WO2022239696A1 - 半導体装置 - Google Patents

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Definitions

  • the present disclosure relates to semiconductor devices.
  • FIG. 34 is a cross-sectional view taken along line XXXIV-XXXIV of FIG. 33.
  • FIG. 35 is a cross-sectional view taken along line XXXV-XXXV of FIG. 33.
  • FIG. FIG. 36 is a partially enlarged plan view of a modification of the semiconductor device shown in FIG. 33, which is transparent through the sealing resin.
  • FIG. 37 is a partially enlarged plan view of the semiconductor device according to the seventh embodiment of the present disclosure, enlarging the first element and its surroundings and seeing through the sealing resin. 38 is a cross-sectional view taken along line XXXVIII-XXXVIII of FIG. 37.
  • the support member 10 is composed of the same lead frame together with the plurality of terminal leads 13 .
  • the lead frame is copper (Cu) or a copper alloy.
  • the composition of the support member 10 and the plurality of terminal leads 13 includes copper (ie, these members contain copper).
  • the support member 10 has electrical conductivity.
  • the support member 10 includes a first die pad 10A and a second die pad 10B spaced apart from each other in the first direction x, as shown in FIGS.
  • Support member 10 has a main surface 101 and a back surface 102 .
  • the main surface 101 faces the thickness direction z.
  • Main surface 101 is covered with sealing resin 50 .
  • a semiconductor element 21 is mounted on the main surface 101 . Therefore, the back surface 102 faces the side opposite to the side where the semiconductor element 21 is located in the thickness direction z.
  • the rear surface 102 is exposed from the sealing resin 50 .
  • Back surface 102 is plated with tin (Sn), for example.
  • the sealing resin 50 is applied to the semiconductor element 21, the conductive member 30, and a portion of the support member 10 (a portion of each of the first die pad 10A and the second die pad 10B). ) and Furthermore, the sealing resin 50 partially covers each of the plurality of terminal leads 13 .
  • the sealing resin 50 has electrical insulation.
  • Sealing resin 50 is made of a material containing, for example, black epoxy resin.
  • the dimension L1 of the sealing resin 50 in the first direction x is longer than the dimension L2 of the sealing resin 50 in the second direction y.
  • the sealing resin 50 has a top surface 51 , a bottom surface 52 , a pair of first side surfaces 53 , a second side surface 54 , a third side surface 55 , a plurality of recesses 56 and grooves 57 .
  • the plurality of terminal leads 13 are positioned on one side of the support member 10 in the second direction y, as shown in FIG. A plurality of terminal leads 13 are electrically connected to the semiconductor element 21 . A plurality of terminal leads 13 are arranged along the first direction x.
  • the plurality of terminal leads 13 includes a first input terminal 14 , an output terminal 15 , a second input terminal 16 , a first gate terminal 171 , a second gate terminal 172 , a first sense terminal 181 and a second sense terminal 182 .
  • the output terminal 15 includes a portion extending along the second direction y and is connected to the second die pad 10B. Therefore, the output terminal 15 is electrically connected to the second electrode 212 of the second element 21B through the second die pad 10B.
  • the AC power converted by the semiconductor element 21 is output from the output terminal 15 .
  • the output terminal 15 has a covered portion 15A and an exposed portion 15B.
  • the covering portion 15A is connected to the second die pad 10B and covered with the sealing resin 50. As shown in FIG. When viewed in the first direction x, the covering portion 15A is bent in the same manner as the covering portion 14A of the first input terminal 14 . As shown in FIGS.
  • the conduction member 30 forms a conduction path in the semiconductor device A10 together with the support member 10 and the plurality of terminal leads 13.
  • the composition of the conducting member 30 contains copper.
  • Conductive member 30 is a metal clip.
  • conductive member 30 includes a first conductive member 31 and a second conductive member 32, as shown in FIGS.
  • the second joint portion 313 is joined to the first bearing surface 103 of the second die pad 10B.
  • the second joint portion 313 extends in the second direction y. At least part of the second joint portion 313 is housed in a region defined by the first seat surface 103 and the first standing surface 104 of the second die pad 10B.
  • the second joint portion 313 is connected to the body portion 311 .
  • the second joint portion 313 is located on the opposite side of the first joint portion 312 with the body portion 311 interposed therebetween.
  • the fourth joint portion 323 is joined to the second seating surface 16C of the second input terminal 16. As shown in FIG. The fourth joint portion 323 extends in the first direction x. At least part of the fourth joint portion 323 is accommodated in a region defined by the second seat surface 16C and the second upright surface 16D of the second input terminal 16. As shown in FIG. The fourth joint portion 323 is connected to the body portion 321 . The fourth joint portion 323 is located on the side opposite to the third joint portion 322 with the body portion 321 interposed therebetween.
  • the semiconductor device A10 further includes a third bonding layer 35, as shown in FIGS. In FIG. 14, the third bonding layer 35 is indicated by a plurality of points.
  • the third bonding layer 35 is interposed between the first electrode 211 of the second element 21B and the third bonding portion 322 .
  • the third bonding layer 35 bonds the first electrode 211 of the second element 21B and the third bonding portion 322 .
  • the third bonding layer 35 has conductivity.
  • the third bonding layer 35 is solder.
  • the thickness t of the third bonding portion 322 is 0.1 mm or more and twice the maximum thickness T max of the third bonding layer 35 or less.
  • the maximum thickness T max of the third bonding layer 35 is greater than the thickness of the second element 21B.
  • the semiconductor device A10 further includes a fourth bonding layer 36, as shown in FIGS.
  • the fourth bonding layer 36 is interposed between the second seating surface 16 ⁇ /b>C of the second input terminal 16 and the fourth bonding portion 323 .
  • the fourth joint layer 36 joins the covering portion 16A of the second input terminal 16 and the fourth joint portion 323 .
  • the fourth bonding layer 36 has conductivity.
  • the fourth bonding layer 36 is solder.
  • the first restrictor 37A faces the first bonding layer 33 in the first direction x.
  • the first restricting body 37A is in contact with the first bonding layer 33 and the end surface 312B of the first bonding portion 312 of the first conduction member 31 .
  • the first restricting body 37A includes a first portion 371 and a second portion 372 that are separated from each other in the second direction y. A portion of the first bonding layer 33 is located between the first portion 371 and the second portion 372 .
  • the second restrictor 37B faces the third bonding layer 35 in the first direction x.
  • the second restrictor 37B is in contact with the third bonding layer 35 and the end surface 322B of the third bonding portion 322 of the second conduction member 32 .
  • the second restrictor 37B includes a first portion 371 and a second portion 372 that are separated from each other in the second direction y. A portion of the third bonding layer 35 is located between the first portion 371 and the second portion 372 .
  • the pair of detection wires 42 includes the second electrodes 212 of the first element 21A and the second element 21B, the covering portion 181A of the first detecting terminal 181, and the covering portion 182A of the second detecting terminal 182. and are joined separately.
  • the first detection terminal 181 is electrically connected to the second electrode 212 of the first element 21A.
  • the second detection terminal 182 is electrically connected to the second electrode 212 of the second element 21B.
  • the composition of the pair of sensing wires 42 includes gold.
  • the composition of the pair of detection wires 42 may contain copper or aluminum.
  • the semiconductor device A10 includes a semiconductor element 21 (first element 21A) having a first electrode 211, a conduction member 30 (first conduction member 31) having a first joint portion 312 facing the semiconductor element 21, and a first electrode 211. 211 and a bonding layer (first bonding layer 33 ) interposed between the first bonding portion 312 .
  • the semiconductor device A10 further includes a regulating body 37 (first regulating body 37A) joined to the first electrode 211 .
  • the regulator 37 faces the first bonding layer 33 in a direction perpendicular to the thickness direction z.
  • the first joint portion 312 of the conducting member 30 has an end face 312B facing the first direction x.
  • the end surface 312B is in contact with the restrictor 37.
  • the first bonding portion 312 is bonded to the first electrode 211 of the semiconductor element 21 via the first bonding layer 33 , the first bonding portion 312 is positioned in the first direction x to the gate electrode 213 of the semiconductor element 21 .
  • the end face 312B comes into contact with the regulating body 37. Therefore, the end face 312B serves as means for bringing the first joint portion 312 into contact with the restricting body 37 more reliably.
  • the regulating body 37 includes a first portion 371 and a second portion 372 positioned apart from each other in the second direction y. As a result, it is possible to reduce the volume of the regulation body 37 while suppressing the displacement of the conductive member 30 with respect to the first electrode 211 of the semiconductor element 21 . Furthermore, the regulator 37 contains a metal element. The metal element is aluminum. As a result, the regulating body 37 becomes a conductive path between the first electrode 211 of the semiconductor element 21 and the first joint portion 312 of the conductive member 30 . In addition, the liquid repellency of the melted first bonding layer 33 with respect to the regulator 37 is improved. Therefore, the regulating body 37 can more effectively block the melted first bonding layer 33 .
  • the sealing resin 50 has a plurality of recesses 56 recessed from the third side surface 55 in the second direction y. With this configuration, any two terminal leads 13 among the plurality of terminal leads 13 (excluding the first gate terminal 171 and the first detection terminal 181 and the second gate terminal 172 and the second detection terminal 182). A longer creepage distance of the sealing resin 50 between is ensured. Thereby, the withstand voltage of the semiconductor device A10 can be improved.
  • the sealing resin 50 has a groove portion 57 recessed from the bottom surface 52 and dividing the rear surface 102 of the first die pad 10A and the rear surface 102 of the second die pad 10B when viewed in the thickness direction z.
  • This configuration ensures a longer creeping distance of the sealing resin 50 between the first die pad 10A and the second die pad 10B. This makes it possible to further improve the withstand voltage of the semiconductor device A10.
  • thermal strain in the first direction x of the sealing resin 50 can be dispersed. As a result, concentration of thermal strain on the pair of first side surfaces 53 of the sealing resin 50 can be alleviated.
  • FIGS. 16 and 18 are transparent through the sealing resin 50 for convenience of understanding.
  • the position in FIG. 16 is the same as the position in FIG. 12 of the semiconductor device A10.
  • the position in FIG. 18 is the same as the position in FIG. 14 of the semiconductor device A10.
  • the semiconductor device A20 differs from the semiconductor device A10 in the configuration of the regulator 37.
  • the first restricting body 37A is joined to the joint surface 312A of the first joint portion 312 of the first conducting member 31. As shown in FIGS. The first restrictor 37A is in contact with the first electrode 211 of the first element 21A. Therefore, like the first bonding layer 33, the first restricting body 37A is interposed between the first electrode 211 of the first element 21A and the bonding surface 312A. In the semiconductor device A20, the first restricting body 37A is formed by bonding a metal block to the bonding surface 312A by wire bonding.
  • FIG. 20 is transparent through the sealing resin 50 for convenience of understanding.
  • the position of FIG. 20 is the same as the position of FIG.
  • the configuration of this modification includes not only the relationship between the first electrode 211 of the first element 21A and the first conductive member 31 shown below, but also the relationship between the first electrode 211 of the second element 21B shown in FIGS. , the relationship with the second conductive member 32 .
  • the first electrode 211 of the first element 21A has an extension 211B.
  • the extended portion 211B is located on the side opposite to the first joint portion 312 with the tip portion 314 interposed therebetween.
  • the first bonding layers 33 are positioned on both sides of the first restrictor 37A in the first direction x.
  • the first bonding layer 33 is in contact with the extended portion 211B of the first electrode 211 of the first element 21A and the distal end portion 314 of the first conductive member 31 .
  • the second restricting body 37B is also sandwiched between the first electrode 211 of the second element 21B and the joint surface 322A of the third joint portion 322 of the second conductive member 32. As shown in FIG. With this configuration, the maximum thickness T max of the third bonding layer 35 can be made equal (or substantially equal) to the thickness of the second restrictor 37B. Therefore, it becomes easy to manage the maximum thickness T max of the third bonding layer 35 .
  • the conduction member 30 of the semiconductor device A21 has a tip portion 314 connected to the first joint portion 312 .
  • the distal end portion 314 is formed on the joint surface of the first joint portion 312 in a direction away from the first electrode 211 of the semiconductor element 21 in the thickness direction z as it becomes farther from the first joint portion 312 in the direction orthogonal to the thickness direction z. It is tilted with respect to 312A.
  • the first electrode 211 when viewed in the thickness direction z, has an extended portion 211B located on the opposite side of the first joint portion 312 with the tip portion 314 interposed therebetween.
  • the first bonding layer 33 is in contact with the extended portion 211B, and the first bonding layer 33 crawls up along the tip portion 314 . Thereby, a fillet having a relatively large volume is formed in the first bonding layer 33 . Therefore, it is possible to improve the bonding strength of the conductive member 30 to the first electrode 211 and allow a larger current to flow through the conductive member 30 .
  • the inclination angle ⁇ of the tip portion 314 with respect to the joint surface 312A is preferably 30° or more and 60° or less. When the inclination angle ⁇ is set within this range, the formation of the fillet of the first bonding layer 33 is promoted and the concentration of thermal stress at the interface between the extension portion 211B and the first bonding layer 33 is reduced.
  • the regulator 37 contains a metal element.
  • the metal element is aluminum.
  • the regulating body 37 becomes a conductive path between the first electrode 211 of the semiconductor element 21 and the first joint portion 312 of the conductive member 30 .
  • the liquid repellency of the melted first bonding layer 33 with respect to the regulator 37 is improved.
  • the reaction force that the regulation body 37 receives from the first bonding layer 33 is increased. Therefore, the effect of restraining the displacement of the conducting member 30 by the restricting body 37 is improved.
