JP7415310B2 - リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
式(0A)の基:
RAおよびRBは、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である)
を有する化合物および潜在型硬化促進剤を含むリソグラフィー用膜形成材料。
[1-1]
RAおよびRBの少なくとも一方が炭素数1~4のアルキル基である、[1]に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[2]
前記潜在型硬化促進剤の分解温度が600℃以下である、[1]又は[1-1]に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[3]
前記潜在型硬化促進剤が潜在型塩基発生剤である、[1]~[2]のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[3-1]
前記潜在型硬化促進剤がビグアニド構造を有する、[1]~[3]のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[4]
式(0A)の基を有する化合物が、2以上の式(0A)の基を有する、[1]~[3-1]のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[5]
式(0A)の基を有する化合物が、2つの式(0A)の基を有する化合物、又は式(0A)の基を有する化合物の付加重合樹脂である、[1]~[4]のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[6]
式(0A)の基を有する化合物が、式(1A0)で表される、[1]~[5]のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
RA及びRBは前記のとおりであり、
Zはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~100の2価の炭化水素基である)。
[7]
式(0A)の基を有する化合物が、式(1A)で表される、[1]~[6]のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
RA及びRBは前記のとおりであり、
Xは、それぞれ独立して、単結合、-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-CO-、-C(CF3)2-、-CONH-又は-COO-であり、
Aは、単結合、酸素原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~80の2価の炭化水素基であり、
R1は、それぞれ独立して、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~30の基であり、
m1は、それぞれ独立して、0~4の整数である)。
[8]
Aが、単結合、酸素原子、-(CH2)p-、-CH2C(CH3)2CH2-、-(C(CH3)2)p-、-(O(CH2)q)p-、-(О(C6H4))p-、又は以下の構造のいずれかであり、
pは0~20の整数であり、
qは0~4の整数である、
[7]に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[8-1]
Xが-O-であり、
Aが以下の構造であり、
[9]
式(0A)の基を有する化合物が、式(2A)で表される、[1]~[5]のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
RA及びRBは前記のとおりであり、
R2は、それぞれ独立して、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~10の基であり、
m2は、それぞれ独立して、0~3の整数であり、
m2’は、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
nは、0~4の整数である)。
[9-1]
nが1~4の整数である、[9]に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[10]
式(0A)の基を有する化合物が、式(3A)で表される、[1]~[5]のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
RA及びRBは前記のとおりであり、
R3及びR4は、それぞれ独立して、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~10の基であり、
m3は、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
m4は、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
nは、1~4の整数である)。
[10-1]
nが2~4の整数である、[10]に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[11]
前記潜在型硬化促進剤の含有割合が、式(0A)の基を有する化合物の合計質量を100質量部とした場合に、1~25質量部である、[1]~[10-1]に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[12]
架橋剤をさらに含有する、[1]~[11]のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[13]
前記架橋剤が、フェノール化合物、エポキシ化合物、シアネート化合物、アミノ化合物、ベンゾオキサジン化合物、メラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物、ウレア化合物、イソシアネート化合物及びアジド化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種である、[12]に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[14]
前記架橋剤が、少なくとも1つのアリル基を有する、[12]又は[13]に記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[15]
前記架橋剤の含有割合が、式(0A)の基を有する化合物の合計質量を100質量部とした場合に、0.1~100質量部である、[12]~[14]のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料。
[16]
[1]~[15]のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成材料と溶媒とを含有する、リソグラフィー用膜形成用組成物。
[17]
リソグラフィー用膜がリソグラフィー用下層膜である、[16]に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
[18]
[17]に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて形成される、リソグラフィー用下層膜。
[19]
リソグラフィー用膜がレジスト膜である、[16]に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
[20]
[19]に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて形成される、レジスト膜。
[21]
基板上に、[19]に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
該レジスト膜形成工程により形成したレジスト膜の所定の領域に放射線を照射し、現像を行う現像工程と、
