WO2022205507A1 - 一种 oled 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

一种 oled 显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDF

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WO2022205507A1
WO2022205507A1 PCT/CN2021/087391 CN2021087391W WO2022205507A1 WO 2022205507 A1 WO2022205507 A1 WO 2022205507A1 CN 2021087391 W CN2021087391 W CN 2021087391W WO 2022205507 A1 WO2022205507 A1 WO 2022205507A1
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spacer
spacer structure
display area
area
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PCT/CN2021/087391
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杜骁
张怀
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武汉华星光电半导体显示技术有限公司
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K50/80—Constructional details
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present application relates to the field of display, and in particular, to an OLED display panel, a preparation method thereof, and a display device.
  • OLED Organic Electroluminescent Display
  • the purpose of the present invention is to provide an OLED display panel, a preparation method thereof, and a display device, wherein a spacer layer and a cathode are sequentially arranged on the pixel definition layer, and simple mechanical scraping, mechanical adhesion, and laser ablation are performed in the imaging area.
  • One of the methods removes the cathode of the protruding part, so that a regular mesh cathode pattern is formed in the camera area under the screen, so as to solve the technical problem of low transmittance in the existing camera area.
  • the present invention provides an OLED display panel, including a first display area and a second display area, the OLED display panel further includes: a substrate extending from the first display area to the second display area ; A pixel definition layer, disposed on the substrate, and disposed in the first display area and the second display area, wherein the pixel definition layer includes a plurality of isolation structures and is disposed in two adjacent isolation structures pixel openings between the structures; a spacer layer, including a plurality of first spacer structures, the first spacer structures are correspondingly arranged on the isolation structures in the first display area; a light-emitting layer is arranged on the in the pixel openings of the first display area and the second display area; and a cathode disposed on the light-emitting layer of the first display area and the second display area, and in the first display area region, the cathode extends to the side of the first spacer structure.
  • the OLED display panel further includes: an encapsulation layer disposed on a side of the cathode away from the light-emitting layer; wherein the encapsulation layer is in the first display area, separated from the first spacer
  • the pad structure is in direct contact with the surface on the side away from the substrate.
  • the spacer layer further has a second spacer structure corresponding to the isolation structure in the second display area; in the second display area, the cathode extends to the second spacer
  • the surface of the spacer structure covers the second spacer structure, wherein the thickness of the first spacer structure is smaller than the thickness of the second spacer structure.
  • the upper surface of the spacer layer is the side away from the substrate, and the forward projection of the first spacer structure or the second spacer structure on the surface where the upper surface of the isolation structure is located is completely complete. falls within the range of the upper surface of the isolation structure.
  • each of the first spacer structure and/or the second spacer structure has a slot; the display panel further includes: an encapsulation layer disposed on the cathode and filled in the slot , wherein the encapsulation layer forms a snap portion in the snap slot.
  • the forward projected area of the first spacer structure on the surface of the substrate is the first area
  • the forward projected area of the pixel definition layer on the surface of the substrate is the second area
  • the The first area accounts for 5% to 90% of the entire second area.
  • the present invention also provides a method for preparing an OLED display panel, which includes the following steps: providing a substrate; forming a pixel definition layer on the substrate; patterning the pixel definition layer to form a plurality of an isolation structure, wherein the isolation structure encloses a pixel opening; a light-emitting layer is formed in the pixel opening; a spacer layer is formed on the pixel definition layer; the spacer layer is patterned to form a first semi-finished product A spacer structure, wherein the area where the first spacer structure of the semi-finished product is located is the first display area; a cathode is formed on the light-emitting layer and the spacer layer, wherein the cathode extends from the surface of the spacer layer extending to the surface of the light-emitting layer; in the first display area, the first spacer structure of the semi-finished product is thinned, and the cathode corresponding to the top surface of the first spacer structure of the semi-finished
  • the spacer layer further includes: forming a second spacer structure, wherein the area where the second spacer structure is located is the second display area; In the step of forming a cathode on the light-emitting layer and the spacer layer, in the second display area, the cathode extends to the surface of the second spacer structure and covers the second spacer structure.
  • the present invention also provides a display device comprising the aforementioned OLED display panel.
  • the display device further includes: an encapsulation layer disposed on a side of the cathode far from the light-emitting layer; wherein the encapsulation layer is in the first display area, and is connected to the first spacer The structure is in direct contact with the surface on the side away from the substrate.
  • the spacer layer further has a second spacer structure corresponding to the isolation structure in the second display area; in the second display area, the cathode extends to the second spacer
  • the surface of the spacer structure covers the second spacer structure, wherein the thickness of the first spacer structure is smaller than the thickness of the second spacer structure.
  • the upper surface of the spacer layer is the side away from the substrate, and the forward projection of the first spacer structure or the second spacer structure on the surface where the upper surface of the isolation structure is located is completely complete. falls within the range of the upper surface of the isolation structure.
  • each of the first spacer structure and/or the second spacer structure has a slot; the display device further includes: an encapsulation layer disposed on the cathode and filled in the slot , wherein the encapsulation layer forms a snap portion in the snap slot.
  • the cathode extends to the surface of the pixel definition layer and covers the pixel definition layer.
  • the forward projected area of the first spacer structure on the surface of the substrate is determined to be the first area, and the forward projected area of the pixel definition layer on the surface of the substrate The area is the second area, and the first area accounts for 5% to 90% of the entire second area.
  • the technical effect of the present invention is to provide an OLED display panel, a preparation method thereof, and a display device, wherein the spacer layer is arranged in the first display area, and a method of mechanical scraping, mechanical adhesion or laser ablation is adopted,
  • the first spacer structure of the semi-finished product is thinned, and the cathode correspondingly disposed on the top surface of the first spacer structure of the semi-finished product is removed to form a first spacer structure, so that the cathode is located in the first spacer structure of the semi-finished product.
  • the display area forms a regular mesh cathode pattern, which is conducive to further enhancing the overall transmittance of the first display area (under-screen camera area) without affecting the display effect of the first display area .
  • the spacer layer can also be arranged in the second display area, which is beneficial to increase the contact area between the pixel definition layer and/or the spacer layer and the cathode, thereby improving the contact area between the cathode and the cathode.
  • the adsorption force between the substrates avoids film separation when folding or bending.
  • FIG. 1 is a plan view of the OLED display panel provided in Embodiment 1 of the present application.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the first display area provided in Embodiment 1 of the present application;
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the second display area provided in Embodiment 1 of the present application.
  • FIG. 5 is a plan view of the second display area provided in Embodiment 1 of the present application.
  • FIG. 6 is a flowchart of a method for preparing an OLED display panel provided in Embodiment 1 of the present application;
  • FIG. 7 is a schematic structural diagram of the pixel definition layer provided in Embodiment 1 of the present application after the formation step;
  • Example 8 is a schematic structural diagram of the spacer layer provided in Example 1 of the present application after being formed;
  • Example 9 is a schematic structural diagram of the cathode provided in Example 1 of the present application after formation;
  • Example 10 is a schematic structural diagram of the cathode after patterning provided in Example 1 of the application;
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the OLED display panel provided in Embodiment 2 of the present application.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the second display area provided in Embodiment 3 of the present application.
  • Embodiments of the present application provide an OLED display panel and a manufacturing method thereof. Each of them will be described in detail below. It should be noted that the description order of the following embodiments is not intended to limit the preferred order of the embodiments.
  • FIG. 1 is a plan view of the OLED display panel provided in Embodiment 1 of the present application.
  • this embodiment provides an OLED display panel 100 including a first display area 100a and a second display area 100b surrounding the first display area 100a.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the first display area provided by Embodiment 1 of the present application
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the second display area provided by Embodiment 1 of the present application.
  • the OLED display panel 100 further includes a substrate 10 , a pixel definition layer 20 , a spacer layer 30 , a light-emitting layer 40 , a cathode 50 and an encapsulation layer 60 .
  • the substrate 10 extends from the first display area 100a to the second display area 100b.
  • the substrate 10 includes a substrate layer 101 , a thin film transistor layer 102 , a flat layer 103 and an anode 104 .
  • the substrate layer 101 includes a first flexible substrate 1011 , a first barrier layer 1012 , a second flexible substrate 1013 , a second barrier layer 1014 , a light shielding layer 1015 , and a buffer layer 1016 .