  • the first joint portion 312 of the first conduction member 31 includes two regions that are separated from each other in the second direction y. As shown in FIG. 25, one of the two regions is bonded to the top electrode 221 of the first diode 22A via the first bonding layer 33. As shown in FIG. Thereby, the upper surface electrode 221 of the first diode 22A is electrically connected to the first electrode 211 of the first element 21A through the first conduction member 31. As shown in FIG.
  • the regulator 37 of the semiconductor device A40 includes a third regulator 37C joined to the upper electrode 221 of the first diode 22A and a fourth regulator 37D joined to the upper electrode 221 of the second diode 22B.
  • the semiconductor device A50 differs from the semiconductor device A10 in the configuration of the conductive member 30.
  • the convex portion 38 protrudes in the thickness direction z from the joint surface 312A of the third joint portion 322 toward the first electrode 211 of the second element 21B.
  • the convex portion 38 is in contact with the first electrode 211 of the second element 21B and the third bonding layer 35 .
  • the dimension d of the convex portion 38 in the thickness direction z is smaller than the dimension h of the second restricting body 37B in the thickness direction z.
  • the projection 38 has a circular shape when viewed in the thickness direction z.
  • the projection 38 may have a polygonal shape such as a square shape when viewed in the thickness direction z.
  • the convex portion 38 of the first conduction member 31 includes a first convex portion 381 and a second convex portion 382 that are positioned apart from each other in the first direction x.
  • the shape and size of the first protrusion 381 and the second protrusion 382 are equal to each other.
  • FIG. 32 is transparent through the sealing resin 50 for convenience of understanding.
  • the position of FIG. 32 is the same as the position of FIG.
  • the configuration of this modification can be applied not only to the first conduction member 31 described below, but also to the second conduction member 32 shown in FIGS.
  • the convex portion 38 of the first conduction member 31 includes a first convex portion 381 and a second convex portion 382 that are positioned apart from each other in the second direction y.
  • the first protrusion 381 and the second protrusion 382 extend in the first direction x. That is, the first protrusion 381 and the second protrusion 382 extend in a direction orthogonal to the thickness direction z and the direction in which the first protrusion 381 and the second protrusion 382 separate from each other.
  • the dimension a in the first direction x is larger than the dimension b in the second direction y.
  • the first protrusion 381 and the second protrusion 382 of the protrusion 38 are orthogonal to the thickness direction z and the direction in which the first protrusion 381 and the second protrusion 382 are separated from each other. extending in the direction
  • the first bonding portion 312 of the conductive member 30 is bonded to the first electrode 211 of the semiconductor element 21 via the first bonding layer 33, the first bonding portion 312 moves in the first direction x and in the first direction. Rotational displacement around each of the two directions y can be suppressed.
  • FIG. 33 is transparent through the sealing resin 50 for convenience of understanding.
  • the position in FIG. 33 is the same as the position in FIG. 27 of the semiconductor device A50.
  • the configuration of the present embodiment includes not only the relationship between the first electrode 211 of the first element 21A and the first conductive member 31 described below, but also the relationship between the first electrode 211 of the second element 21B and the relationship shown in FIGS. , the relationship with the second conductive member 32 .
  • the first electrode 211 of the first element 21A includes two regions separated from each other in the first direction x.
  • the first conducting member 31 has two first joints 312 spaced apart from each other in the first direction x.
  • One side of the two first joint portions 312 in the second direction y is connected to the body portion 311 of the first conduction member 31 .
  • the convex portion 38 protrudes in the thickness direction z from the joint surfaces 312A of the two first joint portions 312 toward the first electrode 211 of the first element 21A.
  • the convex portion 38 is in contact with the first electrode 211 of the first element 21A and the first bonding layer 33 .
  • the convex portion 38 includes a first convex portion 381 and a second convex portion 382 spaced apart from each other in the first direction x.
  • the first convex portion 381 is provided on one first joint portion 312 of the two first joint portions 312 .
  • the second convex portion 382 is provided on the other first joint portion 312 of the two first joint portions 312 . As shown in FIG.
  • the semiconductor device A60 includes a semiconductor element 21 (first element 21A) having a first electrode 211, a conduction member 30 (first conduction member 31) having a first joint portion 312 facing the semiconductor element 21, and a first electrode 211. 211 and a bonding layer (first bonding layer 33 ) interposed between the first bonding portion 312 .
  • the semiconductor device A50 further includes a regulating body 37 (first regulating body 37A) joined to the first electrode 211 .
  • the regulator 37 faces the first bonding layer 33 in a direction perpendicular to the thickness direction z.
  • the semiconductor device A60 can also suppress the displacement of the conductive member 30 with respect to the electrode (first electrode 211) of the semiconductor element 21.
  • FIG. since the semiconductor device A60 has the same configuration as the semiconductor device A10, the semiconductor device A60 also exhibits the effects of the configuration.
  • the conducting member 30 of the semiconductor device A60 has the projections 38 provided on the two first joints 312 .
  • the convex portion 38 protrudes in the thickness direction z toward the first electrode 211 of the semiconductor element 21 .
  • the protrusion 38 is in contact with the first electrode 211 . Therefore, since the semiconductor device A60 can also control the maximum thickness T max of the first bonding layer 33 shown in FIG. 34, it is possible to improve the durability of the semiconductor device A60 against temperature cycles and power cycles. . Furthermore, the generation of voids in the first bonding layer 33 can be suppressed.
  • FIG. 37 is transparent through the sealing resin 50 for convenience of understanding.
  • the position in FIG. 37 is the same as the position in FIG. 16 of the semiconductor device A20.
  • the configuration of this embodiment is not limited to the relationship between the first conducting member 31 and the first restricting body 37A described below, but also the relationship between the second conducting member 32 and the second restricting body 37B shown in FIGS. can also be applied.
  • the semiconductor device A70 differs from the semiconductor device A20 in the configuration of the conductive member 30 and the restrictor 37.
  • the recessed portion 39 is recessed in the thickness direction z from the upper surface 312D of the first joint portion 312 toward the first electrode 211 of the first element 21A.
  • the upper surface 312D faces the side opposite to the joint surface 312A of the first joint portion 312 in the thickness direction z and is connected to the end surface 312B of the first joint portion 312 .
  • the shape of the recessed portion 39 approximates the shape of the convex portion 38 when viewed in the thickness direction z.
  • the recessed portion 39 overlaps the convex portion 38 when viewed in the thickness direction z. In this case, the dimension d in the thickness direction z of the convex portion 38 is equal to or less than the thickness t of the first joint portion 312 .
  • the conducting member 30 of the semiconductor device A70 has a convex portion 38 provided on the first joint portion 312 .
  • the convex portion 38 protrudes in the thickness direction z toward the first electrode 211 of the semiconductor element 21 .
  • the protrusion 38 is in contact with the first electrode 211 . Therefore, since the semiconductor device A70 can also control the maximum thickness T max of the first bonding layer 33 shown in FIG. 38, it is possible to improve the durability of the semiconductor device A70 against temperature cycles and power cycles. . Furthermore, the generation of voids in the first bonding layer 33 can be suppressed.
  • the dimension d in the thickness direction z of the protrusion 38 shown in FIG. 38 is larger than the dimension h in the thickness direction z of the restricting body 37.
  • FIGS. A semiconductor device A80 according to the eighth embodiment of the present disclosure will be described as shown in FIGS.
  • elements identical or similar to those of the semiconductor device A10 described above are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.
  • FIG. 39 is transparent through the sealing resin 50 for convenience of understanding.
  • the position in FIG. 39 is the same as the position in FIG. 22 of the semiconductor device A30.
  • the configuration of this embodiment can be applied not only to the first conducting member 31 described below, but also to the second conducting member 32 shown in FIG.
  • the semiconductor device A80 differs from the semiconductor device A30 in the configuration of the conducting member 30.
  • the first conducting member 31 has a convex portion 38 and an indented portion 39. As shown in FIG. The convex portion 38 and the recessed portion 39 are provided at the first joint portion 312 of the first conducting member 31 . The convex portion 38 and the recessed portion 39 can be formed by pressing the first joint portion 312 .
  • the recessed portion 39 is recessed in the thickness direction z from the upper surface 312D of the first joint portion 312 toward the first electrode 211 of the first element 21A.
  • the upper surface 312D faces the side opposite to the joint surface 312A of the first joint portion 312 in the thickness direction z and is connected to the end surface 312B of the first joint portion 312 .
  • the shape of the recessed portion 39 approximates the shape of the convex portion 38 when viewed in the thickness direction z.
  • the recessed portion 39 overlaps the convex portion 38 when viewed in the thickness direction z. In this case, the dimension d in the thickness direction z of the convex portion 38 is equal to or less than the thickness t of the first joint portion 312 .
  • the semiconductor device A80 includes a semiconductor element 21 (first element 21A) having a first electrode 211, a conduction member 30 (first conduction member 31) having a first joint portion 312 facing the semiconductor element 21, and a first electrode 211. 211 and a bonding layer (first bonding layer 33 ) interposed between the first bonding portion 312 .
  • the first electrode 211 has a first recess 211A recessed in a direction orthogonal to the thickness direction z.
  • the first joint portion 312 has a second concave portion 312C that is concave in a direction orthogonal to the thickness direction z. When viewed in the thickness direction z, the second recess 312C overlaps the first recess 211A.
  • the semiconductor device A80 can also allow the positional deviation of the conductive member 30 with respect to the electrode (first electrode 211) of the semiconductor element 21.
  • FIG. since the semiconductor device A80 has the same configuration as the semiconductor device A10, the semiconductor device A80 also exhibits the effects of the configuration.
  • the conductive member 30 of the semiconductor device A80 has a convex portion 38 provided on the first joint portion 312 .
  • the convex portion 38 protrudes in the thickness direction z toward the first electrode 211 of the semiconductor element 21 .
  • the protrusion 38 is in contact with the first electrode 211 . Therefore, since the semiconductor device A80 can also control the maximum thickness T max of the first bonding layer 33 shown in FIG. 40, it is possible to improve the durability of the semiconductor device A80 against temperature cycles and power cycles. . Furthermore, the generation of voids in the first bonding layer 33 can be suppressed.
  • the conductive member has a tip portion connected to the first joint portion, The tip portion is inclined with respect to the joint surface in a direction away from the first electrode in the thickness direction as the distance from the first joint portion increases in a direction orthogonal to the thickness direction, 8.
  • Appendix 9. The semiconductor device according to any one of appendices 1 to 8, wherein the regulator is in contact with the bonding layer.
  • the semiconductor element has a gate electrode positioned on the same side as the first electrode in the thickness direction, 10.
  • a semiconductor element having a first electrode; a conductive member having a first joint facing the first electrode; a bonding layer interposed between the first electrode and the first bonding portion; the first electrode has a first recess recessed in a direction perpendicular to the thickness direction of the semiconductor element, The first joint has a second recess recessed in a direction orthogonal to the thickness direction, The semiconductor device, wherein the second recess overlaps the first recess when viewed in the thickness direction.
  • the semiconductor element has a gate electrode positioned on the same side as the first electrode in the thickness direction, 12.
  • Appendix 13. further comprising a support member located on the opposite side of the semiconductor element from the first joint portion in the thickness direction; 13.
  • Appendix 14. 14 The semiconductor device according to appendix 13, further comprising a sealing resin that covers the semiconductor element, the conduction member, and part of the support member.
  • Appendix 15. further comprising a plurality of terminal leads electrically connected to the semiconductor element; 15.
  • the semiconductor device according to appendix 14 wherein a part of each of the plurality of terminal leads is covered with the sealing resin.
  • Appendix 16. The support member has conductivity, The semiconductor element has a second electrode facing the support member, The second electrode is joined to the support member, 16.
  • the semiconductor device according to appendix 15, wherein one of the plurality of terminal leads is connected to the support member.
  • Appendix 17. The conducting member has a main body portion to which the first joint portion is connected, and a second joint portion connected to the main body portion and positioned apart from the first joint portion, 17.
  • the conducting member has a convex portion provided at the first joint portion and protruding in the thickness direction toward the first electrode; 18.
  • Appendix 19 The conductive member has a recessed portion provided in the first joint portion and recessed in the thickness direction toward the first electrode, 19.
  • the convex portion includes a first convex portion and a second convex portion positioned apart from each other in a direction perpendicular to the thickness direction, The first convex portion and the second convex portion extend in a direction orthogonal to the thickness direction and the direction in which the first convex portion and the second convex portion separate from each other. 21.