を含む、レジストパターン形成方法。
[22]
絶縁膜パターンの形成方法である、[21]のレジストパターン形成方法。
[23]
基板上に、[17]に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて下層膜を形成する工程、
該下層膜上に、少なくとも1層のフォトレジスト層を形成する工程、及び
該フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像を行う工程、
を含む、レジストパターン形成方法。
[24]
基板上に、[17]に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて下層膜を形成する工程、
該下層膜上に、珪素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いて中間層膜を形成する工程、
該中間層膜上に、少なくとも1層のフォトレジスト層を形成する工程、
該フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像してレジストパターンを形成する工程、
該レジストパターンをマスクとして前記中間層膜をエッチングする工程、
得られた中間層膜パターンをエッチングマスクとして前記下層膜をエッチングする工程、及び
得られた下層膜パターンをエッチングマスクとして基板をエッチングすることで基板にパターンを形成する工程、
を含む、回路パターン形成方法。
<化合物>
本発明の一実施形態は、式(0A)の基:
RA及びRBは、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。)
を有する化合物及び潜在型の硬化促進剤を含む、リソグラフィー用膜形成材料に関する。RAおよびRBの少なくとも一方が炭素数1~4のアルキル基であってもよい。
RA及びRBは前記のとおりであり、
Zはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~100の2価の炭化水素基である。)
炭化水素基の炭素数は、1~80、1~60、1~40、1~20等であってもよい。ヘテロ原子としては、酸素、窒素、硫黄、フッ素、ケイ素等を挙げることができる。
RA及びRBは前記のとおりであり、
Xは、それぞれ独立して、単結合、-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-CO-、-C(CF3)2-、-CONH-又は-COO-であり、
Aは、単結合、酸素原子、又はヘテロ原子(例えば、酸素、窒素、硫黄、フッ素)を含んでいてもよい炭素数1~80の2価の炭化水素基であり、
R1は、それぞれ独立して、ヘテロ原子(例えば、酸素、窒素、硫黄、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)を含んでいてもよい炭素数0~30の基であり、
m1は、それぞれ独立して、0~4の整数である。)
pは0~20の整数であることが好ましく、
qは0~4の整数であることが好ましい。
Yは、耐熱性向上の観点から、単結合であることが好ましい。
R1は、ヘテロ原子(例えば、酸素、窒素、硫黄、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)を含んでいてもよい炭素数0~20又は0~10の基であることが好ましい。R1は、有機溶媒への溶解性向上の観点から、炭化水素基であることが好ましい。例えば、R1として、アルキル基(例えば、炭素数1~6又は1~3のアルキル基)等が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基等が挙げられる。
m1は、0~2の整数であることが好ましく、原料入手性及び溶解性向上の観点から、1又は2であることがより好ましい。
qは、2~4の整数であることが好ましい。
pは、0~2の整数であることが好ましく、耐熱性向上の観点から、1~2の整数であることがより好ましい。
RAおよびRBは、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基であり(RAおよびRBの少なくとも一方が炭素数1~4のアルキル基であってもよい)、
Xは-O-であり、
Aは以下の構造であり、
R1は、それぞれ独立して、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~30の基であり、
m1は、それぞれ独立して、0~4の整数である。
硬化膜の耐熱性および埋込み性、平坦性向上の観点から、化合物0Aは、式(2A)で表される化合物であることが好ましい。
RA及びRBは前記のとおりであり、
R2は、それぞれ独立して、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~10の基であり、
m2は、それぞれ独立して、0~3の整数であり、
m2’は、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
nは、0~4の整数である)
m2はそれぞれ独立に0~3の整数である。また、m2は、0又は1であることが好ましく、原料入手性の観点から、0であることがより好ましい。
m2’はそれぞれ独立に、0~4の整数である。また、m2’は、0又は1であることが好ましく、原料入手性の観点から、0であることがより好ましい。
nは、0~4の整数である。また、nは、1~4の整数であることが好ましく、耐熱性向上の観点から、1~2の整数であることがより好ましい。nが1以上であることにより、昇華物の原因となりうる単量体が除去され、平坦性と耐熱性の両立が期待でき、nが1であることがより好ましい。
RA及びRBは前記のとおりであり、
R3及びR4は、それぞれ独立して、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~10の基であり、
m3は、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
m4は、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
nは、1~4の整数である)
m3はそれぞれ独立に0~4の整数である。また、m3は、0~2の整数であることが好ましく、原料入手性の観点から、0であることがより好ましい。
m4はそれぞれ独立に、0~4の整数である。また、m4は、0~2の整数であることが好ましく、原料入手性の観点から、0であることがより好ましい。
nは、1~4の整数である。また、nは、2~4の整数であることが好ましく、耐熱性向上の観点から、2~3の整数であることがより好ましく、2であることがさらに好ましい。nが2以上であることにより、昇華物の原因となりうる単量体が除去され、平坦性と耐熱性の両立が期待でき、nが2であることがより好ましい。
上記ビスシトラコンイミド化合物の中でも特にビス(3-エチル-5-メチル-4-シトラコンイミドフェニル)メタン、N,N'-4,4'-[3,3'-ジメチル-ジフェニルメタン]ビスシトラコンイミド、N,N'-4,4'-[3,3'-ジエチルジフェニルメタン]ビスシトラコンイミドが、溶剤溶解性に優れるため、好ましい。
本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料は、架橋反応、硬化反応を促進させるための潜在型の硬化促進剤を含む。潜在型硬化促進剤とは、通常の保管条件では活性を示さないが、外部刺激(例えば、熱、光等)に応答して活性を示す硬化促進剤である。潜在型硬化促進剤を使用することにより、季節を問わず、通常の室温保管条件下において、長期の安定保存が可能となる。
上記酸性化合物(A1)および上記アンモニウム塩(A2)は、加熱すると塩基を発生するので、これらの化合物から発生した塩基により、架橋反応、硬化反応を促進できる。また、これらの化合物は、加熱しなければリソグラフィー用膜形成材料の環化が殆ど進行しないので、安定性に優れたリソグラフィー用膜形成組成物を調製することができる。
ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニルメチルボレート)、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニルエチルボレート)、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニルプロピルボレート)、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニルブチルボレート)、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニルヘキシルボレート)、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニルオクチルボレート)、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニルオクタデシルボレート)、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニルイソプロピルボレート)、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニルイソブチルボレート)、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニル-sec-ブチルボレート)、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニル-tert-ブチルボレート)、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニルネオペンチルボレート)等。
ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニルシクロペンチルボレート)、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス(トリフェニルシクロヘキシルボレート)、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリフェニル(4-デシルシクロヘキシル)ボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリフェニル(フルオロメチル)ボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリフェニル(クロロメチル)ボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリフェニル(ブロモメチル)ボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリフェニル(トリフルオロメチル)ボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリフェニル(トリクロロメチル)ボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリフェニル(ヒドロキシメチル)ボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリフェニル(カルボキシメチル)ボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリフェニル(シアノメチル)ボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリフェニル(ニトロメチル)ボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリフェニル(アジドメチル)ボレート]等。
ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリス(1-ナフチル)ブチルボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリス(2-ナフチル)ブチルボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリス(o-トリル)ブチルボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリス(m-トリル)ブチルボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリス(p-トリル)ブチルボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリス(2,3-キシリル)ブチルボレート]、ヘキサアンミンルテニウム(III)トリス[トリス(2,5-キシリル)ブチルボレート]等。
トリス(エチレンジアミン)ルテニウム(III)トリス(トリフェニルブチルボレート)、cis-ジアンミンビス(エチレンジアミン)ルテニウム(III)トリス(トリフェニルブチルボレート)、trans-ジアンミンビス(エチレンジアミン)ルテニウム(III)トリス(トリフェニルブチルボレート)、トリス(トリメチレンジアミン)ルテニウム(III)トリス(トリフェニルブチルボレート)、トリス(プロピレンジアミン)ルテニウム(III)トリス(トリフェニルブチルボレート)、テトラアンミン{(-)(プロピレンジアミン)}ルテニウム(III)トリス(トリフェニルブチルボレート)、トリス(trans-1,2-シクロヘキサンジアミン)ルテニウム(III)トリス(トリフェニルブチルボレート)、ビス(ジエチレントリアミン)ルテニウム(III)トリス(トリフェニルブチルボレート)、ビス(ピリジン)ビス(エチレンジアミン)ルテニウム(III)トリス(トリフェニルブチルボレート)、ビス(イミダゾール)ビス(エチレンジアミン)ルテニウム(III)トリス(トリフェニルブチルボレート)等。
本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料は、硬化温度の低下やインターミキシングを抑制する等の観点から、必要に応じて架橋剤を含有していてもよい。
本実施形態のリソグラフィー用膜形成材料には、必要に応じてラジカル重合開始剤を配合することができる。ラジカル重合開始剤としては、光によりラジカル重合を開始させる光重合開始剤であってもよいし、熱によりラジカル重合を開始させる熱重合開始剤であってもよい。
本実施形態のレジスト組成物は、上述した本実施形態におけるリソグラフィー用膜形成材料を含む。
本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物は、前記リソグラフィー用膜形成材料と溶媒とを含有する。リソグラフィー用膜は、例えば、リソグラフィー用下層膜である。
本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物に用いる溶媒としては、化合物0A及び潜在型の塩基発生剤が少なくとも溶解するものであれば、特に限定されず、公知のものを適宜用いることができる。
本実施形態のレジスト膜は、本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて形成される。
本実施形態のリソグラフィー用下層膜は、本実施形態のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて形成される。
合成した化合物の分子量は、Water社製Acquity UPLC/MALDI-Synapt HDMSを用いて、LC-MS分析により測定した。
エスアイアイ・ナノテクノロジー社製EXSTAR6000TG-DTA装置を使用し、試料約5mgをアルミニウム製非密封容器に入れ、窒素ガス(100ml/min)気流中昇温速度10℃/minで500℃まで昇温することにより熱重量減少量を測定した。実用的観点からは、下記A又はB評価が好ましい。A又はB評価であれば、高い耐熱性を有し、高温ベークへの適用が可能である。
