WO2022196123A1

WO2022196123A1 - 半導体装置

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Publication number: WO2022196123A1
Application number: PCT/JP2022/003111
Authority: WO
Inventors: 英治桑原; 徹樋口; 大介崎園
Original assignee: ローム株式会社
Priority date: 2021-03-17
Filing date: 2022-01-27
Publication date: 2022-09-22
Also published as: CN117043919A; DE112022001552T5; US20230411273A1; JPWO2022196123A1

Abstract

半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板の主面１１に沿って延びる第１直線部３６を有する第１導電部材２５と、前記半導体基板上に形成され、前記第１導電部材２５を被覆する有機系絶縁層５５とを含み、前記第１直線部３６は、平面視において、前記第１直線部３６の長手方向に交差する方向Ｙ１の一方側および他方側に交互に曲がる曲線４７で形成された第１側縁部４６を含む。前記第１直線部３６は、ベース部４０と、前記ベース部４０から前記第１直線部３６の長手方向に交差する方向Ｙ１に突出する凸部４４，４８および前記凸部４４，４８に対して窪んだ凹部４５，４９を含む第１側部４１とを含み、前記第１側縁部４６は、平面視において、前記凸部４４，４８および前記凹部４５，４９を前記第１直線部３６の長手方向に沿って連続して繋ぐ曲線４７によって形成されていてもよい。

Description

半導体装置

　本開示は、半導体装置に関する。

　たとえば、特許文献１は、導電部材、半導体装置、接合層および封止樹脂を備える、半導体パッケージを開示している。半導体装置は、フリップチップ型のＬＳＩである。半導体装置は、素子本体、複数の電極、および表面保護膜を有している。表面保護膜は、ポリイミドからなり、複数の電極の基部を覆っている。

特開２０２０－１６７３３０号公報

　配線、電極などの導電部材が有機系絶縁層で覆われた構造の周囲温度が変動すると、導電部材の直線部に高い残留応力が発生する場合がある。この応力は、温度変化に伴う膨張、収縮の際に、接触している有機系絶縁層に外力を加えると考えられる。

　本開示の一実施形態は、導電部材の直線部の側部の応力を低減することができる半導体装置を提供する。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板の主面に沿って延びる第１直線部を有する第１導電部材と、前記半導体基板上に形成され、前記第１導電部材を被覆する有機系絶縁層とを含み、前記第１直線部は、平面視において、前記第１直線部の長手方向に交差する方向の一方側および他方側に交互に曲がる曲線で形成された第１側縁部を含む。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置によれば、第１導電部材の第１直線部の側部の応力を低減することができる。

図１は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の模式的な斜視図である。図２は、図１の半導体チップの平面拡大図である。図３は、図２の二点鎖線ＩＩＩで囲まれた部分の拡大図（第１形態）である。図４は、図３に示すＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、図２の二点鎖線ＩＩＩで囲まれた部分の拡大図（第２形態）である。図６は、図３に示すＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図１の半導体チップの製造工程の一部を工程順に示すフロー図である。図８は、前記半導体装置による応力緩和効果を説明するための図である。

＜本開示の実施形態＞
　まず、本開示の実施形態を列記して説明する。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置（１）は、半導体基板（４，１５）と、前記半導体基板（４，１５）上に形成され、前記半導体基板（４，１５）の主面（１１）に沿って延びる第１直線部（３６）を有する第１導電部材（２５）と、前記半導体基板（４，１５）上に形成され、前記第１導電部材（２５）を被覆する有機系絶縁層（５５）とを含み、前記第１直線部（３６）は、平面視において、前記第１直線部（３６）の長手方向に交差する方向の一方側および他方側に交互に曲がる曲線（４７）で形成された第１側縁部（４６）を含む。

　たとえば、第１直線部の第１側縁部が一直線である場合、周囲温度が変動すると、第１導電部材と有機系絶縁層との間の熱膨張係数の違いに起因して、第１直線部の第１側部には高い応力が発生する場合がある。温度変化に伴う膨張、収縮の際に、この応力によって有機系絶縁層に外力が加わると、有機系絶縁層に歪が生じて有機系絶縁層の機械的特性が低下するかもしれない。そこで、この実施形態に係る半導体装置であれば、第１側縁部が曲線で形成されているため、第１直線部の第１側部に発生する応力を分散させることができる。これにより、第１導電部材の第１直線部の第１側部の応力を全体として低減することができる。その結果、温度変化に伴う膨張、収縮の際に、有機系絶縁層に発生する歪を抑制することができる。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置（１）では、前記第１直線部（３６）は、接合部材が接続され得るベース部（４０）と、前記ベース部（４０）から前記第１直線部（３６）の長手方向に交差する方向に突出する凸部（４４，４８）および前記凸部（４４，４８）に対して窪んだ凹部（４５，４９）を含む第１側部（４１）とを含み、前記第１側縁部（４６）は、平面視において、前記凸部（４４，４８）および前記凹部（４５，４９）を前記第１直線部（３６）の長手方向に沿って連続して繋ぐ曲線（４７）によって形成されていてもよい。

　この構成によれば、凸部および凹部を含む第１側部に発生する応力が分散されるので、第１直線部のベース部に接合部材を接続する際に第１直線部にさらに応力が加わっても、有機系絶縁層の機械的特性が低下することを抑制することができる。また、第１導電部材が全体的に蛇行してＳ字形になっているのではなく、第１直線部の第１側部に選択的に凸部および凹部を形成することによって応力分散構造が構成されている。そのため、この実施形態に係る第１導電部材のための設置スペースを広くする必要がないので、半導体装置の大型化を抑制することができる。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置（１）では、前記ベース部（４０）は、第１幅（Ｗ_２）を有する帯状に形成されており、前記ベース部（４０）の前記第１幅（Ｗ_２）は、前記ベース部（４０）からの前記凸部（４４，４８）の突出量（Ｐ_１）の１０倍以上であってもよい。

　この構成によれば、たとえば既存の第１導電部材（たとえば、配線、電極など）の幅に対して１／１０程度の突出量の凸部を形成することによって、第１導電部材における応力分散の効果を達成することができる。逆に言えば、凸部および凹部によって応力分散構造を形成しても、ベース部の第１幅を比較的広く維持することができる。その結果、ベース部に接合され得る接合部材の選択肢（接合部材の形状、太さなど）を多く残すことができる。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置（１）では、前記第１導電部材（２５）は、前記第１直線部（３６）の一部を含む先端部（３９）と、コーナ部（３８）を介して前記第１直線部（３６）に対して接続された第２直線部（３７）とを含み、前記第１側縁部（４６）は、前記第１直線部（３６）および前記第２直線部（３７）のうち前記第１直線部（３６）に選択的に形成されていてもよい。

　この構成によれば、周囲温度の変動によって応力が発生しやすい先端部を含む第１直線部に曲線状の第１側縁部が形成されているので、第１導電部材において応力を効果的に分散させることができる。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置（１）では、前記第１導電部材（２５）の前記先端部（３９）は、平面視において第１曲率半径（Ｒ_１）を有する第１円弧（５１）で形成された第１側面（５２）を有し、前記第１導電部材（２５）の前記第１側縁部（４６）は、平面視において前記第１曲率半径（Ｒ_１）よりも小さい第２曲率半径（Ｒ_２）を有する第２円弧（５３）で形成された第２側面（５４）を有していてもよい。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置（１）では、前記第１導電部材（２５）は、断面視において、第１ベース層（２６）と、前記第１ベース層（２６）の端面（２９）よりも側方に突出するように前記第１ベース層（２６）に積層された第１被覆層（２７）とを含み、前記第１側縁部（４６）は、前記第１被覆層（２７）に選択的に形成されていてもよい。

　この構成によれば、曲線状の第１側縁部が第１被覆層に選択的に形成されており、第１ベース層に形成されていなくてもよい。そのため、第１側縁部の形成工程の工程数を少なくすることができる。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置（１）では、前記有機系絶縁層（５５）は、前記第１直線部（３６）の前記ベース部（４０）をパッド（１４）として露出させるパッド開口（５６）を有していてもよい。

　この構成によれば、パッド開口を介して、第１直線部のベース部に対してボンディングワイヤなどの接合部材を接続することができる。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置（１）は、前記有機系絶縁層（５５）内において、前記第１直線部（３６）の前記ベース部（４０）に接続された第２導電部材（５９）をさらに含んでいてもよい。

　この構成によれば、前述の応力分散構造によって、第２導電部材の周囲の有機系絶縁層の機械的特性の低下が抑制されている。そのため、第１導電部材（第１直線部）と第２導電部材との接続信頼性を向上することができる。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置（１）では、前記第２導電部材（５９）は、前記半導体基板（４，１５）の主面（１１）に沿って延びる第３直線部（７２）を有し、前記第３直線部（７２）は、平面視において、前記第３直線部（７２）の長手方向に交差する方向の一方側および他方側に交互に曲がる曲線（８０）で形成された第２側縁部（７９）を含んでいてもよい。

　この構成によれば、第２側縁部が曲線で形成されているため、第３直線部の第２側部に発生する応力を分散させることができる。これにより、第２導電部材の第３直線部の第２側部の応力を全体として低減することができる。その結果、温度変化に伴う膨張、収縮の際に、有機系絶縁層に発生する歪を抑制することができる。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置（１）では、前記第２導電部材（５９）は、断面視において、第２ベース層（６０）と、前記第２ベース層（６０）の端面（６３）よりも側方に突出するように前記第２ベース層（６０）に積層された第２被覆層（６１）とを含み、前記第２側縁部（７９）は、前記第２被覆層（６１）に選択的に形成されていてもよい。

