WO2022249380A1 - ドハティ増幅器 - Google Patents

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WO2022249380A1
WO2022249380A1 PCT/JP2021/020147 JP2021020147W WO2022249380A1 WO 2022249380 A1 WO2022249380 A1 WO 2022249380A1 JP 2021020147 W JP2021020147 W JP 2021020147W WO 2022249380 A1 WO2022249380 A1 WO 2022249380A1
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harmonic
amplifier
circuit
resonant circuit
parallel resonant
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PCT/JP2021/020147
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French (fr)
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和宏 弥政
英悟 桑田
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三菱電機株式会社
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Priority to JP2023521696A priority patent/JP7418662B2/ja
Priority to PCT/JP2021/020147 priority patent/WO2022249380A1/ja
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    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
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    • H03F1/0288Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • HELECTRICITY
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    • H03F2200/246A series resonance being added in shunt in the input circuit, e.g. base, gate, of an amplifier stage, e.g. as a trap
    • HELECTRICITY
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    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier

Definitions

  • the present disclosure relates to Doherty amplifiers.
  • Patent Document 1 discloses a Doherty amplifier that includes a carrier amplifier, a peak amplifier, and a load modulation circuit.
  • the load modulation circuit includes a first parallel resonant circuit, a second parallel resonant circuit, and a third parallel resonant circuit.
  • One end of the first parallel resonant circuit is connected to the output terminal of the carrier amplifier, and the other end of the first parallel resonant circuit is connected to the ground.
  • One end of the second parallel resonant circuit is connected to the output end of the peak amplifier, and the other end of the second parallel resonant circuit is grounded.
  • One end of the third parallel resonant circuit is connected to the output end of the carrier amplifier, and the other end of the third parallel resonant circuit is connected to the output end of the peak amplifier.
  • Each of the first parallel resonant circuit, the second parallel resonant circuit, and the third parallel resonant circuit is a second harmonic that is one of a plurality of harmonics included in the high-frequency signal to be amplified.
  • parallel resonance at the frequency of Each of the first parallel resonant circuit, the second parallel resonant circuit, and the third parallel resonant circuit resonates in parallel, so that the load side is doubled from each of the output end of the carrier amplifier and the output end of the peak amplifier.
  • the wave impedance becomes infinite.
  • the Doherty amplifier disclosed in Patent Literature 1 even if the impedance of the load fluctuates, the impedance of the second harmonic looking into the load side from each of the output end of the carrier amplifier and the output end of the peak amplifier becomes infinite. A fixed state is maintained. On the other hand, when the impedance of the load fluctuates, the impedance of the triple wave looking into the load side from each of the output end of the carrier amplifier and the output end of the peak amplifier may fluctuate. In other words, the Doherty amplifier disclosed in Patent Document 1 has a problem that it can prevent only one type of harmonic impedance fluctuation. If only one type of harmonic impedance variation can be prevented, the Doherty amplifier operating efficiency may be degraded due to impedance variation of other harmonics.
  • the present disclosure has been made in order to solve the above-described problems, and is a Doherty patent that can prevent variations in the impedance of the first harmonic and the second harmonic that accompany variations in the impedance of the load.
  • the aim is to obtain an amplifier.
  • a Doherty amplifier includes a carrier amplifier that amplifies a first high-frequency signal having a first harmonic and a second harmonic, respectively, and a carrier amplifier that amplifies the first harmonic and the second harmonic, respectively.
  • first parallel resonant circuit that resonates at the frequency of the second harmonic, one end of which is connected to each of the output end of the peak amplifier and the other end of the first parallel resonant circuit, and the load and the other end; and a second parallel resonant circuit that is electrically connected to and resonates at the frequency of the second harmonic.
  • FIG. 1 is a configuration diagram showing Doherty amplifier 100 according to Embodiment 1.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing the Doherty amplifier 100 shown in FIG. 1;
  • FIG. 3 is an explanatory diagram showing specific configurations of a load modulation circuit 8 and an output matching circuit 12 shown in FIG. 2;
  • FIG. 4 is a Smith chart showing calculation results of the impedance of the load modulation circuit 8 when each of the parasitic capacitance Cds_c of the carrier amplifier 4 and the parasitic capacitance Cds_p of the peak amplifier 7 is assumed to be 5.1 [pF].
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing a graph in which the reflection coefficient of the load modulation circuit 8 is expressed in decibels;
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing a graph in which the reflection coefficient of the load modulation circuit 8 is expressed in decibels;
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing a graph in which the reflection coefficient of the load modulation circuit 8 is expressed in decibels;
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing a calculation result of a pass phase of the load modulation circuit 8;
  • 4 is a Smith chart showing calculation results of the impedance of the output matching circuit 12 when each of the parasitic capacitance Cds_c of the carrier amplifier 4 and the parasitic capacitance Cds_p of the peak amplifier 7 is assumed to be 5.1 [pF].
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing a graph in which the reflection coefficient of the output matching circuit 12 is expressed in decibels;
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing calculation results of a pass phase of the output matching circuit 12;
  • FIG. 1 is a configuration diagram showing Doherty amplifier 100 according to the first embodiment.
  • An input terminal 1 is a terminal to which a high-frequency signal to be amplified is supplied from the outside of the Doherty amplifier 100 .
  • a high-frequency signal to be amplified has a fundamental wave, a first harmonic, and a second harmonic.
  • the signal distributor 2 divides the power of the high frequency signal applied to the input terminal 1 into two. The two distributions of power may be either equal distribution of power or unequal distribution of power.
  • the signal splitter 2 outputs one of the split high frequency signals to the input matching circuit 3 as a first high frequency signal, and outputs the other split high frequency signal to the phase correction circuit 5 as a second high frequency signal.
  • the input matching circuit 3 is a circuit for matching the impedance of the input terminal of the carrier amplifier 4 with the impedance of the input terminal 1 .
  • the carrier amplifier 4 is realized by a MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor, a bipolar transistor, an FET (Field Effect Transistor), or the like.
  • MOS Metal Oxide Semiconductor
  • FET Field Effect Transistor
  • the input terminal of the carrier amplifier 4 is the gate terminal of the FET
  • the output terminal 4a of the carrier amplifier 4 is the drain terminal of the FET.
  • An input end of the carrier amplifier 4 is connected to the other end of the input matching circuit 3
  • an output end 4 a of the carrier amplifier 4 is connected to one input end of the load modulation circuit 8 .
  • the carrier amplifier 4 amplifies the first high frequency signal that has passed through the input matching circuit 3 and outputs the amplified first high frequency signal to the load modulation circuit 8 .
  • the phase correction circuit 5 is implemented by, for example, a 90-degree line. One end of the phase correction circuit 5 is connected to the other output end of the signal distributor 2 and the other end of the phase correction circuit 5 is connected to one end of the input matching circuit 6 .
  • the phase correction circuit 5 delays the phase of the second high-frequency signal output from the signal distributor 2 by 90 degrees, and outputs the phase-delayed second high-frequency signal to the input matching circuit 6 .
  • the input matching circuit 6 is a circuit for matching the impedance of the input end of the peak amplifier 7 with the impedance of the input terminal 1 .
  • the peak amplifier 7 is implemented by MOS transistors, bipolar transistors, FETs, or the like. If the peaking amplifier 7 is realized, for example, by a source-grounded FET, the input of the peaking amplifier 7 is the gate terminal of the FET and the output 7a of the peaking amplifier 7 is the drain terminal of the FET. The input terminal of the peak amplifier 7 is connected to the other terminal of the input matching circuit 6 , and the output terminal 7 a of the peak amplifier 7 is connected to the other input terminal of the load modulation circuit 8 .
  • the peak amplifier 7 amplifies the second high frequency signal that has passed through the input matching circuit 6 and outputs the amplified second high frequency signal to the load modulation circuit 8 .
  • the load modulation circuit 8 includes a first series resonance circuit 9 , a second series resonance circuit 10 and a first parallel resonance circuit 11 .
