CN116601693A - 显示装置及电子设备 - Google Patents

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CN116601693A CN202180083418.1A CN202180083418A CN116601693A CN 116601693 A CN116601693 A CN 116601693A CN 202180083418 A CN202180083418 A CN 202180083418A CN 116601693 A CN116601693 A CN 116601693A
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坂入卓
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Abstract

本发明提供了一种具有优异的颜色纯度的显示装置和电子设备。显示装置包括：二维布置的多个第一电极；布置在第一电极的第一表面的一侧上的第二电极；布置在第一电极和第二电极之间的电致发光层；面向第一电极的第二表面的反射板；覆盖反射板的层间膜；以及设置在相邻第一电极之间并且具有多个开口的绝缘层。所述开口相应地设置在第一电极的相应第一表面上，并且反射板、层间膜、第一电极、电致发光层和第二电极构成谐振来自电致发光层的发射光的谐振器结构。当在俯视观察中，与开口对应的区域设为第一区域并且与第一电极对应的区域中与第一区域的外侧对应的区域设为第二区域的情况下，谐振器结构使得与第一区域对应的部分的谐振次数和与第二区域对应的部分的谐振次数是不同的。

Description

显示装置及电子设备
技术领域
本公开涉及显示装置和使用该显示装置的电子设备。
背景技术
作为在包括电致发光层的显示装置(在下文中，简称为显示装置)中提高光提取效率的技术，例如，如在专利文献1中公开的，已知谐振器结构，其依次包括反射板、层间膜、二维设置的多个透明电极、电致发光层和半透射电极。在所述谐振器结构中，谐振来自所述电致发光层的发射光。
引用列表
专利文件
专利文献1：日本专利申请公开号2014-235959。
发明内容
发明要解决的问题
在具有谐振器结构的显示装置中，需要抑制在子像素的外围部分中提取与在子像素中期望提取的光的颜色不同的颜色的光的问题。因此，在具有谐振器结构的显示装置中，在增强颜色纯度方面存在改进的空间。
鉴于上述点做出了本公开，并且本公开的目的是提供具有优异的颜色纯度的显示装置和电子设备。
问题的解决方案
本公开是，例如，(1)一种显示装置，包括二维设置的多个第一电极、设置在第一电极的第一表面的一侧上的第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的电致发光层、面向第一电极的第二表面的反射板、覆盖反射板的层间膜、以及设置在相邻第一电极之间并且具有多个开口的绝缘层，其中，在第一电极的第一表面上设置每个开口，并且反射板、层间膜、第一电极、电致发光层和第二电极构成谐振来自电致发光层的发射光的谐振器结构，并且在俯视观察时中，在将与开口对应的区域设为第一区域并且在将与第一电极对应的区域中与第一区域的外侧对应的区域设为第二区域的情况下，与第一区域对应的部分的谐振次数和与第二区域对应的部分的谐振次数在谐振器结构中不同。
此外，例如，本公开可以是包括根据(1)的显示装置的(2)电子设备。
附图说明
图1是用于描述显示装置的实施方式实例的截面图。
图2A是用于描述显示装置的一个实施方式实例的俯视观察。图2B是将图2A中的虚线包围的区域XS的一部分放大的局部放大俯视观察。
图3是用于描述根据第一实施例的显示装置的截面图。
图4A和图4B是均示出了显示装置的子像素的布局的实例的俯视观察。
图5是用于描述根据第一实施例的显示装置的变形例的实施方式实例的截面图。
图6是用于描述根据第二实施例的显示装置的实施方式实例的截面图。
图7是用于描述根据第二实施例的显示装置的变形例的实施方式实例的截面图。
图8是用于描述根据第二实施例的显示装置的变形例的实施方式实例的截面图。
图9是用于描述根据第三实施例和第四实施例的显示装置的实施方式实例的截面图。
图10是用于描述根据第五实施例的显示装置的实施方式实例的截面图。
图11A、图11B、图11C、图11D、图11E、图11F和图11G是各自描述用于制造显示装置的方法的实施方式实例的截面图。
图12A、图12B、图12C、图12D和图12E是用于各自描述用于制造显示装置的方法的实施方式实例的截面图。
图13A和图13B是用于描述使用显示装置的电子设备的实施方式实例的示图。
图14是用于描述使用显示装置的电子设备的实施方式实例的示图。
图15是用于描述使用显示装置的电子设备的实施方式实例的示图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述根据本公开的实施方式实例等。注意，将按以下顺序进行描述。在本说明书和附图中，具有基本相同的功能配置的部件由相同的参考标号表示，并且省略冗余的描述。
注意，将按以下顺序进行描述。
1.第一实施例
2.第二实施例
3.第三实施例
4.第四实施例
5.第五实施例
6.制造方法
7.电子设备
以下描述是关于本公开的优选具体实例，并且本公开的内容不限于用于实施方式实例的实施例等。此外，在以下描述中，考虑到描述的便利性，指示诸如前和后、左和右、以及上和下的方向，但是本公开内容的内容不限于这些方向。在图1和图2的实例中，假设Z轴方向为上下方向(上侧为+Z方向，下侧为-Z方向)，X轴方向为前后方向(前侧为+X方向，后侧为-X方向)，并且Y轴方向为左右方向(右侧为+Y方向，左侧为-Y方向)，并且将基于上述方向进行描述。图3至图12与上述相似。为方便起见，描述图1等图中所示的层的尺寸和厚度的相对振幅比，并且不限制实际振幅比。图2至图12关于方向和大小比的限定是相似的。
[1第一实施例]
[1-1显示装置的配置]
图1和图3是各自示出了作为本公开的实施方式实例的显示装置10的配置实例的截面图。显示装置10包括驱动基板11、多个反射板13、层间膜14、多个第一电极15、电致发光层、第二电极18和保护层19，并且包括设置在相邻的第一电极15之间的绝缘层12。以下，以电致发光层为有机EL层17的情况为例进行说明。图3是通过提取图1中的一个子像素的一部分而获得的截面图。
显示装置10是顶部发射型显示装置。在显示装置10中，驱动基板11位于显示装置10的反面侧，并且从驱动基板11朝向有机EL层17的方向(+Z方向)是朝向显示装置10的主表面(显示表面10A)的方向。在以下描述中，在构成显示装置10的每个层中，更靠近显示装置10的显示表面10A的表面被称为第一表面(上表面)，并且在显示装置10的反表面侧的表面被称为第二表面(下表面)。
(有机EL元件)
在显示装置10中，形成在驱动基板11上的反射板13、层间膜14、第一电极15、有机EL层17和第二电极18构成有机EL元件100。在显示装置10中，对应于像素布局形成多个有机EL元件100。有机EL元件100的布局不受限制。在图2A的实例中，多个有机EL元件100在预定两个方向(图2A中的X轴方向和Y轴方向)上二维对准。图2A是用于描述显示装置10的显示表面10A的实施方式实例的俯视观察。在图2A中，附图标记10B表示围绕显示表面10A的非显示部分。
(像素的配置)
在图2B中所示的显示装置10的实例中，一个像素由对应于多种颜色类型的多个子像素的组合形成。在该实例中，红色、蓝色和绿色三种颜色被确定为多种颜色类型，并且子像素101R、子像素101G和子像素101B三种类型被设置为子像素。所述子像素101R、子像素101G和子像素101B分别为红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素，分别显示红色、蓝色和绿色。在图2A、图2B等所示的显示装置10的实例中，对应于子像素101R、子像素101G以及子像素101B设置有机EL元件100R、有机EL元件100G以及有机EL元件100B。然而，图2A、图2B等的实例仅是示例，并且显示装置10不限于存在与多种颜色类型对应的多个子像素的情况。可以存在一种颜色类型，或者可以在没有子像素的情况下形成像素。此外，与红色、绿色和蓝色的每种颜色类型对应的光(分别为红光、绿光和蓝光)可以被限定为分别具有在610nm至650nm的范围内、510nm至590nm的范围内、以及440nm至480nm的波长范围内的主波长的光。
子像素101R、101G以及101B的布局在图1和图2B的实例中是条形布局，但不限于该实例。所述子像素101R、101G及101B的布局可以为(例如)图4A所示的三角形布局或图4B所示的正方形布置。子像素101R、101G、以及101B的形状也不受限制。
