WO2022259630A1 - 銅粉 - Google Patents
銅粉 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2022259630A1 WO2022259630A1 PCT/JP2022/006770 JP2022006770W WO2022259630A1 WO 2022259630 A1 WO2022259630 A1 WO 2022259630A1 JP 2022006770 W JP2022006770 W JP 2022006770W WO 2022259630 A1 WO2022259630 A1 WO 2022259630A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- copper powder
- copper
- temperature
- aqueous solution
- bulk density
- Prior art date
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 102
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 48
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine hydrate Chemical compound O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 36
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 25
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 15
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 11
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 8
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 4
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- YVHUUEPYEDOELM-UHFFFAOYSA-N 2-ethylpropanedioic acid;piperidin-1-id-2-ylmethylazanide;platinum(2+) Chemical compound [Pt+2].[NH-]CC1CCCC[N-]1.CCC(C(O)=O)C(O)=O YVHUUEPYEDOELM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 229920000084 Gum arabic Polymers 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000978776 Senegalia senegal Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010489 acacia gum Nutrition 0.000 description 1
- 239000000205 acacia gum Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005374 membrane filtration Methods 0.000 description 1
- YQCIWBXEVYWRCW-UHFFFAOYSA-N methane;sulfane Chemical compound C.S YQCIWBXEVYWRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H sodium hexametaphosphate Chemical compound [Na]OP1(=O)OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])O1 GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 235000019982 sodium hexametaphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000001577 tetrasodium phosphonato phosphate Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/052—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles characterised by a mixture of particles of different sizes or by the particle size distribution
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0425—Copper-based alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
Definitions
- This specification discloses a technology related to copper powder.
- the sintering type conductive paste is required to sinter the copper powder by heating at a relatively low temperature. This is because if the heating temperature is high, the heat may affect the base material and the semiconductor element. In addition, there is a concern that a large thermal stress is generated in the base material or the semiconductor element during cooling after being heated at a high temperature, and this may change the electrical characteristics of the circuit or the semiconductor element.
- Patent Document 1 discloses a method of "providing a conductive coating material capable of obtaining sufficient bonding strength even when bonding large-area members at a relatively low temperature.”
- a conductive coating material for bonding an element to a substrate comprising a metal powder, a non-heat-curable resin, and a dispersion medium, and having a shear rate of 0.01 to 100 [/s] at 25°C. is monotonically increasing with shear rate, and the bulk density of the metal powder is less than 3 [g/cm 3 ].
- Patent Document 2 contains a plurality of copper particles, and the particle diameter D50 when the cumulative frequency in the volume-based particle diameter histogram of the plurality of copper particles is 50% is 100 nm or more and 500 nm or less, and the D50 A copper powder in which the ratio D/D50 of the average crystallite diameter D of the plurality of copper particles is 0.10 or more and 0.50 or less.
- This specification discloses a copper powder with excellent low-temperature sinterability.
- the copper powder disclosed in this specification contains copper particles, has a compact bulk density of 1.30 g/cm 3 to 2.96 g/cm 3 , and has a volume-based particle size histogram of the copper particles. From the 50% particle diameter D50 when the frequency is 50% and the diffraction peak of the Cu (111) plane in the X-ray diffraction profile obtained by the powder X-ray diffraction method for the copper powder, it is obtained using Scherrer's formula. The crystallite diameter D satisfies D/D50 ⁇ 0.060.
- the copper powder described above has excellent low-temperature sinterability.
- the copper powder of one embodiment contains copper particles, has a compact bulk density of 1.30 g/cm 3 to 2.96 g/cm 3 , and has a cumulative frequency of 50% in the volume-based particle size histogram of the copper particles.
- Crystallite diameter D determined using the Scherrer formula from the diffraction peak of the Cu (111) plane in the X-ray diffraction profile obtained by the powder X-ray diffraction method for the copper powder and the 50% particle diameter D50 when it becomes satisfies D/D50 ⁇ 0.060.
- thermomechanical analysis As shown in the section of Examples, if the copper powder has a compacted bulk density of 1.30 g/cm 3 to 2.96 g/cm 3 and D/D50 ⁇ 0.060, thermomechanical analysis ( A new finding was obtained that the temperature is effectively lowered when the linear shrinkage rate by TMA becomes 5%.
- the temperature at 5% linear shrinkage in thermomechanical analysis means the temperature at which sintering of the copper powder progresses and the electrical resistance decreases to some extent. Therefore, a copper powder having a low 5% linear shrinkage temperature in thermomechanical analysis can be sufficiently sintered at such a low temperature and can be regarded as having excellent low-temperature sinterability.
- the hard bulk density is within the range of 1.30 g/cm 3 to 2.96 g/cm 3 , if the D/D50 is less than 0.060, or if the D/D50 is 0.060 or more, the hard bulk If the density is out of the range of 1.30 g/cm 3 to 2.96 g/cm 3 , the temperature of 5% linear shrinkage in thermomechanical analysis will increase to some extent, and the desired low temperature sinterability will be achieved. can't
- the copper powder of this embodiment has a compacted bulk density of 1.30 g/cm 3 to 2.96 g/cm 3 and D/D50 ⁇ 0.060, so it is believed to have excellent low-temperature sinterability. I can say.
- the copper powder has a compacted bulk density of 1.30 g/cm 3 to 2.96 g/cm 3 . If the ratio of the 50% particle diameter D50 to the crystallite diameter D (D/D50) is 0.060 or more and the bulk density is within this range, the linear shrinkage rate by thermomechanical analysis will be 5%. The temperature becomes sufficiently low as 290° C. or less.
- the firm bulk density is set to 1.30 g/cm 3 to 2.96 g/cm 3 , preferably 1.80 g/cm 3 to 2.80 g/cm 3 .
- a guide is attached to a 10 cc cup, copper powder is put in, and tapped 1000 times. After that, the guide is removed, the portion exceeding the 10 cc volume of the cup is scraped off, and the weight of the copper powder contained in the cup is measured. Using this weight, the firm bulk density can be determined.
- the ratio (D/D50) of the crystallite diameter D to the 50% particle diameter D50 of the copper powder is set to 0.060 or more.
