WO2022157907A1

WO2022157907A1 - 発光素子、表示デバイス、発光素子の製造方法

Info

Publication number: WO2022157907A1
Application number: PCT/JP2021/002160
Authority: WO
Inventors: 吉裕上田
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2021-01-22
Filing date: 2021-01-22
Publication date: 2022-07-28
Also published as: US20240114710A1; CN116762487A

Abstract

発光素子（２）は、第１電極（４）と、第１電荷輸送層（６）と、シリサイド（１６）を含むシリサイド層（１４）と、発光層（８）と、第２電極（１２）とを、この順に配置して備える。第１電荷輸送層と発光層とは、シリサイド層を介して互いに隣接する。

Description

発光素子、表示デバイス、発光素子の製造方法

　本発明は、発光素子、および当該発光素子を備えた表示デバイスに関する。

　特許文献１には、半導体ナノクリスタルを含む発光素子を備えた発光デバイスが開示されている。特許文献１に記載の発光素子は、発光層と電極との間に、電荷輸送層を備えている。

日本国公開特許公報「特開２０１２－２３３８８」

　特許文献１の発光層と電荷輸送層との接触部分において、互いに接触する発光層と電荷輸送層との界面部分には、界面準位が形成される。このため、発光層と電荷輸送層との界面部分にキャリアトラップが生じる。当該キャリアトラップに、電極から注入されたキャリアが捕捉されると、発光層へのキャリア注入の効率が低下し、ひいては、発光素子全体の発光効率の低下が生じる。

　上記課題を解決するために、本開示の発光素子は、第１電極と、第１電荷輸送層と、シリサイドを含むシリサイド層と、発光層と、第２電極とを、この順に配置して備え、前記第１電荷輸送層と前記発光層とが、前記シリサイド層を介して互いに隣接する。

　また、本開示の発光素子の製造方法は、第１電極と、第１電荷輸送層と、シリサイドを含むシリサイド層と、発光層と、第２電極とを、この順に配置して備え、前記第１電荷輸送層と前記発光層とが、前記シリサイド層を介して互いに隣接する発光素子の製造方法であって、Ｓｉナノ粒子の層と金属ナノ粒子の層とを積層した積層体に対する熱処理により前記シリサイド層を形成するシリサイド層形成工程を含む。

　また、本開示の他の発光素子の製造方法は、第１電極と、第１電荷輸送層と、シリサイドを含むシリサイド層と、発光層と、第２電極とを、この順に配置して備え、前記第１電荷輸送層と前記発光層とが、前記シリサイド層を介して互いに隣接する発光素子の製造方法であって、ＳｉＯ_２ナノ粒子の層と金属ナノ粒子の層とを積層した積層体に対する熱処理により前記シリサイド層を形成するシリサイド層形成工程を含む。

　本開示の一態様によれば、発光層と電荷輸送層との間にキャリアトラップが生じることを低減できるため、発光素子の発光効率の低下を低減できる。

実施形態１に係る発光素子の各層の断面を示す拡大断面図である。実施形態１に係る表示デバイスを示す概略平面図である。実施形態１に係る表示デバイスの表示領域の断面を示す拡大断面図である。実施形態１に係る表示デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。実施形態１に係るシリサイド層の製造工程において形成される、積層体の断面の例を示す拡大断面図である。実施形態１に係るシリサイド化工程における、積層体のナノ粒子の粒径と、当該ナノ粒子の融点との関係を示すグラフである。実施形態１に係るシリサイド層の元素濃度の分布の例を示すグラフである。実施形態１に係るシリサイド層の製造工程において形成される、積層体の断面の他の例を示す拡大断面図である。実施形態１に係るシリサイド層の元素濃度の分布の他の例を示すグラフである。比較形態に係る発光素子の各層の断面を示す拡大断面図である。比較形態に係る発光素子の課題を説明するための、正孔輸送層と発光層との、概略のエネルギーバンドダイヤグラム、概略の電荷分布を示すグラフ、および概略の電界を示すグラフである。実施形態１に係る発光素子の効果を説明するための、正孔輸送層、シリサイド層、および発光層の、概略のエネルギーバンドダイヤグラム、概略の電荷分布を示すグラフ、および概略の電界を示すグラフである。実施形態２に係る発光素子の各層の断面を示す拡大断面図である。実施形態３に係る発光素子の各層の断面を示す拡大断面図である。実施形態４に係る発光素子の各層の断面を示す拡大断面図である。実施形態５に係る発光素子の各層の断面を示す拡大断面図である。

　〔実施形態１〕
　＜表示デバイスの概要＞
　図２は、本実施形態に係る表示デバイス１の概略平面図である。図３は、本実施形態に係る表示デバイス１の概略断面図であり、図２における、Ａ１－Ａ１線矢視断面図である。

　図２に示すように、本実施形態に係る表示デバイス１は、複数のサブ画素を備え、後述する発光素子を各サブ画素に備えた表示領域ＤＳと、当該表示領域ＤＳの周囲を囲う額縁領域ＮＡとを備える。額縁領域ＮＡにおいては、表示領域ＤＳにおける各発光素子を駆動するための信号が入力される端子Ｔが形成されていてもよい。

　図３に示すように、本実施形態に係る表示デバイス１は、基板３と、該基板３上の複数の画素のそれぞれに位置する発光素子２を備える。特に、本実施形態に係る表示デバイス１は、平面視において表示領域ＤＳと重畳する位置に、複数の発光素子２を備えている。なお、基板３は、平面視において、表示領域ＤＳおよび額縁領域ＮＡの双方と重畳する位置に形成されていてもよく、端子Ｔは、基板３上に形成されていてもよい。また、明細書においては、表示デバイス１の基板３から発光素子２への方向を「上方向」として記載し、当該「上方向」の反対方向を「下方向」として記載する。また、本明細書において、「表示デバイス１の平面視」とは、表示デバイス１を、表示領域ＤＳの上面の略法線方向において、上方から視認した様子を示す。

　基板３は、図３に示す、支持基板Ｓｕｂと、複数の薄膜トランジスタＴｒと、平坦化膜Ｆとを備える。支持基板Ｓｕｂは、例えば、ガラス基板であってもよく、あるいは、表示デバイス１が硬直な表示デバイスの場合には、ＰＥＴフィルム等の柔軟な支持フィルムであってもよい。複数の薄膜トランジスタＴｒと平坦化膜Ｆとは、支持基板Ｓｕｂ上に形成されている。

　薄膜トランジスタＴｒは、例えば、図３に示すように、ゲート電極Ｇと、パッシベーション膜Ｐａｓと、チャネル層Ｃとを、この順に積層して含む。さらに、薄膜トランジスタＴｒは、チャネル層Ｃ上に、チャネル層Ｃを介して電気的に接続する、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄを含む。

　ドレイン電極Ｄのそれぞれは、各発光素子２の、後述する画素電極のそれぞれと電気的に接続する。また、ゲート電極Ｇに印加する電圧を制御することにより、薄膜トランジスタＴｒは、チャネル層Ｃを介して、ソース電極Ｓからドレイン電極Ｄに流れる電流の量を制御する。これにより、薄膜トランジスタＴｒのそれぞれは、各発光素子２の発光を個別に駆動する。

　平坦化膜Ｆは、薄膜トランジスタＴｒにより生じる、支持基板Ｓｕｂ上の凹凸を低減するために形成される。平坦化膜Ｆは、例えば、ポリイミドを含む樹脂により形成されてもよい。

　発光素子２は、基板３上に形成され、各発光素子２は、基板３上のバンクＢによって個別に区画される。バンクＢは、平坦化膜Ｆと同一の材料から形成されていてもよく、例えば、ポリイミドを含む樹脂により形成されてもよい。なお、表示デバイス１は、発光素子２上およびバンクＢ上に、さらに、各発光素子２を封止し、水分を含む異物等から保護するための封止層、または、各発光素子２からの光取り出しの効率を改善するためのキャッピングレイヤ等が形成されていてもよい。

　＜発光素子の概要＞
　本実施形態に係る発光素子２について、図１を参照し、より詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る発光素子２および当該発光素子２の周囲の断面を拡大して示す概略断面図であり、図３に点線にて示す領域Ａ２について拡大して示す図である。具体的に、図１は、発光素子２の各層の一部分、および、基板３の上部側の一部分のみを拡大して示す。

　本実施形態に係る発光素子２は、基板３側から、第１電極としてのアノード４と、第１電荷輸送層としての正孔輸送層６と、発光層８と、第２電荷輸送層としての電子輸送層１０と、第２電極としてのカソード１２とを、この順に配置して備える。さらに、本実施形態に係る発光素子２は、正孔輸送層６と発光層８との間に、シリサイド層１４を備える。

　特に、本実施形態において、正孔輸送層６と発光層８とは、シリサイド層１４を介して互いに隣接する。ここで、本明細書において、二層が「隣接する」とは、当該二層が互いに接触している部分、あるいは、当該二層が、キャリアがトンネル可能な程度に薄い膜厚を有した薄膜を介して配置された部分の、少なくとも一方が存在することを示す。換言すれば、二層が「隣接する」場合、当該二層の間において、一部には他の層が存在し、他の一部には当該層が存在しない場合が含まれる。

　また、本明細書において、二層が「ある特定層を介して互いに隣接する」とは、当該二層のそれぞれと当該特定層とが隣接していることを示す。換言すれば、二層が「ある特定層を介して隣接する」場合、当該特定層と、当該二層のそれぞれとの間に、キャリアがトンネル可能な程度に薄い膜厚を有した薄膜が存在する場合が含まれる。さらに換言すれば、二層が「ある特定層を介して隣接する」場合、当該特定層と、当該二層のそれぞれとの間において、一部には他の層が存在し、他の一部には当該層が存在しない場合が含まれる。