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

半導体装置は、第１電極を有する半導体素子と、前記第１電極に対向する第１接合部を有する導通部材と、前記第１電極と前記第１接合部との間に介在する接合層と、前記第１電極および前記第１接合部のいずれかに接合された規制体とを備える。前記半導体素子の厚さ方向に対して直交する方向において、前記規制体は、前記接合層に対向している。

Description

半導体装置
　本開示は、半導体装置に関する。
　特許文献１には、導体層に複数の半導体素子が接合された半導体装置（パワーモジュール）の一例が開示されている。当該半導体装置は、導体層と複数の半導体素子とに接合された複数の接続金属部材を備える。これにより、複数の半導体素子に大きな電流を流すことができる。
　しかし、特許文献１に開示されている半導体装置において、複数の接続金属部材の少なくともいずれかが、その接合対象となる半導体素子の電極に対して位置ずれを起こすことがある。位置ずれの度合いが比較的大きくなると、接続金属部材が半導体素子のゲート電極の上に覆い被さることがある。この場合、ゲート電極にワイヤを接合させる際、接続金属部材によりワイヤの接合が困難となる。したがって、半導体素子の電極に対する接続金属部材の位置ずれを抑制する方策、またはその位置ずれが発生した場合であっても許容できる方策が望まれる。
特開２０１６－１６２７７３号公報
　本開示は上記事情に鑑み、半導体素子の電極に対する導通部材の位置ずれを抑制する、またはその位置ずれを許容することが可能な半導体装置を提供することをその一の課題とする。
　本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、第１電極を有する半導体素子と、前記第１電極に対向する第１接合部を有する導通部材と、前記第１電極と前記第１接合部との間に介在する接合層と、前記第１電極および前記第１接合部のいずれかに接合された規制体とを備える。前記半導体素子の厚さ方向に対して直交する方向において、前記規制体は、前記接合層に対向している。
　本開示の第２の側面によって提供される半導体装置は、第１電極を有する半導体素子と、前記第１電極に対向する第１接合部を有する導通部材と、前記第１電極と前記第１接合部との間に介在する接合層と、を備え、前記第１電極は、前記半導体素子の厚さ方向に対して直交する方向に凹む第１凹部を有し、前記第１接合部は、前記厚さ方向に対して直交する方向に凹む第２凹部を有し、前記厚さ方向に視て、前記第２凹部は、前記第１凹部に重なっている。
　本開示にかかる半導体装置によれば、半導体素子の電極に対する導通部材の位置ずれを抑制する、またはその位置ずれを許容することが可能となる。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。 図２は、図１に示す半導体装置の平面図である。 図３は、図２に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。 図４は、図１に示す半導体装置の底面図である。 図５は、図１に示す半導体装置の正面図である。 図６は、図１に示す半導体装置の右側面図である。 図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図９は、図３のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、図７の部分拡大図である。 図１１は、図９の部分拡大図である。 図１２は、図３に示す第１素子およびその周辺における部分拡大図である。 図１３は、図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１４は、図３に示す第２素子およびその周辺における部分拡大図である。 図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。 図１６は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、第１素子およびその周辺を拡大するとともに、封止樹脂を透過している。 図１７は、図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 図１８は、図１６に示す半導体装置の部分拡大平面図であり、第２素子およびその周辺を拡大するとともに、封止樹脂を透過している。 図１９は、図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。 図２０は、図１６に示す半導体装置の変形例の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。 図２１は、図２０のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。 図２２は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、第１素子およびその周辺を拡大するとともに、封止樹脂を透過している。 図２３は、図２２に示す半導体装置の部分拡大平面図であり、第２素子およびその周辺を拡大するとともに、封止樹脂を透過している。 図２４は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。 図２５は、図２４のＸＸＶ－ＸＸＶ線に沿う部分拡大断面図である。 図２６は、図２４のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図２７は、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、第１素子およびその周辺を拡大するとともに、封止樹脂を透過している。 図２８は、図２７のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２９は、図２７に示す半導体装置の部分拡大平面図であり、第２素子およびその周辺を拡大するとともに、封止樹脂を透過している。 図３０は、図２９のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿う断面図である。 図３１は、図２７に示す半導体装置の第１変形例の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。 図３２は、図２７に示す半導体装置の第２変形例の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。 図３３は、本開示の第６実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、第１素子およびその周辺を拡大するとともに、封止樹脂を透過している。 図３４は、図３３のＸＸＸＩＶ－ＸＸＸＩＶ線に沿う断面図である。 図３５は、図３３のＸＸＸＶ－ＸＸＸＶ線に沿う断面図である。 図３６は、図３３に示す半導体装置の変形例の部分拡大平面図であり、封止樹脂を透過している。 図３７は、本開示の第７実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、第１素子およびその周辺を拡大するとともに、封止樹脂を透過している。 図３８は、図３７のＸＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図３９は、本開示の第８実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、第１素子およびその周辺を拡大するとともに、封止樹脂を透過している。 図４０は、図３９のＸＬ－ＸＬ線に沿う断面図である。
　本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。
　図１～図１５に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、支持部材１０、複数の端子リード１３、半導体素子２１、導通部材３０、一対のゲートワイヤ４１、一対の検出ワイヤ４２、および封止樹脂５０を備える。ここで、図３は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過し、想像線（二点鎖線）で示している。図３において、ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線、およびＩＸ－ＩＸ線をそれぞれ一点鎖線で示している。
　半導体装置Ａ１０の説明においては、便宜上、半導体素子２１の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する方向を「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に対して直交する方向を「第２方向ｙ」と呼ぶ。
　半導体装置Ａ１０は、複数の端子リード１３のうち第１入力端子１４および第２入力端子１６に印加された直流の電源電圧を、半導体素子２１により交流電力に変換する。変換された交流電力は、複数の端子リード１３のうち出力端子１５からモータなどの電力供給対象に入力される。半導体装置Ａ１０は、たとえばインバータといった電力変換回路に使用される。
　支持部材１０は、複数の端子リード１３とともに同一のリードフレームから構成されている。当該リードフレームは、銅（Ｃｕ）、または銅合金である。このため、支持部材１０、および複数の端子リード１３の組成は、銅を含む（すなわち、これらの部材は、銅を含有する）。さらに支持部材１０は、導電性を有する。半導体装置Ａ１０においては、支持部材１０は、図３および図７に示すように、第１方向ｘにおいて互いに離れて位置する第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂを含む。支持部材１０は、主面１０１および裏面１０２を有する。主面１０１は、厚さ方向ｚを向く。主面１０１は、封止樹脂５０に覆われている。主面１０１には半導体素子２１が搭載されている。したがって、裏面１０２は、厚さ方向ｚにおいて半導体素子２１が位置する側とは反対側を向く。裏面１０２は、封止樹脂５０から露出している。裏面１０２には、たとえば錫（Ｓｎ）めっきが施されている。
　封止樹脂５０は、図３、および図７～図９に示すように、半導体素子２１および導通部材３０と、支持部材１０の一部（第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂの各々の一部）とを覆っている。さらに封止樹脂５０は、複数の端子リード１３の各々の一部を覆っている。封止樹脂５０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂５０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。図２に示すように、第１方向ｘにおける封止樹脂５０の寸法Ｌ１は、第２方向ｙにおける封止樹脂５０の寸法Ｌ２よりも長い。封止樹脂５０は、頂面５１、底面５２、一対の第１側面５３、第２側面５４、第３側面５５、複数の凹部５６、および溝部５７を有する。
　図７～図９に示すように、頂面５１は、厚さ方向ｚにおいて第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１と同じ側を向く。図７～図９に示すように、底面５２は、厚さ方向ｚにおいて頂面５１とは反対側を向く。図４に示すように、底面５２から第１ダイパッド１０Ａの裏面１０２と、第２ダイパッド１０Ｂの裏面１０２とが露出している。
　図２、図４および図５に示すように、一対の第１側面５３は、第１方向ｘにおいて互いに離れて位置する。一対の第１側面５３は、第１方向ｘを向き、かつ第２方向ｙに延びている。一対の第１側面５３は、頂面５１および底面５２につながっている。
　図２、図４および図６に示すように、第２側面５４および第３側面５５は、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置する。第２側面５４および第３側面５５は、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向き、かつ第１方向ｘに延びている。第２側面５４および第３側面５５は、頂面５１および底面５２につながっている。図５に示すように、第３側面５５から複数の端子リード１３が露出している。
　図２、図４および図５に示すように、複数の凹部５６は、第３側面５５から第２方向ｙに凹むとともに、厚さ方向ｚにおいて頂面５１から底面５２に至っている。第１方向ｘにおいて、複数の凹部５６は、第１入力端子１４と第１検出端子１８１との間、第１入力端子１４と第２入力端子１６との間、出力端子１５と第２入力端子１６との間、および出力端子１５と第２検出端子１８２との間に対して個別に位置する。
　図４、図５、図７および図９に示すように、溝部５７は、底面５２から厚さ方向ｚに凹むとともに、第２方向ｙに沿って延びている。溝部５７の第２方向ｙの両側は、第２側面５４および第３側面５５につながっている。溝部５７は、第１ダイパッド１０Ａと第２ダイパッド１０Ｂとの間に位置する。厚さ方向ｚに視て、溝部５７は、第１ダイパッド１０Ａの裏面１０２と、第２ダイパッド１０Ｂの裏面１０２とを分断している。
　図１０に示すように、第２ダイパッド１０Ｂは、第１座面１０３および第１起立面１０４を有する。第１座面１０３は、厚さ方向ｚにおいて主面１０１と同じ側を向き、かつ厚さ方向ｚにおいて主面１０１と裏面１０２との間に位置する。第１起立面１０４は、厚さ方向ｚに対して直交する方向を向き、かつ第１座面１０３および主面１０１につながっている。第１座面１０３および第１起立面１０４は、第２ダイパッド１０Ｂにおいて段差をなしている。
　半導体素子２１は、図３および図７に示すように、支持部材１０に搭載されている。半導体装置Ａ１０においては、半導体素子２１は、第１素子２１Ａおよび第２素子２１Ｂを含む。第１素子２１Ａは、第１ダイパッド１０Ａの主面１０１に搭載されている。第２素子２１Ｂは、第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１に搭載されている。半導体素子２１は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。この他、半導体素子２１は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのスイッチング素子や、ダイオードでもよい。半導体装置Ａ１０の説明においては、半導体素子２１は、ｎチャンネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴを対象とする。半導体素子２１は、化合物半導体基板を含む。当該化合物半導体基板の組成は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。図１３および図１５に示すように、半導体素子２１は、第１電極２１１、第２電極２１２およびゲート電極２１３を有する。
　図１３および図１５に示すように、第１電極２１１は、厚さ方向ｚにおいて第２電極２１２とは反対側に位置する。第１電極２１１には、半導体素子２１により変換された後の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第１電極２１１は、半導体素子２１のソース電極に相当する。第１電極２１１は、複数の金属めっき層を含む。第１電極２１１は、ニッケル（Ｎｉ）めっき層と、当該ニッケルめっき層の上に積層された金（Ａｕ）めっき層を含む。この他、第１電極２１１は、ニッケルめっき層と、当該ニッケルめっき層の上に積層されたパラジウム（Ｐｄ）めっき層と、当該パラジウムめっき層の上に積層された金めっき層を含む場合でもよい。