  • the first barrier layer 1012 is disposed on the first flexible substrate 1011
  • the second flexible substrate 1013 is disposed on the first barrier layer 1012
  • the second barrier layer 1014 is disposed on the second flexible substrate
  • the light shielding layer 1015 is disposed on the second barrier layer 1014
  • the buffer layer 1016 is disposed on the second barrier layer 1014 and covers the light shielding layer 1015 .
  • the thin film transistor layer 102 includes an active layer 1021, a first gate insulating layer 1022, a first gate layer 1023, a second gate insulating layer 1024, a second gate layer 1025, a dielectric layer 1026 and source-drain electrodes Layer 1027.
  • the active layer 1021 is disposed on the buffer layer 1016 and faces the light shielding layer 1015 .
  • the first gate insulating layer 1022 is disposed on the buffer layer 1016 and covers the active layer 1021 .
  • the first gate layer 1023 is disposed on the first gate insulating layer 1022 , and its forward projection completely falls within the range of the active layer 1021 .
  • the second gate insulating layer 1024 is disposed on the first gate insulating layer 1022 and covers the first gate layer 1023 .
  • the second gate layer 1025 is disposed on the second gate insulating layer 1024 and is opposite to the first gate layer 1023 .
  • the dielectric layer 1026 is disposed on the second gate insulating layer 1024 and covers the second gate layer 1025 .
  • the dielectric layer 1026 may be a single-layer or double-layer inorganic structure.
  • the source-drain electrode layer 1027 penetrates from the dielectric layer 1026 to the upper surface of the active layer 1021 .
  • the pixel definition layer 20 is disposed on the substrate 10, and is disposed in the first display area 100a and the second display area 100b, wherein the pixel definition layer 20 has a plurality of isolation structures 201 and is formed by the The pixel opening 202 formed by the isolation structure 201 is enclosed.
  • the spacer layer 30 may be disposed in both the first display area 100a and the second display area 100b.
  • the spacer layer 30 has a first spacer structure 30a and a second spacer structure 30b.
  • the first spacer structure 30a is correspondingly disposed on the isolation structure 201 of the first display area 100a.
  • the second spacer structure 30b is correspondingly disposed on the isolation structure 201 of the second display area 100b.
  • the thickness of the first spacer structure 30a is smaller than the thickness of the second spacer structure 30b.
  • the cross-sectional shape of the first spacer structure 30a or the second spacer structure 30b is a polygon or other special-shaped shapes.
  • the polygon may be an arc-side trapezoid with a flat top (eg, a regular trapezoid, an inverted trapezoid).
  • first spacer structure 30a and the second spacer structure 30b may serve as the support structure of the OLED display panel 100, and play a supporting role.
  • the light-emitting layer 40 is disposed in the pixel openings 202 of the first display area 100a and the second display area 100b.
  • FIG. 4 is a plan view of a first display area provided by Embodiment 1 of the present application
  • FIG. 5 is a plan view of a second display area provided by Embodiment 1 of the present application.
  • the light-emitting layer 40 has a plurality of sub-pixel units, including red sub-pixels 401 , green sub-pixels 402 , and blue sub-pixels 403 .
  • the red sub-pixel 401 , the green sub-pixel 402 , and the blue sub-pixel 403 are disposed in the pixel opening 202 at intervals through the isolation structure 201 .
  • the first spacer structure 30a or the second spacer structure 30b is on the upper surface of the isolation structure 201, it can be seen from FIG. 2 and FIG.
  • the red sub-pixels 401 , the green sub-pixels 402 , the blue sub-pixels 403 and the plane patterns of the first spacer structure 30 a or the second spacer structure 30 b may all be polygons, circles or Other shaped graphics.
  • the polygon may be a rectangle, a rhombus, a square, and the like, and the circle may be an ellipse, an arc, a pearl, and the like.
  • the patterns of the red sub-pixel 401, the green sub-pixel 402, and the blue sub-pixel 403 can cooperate with the pattern of the first spacer structure 30a or the second spacer structure 30b, and do not affect the The light-emitting effect of the light-emitting layer 40 can be described above.
  • the cathode 50 is disposed on the light emitting layer 40 of the first display area 100a and the second display area 100b.
  • a light-emitting layer 40 is located between two adjacent first spacer structures 30a; the cathode 50 passes through the surface of the light-emitting layer 40 from the sidewall of one of the first spacer structures 30a Extending to the sidewall of another first spacer structure 30a, that is, the cathode 50 is disposed on the upper surface of the light emitting layer 40 and extends to the side surface of the first spacer structure 30a.
  • the cathode 50 extends from the upper surface of the light emitting layer 40 to the surface of the second spacer structure 30b, and covers the second spacer structure 30b.
  • the encapsulation layer 60 is disposed on the cathode 50 and the upper surface of the first spacer structure 30a, and in the second display area 100b, the encapsulation layer 60 is disposed on the cathode 50 on.
  • the encapsulation layer 60 is used to protect the light-emitting layer 40 to prevent water and oxygen from invading the light-emitting layer 40 and affecting its life.
  • the upper surface of the spacer layer 30 is the side away from the substrate 10, and the first spacer structure 30a or the second spacer structure 30b is in the isolation
  • the forward projection on the surface of the upper surface of the structure 201 completely falls within the range of the upper surface of the isolation structure 201, which is beneficial to ensure that the sub-pixel units in each of the pixel openings 202 are not affected by the first pixel.
  • a spacer structure 30a or the second spacer structure 30b is partially or completely covered, thereby enhancing the light-emitting effect of the OLED display panel 100 .
  • the forward projected area of the first spacer structure 30a on the surface of the substrate 10 is determined to be the first area S1, and the pixel definition layer 20 is on the surface of the substrate 10.
  • the forward projection area is the second area S2, and the first area S1 accounts for 5% to 90% of the entire second area S2, which is beneficial to improve the light emitting effect of any position of the first display area 100a, and further The transmittance of the first display area 100a is enhanced.
  • the forward projected area of the second spacer structure 30b on the surface of the substrate 10 can also be set as the third area S3, and the pixel definition layer 20 is in the The forward projected area of the surface of the substrate 10 is the fourth area S4, and the third area S3 accounts for 5% to 90% of the entire fourth area S4, which is beneficial to improve any position of the second display area 100b The light emitting effect is improved, thereby enhancing the transmittance of the second display area 100b.
  • the forward projected area of the spacer layer 30 on the surface of the substrate 10 is set to be the fifth area S5
  • the pixel definition layer 20 is on the surface of the substrate 10 .
  • the forward projection area is the sixth area S6, and the fifth area S5 accounts for 5% to 90% of the entire sixth area S6, which is beneficial to improve the light emitting effect of any position of the OLED display panel 100, thereby enhancing the The overall transmittance of the OLED display panel 100 .
  • the first display area 100a is an imaging area
  • the second display area 100b is an active display area (active area, AA area).
  • the thickness of the first spacer structure 30a is smaller than the thickness of the second spacer structure 30b, it is beneficial to enhance the overall transmittance of the under-screen imaging area.
  • the thickness of the first spacer structure 30a is 0.5 ⁇ m-10 ⁇ m; the thickness of the second spacer structure 30b is 4 ⁇ m-12 ⁇ m.
  • the spacer layer 30 is arranged in the first display area 100a, and the first spacer structure 30a of the semi-finished product is thinned by means of mechanical scraping, mechanical adhesion or laser ablation, and the corresponding spacer structure 30a is removed.
  • the cathode 50 disposed on the top surface of the first spacer structure 30a of the semi-finished product forms the first spacer structure 30a, and makes the cathode 50 form a regular mesh pattern in the first display area 100a, Referring to FIG. 4 as shown in the grid structure, the grid structure is beneficial to further enhance the overall transmittance of the first display area 100a (under-screen camera area), and will not affect the first display area 100a display effect.
  • Disposing the spacer layer 30 in the second display area 100b is beneficial to increase the contact area between the pixel definition layer 20 and/or the spacer layer 30 and the cathode 50, so that the cathode can be improved
  • the adsorption force between the substrate 50 and the substrate 10 avoids film separation during folding or bending.
  • the laser ablation method when used to thin the semi-finished first spacer structure 30a and remove the cathode 50 on the top surface of the semi-finished first spacer structure 30a , which can provide certain protection to the lines under the spacer layer 30 and improve the yield of the mesh-shaped cathode pattern formed by laser ablation.
  • the design of disposing the spacer layer 30 on the pixel definition layer 20 in this embodiment can overcome the current technological difficulties in the camera area under the screen through simple mask revision and film layer addition, thereby improving the overall transmission of the camera area. Rate.