- the sintering temperature is sufficiently low if D/D50 is 0.060 or more.
- D/D50 is preferably 0.065 or more.
- D/D50 may be between 0.065 and 0.095.
- the 50% particle size D50 is obtained by measuring the particle size of the copper particles in the copper powder using a laser diffraction/scattering particle size distribution analyzer. Means the particle diameter at which the volume-based frequency accumulation of 50%, and is measured based on JIS Z8825 (2013). More specifically, in the measurement of the 50% particle size D50, MASTERSIZER 3000 manufactured by Malvern can be used, dispersion medium: sodium hexametaphosphate aqueous solution, optical parameters: particle absorption rate 5.90, particle absorption rate (blue) 0 .92, particle refractive index 3.00, particle refractive index (blue) 0.52, scattering intensity: 6-8%.
- the crystallite diameter D means the average diameter of a crystallite that can be regarded as a single crystal. is obtained using In determining the crystallite size, RINT-2200 Ultima manufactured by Rigaku Co., Ltd. can be used under the conditions of CuK ⁇ rays, acceleration voltage of 45 KV, and 200 mA, and analysis software PDXL2 can be used.
- the BET specific surface area of the copper powder is preferably 0.5 m 2 /g to 10.0 m 2 /g. If the BET specific surface area exceeds 10.0 m 2 /g, it is difficult to ensure oxidation resistance, and there is concern that problems may arise in paste properties due to moisture absorption, aggregation, and the like. On the other hand, when the BET specific surface area is less than 0.5 m 2 /g, the particle size of the copper powder is large, and there is concern that the circuit printed with the paste and the bonding surface may not have sufficient smoothness. From this point of view, the BET specific surface area of the copper powder is preferably 0.5 m 2 /g to 10.0 m 2 /g, more preferably 2.0 m 2 /g to 7.0 m 2 /g. More preferred.
- the copper powder is degassed in a vacuum at a temperature of 70° C. for 5 hours, and then measured according to JIS Z8830: 2013, for example, BELSORP-mini manufactured by Microtrack Bell. II.
- the copper powder preferably has a carbon content of 0.50% by mass or less, more preferably 0.30% by mass or less, particularly 0.15% by mass or less. This is because if the carbon content is high, solid carbon remaining during firing may interfere with sintering.
- the carbon content is measured by high-frequency induction heating furnace combustion-infrared absorption method. Specifically, using a carbon sulfur analyzer such as LECO's CS844 model, LECO's LECOCEL II and Fe chips, etc. are used as combustion improvers, and a steel pin is used for the calibration curve to measure the carbon content of the copper powder. can do.
- a carbon sulfur analyzer such as LECO's CS844 model, LECO's LECOCEL II and Fe chips, etc. are used as combustion improvers, and a steel pin is used for the calibration curve to measure the carbon content of the copper powder. can do.
- the hydrogen reduction weight loss of the copper powder can be measured as the weight loss when the copper powder is heated at 800° C. for 10 minutes or longer in an atmosphere containing 2% to 100% by volume of hydrogen. If the hydrogen reduction weight loss is large, it is considered that the oxidation of the copper particles in the copper powder has progressed, and there is concern that sintering will become difficult to proceed. For this reason, the hydrogen reduction weight loss of the copper powder is preferably 1.5% or less, particularly 1.0% or less.
- the above copper powder can sinter the copper particles contained therein at a relatively low temperature.
- Such low-temperature sinterability can be confirmed as follows. About 0.3 g of copper powder is filled in a cylindrical mold with a diameter of 5 mm and then uniaxially pressed to obtain a cylindrical shape with a height of about 3 mm and a density of 4.7 ⁇ 0.1 g / cc. A green compact pellet is produced. After that, using a thermomechanical analyzer (TMA), the compact pellets were heated at 25°C to 10°C in an atmosphere containing 2% by volume of hydrogen (H 2 ) and the balance being nitrogen (N 2 ). /min.
- TMA thermomechanical analyzer
- the copper particles forming the compact pellet are sintered, and the volume of the compact decreases, approaching the density of metallic copper (approximately 8.9 g/cm 3 ).
- the linear shrinkage rate the rate of change in the columnar height in the shrinking direction of such compact pellets.
- the temperature at which the linear shrinkage rate becomes 5% is 350° C. or lower.
- the copper powder as described above can be produced by using, for example, a chemical reduction method or a disproportionation method.
- the details of the chemical reduction method are as follows, although the production of copper powder is not limited thereto.
- a step of washing the copper particles, a step of performing solid-liquid separation, a step of drying, and a step of pulverizing as necessary are performed in this order.
- an aqueous solution of copper sulfate after raising the temperature of an aqueous solution of copper sulfate to an appropriate reaction temperature, the pH is adjusted with an aqueous solution of sodium hydroxide or an aqueous solution of ammonia, and then an aqueous solution of hydrazine is added at once for reaction to produce copper sulfate. It is reduced to cuprous oxide particles having a particle size of about 100 nm.
- an aqueous solution containing sodium hydroxide and hydrazine is added dropwise, and then an aqueous hydrazine solution is added dropwise to reduce the cuprous oxide particles to copper particles.
- the resulting slurry is filtered, washed with pure water and methanol, and dried. Copper powder is thus obtained.
- the reducing agent such as hydrazine added to the copper sulfate aqueous solution is for reducing bivalent copper to monovalent copper (cuprous oxide).
- the reducing agent can be added in portions.
- the first reducing agent is mainly used for the generation of metallic copper nuclei, and the second reducing agent is used for the growth of the metallic copper nuclei. .
- the compacted bulk density of the copper powder and the ratio of the 50% particle size to the crystallite size tend to be controlled favorably.
- an aqueous solution of copper sulfate or nitrate can be used as the aqueous copper salt solution.
- the alkaline aqueous solution may specifically be an aqueous solution of NaOH, KOH, NH 4 OH, or the like.
- the reducing agent for the aqueous reducing agent solution include hydrazine and organic substances such as sodium borohydride and glucose.
- an organic substance such as a complexing agent or a dispersing agent may be added during the process of producing the copper powder.
- a complexing agent or a dispersing agent may be added during the process of producing the copper powder.
