过孔，在第四绝缘层、第五绝缘层中，与第二段导线对应的位置处形成第二过孔、与源漏极层对应的位置处形成第三过孔。
如图12所示，在第四绝缘层109上形成第二电极层110，在第二电极层110、第四绝缘层109上形成第五绝缘层111。在第三绝缘层107、第四绝缘层109、第五绝缘层111中，与第一段导线121对应的位置处，形成与第一段导线121抵接的第一过孔137。在第四绝缘层109、第五绝缘层111中，与第二段导线122对应的位置处，形成与第二段导线122抵接的第二过孔138。在第四绝缘层109、第五绝缘层111中，与源漏极层对应的位置处，形成与源漏极层抵接的过孔139。
S206，在第五绝缘层上形成第一电极层，其中，在非显示区中的第一电极作为桥接部与第一段导线和第二段导线电连接。
如图8所示，在第五绝缘层111上形成第一电极层112。其中，在非显示区20第一电极层112中的第一电极作为桥接部123，该桥接部123通过第一过孔137与第一段导线121电连接，桥接部123通过第二过孔138与第二段导线122电连接。第一电极层112通过过孔139与源漏极层108中的源漏极层电连接。
如此，该显示面板的制作方法形成如图8所示的显示面板，通过该显示面板的制作方法形成的显示面板，将非显示区20中的第一电极作为桥接部123，将第一段导线121和第二段导线122通过桥接部123电连接，以避免在形成转接部120的转接孔（包括第一过孔和第二过孔）时，对第一段导线121过蚀刻，避免了第一段导线121的阻抗、第一段导线121与第二段导线122之间的接触阻抗的增加，提高了信号线的数据传输的准确性，提高了显示面板的产品性能。
在一实施例中，如图14所示，显示面板1000包括位于阵列驱动层100上的第一电极层112、以及位于阵列驱动层100和第一电极层112之间的第二电极层110，第一电极层112与阵列驱动层100的源漏极层108电连接，第一电极层112和第二电极层110之间相互绝缘。其中，桥接部123与第二电极层110同层设置。桥接部123通过制作第二电极层110的制程形成。或者也可以理解为，在制作第二电极层110时，在非显示区形成第二电极，将该第二电极作为桥接部123。该实施例中，将在（转接孔的上方）形成的第二电极作为桥接部123，使得桥接部123通过制作第二电极层110的制程形成，实现第一段导线121和第二段导线122通过转接孔的上方形成的第二电极（桥接部123）电连接。具体地，第一段导线121通过第一过孔与桥接部123电连接，第二段导线122通过第二过孔与桥接部123电连接。
具体地，如图14所示，显示面板1000包括依次层叠设置的衬底101、遮光层102、第一绝缘层103、半导体层104、第二绝缘层105、栅极层106、第三绝缘层107、源漏极层108、第四绝缘层109、第二电极层110、第五绝缘层111和第一电极层112。
该实施例与图8所示实施例的区别在于：第二电极层110通过在第四绝缘层109中形成的第二过孔与第二段导线122电连接，第二电极层110通过在第四绝缘层109和第三绝缘层107中形成的第一过孔与第一段导线121电连接。其他的部分，请参看图8所示的实施例的描述，在此不再赘述。
图17是本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。该显示面板的制作方法用于制作如图14所示的显示面板。显示面板的制作方法包括如下步骤。
S301，提供一衬底，并在衬底上依次形成遮光层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层。
S302，在第二绝缘层上形成栅极层，并在栅极层上形成第三绝缘层，将在非显示区中，栅极层所对应的一段导线作为第一段导线。
S303，在第二绝缘层和第三绝缘层上形成源漏极层，将在非显示区中源漏极层所对应的一段导线作为第二段导线。
衬底101和在衬底101上所形成的遮光层102、第一绝缘层103、半导体层104、第二绝缘层105、栅极层106、第三绝缘层107、源漏极层108和第一段导线121、第二段导线122，请参看图9和图10中所示，在此不再赘述。
S304，在源漏极层上形成第四绝缘层，并在第四绝缘层、第三绝缘层上形成第一过孔，在第四绝缘层上形成第二过孔和第四过孔。
如图15所示，在源漏极层108上形成第四绝缘层109。并在第四绝缘层109、第三绝缘层107中形成抵至第一段导线121的第一过孔140，在第四绝缘层109中形成抵至第二段导线122的第二过孔141，在第四绝缘层109中形成抵至源漏极层的第四过孔142。
S305，在第四绝缘层上形成第二电极层，其中，在非显示区形成的第二电极作为桥接部与第一段导线和第二段导线电连接。