  • the load modulation circuit 8 also includes a parasitic capacitance Cds_c of the carrier amplifier 4 and a parasitic capacitance Cds_p of the peak amplifier 7 .
  • One input terminal of the load modulation circuit 8 is connected to the output terminal 4 a of the carrier amplifier 4 , and the other input terminal of the load modulation circuit 8 is connected to the output terminal 7 a of the peak amplifier 7 .
  • the output terminal 8a of the load modulation circuit 8 includes the output terminal 7a of the peak amplifier 7, one end of the second series resonance circuit 10, the other end of the first parallel resonance circuit 11, and one end of a second parallel resonance circuit 13, which will be described later. connected to each of the
  • the first series resonance circuit 9 is a series circuit in which an inductor 9a and a capacitor 9b are connected in series.
  • the first series resonant circuit 9 is connected between the output terminal 4a of the carrier amplifier 4 and the ground.
  • the first series resonant circuit 9 resonates at the frequency of the first harmonic.
  • the first harmonic is the second harmonic of the fundamental wave contained in the high frequency signal applied to the input terminal 1.
  • FIG. One end of the inductor 9a is connected to the output end 4a of the carrier amplifier 4, and the other end of the inductor 9a is connected to one end of the capacitor 9b.
  • the inductance of inductor 9a is L 0c .
  • One end of the capacitor 9b is connected to the other end of the inductor 9a, and the other end of the capacitor 9b is connected to the ground.
  • the capacitance of the capacitor 9b is C0c .
  • the second series resonant circuit 10 is a series circuit in which an inductor 10a and a capacitor 10b are connected in series.
  • a second series resonant circuit 10 is connected between the output terminal 7a of the peak amplifier 7 and the ground.
  • the second series resonant circuit 10 resonates at the frequency of the first harmonic.
  • One end of the inductor 10a is connected to the output end 7a of the peak amplifier 7, and the other end of the inductor 10a is connected to one end of the capacitor 10b.
  • the inductance of inductor 10a is L Op .
  • One end of the capacitor 10b is connected to the other end of the inductor 10a, and the other end of the capacitor 10b is connected to the ground.
  • the capacitance of capacitor 10b is C 0p .
  • the first parallel resonant circuit 11 is a parallel circuit in which an inductor 11a and a capacitor 11b are connected in parallel. One end of the first parallel resonant circuit 11 is connected to each of the output end 4a of the carrier amplifier 4 and one end of the first series resonant circuit 9, and the other end of the first parallel resonant circuit 11 is connected to the output end 8a. It is connected.
  • the first parallel resonant circuit 11 resonates at the frequency of the second harmonic.
  • the second harmonic is the third harmonic of the fundamental wave contained in the high frequency signal applied to the input terminal 1.
  • One end of the inductor 11a is connected to each of the output end 4a of the carrier amplifier 4 and one end of the inductor 9a, and the other end of the inductor 11a is connected to the output end 8a.
  • the inductance of inductor 11a is L1 .
  • the capacitor 11b is connected in parallel with the inductor 11a.
  • the capacitance of capacitor 11b is C1 .
  • the output matching circuit 12 has a second parallel resonant circuit 13 , a capacitor 14 and an inductor 15 .
  • One end of the output matching circuit 12 is connected to the output end 8 a of the load modulation circuit 8 .
  • the other end of output matching circuit 12 is connected to one end of load 17 via output terminal 16 .
  • the output matching circuit 12 is a circuit for matching the impedance of the output terminal 8a of the load modulation circuit 8 with the impedance of the load 17 at the frequency of the fundamental wave.
  • the second parallel resonant circuit 13 is a parallel circuit in which an inductor 13a and a capacitor 13b are connected in parallel. One end of the second parallel resonant circuit 13 is connected to the output end 8 a of the load modulation circuit 8 . The other end of the second parallel resonant circuit 13 is electrically connected to the load 17 . That is, the other end of the second parallel resonant circuit 13 is connected to one end of the capacitor 14 and one end of the inductor 15, respectively. The second parallel resonant circuit 13 resonates at the frequency of the second harmonic. One end of the inductor 13 a is connected to the output end 8 a of the load modulation circuit 8 .
  • the other end of the inductor 13a is connected to one end of the capacitor 14 and one end of the inductor 15, respectively.
  • the inductance of inductor 13a is L2 .
  • the capacitor 13b is connected in parallel with the inductor 13a.
  • the capacitance of the capacitor 13b is C2 .
  • One end of the capacitor 14 is connected to the other end of the second parallel resonant circuit 13, and the other end of the capacitor 14 is connected to the ground.
  • the capacitance of capacitor 14 is C3 .
  • One end of the inductor 15 is connected to the other end of the second parallel resonant circuit 13 and the other end of the inductor 15 is connected to the output terminal 16 .
  • the inductance of inductor 15 is L3 .
  • the output terminal 16 is a terminal for outputting the high-frequency signal amplified by the Doherty amplifier 100 to the load 17 .
  • One end of the load 17 is connected to the output terminal 16, and the other end of the load 17 is connected to the ground.
  • the impedance of load 17 is Z0 .
  • the signal distributor 2 divides the power of the high frequency signal applied to the input terminal 1 from the outside of the Doherty amplifier 100 into two.
  • the signal distributor 2 outputs one of the distributed high frequency signals to the input matching circuit 3 as a first high frequency signal. Further, the signal distributor 2 outputs the other high-frequency signal after distribution to the phase correction circuit 5 as a second high-frequency signal.
  • the first high-frequency signal output from the signal distributor 2 to the input matching circuit 3 is output to the input terminal of the carrier amplifier 4 via the input matching circuit 3 .
  • the second high-frequency signal output from the signal distributor 2 to the input matching circuit 3 is delayed in phase by 90 degrees by passing through the phase correction circuit 5 .
  • the second high-frequency signal phase-delayed by the phase correction circuit 5 is output to the input terminal of the peak amplifier 7 via the input matching circuit 6 .
  • Carrier amplifier 4 amplifies the first high-frequency signal that has passed through input matching circuit 3 .
  • Carrier amplifier 4 outputs the amplified first high-frequency signal to load modulation circuit 8 .
  • the peak amplifier 7 stops amplifying. When the peak amplifier 7 stops amplifying operation, the second high frequency signal that has passed through the input matching circuit 6 disappears at the peak amplifier 7 .
  • the peak amplifier 7 amplifies the second high frequency signal if the power of the second high frequency signal that has passed through the input matching circuit 6 is equal to or higher than the threshold.
  • the peak amplifier 7 outputs the amplified second high frequency signal to the load modulation circuit 8 .
  • the load modulation circuit 8 delays the phase of the fundamental wave contained in the first high frequency signal output from the carrier amplifier 4 by 90 degrees. Also, the load modulation circuit 8 resonates at respective frequencies of the first harmonic and the second harmonic. That is, the first series resonance circuit 9 included in the load modulation circuit 8 resonates at the frequency of the second harmonic, which is the first harmonic. A second series resonant circuit 10 included in the load modulation circuit 8 resonates at the frequency of the second harmonic, which is the first harmonic. The first parallel resonant circuit 11 included in the load modulation circuit 8 resonates at the frequency of the third harmonic, which is the second harmonic.
  • a first high-frequency signal that has passed through the first series resonance circuit 9 and the first parallel resonance circuit 11 and a second high-frequency signal that has passed through the second series resonance circuit 10 are combined to form an output terminal 8a.
  • the synthesized high-frequency signal is output to the output matching circuit 12 .
  • the second parallel resonant circuit 13 included in the output matching circuit 12 resonates at the frequency of the third harmonic, which is the second harmonic.
  • Each of the first series resonance circuit 9 and the second series resonance circuit 10 resonates at the frequency of the second harmonic, thereby short-circuiting the output sides of the carrier amplifier 4 and the peak amplifier 7 with respect to the second harmonic. is formed. That is, the impedance of the second harmonic when the load 17 side is viewed from each of the output end 4a of the carrier amplifier 4 and the output end 7a of the peak amplifier 7 becomes substantially zero.