- gelatin, ammonia, gum arabic, etc. can be added once or more between the step of preparing a raw material solution and the step of obtaining a slurry containing copper particles.
- the copper powder thus produced is, for example, mixed with a resin material and a dispersion medium to form a paste, and is particularly suitable for use as a conductive paste that can be used for bonding a semiconductor element and a substrate or forming wiring. Are suitable.
- Invention Example 8 The procedure was the same as in Invention Example 1 until the slurry containing cuprous oxide was synthesized. Next, after dropping 4.5 L of a mixed aqueous solution of 101 g of hydrazine monohydrate and 409 g of sodium hydroxide, the pH is adjusted, and 1.3 L of an aqueous solution of 43 g of hydrazine monohydrate is dropped to form cuprous oxide. It was reduced to metallic copper, washed with water, dried and pulverized in the same manner.
- Comparative example 2 The procedure was the same as in Comparative Example 1 until the slurry containing cuprous oxide was synthesized. Next, after dropping 4.5 L of a mixed aqueous solution of 14.4 g of hydrazine monohydrate and 409 g of sodium hydroxide, the pH was adjusted, and 1.3 L of an aqueous solution of 129.6 g of hydrazine monohydrate was added dropwise. Cuprous oxide was reduced to metallic copper, and washed with water, dried and pulverized in the same manner.
- invention examples 1 to 13 having a compacted bulk density of 1.30 g/cm 3 to 2.96 g/cm 3 and D/D50 ⁇ 0.060 satisfy any of these conditions. It can be seen that the TMA 5% shrinkage temperature is 290° C. or less, which is sufficiently low as compared with Comparative Examples 1 to 4, which do not have the TMA.
- the sintering temperature becomes the lowest when the hard bulk density is around 2.00 g/cm 3 .
- the hardened bulk density is in the range of 1.30 g/cm 3 to 2.96 g/cm 3
- the sintering temperature gradually increases as the hardened bulk density increases or decreases from around 2.00 g/cm 3 . It tends to be secondary functional.
- the compacted bulk density is out of the above range, the sintering temperature increases remarkably.
- Comparative Example 2 in which D/D50 is less than 0.060, has a sintering temperature of getting higher.
- the copper powder described above has excellent low-temperature sinterability.
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
銅粒子を含む銅粉であって、固めかさ密度が１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3であり、銅粒子の体積基準の粒子径ヒストグラムで累積頻度が５０％になるときの５０％粒子径Ｄ５０と、当該銅粉に対する粉末Ｘ線回折法で得られるＸ線回折プロファイル中のＣｕ（１１１）面の回折ピークから、シェラーの式を用いて求めた結晶子径Ｄとが、Ｄ／Ｄ５０≧０．０６０を満たす。
Description
この明細書は、銅粉に関する技術を開示するものである。
銅粉を含み、印刷による基材上での回路形成や半導体素子と基材との接合等に用いられる導電性ペーストには、使用に際し、当該銅粉を構成する銅粒子どうしを加熱により焼結させる焼結型のものがある。
焼結型の導電性ペーストは、比較的低温の加熱で銅粉が焼結することが求められる。これはすなわち、加熱時の温度が高い場合、その熱が基材や半導体素子に影響を及ぼすおそれがあるからである。また、高温で加熱した後の冷却時に基材ないし半導体素子に大きな熱応力が生じ、このことが回路や半導体素子の電気的特性を変化させる懸念もある。
これに関し、特許文献１は、「大面積の部材を比較的低温で接合する場合であっても、充分な接合強度を得ることができる導電性塗布材料を提供する」ことを目的として、「半導体素子を基材に接合するための導電性塗布材料であって、金属粉と、非加熱硬化型樹脂と、分散媒とを含み、２５℃において、せん断速度が０．０１～１００［／ｓ］の範囲におけるせん断応力が、せん断速度に対して単調増加であり、金属粉のかさ密度が、３［ｇ／ｃｍ3］未満である、導電性塗布材料」を開示している。
特許文献２には、「複数の銅粒子を含み、前記複数の銅粒子の体積基準の粒子径ヒストグラムにおける累積頻度が５０％になるときの粒子径Ｄ５０が１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、前記Ｄ５０に対する前記複数の銅粒子の平均結晶子径Ｄの比Ｄ／Ｄ５０が０．１０以上０．５０以下である、銅粉体」が記載されている。
銅粉の低温焼結については様々な研究開発が進められているものの、より一層低温で焼結することが求められる場合がある。
この明細書では、優れた低温焼結性を有する銅粉を開示する。
この明細書で開示する銅粉は、銅粒子を含むものであって、固めかさ密度が１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3であり、銅粒子の体積基準の粒子径ヒストグラムで累積頻度が５０％になるときの５０％粒子径Ｄ５０と、当該銅粉に対する粉末Ｘ線回折法で得られるＸ線回折プロファイル中のＣｕ（１１１）面の回折ピークから、シェラーの式を用いて求めた結晶子径Ｄとが、Ｄ／Ｄ５０≧０．０６０を満たすものである。