在以下描述中，在不区分子像素101R、101G、以及101B的情况下，使用术语“子像素101”。在不区分有机EL元件100R、100G、以及100B的情况下，使用术语“有机EL元件100”。此外，关于附图，在图3的示例中，提取并示出了一个子像素101和有机EL元件100的一部分。然而，如图1、图2A和图2B的实例中所示，在存在多个子像素101的情况下，例如，在存在多个子像素101R、101G以及101B的情况下，可以为对应于多个子像素101R、101G以及101B的多个有机EL元件100R、100G以及100B中的每个采用相似的配置。
上述有机EL元件的配置和像素的配置类似于稍后描述的第二实施例至第五实施例的配置、实施例的变形例以及制造方法的实例。同样，在第二实施例至第五实施例、实施例的变形例以及制造方法中，在显示装置10中，一个像素可以通过与多种颜色类型对应的多个子像素的组合形成，可以使用一种颜色类型，或者可以形成没有子像素的像素。
(驱动基板)
在驱动基板11中，驱动多个有机EL元件100的各种电路设置在基板11A上。各种电路的实例包括控制有机EL元件100的驱动的驱动电路和向多个有机EL元件100供电的电源电路(均未示出)。
基板11A可以包括例如对水分和氧具有低渗透性的玻璃或树脂，或者可以包括其中容易形成晶体管等的半导体。具体地，基板11A可以是玻璃基板、半导体基板、树脂基板等。玻璃基板包括例如高应变点玻璃、钠玻璃、硼硅酸盐玻璃、镁橄榄石、铅玻璃、石英玻璃等。半导体基板包括例如非晶硅、多晶硅、单晶硅等。树脂基板例如包括选自由以下组成的组中的至少一种：聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚、聚醚砜、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等。
在驱动基板11的第一表面上设置有用于连接有机EL元件100和设置在基板11A上的各种电路的多个接触插头(未示出)。
(谐振器结构)
谐振器结构102形成在显示装置10中。谐振器结构102是空腔结构，是使来自后述的有机EL层17的发射光谐振的结构。在显示装置10中，在有机EL元件100中形成谐振器结构102，并且反射板13、层间膜14、第一电极15、有机EL层17和第二电极18构成谐振器结构102。使来自有机EL层17的发射光谐振意味着使包含在发射光中的特定波长的光谐振。
在图1至图3中所示的显示装置10的实例中，有机EL层17使用白光作为发射光，并且谐振器结构102谐振包括在白光中的特定波长的光。此时，来自有机EL层17的白光中的具有预定波长的光被加强。然后，在加强预定波长的光的状态下，光从有机EL元件100的第二电极18朝向外部发射。注意，预定波长的光是对应于预定颜色类型的光，并且指示对应于根据子像素101确定的颜色类型的光。在图1至图3的实例中，显示装置10包括子像素101R、101G、和101B，以及分别与子像素100R、100G、和100B对应的有机EL元件101R、101G、和101B。在有机EL元件100R、100G、100B中分别形成有谐振器结构102R、102G、102B。在谐振器结构102R中，来自有机EL层17的发射光的红光谐振。在红色光被加强的状态下，光从有机EL元件100R的第二电极18朝向外部发射。在谐振器结构102G和102B中，来自有机EL层17的发射光的绿光和蓝光谐振。在绿色光和蓝色光被加强的状态下，光从有机EL元件100G和100B的第二电极18朝向外部发射。应注意，在本说明书中，在不区分谐振器结构102R、102G、以及102B的情况下，使用术语“谐振器结构102”。
(光路长度的设定)
来自有机EL层17的发射光的谐振通过第二电极18与反射板13之间的反射来实现。第二电极18和反射板13之间的光路长度(可以称为光学距离)根据预定颜色类型的光来设定。预定颜色类型是子像素101发光的期望颜色类型。例如，在形成在子像素102R中的谐振器结构101R中，设置反射板13与第二电极18之间的光路长度以产生红光的谐振。在形成于所述子像素101G和101B中的所述谐振器结构102G和102B中，所述反射板13和所述第二电极18之间的光路长度被设置为分别产生绿光和蓝光的谐振。
(第一区域和第二区域)
在显示装置10的俯视观察中，稍后描述的在与开口120相对应的区域设为第一区域Sc，并且在与第一电极15相对应的区域中与第一区域Sc的外侧相对应的区域设为第二区域Sp的情况下，在显示装置10中的谐振器结构102中，针对与第一区域Sc和第二区域Sp对应的两个部分形成谐振来自有机EL层17的发射光的结构。
在下文中，为了便于描述，与第一区域Sc对应的谐振器结构102的一部分被称为第一谐振结构E1(由图3中的双头箭头所指示的范围表示)。此外，与第二区域Sp对应的谐振器结构102的一部分被称为第二谐振结构E2(由图3中的双头箭头所指示的范围表示)。在第一谐振结构E1和第二谐振结构E2中，第一谐振结构E1R、E1G和E1B以及第二谐振结构E2R、E2G和E2B分别形成在子像素101R、101G和101G中。在不区分第一谐振结构E1R、E1G和E1B的情况下，使用第一谐振结构E1，并且在不区分第二谐振结构E2R、E2G和E2B的情况下，使用第二谐振结构E2。应注意，指示第二区域Sp的“在与第一电极15对应的区域中与第一区域Sc对应的外侧的区域”是在显示装置10的俯视观察中与开口120的外部周边边缘对应的区域，并且是绝缘层12和第一电极15重叠的区域。
根据预定颜色类型的光通过设定第二电极18和反射板13之间的光路长度(光学距离)，可以实现第一谐振结构E1和第二谐振结构E2中的每个谐振结构的形成。
(谐振次数)
在显示装置10中，谐振器结构102形成在与第一区域Sc对应的部分和与第二区域Sp对应的部分两者中。此外，在谐振器结构102中，与第一区域Sc对应的部分中的谐振次数和与第二区域Sp对应的部分中的谐振次数不同。也就是说，在显示装置10中，谐振器结构102中的第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数不同。图3所示的实例可以通过在谐振器结构102中形成其中在与第一区域Sc对应的部分中的第二电极18和反射板13之间的光路长度被设为根据第一谐振结构E1的谐振次数的值的配置，以及在与第二区域Sp对应的部分中的第二电极18和反射板13之间的光路长度被设置为根据第二谐振结构E2的谐振次数的值的配置来实现。
(谐振条件)
在谐振器结构102中，第一谐振结构E1的谐振次数与第二谐振结构E2的谐振次数不同的配置优选地满足谐振条件。谐振条件表示满足下列数学式1和数学式2并且满足下列数学式3和数学式4的组合或下列数学式5和数学式6的组合，
2L1/λ+φ/2π＝m1...(数学式1)，
2L2/λ+φ/2π＝m2...(数学式2)，
m1≥2...(数学式3)，
m2＝m1±1...(数学式4)，
m1＝1...(数学式5)，
m2＝2...(数学式6)。
在上述数学式1至数学式6中的每个数学式中，L1表示在与第一区域Sc对应的部分中的反射板13和第二电极18之间的光学距离[nm]，L2表示在与第二区域Sp对应的部分中的反射板13和第二电极18之间的光学距离[nm]，λ表示对应于预定颜色类型的光的光谱的峰值波长[nm]，φ表示由光在反射板13和第二电极18上的反射引起的相移的幅度[rad](弧度)，m1表示作为在与第一区域Sc对应的部分中的谐振次数的整数，m2表示作为在与第二区域Sp对应的部分中的谐振次数的整数。与预定颜色类型对应的光与期望被提取到外部的光对应。
光学距离L1表示形成与第一区域Sc对应的部分并且形成在反射板13和第二电极18之间的相应层的厚度和折射率的乘积之和。例如，在形成与第一区域Sc对应的部分并且形成在反射板13和第二电极18之间的相应层(例如，形成插入反射板13和第一电极15之间的层间膜14的一部分、第一电极15和有机EL层17的层)的厚度[nm]由d11、d12、d13…和d1k1表示(k1是形成与第一区域Sc对应的部分的层的数量(整数))，并且对应于相应层的折射率由n11、n12、n13…和n1k1表示的情况下，L1是由d11×n11+d12×n12+d13×n13+...+d1k1×n1k1计算的值。光学距离L1对应于第一谐振结构E1的光学距离。
光学距离L2表示形成与第二区域Sp对应的部分并且形成在反射板13和第二电极18之间的层的厚度和折射率的乘积之和。例如，在形成与第二区域Sp对应的部分和形成在反射板13和第二电极18之间的相应层(例如，形成插入反射板13和第一电极15之间的层间膜14的一部分、第一电极15和有机EL层17的层)的厚度[nm]由d21、d22、d23…和d2k2表示的情况下(k2是形成与第二区域Sp对应的部分的层的数量(整数))，并且对应于相应层的折射率由n21、n22、n23…和n2k2表示，L2是通过d21×n21+d22×n22+d23×n23+...+d2k2×n2k2计算的值。光学距离L2对应于第二谐振结构E2的光学距离。