<評価基準>
A:400℃での熱重量減少量が、10%未満
B:400℃での熱重量減少量が、10%~25%
C:400℃での熱重量減少量が、25%超
50mlのスクリュー瓶にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)とシクロヘキサノン(CHN)が1:1の重量比となるように調整された混合溶媒、化合物及び/又は樹脂を仕込み、23℃にてマグネチックスターラーで1時間撹拌後に、化合物及び/又は樹脂の上記混合溶媒に対する溶解量を測定し、その結果を以下の基準で評価した。実用的観点からは、下記S、A又はB評価が好ましい。
<評価基準>
S:20質量%以上30質量%未満
A:10質量%以上20質量%未満
B:5質量%以上10質量%未満
C:5質量%未満
攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積100mlの容器を準備した。この容器に、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(製品名:BAPP、和歌山精化工業(株)製)4.10g(10.0mmol)、無水シトラコン酸(関東化学(株)製)4.15g(40.0mmol)、ジメチルフォルムアミド30mlおよびトルエン60mlを仕込み、p-トルエンスルホン酸0.4g(2.3mmol)、重合禁止剤BHT0.1gを加えて、反応液を調製した。この反応液を120℃で5時間撹拌して反応を行い、共沸脱水にて生成水をディーンスタークトラップにて回収した。次に、反応液を40℃に冷却した後、蒸留水300mlを入れたビーカーに滴下し、生成物を析出させた。得られたスラリー溶液をろ過後、残渣をアセトンで洗浄し、カラムクロマトによる分離精製を行うことにより、下記式で示される目的化合物(BAPPシトラコンイミド)3.76gを得た。
1H-NMR:(d-DMSO、内部標準TMS)
δ(ppm)6.8~7.4(16H,Ph-H)、6.7(2H,-CH=C)、2.1(6H,C-CH3)、1.6(6H,-C(CH3)2)。得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、598であった。
攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積100mlの容器を準備した。この容器に、2,2-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(製品名:m-BAPP、(株)テクノケム製)4.10g(10.0mmol)、無水マレイン酸(関東化学(株)製)2.15g(22.0mmol)、ジメチルフォルムアミド40mlおよびm-キシレン30mlとを仕込み、p-トルエンスルホン酸0.4g(2.3mmol)を加えて、反応液を調製した。この反応液を130℃で4.0時間撹拌して反応を行い、共沸脱水にて生成水をディーンスタークトラップにて回収した。次に、反応液を40℃に冷却した後、蒸留水300mlを入れたビーカーに滴下し、生成物を析出させた。得られたスラリー溶液をろ過後、残渣をメタノールで洗浄し、カラムクロマトによる分離精製を行うことにより、下記式で示される目的化合物(m-BAPPビスマレイミド)3.10gを得た。
なお、400MHz-1H-NMRにより以下のピークが見出され、上記式の化学構造を有することを確認した。
1H-NMR:(d-DMSO、内部標準TMS)
δ(ppm)6.8~7.4(16H,Ph-H)、6.9(4H,-CH=CH)、1.6(6H,-C(CH3)2)。得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、598であった。
攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積100mlの容器を準備した。この容器に、2,2-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(製品名:m-BAPP、(株)テクノケム製)4.10g(10.0mmol)、無水シトラコン酸(関東化学(株)製)4.15g(40.0mmol)、ジメチルフォルムアミド30mlおよびトルエン60mlを仕込み、p-トルエンスルホン酸0.4g(2.3mmol)、重合禁止剤BHT0.1gを加えて、反応液を調製した。この反応液を120℃で5時間撹拌して反応を行い、共沸脱水にて生成水をディーンスタークトラップにて回収した。次に、反応液を40℃に冷却した後、蒸留水300mlを入れたビーカーに滴下し、生成物を析出させた。得られたスラリー溶液をろ過後、残渣をアセトンで洗浄し、カラムクロマトによる分離精製を行うことにより、下記式で示される目的化合物(m-BAPPシトラコンイミド)3.52gを得た。
1H-NMR:(d-DMSO、内部標準TMS)
δ(ppm)6.8~7.4(16H,Ph-H)、6.7(2H,-CH=C)、2.0(6H,C-CH3)、1.6(6H,-C(CH3)2)。得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、598であった。
攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積100mlの容器を準備した。この容器に、特開2001-26571号公報の合成例1を追試することで得られたジアミノジフェニルメタンオリゴマー2.4g、無水シトラコン酸(関東化学(株)製)4.56g(44.0mmol)、ジメチルフォルムアミド40mlおよびトルエン60mlを仕込み、p-トルエンスルホン酸0.4g(2.3mmol)および重合禁止剤BHT0.1gを加えて、反応液を調製した。この反応液を110℃で8.0時間撹拌して反応を行い、共沸脱水にて生成水をディーンスタークトラップにて回収した。次に、反応液を40℃に冷却した後、蒸留水300mlを入れたビーカーに滴下し、生成物を析出させた。得られたスラリー溶液をろ過後、残渣をメタノールで洗浄し、下記式で示されるシトラコンイミド樹脂(BMIシトラコンイミド樹脂)4.7gを得た。
攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積100mlの容器を準備した。この容器に、ビフェニルアラルキル型ポリアニリン樹脂(製品名:BAN、日本化薬(株)製)6.30g、無水シトラコン酸(関東化学(株)製)4.56g(44.0mmol)、ジメチルフォルムアミド40mlおよびトルエン60mlを仕込み、p-トルエンスルホン酸0.4g(2.3mmol)、重合禁止剤BHT0.1gを加えて、反応液を調製した。この反応液を110℃で6.0時間撹拌して反応を行い、共沸脱水にて生成水をディーンスタークトラップにて回収した。次に、反応液を40℃に冷却した後、蒸留水300mlを入れたビーカーに滴下し、生成物を析出させた。得られたスラリー溶液をろ過後、残渣をメタノールで洗浄し、カラムクロマトによる分離精製を行うことにより、下記式で示される目的化合物(BANシトラコンイミド樹脂)5.5gを得た。
保温可能な蒸留塔を備えた内容積300mlの容器を準備した。この容器に、特開2001-26571号公報の合成例1を追試することで得られたジアミノジフェニルメタンオリゴマー100gを仕込み、初めに常圧蒸留にて水および低沸点不純物を留去した。減圧度を30Paへ徐々に高め、塔頂温度200~230℃で主としてジアミノジフェニルメタン単量体を除去することにより、単量体除去ジアミノメタンオリゴマーを32g取得した。
次に、攪拌機、冷却管を備えた内容積200mlの容器に上記にて得られた単量体除去ジアミノジフェニルメタンオリゴマーを2.4g仕込み、無水マレイン酸(関東化学(株)製)4.56g(44.0mmol)、ジメチルフォルムアミド40mlおよびトルエン60mlを仕込み、p-トルエンスルホン酸0.4g(2.3mmol)および重合禁止剤BHT0.1gを加えて、反応液を調製した。この反応液を100℃で6.0時間撹拌して反応を行い、共沸脱水にて生成水をディーンスタークトラップにて回収した。次に、反応液を40℃に冷却した後、蒸留水300mlを入れたビーカーに滴下し、生成物を析出させた。得られたスラリー溶液をろ過後、残渣をメタノールで洗浄し、下記式で示される単量体除去BMIマレイミド樹脂を5.6g得た。前記方法により該樹脂の分子量を測定した結果、836であった。
