WO2022131255A1

WO2022131255A1 - 表示装置及び電子機器

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Publication number: WO2022131255A1
Application number: PCT/JP2021/046059
Authority: WO
Inventors: 達也加納; 卓坂入; 朋芳市川
Original assignee: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date: 2020-12-18
Filing date: 2021-12-14
Publication date: 2022-06-23
Also published as: US20240040908A1; JPWO2022131255A1; CN116601693A

Abstract

色純度に優れた表示装置及び電子機器を提供する。　表示装置が、２次元的に配置された複数の第１の電極と、前記第１の電極の第１の面側に配置された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間に配置されたエレクトロルミネッセンス層と、前記第１の電極の第２の面に向かい合う反射板と、前記反射板を覆う層間膜と、隣接する前記第１の電極間に設けられ複数の開口部を有する絶縁層と、を備え、それぞれの前記開口部は、それぞれの前記第１の電極の前記第１の面上に設けられており、前記反射板、前記層間膜、前記第１の電極、前記エレクトロルミネッセンス層及び前記第２の電極が、前記エレクトロルミネッセンス層からの出射光を共振する共振器構造を形成しており、平面視上、前記開口部に対応した領域を第１の領域とし、前記第１の電極に対応した領域のうち前記第１の領域の外側に対応した領域を第２の領域とした場合に、前記共振器構造では、前記第１の領域に対応する部分の共振次数と前記第２の領域に対応する部分の共振次数とが異なっている。

Description

表示装置及び電子機器

　本開示は、表示装置及びそれを用いた電子機器に関する。

　エレクトロルミネッセンス層を備えた表示装置（以下、単に表示装置と呼ぶ）における光取出し効率を向上させる技術として、例えば特許文献１に示されるように、反射板と層間膜と２次元的に複数配置された複数の透明電極とエレクトロルミネッセンス層と半透過電極とをこの順に備えた共振器構造が知られている。共振器構造では、エレクトロルミネッセンス層からの出射光が共振される。

特開２０１４－２３５９５９号公報

　共振器構造を有する表示装置では、サブ画素で取り出したい光の色とは異なる色の光がサブ画素の周縁部分で取り出されてしまう問題を抑制することが要請されている。したがって、共振器構造を有する表示装置では、色純度の向上の点で改善の余地がある。

　本開示は、上述した点に鑑みてなされたものであり、色純度に優れた表示装置及び電子機器の提供を目的の一つとする。

　本開示は、例えば、（１）２次元的に配置された複数の第１の電極と、
　前記第１の電極の第１の面側に配置された第２の電極と、
　前記第１の電極と前記第２の電極の間に配置されたエレクトロルミネッセンス層と、
　前記第１の電極の第２の面に向かい合う反射板と、
　前記反射板を覆う層間膜と、
　隣接する前記第１の電極間に設けられ複数の開口部を有する絶縁層と、を備え、
　それぞれの前記開口部は、それぞれの前記第１の電極の前記第１の面上に設けられており、
　前記反射板、前記層間膜、前記第１の電極、前記エレクトロルミネッセンス層及び前記第２の電極が、前記エレクトロルミネッセンス層からの出射光を共振する共振器構造を形成しており、
　平面視上、前記開口部に対応した領域を第１の領域とし、前記第１の電極に対応した領域のうち前記第１の領域の外側に対応した領域を第２の領域とした場合に、前記共振器構造では、前記第１の領域に対応する部分の共振次数と前記第２の領域に対応する部分の共振次数とが異なっている、
　表示装置である。

　また、本開示は、（２）例えば、上記（１）記載の表示装置を備えた電子機器であってもよい。

図１は、表示装置の一実施例を説明するための断面図である。図２Ａは、表示装置の実施例の一つを説明するための平面図である。図２Ｂは、図２Ａにおける破線で囲まれた領域ＸＳの部分を拡大した部分拡大平面図である。図３は、第１の実施形態にかかる表示装置を説明するための断面図である。図４Ａ、図４Ｂは、表示装置のサブ画素のレイアウトの例を示す平面図である。図５は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例の一実施例を説明するための断面図である。図６は、第２の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。図７は、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例の一実施例を説明するための断面図である。図８は、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例の一実施例を説明するための断面図である。図９は、第３の実施形態と第４の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。図１０は、第５の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。図１１Ａ、図１１Ｂ、図１１Ｃ、図１１Ｄ、図１１Ｅ、図１１Ｆ及び図１１Ｇは、表示装置の製造方法の一実施例を説明するための断面図である。図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃ、図１２Ｄ及び図１２Ｅは、表示装置の製造方法の一実施例を説明するための断面図である。図１３Ａ、図１３Ｂは、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。図１４は、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。図１５は、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。

　以下、本開示にかかる一実施例等について図面を参照しながら説明する。なお、説明は以下の順序で行う。本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

　なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．第１の実施形態
２．第２の実施形態
３．第３の実施形態
４．第４の実施形態
５．第５の実施形態
６．製造方法
７．電子機器

　以下の説明は本開示の好適な具体例であり、本開示の内容は、これらの実施の形態等に限定されるものではない。また、以下の説明において、説明の便宜を考慮して前後、左右、上下等の方向を示すが、本開示の内容はこれらの方向に限定されるものではない。図１、図２の例では、Ｚ軸方向を上下方向（上側が＋Ｚ方向、下側が－Ｚ方向）、Ｘ軸方向を前後方向（前側が＋Ｘ方向、後ろ側が－Ｘ方向）、Ｙ軸方向を左右方向（右側が＋Ｙ方向、左側が－Ｙ方向）であるものとし、これに基づき説明を行う。これは、図３から図１２についても同様である。図１等の各図に示す各層の大きさや厚みの相対的な大小比率は便宜上の記載であり、実際の大小比率を限定するものではない。これらの方向に関する定めや大小比率については、図２から図１２の各図についても同様である。

［１　第１の実施形態］
［１－１　表示装置の構成］
　図１、図３は、本開示の一実施例である表示装置１０の一構成例を示す断面図である。表示装置１０は、駆動基板１１と、複数の反射板１３と、層間膜１４と、複数の第１の電極１５と、エレクトロルミネッセンス層と、第２の電極１８と、保護層１９とを備え、隣接する第１の電極１５間に配置された絶縁層１２を有する。以下では、エレクトロルミネッセンス層が有機ＥＬ層１７である場合を例として説明を続ける。図３は、図１の一つのサブ画素の部分を抜き出した断面図である。

　表示装置１０は、トップエミッション方式の表示装置である。表示装置１０は、駆動基板１１が表示装置１０の裏面側に位置し、駆動基板１１から有機ＥＬ層１７に向かう方向（＋Ｚ方向）が表示装置１０の表面側（表示面１０Ａ側）方向となっている。以下の説明において、表示装置１０を構成する各層において、表示装置１０の表示面１０Ａ側となる面を第１の面（上面）といい、表示装置１０の裏面側となる面を第２の面（下面）という。

（有機ＥＬ素子）
　表示装置１０では、駆動基板１１上に形成された反射板１３と、層間膜１４と、第１の電極１５と、有機ＥＬ層１７と、第２の電極１８は、有機ＥＬ素子１００を形成する。表示装置１０には、画素のレイアウトに対応して複数の有機ＥＬ素子１００が形成される。有機ＥＬ素子１００のレイアウトは、特に限定されない。図２Ａの例では複数の有機ＥＬ素子１００は、所定の２方向（図２ＡではＸ軸方向及びＹ軸方向）に二次元的に配列したレイアウトとなっている。図２Ａは、表示装置１０の表示面１０Ａの一実施例を説明するための平面図である。図２Ａにおいて、符号１０Ｂは、表示面１０Ａを取り囲む非表示部である。

（画素の構成）
　図２Ｂに示す表示装置１０の例では、１つの画素が、複数の色種に対応した複数のサブ画素の組み合わせで形成されている。この例では、複数の色種として赤色、青色、緑色の３色が定められ、サブ画素として、サブ画素１０１Ｒ、サブ画素１０１Ｇ、サブ画素１０１Ｂの３種が設けられる。サブ画素１０１Ｒ、サブ画素１０１Ｇ、サブ画素１０１Ｂは、それぞれ赤色のサブ画素、青色のサブ画素、緑色のサブ画素であり、それぞれ赤色、青色、緑色の表示を行う。図２Ａ、図２Ｂ等に示す表示装置１０の例では、サブ画素１０１Ｒ、サブ画素１０１Ｇ、サブ画素１０１Ｂに対応して、有機ＥＬ素子１００Ｒ、有機ＥＬ素子１００Ｇ、有機ＥＬ素子１００Ｂが設けられている。ただし、図２Ａ、図２Ｂ等の例は、一例であり、表示装置１０を、複数の色種に対応した複数のサブ画素を有する場合に限定するものではない。色種は１種類でもよいし、画素がサブ画素を有することなく形成されてもよい。また、赤色、緑色、青色の各色種に対応する光（それぞれ赤色光、緑色光、青色光）は、それぞれ６１０ｎｍから６５０ｎｍの範囲、５１０ｎｍから５９０ｎｍの範囲、４４０ｎｍから４８０ｎｍの波長範囲に主波長を有する光として定めることができる。

　サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂのレイアウトは、図１や図２Ｂの例では、ストライプ状のレイアウトであるが、この例に限定されない。サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂのレイアウトは、例えば、図４Ａに示すようなデルタ状のレイアウトでもよいし、図４Ｂに示すような正方配置でもよい。サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂの形状も特に限定されない。

　以下の説明では、サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂを特に区別しない場合、サブ画素１０１という語が使用される。有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを特に区別しない場合、有機ＥＬ素子１００という語が使用される。また、図面について、図３の例では、１つのサブ画素１０１と有機ＥＬ素子１００の部分を抽出して図示しているが、図１、図２Ａ、図２Ｂの例に示すように、サブ画素１０１が複数である場合、例えば、複数のサブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂが存在する場合には、複数のサブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂに対応する複数の有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂそれぞれについて、同様の構成を採用することができる。