  • Each of the first parallel resonant circuit 11 and the second parallel resonant circuit 13 resonates at the frequency of the third harmonic, so that the output side of each of the carrier amplifier 4 and the peak amplifier 7 has an open end for the third harmonic. is formed. That is, the impedance of the third harmonic when the load 17 side is viewed from each of the output end 4a of the carrier amplifier 4 and the output end 7a of the peak amplifier 7 becomes infinite.
  • the impedance of each of the second harmonic in the current source 21 (see FIG. 2) of the carrier amplifier 4 and the current source 22 (see FIG. 2) of the peak amplifier 7 is approximately Since it becomes zero, each of the carrier amplifier 4 and the peak amplifier 7 becomes class F operation. Therefore, each of the carrier amplifier 4 and the peak amplifier 7 operates with high efficiency. Since the impedance of the second harmonic wave looking into the load 17 side is fixed to approximately zero, even if the impedance of the second harmonic wave in the impedance Z0 of the load 17 fluctuates, the impedance of the second harmonic wave looking into the load 17 side is Impedance does not change.
  • the impedance of the 3rd harmonic wave with respect to the load 17 side is fixed at infinity, even if the impedance of the 3rd harmonic wave in the impedance Z0 of the load 17 fluctuates, Wave impedance does not change. Therefore, even if the second harmonic impedance of the load 17 or the third harmonic impedance of the load 17 fluctuates, the operating efficiency of the Doherty amplifier 100 is prevented from deteriorating.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing the Doherty amplifier 100 shown in FIG.
  • a current source 21 is a transistor current source that implements the carrier amplifier 4 .
  • Current source 22 is the current source of the transistor that implements peak amplifier 7 .
  • the load modulation circuit 8 is a circuit corresponding to a load modulation line connecting the current sources 21 and 22, and the characteristic impedance of the load modulation circuit 8 is Zc .
  • the impedance seen from the output end 8a of the load modulation circuit 8 to the load 17 side is 25 ⁇ .
  • the characteristic impedance of the output matching circuit 12 is Za
  • the electrical length of the output matching circuit 12 is ⁇ a .
  • the output matching circuit 12 matches the impedance of the output terminal 8a of the load modulation circuit 8 with the impedance of the load 17 at the frequency of the fundamental wave.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram showing specific configurations of the load modulation circuit 8 and the output matching circuit 12 shown in FIG.
  • the load modulation circuit 8 includes a parasitic capacitance Cds_c of the carrier amplifier 4 and a parasitic capacitance Cds_p of the peak amplifier 7, as shown in FIG.
  • the Zpc section is composed of the first series resonant circuit 9 including the inductor 9 a and the capacitor 9 b and the parasitic capacitance Cds_c of the carrier amplifier 4 .
  • a second series resonant circuit 10 including an inductor 10a and a capacitor 10b and a parasitic capacitance Cds_p of the peak amplifier 7 constitute a Zpp section. Since the load modulation circuit 8 includes the parasitic capacitance Cds_c and the parasitic capacitance Cds_p, there is no need to separately provide a capacitor having the same capacitance as these parasitic capacitances.
  • the capacitance C 0c of the capacitor 9b, the inductance L 0c of the inductor 9a, the capacitance C 0p of the capacitor 10b, and the inductance L 0p of the inductor 10a are It is represented by the following formulas (1) to (4).
  • the capacitance C0c of the capacitor 9b and the inductance L0c of the inductor 9a are determined based on the parasitic capacitance Cds_c of the carrier amplifier 4, respectively.
  • each of the capacitance C 0p of the capacitor 10b and the inductance L 0p of the inductor 10a is determined based on the parasitic capacitance Cds_p of the peak amplifier 7 .
  • the capacitance C 1 of the capacitor 11b and the inductance L 1 of the inductor 11a are represented by the following equations (5) to (6).
  • N 1 is the order indicating the first harmonic
  • the first harmonic is the second harmonic
  • N 1 2.
  • N 2 is the order indicating the second harmonic
  • the load modulation circuit 8 implements a circuit having a characteristic impedance of Zc and an electrical length of ⁇ at the center frequency f0 of the fundamental wave.
  • Each of the Zpc part and the Zpp part becomes capacitive (denoted as “C characteristic” in FIG.
  • the first parallel resonant circuit 11 becomes inductive (denoted as “L characteristic” in FIG. 3) at the center frequency f 0 of the fundamental wave, and parallel-resonates at the third harmonic frequency N 2 ⁇ f 0 .
  • L characteristic inductive
  • the output matching circuit 12 realizes a circuit having a characteristic impedance of Za and an electrical length of ⁇ a at the center frequency f0 of the fundamental wave.
  • the second parallel resonant circuit 13 becomes inductive at the center frequency f 0 of the fundamental wave, and forms an open end for the third harmonic by parallel resonance at the frequency N 2 ⁇ f 0 of the third harmonic.
  • the output matching circuit 12 includes a second parallel resonant circuit 13 in which an inductor 13a and a capacitor 13b are connected in parallel, a capacitor 14 connected in parallel to the second parallel resonant circuit 13, and a second parallel resonant circuit 13. It comprises an inductor 15 connected in series with a resonant circuit 13 .
  • the second parallel resonant circuit 13, the capacitor 14, and the inductor 15 form an asymmetric T-shaped circuit.
  • the angular frequency corresponding to the center frequency f0 of the fundamental wave is ⁇
  • the inductance L 2 of the inductor 13a, the capacitance C 2 of the capacitor 13b, the inductance L 3 of the inductor 15, and the capacitance C 3 of the capacitor 14 are obtained by the following equation (7) to (10).
  • FIG. 4 is a Smith chart showing calculation results of the impedance of the load modulation circuit 8 when each of the parasitic capacitance Cds_c of the carrier amplifier 4 and the parasitic capacitance Cds_p of the peak amplifier 7 is assumed to be 5.1 [pF]. .
  • the normalized impedance of the Smith chart shown in FIG. 4 is the characteristic impedance Zc of the load modulation circuit 8, and the electrical length ⁇ of the load modulation circuit 8 is 90 degrees.
  • m_fc is the fundamental wave
  • m_2fc is the second harmonic
  • m_3fc is the third harmonic.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing a graph in which the reflection coefficient of the load modulation circuit 8 is expressed in decibels.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing a graph in which the reflection coefficient of the load modulation circuit 8 is expressed in decibels.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing calculation results of the pass phase of the load modulation circuit 8. As shown in FIG. 6, the horizontal axis indicates the normalized frequency, and the vertical axis indicates the pass phase.
  • the impedance of the load modulation circuit 8 matches the characteristic impedance Zc at the center frequency f0 of the fundamental wave. Moreover, it can be seen from FIG. 4 that a short circuit is formed at the frequency of the second harmonic. It can be seen from FIG. 6 that the pass phase of the load modulation circuit 8 can be set to 90° at the center frequency f0 of the fundamental wave.
  • FIG. 7 is a Smith chart showing calculation results of the impedance of the output matching circuit 12 when each of the parasitic capacitance Cds_c of the carrier amplifier 4 and the parasitic capacitance Cds_p of the peak amplifier 7 is assumed to be 5.1 [pF]. .
  • the normalized impedance of the Smith chart shown in FIG. 7 is the characteristic impedance Za of the output matching circuit 12, and the electrical length ⁇ of the output matching circuit 12 is 90 degrees.
  • m_fc is the fundamental wave
  • m_2fc is the second harmonic
  • m_3fc is the third harmonic.
  • FIG. 8 is an explanatory diagram showing a graph in which the reflection coefficient of the output matching circuit 12 is expressed in decibels.
  • FIG. 8 is an explanatory diagram showing a graph in which the reflection coefficient of the output matching circuit 12 is expressed in decibels.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram showing calculation results of the pass phase of the output matching circuit 12. As shown in FIG. 9, the horizontal axis indicates the normalized frequency, and the vertical axis indicates the pass phase.