保温可能な蒸留塔を備えた内容積300mlの容器を準備した。この容器に、特開2001-26571号公報の合成例1を追試することで得られたジアミノジフェニルメタンオリゴマー100gを仕込み、初めに常圧蒸留にて水および低沸点不純物を留去した。減圧度を30Paへ徐々に高め、塔頂温度200~230℃で主としてジアミノジフェニルメタン単量体を除去することにより、単量体除去ジアミノメタンオリゴマーを32g取得した。
次に、攪拌機、冷却管を備えた内容積200mlの容器に上記にて得られた単量体除去ジアミノジフェニルメタンオリゴマーを2.4g仕込み、無水シトラコン酸(関東化学(株)製)4.56g(44.0mmol)、ジメチルフォルムアミド40mlおよびトルエン60mlを仕込み、p-トルエンスルホン酸0.4g(2.3mmol)および重合禁止剤BHT0.1gを加えて、反応液を調製した。この反応液を110℃で8.0時間撹拌して反応を行い、共沸脱水にて生成水をディーンスタークトラップにて回収した。次に、反応液を40℃に冷却した後、蒸留水300mlを入れたビーカーに滴下し、生成物を析出させた。得られたスラリー溶液をろ過後、残渣をメタノールで洗浄し、下記式で示される単量体除去BMIシトラコンイミド樹脂を6.3g得た。前記方法により該樹脂の分子量を測定した結果、857であった。
マレイミド化合物として、下記式で表されるビスマレイミド(BMI-80;ケイアイ化成製)9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-300;富士フィルム和光純薬製)1質量部を用いて、リソグラフィー用膜形成材料とした。
前記リソグラフィー用膜形成材料10質量部に対し、上記混合溶媒を90質量部加え、室温下、スターラーで少なくとも3時間以上攪拌させることにより、リソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
マレイミド化合物として、合成実施例2で得られたm-BAPPビスマレイミドを9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-300;富士フィルム和光純薬製)1質量部を用いて、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、10質量%以上20質量%未満(評価A)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は優れた溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
ビスマレイミド樹脂として、下記式で表されるBMIマレイミドオリゴマー(BMI-2300、大和化成工業製)9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-300;富士フィルム和光純薬製)1質量部を用いて、リソグラフィー用膜形成材料とした。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
ビスマレイミド樹脂として、下記式で表されるビフェニルアラルキル型マレイミド樹脂(MIR-3000-L、日本化薬株式会社製)9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-300;富士フィルム和光純薬製)1質量部を用いて、リソグラフィー用膜形成材料とした。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
ビスシトラコンイミド化合物として、合成実施例1で得られたBAPPシトラコンイミドを9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-300;富士フィルム和光純薬製)1質量部を配合し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、20質量%以上(評価S)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は良好な溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
ビスシトラコンイミド化合物として、合成実施例3で得られたm-BAPPシトラコンイミドを9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-300;富士フィルム和光純薬製)1質量部を配合し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、20質量%以上(評価S)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は良好な溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
シトラコンイミド樹脂として、合成実施例4で得られたBMIシトラコンイミド樹脂を9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-300;富士フィルム和光純薬製)1質量部を配合し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、20質量%以上(評価S)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は優れた溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
シトラコンイミド樹脂として、合成実施例5で得られたBANシトラコンイミド樹脂を9質量部、潜在型塩基発生剤(WPBG-300;富士フィルム和光純薬製)1質量部を配合し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、20質量%以上(評価S)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は優れた溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
マレイミド化合物として、前記BMI-80を9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-266;富士フィルム和光純薬製)1質量部を用いて、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、20質量%以上(評価S)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は十分な溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調整した。
マレイミド化合物として、前記m-BAPPビスマレイミドを9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-266;富士フィルム和光純薬製)1質量部を用いて、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、20質量%以上(評価S)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は十分な溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調整した。
