WO2022186254A1 - リソグラフィー用膜形成材料、組成物、リソグラフィー用下層膜、及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
芳香環に結合したアミノ基を有する化合物を含有するリソグラフィー用膜形成材料。
前記芳香環に結合したアミノ基を有する化合物が、下記式(1A)及び/又は式(1B)で表される化合物である、上記〔1〕に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
(式(1A)中、
Xは、それぞれ独立に、単結合、-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-CO-、-C(CF3)2-、-CONH-、又は-COO-であり、
Aは、単結合、酸素原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~80の2価の炭化水素基であり(つまり、構造式から明確ではあるが、Aは1価の基でも3価以上の基でもない。)、また、これらのなかでは、単結合以外のものが好ましく、さらに、シクロアルカン構造を含まないものが好ましく、
R1は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~30の基であり、
m1は、それぞれ独立に、0~4の整数である。)
(式(1B)中、
R1’は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~30の基であり、ここで、R1’のうちの少なくとも1つは、ヒドロキシメチル基、ハロオキシメチル基、又はメトキシメチル基であり、
m1’は、1~5の整数である。)
前記芳香環に結合したアミノ基を有する化合物が、前記式(1A)及び/又は前記式(1B)の重合物である、上記〔1〕に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
Aが、単結合、酸素原子、又は以下の構造のいずれかであり、また、これらのなかでは、単結合以外のものが好ましく、さらに、シクロアルカン構造を含まないものが好ましく、
Xが、それぞれ独立に、単結合、-O-、-C(CH3)2-、-CO-、又は-COO-であり、
Aが、単結合、酸素原子、又は以下の構造であり、また、これらのなかでは、単結合以外のものが好ましく、さらに、シクロアルカン構造を含まないものが好ましく、
前記芳香環に結合したアミノ基を有する化合物が、下記式(2)、式(3)、及び式(4)で表される化合物から選ばれる少なくとも一つである、上記〔1〕に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
(式(2)中、
R2は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~10の基であり、
m2は、それぞれ独立に、0~3の整数であり、
m2’は、それぞれ独立に、0~4の整数であり、
nは、1~4の整数である。)
(式(3)中、
R3及びR4は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~10の基であり、
m3は、それぞれ独立に、0~4の整数であり、
m4は、それぞれ独立に0~4の整数であり、
nは、0~4の整数である。)
ヘテロ原子が、酸素、フッ素、及びケイ素からなる群より選ばれる、上記〔2〕~〔5〕のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
架橋剤をさらに含有する、上記〔1〕~〔7〕のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
架橋促進剤をさらに含有する、上記〔1〕~〔8〕のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
ラジカル重合開始剤をさらに含有する、上記〔1〕~〔9〕のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
上記〔1〕~〔10〕のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料と溶媒とを含有する、リソグラフィー用膜形成用組成物。
酸発生剤をさらに含有する、上記〔11〕に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
塩基発生剤をさらに含有する、上記〔11〕又は〔12〕に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
リソグラフィー用膜がリソグラフィー用下層膜である、上記〔11〕~〔13〕のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
上記〔14〕に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて形成される、リソグラフィー用下層膜。
基板上に、上記〔14〕に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて下層膜を形成する工程、
該下層膜上に、少なくとも1層のフォトレジスト層を形成する工程、及び
該フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像を行う工程、
を含む、パターン形成方法。
基板上に、上記〔14〕に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて下層膜を形成する工程、
該下層膜上に、ケイ素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いて中間層膜を形成する工程、
該中間層膜上に、少なくとも1層のフォトレジスト層を形成する工程、
該フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像してレジストパターンを形成する工程、