　上記有機ＥＬ素子の構成及び上記画素の構成は、後述する第２の実施形態から第５の実施形態及びそれらにおける各変形例並びに製造方法の例についても同様である。第２の実施形態から第５の実施形態及びそれらにおける各変形例並びに製造方法についても表示装置１０は、１つの画素が、複数の色種に対応した複数のサブ画素の組み合わせで形成されてよいし、色種は１種類でもよいし、画素がサブ画素を有することなく形成されてもよい。

（駆動基板）
　駆動基板１１は、基板１１Ａに複数の有機ＥＬ素子１００を駆動する各種回路を設けている。各種回路としては、有機ＥＬ素子１００の駆動を制御する駆動回路、複数の有機ＥＬ素子１００に電力を供給する電源回路（いずれも図示せず）を例示することができる。

　基板１１Ａは、例えば、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で形成されてもよい。具体的には、基板１１Ａは、ガラス基板、半導体基板または樹脂基板等であってもよい。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。

　駆動基板１１の第１の面には、有機ＥＬ素子１００と基板１１Ａに設けられた各種回路とを接続するための複数のコンタクトプラグ（図示せず）が設けられる。

（共振器構造）
　表示装置１０には、共振器構造１０２が形成されている。共振器構造１０２は、キャビティ構造であり、後述する有機ＥＬ層１７からの出射光を共振する構造である。表示装置１０において、共振器構造１０２は、有機ＥＬ素子１００に形成されており、反射板１３、層間膜１４、第１の電極１５、有機ＥＬ層１７及び第２の電極１８が、共振器構造１０２を形成している。有機ＥＬ層１７からの出射光を共振するとは、出射光に含まれる特定波長の光を共振することを示す。

　図１から図３に示す表示装置１０の例では、有機ＥＬ層１７は、白色光を出射光としており、共振器構造１０２は、白色光に含まれる特定波長の光を共振する。このとき、有機ＥＬ層１７からの白色光のうち所定波長の光が強調される。そして、有機ＥＬ素子１００の第２の電極１８側から、所定波長の光を強調した状態で、外部に向けて光が放出される。なお、所定波長の光は、予め定められ色種に対応する光であり、サブ画素１０１に応じて定められる色種に対応する光を示す。図１から図３の例では、表示装置１０は、サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂを有し、それぞれのサブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂに応じて有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを有している。それぞれの有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂには、それぞれ共振器構造１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂが形成される。共振器構造１０２Ｒでは、有機ＥＬ層１７からの出射光のうち赤色光が共振する。有機ＥＬ素子１００Ｒの第２の電極１８からは、赤色光を強調した状態で、外部に向けて光が放出される。共振器構造１０２Ｇ、１０２Ｂについては、それぞれ有機ＥＬ層１７からの出射光のうち緑色光、青色光が共振する。有機ＥＬ素子１００Ｇ、１００Ｂの第２の電極１８からは、緑色光、青色光を強調した状態で、外部に向けて光が放出される。なお、本明細書において、共振器構造１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂを特に区別しない場合、共振器構造１０２という語が使用される。

（光路長設定）
　有機ＥＬ層１７からの出射光の共振は、第２の電極１８と反射板１３との間での反射で実現される。第２の電極１８と反射板１３との間の光路長（光学的距離と呼ぶことがある）は、予め定めた色種の光に応じて設定される。予め定めた色種は、サブ画素１０１で発光させたい色種である。例えば、サブ画素１０１Ｒに形成される共振器構造１０２Ｒでは、反射板１３と第２の電極１８との間の光路長は、赤色光の共振を生じるように設定される。サブ画素１０１Ｇ、１０１Ｂに形成される共振器構造１０２Ｇ、１０２Ｂについては、反射板１３と第２の電極１８との間の光路長は、それぞれ緑色光、青色光の共振を生じるように設定される。

（第１の領域と第２の領域）
　表示装置１０の平面視上、後述する開口部１２０に対応した領域を第１の領域Ｓｃとし、第１の電極１５に対応した領域のうち第１の領域Ｓｃの外側に対応した領域を第２の領域Ｓｐとした場合に、表示装置１０における共振器構造１０２においては、第１の領域Ｓｃと第２の領域Ｓｐに対応する部分いずれについても、有機ＥＬ層１７からの出射光を共振する構造が形成される。

　以下では、説明の便宜上、共振器構造１０２のうち第１の領域Ｓｃに対応する部分を第１共振構造Ｅ_１（図３では両矢印で示す範囲にて示す）と呼ぶ。また、共振器構造１０２のうち第２の領域Ｓｐに対応する部分を第２共振構造Ｅ_２（図３では両矢印で示す範囲にて示す）と呼ぶ。これら第１共振構造Ｅ_１、第２共振構造Ｅ_２は、サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｇそれぞれに第１共振構造Ｅ_１Ｒ、Ｅ_１Ｇ、Ｅ_１Ｂ、第２共振構造Ｅ_２Ｒ、Ｅ_２Ｇ、Ｅ_２Ｂ、が形成されている。第１共振構造Ｅ_１Ｒ、Ｅ_１Ｇ、Ｅ_１Ｂを区別しない場合には、第１共振構造Ｅ_１とし、第２共振構造Ｅ_２Ｒ、Ｅ_２Ｇ、Ｅ_２Ｂを区別しない場合には、第２共振構造Ｅ_２とする。なお、第２の領域Ｓｐを示す「第１の電極１５に対応した領域のうち第１の領域Ｓｃの外側に対応した領域」とは、表示装置１０の平面視上、開口部１２０の外周縁部分に対応する領域であり、絶縁層１２と第１の電極１５が重なる領域である。

　第１共振構造Ｅ_１及び第２共振構造Ｅ_２の形成は、それぞれについて第２の電極１８と反射板１３との間の光路長（光学的距離）を、予め定めた色種の光に応じて設定することで実現することができる。

（共振次数）
　表示装置１０では、第１の領域Ｓｃに対応する部分と第２の領域Ｓｐに対応する部分のいずれにも共振器構造１０２が形成されており、さらに共振器構造１０２では、第１の領域Ｓｃに対応する部分での共振次数と第２の領域Ｓｐに対応する部分での共振次数とが異なっている。すなわち、表示装置１０は、共振器構造１０２における第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせている。図３に示す例では、共振器構造１０２に、第１の領域Ｓｃに対応する部分での第２の電極１８と反射板１３との間の光路長を第１共振構造Ｅ_１の共振次数に応じた値とする構成、及び、第２の領域Ｓｐに対応する部分での第２の電極１８と反射板１３との間の光路長を第２共振構造Ｅ_２の共振次数に応じた値とする構成が形成されることで実現することができる。

（共振条件）
　共振器構造１０２では、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成が、共振条件を満たすことが好適である。共振条件とは、下記の数式１及び下記の数式２を満たしており、且つ、下記の数式３及び下記の数式４の組み合わせ、又は下記の数式５及び下記の数式６の組み合わせのいずれかの組み合わせを満たしていることを示す。

　２Ｌ_１／λ＋φ／２π＝ｍ_１　・・・（数式１）

　２Ｌ_２／λ＋φ／２π＝ｍ_２　・・・（数式２）

　ｍ_１≧２　・・・（数式３）

　ｍ_２＝ｍ_１±１　・・・（数式４）

　ｍ_１＝１　・・・（数式５）

　ｍ_２＝２　・・・（数式６）

　ただし、上記数式１から上記数式６の各数式において、Ｌ_１は、第１の領域Ｓｃに対応する部分における反射板１３と第２の電極１８との間の光学的距離［ｎｍ］、Ｌ_２は、第２の領域Ｓｐに対応する部分における反射板１３と第２の電極１８との間の光学的距離［ｎｍ］、λは、予め定められた色種に対応する光のスペクトルのピーク波長［ｎｍ］、φは、反射板１３及び第２の電極１８での光の反射により生じる位相シフトの大きさ［ｒａｄ］（ｒａｄｉａｎ）、ｍ_１は、第１の領域Ｓｃに対応する部分における共振次数となる整数、ｍ_２は、第２の領域Ｓｐに対応する部分における共振次数となる整数を示す。予め定められた色種に対応する光は、外部に取り出したい光に対応する。

　光学的距離Ｌ_１は、第１の領域Ｓｃに対応する部分を形成し且つ反射板１３と第２の電極１８と間に形成された各層の厚みと屈折率との積の総和を示す。例えば、第１の領域Ｓｃに対応する部分を形成し且つ反射板１３と第２の電極１８と間に形成された各層（例えば、層間膜１４のうち反射板１３と第１の電極１５の間に介在する部分、第１の電極１５、有機ＥＬ層１７を形成する層）の厚み［ｎｍ］を、ｄ_１１、ｄ_１２、ｄ_１３・・・、ｄ_１ｋ_１（ｋ_１は、第１の領域Ｓｃに対応する部分を形成する層の数（整数））とし、それぞれの層に対応する屈折率をｎ_１１、ｎ_１２、ｎ_１３・・・、ｎ_１ｋ_１とする場合に、Ｌ_１は、ｄ_１１×ｎ_１１＋ｄ_１２×ｎ_１２＋ｄ_１３×ｎ_１３＋・・・＋ｄ_１ｋ_１×ｎ_１ｋ_１で算出される値である。光学的距離Ｌ_１は、第１共振構造Ｅ_１の光学的距離に対応する。

　光学的距離Ｌ_２は、第２の領域Ｓｐに対応する部分を形成し且つ反射板１３と第２の電極１８と間に形成された層の厚みと屈折率との積の総和を示す。例えば、第２の領域Ｓｐに対応する部分を形成し且つ反射板１３と第２の電極１８と間に形成された各層（例えば、層間膜１４のうち反射板１３と第１の電極１５の間に介在する部分、第１の電極１５、有機ＥＬ層１７を形成する層）の厚み［ｎｍ］を、ｄ_２１、ｄ_２２、ｄ_２３・・・、ｄ_２ｋ_２（ｋ_２は、第２の領域Ｓｐに対応する部分を形成する層の数（整数））とし、それぞれの層に対応する屈折率をｎ_２１、ｎ_２２、ｎ_２３・・・、ｎ_２ｋ_２とする場合に、Ｌ_２は、ｄ_２１×ｎ_２１＋ｄ_２２×ｎ_２２＋ｄ_２３×ｎ_２３＋・・・＋ｄ_２ｋ_２×ｎ_２ｋ_２で算出される値である。光学的距離Ｌ_２は、第２共振構造Ｅ_２の光学的距離に対応する。