ビスマレイミド樹脂として、前記BMIマレイミドオリゴマーを9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-266;富士フィルム和光純薬製)1質量部を用いて、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、10質量%以上20質量%未満(評価A)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は優れた溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
マレイミド樹脂として、合成実施例6で得られた単量体除去BMIマレイミド樹脂を9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-266;富士フィルム和光純薬製)1質量部を配合し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、20質量%以上(評価S)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は優れた溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
ビスマレイミド樹脂として、前記MIR-3000-Lを9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-266;富士フィルム和光純薬製)1質量部を用いて、リソグラフィー用膜形成材料とした。をそれぞれ用いて、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、10質量%以上20質量%未満(評価A)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は優れた溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
ビスシトラコンイミド化合物として、合成実施例1で得られたBAPPシトラコンイミドを9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-266;富士フィルム和光純薬製)1質量部を配合し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、20質量%以上(評価S)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は良好な溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
ビスシトラコンイミド化合物として、合成実施例3で得られたm-BAPPシトラコンイミドを9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-266;富士フィルム和光純薬製)1質量部を配合し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、20質量%以上(評価S)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は良好な溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
シトラコンイミド樹脂として、合成実施例4で得られたBMIシトラコンイミド樹脂を9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-266;富士フィルム和光純薬製)1質量部を配合し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、20質量%以上(評価S)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は優れた溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
シトラコンイミド樹脂として、合成実施例7で得られた単量体除去BMIシトラコンイミド樹脂を9質量部および潜在型塩基発生剤(WPBG-266;富士フィルム和光純薬製)1質量部を配合し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、20質量%以上(評価S)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は優れた溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
シトラコンイミド樹脂として、合成実施例5で得られたBANシトラコンイミド樹脂を9質量部、潜在型塩基発生剤(WPBG-266;富士フィルム和光純薬製)1質量部を配合し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
熱重量測定の結果、得られたリソグラフィー用膜形成材料の400℃での熱重量減少量は10%未満(評価A)であった。また、PGMEA/CHN混合溶媒への溶解性を評価した結果、20質量%以上(評価S)であり、得られたリソグラフィー用膜形成材料は優れた溶解性を有するものと評価された。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
マレイミド化合物として、BMI-80を9質量部および潜在型塩基発生剤WPBG-300を1質量部使用した。また、架橋剤として、下記式で表されるベンゾオキサジン(BF-BXZ;小西化学工業株式会社製)2質量部を配合し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
マレイミド化合物として、BMI-80を9質量部および潜在型塩基発生剤WPBG-300を1質量部使用した。また、架橋剤として、下記式で表されるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(NC-3000-L;日本化薬株式会社製)2質量部を使用し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
マレイミド化合物として、BMI-80を9質量部および潜在型塩基発生剤WPBG-300を1質量部使用した。また、架橋剤として、下記式で表されるジアリルビスフェノールA型シアネート(DABPA-CN;三菱ガス化学製)2質量部を配合し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
マレイミド化合物として、BMI-80を9質量部および潜在型塩基発生剤WPBG-300を1質量部使用した。また、架橋剤として、下記式で表されるジアリルビスフェノールA(BPA-CA;小西化学製)2質量部を配合し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
マレイミド化合物として、BMI-80を9質量部および潜在型塩基発生剤WPBG-300を1質量部使用した。また、架橋剤として、下記式で表されるジフェニルメタン型アリルフェノール樹脂(APG-1;群栄化学工業製)2質量部を使用し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
マレイミド化合物として、BMI-80を9質量部および潜在型塩基発生剤WPBG-300を1質量部使用した。また、架橋剤として、下記式で表されるジフェニルメタン型プロペニルフェノール樹脂(APG-2;群栄化学工業製)2質量部を使用し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
前記実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
マレイミド化合物として、BMI-80を9質量部および潜在型塩基発生剤WPBG-300を1質量部使用した。また、架橋剤として、下記式で表される4,4´-ジアミノジフェニルメタン(DDM;東京化成製)2質量部を使用し、リソグラフィー用膜形成材料とした。