如图16所示，在第四绝缘层109上形成第二电极层110。其中，在非显示区20第二电极层110中的第二电极作为桥接部123，该桥接部123通过第一过孔140与第一段导线121电连接，桥接部123通过第二过孔141与第二段导线122电连接。第一电极层112通过第四过孔142与源漏极层108中的源漏极层电连接。
S306，在第二电极层和第四绝缘层上依次形成第五绝缘层和第一电极层。
至此，该显示面板的做作方法形成如图14所示的显示面板，通过该显示面板的做作方法形成的显示面板，将非显示区20中的第二电极作为桥接部123，将第一段导线121和第二段导线122通过桥接部123电连接，以避免在形成转接部120的转接孔（包括第一过孔和第二过孔）时，对第一段导线121过蚀刻，避免了第一段导线121的阻抗、第一段导线121与第二段导线122之间的接触阻抗的增加，提高了信号线的数据传输的准确性，提高了显示面板的产品性能。
在一实施例中，如图18所示，显示面板1000包括位于阵列驱动层100上的第一电极层112、位于阵列驱动层100和第一电极层112之间的第二电极层110、以及位于阵列驱动层100和第二电极层110之间的触控走线层113，第一电极层112与源漏极层108电连接，第一电极层112与第二电极层110相互绝缘，触控走线层113和第二电极层110电连接。其中，桥接部123与触控走线层113同层设置。桥接部123通过制作触控走线层113的制程形成。或者也可以理解为，在制作触控走线层113时，在非显示区形成触控走线层，将该触控走线层作为桥接部123。该实施例中，将在（转接孔的上方）形成的触控走线层作为桥接部123，使得桥接部123通过制作触控走线层113的制程形成，实现第一段导线121和第二段导线122通过转接孔的上方形成的触控走线层（桥接部123）电连接。具体地，第一段导线121通过第一过孔与桥接部123电连接，第二段导线122通过第二过孔与桥接部123电连接。
具体地，如图18所示，显示面板1000包括依次层叠设置的衬底101、遮光层102、第一绝缘层103、半导体层104、第二绝缘层105、栅极层106、第三绝缘层107、源漏极层108、第四绝缘层109、触控走线层113、第六绝缘层114、第二电极层110、第五绝缘层111和第一电极层112。
该实施例与图14所示实施例的区别在于：增加了在第四绝缘层109上形成的触控走线层113，以及在第四绝缘层109、触控走线层113上形成的第六绝缘层114（层间绝缘层，IL）；将在非显示区20中的触控走线层113作为桥接部123，桥接部123通过在第四绝缘层109中形成的第二过孔与第二段导线122电连接，桥接部123通过在第四绝缘层109和第三绝缘层107中形成的第一过孔与第一段导线121电连接；该实施例中的触控走线层113与第二电极层110电连接；该实施例中的第二电极层110在非显示区20中并未设置对应的第二电极。其他的部分，请参看图8或者图14所示的实施例的描述，在此不再赘述。
图18所示的显示面板的制作方法中，在形成衬底101、遮光层102、第一绝缘层103、半导体层104、第二绝缘层105、栅极层106、第三绝缘层107、源漏极层108、第四绝缘层109的步骤中与图17中描述的相同。在形成第四绝缘层109之后，在第四绝缘层109、第三绝缘层107中形成抵至第一段导线121的第一过孔，在第四绝缘层109中形成抵至第二段导线122的第二过孔，在第四绝缘层109中形成抵至源漏极层108的一过孔。在形成对应过孔之后，在第四绝缘层109上形成触控走线层113。其中，在非显示区20中，所对应的触控走线层113作为桥接部123，桥接部123通过第一过孔与第一段导线121电连接，通过第二过孔与第二段导线122电连接，如此，第一段导线121、第二段导线122和桥接部123形成转接部120。在触控走线层113上形成第六绝缘层114。在第六绝缘层114上显示区10中，触控走线层113所对应的位置处形成过孔，在第六绝缘层114上形成第二电极层110，如此，第二电极层通过第六绝缘层114中形成的过孔与触控走线层113电连接。其他步骤请参看上文中对应的描述，在此不再赘述。
该实施例中将非显示区20中的触控走线层作为桥接部123，将第一段导线121和第二段导线122通过桥接部123电连接，以避免在形成转接部120的转接孔（包括第一过孔和第二过孔）时，对第一段导线121过蚀刻，避免了第一段导线121的阻抗、第一段导线121与第二段导线122之间的接触阻抗的增加，提高了信号线的数据传输的准确性，提高了显示面板的产品性能。