　図１３および図１５に示すように、第２電極２１２は、支持部材１０の主面１０１に対向している。第２電極２１２には、半導体素子２１により変換される前の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第２電極２１２は、半導体素子２１のドレイン電極に相当する。
　図１３および図１５に示すように、ゲート電極２１３は、厚さ方向ｚにおいて第１電極２１１と同じ側に位置する。ゲート電極２１３には、半導体素子２１を駆動するためのゲート電圧が印加される。図１２および図１４に示すように、厚さ方向ｚに視て、ゲート電極２１３の面積は、第１電極２１１の面積よりも小である。
　図１２および図１４に示すように、第１電極２１１は、第１方向ｘに凹む第１凹部２１１Ａを有する。厚さ方向ｚに視て、ゲート電極２１３は、第１凹部２１１Ａに重なっている。
　ダイボンディング層２３は、図８、図１０および図１１に示すように、第１ダイパッド１０Ａの主面１０１、および第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１と、半導体素子２１（第１素子２１Ａおよび第２素子２１Ｂ）の第１電極２１１との間に介在している。ダイボンディング層２３は、導電性を有する。ダイボンディング層２３は、たとえばハンダである。この他、ダイボンディング層２３は、焼結金属でもよい。ダイボンディング層２３は、第１ダイパッド１０Ａの主面１０１と、第１素子２１Ａの第２電極２１２とを接合する。これにより、第１素子２１Ａの第２電極２１２は、第１ダイパッド１０Ａに導通している。さらにダイボンディング層２３は、第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１と、第２素子２１Ｂの第２電極２１２とを接合する。これにより、第２素子２１Ｂの第２電極２１２は、第２ダイパッド１０Ｂに導通している。
　複数の端子リード１３は、図３に示すように、支持部材１０に対して第２方向ｙの一方側に位置する。複数の端子リード１３は、半導体素子２１に導通している。複数の端子リード１３は、第１方向ｘに沿って配列されている。複数の端子リード１３は、第１入力端子１４、出力端子１５、第２入力端子１６、第１ゲート端子１７１、第２ゲート端子１７２、第１検出端子１８１および第２検出端子１８２を含む。
　第１入力端子１４は、図３に示すように、第２方向ｙに沿って延びる部分を含むとともに、第１ダイパッド１０Ａにつながっている。このため、第１入力端子１４は、第１ダイパッド１０Ａを介して第１素子２１Ａの第２電極２１２に導通している。第１入力端子１４は、電力変換対象となる直流の電源電圧が印加されるＰ端子（正極）である。第１入力端子１４は、被覆部１４Ａおよび露出部１４Ｂを有する。図７に示すように、被覆部１４Ａは、第１ダイパッド１０Ａにつながり、かつ封止樹脂５０に覆われている。第１方向ｘに視て、被覆部１４Ａは、屈曲している。図２～図５に示すように、露出部１４Ｂは、被覆部１４Ａにつながり、かつ封止樹脂５０の第３側面５５から露出している。露出部１４Ｂは、第２方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａから遠ざかる側に延びている。露出部１４Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。
　出力端子１５は、図３に示すように、第２方向ｙに沿って延びる部分を含むとともに、第２ダイパッド１０Ｂにつながっている。このため、出力端子１５は、第２ダイパッド１０Ｂを介して第２素子２１Ｂの第２電極２１２に導通している。出力端子１５から、半導体素子２１により変換された交流電力が出力される。出力端子１５は、被覆部１５Ａおよび露出部１５Ｂを有する。被覆部１５Ａは、第２ダイパッド１０Ｂにつながり、かつ封止樹脂５０に覆われている。第１方向ｘに視て、被覆部１５Ａは、第１入力端子１４の被覆部１４Ａと同様に屈曲している。図２～図５に示すように、露出部１５Ｂは、被覆部１５Ａにつながり、かつ封止樹脂５０の第３側面５５から露出している。露出部１５Ｂは、第２方向ｙにおいて第２ダイパッド１０Ｂから遠ざかる側に延びている。露出部１４Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。
　第２入力端子１６は、図３に示すように、第２方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂから離れて位置し、かつ第１方向ｘにおいて第１入力端子１４と出力端子１５との間に位置する。第２入力端子１６は、第２方向ｙに沿って延びている。第２入力端子１６は、第２素子２１Ｂの第１電極２１１に導通している。第２入力端子１６は、電力変換対象となる直流の電源電圧が印加されるＮ端子（負極）である。第２入力端子１６は、被覆部１６Ａおよび露出部１６Ｂを有する。図９に示すように、被覆部１６Ａは、封止樹脂５０に覆われている。図２～図５に示すように、露出部１６Ｂは、被覆部１６Ａにつながり、かつ封止樹脂５０の第３側面５５から露出している。露出部１６Ｂは、第２方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂから遠ざかる側に延びている。露出部１６Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。
　図１３に示すように、第２入力端子１６の被覆部１６Ａは、第２座面１６Ｃおよび第２起立面１６Ｄを有する。第２座面１６Ｃは、厚さ方向ｚにおいて第１ダイパッド１０Ａおよび第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１と同じ側を向き、かつ被覆部１６Ａの上面（図１３の上方を向く面）よりも図１３の下方に位置する。第２起立面１６Ｄは、厚さ方向ｚに対して直交する方向を向くとともに、第２座面１６Ｃ、および被覆部１６Ａの上面につながっている。第２座面１６Ｃおよび第２起立面１６Ｄは、第２入力端子１６の被覆部１６Ａにおいて段差をなしている。
　第１ゲート端子１７１は、図３に示すように、第２方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａから離れて位置し、かつ第１方向ｘの一方側に位置する。第２ゲート端子１７２は、図３に示すように、第２方向ｙにおいて第２ダイパッド１０Ｂから離れて位置し、かつ第１方向ｘの他方側に位置する。第１ゲート端子１７１は、第１素子２１Ａのゲート電極２１３に導通している。第１ゲート端子１７１には、第１素子２１Ａが駆動するためのゲート電圧が印加される。第２ゲート端子１７２は、第２素子２１Ｂのゲート電極２１３に導通している。第２ゲート端子１７２には、第２素子２１Ｂが駆動するためのゲート電圧が印加される。
　図３に示すように、第１ゲート端子１７１は、被覆部１７１Ａおよび露出部１７１Ｂを有する。被覆部１７１Ａは、封止樹脂５０に覆われている。図２～図５に示すように、露出部１７１Ｂは、被覆部１７１Ａにつながり、かつ封止樹脂５０の第３側面５５から露出している。露出部１７１Ｂは、第２方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａから遠ざかる側に延びている。露出部１７１Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。
　図３に示すように、第２ゲート端子１７２は、被覆部１７２Ａおよび露出部１７２Ｂを有する。被覆部１７２Ａは、封止樹脂５０に覆われている。図２～図５に示すように、露出部１７２Ｂは、被覆部１７２Ａにつながり、かつ封止樹脂５０から露出している。露出部１７２Ｂは、第２方向ｙにおいて第２ダイパッド１０Ｂから遠ざかる側に延びている。露出部１７２Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。
　第１検出端子１８１は、図３に示すように、第２方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａから離れて位置し、かつ第１方向ｘにおいて第１入力端子１４と第１ゲート端子１７１との間に位置する。第２検出端子１８２は、図３に示すように、第２方向ｙにおいて第２ダイパッド１０Ｂから離れて位置し、かつ第１方向ｘにおいて出力端子１５と第２ゲート端子１７２との間に位置する。第１検出端子１８１は、第１素子２１Ａの第２電極２１２に導通している。第１検出端子１８１には、第１素子２１Ａの第２電極２１２に流れる電流に対応した電圧が印加される。第２検出端子１８２は、第２素子２１Ｂの第２電極２１２に導通している。第２検出端子１８２には、第２素子２１Ｂの第２電極２１２に流れる電流に対応した電圧が印加される。
　図３に示すように、第１検出端子１８１は、被覆部１８１Ａおよび露出部１８１Ｂを有する。被覆部１８１Ａは、封止樹脂５０に覆われている。図２～図５に示すように、露出部１８１Ｂは、被覆部１８１Ａにつながり、かつ封止樹脂５０の第３側面５５から露出している。露出部１８１Ｂは、第２方向ｙにおいて第１ダイパッド１０Ａから遠ざかる側に延びている。露出部１８１Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。
　図３に示すように、第２検出端子１８２は、被覆部１８２Ａおよび露出部１８２Ｂを有する。被覆部１８２Ａは、封止樹脂５０に覆われている。図２～図５に示すように、露出部１８２Ｂは、被覆部１８２Ａにつながり、かつ封止樹脂５０の第３側面５５から露出している。露出部１８２Ｂは、第２方向ｙにおいて第２ダイパッド１０Ｂから遠ざかる側に延びている。露出部１８２Ｂの表面には、たとえば錫めっきが施されている。
　図５に示すように、半導体装置Ａ１０において、第１入力端子１４の露出部１４Ｂ、出力端子１５の露出部１５Ｂ、および第２入力端子１６の露出部１６Ｂの各々の高さＨは、いずれも同一である。さらに、これらの各々の厚さは、いずれも同一である。このため、第１方向ｘに視て、第２入力端子１６の少なくとも一部（露出部１６Ｂ）が、第１入力端子１４および出力端子１５の各々に重なる（図６参照）。
　導通部材３０は、支持部材１０、および複数の端子リード１３とともに半導体装置Ａ１０における導通経路をなしている。導通部材３０の組成は、銅を含む。導通部材３０は、金属クリップである。半導体装置Ａ１０においては、導通部材３０は、図３および図７に示すように、第１導通部材３１および第２導通部材３２を含む。
　図３に示すように、第１導通部材３１は、第１素子２１Ａの第１電極２１１と、第２ダイパッド１０Ｂとに接合されている。これにより、第１素子２１Ａの第１電極２１１は、第２ダイパッド１０Ｂ、および第２素子２１Ｂの第２電極２１２に導通している。第１導通部材３１は、本体部３１１、第１接合部３１２および第２接合部３１３を有する。図７に示すように、第１ダイパッド１０Ａは、厚さ方向ｚにおいて第１素子２１Ａに対して第１接合部３１２とは反対側に位置する。
　本体部３１１は、第１導通部材３１の主要部をなしている。図３に示すように、本体部３１１は、第１方向ｘに延びている。図７に示すように、本体部３１１は、第１ダイパッド１０Ａと第２ダイパッド１０Ｂとの間を跨いでいる。
　図１２および図１３に示すように、第１接合部３１２は、第１素子２１Ａの第１電極２１１に対向している。第１接合部３１２は、本体部３１１につながっている。第１接合部３１２は、接合面３１２Ａおよび端面３１２Ｂを有する。接合面３１２Ａは、第１素子２１Ａの第１電極２１１に対向している。端面３１２Ｂは、第１方向ｘを向く。端面３１２Ｂは、第１方向ｘにおいて接合面３１２Ａと、第１素子２１Ａのゲート電極２１３との間に位置する。図１２に示すように、厚さ方向ｚに視て、第１素子２１Ａのゲート電極２１３と、第１接合部３１２との間に、第１素子２１Ａの第１電極２１１の一部が位置する。
　図１０に示すように、第２接合部３１３は、第２ダイパッド１０Ｂの第１座面１０３に接合されている。第２接合部３１３は、第２方向ｙに延びている。第２接合部３１３の少なくとも一部が、第１座面１０３と、第２ダイパッド１０Ｂの第１起立面１０４とにより規定された領域に収納されている。第２接合部３１３は、本体部３１１につながっている。第２接合部３１３は、本体部３１１を間に挟んで第１接合部３１２とは反対側に位置する。
　半導体装置Ａ１０は、図１２および図１３に示すように、第１接合層３３をさらに備える。図１２において、第１接合層３３を複数点の領域で示している。第１接合層３３は、第１素子２１Ａの第１電極２１１と、第１接合部３１２との間に介在している。第１接合層３３は、第１素子２１Ａの第１電極２１１と、第１接合部３１２とを接合する。第１接合層３３は、導電性を有する。第１接合層３３は、ハンダである。
　第１接合部３１２の厚さｔは、０．１ｍｍ以上、かつ第１接合層３３の最大厚さＴmaxの２倍以下である。第１接合層３３の最大厚さＴmaxは、第１素子２１Ａの厚さよりも大きい。
　半導体装置Ａ１０は、図７および図１０に示すように、第２接合層３４をさらに備える。第２接合層３４は、第２ダイパッド１０Ｂの第１座面１０３と、第２接合部３１３との間に介在している。第２接合層３４は、第２ダイパッド１０Ｂと第２接合部３１３とを接合する。第２接合層３４は、導電性を有する。第２接合層３４は、ハンダである。
　第２導通部材３２は、図３に示すように、第２素子２１Ｂの第１電極２１１と、第２入力端子１６の被覆部１６Ａとに接合されている。これにより、第２素子２１Ｂの第１電極２１１は、第２入力端子１６に導通している。第２導通部材３２は、本体部３２１、第３接合部３２２および第４接合部３２３を有する。図７に示すように、第２ダイパッド１０Ｂは、厚さ方向ｚにおいて第２素子２１Ｂに対して第３接合部３２２とは反対側に位置する。
　本体部３２１は、第２導通部材３２の主要部をなしている。図３に示すように、厚さ方向ｚに視て、本体部３１１は、鉤状に屈曲している。厚さ方向ｚに視て、本体部３１１は、第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１に重なっている。
　図１４および図１５に示すように、第３接合部３２２は、第２素子２１Ｂの第１電極２１１に対向している。第３接合部３２２は、本体部３２１につながっている。第３接合部３２２は、接合面３２２Ａおよび端面３２２Ｂを有する。接合面３２２Ａは、第２素子２１Ｂの第１電極２１１に対向している。端面３２２Ｂは、第１方向ｘを向く。端面３２２Ｂは、第１方向ｘにおいて接合面３２２Ａと、第２素子２１Ｂのゲート電極２１３との間に位置する。図１４に示すように、厚さ方向ｚに視て、第２素子２１Ｂのゲート電極２１３と、第３接合部３２２との間に、第２素子２１Ｂの第１電極２１１の一部が位置する。
　図１１に示すように、第４接合部３２３は、第２入力端子１６の第２座面１６Ｃに接合されている。第４接合部３２３は、第１方向ｘに延びている。第４接合部３２３の少なくとも一部が、第２座面１６Ｃと、第２入力端子１６の第２起立面１６Ｄとにより規定された領域に収納されている。第４接合部３２３は、本体部３２１につながっている。第４接合部３２３は、本体部３２１を間に挟んで第３接合部３２２とは反対側に位置する。
　半導体装置Ａ１０は、図１４および図１５に示すように、第３接合層３５をさらに備える。図１４において、第３接合層３５を複数点の領域で示している。第３接合層３５は、第２素子２１Ｂの第１電極２１１と、第３接合部３２２との間に介在している。第３接合層３５は、第２素子２１Ｂの第１電極２１１と、第３接合部３２２とを接合する。第３接合層３５は、導電性を有する。第３接合層３５は、ハンダである。