硬化促進剤として、潜在型の塩基発生剤WPBG-300に変え、2,4,5-トリフェニルイミダゾール(TPIZ;四国化成製)を1質量部配合した以外は実施例1、3~5、7、8と同様にして、リソグラフィー用膜形成材料とした。また、実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
硬化促進剤として、潜在型の塩基発生剤WPBG-300に変え、2,4,5-トリフェニルイミダゾール(TPIZ;四国化成製)を1質量部配合した以外は実施例17~23と同様にして、リソグラフィー用膜形成材料とした。また、実施例1と同様の操作にてリソグラフィー用膜形成用組成物を調製した。
表2に示す組成となるように、リソグラフィー用膜形成用組成物を各々調製した。
[保存安定性の評価]
リソグラフィー用膜形成用組成物を40℃の恒温槽にて1か月保管した後の溶液の色相変化ΔYIを、色差・濁度計(日本電色工業製)及び光路長1cmの石英ガラスセルを用いて測定した。下記に示す評価基準に従って、保存安定性を評価した。
(評価基準)
S:40℃1か月保管後 ΔYI≦1.0
A:40℃1か月保管後 1.0<ΔYI≦3.0
B:40℃1か月保管後 3.0<ΔYI
リソグラフィー用膜形成用組成物をシリコン基板上に回転塗布し、その後、240℃で60秒間ベークして、塗布膜の膜厚を測定した。その後、該シリコン基板をPGMEA70%/PGME30%の混合溶媒に60秒間浸漬し、エアロダスターで付着溶媒を除去後、110℃で溶媒乾燥を行った。浸漬前後の膜厚差から膜厚減少率(%)を算出して、下記に示す評価基準に従って、各下層膜の硬化性を評価した。
(評価基準)
S:溶媒浸漬前後の膜厚減少率≦1%(良好)
A:溶媒浸漬前後の膜厚減少率≦5%(やや良好)
B:溶媒浸漬前後の膜厚減少率≦10%
C:溶媒浸漬前後の膜厚減少率>10%
硬化性の評価における240℃での硬化ベーク後の下層膜をさらに450℃で120秒間ベークした。ベーク前後の膜厚差から膜厚減少率(%)を算出して、下記に示す評価基準に従って、各下層膜の膜耐熱性を評価した。
(評価基準)
SS:450℃ベーク後の膜厚減少率≦5%
S:450℃ベーク前後の膜厚減少率≦10%(良好)
A:450℃ベーク前後の膜厚減少率≦15%(やや良好)
B:450℃ベーク前後の膜厚減少率≦20%
C:450℃ベーク前後の膜厚減少率>20%
幅100nm、ピッチ150nm、深さ150nmのトレンチ(アスペクト比:1.5)及び幅5μm、深さ180nmのトレンチ(オープンスペース)が混在するSiO2段差基板上に、リソグラフィー用膜形成用組成物をそれぞれ塗布した。その後、大気雰囲気下にて、240℃で120秒間焼成して、膜厚200nmのレジスト下層膜を形成した。このレジスト下層膜の形状を走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社の「S-4800」)にて観察し、トレンチ又はスペース上におけるレジスト下層膜の膜厚の最大値と最小値の差(ΔFT)を測定した。下記に示す評価基準に従って、段差基板での平坦性を評価した。
(評価基準)
S:ΔFT<10nm(平坦性最良)
A:10nm≦ΔFT<20nm(平坦性良好)
B:20nm≦ΔFT<40nm(平坦性やや良好)
C:40nm≦ΔFT(平坦性不良)
[保存安定性の評価]
実施例1~23及び比較例1~13のリソグラフィー用膜形成用組成物の評価と同様に実施した。
リソグラフィー用膜形成用組成物をシリコン基板上に回転塗布し、150℃で60秒間ベークして塗膜の溶媒を除去し、高圧水銀ランプにより、積算露光量1500mJ/cm2、照射時間60秒で硬化さ、塗布膜の膜厚を測定した。その後、該シリコン基板をPGMEA70%/PGME30%の混合溶媒に60秒間浸漬し、エアロダスターで付着溶媒を除去後、110℃で溶媒乾燥を行った。浸漬前後の膜厚差から膜厚減少率(%)を算出し、下記に示す評価基準に従って、各下層膜の硬化性を評価した。
(評価基準)
S:溶媒浸漬前後の膜厚減少率≦1%(良好)
A:溶媒浸漬前後の膜厚減少率≦5%(やや良好)
B:溶媒浸漬前後の膜厚減少率≦10%
C:溶媒浸漬前後の膜厚減少率>10%
硬化性の評価における高圧水銀ランプによる硬化後の下層膜をさらに450℃で120秒間ベークし、ベーク前後の膜厚差から膜厚減少率(%)を算出し、下記に示す評価基準に従って、各下層膜の膜耐熱性を評価した。
(評価基準)
SS:450℃ベーク前後の膜厚減少率≦5%
S:450℃ベーク前後の膜厚減少率≦10%(良好)
A:450℃ベーク前後の膜厚減少率≦15%(やや良好)
B:450℃ベーク前後の膜厚減少率≦20%
C:450℃ベーク前後の膜厚減少率>20%
実施例1~23及び比較例1~13のリソグラフィー用膜形成用組成物の評価と同様に実施した。
実施例1におけるリソグラフィー用膜形成用組成物を膜厚300nmのSiO2基板上に塗布して、240℃で60秒間、さらに400℃で120秒間ベークすることにより、膜厚70nmの下層膜を形成した。この下層膜上に、ArF用レジスト溶液を塗布し、130℃で60秒間ベークすることにより、膜厚140nmのフォトレジスト層を形成した。ArF用レジスト溶液としては、下記式(22)の化合物:5質量部、トリフェニルスルホニウムノナフルオロメタンスルホナート:1質量部、トリブチルアミン:2質量部、及びPGMEA:92質量部を配合して調製したものを用いた。
なお、下記式(22)の化合物は、次のように調製した。すなわち、2-メチル-2-メタクリロイルオキシアダマンタン4.15g、メタクリルロイルオキシ-γ-ブチロラクトン3.00g、3-ヒドロキシ-1-アダマンチルメタクリレート2.08g、アゾビスイソブチロニトリル0.38gを、テトラヒドロフラン80mLに溶解させて反応溶液とした。この反応溶液を、窒素雰囲気下、反応温度を63℃に保持して、22時間重合させた後、反応溶液を400mLのn-ヘキサン中に滴下した。このようにして得られる生成樹脂を凝固精製させ、生成した白色粉末をろ過し、減圧下40℃で一晩乾燥させて下記式で表される化合物を得た。
前記実施例1におけるリソグラフィー用下層膜形成用組成物の代わりに実施例2におけるリソグラフィー用下層膜形成用組成物を用いること以外は、実施例38と同様にして、ポジ型のレジストパターンを得た。評価結果を表3に示す。
前記実施例1におけるリソグラフィー用下層膜形成用組成物の代わりに実施例3におけるリソグラフィー用下層膜形成用組成物を用いること以外は、実施例38と同様にして、ポジ型のレジストパターンを得た。評価結果を表3に示す。
下層膜の形成を行わないこと以外は、実施例38と同様にして、フォトレジスト層をSiO2基板上に直接形成し、ポジ型のレジストパターンを得た。評価結果を表3に示す。
実施例38~40、及び比較例14のそれぞれについて、得られた55nmL/S(1:1)及び80nmL/S(1:1)のレジストパターンの形状を(株)日立製作所製の電子顕微鏡(S-4800)を用いて観察した。現像後のレジストパターンの形状については、パターン倒れがなく、矩形性が良好なものを良好とし、そうでないものを不良として評価した。また、当該観察の結果、パターン倒れが無く、矩形性が良好な最小の線幅を解像性として評価の指標とした。さらに、良好なパターン形状を描画可能な最小の電子線エネルギー量を感度として、評価の指標とした。
上記膜形成材料を用いて、表4に示す配合でレジスト組成物を調製し、均一なレジスト組成物を清浄なシリコンウェハー上に回転塗布した後、110℃のオーブン中で露光前ベーク(PB)して、厚さ60nmのレジスト膜を形成した。得られたレジスト膜に対して、電子線描画装置(ELS-7500、(株)エリオニクス社製)を用いて、80nm間隔の1:1のラインアンドスペース設定の電子線を照射した。当該照射後に、レジスト膜を、それぞれ所定の温度で、90秒間加熱し、TMAH2.38質量%アルカリ現像液に60秒間浸漬して現像を行った。その後、レジスト膜を、超純水で30秒間洗浄、乾燥して、ネガ型のレジストパターンを形成した。形成されたレジストパターンについて、ラインアンドスペースを走査型電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジー製S-4800)により観察し、レジスト組成物の電子線照射による反応性を評価した。