相移φ是通过Δφ1+Δφ2计算的值，其中Δφ1是由光在反射板13上的反射引起的相移，并且Δφ2是由光在第二电极18上的反射引起的相移的幅度。
Δφ1可以由反射板13的折射率、反射板13的吸收系数、与反射板13接触的层间膜14的折射率等指定。Δφ2可以由反射板13的折射率、反射板13的吸收系数、与反射板13接触的层间膜14的折射率等来指定。例如，对于指定相移的方法，可以参考Opics，MaxBorn和EmilWolf，1974(PERGAMON出版社)等原理的描述。
(第一谐振结构的谐振次数和第二谐振结构的谐振次数不同的配置)
在根据第一实施例的显示装置10中，例如，如图3的示例所示，通过根据第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数将反射板13的与第一区域Sc对应的部分的厚度(Wr1)和反射板13的与第二区域Sp对应的部分的厚度(Wr2)设置为彼此不同的值，来实现第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置(谐振次数不相等的配置)。此时，在与第一区域Sc对应的部分中从第一电极15到反射板13的间隔距离是基于对应于第一谐振结构E1的谐振次数的光学距离确定的距离。在与第二区域Sp对应的部分中从第一电极15到反射板13的间隔距离是基于与第二谐振结构E2的谐振次数次对应的光学距离确定的距离。在图1至图3的示例中，对于谐振器结构102R、102G和102B中的每个谐振器结构，采用第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数分别不同的配置。然而，对于谐振器结构102R、102G和102B的一部分，可以采用第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数分别不同的配置。
注意，图1至图3的实例还表示通过将层间膜14的膜厚度设置为与与第一区域对应的部分和与第二区域对应的部分中的每个部分的谐振次数对应的值来实现第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置。即，在图3所示的示例中，在与第一区域Sc对应的部分中从反射板13的第一表面到层间膜14的第一表面(层间膜14B的第一表面)的厚度是A1，并且在与第二区域Sp对应的部分中从反射板13的第一表面到层间膜14的第一表面(层间膜14B的第一表面)的厚度是A2的情况下，在与第一区域Sc对应的部分中从第一电极15到反射板13的间隔距离对应于A1，并且在与第二区域Sp对应的部分中从第一电极15到反射板13的间隔距离对应于A2。因此，A1和A2分别是基于与第一谐振结构E1的谐振次数对应的光学距离和与第二谐振结构E2的谐振次数对应的光学距离而确定的距离。在图1和图3的示例中，与从第一电极15到反射板13的间隔距离对应的A1和A2具有不同的值。注意，对于厚度A1和A2，如图1所示，针对子像素101R、101G和101B中的每个子像素确定厚度(A1R、A2R、A1G、A2G、A1B和A2B)。
图3中的显示装置10的示例中所示的谐振器结构102示出第二谐振结构E2的谐振次数大于第一谐振结构E1的谐振次数的情况。这种情况的示例包括第一谐振结构E1的谐振次数m1为1并且第二谐振结构E2的谐振次数m2为2的情况。在这种情况下，根据第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数的光学距离L1和光学距离L2可以根据φ和λ的值的条件从上述谐振条件的数学式1和数学式2确定。此外，在这种情况下，光学距离L2大于光学距离L1。然后，可以确定反射板13的形状以满足所确定的L1和L2。在图3的实例中所示的显示装置10中，在反射板13的第一表面的一侧上形成台阶(厚度差)。即，在反射板13的厚度中，与第二区域Sp对应的部分的厚度Wr2小于与第一区域Sc对应的部分的厚度Wr1。利用该配置，反射板13的第一表面的位置是这样的位置：与第二区域Sp对应的部分比与第一区域Sc对应的部分更远离第二电极18，以满足光学距离L1和光学距离L2。
光学距离L1和光学距离L2的特定值可以根据诸如构成有机EL元件100的各层的厚度((d11,d12,...d1k1)、(d21,d22,...,d2k2))、折射率((n11,n12,...,n1k1)、(n21,n22,...,n2k2))、φ和λ的条件来指定。每个层被配置如下。
(第一电极)
多个第一电极15设置在驱动基板11的第一表面的一侧上。多个第一电极15与子像素101的布局对应地二维地布置。多个第一电极15形成在后面描述的层间膜14的第一表面上。
在图1至图3的实例中，第一电极15是阳极。当对第一电极15和第二电极18施加电压时，空穴(正空穴)从第一电极15注入到有机EL层17中。从提高有机EL元件100的发光效率的观点来看，第一电极15优选地包括具有高功函数和高透射率的材料。第一电极15优选为透明电极。透明电极不受限制，并且包括例如透明导电氧化物(TCO)。透明导电氧化物的实例包括铟基透明导电氧化物、锡基透明导电氧化物和锌基透明导电氧化物。透明电极可以包括以上例示的各种透明导电氧化物的多种。
铟基透明导电氧化物表示含铟的透明导电氧化物，铟基透明导电氧化物的示例包括一组化合物，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟镓(IFO)。锡基透明导电氧化物表示含锡透明导电氧化物，锡基透明导电氧化物的示例包括一组化合物，例如氧化锡、锑掺杂的氧化锡(ATO)和氟掺杂的氧化锡(FTO)。锌基透明导电氧化物表示含锌的透明导电氧化物，锌基透明导电氧化物的示例包括一组化合物，例如氧化锌、铝掺杂的氧化锌(AZO)和硼掺杂的氧化锌。从降低显示装置10的驱动电压的角度来看，优选地使用包括ITO的电极作为第一电极15的透明电极。
(绝缘层)
具有开口120的绝缘层12形成在相邻的第一电极15之间。绝缘层12形成于稍后描述的层间膜14的表面和第一电极15的第一表面上。绝缘层12中的开口120在显示装置10的俯视观察中形成在第一电极15的位置处。开口120以根据子像素101的布置图案的图案形成，并且开口120的一部分限定子像素101的单元部分。如图1至图3的实例所示，开口120设置在每个第一电极15的第一表面上。在第一电极15的第一表面上形成的开口120表示绝缘层12形成为覆盖第一电极15的上表面(第一表面)的侧端面和外边缘并且在第一电极15的上表面上升高。应注意，显示装置10的俯视观察表示上下方向是视线方向的情况。此外，绝缘层12是将相邻的第一电极15电分离的层。绝缘层12不受限制，并且可以包括诸如聚酰亚胺类树脂的有机绝缘膜或诸如氮化硅的无机绝缘膜。
(有机EL层)
在显示装置10中，如图1和图3所示，有机EL层17设置第一电极15和稍后描述的第二电极18之间。有机EL层17覆盖第一电极15和绝缘层12。在图1中的显示装置10的实例中，有机EL层17是所有像素和所有子像素共用的有机EL层。
有机EL层17至少包括发光层。发光层包括有机发光材料。在发光层中，从第一电极15和第二电极18中的每个电极注入的空穴和电子彼此耦合以产生光。所产生的光是来自有机EL层17的发射光。
有机EL层17也可以是从第一电极15朝向第二电极18(从下至上)依次层叠空穴传输层、发光层、电子传输层的结构。具有这种结构的有机EL层17可以进一步提高发光效率。此外，有机EL层17也可以具有从第一电极15朝向第二电极18依次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层电子、注入层和电子传输层的结构。
在图1至图3的实例中，就包括各种波长的光作为成分而言，来自有机EL层17的发射光优选为白光，这不限制来自有机EL层17的发射光的颜色。
此外，在图1至图3的实例中，有机EL层17是所有子像素101共用的层，但是显示装置10不限于此。在显示装置10中，可以为每个子像素101形成有机EL层17，或者可以为每个颜色类型的子像素101形成有机EL层17。例如，在为每个子像素101R、101G以及101B形成有机EL元件100R、100G以及100B的情况下，可以在将与有机EL元件100R、100G以及100B相对应的发射红光的有机EL层、发射绿光的有机EL层以及发射蓝光的有机EL层彼此分开的状态下形成有机EL层17。然而，同样在这种情况下，形成绝缘层12和开口120。
(第二电极)
在显示装置10中，第二电极18被布置在第一电极15的第一表面侧上。在图1至图3中的显示装置10的实例中，第二电极18是所有子像素101共用的层，但显示装置10不限于此。在显示装置10中，与有机EL层17相似，第二电极18可以为每个子像素101形成，或者第二电极18可以为每个颜色类型的子像素101形成。