上述した銅粉は、優れた低温焼結性を有するものである。
以下に、上述した銅粉の実施の形態について詳細に説明する。
一の実施形態の銅粉は、銅粒子を含み、固めかさ密度が１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3であり、銅粒子の体積基準の粒子径ヒストグラムで累積頻度が５０％になるときの５０％粒子径Ｄ５０と、当該銅粉に対する粉末Ｘ線回折法で得られるＸ線回折プロファイル中のＣｕ（１１１）面の回折ピークから、シェラーの式を用いて求めた結晶子径Ｄとが、Ｄ／Ｄ５０≧０．０６０を満たすものである。
一の実施形態の銅粉は、銅粒子を含み、固めかさ密度が１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3であり、銅粒子の体積基準の粒子径ヒストグラムで累積頻度が５０％になるときの５０％粒子径Ｄ５０と、当該銅粉に対する粉末Ｘ線回折法で得られるＸ線回折プロファイル中のＣｕ（１１１）面の回折ピークから、シェラーの式を用いて求めた結晶子径Ｄとが、Ｄ／Ｄ５０≧０．０６０を満たすものである。
実施例の項目にて示すように、銅粉は、固めかさ密度が１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3であり、かつＤ／Ｄ５０≧０．０６０であれば、熱機械分析（ＴＭＡ）による線収縮率が５％になるときの温度が有効に低くなるとの新たな知見が得られた。熱機械分析における５％の線収縮率のときの温度は、銅粉の焼結が進んで電気抵抗がある程度下がるときの温度を意味する。したがって、熱機械分析の５％線収縮率の温度が低い銅粉は、そのような低い温度で十分に焼結し、低温焼結性に優れるものであるとみなすことができる。
固めかさ密度が１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3の範囲内であっても、Ｄ／Ｄ５０が０．０６０未満である場合や、Ｄ／Ｄ５０が０．０６０以上でも、固めかさ密度が１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3の範囲から外れる場合は、熱機械分析での５％線収縮率の温度がある程度高くなり、所期した低温焼結性を実現することができない。この実施形態の銅粉は、固めかさ密度が１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3で、Ｄ／Ｄ５０≧０．０６０であるので、優れた低温焼結性を有するものであるといえる。
（固めかさ密度）
銅粉の固めかさ密度は、１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3である。５０％粒子径Ｄ５０と結晶子径Ｄとの比（Ｄ／Ｄ５０）が０．０６０以上で、固めかさ密度がこの範囲内であれば、熱機械分析による線収縮率が５％になるときの温度が、２９０℃以下と十分に低くなる。
銅粉の固めかさ密度は、１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3である。５０％粒子径Ｄ５０と結晶子径Ｄとの比（Ｄ／Ｄ５０）が０．０６０以上で、固めかさ密度がこの範囲内であれば、熱機械分析による線収縮率が５％になるときの温度が、２９０℃以下と十分に低くなる。
なお、銅粉の固めかさ密度については、先述した特許文献１にも記載されているように、固めかさ密度が低いほうが低温焼結性に優れると考えられていた。これに対し、実施例の項目で示す結果から解かるように、Ｄ／Ｄ５０≧０．０６０である場合、固めかさ密度は低くなるに従って２．００ｇ／ｃｍ3程度になるまでは焼結温度が低下するも、それよりも低くなると焼結温度が上昇し、特に１．３０ｇ／ｃｍ3を下回ると焼結温度が急増し得る。また、固めかさ密度が２．９６ｇ／ｃｍ3よりも高い場合も、焼結温度が大きく上昇する。
このような知見から、固めかさ密度は、１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3とし、好ましくは１．８０ｇ／ｃｍ3～２．８０ｇ／ｃｍ3とする。
固めかさ密度を測定するには、たとえばホソカワミクロン株式会社製のパウダテスタＰＴ－Ｘを用いて、１０ｃｃのカップにガイドを取り付けて銅粉を入れ、１０００回タップする。その後、ガイドを外して、カップの１０ｃｃの容積を上回っている部分を摺り切り、カップに入っている銅粉の重量を測定する。この重量を用いることで、固めかさ密度を求めることができる。
（５０％粒子径と結晶子径の比）
銅粉の５０％粒子径Ｄ５０に対する結晶子径Ｄの比（Ｄ／Ｄ５０）は、０．０６０以上とする。固めかさ密度が上述した所定の範囲内である場合は、Ｄ／Ｄ５０が０．０６０以上であれば、焼結温度が十分に低くなる。
銅粉の５０％粒子径Ｄ５０に対する結晶子径Ｄの比（Ｄ／Ｄ５０）は、０．０６０以上とする。固めかさ密度が上述した所定の範囲内である場合は、Ｄ／Ｄ５０が０．０６０以上であれば、焼結温度が十分に低くなる。
固めかさ密度が所定の範囲であってもＤ／Ｄ５０が０．０６０未満である銅粉は、熱機械分析での線収縮率が５％になるときの温度が２９０℃以下という低温焼結性を達成することができない。この観点から、Ｄ／Ｄ５０は０．０６５以上であることが好適である。Ｄ／Ｄ５０は、０．０６５～０．０９５である場合がある。
５０％粒子径Ｄ５０は、レーザ回折／散乱式粒径分布測定装置を用いて銅粉中の銅粒子の粒子径を測定し、それにより得られる粒子径ヒストグラム（粒子径分布グラフ）で、銅粒子の体積基準の頻度の累積が５０％になる粒子径を意味し、ＪＩＳ Ｚ８８２５（２０１３）に基づいて測定する。より詳細には、５０％粒子径Ｄ５０の測定では、Ｍａｌｖｅｒｎ製のＭＡＳＴＥＲＳＩＺＥＲ３０００を用いることができ、分散媒：ヘキサメタりん酸ナトリウム水溶液、光学パラメーター：粒子吸収率５．９０、粒子吸収率（青）０．９２、粒子屈折率３．００、粒子屈折率（青）０．５２、散乱強度：６－８％の条件とすることができる。
結晶子径Ｄは、単結晶とみなせる結晶子の平均直径を意味し、銅粉に対する粉末Ｘ線回折法で得られるＸ線回折プロファイル中のＣｕ（１１１）面の回折ピークから、シェラーの式を用いて求められる。結晶子径を求めるに当っては、株式会社リガク製のＲＩＮＴ－２２００Ｕｌｔｉｍａを用いてＣｕＫα線、加速電圧４５ＫＶ、２００ｍＡの条件とし、解析ソフトＰＤＸＬ２を使用することができる。
（ＢＥＴ比表面積）
銅粉のＢＥＴ比表面積は、０．５ｍ2／ｇ～１０．０ｍ2／ｇであることが好ましい。ＢＥＴ比表面積が１０．０ｍ2／ｇを超える場合は、耐酸化性を担保することが難しく、また吸湿や凝集などにより、ペースト特性に問題が生じることが懸念される。一方、ＢＥＴ比表面積が０．５ｍ2／ｇ未満である場合は、銅粉の粒径が大きく、ペーストを印刷した回路や接合面の平滑性が充分ではないことが懸念される。この観点から、銅粉のＢＥＴ比表面積は、０．５ｍ2／ｇ～１０．０ｍ2／ｇであることが好ましく、さらに２．０ｍ2／ｇ～７．０ｍ2／ｇであることがより一層好ましい。
銅粉のＢＥＴ比表面積は、０．５ｍ2／ｇ～１０．０ｍ2／ｇであることが好ましい。ＢＥＴ比表面積が１０．０ｍ2／ｇを超える場合は、耐酸化性を担保することが難しく、また吸湿や凝集などにより、ペースト特性に問題が生じることが懸念される。一方、ＢＥＴ比表面積が０．５ｍ2／ｇ未満である場合は、銅粉の粒径が大きく、ペーストを印刷した回路や接合面の平滑性が充分ではないことが懸念される。この観点から、銅粉のＢＥＴ比表面積は、０．５ｍ2／ｇ～１０．０ｍ2／ｇであることが好ましく、さらに２．０ｍ2／ｇ～７．０ｍ2／ｇであることがより一層好ましい。
銅粉のＢＥＴ比表面積を測定するには、銅粉を真空中にて７０℃の温度で５時間にわたって脱気した後、ＪＩＳ Ｚ８８３０：２０１３に準拠し、たとえばマイクロトラック・ベル社のＢＥＬＳＯＲＰ－ｍｉｎｉ ＩＩを用いて行うことができる。
（炭素含有量）