そのため、リソグラフィー用膜形成材料を含むリソグラフィー用膜形成用組成物はこれらの性能が要求される各種用途において、広く且つ有効に利用可能である。とりわけ、本発明は、リソグラフィー用下層膜及び多層レジスト用下層膜の分野において、特に有効に利用可能である。
Claims (18)
- 式(0A)の基:
RAおよびRBは、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である)
を有する化合物および潜在型硬化促進剤を含むリソグラフィー用膜形成材料と、
溶媒と、
を含有する、リソグラフィー用膜形成用組成物であって、
リソグラフィー用膜がリソグラフィー用下層膜である、リソグラフィー用膜形成用組成物。 - 前記潜在型硬化促進剤の分解温度が600℃以下である、請求項1に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
- 前記潜在型硬化促進剤が潜在型塩基発生剤である、請求項1又は2に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
- 式(0A)の基を有する化合物が、2以上の式(0A)の基を有する、請求項1~3のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
- 式(0A)の基を有する化合物が、2つの式(0A)の基を有する化合物、又は式(0A)の基を有する化合物の付加重合樹脂である、請求項1~4のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
- 式(0A)の基を有する化合物が、式(1A0)で表される、請求項1~5のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物
RA及びRBは前記のとおりであり、
Zはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~100の2価の炭化水素基である)。 - 式(0A)の基を有する化合物が、式(1A)で表される、請求項1~6のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物
RA及びRBは前記のとおりであり、
Xは、それぞれ独立して、単結合、-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-CO-、-C(CF3)2-、-CONH-又は-COO-であり、
Aは、単結合、酸素原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~80の2価の炭化水素基であり、
R1は、それぞれ独立して、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~30の基であり、
m1は、それぞれ独立して、0~4の整数である)。 - Aが、単結合、酸素原子、-(CH2)p-、-CH2C(CH3)2CH2-、-(C(CH3)2)p-、-(O(CH2)q)p-、-(О(C6H4))p-、又は以下の構造のいずれかであり、
pは0~20の整数であり、
qは0~4の整数である、
請求項7に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。 - 式(0A)の基を有する化合物が、式(2A)で表される、請求項1~5のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物
RA及びRBは前記のとおりであり、
R2は、それぞれ独立して、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~10の基であり、
m2は、それぞれ独立して、0~3の整数であり、
m2’は、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
nは、0~4の整数である)。 - 式(0A)の基を有する化合物が、式(3A)で表される、請求項1~5のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物
RA及びRBは前記のとおりであり、
R3及びR4は、それぞれ独立して、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数0~10の基であり、
m3は、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
m4は、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
nは、1~4の整数である)。 - 前記潜在型硬化促進剤の含有割合が、式(0A)の基を有する化合物の合計質量を100質量部とした場合に、1~25質量部である、請求項1~10のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
- 架橋剤をさらに含有する、請求項1~11のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
- 前記架橋剤が、フェノール化合物、エポキシ化合物、シアネート化合物、アミノ化合物、ベンゾオキサジン化合物、メラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物、ウレア化合物、イソシアネート化合物及びアジド化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種である、請求項12に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
- 前記架橋剤が、少なくとも1つのアリル基を有する、請求項12又は13に記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
- 前記架橋剤の含有割合が、式(0A)の基を有する化合物の合計質量を100質量部とした場合に、0.1~100質量部である、請求項12~14のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物。
- 請求項1~15のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて形成される、リソグラフィー用下層膜。
- 基板上に、請求項1~15のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて下層膜を形成する工程、
該下層膜上に、少なくとも1層のフォトレジスト層を形成する工程、及び
該フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像を行う工程、
を含む、レジストパターン形成方法。 - 基板上に、請求項1~15のいずれかに記載のリソグラフィー用膜形成用組成物を用いて下層膜を形成する工程、
該下層膜上に、珪素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いて中間層膜を形成する工程、
該中間層膜上に、少なくとも1層のフォトレジスト層を形成する工程、
該フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像してレジストパターンを形成する工程、
該レジストパターンをマスクとして前記中間層膜をエッチングする工程、
得られた中間層膜パターンをエッチングマスクとして前記下層膜をエッチングする工程、及び
得られた下層膜パターンをエッチングマスクとして基板をエッチングすることで基板にパターンを形成する工程、
を含む、回路パターン形成方法。
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