在图1至图3的实例中，第二电极18是阴极。当对第一电极15和第二电极18施加电压时，电子从第二电极18注入到有机EL层17中。第二电极18优选能够反射从有机EL层17产生的发射光并传输在谐振器结构102中谐振的光。从这个观点来看，第二电极18优选为半透射电极。半透射电极表示具有反射光的特性和透射光的特性两者的电极。从提高有机EL元件100的发光效率的观点来看，第二电极18优选包括具有低功函数的材料。
第二电极18可以包括例如金属层和金属氧化物层之一的单层膜或多层膜，或者可以包括金属层和金属氧化物层的层压膜。在第二电极18包括金属层和金属氧化物层的层压膜的情况下，从使具有低功函数的层面对有机EL层的观点来看，金属层优选朝向有机EL层17。金属层优选包含例如选自由镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、钙(Ca)、钠(Na)等组成的组的至少一种金属元素。金属层可以是包含选自上述金属族的金属元素作为构成元素的合金。金属氧化物的实例包括ITO、IZO和ZnO。
(反射板)
反射板13被设置成面向第一电极15的第二表面。反射板13为每个第一电极15设置，即，为每个子像素101设置。此外，反射板13隔着第一电极15面向有机EL层17。反射板13反射来自有机EL层17的发射光。
反射板13没有限制，只要能够形成具有光反射性的表面即可，但是从增强光反射性的观点来看，优选地包括含金属的层(反射层)。金属的实例包括银(Ag)、银合金、铝(Al)、铝合金(Al)、铂(Pt)、金(Au)、铬(Cr)和钨(W)。
反射板13可以包括反射层，或者可具有其中反射层形成在基础层上的层叠结构。在这种情况下，在反射板13中，其上形成有反射层的表面是第一表面。基础层优选包括含有钛(Ti)或钛基化合物的层。钛系化合物的实例包括氮化钛(TiN)和氧化钛。因为反射板13具有反射层形成在基础层上的这种层叠结构，所以可以改善反射层的晶体取向，并且可以改善反射率。
在根据第一实施例的显示装置10中，反射板13的与第一区域Sc对应的部分的厚度Wr1不同于与第二区域Sp对应的部分的厚度Wr2。根据谐振器结构102中的第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数来确定反射板13的厚度(Wr1、Wr2)。此外，可以根据反射板13的厚度(Wr1、Wr2)来确定反射板13的形状。
图1至图3中的显示装置10的示例指示第一谐振结构E1的谐振次数小于第二谐振结构E2的谐振次数的情况的示例(例如，第一谐振结构的谐振次数为1并且第二谐振结构E2的谐振次数为2的情况)。基于表示上述谐振条件的数学式1和数学式2，在相同颜色的光在第一区域Sc和第二区域Sp中谐振的条件下，用于满足谐振条件的光学距离随着谐振次数变大而变长。从这个观点来看，在图1至图3的实例中，反射板13的厚度和形状被确定，使得与第二区域Sp对应的部分的第一表面侧的位置比与第一区域Sc对应的部分的第一表面侧的位置距第一电极15的第二表面更远。
(层间膜)
层间膜14布置在第一电极15的第二表面一侧，并覆盖反射板13的第一表面侧。在图1至图3的实例中，反射板13嵌入在层间膜14中。具体地，层间膜14包括两层(层间膜14A和层间膜14B)，反射板13布置在层间膜14A上，并且层间膜14B形成为覆盖反射板13。层间膜14覆盖驱动基板11的第一表面。层间膜14用作调节反射板13和第二电极18之间的光学距离的光学调节层。可以通过确定层间膜14的第一表面与反射板13的第一表面之间的距离来调节反射板13与第二电极18之间的光学距离。
例如，在图1的示例中，确定层间膜14的第一表面与反射板13的第一表面(第一表面的与第一区域Sc对应的区域)之间的距离(厚度A1R)，使得谐振器结构102R具有光学距离L1R，在该光学距离L1R处，红光在第一谐振结构E1中针对对应于有机EL元件100R的第一区域Sc的部分谐振。此外，确定层间膜14的第一表面与反射板13的第一表面(第一表面的与第二区域Sp对应的区域)之间的距离(厚度A2R)，使得谐振器结构102R具有红色光在第二谐振结构E2中针对对应于有机EL元件100R的第二区域Sp的部分谐振的光学距离L2R。同样，对于有机EL元件100G和100B中的每个元件，确定与第一区域Sc对应的部分的层间膜14的第一表面与反射板13的第一表面之间的距离(厚度A1G和A1B)和与第二区域Sp对应的部分的层间膜14的第一表面与反射板13的第一表面之间的距离(厚度A2G和A2B)。
然后，在图1的实例中的显示装置10中，反射板13的形状(厚度)被确定为满足与有机EL元件100R、100G、和100B对应的距离(厚度A1R、A1G、A1B、A2R、A2G、和A2B)的条件。此外，反射板13在层间膜14中的位置被确定为满足距离的条件。在图1中，在层间膜14中，层间膜14A的第一表面为平坦表面，并且从层间膜14B的第一表面至反射板13的位置的深度为根据上述距离条件的距离。注意，该实例仅仅是实例，并且层间膜14B的第一表面可以是平坦表面，层间膜14A的第一表面可以是不平坦的，并且从层间膜14B的第一表面到反射板13的位置的深度可以根据上述距离条件设置为距离。
(保护层)
保护层19形成在第二电极18上。保护层19包括绝缘材料。作为绝缘材料，例如，可以使用热固性树脂等。另外，绝缘材料可以是SiO、SiON、AlO或TiO等。在这种情况下，保护层19的实例包括包含SiO、SiON等的CVD膜和包含AlO、TiO、SiO等的ALD膜。
(滤色器层)
滤色器层103可设置在保护层19上。可根据子像素101设置滤色器层103。例如，在图1所示的显示装置10中设置滤色器层103的情况下，设置根据子像素103R、103G和103B的滤色器层101R、101G和101B。通过在显示装置10中设置滤色器层103可以进一步提高颜色纯度。
(填充树脂层)
此外，填充树脂层104可以形成在滤色器层103上。填充树脂层104可以具有保护滤色器层103的功能，可以使滤色器层103的第一表面侧平坦。稍后描述的填充树脂层104可以具有作为用于粘合保护层19和对向的基板105的粘合层的功能。填充树脂层104的实例包括紫外线固化树脂、热固性树脂等。
(对向的基板)
对向的基板105被设置在填充树脂层104上以面向驱动基板11。对向的基板105与填充树脂层104一起密封有机EL元件100。对向的基板105优选地包括诸如玻璃的材料。
[1-2作用和效果]
在具有有机EL层的显示装置中，在第一电极的第一表面具有从绝缘层的开口暴露的区域和覆盖有绝缘层的区域，并且有机EL层形成为覆盖这些区域的情况下，载流子(空穴等)可能在横向方向上从绝缘层的开口朝向覆盖有绝缘层的区域泄漏。在这种情况下，不仅在开口中而且在绝缘层中的开口的外围边缘的区域中出现有机EL层的光发射的可能性。
在具有这种有机EL层的显示装置中，已经提出通过提供谐振来自有机EL层的发射光的谐振器结构来提高光提取效率的技术。在显示装置中形成谐振器结构的情况下，不仅发射的光在对应于与开口对应的第一区域的部分中谐振，而且发射的光可在第一区域的外侧上在与第二区域对应的部分中谐振。在所述显示装置中，与所述第二区域对应的部分不同于与所述第一区域对应的部分，并且所述绝缘层形成在所述第一电极上。在这种情况下，与第一区域对应的部分中的反射板与第二电极之间的光学距离与第二区域对应的部分中的反射板与第二电极之间的光学距离存在差异，在第一区域和第二区域中可以发出不同颜色的光(色移)。因此，在具有有机EL层的显示装置中，即使在设置谐振器结构并形成第一区域和第二区域的情况下，也需要抑制第一区域和第二区域之间的色移。
在根据第一实施例的显示装置10中，在谐振器结构102中，与第一区域Sc对应的部分的谐振次数和与第二区域Sp对应的部分的谐振次数彼此不同。此时，在谐振器结构102中，相同颜色的光在与第一区域Sc对应的部分中和与第二区域Sp对应的部分中在谐振次数彼此不同的状态下谐振。因此，显示装置10可以抑制第一区域Sc与第二区域Sp之间的色移。
此外，在根据第一实施例的显示装置10中，由于在与第一区域Sc对应的部分和与第二区域Sp对应的部分中谐振次数不同，所以可以确保与第一区域Sc对应的部分和与第二区域Sp对应的部分中的处理余量。例如，在谐振器结构102B设置在设置有蓝色子像素101B的显示装置10中的情况下，为了实现与第一区域Sc对应的部分的谐振次数和与第二区域Sp对应的部分的谐振次数均匀的设计，通常，可能需要与反射板13的第二区域Sp对应的部分位于第一电极15侧的设计。然而，由于第一电极15与反射板13之间的短距离，这种设计是困难的。在这方面，在根据第一实施例的显示装置10中，由于在与第一区域Sc对应的部分中和与第二区域Sp对应的部分中谐振次数不同，所以可以设计与第二区域Sp对应的部分以充分确保第一电极15与反射板13之间的距离，并且可以以优异的可行性设计与第二区域Sp对应的部分。
[1-3显示装置的变形例]
在上面详细描述的图1至图3中的显示装置10的示例中，已经描述了第二谐振结构E2的谐振次数大于第一谐振结构的谐振次数的情况的示例。在显示装置10中，如图5所示，第一谐振结构E1的谐振次数可大于第二谐振结构E2的谐振次数。例如，第一谐振结构E1的谐振次数可以是2，并且第二谐振结构E2的谐振次数可以是1。