　位相シフトφは、反射板１３での光の反射により生じる位相シフトをΔφ_１、第２の電極１８での光の反射により生じる位相シフトの大きさをΔφ_２とした場合に、Δφ_１＋Δφ_２で算出される値である。

　Δφ_１は、反射板１３の屈折率、反射板１３の吸収係数、及び反射板１３に接する層間膜１４の屈折率等を用いて特定することができる。Δφ_２は、反射板１３の屈折率、反射板１３の吸収係数、及び反射板１３に接する層間膜１４の屈折率等を用いて特定することができる。位相シフトの特定方法は、例えば、Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ　ｏｆ　Ｏｐｉｃｓ，　Ｍａｘ　Ｂｏｒｎ　ａｎｄ　Ｅｍｉｌ　Ｗｏｌｆ，　１９７４（ＰＥＲＧＡＭＯＮ　ＰＲＥＳＳ）等の記載を参照することができる。

（第１共振構造の共振次数と第２共振構造の共振次数を異ならせる構成）
　第１の実施形態にかかる表示装置１０において、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成（共振次数を不等化する構成）は、例えば、図３の例に示すように、反射板１３のうち第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚み（Ｗｒ１）と反射板１３のうち第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚み（Ｗｒ２）を、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数に応じて互いに異なった値とすることで実現される。このとき、第１の領域Ｓｃに対応する部分における第１の電極１５から反射板１３までの離間距離が、第１共振構造Ｅ_１の共振次数に対応した光学的距離に基づき定められた距離となる。第２の領域Ｓｐに対応する部分における第１の電極１５から反射板１３までの離間距離が、第２共振構造Ｅ_２の共振次数に対応した光学的距離に基づき定められた距離となる。図１から図３の例では、共振器構造１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂそれぞれについて、個別に第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成が採用される。ただし、共振器構造１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂの一部について第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成が採用されてもよい。

　なお、図１から図３の例は、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成が、層間膜１４の膜厚みを第１の領域に対応する部分と第２の領域に対応する部分でそれぞれの部分の共振次数に応じた値とされることで実現されることをも示している。すなわち、図３に示す例では、第１の領域Ｓｃに対応する部分において、層間膜１４のうち反射板１３の第１の面から層間膜１４の第１の面（層間膜１４Ｂの第１の面）までの厚みをＡ_１とし、第２の領域Ｓｐに対応する部分において層間膜１４のうち反射板１３の第１の面から層間膜１４の第１の面（層間膜１４Ｂの第１の面）までの厚みをＡ_２とした場合に、第１の領域Ｓｃに対応する部分における第１の電極１５から反射板１３までの離間距離がＡ_１に対応し、第２の領域Ｓｐに対応する部分における第１の電極１５から反射板１３までの離間距離が、Ａ_２に対応する。したがってＡ_１とＡ_２がそれぞれ第１共振構造Ｅ_１の共振次数に対応した光学的距離と第２共振構造Ｅ_２の共振次数に対応した光学的距離に基づき定められた距離となっている。図１、図３の例では、第１の電極１５から反射板１３までの離間距離に対応したＡ_１とＡ_２が互いに異なる値となっている。なお、厚みＡ_１、Ａ_２については、図１に示すように、サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ，１０１Ｂごとに厚み（Ａ_１Ｒ、Ａ_２Ｒ、Ａ_１Ｇ、Ａ_２Ｇ、Ａ_１Ｂ、Ａ_２Ｂ）が定められる。

　図３の表示装置１０の例に示す共振器構造１０２は、第２共振構造Ｅ_２の共振次数が、第１共振構造Ｅ_１の共振次数よりも大きい場合を示している。このような場合としては、例えば、第１共振構造Ｅ_１の共振次数ｍ_１が１であり、第２共振構造Ｅ_２の共振次数ｍ_２が２である場合が挙げられる。この場合、上記共振条件の数式１、数式２からφ、λの値の条件に応じて第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数に応じた光学的距離Ｌ_１と光学的距離Ｌ_２を定めることができる。また、この場合、光学的距離Ｌ_２が光学的距離Ｌ_１よりも長くなる。そして定められたＬ_１とＬ_２を満たすように反射板１３の形状を定めることができる。図３の例に示す表示装置１０においては、反射板１３は、第１の面側に段差（厚み差）が形成されている。すなわち反射板１３の厚みのうち第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚みＷｒ１よりも第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みＷｒ２が小さい。これに伴い、光学的距離Ｌ_１と光学的距離Ｌ_２が満たされるように、反射板１３の第１の面の位置は、第１の領域Ｓｃに対応する部分よりも第２の領域Ｓｐに対応する部分のほうが第２の電極１８から遠い位置となっている。

　光学的距離Ｌ_１と光学的距離Ｌ_２の具体的な値は、有機ＥＬ素子１００を形成する各層の厚み（（ｄ_１１、ｄ_１２、・・・ｄ_１ｋ_１）、（ｄ_２１、ｄ_２２、・・・、ｄ_２ｋ_２））、屈折率（（ｎ_１１、ｎ_１２、・・・、ｎ_１ｋ_１）、（ｎ_２１、ｎ_２２、・・・、ｎ_２ｋ_２））、φ、λなどの条件に応じて特定することができる。各層は以下のように構成されている。

（第１の電極）
　駆動基板１１の第１の面側には、複数の第１の電極１５が設けられている。複数の第１の電極１５は、サブ画素１０１のレイアウトに対応して２次元的に配置されている。複数の第１の電極１５は、後述する層間膜１４の第１の面上に形成されている。

　図１から図３の例では、第１の電極１５は、アノードとなっている。第１の電極１５と第２の電極１８に電圧が加えられると、第１の電極１５から有機ＥＬ層１７にホール（正孔）が注入される。第１の電極１５は、有機ＥＬ素子１００の発光効率を向上させる観点からは、仕事関数が高く、且つ透過率の高い材料で形成されていることが好ましい。第１の電極１５は透明電極であることが好適である。透明電極は、特に限定されず、例えば、透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｏｘｉｄｅ）を含む。透明導電性酸化物としては、インジウム系透明導電性酸化物、錫系透明導電性酸化物、亜鉛系透明導電性酸化物等を例示することができる。透明電極には、これらの例示した各種の透明導電性酸化物が複数種類含まれてよい。

　インジウム系透明導電性酸化物は、インジウムを含む透明導電性酸化物を示しており、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、及び酸化インジウムガリウム（ＩＦＯ）等の化合物群を例示することができる。錫系透明導電性酸化物は、錫を含む透明導電性酸化物を示しており、酸化錫、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）、及びフッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）等の化合物群を例示することができる。亜鉛系透明導電性酸化物は、亜鉛を含む透明導電性酸化物を示しており、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、及びホウ素ドープ酸化亜鉛等の化合物群を例示することができる。表示装置１０の駆動電圧を低電圧化する観点では、第１の電極１５は、透明電極としてＩＴＯで形成された電極を用いられることが好ましい。

（絶縁層）
　隣り合う第１の電極１５の間には、開口部１２０を有する絶縁層１２が形成されている。絶縁層１２は、後述する層間膜１４の面上と第１の電極１５の第１の面上に形成される。絶縁層１２の開口部１２０は、表示装置１０の平面視上、第１の電極１５の形成された位置に形成されている。開口部１２０は、サブ画素１０１の配置パターンに応じたパターンで形成されており、開口部１２０の１つの区画がサブ画素１０１の単位区画を定義する。開口部１２０は、図１から図３の例に示すように、それぞれの第１の電極１５の第１の面上に設けられている。開口部１２０が第１の電極１５の第１の面上に形成されているとは、絶縁層１２は第１の電極１５の側端面と上面（第１の面）の外縁部を覆い、第１の電極１５の上面側に乗り上げるように形成されることを示す。なお、表示装置１０の平面視上とは、上下方向を視線方向とした場合を示すものとする。また絶縁層１２は、隣り合う第１の電極１５を電気的に分離する層である。絶縁層１２は、特に限定されず、ポリイミド系樹脂等の有機絶縁膜で形成されてもよいし、窒化シリコン等の無機絶縁膜で形成されてもよい。

（有機ＥＬ層）
　表示装置１０において、有機ＥＬ層１７は、図１、図３に示すように、第１の電極１５と後述する第２の電極１８の間に配置される。有機ＥＬ層１７は、第１の電極１５と絶縁層１２の上を覆っている。図１の表示装置１０の例では、有機ＥＬ層１７は、全画素及び全サブ画素に共通の有機ＥＬ層となっている。

　有機ＥＬ層１７は、少なくとも発光層を含む。発光層は有機発光材料で形成される。発光層では、第１の電極１５および第２の電極１８の各々から注入された正孔と電子との結合が生じ、光が発生する。この発生した光が、有機ＥＬ層１７からの出射光となる。

　有機ＥＬ層１７は、第１の電極１５から第２の電極１８に向かって（下から上に向かって）、正孔輸送層と発光層と電子輸送層をこの順に積層した構造を有してもよい。有機ＥＬ層１７がこのような構造を有することで、発光効率をより一層上昇させることができる。さらに有機ＥＬ層１７は、第１の電極１５から第２の電極１８に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、発光層電子、注入層、および電子輸送層をこの順に積層した構造を有していてもよい。

　有機ＥＬ層１７からの出射光は、図１から図３の例では、様々な波長の光を成分として含む点で白色光であることが好ましいが、このことは、有機ＥＬ層１７からの出射光の色を特に規制するものではない。

　また、図１から図３の例では、有機ＥＬ層１７は、全てのサブ画素１０１に共通の層となっているが、表示装置１０は、これに限定されない。表示装置１０は、サブ画素１０１ごとに有機ＥＬ層１７が形成されてもよいし、サブ画素１０１の色種ごとに有機ＥＬ層１７が形成されてもよい。例えば、サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂごとに有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが形成されている場合に、有機ＥＬ層１７が有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂそれぞれに対応して赤色に発光する有機ＥＬ層、緑色に発光する有機ＥＬ層、青色に発光する有機ＥＬ層が互いに区分された状態で形成されてもよい。ただし、この場合でも、絶縁層１２と開口部１２０が形成される。