銅粉は、炭素含有量が０．５０質量％以下であること、さらに０．３０質量％以下、特に０．１５質量％以下であることが好適である。炭素分が多いと、焼成時に残留する固形炭素が焼結を妨げるおそれがあるからである。
銅粉は、炭素含有量が０．５０質量％以下であること、さらに０．３０質量％以下、特に０．１５質量％以下であることが好適である。炭素分が多いと、焼成時に残留する固形炭素が焼結を妨げるおそれがあるからである。
炭素含有量は、高周波誘導加熱炉燃焼－赤外線吸収法により測定する。具体的には、ＬＥＣＯ製ＣＳ８４４型等の炭素硫黄分析装置を用いて、助燃剤をＬＥＣＯ製ＬＥＣＯＣＥＬ ＩＩ及びＦｅチップ等とし、検量線にスチールピンを使用して、銅粉の炭素含有量を測定することができる。
（水素還元減量）
銅粉の水素還元減量は、水素を２体積％～１００体積％含有する雰囲気の下、銅粉を８００℃で１０分以上加熱したときの重量の減少分として測定することができる。水素還元減量が多い場合は、銅粉中の銅粒子の酸化が進んでいると考えられ、それにより焼結が進みにくくなることが懸念される。このことから、銅粉の水素還元減量は、１．５％以下、特に１．０％以下であることが好ましい。
銅粉の水素還元減量は、水素を２体積％～１００体積％含有する雰囲気の下、銅粉を８００℃で１０分以上加熱したときの重量の減少分として測定することができる。水素還元減量が多い場合は、銅粉中の銅粒子の酸化が進んでいると考えられ、それにより焼結が進みにくくなることが懸念される。このことから、銅粉の水素還元減量は、１．５％以下、特に１．０％以下であることが好ましい。
（低温焼結性）
また、上記の銅粉は、それに含まれる銅粒子どうしが比較的低い温度で焼結することが可能なものである。かかる低温焼結性は、次のようにして確認することができる。約０．３ｇの銅粉を直径５ｍｍの円柱状の型に充填してから一軸加圧を行い、高さが約３ｍｍの円柱状であって密度が４．７±０．１ｇ／ｃｃである圧粉体ペレットを作製する。その後、熱機械分析装置（ＴＭＡ）を用いて、水素（Ｈ2）を２体積％で含むとともに残部が窒素（Ｎ2）である雰囲気の下、上記の圧粉体ペレットを２５℃から１０℃／ｍｉｎの速度で昇温する。このとき、温度の上昇に伴い、圧粉体ペレットを構成する銅粒子が焼結し、圧粉体の体積は減少して、金属銅の密度（約８．９ｇ／ｃｍ3）に近づく。そのような圧粉体ペレットの収縮方向の円柱高さの変化率を線収縮率と称すると、この線収縮率が５％になるときの温度が低い方が、優れた低温焼結性を有する銅粉であると評価することができる。特に、上記の線収縮率が５％になるときの温度が３５０℃以下であることが好ましい。
また、上記の銅粉は、それに含まれる銅粒子どうしが比較的低い温度で焼結することが可能なものである。かかる低温焼結性は、次のようにして確認することができる。約０．３ｇの銅粉を直径５ｍｍの円柱状の型に充填してから一軸加圧を行い、高さが約３ｍｍの円柱状であって密度が４．７±０．１ｇ／ｃｃである圧粉体ペレットを作製する。その後、熱機械分析装置（ＴＭＡ）を用いて、水素（Ｈ2）を２体積％で含むとともに残部が窒素（Ｎ2）である雰囲気の下、上記の圧粉体ペレットを２５℃から１０℃／ｍｉｎの速度で昇温する。このとき、温度の上昇に伴い、圧粉体ペレットを構成する銅粒子が焼結し、圧粉体の体積は減少して、金属銅の密度（約８．９ｇ／ｃｍ3）に近づく。そのような圧粉体ペレットの収縮方向の円柱高さの変化率を線収縮率と称すると、この線収縮率が５％になるときの温度が低い方が、優れた低温焼結性を有する銅粉であると評価することができる。特に、上記の線収縮率が５％になるときの温度が３５０℃以下であることが好ましい。
（製造方法）
以上に述べたような銅粉は、たとえば、化学還元法または不均化法を用いること等により製造することができる。銅粉の製造はそれらに限らないが、化学還元法の詳細については次のとおりである。
以上に述べたような銅粉は、たとえば、化学還元法または不均化法を用いること等により製造することができる。銅粉の製造はそれらに限らないが、化学還元法の詳細については次のとおりである。
化学還元法による場合は、たとえば、原料溶液として、銅塩水溶液、アルカリ水溶液及び還元剤水溶液等を用意する工程と、それらの原料溶液を混合、反応させ、銅粒子を含むスラリーを得る工程と、銅粒子を洗浄する工程と、固液分離を行う工程と、乾燥する工程と、必要に応じて粉砕する工程とをこの順序で行う。
より具体的な一例では、硫酸銅水溶液を、適切な反応温度に昇温した後、水酸化ナトリウム水溶液やアンモニア水溶液でｐＨを調整した後、ヒドラジン水溶液を一気に添加して反応を行い、硫酸銅を粒径１００ｎｍ程度の亜酸化銅粒子へ還元する。亜酸化銅粒子を含むスラリーを反応温度に昇温した後、水酸化ナトリウムとヒドラジンとを含む水溶液を滴下し、さらにその後にヒドラジン水溶液を滴下することで亜酸化銅粒子を銅粒子へ還元させる。反応終了後、得られたスラリーを濾過し、次いで純水及びメタノールで洗浄し、更に乾燥させる。これにより、銅粉が得られる。
より具体的な一例では、硫酸銅水溶液を、適切な反応温度に昇温した後、水酸化ナトリウム水溶液やアンモニア水溶液でｐＨを調整した後、ヒドラジン水溶液を一気に添加して反応を行い、硫酸銅を粒径１００ｎｍ程度の亜酸化銅粒子へ還元する。亜酸化銅粒子を含むスラリーを反応温度に昇温した後、水酸化ナトリウムとヒドラジンとを含む水溶液を滴下し、さらにその後にヒドラジン水溶液を滴下することで亜酸化銅粒子を銅粒子へ還元させる。反応終了後、得られたスラリーを濾過し、次いで純水及びメタノールで洗浄し、更に乾燥させる。これにより、銅粉が得られる。
硫酸銅水溶液に添加するヒドラジン等の還元剤は、２価の銅を１価の銅（亜酸化銅）に還元するためのものである。このとき、還元剤を一気に添加すると、それにより生成される亜酸化銅粒子が上記のように微細になりやすい。比較的微細な亜酸化銅粒子が生成した後は、還元剤を分けて添加することができる。亜酸化銅粒子の生成後、主として、１回目に添加する還元剤は、金属銅の核の生成に利用され、また２回目に添加する還元剤は、その金属銅の核の成長に利用され得る。その結果として、銅粉の固めかさ密度及び５０％粒子径と結晶子径の比が好適に制御される傾向がある。
なお、上記の製造では、銅塩水溶液として、硫酸銅もしくは硝酸塩の水溶液を用いることができる。アルカリ水溶液は具体的には、ＮａＯＨ、ＫＯＨもしくはＮＨ4ＯＨ等の水溶液とすることがある。還元剤水溶液の還元剤としては、ヒドラジンの他に水素化ホウ素ナトリウムやグルコースなどの有機物を挙げることができる。
必要に応じて、銅粉を製造する過程の途中で、錯化剤や分散剤等の有機物を添加してもよい。たとえば、原料溶液を用意する工程から、銅粒子を含むスラリーを得る工程までの間に、ゼラチンやアンモニア、アラビアゴム等を一回以上添加することができる。
（用途）
このようにして製造された銅粉は、たとえば、樹脂材料及び分散媒等と混合してペースト状にし、半導体素子と基板との接合や配線形成に使用され得る導電性ペースト等に用いることに特に適している。
このようにして製造された銅粉は、たとえば、樹脂材料及び分散媒等と混合してペースト状にし、半導体素子と基板との接合や配線形成に使用され得る導電性ペースト等に用いることに特に適している。
次に、上述した銅粉を試作し、その効果を確認したので以下に説明する。但し、ここでの説明は単なる例示を目的としたものであり、これに限定されることを意図するものではない。
（発明例１）
始めに硫酸銅五水和物２４００ｇとクエン酸３０ｇを８．７Ｌの純水に溶かした水溶液に、水酸化ナトリウム５４０ｇとヒドラジン一水和物１４４ｇの混合水溶液６．７Ｌを一気に混合し、亜酸化銅のナノ粒子（平均粒径が約１００ｎｍ）を含むスラリーを合成した。次いで、この亜酸化銅粒子が懸濁したスラリーを５０℃以上に加熱してから、ヒドラジン一水和物４３ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下し、水酸化ナトリウム水溶液を添加して、ｐＨを調整してから、ヒドラジン一水和物１０１ｇの水溶液１．３Ｌを滴下した。反応終了後、デカンテーションを繰り返し水洗し、乾燥・粉砕を行って、銅粉を得た。