　この構成によれば、曲線状の第２側縁部が第２被覆層に選択的に形成されており、第２ベース層に形成されていなくてもよい。そのため、第２側縁部の形成工程の工程数を少なくすることができる。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置（１）は、前記第１導電部材（２５）と前記半導体基板（４，１５）との間に形成され、少なくとも第１無機系絶縁層（１８，５７）および前記第１無機系絶縁層（１８，５７）上に積層された第２無機系絶縁層（１９，５８）を含む絶縁層積層構造（１７）を含んでいてもよい。

　本開示の一実施形態に係る半導体装置（１）は、前記半導体基板（４，１５）に形成され、前記第１導電部材（２５）に電気的に接続された集積回路素子（１６）を含んでいてもよい。

　この構成によれば、前述のように第１導電部材の第１直線部の第１側部の応力を低減することができるので、有機系絶縁層の絶縁信頼性が高い集積回路を含む半導体装置を提供することができる。

　なお、上記において、括弧内の数字等は、後述する詳細な説明における対応構成要素の参照符号を表す。しかしながら、これらの参照符号によって、上記の各構成要素を後述の各構成要素の均等物として限定する趣旨ではない。
＜本開示の実施形態の詳細な説明＞
　次に、本開示の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の詳細な説明において、序数が付された名称の構成要素が複数存在するが、当該序数と、特許請求の範囲に記載の構成要素の序数とは、必ずしも一致するものではない。

　図１は、本開示の一実施形態に係る半導体装置１の模式的な斜視図である。

　半導体装置１は、この実施形態では、いわゆるＳＯＰ（Small Outline Package）である。半導体装置１は、封止樹脂２、ダイパッド３、半導体チップ４、導電接合材５、複数のリード端子６および複数の導線７を含む。

　封止樹脂２は、たとえばエポキシ樹脂を含んでいてもよい。封止樹脂２は、樹脂パッケージと言い換えてもよい。封止樹脂２は、直方体形状に形成されている。封止樹脂２は、一方側の第１主面８、他方側の第２主面９、ならびに、第１主面８および第２主面１２を接続する４つの側面１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを含む。４つの側面１０Ａ～１０Ｄは、具体的には、第１側面１０Ａ、第２側面１０Ｂ、第３側面１０Ｃおよび第４側面１０Ｄを含む。第１側面１０Ａおよび第２側面１０Ｂは、互いに対向している。第３側面１０Ｃおよび第４側面１０Ｄは、互いに対向している。

　ダイパッド３は、封止樹脂２内に配置されている。ダイパッド３は、第２主面９から露出していてもよい。ダイパッド３は、直方体形状に形成された金属板を含む。ダイパッド３は、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｇ、ＣｕおよびＡｌの少なくとも１つを含んでいてもよい。ダイパッド３は、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層、Ａｇめっき層およびＣｕめっき層のうちの少なくとも１つが形成された外面を有していてもよい。

　複数のリード端子６は、第１リード端子６Ａ、第２リード端子６Ｂ、第３リード端子６Ｃ、第４リード端子６Ｄ、第５リード端子６Ｅ、第６リード端子６Ｆ、第７リード端子６Ｇおよび第８リード端子６Ｈを含む。リード端子６の個数は、半導体チップ４の機能に応じて調節され、図１に示された個数に限定されない。

　４つのリード端子６Ａ～６Ｄは、封止樹脂２の第１側面１０Ａ側に配置されている。４つのリード端子６Ａ～６Ｄは、ダイパッド３から間隔を空けて配置されている。４つのリード端子６Ａ～６Ｄは、第１側面１０Ａが延びる方向に間隔を空けて配列されている。４つのリード端子６Ａ～６Ｄは、封止樹脂２内から第１側面１０Ａを横切って封止樹脂２外に引き出されている。

　４つのリード端子６Ｅ～６Ｈは、封止樹脂２の第２側面１０Ｂ側に配置されている。４つのリード端子６Ｅ～６Ｈは、ダイパッド３から間隔を空けて配置されている。４つのリード端子６Ｅ～６Ｈは、第２側面１０Ｂが延びる方向に間隔を空けて配列されている。４つのリード端子６Ｅ～６Ｈは、封止樹脂２内から第２側面１０Ｂを横切って封止樹脂２外に引き出されている。

　複数のリード端子６は、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｇ、ＣｕおよびＡｌの少なくとも１つを含んでいてもよい。複数のリード端子６は、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層、Ａｇめっき層およびＣｕめっき層のうちの少なくとも１つが形成された外面を有していてもよい。

　半導体チップ４は、たとえば、ＬＳＩ（Large Scale Integration）チップを含む。半導体チップ４は、ダイパッド３の上に配置されている。半導体チップ４は、一方側の第１主面１１および他方側の第２主面１２を有している。半導体チップ４の第１主面１１には、ＬＳＩの回路を構成する素子が作り込まれた複数の素子領域１３が形成されている。複数の素子領域１３は、たとえば、ダイオード領域１３Ａ、トランジスタ領域１３Ｂ、抵抗素子領域１３Ｃなどを含んでいてもよい。半導体チップ４の第１主面１１には、複数のパッド１４が形成されている。複数のパッド１４は、半導体チップ４の第１主面１１において、４つのリード端子６Ａ～６Ｄおよび４つのリード端子６Ｅ～６Ｈ側に配列されている。複数のパッド１４は、後述する機能素子１６（ＬＳＩを構成する回路素子）に電気的に接続されている。

　導電接合材５は、半導体チップ４およびダイパッド３の間に介在し、半導体チップ４をダイパッド３に接合させている。導電接合材５は、半田または導電ペーストを含む。半田は、鉛フリー半田であってもよい。半田は、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＺｎＢｉ、ＳｎＣｕ、ＳｎＣｕＮｉおよびＳｎＳｂＮｉのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。金属ペーストは、Ａｕ、ＡｇおよびＣｕのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。導電接合材５は、銀ペーストからなることが好ましい。銀ペーストは、焼結銀ペーストを含むことが特に好ましい。焼結銀ペーストは、ナノサイズまたはマイクロサイズのＡｇ粒子を有機溶剤に分散させたペーストを含んでいてもよい。

　複数の導線７は、半導体チップ４の機能に応じて調節され、図１に示された個数に限定されない。複数の導線７は、複数のリード端子６と複数のパッド１４とを電気的に接続している。複数の導線７は、この実施形態では、ボンディングワイヤの一例としてのアルミニウムワイヤを含む。複数の導線７は、アルミニウムワイヤに代えて、金ワイヤまたは銅ワイヤであってもよい。

　なお、半導体装置１のパッケージ形態は、ＳＯＰ以外の形態であってもよい。たとえば、半導体装置１は、ＴＯ（Transistor Outline）、ＱＦＮ（Quad For Non Lead Package）、ＤＦＰ（Dual Flat Package）、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＩＰ（Single Inline Package）もしくはＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）、または、これらに類する種々のパッケージ形態を有していてもよい。

　図２は、図１の半導体チップ４の平面拡大図であって、パッド１４の周辺を示している。図３は、図２の二点鎖線ＩＩＩで囲まれた部分の拡大図（第１形態）である。図４は、図３に示すＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。

　次に、図２～図４を参照して、半導体チップ４の第１形態について説明する。

　まず半導体チップ４の断面構造に関して。図４を参照して、半導体チップ４は、半導体基板１５を含む。半導体基板１５は、たとえばＳｉを含むベース基板と、ベース基板上に成長したエピタキシャル層とを含むエピタキシャル基板であってもよい。また、半導体チップ４は、層状に形成されていることから、半導体層と言い換えてもよい。

　半導体チップ４の第１主面１１および第２主面１２は、半導体基板１５の第１主面１１および第２主面１２であってもよい。半導体基板１５の第１主面１１には、複数の機能素子１６が形成されている。複数の機能素子１６は、たとえば、ダイオード、トランジスタ、抵抗素子など、ＬＳＩを構成する回路素子を含んでいてもよい。

　半導体基板１５の第１主面１１には、絶縁層積層構造１７が形成されている。絶縁層積層構造１７は、複数の無機系絶縁層の積層構造を含む。この実施形態では、絶縁層積層構造１７は、半導体基板１５の第１主面１１から順に積層された、第１絶縁層１８、第２絶縁層１９、第３絶縁層２０、第４絶縁層２１および第５絶縁層２２を含む。絶縁層積層構造１７の各絶縁層１８～２２は、たとえば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機絶縁材料を含む。

　各絶縁層１８～２２には、複数の配線２３と、互いに上下に位置する配線２３同士を接続する複数のビア２４とが形成されている。配線２３は、ビア２４を介して機能素子１６に電気的に接続されている。これにより、絶縁層積層構造１７は、機能素子１６に電気的に接続された配線２３が複数の絶縁層１８～２２にわたって設けられた多層配線構造として構成されている。複数の配線２３は、たとえば、Ｃｕ、Ａｌなどの公知の配線材料を含んでいてもよい。複数のビア２４は、たとえば、Ｗなどの公知のビア材料を含んでいてもよい。

　絶縁層積層構造１７上には、第１導電部材２５が形成されている。第１導電部材２５は、この実施形態では、半導体チップ４のパッド１４を形成する最上層の配線であり、第１配線層と言い換えてもよい。また、第１導電部材２５は、複数の導電層によって形成されており、第１導電層と言い換えてもよい。

　図４の断面視において、第１導電部材２５は、第１ベース層２６と、第１ベース層２６上に積層された第１被覆層２７とを含む。第１ベース層２６は、たとえばＣｕを含んでおり、この実施形態ではＣｕめっき層を含んでいてもよい。第１ベース層２６は、たとえばビア２４に接続されている。これにより、第１導電部材２５は、ビア２４および配線２３を介して、機能素子１６に電気的に接続されている。