　第３接合部３２２の厚さｔは、０．１ｍｍ以上、かつ第３接合層３５の最大厚さＴmaxの２倍以下である。第３接合層３５の最大厚さＴmaxは、第２素子２１Ｂの厚さよりも大きい。
　半導体装置Ａ１０は、図７および図１１に示すように、第４接合層３６をさらに備える。第４接合層３６は、第２入力端子１６の第２座面１６Ｃと、第４接合部３２３との間に介在している。第４接合層３６は、第２入力端子１６の被覆部１６Ａと、第４接合部３２３とを接合する。第４接合層３６は、導電性を有する。第４接合層３６は、ハンダである。
　半導体装置Ａ１０は、図１２～図１５に示すように、規制体３７をさらに備える。規制体３７は、金属元素を含む。当該金属元素は、アルミニウム（Ａｌ）である。半導体装置Ａ１０においては、半導体素子２１の製造の際、半導体素子２１の第１電極２１１に金属塊を接合することにより規制体３７が形成される。金属塊は、ワイヤボンディング工法により形成される。規制体３７は、第２方向ｙに延びている。半導体装置Ａ１０においては、規制体３７は、第１素子２１Ａの第１電極２１１に接合された第１規制体３７Ａと、第２素子２１Ｂの第１電極２１１とに接合された第２規制体３７Ｂとを含む。
　図１３に示すように、第１規制体３７Ａは、第１方向ｘにおいて第１接合層３３に対向している。第１規制体３７Ａは、第１接合層３３、および第１導通部材３１の第１接合部３１２の端面３１２Ｂに接している。図１２に示すように、第１規制体３７Ａは、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置する第１部３７１および第２部３７２を含む。第１部３７１と第２部３７２との間に、第１接合層３３の一部が位置する。
　図１５に示すように、第２規制体３７Ｂは、第１方向ｘにおいて第３接合層３５に対向している。第２規制体３７Ｂは、第３接合層３５、および第２導通部材３２の第３接合部３２２の端面３２２Ｂに接している。図１４に示すように、第２規制体３７Ｂは、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置する第１部３７１および第２部３７２を含む。第１部３７１と第２部３７２との間に、第３接合層３５の一部が位置する。
　一対のゲートワイヤ４１は、図３に示すように、第１素子２１Ａおよび第２素子２１Ｂのゲート電極２１３と、第１ゲート端子１７１の被覆部１７１Ａ、および第２ゲート端子１７２の被覆部１７２Ａとに、個別に接合されている。これにより、第１ゲート端子１７１は、第１素子２１Ａのゲート電極２１３に導通している。第２ゲート端子１７２は、第２素子２１Ｂのゲート電極２１３に導通している。一対のゲートワイヤ４１の組成は、金を含む。この他、一対のゲートワイヤ４１の組成は、銅を含む場合や、アルミニウムを含む場合でもよい。
　一対の検出ワイヤ４２は、図３に示すように、第１素子２１Ａおよび第２素子２１Ｂの第２電極２１２と、第１検出端子１８１の被覆部１８１Ａ、および第２検出端子１８２の被覆部１８２Ａとに、個別に接合されている。これにより、第１検出端子１８１は、第１素子２１Ａの第２電極２１２に導通している。第２検出端子１８２は、第２素子２１Ｂの第２電極２１２に導通している。一対の検出ワイヤ４２の組成は、金を含む。この他、一対の検出ワイヤ４２の組成は、銅を含む場合や、アルミニウムを含む場合でもよい。
　次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ１０は、第１電極２１１を有する半導体素子２１（第１素子２１Ａ）と、半導体素子２１に対向する第１接合部３１２を有する導通部材３０（第１導通部材３１）と、第１電極２１１と第１接合部３１２との間に介在する接合層（第１接合層３３）とを備える。半導体装置Ａ１０は、第１電極２１１に接合された規制体３７（第１規制体３７Ａ）をさらに備える。厚さ方向ｚに対して直交する方向において、規制体３７は、第１接合層３３に対向している。本構成をとることにより、第１接合層３３を介して第１接合部３１２を第１電極２１１に接合する際、第１接合部３１２が規制体３７に接触することによって、第１電極２１１に対する第１接合部３１２の相対変位が抑制される。したがって、半導体装置Ａ１０によれば、半導体素子２１の電極（第１電極２１１）に対する導通部材３０の位置ずれを抑制することが可能となる。
　半導体素子２１は、厚さ方向ｚにおいて第１電極２１１と同じ側に位置するゲート電極２１３を有する。厚さ方向ｚに視て、ゲート電極２１３と導通部材３０の第１接合部３１２との間に第１電極２１１の一部が位置する。本構成は、規制体３７により第１電極２１１に対する導通部材３０の位置ずれが抑制された結果として得られる。本構成が得られると、第１接合部３１２がゲート電極２１３の上を覆うことを回避できる。
　導通部材３０の第１接合部３１２は、第１方向ｘを向く端面３１２Ｂを有する。端面３１２Ｂは、規制体３７に接触している。本構成は、第１接合層３３を介して第１接合部３１２を半導体素子２１の第１電極２１１に接合する際、第１接合部３１２が第１方向ｘのうち半導体素子２１のゲート電極２１３が位置する側にずれようとすると、端面３１２Ｂが規制体３７に接触することにより得られる。したがって、端面３１２Ｂは、第１接合部３１２を規制体３７により確実に接触させるための手段となる。
　厚さ方向ｚに視て、規制体３７は、半導体素子２１のゲート電極２１３と、導通部材３０の第１接合部３１２との間に位置する。これにより、第１接合層３３を介して第１接合部３１２を半導体素子２１の第１電極２１１に接合する際、溶融した第１接合層３３がゲート電極２１３に向けて流出しようとすると規制体３７により堰き止めることができる。
　規制体３７は、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置する第１部３７１および第２部３７２を含む。これにより、規制体３７の体積を縮小しつつ、半導体素子２１の第１電極２１１に対する導通部材３０の位置ずれを抑制することができる。さらに規制体３７は、金属元素を含む。当該金属元素は、アルミニウムである。これにより、規制体３７が、半導体素子２１の第１電極２１１と、導通部材３０の第１接合部３１２との導通経路となる。加えて、溶融した第１接合層３３の規制体３７に対する撥液性が向上する。したがって、溶融した第１接合層３３を規制体３７がより効果的に堰き止めることができる。
　封止樹脂５０は、第３側面５５から第２方向ｙに凹む複数の凹部５６を有する。本構成により、複数の端子リード１３のうちいずれか２つの端子リード１３（ただし、第１ゲート端子１７１および第１検出端子１８１と、第２ゲート端子１７２および第２検出端子１８２とを除く。）の間における封止樹脂５０の沿面距離がより長く確保される。これにより、半導体装置Ａ１０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
　封止樹脂５０は、底面５２から凹み、かつ厚さ方向ｚに視て第１ダイパッド１０Ａの裏面１０２と、第２ダイパッド１０Ｂの裏面１０２とを分断する溝部５７を有する。本構成により、第１ダイパッド１０Ａと第２ダイパッド１０Ｂとの間における封止樹脂５０の沿面距離がより長く確保される。これにより、半導体装置Ａ１０の絶縁耐圧のさらなる向上を図ることができる。さらに、封止樹脂５０の第１方向ｘの熱ひずみを分散することができる。これにより、封止樹脂５０の一対の第１側面５３に熱ひずみが集中することを緩和できる。
　複数の端子リード１３のいずれかは、支持部材１０につながっている。これにより、半導体装置Ａ１０の寸法拡大を抑えつつ、支持部材１０を導電部材として活用できる。
　支持部材１０の裏面１０２は、封止樹脂５０から露出している。これにより、半導体装置Ａ１０の放熱性を向上させることができる。
　導通部材３０の組成は、銅を含む。これにより、アルミニウムを組成に含むワイヤと比較して、導通部材３０の電気抵抗を低減させることができる。このことは、半導体素子２１により大きな電流を流すことに好適である。
　図１６～図１９に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図１６および図１８は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図１６の位置は、半導体装置Ａ１０の図１２の位置と同一である。図１８の位置は、半導体装置Ａ１０の図１４の位置と同一である。
　半導体装置Ａ２０は、半導体装置Ａ１０に対して規制体３７の構成が異なる。
　図１６および図１７に示すように、第１規制体３７Ａは、第１導通部材３１の第１接合部３１２の接合面３１２Ａに接合されている。第１規制体３７Ａは、第１素子２１Ａの第１電極２１１に接している。したがって、第１規制体３７Ａは、第１接合層３３と同様に、第１素子２１Ａの第１電極２１１と接合面３１２Ａとの間に介在している。半導体装置Ａ２０においては、ワイヤボンディング工法により接合面３１２Ａに金属塊を接合することにより第１規制体３７Ａが形成される。
　図１８および図１９に示すように、第２規制体３７Ｂは、第２導通部材３２の第３接合部３２２の接合面３２２Ａに接合されている。第２規制体３７Ｂは、第２素子２１Ｂの第１電極２１１に接している。したがって、第２規制体３７Ｂは、第３接合層３５と同様に、第２素子２１Ｂの第１電極２１１と接合面３２２Ａとの間に介在している。半導体装置Ａ２０においては、ワイヤボンディング工法により接合面３２２Ａに金属塊を接合することにより第２規制体３７Ｂが形成される。
　次に、図２０および図２１に基づき、半導体装置Ａ２０の変形例である半導体装置Ａ２１について説明する。ここで、図２０は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図２０の位置は、図１６の位置と同一である。本変形例の構成は、以下に示す第１素子２１Ａの第１電極２１１と、第１導通部材３１との関係のみならず、図１８および図１９に示す第２素子２１Ｂの第１電極２１１と、第２導通部材３２との関係においても適用することができる。
　図２０および図２１に示すように、半導体装置Ａ２１においては、第１導通部材３１は、先端部３１４を有する。先端部３１４は、第１接合部３１２につながっている。先端部３１４は、第１方向ｘにおいて第１接合部３１２から遠ざかるほど、厚さ方向ｚにおいて第１素子２１Ａの第１電極２１１から遠ざかる向きに第１接合部３１２の接合面３１２Ａに対して傾斜角αで傾斜している。傾斜角αは、３０°以上６０°以下である。
　図２０および図２１に示すように、第１素子２１Ａの第１電極２１１は、拡張部２１１Ｂを有する。厚さ方向ｚに視て、拡張部２１１Ｂは、先端部３１４を間に挟んで第１接合部３１２とは反対側に位置する。
　図２１に示すように、第１接合層３３は、第１規制体３７Ａの第１方向ｘの両側に位置する。第１接合層３３は、第１素子２１Ａの第１電極２１１の拡張部２１１Ｂと、第１導通部材３１の先端部３１４とに接している。
　次に、半導体装置Ａ２０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ２０は、第１電極２１１を有する半導体素子２１（第１素子２１Ａ）と、半導体素子２１に対向する第１接合部３１２を有する導通部材３０（第１導通部材３１）と、第１電極２１１と第１接合部３１２との間に介在する接合層（第１接合層３３）とを備える。半導体装置Ａ２０は、第１接合部３１２に接合された規制体３７（第１規制体３７Ａ）をさらに備える。厚さ方向ｚに対して直交する方向において、規制体３７は、第１接合層３３に対向している。本構成をとることにより、第１接合層３３を介して第１接合部３１２を第１電極２１１に接合する際、規制体３７が溶融した第１接合層３３に接触し、かつ第１接合層３３から規制体３７が反力を受けることによって、第１電極２１１に対する第１接合部３１２の相対変位が抑制される。したがって、半導体装置Ａ２０によっても、半導体素子２１の電極（第１電極２１１）に対する導通部材３０の位置ずれを抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ２０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ２０においても当該構成にかかる作用効果を奏する。
　導通部材３０の第１接合部３１２は、半導体素子２１の第１電極２１１に対向する接合面３１２Ａを有する。規制体３７は、接合面３１２Ａに接しており、かつ第１電極２１１に接合されている。これにより、図１７に示すように、第１規制体３７Ａは、第１素子２１Ａの第１電極２１１と接合面３１２Ａとに挟まれた構成をとる。本構成をとると、第１接合層３３の最大厚さＴmaxを第１規制体３７Ａの厚さと等しく（あるいは略等しく）することができる。したがって、第１接合層３３の最大厚さＴmaxの管理が容易となる。さらに図１９に示すように、第２規制体３７Ｂも、第２素子２１Ｂの第１電極２１１と、第２導通部材３２の第３接合部３２２の接合面３２２Ａとに挟まれた構成をとる。本構成をとると、第３接合層３５の最大厚さＴmaxを第２規制体３７Ｂの厚さと等しく（あるいは略等しく）することができる。したがって、第３接合層３５の最大厚さＴmaxの管理も容易となる。
　半導体装置Ａ２１の導通部材３０は、第１接合部３１２につながる先端部３１４を有する。先端部３１４は、厚さ方向ｚに対して直交する方向において第１接合部３１２から遠ざかるほど、厚さ方向ｚにおいて半導体素子２１の第１電極２１１から遠ざかる向きに第１接合部３１２の接合面３１２Ａに対して傾斜している。さらに厚さ方向ｚに視て、第１電極２１１は、先端部３１４を間に挟んで第１接合部３１２とは反対側に位置する拡張部２１１Ｂを有する。本構成をとることにより、図２１に示すように、第１接合層３３が拡張部２１１Ｂに接するとともに、先端部３１４に沿って第１接合層３３が這い上がる。これにより、第１接合層３３には、比較的大きな体積をもつフィレットが形成される。したがって、第１電極２１１に対する導通部材３０の接合強度の向上を図り、かつ導通部材３０により大きな電流を流すことが可能となる。接合面３１２Ａに対する先端部３１４の傾斜角αは、３０°以上６０°以下であることが好ましい。傾斜角αがこの範囲に設定されると、第１接合層３３のフィレットの形成が促進されつつ、拡張部２１１Ｂと第１接合層３３との界面における熱応力の集中が低減される。
　規制体３７は、金属元素を含む。当該金属元素は、アルミニウムである。これにより、規制体３７が、半導体素子２１の第１電極２１１と、導通部材３０の第１接合部３１２との導通経路となる。さらに、溶融した第１接合層３３の規制体３７に対する撥液性が向上する。これにより、規制体３７が溶融した第１接合層３３に接触した際、規制体３７が第１接合層３３から受ける反力がより大きくなる。したがって、規制体３７による導通部材３０の位置ずれ抑制効果が向上する。
　図２２および図２３に示すように、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２２および図２３は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図２２の位置は、半導体装置Ａ１０の図１２の位置と同一である。図２３の位置は、半導体装置Ａ１０の図１４の位置と同一である。
　半導体装置Ａ３０は、半導体装置Ａ１０に対して規制体３７を備えないことと、導通部材３０の構成とが異なる。
　図２２に示すように、第１導通部材３１の第１接合部３１２は、第２凹部３１２Ｃを有する。第２凹部３１２Ｃは、第１方向ｘに凹んでいる。厚さ方向ｚに視て、第２凹部３１２Ｃは、第１素子２１Ａの第１電極２１１の第１凹部２１１Ａに重なっている。第２凹部３１２Ｃは、第１素子２１Ａの第１電極２１１の第１凹部２１１Ａよりも大きい。さらに厚さ方向ｚに視て、第１素子２１Ａのゲート電極２１３は、第１素子２１Ａの第１電極２１１の第１凹部２１１Ａと、第２凹部３１２Ｃとに重なっている。