始めに硫酸銅五水和物２４００ｇとクエン酸３０ｇを８．７Ｌの純水に溶かした水溶液に、水酸化ナトリウム５４０ｇとヒドラジン一水和物１４４ｇの混合水溶液６．７Ｌを一気に混合し、亜酸化銅のナノ粒子（平均粒径が約１００ｎｍ）を含むスラリーを合成した。次いで、この亜酸化銅粒子が懸濁したスラリーを５０℃以上に加熱してから、ヒドラジン一水和物４３ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下し、水酸化ナトリウム水溶液を添加して、ｐＨを調整してから、ヒドラジン一水和物１０１ｇの水溶液１．３Ｌを滴下した。反応終了後、デカンテーションを繰り返し水洗し、乾燥・粉砕を行って、銅粉を得た。
（発明例２、３）
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは発明例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物２９ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物１１５ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは発明例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物２９ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物１１５ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
（発明例４、５）
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは発明例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物４３ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物１０１ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは発明例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物４３ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物１０１ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
（発明例６、１０、１１）
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは発明例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物７２ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物７２ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは発明例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物７２ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物７２ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
（発明例７）
亜酸化銅を金属銅へ還元した後、膜ろ過で固液分離を繰り返して洗浄したことを除いて、発明例２と実質的に同様にして、銅粉を得た。
亜酸化銅を金属銅へ還元した後、膜ろ過で固液分離を繰り返して洗浄したことを除いて、発明例２と実質的に同様にして、銅粉を得た。
（発明例８）
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは発明例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物１０１ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物４３ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは発明例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物１０１ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物４３ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
（発明例９）
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは発明例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物７２ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物７２ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは発明例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物７２ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物７２ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
（発明例１２、１３）
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは発明例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物７２ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物７２ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは発明例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物７２ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物７２ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
（比較例１）
始めに硫酸銅五水和物５００ｇとクエン酸６ｇを１．８Ｌの純水に溶かした水溶液に、水酸化ナトリウム１１３ｇとヒドラジン一水和物３０ｇの混合水溶液１．３Ｌを一気に混合し、亜酸化銅のナノ粒子（平均粒径が約１００ｎｍ）を含むスラリーを合成した。次いで、この亜酸化銅粒子が懸濁したスラリーを５０℃以上に加熱してから、ヒドラジン一水和物３ｇと水酸化ナトリウム５５ｇの混合水溶液０．５Ｌを滴下し、水酸化ナトリウム水溶液を添加して、ｐＨを調整してから、ヒドラジン一水和物２７ｇの水溶液０．２８Ｌを滴下した。反応終了後、デカンテーションを繰り返し水洗し、乾燥・粉砕を行って、銅粉を得た。
始めに硫酸銅五水和物５００ｇとクエン酸６ｇを１．８Ｌの純水に溶かした水溶液に、水酸化ナトリウム１１３ｇとヒドラジン一水和物３０ｇの混合水溶液１．３Ｌを一気に混合し、亜酸化銅のナノ粒子（平均粒径が約１００ｎｍ）を含むスラリーを合成した。次いで、この亜酸化銅粒子が懸濁したスラリーを５０℃以上に加熱してから、ヒドラジン一水和物３ｇと水酸化ナトリウム５５ｇの混合水溶液０．５Ｌを滴下し、水酸化ナトリウム水溶液を添加して、ｐＨを調整してから、ヒドラジン一水和物２７ｇの水溶液０．２８Ｌを滴下した。反応終了後、デカンテーションを繰り返し水洗し、乾燥・粉砕を行って、銅粉を得た。
（比較例２）