（第２の電極）
　表示装置１０において、第２の電極１８が第１の電極１５の第１の面側に配置されている。図１から図３の表示装置１０の例では、第２の電極１８は、全てのサブ画素１０１に共通の層となっているが、表示装置１０は、これに限定されない。表示装置１０は、有機ＥＬ層１７と同様に、サブ画素１０１ごとに第２の電極１８が形成されてもよいし、サブ画素１０１の色種ごとに第２の電極１８が形成されてもよい。

　図１から図３の例では、第２の電極１８は、カソードとなっている。第１の電極１５と第２の電極１８に電圧が加えられると、第２の電極１８から有機ＥＬ層１７に電子が注入される。第２の電極１８は、有機ＥＬ層１７から生じた出射光を反射させることができ、且つ共振器構造１０２で共振した光を透過させることができるものであることが好ましい。この観点から、第２の電極１８は、半透過電極であることが好ましい。半透過電極は、光を反射させる性質と光を透過する性質を併せ持つ電極を示す。第２の電極１８は、有機ＥＬ素子１００の発光効率を向上させる観点からは、仕事関数が低い層で形成されていることが好ましい。

　第２の電極１８は、例えば、金属層と金属酸化物層の一方の単層膜又は多層膜で形成されてよいし、金属層と金属酸化物層との積層膜で形成されてもよい。第２の電極１８が金属層と金属酸化物層との積層膜で形成されている場合、仕事関数が低い層を有機ＥＬ層に対面させる観点では、金属層が有機ＥＬ層１７に向けられていることが好ましい。金属層としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）等からなる金属群より選ばれた少なくとも１種類の金属元素を含むことが好適である。金属層は、上記金属群から選ばれた金属元素を構成元素として含む合金でもよい。金属酸化物としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどを例示することができる。

（反射板）
　反射板１３は、第１の電極１５の第２の面側に向かい合うように設けられている。反射板１３は、第１の電極１５ごとに設けられており、すなわちサブ画素１０１ごとに設けられる。また、反射板１３は、第１の電極１５を介して有機ＥＬ層１７に向かい合う。反射板１３は、有機ＥＬ層１７からの出射光を反射する。

　反射板１３は、光反射性を有する面を形成ができれば特に限定されるものではないが、光反射性を高める観点からは、金属を含んだ層（反射層）で形成されていることが好ましい。金属としては、例えば、銀（Ａｇ）、銀合金、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）などを挙げることができる。

　反射板１３は、反射層で形成されてもよいが、下地層上に反射層を形成した積層構造を有してもよい。この場合、反射板１３は、反射層の形成面を第１の面としている。下地層としては、チタン（Ｔｉ）又はチタン系化合物を含む層で形成されていることが好ましい。チタン系化合物の例としては、窒化チタン（ＴｉＮ）や酸化チタン等を挙げることができる。反射板１３が、このような下地層上に反射層を形成した積層構造を有することで、反射層の結晶配向性を向上させることができ、反射率を向上することができる。

　第１の実施形態にかかる表示装置１０においては、反射板１３のうち、第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚みＷｒ１と、第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みＷｒ２が異なっている。反射板１３の厚み（Ｗｒ１、Ｗｒ２）は、共振器構造１０２における第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数に応じて定められる。また、反射板１３の厚み（Ｗｒ１、Ｗｒ２）に応じて反射板１３の形状を定めることができる。

　図１から図３の表示装置１０の例には、第１共振構造Ｅ_１の共振次数が第２共振構造Ｅ_２の共振次数よりも小さい場合の一例（例えば、第１の共振構造の共振次数が１で、第２共振構造Ｅ_２の共振次数が２の場合）が示されている。上記した共振条件を示す数式１及び数式２に基づけば、第１の領域Ｓｃと第２の領域Ｓｐで同色の光を共振させようとする条件下では、共振次数が大きいほど共振条件を満たすための光学的距離が長くなる。この観点から、図１から図３の例では、反射板１３の厚み及び形状が、第２の領域Ｓｐに対応する部分の第１の面側の位置が第１の領域Ｓｃに対応する部分の第１の面側の位置よりも、第１の電極１５の第２の面から遠い方向となるように定められる。

（層間膜）
　層間膜１４は、第１の電極１５の第２の面側に配置されており、反射板１３の第１の面側を覆っている。図１から図３の例では、層間膜１４内に反射板１３が埋設されている。より具体的には、層間膜１４は、２つの層（層間膜１４Ａと層間膜１４Ｂ）で構成されており、層間膜１４Ａ上に反射板１３が配置され、反射板１３を覆うように層間膜１４Ｂが形成されている。層間膜１４は、駆動基板１１の第１の面上を被覆する。層間膜１４は、反射板１３と第２の電極１８との間の光学的距離を調整する光学調整層として機能する。反射板１３と第２の電極１８との間の光学的距離の調整は、層間膜１４の第１の面と反射板１３の第１の面との距離を定めることで実現することができる。

　例えば、図１の例では、有機ＥＬ素子１００Ｒの第１の領域Ｓｃに対応する部分について、共振器構造１０２Ｒが第１共振構造Ｅ_１において赤色光を共振する光学的距離Ｌ_１Ｒを有するように、層間膜１４の第１の面と反射板１３の第１の面（第１の面のうち第１の領域Ｓｃに対応する領域）との距離（厚みＡ_１Ｒ）が定められる。さらに、有機ＥＬ素子１００Ｒの第２の領域Ｓｐに対応する部分についても、共振器構造１０２Ｒが第２共振構造Ｅ_２において赤色光を共振する光学的距離Ｌ_２Ｒを有するように、層間膜１４の第１の面と反射板１３の第１の面（第１の面のうち第２の領域Ｓｐに対応する領域）との距離（厚みＡ_２Ｒ）が定められる。有機ＥＬ素子１００Ｇ、１００Ｂのそれぞれについても、第１の領域Ｓｃに対応する部分についての層間膜１４の第１の面と反射板１３の第１の面との距離（厚みＡ_１Ｇ、Ａ_１Ｂ）、及び、第２の領域Ｓｐに対応する部分についての層間膜１４の第１の面と反射板１３の第１の面との距離（厚みＡ_２Ｇ、Ａ_２Ｂ）が定められる。

　そして図１の例の表示装置１０では、有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応して、これらの距離（厚みＡ_１Ｒ、Ａ_１Ｇ、Ａ_１Ｂ、Ａ_２Ｒ、Ａ_２Ｇ、Ａ_２Ｂ）の条件を満たすように反射板１３の形状（厚み）が定められており、さらに、これらの距離の条件を満たすように、層間膜１４における反射板１３の位置が定められている。図１では、層間膜１４は、層間膜１４Ａの第１の面が平坦面となっており、層間膜１４Ｂの第１の面から反射板１３の位置までの深さが上記した距離の条件に応じた距離となっている。なお、この例は一例であり、層間膜１４Ｂの第１の面が平坦面となり、層間膜１４Ａの第１の面に凹凸をつけて層間膜１４Ｂの第１の面から反射板１３の位置までの深さが上記した距離の条件に応じた距離とされてもよい。

（保護層）
　第２の電極１８の上には、保護層１９が形成されている。保護層１９は、絶縁材料で形成される。絶縁材料としては、例えば、熱硬化性樹脂などを用いることができる。そのほかにも、絶縁材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯ、ＴｉＯ等でもよい。この場合、保護層１９として、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ等を含むＣＶＤ膜や、ＡｌＯ、ＴｉＯ、ＳｉＯ等を含むＡＬＤ膜等を例示することができる。

（カラーフィルタ層）
　保護層１９の上には、カラーフィルタ層１０３が設けられていてもよい。カラーフィルタ層１０３は、カラーフィルタ層１０３は、サブ画素１０１に応じて設けられてよい。例えば、図１に示す表示装置１０にカラーフィルタ層１０３が設けられる場合には、サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂに応じたカラーフィルタ層１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂが設けられる。表示装置１０にカラーフィルタ層１０３が設けられていることで、色純度をより一層向上させることができる。

（充填樹脂層）
　また、カラーフィルタ層１０３の上に充填樹脂層１０４が形成されていてもよい。充填樹脂層１０４は、カラーフィルタ層１０３を保護する機能を有することができ、またカラーフィルタ層１０３の第１の面側を平坦化することができる。充填樹脂層１０４は、保護層１９と後述の対向基板１０５を接着する接着層としての機能を有することができる。充填樹脂層１０４は、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等を例示することができる。

（対向基板）
　対向基板１０５は、充填樹脂層１０４上に、駆動基板１１に対向させた状態で設けられている。対向基板１０５は、充填樹脂層１０４とともに有機ＥＬ素子１００を封止する。対向基板１０５は、ガラス等の材料により構成されることが好ましい。

［１－２　作用効果］
　有機ＥＬ層を有する表示装置では、第１の電極の第１の面に絶縁層の開口部から露出した領域と絶縁層で被覆された領域を有し、且つ、これらの領域を覆うように有機ＥＬ層が形成されている場合、絶縁層の開口部から絶縁層で被覆された領域に向けて横方向にキャリア（ホール等）がリークすることがある。この場合、開口部だけでなく絶縁層における開口部の周縁の領域でも有機ＥＬ層の発光が生じる可能性がある。

　このような有機ＥＬ層を有する表示装置では、有機ＥＬ層からの出射光を共振させる共振器構造が設けられることで光取り出し効率を高める技術が提案されている。表示装置に共振器構造が形成されている場合、開口部に対応した第１の領域に対応する部分で出射光が共振するだけでなく、第１の領域の外側の第２の領域に対応する部分でも出射光が共振することがある。表示装置において、第２の領域に対応する部分では第１の領域に対応する部分と異なり、第１の電極上に絶縁層が形成されている。この場合、第１の領域に対応する部分での反射板と第２の電極と間の光学的距離と、第２の領域に対応する部分での反射板と第２の電極と間の光学的距離との間に違いが生じ、第１の領域と第２の領域とで異なる色が発光してしまうこと（色ずれ）がある。そこで、有機ＥＬ層を有する表示装置では、共振器構造が設けられ且つ第１の領域と第２の領域が形成されている場合においても、第１の領域と第２の領域との色ずれを抑制することが要請されている。