　なお、本実施形態に係る発光素子２は、上述の通り、電子輸送層１０を備える。しかしながら、本実施形態に係る発光素子２が電子輸送層１０を備えることは、後述する効果のうちの少なくとも一つを奏するために必ずしも必須ではない。

　＜アノードおよびカソードの概要＞
　本実施形態に係る発光素子２のアノード４は、例えば、表示デバイス１のサブ画素ごとに、個別に形成される。また、アノード４は、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極Ｄと電気的に接続する。このため、薄膜トランジスタＴｒによって、各アノード４に印加される電圧が制御されることにより、各発光素子２が個別に駆動される。このため、アノード４は、発光素子２の画素電極として機能する。発光素子２が薄膜トランジスタＴｒによって駆動されることにより、アノード４からは、発光層８側に、正孔が注入される。

　アノード４は、導電性を有する部材を含む。具体的に、アノード４は、例えば、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ａｇ等の金属、あるいは、これらの金属の合金からなる金属膜であってもよい。また、アノード４は、単一の金属膜を有していてもよく、複数の金属膜を積層して有していてもよい。あるいは、アノード４は、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性酸化物、または、ＩｎＧａＺｎＯ系等の酸化半導体の薄膜を有していてもよい。

　カソード１２は、例えば、表示デバイス１の複数のサブ画素に対し、共通に形成され、一定電圧が印加される。このため、発光素子２が薄膜トランジスタＴｒによって駆動され、アノード４との電位差が生じることにより、カソード１２からは、発光層８側に、電子が注入される。カソード１２は、例えば、アノード４が含み得る材料を含んでいてもよく、アノード４と同一の材料を含んでいてもよい。

　アノード４およびカソード１２の少なくとも一方は、透光性を有し、少なくとも、発光層８からの光を透過する。発光素子２は、透光性を有するアノード４およびカソード１２の少なくとも一方から、発光層８からの光を取り出す。また、アノード４およびカソード１２の一方は、発光層８からの光を反射してもよい。これにより、発光素子２からの光の取り出し効率を向上できる。

　ここで、本実施形態において、アノード４が透光性を有し、カソード１２が光反射性を有する場合、発光素子２からの光は、基板３側から取り出される。ここで、発光素子２と重畳する基板３の部材、例えば、支持基板Ｓｕｂおよび平坦化膜Ｆに透光性の材料を採用することにより、表示デバイス１は、各発光素子２からの光を、基板３側から取り出すことができる。上記構成により、表示デバイス１は、ボトムエミッション型の表示デバイスとして機能する。

　一方、本実施形態において、アノード４が光反射性を有し、カソード１２が透光性を有する場合、発光素子２からの光は、基板３とは反対側から取り出される。上記構成により、表示デバイス１は、各発光素子２からの光を基板３とは反対側から取り出す、トップエミッション型の表示デバイスとして機能する。各発光素子２からの光を取り出せる開口面積を向上させる観点からは、表示デバイス１はトップエミッション型の表示デバイスであることが好ましい。

　＜電荷輸送層の概要＞
　本明細書において、電荷輸送層とは、電荷、換言すれば、電子または正孔の少なくとも一方を、各電極から発光層側に輸送する機能を有する層である。電荷輸送層は、主に、電子輸送層または正孔輸送層の少なくとも一方を意味する。加えて、電荷輸送層は、電子注入層または正孔注入層の少なくとも一方を意味していてもよい。例えば、本明細書において、電荷輸送層は、電子輸送層と電子注入層とをまとめて、正孔輸送層と正孔注入層とをまとめて、または、電子輸送層と電子注入層と正孔輸送層と正孔注入層とをまとめて意味することがある。

　正孔輸送層６は、アノード４から注入された正孔を、発光層８側に輸送する機能を有する層である。正孔輸送層６は、有機材料を含んでいてもよく、あるいは、無機材料を含んでいてもよい。正孔輸送層６が有機材料を含む場合、当該有機材料は、例えば、ＴＦＢ、または、ＰＶＫ等を含んでいてもよい。また、正孔輸送層６が無機材料を含む場合、当該無機材料は、ＮｉＯ、ＭｇＮｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｏＯ_３、または、ＷＯ_３等を含んでいてもよい。この他、正孔輸送層６は、正孔輸送性を有する、従来公知の材料を含んでいてもよい。

　電子輸送層１０は、カソード１２から注入された電子を、発光層８側に輸送する機能を有する層である。電子輸送層１０は、有機材料を含んでいてもよく、あるいは、無機材料を含んでいてもよい。電子輸送層１０が有機材料を含む場合、当該有機材料は、例えば、アルミナム－キノリノレート錯体系化合物、または、トリアゾール系化合物等を含んでいてもよい。また、電子輸送層１０が無機材料を含む場合、当該無機材料は、ＺｎＯ、または、ＭｇＺｎＯ等を含んでいてもよい。この他、電子輸送層１０は、電子輸送性を有する、従来公知の材料を含んでいてもよい。

　なお、本実施形態に係る発光素子２は、アノード４と正孔輸送層６との間に、アノード４から注入された正孔を正孔輸送層６に輸送する機能を有する、正孔注入層をさらに備えていてもよい。また、発光素子２は、カソード１２と電子輸送層１０との間に、カソード１２から注入された電子を電子輸送層１０に輸送する機能を有する、電子注入層をさらに備えていてもよい。

　発光素子２が正孔注入層を備える場合、当該正孔注入層は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、またはイリジウム（Ｉｒ）の酸化物を含んでいてもよい。あるいは、正孔注入層は、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）等を含むＶIIIＢ族（８族、９族および１０族）金属の酸化物を含んでいてもよい。また、正孔注入層は、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジム（Ｎｄ）等を含む、ランタノイドの酸化物を含んでいてもよい。さらに、正孔注入層は、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）の酸化物を含んでいてもよい。加えて、正孔注入層は、上述した酸化物の、任意組成の混合物を含んでいてもよい。他にも、正孔注入層には、ポリエチレンジオキシチオフェンポリスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、スターバーストアミン等を含む有機化合物、または、銅フタロシアニン等を含む有機金属化合物を用いることができる。

　なお、本明細書において、上記のように、金属元素の周期表における族を、ローマ数字にて表記する場合、当該族は旧ＣＡＳ方式によって示されている。また、本明細書において、金属元素の周期表における族を、アラビア数字にて表記する場合、現ＩＵＰＡＣ方式によって示されている。

　＜発光層の概要＞
　発光層８は、キャリアの再結合による電子励起により発光する発光材料を備えた層である。例えば、発光層８において、アノード４からの正孔と、カソード１２からの電子とが再結合することにより、発光層８に励起子が生成される。次いで、当該励起子により、発光材料の電子が励起準位まで励起される。この後、当該発光材料中の、励起された電子が、励起準位から基底準位に遷移する際に、発光層８から、励起準位と基底準位とのエネルギー差に相当する波長を有した光が生じる。

　発光層８の発光材料は、有機発光材料を含んでいてもよく、あるいは、無機発光材料を含んでいてもよい。発光層８の発光材料が有機発光材料を含む場合、当該有機発光材料は、例えば、有機ＥＬ素子の発光材料に用いられる有機発光材料であってもよく、従来公知の有機発光材料を採用できる。また、発光層８の発光材料が無機発光材料を含む場合、当該無機発光材料は、例えば、キャリア注入により発光する量子ドット、換言すれば、半導体ナノ粒子を含んでいてもよく、従来公知の無機発光材料を採用できる。

　発光層８が発する光は、当該発光層８が備える発光材料の種類を変更し、当該発光材料から生じる光の波長を変更することにより、適切に設計できる。例えば、表示デバイス１は、発光素子２として、赤色光を発する発光層８を有する赤色発光素子と、緑色光を発する発光層８を有する緑色発光素子と、青色光を発する発光層８を有する青色発光素子とを備えていてもよい。

　この場合、表示デバイス１は、赤色発光素子を有する一つの赤色サブ画素と、緑色発光素子を有する一つの緑色サブ画素と、青色発光素子を有する一つの青色サブ画素とにより、一つの画素を形成してもよい。これにより、当該画素を、表示領域ＤＳに複数配列して備えることにより、表示デバイス１は、カラー表示が可能な表示デバイスとなる。

　＜シリサイド層の概要＞
　シリサイド層１４は、図１に示す、シリサイド１６を複数含む層である。本実施形態において、シリサイド１６は、金属元素とＳｉとの化合物を指す。特に本実施形態においては、少なくとも一つのシリサイド１６が、分子内に電子雲の偏りを有するために、当該シリサイド１６は、極性を有している。

　ここで、本実施形態において、極性を有するシリサイド１６の少なくとも一つは、分子内の電子雲がマイナスに片寄った側が、発光層８側となるように位置している。換言すれば、当該シリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄの方向が、発光層８から正孔輸送層６へ向かう方向である。

　特に、本実施形態において、シリサイド層１４が含むシリサイド１６の過半数は、発光層８から正孔輸送層６へ向かう方向の双極子モーメント１６Ｄを有している。このために、シリサイド層１４は、全体として、発光層８から正孔輸送層６へ向かう方向の双極子モーメントを有している。

　なお、本実施形態において、シリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄの方向は、図１に示されているような、発光素子２の各層の積層方向に沿った方向には限定されない。具体的には、本実施形態において、シリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄの方向は、発光素子２の各層の積層方向と垂直な方向と比較して、わずかでも発光層８から正孔輸送層６へ向かう方向であればよい。換言すれば、シリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄの方向は、発光素子２の各層の積層方向に沿った方向からずれた方向であってもよい。

