WO2022210668A1 - 漏電検出回路およびバッテリ状態検出回路 - Google Patents

Abstract

第１電極および逆極性の第２電極を有するバッテリからシャーシへの漏電を検出する漏電検出回路（１０）であって、基準電圧源端子（ＶＲ）、第１の検出端子（Ｉｎ１）、および、第１電極に接続されるグランド端子（ＧＮＤ）を有する検知回路（５ａ）と、第２電極とシャーシとの間に接続される第１の抵抗器（２１）（または（２８））と、シャーシと第１の検出端子（Ｉｎ１）との間に接続される第２の抵抗器（２２）（または（２７））と、第１の検出端子（Ｉｎ１）と所定の端子との間に接続される第３の抵抗器（２３）（または（２６））とを備え、第１電極の極性が正である場合、所定の端子は基準電圧源端子（ＶＲ）であり、第１電極の極性が負である場合、所定の端子は第１電極であり、検知回路（５ａ）は、第１の検出端子（Ｉｎ１）の電圧に基づいて漏電の有無を検出する。

Description

漏電検出回路およびバッテリ状態検出回路

　本開示は、漏電検出回路およびバッテリ状態検出回路に関する。

　電気自動車等の電動車両には、モータに直流電力を供給する高電圧・大容量のバッテリが搭載されている。このような高圧バッテリは、リチウムイオン電池等からなる電池セルを直列に複数接続して構成され、安全上グランドとしての車体シャーシから絶縁されている。

　高圧バッテリと車体シャーシ間の漏電の有無を検出する漏電検出回路が、例えば特許文献１に開示されている。

特開２００７-２５６１１４号公報

　一般に漏電検出回路は検出抵抗を車体シャーシに接続するため、漏電検出回路が車体シャーシをゼロ電位とする車体シャーシ電位基準で構成されている。一方、バッテリの状態検出回路はバッテリ電圧や充放電電流を監視するために、バッテリの正極電位基準で構成される場合がある。バッテリの状態検出回路の機能の一つとして、バッテリの漏電の有無を検出する漏電検出回路を設ける場合、漏電検出回路もバッテリの正極電位基準で構成することにも有用性がある。特許文献１はバッテリ電位基準で構成された漏電検出回路の一例であるが、バッテリの負極を漏電検出回路のゼロ電位として構成されている。このため、バッテリの状態検出回路がバッテリの正極側で電流検出するような、正極をゼロ電位として構成される場合には適用できない。

　本開示は、漏電検出回路のゼロ電位をバッテリの正極を基準にすることにも負極を基準することも可能な漏電検出回路を提供する。

　上記課題を解決ために本開示の一態様に係る漏電検出回路は、正または負の極性を有する第１電極および前記第１電極と逆極性の第２電極を有するバッテリからシャーシへの漏電を検出する漏電検出回路であって、基準電圧を出力するための基準電圧源端子と、第１の検出端子と、前記第１電極に接続されるグランド端子を有する検知回路と、前記第２電極と前記シャーシとの間に接続される第１の抵抗器と、前記シャーシと前記第１の検出端子との間に接続される第２の抵抗器と、前記第１の検出端子と所定の端子との間に接続される第３の抵抗器と、を備え、前記第１電極の極性が正である場合、前記所定の端子は前記基準電圧源端子であり、前記第１電極の極性が負である場合、前記所定の端子は前記第１電極であり、前記検知回路は、前記第１の検出端子の電圧を検出し、検出した電圧に基づいて漏電の有無を検出する。

　また、本開示の一態様に係るバッテリ状態検出回路は、上記の漏電検出回路と、前記第１電極と負荷との間に接続される電流検出抵抗と、前記電流検出抵抗の両端電圧を、前記バッテリの電流値を示す信号として検出する増幅回路と、を有する。

　本開示の漏電検出回路によれば、漏電検出回路のゼロ電位をバッテリの正極を基準にすることにも負極を基準することも可能である。

図１Ａは、第１の実施形態に係る漏電検出回路をバッテリ正極側で構成した場合の回路構成例を示す図である。 図１Ｂは、図１Ａの漏電検出回路の変形例を示す図である。 図１Ｃは、図１Ａの漏電検出回路の他の変形例を示す図である。 図２は、第１の実施形態に係る漏電検出回路の特性例を示す図である。 図３Ａは、第１の実施形態に係る漏電検出回路をバッテリ負極側で構成した場合の回路構成例を示す図である。 図３Ｂは、図３Ａの漏電検出回路の検知回路の変形例を示す図である。 図３Ｃは、図３Ａの漏電検出回路の他の変形例を示す図である。 図４は、図３Ａに示した漏電検出回路の特性例を示す図である。 図５は、第２の実施形態に係る漏電検出回路をバッテリ正極側で構成した場合の回路構成例を示す図である。 図６は、第２の実施形態に係る漏電検出回路の特性例を示す図である。 図７は、第２の実施形態に係る漏電検出回路をバッテリ負極側で構成した場合の回路構成例を示す図である。 図８は、図７に示した漏電検出回路の特性例を示す図である。 図９は、第３の実施形態に係る漏電検出回路をバッテリの正極側に設けたバッテリ状態検出回路の回路構成例を示す図である。 図１０は、第３の実施形態に係る漏電検出回路をバッテリの負極側に設けたバッテリ状態検出回路の回路構成例を示す図である。

　以下、本開示の一態様に係る漏電検出回路およびバッテリ状態検出回路を、図面を参照して具体的に説明する。

　なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本開示の一包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本開示を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

　（第１の実施形態）
　第１の実施の形態に係る漏電検出回路は、漏電検出回路のゼロ電位をバッテリの正極を基準にすることも負極を基準することも可能であるように構成されている。まず、バッテリの正極をゼロ電位として構成した漏電検出回路について、図１Ａから図１Ｃおよび図２を用いて説明する。

　［１．１　バッテリの正極基準にした漏電検出回路の構成例］
　図１Ａは第１の実施形態の漏電検出回路をバッテリ正極側で構成した場合の回路構成例を示す図である。図１Ａにはバッテリ１も図示してある。バッテリ１は、例えば電気自動車に搭載されてモータに数百ボルトの電圧を供給するため、複数のバッテリセルが直列接続された構成を有する。高圧であるため安全上車体グランドからは絶縁されており、通常、その絶縁抵抗は数ＭΩ以上の高抵抗である。図１Ａでは、等価的に負極－車体グランド間及び正極－車体グランド間にそれぞれ絶縁抵抗Ｒ１、Ｒ２を有するものとみなす。なお、バッテリ１および漏電検出回路１０は、電気自動車以外のものに搭載されてもよい。バッテリ１および漏電検出回路１０は、例えば、自動車、蓄電システム、航空機、船舶、サーバー装置、ＡＧＶ（Automatic Guided Vehicle、無人搬送車とも呼ばれる）等に搭載されてもよい。漏電検出回路１０は、バッテリ１を搭載する機器または装置のシャーシグランドとバッテリ１との絶縁が要求される機器および装置において、バッテリ１の漏電の検出に適用される。