在这种情况下，在显示装置10中，在相同颜色的光谐振的条件下，基于上述指示谐振条件的数学式1和数学式2，在具有比第二谐振结构E2更大的谐振次数的第一谐振结构E1中，用于满足谐振条件的光学距离更长。考虑到上述点，在显示装置10中，如图5所示，反射板13优选地形成为使得与第一区域Sc对应的部分的第一表面侧的位置比与第二区域Sp对应的部分的第一表面侧的位置更远离第一电极15。因此，在图5所示的示例中，在反射板13中，与第二区域Sp对应的部分的厚度的值大于与第一区域Sc对应的部分的厚度的值。
在根据这种变形例的显示装置10中，在谐振器结构102中，相同颜色的光在与第一区域Sc对应的部分中和与第二区域Sp对应的部分中的谐振次数不同的状态下谐振，并且因此可以抑制第一区域Sc与第二区域Sp之间的色移。
[2第二实施例]
[2-1显示装置的配置]
将描述根据本公开的第二实施例的显示装置10。如在第一实施例中那样，根据第二实施例的显示装置10具有谐振器结构102，并且具有第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数在谐振器结构102中不同的配置。在第二实施例中，如图6所示，通过根据第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数，将第一电极15的与第一区域Sc对应的部分的厚度We1和与第二区域Sp对应的部分的厚度We2设置为彼此不同的值，来实现第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置。除了第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置之外，根据第二实施例的显示装置10与根据第一实施例的显示装置10类似。
在根据第二实施例的显示装置10中，可以与第一实施例中描述的第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置相组合地采用第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置。
图6是示出根据第二实施例的显示装置10的配置示例的截面图，并且示出了第二谐振结构E2的谐振次数大于第一谐振结构E1的谐振次数的情况的示例(例如，第一谐振结构E1的谐振次数为1并且第二谐振结构E2的谐振次数为2的情况)。在图6的实例中，形成第一电极15，使得与第二区域Sp对应的部分的厚度We2比与第一区域Sc对应的部分的厚度We1厚(We2大于We1)。第一电极15具有与第二区域Sp对应的部分从与第一区域Sc对应的部分朝向第一表面凸出的形状。
在第二谐振结构E2的谐振次数大于第一谐振结构E1的谐振次数的情况下，满足第二谐振结构E2的谐振条件的光学距离比满足第一谐振结构E1的谐振次数的光学距离长。
绝缘层12的与第二区域Sp对应的部分的厚度由U表示。在图6的实例中所示的显示装置10中，与在与第一区域对应的部分中和与第二区域对应的部分中第一电极15的厚度均匀的情况相比，U更小并且We2更大(U相对较小并且We2相对较大)。在第一电极15的折射率大于绝缘层12的折射率的情况下，U变小并且We2变大，并且因此与第二区域对应的部分的光学距离可以被制造得更长。
在第一电极15的折射率大于绝缘层12的折射率的情况下，在图6的示例中所示的显示装置10中，U小并且We2大，使得第二谐振结构E2中的光学距离满足谐振条件。即，与第一电极15对应的第二区域Sp的部分具有从与第一区域Sc对应的部分朝向第一表面凸出的形状，使得第二谐振结构E2中的光学距离满足谐振条件。
[2-2作用和效果]
与根据第一实施例的显示装置类似，根据第二实施例的显示装置10可以抑制第一区域Sc与第二区域Sp之间的色移。
此外，因为第一电极15中与第二区域Sp对应的部分的厚度We2大于与第一区域对应的部分的厚度We1，所以可以控制有机EL元件100的电场(形成在第一电极15和第二电极18之间的电场)，从而减少载流子(空穴等)的泄漏。因此，根据第二实施例的显示装置10可以减少第二区域Sp中的发光并且抑制第一区域Sc与第二区域Sp之间的色移。
[2-3显示装置的变形例]
(变形例1)
在上面详细描述的图6中的显示装置10的示例中，描述了第二谐振结构E2的谐振次数大于第一谐振结构E1的谐振次数的情况的示例。在根据第二实施例的显示装置10中，如图7所示，第一谐振结构E1的谐振次数可以大于第二谐振结构E2的谐振次数(变形例1)。即，第二谐振结构E2的谐振次数可以小于第一谐振结构E1的谐振次数。例如，第一谐振结构E1的谐振次数可以是2，并且第二谐振结构E2的谐振次数可以是1。根据第二实施例的变形例1的显示装置10可以抑制第一区域Sc与第二区域Sp之间的色移。
在这种情况下，在显示装置10中，如图7所示，第一电极15优选地在与第一区域Sc对应的部分的厚度We1比与第二区域Sp对应的部分的厚度We2薄的状态下形成。图7中所示的第一电极15具有与第二区域Sp对应的部分在第一表面侧上从与第一区域Sc对应的部分凹陷的形状，并且在与第二区域Sp对应的部分与与第一区域Sc对应的部分之间的边界处形成台阶。
在第二谐振结构E2的谐振次数小于第一谐振结构E1的谐振次数的情况下，满足第二谐振结构E2的谐振条件的光学距离L2短于满足第一谐振结构E1的谐振次数的光学距离L1。
在第一电极15的折射率大于绝缘层12的折射率的情况下，在与第二区域Sp对应的部分中，U相对较大并且We2相对较小，并且因此与第二区域对应的部分的光学距离可以被缩短。应注意，对于U和We2的“相对较大”和“相对较小”表示在与第一区域对应的部分中和与第二区域对应的部分中第一电极15的厚度均匀的情况与变形例1的情况之间在大小上的比较。
在第一电极15的折射率大于绝缘层12的折射率的情况下，在图7的示例中所示的显示装置10中，U相对较大并且We2相对小，使得第二谐振结构E2中的光学距离满足谐振条件。即，与第一电极15的第二区域Sp对应的部分的厚度We2比与第一区域Sc对应的部分的厚度Wel薄，使得第二谐振结构E2和第一谐振结构E1中的光学距离满足谐振条件。此时，绝缘层12的厚度U相对较厚。
(变形例2)
根据第二实施例的显示装置10的变形例1示出了第一谐振结构E1的谐振次数大于第二谐振结构E2的谐振次数的情况的示例。在该实例中，第一电极15具有与第二区域Sp对应的部分在第二表面侧上从与第一区域Sc对应的部分凹陷的形状，并且在与第二区域Sp对应的部分与与第一区域Sc对应的部分之间的边界处形成台阶。根据第二实施例的变形例1的显示装置10不限于此。即，如图8所示，第一电极15可以处于与第二区域Sp对应的部分在第二表面侧上从与第一区域Sc对应的部分凹陷的状态(变形例2)。在图8所示的实例中，第一电极15具有在与第二区域Sp对应的部分与与第一区域Sc对应的部分之间的边界处形成台阶的形状。此外，第一电极15的与第一区域Sc对应的部分的一部分位于层间膜14的第一表面的下方。在图8中，附图标记P表示第一电极15的位于层间膜14的第一表面下方的部分。
在第一谐振结构E1的谐振次数大于第二谐振结构E2的谐振次数的情况下，满足第一谐振结构E1的谐振条件的光学距离L1大于满足第二谐振结构E2的谐振次数的光学距离L2。在第一电极15的折射率大于层间膜14的折射率的情况下，随着第一电极15的部分P较大，可以使光学距离更长。因此，部分P形成在第一电极15中，以满足满足第一谐振结构E1的谐振条件的光学距离L1和满足第二谐振结构E2的谐振次数的光学距离L2。
[3第三实施例]
[3-1显示装置的配置]
将描述根据本公开的第三实施例的显示装置10。如第一实施例和第二实施例中一样，根据第三实施例的显示装置10具有谐振器结构102，并且具有第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数在谐振器结构102中不同的配置。在第三实施例中，通过将绝缘层12在与第二区域Sp对应的部分中的厚度设置为根据与第二区域Sp对应的部分中的谐振次数和第一区域Sc中的谐振次数的值，来实现第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置。根据第三实施例的显示装置10与根据第一实施例的显示装置10类似，不同之处在于第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置。
在根据第三实施例的显示装置10中，第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置可以与第一和第二实施例中描述的第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置中的一个或两个配置组合使用。在第三实施例中，在反射板13中与第一区域Sc对应的部分的厚度和与第二区域Sp对应的部分的厚度可以是均匀的，如图9所示，或者在反射板13中与第一区域Sc对应的部分的厚度和与第二区域Sp对应的部分的厚度可以是不同的，如图1和图3所示。此外，如图5所示，第一电极15的与第一区域Sc对应的部分的厚度可以不同于与第二区域Sp对应的部分的厚度。