在上述实施例中，第一段导线121通过第一过孔内的连接金属与桥接部123电连接，第二段导线122通过第二过孔内的连接金属与桥接部123电连接，阵列驱动层100的源漏极层108通过第三过孔内的连接金属与半导体层104电连接，其中，第三过孔内的连接金属的接触阻抗大于第一过孔内的连接金属或第二过孔内的连接金属的接触阻抗。
另外，第三过孔用氢氟酸进行处理后，使得第三过孔的斜面的阻抗降低，因此第三过孔的斜面的阻抗小于第一过孔和第二过孔的斜面的阻抗，提高了开关薄膜晶体管的性能。
在一实施例中，上述所有实施例中的转接部120包括至少两个第一过孔和至少两个第二过孔，至少两个第一过孔并联连接，至少两个第二过孔并联连接。第一段导线121通过至少两个第一过孔与桥接部123电连接，所述第二段导线122通过至少两个过孔与桥接部123电连接。如此，并联连接的两个第一过孔，降低了两个第一过孔的接触阻抗，同理，并联连接的两个第二过孔，降低了两个第二过孔的接触阻抗，使得栅极层106的总体阻抗低，且改善了显示面板的充电率。
以上述其中的一个实施例为例进行说明，请参看图19。转接部120包括两个第一过孔和两个第二过孔，两个第一过孔并联连接，两个第二过孔并联连接。第一段导线121通过两个第一过孔与桥接部123电连接，第二段导线122通过两个过孔与桥接部123电连接。
本申请实施例还提供一种电子终端，包括显示面板及终端主体，显示面板安装于终端主体，并与显示面板组合为一体。其中，显示面板为上述任一实施例所述的显示面板1000，具体请参看上文中的描述，在此不再赘述。终端主体包括存储器和处理器。在一实施例中，终端主体还可以包括输入电路、射频单元、传感器、音频电路、扬声器、传输模块、蓝牙等中的一种或者多种。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板、电子终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (20)
- 一种显示面板，其中，所述显示面板包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区；其中，所述显示面板包括：衬底；阵列驱动层，位于所述衬底上，包括栅极层和源漏极层；信号线，包括位于所述非显示区的转接部，所述转接部包括与所述栅极层同层设置的第一段导线、与所述源漏极层同层设置的第二段导线以及与所述第一段导线和所述第二段导线电连接的桥接部；其中，所述第一段导线、所述第二段导线以及所述桥接部异层设置。
- 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括位于所述阵列驱动层两侧的多层金属层，所述桥接部与多层所述金属层中的至少一者同层设置。
- 根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述显示面板包括位于所述衬底和所述阵列驱动层之间的遮光层，所述桥接部与所述遮光层同层设置，所述第一段导线和所述第二段导线之间的层间绝缘层完全覆盖所述第一段导线，所述遮光层的耐氢氟酸腐蚀的能力比所述栅极层的耐氢氟酸腐蚀的能力强。
- 根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述显示面板包括位于所述阵列驱动层上的第一电极层，所述第一电极层与所述源漏极层电连接；其中，所述桥接部与所述第一电极层同层设置。
- 根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述显示面板包括位于所述阵列驱动层上的第一电极层、以及位于所述阵列驱动层和所述第一电极层之间的第二电极层，所述第一电极层与所述源漏极层电连接，所述第一电极层和第二电极层之间相互绝缘；其中，所述桥接部与所述第二电极层同层设置。
- 根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述显示面板包括位于所述阵列驱动层上的第一电极层、位于所述阵列驱动层和所述第一电极层之间的第二电极层、以及位于所述阵列驱动层和所述第二电极层之间的触控走线层，所述第一电极层与所述源漏极层电连接，所述第一电极层与所述第二电极层相互绝缘，所述触控走线层和第二电极层电连接；其中，所述桥接部与所述触控走线层同层设置。
- 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述转接部还包括第一过孔和第二过孔，所述第一段导线通过所述第一过孔内的连接金属与所述桥接部电连接，所述第二段导线通过所述第二过孔内的连接金属与所述桥接部电连接；所述阵列驱动层还包括半导体层，所述阵列驱动层的所述源漏极层通过第三过孔内的连接金属与所述半导体层电连接，所述第三过孔内的所述连接金属的接触阻抗大于所述第一过孔内的所述连接金属或所述第二过孔内的所述连接金属的接触阻抗。