　図１Ａにおいて漏電検出回路１０は、抵抗２１から２５と、検知回路５ａとを備える。検知回路５ａは、基準電圧源端子ＶＲ、検出端子Ｉｎ１、検出端子Ｉｎ２、グランド端子ＧＮＤ、基準電圧源５０、ＡＤコンバータ５１、ＡＤコンバータ５２、および制御回路５３を有する。以下では、抵抗２１から２５のそれぞれにおいて、２つの端子のうちの負極側の端子を一端、正極側の端子を他端と呼ぶ。

　抵抗２１はバッテリ１の負極と車体グランドとしてのシャーシ１１との間に接続された抵抗である。つまり、抵抗２１の一端はバッテリ１の負極に接続される。抵抗２１の他端は、シャーシ１１に接続される。抵抗２１の抵抗値をｒ１とする。

　抵抗２２は検出端子Ｉｎ１と車体グランドとしてのシャーシ１１との間に接続された抵抗である。つまり、抵抗２２の一端は、シャーシ１１に接続される。抵抗２２の他端は、抵抗２３の一端および検出端子Ｉｎ１に接続される。抵抗２２の抵抗値をｒ２とする。

　抵抗２３は基準電圧源端子ＶＲと検出端子Ｉｎ１との間に接続された抵抗である。つまり、抵抗２３の一端は、抵抗２２の他端および検出端子Ｉｎ１に接続される。抵抗２３の他端は、基準電圧源端子ＶＲに接続される。抵抗２３の抵抗値をｒ３とする。

　抵抗２４はバッテリ１の負極と検出端子Ｉｎ２との間に接続された抵抗である。つまり、抵抗２４の一端はバッテリ１の負極に接続される。抵抗２４の他端は、抵抗２５の一端および検出端子Ｉｎ２に接続される。抵抗２４の抵抗値をｒ４とする。

　抵抗２５は基準電圧源端子ＶＲと検出端子Ｉｎ２との間に接続された抵抗である。つまり、抵抗２５の一端は、抵抗２４の他端および検出端子Ｉｎ２に接続される。抵抗２５の抵抗値をｒ５とする。

　検知回路５ａは、バッテリ１の正極をゼロ電位として構成される。つまり、検知回路５ａのグランド端子ＧＮＤは、バッテリ１の正極に接続される。検知回路５ａは、検出端子Ｉｎ１の電圧を検出電圧Ｖｘとして検出し、検出電圧Ｖｘに基づいて漏電の有無を検出する。

　基準電圧源端子ＶＲは、抵抗２３の他端と、抵抗２５の他端とに接続される。

　検出端子Ｉｎ１は、抵抗２２と抵抗２３との接続点に接続される。

　検出端子Ｉｎ２は、抵抗２４と抵抗２５との接続点に接続される。

　基準電圧源５０は、基準電圧Ｖｒを出力する電圧源である。基準電圧源５０は、例えば、外部電源から供給される直流電源電圧を定電圧に安定化し、基準電圧Ｖｒとして出力するレギュレータ回路である。基準電圧Ｖｒは、基準電圧源５０から基準電圧源端子ＶＲを介して抵抗２３の他端および抵抗２５の他端に供給される。また、基準電圧Ｖｒは、ＡＤコンバータ５１、ＡＤコンバータ５２、制御回路５３の電源として利用される。

　ＡＤコンバータ５１は、検出端子Ｉｎ１に印加される電圧をアナログからデジタルに変換する。

　ＡＤコンバータ５２は、検出端子Ｉｎ２に印加される電圧をアナログからデジタルに変換する。

　制御回路５３は、ＡＤコンバータ５１の出力に基づいて漏電の有無を判定し、ＡＤコンバータ５２の出力に基づいてバッテリ１の電圧を検出する。制御回路５３は、例えばマイコンで構成される。

　以上のような構成において、検出端子Ｉｎ１に印加される検出電圧をＶｘ、検出端子Ｉｎ２に印加される検出電圧をＶｙとする。また、バッテリ１の電圧をＶｂ、バッテリ１の負極からみた車体グランドの電位をＶｇｎｄとする。検出端子Ｉｎ２に印加される検出電圧Ｖｙはバッテリ電圧Ｖｂに対応する。検出電圧Ｖｙとバッテリ電圧Ｖｂとの関係は、（式１ａ）および（式１ｂ）で表される。また、検出電圧Ｖｘは車体グランドＶｇｎｄに対応する。検出電圧Ｖｘと車体グランドＶｇｎｄの関係は（式２ａ）および（式２ｂ）で表される。

　一方、車体グランドの電位Ｖｇｎｄはまた、各抵抗値を用いて（式３）のようにも表される。

　図２は、図１Ａの漏電検出回路の特性例を示す図である。図２では、Ｖｂ＝４００Ｖとし、Ｖｒ＝５Ｖ、ｒ１＝１ＭΩ、ｒ２＝０．９８７５ＭΩ、ｒ３＝０．０１２５ＭΩに設定されている。図２は、Ｒ１＝１０ＭΩに固定してＲ２を０．１ＭΩ～１０ＭΩに変化させた場合と、Ｒ２＝１０ＭΩに固定してＲ１を０．１ＭΩ～１０ＭΩに変化させた場合について、（式３）を用いて（ａ）車体シャーシ電位Ｖｇｎｄと、（式２ａ）および（式２ｂ）を用いて（ｂ）検出電圧Ｖｘの算出結果を示す。

　絶縁抵抗Ｒ１とＲ２がともに１０ＭΩと高抵抗であれば、車体グランドの電位Ｖｇｎｄは抵抗２１～２３による分圧でほぼ決まり、上記のようにｒ１＝ｒ２＋ｒ３とした場合、Ｖｇｎｄ＝（Ｖｂ＋Ｖｒ）／２　となり、検出電圧Ｖｘも２．５Ｖ付近に設定できる。ところが、何らかの原因で絶縁不良つまり漏電が起こり、例えば絶縁抵抗Ｒ１が低下すると、車体グランドの電位Ｖｇｎｄは低下し、これに従って検出電圧Ｖｘも低下する。逆に絶縁抵抗Ｒ２が低下すると、車体グランドの電位Ｖｇｎｄは上昇し、これに従って検出電圧Ｖｘも上昇する。従って、制御回路５３は、検出電圧Ｖｘが所定の範囲から外れたか否かを判定することによって絶縁不良を検出することができる。また、制御回路５３は、（式１ｂ）を用いて検出電圧Ｖｙからバッテリ電圧Ｖｂを算出してもよい。

　［１．１１　バッテリの正極基準にした漏電検出回路の変形例］
　次に、漏電検出回路１０の変形例について説明する。

　図１Ｂは、図１Ａの漏電検出回路の変形例を示す図である。図１Ｂの漏電検出回路１０は、図１Ａと比べて、スイッチ４１とスイッチ４２とが追加されている点と、検知回路５ａの代わりに検知回路５ａ１を備える点とが異なっている。以下、説明の重複を避けて異なる点を中心に説明する。

　スイッチ４１は、抵抗器２１に直列に接続され、抵抗器２１とバッテリ１の負極との間に接続される。つまり、スイッチ４１の一端はバッテリ１の負極に接続される。スイッチ４１の他端は、抵抗２１の一端に接続される。スイッチ４１は、制御回路５３からの制御信号Ｃｏｎが入力される制御端子を有する。