将描述根据第三实施例的显示装置10中用于指定绝缘层12的厚度的方法。例如，在第二谐振结构E2的谐振次数大于第一谐振结构E1的谐振次数的情况下，与第二区域Sp对应的部分中的绝缘层12的厚度可以被如下指定。注意，作为第二谐振结构E2的谐振次数大于第一谐振结构E1的谐振次数的情况的示例，可以例示第一谐振结构E1的谐振次数为1并且第二谐振结构E2的谐振次数为2的情况。
根据第一实施例的描述中的上述谐振条件的数学式1和数学式2，根据第一谐振结构E1和第二谐振结构E2中的φ和λ的条件、第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数来确定第一谐振结构E1中的光学距离L1和第二谐振结构E2中的光学距离L2。在第二谐振结构E2的谐振次数大于第一谐振结构E1的谐振次数的情况下，光学距离L2大于光学距离L1。例如，在与第一区域Sc对应的部分中和与第二区域Sp对应的部分中，绝缘层12的其他层中的每个层具有相同的折射率和厚度的情况下，基于形成谐振器结构102的每个层的折射率和L1和L2的值来确定形成谐振器结构102的每个层的厚度，指定在第一谐振结构E1中实现光学距离L1所需的每个层的厚度，并且指定绝缘层12的折射率和厚度的乘积的值。即，指定在第二谐振结构E2中实现光学距离L2所需的绝缘层12的折射率和厚度的乘积的值。基于该值，根据绝缘层12的折射率来确定绝缘层12的厚度。如上所述，在谐振器结构102中，通过将绝缘层12的厚度设置为预定值，可以实现第一谐振结构的谐振次数和第二谐振结构的谐振次数不同同时满足谐振条件的状态。
[3-2作用和效果]
与根据第一实施例的显示装置类似，根据第三实施例的显示装置10可以抑制第一区域Sc与第二区域Sp之间的色移。
[4第四实施例]
[4-1显示装置的配置]
将描述根据本公开的第四实施例的显示装置10。如第一实施例至第三实施例，根据第四实施例的显示装置10具有谐振器结构102，并且具有第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数在谐振器结构102中不同的配置。在第四实施例中，通过将与第二区域Sp对应的部分中的绝缘层12的折射率设置为根据与第二区域Sp对应的部分中的谐振次数和第一区域Sc中的谐振次数的值，来实现第一谐振结构E1的谐振次数与第二谐振结构E2的谐振次数不同的配置。除了第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置之外，根据第四实施例的显示装置10类似于根据第一实施例的显示装置10。
在根据第四实施例的显示装置10中，第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置可以与第一实施例到第三实施例中描述的第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置中的一个或多个配置来组合采用。在第四实施例中，在反射板13中与第一区域Sc对应的部分的厚度和与第二区域Sp对应的部分的厚度可以是均匀的，如图9所示，或者在反射板13中与第一区域Sc对应的部分的厚度和与第二区域Sp对应的部分的厚度可以是不同的，如图1和图3所示。此外，如图5所示，第一电极15的与第一区域Sc对应的部分的厚度可以不同于与第二区域Sp对应的部分的厚度。
将描述用于指定根据第四实施例的显示装置10中的绝缘层12的折射率的方法。如第三实施例中所述，在第一实施例的描述中，根据第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数，根据上述谐振条件的数学式1和数学式2，来确定第一谐振结构E1中的光学距离L1和第二谐振结构E2中的光学距离L2。基于形成谐振器结构102的每个层的折射率和L1和L2的值，来确定形成谐振器结构102的每个层的厚度，并且指定在第二谐振结构E2中实现光学距离L2所需的绝缘层12的折射率和厚度的乘积的值。在没有限定绝缘层12的厚度的情况下，基于折射率和绝缘层12的厚度的乘积的值指定绝缘层12的折射率和绝缘层12的厚度的组合。绝缘层12的折射率值和厚度值的组合是根据与第二区域Sp对应的部分中的谐振次数和与第一区域Sc对应的部分中的谐振次数的组合。也就是说，实现了第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数根据绝缘层12的折射率和绝缘层12的厚度的组合而不同的状态。
此外，在限定绝缘层12的厚度的情况下，根据绝缘层12的厚度确定绝缘层12的折射率。如上所述，在谐振器结构102中，通过将绝缘层12的折射率设置为预定值，可以实现第一谐振结构的谐振次数和第二谐振结构的谐振次数不同的状态，同时满足上述谐振条件的数学式1和数学式2。
在根据第四实施例的显示装置10中，在第二谐振结构E2的谐振次数大于第一谐振结构E1的谐振次数(第一情况)的情况下(例如，第一谐振结构的谐振次数为1并且第二谐振结构的谐振次数为2的情况)，第二谐振结构E2中的光学距离L2为L2Q。在根据第四实施例的显示装置10中，在第二谐振结构E2的谐振次数小于第一谐振结构E1的谐振次数(第二情况)的情况下(例如，第一谐振结构的谐振次数为2并且第二谐振结构的谐振次数为1的情况)，第二谐振结构中的光学距离L2为L2R。在第一种情况下第二谐振结构的谐振次数大于第二种情况下第二谐振结构E2的谐振次数的情况下，L2Q大于L2R。因此，通过形成具有比在第二种情况下的绝缘层12的折射率高的折射率的层作为第一种情况下的绝缘层12，可以形成在第一种情况下的绝缘层12。通过在第一种情况下形成具有比绝缘层12的折射率低的折射率的层作为第二种情况下的绝缘层12，可以形成第二种情况下的绝缘层12。如上所述，在根据第四实施例的显示装置10中，绝缘层12可以被形成为实现第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数在第一情况和第二情况中均不同的状态。
[4-2作用和效果]
与根据第一实施例的显示装置类似，根据第四实施例的显示装置10可以抑制第一区域Sc与第二区域Sp之间的色移。
[5.第五实施例]
[5-1显示装置的配置]
将描述根据本公开的第五实施例的显示装置10。如第一实施例中一样，根据第五实施例的显示装置10具有谐振器结构102，并且具有第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数在谐振器结构102中不同的配置。在第五实施例中，如图10所示，通过根据第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数将层间膜14的与第一区域Sc对应的部分(第一膜部分140A)的折射率和层间膜14的与第二区域Sp对应的部分(第二膜部分140B)的折射率设置为不同的值，来实现第一谐振结构E1的谐振次数与第二谐振结构E2的谐振次数不同的配置。除了第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置之外，根据第二实施例的显示装置10与根据第一实施例的显示装置10类似。图10是示出根据第二实施例的显示装置10的配置实例的截面图。
在根据第五实施例的显示装置10中，第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置可以与第一到第四实施例中描述的第一谐振结构E1的谐振次数不同于第二谐振结构E2的谐振次数的配置中的任何一个或多个配置组合使用。
将描述用于确定根据第五实施例的显示装置10中的第一膜部分140A的折射率和第二膜部分140B的折射率的方法。如第三和第四实施例中所述，在第一实施例的描述中根据第一谐振结构E1的谐振次数和第二谐振结构E2的谐振次数，根据上述谐振条件的数学式1和数学式2，来确定第一谐振结构E1中的光学距离L1和第二谐振结构E2中的光学距离L2。形成谐振器结构102的每个层的厚度是基于形成谐振器结构102的每个层的折射率和L1和L2的值来确定的。此时，指定在第一谐振结构E1中实现光学距离L1所需的第一膜部分140A的折射率和厚度的乘积的值。此外，指定在第二谐振结构E2中实现光学距离L2所需的第二膜部分140B的折射率和厚度的乘积的值。基于这些值，根据第一膜部分140A的厚度确定第一膜部分140A的折射率，并且根据第二膜部分140B的厚度确定第二膜部分140B的折射率。如上所述，在谐振器结构102中，通过将第一膜部分140A的折射率和第二膜部分140B的折射率设置为预定值，可以实现第一谐振结构的谐振次数和第二谐振结构的谐振次数不同的状态，同时满足上述谐振条件的数学式1和数学式2。