　第１被覆層２７は、第１ベース層２６を被覆する。第１被覆層２７は、第１ベース層２６の上面に接して第１ベース層２６を被覆する第１被覆部２８と、第１ベース層２６の端面２９よりも側方に突出する第１突出部３０とを一体的に含む。これにより、第１ベース層２６の端面２９と第１被覆層２７の端面３１との間には、第１突出部３０の突出量に相当する第１段差３２が形成されている。第１突出部３０は、第１被覆部２８に対して下側（半導体基板１５の第１主面１１に近い側）に垂れ下がっていてもよい。したがって、第１被覆層２７の上面３３は、第１ベース層２６上の部分に対して両側の部分が下方向に傾斜していてもよい。第１被覆層２７は、第１ベース層２６よりも薄く形成されていてもよい。たとえば、第１ベース層２６が２μｍ以上３μｍ以下の厚さを有しており、第１被覆層２７が１μ以上２μｍ以下の厚さを有していてもよい。

　第１被覆層２７は、この実施形態では、複数の被覆層を含んでいる。第１被覆層２７は、たとえば、第１ベース層２６に接する第１層３４と、第１層３４上に積層された第２層３５とを含んでいてもよい。第１層３４は、たとえばＮｉを含んでおり、この実施形態ではＮｉめっき層を含んでいてもよい。第２層３５は、たとえばＰｄを含んでおり、この実施形態ではＰｄめっき層を含んでいてもよい。図示は省略するが、第１被覆層２７は、最表面にさらに、Ａｕめっき層を含んでいてもよい。第１層３４および第２層３５は、第１被覆部２８および第１突出部３０の両方にわたって積層されている。これにより、第１層３４と第２層３５との境界が、第１被覆層２７の端面３１に露出していてもよい。

　次に、第１導電部材２５の平面構造を説明する。図２を参照して、第１導電部材２５は、半導体基板１５の第１主面１１上の領域を広範囲にわたって延びている。第１導電部材２５は、この実施形態では、第１直線部３６と、第２直線部３７とを含む。第１直線部３６および第２直線部３７は、それぞれ平面視帯状に形成されており、コーナ部３８を介して一体的に繋がっている。なお、第１直線部３６および第２直線部３７は、図２において、その長さに対して比較的幅広に示されているため、帯状であると定義されている。これに対し、第１直線部３６および第２直線部３７は、その幅が長さに対して非常に小さい場合には、ライン状などと定義されてもよい。

　第１直線部３６は、第１導電部材２５の端部である先端部３９を含む。第１導電部材２５の先端部３９の反対側の端部（図示せず）は、前述のビア２４に接続されていてもよい。第１直線部３６と第２直線部３７とは、図２の左側２つの第１導電部材２５のように、コーナ部３８において互いに鈍角に交差していてもよい。また、第１直線部３６と第２直線部３７とは、図２の右側２つの第１導電部材２５のように、コーナ部３８において互いに直角に交差していてもよい。つまり、コーナ部３８の角度は、鈍角であってもよいし、直角であってもよいし、むろん鋭角であってもよい。

　図３を参照して、第１直線部３６のより詳細な形状について説明を加える。なお、図３では、第１直線部３６の長手方向（延出方向）を第１方向Ｘ_１とし、第１方向Ｘ_１に直交する方向を第２方向Ｙ_１とする。

　第１直線部３６は、第１方向Ｘ_１に延びる帯状の第１ベース部４０と、第２方向Ｙ_１における第１ベース部４０の両側に一体的に形成された第１側部４１とを含む。第１ベース部４０は、たとえば、図３に破線で示された第１境界部４２の内側領域、または一点鎖線で示された第１境界部４３の内側領域のように、第１直線部３６とほぼ同じ外形を維持しつつ、第１直線部３６から抽出しうる帯状の領域を便宜的に設定した領域である。

　第１ベース部４０は、前述の導線７のような接合部材を接続可能な幅を有していればよい。また、第１ベース部４０は、第１直線部３６の幅Ｗ_１の８０％以上、好ましくは９０％以上の第１幅Ｗ_２を有していてもよい。たとえば、第１直線部３６の幅Ｗ_１が１２μｍ以上２５μｍ以下であり、第１ベース部４０の第１幅Ｗ_２が１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。第１直線部３６の幅Ｗ_１は、第２方向Ｙ_１における一方側の第１凸部４４の頂部と他方側の第１凸部４４の頂部との距離であってもよい。

　第１側部４１は、この実施形態では、第１境界部４２の外側領域または第１境界部４３の外側領域であり、第１直線部３６の外形に影響がない程度の凹凸構造を有している。より具体的には、第１側部４１は、第１ベース部４０から第２方向Ｙ_１に突出する第１凸部４４および第１凸部４４に対して窪んだ第１凹部４５を含む。この実施形態では、第１直線部３６は、第２方向Ｙ_１の一方側（紙面左側）および他方側（紙面右側）に交互に曲がる曲線で形成された第１側縁部４６を有している。第１側縁部４６は、平面視において第１直線部３６の第１方向Ｘ_１に延びる外形ラインであり、第１直線部３６の側面を形成する。したがって、第１直線部３６の第１側部４１は、第１ベース部４０と第１側縁部４６との間の領域であり、第１側部４１を構成する第１凸部４４および第１凹部４５は、第１方向Ｘ_１に沿って連続して繋がる曲線状の第１側縁部４６によって形成されている。

　第１側部４１の第１凸部４４の突出量Ｐ_１は、第１直線部３６の外形を大きく変更しない突出量であればよい。たとえば、第１ベース部４０の第１幅Ｗ_２と比較して、突出量Ｐ_１は、第１幅Ｗ_２の１／１０以下（つまり、第１幅Ｗ_２が突出量Ｐ_１の１０倍以上）であってもよい。つまり、第１凸部４４および第１凹部４５によって応力分散構造を形成しても、第１ベース部４０の第１幅Ｗ_２を比較的広く維持することができる。その結果、第１ベース部４０に接合され得る接合部材の選択肢（たとえば、ワイヤや配線の形状、太さなど）を多く残すことができる。

　また、この実施形態では、曲線状の第１側縁部４６は、第１方向Ｘ_１に沿って延びる正弦曲線４７であってもよい。これにより、第１側部４１は、第１方向Ｘ_１に沿って交互に形成された複数の第１湾曲凸部４８および複数の第１湾曲凹部４９を含む。この場合、第１ベース部４０の第１幅Ｗ_２は、図３に二点鎖線で示した第１基準線５０からの正弦曲線４７の振幅Ａ_１の５倍以上であってもよい。

　なお、第１側部４１と第１ベース部４０との第１境界部４２，４３は、たとえば、複数の第１凹部４５の頂部同士を第１方向Ｘ_１に沿って繋いで形成された線（図３の一点鎖線）で設定されていてもよいし、当該線と平行な線（図３の破線）を複数の第１凹部４５の頂部よりも少し内側の位置に形成することにより、この線によって設定されてもよい。

　第１導電部材２５の先端部３９は、平面視において第１曲率半径Ｒ_１を有する第１円弧５１で形成された第１側面５２を有している。この第１側面５２と比較して、第１側縁部４６は、平面視において、第１曲率半径Ｒ_１よりも小さい第２曲率半径Ｒ_２を有する第２円弧５３で形成された第２側面５４を有していてもよい。第１側縁部４６が正弦曲線４７を含む場合、第１湾曲凸部４８および第１湾曲凹部４９それぞれの湾曲面が、第２円弧５３で形成されていてもよい。

　この実施形態では、正弦曲線４７を含む第１側縁部４６は、第１方向Ｘ_１に沿って一対形成されている。つまり、第１直線部３６の両側縁が、正弦曲線４７を含む第１側縁部４６であってもよい。一対の正弦曲線４７は、一方の正弦曲線４７Ａおよび他方の正弦曲線４７Ｂを含んでいてもよい。一方の正弦曲線４７Ａおよび他方の正弦曲線４７Ｂを比較すると、第１方向Ｘ_１において第１湾曲凸部４８の形成位置が互いに異なっていてもよい。たとえば、第２方向Ｙ_１において、一方の正弦曲線４７Ａの第１湾曲凸部４８が、他方の正弦曲線４７Ｂの第１湾曲凸部４８に対してずれていてもよい。

　この実施形態では、第２方向Ｙ_１において、一方の正弦曲線４７Ａの第１湾曲凸部４８が他方の正弦曲線４７Ｂの第１湾曲凹部４９に対向している。また、他方の正弦曲線４７Ｂの第１湾曲凸部４８が一方の正弦曲線４７Ａの第１湾曲凹部４９に対向している。これにより、第１方向Ｘ_１において、第１湾曲凸部４８（第１湾曲凹部４９）が、一方の正弦曲線４７Ａを含む第１側部４１と、他方の正弦曲線４７Ｂを含む第１側部４１とに交互に形成されている。

　このように、第１直線部３６は、第１湾曲凸部４８および第１湾曲凹部４９を含む第１側部４１を有している。一方で、たとえば第１直線部３６を観察するときの倍率が低倍率である場合には、正弦曲線４７の第１湾曲凸部４８および第１湾曲凹部４９の湾曲部分が尖って見える場合がある。この場合、第１側部４１は、平面視ジグザグ形状に形成されていると定義してもよい。ジグザグ形状の外側に突出する第１凸部４４の頂部形状が、第１湾曲凸部４８の湾曲面の形状に対応していてもよい。

　また、前述の第１凸部４４および第１凹部４５は、第１導電部材２５を構成する第１ベース層２６および第１被覆層２７のうち、第１被覆層２７に選択的に形成されていてもよい。むろん、第１ベース層２６および第１被覆層２７の両方に形成されていてもよい。また、第１凸部４４および第１凹部４５は、図３に示すように、第１直線部３６に選択的に形成されていてもよいし、第２直線部３７に選択的に形成されていてもよいし、第１直線部３６および第２直線部３７の両方に形成されていてもよい。