  • the encapsulation layer 60 is disposed on the cathode 50 and extends from the first display area 100a to the second display area 100b.
  • the encapsulation layer 60 is in direct contact with the surface of the first spacer structure 30 a on the side away from the substrate 10 .
  • the encapsulation layer 60 is attached to the cathode 50 .
  • FIG. 6 is a flowchart of the method for manufacturing an OLED display panel provided in Embodiment 1 of the present application.
  • this embodiment further provides a method for preparing an OLED display panel, including the following steps S1)-S9).
  • the substrate 10 includes a substrate layer 101 , a thin film transistor layer 102 , a flat layer 103 and an anode 104 .
  • the substrate layer 101 includes a first flexible substrate 1011 , a first barrier layer 1012 , a second flexible substrate 1013 , a second barrier layer 1014 , a light shielding layer 1015 , and a buffer layer 1016 .
  • the first barrier layer 1012 is disposed on the first flexible substrate 1011
  • the second flexible substrate 1013 is disposed on the first barrier layer 1012
  • the second barrier layer 1014 is disposed on the second flexible substrate
  • the light shielding layer 1015 is disposed on the second barrier layer 1014
  • the buffer layer 1016 is disposed on the second barrier layer 1014 and covers the light shielding layer 1015 .
  • the thin film transistor layer 102 includes an active layer 1021, a first gate insulating layer 1022, a first gate layer 1023, a second gate insulating layer 1024, a second gate layer 1025, a dielectric layer 1026 and source-drain electrodes Layer 1027.
  • the active layer 1021 is disposed on the buffer layer 1016 and faces the light shielding layer 1015 .
  • the first gate insulating layer 1022 is disposed on the buffer layer 1016 and covers the active layer 1021 .
  • the first gate layer 1023 is disposed on the first gate insulating layer 1022 , and its forward projection completely falls within the range of the active layer 1021 .
  • the second gate insulating layer 1024 is disposed on the first gate insulating layer 1022 and covers the first gate layer 1023 .
  • the second gate layer 1025 is disposed on the second gate insulating layer 1024 and is opposite to the first gate layer 1023 .
  • the dielectric layer 1026 is disposed on the second gate insulating layer 1024 and covers the second gate layer 1025 .
  • the dielectric layer 1026 may be a single-layer or double-layer inorganic structure.
  • the source-drain electrode layer 1027 penetrates from the dielectric layer 1026 to the upper surface of the active layer 1021 .
  • FIG. 7 is a schematic structural diagram of the pixel definition layer provided in Embodiment 1 of the present application after the formation step.
  • the pixel definition layer 20 is patterned by methods such as exposure and development, and the pixel definition layer 20 has a plurality of isolation structures 201 and a plurality of isolation structures 201 enclosed and formed Pixel opening 202 .
  • the light-emitting layer 40 is formed by depositing an organic material (eg, organic quantum dot material) in the pixel opening 202 .
  • the light-emitting layer 40 has a plurality of sub-pixel units, including red sub-pixels, green sub-pixels, and blue sub-pixels.
  • the red sub-pixel, the green sub-pixel, and the blue sub-pixel are disposed in the pixel opening 202 at intervals through the isolation structure 201 .
  • FIG. 8 is a schematic structural diagram of the spacer layer provided in Example 1 of the present application after formation.
  • the spacer layer 30 is patterned by methods such as exposure and development, so that the spacer layer 30 has a semi-finished first spacer structure 301a and a second spacer structure 30b.
  • FIG. 9 is a schematic structural diagram of the cathode provided in Example 1 of the present application after formation.
  • metal materials such as copper, molybdenum, aluminum, etc.
  • other metal oxide materials are deposited on the light-emitting layer 40 and the spacer layer 30 to form a cathode 50 .
  • the first spacer structure of the semi-finished product is thinned, and the cathode corresponding to the top surface of the first spacer structure of the semi-finished product is removed to form a first spacer structure .
  • FIG. 10 is a schematic structural diagram of the cathode after patterning provided in Embodiment 1 of the present application.
  • the CCD alignment is completed in the CUP processing chamber, and any method of mechanical scraping, mechanical adhesion, and laser ablation is used to thin the first spacer structure 30a of the semi-finished product, and the first spacer structure 30a corresponding to the semi-finished product is removed.
  • the cathode 50 on the top surface of the first spacer structure of the semi-finished product, so that the thickness of the first spacer structure 30a is smaller than the thickness of the second spacer structure 30b.
  • the cathode 50 extends to the side of the first spacer structure 30a
  • the cathode 50 extends to the second spacer structure 30b and cover the second spacer structure 30b.
  • the first spacer structure 30a is correspondingly disposed on the isolation structure 201 of the first display area 100a
  • the second spacer structure 30b is corresponding to the isolation structure disposed in the second display area 100b 201 on.
  • the cross-sectional shape of the first spacer structure 30a or the second spacer structure 30b is a polygon or other special-shaped shapes.
  • the polygon may be an arc-side trapezoid with a flat top (eg, a regular trapezoid, an inverted trapezoid).
  • the cathode 50 is disposed on the light emitting layer 40 of the first display area 100a and the second display area 100b, and in the first display area 100a, the cathode 50 extends to the first partition On the side of the pad structure 30a, in the second display area 100b, the cathode 50 extends to the surface of the second spacer structure 30b and covers the second spacer structure 30b.
  • the upper surface of the spacer layer 30 is the side away from the substrate 10, and the first spacer structure 30a or the second spacer structure 30b is in the isolation
  • the forward projection on the surface of the upper surface of the structure 201 completely falls within the range of the upper surface of the isolation structure 201, which is beneficial to ensure that the sub-pixel units in each of the pixel openings 202 are not affected by the first pixel.
  • a spacer structure 30a or the second spacer structure 30b is partially or completely covered, thereby enhancing the light-emitting effect of the OLED display panel 100 .
  • the forward projected area of the first spacer structure 30a on the surface of the substrate 10 is determined to be the first area S1, and the pixel definition layer 20 is on the surface of the substrate 10.
  • the forward projection area is the second area S2, and the first area S1 accounts for 5% to 90% of the entire second area S2, which is beneficial to improve the light emitting effect of any position of the first display area 100a, and further The transmittance of the first display area 100a is enhanced.
  • the forward projected area of the second spacer structure 30b on the surface of the substrate 10 can also be set as the third area S3, and the pixel definition layer 20 is in the The forward projected area of the surface of the substrate 10 is the fourth area S4, and the third area S3 accounts for 5% to 90% of the entire fourth area S4, which is beneficial to improve any position of the second display area 100b The light emitting effect is improved, thereby enhancing the transmittance of the second display area 100b.
  • the forward projected area of the spacer layer 30 on the surface of the substrate 10 is set to be the fifth area S5
  • the pixel definition layer 20 is on the surface of the substrate 10 .
  • the forward projection area is the sixth area S6, and the fifth area S5 accounts for 5% to 90% of the entire sixth area S6, which is beneficial to improve the light emitting effect of any position of the OLED display panel 100, thereby enhancing the The overall transmittance of the OLED display panel 100 .
  • the first display area 100a is an imaging area
  • the second display area 100b is an active display area (active area, AA area).
  • the thickness of the first spacer structure 30a is smaller than the thickness of the second spacer structure 30b, it is beneficial to enhance the overall transmittance of the under-screen imaging area.
  • the thickness of the first spacer structure 30a is 0.5 ⁇ m-10 ⁇ m; the thickness of the second spacer structure 30b is 4 ⁇ m-12 ⁇ m.
  • packaging materials such as inorganic materials and organic materials on the cathode 50 to form at least one stacked inorganic and organic film layer to protect the light-emitting layer 40 and avoid water and oxygen intrusion
  • the light-emitting layer 40 affects its lifetime.
  • the encapsulation layer 60 is in direct contact with the surface of the first spacer structure 30 a on the side away from the substrate 10 .
  • the encapsulation layer 60 is attached to the cathode 50 .
  • This embodiment provides a method for preparing an OLED display panel.
  • the spacer layer 30 is arranged in the first display area 100a, and a method of mechanical scraping, mechanical adhesion or laser ablation is used to remove the first layer of the semi-finished product.
  • a spacer structure 30a is thinned, and the cathode 50 on the top surface of the semi-finished first spacer structure 30a is removed to form a first spacer structure 30a, and the cathode 50 is located in the first spacer structure 30a.