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは比較例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物１４．４ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物１２９．６ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
亜酸化銅を含むスラリーを合成するまでは比較例１と同様とした。次いで、ヒドラジン一水和物１４．４ｇと水酸化ナトリウム４０９ｇの混合水溶液４．５Ｌを滴下してから、ｐＨを調整し、さらにヒドラジン一水和物１２９．６ｇの水溶液１．３Ｌを滴下して亜酸化銅を金属銅へ還元し、同様に水洗・乾燥・粉砕を行った。
（比較例３）
比較例２と同じ条件で亜酸化銅を金属銅へ還元した後、該銅粒子６００ｇに、マロン酸０．３ｇを含有する水溶液２Ｌを加え、室温下にて３５０ｒｐｍで６０分攪拌して、洗浄・乾燥を行って銅粉を作製した。
比較例２と同じ条件で亜酸化銅を金属銅へ還元した後、該銅粒子６００ｇに、マロン酸０．３ｇを含有する水溶液２Ｌを加え、室温下にて３５０ｒｐｍで６０分攪拌して、洗浄・乾燥を行って銅粉を作製した。
（評価）
上記の発明例１～１３及び比較例１～４のそれぞれの銅粉について、先述した方法に従い、固めかさ密度、５０％粒子径、結晶子径、ＢＥＴ比表面積、水素還元減量、炭素含有量及び、熱機械分析（ＴＭＡ）による線収縮率が５％になるときの温度をそれぞれ測定した。その結果を表１に示す。なお、比較例３の銅粉の結晶子径は測定していなかったので不明である。また、各銅粉の固めかさ密度とＴＭＡ５％収縮温度との関係及び、Ｄ／Ｄ５０とＴＭＡ５％収縮温度との関係をそれぞれ、図１及び２にグラフで示す。
上記の発明例１～１３及び比較例１～４のそれぞれの銅粉について、先述した方法に従い、固めかさ密度、５０％粒子径、結晶子径、ＢＥＴ比表面積、水素還元減量、炭素含有量及び、熱機械分析（ＴＭＡ）による線収縮率が５％になるときの温度をそれぞれ測定した。その結果を表１に示す。なお、比較例３の銅粉の結晶子径は測定していなかったので不明である。また、各銅粉の固めかさ密度とＴＭＡ５％収縮温度との関係及び、Ｄ／Ｄ５０とＴＭＡ５％収縮温度との関係をそれぞれ、図１及び２にグラフで示す。
表１より、固めかさ密度が１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3であり、かつ、Ｄ／Ｄ５０≧０．０６０である発明例１～１３は、それらのいずれかの条件を満たさない比較例１～４に比して、ＴＭＡ５％収縮温度が２９０℃以下と十分に低いことが解かる。
また、図１に示すグラフによると、固めかさ密度が２．００ｇ／ｃｍ3付近で最も低い焼結温度になることが解かる。固めかさ密度が１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3の範囲内にある場合、固めかさ密度が２．００ｇ／ｃｍ3付近から増大し又は減少するに従って焼結温度が次第に上昇する二次関数的な傾向がある。一方、固めかさ密度が上記の範囲を外れると、焼結温度が顕著に急増することが解かる。但し、固めかさ密度が１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3の範囲内にある場合であっても、Ｄ／Ｄ５０が０．０６０未満であった比較例２は、焼結温度が高くなっている。
また、固めかさ密度が１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3の範囲内にある発明例１～１３の銅粉はいずれも、図２に示すように、Ｄ／Ｄ５０が０．０６０以上であったことから、低い焼結温度になったことが解かる。
以上より、先述した銅粉は、優れた低温焼結性を有することが解かった。
Claims (4)
- 銅粒子を含む銅粉であって、
固めかさ密度が１．３０ｇ／ｃｍ3～２．９６ｇ／ｃｍ3であり、
銅粒子の体積基準の粒子径ヒストグラムで累積頻度が５０％になるときの５０％粒子径Ｄ５０と、当該銅粉に対する粉末Ｘ線回折法で得られるＸ線回折プロファイル中のＣｕ（１１１）面の回折ピークから、シェラーの式を用いて求めた結晶子径Ｄとが、Ｄ／Ｄ５０≧０．０６０を満たす銅粉。 - ＢＥＴ比表面積が０．５ｍ2／ｇ～１０．０ｍ2／ｇである請求項１に記載の銅粉。
- 炭素含有量が０．５０質量％以下である請求項１または２に記載の銅粉。
- 水素還元減量が１．５％以下である請求項１～３のいずれか一項に記載の銅粉。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CA3220714A CA3220714A1 (en) | 2021-06-08 | 2022-02-18 | Copper powder |
| CN202280040111.8A CN117440867A (zh) | 2021-06-08 | 2022-02-18 | 铜粉 |
| DE112022002011.3T DE112022002011T5 (de) | 2021-06-08 | 2022-02-18 | Kupferpulver |
| KR1020237040255A KR20230175277A (ko) | 2021-06-08 | 2022-02-18 | 구리 분말 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021096205A JP7122436B1 (ja) | 2021-06-08 | 2021-06-08 | 銅粉 |
| JP2021-096205 | 2021-06-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2022259630A1 true WO2022259630A1 (ja) | 2022-12-15 |
Family
ID=82929884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2022/006770 WO2022259630A1 (ja) | 2021-06-08 | 2022-02-18 | 銅粉 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7122436B1 (ja) |
| KR (1) | KR20230175277A (ja) |
| CN (1) | CN117440867A (ja) |
| CA (1) | CA3220714A1 (ja) |
| DE (1) | DE112022002011T5 (ja) |
| TW (1) | TWI825594B (ja) |
| WO (1) | WO2022259630A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023074827A1 (ja) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅粒子及びその製造方法 |
| JP2024008681A (ja) * | 2022-07-08 | 2024-01-19 | Ｊｘ金属株式会社 | 銅粉 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014221927A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 国立大学法人東北大学 | 銅微粒子およびその製造方法 |
| JP2017039990A (ja) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅粉とその製造方法、及びそれを用いた導電性ペースト |
| JP2020050947A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-04-02 | Ｊｘ金属株式会社 | 易解砕性銅粉及びその製造方法 |