　スイッチ４２は、抵抗器２２と第１の検出端子Ｉｎ１との間に接続される。つまり、スイッチ４２の一端は、抵抗２２の他端に接続され、スイッチ４２の他端は、検出端子Ｉｎ１および抵抗２３の一端に接続される。スイッチ４２は、制御回路５３からの制御信号Ｃｏｎが入力される制御端子を有する。

　検知回路５ａ１内の制御回路５３は、スイッチ４１およびスイッチ４２のオンおよびオフを制御するための制御信号Ｃｏｎを生成する機能が追加されている。制御回路５３は、漏電を検知する期間ではスイッチ４１およびスイッチ４２のオンにし、漏電を検知する期間以外の期間ではスイッチ４１およびスイッチ４２のオフにする。

　これによれば、例えば、漏電を検知する期間以外の期間では漏電検出回路１０の分圧用抵抗に流れる電流をゼロにすることができる。

　［１．１２　バッテリの正極基準にした漏電検出回路の他の変形例］
　図１Ｃは、図１Ａの漏電検出回路の他の変形例を示す図である。図１Ｃの漏電検出回路１０は、図１Ａと比べて、抵抗２４、抵抗２５、ＡＤコンバータ５２および検出端子Ｉｎ２が削除された点と、検知回路５ａの代わりに検知回路５ａ２を備える点とが異なっている。以下、異なる点を中心に説明する。

　削除された抵抗２４、抵抗２５、ＡＤコンバータ５２および検出端子Ｉｎ２は、電圧Ｖｙに基づいてバッテリ電圧Ｖｂを算出するための回路部分である。したがって、図１Ｃの検知回路５ａ２は、バッテリ電圧Ｖｂを算出しないで、漏電の有無を検出する必要最小限の構成例を示している。

　［１．２　バッテリの負極基準にした漏電検出回路の構成例］
　次に、バッテリの負極をゼロ電位として構成した漏電検出回路について、図３Ａから、図３Ｃおよび図４を用いて説明する。

　図３Ａは、図１Ａの検知回路５ａをバッテリ１の負極をゼロ電位として構成した漏電検出回路の回路構成例を示す図である。図３Ａにおいて、検知回路５ａのグランド端子ＧＮＤはバッテリ１の負極に接続される。

　図３Ａの漏電検出回路１０は、抵抗２６から抵抗３０と、検知回路５ａとを備える。

　抵抗２６はバッテリ１の負極と検出端子Ｉｎ１との間に接続された抵抗である。つまり、抵抗２６の一端は、バッテリ１の負極に接続される。抵抗２６の他端は、検出端子Ｉｎ１および抵抗２７の一端に接続される。抵抗２６の抵抗値をｒ６とする。

　抵抗２７は検出端子Ｉｎ１と車体グランドであるシャーシ１１との間に接続された抵抗である。つまり、抵抗２７の一端は、検出端子Ｉｎ１および抵抗２６の他端に接続される。抵抗２７の他端は、シャーシ１１および抵抗２８の一端に接続される。抵抗２７の抵抗値をｒ７とする。

　抵抗２８はバッテリ１の正極と車体グランドとの間に接続された抵抗である。つまり、抵抗２８の一端はシャーシ１１および抵抗２７の他端に接続される。抵抗２８の抵抗値をｒ８とする。

　抵抗２９はバッテリ１の負極と検出端子Ｉｎ２との間に接続された抵抗である。つまり、抵抗２９の一端は、バッテリ１の負極に接続される。抵抗２９の他端は、検出端子Ｉｎ２および抵抗３０の一端に接続される。抵抗２９の抵抗値をｒ９とする。

　抵抗３０はバッテリ１の正極と検出端子Ｉｎ２との間に接続された抵抗である。つまり、抵抗３０の一端は、検出端子Ｉｎ２および抵抗２９の他端に接続される。抵抗３０の他端は、バッテリ１の正極に接続される。抵抗３０の抵抗値をｒ１０とする。

　検知回路５ａの構成は、図１Ａと同じである。ただし、検知回路５ａの基準電圧源端子ＶＲは、分圧用の抵抗に接続されない。図１Ａでは、検知回路５ａのゼロ電位がバッテリ１の正極であるので、抵抗２１から抵抗２３の分圧値を検出可能にするため、抵抗２３の他端に基準電圧源端子ＶＲを接続している。これに対して、図３Ａでは、検知回路５ａのゼロ電位がバッテリ１の負極であるので、抵抗２８の他端の電位を上げなくても、検知回路５ａは、抵抗２６から２８の分圧値を検出可能である。

　以上のような構成においても、検出電圧Ｖｙはバッテリ電圧Ｖｂに対応する。検出電圧Ｖｙとバッテリ電圧Ｖｂとの関係は、（式４ａ）および（式４ｂ）で表される。また、検出電圧Ｖｘは車体グランドＶｇｎｄに対応する。検出電圧Ｖｘと車体グランドＶｇｎｄとの関係は（式５ａ）および（式５ｂ）で表される。

　一方、車体グランドの電位Ｖｇｎｄはまた、各抵抗値を用いて（式６）のようにも表される。

　図４は、図３Ａの漏電検出回路の特性例を示す図である。図４では、Ｖｂ＝４００Ｖ、Ｖｒ＝５Ｖ、ｒ６＝０．０１２５ＭΩ、ｒ７＝０．９８７５ＭΩ、ｒ８＝１ＭΩに設定されている。図４は、Ｒ１＝１０ＭΩに固定してＲ２を０．１ＭΩ～１０ＭΩに変化させた場合と、Ｒ２＝１０ＭΩに固定してＲ１を０．１ＭΩ～１０ＭΩに変化させた場合の（ａ）車体シャーシ電位Ｖｇｎｄと（ｂ）検出電圧Ｖｘを示す。絶縁抵抗Ｒ１とＲ２がともに１０ＭΩと高抵抗であれば、車体グランドの電位Ｖｇｎｄは抵抗６～８による分圧でほぼ決まる。上記のように、ｒ６＋ｒ７＝ｒ８とした場合、Ｖｇｎｄ＝Ｖｂ／２　となり、検出電圧Ｖｘも２．５Ｖ付近に設定できる。ところが、何らかの原因で絶縁不良つまり漏電が起こり、例えば絶縁抵抗Ｒ１が低下すると、車体グランドの電位Ｖｇｎｄは低下し、これに従って検出電圧Ｖｘも低下する。逆に絶縁抵抗Ｒ２が低下すると、車体グランドの電位Ｖｇｎｄは上昇し、これに従って検出電圧Ｖｘも上昇する。従って、制御回路５３は、検出電圧Ｖｘが所定の範囲から外れたか否かを判定することによって絶縁不良を検出することができる。また、制御回路５３は、（式４ｂ）を用いて検出電圧Ｖｙからバッテリ電圧Ｖｂを算出してもよい。

　以上のように、漏電検出回路は同じ検知回路５ａをバッテリ１の正極基準に設定しても負極基準に設定してもバッテリ１の絶縁不良を検出することができる。

　［１．２１　バッテリの負極準にした漏電検出回路の変形例］
　次に、図３Ａの漏電検出回路１０の変形例について説明する。

　図３Ｂは、図３Ａの漏電検出回路の変形例を示す図である。図３Ｂの漏電検出回路１０は、図３Ａと比べて、スイッチ４７とスイッチ４８とが追加されている点と、検知回路５ａの代わりに検知回路５ａ１を備える点とが異なっている。以下、説明の重複を避けて異なる点を中心に説明する。