在根据第五实施例的显示装置10中，在第二谐振结构E2的谐振次数大于第一谐振结构E1的谐振次数(第一情况)的情况下(例如，第一谐振结构的谐振次数为1并且第二谐振结构的谐振次数为2的情况)，第二谐振结构E2中的光学距离L2为L2Q。在根据第五实施例的显示装置10中，在第二谐振结构E2的谐振次数小于第一谐振结构E1的谐振次数的情况下(第二种情况)(例如，第一谐振结构的谐振次数为2并且第二谐振结构的谐振次数为1的情况)，第二谐振结构E2中的光学距离L2为L2R。在第一种情况下第二谐振结构E2的谐振次数大于第二种情况下第二谐振结构E2的谐振次数的情况下，L2Q大于L2R。因此，通过将折射率比第二情况下的第二膜部分140B的折射率高的层(高折射率层)形成为第一种情况下的第二膜部分140B，可以形成第一种情况下的第二膜部分140B。通过将折射率比第一情况下的第二膜部分140B的折射率低的层(低折射率层)形成为第二种情况下的第二膜部分140B，可以形成第二种情况下的第二膜部分140B。在第一膜部分140A中，在第一情况下，形成具有比第二情况下的第一膜部分140A的折射率低的折射率的层(低折射率层)，并且在第二情况下，形成具有比第一情况下的第一膜部分140A的折射率高的折射率的层(高折射率层)。如上所述，在根据第四实施例的显示装置10中，在第一情况和第二情况两者中，层间膜14可以包括第一膜部分140A和第二膜部分140B，以实现第一谐振结构的谐振次数不同于第二谐振结构的谐振次数的状态。
在第五实施例的显示装置10中，作为形成第一膜部分140A和第二膜部分140B作为低折射率层和高折射率层的方法，可以例举调节层间膜14中的第一膜部分140A和第二膜部分140B各自的成分和密度的方法、调整物理结构的方法等。用于调整物理结构的方法的实例包括用于形成结晶结构的方法和用于形成第一膜部分140A和第二膜部分140B的非晶结构的方法。通过调整反射板13的第一表面的状态，可以实现在第一膜部分140A和第二膜部分140B中形成结晶结构的方法和形成非晶结构的方法。
[5-2作用和效果]
与根据第一实施例的显示装置类似，根据第五实施例的显示装置10可以抑制第一区域Sc与第二区域Sp之间的色移。
接下来，将描述根据本公开的一个实施例(第一实施例)的用于制造显示装置10的方法的实施例的实例。
[6显示装置的制造方法]
[6-1制造方法的第一实施例]
在制造方法的第一实施例中，层间膜14A形成在驱动基板11的第一表面上，其中驱动电路形成在基板11A上。
如图11A所示，在层间膜14A上形成用于形成反射板13的材料的涂覆膜30。作为涂覆膜30的材料，从容易处理和高反射率的观点，优选使用铝等。可以通过使用蚀刻等形成涂覆膜30。在涂覆膜30上，在对应于与反射板13的第一区域Sc对应的部分的区域中形成抗蚀剂31(图11B)，并且执行干法蚀刻(第一干法蚀刻)。在第一干法蚀刻中，涂覆膜30的暴露部分(非抗蚀剂部分)的厚度被设置为与反射板13的第二区域Sp对应的部分的厚度(图11C)。根据满足对应于谐振器结构102中的第二区域Sp的部分所需的谐振条件的光学距离L2来确定该厚度。
接下来，去除抗蚀剂31(图11D)，在与要形成反射板13的部分对应的区域中进一步形成抗蚀剂32(图11E)，并且执行干法蚀刻(第二干法蚀刻)(图11F)。然后，去除抗蚀剂32。结果，在层间膜14A上形成反射板13(图11G)。形成反射板13之后的步骤例如可以如下进行。
形成层间膜14B以覆盖反射板13。由此，形成层间膜14。用于形成层间膜14A和14B的方法的实例包括诸如真空气相沉积法、旋涂法和模具涂覆法的涂覆法。
在层间膜14上形成第一电极15，并且进一步层压绝缘层12。根据子像素101的排列形成多个第一电极15，并且根据子像素101的图案在绝缘层12中形成开口120。第一电极15和绝缘层12可以通过例如溅射方法、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)等形成。
有机EL层17形成在第一电极15和绝缘层12上。在有机EL层17具有例如依次层压空穴传输层、发光层和电子传输层的层压结构的情况下，依次层压形成电子传输层、发光层和空穴传输层的层。用于形成这些层的方法的实例包括诸如真空气相沉积法、旋涂法和模具涂覆法的涂覆法。
第二电极18和保护层19形成在有机EL层17上。第二电极18和保护层19可以通过适当地使用已知的方法等形成。
滤色器层103可形成在保护层19上。填充树脂层104可以形成在保护层19上。对向的基板105可设置在填充树脂层104上。滤色器层103和填充树脂层104的形成以及对向的基板105的布置可以通过使用已知的方法等适当地实现。以这种方式，形成显示装置10。
显示装置10的制造方法不限于上述实施例，并且可以是以下方法(制造方法的第二实施例)。
[6-2制造方法的第二实施例]
如上述制造方法的第一实施例那样，在基板11A上形成驱动电路的驱动基板11的第一表面上形成层间膜14A。
在层间膜14A上形成用于形成反射板13的材料的涂覆膜30。此时，作为材料，优选地如在制造方法的第一实施例中使用铝等。在涂覆膜30上，在对应于与反射板13的第一区域Sc对应的部分的区域中形成抗蚀剂31，并且执行干法蚀刻(第一干法蚀刻)(图12A)。在第一干法刻蚀中，去除与反射板13的第一区域Sc对应的部分外侧的涂覆膜30，留下与反射板13的第一区域Sc对应的部分。接下来，去除抗蚀剂31，并且在膜30和层间膜14A上进一步形成用于形成反射板13的材料的涂覆膜(附加涂覆膜33)(图12B)。作为用于形成附加涂覆膜33的材料，可以使用与用于形成涂覆膜30的材料相似的材料。然而，这不限于形成附加涂覆膜33的材料与形成涂覆膜30的材料相同，形成附加涂覆膜33的材料可不同于形成涂覆膜30的材料的情况。例如，涂覆膜30可以包括铝(Al)，并且附加涂覆膜33可以包括银(Ag)。
抗蚀剂34形成在与附加涂覆膜33上将形成反射板13的部分对应的区域中(图12C)，并且执行干法蚀刻(第二干法蚀刻)(图12D)。然后，去除抗蚀剂34。结果，在层间膜14A上形成反射板13(图12E)。注意，涂覆膜30的厚度和附加涂覆膜33的厚度根据与第一区域Sc对应和第二区域Sp的反射板13的部分的厚度来确定。
形成反射板13之后的步骤可以与上述制造方法的第一实施例中描述的形成反射板13之后的步骤类似的方式执行。以这种方式，可以制造显示装置10。
[7应用例]
(电子设备)
根据上述一个实施例的显示装置10可以包括在各种电子设备中。具体地，显示装置10优选地包括在要求高分辨率并且在近眼放大和使用的装置中，诸如视频相机或单镜头反光相机的电子取景器、头戴式显示器等。
(具体实例1)
图13A是示出数码相机310的外观的实例的前视图。图13B是示出数码相机310的外观的实例的后视图。数字静态相机310是镜头可互换的单镜头反射型，并且包括基本上位于相机主体311前方的中心处的可互换的成像镜头单元(可互换镜头)312和将由拍摄者在左前方握持的把手313。
监视器314设置在从相机主体311的后表面的中心向左侧偏移的位置处。在监视器314的上方设有电子取景器(目镜窗)315。通过观察电子取景器315，拍摄者可通过视觉识别从成像透镜单元312引导的对象的光学图像来确定构图。作为电子取景器315，可以根据上述一个实施例和变形例的显示装置10中的任一个来使用。
(具体实例2)
图14是示出了头戴式显示器320的外观的实例的透视图。例如，头戴式显示器320包括在玻璃形显示单元321的两侧佩戴在用户的头部上的耳钩322。作为显示单元321，可以根据上述一个实施例和变形例的显示装置10中的任一个来使用。
(具体实例3)
图15是示出了电视设备330的外观的实例的透视图。电视设备330包括例如包括前面板332和滤光玻璃333的视频显示屏331，并且视频显示屏331由根据上述实施例和变形的显示装置10中的任一个来配置。
上面已经具体描述了根据本公开的第一实施例至第五实施例和变形例的显示装置、用于制造显示装置的方法(制造方法的第一实施例和制造方法的第二实施例)、以及应用例。然而，本公开不限于显示装置、用于制造显示装置的方法以及根据上述第一至第五实施例和变形例的应用例。基于本公开的技术构思可以进行各种变化。
例如，根据第一实施例至第五实施例和变形例的显示装置、显示装置的制造方法和应用实例中描述的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等仅是示例，并且根据需要，可以使用不同的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等。
在不背离本公开的主旨的情况下，可以将根据第一实施例至第五实施例和变形例的显示装置的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等、显示装置的制造方法、以及应用例彼此组合。