| JP2020180328A (ja) * | 2019-04-24 | 2020-11-05 | 東邦チタニウム株式会社 | 銅粉体の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014080662A1 (ja) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅粉及びその製造方法 |
| JP6563617B1 (ja) | 2019-01-11 | 2019-08-21 | Ｊｘ金属株式会社 | 導電性塗布材料 |
-
2021
- 2021-06-08 JP JP2021096205A patent/JP7122436B1/ja active Active
-
2022
- 2022-02-18 DE DE112022002011.3T patent/DE112022002011T5/de active Pending
- 2022-02-18 WO PCT/JP2022/006770 patent/WO2022259630A1/ja active Application Filing
- 2022-02-18 CA CA3220714A patent/CA3220714A1/en active Pending
- 2022-02-18 KR KR1020237040255A patent/KR20230175277A/ko unknown
- 2022-02-18 CN CN202280040111.8A patent/CN117440867A/zh active Pending
- 2022-02-21 TW TW111106194A patent/TWI825594B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014221927A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 国立大学法人東北大学 | 銅微粒子およびその製造方法 |
| JP2017039990A (ja) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅粉とその製造方法、及びそれを用いた導電性ペースト |
| JP2020050947A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-04-02 | Ｊｘ金属株式会社 | 易解砕性銅粉及びその製造方法 |
| JP2020180328A (ja) * | 2019-04-24 | 2020-11-05 | 東邦チタニウム株式会社 | 銅粉体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI825594B (zh) | 2023-12-11 |
| JP2022187936A (ja) | 2022-12-20 |
| KR20230175277A (ko) | 2023-12-29 |
| CN117440867A (zh) | 2024-01-23 |
| TW202247920A (zh) | 2022-12-16 |
| JP7122436B1 (ja) | 2022-08-19 |
| DE112022002011T5 (de) | 2024-01-25 |
| CA3220714A1 (en) | 2022-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2022259630A1 (ja) | 銅粉 | |
| JP6274444B2 (ja) | 銅粉末の製造方法 | |
| JP4868716B2 (ja) | フレーク銅粉及び導電性ペースト | |
| Patel et al. | Synthesis of nanosized silver colloids by microwave dielectric heating | |
| JP5820202B2 (ja) | 導電性ペースト用銅粉およびその製造方法 | |
| JP7039126B2 (ja) | 銅粉およびその製造方法 | |
| KR102397204B1 (ko) | 구리 분말 및 그의 제조 방법 | |
| JP2007126744A (ja) | 微粒ニッケル粉末及びその製造方法 | |
| JP2010138494A (ja) | フレーク銅粉の製造方法 | |
| JP5985216B2 (ja) | 銀粉 | |
| JP4164010B2 (ja) | 無機超微粒子コート金属粉及びその製造方法 | |
| US11801556B2 (en) | Metal particle aggregates, method for producing same, paste-like metal particle aggregate composition, and method for producing bonded body using said paste-like metal particle aggregate composition | |
| WO2024009522A1 (ja) | 銅粉 | |
| KR102314912B1 (ko) | 니켈 입자의 제조 방법 | |
| JP2009064603A (ja) | Ｍｌｃｃ用導電性ペースト | |
| JP6179423B2 (ja) | 硫黄含有ニッケル粉末の製造方法 | |
| Wang et al. | Preparation of spherical ultrafine copper powder via hydrogen reduction-densification of Mg (OH) 2-coated Cu 2 O powder | |
| JP2021152216A (ja) | りんを含有する銀粉および該銀粉を含む導電性ペースト | |
| Dai et al. | Preparation and Characterization of Pt/Co‐Core Au‐Shell Magnetic Nanoparticles | |
| JP2016006234A (ja) | 導電性ペースト用銅粉およびその製造方法 | |
| JP2021161495A (ja) | ニッケル粒子及びその製造方法、並びに導電性組成物 | |
| JP2014173182A (ja) | ニッケル粉末の製造方法 | |
| KR101195457B1 (ko) | Ｆｅ/ＦｅＡｌ２Ｏ４의 코어／쉘 구조를 갖는 나노 분말 제조방법 및 이에 의해 제조된 Ｆｅ/ＦｅＡｌ２Ｏ４의 코어／쉘 구조를 갖는 나노 분말 | |
| JP2021088756A (ja) | 銅粒子の製造方法 | |
| JP2022180322A (ja) | 銅粉末及びこれを含む導電性組成物、並びに、これを用いた配線構造及び導電性部材の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 22819820 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 18560990 Country of ref document: US |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20237040255 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 1020237040255 Country of ref document: KR |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 3220714 Country of ref document: CA |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 202280040111.8 Country of ref document: CN |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 112022002011 Country of ref document: DE |