　スイッチ４７は、抵抗器２７と第１の検出端子Ｉｎ１との間に接続される。つまり、スイッチ４７の一端は、検出端子Ｉｎ１および抵抗２６の他端に接続される。スイッチ４７の他端は、抵抗２７の一端に接続される。スイッチ４７は、制御回路５３からの制御信号Ｃｏｎが入力される制御端子を有する。

　スイッチ４８は、抵抗器２８に直列に接続され、抵抗器２８とバッテリ１の正極との間に接続される。つまり、スイッチ４８の一端は抵抗２８の他端に接続される。スイッチ４８の他端は、バッテリ１の正極に接続される。スイッチ４８は、制御回路５３からの制御信号Ｃｏｎが入力される制御端子を有する。

　検知回路５ａ１内の制御回路５３は、スイッチ４７およびスイッチ４８のオンおよびオフを制御するための制御信号Ｃｏｎを生成する機能が追加されている。制御回路５３は、漏電を検知する期間ではスイッチ４７およびスイッチ４８のオンにし、漏電を検知する期間以外の期間ではスイッチ４７およびスイッチ４８のオフにする。

　これによれば、例えば、漏電を検知する期間以外の期間では漏電検出回路１０の分圧用抵抗に流れる電流をゼロにすることができる。

　［１．２２　バッテリの負極基準にした漏電検出回路の他の変形例］
　図３Ｃは、図３Ａの漏電検出回路の他の変形例を示す図である。図３Ｃの漏電検出回路１０は、図３Ａと比べて、抵抗２９、抵抗３０、ＡＤコンバータ５２および検出端子Ｉｎ２が削除された点と、検知回路５ａの代わりに検知回路５ａ２を備える点とが異なっている。以下、異なる点を中心に説明する。

　削除された抵抗２９、抵抗３０、ＡＤコンバータ５２および検出端子Ｉｎ２は、電圧Ｖｙに基づいてバッテリ電圧Ｖｂを算出するための回路部分である。したがって、図３Ｃの検知回路５ａ２は、バッテリ電圧Ｖｂを算出しないで、漏電の有無を検出する必要最小限の構成例を示している。

　なお、上記のスイッチ４１、４２、４７、４８のそれぞれは、ノーマリオフ型のスイッチでよく、例えばＮＭＯＳトランジスタ、ＰＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、リレー、または、これらの組み合わせで構成してもよい。

　以上説明してきたように第１の実施の形態に係る漏電検出回路１０は、正または負の極性を有する第１電極および第１電極と逆極性の第２電極を有するバッテリ１からシャーシへの漏電を検出する漏電検出回路１０であって、基準電圧Ｖｒを出力するための基準電圧源端子ＶＲと、第１の検出端子Ｉｎ１と、第１電極に接続されるグランド端子ＧＮＤを有する検知回路５と、第２電極とシャーシとの間に接続される第１の抵抗器（２１／２８）と、シャーシと第１の検出端子Ｉｎ１との間に接続される第２の抵抗器（２２／２７）と、第１の検出端子Ｉｎ１と所定の端子との間に接続される第３の抵抗器（２３／２６）と、を備え、第１電極の極性が正である場合、所定の端子は基準電圧源端子ＶＲであり、第１電極の極性が負である場合、所定の端子は第１電極であり、検知回路５は、第１の検出端子Ｉｎ１の電圧を検出し、検出した電圧に基づいて漏電の有無を検出する。

　ここで、第１電極の極性が正である場合、漏電検出回路１０は、図１Ａから図１Ｃに対応する。第１電極の極性が負である場合、漏電検出回路１０は、図３Ａから図３Ｃに対応する。また、第１の抵抗器は、図１Ａから図１Ｃの抵抗２１に対応し、図３Ａから図３Ｃの抵抗２８に対応する。第２の抵抗器は、図１Ａから図１Ｃの抵抗２２に対応し、図３Ａから図３Ｃの抵抗２７に対応する。第３の抵抗器は、図１Ａから図１Ｃの抵抗２３に対応し、図３Ａから図３Ｃの抵抗２６に対応する。検知回路５は、図１Ａから図１Ｃおよび図３Ａから図３Ｃの検知回路５ａ、５ａ１、５ａ２の何れか、または総称である。

　これによれば、漏電検出回路１０のゼロ電位をバッテリ１の正極を基準にすることも負極を基準することも可能である。

　ここで、検知回路５は、第１の検出端子Ｉｎ１の電圧が所定の範囲から外れると、漏電していると判定してもよい。

　これによれば、絶縁不良の発生つまり漏電の発生を容易に判定することができる。

　ここで、検知回路５は、第２の検出端子Ｉｎ２を有し、第２電極と第２の検出端子Ｉｎ２との間に接続された第４の抵抗器（２４／３０）と、第２の検出端子Ｉｎ２と所定の端子との間に接続された第５の抵抗器（２５／２９）と、検知回路５は、第２の検出端子Ｉｎ２の電圧を検出し、検出した電圧に基づいてバッテリ１の電圧Ｖｂを算出してもよい。

　ここで、第４の抵抗器は、図１Ａから図１Ｃの抵抗２４に対応し、図３Ａから図３Ｃの抵抗３０に対応する。第５の抵抗器は、図１Ａから図１Ｃの抵抗２５に対応し、図３Ａから図３Ｃの抵抗２９に対応する。

　これによれば、漏電の有無の判定に加えて、バッテリ１の状態を示す指標の１つとしてバッテリ１の電圧も算出することができる。

　ここで、第１の抵抗器（２１／２８）に直列に接続され、第１の抵抗器（２１／２８）と第２電極と前の間に接続された第１スイッチ（４１／４８）と、第２の抵抗器（２２／２７）に直列に接続され、第２の抵抗器（２２／２７）と第１の検出端子Ｉｎ１との間に接続された第２スイッチ（４２／４７）と、を備え、検知回路５は、第１スイッチおよび第２スイッチのオンおよびオフを制御してもよい。

　ここで、第１スイッチは、図１Ｂのスイッチ４１に対応し、図３Ｂのスイッチ４８に対応する。第２スイッチは、図１Ｂのスイッチ４２に対応し、図３Ｂのスイッチ４７に対応する。

　これによれば、例えば、漏電を検知する期間で第１スイッチおよび第２スイッチのオンにし、漏電を検知する期間以外の期間では第１スイッチおよび第２スイッチのオフにする。漏電を検知する期間以外の期間では漏電検出回路１０の分圧用抵抗に流れる電流をゼロにすることができる。

　ここで、検知回路５は、第１の検出端子Ｉｎ１に接続された第１ＡＤコンバータ５１と、第１ＡＤコンバータから出力される第１データに基づいて、漏電の有無を判定する制御回路５３とを有していてもよい。

