WO2022130575A1 - 半導体封止用樹脂組成物、アンダーフィル、モールド樹脂、及び半導体パッケージ - Google Patents

半導体封止用樹脂組成物、アンダーフィル、モールド樹脂、及び半導体パッケージ Download PDF

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光一朗 岡本
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積水化成品工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor encapsulating resin composition, an underfill, a mold resin, and a semiconductor package.
  • the insulating resin material used for semiconductor members (semiconductor packages and semiconductor modules) used in semiconductor devices has a relative permittivity of the insulating resin in order to increase the transmission speed of high frequency signals and reduce the loss during signal transmission.
  • low dielectric loss tangent is required.
  • underfills and mold resins used in semiconductor packages are required to have excellent low dielectric properties.
  • Patent Document 1 a technique for realizing excellent low dielectric property by devising a thermosetting resin contained in a thermosetting resin composition forming an insulating resin and a cross-linking agent used in combination therewith is developed. It has been reported (Patent Document 1).
  • An object of the present invention is to provide a semiconductor encapsulation resin composition, an underfill, a mold resin, and a semiconductor package that exhibit excellent low dielectric properties by a new approach that has never existed before.
  • the resin composition for semiconductor encapsulation according to the embodiment of the present invention is A resin composition for semiconductor encapsulation containing a thermosetting resin, an inorganic filler, and hollow resin particles.
  • the content of the hollow resin particles in the semiconductor encapsulating resin composition is 1% by weight to 50% by weight.
  • the semiconductor encapsulating resin composition according to the embodiment of the present invention is used as an underfill material.
  • the semiconductor encapsulating resin composition according to the embodiment of the present invention is used as a material for a mold resin.
  • the underfill according to the embodiment of the present invention is It is formed from a resin composition for encapsulating a semiconductor according to an embodiment of the present invention.
  • the mold resin according to the embodiment of the present invention is It is formed from a resin composition for encapsulating a semiconductor according to an embodiment of the present invention.
  • the semiconductor package according to the embodiment of the present invention is A semiconductor package containing a circuit board and a semiconductor element mounted on the circuit board.
  • An underfill according to an embodiment of the present invention is provided between the circuit board and the semiconductor element.
  • the semiconductor package according to the embodiment of the present invention is A semiconductor package containing a circuit board and a semiconductor element mounted on the circuit board.
  • the semiconductor device is sealed with the mold resin according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a surface SEM image of the porous hollow resin particles (1) obtained in Production Example 1.
  • 6 is a cross-sectional SEM image of the porous hollow resin particles (1) obtained in Production Example 1. It is a TEM photograph figure of the simple hollow resin particle (1) obtained in the production example 2.
  • FIG. 6 is a surface SEM image of the porous hollow resin particles (1) obtained in Production Example 1.
  • 6 is a cross-sectional SEM image of the porous hollow resin particles (1) obtained in Production Example 1. It is a TEM photograph figure of the simple hollow resin particle (1) obtained in the production example 2.
  • the expression “(meth) acrylic” means “acrylic and / or methacrolein”
  • the expression “(meth) acrylate” means “acrylate and / or methacrylate”.
  • the expression “(meth) allyl” means “allyl and / or methacrolein”
  • “acrolein and / or methacrolein” is used. It means “rain”.
  • the expression “acid (salt)” when used in the present specification, it means “acid and / or a salt thereof”. Examples of the salt include alkali metal salts and alkaline earth metal salts, and specific examples thereof include sodium salts and potassium salts.
  • the semiconductor encapsulating resin composition according to the embodiment of the present invention, the underfill according to the embodiment of the present invention, the mold resin according to the embodiment of the present invention, and the semiconductor package according to the embodiment of the present invention all constitute a semiconductor device. It is a member to be used.
  • a semiconductor package typically has a semiconductor element mounted on a circuit board.
  • the circuit board typically includes a laminated board as a core layer, a metal foil provided on at least one side of the laminated board, a build-up layer, a metal foil provided on at least one side of the build-up layer, and a solder resist layer. ..
  • the circuit board and the semiconductor element are typically underfilled by underfilling.
  • the semiconductor element is typically sealed with a sealing material (mold resin).