該レジストパターンをマスクとして前記中間層膜をエッチングして中間層膜パターンを得る工程、
該中間層膜パターンをエッチングマスクとして前記下層膜をエッチングして下層膜パターンを得る工程、及び
該下層膜パターンをエッチングマスクとして基板をエッチングして基板にパターンを形成する工程、
を含む、パターン形成方法。
本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料は、アニリン系化合物に加え、硬化温度の低下やインターミキシングを抑制する等の観点から、必要に応じて架橋剤を含有していてもよい。
本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料には、必要に応じて架橋、硬化反応を促進させるためのラジカル重合開始剤を配合することができる。ラジカル重合開始剤としては、光によりラジカル重合を開始させる光重合開始剤であってもよいし、熱によりラジカル重合を開始させる熱重合開始剤であってもよい。このようなラジカル重合開始剤としては、例えば、国際公開第2018/016614号に記載のものが挙げられる。本実施形態におけるラジカル重合開始剤としては、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記リソグラフィー用膜形成材料は、イオン交換水で洗浄して精製することが可能である。精製方法は、リソグラフィー用膜形成材料を水と任意に混和しない有機溶媒に溶解させて有機相を得て、その有機相をイオン交換水と接触させ抽出処理を行うことにより、リソグラフィー用膜形成材料と有機溶媒とを含む有機相に含まれる金属分を水相に移行させたのち、有機相と水相とを分離する工程を含む。該精製により本発明のリソグラフィー用膜形成材料の種々の金属の含有量を低減させることができる。
本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物は、前記リソグラフィー用膜形成材料と溶媒とを含有する。リソグラフィー用膜は、例えば、リソグラフィー用下層膜である。
本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物に用いる溶媒としては、本実施形態のアニリン系化合物が少なくとも溶解するものであれば、特に限定されず、公知のものを適宜用いることができる。溶媒の具体例としては、例えば、国際公開第2013/024779号に記載のものが挙げられる。これらの溶媒は、1種を単独で、或いは2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの溶媒の中では、安全性の点から、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ヒドロキシイソ酪酸メチル、アニソールが特に好ましい。
本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物は、架橋反応をさらに促進させる等の観点から、必要に応じて酸発生剤を含有していてもよい。酸発生剤としては、熱分解によって酸を発生するもの、光照射によって酸を発生するもの等が知られているが、いずれのものも使用することができる。
さらに、本実施形態のリソグラフィー用下層膜形成用組成物は、保存安定性を向上させる等の観点から、塩基性化合物を含有していてもよい。塩基性化合物は、酸発生剤より微量に発生した酸が架橋反応を進行させるのを防ぐための、酸に対するクエンチャーの役割を果たす。このような塩基性化合物としては、特に限定されないが、例えば、国際公開第2013/024779号に記載されている、第一級、第二級又は第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体又はイミド誘導体等が挙げられる。
本実施形態のリソグラフィー用下層膜は、本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて形成される。
ジムロート冷却管、温度計、及び攪拌翼を備えた、底抜きが可能な内容積10Lの四つ口フラスコを準備した。この四つ口フラスコに、窒素気流中、1,5-ジメチルナフタレン1.09kg(7mol、三菱ガス化学(株)製)、40質量%ホルマリン水溶液2.1kg(ホルムアルデヒドとして28mol、三菱ガス化学(株)製)、及び98質量%硫酸(関東化学(株)製)0.97mlを仕込み、常圧下、100℃で還流させながら7時間反応させた。その後、希釈溶媒としてエチルベンゼン(和光純薬工業(株)製、試薬特級)1.8kgを反応液に加え、静置後、下相の水相を除去した。さらに、中和及び水洗を行い、エチルベンゼン及び未反応の1,5-ジメチルナフタレンを減圧下で留去することにより、淡褐色固体のジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂1.25kgを得た。得られたジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂の分子量は、数平均分子量(Mn):562、重量平均分子量(Mw):1168、分散度(Mw/Mn):2.08であった。
装置:Shodex GPC-101型(昭和電工(株)製)
カラム:KF-80M×3
溶離液:THF 1mL/min
温度:40℃