　第１の実施形態にかかる表示装置１０においては、共振器構造１０２は、第１の領域Ｓｃに対応する部分の共振次数と第２の領域Ｓｐに対応する部分の共振次数とが異なっている。このとき、共振器構造１０２では、第１の領域Ｓｃに対応する部分と第２の領域Ｓｐに対応する部分との間で共振次数を互いに異にした状態で同色の光が共振する。したがって、表示装置１０によれば、第１の領域Ｓｃと第２の領域Ｓｐとの色ずれを抑制することができる。

　また、第１の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１の領域Ｓｃに対応する部分と第２の領域Ｓｐに対応する部分で、共振次数が互いに異なっているため、第１の領域Ｓｃに対応する部分と第２の領域Ｓｐに対応する部分での加工マージンを確保できる。例えば、青色のサブ画素１０１Ｂを設けた表示装置１０に共振器構造１０２Ｂが設けられた場合、第１の領域Ｓｃに対応する部分の共振次数と第２の領域Ｓｐに対応する部分の共振次数を揃えた設計を実現するためには、通常、反射板１３のうち第２の領域Ｓｐに対応する部分を第１の電極１５側に位置させた設計が必要となることがある。しかしながら、このような設計は、第１の電極１５と反射板１３の間の距離が短いために困難を伴う。この点、第１の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１の領域Ｓｃに対応する部分と第２の領域Ｓｐに対応する部分で、共振次数が互いに異なっているため、第２の領域Ｓｐに対応する部分について第１の電極１５と反射板１３の間の距離を十分に確保できるように設計することができるようになり、第２の領域Ｓｐに対応する部分について実現容易性に優れた設計を行うことができる。

［１－３　表示装置の変形例］
　上記で詳述した図１から図３の表示装置１０の例では、第２共振構造Ｅ_２の共振次数のほうが第１の共振構造の共振次数よりも大きい場合の一例が示されていた。表示装置１０では、図５に示すように、第１共振構造Ｅ_１の共振次数のほうが第２共振構造Ｅ_２の共振次数よりも大きくてもよい。例えば、第１共振構造Ｅ_１の共振次数が２で、第２共振構造Ｅ_２の共振次数が１であってもよい。

　この場合、表示装置１０では、同色の光を共振させる条件下では、上記した共振条件を示す数式１及び数式２に基づけば、共振次数が大きい第１共振構造Ｅ_１の方が、第２共振構造Ｅ_２よりも共振条件を満たすための光学的距離が長くなる。この点を考慮して、表示装置１０では、図５に示すように、反射板１３は、第１の領域Ｓｃに対応する部分の第１の面側の位置が第２の領域Ｓｐに対応する部分の第１の面側の位置よりも、第１の電極１５から遠い方向となるように形成されることが好ましい。そこで図５に示す例では、反射板１３は、第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みの値が第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚みの値よりも大きくなっている。

　このような変形例にかかる表示装置１０によれば、共振器構造１０２にて、第１の領域Ｓｃに対応する部分と第２の領域Ｓｐに対応する部分との間で共振次数を互いに異にした状態で同色の光が共振するため、第１の領域Ｓｃと第２の領域Ｓｐとの色ずれを抑制することができる。

［２　第２の実施形態］
［２－１　表示装置の構成］
　本開示の第２の実施形態にかかる表示装置１０について説明する。第２の実施形態にかかる表示装置１０は、第１の実施形態と同様に、共振器構造１０２を有し、その共振器構造１０２に第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成を備える。第２の実施形態では、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成は、図６に示すように、第１の電極１５のうち第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚みＷｅ１と第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みＷｅ２を第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数に応じて互いに異なった値とされることで実現される。第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成の他については、第１の実施形態にかかる表示装置１０と同様である。

　第２の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成は、第１の実施形態で示す第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成と併用されてもよい。

　図６は、第２の実施形態にかかる表示装置１０の一構成例を示す断面図であり、第２共振構造Ｅ_２の共振次数のほうが第１共振構造Ｅ_１の共振次数よりも大きい場合の一例（例えば、第１共振構造Ｅ_１の共振次数が１で、第２共振構造Ｅ_２の共振次数が２の場合）が示されている。図６の例では、第１の電極１５は、第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みＷｅ２が第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚みＷｅ１よりも、厚くなる（Ｗｅ２がＷｅ１より大きい）ように形成される。第１の電極１５は、第２の領域Ｓｐに対応する部分を第１の領域Ｓｃに対応する部分よりも第１の面側に膨出させた形状に形成されている。

　第２共振構造Ｅ_２の共振次数が第１共振構造Ｅ_１の共振次数よりも大きい場合には、第２共振構造Ｅ_２での共振条件を満たす光学的距離が第１共振構造Ｅ_１の共振次数を満たす光学的距離よりも長くなる。

　絶縁層１２における第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みをＵとする。図６の例に示す表示装置１０では、第１の電極１５の厚みを第１の領域に対応する部分と第２の領域に対応する部分とで揃えた場合に比べて、Ｕが小さくなっており、Ｗｅ２が大きくなっている（Ｕが相対的に小さくなり、Ｗｅ２が相対的に大きくなる）。第１の電極１５の屈折率が絶縁層１２の屈折率よりも大きい場合、Ｕが小さくなり、Ｗｅ２が大きくなることで、第２の領域に対応する部分の光学的距離を長くすることができる。

　第１の電極１５の屈折率が絶縁層１２の屈折率よりも大きい場合、図６の例に示す表示装置１０では、第２共振構造Ｅ_２での光学的距離が共振条件を満たすようにＵが小さくなっており、Ｗｅ２が大きくなっている。すなわち、第２共振構造Ｅ_２での光学的距離が共振条件を満たすように、第１の電極１５の第２の領域Ｓｐに対応する部分が、第１の領域Ｓｃに対応する部分よりも第１の面側に膨出させた形状に形成される。

［２－２　作用効果］
　第２の実施形態にかかる表示装置１０によれば、第１の実施形態にかかる表示装置と同様に、第１の領域Ｓｃと第２の領域Ｓｐとの色ずれを抑制することができる。

　また、第１の電極１５における第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みＷｅ２が第１の領域に対応する部分の厚みＷｅ１よりも厚くされていることで、キャリア（ホール等）のリークが減るように有機ＥＬ素子１００の電界（第１の電極１５と第２の電極１８との間に形成される電界）をコントロールすることができるようになる。したがって、第２の実施形態にかかる表示装置１０によれば、第２の領域Ｓｐでの発光を減じることができ、第１の領域Ｓｃと第２の領域Ｓｐとの色ずれを抑制することができる。

［２－３　表示装置の変形例］
（変形例１）
　上記で詳述した図６の表示装置１０の例では、第２共振構造Ｅ_２の共振次数が第１共振構造Ｅ_１の共振次数よりも大きい場合の一例が示されている。第２の実施形態にかかる表示装置１０では、図７に示すように、第１共振構造Ｅ_１の共振次数のほうが第２共振構造Ｅ_２の共振次数よりも大きくてもよい（変形例１）。すなわち、第２共振構造Ｅ_２の共振次数のほうが第１共振構造Ｅ_１の共振次数よりも小さくてもよい。例えば、第１共振構造Ｅ_１の共振次数が２で、第２共振構造Ｅ_２の共振次数が１であってもよい。第２の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０によれば、第１の領域Ｓｃと第２の領域Ｓｐとの色ずれを抑制することができる。

　この場合、表示装置１０では、図７に示すように、第１の電極１５は、第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚みＷｅ１を第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みＷｅ２よりも薄くした状態にて形成されることが好ましい。図７において示される第１の電極１５は、第２の領域Ｓｐに対応する部分を第１の領域Ｓｃに対応する部分よりも第１の面側を凹ませて、第２の領域Ｓｐに対応する部分と第１の領域Ｓｃに対応する部分の境界に段差を形成した形状となっている。

　第２共振構造Ｅ_２の共振次数が第１共振構造Ｅ_１の共振次数よりも小さい場合には、第２共振構造Ｅ_２での共振条件を満たす光学的距離Ｌ_２が第１共振構造Ｅ_１の共振次数を満たす光学的距離Ｌ_１よりも短くなる。

　第１の電極１５の屈折率が絶縁層１２の屈折率よりも大きい場合、第２の領域Ｓｐに対応する部分においては、Ｕが相対的に大きくなり、Ｗｅ２が相対的に小さくなることで、第２の領域に対応する部分の光学的距離を短くすることができる。なお、Ｕ及びＷｅ２について相対的に大きい及び相対的に小さいとは、第１の電極１５の厚みを第１の領域に対応する部分と第２の領域に対応する部分とで揃えた場合と本変形例１の場合とを対比した際の大小比較を示す。

　第１の電極１５の屈折率が絶縁層１２の屈折率よりも大きい場合、図７の例に示す表示装置１０では、第２共振構造Ｅ_２での光学的距離が共振条件を満たすようにＵが相対的に大きくなっており、Ｗｅ２が相対的に小さくなっている。すなわち、第２共振構造Ｅ_２及び第１共振構造Ｅ_１での光学的距離が共振条件を満たすように、第１の電極１５の第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みＷｅ２が、第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚みＷｅ１よりも薄くなっている。このとき、絶縁層１２の厚みＵが相対的に厚くなっている。

（変形例２）
　第２の実施形態にかかる表示装置１０の変形例１では、第１共振構造Ｅ_１の共振次数のほうが第２共振構造Ｅ_２の共振次数よりも大きい場合の一例が示されている。その一例では、第１の電極１５は、第２の領域Ｓｐに対応する部分を第１の領域Ｓｃに対応する部分よりも第２の面側を凹ませて、第２の領域Ｓｐに対応する部分と第１の領域Ｓｃに対応する部分の境界に段差を形成した形状となっている。第２の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０はこれに限定されない。すなわち、第１の電極１５は、図８に示すように、第２の領域Ｓｐに対応する部分を第１の領域Ｓｃに対応する部分よりも第２の面側を凹ませた状態とされてよい（変形例２）。この図８に示す例では、第１の電極１５は、第２の領域Ｓｐに対応する部分と第１の領域Ｓｃに対応する部分の境界に段差を形成した形状となっている。さらに、第１の電極１５の第１の領域Ｓｃに対応する部分の一部分が、層間膜１４の第１の面よりも下側に位置する状態となる。図８において、符号Ｐが、第１の電極１５において層間膜１４の第１の面よりも下側に位置する部分を示す。