　図２３に示すように、第２導通部材３２の第３接合部３２２は、第２凹部３２２Ｃを有する。第２凹部３２２Ｃは、第１方向ｘに凹んでいる。厚さ方向ｚに視て、第２凹部３２２Ｃは、第２素子２１Ｂの第１電極２１１の第１凹部２１１Ａに重なっている。第２凹部３２２Ｃは、第２素子２１Ｂの第１電極２１１の第１凹部２１１Ａよりも大きい。さらに厚さ方向ｚに視て、第２素子２１Ｂのゲート電極２１３は、第２素子２１Ｂの第１電極２１１の第１凹部２１１Ａと、第２凹部３２２Ｃとに重なっている。
　次に、半導体装置Ａ３０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ３０は、第１電極２１１を有する半導体素子２１（第１素子２１Ａ）と、半導体素子２１に対向する第１接合部３１２を有する導通部材３０（第１導通部材３１）と、第１電極２１１と第１接合部３１２との間に介在する接合層（第１接合層３３）とを備える。第１電極２１１は、厚さ方向ｚに対して直交する方向に凹む第１凹部２１１Ａを有する。第１接合部３１２は、厚さ方向ｚに対して直交する方向に凹む第２凹部３１２Ｃを有する。厚さ方向ｚに視て、第２凹部３１２Ｃは、第１凹部２１１Ａに重なっている。本構成をとることにより、第１接合層３３を介して第１接合部３１２を第１電極２１１に接合する際、第１電極２１１に対する第１接合部３１２の位置がずれた場合であっても、第１接合部３１２が第１凹部２１１Ａの上を覆うことを回避できる。したがって、半導体装置Ａ３０によれば、半導体素子２１の電極（第１電極２１１）に対する導通部材３０の位置ずれを許容することが可能となる。さらに半導体装置Ａ３０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ３０においても当該構成にかかる作用効果を奏する。
　半導体素子２１は、厚さ方向ｚにおいて第１電極２１１と同じ側に位置するゲート電極２１３を有する。厚さ方向ｚに視て、ゲート電極２１３は、半導体素子２１の第１電極２１１の第１凹部２１１Ａと、導通部材３０の第１接合部３１２の第２凹部３１２Ｃとに重なっている。これにより、第１電極２１１に対する導通部材３０の位置ずれが許容された場合であっても、第１接合部３１２がゲート電極２１３の上を覆うことを回避できる。
　図２４～図２６に基づき、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２４は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図２４では、透過した封止樹脂５０を想像線で示している。
　半導体装置Ａ４０は、半導体装置Ａ１０に対して保護素子２２をさらに備えることと、導通部材３０および規制体３７の構成とが異なる。
　保護素子２２は、図２４に示すように、第１ダイオード２２Ａおよび第２ダイオード２２Ｂを含む。第１ダイオード２２Ａは、第１ダイパッド１０Ａの主面１０１に搭載されている。第２ダイオード２２Ｂは、第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１に搭載されている。保護素子２２は、たとえばショットキーバリアダイオードである。第１ダイオード２２Ａは、第１素子２１Ａに対して並列接続されている。第２ダイオード２２Ｂは、第２素子２１Ｂに対して並列接続されている。保護素子２２は、半導体素子２１に逆バイアスが印加された際、半導体素子２１ではなく保護素子２２に電流を流す、いわゆる還流ダイオードである。図２１よび図２２に示すように、保護素子２２は、上面電極２２１および下面電極２２２を有する。
　図２５および図２６に示すように、上面電極２２１は、厚さ方向ｚにおいて支持部材１０の主面１０１が向く側に設けられている。上面電極２２１は、アノード電極に相当する。
　図２５および図２６に示すように、下面電極２２２は、厚さ方向ｚにおいて上面電極２２１とは反対側に設けられている。下面電極２２２は、カソード電極に相当する。図２５に示すように、第１ダイオード２２Ａの下面電極２２２は、ダイボンディング層２３を介して第１ダイパッド１０Ａの主面１０１に接合されている。これにより、第１ダイオード２２Ａの下面電極２２２は、第１ダイパッド１０Ａを介して第１素子２１Ａの第２電極２１２に導通している。図２６に示すように、第２ダイオード２２Ｂの下面電極２２２は、ダイボンディング層２３を介して第２ダイパッド１０Ｂの主面１０１に接合されている。これにより、第２ダイオード２２Ｂの下面電極２２２は、第２ダイパッド１０Ｂを介して第２素子２１Ｂの第２電極２１２に導通している。
　図２４に示すように、第１導通部材３１の第１接合部３１２は、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置する２つの領域を含む。図２５に示すように、当該２つの領域のうち一方の領域が、第１接合層３３を介して第１ダイオード２２Ａの上面電極２２１に接合されている。これにより、第１ダイオード２２Ａの上面電極２２１は、第１導通部材３１を介して第１素子２１Ａの第１電極２１１に導通している。
　図２４に示すように、第２導通部材３２の第３接合部３２２は、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置する２つの領域を含む。図２６に示すように、当該２つの領域のうち一方の領域が、第３接合層３５を介して第２ダイオード２２Ｂの上面電極２２１に接合されている。これにより、第１ダイオード２２Ａの上面電極２２１は、第２導通部材３２を介して第２素子２１Ｂの第１電極２１１に導通している。
　図２５に示すように、半導体装置Ａ４０においては、規制体３７は、第１ダイオード２２Ａの上面電極２２１に接合された第３規制体３７Ｃをさらに含む。第３規制体３７Ｃは、第１方向ｘにおいて第１接合層３３に対向している。第３規制体３７Ｃは、第１接合層３３、および第１導通部材３１の第１接合部３１２の端面３１２Ｂに接している。
　図２６に示すように、半導体装置Ａ４０においては、規制体３７は、第２ダイオード２２Ｂの上面電極２２１に接合された第４規制体３７Ｄをさらに含む。第４規制体３７Ｄは、第１方向ｘにおいて第３接合層３５に対向している。第４規制体３７Ｄは、第３接合層３５、および第２導通部材３２の第３接合部３２２の端面３２２Ｂに接している。
　次に、半導体装置Ａ４０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ４０は、第１電極２１１を有する半導体素子２１（第１素子２１Ａ）と、半導体素子２１に対向する第１接合部３１２を有する導通部材３０（第１導通部材３１）と、第１電極２１１と第１接合部３１２との間に介在する接合層（第１接合層３３）とを備える。半導体装置Ａ４０は、第１電極２１１に接合された規制体３７（第１規制体３７Ａ）をさらに備える。厚さ方向ｚに対して直交する方向において、規制体３７は、第１接合層３３に対向している。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０と同様の作用効果を奏する。したがって、半導体装置Ａ４０によっても、半導体素子２１の電極（第１電極２１１）に対する導通部材３０の位置ずれを抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ４０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ４０においても当該構成にかかる作用効果を奏する。
　半導体装置Ａ４０は、保護素子２２をさらに備える。これにより、半導体装置Ａ４０により大きな電流を流した場合であっても、半導体素子２１を逆バイアスから適切に保護することができる。
　半導体装置Ａ４０の規制体３７は、第１ダイオード２２Ａの上面電極２２１に接合された第３規制体３７Ｃと、第２ダイオード２２Ｂの上面電極２２１に接合された第４規制体３７Ｄとを含む。これにより、第１接合層３３を介して第１導通部材３１の第１接合部３１２を第１素子２１Ａの第１電極２１１と、第１ダイオード２２Ａの上面電極２２１とに接合する際、規制体３７の第１規制体３７Ａおよび第３規制体３７Ｃの少なくともいずれかに第１接合部３１２が接触し得る。したがって、第１導通部材３１の厚さ方向ｚの回りの回転変位を効果的に抑制できる。同様に、第３接合層３５を介して第２導通部材３２の第３接合部３２２を第２素子２１Ｂの第１電極２１１と、第２ダイオード２２Ｂの上面電極２２１とに接合する際、規制体３７の第２規制体３７Ｂおよび第４規制体３７Ｄの少なくともいずれかに第３接合部３２２が接触し得る。したがって、第２導通部材３２の厚さ方向ｚの回りの回転変位を効果的に抑制できる。
　図２７～図２９に示すように、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２７および図２９は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図２７の位置は、半導体装置Ａ１０の図１２の位置と同一である。図２９の位置は、半導体装置Ａ１０の図１４の位置と同一である。
　半導体装置Ａ５０は、半導体装置Ａ１０に対して導通部材３０の構成が異なる。
　図２７および図２８に示すように、第１導通部材３１は、凸部３８および陥入部３９を有する。凸部３８および陥入部３９は、第１導通部材３１の第１接合部３１２に設けられている。凸部３８および陥入部３９は、第１接合部３１２に対してプレス加工を施すことにより形成することができる。
　図２８に示すように、凸部３８は、第１接合部３１２の接合面３１２Ａから第１素子２１Ａの第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに突出している。凸部３８は、第１素子２１Ａの第１電極２１１と、第１接合層３３とに接している。凸部３８の厚さ方向ｚの寸法ｄは、第１規制体３７Ａの厚さ方向ｚの寸法ｈよりも小さい。図２７に示すように、厚さ方向ｚに視て、凸部３８は、円形状である。この他、厚さ方向ｚに視て、凸部３８は、四角形状など多角形状でもよい。
　図２８に示すように、陥入部３９は、第１接合部３１２の上面３１２Ｄから第１素子２１Ａの第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに凹んでいる。上面３１２Ｄは、厚さ方向ｚにおいて第１接合部３１２の接合面３１２Ａとは反対側を向き、かつ第１接合部３１２の端面３１２Ｂにつながっている。図２７に示すように、厚さ方向ｚに視て、陥入部３９の形状は、凸部３８の形状に近似している。厚さ方向ｚに視て、陥入部３９は凸部３８に重なっている。この場合において、凸部３８の厚さ方向ｚの寸法ｄは、第１接合部３１２の厚さｔ以下である。
　図２９および図３０に示すように、第２導通部材３２は、凸部３８および陥入部３９を有する。凸部３８および陥入部３９は、第２導通部材３２の第３接合部３２２に設けられている。凸部３８および陥入部３９は、第３接合部３２２に対してプレス加工を施すことにより形成することができる。
　図３０に示すように、凸部３８は、第３接合部３２２の接合面３１２Ａから第２素子２１Ｂの第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに突出している。凸部３８は、第２素子２１Ｂの第１電極２１１と、第３接合層３５とに接している。凸部３８の厚さ方向ｚの寸法ｄは、第２規制体３７Ｂの厚さ方向ｚの寸法ｈよりも小さい。図２９に示すように、厚さ方向ｚに視て、凸部３８は、円形状である。この他、厚さ方向ｚに視て、凸部３８は、四角形状など多角形状でもよい。
　図３０に示すように、陥入部３９は、第３接合部３２２の上面３２２Ｄから第２素子２１Ｂの第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに凹んでいる。上面３２２Ｄは、厚さ方向ｚにおいて第３接合部３２２の接合面３２２Ａとは反対側を向き、かつ第３接合部３２２の端面３２２Ｂにつながっている。図２９に示すように、厚さ方向ｚに視て、陥入部３９の形状は、凸部３８の形状に近似している。厚さ方向ｚに視て、陥入部３９は凸部３８に重なっている。この場合において、凸部３８の厚さ方向ｚの寸法ｄは、第３接合部３２２の厚さｔ以下である。
　次に、図３１に基づき、半導体装置Ａ５０の第１変形例である半導体装置Ａ５１について説明する。ここで、図３１は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図３１の位置は、図２７の位置と同一である。本変形例の構成は、以下に示す第１導通部材３１のみならず、図２９および図３０に示す第２導通部材３２においても適用することができる。
　図３１に示すように、半導体装置Ａ５１においては、第１導通部材３１の凸部３８は、第１方向ｘにおいて互いに離れて位置する第１凸部３８１および第２凸部３８２を含む。厚さ方向ｚに視て、第１凸部３８１と第２凸部３８２との形状および大きさは、互いに等しい。
　次に、図３２に基づき、半導体装置Ａ５０の第２変形例である半導体装置Ａ５２について説明する。ここで、図３２は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図３２の位置は、図２７の位置と同一である。本変形例の構成は、以下に示す第１導通部材３１のみならず、図２９および図３０に示す第２導通部材３２においても適用することができる。
　図３２に示すように、半導体装置Ａ５２においては、第１導通部材３１の凸部３８は、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置する第１凸部３８１および第２凸部３８２を含む。第１凸部３８１および第２凸部３８２は、第１方向ｘに延びている。すなわち、第１凸部３８１および第２凸部３８２は、厚さ方向ｚと、第１凸部３８１および第２凸部３８２が互いに離れる方向とに対して直交する方向に延びている。第１凸部３８１および第２凸部３８２の各々において、第１方向ｘの寸法ａは、第２方向ｙの寸法ｂよりも大きい。厚さ方向ｚに視て、第１凸部３８１と第２凸部３８２との形状および大きさは、互いに等しい。
　次に、半導体装置Ａ５０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ５０は、第１電極２１１を有する半導体素子２１（第１素子２１Ａ）と、半導体素子２１に対向する第１接合部３１２を有する導通部材３０（第１導通部材３１）と、第１電極２１１と第１接合部３１２との間に介在する接合層（第１接合層３３）とを備える。半導体装置Ａ５０は、第１電極２１１に接合された規制体３７（第１規制体３７Ａ）をさらに備える。厚さ方向ｚに対して直交する方向において、規制体３７は、第１接合層３３に対向している。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０と同様の作用効果を奏する。したがって、半導体装置Ａ５０によっても、半導体素子２１の電極（第１電極２１１）に対する導通部材３０の位置ずれを抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ５０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ５０においても当該構成にかかる作用効果を奏する。