  • a semiconductor package adopted in each of a semiconductor encapsulating resin composition according to an embodiment of the present invention, an underfill according to an embodiment of the present invention, a molded resin according to an embodiment of the present invention, and a semiconductor package according to an embodiment of the present invention is incorporated for the contents not described in the present specification. Can be.
  • the description described in Japanese Patent No. 6083127, the description described in JP-A-2017-34213, and the description described in JP-A-2017-88828 can be mentioned.
  • the resin composition for encapsulating a semiconductor according to the embodiment of the present invention contains a thermosetting resin, an inorganic filler, and hollow resin particles.
  • thermosetting resin contained in the resin composition for encapsulating a semiconductor according to the embodiment of the present invention becomes a resin component in an underfill or a mold resin by being cured.
  • the resin composition for encapsulating a semiconductor according to the embodiment of the present invention is typically used as a liquid form in which the contained components are dissolved and / or dispersed with a solvent such as an organic solvent.
  • a solvent such as an organic solvent.
  • a solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexane, heptane, cyclohexane, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, ethylene glycol, cellsolve-based solvent, and carbitol.
  • system solvents, anisol, and organic solvents such as N-methylpyrrolidone.
  • the solvent may be only one kind or two or more kinds. The amount of the solvent used can be appropriately adjusted according to the purpose.
  • the resin composition for encapsulating a semiconductor according to the embodiment of the present invention is preferably used as an underfill material.
  • the resin composition for encapsulating a semiconductor according to the embodiment of the present invention is preferably used as a material for a mold resin.
  • the resin composition for encapsulating a semiconductor according to the embodiment of the present invention can be produced by any suitable method as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • each component constituting the resin composition for semiconductor encapsulation is mixed by any appropriate means to form a mixture, and the mixture is melt-kneaded to obtain a kneaded product. ..
  • melt kneading method examples include melt kneading using an extrusion kneader such as a single-screw kneading extruder and a twin-screw kneading extruder, and melt kneading using a roll-type kneader such as a mixing roll. Can be mentioned. Further, after melt kneading, the kneaded product can be cooled to form, for example, powdery granules, granules, or tablets.
  • Examples of the method for obtaining the powdery and granular resin composition include a method of pulverizing the kneaded product with a pulverizer.
  • the kneaded product formed into a sheet may be crushed.
  • Examples of the crushing device include a hammer mill, a millstone grinder, and a roll crusher.
  • a die having a small diameter is installed at the outlet of the kneading device, and the melted kneaded material discharged from the die is cut into a predetermined length by a cutter or the like.
  • a granulation method typified by a hot-cut method of cutting into plastic can be mentioned.
  • thermosetting resin any suitable thermosetting resin can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the thermosetting resin may be only one kind or two or more kinds.
  • the thermosetting resin may be used in combination with the prepolymer.
  • the glass transition temperature of the thermosetting resin is preferably 160 ° C to 350 ° C, more preferably 180 ° C to 300 ° C. By using a thermosetting resin having such a glass transition temperature, lead-free solder reflow heat resistance can be improved.
  • thermosetting resin examples include novolak-type phenol resins such as phenol novolac resin, cresol novolak resin, and bisphenol A novolak resin, unmodified resolephenol resin, tung oil, flaxseed oil, and oil-modified resolphenol modified with walnut oil.
  • novolak-type phenol resins such as phenol novolac resin, cresol novolak resin, and bisphenol A novolak resin, unmodified resolephenol resin, tung oil, flaxseed oil, and oil-modified resolphenol modified with walnut oil.
  • Phenol resin such as resole type phenol resin such as resin; bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, bisphenol Z Bisphenol type epoxy resin such as type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, novolak type epoxy resin such as cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, arylalkylene type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, Epoxy resins such as anthracene-type epoxy resin, phenoxy-type epoxy resin, dicyclopentadiene-type epoxy resin, norbornen-type epoxy resin, adamantan-type epoxy resin, and fluorene-type epoxy resin; have a triazine ring such as urea (urea) resin and melamine resin.