  • the impedance of the output matching circuit 12 matches the characteristic impedance Za at the center frequency f0 of the fundamental wave. Moreover, it can be seen from FIG. 7 that an open end is formed at the third harmonic frequency. It can be seen from FIG. 9 that the pass phase of the output matching circuit 12 can be set to 90° at the center frequency f0 of the fundamental wave.
  • the carrier amplifier 4 that amplifies the first high-frequency signal having the first harmonic and the second harmonic, and the first harmonic and the second harmonic are respectively and a first series resonance circuit 9 connected between the output end 4a of the carrier amplifier 4 and the ground and resonating at the frequency of the first harmonic. , is connected between the output terminal 7a of the peak amplifier 7 and the ground, and a second series resonant circuit 10 resonating at the frequency of the first harmonic is connected to the output terminal 4a of the carrier amplifier 4 and one end thereof.
  • the Doherty amplifier 100 can prevent impedance variations in the first and second harmonics due to variations in the impedance of the load 17 .
  • Embodiment 2 the first harmonic is the third harmonic of the fundamental contained in the high-frequency signal, and the second harmonic is the second harmonic of the fundamental contained in the high-frequency signal.
  • the Doherty amplifier 100 in one case will be described.
  • Doherty amplifier 100 according to Embodiment 2 is the same as that of Doherty amplifier 100 according to Embodiment 1, and the configuration diagram showing Doherty amplifier 100 according to Embodiment 2 is FIG.
  • N 1 3 in equations (1) to (4).
  • N 2 2 in equations (5) to (8).
  • each of the first series resonance circuit 9 and the second series resonance circuit 10 resonates at the frequency of the third harmonic, so that the carrier amplifier 4 and the A short circuit is formed at each output of the peak amplifier 7 .
  • the impedance of the third harmonic when the load 17 side is viewed from each of the output end 4a of the carrier amplifier 4 and the output end 7a of the peak amplifier 7 becomes substantially zero.
  • Each of the first parallel resonant circuit 11 and the second parallel resonant circuit 13 resonates at the frequency of the second harmonic, so that the output side of each of the carrier amplifier 4 and the peak amplifier 7 has an open end for the second harmonic. is formed. That is, the impedance of the second harmonic when the load 17 side is viewed from each of the output end 4a of the carrier amplifier 4 and the output end 7a of the peak amplifier 7 becomes infinite.
  • the impedance of each of the third harmonics in the current source 21 of the carrier amplifier 4 and the current source 22 of the peak amplifier 7 becomes substantially zero, so that the carrier amplifier 4 and the peak amplifier 7 are inverse class F operation. Therefore, each of the carrier amplifier 4 and the peak amplifier 7 operates with high efficiency. Since the impedance of the third harmonic wave looking into the load 17 side is fixed to approximately zero, even if the impedance of the third harmonic wave in the impedance Z0 of the load 17 fluctuates, the impedance of the third harmonic wave looking into the load 17 side is Impedance does not change.
  • the impedance of the second harmonic with respect to the load 17 side is fixed at infinity, even if the impedance of the second harmonic of the impedance Z0 of the load 17 fluctuates, Wave impedance does not change. Therefore, even if the second harmonic impedance of the load 17 or the third harmonic impedance of the load 17 fluctuates, the operating efficiency of the Doherty amplifier 100 is prevented from deteriorating.
  • the first harmonic is the second harmonic
  • the second harmonic is the third harmonic
  • the first harmonic is the third harmonic
  • the second harmonic is the second harmonic.
  • the first harmonic may be the third harmonic and the second harmonic may be the fourth harmonic
  • the first harmonic may be the fourth harmonic and the second harmonic may be the fourth harmonic
  • the harmonic may be the third harmonic.
  • the first harmonic may be the fourth harmonic and the second harmonic may be the fifth harmonic, or the first harmonic may be the fifth harmonic and the second harmonic may be the fourth harmonic. good too.