　図４を参照して、絶縁層積層構造１７上には、第１導電部材２５を被覆するように保護層５５が形成されている。保護層５５は、有機系絶縁樹脂を含む。有機系絶縁樹脂は、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドなどを含んでいてもよい。保護層５５は、第１導電部材２５よりも高い熱膨張係数を有する樹脂層であってもよい。たとえば、第１導電部材２５のベース層を構成するＣｕの第１熱膨張係数が１６×１０^－６／℃以上１８×１０^－６／℃以下であるのに対し、保護層５５を構成する樹脂（たとえば、エポキシ樹脂）の第２熱膨張係数は、４５×１０^－６／℃以上６５×１０^－６／℃以下であってもよい。保護層５５には、第１直線部３６の第１ベース部４０をパッド１４として露出させるパッド開口５６が形成されている。このパッド１４を介して、第１導電部材２５に前述の導線７が接続される。

　図５は、図２の二点鎖線ＩＩＩで囲まれた部分の拡大図（第２形態）である。図６は、図３に示すＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。

　次に、半導体チップ４の第２形態について説明する。なお、以下では、図２～図４を参照して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

　まず図６を参照して、第２形態では、半導体基板１５の厚さ方向において、絶縁層積層構造１７における第１導電部材２５の直下の部分には、配線２３およびビア２４が形成されていない。つまり、第１導電部材２５は、配線２３およびビア２４などの導電部材を介さず、絶縁層積層構造１７の絶縁層のみを介して半導体基板１５と対向していてもよい。第２形態における絶縁層積層構造１７は、複数の無機系絶縁層の積層構造を含み、たとえば第１絶縁層５７および第２絶縁層５８を含む。絶縁層積層構造１７の各絶縁層は、たとえば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機絶縁材料を含む。

　第１絶縁層５７および第２絶縁層５８は、同種の絶縁材料であるが、異なる製法によって形成された絶縁層であってもよい。たとえば、第１絶縁層５７が熱酸化シリコン膜であり、第２絶縁層５８がＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）酸化シリコン膜であってもよい。この場合、第１絶縁層５７は、第２絶縁層５８よりも緻密な膜質を有していてもよい。

　第１導電部材２５の直下に配線２３およびビア２４が形成されていないので、第１導電部材２５は、半導体基板１５に形成された機能素子１６と電気的に接続されていなくてもよい。この接続に代えて、第１導電部材２５は、たとえば、パッド１４に接続された導線７を介して、半導体装置１とは異なる半導体装置１が搭載する機能素子１６と電気的に接続されていてもよい。

　第１導電部材２５上には、第２導電部材５９が形成されている。第２導電部材５９は、第１導電部材２５上に積層された２層目の配線であり、第２配線層と言い換えてもよい。また、第２導電部材５９は、複数の導電層によって形成されており、第２導電層と言い換えてもよい。

　第２導電部材５９は、第２ベース層６０と、第２ベース層６０上に積層された第２被覆層６１とを含む。第２ベース層６０は、たとえばＣｕを含んでおり、この実施形態ではＣｕめっき層を含んでいてもよい。第２ベース層６０は、第１導電部材２５の第１被覆層２７に接続されている。これにより、第２導電部材５９は、第１導電部材２５に物理的に接続されている。

　第２被覆層６１は、第２ベース層６０を被覆する。第２被覆層６１は、第２ベース層６０の上面に接して第２ベース層６０を被覆する第２被覆部６２と、第２ベース層６０の端面６３よりも側方に突出する第２突出部６４とを一体的に含む。これにより、第２ベース層６０の端面６３と第２被覆層６１の端面６５との間には、第２突出部６４の突出量に相当する第２段差６６が形成されている。第２突出部６４は、保護層５５の一部を挟んで、第１導電部材２５の第１ベース層２６に対向していてもよい。

　第２突出部６４は、第２被覆部６２に対して下側（半導体基板１５の第１主面１１に近い側）に垂れ下がっていてもよい。したがって、第２被覆層６１の上面６７は、第２ベース層６０上の部分に対して両側の部分が下方向に傾斜していてもよい。第２被覆層６１は、第２ベース層６０よりも薄く形成されていてもよい。たとえば、第２ベース層６０が２μｍ以上３μｍ以下の厚さを有しており、第２被覆層６１が１μ以上２μｍ以下の厚さを有していてもよい。

　第２被覆層６１は、この実施形態では、複数の被覆層を含んでいる。第２被覆層６１は、たとえば、第２ベース層６０に接する第１層６８と、第１層６８上に積層された第２層６９とを含んでいてもよい。第１層６８は、たとえばＮｉを含んでおり、この実施形態ではＮｉめっき層を含んでいてもよい。第２層６９は、たとえばＰｄを含んでおり、この実施形態ではＰｄめっき層を含んでいてもよい。図示は省略するが、第２被覆層６１は、最表面にさらに、Ａｕめっき層を含んでいてもよい。第１層６８および第２層６９は、第２被覆部６２および第２突出部６４の両方にわたって積層されている。これにより、第１層６８と第２層６９との境界が、第２被覆層６１の端面６５に露出していてもよい。

　次に図５を参照して、第２導電部材５９は、保護層５５内における第１導電部材２５よりも上方の部分に形成されており、平面視において第１導電部材２５に重なるように延びている。第２導電部材５９は、第１導電部材２５の先端部３９に接続された接続部７０を有している。図５では、第２導電部材５９の接続部７０が、破線のハッチングで示されている。明瞭化のため、当該ハッチングは、１つの第２導電部材５９のみに付している。

　第２導電部材５９は、接続部７０において上方に屈曲しており、第１導電部材２５から斜め上方に離れる方向に延びている。図５では、接続部７０の端部に示された直線が、第２導電部材５９の屈曲部７１である。また、この実施形態では、平面視において、第１導電部材２５と第２導電部材５９との接続部７０を境にして、第１方向Ｘ_１の一方側に向かって第１導電部材２５が延び、第１方向Ｘ_１の他方側に向かって第２導電部材５９が延びている。これにより、第１方向Ｘ_１に沿って、第１導電部材２５および第２導電部材５９が直線状に並んでいる。

　第２導電部材５９は、この実施形態では、第３直線部７２を含む。第３直線部７２は、平面視帯状に形成されている。なお、第３直線部７２は、図５において、その長さに対して比較的幅広に示されているため、帯状であると定義されている。これに対し、第３直線部７２は、その幅が長さに対して非常に小さい場合には、ライン状などと定義されてもよい。第３直線部７２は、第２導電部材５９の端部である先端部７３を含む。第２導電部材５９の先端部７３は、第１導電部材２５に物理的に接続される部分である。

　以下では、第３直線部７２の長手方向（延出方向）を第３方向Ｘ_２とし、第３方向Ｘ_２に直交する方向を第４方向Ｙ_２とする。この実施形態では、第３方向Ｘ_２および第４方向Ｙ_２は、それぞれ、第１方向Ｘ_１および第２方向Ｙ_１に一致する。

　第３直線部７２は、第３方向Ｘ_２に延びる帯状の第２ベース部７４と、第４方向Ｙ_２における第２ベース部７４の両側に一体的に形成された第２側部７５とを含む。第２ベース部７４は、たとえば、図５に破線で示された第２境界部７６の内側領域のように、第３直線部７２とほぼ同じ外形を維持しつつ、第３直線部７２から抽出しうる帯状の領域を便宜的に設定した領域である。

　第２ベース部７４は、第３直線部７２の幅Ｗ_３の８０％以上、好ましくは９０％以上の第２幅Ｗ_４を有していてもよい。たとえば、第３直線部７２の幅Ｗ_３が８μｍ以上２０μｍ以下であり、第２ベース部７４の第２幅Ｗ_４が７μｍ以上１６μｍ以下であってもよい。第３直線部７２の幅Ｗ_３は、第４方向Ｙ_２における一方側の第２凸部７７の頂部と他方側の第２凸部７７の頂部との距離であってもよい。また、第３直線部７２の幅Ｗ_３は、第１導電部材２５の第１直線部３６の幅Ｗ_１よりも小さくてもよい。これにより、第２導電部材５９を第１導電部材２５に接続する際に、第２導電部材５９の側方に接続マージンを設けることができる。

　第２側部７５は、この実施形態では、第２境界部７６の外側領域であり、第３直線部７２の外形に影響がない程度の凹凸構造を有している。より具体的には、第２側部７５は、第２ベース部７４から第４方向Ｙ_２に突出する第２凸部７７および第２凸部７７に対して窪んだ第２凹部７８を含む。この実施形態では、第３直線部７２は、第４方向Ｙ_２の一方側（紙面左側）および他方側（紙面右側）に交互に曲がる曲線で形成された第２側縁部７９を有している。第２側縁部７９は、平面視において第３直線部７２の第３方向Ｘ_２に延びる外形ラインであり、第３直線部７２の側面を形成する。したがって、第３直線部７２の第２側部７５は、第２ベース部７４と第２側縁部７９との間の領域であり、第２側部７５を構成する第２凸部７７および第２凹部７８は、第３方向Ｘ_２に沿って連続して繋がる曲線状の第２側縁部７９によって形成されている。