　半導体装置Ａ５０の導通部材３０は、第１接合部３１２に設けられた凸部３８を有する。凸部３８は、半導体素子２１の第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに突出している。凸部３８は、第１電極２１１に接している。本構成をとることにより、第１接合層３３を介して第１接合部３１２を第１電極２１１に接合する際、凸部３８がスペーサとして機能する。これにより、図２８に示す第１接合層３３の最大厚さＴmaxが凸部３８の厚さ方向ｚの寸法ｄと等しく（あるいは略等しく）なるため、最大厚さＴmaxを制御することができる。最大厚さＴmaxを制御することによって、温度サイクルおよびパワーサイクルに対する半導体装置Ａ５０の耐久性の向上を図ることが可能となる。さらには、第１接合層３３における空隙の発生を抑制することができる。
　さらに、図２８に示す凸部３８の厚さ方向ｚの寸法ｄは、規制体３７の厚さ方向ｚの寸法ｈよりも小さい。本構成をとることにより、第１接合層３３を介して第１接合部３１２を第１電極２１１に接合する際、第１接合部３１２が第１方向ｘのうち半導体素子２１のゲート電極２１３が位置する側にずれようとすると、第１接合部３１２の端面３１２Ｂが規制体３７に確実に接触し得る。本作用効果を発揮しうるための凸部３８の厚さ方向ｚの寸法ｄの範囲は、７５μｍ以上１７５μｍ以下であることが好ましい。より好ましい寸法ｄの範囲は、１００μｍ以上１５０μｍである。
　半導体装置Ａ５１においては、凸部３８は、第１方向ｘにおいて互いに離れて位置する第１凸部３８１および第２凸部３８２を含む。本構成をとることにより、第１接合層３３を介して導通部材３０の第１接合部３１２を半導体素子２１の第１電極２１１に接合する際、第１接合部３１２の第２方向ｙの回りの回転変位を抑制できる。
　半導体装置Ａ５２においては、凸部３８の第１凸部３８１および第２凸部３８２は、厚さ方向ｚと、第１凸部３８１および第２凸部３８２が互いに離れる方向とに対して直交する方向に延びている。本構成をとることにより、第１接合層３３を介して導通部材３０の第１接合部３１２を半導体素子２１の第１電極２１１に接合する際、第１接合部３１２の第１方向ｘおよび第２方向ｙの各々の回りの回転変位を抑制できる。
　図３３～図３５に示すように、本開示の第６実施形態にかかる半導体装置Ａ６０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図３３は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図３３の位置は、半導体装置Ａ５０の図２７の位置と同一である。本実施形態の構成は、以下に示す第１素子２１Ａの第１電極２１１と、第１導通部材３１との関係のみならず、図２９および図３０に示す第２素子２１Ｂの第１電極２１１と、第２導通部材３２との関係においても適用することができる。
　半導体装置Ａ６０は、半導体装置Ａ５０に対して半導体素子２１および導通部材３０の構成が異なる。
　図３３および図３５に示すように、第１素子２１Ａの第１電極２１１は、第１方向ｘにおいて互いに離れて位置する２つの領域を含む。これに応じて、第１導通部材３１は、第１方向ｘにおいて互いに離れて位置する２つの第１接合部３１２を有する。２つの第１接合部３１２の第２方向ｙの一方側は、第１導通部材３１の本体部３１１につながっている。
　図３３～図３５に示すように、第１導通部材３１は、凸部３８および陥入部３９を有する。凸部３８および陥入部３９は、第１導通部材３１の２つの第１接合部３１２に設けられている。
　図３４および図３５に示すように、凸部３８は、２つの第１接合部３１２の接合面３１２Ａから第１素子２１Ａの第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに突出している。凸部３８は、第１素子２１Ａの第１電極２１１と、第１接合層３３とに接している。凸部３８は、第１方向ｘにおいて互いに離れて位置する第１凸部３８１および第２凸部３８２を含む。第１凸部３８１は、２つの第１接合部３１２のうち一方の第１接合部３１２に設けられている。第２凸部３８２は、２つの第１接合部３１２のうち他方の第１接合部３１２に設けられている。図３３に示すように、厚さ方向ｚに視て、第１凸部３８１と第２凸部３８２との形状および大きさは、互いに等しい。第１凸部３８１および第２凸部３８２の各々の厚さ方向ｚの寸法ｄは、第１規制体３７Ａの厚さ方向ｚの寸法ｈよりも小さい。第１凸部３８１および第２凸部３８２の各々の厚さ方向ｚの寸法ｄの範囲は、７５μｍ以上１７５μｍ以下であることが好ましい。より好ましい寸法ｄの範囲は、１００μｍ以上１５０μｍである。この他の凸部３８の構成は、半導体装置Ａ５０の第１導通部材３１の凸部３８の構成と同様である。
　陥入部３９は、２つの第１接合部３１２の上面３１２Ｄから第１素子２１Ａの第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに凹んでいる。上面３１２Ｄは、厚さ方向ｚにおいて２つの第１接合部３１２の接合面３１２Ａとは反対側を向き、かつ２つの第１接合部３１２のいずれかの端面３１２Ｂにつながっている。この他の陥入部３９の構成は、半導体装置Ａ５０の第１導通部材３１の陥入部３９の構成と同様である。
　次に、図３６に基づき、半導体装置Ａ６０の変形例である半導体装置Ａ６１について説明する。ここで、図３６は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図３６の位置は、図３３の位置と同一である。本変形例の構成は、以下に示す第１導通部材３１のみならず、図２９および図３０に示す第２導通部材３２においても適用することができる。
　図３６に示すように、半導体装置Ａ６１においては、第１導通部材３１の凸部３８に含まれる第１凸部３８１および第２凸部３８２は、第１方向ｘに延びている。すなわち、第１凸部３８１および第２凸部３８２は、厚さ方向ｚと、第１凸部３８１および第２凸部３８２が互いに離れる方向とに対して直交する方向に延びている。第１凸部３８１および第２凸部３８２の各々において、第１方向ｘの寸法ａは、第２方向ｙの寸法ｂよりも小さい。
　次に、半導体装置Ａ６０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ６０は、第１電極２１１を有する半導体素子２１（第１素子２１Ａ）と、半導体素子２１に対向する第１接合部３１２を有する導通部材３０（第１導通部材３１）と、第１電極２１１と第１接合部３１２との間に介在する接合層（第１接合層３３）とを備える。半導体装置Ａ５０は、第１電極２１１に接合された規制体３７（第１規制体３７Ａ）をさらに備える。厚さ方向ｚに対して直交する方向において、規制体３７は、第１接合層３３に対向している。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０と同様の作用効果を奏する。したがって、半導体装置Ａ６０によっても、半導体素子２１の電極（第１電極２１１）に対する導通部材３０の位置ずれを抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ６０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ６０においても当該構成にかかる作用効果を奏する。
　半導体装置Ａ６０の導通部材３０は、２つの第１接合部３１２に設けられた凸部３８を有する。凸部３８は、半導体素子２１の第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに突出している。凸部３８は、第１電極２１１に接している。したがって、半導体装置Ａ６０によっても、図３４に示す第１接合層３３の最大厚さＴmaxの制御ができるため、温度サイクルおよびパワーサイクルに対する半導体装置Ａ６０の耐久性の向上を図ることが可能となる。さらには、第１接合層３３における空隙の発生を抑制することができる。
　凸部３８は、第１方向ｘにおいて互いに離れて位置する第１凸部３８１および第２凸部３８２を含む。本構成をとることにより、第１接合層３３を介して導通部材３０の２つの第１接合部３１２を半導体素子２１の第１電極２１１に接合する際、２つの第１接合部３１２の第２方向ｙの回りの回転変位を抑制できる。
　半導体装置Ａ６１においては、凸部３８の第１凸部３８１および第２凸部３８２は、厚さ方向ｚと、第１凸部３８１および第２凸部３８２が互いに離れる方向とに対して直交する方向に延びている。本構成をとることにより、第１接合層３３を介して導通部材３０の２つの第１接合部３１２を半導体素子２１の第１電極２１１に接合する際、２つの第１接合部３１２の第１方向ｘおよび第２方向ｙの各々の回りの回転変位を抑制できる。
　図３７および図３８に示すように、本開示の第７実施形態にかかる半導体装置Ａ７０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図３７は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図３７の位置は、半導体装置Ａ２０の図１６の位置と同一である。本実施形態の構成は、以下に示す第１導通部材３１と第１規制体３７Ａとの関係のみならず、図１８および図１９に示す第２導通部材３２と第２規制体３７Ｂとの関係においても適用することができる。
　半導体装置Ａ７０は、半導体装置Ａ２０に対して導通部材３０および規制体３７の構成が異なる。
　図３７および図３８に示すように、第１導通部材３１は、凸部３８および陥入部３９を有する。凸部３８および陥入部３９は、第１導通部材３１の第１接合部３１２に設けられている。凸部３８および陥入部３９は、第１接合部３１２に対してプレス加工を施すことにより形成することができる。
　図３８に示すように、凸部３８は、第１接合部３１２の接合面３１２Ａから第１素子２１Ａの第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに突出している。凸部３８は、第１素子２１Ａの第１電極２１１と、第１接合層３３とに接している。凸部３８の厚さ方向ｚの寸法ｄは、第１規制体３７Ａの厚さ方向ｚの寸法ｈよりも大きい。図３７に示すように、厚さ方向ｚに視て、凸部３８は、円形状である。この他、厚さ方向ｚに視て、凸部３８は、四角形状など多角形状でもよい。
　図３８に示すように、陥入部３９は、第１接合部３１２の上面３１２Ｄから第１素子２１Ａの第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに凹んでいる。上面３１２Ｄは、厚さ方向ｚにおいて第１接合部３１２の接合面３１２Ａとは反対側を向き、かつ第１接合部３１２の端面３１２Ｂにつながっている。図３７に示すように、厚さ方向ｚに視て、陥入部３９の形状は、凸部３８の形状に近似している。厚さ方向ｚに視て、陥入部３９は凸部３８に重なっている。この場合において、凸部３８の厚さ方向ｚの寸法ｄは、第１接合部３１２の厚さｔ以下である。
　半導体装置Ａ７０においては、半導体素子２１の製造の際、半導体素子２１の第１電極２１１に金属塊を接合することにより規制体３７が形成される。金属塊は、ワイヤボンディング工法により形成される。
　次に、半導体装置Ａ７０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ７０は、第１電極２１１を有する半導体素子２１（第１素子２１Ａ）と、半導体素子２１に対向する第１接合部３１２を有する導通部材３０（第１導通部材３１）と、第１電極２１１と第１接合部３１２との間に介在する接合層（第１接合層３３）とを備える。半導体装置Ａ７０は、第１接合部３１２に接合された規制体３７（第１規制体３７Ａ）をさらに備える。厚さ方向ｚに対して直交する方向において、規制体３７は、第１接合層３３に対向している。本構成をとることにより、第１接合層３３を介して第１接合部３１２を第１電極２１１に接合する際、溶融した第１接合層３３が規制体３７に接触する。これにより、第１接合層３３の濡れ拡がりが抑制されるとともに、第１接合層３３の濡れ拡がりが抑制される方向とは反対方向の反力が第１接合部３１２に作用することによって、第１電極２１１に対する第１接合部３１２の相対変位が抑制される。したがって、半導体装置Ａ７０によれば、半導体素子２１の電極（第１電極２１１）に対する導通部材３０の位置ずれを抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ７０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ７０においても当該構成にかかる作用効果を奏する。
　半導体装置Ａ７０の導通部材３０は、第１接合部３１２に設けられた凸部３８を有する。凸部３８は、半導体素子２１の第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに突出している。凸部３８は、第１電極２１１に接している。したがって、半導体装置Ａ７０によっても、図３８に示す第１接合層３３の最大厚さＴmaxの制御ができるため、温度サイクルおよびパワーサイクルに対する半導体装置Ａ７０の耐久性の向上を図ることが可能となる。さらには、第１接合層３３における空隙の発生を抑制することができる。
　さらに、図３８に示す凸部３８の厚さ方向ｚの寸法ｄは、規制体３７の厚さ方向ｚの寸法ｈよりも大きい。本構成をとることにより、第１接合層３３を介して第１接合部３１２を第１電極２１１に接合する際、凸部３８が規制体３７に干渉することなく第１電極２１１に確実に接触し得る。あわせて、溶融した第１接合層３３が規制体３７に接触した際、第１接合層３３は、規制体３７から反力を受ける。当該反力は、凸部３８に作用する。これにより、第１電極２１１に対する第１接合部３１２の相対変位をより効果的に抑制できる。
　図３９および図４０に示すように、本開示の第８実施形態にかかる半導体装置Ａ８０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図３９は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図３９の位置は、半導体装置Ａ３０の図２２の位置と同一である。本実施形態の構成は、以下に示す第１導通部材３１のみならず、図２３に示す第２導通部材３２においても適用することができる。
　半導体装置Ａ８０は、半導体装置Ａ３０に対して導通部材３０の構成が異なる。
　図３９および図４０に示すように、第１導通部材３１は、凸部３８および陥入部３９を有する。凸部３８および陥入部３９は、第１導通部材３１の第１接合部３１２に設けられている。凸部３８および陥入部３９は、第１接合部３１２に対してプレス加工を施すことにより形成することができる。
　図４０に示すように、凸部３８は、第１接合部３１２の接合面３１２Ａから第１素子２１Ａの第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに突出している。凸部３８は、第１素子２１Ａの第１電極２１１と、第１接合層３３とに接している。図３９に示すように、厚さ方向ｚに視て、凸部３８は、円形状である。この他、厚さ方向ｚに視て、凸部３８は、四角形状など多角形状でもよい。
　図４０に示すように、陥入部３９は、第１接合部３１２の上面３１２Ｄから第１素子２１Ａの第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに凹んでいる。上面３１２Ｄは、厚さ方向ｚにおいて第１接合部３１２の接合面３１２Ａとは反対側を向き、かつ第１接合部３１２の端面３１２Ｂにつながっている。図３９に示すように、厚さ方向ｚに視て、陥入部３９の形状は、凸部３８の形状に近似している。厚さ方向ｚに視て、陥入部３９は凸部３８に重なっている。この場合において、凸部３８の厚さ方向ｚの寸法ｄは、第１接合部３１２の厚さｔ以下である。