  • the phase correction circuit 5 is implemented by a 90-degree line.
  • the phase correction circuit 5 may be realized by surface mount components.
  • the Doherty amplifier 100 may be realized by an MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit). If the Doherty amplifier 100 is implemented by an MMIC, the inductors 9a, 10a, 11a, 13a, 15 are implemented by spiral inductors. Capacitors 9b, 10b, 11b, 13b, and 14 are implemented by MIM (Metal Insulator Metal) capacitors. When the Doherty amplifier 100 is realized by MMIC, it can be made smaller than when the Doherty amplifier 100 is realized by surface mount components.
  • MMIC Monitoring Microwave Integrated Circuit
  • part of the inductors 9a, 10a, 11a, 13a and 15 or part of the capacitors 9b, 10b, 11b, 13b and 14 are MIC (Microwave Monolithic Circuit). may be realized by a surface mount component. Also, some inductance components in the inductors 9a, 10a, 11a, 13a, and 15 may be realized by wires, wiring patterns on the board, or inner layer patterns of the multilayer board. When a part of the inductance component is implemented by a wire or the like, an inductance component with a lower loss is realized than when it is implemented by a spiral inductor inside the MMIC, so that even higher efficiency can be achieved.
  • MIC Microwave Monolithic Circuit
  • the present disclosure is suitable for Doherty amplifiers.

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Abstract

第1の高調波及び第2の高調波のそれぞれを有する第1の高周波信号を増幅するキャリア増幅器(4)と、第1の高調波及び第2の高調波のそれぞれを有する第2の高周波信号を増幅するピーク増幅器(7)と、キャリア増幅器(4)の出力端(4a)とグランドとの間に接続されており、第1の高調波の周波数で共振する第1の直列共振回路(9)と、ピーク増幅器(7)の出力端(7a)とグランドとの間に接続されており、第1の高調波の周波数で共振する第2の直列共振回路(10)と、キャリア増幅器(4)の出力端(4a)と一端が接続され、ピーク増幅器(7)の出力端(7a)と他端が接続されており、第2の高調波の周波数で共振する第1の並列共振回路(11)と、ピーク増幅器(7)の出力端(7a)及び第1の並列共振回路(11)の他端のそれぞれと一端が接続され、負荷(17)と他端が電気的に接続されており、第2の高調波の周波数で共振する第2の並列共振回路(13)とを備えるように、ドハティ増幅器(100)を構成した。

Description

ドハティ増幅器
 本開示は、ドハティ増幅器に関するものである。
 キャリア増幅器とピーク増幅器と負荷変調回路とを備えるドハティ増幅器が特許文献1に開示されている。当該負荷変調回路は、第1の並列共振回路と、第2の並列共振回路と、第3の並列共振回路とを備えている。第1の並列共振回路の一端は、キャリア増幅器の出力端と接続され、第1の並列共振回路の他端は、グランドと接続されている。第2の並列共振回路の一端は、ピーク増幅器の出力端と接続され、第2の並列共振回路の他端は、グランドと接続されている。第3の並列共振回路の一端は、キャリア増幅器の出力端と接続され、第3の並列共振回路の他端は、ピーク増幅器の出力端と接続されている。
 第1の並列共振回路、第2の並列共振回路及び第3の並列共振回路のそれぞれは、増幅対象の高周波信号に含まれている複数の高調波の中の1つの高調波である2倍波の周波数で並列共振する。第1の並列共振回路、第2の並列共振回路及び第3の並列共振回路のそれぞれが並列共振することで、キャリア増幅器の出力端及びピーク増幅器の出力端のそれぞれから負荷側を見込んだ2倍波のインピーダンスが無限大になる。
国際公開第2020/235093号
 特許文献1に開示されているドハティ増幅器では、負荷のインピーダンスが変動しても、キャリア増幅器の出力端及びピーク増幅器の出力端のそれぞれから負荷側を見込んだ2倍波のインピーダンスは、無限大に固定された状態が維持される。一方、負荷のインピーダンスが変動することで、キャリア増幅器の出力端及びピーク増幅器の出力端のそれぞれから負荷側を見込んだ3倍波のインピーダンスは、変動することがある。つまり、特許文献1に開示されているドハティ増幅器は、1種類の高調波のインピーダンスの変動しか防ぐことができないという課題があった。1種類の高調波のインピーダンスの変動しか防ぐことはできない場合、他の高調波のインピーダンスが変動することで、ドハティ増幅器の動作効率が劣化してしまうことがある。
 本開示は、上記のような課題を解決するためになされたもので、負荷のインピーダンスの変動に伴う、第1の高調波及び第2の高調波におけるそれぞれのインピーダンスの変動を防ぐことができるドハティ増幅器を得ることを目的とする。
 本開示に係るドハティ増幅器は、第1の高調波及び第2の高調波のそれぞれを有する第1の高周波信号を増幅するキャリア増幅器と、第1の高調波及び第2の高調波のそれぞれを有する第2の高周波信号を増幅するピーク増幅器と、キャリア増幅器の出力端とグランドとの間に接続されており、第1の高調波の周波数で共振する第1の直列共振回路と、ピーク増幅器の出力端とグランドとの間に接続されており、第1の高調波の周波数で共振する第2の直列共振回路と、キャリア増幅器の出力端と一端が接続され、ピーク増幅器の出力端と他端が接続されており、第2の高調波の周波数で共振する第1の並列共振回路と、ピーク増幅器の出力端及び第1の並列共振回路の他端のそれぞれと一端が接続され、負荷と他端が電気的に接続されており、第2の高調波の周波数で共振する第2の並列共振回路とを備えるものである。
 本開示によれば、負荷のインピーダンスの変動に伴う、第1の高調波及び第2の高調波におけるそれぞれのインピーダンスの変動を防ぐことができる。
実施の形態1に係るドハティ増幅器100を示す構成図である。 図1に示すドハティ増幅器100を示す等価回路図である。 図2に示す負荷変調回路8及び出力整合回路12におけるそれぞれの具体的な構成を示す説明図である。 キャリア増幅器4の寄生容量Cds_c及びピーク増幅器7の寄生容量Cds_pのそれぞれが5.1[pF]であると仮定した場合の負荷変調回路8のインピーダンスの計算結果を示すスミスチャートである。 負荷変調回路8の反射係数をデシベル表記したグラフを示す説明図である。 負荷変調回路8の通過位相の計算結果を示す説明図である。 キャリア増幅器4の寄生容量Cds_c及びピーク増幅器7の寄生容量Cds_pのそれぞれが5.1[pF]であると仮定した場合の出力整合回路12のインピーダンスの計算結果を示すスミスチャートである。 出力整合回路12の反射係数をデシベル表記したグラフを示す説明図である。 出力整合回路12の通過位相の計算結果を示す説明図である。
 以下、本開示をより詳細に説明するために、本開示を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。
実施の形態1.
 図1は、実施の形態1に係るドハティ増幅器100を示す構成図である。
 図1に示すドハティ増幅器100は、入力端子1、信号分配器2、入力整合回路3、キャリア増幅器4、位相補正回路5、入力整合回路6、ピーク増幅器7、負荷変調回路8、出力整合回路12及び出力端子16を備えている。
 入力端子1は、ドハティ増幅器100の外部から、増幅対象の高周波信号が与えられる端子である。増幅対象の高周波信号は、基本波、第1の高調波及び第2の高調波のそれぞれを有している。
 信号分配器2は、入力端子1に与えられた高周波信号の電力を2分配する。電力の2分配は、電力の等分配であってもよいし、電力の不等分配であってもよい。
 信号分配器2は、分配後の一方の高周波信号を第1の高周波信号として入力整合回路3に出力し、分配後の他方の高周波信号を第2の高周波信号として位相補正回路5に出力する。