  • the display area 100a forms a regular mesh pattern, such as a grid structure, as shown in FIG.
  • the grid structure is conducive to further enhancing the overall transmittance of the first display area 100a (under-screen camera area), and does not The display effect of the first display area 100a will be affected.
  • Disposing the spacer layer 30 in the second display area 100b is beneficial to increase the contact area between the pixel definition layer 20 and/or the spacer layer 30 and the cathode 50, so that the cathode can be improved.
  • the adsorption force between the substrate 50 and the substrate 10 avoids film separation during folding or bending.
  • the present embodiment can achieve precise patterning of the cathode through simple structural changes and simpler equipment and manufacturing processes, and can avoid the shortcomings of the existing technology of insufficient accuracy and stability, and enhance the The transmittance of the first display area 100a (under-screen camera area) will not affect the display effect of this area; on the other hand, the cathode pattern of this embodiment can be freely changed according to the mask design, and can support various pixel arrangements 's under-screen camera application.
  • This embodiment also provides a display device, which includes the aforementioned OLED display panel.
  • the display device can be any product or component with display function, such as electronic paper, mobile phone, tablet computer, TV, monitor, notebook computer, digital photo frame, and navigator.
  • This embodiment provides an OLED display panel, a method for manufacturing the same, and a display device, including most of the technical solutions of Embodiment 1, with the difference that the spacer layer is only provided in the first display area.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the OLED display panel provided in Embodiment 2 of the present application.
  • the spacer layer 30 has a first spacer structure 30a, and the first spacer structure 30a is correspondingly disposed on the isolation structure 201 of the first display area 100a.
  • the light-emitting layer 40 is disposed in the pixel openings 202 of the first display area 100a and the second display area 100b.
  • the cathode 50 is disposed on the light emitting layer 40 of the first display area 100a and the second display area 100b.
  • a light-emitting layer 40 is located between two adjacent first spacer structures 30a; the cathode 50 passes through the surface of the light-emitting layer 40 from the sidewall of one of the first spacer structures 30a Extending to the sidewall of another first spacer structure 30a, that is, the cathode 50 is disposed on the upper surface of the light emitting layer 40 and extends to the side surface of the first spacer structure 30a.
  • the cathode 50 extends from the upper surface of the light emitting layer 40 to the surface of the second spacer structure 30b, and covers the second spacer structure 30b.
  • This embodiment provides an OLED display panel, a method for manufacturing the same, and a display device.
  • the spacer layer is arranged in the first display area, and a method of mechanical scraping, mechanical adhesion or laser ablation is used to remove the first layer of the semi-finished product. Thinning is performed on a spacer structure, and the cathode on the top surface of the first spacer structure of the semi-finished product is removed to form a first spacer structure, so that the cathode forms a regular mesh in the first display area
  • the mesh cathode pattern is beneficial to further enhance the overall transmittance of the first display area (under-screen camera area), and will not affect the display effect of the first display area.
  • This embodiment provides an OLED display panel, a method for manufacturing the same, and a display device, including all the technical solutions of Embodiment 1 or Embodiment 2, the difference is that the spacer layer is provided with a slot.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the first display area provided by Embodiment 3 of the present application
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the second display area provided by Embodiment 3 of the present application.
  • this embodiment provides an OLED display panel, wherein the first spacer structure 30 a and the second spacer structure 30 b each have a slot 301 .
  • the encapsulation layer 60 is disposed on the cathode 50 and in the slot 301 , wherein the encapsulation layer 60 forms a clip portion 601 in the slot.