　次に、半導体装置Ａ８０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ８０は、第１電極２１１を有する半導体素子２１（第１素子２１Ａ）と、半導体素子２１に対向する第１接合部３１２を有する導通部材３０（第１導通部材３１）と、第１電極２１１と第１接合部３１２との間に介在する接合層（第１接合層３３）とを備える。第１電極２１１は、厚さ方向ｚに対して直交する方向に凹む第１凹部２１１Ａを有する。第１接合部３１２は、厚さ方向ｚに対して直交する方向に凹む第２凹部３１２Ｃを有する。厚さ方向ｚに視て、第２凹部３１２Ｃは、第１凹部２１１Ａに重なっている。したがって、半導体装置Ａ８０によっても、半導体素子２１の電極（第１電極２１１）に対する導通部材３０の位置ずれを許容することが可能となる。さらに半導体装置Ａ８０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ８０においても当該構成にかかる作用効果を奏する。
　半導体装置Ａ８０の導通部材３０は、第１接合部３１２に設けられた凸部３８を有する。凸部３８は、半導体素子２１の第１電極２１１に向けて厚さ方向ｚに突出している。凸部３８は、第１電極２１１に接している。したがって、半導体装置Ａ８０によっても、図４０に示す第１接合層３３の最大厚さＴmaxの制御ができるため、温度サイクルおよびパワーサイクルに対する半導体装置Ａ８０の耐久性の向上を図ることが可能となる。さらには、第１接合層３３における空隙の発生を抑制することができる。
　本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
　本開示は、以下の付記に記載された実施形態を含む。
　付記１．
　第１電極を有する半導体素子と、
　前記第１電極に対向する第１接合部を有する導通部材と、
　前記第１電極と前記第１接合部との間に介在する接合層と、
　前記第１電極および前記第１接合部のいずれかに接合された規制体と、を備え、
　前記半導体素子の厚さ方向に対して直交する方向において、前記規制体は、前記接合層に対向している、半導体装置。
　付記２．
　前記規制体は、金属元素を含む、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記金属元素は、アルミニウムである、付記２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記規制体は、前記第１電極に接合されており、
　前記第１接合部は、前記厚さ方向に対して直交する第１方向を向く端面を有し、
　前記端面は、前記規制体に接触している、付記２または３に記載の半導体装置。
　付記５．
　前記規制体は、前記厚さ方向および前記第１方向に対して直交する第２方向において互いに離れて位置する第１部および第２部を含む、付記４に記載の半導体装置。
　付記６．
　前記接合層の一部が、前記第１部と前記第２部との間に位置する、付記５に記載の半導体装置。
　付記７．
　前記第１接合部は、前記第１電極に対向する接合面を有し、
　前記規制体は、前記接合面に接合されており、
　前記規制体は、前記第１電極に接している、付記２または３に記載の半導体装置。
　付記８．
　前記導通部材は、前記第１接合部につながる先端部を有し、
　前記先端部は、前記厚さ方向に対して直交する方向において前記第１接合部から遠ざかるほど、前記厚さ方向において前記第１電極から遠ざかる向きに前記接合面に対して傾斜しており、
　前記厚さ方向に視て、前記第１電極は、前記先端部を間に挟んで前記第１接合部とは反対側に位置する拡張部を有する、付記７に記載の半導体装置。
　付記９．
　前記規制体は、前記接合層に接している、付記１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記半導体素子は、前記厚さ方向において前記第１電極と同じ側に位置するゲート電極を有し、
　前記厚さ方向に視て、前記ゲート電極と前記第１接合部との間に前記第１電極の一部が位置する、付記１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１１．
　第１電極を有する半導体素子と、
　前記第１電極に対向する第１接合部を有する導通部材と、
　前記第１電極と前記第１接合部との間に介在する接合層と、を備え、
　前記第１電極は、前記半導体素子の厚さ方向に対して直交する方向に凹む第１凹部を有し、
　前記第１接合部は、前記厚さ方向に対して直交する方向に凹む第２凹部を有し、
　前記厚さ方向に視て、前記第２凹部は、前記第１凹部に重なっている、半導体装置。
　付記１２．
　前記半導体素子は、前記厚さ方向において前記第１電極と同じ側に位置するゲート電極を有し、
　前記厚さ方向に視て、前記ゲート電極は、前記第１凹部および前記第２凹部に重なっている、付記１１に記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記厚さ方向において前記半導体素子に対して前記第１接合部とは反対側に位置する支持部材をさらに備え、
　前記半導体素子は、前記支持部材に搭載されている、付記１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記半導体素子および前記導通部材と、前記支持部材の一部と、を覆う封止樹脂をさらに備える、付記１３に記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記半導体素子に導通する複数の端子リードをさらに備え、
　前記複数の端子リードの各々の一部は、前記封止樹脂に覆われている、付記１４に記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記支持部材は、導電性を有しており、
　前記半導体素子は、前記支持部材に対向する第２電極を有し、
　前記第２電極は、前記支持部材に接合されており、
　前記複数の端子リードのいずれかが、前記支持部材につながっている、付記１５に記載の半導体装置。
　付記１７．
　前記導通部材は、前記第１接合部がつながる本体部と、前記本体部につながり、かつ前記第１接合部とは離れて位置する第２接合部を有し、
　前記第２接合部は、前記複数の端子リードのいずれかに接合されている、付記１５または１６のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１８．
　前記導通部材は、前記第１接合部に設けられ、かつ前記第１電極に向けて前記厚さ方向に突出する凸部を有し、
　前記凸部は、前記第１電極に接している、付記１ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１９．
　前記導通部材は、前記第１接合部に設けられ、かつ前記第１電極に向けて前記厚さ方向に凹む陥入部を有し、
　前記厚さ方向に視て、前記陥入部は、前記凸部に重なっている、付記１８に記載の半導体装置。
　付記２０．
　前記凸部の前記厚さ方向の寸法は、前記第１接合部の厚さ以下である、付記１９に記載の半導体装置。
　付記２１．
　前記凸部は、前記厚さ方向に対して直交する方向に互いに離れて位置する第１凸部および第２凸部を含み、
　前記第１凸部および前記第２凸部は、前記厚さ方向と、前記第１凸部および前記第２凸部が互いに離れる方向と、に対して直交する方向に延びている、付記１８ないし２０のいずれかに記載の半導体装置。
Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０，Ａ６０，Ａ７０，Ａ８０：半導体装置
１０：支持部材　　　１０Ａ：第１ダイパッド
１０Ｂ：第２ダイパッド　　　１０１：主面
１０２：裏面　　　１０３：第１座面
１０４：第１起立面　　　１３：端子リード
１４：第１入力端子　　　１４Ａ：被覆部
１４Ｂ：露出部　　　１５：出力端子
１５Ａ：被覆部　　　１５Ｂ：露出部
１６：第２入力端子　　　１６Ａ：被覆部
１６Ｂ：露出部　　　１６Ｃ：第２座面
１６Ｄ：第２起立面　　　１７１：第１ゲート端子
１７１Ａ：被覆部　　　１７１Ｂ：露出部
１７２：第２ゲート端子　　　１７２Ａ：被覆部
１７２Ｂ：露出部　　　１８１：第１検出端子
１８１Ａ：被覆部　　　１８１Ｂ：露出部
１８２：第２検出端子　　　１８２Ａ：被覆部
１８２Ｂ：露出部　　　２１：半導体素子
２１Ａ：第１素子　　　２１Ｂ：第２素子
２１１：第１電極　　　２１１Ａ：第１凹部
２１１Ｂ：拡張部　　　２１２：第２電極
２１３：ゲート電極　　　２２：保護素子
２２Ａ：第１ダイオード　　　２２Ｂ：第２ダイオード
２２１：上面電極　　　２２２：下面電極
２３：ダイボンディング層　　　３１：第１導通部材
３１１：本体部　　　３１２：第１接合部
３１２Ａ：接合面　　　３１２Ｂ：端面
３１２Ｃ：第２凹部　　　３１２Ｄ：上面
３１３：第２接合部　　　３１４：先端部
３２：第２導通部材　　　３２１：本体部
３２２：第３接合部　　　３２２Ａ：接合面
３２２Ｂ：端面　　　３２２Ｃ：第２凹部
３２２Ｄ：上面　　　３２３：第４接合部
３３：第１接合層　　　３４：第２接合層
３５：第３接合層　　　３６：第４接合層
３７：規制体　　　３７Ａ：第１規制体
３７Ｂ：第２規制体　　　３７Ｃ：第３規制体
３７Ｄ：第４規制体　　　３７１：第１部
３７２：第２部　　　３８：凸部
３８１：第１凸部　　　３８２：第２凸部
３９：陥入部　　　４１：ゲートワイヤ
４２：検出ワイヤ　　　５０：封止樹脂
５１：頂面　　　５２：底面
５３：第１側面　　　５４：第２側面
５５：第３側面　　　５６：凹部
５７：溝部　　　ｚ：厚さ方向
ｘ：第１方向　　　ｙ：第２方向

Claims (21)

  1. 　第１電極を有する半導体素子と、
    　前記第１電極に対向する第１接合部を有する導通部材と、
    　前記第１電極と前記第１接合部との間に介在する接合層と、
    　前記第１電極および前記第１接合部のいずれかに接合された規制体と、を備え、
    　前記半導体素子の厚さ方向に対して直交する方向において、前記規制体は、前記接合層に対向している、半導体装置。
  2. 　前記規制体は、金属元素を含む、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記金属元素は、アルミニウムである、請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記規制体は、前記第１電極に接合されており、
    　前記第１接合部は、前記厚さ方向に対して直交する第１方向を向く端面を有し、
    　前記端面は、前記規制体に接触している、請求項２または３に記載の半導体装置。
  5. 　前記規制体は、前記厚さ方向および前記第１方向に対して直交する第２方向において互いに離れて位置する第１部および第２部を含む、請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記接合層の一部が、前記第１部と前記第２部との間に位置する、請求項５に記載の半導体装置。
  7. 　前記第１接合部は、前記第１電極に対向する接合面を有し、
    　前記規制体は、前記接合面に接合されており、
    　前記規制体は、前記第１電極に接している、請求項２または３に記載の半導体装置。
  8. 　前記導通部材は、前記第１接合部につながる先端部を有し、
    　前記先端部は、前記厚さ方向に対して直交する方向において前記第１接合部から遠ざかるほど、前記厚さ方向において前記第１電極から遠ざかる向きに前記接合面に対して傾斜しており、
    　前記厚さ方向に視て、前記第１電極は、前記先端部を間に挟んで前記第１接合部とは反対側に位置する拡張部を有する、請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記規制体は、前記接合層に接している、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 　前記半導体素子は、前記厚さ方向において前記第１電極と同じ側に位置するゲート電極を有し、
    　前記厚さ方向に視て、前記ゲート電極と前記第１接合部との間に前記第１電極の一部が位置する、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
  11. 　第１電極を有する半導体素子と、
    　前記第１電極に対向する第１接合部を有する導通部材と、
    　前記第１電極と前記第１接合部との間に介在する接合層と、を備え、
    　前記第１電極は、前記半導体素子の厚さ方向に対して直交する方向に凹む第１凹部を有し、
    　前記第１接合部は、前記厚さ方向に対して直交する方向に凹む第２凹部を有し、
    　前記厚さ方向に視て、前記第２凹部は、前記第１凹部に重なっている、半導体装置。
  12. 　前記半導体素子は、前記厚さ方向において前記第１電極と同じ側に位置するゲート電極を有し、
    　前記厚さ方向に視て、前記ゲート電極は、前記第１凹部および前記第２凹部に重なっている、請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 　前記厚さ方向において前記半導体素子に対して前記第１接合部とは反対側に位置する支持部材をさらに備え、
    　前記半導体素子は、前記支持部材に搭載されている、請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
  14. 　前記半導体素子および前記導通部材と、前記支持部材の一部と、を覆う封止樹脂をさらに備える、請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 　前記半導体素子に導通する複数の端子リードをさらに備え、
    　前記複数の端子リードの各々の一部は、前記封止樹脂に覆われている、請求項１４に記載の半導体装置。
  16. 　前記支持部材は、導電性を有しており、
    　前記半導体素子は、前記支持部材に対向する第２電極を有し、
    　前記第２電極は、前記支持部材に接合されており、
    　前記複数の端子リードのいずれかが、前記支持部材につながっている、請求項１５に記載の半導体装置。
  17. 　前記導通部材は、前記第１接合部がつながる本体部と、前記本体部につながり、かつ前記第１接合部とは離れて位置する第２接合部を有し、
    　前記第２接合部は、前記複数の端子リードのいずれかに接合されている、請求項１５または１６のいずれかに記載の半導体装置。
  18. 　前記導通部材は、前記第１接合部に設けられ、かつ前記第１電極に向けて前記厚さ方向に突出する凸部を有し、
    　前記凸部は、前記第１電極に接している、請求項１ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。
  19. 　前記導通部材は、前記第１接合部に設けられ、かつ前記第１電極に向けて前記厚さ方向に凹む陥入部を有し、
    　前記厚さ方向に視て、前記陥入部は、前記凸部に重なっている、請求項１８に記載の半導体装置。
  20. 　前記凸部の前記厚さ方向の寸法は、前記第１接合部の厚さ以下である、請求項１９に記載の半導体装置。
  21. 　前記凸部は、前記厚さ方向に対して直交する方向に互いに離れて位置する第１凸部および第２凸部を含み、
    　前記第１凸部および前記第２凸部は、前記厚さ方向と、前記第１凸部および前記第２凸部が互いに離れる方向と、に対して直交する方向に延びている、請求項１８ないし２０のいずれかに記載の半導体装置。
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