　本実施形態において、シリサイド１６が含む金属材料には、Ｓｉとの化合物を形成する金属材料を適宜採用できる。例えば、シリサイド１６の分子構造は、Ｍを金属元素とし、実数ｘを用いて、ＭＳｉ_ｘと表される構造を有していればよい。特に、シリサイド１６の化学量論組成は、ＭＳｉまたはＭＳｉ_２であってもよい。

　なお、シリサイド層１４に関して、本明細書における「層」または「膜」とは、必ずしも、全体が均一な膜形状を有することを意図しない。例えば、シリサイド１６を含む「層」または「膜」とは、その一部に断絶等を含む不連続な構造を有していてもよく、少なくとも一部分において厚みを有していることが確認できる構造を有することを意図する。なお、好ましくは、シリサイド層１４が連続な構造を有している。さらに好ましくは、シリサイド層１４の全体が、均一な膜形状を有している。

　＜発光素子の正孔輸送層までの製造方法＞
　本実施形態に係る表示デバイス１の製造方法について、図４を参照して説明する。図４は、本実施形態に係る表示デバイス１の製造方法について説明するためのフローチャートである。

　本実施形態に係る表示デバイス１の製造方法においては、はじめに、基板３を形成する（ステップＳ２）。基板３の形成は、例えば、支持基板Ｓｕｂ上に、薄膜トランジスタＴｒをサブ画素ごとに形成したのち、平坦化膜Ｆの塗布形成により、基板３の平坦化を行うことにより実行される。

　薄膜トランジスタＴｒは、例えば、ＣＶＤ法、またはスパッタ法等を含む、従来公知の手法による、各層の成膜と、フォトリソグラフィ等による、当該各層のパターニングとを交互に繰り返すことにより形成してもよい。平坦化膜Ｆは、例えば、インクジェット法、または、スピンコート法等の、従来公知の塗布手法により、ポリイミド等の樹脂材料を塗布することにより形成されてもよい。

　次いで、基板３上に、アノード４を形成する（ステップＳ４）。アノード４は、従来公知のアノードの形成方法により形成してもよい。具体的に、アノード４は、例えば、導電性材料を含む層を、ＣＶＤ法、スパッタ法、または真空蒸着法等により、基板３上に成膜した後、フォトリソグラフィ等により、当該導電性材料を含む層を、サブ画素ごとにパターニングすることにより形成されてもよい。

　次いで、基板３のサブ画素間にバンクＢを形成する（ステップＳ６）。バンクＢの形成は、インクジェット法、または、スピンコート法等の、従来公知の塗布手法により、ポリイミド等の樹脂材料を塗布し、フォトリソグラフィ等により、当該樹脂材料をパターニングすることにより形成されてもよい。ここで、バンクＢは、アノード４の周囲端部を覆う位置に形成されてもよい。換言すれば、バンクＢのパターニングは、表示デバイス１の平面視において、アノード４の周囲端部よりも中心側の少なくとも一部が、バンクＢから露出するように行われる。

　次いで、正孔輸送層６を形成する（ステップＳ８）。正孔輸送層６は、従来公知の正孔輸送層の形成方法により形成してもよい。具体的に、正孔輸送層６は、例えば、正孔輸送性を有する材料を、サブ画素ごとに開口を有するメタルマスクを用いた真空蒸着により、当該材料をサブ画素に蒸着することにより形成してもよい。あるいは、正孔輸送層６は、正孔輸送性を有する材料を塗布したのち、フォトリソグラフィ、または、リフトオフ法等により、当該材料を、サブ画素ごとにパターニングすることにより形成されてもよい。

　＜シリサイド化に必要な熱処理＞
　次いで、シリサイド層１４を形成する。本実施形態においては、金属とＳｉとの積層体に対する熱処理により、シリサイド層１４を形成する手法を例に挙げて説明する。

　一般に、金属のシリサイド化するための熱処理において必要となる反応温度は、当該金属の融点におおよそ比例するが、当該融点と比較すると、シリサイド化する際の反応温度は圧倒的に低温である。一般に、金属をシリサイド化する際の反応温度は、実験的に、金属およびＳｉの共晶温度の１／２以下であることが知られている。これは、構成元素単体よりもシリサイド化した状態が著しく安定であるため、シリサイドの生成熱が負となり、当該生成熱の絶対値が数百ｋＪ／ｍｏｌと高いことによる。

　ただし、上記事情にも関わらず、バルクの金属をバルクのＳｉによってシリサイド化するには、数百℃程度の温度における熱処理が必要である。Ａｕのように、室温においても反応する組み合わせは存在するものの、コストおよび環境配慮の観点から、現実的に利用可能と考えられる典型的な金属をシリサイド化する際の反応温度は、６００℃以下程度である。例えば、バルクのＦｅをシリサイド化する際の反応温度は３４０℃であり、バルクのＮｉをシリサイド化する際の反応温度は２５０℃である。

　しかしながら、シリサイド層１４の形成工程において、数百℃程度の熱処理を実施した場合には、先に形成された、シリサイド層１４よりも下層の基板３、アノード４、および正孔輸送層６を含む各層へのダメージが大きい。このため、本実施形態においては、金属膜とＳｉ膜とをスパッタ等により成膜し、積層体を形成した後、当該積層体を加熱してシリサイド層１４を得る工程を採用することは困難である。

　＜積層体の形成工程＞
　そこで、本実施形態においては、金属とＳｉとのナノ粒子が、バルクの状態と比較して、その融点が低下することを利用する。シリサイド層１４の形成工程においては、はじめに、各正孔輸送層６上に、シリサイド層１４の材料となる、金属ナノ粒子とＳｉナノ粒子とを積層する（ステップＳ１０）。

　ステップＳ１０について、図５を用いてより詳細に説明する。図５は、ステップＳ１０により形成される積層体１８Ａの概略断面図である。図５においては、積層体１８Ａの断面のみを抜き出して示しているが、図に向かって下側を、表示デバイス１の基板３側としている。

　図５に示すように、積層体１８Ａは、金属ナノ粒子２０が複数配列した金属ナノ粒子層２２と、Ｓｉナノ粒子２４が複数配列したＳｉナノ粒子層２６とを、互いに接するように積層して含む。特に、積層体１８Ａは、正孔輸送層６側に、金属ナノ粒子層２２を含む。金属ナノ粒子２０は、シリサイド１６に含まれる金属のナノ粒子であり、Ｓｉナノ粒子２４は、Ｓｉのナノ粒子である。なお、金属ナノ粒子層２２中の金属ナノ粒子２０と、Ｓｉナノ粒子層２６中のＳｉナノ粒子２４とのそれぞれは、図５に示すように、規則的な配列でなくともよい。

　金属ナノ粒子層２２は、金属ナノ粒子２０を含むコロイド溶液を、正孔輸送層６上に塗布することにより形成してもよい。また、Ｓｉナノ粒子層２６は、金属ナノ粒子層２２の形成後、Ｓｉナノ粒子２４を含むコロイド溶液を、金属ナノ粒子層２２上に塗布することにより形成してもよい。金属ナノ粒子層２２およびＳｉナノ粒子層２６の形成工程においては、各コロイド溶液の塗布に次いで、当該コロイド溶液に対し、例えば、５０℃にて１０分間加熱する熱処理を行うことにより、当該コロイド溶液の溶媒を揮発させてもよい。

　＜ナノ粒子の粒径とナノ粒子の融点との関係＞
　図５に示すように、金属ナノ粒子２０は、粒径Ｒ２０を有し、Ｓｉナノ粒子２４は、粒径Ｒ２４を有する。ここで、粒径Ｒ２０および粒径Ｒ２４は、後述する理由から、５０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

　一般に、ナノ粒子がシリサイド化する際の反応温度は、ナノ粒子の融点に依存する。さらに、一般に、ナノ粒子の融点は、当該ナノ粒子の粒径にも依存している。図６は、ナノ粒子の融点と、当該ナノ粒子の粒径との関係を示すグラフである。図６において、横軸はナノ粒子の粒径をとり、縦軸は、ナノ粒子の融点を、当該ナノ粒子の元素がバルクである場合における融点にて割った値をとる。換言すれば、縦軸は、バルクの部材の融点に対する、当該部材のナノ粒子の融点の割合をとる。

　なお、図６における縦軸における値は、種々の金属のナノ粒子の融点と、当該金属のバルクの融点との割合を示している。ここで、当該割合は、金属の種類によらず、ナノ粒子の粒径に依存する。このため、図６に示す関係は、金属全般に適用が可能である。

　ナノ粒子の粒径が５０ｎｍよりも大きい場合、当該ナノ粒子の融点は、その粒径に関わらず、大きくは変化していない。しかしながら、ナノ粒子の粒径が５０ｎｍ以下である場合、粒径が小さい程、当該ナノ粒子の融点が、バルクの融点と比較して大きく下がることが明らかである。さらに、ナノ粒子の粒径が２０ｎｍ以下である場合、当該ナノ粒子の融点は、バルクの融点の約５０パーセント以下となり、ナノ粒子の粒径が１０ｎｍ以下である場合、当該ナノ粒子の融点は、バルクの融点の約２０パーセント以下となる。