1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼン(製品名:ビスアニリンP、三井化学ファイン(株)製、下記BAP)5質量部に対し、溶媒としてPGMEAを95質量部加え、室温下、スターラーで少なくとも3時間以上攪拌させることにより、リソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼンの代わりに、3,3’-(1,3-フェニレンビス)オキシジアニリン(製品名:APB-N、三井化学ファイン(株)製、下記APB-N)を用いて、実施例1と同様にしてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼンの代わりに、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン(製品名:HFBAPP、和歌山精化工業(株)製、下記HFBAPP)を用いて、実施例1と同様にしてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼンの代わりに、特開2001-26571号公報の合成例6を追試することで得られたジアミノジフェニルメタンオリゴマー(下記PAN)を用いて、実施例1と同様にしてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼンの代わりに、ビフェニルアラルキル型ポリアニリン樹脂(製品名:BAN、日本化薬(株)製、下記BAN)を用いて、実施例1と同様にしてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼン(上記BAP)5質量部に対し、溶媒としてPGMEAを95質量部加え、また、架橋剤として、下記式で表されるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(製品名:NC-3000-L、日本化薬(株)製、下記NC-3000-L)2質量部を使用し、架橋促進剤として架橋促進剤として2,4,5-トリフェニルイミダゾール(TPIZ)を0.1質量部配合し、室温下、スターラーで少なくとも3時間以上攪拌させることにより、リソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。なお、下記式中、nは1~4の整数である。
1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼンの代わりに、3,3’-(1,3-フェニレンビス)オキシジアニリン(上記APB-N)を用いて、実施例6と同様にしてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼンの代わりに、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン(上記HFBAPP)を用いて、実施例6と同様にしてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼンの代わりに、特開2001-26571号公報の合成例6を追試することで得られたジアミノジフェニルメタンオリゴマー(上記PAN)を用いて、実施例6と同様にしてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼンの代わりに、ビフェニルアラルキル型ポリアニリン樹脂(上記BAN)を用いて、実施例6と同様にしてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
架橋剤として、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(製品名:NC-3000-L、日本化薬(株)製、上記NC-3000-L)1質量部を使用したこと以外は実施例10と同様にしてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
架橋剤として、下記式で表されるベンゾオキサジン(BF-BXZ)を用いたこと以外は実施例6と同様にしてリソグラフィー用膜形成組成物を調製した。
1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼンの代わりに、特開2001-26571号公報の合成例6を追試することで得られたジアミノジフェニルメタンオリゴマー(上記PAN)を用いて、実施例11と同様にしてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼンの代わりに、製造例1で得られたCR-1を用いて、実施例1と同様にしてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼンの代わりに、製造例1で得られたCR-1を用いて、実施例6と同様にしてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
50mlのスクリュー瓶に、実施例1~13並びに比較例1及び2のリソグラフィー用膜形成用組成物とプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を仕込み、23℃にてマグネチックスターラーで1時間撹拌後に、それらのリソグラフィー用膜形成用組成物のPGMEAに対する溶解量を測定し、下記に示す評価基準にて溶媒溶解性を評価した。実用的観点からは、下記S、A又はB評価が好ましい。S、A又はB評価であれば、溶液状態で高い保存安定性を有し、半導体微細加工プロセスで広く用いられるエッジビートリンス液(PGME/PGMEA混合液)にも十分に適用が可能である。
S:15質量%以上35質量%未満
A:5質量%以上15質量%未満
B:5質量%未満
表1に示す組成を有する実施例1~13並びに比較例1及び2のリソグラフィー用膜形成用組成物をシリコン基板上に回転塗布し、その後、150℃で60秒間ベークして、塗布膜の膜厚を測定した。その後、該シリコン基板をPGMEA70%/PGME30%の混合溶媒に60秒間浸漬し、エアロダスターで付着溶媒を除去後、110℃で溶媒乾燥を行った。浸漬前後の膜厚差から膜厚減少率(%)を算出して、下記に示す評価基準にて各下層膜の硬化性を評価した。
S:溶媒浸漬前後の膜厚減少率≦1%
A:1%<溶媒浸漬前後の膜厚減少率≦5%
B:溶媒浸漬前後の膜厚減少率>5%
表1に示す組成を有する実施例1~13並びに比較例1及び2のリソグラフィー用膜形成用組成物をシリコン基板上に回転塗布し、その後、150℃で60秒間ベークして、膜の状態、及び膜上の0.5μm以上の欠陥を目視にて評価した。
S:1cm2当たりの欠陥が5個未満
A:1cm2当たりの欠陥が5個以上