　第２側部７５の第２凸部７７の突出量Ｐ_２は、第３直線部７２の外形を大きく変更しない突出量であればよい。たとえば、第２ベース部７４の第２幅Ｗ_４と比較して、突出量Ｐ_２は、第２幅Ｗ_４の１／１０以下（つまり、第２幅Ｗ_４が突出量Ｐ_２の１０倍以上）であってもよい。また、この実施形態では、曲線状の第２側縁部７９は、第３方向Ｘ_２に沿って延びる正弦曲線８０であってもよい。これにより、第２側部７５は、第３方向Ｘ_２に沿って交互に形成された複数の第２湾曲凸部８１および複数の第２湾曲凹部８２を含む。この場合、第２ベース部７４の第２幅Ｗ_４は、図５に二点鎖線で示した第２基準線８３からの正弦曲線８０の振幅Ａ_２の５倍以上であってもよい。

　第２導電部材５９の先端部７３は、平面視において第３曲率半径Ｒ_３を有する第３円弧８４で形成された第３側面８５を有している。この第３側面８５と比較して、第２側縁部７９は、平面視において、第３曲率半径Ｒ_３よりも小さい第４曲率半径Ｒ_４を有する第４円弧８６で形成された第４側面８７を有していてもよい。第２側縁部７９が正弦曲線４７を含む場合、第２湾曲凸部８１および第２湾曲凹部８２それぞれの湾曲面が、第４円弧８６で形成されていてもよい。

　この実施形態では、正弦曲線８０を含む第２側縁部７９は、第３方向Ｘ_２に沿って一対形成されている。つまり、第３直線部７２の両側縁が、正弦曲線８０を含む第２側縁部７９であってもよい。一対の正弦曲線８０は、一方の正弦曲線８０Ａおよび他方の正弦曲線８０Ｂを含んでいてもよい。一方の正弦曲線８０Ａおよび他方の正弦曲線８０Ｂを比較すると、第３方向Ｘ_２において第２湾曲凸部８１の形成位置が互いに異なっていてもよい。たとえば、第４方向Ｙ_２において、一方の正弦曲線８０Ａの第２湾曲凸部８１が、他方の正弦曲線８０Ｂの第２湾曲凸部８１に対してずれていてもよい。

　この実施形態では、第４方向Ｙ_２において、一方の正弦曲線８０Ａの第２湾曲凸部８１が他方の正弦曲線８０Ｂの第２湾曲凹部８２に対向している。また、他方の正弦曲線８０Ｂの第２湾曲凸部８１が一方の正弦曲線８０Ａの第２湾曲凹部８２に対向している。これにより、第３方向Ｘ_２において、第２湾曲凸部８１（第２湾曲凹部８２）が、一方の正弦曲線８０Ａを含む第２側部７５と、他方の正弦曲線８０Ｂを含む第２側部７５とに交互に形成されている。

　このように、第３直線部７２は、図５に示したように、第２湾曲凸部８１および第２湾曲凹部８２を含む第２側部７５を有している。一方で、たとえば第３直線部７２を観察するときの倍率が低倍率である場合には、正弦曲線８０の第２湾曲凸部８１および第２湾曲凹部８２の湾曲部分が尖って見える場合がある。この場合、第２側部７５は、平面視ジグザグ形状に形成されていると定義してもよい。ジグザグ形状の外側に突出する第２凸部７７の頂部形状が、第２湾曲凸部８１の湾曲面の形状に対応していてもよい。

　また、前述の第２凸部７７および第２凹部７８は、第２導電部材５９を構成する第２ベース層６０および第２被覆層６１のうち、第２被覆層６１に選択的に形成されていてもよい。むろん、第２ベース層６０および第２被覆層６１の両方に形成されていてもよい。

　図７は、半導体チップ４の製造工程の一部を工程順に示すフロー図である。

　半導体チップ４を製造するには、たとえば、半導体ウエハが用意される（ステップＳ１）。半導体ウエハは、半導体基板１５のベースとなる。次に、半導体ウエハの主面に、機能素子１６が形成される（ステップＳ２）。機能素子１６は、たとえば、半導体基板１５への不純物注入、抵抗導電材の堆積などの公知の方法によって形成されてもよい。次に、半導体基板１５上に、絶縁層積層構造１７が形成される（ステップＳ３）。絶縁層積層構造１７は、たとえば、公知の多層配線構造の形成技術を利用して形成されてもよい。

　次に、絶縁層積層構造１７上に、第１導電部材２５が形成される（ステップＳ４）。第１導電部材２５は、たとえば、絶縁層積層構造１７上に、第１ベース層２６および第１被覆層２７の材料をめっき成長させることによって形成される。次に、第１導電部材２５がパターニングされる（ステップＳ５）。これにより、第１導電部材２５の第１直線部３６に、第１凸部４４および第１凹部４５を含む第１側部４１が形成される。具体的には、第１ベース層２６および第１被覆層２７の積層構造上に、第１側縁部４６（正弦曲線４７）のパターンを有するマスクを配置し、このマスクを介して第１被覆層２７および第１ベース層２６を選択的にエッチングすることによって第１凸部４４および第１凹部４５が形成される。なお、半導体チップ４が第２導電部材５９を備える場合は、第１導電部材２５のパターニング後、ステップＳ４およびステップＳ５を繰り返すことによって第２導電部材５９を形成すればよい。

　次に、第１導電部材２５を被覆するように、絶縁層積層構造１７上に保護層５５が形成される（ステップＳ６）。たとえば、半導体ウエハを金型にセットし、当該金型に樹脂材料を充填することによって保護層５５が形成されてもよい。その後、熱処理することによって、保護層５５を硬化（キュア）させる。

　次に、保護層５５にパッド開口５６が形成されることによって、第１導電部材２５の一部がパッド１４として露出する。その後、半導体ウエハが切断され、複数の半導体チップ４が切り出される。以上を含む工程を経て、前述の半導体チップ４が得られる。

　図８は、凹凸構造の導入による応力緩和効果を説明するための図である。より具体的には、図８は、サンプル１および２に対して加わる応力シミュレーションを行った結果を示している。サンプル１は、側縁部８８が前述の正弦曲線４７によって形成された配線８９である。サンプル２は、側縁部９０が一直線に形成された配線９１である。図８において、破線のハッチングが付された領域は、それ以外の白抜きの領域の応力を１００％としたときに、応力が０．１％～１０％となった領域である。図８を参照して、凹凸構造が採用されたサンプル１では、凹凸構造が採用されていないサンプル２に比べて、配線８９の側部に加わる応力が分散され、全体として低減されていることが分かった。

　さらに、サンプル１について温度サイクル試験を実施した。試験条件は、－６５℃～１５０℃、サイクル数：５００サイクル(高温、低温が各３０分)である。試験後、サンプル１の断面ＳＥＭ画像を観察したところ、有機系絶縁樹脂からなる保護層５５には、配線８９の側縁部８８を起点としたクラックの発生は発見できなかった。この結果から、サンプル１では、配線８９の側縁部８８の凹凸構造によって、配線８９の側部に加わる応力が分散されていたと考えられる。

　図８のシミュレーション結果のように、この実施形態に係る半導体チップ４では、第１側縁部４６が正弦曲線４７で形成されているため、第１直線部３６の第１側部４１に発生する応力を分散させることができる。これにより、第１導電部材２５の第１直線部３６の第１側部４１の応力を全体として低減することができる。その結果、周囲の温度変化（たとえば、保護層５５のキュア時の温度変化など）に伴う膨張、収縮の際に、保護層５５に発生する歪を抑制することができる。

　また、第１導電部材２５が全体的に蛇行してＳ字形になっているのではなく、第１直線部３６の第１側部４１に選択的に第１凸部４４および第１凹部４５を形成することによって応力分散構造が構成されている。そのため、第１導電部材２５のための設置スペースを広くする必要がないので、半導体チップ４の大型化を抑制することができる。

　また、半導体チップ４が第２導電部材５９を備え、この第２導電部材５９の第２側縁部７９も正弦曲線８０で形成されていれば、第３直線部７２の第２側部７５に発生する応力を分散させることができる。これにより、第２導電部材５９の第３直線部７２の第２側部７５の応力を全体として低減することができる。その結果、温度変化に伴う膨張、収縮の際に、保護層５５に発生する歪を抑制することができる。

　以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は他の形態で実施することもできる。

　たとえば、前述の実施形態では、第１導電部材２５および第２導電部材５９の一例として、ＬＳＩチップの配線層を取り上げたが、第１導電部材２５および第２導電部材５９の特徴的な構造は、たとえば、他の半導体素子の配線、電極、コイルの構造に採用することもできる。より具体的には、ウエハレベルＣＳＰ（Wafer level Chip Size Package）の表面配線、絶縁トランス素子のコイル接合部などに採用することもできる。

　以上、本開示の実施形態は、すべての点において例示であり限定的に解釈されるべきではなく、すべての点において変更が含まれることが意図される。

　この明細書および図面の記載から以下に付記する特徴が抽出され得る。なお、下記において、括弧内の数字等は、前述の詳細な説明における対応構成要素の参照符号を表す。しかしながら、これらの参照符号によって、下記の各構成要素を前述の各構成要素の均等物として限定する趣旨ではない。
［付記１－１］
　半導体チップ（４，１５）と、
　前記半導体チップ（４，１５）上に形成され、前記半導体チップ（４，１５）の主面（１１）に沿って延びる第１直線部（３６）を有する第１導電層（２５）と、
　前記半導体チップ（４，１５）上に形成され、前記第１導電層（２５）を被覆する有機系絶縁層（５５）とを含み、
　前記第１直線部（３６）は、接合部材が接続され得る接合領域を有するベース部（４０）と、前記ベース部（４０）から前記第１直線部（３６）の長手方向に交差する方向に突出する凸部（４４，４８）および前記凸部（４４，４８）に対して窪んだ凹部（４５，４９）を含む第１側部（４１）とを含む、半導体装置（１）。