　第１共振構造Ｅ_１の共振次数が第２共振構造Ｅ_２の共振次数よりも大きい場合には、第１共振構造Ｅ_１での共振条件を満たす光学的距離Ｌ_１が第２共振構造Ｅ_２の共振次数を満たす光学的距離Ｌ_２よりも長くなる。第１の電極１５の屈折率が層間膜１４の屈折率よりも大きい場合、第１の電極１５の部分Ｐが大きくなるほど光学的距離を長くすることができる。そこで、第１共振構造Ｅ_１での共振条件を満たす光学的距離Ｌ_１と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を満たす光学的距離Ｌ_２満たすように第１の電極１５に部分Ｐが形成される。

［３　第３の実施形態］
［３－１　表示装置の構成］
　本開示の第３の実施形態にかかる表示装置１０について説明する。第３の実施形態にかかる表示装置１０は、第１の実施形態や第２の実施形態と同様に、共振器構造１０２を有し、その共振器構造１０２に第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成を備える。第３の実施形態では、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成は、第２の領域Ｓｐに対応する部分における絶縁層１２の厚みを、第２の領域Ｓｐに対応する部分における共振次数と第１の領域Ｓｃにおける共振次数に応じた値とすることで実現される。第３の実施形態では、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成の他については、第１の実施形態にかかる表示装置１０と同様である。

　第３の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成は、第１の実施形態及び第２の実施形態で示す第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成のうちの１つ又は両方と併用されてもよい。第３の実施形態においては、図９に示すように反射板１３における第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚みと第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みが揃っていてもよいし、図１や図３に示すように反射板１３における第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚みと第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みが異なっていてもよい。また、図５に示すように第１の電極１５における第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚みと第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みが異なっていてもよい。

　第３の実施形態にかかる表示装置１０について絶縁層１２の厚みの特定方法を説明する。第２共振構造Ｅ_２の共振次数が第１共振構造Ｅ_１の共振次数よりも大きい場合を例として第２の領域Ｓｐに対応する部分における絶縁層１２の厚みは、次のように特定できる。なお、第２共振構造Ｅ_２の共振次数が第１共振構造Ｅ_１の共振次数よりも大きい場合の一例として、第１共振構造Ｅ_１の共振次数が１で、第２共振構造Ｅ_２の共振次数が２である場合を挙げることができる。

　第１の実施形態の説明に示す上記共振条件の数式１、数式２から、第１共振構造Ｅ_１と第２共振構造Ｅ_２においてのφ、λの条件、及び第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数に応じて、第１共振構造Ｅ_１における光学的距離Ｌ_１と第２共振構造Ｅ_２における光学的距離Ｌ_２が定められる。第２共振構造Ｅ_２の共振次数が第１共振構造Ｅ_１の共振次数よりも大きい場合、光学的距離Ｌ_１よりも光学的距離Ｌ_２のほうが長い。例えば第１の領域Ｓｃに対応する部分と第２の領域Ｓｐに対応する部分とで絶縁層１２の他の各層の屈折率と厚みが同一である場合に、Ｌ_１、Ｌ_２の値と、共振器構造１０２を形成する各層の屈折率に基づき、共振器構造１０２を形成する各層の厚みが定められ、第１共振構造Ｅ_１における光学的距離Ｌ_１を実現するために要請される各層の厚みが特定され、また絶縁層１２の屈折率と厚みの積の値が特定される。すなわち、第２共振構造Ｅ_２における光学的距離Ｌ_２を実現するために要請される絶縁層１２の屈折率と厚みの積の値が特定される。この値に基づき絶縁層１２の屈折率に応じて絶縁層１２の厚みが定められる。このように、共振器構造１０２において、絶縁層１２の厚みを所定の値に定めることで、共振条件を満たしながら第１の共振構造の共振次数と第２の共振構造の共振次数を異ならせる状態を実現することができる。

［３－２　作用効果］
　第３の実施形態にかかる表示装置１０によれば、第１の実施形態にかかる表示装置と同様に、第１の領域Ｓｃと第２の領域Ｓｐとの色ずれを抑制することができる。

［４　第４の実施形態］
［４－１　表示装置の構成］
　本開示の第４の実施形態にかかる表示装置１０について説明する。第４の実施形態にかかる表示装置１０は、第１の実施形態から第３の実施形態と同様に、共振器構造１０２を有し、その共振器構造１０２に第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成を備える。第４の実施形態では、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成は、第２の領域Ｓｐに対応する部分における絶縁層１２の屈折率を、第２の領域Ｓｐに対応する部分における共振次数と第１の領域Ｓｃにおける共振次数に応じた値とすることで実現される。第４の実施形態では、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成の他については、第１の実施形態にかかる表示装置１０と同様である。

　第４の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成は、第１の実施形態から第３の実施形態で示す第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成の１つ以上と併用されてもよい。第４の実施形態においては、図９に示すように反射板１３における第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚みと第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みが揃っていてもよいし、図１や図３に示すように反射板１３における第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚みと第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みが異なっていてもよい。また、図５に示すように第１の電極１５における第１の領域Ｓｃに対応する部分の厚みと第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みが異なっていてもよい。

　第４の実施形態にかかる表示装置１０について絶縁層１２の屈折率の特定方法を説明する。第３の実施形態でも説明したように、第１の実施形態の説明に示す上記共振条件の数式１、数式２から、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数に応じて、第１共振構造Ｅ_１における光学的距離Ｌ_１と第２共振構造Ｅ_２における光学的距離Ｌ_２が定められる。Ｌ_１、Ｌ_２の値と、共振器構造１０２を形成する各層の屈折率に基づき、共振器構造１０２を形成する各層の厚みが定められ、第２共振構造Ｅ_２における光学的距離Ｌ_２を実現するために要請される絶縁層１２の屈折率と厚みの積の値が特定される。絶縁層１２の厚みが規定されていない場合には、その絶縁層１２の屈折率と厚みの積の値に基づき、絶縁層１２の屈折率と絶縁層１２の厚みの組み合わせが特定される。絶縁層１２の屈折率の値と厚みの値の組み合わせは、第２の領域Ｓｐに対応する部分における共振次数と第１の領域Ｓｃに対応する部分における共振次数に応じた組み合わせとなっている。すなわち、絶縁層１２の屈折率と絶縁層１２の厚みの組み合わせに応じて第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる状態が実現される。

　また、絶縁層１２の厚みが規定されている場合には、その絶縁層１２の厚みに応じて絶縁層１２の屈折率が定められる。このように、共振器構造１０２において、絶縁層１２の屈折率を所定の値に定めることで、上記した共振条件の数式１、数式２を満たしながら第１の共振構造の共振次数と第２の共振構造の共振次数を異ならせる状態を実現することができる。

　第４の実施形態にかかる表示装置１０について、第２共振構造Ｅ_２の共振次数が第１共振構造Ｅ_１の共振次数よりも大きい場合（第１の場合）（例えば、第１の共振構造の共振次数が１で、第２の共振構造の共振次数が２である場合等）での、第２共振構造Ｅ_２における光学的距離Ｌ_２をＬ_２Ｑとする。第４の実施形態にかかる表示装置１０について、第２共振構造Ｅ_２の共振次数が第１共振構造Ｅ_１の共振次数よりも小さい場合（第２の場合）（例えば、第１の共振構造の共振次数が２で、第２の共振構造の共振次数が１である場合等）での、第２共振構造における光学的距離Ｌ_２をＬ_２Ｒとする。第１の場合における第２共振構造の共振次数が第２の場合における第２共振構造Ｅ_２の共振次数よりも大きい場合には、Ｌ_２ＱのほうがＬ_２Ｒよりも大きくなる。このため、第１の場合における絶縁層１２として、第２の場合における絶縁層１２の屈折率よりも高い屈折率を有する層を形成することで、第１の場合における絶縁層１２を形成することができる。第２の場合における絶縁層１２として、第１の場合における絶縁層１２の屈折率よりも低い屈折率を有する層を形成することで、第２の場合における絶縁層１２を形成することができる。このように、第４の実施形態にかかる表示装置１０について、第１の場合、第２の場合いずれについても第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる状態を実現するように絶縁層１２を形成することができる。

［４－２　作用効果］
　第４の実施形態にかかる表示装置１０によれば、第１の実施形態にかかる表示装置と同様に、第１の領域Ｓｃと第２の領域Ｓｐとの色ずれを抑制することができる。

［５　第５の実施形態］
［５－１　表示装置の構成］
　本開示の第５の実施形態にかかる表示装置１０について説明する。第５の実施形態にかかる表示装置１０は、第１の実施形態と同様に、共振器構造１０２を有し、その共振器構造１０２に第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成を備える。第５の実施形態では、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成は、図１０に示すように、層間膜１４のうち第１の領域Ｓｃに対応する部分（第１の膜部分１４０Ａ）の屈折率と第２の領域Ｓｐに対応する部分（第２の膜部分１４０Ｂ）の屈折率を第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数に応じて異なった値とされることで実現される。第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成の他については、第１の実施形態にかかる表示装置１０と同様である。図１０は、第２の実施形態にかかる表示装置１０の一構成例を示す断面図である。

　第５の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成は、第１の実施形態から第４の実施形態に示される第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数を異ならせる構成のいずれか１つ以上と併用されてもよい。