　このため、粒径Ｒ２０および粒径Ｒ２４が５０ｎｍ以下である場合、金属ナノ粒子２０とＳｉナノ粒子２４との融点を低下させることができ、ひいては、金属ナノ粒子２０とＳｉナノ粒子２４とのシリサイド化に必要な反応温度を低下させることができる。さらに、粒径Ｒ２０および粒径Ｒ２４が２０ｎｍ以下である場合、金属ナノ粒子２０とＳｉナノ粒子２４とのシリサイド化に必要な反応温度をさらに低下させ、積層体１８Ａより下層の構造へのダメージを十分に低下させることができる。

　＜シリサイド化工程＞
　ステップＳ１０に次いで、積層体１８Ａに対し熱処理を行い、金属ナノ粒子２０とＳｉナノ粒子２４とをシリサイド化して、シリサイド１６を形成することにより、シリサイド層１４を形成する（ステップＳ１２）。ここで、例えば、粒径Ｒ２０および粒径Ｒ２４が、２５ｎｍ以下である場合、積層体１８Ａに対し、１００℃程度にて３０分から６０分の熱処理を行うことにより、シリサイド１６を含むシリサイド層１４を形成することが可能である。

　ここで、本実施形態において、積層体１８Ａの加熱工程において、積層体１８Ａが含む金属ナノ粒子層２２は、Ｓｉナノ粒子層２６よりも正孔輸送層６側に位置している。このため、ステップＳ１２においては、金属ナノ粒子２０は、Ｓｉナノ粒子２４よりも正孔輸送層６に位置する状態において、シリサイド化が進行する。したがって、シリサイド層１４は、シリサイド１６それぞれの分子の金属元素の位置が、Ｓｉ元素の位置よりも、正孔輸送層６側となるように形成される。

　図７のグラフは、積層体１８Ａから形成されたシリサイド層１４において、正孔輸送層６からの厚み方向の位置と、当該位置における元素の濃度との関係の例を示すグラフである。図７のグラフにおいて、金属元素を実線にて、Ｓｉ元素を点線にて示す。また、図７のグラフにおいて、縦軸を、シリサイド層１４の正孔輸送層６からの厚み方向の位置をとり、縦軸を、当該位置における各元素の濃度をとる。

　図７のグラフが示す通り、シリサイド層１４における金属濃度は、正孔輸送層６側が発光層８側と比較して高く、正孔輸送層６側から発光層８側に向かって、次第に減少している。一方、シリサイド層１４におけるＳｉ濃度は、正孔輸送層６側が発光層８側と比較して低く、正孔輸送層６側から発光層８側に向かって、次第に増大している。

　＜シリサイドが含む金属元素＞
　ここで、シリサイド層１４のシリサイド１６が含む金属元素の種類について説明する。シリサイド１６が含む金属元素によって、シリサイド１６の極性の有無、および当該極性により生じる双極子モーメントの方向は変化する。シリサイド１６が含む金属元素と、当該シリサイド１６の双極子モーメントの方向との関係について、以下の表１を参照して説明を行う。

　表１において、「元素」の欄は、各金属元素の種類を示す。「元素」の欄においては、各金属元素の周期表における族を、旧ＣＡＳ方式によって併せて示す。「ｄ軌道電子」の欄は、各金属元素の最外殻のｄ軌道に含まれる電子の個数を示すｎおよびｍを自然数として、例えば、最外殻におけるｄ軌道がｎｄ軌道であり、当該ｎｄ軌道にｍ個の電子が含まれる金属元素の場合、「ｄ軌道電子」の欄には、「ｎｄｍ」と記載する。「電気陰性度」の欄は、各金属元素の電気陰性度を示す。「融点［℃］」の欄は、各金属元素のバルクの状態における融点を、摂氏表記にて示す。「シリサイド」の欄は、各金属元素をシリサイド化し、シリサイドを形成した際に、当該シリサイドが取り得る化学量論組成を示す。「双極子モーメントの向き」の欄は、各金属元素を含むシリサイドが極性を有する場合における、当該シリサイドの双極子モーメントの向きを示す。「双極子モーメントの向き」の欄に、「Ｍ→Ｓｉ」と記載する場合、シリサイドの双極子モーメントの向きは、金属元素からＳｉ元素に向かう方向である。また、「Ｍ←Ｓｉ」と記載する場合、シリサイドの双極子モーメントの向きは、Ｓｉ元素から金属元素に向かう方向である。シリサイドが極性を有さない金属元素の場合、「双極子モーメントの向き」の欄は空欄である。なお、表１には、参考までに、Ｓｉ元素の電気陰性度およびバルクの状態における融点を記載している。

　表１に示す金属元素のうち、IＶＢ族（４族）、ＶＢ族（５族）、およびＶIＢ族（６族）の元素は、何れも、シリサイドが極性を有していない。一方、表１に示す金属元素のうち、ＶIIIＢ族（８族、９族および１０族）の元素は、何れも、シリサイドが極性を有する。これは、IＶＢ族（４族）、ＶＢ族（５族）、およびＶIＢ族（６族）の金属元素の最外殻のｄ軌道の電子数が５個以下であり、ＶIIIＢ族（８族、９族および１０族）の金属元素の最外殻のｄ軌道の電子数が６個以上であることが起因している。

　１つの金属原子の最外殻が含むｄ電子が５個以下である場合、当該金属をシリサイド化した際、最外殻のｄ電子は全て結合軌道に収容されるため、良導体となり、極性は生じない。しかしながら、１つの金属原子の最外殻が含むｄ電子が６個以上である場合、当該金属をシリサイド化した際、最外殻のｄ電子が含む電子の一部が反結合軌道に収容される。反結合軌道に電子を収容したシリサイドには、バンドギャップが形成され、分子内に電子雲の偏りが生じるために、極性が生じる。

　また、極性を有するシリサイドの、双極子モーメントの方向は、当該シリサイドが含む金属元素とＳｉとの電気陰性度の差によって決定される。電気陰性度は、元素の電子を引き寄せる度合いに相当し、電気陰性度が高い元素ほど電子を引き寄せやすい。このため、Ｓｉよりも電気陰性度が低い金属元素のシリサイドは、当該金属元素よりもＳｉに分子内の電子が引き寄せられるため、双極子モーメントの向きは、Ｓｉから金属元素への方向となる。対して、Ｓｉよりも電気陰性度が高い金属元素のシリサイドは、Ｓｉよりも当該金属元素に分子内の電子が引き寄せられるため、双極子モーメントの向きは、金属元素からＳｉへの方向となる。

　本実施形態においては、図１に示す通り、シリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄの向きは、発光層８から正孔輸送層６に向かう方向である。加えて、本実施形態におけるステップＳ１２において熱処理を行う積層体１８Ａは、金属ナノ粒子２０をＳｉナノ粒子２４よりも正孔輸送層６側に含む。このため、積層体１８Ａに熱処理を行い形成したシリサイド１６は、正孔輸送層６側において、金属ナノ粒子２０由来の金属濃度が、Ｓｉナノ粒子２４由来のＳｉ濃度よりも高い。

　以上から、図１に示す、発光層８から正孔輸送層６への方向に、双極子モーメント１６Ｄの向きを有するシリサイド１６を、積層体１８Ａから形成するためには、金属ナノ粒子２０が含む金属元素の電気陰性度が、Ｓｉ元素の電気陰性度よりも低い必要がある。ゆえに、表１を参照すると、積層体１８Ａの金属ナノ粒子層２２が含む金属元素には、Ｆｅ、Ｃｏ、またはＮｉのうちの少なくとも１種を採用することができる。なお、Ｎｉは、電気陰性度がＳｉとほぼ同一であり、特に、ＳｉよりもＮｉの方が、若干電気陰性度が高い。しかしながら、一般に、Ｎｉのシリサイドについては、双極子モーメントの方向がＳｉからＮｉへと向かう方向となることが知られている。

　Ｆｅ、Ｃｏ、またはＮｉは、他のＶIIIＢ族（８族、９族および１０族）の金属元素と比較して、低融点である。このことから、シリサイド１６が含む金属元素が、Ｆｅ、Ｃｏ、またはＮｉであることは、積層体１８Ａのシリサイド化に必要な反応温度を低下させ、シリサイド層１４よりも下層へのダメージを低減する観点から好ましい。また、シリサイド１６が含む金属元素が、Ｆｅ、Ｃｏ、またはＮｉであることは、シリサイド層１４を形成するためのコストの低減の観点、および、環境配慮の観点からも好ましい。

　＜積層体の変形例＞
　なお、ステップＳ１０において形成される積層体の構成は、図５に示す積層体１８Ａの構成に限定されない。ステップＳ１０において形成される積層体の他の構成の例を、図８を参照して説明する。図８は、ステップＳ１０により形成される積層体の他の例である、積層体１８Ｂの概略断面図である。図８においては、積層体１８Ｂの断面のみを抜き出して示しているが、図に向かって下側を、表示デバイス１の基板３側としている。

　図８に示すように、積層体１８Ｂは、金属ナノ粒子層２２よりも正孔輸送層６側に、Ｓｉナノ粒子層２６を含む。積層体１８Ｂが含む金属ナノ粒子層２２およびＳｉナノ粒子層２６のそれぞれは、積層体１８Ａが含む金属ナノ粒子層２２およびＳｉナノ粒子層２６のそれぞれと同一の構成を有していてもよい。

　図９のグラフは、積層体１８Ｂから形成されたシリサイド層１４において、正孔輸送層６からの厚み方向の位置と、当該位置における元素の濃度との関係の例を示すグラフである。図９のグラフにおいても、図７のグラフと同じく、金属元素を実線にて、Ｓｉ元素を点線にて示す。また、図９のグラフにおいても、図７のグラフと同じく、縦軸を、シリサイド層１４の正孔輸送層６からの厚み方向の位置をとり、縦軸を、当該位置における各元素の濃度をとる。