　たとえば、第１直線部の第１側部が一直線である場合、周囲温度が変動すると、第１導電層と有機系絶縁層との間の熱膨張係数の違いに起因して、第１直線部の第１側部には高い応力が発生する場合がある。温度変化に伴う膨張、収縮の際に、この応力によって有機系絶縁層に外力が加わると、有機系絶縁層に歪が生じて有機系絶縁層の機械的特性が低下するかもしれない。そこで、この実施形態に係る半導体装置であれば、第１直線部の第１側部が凸部および凹部を含むため、第１直線部の第１側部に発生する応力を分散させることができる。これにより、第１導電層の第１直線部の第１側部の応力を全体として低減することができる。その結果、温度変化に伴う膨張、収縮の際に、有機系絶縁層に発生する歪を抑制することができる。
［付記１－２］
　前記凸部（４４，４８）および前記凹部（４５，４９）は、前記第１直線部（３６）の長手方向に沿って延びる正弦曲線（４７）によって交互に形成された複数の湾曲凸部（４８）および複数の湾曲凹部（４９）を含む、付記１－１に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、凸部および凹部が、それぞれ、湾曲凸部および湾曲凹部であるため、凸部および凹部の特定箇所に応力が集中することを防止することができる。
［付記１－３］
　前記第１直線部（３６）の前記第１側部（４１）は、前記第１直線部（３６）の長手方向に沿って延びる一対の正弦曲線（４７Ａ，４７Ｂ）によって形成されている、付記１－２に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、第１直線部の一対の第１側部のそれぞれにおいて応力を分散させることができる。
［付記１－４］
　前記第１直線部（３６）の長手方向に交差する方向において、一方の前記正弦曲線（４７Ａ）の前記湾曲凸部（４８）が他方の前記正弦曲線（４７Ｂ）の湾曲凹部（４９）に対向しており、他方の前記正弦曲線（４７Ｂ）の前記湾曲凸部（４８）が一方の前記正弦曲線（４７Ａ）の湾曲凹部（４９）に対向している、付記１－３に記載の半導体装置（１）。

　この構成よれば、第１直線部の長手方向に沿って、湾曲凸部（湾曲凹部）が一方側の第１側部および他方側の第１側部に交互に形成されている。たとえば湾曲凸部および湾曲凹部のうち、少なくとも一方（たとえば、湾曲凸部）における応力が他方（たとえば、湾曲凹部）よりも低減される場合を考える。この場合、第１直線部における応力緩和部位が、第１直線部の長手方向に沿って断続的に表れるのではなく、一方側の第１側部および他方側の第１側部に交互に連続して表れる。そのため、第１直線部における応力緩和部位の偏りを減らすことができる。
［付記１－５］
　前記ベース部（４０）は、第１幅（Ｗ_２）を有する帯状に形成されており
　前記ベース部（４０）の前記第１幅（Ｗ_２）は、前記正弦曲線（４７）の振幅（Ａ_１）の５倍以上である、付記１－２～付記１－４のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、たとえば既存の第１導電層（たとえば、配線、電極など）の幅に対して１／５程度の振幅を有する正弦曲線で湾曲凸部および湾曲凹部を形成することによって、第１導電層における応力分散の効果を達成することができる。逆に言えば、湾曲凸部および湾曲凹部によって応力分散構造を形成しても、ベース部の第１幅を比較的広く維持することができる。その結果、ベース部に接合され得る接合部材の選択肢（接合部材の形状、太さなど）を多く残すことができる。
［付記１－６］
　前記第１導電層（２５）は、前記第１直線部（３６）の一部を含む先端部（３９）と、コーナ部（３８）を介して前記第１直線部（３６）に対して接続された第２直線部（３７）とを含み、
　前記正弦曲線（４７）は、前記第１直線部（３６）および前記第２直線部（３７）のうち前記第１直線部（３６）に選択的に形成されている、付記１－２～付記１－５のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、周囲温度の変動によって応力が発生しやすい先端部を含む第１直線部に、正弦曲線によって湾曲凸部および湾曲凹部が形成されているので、第１導電層において応力を効果的に分散させることができる。
［付記１－７］
　前記第１導電層（２５）の前記先端部（３９）は、平面視において第１曲率半径（Ｒ_１）を有する第１円弧（５１）で形成された第１側面（５２）を有し、
　前記正弦曲線（４７）の前記湾曲凸部（４８）および前記湾曲凹部（４９）の少なくとも一方は、平面視において前記第１曲率半径（Ｒ_１）よりも小さい第２曲率半径（Ｒ_２）を有する第２円弧（５３）で形成された第２側面（５４）を有している、付記１－６に記載の半導体装置（１）。
［付記１－８］
　前記第１導電層（２５）は、断面視において、第１ベース層（２６）と、前記第１ベース層（２６）の端面（２９）よりも側方に突出するように前記第１ベース層（２６）に積層された第１被覆層（２７）とを含み、
　前記凸部（４４，４８）および前記凹部（４５，４９）を含む前記第１側部（４１）は、前記第１被覆層（２７）に選択的に形成されている、付記１－１～付記１－７のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、凸部および凹部を含む第１側部が第１被覆層に選択的に形成されており、第１ベース層に形成されていなくてもよい。そのため、凸部および凹部の形成工程の工程数を少なくすることができる。
［付記１－９］
　前記有機系絶縁層（５５）は、前記第１直線部（３６）の前記ベース部（４０）をパッド（１４）として露出させるパッド開口（５６）を有している、付記１－１～付記１－８のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、パッド開口を介して、第１直線部のベース部に対してボンディングワイヤなどの接合部材を接続することができる。
［付記１－１０］
　前記有機系絶縁層（５５）内において、前記第１直線部（３６）の前記ベース部（４０）に接続された第２導電層（５９）をさらに含む、付記１－１～付記１－８のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、前述の応力分散構造によって、第２導電層の周囲の有機系絶縁層の機械的特性の低下が抑制されている。そのため、第１導電層（第１直線部）と第２導電層との接続信頼性を向上することができる。
［付記１－１１］
　前記第２導電層（５９）は、前記半導体チップ（４，１５）の主面（１１）に沿って延びる第３直線部（７２）を有し、
　前記第３直線部（７２）は、平面視において、前記第３直線部（７２）の長手方向に交差する方向に突出する第２凸部（７７，８１）および前記第２凸部（７７，８１）に対して窪んだ第２凹部（７８，８２）を含む第２側部（７５）を含む、付記１－１０に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、第３直線部の第２側部が第２凸部および第２凹部を含むため、第３直線部の第２側部に発生する応力を分散させることができる。これにより、第２導電層の第３直線部の第２側部の応力を全体として低減することができる。その結果、温度変化に伴う膨張、収縮の際に、有機系絶縁層に発生する歪を抑制することができる。
［付記１－１２］
　前記第２導電層（５９）は、断面視において、第２ベース層（６０）と、前記第２ベース層（６０）の端面（６３）よりも側方に突出するように前記第２ベース層（６０）に積層された第２被覆層（６１）とを含み、
　前記第２凸部（７７，８１）および前記第２凹部（７８，８２）を含む前記第２側部（７５）は、前記第２被覆層（６１）に選択的に形成されている、付記１－１１に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、第２凸部および第２凹部を含む第２側部が第２被覆層に選択的に形成されており、第２ベース層に形成されていなくてもよい。そのため、第２凸部および第２凹部の形成工程の工程数を少なくすることができる。
［付記１－１３］
　前記第１導電層（２５）と前記半導体チップ（４，１５）との間に形成され、少なくとも第１無機系絶縁層（１８，５７）および前記第１無機系絶縁層（１８，５７）上に積層された第２無機系絶縁層（１９，５８）を含む絶縁層積層構造（１７）を含む、付記１－１～付記１－１２のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。
［付記１－１４］
　前記半導体チップ（４，１５）に形成され、前記第１導電層（２５）に電気的に接続された集積回路素子（１６）を含む、付記１－１～付記１－１３のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、前述のように第１導電層の第１直線部の第１側部の応力を低減することができるので、有機系絶縁層の絶縁信頼性が高い集積回路を含む半導体装置を提供することができる。
［付記２－１］
　半導体チップ（４，１５）と、
　前記半導体チップ（４，１５）上に形成され、前記半導体チップ（４，１５）の主面（１１）に沿って延びる第１配線層（２５）と、
　前記半導体チップ（４，１５）上に形成され、前記第１配線層（２５）を被覆する有機系絶縁層（５５）とを含み、
　前記第１配線層（２５）は、平面視において前記第１配線層（２５）の延出方向に沿って形成されたジグザグ形状（４７）を含む第１側部（４１）を有している、半導体装置（１）。

　たとえば、第１配線層の第１側部が一直線である場合、周囲温度が変動すると、第１配線層と有機系絶縁層との間の熱膨張係数の違いに起因して、第１配線層の第１側部には高い応力が発生する場合がある。温度変化に伴う膨張、収縮の際に、この応力によって有機系絶縁層に外力が加わると、有機系絶縁層に歪が生じて有機系絶縁層の機械的特性が低下するかもしれない。そこで、この実施形態に係る半導体装置であれば、第１配線層の第１側部がジグザグ形状を含むため、第１配線層の第１側部に発生する応力を分散させることができる。これにより、第１配線層の第１側部の応力を全体として低減することができる。その結果、温度変化に伴う膨張、収縮の際に、有機系絶縁層に発生する歪を抑制することができる。
［付記２－２］
　前記ジグザグ形状（４７）の頂部は、平面視において第１曲率半径を（Ｒ_２）有する第１円弧（５３）で形成されている、付記２－１に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、ジグザグ形状の頂部が湾曲しているので、当該頂部に応力が集中することを防止することができる。
［付記２－３］
　前記第１配線層（２５）の前記第１側部（４１）は、前記第１配線層（２５）の延出方向に沿って延びる一対のジグザグ形状（４７Ａ，４７Ｂ）によって形成されている、付記２－２に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、第１配線層の一対の第１側部のそれぞれにおいて応力を分散させることができる。
［付記２－４］
　前記第１配線層（２５）の延出方向に交差する方向において、一方の前記ジグザグ形状（４７Ａ）の凸部（４４，４８）が他方の前記ジグザグ形状（４７Ｂ）の凹部（４５，４９）に対向しており、他方の前記ジグザグ形状（４７Ｂ）の凸部（４４，４８）が一方の前記ジグザグ形状（４７Ａ）の凹部（４５，４９）に対向している、付記２－３に記載の半導体装置（１）。