  • the encapsulation layer 60 is disposed on the upper surface of the cathode 50 and the first spacer structure 30a, and fills the slot 301 to form the engaging portion 601;
  • the encapsulation layer 60 is disposed on the cathode 50 and fills the slot 301 to form the engaging portion 601 .
  • the clipping portion 601 is used to improve the adhesion of the encapsulation layer 60 during deposition on the spacer layer 30 , enhance the encapsulation layer 60 and the spacer layer 30 , the spacer layer 30 and the spacer layer 30
  • the compactness between the cathodes 50 can better protect the light-emitting layer 40 .
  • This embodiment provides a method for preparing an OLED display panel.
  • the difference between this embodiment and Embodiment 1 is that in the step of patterning the spacer layer, the method further includes: applying the spacer layer to the Hole digging is performed, so that both the first spacer structure and the second spacer structure of the semi-finished product have a slot 301 .
  • the cathode 50 is arranged in the slot 301 .
  • an encapsulation layer 60 is formed on the cathode 50 , wherein the encapsulation material fills the slot 301 to form the engaging portion 601 .
  • the encapsulation layer 60 is disposed on the upper surface of the cathode 50 and the first spacer structure 30a, and fills the slot 301 to form the engaging portion 601;
  • the encapsulation layer 60 is disposed on the cathode 50 and fills the slot 301 to form the engaging portion 601 .
  • the clipping portion 601 is used to improve the adhesion of the encapsulation layer 60 during deposition on the spacer layer 30 , enhance the encapsulation layer 60 and the spacer layer 30 , the spacer layer 30 and the spacer layer 30
  • the compactness between the cathodes 50 can better protect the light-emitting layer 40 .

Landscapes

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Abstract

公开一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，OLED显示面板包括第一显示区和第二显示区，其还包括基板、像素定义层、隔垫层、发光层以及阴极。其中隔垫层包括多个设于第一显示区的隔离结构上的第一隔垫结构；发光层设于像素开口内；阴极设于发光层上，且在第一显示区，阴极延伸至所述第一隔垫结构的侧面。

Description

一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置 技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置。
 背景技术
有机电致发光显示面板(Organic Electro luminesecent Display，OLED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的主流，可以广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。
近年来，移动终端市场发展刺激新型显示技术进步，为配合移动终端大屏显示和高屏占比的需求，近两年手机行业引入全面屏概念，意在提高手机屏幕的屏占比。为实现理想的全面屏显示状态，世界各地的相关从业者进行了很多理论和实际上的探索，2020年年中已有搭载屏下摄像技术的产品量产，但仍有诸多不足。尤其是在屏下摄像头的应用中，由于OLED显示面板较差的透过率不利于保证屏下摄像头具有良好的拍摄效果。
 技术问题
本发明的目的在于，提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，在像素定义层上依次设置隔垫层、阴极，在摄像区通过简单的机械刮除、机械粘附、激光烧蚀中一种的方法去除突起部分的阴极，使得屏下摄像区形成规律的网状阴极图案，从而解决现有摄像头区域透过率较低的技术问题。
 技术解决方案
为实现上述目的，本发明提供一种OLED显示面板，包括第一显示区和第二显示区，所述OLED显示面板还包括：基板，从所述第一显示区延伸至所述第二显示区；像素定义层，设于所述基板上，且设于所述第一显示区和所述第二显示区，其中所述像素定义层包括多个隔离结构及设置在相邻两个所述隔离结构之间的像素开口；隔垫层，包括多个第一隔垫结构，所述第一隔垫结构对应设于所述第一显示区的所述隔离结构上；发光层，设于所述第一显示区和所述第二显示区的所述像素开口内；以及阴极，设于所述第一显示区和所述第二显示区的所述发光层上，且在所述第一显示区，所述阴极延伸至所述第一隔垫结构的侧面。
进一步地，所述的OLED显示面板还包括：封装层，设于所述阴极远离所述发光层的一侧；其中，所述封装层在所述第一显示区中，与所述第一隔垫结构远离所述基板一侧表面直接接触。
进一步地，所述第一隔垫结构的侧面与所述隔离结构的上表面之间存在一夹角，所述夹角为8°-150°。
进一步地，所述隔垫层还具有第二隔垫结构，对应设于所述第二显示区的所述隔离结构上；在所述第二显示区，所述阴极延伸至所述第二隔垫结构的表面且覆盖所述第二隔垫结构，其中所述第一隔垫结构的厚度小于所述第二隔垫结构的厚度。
进一步地，所述第二隔垫结构的侧面与所述隔离结构的上表面之间存在一夹角，所述夹角为8°-150°。
进一步地，所述隔垫层的上表面为远离所述基板的一面，所述第一隔垫结构或所述第二隔垫结构在所述隔离结构的上表面所在面上的正向投影完全落入于所述隔离结构的上表面所在范围内。
进一步地，所述第一隔垫结构和/或所述第二隔垫结构上均具有一卡槽；所述显示面板还包括：封装层，设于所述阴极上且填充于所述卡槽内，其中所述封装层在所述卡槽内形成卡接部。
进一步地，拟定所述第一隔垫结构在所述基板的表面的正向投影面积为第一面积，所述像素定义层在所述基板的表面的正向投影面积为第二面积，所述第一面积占整个所述第二面积的5%~90%。
为实现上述目的，本发明还提供一种OLED显示面板的制备方法，包括如下步骤：提供一基板；形成像素定义层于所述基板上；对所述像素定义层进行图案化处理，形成多个隔离结构，其中所述隔离结构围合形成像素开口；形成发光层于所述像素开口内；形成隔垫层于像素定义层上；对所述隔垫层进行图案化处理，形成半成品的第一隔垫结构，其中所述半成品的第一隔垫结构所在的区域为第一显示区；形成阴极于所述发光层和所述隔垫层上，其中，所述阴极从所述隔垫层表面延伸至所述发光层的表面；在所述第一显示区，对所述半成品的第一隔垫结构进行减薄处理，且去除对应设置在所述半成品的第一隔垫结构顶面的阴极，形成第一隔垫结构。
进一步地，在所述对所述隔垫层进行图案化处理的步骤中，还包括：形成第二隔垫结构，其中所述第二隔垫结构所在的区域为第二显示区；在所述形成阴极于所述发光层和所述隔垫层上的步骤中，在所述第二显示区，所述阴极延伸至所述第二隔垫结构的表面且覆盖所述第二隔垫结构。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，其包括前文所述的OLED显示面板。
进一步地，所述的显示装置还包括：封装层，设于所述阴极远离所述发光层的一侧；其中，所述封装层在所述第一显示区中，与所述第一隔垫结构远离所述基板一侧表面直接接触。
进一步地，所述第一隔垫结构的侧面与所述隔离结构的上表面之间存在一夹角，所述夹角为8°-150°。
进一步地，所述隔垫层还具有第二隔垫结构，对应设于所述第二显示区的所述隔离结构上；在所述第二显示区，所述阴极延伸至所述第二隔垫结构的表面且覆盖所述第二隔垫结构，其中所述第一隔垫结构的厚度小于所述第二隔垫结构的厚度。
进一步地，所述第二隔垫结构的侧面与所述隔离结构的上表面之间存在一夹角，所述夹角为8°-150°。
进一步地，所述隔垫层的上表面为远离所述基板的一面，所述第一隔垫结构或所述第二隔垫结构在所述隔离结构的上表面所在面上的正向投影完全落入于所述隔离结构的上表面所在范围内。
进一步地，所述第一隔垫结构和/或所述第二隔垫结构上均具有一卡槽；所述显示装置还包括：封装层，设于所述阴极上且填充于所述卡槽内，其中所述封装层在所述卡槽内形成卡接部。