　図９のグラフが示す通り、シリサイド層１４における金属濃度は、正孔輸送層６側が発光層８側と比較して低く、正孔輸送層６側から発光層８側に向かって、次第に増大している。一方、シリサイド層１４におけるＳｉ濃度は、正孔輸送層６側が発光層８側と比較して高く、正孔輸送層６側から発光層８側に向かって、次第に減少している。

　積層体１８Ｂは、金属ナノ粒子２０をＳｉナノ粒子２４よりも正孔輸送層６側に含む。このため、ステップＳ１２において積層体１８Ｂに熱処理を行い形成したシリサイド１６は、正孔輸送層６側において、金属ナノ粒子２０由来の金属濃度が、Ｓｉナノ粒子２４由来のＳｉ濃度よりも低い。

　以上から、図１に示す、発光層８から正孔輸送層６への方向に、双極子モーメント１６Ｄの向きを有するシリサイド１６を、積層体１８Ｂから形成するためには、金属ナノ粒子２０が含む金属元素の電気陰性度が、Ｓｉ元素の電気陰性度よりも高い必要がある。ゆえに、表１を参照すると、積層体１８Ｂの金属ナノ粒子層２２が含む金属元素には、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、または、Ｐｔのうちの少なくとも１種を採用することができる。

　＜シリサイド層形成工程の他の例＞
　本実施形態において、シリサイド層１４を形成する方法は、上述したステップＳ１０およびステップＳ１２を順に実行する手法に限られない。例えば、シリサイド層１４は、予めシリサイド１６を別工程において形成し、当該シリサイド１６を材料としたスパッタ法により、正孔輸送層６上にシリサイド１６の薄膜を形成することにより得られてもよい。

　この場合、シリサイド１６の分子の方向を制御することは困難となるため、シリサイド層１４が含むシリサイド１６の方向は無作為に決定される。このため、上記手法により形成されるシリサイド層１４は、シリサイド１６の極性の有無に関わらず、全体としては略無極性の層となる。

　シリサイド層１４は、シリサイド１６を材料としたスパッタ法により成膜する場合、上述した、金属ナノ粒子層２２とＳｉナノ粒子層２６とに対する、シリサイド化のための熱処理が不要となる。このため、上記手法を採用することにより、シリサイド層１４の形成工程が簡素となり、さらに、上記熱処理による、シリサイド層１４より下層へのダメージが低減される。

　また、ステップＳ１０において形成される金属ナノ粒子層２２が含む金属ナノ粒子２０は、表１に示すIＶＢ族（４族）、ＶＢ族（５族）、およびＶIＢ族（６族）の金属元素のナノ粒子であってもよい。この場合、ステップＳ１２により形成されたシリサイド１６は、何れも略無極性となるため、当該シリサイド１６を含むシリサイド層１４は、全体として略無極性の層となる。

　さらに、本実施形態における積層体１８Ａまたは積層体１８Ｂは、Ｓｉナノ粒子層２６に代えて、ＳｉＯ_２のナノ粒子を複数含む、ＳｉＯ_２のナノ粒子層を備えていてもよい。この場合、ステップＳ１２における熱処理によって、ＳｉＯ_２のナノ粒子のＯが離脱し、シリサイド１６には、ＳｉＯ_２のナノ粒子由来のＳｉのみが残存する。したがって、上述と同一の手法により、ＳｉＯ_２のナノ粒子と金属ナノ粒子との積層体から、上述したシリサイド層１４を得ることができる。

　＜発光素子の発光層からカソードまでの製造方法＞
　シリサイド層１４の形成に次いで、発光層８を形成する（ステップＳ１４）。発光層８は、例えば、メタルマスクを用いた蒸着法、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ、あるいは、リフトオフ法等を含む、従来公知の手法により形成されてもよい。表示デバイス１が、互いに発光色が異なる発光素子２を備える場合、発光素子２の発光色ごとに、発光層８の形成工程を、発光色ごとに、当該発光層８の形成位置と、発光層８の材料とを変更しつつ、繰り返し実行してもよい。

　次いで、電子輸送層１０を形成する（ステップＳ１６）。電子輸送層１０は、使用する材料を除き、正孔輸送層６と同一の手法により形成されてもよい。次いで、カソード１２を形成する（ステップＳ１８）。カソード１２は、複数のサブ画素に共通して形成する点を除き、アノード４と同一の手法により形成されてもよい。ただし、サブ画素ごとにカソード１２への電圧印加が可能である場合、カソード１２は、アノード４と同じく、発光素子２ごとに、個別に形成してもよい。

　以上により、本実施形態に係る発光素子２が形成され、表示デバイス１の製造工程が完了する。なお、カソード１２の形成工程より以降、スパッタ法等によるキャッピングレイヤの形成、あるいは、ＣＶＤ法または塗布による封止層の形成等を実行してもよい。

　＜シリサイド層によるキャリアトラップの低減＞
　本実施形態に係る発光素子が奏する効果を、比較形態に係る発光素子と比較することにより説明する。図１０は、比較形態に係る発光素子２Ａの概略断面図であり、図１の概略断面図と対応する位置における断面を示す。比較形態に係る発光素子２Ａは、本実施形態に係る発光素子２と比較して、シリサイド層１４を備えず、正孔輸送層６と発光層８とが直接接する点を除き、同一の構成を備える。

　比較形態においては、正孔輸送層６と発光層８とが直接接している。ここで、正孔輸送層６と発光層８との界面部分には、通常、界面準位が形成される。したがって、比較形態に係る発光素子２Ａの、正孔輸送層６と発光層８との界面には、キャリアトラップが生じる。当該キャリアトラップには、アノード４から輸送されてきた正孔がトラップされる場合がある。これにより、比較形態に係る発光素子２Ａにおいては、発光層８に輸送される正孔の濃度が低減し、発光層８におけるキャリアバランスが悪化する場合がある。

　対して、本実施形態に係る発光素子は、正孔輸送層６と発光層８との間に、シリサイド層１４を備えている。シリサイド層１４は、金属ナノ粒子層２２とＳｉナノ粒子層２６とを、低温にて熱処理し、シリサイド化することにより形成される。このため、シリサイド層１４が有するシリサイド１６は、安定した準位を有する。このため、シリサイド１６を含むシリサイド層１４は、接触する正孔輸送層６および発光層８との界面に生じた準位を不活性化することができる。

　また、シリサイド層１４が、シリサイド１６を材料としたスパッタ法により形成した場合、シリサイド１６を緻密に含み、準位が安定したシリサイド層１４が得られる。このため、シリサイド層１４が、シリサイド１６を材料としたスパッタ法により形成した場合においても、当該シリサイド層１４は、接触する正孔輸送層６および発光層８との界面に生じた準位を不活性化することができる。

　このため、本実施形態に係る発光素子２は、正孔輸送層６とシリサイド層１４との界面、および、シリサイド層１４と発光層８との界面に生じるキャリアトラップを低減し、発光層８への正孔注入の効率を改善する。したがって、本実施形態に係る発光素子２は、発光層８へのキャリアの注入効率を改善できるため、素子全体としての発光効率を改善できる。

　上記発光効率が改善された発光素子２を複数含む表示デバイス１は、当該発光素子２により、より効率的に表示を行うことが可能となるため、消費電力を低減する。また、表示デバイス１は、発光素子２の発光効率が改善されるために、各発光素子２に印加する電圧を低減しつつ、高輝度の表示を行うことができる。したがって、表示デバイス１は、当該発光素子２を高い電圧にて駆動することに伴う当該発光素子２の寿命の短縮を低減できる。

　＜シリサイド層の構造＞
　シリサイド層１４が、金属ナノ粒子層２２とＳｉナノ粒子層２６との熱処理により形成する場合、金属ナノ粒子層２２とＳｉナノ粒子層２６とは、略完全にシリサイド化されていてもよい。この場合、シリサイド層１４は、シリサイド１６の連続膜となる。これにより、当該シリサイド層１４は、正孔輸送層６と発光層８とが、シリサイド１６を介することなく直接接することを効率よく低減する。したがって、シリサイド１６の連続膜であるシリサイド層１４は、正孔輸送層６と発光層８との間に形成されるキャリアトラップをより効率よく低減する。

　また、シリサイド層１４が、シリサイド１６のスパッタにより形成されている場合、当該シリサイド層１４は、柱状構造、または、粒状構造のシリサイド１６を含んでいてもよい。

　シリサイド層１４を、シリサイド１６のスパッタにより形成する際、正孔輸送層６上に飛来したシリサイド１６のエネルギーが大きい場合、正孔輸送層６上にシリサイド１６が到達した後においても、当該シリサイド１６が、正孔輸送層６上を比較的長く移動する。シリサイド１６が、正孔輸送層６上を長く移動するほど、シリサイド１６は、正孔輸送層６上のより安定した位置に取り込まれることとなる。

　具体的には、シリサイド１６が、正孔輸送層６上を長く移動した場合、当該シリサイド１６は、成膜中のシリサイド層１４の欠陥に優先的に取り込まれる。換言すれば、シリサイド１６が、正孔輸送層６上を長く移動するほど、シリサイド層１４の欠陥が低減し、より緻密なシリサイド層１４が形成される。

　ここで、正孔輸送層６上に飛来したシリサイド１６のエネルギーが大きい条件下において形成されたシリサイド層１４は、柱状構造、または、粒状構造のシリサイド１６を含むことが一般に知られている。このため、柱状構造、または、粒状構造のシリサイド１６を含むシリサイド層１４は、欠陥が低減した緻密な膜となる。したがって、キャリアトラップが生じ得る欠陥が低減するために、柱状構造、または、粒状構造のシリサイド１６を含むシリサイド層１４は、正孔輸送層６から発光層８への正孔の輸送効率を向上させる。