除非另外规定，否则在根据第一实施例至第五实施例和变形例的显示装置、制造显示装置的方法以及应用例中举例说明的材料可以单独使用或以两种或更多种的组合使用。
此外，本公开可以采用以下配置。
(1)一种显示装置，包括：
多个第一电极，二维地布置；
第二电极，布置在第一电极的第一表面的一侧；
电致发光层，布置在第一电极和第二电极之间；
反射板，面向第一电极的第二表面；
层间膜，覆盖反射板；以及
绝缘层，设置在相邻第一电极之间并且具有多个开口，其中，
每个开口设置在每个第一电极的第一表面上，并且
反射板、层间膜、第一电极、电致发光层和第二电极构成谐振从电致发光层发射的光的谐振器结构，以及
在俯视观察中，在将对应于所述开口的区域设为第一区域，并且在与将在与第一电极对应的区域中与第一区域的外侧对应的区域设为第二区域的情况下，在谐振器结构中，与第一区域对应的部分的谐振次数和与第二区域对应的部分的谐振次数是不同的。
(2)在根据(1)所述的显示装置中，谐振器结构满足下列数学式7和数学式8，并且谐振器结构满足下列数学式9和数学式10的组合或下列数学式11和数学式12的组合中的一个数学式。
2L1/λ+φ/2π＝m1...(数学式7)
2L2/λ+φ/2π＝m2...(数学式8)
m1≥2...(数学式9)
m2＝m1±1...(数学式10)
m1＝1...(数学式11)
m2＝2...(数学式12)
(在数学式7至12的每个数学式中，L1表示在与第一区域对应的部分中反射板和第二电极之间的光学距离，L2表示在与第二区域对应的部分中反射板和第二电极之间的光学距离，λ表示对应于预定颜色类型的光的光谱的峰值波长，φ表示由光在反射板和第二电极上的反射引起的相移的幅度，m1表示作为在与第一区域对应的部分中的谐振次数的整数，m2表示作为在与第二区域对应的部分中的谐振次数的整数。)
(3)在根据(1)或(2)所述的显示装置中，反射板的厚度值在与第一区域对应的部分中和与第二区域对应的部分中是不同的。
(4)在根据(1)或(2)所述的显示装置中，反射板的厚度的值在与第二区域对应的部分中小于在与第一区域对应的部分中。
(5)在根据(1)至(4)中任一项所述的显示装置中，每个第一电极到反射板的间隔距离在与第一区域对应的部分中和与第二区域对应的部分中是不同的。
(6)在根据(1)至(5)中任一项所述的显示装置中，每个第一电极的厚度值在与第一区域对应的部分中和与第二区域对应的部分中是不同的。
(7)在根据(1)至(5)中任一项所述的显示装置中，每个第一电极的厚度值在与第二区域对应的部分中比在与第一区域对应的部分中大。
(8)在根据(1)至(7)中任一项所述的显示装置中，绝缘层的厚度的值是根据与第二区域对应的部分中的谐振次数和与第一区域对应的部分中的谐振次数的值。
(9)在根据(1)至(7)中任一项所述的显示装置中，绝缘层的折射率是根据与第二区域对应的部分中的谐振次数和与第一区域对应的部分中的谐振次数的值。
(10)在根据(1)至(7)中任一项所述的显示装置中，绝缘层的折射率的值与绝缘层的厚度的值的组合是根据与第二区域对应的部分中的谐振次数和与第一区域对应的部分中的谐振次数的组合。
(11)在根据(1)至(10)中任一项所述的显示装置中，层间膜的折射率在与第一区域相对应的部分中和在与第二区域相对应的部分中是不同的。
(12)根据(1)至(11)中任一项所述的显示装置中，进一步包括：多个子像素，对应于多种颜色类型，其中，
每个第一电极设置在多个子像素的每个子像素中，并且
谐振器结构根据来自电致发光层的发射光中的多种颜色类型来谐振光。
(13)在根据(12)所述的显示装置中，多种颜色类型包括红色、蓝色和绿色。
(14)一种电子设备，包括根据(1)至(13)中任一项的显示装置。
参考符号列表
10 显示装置
11 驱动基板
11A 基板
12 绝缘层
13 反射板
14 层间膜
15 第一电极
17 有机EL层
18 第二电极
19 保护层
100 有机EL元件
100B 有机EL元件
100G 有机EL元件
100R 有机EL元件
101 子像素
101B 子像素
101G 子像素
101R 子像素
102 谐振器结构
102B 谐振器结构
102G 谐振器结构
102R 谐振器结构
103 滤色器层
103B 滤色器层
103G 滤色器层
103R 滤色器层
104 填充树脂层
105 对向的基板
120 开口
310 数字静态相机
320 头戴式显示器
330 电视装置。

Claims (14)

1.一种显示装置，包括：
多个第一电极，二维地布置；
第二电极，布置在所述第一电极的第一表面的一侧；
电致发光层，布置在所述第一电极和所述第二电极之间；
反射板，面向所述第一电极的第二表面；
层间膜，覆盖所述反射板；以及
绝缘层，设置在部分中和并且具有多个开口，其中，
每个开口设置在每个所述第一电极的所述第一表面上，并且所述反射板、所述层间膜、所述第一电极、所述电致发光层和所述第二电极构成谐振来自所述电致发光层的发射光的谐振器结构，以及
在俯视观察中，在将对应于所述开口的区域设为第一区域，并且将在与所述第一电极对应的区域中与所述第一区域的外侧对应的区域设为第二区域的情况下，在所述谐振器结构中，与所述第一区域对应的部分的谐振次数和与所述第二区域对应的部分的谐振次数是不同的。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述谐振器结构满足数学式1和数学式2，并且
所述谐振器结构满足数学式3和数学式4的组合或数学式5和数学式6的组合，
2L1/λ+φ/2π＝m1...(数学式1)，
2L2/λ+φ/2π＝m2...(数学式2)，
m1≥2...(数学式3)，
m2＝m1±1...(数学式4)，
m1＝1...(数学式5)，
m2＝2...(数学式6)，
其中，在数学式1至数学式6中的每个数学式中，L1表示在与所述第一区域对应的部分中所述反射板和所述第二电极之间的光学距离，L2表示在与所述第二区域对应的部分中所述反射板和所述第二电极之间的光学距离，λ表示对应于预定颜色类型的光的光谱的峰值波长，φ表示由光在所述反射板和所述第二电极上的反射引起的相移的幅度，m1表示作为在与所述第一区域对应的部分中的谐振次数的整数，m2表示作为在与所述第二区域对应的部分中的谐振次数的整数。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射板的厚度值在与所述第一区域对应的部分中和与所述第二区域对应的部分中是不同的。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射板的厚度值在与所述第二区域对应的部分中比在与所述第一区域对应的部分中小。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，每个所述第一电极到所述反射板的间隔距离在与所述第一区域对应的部分中和与所述第二区域对应的部分中是不同的。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，每个所述第一电极的厚度值在与所述第一区域对应的部分中和与所述第二区域对应的部分中是不同的。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极的厚度值在与所述第二区域对应的部分中比在与所述第一区域对应的部分中大。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层的厚度值是根据与所述第二区域对应的部分中的谐振次数和与所述第一区域对应的部分中的谐振次数的值。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层的折射率是根据与所述第二区域对应的部分中的谐振次数和与所述第一区域对应的部分中的谐振次数的值。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层的折射率的值与所述绝缘层的厚度值的组合是根据与所述第二区域对应的部分中的谐振次数和与所述第一区域对应的部分中的谐振次数的组合。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述层间膜的折射率在与所述第一区域对应的部分中和在与所述第二区域对应的部分中是不同的。
12.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：多个子像素，对应于多种颜色类型，其中
所述第一电极设置在所述多个子像素的每个子像素中，并且所述谐振器结构根据来自所述电致发光层的所述发射光中的多种颜色类型来谐振光。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述多种颜色类型包括红色、蓝色和绿色。
14.一种电子设备，包括根据权利要求1所述的显示装置。
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