进一步地，在所述第二显示区，所述阴极延伸至所述像素定义层的表面且覆盖所述像素定义层。
进一步地，在所述第一显示区，拟定所述第一隔垫结构在所述基板的表面的正向投影面积为第一面积，所述像素定义层在所述基板的表面的正向投影面积为第二面积，所述第一面积占整个所述第二面积的5%~90%。
 有益效果
本发明的技术效果在于，提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，在所述第一显示区设置所述隔垫层，采用机械刮除或者机械粘附或者激光烧蚀的方法，对半成品的第一隔垫结构进行减薄处理，且去除对应设置在所述半成品的第一隔垫结构顶面上的阴极，形成第一隔垫结构，进而使得所述阴极在所述第一显示区形成规律的网状阴极图案，该网状阴极图案有利于进一步增强所述第一显示区（屏下摄像区域）的整体透过率，且不会影响所述第一显示区的显示效果。本发明也可以在所述第二显示区设置所述隔垫层，这样有利于增大所述像素定义层和/或所述隔垫层与所述阴极的接触面积，从而提高所述阴极与所述基板之间的吸附力，避免在折叠或弯曲时发生膜层分离。
 附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例1提供的OLED显示面板的平面图；
图2是本申请实施例1提供的第一显示区的截面图；
图3是本申请实施例1提供的第二显示区的截面图；
图4为本申请实施例1提供的第一显示区的平面图；
图5为本申请实施例1提供的第二显示区的平面图；
图6为本申请实施例1提供的OLED显示面板的制备方法的流程图；
图7为本申请实施例1提供的像素定义层形成步骤后的结构示意图；
图8为本申请实施例1提供的隔垫层形成后的结构示意图；
图9为本申请实施例1提供的阴极形成后的结构示意图；
图10为本申请实施例1提供的阴极图案化后的结构示意图；
图11为本申请实施例2提供的OLED显示面板的截面图；
图12为本申请实施例3提供的第一显示区的截面图；
图13是本申请实施例3提供的第二显示区的截面图。
附图标记说明：
100 OLED显示面板；                  100a第一显示区；
100b第二显示区；                     10基板；
20像素定义层；                       30隔垫层；
40发光层；                           50阴极；
60封装层；                           1011第一柔性基板；
1012第一屏障层；                     1013第二柔性基板；
1014第二屏障层；                     1015遮光层；
1016缓冲层；                         201隔离结构；
202像素开口；                        101衬底层；
102薄膜晶体管层；                    103平坦层；
104阳极；                            1021有源层；
1022第一栅极绝缘层；                 1023第一栅极层；
1024第二栅极绝缘层；                 1025第二栅极层；
1026介电层；                         1027源漏电极层；
30a第一隔垫结构；                    30b第二隔垫结构；
401红色子像素；                      402绿色子像素；
403蓝色子像素；                      301卡槽；
601卡接部；                          301a半成品的第一隔垫结构。
 本发明的实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
实施例 1
图1为本申请实施例1提供的OLED显示面板的平面图。
如图1所示，本实施例提供一种OLED显示面板100，包括第一显示区100a和围绕所述第一显示区100a的第二显示区100b。
图2是本申请实施例1提供的第一显示区的截面图；图3是本申请实施例1提供的第二显示区的截面图。
如图2-图3所示，所述OLED显示面板100还包括基板10、像素定义层20、隔垫层30、发光层40、阴极50以及封装层60。
所述基板10从所述第一显示区100a延伸至所述第二显示区100b。
具体的，所述基板10包括衬底层101、薄膜晶体管层102、平坦层103以及阳极104。
所述衬底层101包括第一柔性基板1011、第一屏障层1012、第二柔性基板1013、第二屏障层1014、遮光层1015、缓冲层1016。所述第一屏障层1012设于所述第一柔性基板1011上，所述第二柔性基板1013设于所述第一屏障层1012上，所述第二屏障层1014设于所述第二柔性基板1013上，所述遮光层1015设于所述第二屏障层1014上，所述缓冲层1016设于所述第二屏障层1014上且覆盖所述遮光层1015。
所述薄膜晶体管层102包括有源层1021、第一栅极绝缘层1022、第一栅极层1023、第二栅极绝缘层1024、第二栅极层1025、介电层1026以及源漏电极层1027。
所述有源层1021设于所述缓冲层1016上，且正对于所述遮光层1015。所述第一栅极绝缘层1022设于所述缓冲层1016上且覆盖所述有源层1021。
所述第一栅极层1023设于所述第一栅极绝缘层1022上，且其正向投影完全落入于所述有源层1021所在范围内。所述第二栅极绝缘层1024设于所述第一栅极绝缘层1022上，且覆盖所述第一栅极层1023。所述第二栅极层1025设于所述第二栅极绝缘层1024上，且正对于所述第一栅极层1023。所述介电层1026设于所述第二栅极绝缘层1024上，且覆盖所述第二栅极层1025。所述介电层1026可以为单层或者双层的无机结构。所述源漏电极层1027从所述介电层1026贯穿至所述有源层1021上表面。
所述像素定义层20设于所述基板10上，且设于所述第一显示区100a和所述第二显示区100b，其中所述像素定义层20中具有多个隔离结构201及由所述隔离结构201围合形成的像素开口202。
在本申请实施例中，所述隔垫层30既可以设置在所述第一显示区100a，又可以设置在所述第二显示区100b。
具体的，所述隔垫层30具有第一隔垫结构30a和第二隔垫结构30b。所述第一隔垫结构30a对应设于所述第一显示区100a的所述隔离结构201上。第二隔垫结构30b对应设于所述第二显示区100b的所述隔离结构201上。其中，所述第一隔垫结构30a的厚度小于所述第二隔垫结构30b的厚度。所述第一隔垫结构30a或者所述第二隔垫结构30b的侧面与所述隔离结构的上表面之间存在一夹角θ，所述夹角θ为8°-150°，在这个角度范围内，所述第一隔垫结构30a或者所述第二隔垫结构30b的截面形貌为多边形或其他异型图形。所述多边形可以为顶部平坦的弧边梯形（如正梯形、倒梯形）。
需要说明的是，所述第一隔垫结构30a和所述第二隔垫结构30b可以作为OLED显示面板100的支撑结构，起到支撑的作用。所述发光层40设于所述第一显示区100a和所述第二显示区100b的所述像素开口202内。
图4为本申请实施例1提供的第一显示区的平面图；图5为本申请实施例1提供的第二显示区的平面图。
如图4-图5所示，所述发光层40具有多个子像素单元，其包括红色子像素401、绿色子像素402、蓝色子像素403。所述红色子像素401、所述绿色子像素402、所述蓝色子像素403三者之间通过所述隔离结构201间隔设置于所述像素开口202内。然而，由于所述第一隔垫结构30a或所述第二隔垫结构30b在所述隔离结构201的上表面，因此，结合图2和图3可知，所述第一隔垫结构30a或所述第二隔垫结构30b用以将红色子像素401、绿色子像素402、蓝色子像素403这三种子像素间隔开。在本实施例中，红色子像素401、绿色子像素402、蓝色子像素403与所述第一隔垫结构30a或所述第二隔垫结构30b的平面图案均可以为多边形、圆形或者其他异型图形。所述多边形可以为矩形、菱形、正方形等，所述圆形可以为椭圆形、圆弧形、珍珠（Pearl）形等。需要说明的是，红色子像素401、绿色子像素402、蓝色子像素403的图案可以与所述第一隔垫结构30a或所述第二隔垫结构30b的图案相互配合，且不影响所述发光层40的发光效果即可。
请继续参照图2-图3，所述阴极50设于所述第一显示区100a和所述第二显示区100b的所述发光层40上。在所述第一显示区100a，一发光层40位于两个相邻的第一隔垫结构30a之间；所述阴极50从其中一个第一隔垫结构30a的侧壁经由该发光层40表面延伸至另一第一隔垫结构30a的侧壁，即所述阴极50设于所述发光层40的上表面和延伸至所述第一隔垫结构30a的侧面。在所述第二显示区100b，所述阴极50从所述发光层40的上表面延伸至所述第二隔垫结构30b的表面，且覆盖所述第二隔垫结构30b。
在所述第一显示区100a，所述封装层60设于所述阴极50和所述第一隔垫结构30a上表面，在所述第二显示区100b所述封装层60设于所述阴极50上。所述封装层60用以保护所述发光层40，避免水氧入侵所述发光层40影响其寿命。
需要强调的是，在本实施例中，所述隔垫层30的上表面为远离所述基板10的一面，所述第一隔垫结构30a或所述第二隔垫结构30b在所述隔离结构201的上表面所在面上的正向投影完全落入于所述隔离结构201的上表面所在范围内，这样有利于保证每一所述像素开口202内的子像素单元不会被所述第一隔垫结构30a或所述第二隔垫结构30b部分或者全部覆盖，进而提升所述OLED显示面板100的发光效果。
在所述第一显示区100a，拟定所述第一隔垫结构30a在所述基板10的表面的正向投影面积为第一面积S1，所述像素定义层20在所述基板10的表面的正向投影面积为第二面积S2，所述第一面积S1占整个所述第二面积S2的5%~90%，这样有利于提高所述第一显示区100a任一位置的出光效果，进而增强所述第一显示区100a的透过率。
同理，在所述第二显示区100b，也可以拟定所述第二隔垫结构30b在所述基板10的表面的正向投影面积为第三面积S3，所述像素定义层20在所述基板10的表面的正向投影面积为第四面积S4，所述第三面积S3占整个所述第四面积S4的5%~90%，这样有利于提高所述第二显示区100b任一位置的出光效果，进而增强所述第二显示区100b的透过率。
总的来说，在本实施例中，拟定所述隔垫层30在所述基板10的表面的正向投影面积为第五面积S5，所述像素定义层20在所述基板10的表面的正向投影面积为第六面积S6，所述第五面积S5占整个所述第六面积S6的5%~90%，这样有利于提高所述OLED显示面板100任一位置的出光效果，进而增强所述OLED显示面板100的整体的透过率。