　なお、シリサイド層１４のシリサイド１６の具体的構造、極性の有無、および、双極子モーメント１６Ｄの方向は、例えば、ＣＢＥＤ法（収束電子線回折法）により、シリサイド層１４を透過した電子線の回折像を得ることにより検証することが可能である。ＣＢＥＤ法は、試料上に電子線を収束させ、回折像を得る、透過型電子顕微鏡のモードの一つである。電子線がシリサイド層１４を透過した場合、当該電子線の回折像は、シリサイド層１４の電子の密度分布に依存する変調を受ける。このため、当該回折像は、シリサイド層１４の電子密度に応じたコントラストを有する。よって、当該回折像のコントラストを解析することにより、シリサイド層１４の双極子モーメントに対応する電子密度分布を知ることができる。なお、ＣＢＥＤ法により得られる透過電子線の回折像はシリサイド分子の格子長に相当する分解能を有する。このため、ＣＢＥＤ法により、シリサイド層１４の断面像を得ることが可能である。

　＜シリサイドの極性が奏する効果＞
　本実施形態に係る発光素子がさらに奏する効果を、図１１と図１２とを参照することにより説明する。

　図１１のエネルギーバンドダイヤグラム１１１は、比較形態に係る発光素子２Ａの、正孔輸送層６と発光層８との概略のエネルギーバンドの状態を示す図である。比較形態においては、正孔輸送層６と発光層８とが互いに接触する。このため、エネルギーバンドダイヤグラム１１１に示すように、正孔輸送層６と発光層８とのフェルミ準位ｆが一致するように、正孔輸送層６と発光層８とのエネルギーバンドには曲りが生じる。

　当該エネルギーバンドの曲りは、正孔輸送層６と発光層８とが含むキャリアの移動により生じる。具体的に、正孔輸送層６においては、発光層８との界面付近に電子が移動し、発光層８においては、正孔輸送層６との界面付近に正孔が移動する。

　ここで、正孔輸送層６と発光層８との概略の電荷分布、および当該電荷分布により、正孔輸送層６と発光層８とに生じる概略の電位は、図１１のグラフ１１２およびグラフ１１３に示す通りとなる。グラフ１１２は、比較形態に係る正孔輸送層６および発光層８における概略の電荷分布を示すグラフであり、グラフ１１３は、比較形態に係る正孔輸送層６および発光層８に生じる概略の電界の強度を示すグラフである。

　グラフ１１２およびグラフ１１３は、横軸に、アノード４側からの、発光素子２の各層の厚み方向の位置をとる。グラフ１１２は、縦軸に、当該位置における電荷の量を示し、正孔が分布する場合には正、電子が分布する場合には負の値をとる。グラフ１１３は、縦軸に、当該位置に生じる電界の強度を、発光層８から正孔輸送層６への方向を正としてとる。なお、グラフ１１２およびグラフ１１３の横軸の各位置は、エネルギーバンドダイヤグラム１１１に示す各位置と対応している。

　グラフ１１２に示すように、正孔輸送層６における、発光層８との界面付近に移動した電子の電荷の総量と、発光層８における、正孔輸送層６との界面付近に移動した正孔の電荷の総量とは略一致する。しかしながら、発光層８における、正孔輸送層６との界面からの正孔分布の広がりは、正孔輸送層６における、発光層８との界面からの電子分布の広がりよりも広い。これは、正孔輸送層６のキャリア密度が発光層８のキャリア密度に比べて高く、一方、発光層８が真性に近いことによる。

　このため、グラフ１１３に示す通り、正孔輸送層６における、発光層８との界面付近に生じる、正孔輸送層６から発光層８への方向の電界強度が高くなる。これに伴い、エネルギーバンドダイヤグラム１１１に示すように、正孔輸送層６の、発光層８との界面におけるバンドギャップは、エネルギーの低値側に大きく曲りが生じる。

　したがって、比較形態に係る発光素子２Ａにおいては、正孔輸送層６と発光層８との界面における、正孔輸送層６から発光層８への正孔注入の障壁が高くなる。ゆえに、比較形態に係る発光素子２Ａにおいては、発光層８への正孔注入の効率が低下し、発光層８における正孔の濃度が低下することにより、発光層８におけるキャリアバランスが悪化し、発光素子２Ａの発光効率の低下につながる。

　図１２のエネルギーバンドダイヤグラム１２１は、本実施形態に係る発光素子２の、正孔輸送層６と発光層８との概略のエネルギーバンドの状態を示す図である。グラフ１２２は、本実施形態に係る正孔輸送層６、シリサイド層１４、および発光層８における概略の電荷分布を示すグラフである。グラフ１２３は、本実施形態に係る正孔輸送層６、シリサイド層１４、および発光層８に生じる概略の電界の強度を示すグラフである。

　なお、本実施形態においては、正孔輸送層６と発光層８との間にシリサイド層１４が存在する。このため、エネルギーバンドダイヤグラム１２１、グラフ１２２、およびグラフ１２３においては、説明の都合上、正孔輸送層６と発光層８との間に、シリサイド層１４に相当する空間を示している。また、グラフ１２２およびグラフ１２３のそれぞれにおける各軸の定義は、グラフ１１２およびグラフ１１３のそれぞれにおける各軸の定義と対応する。

　本実施形態において、シリサイド層１４が含むシリサイド１６は、当該シリサイド１６が有する双極子モーメント１６Ｄの方向が、発光層８から正孔輸送層６への方向となるように形成されている。このため、シリサイド１６は、電子雲が正に片寄った側が正孔輸送層６側に、電子雲が負に片寄った側が発光層８側になるように形成されている。

　これに伴い、正孔輸送層６の、発光層８側に移動した電子と、シリサイド１６の、正孔輸送層６側の正に片寄った電子雲との間において、実効的に電荷の打消しが生じる。このため、グラフ１２２に示すように、正孔輸送層６における発光層８との界面付近、および、発光層８における正孔輸送層６との界面付近に生じる実効的な電荷量は、比較形態と比較して何れも低下する。

　これに伴い、グラフ１２３に示すように、正孔輸送層６における、発光層８との界面付近に生じる、正孔輸送層６から発光層８への方向の電界強度が、比較形態と比較して低くなる。したがって、エネルギーバンドダイヤグラム１２１に示すように、正孔輸送層６の、発光層８との界面におけるバンドギャップの、エネルギーの低値側への曲りについても、比較形態と比較して低減される。結果として、上記構成においては、正孔輸送層６から発光層８への、正孔注入の障壁が低くなる。

　したがって、本実施形態に係る発光素子２においては、正孔輸送層６と発光層８との界面における、正孔輸送層６から発光層８への正孔注入の障壁が低くなる。ゆえに、本実施形態に係る発光素子２においては、発光層８への正孔注入の効率が改善し、発光層８における正孔の濃度が上昇し、発光素子２の発光効率が改善する。

　なお、シリサイド層１４の一部のシリサイド１６が極性を有している場合、シリサイド１６の極性の向きが制御されず、方向が無作為に決定される場合がある。この場合においても、当該シリサイド層１４に強い外部電界を掛けることにより、シリサイド１６の自発分極により、シリサイド１６が整列する。これにより、一部のシリサイド１６が極性を有しているシリサイド層１４においても、発光素子２を高電圧にて駆動した際には、発光層８への正孔注入の効率を改善する効果が得られる。したがって、一部のシリサイド１６が極性を有しているシリサイド層１４を備えた発光素子２は、高輝度駆動する際の発光効率を改善する。
＜補記＞
　シリサイド１６の分子構造が、上述したように、Ｍを金属元素とし、実数ｘを用いて、ＭＳｉ_ｘと表される構造を有し、当該シリサイド１６の化学量論組成が、ＭＳｉである場合、０．８≦ｘ≦１．２であってもよい。また、当該シリサイド１６の化学量論組成が、ＭＳｉ_２である場合、１．６≦ｘ≦２．４であってもよい。

　シリサイド１６の分子が含むある元素の量が、化学量論組成の±２０パーセントを超える場合、当該シリサイド１６が含む金属およびＳｉによる導電性が影響し、極性を有さないシリサイド１６が形成される場合がある。したがって、ｘの値が上述した範囲である場合、極性を有さないシリサイド１６の形成を低減できる。

　また、シリサイド層１４の膜厚は２０ｎｍ以下であってもよい。これにより、発光素子２全体の電気抵抗の上昇が低減される。さらに、シリサイド層１４のシリサイド１６が無極性である場合、シリサイド層１４の膜厚は５ｎｍ以下であってもよい。この場合、シリサイド層１４のシリサイド１６の極性による、発光層８へのキャリアの注入障壁の低減効果がなくとも、キャリアはシリサイド層１４をトンネル効果によって効率的に通過することができる。

　また、図７または図９に示すように、シリサイド層１４における金属濃度およびＳｉ濃度は、膜厚方向の位置によって異なっていてもよい。この場合、各位置における金属濃度およびＳｉ濃度を適切に設計することにより、シリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄの方向を、より効率よく制御することができる。

　〔実施形態２〕
　＜双極子モーメントの反転＞
　図１３は、本実施形態に係る発光素子２および当該発光素子２の周囲の断面を拡大して示す概略断面図であり、図１に示す断面と対応する位置における断面図である。なお、本明細書において、同一の機能を有する各部材には、同一の名称および参照符号を付し、構成の差異がない限り、同じ説明は繰り返さない。