　これによれば、第１の検出端子Ｉｎ１の電圧値をデジタルの第１データとして取得できるので、マイコンを用いたデジタル処理による漏電判定に適している。

　ここで、検知回路５は、第１の検出端子Ｉｎ１に接続された第１ＡＤコンバータ５１と、第２の検出端子Ｉｎ２に接続された第２ＡＤコンバータ５２と、第１ＡＤコンバータから出力される第１データ、および、第２ＡＤコンバータからの出力される第２データに基づいて、漏電の有無を判定し、バッテリ１の電圧値を算出する制御回路５３とを有していてもよい。

　これによれば、第１データに基づいて漏電の有無を判定することに加えて、第２データに基づいてバッテリ１の電圧を検出することができる。

　（第２の実施形態）
　［２．１　バッテリの正極基準にした漏電検出回路の構成例］
　図５は第２の実施形態の漏電検出回路の回路構成例を示す図である。図５において、第１の実施形態の漏電検出回路である図１Ａと異なるのは、車体グランドと基準電圧源端子ＶＲとの間に抵抗３１とＰＭＯＳトランジスタ３２の直列回路を設けた点と、検知回路を図１Ａと区別するために５ｂとした点とである。以下異なる点を中心に説明する。

　抵抗３１はシャーシ１１とＰＭＯＳトランジスタ３２との間に接続される。つまり、抵抗３１の一端は、シャーシ１１に接続される。抵抗３１の他端は、ＰＭＯＳトランジスタ３２の一端に接続される。抵抗３１の抵抗値をｒ１１とする。

　ＰＭＯＳトランジスタ３２は、抵抗３１と基準電圧源端子ＶＲとの間に接続される。つまり、ＰＭＯＳトランジスタ３２の一端（つまりドレイン）は、抵抗３１の他端に接続される。ＰＭＯＳトランジスタ３２の他端（つまりソース）は、基準電圧源端子ＶＲに接続される。ＰＭＯＳトランジスタ３２のゲートは、駆動端子Ｏｕｔ１に接続される。

　検知回路５ｂが図１Ａの検知回路５ａと異なるのは、内部の制御回路５３からの指令でＰＭＯＳトランジスタ３２に駆動信号を出力する駆動端子Ｏｕｔ１を有する点である。この 駆動信号は、ＰＭＯＳトランジスタ３２のオン状態およびオフ状態を制御する。

　まず、駆動端子Ｏｕｔ１が基準電圧Ｖｒ相当のハイレベルの駆動信号を出力してＰＭＯＳトランジスタ３２をオフ状態にしている場合、図１Ａと等価の回路構成になるので、各部電圧は（式１ａ）～（式３）と同様で、（式７ａ）～（式９）のようになる。尚、後述のＰＭＯＳトランジスタ３２をオン状態にしている場合と区別するために、ＰＭＯＳトランジスタ３２をオフ状態にしている場合の車体グランドの電位ＶｇｎｄをＶｇ１、検出電圧ＶｘをＶｘ１とする。

　次に、駆動端子Ｏｕｔ１がゼロ電位相当のローレベルの駆動信号を出力してＰＭＯＳトランジスタ３２をオン状態にしている場合、車体グランドと基準電圧源端子ＶＲとの間に抵抗３１が並列接続される。このため車体グランドの電位はＰＭＯＳトランジスタ３２がオフ状態の場合より上昇する。この場合の車体グランドの電位ＶｇｎｄをＶｇ２、検出電圧ＶｘをＶｘ２とすると、Ｖｇ２、Ｖｘ２は（式１０ａ）から（式１１）で表される。

　図６は、図５の漏電検出回路の特性例を示す図である。図６では、Ｖｂ＝４００Ｖ、Ｖｒ＝５Ｖ、ｒ２＝ｒ１０＝１ＭΩ、ｒ３＝０．９８７５ＭΩ、ｒ４＝０．０１２５ＭΩに設定されている。図６は、Ｒ１＝１０ＭΩに固定してＲ２を０．１ＭΩ～１０ＭΩに変化させた場合と、Ｒ２＝１０ＭΩに固定してＲ１を０．１ＭΩ～１０ＭΩに変化させた場合と、Ｒ１＝Ｒ２として０．１ＭΩ～１０ＭΩに変化させた場合の（ａ）車体シャーシ電位Ｖｇｎｄと（ｂ）検出電圧Ｖｘを示す。また、ＰＭＯＳトランジスタ３２がオフ状態の場合を実線、ＰＭＯＳトランジスタ３２がオン状態の場合を破線で示す。

　ＰＭＯＳトランジスタ３２がオフ状態の場合は、図２と同様であるが、Ｒ１＝Ｒ２のように正極側と負極側の等価絶縁抵抗が同様に小さくなるような場合には、グランド電位Ｖｇｎｄや検出電圧Ｖｘの変化も小さくなって漏電検出が困難となる。一方、ＰＭＯＳトランジスタ３２がオン状態の場合、絶縁抵抗Ｒ１及びＲ２が高抵抗である正常時には、抵抗３１によってグランド電位Ｖｇｎｄはバッテリ正極側に偏り、絶縁抵抗の低下と共に変化する。変化の仕方はＰＭＯＳトランジスタ３２のオン状態やオフ状態で変わらず、例えば絶縁抵抗Ｒ１が低下すると、車体グランドの電位Ｖｇｎｄは低下し、これに従って検出電圧Ｖｘも低下する。逆に絶縁抵抗Ｒ２が低下すると、車体グランドの電位Ｖｇｎｄは上昇し、これに従って検出電圧Ｖｘも上昇する。そしてＲ１＝Ｒ２の場合は車体グランドの電位ＶｇｎｄはＶｂ／２に漸近していく。以上のように、正常時には、ＰＭＯＳトランジスタ３２のオフ状態での検出電圧が抵抗２１，２２，２３で決まり、オン状態では抵抗３１の影響で検出電圧が上昇するが、何らかの原因で絶縁不良が起こり、絶縁抵抗Ｒ１またはＲ２が低下すると、オン状態の検出電圧とオフ状態の検出電圧の差が小さくなる。この検出電圧の差が所定値以下になることによって絶縁不良を検出することができる。もちろん、第１の実施形態のように検出電圧Ｖｘが所定の範囲を外れることによって絶縁不良と判断することと併用しても構わない。

　以上の説明では、検出電圧Ｖｘを所定の閾値との比較によって漏電を検出したが、検知回路に演算機能があれば、絶縁抵抗Ｒ１及びＲ２を算出することもできる。まず、（式８ｂ）及び（式１０ｂ）より、検出電圧Ｖｘ１及びＶｘ２から車体グランドの電位Ｖｇ１及びＶｇ２を求める。これらと、（式９）と（式１１）からＲ１及びＲ２に関する連立方程式を立てて解くと、（式１２）および（式１３）のように絶縁抵抗Ｒ１及びＲ２が算出できる。

　なお、（式１２）および（式１３）から絶縁抵抗Ｒ１及びＲ２を算出するにおいて、バッテリ１の電圧Ｖｂは、（式４ｂ）または（式７ｂ）から算出してもいし、外部から取得してもよい。例えば、外部にバッテリ１の電圧Ｖｂを測定する測定回路が存在する場合には、当該測定回路から電圧Ｖｂを取得してもよい。