需要说明的是，所述第一显示区100a为摄像区，所述第二显示区100b为有效显示区（active area，AA区）。当所述第一显示区100a为摄像区，且所述第一隔垫结构30a的厚度小于所述第二隔垫结构30b的厚度时，有利于增强屏下摄像区域的整体透过率。优选地，所述第一隔垫结构30a的厚度为0.5μm-10μm；所述第二隔垫结构30b的厚度为4μm-12μm。
在所述第一显示区100a设置所述隔垫层30，采用机械刮除或者机械粘附或者激光烧蚀的方法，对所述半成品的第一隔垫结构30a进行减薄处理，且去除对应设置在所述半成品的第一隔垫结构30a顶面上的所述阴极50，形成第一隔垫结构30a，并使得所述阴极50在所述第一显示区100a形成规律的网状图形，如网格结构，参照图4所示，该网格结构有利于进一步增强所述第一显示区100a（屏下摄像区域）的整体透过率，且不会影响所述第一显示区100a的显示效果。在所述第二显示区100b设置所述隔垫层30，有利于增大所述像素定义层20和/或所述隔垫层30与所述阴极50的接触面积，从而能够提高所述阴极50与所述基板10之间的吸附力，避免在折叠或弯曲时发生膜层分离。
需要强调的是，当采用激光烧蚀的方法，对所述半成品的第一隔垫结构30a进行减薄处理，且去除所述半成品的第一隔垫结构30a顶面上的所述阴极50时，可以给所述隔垫层30下方的线路提供一定保护，提升激光烧蚀形成网状的阴极图案的良率。本实施例在所述像素定义层20上设置所述隔垫层30的设计，可通过简单的光罩改版和膜层添加，克服现在屏下摄像区域的工艺难点，进而提升摄像区域整体透过率。
所述封装层60设置在所述阴极50上，且从所述第一显示区100a延伸至所述第二显示区100b。在所述第一显示区100a，所述封装层60与所述第一隔垫结构30a远离所述基板10一侧表面直接接触。在所述第二显示区100b，所述封装层60贴附于所述阴极50。在本实施例中，当所述封装层60贴附于所述第一隔垫结构30a时，有利于提升所述封装层60在所述第一隔垫结构30a沉积时的附着力。
图6为本申请实施例1提供的OLED显示面板的制备方法的流程图。
如图6所示，本实施例还提供一种OLED显示面板的制备方法，包括如下步骤S1）-S9）。
S1）提供一基板。
如图2-图3所示，所述基板10包括衬底层101、薄膜晶体管层102、平坦层103以及阳极104。
所述衬底层101包括第一柔性基板1011、第一屏障层1012、第二柔性基板1013、第二屏障层1014、遮光层1015、缓冲层1016。所述第一屏障层1012设于所述第一柔性基板1011上，所述第二柔性基板1013设于所述第一屏障层1012上，所述第二屏障层1014设于所述第二柔性基板1013上，所述遮光层1015设于所述第二屏障层1014上，所述缓冲层1016设于所述第二屏障层1014上，且覆盖所述遮光层1015。
所述薄膜晶体管层102包括有源层1021、第一栅极绝缘层1022、第一栅极层1023、第二栅极绝缘层1024、第二栅极层1025、介电层1026以及源漏电极层1027。
所述有源层1021设于所述缓冲层1016上，且正对于所述遮光层1015。所述第一栅极绝缘层1022设于所述缓冲层1016上且覆盖所述有源层1021。
所述第一栅极层1023设于所述第一栅极绝缘层1022上，且其正向投影完全落入于所述有源层1021所在范围内。所述第二栅极绝缘层1024设于所述第一栅极绝缘层1022上，且覆盖所述第一栅极层1023。所述第二栅极层1025设于所述第二栅极绝缘层1024上，且正对于所述第一栅极层1023。所述介电层1026设于所述第二栅极绝缘层1024上，且覆盖所述第二栅极层1025。所述介电层1026可以为单层或者双层的无机结构。所述源漏电极层1027从所述介电层1026贯穿至所述有源层1021上表面。
S2）形成像素定义层于所述基板上。
S3）对所述像素定义层进行图案化处理，形成多个隔离结构，其中所述隔离结构围合形成像素开口。
图7为本申请实施例1提供的像素定义层形成步骤后的结构示意图。
具体的，如图7所示，采用曝光显影等方法对所述像素定义层20进行图案化处理，所述像素定义层20中具有多个隔离结构201及由所述隔离结构201围合形成的像素开口202。
S4）形成发光层于所述像素开口内。
参照图2-图3所示，在所述像素开口202内沉积有机材料（如有机量子点材料）形成所述发光层40。所述发光层40具有多个子像素单元，其包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素。所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素三者之间通过所述隔离结构201间隔设置于所述像素开口202内。
S5）形成隔垫层于像素定义层上。
S6）对所述隔垫层进行图案化处理，形成半成品的第一隔垫结构和第二隔垫结构，其中所述半成品的第一隔垫结构所在的区域为第一显示区，所述第二隔垫层所在的区域为第二显示区。
图8为本申请实施例1提供的隔垫层形成后的结构示意图。
如图8所示，采用曝光显影等方法对所述隔垫层30进行图案化处理，使得隔垫层30具有半成品的第一隔垫结构301a和第二隔垫结构30b。
S7）形成阴极于所述发光层和所述隔垫层上，其中，所述阴极从所述隔垫层表面延伸至所述发光层的表面。
图9为本申请实施例1提供的阴极形成后的结构示意图。
具体的，如图9所示，在所述发光层40和所述隔垫层30沉积金属材料（如铜、钼、铝等）或者其他金属氧化物材料等形成阴极50。
S8）在所述第一显示区，对所述半成品的第一隔垫结构进行减薄处理，且去除对应设置在所述半成品的第一隔垫结构顶面的阴极，形成第一隔垫结构。
如图10所示，图10为本申请实施例1提供的阴极图案化后的结构示意图。
在CUP处理腔体内完成CCD对位，并采用机械刮除、机械粘附、激光烧蚀中的任一种方法对所述半成品的第一隔垫结构30a进行减薄处理，且去除对应设置在所述半成品的第一隔垫结构顶面的阴极50，从而使得所述第一隔垫结构30a的厚度小于所述第二隔垫结构30b的厚度。其中，在所述第一显示区100a，所述阴极50延伸至所述第一隔垫结构30a的侧面，在所述第二显示区100b，所述阴极50延伸至所述第二隔垫结构30b的表面且覆盖所述第二隔垫结构30b。
具体的，所述第一隔垫结构30a对应设于所述第一显示区100a的所述隔离结构201上，第二隔垫结构30b对应设于所述第二显示区100b的所述隔离结构201上。所述第一隔垫结构30a或者所述第二隔垫结构30b的侧面与所述隔离结构的上表面之间存在一夹角θ，所述夹角θ为8°-150°，在这个角度范围内，所述第一隔垫结构30a或者所述第二隔垫结构30b的截面形貌为多边形或其他异型图形。所述多边形可以为顶部平坦的弧边梯形（如正梯形、倒梯形）。
所述阴极50设于所述第一显示区100a和所述第二显示区100b的所述发光层40上，且在所述第一显示区100a，所述阴极50延伸至所述第一隔垫结构30a的侧面，在所述第二显示区100b，所述阴极50延伸至所述第二隔垫结构30b的表面且覆盖所述第二隔垫结构30b。
需要强调的是，在本实施例中，所述隔垫层30的上表面为远离所述基板10的一面，所述第一隔垫结构30a或所述第二隔垫结构30b在所述隔离结构201的上表面所在面上的正向投影完全落入于所述隔离结构201的上表面所在范围内，这样有利于保证每一所述像素开口202内的子像素单元不会被所述第一隔垫结构30a或所述第二隔垫结构30b部分或者全部覆盖，进而提升所述OLED显示面板100的发光效果。
在所述第一显示区100a，拟定所述第一隔垫结构30a在所述基板10的表面的正向投影面积为第一面积S1，所述像素定义层20在所述基板10的表面的正向投影面积为第二面积S2，所述第一面积S1占整个所述第二面积S2的5%~90%，这样有利于提高所述第一显示区100a任一位置的出光效果，进而增强所述第一显示区100a的透过率。
同理，在所述第二显示区100b，也可以拟定所述第二隔垫结构30b在所述基板10的表面的正向投影面积为第三面积S3，所述像素定义层20在所述基板10的表面的正向投影面积为第四面积S4，所述第三面积S3占整个所述第四面积S4的5%~90%，这样有利于提高所述第二显示区100b任一位置的出光效果，进而增强所述第二显示区100b的透过率。
总的来说，在本实施例中，拟定所述隔垫层30在所述基板10的表面的正向投影面积为第五面积S5，所述像素定义层20在所述基板10的表面的正向投影面积为第六面积S6，所述第五面积S5占整个所述第六面积S6的5%~90%，这样有利于提高所述OLED显示面板100任一位置的出光效果，进而增强所述OLED显示面板100的整体的透过率。
需要说明的是，所述第一显示区100a为摄像区，所述第二显示区100b为有效显示区（active area，AA区）。当所述第一显示区100a为摄像区，且所述第一隔垫结构30a的厚度小于所述第二隔垫结构30b的厚度时，有利于增强屏下摄像区域的整体透过率。优选地，所述第一隔垫结构30a的厚度为0.5μm-10μm；所述第二隔垫结构30b的厚度为4μm-12μm。
S9）沉积封装材料于所述阴极、所述隔垫层上，形成封装层。
请继续参照图2-图3，在所述阴极50上沉积封装材料如无机材料、有机材料形成至少一个叠层设置的无机、有机膜层，用以保护所述发光层40，避免水氧入侵所述发光层40影响其寿命。
在所述第一显示区100a，所述封装层60与所述第一隔垫结构30a远离所述基板10一侧表面直接接触。在所述第二显示区100b，所述封装层60贴附于所述阴极50。在本实施例中，当所述封装层60贴附于所述第一隔垫结构30a时，有利于提升所述封装层60在所述第一隔垫结构30a沉积时的附着力。
本实施例提供一种OLED显示面板的制备方法，在所述第一显示区100a设置所述隔垫层30，采用机械刮除或者机械粘附或者激光烧蚀的方法，对所述半成品的第一隔垫结构30a进行减薄处理，且去除所述半成品的第一隔垫结构30a顶面上的所述阴极50，形成第一隔垫结构30a，并使得所述阴极50在所述第一显示区100a形成规律的网状图形，如网格结构，参照图4所示，该网格结构有利于进一步增强所述第一显示区100a（屏下摄像区域）的整体透过率，且不会影响所述第一显示区100a的显示效果。在所述第二显示区100b设置所述隔垫层30，有利于增大所述像素定义层20和/或所述隔垫层30与所述阴极50的接触面积，从而能够提高所述阴极50与所述基板10之间的吸附力，避免在折叠或弯曲时发生膜层分离。