　本実施形態に係る表示デバイス１は、前実施形態に係る表示デバイス１と比較して、発光素子２のシリサイド層１４が含むシリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄの方向が異なっている。特に、本実施形態において、極性を有するシリサイド１６の少なくとも一つは、分子内の電子雲がマイナスに片寄った側が、正孔輸送層６側となるように位置している。換言すれば、当該シリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄの方向が、正孔輸送層６から発光層８へ向かう方向である。

　特に、本実施形態において、シリサイド層１４が含むシリサイド１６の過半数は、正孔輸送層６から発光層８へ向かう方向の双極子モーメント１６Ｄを有している。このために、シリサイド層１４は、全体として、正孔輸送層６から発光層８へ向かう方向の双極子モーメントを有している。

　上記を除き、本実施形態に係る表示デバイス１は、前実施形態に係る表示デバイス１と同一の構成を備えている。

　本実施形態に係る表示デバイス１は、前実施形態に係る表示デバイス１の製造方法と同一の製造方法によって製造される。ただし、本実施形態においては、ステップＳ１０において積層体１８Ａを形成する場合、金属ナノ粒子２０は、例えば、表１のIＶＢ族（４族）、ＶＢ族（５族）、およびＶIＢ族（６族）の金属元素から選択される。また、本実施形態においては、ステップＳ１０において積層体１８Ｂを形成する場合、金属ナノ粒子２０は、例えば、表２のＶIIIＢ族（８族、９族および１０族）の金属元素から選択される。これにより、前実施形態におけるシリサイド層１４の形成方法と同一の方法により、正孔輸送層６から発光層８へ向かう方向の双極子モーメント１６Ｄを有するシリサイド１６を備えたシリサイド層１４が形成できる。

　本実施形態においても、シリサイド層１４のシリサイド１６の準位が安定しているために、本実施形態に係る発光素子２は、正孔輸送層６とシリサイド層１４との界面、および、シリサイド層１４と発光層８との界面に生じるキャリアトラップを低減する。したがって、本実施形態に係る発光素子２は、発光層８への正孔注入の効率を改善し、素子全体としての発光効率を改善できる。

　さらに、本実施形態に係る発光素子２は、前実施形態に係る発光素子２と異なり、シリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄが、正孔輸送層６から発光層８へ向かう方向である。このため、前実施形態における図１２を参照して説明した事情から、本実施形態に係る発光素子２は、正孔輸送層６から発光層８への正孔注入の障壁が増大している。

　発光素子２の設計によっては、カソード１２から発光層８への電子輸送の効率が低く、発光層８における正孔の濃度が高くなり、発光層８におけるキャリアバランスが崩れる場合が考えられる。この場合、正孔輸送層６から発光層８への正孔注入の障壁が増大することにより、発光層８における正孔の濃度が低くなり、電子の濃度とのバランスが改善する。したがって、本実施形態に係る発光素子２は、発光層８における正孔過多を軽減し、キャリアバランスを改善することにより、発光効率を改善する。

　本実施形態において、シリサイド層１４が、金属ナノ粒子層２２とＳｉナノ粒子層２６との熱処理により形成する場合、金属ナノ粒子層２２とＳｉナノ粒子層２６とは、その一部のみがシリサイド化されていてもよい。特に、シリサイド層１４において、金属ナノ粒子層２２とＳｉナノ粒子層２６とは、発光層８または電子輸送層１０との少なくとも一方と接する位置において、シリサイド化されていてもよい。当該構成により、少なくとも、金属ナノ粒子層２２またはＳｉナノ粒子層２６と、発光層８または電子輸送層１０とが、接する部分において、界面準位が生成されることを低減することができ、キャリアトラップの発生を低減することができる。

　この場合、シリサイド層１４は、発光層８または電子輸送層１０との少なくとも一方と接する、シリサイド１６のナノ粒子の集合構造を含む。これにより、シリサイド層１４は、発光層８または電子輸送層１０との少なくとも一方の表面を、シリサイド１６のナノ粒子が隙間なく覆うことができる。これにより、シリサイド１６のナノ粒子同士の電気的な接触が点接触となり、シリサイド１６間の電子の輸送レートが低下する。したがって、上記構成を有するシリサイド層１４は、シリサイド１６間の電子輸送の効率を低減するため、より効率的に、発光層８における正孔過多を低減できる。

　〔実施形態３〕
　＜シリサイド層の形成位置の変更例＞
　図１４は、本実施形態に係る発光素子２および当該発光素子２の周囲の断面を拡大して示す概略断面図であり、図１に示す断面と対応する位置における断面図である。

　本実施形態に係る表示デバイス１は、実施形態１に係る表示デバイス１と比較して、発光素子２の各層のうち、シリサイド層１４の形成位置が異なっている。特に、本実施形態に係る発光素子２は、発光層８と電子輸送層１０との間に形成されている。換言すれば、本実施形態において、発光層８と電子輸送層１０とは、シリサイド層１４を介して互いに隣接している。なお、本実施形態において、シリサイド層１４が含むシリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄの向きは、電子輸送層１０から発光層８に向かう方向である。

　上記を除き、本実施形態に係る表示デバイス１は、実施形態１に係る表示デバイス１と同一の構成を備えている。

　本実施形態に係る表示デバイス１の製造方法は、実施形態１に係る表示デバイス１の製造方法と比較して、ステップＳ８に次いで、ステップＳ１４を実行し、ステップＳ１４に次いで、ステップＳ１０およびステップＳ１２を実行する点が異なる。このため、ステップＳ１４においては、正孔輸送層６上に発光層８を形成し、ステップＳ１０においては、積層体１８Ａまたは積層体１８Ｂを、発光層８上に形成する。上記を除き、本実施形態に係る表示デバイス１の製造方法は、実施形態１に係る表示デバイス１の製造方法と同一の製造方法によって製造される。

　本実施形態に係る発光素子２は、発光層８と電子輸送層１０との間に、準位が安定しているシリサイド１６を含むシリサイド層１４を備えている。このために、本実施形態に係る発光素子２は、発光層８とシリサイド層１４との界面、および、シリサイド層１４と電子輸送層１０との界面に生じるキャリアトラップを低減する。

　発光素子２の設計によっては、カソード１２から発光層８への電子輸送の効率が低く、発光層８における電子の濃度が低くなり、発光層８におけるキャリアバランスが崩れる場合が考えられる。そのような場合には、本実施形態に係るシリサイド層１４により、電子輸送層１０から発光層８までに生じるキャリアトラップが低減し、電子輸送層１０から発光層８への電子輸送の効率が改善する。したがって、本実施形態に係る発光素子２は、発光層８への電子注入の効率を改善し、素子全体としての発光効率を改善できる。

　さらに、本実施形態において、シリサイド層１４が含むシリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄの向きは、電子輸送層１０から発光層８に向かう方向である。このため、実施形態１における図１２を参照して説明した事情から、本実施形態に係る発光素子２は、電子輸送層１０から発光層８への電子注入の障壁が低下している。ゆえに、本実施形態に係る発光素子２においては、発光層８への電子注入の効率が改善し、発光層８における電子の濃度が上昇し、発光素子２の発光効率が改善する。

　〔実施形態４〕
　＜インバーテッド構造＞
　図１５は、本実施形態に係る発光素子２および当該発光素子２の周囲の断面を拡大して示す概略断面図であり、図１に示す断面と対応する位置における断面図である。

　本実施形態に係る表示デバイス１は、実施形態１に係る表示デバイス１と比較して、発光素子２の各層の形成位置が異なっている。特に、本実施形態に係る発光素子２は、基板３側から順に、カソード１２と、電子輸送層１０と、シリサイド層１４と、発光層８と、正孔輸送層６と、アノード４とを順に配置して含む。このため、本実施形態において、発光層８と電子輸送層１０とは、シリサイド層１４を介して互いに隣接している。

　なお、本実施形態において、カソード１２は、発光素子２ごとに形成され、各薄膜トランジスタＴｒと電気的に接続する画素電極であり、アノード４は、複数の発光素子２に共通に形成された共通電極である。このため、本実施形態においては、各カソード１２に印加する電圧を、薄膜トランジスタＴｒにより制御することにより、各発光素子２を駆動できる。また、本実施形態において、シリサイド層１４が含むシリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄの向きは、発光層８から電子輸送層１０に向かう方向である。

　本実施形態に係る表示デバイス１の製造方法は、実施形態１に係る表示デバイス１の製造方法における各ステップの実行順序を除き、同一の手法にて製造できる。具体的に、本実施形態に係る発光素子２の製造方法おいては、図４に示す各工程を、ステップＳ２、Ｓ１８、Ｓ６、Ｓ１６、Ｓ１０、Ｓ１２、Ｓ１４、Ｓ８、およびＳ４の順に実行する。

　ここで、ステップＳ１８は、実施形態１におけるステップＳ４と同一の方法によって、カソード１２を、サブ画素ごとに島状に形成することにより実行する。また、ステップＳ４は、実施形態１におけるステップＳ１８と同一の方法によって、アノード４を、複数のサブ画素に共通して形成することにより実行する。

　本実施形態に係る発光素子２は、前実施形態に係る発光素子２と同じく、発光層８と電子輸送層１０との間に、準位が安定しているシリサイド１６を含むシリサイド層１４を備えている。このために、本実施形態に係る発光素子２は、前実施形態において説明した理由と同一の理由から、発光層８への電子注入の効率を改善し、素子全体としての発光効率を改善できる。

　さらに、本実施形態に係る発光素子２は、前実施形態に係る発光素子２と異なり、シリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄが、発光層８から電子輸送層１０へ向かう方向である。このため、実施形態１における図１２を参照して説明した事情から、本実施形態に係る発光素子２は、電子輸送層１０から発光層８への電子注入の障壁が増大している。