  • urea urea
  • Examples thereof include a resin; an unsaturated polyester resin; a bismaleimide resin; a polyurethane resin; a diallyl phthalate resin; a silicone resin; a resin having a benzoxazine ring; a cyanate resin; a polyimide resin; a polyamideimide resin; a benzocyclobutene resin; and the like.
  • Epoxy resin is preferable as the thermosetting resin in that the effect of the present invention can be more exhibited.
  • the epoxy resin examples include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, and bisphenol Z type epoxy resin.
  • Bisphenol type epoxy resin Novolak type epoxy resin such as phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin; arylalkylene type epoxy resin such as biphenyl type epoxy resin, xylylene type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin; Phenol aralkyl type epoxy resin such as phenol aralkyl type epoxy resin and phenol aralkyl type epoxy resin having a biphenylene skeleton; polyfunctional epoxy resin such as triphenol methane type epoxy resin and alkyl modified triphenol methane type epoxy resin; naphthol type epoxy resin, Naphthalene type epoxy resin such as naphthalenediol type epoxy resin, bifunctional to tetrafunctional epoxy type naphthalene resin, naphthy
  • the epoxy resins from the group consisting of bisphenol type epoxy resin, novolak type epoxy resin, arylalkylene type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, and triphenol methane type epoxy resin in that the effect of the present invention can be more exhibited. At least one selected is preferred. From the viewpoint of suppressing the warp of the semiconductor device, at least one selected from the group consisting of the novolak type epoxy resin and the phenol aralkyl type epoxy resin is preferable. Further, a biphenyl type epoxy resin is preferable because it can improve the fluidity. Further, a phenol aralkyl type epoxy resin is preferable because the elastic modulus at high temperature can be controlled.
  • any appropriate weight average molecular weight can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired. It is preferably 500 to 20000, and more preferably 800 to 15000 in that the effect of the present invention can be more exhibited.
  • the weight average molecular weight can be measured by, for example, GPC (gel permeation chromatography, standard substance: polystyrene conversion).
  • the content of the thermosetting resin in the semiconductor encapsulation resin composition is preferably 1% by weight to 55% by weight, more preferably 5% by weight to 50%, in that the effect of the present invention can be more exhibited. It is by weight%, more preferably 10% by weight to 45% by weight, and particularly preferably 15% by weight to 40% by weight.
  • Inorganic filler examples include silicates such as talc, fired clay, unburned clay, mica, and glass; oxides such as titanium oxide, alumina, boehmite, silica, and molten silica; calcium carbonate, magnesium carbonate, and hydrotal.
  • silicates such as talc, fired clay, unburned clay, mica, and glass
  • oxides such as titanium oxide, alumina, boehmite, silica, and molten silica
  • calcium carbonate, magnesium carbonate, and hydrotal examples of the inorganic filler.
  • spherical silica is preferable because the filling property of the inorganic filler can be improved.
  • the inorganic filler may be only one kind or two or more kinds.
  • the inorganic filler may be an inorganic filler having a monodisperse average particle size or an inorganic filler having a polydisperse average particle size.
  • the average particle size of the inorganic filler is preferably 0.005 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 0.01 ⁇ m to 50 ⁇ m, and further preferably 0.05 ⁇ m to 35 ⁇ m in that the effect of the present invention can be more exhibited. It is particularly preferably 0.1 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • a laser diffraction type particle size distribution measuring device manufactured by HORIBA, LA-500 is used to measure the particle size distribution of the particles on a volume basis, and the median diameter (D50) is the average particle. It can be measured as a diameter.
  • the content of the inorganic filler in the resin composition for encapsulating a semiconductor is preferably 10% by weight to 90% by weight, more preferably 20% by weight to 80% by weight, in that the effect of the present invention can be more exhibited. %, More preferably 30% by weight to 75% by weight.
  • the resin composition for semiconductor encapsulation contains hollow resin particles.
  • the content of the hollow resin particles in the semiconductor encapsulation resin composition is preferably 1% by weight to 50% by weight, more preferably 3% by weight to 45% by weight, still more preferably 5% by weight to 40% by weight. It is% by weight, and particularly preferably 10% by weight to 35% by weight.
  • the content of the hollow resin particles in the resin composition for encapsulating a semiconductor is within the above range, the effect of the present invention can be further exhibited.