　この構成よれば、第１配線層の長手方向に沿って、凸部（凹部）が一方側の第１側部および他方側の第１側部に交互に形成されている。たとえば凸部および凹部のうち、少なくとも一方（たとえば、凸部）における応力が他方（たとえば、凹部）よりも低減される場合を考える。この場合、第１配線層における応力緩和部位が、第１配線層の長手方向に沿って断続的に表れるのではなく、一方側の第１側部および他方側の第１側部に交互に連続して表れる。そのため、第１配線層における応力緩和部位の偏りを減らすことができる。
［付記２－５］
　前記第１配線層（２５）は、先端部（３９）を含む第１直線部（３６）と、コーナ部（３８）を介して前記第１直線部（３６）に対して接続された第２直線部（３７）とを含み、
　前記ジグザグ形状（４７）は、前記第１直線部（３６）および前記第２直線部（３７）のうち前記第１直線部（３６）に選択的に形成されている、付記２－２～付記２－４のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、周囲温度の変動によって応力が発生しやすい先端部を含む第１直線部にジグザグ形状が形成されているので、第１配線層において応力を効果的に分散させることができる。
［付記２－６］
　前記第１配線層（２５）の前記先端部は、平面視において前記第１曲率半径（Ｒ_２）よりも大きい第２曲率半径（Ｒ_１）を有する第２円弧（５１）で形成されている、付記２－５に記載の半導体装置（１）。
［付記２－７］
　前記第１配線層（２５）は、断面視において、第１ベース層（２６）と、前記第１ベース層（２６）の端面（２９）よりも側方に突出するように前記第１ベース層（２６）に積層された第１被覆層（２７）とを含み、
　前記ジグザグ形状（４７）を含む前記第１側部（４１）は、前記第１被覆層（２７）に選択的に形成されている、付記２－１～付記２－６のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、ジグザグ形状を含む第１側部が第１被覆層に選択的に形成されており、第１ベース層に形成されていなくてもよい。そのため、ジグザグ形状の形成工程の工程数を少なくすることができる。
［付記２－８］
　前記有機系絶縁層（５５）は、前記第１配線層（２５）をパッド（１４）として露出させるパッド開口（５６）を有している、付記２－１～付記２－７のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、パッド開口を介して、第１配線層に対してボンディングワイヤなどの接合部材を接続することができる。
［付記２－９］
　前記有機系絶縁層（５５）内において、前記第１配線層（２５）に接続された第２配線層（５９）をさらに含む、付記２－１～付記２－７のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、前述の応力分散構造によって、第２配線層の周囲の有機系絶縁層の機械的特性の低下が抑制されている。そのため、第１配線層と第２配線層との接続信頼性を向上することができる。
［付記２－１０］
　前記第２配線層（５９）は、平面視において前記第２配線層（５９）の延出方向に沿って形成された第２ジグザグ形状（８０）を含む第２側部（７５）を有している、付記２－９に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、第２配線層の第２側部が第２ジグザグ形状を含むため、第２配線層の第２側部に発生する応力を分散させることができる。これにより、第２配線層の第２側部の応力を全体として低減することができる。その結果、温度変化に伴う膨張、収縮の際に、有機系絶縁層に発生する歪を抑制することができる。
［付記２－１１］
　前記第２配線層（５９）は、断面視において、第２ベース層（６０）と、前記第２ベース層（６０）の端面（６３）よりも側方に突出するように前記第２ベース層（６０）に積層された第２被覆層（６１）とを含み、
　前記第２ジグザグ形状（８０）を含む前記第２側部（７５）は、前記第２被覆層（６１）に選択的に形成されている、付記２－１０に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、第２ジグザグ形状を含む第２側部が第２被覆層に選択的に形成されており、第２ベース層に形成されていなくてもよい。そのため、第２ジグザグ形状の形成工程の工程数を少なくすることができる。
［付記２－１２］
　前記第１配線層（２５）と前記半導体チップ（４，１５）との間に形成され、少なくとも第１無機系絶縁層（１８，５７）および前記第１無機系絶縁層（１８，５７）上に積層された第２無機系絶縁層（１９，５８）を含む絶縁層積層構造（１７）を含む、付記２－１～付記２－１１のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。
［付記２－１３］
　前記半導体チップ（４，１５）に形成され、前記第１配線層（２５）に電気的に接続された集積回路素子（１６）を含む、付記２－１～付記２－１２のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、前述のように第１配線層の第１側部の応力を低減することができるので、有機系絶縁層の絶縁信頼性が高い集積回路を含む半導体装置を提供することができる。
［付記３－１］
　半導体基板（４，１５）と、
　前記半導体基板（４，１５）上に形成され、前記半導体基板（４，１５）の主面（１１）に沿って延びる第１直線部（３６）を有し、第１熱膨張係数を有する第１導電部材（２５）と、
　前記半導体基板（４，１５）上に形成され、前記第１導電部材（２５）を被覆し、前記第１熱膨張係数よりも高い第２熱膨張係数を有する樹脂層（５５）とを含み、
　前記第１直線部（３６）は、平面視において、前記第１直線部（３６）の長手方向に交差する方向の一方側および他方側に交互に曲がる曲線（４７）で形成された第１側縁部（４６）を含む、半導体装置（１）。

　たとえば、第１直線部の第１側縁部が一直線である場合、周囲温度が変動すると、樹脂層が第１導電部材よりも膨張するので、当該熱膨張係数の違いに起因して、第１直線部の第１側部には高い応力が発生する場合がある。温度変化に伴う膨張、収縮の際に、この応力によって樹脂層に外力が加わると、樹脂層に歪が生じて樹脂層の機械的特性が低下するかもしれない。そこで、この実施形態に係る半導体装置であれば、第１側縁部が曲線で形成されているため、第１直線部の第１側部に発生する応力を分散させることができる。これにより、第１導電部材の第１直線部の第１側部の応力を全体として低減することができる。その結果、温度変化に伴う膨張、収縮の際に、樹脂層に発生する歪を抑制することができる。
［付記３－２］
　前記第１直線部（３６）は、接合部材が接続され得るベース部（４０）と、前記ベース部（４０）から前記第１直線部（３６）の長手方向に交差する方向に突出する凸部（４４，４８）および前記凸部（４４，４８）に対して窪んだ凹部（４５，４９）を含む第１側部（４１）とを含み、
　前記第１側縁部（４６）は、平面視において、前記凸部（４４，４８）および前記凹部（４５，４９）を前記第１直線部（３６）の長手方向に沿って連続して繋ぐ曲線（４７）によって形成されている、付記３－１に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、凸部および凹部を含む第１側部に発生する応力が分散されるので、第１直線部のベース部に接合部材を接続する際に第１直線部にさらに応力が加わっても、樹脂層の機械的特性が低下することを抑制することができる。また、第１導電部材が全体的に蛇行してＳ字形になっているのではなく、第１直線部の第１側部に選択的に凸部および凹部を形成することによって応力分散構造が構成されている。そのため、この実施形態に係る第１導電部材のための設置スペースを広くする必要がないので、半導体装置の大型化を抑制することができる。
［付記３－３］
　前記ベース部（４０）は、第１幅（Ｗ_２）を有する帯状に形成されており、
　前記ベース部（４０）の前記第１幅（Ｗ_２）は、前記ベース部（４０）からの前記凸部（４４，４８）の突出量（Ｐ_１）の１０倍以上である、付記３－２に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、たとえば既存の第１導電部材（たとえば、配線、電極など）の幅に対して１／１０程度の突出量の凸部を形成することによって、第１導電部材における応力分散の効果を達成することができる。逆に言えば、凸部および凹部によって応力分散構造を形成しても、ベース部の第１幅を比較的広く維持することができる。その結果、ベース部に接合され得る接合部材の選択肢（接合部材の形状、太さなど）を多く残すことができる。
［付記３－４］
　前記第１導電部材（２５）は、前記第１直線部（３６）の一部を含む先端部（３９）と、コーナ部（３８）を介して前記第１直線部（３６）に対して接続された第２直線部（３７）とを含み、
　前記第１側縁部（４６）は、前記第１直線部（３６）および前記第２直線部（３７）のうち前記第１直線部（３６）に選択的に形成されている、付記３－１～付記３－３のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、周囲温度の変動によって応力が発生しやすい先端部を含む第１直線部に曲線状の第１側縁部が形成されているので、第１導電部材において応力を効果的に分散させることができる。
［付記３－５］
　前記第１導電部材（２５）の前記先端部（３９）は、平面視において第１曲率半径（Ｒ_１）を有する第１円弧（５１）で形成された第１側面（５２）を有し、
　前記第１導電部材（２５）の前記第１側縁部（４６）は、平面視において前記第１曲率半径（Ｒ_１）よりも小さい第２曲率半径（Ｒ_２）を有する第２円弧（５３）で形成された第２側面（５４）を有している、付記３－４に記載の半導体装置。
［付記３－６］
　前記第１導電部材（２５）は、断面視において、第１ベース層（２６）と、前記第１ベース層（２６）の端面（２９）よりも側方に突出するように前記第１ベース層（２６）に積層された第１被覆層（２７）とを含み、
　前記第１側縁部（４６）は、前記第１被覆層（２７）に選択的に形成されている、付記３－１～付記３－５のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、曲線状の第１側縁部が第１被覆層に選択的に形成されており、第１ベース層に形成されていなくてもよい。そのため、第１側縁部の形成工程の工程数を少なくすることができる。
［付記３－７］
　前記樹脂層（５５）は、前記第１直線部（３６）の前記ベース部（４０）をパッド（１４）として露出させるパッド開口（５６）を有している、付記３－２に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、パッド開口を介して、第１直線部のベース部に対してボンディングワイヤなどの接合部材を接続することができる。
［付記３－８］
　前記樹脂層（５５）内において、前記第１直線部（３６）の前記ベース部（４０）に接続された第２導電部材（５９）をさらに含む、付記３－２に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、前述の応力分散構造によって、第２導電部材の周囲の樹脂層の機械的特性の低下が抑制されている。そのため、第１導電部材（第１直線部）と第２導電部材との接続信頼性を向上することができる。
［付記３－９］
　前記第２導電部材（５９）は、前記半導体基板（４，１５）の主面（１１）に沿って延びる第３直線部（７２）を有し、
　前記第３直線部（７２）は、平面視において、前記第３直線部（７２）の長手方向に交差する方向の一方側および他方側に交互に曲がる曲線（８０）で形成された第２側縁部（７９）を含む、付記３－８に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、第２側縁部が曲線で形成されているため、第３直線部の第２側部に発生する応力を分散させることができる。これにより、第２導電部材の第３直線部の第２側部の応力を全体として低減することができる。その結果、温度変化に伴う膨張、収縮の際に、樹脂層に発生する歪を抑制することができる。
［付記３－１０］
　前記第２導電部材（５９）は、断面視において、第２ベース層（６０）と、前記第２ベース層（６０）の端面（６３）よりも側方に突出するように前記第２ベース層（６０）に積層された第２被覆層（６１）とを含み、
　前記第２側縁部（７９）は、前記第２被覆層（６１）に選択的に形成されている、付記３－８または付記３－９に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、曲線状の第２側縁部が第２被覆層に選択的に形成されており、第２ベース層に形成されていなくてもよい。そのため、第２側縁部の形成工程の工程数を少なくすることができる。
［付記３－１１］
　前記第１導電部材（２５）と前記半導体基板（４，１５）との間に形成され、少なくとも第１無機系絶縁層（１８，５７）および前記第１無機系絶縁層（１８，５７）上に積層された第２無機系絶縁層（１９，５８）を含む絶縁層積層構造（１７）を含む、付記３－１～付記３－１０のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。
［付記３－１２］
　前記半導体基板（４，１５）に形成され、前記第１導電部材（２５）に電気的に接続された集積回路素子（１６）を含む、付記３－１～付記３－１１のいずれか一項に記載の半導体装置（１）。