　［２．２　バッテリの負極基準にした漏電検出回路の構成例］
　本実施の形態においても、検知回路をバッテリ１の負極をゼロ電位として漏電検出回路を構成することができる。図７は、図５の検知回路５ｂをバッテリ１の負極をゼロ電位として構成した漏電検出回路の回路構成例を示す図である。図７において、図３Ａと異なるのは、車体グランドとバッテリ１の負極との間にＮＭＯＳトランジスタ３３と抵抗３４との直列回路を設けた点と、検知回路を図１Ａと区別するために５ｂとした点とである。以下異なる点を中心に説明する。

　抵抗３４は、シャーシ１１とＮＭＯＳトランジスタ３３との間に接続される。つまり、抵抗３４の一端は、ＮＭＯＳトランジスタ３３の他端に接続される。抵抗３４の他端は、シャーシ１１に接続される。抵抗３４の抵抗値をｒ１４とする。

　ＮＭＯＳトランジスタ３３は、バッテリ１の負極と抵抗３４の間に接続される。つまり、ＮＭＯＳトランジスタ３３の一端（つまりソース）は、バッテリ１の負極に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ３３の他端（つまりドレイン）は、抵抗３４の一端に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ３３のゲートは、駆動端子Ｏｕｔ１に接続される。

　検知回路５ｂのグランド端子５ｇはバッテリ１の負極に接続される。駆動端子Ｏｕｔ１はＮＭＯＳトランジスタ３３を駆動する駆動信号を出力する。この駆動信号は、ＮＭＯＳトランジスタ３３のオン状態およびオフ状態を制御する。

　まず、スイッチ端子５ｓがゼロ電位のローレベルの駆動信号を出力してＮＭＯＳトランジスタ３３をオフ状態にしている場合、図３Ａと等価の回路構成になるので、各部電圧は（式４ａ）～（式６）と同様で、（式１４ａ）および（式１７）のようになる。尚、後述のＮＭＯＳトランジスタ３３をオン状態にしている場合と区別するために、ＮＭＯＳトランジスタ３３をオフ状態にしている場合の車体グランドの電位ＶｇｎｄをＶｇ３、検出電圧ＶｘをＶｘ３とすると、Ｖｘ３、Ｖｇ３は（式１４ａ）、（式１４ｂ）および（式１５）で表される。

　次に、駆動端子Ｏｕｔ１が基準電圧Ｖｒ相当のハイレベルの駆動信号を出力してＮＭＯＳトランジスタ３３をオン状態にしている場合、車体グランドとグランド端子ＧＮＤとの間に抵抗３４が並列接続される。このため車体グランドの電位はＮＭＯＳトランジスタ３３のオフ状態の場合より低下する。この場合の車体グランドの電位ＶｇｎｄをＶｇ４、検出電圧ＶｘをＶｘ４とすると、Ｖｘ４、Ｖｇ４は（式１６ａ）、（式１６ｂ）で表される。

　図８は、図７の漏電検出回路の特性例を示す図である。図８では、Ｖｂ＝４００Ｖ、Ｖｒ＝５Ｖ、ｒ６＝０．０１２５ＭΩ、ｒ７＝０．９８７５ＭΩ、ｒ８＝ｒ１４＝１ＭΩに設定されている。図８は、Ｒ１＝１０ＭΩに固定してＲ２を０．１ＭΩ～１０ＭΩに変化させた場合と、Ｒ２＝１０ＭΩに固定してＲ１を０．１ＭΩ～１０ＭΩに変化させた場合と、Ｒ１＝Ｒ２として０．１ＭΩ～１０ＭΩに変化させた場合の（ａ）車体シャーシ電位Ｖｇｎｄと（ｂ）検出電圧Ｖｘを示す。また、ＮＭＯＳトランジスタ３３がオフ状態の場合が実線、ＮＭＯＳトランジスタ３３がオン状態の場合を破線で示す。

　ＮＭＯＳトランジスタ３３がオン状態の場合、絶縁抵抗Ｒ１及びＲ２が高抵抗である正常時には、抵抗１１によってグランド電位Ｖｇｎｄはバッテリ負極側に偏る。この点を除き、車体グランドの電位Ｖｇｎｄと検出電圧Ｖｘの絶縁抵抗Ｒ１及びＲ２による変化の仕方は図６と同様である。即ち、正常時には、ＮＭＯＳトランジスタ３３がオフ状態での検出電圧が抵抗２６，２７，２８で決まり、オン状態では抵抗３４の影響で検出電圧が低下するが、何らかの原因で絶縁不良が起こり、絶縁抵抗Ｒ１またはＲ２が低下すると、オン状態の検出電圧とオフ状態の検出電圧の差が小さくなる。この検出電圧の差が所定値以下になることによって絶縁不良を検出することができる。もちろん、第１の実施形態のように検出電圧が所定の範囲を外れることによって絶縁不良と判断することと併用しても構わない。

　以上の説明では、検出電圧Ｖｘを所定の閾値との比較によって漏電を検出したが、本実施の形態においても図３Ａ、図４での説明と同様に、検知回路に演算機能があれば、絶縁抵抗Ｒ１及びＲ２を算出することもできる。（式１４ｂ）及び（式１６ｂ）より、検出電圧Ｖｘ３及びＶｘ４から車体グランドの電位Ｖｇ３及びＶｇ４を求める。これらと、（式１５）と（式１７）からＲ１及びＲ２に関する連立方程式を立てて解くと、（式１８）、（式１９）のように絶縁抵抗Ｒ１及びＲ２が算出できる。

　以上のように本実施形態による漏電検出回路１０は、同じ検知回路５ｂをバッテリ１の正極側にも負極側にも設定することができる。漏電検出回路１０は、さらにスイッチ素子を用いて異なる抵抗負荷をバッテリ－車体グランド間に接続することによって、絶縁抵抗Ｒ１、Ｒ２の抵抗値を算出することができる。

　尚、本実施形態では絶縁抵抗を算出するための連立方程式を得るためにスイッチ素子を用いて複数条件を創出したが、そのような方法に限定されるものではない。

　以上説明してきたように第２の実施の形態に係る漏電検出回路１０は、シャーシと所定の端子との間に接続される、抵抗素子（３１／３４）とスイッチ素子（３２／３３）との直列回路を有し、検知回路５は、スイッチ素子（３２／３３）の開状態と閉状態との切り換えを駆動する駆動端子Ｏｕｔ１を有する。

　ここで、抵抗素子は、図５の抵抗３１に対応し、図７の抵抗３４に対応する。スイッチ素子は、図５のＰＭＯＳトランジスタ３２に対応し、図７のＮＭＯＳトランジスタ３３に対応する。

　これによれば、漏電の発生を容易に判定することができる。

　ここで、検知回路５は、スイッチ素子（３２／３３）が開状態のときの第１の検出端子の電圧を第１電圧として検出し、スイッチ素子（３２／３３）が閉状態のときの第１の検出端子の電圧を第２電圧として検出し、第１電圧と第２電圧との差が所定値以下であると、漏電していると判定してもよい。

　ここで、第１電圧は、図５に関する式８ａおよび式８ｂの電圧Ｖｘに対応し、図７に関する式１０ａおよび式１０ｂの電圧Ｖｘ２に対応する。第２電圧は、図５に関する式１４ａおよび式１４ｂの電圧Ｖｘ３に対応し、図７に関する式１６ａおよび式１６ｂの電圧Ｖｘ４に対応する。