　第５の実施形態にかかる表示装置１０について第１の膜部分１４０Ａの屈折率と第２の膜部分１４０Ｂの屈折率の特定方法を説明する。第３の実施形態及び第４の実施形態でも説明したように、第１の実施形態の説明に示す上記共振条件の数式１、数式２から、第１共振構造Ｅ_１の共振次数と第２共振構造Ｅ_２の共振次数に応じて、第１共振構造Ｅ_１における光学的距離Ｌ_１と第２共振構造Ｅ_２における光学的距離Ｌ_２が定められる。Ｌ_１、Ｌ_２の値と、共振器構造１０２を形成する各層の屈折率に基づき、共振器構造１０２を形成する各層の厚みが定められる。このとき、第１共振構造Ｅ_１における光学的距離Ｌ_１を実現するために要請される第１の膜部分１４０Ａの屈折率と厚みの積の値が特定される。さらに第２共振構造Ｅ_２における光学的距離Ｌ_２を実現するために要請される第２の膜部分１４０Ｂの屈折率と厚みの積の値が特定される。これらの値に基づき第１の膜部分１４０Ａの厚みに応じて第１の膜部分１４０Ａの屈折率が定められ、第２の膜部分１４０Ｂの厚みに応じて第２の膜部分１４０Ｂの屈折率が定められる。このように、共振器構造１０２において、第１の膜部分１４０Ａの屈折率と第２の膜部分１４０Ｂの屈折率を所定の値に定めることで、上記した共振条件の数式１、数式２を満たしながら第１の共振構造の共振次数と第２の共振構造の共振次数を異ならせる状態を実現することができる。

　第５の実施形態にかかる表示装置１０について、第２共振構造Ｅ_２の共振次数が第１共振構造Ｅ_１の共振次数よりも大きい場合（第１の場合）（例えば、第１の共振構造の共振次数が１で、第２の共振構造の共振次数が２である場合等）での、第２共振構造Ｅ_２における光学的距離Ｌ_２をＬ_２Ｑとする。第５の実施形態にかかる表示装置１０について、第２共振構造Ｅ_２の共振次数が第１共振構造Ｅ_１の共振次数よりも小さい場合（第２の場合）（例えば、第１の共振構造の共振次数が２で、第２の共振構造の共振次数が１である場合等）での、第２共振構造Ｅ_２における光学的距離Ｌ_２をＬ_２Ｒとする。第１の場合における第２共振構造Ｅ_２の共振次数が第２の場合における第２共振構造Ｅ_２の共振次数よりも大きい場合には、Ｌ_２ＱのほうがＬ_２Ｒよりも大きくなる。このため、第１の場合における第２の膜部分１４０Ｂとして、第２の場合における第２の膜部分１４０Ｂの屈折率よりも高い屈折率を有する層（高屈折率層）を形成することで、第１の場合における第２の膜部分１４０Ｂを形成することができる。第２の場合における第２の膜部分１４０Ｂとして、第１の場合における第２の膜部分１４０Ｂの屈折率よりも低い屈折率を有する層（低屈折率層）を形成することで、第２の場合における第２の膜部分１４０Ｂを形成することができる。第１の膜部分１４０Ａは、第１の場合では、第２の場合における第１の膜部分１４０Ａの屈折率よりも低い屈折率を有する層（低屈折率層）を形成し、第２の場合では、第１の場合における第１の膜部分１４０Ａの屈折率よりも高い屈折率を有する層（高屈折率層）を形成する。このように、第４の実施形態にかかる表示装置１０について、第１の場合、第２の場合いずれについても、層間膜１４が、第１の共振構造の共振次数と第２の共振構造の共振次数を異ならせる状態を実現するように第１の膜部分１４０Ａと第２の膜部分１４０Ｂを備えることができる。

　第５の実施形態にかかる表示装置１０について、第１の膜部分１４０Ａや第２の膜部分１４０Ｂを低屈折率層や高屈折率層とする方法としては、層間膜１４における第１の膜部分１４０Ａや第２の膜部分１４０Ｂそれぞれについて、それらの組成や密度を調整する方法や、物理的構造を調整する方法等を例示することができる。物理的構造を調整する方法としては、例えば、第１の膜部分１４０Ａや第２の膜部分１４０Ｂについて結晶化構造を形成する方法、アモルファス構造を形成する方法を挙げることができる。第１の膜部分１４０Ａや第２の膜部分１４０Ｂに結晶化構造を形成する方法及びアモルファス構造を形成する方法は、反射板１３の第１の面の状態を調整することで実現することができる。

［５－２　作用効果］
　第５の実施形態にかかる表示装置１０によれば、第１の実施形態にかかる表示装置と同様に、第１の領域Ｓｃと第２の領域Ｓｐとの色ずれを抑制することができる。

　次に、本開示の一実施形態（第１の実施形態）に係る表示装置１０の製造方法の一実施形態における一例について説明する。

［６　表示装置の製造方法］
［６－１　製造方法の第１実施形態］
　製造方法の第１実施形態においては、基板１１Ａに駆動回路を形成した駆動基板１１の第１の面上に、層間膜１４Ａが形成される。

　図１１Ａに示すように、層間膜１４Ａの上に反射板１３を形成する材料の被膜３０を形成する。被膜３０の材料としては、取り扱いの容易性と高い反射率の観点から、アルミニウム等が好ましく用いられる。被膜３０は、エッチング等を用いることで形成することができる。被膜３０上に、反射板１３の第１の領域Ｓｃに対応した部分に相当する領域にレジスト３１を形成し（図１１Ｂ）、ドライエッチングを施す（第１のドライエッチング）。第１のドライエッチングでは、被膜３０の露出部分（非レジスト部）の厚みが、反射板１３の第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みとされる（図１１Ｃ）。この厚みは、共振器構造１０２における第２の領域Ｓｐに対応する部分に要請される共振条件を満たす光学的距離Ｌ_２に応じて定められる。

　次に、レジスト３１を取り除き（図１１Ｄ）、さらに反射板１３を形成する部分に相当する領域にレジスト３２を形成し（図１１Ｅ）、ドライエッチングを施す（第２のドライエッチング）（図１１Ｆ）。そしてレジスト３２が取り除かれる。これにより層間膜１４Ａ上に反射板１３が形成される（図１１Ｇ）。反射板１３が形成された後の工程については、例えば、次のように実施することができる。

　反射板１３を覆うように層間膜１４Ｂが形成される。これにより、層間膜１４が形成される。層間膜１４Ａ、１４Ｂの形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、ダイコート法等のコーティング法等などの方法を挙げることができる。

　層間膜１４の上に、第１の電極１５が形成され、さらに絶縁層１２が積層される。第１の電極１５はサブ画素１０１の配列に応じて複数形成され、サブ画素１０１のパターンに応じて絶縁層１２には開口部１２０が形成される。第１の電極１５及び絶縁層１２の形成は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、又はＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの方法を用いることができる。

　第１の電極１５および絶縁層１２の上には、有機ＥＬ層１７が形成される。有機ＥＬ層１７が、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層をこの順に積層した積層構造を有している場合には、電子輸送層と発光層と正孔輸送層それぞれを形成する層が順次積層される。これらの層を形成する方法は、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、ダイコート法等のコーティング法等を挙げることができる。

　有機ＥＬ層１７の上に第２の電極１８、保護層１９が形成される。第２の電極１８、保護層１９は、従前より知られた方法等を適宜使用して形成することができる。

　保護層１９の上にカラーフィルタ層１０３が形成されてもよい。保護層１９の上に充填樹脂層１０４が形成されてよい。充填樹脂層１０４上には対向基板１０５が配置されてよい。カラーフィルタ層１０３と充填樹脂層１０４の形成及び対向基板１０５の配置は、従前より知られた方法等を適宜使用して形成することができる。こうして表示装置１０が形成される。

　表示装置１０の製造方法は、上記したような実施形態に限定されず、次のような方法でもよい（製造方法の第２実施形態）。

［６－２　製造方法の第２実施形態］
　上記製造方法の第１実施形態と同様にして、基板１１Ａに駆動回路を形成した駆動基板１１の第１の面上に、層間膜１４Ａが形成される。

　層間膜１４Ａの上に反射板１３を形成する材料の被膜３０が形成される。このとき材料は、製造方法の第１実施形態と同様に、アルミニウム等が好ましく用いられる。被膜３０上に、反射板１３の第１の領域Ｓｃに対応した部分に相当する領域にレジスト３１を形成し、ドライエッチングを施す（第１のドライエッチング）（図１２Ａ）。この第１のドライエッチングでは、被膜３０のうち、反射板１３の第１の領域Ｓｃに対応する部分の外側の部分が除かれ、反射板１３の第１の領域Ｓｃに対応する部分が残される。次に、レジスト３１を取り除き、さらに、被膜３０と層間膜１４Ａの上に反射板１３を形成する材料の被膜（追加被膜３３）が形成される（図１２Ｂ）。追加被膜３３を形成する材料は、被膜３０を形成する材料と同様のものを用いることができる。ただし、このことは、追加被膜３３を形成する材料を、被膜３０を形成する材料と同じとする場合に限定するものでなく、追加被膜３３を形成する材料が、被膜３０を形成する材料と異なっていてもよい。例えば、被膜３０をアルミニウム（Ａｌ）で形成し、追加被膜３３を銀（Ａｇ）で形成してもよい。

　追加被膜３３上において反射板１３を形成する部分に相当する領域にレジスト３４を形成し（図１２Ｃ）、ドライエッチングを施す（第２のドライエッチング）（図１２Ｄ）。そしてレジスト３４が取り除かれる。これにより層間膜１４Ａ上に反射板１３が形成される（図１２Ｅ）。なお、被膜３０の厚みと追加被膜３３の厚みは、反射板１３における第１の領域Ｓｃおよび第２の領域Ｓｐに対応する部分の厚みに応じて定められる。

　反射板１３が形成された後の工程は、上記製造方法の第１の実施形態で説明した反射板１３が形成された後の工程と同様に実施されてよい。こうして表示装置１０を製造することができる。

［７　応用例］
（電子機器）
　上述の一実施形態に係る表示装置１０は、種々の電子機器に備えられてもよい。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに備えられることが好ましい。

（具体例１）
　図１３Ａは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す正面図である。図１３Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す背面図である。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。

　カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、上述の一実施形態および変形例に係る表示装置１０のいずれかを用いることができる。

（具体例２）
　図１４は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す斜視図である。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、上述の一実施形態および変形例に係る表示装置１０のいずれかを用いることができる。

（具体例３）
　図１５は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す斜視図である。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、上述の一実施形態および変形例に係る表示装置１０のいずれかにより構成される。

　以上、本開示の第１の実施形態から第５の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、表示装置の製造方法（製造方法の第１の実施形態及び製造方法の第２の実施形態）、及び応用例について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１の実施形態から第５の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、表示装置の製造方法、及び応用例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