 入力整合回路3の一端は、信号分配器2の一方の出力端と接続され、入力整合回路3の他端は、キャリア増幅器4の入力端と接続されている。
 入力整合回路3は、キャリア増幅器4の入力端のインピーダンスを入力端子1のインピーダンスに整合させるための回路である。
 キャリア増幅器4は、MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタ、バイポーラトランジスタ、又は、FET(Field Effect Transistor)等によって実現される。
 キャリア増幅器4が、例えば、ソース接地のFETによって実現される場合、キャリア増幅器4の入力端は、FETのゲート端子であり、キャリア増幅器4の出力端4aは、FETのドレイン端子である。
 キャリア増幅器4の入力端は、入力整合回路3の他端と接続され、キャリア増幅器4の出力端4aは、負荷変調回路8の一方の入力端と接続されている。
 キャリア増幅器4は、入力整合回路3を通過してきた第1の高周波信号を増幅し、増幅後の第1の高周波信号を負荷変調回路8に出力する。
 位相補正回路5は、例えば、90度線路によって実現される。
 位相補正回路5の一端は、信号分配器2の他方の出力端と接続され、位相補正回路5の他端は、入力整合回路6の一端と接続されている。
 位相補正回路5は、信号分配器2から出力された第2の高周波信号の位相を90度遅延させ、位相遅延後の第2の高周波信号を入力整合回路6に出力する。
 入力整合回路6の一端は、位相補正回路5の他端と接続され、入力整合回路6の他端は、ピーク増幅器7の入力端と接続されている。
 入力整合回路6は、ピーク増幅器7の入力端のインピーダンスを入力端子1のインピーダンスに整合させるための回路である。
 ピーク増幅器7は、MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ、又は、FET等によって実現される。
 ピーク増幅器7が、例えば、ソース接地のFETによって実現される場合、ピーク増幅器7の入力端は、FETのゲート端子であり、ピーク増幅器7の出力端7aは、FETのドレイン端子である。
 ピーク増幅器7の入力端は、入力整合回路6の他端と接続され、ピーク増幅器7の出力端7aは、負荷変調回路8の他方の入力端と接続されている。
 ピーク増幅器7は、入力整合回路6を通過してきた第2の高周波信号を増幅し、増幅後の第2の高周波信号を負荷変調回路8に出力する。
 負荷変調回路8は、第1の直列共振回路9、第2の直列共振回路10及び第1の並列共振回路11を備えている。
 また、負荷変調回路8は、キャリア増幅器4の寄生容量Cds_c及びピーク増幅器7の寄生容量Cds_pを含んでいる。
 負荷変調回路8の一方の入力端は、キャリア増幅器4の出力端4aと接続され、負荷変調回路8の他方の入力端は、ピーク増幅器7の出力端7aと接続されている。
 負荷変調回路8の出力端8aは、ピーク増幅器7の出力端7a、第2の直列共振回路10の一端、第1の並列共振回路11の他端及び後述する第2の並列共振回路13の一端のそれぞれと接続されている。
 第1の直列共振回路9は、インダクタ9aとコンデンサ9bとが直列に接続されている直列回路である。
 第1の直列共振回路9は、キャリア増幅器4の出力端4aとグランドとの間に接続されている。
 第1の直列共振回路9は、第1の高調波の周波数で共振する。図1に示すドハティ増幅器100では、第1の高調波は、入力端子1に与えられた高周波信号に含まれている基本波の2倍波である。
 インダクタ9aの一端は、キャリア増幅器4の出力端4aと接続され、インダクタ9aの他端は、コンデンサ9bの一端と接続されている。インダクタ9aのインダクタンスは、L0cである。
 コンデンサ9bの一端は、インダクタ9aの他端と接続され、コンデンサ9bの他端は、グランドと接続されている。コンデンサ9bの容量は、C0cである。
 第2の直列共振回路10は、インダクタ10aとコンデンサ10bとが直列に接続されている直列回路である。
 第2の直列共振回路10は、ピーク増幅器7の出力端7aとグランドとの間に接続されている。
 第2の直列共振回路10は、第1の高調波の周波数で共振する。
 インダクタ10aの一端は、ピーク増幅器7の出力端7aと接続され、インダクタ10aの他端は、コンデンサ10bの一端と接続されている。インダクタ10aのインダクタンスは、L0pである。
 コンデンサ10bの一端は、インダクタ10aの他端と接続され、コンデンサ10bの他端は、グランドと接続されている。コンデンサ10bの容量は、C0pである。
 第1の並列共振回路11は、インダクタ11aとコンデンサ11bとが並列に接続されている並列回路である。
 第1の並列共振回路11の一端は、キャリア増幅器4の出力端4a及び第1の直列共振回路9の一端のそれぞれと接続され、第1の並列共振回路11の他端は、出力端8aと接続されている。
 第1の並列共振回路11は、第2の高調波の周波数で共振する。図1に示すドハティ増幅器100では、第2の高調波は、入力端子1に与えられた高周波信号に含まれている基本波の3倍波である。
 インダクタ11aの一端は、キャリア増幅器4の出力端4a及びインダクタ9aの一端のそれぞれと接続され、インダクタ11aの他端は、出力端8aと接続されている。インダクタ11aのインダクタンスは、Lである。
 コンデンサ11bは、インダクタ11aと並列に接続されている。コンデンサ11bの容量は、Cである。
 出力整合回路12は、第2の並列共振回路13、コンデンサ14及びインダクタ15を備えている。
 出力整合回路12の一端は、負荷変調回路8の出力端8aと接続されている。出力整合回路12の他端は、出力端子16を介して、負荷17の一端と接続されている。
 出力整合回路12は、基本波の周波数において、負荷変調回路8の出力端8aのインピーダンスを負荷17のインピーダンスと整合させるための回路である。
 第2の並列共振回路13は、インダクタ13aとコンデンサ13bとが並列に接続されている並列回路である。
 第2の並列共振回路13の一端は、負荷変調回路8の出力端8aと接続されている。第2の並列共振回路13の他端は、負荷17と電気的に接続されている。即ち、第2の並列共振回路13の他端は、コンデンサ14の一端及びインダクタ15の一端のそれぞれと接続されている。
 第2の並列共振回路13は、第2の高調波の周波数で共振する。
 インダクタ13aの一端は、負荷変調回路8の出力端8aと接続されている。インダクタ13aの他端は、コンデンサ14の一端及びインダクタ15の一端のそれぞれと接続されている。インダクタ13aのインダクタンスは、Lである。
 コンデンサ13bは、インダクタ13aと並列に接続されている。コンデンサ13bの容量は、Cである。
 コンデンサ14の一端は、第2の並列共振回路13の他端と接続され、コンデンサ14の他端は、グランドと接続されている。コンデンサ14の容量は、Cである。
 インダクタ15の一端は、第2の並列共振回路13の他端と接続され、インダクタ15の他端は、出力端子16と接続されている。インダクタ15のインダクタンスは、Lである。
 出力端子16は、ドハティ増幅器100による増幅後の高周波信号を負荷17に出力するための端子である。
 負荷17の一端は、出力端子16と接続され、負荷17の他端は、グランドと接続されている。
 負荷17のインピーダンスは、Zである。
 次に、図1に示すドハティ増幅器100の動作について説明する。
 信号分配器2は、ドハティ増幅器100の外部から入力端子1に与えられた高周波信号の電力を2分配する。
 信号分配器2は、分配後の一方の高周波信号を第1の高周波信号として入力整合回路3に出力する。
 また、信号分配器2は、分配後の他方の高周波信号を第2の高周波信号として位相補正回路5に出力する。
 信号分配器2から入力整合回路3に出力された第1の高周波信号は、入力整合回路3を介して、キャリア増幅器4の入力端に出力される。
 信号分配器2から入力整合回路3に出力された第2の高周波信号は、位相補正回路5を通過することで、位相が90度遅れる。
 位相補正回路5による位相遅延後の第2の高周波信号は、入力整合回路6を介して、ピーク増幅器7の入力端に出力される。
 キャリア増幅器4は、入力整合回路3を通過してきた第1の高周波信号を増幅する。
 キャリア増幅器4は、増幅後の第1の高周波信号を負荷変調回路8に出力する。
 ピーク増幅器7は、入力整合回路6を通過してきた第2の高周波信号の電力が閾値未満であれば、増幅動作を停止する。ピーク増幅器7が増幅動作を停止しているときは、入力整合回路6を通過してきた第2の高周波信号は、ピーク増幅器7で消失する。
 ピーク増幅器7は、入力整合回路6を通過してきた第2の高周波信号の電力が閾値以上であれば、第2の高周波信号を増幅する。
 ピーク増幅器7は、増幅後の第2の高周波信号を負荷変調回路8に出力する。
 負荷変調回路8は、キャリア増幅器4から出力された第1の高周波信号に含まれている基本波の位相を90度遅延させる。
 また、負荷変調回路8は、第1の高調波及び第2の高調波におけるそれぞれの周波数で共振する。
 即ち、負荷変調回路8に含まれている第1の直列共振回路9は、第1の高調波である2倍波の周波数で共振する。
 負荷変調回路8に含まれている第2の直列共振回路10は、第1の高調波である2倍波の周波数で共振する。
 負荷変調回路8に含まれている第1の並列共振回路11は、第2の高調波である3倍波の周波数で共振する。
 第1の直列共振回路9及び第1の並列共振回路11のそれぞれを通過した第1の高周波信号と、第2の直列共振回路10を通過した第2の高周波信号とは合成され、出力端8aから、合成後の高周波信号が出力整合回路12に出力される。
 出力整合回路12に含まれている第2の並列共振回路13は、第2の高調波である3倍波の周波数で共振する。