　これによれば、漏電の発生を容易に判定することができる。

　ここで、検知回路は、スイッチ素子が開状態のときの第１の検出端子の電圧を第１電圧として検出し、スイッチ素子が閉状態のときの第１の検出端子の電圧を第２電圧として検出し、第１電圧および第２電圧に基づいて、バッテリ１の正極とシャーシとの間の抵抗値とバッテリ１の負極とシャーシとの間の抵抗値とを算出してもよい。

　これによれば、２つの絶縁抵抗値Ｒ１およびＲ２、すなわち、バッテリ１の正極とシャーシとの間の抵抗値とバッテリ１の負極とシャーシとの間の抵抗値とを算出するので、等価的な絶縁抵抗Ｒ１とＲ２とが偶然同じように低下した場合であっても、漏電を定量的に判定することができる。また、漏電が正極側で発生しているか負極側で発生しているのかを判定することができる。

　ここで、検知回路は、第２の検出端子Ｉｎ２と、第２電極と第２の検出端子Ｉｎ２との間に接続された第４の抵抗器（２４／３０）と、記第２の検出端子Ｉｎ２と所定の端子との間に接続された第５の抵抗器（２５／２９）と、を有し、検知回路は、第２の検出端子Ｉｎ２の電圧を検出し、検出した電圧に基づいてバッテリの電圧（Ｖｂ）を算出し、スイッチ素子が開状態のときの第１の検出端子の電圧を第１電圧として検出し、スイッチ素子が閉状態のときの第１の検出端子の電圧を第２電圧として検出し、バッテリ１の電圧Ｖｂ、第１電圧および第２電圧に基づいて、バッテリ１の正極とシャーシとの間の抵抗値Ｒ２とバッテリ１の負極とシャーシとの間の抵抗値Ｒ１とを算出してもよい。

　これによっても、等価的な絶縁抵抗Ｒ１とＲ２とが偶然同じように低下した場合であっても、漏電を定量的に判定することができる。また、漏電が正極側で発生しているか負極側で発生しているのかを判定することができる。

　（第３の実施形態）
　［３．１　バッテリの正極基準にした漏電検出回路の構成例］
　図９は第３の実施形態として、第２の実施形態の漏電検出回路にバッテリ電流検出回路を加えたバッテリ状態検出回路１００の回路構成例を示す図である。図９において、第２の実施形態の漏電検出回路である図５と異なるのは、バッテリ正極と負荷（図示していない）との間に抵抗３５を設けた点と、検知回路がその両端電圧を検出して増幅して制御回路５３へ出力するアンプ５４を有している点とであり、検知回路を図１及び図５と区別するために検知回路５ｃとした。

　抵抗３５は、バッテリ１の正極と負荷との間に接続される電流検出用抵抗である。

　アンプ５４は、抵抗３５の両端電圧を、バッテリ１の電流値を示す信号として検出する。

　［３．２　バッテリの負極基準にした漏電検出回路の構成例］
　また、図１０は検知回路５ｃをバッテリ負極側に設けたバッテリ状態検出回路１００の構成を示す。図１０において、第２の実施の形態の図７と異なるのは、バッテリ負極と負荷（図示していない）との間に抵抗３６を設けた点と、検知回路５ｃのアンプ５４がその両端電圧を検出して増幅して制御回路５３へ出力する点とである。

　抵抗３６は、バッテリ１の負極と負荷との間に接続される電流検出用抵抗である。

　アンプ５４は、抵抗３６の両端電圧を、バッテリ１の電流値を示す信号として検出する。この電流値は、バッテリ１の放電電流または充電電流の大きさを示す。

　以上のように、漏電検出回路は、その検知回路を電流検出回路の設置位置に応じてバッテリの正極側にも負極側にも設定できる。このことにより、バッテリの電圧、電流、漏電の有無等を検出するバッテリ状態検出回路として集積回路化するなどして全体を簡素化することができる。

　以上説明してきたように第３の実施の形態に係るバッテリ状態検出回路１００は、上記の漏電検出回路１０と、第１電極と負荷との間に接続される電流検出抵抗３５／３６と、電流検出抵抗３５／３６の両端電圧を、バッテリ１の電流値を示す信号として検出する増幅回路５４と、を有する。

　これによれば、バッテリ状態判定回路は、ゼロ電位をバッテリ１の正極を基準にすることも負極を基準することも可能である。また、バッテリ状態判定回路は、バッテリ状態を示す指標として、バッテリ１が充電または放電する電流値、漏電の有無を検知することができる。

　また、第３の実施の形態に係るバッテリ状態検出回路１００は、上記の漏電検出回路１０と、第１電極と負荷との間に接続される電流検出抵抗３５／３６と、電流検出抵抗３５／３６の両端電圧を、バッテリ１の電流値を示す信号として検出する増幅回路５４と、を有し、検知回路は、第１の検出端子Ｉｎ１に接続された第１ＡＤコンバータ５１と、第２の検出端子Ｉｎ２に接続された第２ＡＤコンバータ５２と、第１ＡＤコンバータ５１から出力される第１データ、第２ＡＤコンバータ５２からの出力される第２データに基づいて、漏電の有無を判定し、バッテリの電圧値および電流値を算出する制御回路５３とを有する。

　ここで、電流検出抵抗は、図９の抵抗３５に対応し、図１０の抵抗３６に対応する。

　これによれば、バッテリ状態判定回路は、ゼロ電位をバッテリの正極を基準にすることも負極を基準することも可能である。また、バッテリ状態判定回路は、バッテリ状態を示す指標として、バッテリの電圧値、バッテリが充電または放電する電流値、漏電の有無を検知することができる。

　ここで、増幅回路５４は、検知回路に含まれてもよい。

　これによれば、検知回路の機能として、漏電の有無の判定に加えて、バッテリが充電または放電する電流値を検知することができる。

　ここで、検知回路は集積回路化されていてもよい。

　これによれば、検知回路はＩＣチップとして小型化でき、コストを低減し、使い勝手を向上させることができる。

　なお、図５の漏電検出回路１０において、ＰＭＯＳトランジスタ３２の代わりにＮＭＯＳトランジスタを備えてもよい。その場合、制御回路５３は、駆動信号の論理レベルを反転すればよい。また、図５の漏電検出回路１０において、ＰＭＯＳトランジスタ３２の代わりに、ＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタとを並列に組み合わせたスイッチ回路を備えてもよい。

　また、図５の漏電検出回路１０において、図１Ｂと同様にスイッチ４１およびスイッチ４２を追加し、制御回路５３がスイッチ４１およびスイッチ４２を制御するように構成してもよい。また、図５の漏電検出回路１０において、図１Ｃと同様に抵抗２４、抵抗２５、検出端子Ｉｎ２を削除した構成としてもよい。

　なお、図７の漏電検出回路１０において、ＮＭＯＳトランジスタ３３の代わりにＰＭＯＳトランジスタを備えてもよい。その場合、制御回路５３は、駆動信号の論理レベルを反転すればよい。また、図７の漏電検出回路１０において、ＮＭＯＳトランジスタ３３の代わりに、ＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタとを並列に組み合わせたスイッチ回路を備えてもよい。