　例えば、上述の第１の実施形態から第５の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、表示装置の製造方法、及び応用例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。

　上述の第１の実施形態から第５の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、表示装置の製造方法、及び応用例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

　上述の第１の実施形態から第５の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、表示装置の製造方法、及び応用例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）２次元的に配置された複数の第１の電極と、
　前記第１の電極の第１の面側に配置された第２の電極と、
　前記第１の電極と前記第２の電極の間に配置されたエレクトロルミネッセンス層と、
　前記第１の電極の第２の面に向かい合う反射板と、
　前記反射板を覆う層間膜と、
　隣接する前記第１の電極間に設けられ複数の開口部を有する絶縁層と、を備え、
　それぞれの前記開口部は、それぞれの前記第１の電極の前記第１の面上に設けられており、
　前記反射板、前記層間膜、前記第１の電極、前記エレクトロルミネッセンス層及び前記第２の電極が、前記エレクトロルミネッセンス層からの出射光を共振する共振器構造を形成しており、
　平面視上、前記開口部に対応した領域を第１の領域とし、前記第１の電極に対応した領域のうち前記第１の領域の外側に対応した領域を第２の領域とした場合に、前記共振器構造では、前記第１の領域に対応する部分の共振次数と前記第２の領域に対応する部分の共振次数とが異なっている、
　表示装置。
（２）前記共振器構造は、下記の数式７及び下記の数式８を満たしており、
　且つ、下記の数式９及び下記の数式１０、又は下記の数式１１及び下記の数式１２のいずれかの組み合わせを満たしている、
（１）に記載の表示装置。

　２Ｌ_１／λ＋φ／２π＝ｍ_１　・・・（数式７）

　２Ｌ_２／λ＋φ／２π＝ｍ_２　・・・（数式８）

　ｍ_１≧２　・・・（数式９）

　ｍ_２＝ｍ_１±１　・・・（数式１０）

　ｍ_１＝１　・・・（数式１１）

　ｍ_２＝２　・・・（数式１２）
（ただし、前記数式７から前記数式１２の各数式において、Ｌ_１は、前記第１の領域に対応する部分における前記反射板と前記第２の電極との間の光学的距離、Ｌ_２は、前記第２の領域に対応する部分における前記反射板と前記第２の電極との間の光学的距離、λは、予め定められた色種に対応する光のスペクトルのピーク波長、φは、前記反射板及び前記第２の電極での光の反射により生じる位相シフトの大きさ、ｍ_１は、前記第１の領域に対応する部分における前記共振次数となる整数、ｍ_２は、前記第２の領域に対応する部分における前記共振次数となる整数を示す。）
（３）前記反射板の厚みの値が、前記第１の領域に対応する部分と前記第２の領域に対応する部分とで異なっている、
　上記（１）又は（２）に記載の表示装置。
（４）前記反射板の厚みの値が、前記第１の領域に対応する部分よりも前記第２の領域に対応する部分のほうが小さい、
　上記（１）又は（２）に記載の表示装置。
（５）前記第１の電極から前記反射板までの離間距離が、前記第１の領域に対応する部分と前記第２の領域に対応する部分とで異なっている、
　上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）前記第１の電極の厚みの値が、前記第１の領域に対応する部分と前記第２の領域に対応する部分とで異なっている、
　上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（７）前記第１の電極の厚みの値が、前記第１の領域に対応する部分よりも前記第２の領域に対応する部分のほうが大きい、
　上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（８）前記絶縁層の厚みの値が、前記第２の領域に対応する部分における共振次数と前記第１の領域に対応する部分における共振次数に応じた値となっている、
　上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）前記絶縁層の屈折率が、前記第２の領域に対応する部分における共振次数と前記第１の領域に対応する部分における共振次数に応じた値となっている、
　上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）前記絶縁層の屈折率の値と厚みの値の組み合わせが、前記第２の領域に対応する部分における共振次数と前記第１の領域に対応する部分における共振次数に応じた組み合わせとなっている、
　上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）前記層間膜の屈折率が、前記第１の領域に対応する部分と前記第２の領域に対応する部分とで異なっている、
　上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）複数の色種に対応した複数のサブ画素を有し、
　前記第１の電極は、前記複数のサブ画素のそれぞれに配置されており、
　前記共振器構造は、前記エレクトロルミネッセンス層からの前記出射光のうち前記複数の色種に応じた光を共振する、
　上記（１）から（１１）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）前記複数の色種は、赤色、青色及び緑色である、
　上記（１２）に記載の表示装置。
（１４）上記（１）から（１３）のいずれか１つに記載の表示装置を備えた、
　電子機器。

１０　　　：表示装置
１１　　　：駆動基板
１１Ａ　　：基板
１２　　　：絶縁層
１３　　　：反射板
１４　　　：層間膜
１５　　　：第１の電極
１７　　　：有機ＥＬ層
１８　　　：第２の電極
１９　　　：保護層
１００　　：有機ＥＬ素子
１００Ｂ　：有機ＥＬ素子
１００Ｇ　：有機ＥＬ素子
１００Ｒ　：有機ＥＬ素子
１０１　　：サブ画素
１０１Ｂ　：サブ画素
１０１Ｇ　：サブ画素
１０１Ｒ　：サブ画素
１０２　　：共振器構造
１０２Ｂ　：共振器構造
１０２Ｇ　：共振器構造
１０２Ｒ　：共振器構造
１０３　　：カラーフィルタ層
１０３Ｂ　：カラーフィルタ層
１０３Ｇ　：カラーフィルタ層
１０３Ｒ　：カラーフィルタ層
１０４　　：充填樹脂層
１０５　　：対向基板
１２０　　：開口部
３１０　　：デジタルスチルカメラ
３２０　　：ヘッドマウントディスプレイ
３３０　　：テレビジョン装置

Claims

　２次元的に配置された複数の第１の電極と、
　前記第１の電極の第１の面側に配置された第２の電極と、
　前記第１の電極と前記第２の電極の間に配置されたエレクトロルミネッセンス層と、
　前記第１の電極の第２の面に向かい合う反射板と、
　前記反射板を覆う層間膜と、
　隣接する前記第１の電極間に設けられ複数の開口部を有する絶縁層と、を備え、
　それぞれの前記開口部は、それぞれの前記第１の電極の前記第１の面上に設けられており、
　前記反射板、前記層間膜、前記第１の電極、前記エレクトロルミネッセンス層及び前記第２の電極が、前記エレクトロルミネッセンス層からの出射光を共振する共振器構造を形成しており、
　平面視上、前記開口部に対応した領域を第１の領域とし、前記第１の電極に対応した領域のうち前記第１の領域の外側に対応した領域を第２の領域とした場合に、前記共振器構造では、前記第１の領域に対応する部分の共振次数と前記第２の領域に対応する部分の共振次数とが異なっている、
　表示装置。
　前記共振器構造は、下記の数式１及び下記の数式２を満たしており、
　且つ、下記の数式３及び下記の数式４、又は下記の数式５及び下記の数式６のいずれかの組み合わせを満たしている、
請求項１に記載の表示装置。
　２Ｌ_１／λ＋φ／２π＝ｍ_１　・・・（数式１）
　２Ｌ_２／λ＋φ／２π＝ｍ_２　・・・（数式２）
　ｍ_１≧２　・・・（数式３）
　ｍ_２＝ｍ_１±１　・・・（数式４）
　ｍ_１＝１　・・・（数式５）
　ｍ_２＝２　・・・（数式６）
（ただし、前記数式１から前記数式６の各数式において、Ｌ_１は、前記第１の領域に対応する部分における前記反射板と前記第２の電極との間の光学的距離、Ｌ_２は、前記第２の領域に対応する部分における前記反射板と前記第２の電極との間の前記光学的距離、λは、予め定められた色種に対応する光のスペクトルのピーク波長、φは、前記反射板及び前記第２の電極での光の反射により生じる位相シフトの大きさ、ｍ_１は、前記第１の領域に対応する部分における前記共振次数となる整数、ｍ_２は、前記第２の領域に対応する部分における前記共振次数となる整数を示す。）
　前記反射板の厚みの値が、前記第１の領域に対応する部分と前記第２の領域に対応する部分とで異なっている、
　請求項１に記載の表示装置。
　前記反射板の厚みの値が、前記第１の領域に対応する部分よりも前記第２の領域に対応する部分のほうが小さい、
　請求項１に記載の表示装置。
　前記第１の電極から前記反射板までの離間距離が、前記第１の領域に対応する部分と前記第２の領域に対応する部分とで異なっている、
　請求項１に記載の表示装置。
　前記第１の電極の厚みの値が、前記第１の領域に対応する部分と前記第２の領域に対応する部分とで異なっている、
　請求項１に記載の表示装置。
　前記第１の電極の厚みの値が、前記第１の領域に対応する部分よりも前記第２の領域に対応する部分のほうが大きい、
　請求項１に記載の表示装置。
　前記絶縁層の厚みの値が、前記第２の領域に対応する部分における共振次数と前記第１の領域に対応する部分における共振次数に応じた値となっている、
　請求項１に記載の表示装置。
　前記絶縁層の屈折率が、前記第２の領域に対応する部分における共振次数と前記第１の領域に対応する部分における共振次数に応じた値となっている、
　請求項１に記載の表示装置。
前記絶縁層の屈折率の値と厚みの値の組み合わせが、前記第２の領域に対応する部分における共振次数と前記第１の領域に対応する部分における共振次数に応じた組み合わせとなっている、
　請求項１に記載の表示装置。
　前記層間膜の屈折率が、前記第１の領域に対応する部分と前記第２の領域に対応する部分とで異なっている、
　請求項１に記載の表示装置。
　複数の色種に対応した複数のサブ画素を有し、
　前記第１の電極は、前記複数のサブ画素のそれぞれに配置されており、
　前記共振器構造は、前記エレクトロルミネッセンス層からの前記出射光のうち前記複数の色種に応じた光を共振する、
　請求項１に記載の表示装置。
　前記複数の色種は、赤色、青色及び緑色である、
　請求項１２に記載の表示装置。
　請求項１に記載の表示装置を備えた、
　電子機器。