相对于已知技术，一方面，本实施例可通过简单的结构变更和更简便的设备和制程，使阴极实现精准的图形化，且可避免现有技术精度和稳定性不足的缺点，并增强所述第一显示区100a（屏下摄像区域）透过率，且不会影响此区域显示效果；另一方面，本实施例的阴极图案可依照光罩设计随意变动，可支持多种像素排列的屏下摄像头的应用。
本实施例还提供一种显示装置，其包括前文所述的OLED显示面板。该显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
实施例2
本实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，包括实施例1的大部分技术方案，其区别在于，所述隔垫层仅设置在所述第一显示区中。
图11为本申请实施例2提供的OLED显示面板的截面图。
具体的，如图11所示，所述隔垫层30具有第一隔垫结构30a，所述第一隔垫结构30a对应设于所述第一显示区100a的所述隔离结构201上。所述发光层40设于所述第一显示区100a和所述第二显示区100b的所述像素开口202内。所述阴极50设于所述第一显示区100a和所述第二显示区100b的所述发光层40上。在所述第一显示区100a，一发光层40位于两个相邻的第一隔垫结构30a之间；所述阴极50从其中一个第一隔垫结构30a的侧壁经由该发光层40表面延伸至另一第一隔垫结构30a的侧壁，即所述阴极50设于所述发光层40的上表面和延伸至所述第一隔垫结构30a的侧面。在所述第二显示区100b，所述阴极50从所述发光层40的上表面延伸至所述第二隔垫结构30b的表面，且覆盖所述第二隔垫结构30b。
本实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，在所述第一显示区设置所述隔垫层，采用机械刮除或者机械粘附或者激光烧蚀的方法，对半成品的第一隔垫结构上进行减薄处理，且去除所述半成品的第一隔垫结构顶面上的阴极，形成第一隔垫结构，进而使得所述阴极在所述第一显示区形成规律的网状阴极图案，该网状阴极图案有利于进一步增强所述第一显示区（屏下摄像区域）的整体透过率，且不会影响所述第一显示区的显示效果。
实施例3
本实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，包括实施例1或实施例2的全部技术方案，其区别在于，所述隔垫层设有卡槽。
图12为本申请实施例3提供的第一显示区的截面图；图13是本申请实施例3提供的第二显示区的截面图。
如图12-图13所示，本实施例提供一种OLED显示面板，所述第一隔垫结构30a和所述第二隔垫结构30b上均具有一卡槽301。所述封装层60设于所述阴极50上且设于所述卡槽301内，其中所述封装层60在所述卡槽内形成卡接部601。
具体的，在所述第一显示区100a，所述封装层60设于所述阴极50和所述第一隔垫结构30a上表面，且填充所述卡槽301形成所述卡接部601；在所述第二显示区100b所述封装层60设于所述阴极50上，且填充所述卡槽301形成所述卡接部601。在本实施例中，所述卡接部601用以提升所述封装层60在所述隔垫层30上沉积时的附着力，提升所述封装层60与所述隔垫层30、所述阴极50之间的致密性，从而更好地保护所述发光层40。
本实施例提供一种OLED显示面板的制备方法，本实施例与实施例1的区别在于，在所述对所述隔垫层进行图案化处理的步骤中，还包括：对所述隔垫层进行挖孔处理，使得所述半成品的第一隔垫结构和所述第二隔垫结构上均具有一卡槽301。
在所述形成阴极于所述发光层和所述隔垫层上的步骤中，所述阴极50设于所述卡槽301内。
在所述沉积封装材料于所述阴极、所述隔垫层上的步骤中，形成封装层60于所述阴极50上，其中所述封装材料填充所述卡槽301形成卡接部601。
具体的，在所述第一显示区100a，所述封装层60设于所述阴极50和所述第一隔垫结构30a上表面，且填充所述卡槽301形成所述卡接部601；在所述第二显示区100b所述封装层60设于所述阴极50上，且填充所述卡槽301形成所述卡接部601。在本实施例中，所述卡接部601用以提升所述封装层60在所述隔垫层30上沉积时的附着力，提升所述封装层60与所述隔垫层30、所述阴极50之间的致密性，从而更好地保护所述发光层40。
以上对本申请实施例所提供的一种OLED显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (20)

  1. 一种OLED显示面板，其中，包括第一显示区和第二显示区，所述OLED显示面板还包括：
    基板，从所述第一显示区延伸至所述第二显示区；
    像素定义层，设于所述基板上，且设于所述第一显示区和所述第二显示区，其中所述像素定义层包括多个隔离结构及设置在相邻两个所述隔离结构之间的像素开口；
    隔垫层，包括多个第一隔垫结构，所述第一隔垫结构设于所述第一显示区的所述隔离结构上；
    发光层，设于所述第一显示区和所述第二显示区的所述像素开口内；以及
    阴极，设于所述第一显示区和所述第二显示区的所述发光层上，且在所述第一显示区，所述阴极延伸至所述第一隔垫结构的侧面。
  2. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，还包括：
    封装层，设于所述阴极远离所述发光层的一侧；
    其中，所述封装层在所述第一显示区中，与所述第一隔垫结构远离所述基板一侧表面直接接触。
  3. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，
    所述第一隔垫结构的侧面与所述隔离结构的上表面之间存在一夹角，所述夹角为8°-150°。
  4. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述隔垫层还具有第二隔垫结构，对应设于所述第二显示区的所述隔离结构上；
    在所述第二显示区，所述阴极延伸至所述第二隔垫结构的表面且覆盖所述第二隔垫结构，其中所述第一隔垫结构的厚度小于所述第二隔垫结构的厚度。
  5. 根据权利要求4所述的OLED显示面板，其中，
    所述第二隔垫结构的侧面与所述隔离结构的上表面之间存在一夹角，所述夹角为8°-150°。
  6. 根据权利要求4所述的OLED显示面板，其中，
    所述隔垫层的上表面为远离所述基板的一面，所述第一隔垫结构或所述第二隔垫结构在所述隔离结构的上表面所在面上的正向投影完全落入于所述隔离结构的上表面所在范围内。
  7. 根据权利要求4所述的OLED显示面板，其中，
    所述第一隔垫结构和/或所述第二隔垫结构上均具有一卡槽；
    所述显示面板还包括：
    封装层，设于所述阴极上且填充于所述卡槽内，其中所述封装层在所述卡槽内形成卡接部。
  8. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，
    在所述第二显示区，所述阴极延伸至所述像素定义层的表面且覆盖所述像素定义层。
  9. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，在所述第一显示区，拟定所述第一隔垫结构在所述基板的表面的正向投影面积为第一面积，所述像素定义层在所述基板的表面的正向投影面积为第二面积，所述第一面积占整个所述第二面积的5%~90%。
  10. 一种OLED显示面板的制备方法，其中，包括如下步骤：
    提供一基板；
    形成像素定义层于所述基板上；
    对所述像素定义层进行图案化处理，形成多个隔离结构，其中所述隔离结构围合形成像素开口；
    形成发光层于所述像素开口内；
    形成隔垫层于像素定义层上；
    对所述隔垫层进行图案化处理，形成半成品的第一隔垫结构，其中所述半成品的第一隔垫结构所在的区域为第一显示区；
    形成阴极于所述发光层和所述隔垫层上，其中，所述阴极从所述隔垫层表面延伸至所述发光层的表面；
    在所述第一显示区，对所述半成品的第一隔垫结构进行减薄处理，且去除对应设置在所述半成品的第一隔垫结构顶面的阴极，形成第一隔垫结构。
  11. 根据权利要求10所述的OLED显示面板的制备方法，其中，
    在所述对所述隔垫层进行图案化处理的步骤中，还包括：
    形成第二隔垫结构，其中所述第二隔垫结构所在的区域为第二显示区；
    在所述形成阴极于所述发光层和所述隔垫层上的步骤中，
    在所述第二显示区，所述阴极延伸至所述第二隔垫结构的表面且覆盖所述第二隔垫结构。
  12. 一种显示装置，其中，包括如权利要求1所述的OLED显示面板。
  13. 根据权利要求12所述的显示装置，其中，还包括：
    封装层，设于所述阴极远离所述发光层的一侧；
    其中，所述封装层在所述第一显示区中，与所述第一隔垫结构远离所述基板一侧表面直接接触。
  14. 根据权利要求12所述的显示装置，其中，
    所述第一隔垫结构的侧面与所述隔离结构的上表面之间存在一夹角，所述夹角为8°-150°。
  15. 根据权利要求12所述的显示装置，其中，
    所述隔垫层还具有第二隔垫结构，对应设于所述第二显示区的所述隔离结构上；
    在所述第二显示区，所述阴极延伸至所述第二隔垫结构的表面且覆盖所述第二隔垫结构，其中所述第一隔垫结构的厚度小于所述第二隔垫结构的厚度。
  16. 根据权利要求15所述的显示装置，其中，
    所述第二隔垫结构的侧面与所述隔离结构的上表面之间存在一夹角，所述夹角为8°-150°。
  17. 根据权利要求15所述的显示装置，其中，
    所述隔垫层的上表面为远离所述基板的一面，所述第一隔垫结构或所述第二隔垫结构在所述隔离结构的上表面所在面上的正向投影完全落入于所述隔离结构的上表面所在范围内。
  18. 根据权利要求15所述的显示装置，其中，
    所述第一隔垫结构和/或所述第二隔垫结构上均具有一卡槽；
    所述显示装置还包括：
    封装层，设于所述阴极上且填充于所述卡槽内，其中所述封装层在所述卡槽内形成卡接部。
  19. 根据权利要求12所述的显示装置，其中，
    在所述第二显示区，所述阴极延伸至所述像素定义层的表面且覆盖所述像素定义层。
  20. 根据权利要求12所述的显示装置，其中，
    在所述第一显示区，拟定所述第一隔垫结构在所述基板的表面的正向投影面积为第一面积，所述像素定义层在所述基板的表面的正向投影面积为第二面积，所述第一面积占整个所述第二面积的5%~90%。
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