　本実施形態に係る発光素子２は、シリサイド層１４により、電子輸送層１０から発光層８への電子注入の障壁が増大することにより、発光層８における電子の濃度が低くなり、正孔の濃度とのバランスが改善する。したがって、本実施形態に係る発光素子２は、発光層８における電子過多を軽減し、キャリアバランスを改善することにより、発光効率を改善する。

　〔実施形態５〕
　＜シリサイド層が二層の構造＞
　図１６は、本実施形態に係る発光素子２および当該発光素子２の周囲の断面を拡大して示す概略断面図であり、図１に示す断面と対応する位置における断面図である。

　本実施形態に係る表示デバイス１は、実施形態１に係る表示デバイス１と比較して、発光素子２が、さらに、発光層８と電子輸送層１０との間に、シリサイド層２８を備えている。シリサイド層２８は、シリサイド層１４と同一の構造を備えている。特に、シリサイド層２８は、複数のシリサイド３０を含む。シリサイド３０は、シリサイド１６と同一の構成を有し、少なくとも一部のシリサイド３０は極性を有し、発光層８から電子輸送層１０への方向に双極子モーメント３０Ｄを有する。

　本実施形態に係る表示デバイス１は、前実施形態に係る表示デバイス１の製造方法と比較して、ステップＳ１４とステップＳ１６との間に、シリサイド層２８を形成する工程を含む点を除き、同一の方法にて製造される。シリサイド層２８は、シリサイド層１４とどう何時の方法にて形成される。

　本実施形態に係る発光素子２は、正孔輸送層６と発光層８との間に、準位が安定しているシリサイド１６を含むシリサイド層１４を備えている。加えて、本実施形態に係る発光素子２は、発光層８と電子輸送層１０との間に、準位が安定しているシリサイド３０を含むシリサイド層２８を備えている。このために、本実施形態に係る発光素子２は、発光層８への正孔注入と電子注入との双方の効率を改善し、素子全体としての発光効率を改善できる。

　さらに、本実施形態においては、シリサイド１６の双極子モーメント１６Ｄが、正孔輸送層６から発光層８へ向かう方向であり、シリサイド３０の双極子モーメント３０Ｄが、発光層８から電子輸送層１０へ向かう方向である。このため、本実施形態においては、正孔輸送層６から発光層８への正孔注入の障壁が下がるとともに、電子輸送層１０から発光層８への電子注入の障壁が増大する。したがって、本実施形態に係る発光素子２は、発光層８における正孔の濃度を向上させるとともに、発光層８における電子の濃度を低減する。ゆえに、本実施形態に係る発光素子２は、より効率的に発光層８における電子過多を低減し、発光層８におけるキャリアバランスを改善し、発光素子２全体の発光効率を改善する。

　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

１　　　　　　　表示デバイス
２　　　　　　　発光素子
３　　　　　　　基板
４　　　　　　　アノード
６　　　　　　　正孔輸送層
８　　　　　　　発光層
１０　　　　　　電子輸送層
１２　　　　　　カソード
１４、２８　　　シリサイド層
１６、３０　　　シリサイド
１６Ｄ、３０Ｄ　双極子モーメント
１８Ａ、１８Ｂ　積層体
２０　　　　　　金属ナノ粒子
２２　　　　　　金属ナノ粒子層
２４　　　　　　Ｓｉナノ粒子
２６　　　　　　Ｓｉナノ粒子層
Ｔｒ　　　　　　薄膜トランジスタ

Claims

　第１電極と、第１電荷輸送層と、シリサイドを含むシリサイド層と、発光層と、第２電極とを、この順に配置して備え、
　前記第１電荷輸送層と前記発光層とが、前記シリサイド層を介して互いに隣接する発光素子。
　前記シリサイド層は、柱状構造、または、粒状構造の前記シリサイドを含む請求項１に記載の発光素子。
　前記シリサイド層は、前記シリサイドの連続膜である請求項１に記載の発光素子。
　前記シリサイド層は、前記発光層および前記第１電荷輸送層の少なくとも一方と接する前記シリサイドのナノ粒子の集合構造を含む請求項１に記載の発光素子。
　少なくとも一部の前記シリサイドが極性を有する請求項１から４の何れか１項に記載の発光素子。
　前記シリサイドの少なくとも一部の双極子モーメントの方向が、前記発光層から前記第１電荷輸送層へ向かう方向である請求項５に記載の発光素子。
　前記シリサイドの少なくとも一部の双極子モーメントの方向が、前記第１電荷輸送層から前記発光層へ向かう方向である請求項５に記載の発光素子。
　前記第１電極がアノードであり、前記第２電極がカソードであり、前記第１電荷輸送層が正孔輸送層である請求項１から７の何れか１項に記載の発光素子。
　さらに、前記発光層と前記第２電極との間に、第２電荷輸送層を配置して備え、
　前記第２電荷輸送層が電子輸送層である請求項８に記載の発光素子。
　前記第１電極がカソードであり、前記第２電極がアノードであり、前記第１電荷輸送層が電子輸送層である請求項１から７の何れか１項に記載の発光素子。
　さらに、前記発光層と前記第２電極との間に、第２電荷輸送層を配置して備え、
　前記第２電荷輸送層が正孔輸送層である請求項１０に記載の発光素子。
　さらに、前記発光層と前記第２電荷輸送層との間に、前記シリサイド層をさらに備え、
　前記発光層と前記第２電荷輸送層とが、前記シリサイド層を介して互いに隣接する請求項９または１１に記載の発光素子。
　Ｍを金属元素として、前記シリサイドの分子構造が、実数ｘを用いて、ＭＳｉ_ｘと表され、
　前記シリサイドの化学量論組成がＭＳｉの場合、０．８≦ｘ≦１．２であり、前記シリサイドの化学量論組成がＭＳｉ_２の場合、１．６≦ｘ≦２．４である請求項１から１２の何れか１項に記載の発光素子。
　前記Ｍは、原子１つあたり６個以上のｄ電子を有する金属元素である請求項１３に記載の発光素子。
　前記Ｍは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、およびＰｔからなる群から少なくとも１種を含む金属元素である請求項１３または１４に記載の発光素子。
　前記Ｍは、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＣｏからなる群から少なくとも１種を含む金属元素である請求項１３または１４に記載の発光素子。
　前記シリサイド層の膜厚が２０ｎｍ以下である請求項１から１６の何れか１項に記載の発光素子。
　前記シリサイドのＳｉ濃度の分布が、前記シリサイド層の膜厚方向の位置によって異なる請求項１から１７の何れか１項に記載の発光素子。
　前記シリサイドの金属濃度の分布が、前記シリサイド層の膜厚方向の位置によって異なる請求項１から１８の何れか１項に記載の発光素子。
　前記シリサイド層が、Ｓｉナノ粒子の層と金属ナノ粒子の層とを積層した積層体に対する熱処理によって形成された請求項１から１９の何れか１項に記載の発光素子。
　前記シリサイド層が、ＳｉＯ_２ナノ粒子の層と金属ナノ粒子の層とを積層した積層体に対する熱処理によって形成された請求項１から１９の何れか１項に記載の発光素子。
　前記Ｓｉナノ粒子の粒径が５０ｎｍ以下である請求項２０に記載の発光素子。
　前記Ｓｉナノ粒子の粒径が２０ｎｍ以下である請求項２２に記載の発光素子。
　前記金属ナノ粒子の粒径が５０ｎｍ以下である請求項２０から２３の何れか１項に記載の発光素子。
　前記金属ナノ粒子の粒径が２０ｎｍ以下である請求項２４に記載の発光素子。
　複数の画素を有する表示領域を備え、
　基板と、該基板上の複数の画素のそれぞれに位置する、前記請求項１から２５の何れか１項に記載の発光素子とを備え、
　前記基板が、前記発光素子をそれぞれ駆動する複数の薄膜トランジスタを備えた表示デバイス。
　前記発光素子は、前記基板側に前記第１電極を備えた請求項２６に記載の表示デバイス。
　前記発光素子は、前記基板側に前記第２電極を備えた請求項２６に記載の表示デバイス。
　第１電極と、第１電荷輸送層と、シリサイドを含むシリサイド層と、発光層と、第２電極とを、この順に配置して備え、前記第１電荷輸送層と前記発光層とが、前記シリサイド層を介して互いに隣接する発光素子の製造方法であって、
　Ｓｉナノ粒子の層と金属ナノ粒子の層とを積層した積層体に対する熱処理により前記シリサイド層を形成するシリサイド層形成工程を含む発光素子の製造方法。
　第１電極と、第１電荷輸送層と、シリサイドを含むシリサイド層と、発光層と、第２電極とを、この順に配置して備え、前記第１電荷輸送層と前記発光層とが、前記シリサイド層を介して互いに隣接する発光素子の製造方法であって、
　ＳｉＯ_２ナノ粒子の層と金属ナノ粒子の層とを積層した積層体に対する熱処理により前記シリサイド層を形成するシリサイド層形成工程を含む発光素子の製造方法。
　前記Ｓｉナノ粒子の粒径が５０ｎｍ以下である請求項２９に記載の発光素子の製造方法。
　前記Ｓｉナノ粒子の粒径が２０ｎｍ以下である請求項３１に記載の発光素子の製造方法。
　前記金属ナノ粒子の粒径が５０ｎｍ以下である請求項２９から３２の何れか１項に記載の発光素子の製造方法。
　前記金属ナノ粒子の粒径が２０ｎｍ以下である請求項３３に記載の発光素子の製造方法。