 第1の直列共振回路9及び第2の直列共振回路10のそれぞれが、2倍波の周波数で共振することで、2倍波について、キャリア増幅器4及びピーク増幅器7におけるそれぞれの出力側に短絡端が形成される。即ち、キャリア増幅器4の出力端4a及びピーク増幅器7の出力端7aのそれぞれから負荷17側を見込んだ2倍波のインピーダンスが略ゼロになる。
 第1の並列共振回路11及び第2の並列共振回路13のそれぞれが、3倍波の周波数で共振することで、3倍波について、キャリア増幅器4及びピーク増幅器7におけるそれぞれの出力側に開放端が形成される。即ち、キャリア増幅器4の出力端4a及びピーク増幅器7の出力端7aのそれぞれから負荷17側を見込んだ3倍波のインピーダンスが無限大になる。
 2倍波について短絡端が形成されることで、キャリア増幅器4の電流源21(図2を参照)及びピーク増幅器7の電流源22(図2を参照)におけるそれぞれの2倍波のインピーダンスが略ゼロになるため、キャリア増幅器4及びピーク増幅器7のそれぞれがF級動作となる。したがって、キャリア増幅器4及びピーク増幅器7のそれぞれが高効率に動作する。
 負荷17側を見込んだ2倍波のインピーダンスが略ゼロに固定されるため、負荷17のインピーダンスZのうち、2倍波のインピーダンスが変動しても、負荷17側を見込んだ2倍波のインピーダンスは変動しない。また、負荷17側を見込んだ3倍波のインピーダンスが無限大に固定されるため、負荷17のインピーダンスZのうち、3倍波のインピーダンスが変動しても、負荷17側を見込んだ3倍波のインピーダンスは変動しない。
 したがって、負荷17における2倍波のインピーダンス、又は、負荷17における3倍波のインピーダンスが変動しても、ドハティ増幅器100における動作効率の劣化が防止される。
 次に、負荷変調回路8の動作を具体的に説明する。
 図2は、図1に示すドハティ増幅器100を示す等価回路図である。
 図2において、電流源21は、キャリア増幅器4を実現するトランジスタの電流源である。
 電流源22は、ピーク増幅器7を実現するトランジスタの電流源である。
 負荷変調回路8は、電流源21と電流源22とを結んでいる負荷変調線路に相当する回路であり、負荷変調回路8の特性インピーダンスは、Zである。負荷変調回路8の電気長は、θである。
 ドハティ増幅器100が、例えば、6dBのバックオフ動作を行う理想的なドハティ増幅器であれば、基本波の周波数で、Z=50Ωであり、かつ、θ=90°である。
 この場合、負荷変調回路8の出力端8aから負荷17側を見込んだインピーダンスは、25Ωになる。
 出力整合回路12の特性インピーダンスは、Zであり、出力整合回路12の電気長は、θである。出力整合回路12は、基本波の周波数において、負荷変調回路8の出力端8aのインピーダンスを負荷17のインピーダンスと整合させている。
 図3は、図2に示す負荷変調回路8及び出力整合回路12におけるそれぞれの具体的な構成を示す説明図である。
 負荷変調回路8は、図3に示すように、キャリア増幅器4の寄生容量Cds_c及びピーク増幅器7の寄生容量Cds_pを含んでいる。
 図3では、インダクタ9aとコンデンサ9bとを含む第1の直列共振回路9と、キャリア増幅器4の寄生容量Cds_cとからZpc部が構成されている。
 また、インダクタ10aとコンデンサ10bとを含む第2の直列共振回路10と、ピーク増幅器7の寄生容量Cds_pとからZpp部が構成されている。
 負荷変調回路8は、寄生容量Cds_c及び寄生容量Cds_pを含んでいるため、これらの寄生容量と同じ容量を有するコンデンサを別途備える必要がない。
 ここで、基本波の中心周波数fに対応する角周波数がωであるとき、コンデンサ9bの容量C0c、インダクタ9aのインダクタンスL0c、コンデンサ10bの容量C0p及びインダクタ10aのインダクタンスL0pは、以下の式(1)~(4)によって表される。
 式(1)及び式(2)から明らかなように、コンデンサ9bの容量C0c及びインダクタ9aのインダクタンスL0cのそれぞれは、キャリア増幅器4の寄生容量Cds_cに基づいて決定されている。式(3)及び式(4)から明らかなように、コンデンサ10bの容量C0p及びインダクタ10aのインダクタンスL0pのそれぞれは、ピーク増幅器7の寄生容量Cds_pに基づいて決定されている。
 また、コンデンサ11bの容量C及びインダクタ11aのインダクタンスLは、以下の式(5)~(6)によって表される。

Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
 式(1)~(6)において、Nは、第1の高調波を示す次数であり、図1に示すドハティ増幅器100では、第1の高調波が2倍波であるため、N=2である。
 Nは、第2の高調波を示す次数であり、図1に示すドハティ増幅器100では、第2の高調波が3倍波であるため、N=3である。
 図1に示すドハティ増幅器100では、負荷変調回路8が、基本波の中心周波数fにおいて、特性インピーダンスがZで、電気長がθである回路を実現している。
 Zpc部及びZpp部のそれぞれは、基本波の中心周波数fにおいて、容量性(図3では「C性」と表記されている)となり、2倍波の周波数N×fで直列共振することによって、2倍波について短絡端を形成している。
 第1の並列共振回路11は、基本波の中心周波数fにおいて、誘導性(図3では「L性」と表記されている)となり、3倍波の周波数N×fで並列共振することによって、3倍波について開放端を形成している。
 出力整合回路12は、基本波の中心周波数fにおいて、特性インピーダンスがZで、電気長がθである回路を実現している。
 第2の並列共振回路13は、基本波の中心周波数fにおいて、誘導性となり、3倍波の周波数N×fで並列共振することによって、3倍波について開放端を形成している。
 出力整合回路12は、インダクタ13aとコンデンサ13bとが並列に接続されている第2の並列共振回路13と、第2の並列共振回路13と並列に接続されているコンデンサ14と、第2の並列共振回路13と直列に接続されているインダクタ15とを備えている。第2の並列共振回路13と、コンデンサ14と、インダクタ15とは、非対称型のT型回路を構成している。
 基本波の中心周波数fに対応する角周波数がωであるとき、インダクタ13aのインダクタンスL、コンデンサ13bの容量C、インダクタ15のインダクタンスL及びコンデンサ14の容量Cは、以下の式(7)~(10)によって表される。

Figure JPOXMLDOC01-appb-I000002
 図4は、キャリア増幅器4の寄生容量Cds_c及びピーク増幅器7の寄生容量Cds_pのそれぞれが5.1[pF]であると仮定した場合の負荷変調回路8のインピーダンスの計算結果を示すスミスチャートである。
 図4に示すスミスチャートの規格化インピーダンスは、負荷変調回路8の特性インピーダンスZであり、負荷変調回路8の電気長θは、90度である。
 図4において、m_fcは基本波、m_2fcは2倍波、m_3fcは3倍波である。
 図5は、負荷変調回路8の反射係数をデシベル表記したグラフを示す説明図である。
 図5において、横軸は、規格化周波数、縦軸は、反射係数S11のデシベル値を示している。
 図6は、負荷変調回路8の通過位相の計算結果を示す説明図である。
 図6において、横軸は、規格化周波数、縦軸は、通過位相を示している。
 図4及び図5より、基本波の中心周波数fにおいて、負荷変調回路8のインピーダンスが、特性インピーダンスZに整合していることが分かる。
 また、図4より、2倍波の周波数において、短絡端が形成されていることが分かる。図6より、基本波の中心周波数fにおいて、負荷変調回路8の通過位相が90°に設定できていることが分かる。
 図7は、キャリア増幅器4の寄生容量Cds_c及びピーク増幅器7の寄生容量Cds_pのそれぞれが5.1[pF]であると仮定した場合の出力整合回路12のインピーダンスの計算結果を示すスミスチャートである。
 図7に示すスミスチャートの規格化インピーダンスは、出力整合回路12の特性インピーダンスZであり、出力整合回路12の電気長θは、90度である。
 図7において、m_fcは基本波、m_2fcは2倍波、m_3fcは3倍波である。
 図8は、出力整合回路12の反射係数をデシベル表記したグラフを示す説明図である。
 図8において、横軸は、規格化周波数、縦軸は、反射係数S11のデシベル値を示している。
 図9は、出力整合回路12の通過位相の計算結果を示す説明図である。
 図9において、横軸は、規格化周波数、縦軸は、通過位相を示している。
 図7及び図8より、基本波の中心周波数fにおいて、出力整合回路12のインピーダンスが、特性インピーダンスZに整合していることが分かる。
 また、図7より、3倍波の周波数において、開放端が形成されていることが分かる。図9より、基本波の中心周波数fにおいて、出力整合回路12の通過位相が90°に設定できていることが分かる。
 以上の実施の形態1では、第1の高調波及び第2の高調波のそれぞれを有する第1の高周波信号を増幅するキャリア増幅器4と、第1の高調波及び第2の高調波のそれぞれを有する第2の高周波信号を増幅するピーク増幅器7と、キャリア増幅器4の出力端4aとグランドとの間に接続されており、第1の高調波の周波数で共振する第1の直列共振回路9と、ピーク増幅器7の出力端7aとグランドとの間に接続されており、第1の高調波の周波数で共振する第2の直列共振回路10と、キャリア増幅器4の出力端4aと一端が接続され、ピーク増幅器7の出力端7aと他端が接続されており、第2の高調波の周波数で共振する第1の並列共振回路11と、ピーク増幅器7の出力端7a及び第1の並列共振回路11の他端のそれぞれと一端が接続され、負荷17と他端が電気的に接続されており、第2の高調波の周波数で共振する第2の並列共振回路13とを備えるように、ドハティ増幅器100を構成した。したがって、ドハティ増幅器100は、負荷17のインピーダンスの変動に伴う、第1の高調波及び第2の高調波におけるそれぞれのインピーダンスの変動を防ぐことができる。
実施の形態2.