　また、図７の漏電検出回路１０において、図３Ｂと同様にスイッチ４７およびスイッチ４８を追加し、制御回路５３がスイッチ４７およびスイッチ４８を制御するように構成してもよい。また、図７の漏電検出回路１０は、図３Ｃと同様に抵抗２９、抵抗３０、検出端子Ｉｎ２を削除した構成としてもよい。

　なお、図９のバッテリ状態検出回路１００において、図１Ｂと同様にスイッチ４１およびスイッチ４２を追加し、制御回路５３がスイッチ４１およびスイッチ４２を制御するように構成してもよい。

　また、図１０のバッテリ状態検出回路１００において、図３Ｂと同様にスイッチ４７およびスイッチ４８を追加し、制御回路５３がスイッチ４７およびスイッチ４８を制御するように構成してもよい。

　本開示のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、本開示の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、本開示の範囲や要旨に含まれると同様に、請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１　　　バッテリ
２１～３１　　抵抗
３２　　ＰＭＯＳトランジスタ
３３　　ＮＭＯＳトランジスタ
３４～３６　　抵抗
５ａ、５ｂ、５ｃ　　　検知回路
５０　　基準電圧源
５１、５２　　ＡＤコンバータ
５３　　　制御回路
５４　　　アンプ

Claims (14)

1. 　正または負の極性を有する第１電極および前記第１電極と逆極性の第２電極を有するバッテリからシャーシへの漏電を検出する漏電検出回路であって、
   　基準電圧を出力するための基準電圧源端子、第１の検出端子、および、前記第１電極に接続されるグランド端子を有する検知回路と、
   　前記第２電極と前記シャーシとの間に接続される第１の抵抗器と、
   　前記シャーシと前記第１の検出端子との間に接続される第２の抵抗器と、
   　前記第１の検出端子と所定の端子との間に接続される第３の抵抗器と、を備え、
   　前記第１電極の極性が正である場合、前記所定の端子は前記基準電圧源端子であり、
   　前記第１電極の極性が負である場合、前記所定の端子は前記第１電極であり、
   　前記検知回路は、前記第１の検出端子の電圧を検出し、検出した電圧に基づいて漏電の有無を検出する
   漏電検出回路。
2. 　前記検知回路は、前記第１の検出端子の電圧が所定の範囲から外れると、漏電していると判定する
   請求項１に記載の漏電検出回路。
3. 　前記シャーシと前記所定の端子との間に接続される、抵抗素子とスイッチ素子との直列回路を有し、
   　前記検知回路は、前記スイッチ素子の開状態と閉状態との切り換えを駆動する駆動端子を有する
   請求項１または２に記載の漏電検出回路。
4. 　前記検知回路は、前記スイッチ素子が開状態のときの前記第１の検出端子の電圧を第１電圧として検出し、前記スイッチ素子が閉状態のときの前記第１の検出端子の電圧を第２電圧として検出し、前記第１電圧と前記第２電圧との差が所定値以下であると、漏電していると判定する
   請求項３に記載の漏電検出回路。
5. 　前記検知回路は、前記スイッチ素子が開状態のときの前記第１の検出端子の電圧を第１電圧として検出し、
   　前記スイッチ素子が閉状態のときの前記第１の検出端子の電圧を第２電圧として検出し、
   　前記第１電圧および前記第２電圧に基づいて、前記バッテリの正極と前記シャーシとの間の抵抗値と前記バッテリの負極と前記シャーシとの間の抵抗値とを算出する
   請求項３に記載の漏電検出回路。
6. 　前記検知回路は、第２の検出端子と、
   　前記第２電極と前記第２の検出端子との間に接続された第４の抵抗器と、
   　前記第２の検出端子と前記所定の端子との間に接続された第５の抵抗器と、を有し、
   　前記検知回路は、前記第２の検出端子の電圧を検出し、検出した電圧に基づいて前記バッテリの電圧を算出する
   請求項１から５のいずれか１項に記載の漏電検出回路。
7. 　前記検知回路は、第２の検出端子と、
   　前記第２電極と前記第２の検出端子との間に接続された第４の抵抗器と、
   　前記第２の検出端子と前記所定の端子との間に接続された第５の抵抗器と、を有し、
   　前記検知回路は、
   　前記第２の検出端子の電圧を検出し、検出した電圧に基づいて前記バッテリの電圧を算出し、
   　前記スイッチ素子が開状態のときの前記第１の検出端子の電圧を第１電圧として検出し、
   　前記スイッチ素子が閉状態のときの前記第１の検出端子の電圧を第２電圧として検出し、
   　前記バッテリの電圧、前記第１電圧および前記第２電圧に基づいて、前記バッテリの正極と前記シャーシとの間の抵抗値と前記バッテリの負極と前記シャーシとの間の抵抗値とを算出する
   請求項３に記載の漏電検出回路。
8. 　前記第１の抵抗器に直列に接続され、前記第１の抵抗器と前記第２電極との間に接続された第１スイッチと、
   　前記第２の抵抗器に直列に接続され、前記第２の抵抗器と前記第１の検出端子との間に接続された第２スイッチと、を備え、
   　前記検知回路は、前記第１スイッチおよび前記第２スイッチのオンおよびオフを制御する
   請求項１から７のいずれか１項に記載の漏電検出回路。
9. 　前記検知回路は、
   　前記第１の検出端子に接続された第１ＡＤコンバータと、
   　前記第１ＡＤコンバータから出力される第１データに基づいて、漏電の有無を判定する制御回路とを有する
   請求項１から８のいずれか１項に記載の漏電検出回路。
10. 　前記検知回路は、
    　前記第１の検出端子に接続された第１ＡＤコンバータと、
    　前記第２の検出端子に接続された第２ＡＤコンバータと、
    　前記第１ＡＤコンバータから出力される第１データ、および、前記第２ＡＤコンバータからの出力される第２データに基づいて、漏電の有無を判定し、前記バッテリの電圧値を算出する制御回路とを有する
    請求項６または７に記載の漏電検出回路。
11. 　請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の漏電検出回路と、
    　前記第１電極と負荷との間に接続される電流検出抵抗と、
    　前記電流検出抵抗の両端電圧を、前記バッテリの電流値を示す信号として検出する増幅回路と、を有する
    バッテリ状態検出回路。
12. 　請求項６または７に記載の漏電検出回路と、
    　前記第１電極と負荷との間に接続される電流検出抵抗と、
    　前記電流検出抵抗の両端電圧を、前記バッテリの電流値を示す信号として検出する増幅回路と、を有し、
    　前記検知回路は、
    　前記第１の検出端子に接続された第１ＡＤコンバータと、
    　前記第２の検出端子に接続された第２ＡＤコンバータと、
    　前記第１ＡＤコンバータから出力される第１データ、前記第２ＡＤコンバータからの出力される第２データに基づいて、漏電の有無を判定し、前記バッテリの電圧値および電流値を算出する制御回路とを有する
    バッテリ状態検出回路。
13. 　前記増幅回路は、前記検知回路に含まれる
    請求項１１または１２に記載のバッテリ状態検出回路。
14. 　前記検知回路は集積回路化されている
    請求項１３に記載のバッテリ状態検出回路。

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