　この構成によれば、前述のように第１導電部材の第１直線部の第１側部の応力を低減することができるので、樹脂層の絶縁信頼性が高い集積回路を含む半導体装置を提供することができる。

　本出願は、２０２１年３月１７日に日本国特許庁に提出された特願２０２１－４３６３３号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。

１　　　：半導体装置
２　　　：封止樹脂
３　　　：ダイパッド
４　　　：半導体チップ
５　　　：導電接合材
６　　　：リード端子
７　　　：導線
８　　　：第１主面
９　　　：第２主面
１０Ａ　：第１側面
１０Ｂ　：第２側面
１０Ｃ　：第３側面
１０Ｄ　：第４側面
１１　　：第１主面
１２　　：第２主面
１３　　：素子領域
１３Ａ　：ダイオード領域
１３Ｂ　：トランジスタ領域
１３Ｃ　：抵抗素子領域
１４　　：パッド
１５　　：半導体基板
１６　　：機能素子
１７　　：絶縁層積層構造
１８　　：第１絶縁層
１９　　：第２絶縁層
２０　　：第３絶縁層
２１　　：第４絶縁層
２２　　：第５絶縁層
２３　　：配線
２４　　：ビア
２５　　：第１導電部材
２６　　：第１ベース層
２７　　：第１被覆層
２８　　：第１被覆部
２９　　：端面
３０　　：第１突出部
３１　　：端面
３２　　：第１段差
３３　　：上面
３４　　：第１層
３５　　：第２層
３６　　：第１直線部
３７　　：第２直線部
３８　　：コーナ部
３９　　：先端部
４０　　：第１ベース部
４１　　：第１側部
４２　　：第１境界部
４３　　：第１境界部
４４　　：第１凸部
４５　　：第１凹部
４６　　：第１側縁部
４７　　：正弦曲線
４７Ａ　：正弦曲線
４７Ｂ　：正弦曲線
４８　　：第１湾曲凸部
４９　　：第１湾曲凹部
５０　　：第１基準線
５１　　：第１円弧
５２　　：第１側面
５３　　：第２円弧
５４　　：第２側面
５５　　：保護層
５６　　：パッド開口
５７　　：第１絶縁層
５８　　：第２絶縁層
５９　　：第２導電部材
６０　　：第２ベース層
６１　　：第２被覆層
６２　　：第２被覆部
６３　　：端面
６４　　：第２突出部
６５　　：端面
６６　　：第２段差
６７　　：上面
６８　　：第１層
６９　　：第２層
７０　　：接続部
７１　　：屈曲部
７２　　：第３直線部
７３　　：先端部
７４　　：第２ベース部
７５　　：第２側部
７６　　：第２境界部
７７　　：第２凸部
７８　　：第２凹部
７９　　：第２側縁部
８０　　：正弦曲線
８０Ａ　：正弦曲線
８０Ｂ　：正弦曲線
８１　　：第２湾曲凸部
８２　　：第２湾曲凹部
８３　　：第２基準線
８４　　：第３円弧
８５　　：第３側面
８６　　：第４円弧
８７　　：第４側面
８８　　：側縁部
８９　　：配線
９０　　：側縁部
９１　　：配線
Ａ_１　　：振幅
Ａ_２　　：振幅
Ｐ_１　　：突出量
Ｐ_２　　：突出量
Ｒ_１　　：第１曲率半径
Ｒ_２　　：第２曲率半径
Ｒ_３　　：第３曲率半径
Ｒ_４　　：第４曲率半径
Ｗ_１　　：幅
Ｗ_２　　：第１幅
Ｗ_３　　：幅
Ｗ_４　　：第２幅
Ｘ_１　　：第１方向
Ｘ_２　　：第３方向
Ｙ_１　　：第２方向
Ｙ_２　　：第４方向

Claims

　半導体基板と、
　前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板の主面に沿って延びる第１直線部を有する第１導電部材と、
　前記半導体基板上に形成され、前記第１導電部材を被覆する有機系絶縁層とを含み、
　前記第１直線部は、平面視において、前記第１直線部の長手方向に交差する方向の一方側および他方側に交互に曲がる曲線で形成された第１側縁部を含む、半導体装置。
　前記第１直線部は、接合部材が接続され得るベース部と、前記ベース部から前記第１直線部の長手方向に交差する方向に突出する凸部および前記凸部に対して窪んだ凹部を含む第１側部とを含み、
　前記第１側縁部は、平面視において、前記凸部および前記凹部を前記第１直線部の長手方向に沿って連続して繋ぐ曲線によって形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
　前記ベース部は、第１幅を有する帯状に形成されており、
　前記ベース部の前記第１幅は、前記ベース部からの前記凸部の突出量の１０倍以上である、請求項２に記載の半導体装置。
　前記第１導電部材は、前記第１直線部の一部を含む先端部と、コーナ部を介して前記第１直線部に対して接続された第２直線部とを含み、
　前記第１側縁部は、前記第１直線部および前記第２直線部のうち前記第１直線部に選択的に形成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記第１導電部材の前記先端部は、平面視において第１曲率半径を有する第１円弧で形成された第１側面を有し、
　前記第１導電部材の前記第１側縁部は、平面視において前記第１曲率半径よりも小さい第２曲率半径を有する第２円弧で形成された第２側面を有している、請求項４に記載の半導体装置。
　前記第１導電部材は、断面視において、第１ベース層と、前記第１ベース層の端面よりも側方に突出するように前記第１ベース層に積層された第１被覆層とを含み、
　前記第１側縁部は、前記第１被覆層に選択的に形成されている、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記有機系絶縁層は、前記第１直線部の前記ベース部をパッドとして露出させるパッド開口を有している、請求項２に記載の半導体装置。
　前記有機系絶縁層内において、前記第１直線部の前記ベース部に接続された第２導電部材をさらに含む、請求項２に記載の半導体装置。
　前記第２導電部材は、前記半導体基板の主面に沿って延びる第３直線部を有し、
　前記第３直線部は、平面視において、前記第３直線部の長手方向に交差する方向の一方側および他方側に交互に曲がる曲線で形成された第２側縁部を含む、請求項８に記載の半導体装置。
　前記第２導電部材は、断面視において、第２ベース層と、前記第２ベース層の端面よりも側方に突出するように前記第２ベース層に積層された第２被覆層とを含み、
　前記第２側縁部は、前記第２被覆層に選択的に形成されている、請求項８または９に記載の半導体装置。
　前記第１導電部材と前記半導体基板との間に形成され、少なくとも第１無機系絶縁層および前記第１無機系絶縁層上に積層された第２無機系絶縁層を含む絶縁層積層構造を含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記半導体基板に形成され、前記第１導電部材に電気的に接続された集積回路素子を含む、請求項１～１１のいずれか一項に記載の半導体装置。