 実施の形態2では、第1の高調波が、高周波信号に含まれている基本波の3倍波であり、第2の高調波が、高周波信号に含まれている基本波の2倍波である場合のドハティ増幅器100について説明する。
 実施の形態2に係るドハティ増幅器100の構成は、実施の形態1に係るドハティ増幅器100の構成と同様であり、実施の形態2に係るドハティ増幅器100を示す構成図は、図1である。
 実施の形態2に係るドハティ増幅器100では、式(1)~(4)において、N=3である。また、式(5)~(8)において、N=2である。
 実施の形態2に係るドハティ増幅器100では、第1の直列共振回路9及び第2の直列共振回路10のそれぞれが、3倍波の周波数で共振することで、3倍波について、キャリア増幅器4及びピーク増幅器7におけるそれぞれの出力側に短絡端が形成される。即ち、キャリア増幅器4の出力端4a及びピーク増幅器7の出力端7aのそれぞれから負荷17側を見込んだ3倍波のインピーダンスが略ゼロになる。
 第1の並列共振回路11及び第2の並列共振回路13のそれぞれが、2倍波の周波数で共振することで、2倍波について、キャリア増幅器4及びピーク増幅器7におけるそれぞれの出力側に開放端が形成される。即ち、キャリア増幅器4の出力端4a及びピーク増幅器7の出力端7aのそれぞれから負荷17側を見込んだ2倍波のインピーダンスが無限大になる。
 3倍波について短絡端が形成されることで、キャリア増幅器4の電流源21及びピーク増幅器7の電流源22におけるそれぞれの3倍波のインピーダンスが略ゼロになるため、キャリア増幅器4及びピーク増幅器7のそれぞれが逆F級動作となる。したがって、キャリア増幅器4及びピーク増幅器7のそれぞれが高効率に動作する。
 負荷17側を見込んだ3倍波のインピーダンスが略ゼロに固定されるため、負荷17のインピーダンスZのうち、3倍波のインピーダンスが変動しても、負荷17側を見込んだ3倍波のインピーダンスは変動しない。また、負荷17側を見込んだ2倍波のインピーダンスが無限大に固定されるため、負荷17のインピーダンスZのうち、2倍波のインピーダンスが変動しても、負荷17側を見込んだ2倍波のインピーダンスは変動しない。
 したがって、負荷17における2倍波のインピーダンス、又は、負荷17における3倍波のインピーダンスが変動しても、ドハティ増幅器100における動作効率の劣化が防止される。
 実施の形態1に係るドハティ増幅器100では、第1の高調波が2倍波、第2の高調波が3倍波であるものを示している。また、実施の形態2に係るドハティ増幅器100では、第1の高調波が3倍波、第2の高調波が2倍波であるものを示している。
 しかし、これは一例に過ぎず、例えば、第1の高調波が3倍波、第2の高調波が4倍波であってもよいし、第1の高調波が4倍波、第2の高調波が3倍波であってもよい。
 また、第1の高調波が4倍波、第2の高調波が5倍波であってもよいし、第1の高調波が5倍波、第2の高調波が4倍波であってもよい。
 実施の形態1,2に係るドハティ増幅器100では、位相補正回路5が、90度線路によって実現されている。しかし、これは一例に過ぎず、位相補正回路5は、表面実装部品によって実現されているものであってもよい。
 実施の形態1,2に係るドハティ増幅器100は、MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)によって実現されているものであってもよい。ドハティ増幅器100が、MMICによって実現される場合、インダクタ9a,10a,11a,13a,15は、スパイラルインダクタによって実現される。また、コンデンサ9b,10b,11b,13b,14は、MIM(Metal Insulator Metal)キャパシタによって実現される。ドハティ増幅器100が、MMICによって実現される場合、ドハティ増幅器100が、表面実装部品によって実現される場合よりも小型化できる。
 実施の形態1,2に係るドハティ増幅器100では、インダクタ9a,10a,11a,13a,15の一部、又は、コンデンサ9b,10b,11b,13b,14の一部が、MIC(Microwave Monolithic Circuit)によって実現されていてもよいし、表面実装部品によって実現されていてもよい。
 また、インダクタ9a,10a,11a,13a,15における一部のインダクタンス成分が、ワイヤ、基板上の配線パターン、又は、多層基板の内層パターンによって実現されていてもよい。一部のインダクタンス成分が、ワイヤ等によって実現される場合、MMIC内部のスパイラルインダクタによって実現される場合よりも、低損失なインダクタンス成分が実現されるため、更なる高効率化を実現できる。
 なお、本開示は、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
 本開示は、ドハティ増幅器に適している。
 1 入力端子、2 信号分配器、3 入力整合回路、4 キャリア増幅器、4a 出力端、5 位相補正回路、6 入力整合回路、7 ピーク増幅器、7a 出力端、8 負荷変調回路、8a 出力端、9 第1の直列共振回路、9a インダクタ、9b コンデンサ、10 第2の直列共振回路、10a インダクタ、10b コンデンサ、11 第1の並列共振回路、11a インダクタ、11b コンデンサ、12 出力整合回路、13 第2の並列共振回路、13a インダクタ、13b コンデンサ、14 コンデンサ、15 インダクタ、16 出力端子、17 負荷、21,22 電流源、100 ドハティ増幅器。

Claims (6)

  1.  第1の高調波及び第2の高調波のそれぞれを有する第1の高周波信号を増幅するキャリア増幅器と、
     前記第1の高調波及び前記第2の高調波のそれぞれを有する第2の高周波信号を増幅するピーク増幅器と、
     前記キャリア増幅器の出力端とグランドとの間に接続されており、前記第1の高調波の周波数で共振する第1の直列共振回路と、
     前記ピーク増幅器の出力端とグランドとの間に接続されており、前記第1の高調波の周波数で共振する第2の直列共振回路と、
     前記キャリア増幅器の出力端と一端が接続され、前記ピーク増幅器の出力端と他端が接続されており、前記第2の高調波の周波数で共振する第1の並列共振回路と、
     前記ピーク増幅器の出力端及び前記第1の並列共振回路の他端のそれぞれと一端が接続され、負荷と他端が電気的に接続されており、前記第2の高調波の周波数で共振する第2の並列共振回路と
     を備えたドハティ増幅器。
  2.  前記ピーク増幅器の出力端及び前記第1の並列共振回路の他端のそれぞれと一端が接続され、負荷と他端が接続されており、前記第2の並列共振回路を含んでいる出力整合回路を備え、
     前記出力整合回路は、前記第2の並列共振回路のほかに、
     前記第2の並列共振回路の他端とグランドとの間に接続されているコンデンサと、
     前記第2の並列共振回路の他端と一端が接続され、前記負荷と他端が接続されているインダクタとを備えていることを特徴とする請求項1記載のドハティ増幅器。
  3.  前記第1の高調波は、前記第1の高周波信号及び前記第2の高周波信号のそれぞれに含まれている基本波の2倍波であり、
     前記第2の高調波は、前記基本波の3倍波であり、
     前記第1の直列共振回路と前記第2の直列共振回路とが、前記2倍波について、前記キャリア増幅器及び前記ピーク増幅器におけるそれぞれの出力側に短絡端を形成し、
     前記第1の並列共振回路と前記第2の並列共振回路とが、前記3倍波について、前記キャリア増幅器及び前記ピーク増幅器におけるそれぞれの出力側に開放端を形成することを特徴とする請求項1記載のドハティ増幅器。
  4.  前記第1の高調波は、前記第1の高周波信号及び前記第2の高周波信号のそれぞれに含まれている基本波の3倍波であり、
     前記第2の高調波は、前記基本波の2倍波であり、
     前記第1の直列共振回路と前記第2の直列共振回路とが、前記3倍波について、前記キャリア増幅器及び前記ピーク増幅器におけるそれぞれの出力側に短絡端を形成し、
     前記第1の並列共振回路と前記第2の並列共振回路とが、前記2倍波について、前記キャリア増幅器及び前記ピーク増幅器におけるそれぞれの出力側に開放端を形成することを特徴とする請求項1記載のドハティ増幅器。
  5.  前記第1の直列共振回路は、インダクタとコンデンサとが直列に接続されている直列回路であり、
     前記インダクタのインダクタンス及び前記コンデンサの容量のそれぞれは、前記キャリア増幅器の寄生容量に基づいて決定されていることを特徴とする請求項1記載のドハティ増幅器。
  6.  前記第2の直列共振回路は、インダクタとコンデンサとが直列に接続されている直列回路であり、
     前記インダクタのインダクタンス及び前記コンデンサの容量のそれぞれは、前記ピーク増幅器の寄生容量に基づいて決定されていることを特徴とする請求項1記載のドハティ増幅器。
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