B:膜を形成できない。
150℃で硬化ベーク後の下層膜をさらに240℃で120秒間ベークし、ベーク前後の膜厚差から膜厚減少率(%)を算出して、下記に示す評価基準にて各下層膜の膜耐熱性を評価した。
S:400℃ベーク前後の膜厚減少率≦10%
A:10%<400℃ベーク前後の膜厚減少率≦15%
B:15%<400℃ベーク前後の膜厚減少率≦20%
C:400℃ベーク前後の膜厚減少率>20%
まず、実施例1におけるリソグラフィー用膜形成用組成物に代えてノボラック(群栄化学社製PSM4357)を用い、乾燥温度を110℃にすること以外は、実施例1と同様の条件で、ノボラックの下層膜を作製した。そして、このノボラックの下層膜を対象として、下記に示すエッチング試験を行い、そのときのエッチングレートを測定した。次に、実施例1~13並びに比較例1及び2のリソグラフィー用膜形成用組成物から得られた下層膜を対象として、前記エッチング試験を同様に行い、そのときのエッチングレートを測定した。そして、ノボラックの下層膜のエッチングレートを基準として、下記に示す評価基準にて各下層膜のエッチング耐性を評価した。実用的観点からは、下記S評価が特に好ましく、A評価及びB評価が好ましい。
エッチング装置:サムコインターナショナル社製 RIE-10NR
出力:50W
圧力:4Pa
時間:2min
エッチングガス
CF4ガス流量:O2ガス流量=5:15(sccm)
S:ノボラックの下層膜に比べてエッチングレートが、-30%未満
A:ノボラックの下層膜に比べてエッチングレートが、-30%以上~-20%未満
B:ノボラックの下層膜に比べてエッチングレートが、-20%以上~-10%未満
C:ノボラックの下層膜に比べてエッチングレートが、-10%以上0%以下
実施例1~13並びに比較例1及び2のリソグラフィー用下層膜形成用組成物を膜厚80nmの60nmラインアンドスペースのSiO2基板上に塗布して、240℃で60秒間ベークすることにより90nm下層膜を形成した。得られた膜の断面を切り出し、電子線顕微鏡にて観察し、下記に示す評価基準にて段差基板への埋込性を評価した。
A:60nmラインアンドスペースのSiO2基板の凹凸部分に欠陥無く下層膜が埋め込まれている。
C:60nmラインアンドスペースのSiO2基板の凹凸部分に欠陥があり下層膜が埋め込まれていない。
幅100nm、ピッチ150nm、深さ150nmのトレンチ(アスペクト比:1.5)及び幅5μm、深さ180nmのトレンチ(オープンスペース)が混在するSiO2段差基板上に、実施例1~10並びに比較例1及び2のリソグラフィー用下層膜形成用組成物をそれぞれ塗布した。その後、大気雰囲気下にて、240℃で120秒間焼成して、膜厚200nmのレジスト下層膜を形成した。このレジスト下層膜の形状を走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社の「S-4800」)にて観察し、トレンチ又はスペース上におけるレジスト下層膜の膜厚の最大値と最小値の差(ΔFT)を測定し、下記に示す評価基準にて膜の平坦性を評価した。
S:ΔFT<10nm(平坦性最良)
A:10nm≦ΔFT<20nm(平坦性良好)
B:20nm≦ΔFT<40nm(平坦性やや良好)
C:40nm≦ΔFT(平坦性不良)
実施例1のリソグラフィー用膜形成用組成物を膜厚300nmのSiO2基板上に塗布して、150℃で60秒間、さらに240℃で120秒間ベークすることにより、膜厚70nmの下層膜を形成した。この下層膜上に、ArF用レジスト溶液を塗布し、130℃で60秒間ベークすることにより、膜厚140nmのフォトレジスト層を形成した。ArF用レジスト溶液としては、下記式(R)の化合物:5質量部、トリフェニルスルホニウムノナフルオロメタンスルホナート:1質量部、トリブチルアミン:2質量部、及びPGMEA:92質量部を配合して調製したものを用いた。
前記実施例1におけるリソグラフィー用下層膜形成用組成物の代わりに実施例2におけるリソグラフィー用下層膜形成用組成物を用いること以外は、実施例14と同様にして、ポジ型のレジストパターンを得た。
前記実施例1におけるリソグラフィー用下層膜形成用組成物の代わりに実施例3におけるリソグラフィー用下層膜形成用組成物を用いること以外は、実施例14と同様にして、ポジ型のレジストパターンを得た。
前記実施例1におけるリソグラフィー用下層膜形成用組成物の代わりに実施例4におけるリソグラフィー用下層膜形成用組成物を用いること以外は、実施例14と同様にして、ポジ型のレジストパターンを得た。
前記実施例1におけるリソグラフィー用下層膜形成用組成物の代わりに実施例5におけるリソグラフィー用下層膜形成用組成物を用いること以外は、実施例14と同様にして、ポジ型のレジストパターンを得た。
実施例1のリソグラフィー用下層膜形成用組成物を用いた下層膜を形成しなかったこと以外は、実施例14と同様にして、ポジ型のレジストパターンを得た。
実施例14~18及び比較例3で得られたレジストパターンについて、下記に示すとおり、解像性及び感度を測定し、解像後のパターン形状を評価した。測定評価結果を表2にまとめて示す。表2から明らかなように、アニリン系化合物を含む実施例1~5のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いた実施例14~18は、比較例3と比較して、解像性及び感度ともに有意に優れていることが確認された。また、現像後のレジストパターン形状もパターン倒れがなく、矩形性が良好であることが確認された。さらに、現像後のレジストパターン形状の相違から、実施例1~5のリソグラフィー用膜形成用組成物から得られる実施例14~18の下層膜は、レジスト材料との密着性が良いことが示された。
Claims (17)
- 芳香環に結合したアミノ基を有する化合物を含有するリソグラフィー用膜形成材料。
- 前記芳香環に結合したアミノ基を有する化合物が、下記式(1A)及び/又は式(1B)で表される化合物である、請求項1に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