- 根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述转接部包括至少两个第一过孔和至少两个第二过孔，所述至少两个第一过孔并联连接，所述至少两个第二过孔并联连接。
- 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一段导线的材料包括合金材料或者叠加的多层金属膜层。
- 根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述合金材料包括铝合金、钨合金、铜合金、银合金、锌合金，所述叠加的多层金属膜层包括铝叠层、钨叠层、铜叠层、银叠层、锌叠层。
- 一种电子终端，其中，包括显示面板及终端主体，所述显示面板安装于所述终端主体；所述显示面板包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区；其中，所述显示面板包括：衬底；阵列驱动层，位于所述衬底上，包括栅极层和源漏极层；信号线，包括位于所述非显示区的转接部，所述转接部包括与所述栅极层同层设置的第一段导线、与所述源漏极层同层设置的第二段导线以及与所述第一段导线和所述第二段导线电连接的桥接部；其中，所述第一段导线、所述第二段导线以及所述桥接部异层设置。
- 根据权利要求11所述的电子终端，其中，所述显示面板还包括位于所述阵列驱动层两侧的多层金属层，所述桥接部与多层所述金属层中的至少一者同层设置。
- 根据权利要求12所述的电子终端，其中，所述显示面板包括位于所述衬底和所述阵列驱动层之间的遮光层，所述桥接部与所述遮光层同层设置，所述第一段导线和所述第二段导线之间的层间绝缘层完全覆盖所述第一段导线，所述遮光层的耐氢氟酸腐蚀的能力比所述栅极层的耐氢氟酸腐蚀的能力强。
- 根据权利要求12所述的电子终端，其中，所述显示面板包括位于所述阵列驱动层上的第一电极层，所述第一电极层与所述源漏极层电连接；其中，所述桥接部与所述第一电极层同层设置。
- 根据权利要求12所述的电子终端，其中，所述显示面板包括位于所述阵列驱动层上的第一电极层、以及位于所述阵列驱动层和所述第一电极层之间的第二电极层，所述第一电极层与所述源漏极层电连接，所述第一电极层和第二电极层之间相互绝缘；其中，所述桥接部与所述第二电极层同层设置。
- 根据权利要求12所述的电子终端，其中，所述显示面板包括位于所述阵列驱动层上的第一电极层、位于所述阵列驱动层和所述第一电极层之间的第二电极层、以及位于所述阵列驱动层和所述第二电极层之间的触控走线层，所述第一电极层与所述源漏极层电连接，所述第一电极层与所述第二电极层相互绝缘，所述触控走线层和第二电极层电连接；其中，所述桥接部与所述触控走线层同层设置。
- 根据权利要求11所述的电子终端，其中，所述转接部还包括第一过孔和第二过孔，所述第一段导线通过所述第一过孔内的连接金属与所述桥接部电连接，所述第二段导线通过所述第二过孔内的连接金属与所述桥接部电连接；所述阵列驱动层还包括半导体层，所述阵列驱动层的所述源漏极层通过第三过孔内的连接金属与所述半导体层电连接，所述第三过孔内的所述连接金属的接触阻抗大于所述第一过孔内的所述连接金属或所述第二过孔内的所述连接金属的接触阻抗。
- 根据权利要求17所述的电子终端，其中，所述转接部包括至少两个第一过孔和至少两个第二过孔，所述至少两个第一过孔并联连接，所述至少两个第二过孔并联连接。
- 根据权利要求11所述的电子终端，其中，所述第一段导线的材料包括合金材料或者叠加的多层金属膜层。
- 根据权利要求19所述的电子终端，其中，所述合金材料包括铝合金、钨合金、铜合金、银合金、锌合金，所述叠加的多层金属膜层包括铝叠层、钨叠层、铜叠层、银叠层、锌叠层。
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| WWE | Wipo information: entry into national phase |
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| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
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| NENP | Non-entry into the national phase |
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