(式(1A)中、
Xは、それぞれ独立に、単結合、-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-CO-、-C(CF3)2-、-CONH-、又は-COO-であり、
Aは、単結合、酸素原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~80の2価の炭化水素基であり、
R1は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~30の基であり、
m1は、それぞれ独立に、0~4の整数である。)
式(1B)中、
R1’は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~30の基であり、ここで、R1’のうちの少なくとも1つは、ヒドロキシメチル基、ハロオキシメチル基、又はメトキシメチル基であり、
m1’は、1~5の整数である。) - 前記芳香環に結合したアミノ基を有する化合物が、前記式(1A)及び/又は前記式(1B)の重合物である、請求項1に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
- 前記芳香環に結合したアミノ基を有する化合物が、下記式(2)、式(3)、及び式(4)で表される化合物から選ばれる少なくとも一つである、請求項1に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
R2は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~10の基であり、
m2は、それぞれ独立に、0~3の整数であり、
m2’は、それぞれ独立に、0~4の整数であり、
nは、1~4の整数である。)
(式(3)中、
R3及びR4は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~10の基であり、
m3は、それぞれ独立に、0~4の整数であり、
m4は、それぞれ独立に0~4の整数であり、
nは、0~4の整数である。)
(式(4)中、
R5は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~10の基であり、
m5は、それぞれ独立に、1~4の整数であり、
nは、2~10の整数である。) - ヘテロ原子が、酸素、フッ素、及びケイ素からなる群より選ばれる、請求項2~5のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
- 架橋剤をさらに含有する、請求項1~7のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
- 架橋促進剤をさらに含有する、請求項1~8のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
- ラジカル重合開始剤をさらに含有する、請求項1~9のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
- 請求項1~10のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料と溶媒とを含有する、リソグラフィー用膜形成用組成物。
- 酸発生剤をさらに含有する、請求項11に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
- 塩基発生剤をさらに含有する、請求項11又は12に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
- リソグラフィー用膜がリソグラフィー用下層膜である、請求項11~13のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
- 請求項14に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて形成される、リソグラフィー用下層膜。
- 基板上に、請求項14に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて下層膜を形成する工程、
該下層膜上に、少なくとも1層のフォトレジスト層を形成する工程、及び
該フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像を行う工程、
を含む、パターン形成方法。 - 基板上に、請求項14に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて下層膜を形成する工程、
該下層膜上に、ケイ素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いて中間層膜を形成する工程、
該中間層膜上に、少なくとも1層のフォトレジスト層を形成する工程、
該フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像してレジストパターンを形成する工程、
該レジストパターンをマスクとして前記中間層膜をエッチングして中間層膜パターンを得る工程、
該中間層膜パターンをエッチングマスクとして前記下層膜をエッチングして下層膜パターンを得る工程、及び
該下層膜パターンをエッチングマスクとして基板をエッチングして基板にパターンを形成する工程、
を含む、パターン形成方法。
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NENP | Non-entry into the national phase |
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122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
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