  • the presence or absence of hollow resin particles and the shape of the hollow resin particles can be observed by, for example, the following method.
  • the hollow resin particles as dry powder are surface-treated (10 Pa, 5 mA, 10 seconds) using, for example, a "Osmium Coater Neoc-Pro" coating device manufactured by Meiwaforsis Co., Ltd., and then the hollow resin particles are formed.
  • a TEM transmission electron microscope, H-7600 manufactured by Hitachi High-Technologies
  • the acceleration voltage can be set to, for example, 80 kV
  • the magnification can be set to, for example, 5000 times or 10,000 times.
  • Typical examples of the hollow resin particles include at least one selected from the group consisting of hollow resin particles (1) to (3) according to the following preferred embodiments.
  • the hollow resin particles (1) are hollow resin particles having a shell portion and a hollow portion surrounded by the shell portion.
  • the term "hollow” as used herein means a state in which the inside is filled with a substance other than a resin, for example, a gas or a liquid, and is preferably filled with a gas in that the effects of the present invention can be further exhibited. It means the state of being.
  • the hollow portion may be composed of one hollow region or may be composed of a plurality of hollow regions. From the viewpoint that the amount of the resin component constituting the shell portion is relatively large and the hollow portion of the base material or the like is prevented from infiltrating into the hollow portion, the hollow portion is preferably composed of one hollow region.
  • the average particle size of the hollow resin particles (1) is preferably 0.1 ⁇ m to 5.0 ⁇ m, more preferably 0.15 ⁇ m to 1.0 ⁇ m, and further preferably 0.2 ⁇ m to 0.8 ⁇ m. Particularly preferably, it is 0.3 ⁇ m to 0.6 ⁇ m. If the average particle size of the hollow resin particles (1) is within the above range, the effect of the present invention can be more exhibited. When the average particle size of the hollow resin particles (1) is less than 0.1 ⁇ m, the thickness of the shell portion is relatively thin, so that the hollow resin particles may not have sufficient strength.
  • the average particle size of the hollow resin particles (1) is larger than 5.0 ⁇ m, phase separation between the polymer and the solvent generated by the polymerization of the monomer components during suspension polymerization may be difficult to occur, which causes the shell portion. It may be difficult to form.
  • the average particle size of the hollow resin particles (1) can be measured by, for example, the following method.
  • the scattering intensity distribution caused by the detected hollow resin particles (1) is applied to the normal distribution, and the Z average particle diameter of the hollow resin particles (1) is obtained by a cumulant analysis method for calculating the average particle diameter.
  • the measurement of the Z average particle size can be easily carried out with a commercially available particle size measuring device.
  • the Z average particle size can be measured using a particle size measuring device (Zetasizer Nano ZS manufactured by Malvern).
  • a commercially available particle size measuring device is equipped with data analysis software, and the data analysis software can automatically analyze the measurement data to calculate the Z average particle size.
  • the total concentration of the lithium element, the sodium element, the potassium element, the magnesium element, and the potassium element contained in the hollow resin particles (1) is preferably 200 mg / kg or less, and more. It is preferably 150 mg / kg or less, more preferably 100 mg / kg or less, and particularly preferably 50 mg / kg or less. If the total concentration of the lithium element, the sodium element, the potassium element, the magnesium element, and the potassium element contained in the hollow resin particles (1) is within the above range, the effect of the present invention can be more exhibited. If the total concentration of the lithium element, the sodium element, the potassium element, the magnesium element, and the potassium element contained in the hollow resin particles (1) is too large outside the above range, the semiconductor member containing the hollow resin particles (1) is included. May not be able to exhibit excellent low dielectric properties.
  • the amount of metal element contained in the hollow resin particles (1) can be measured, for example, as follows. (Measurement sample) Weigh approximately 0.5 g of hollow resin particles into a washed 50 mL container. Add 1 mL of cleaning ethanol and mix well to disperse. Further, add 50 mL of ion-exchanged water and mix well. After performing ultrasonic cleaning and extraction for about 10 minutes, the mixture was allowed to stand in a constant temperature bath at 60 ° C. for 60 minutes. The slurry after standing is filtered with an aqueous 0.20 ⁇ m chromatodisc and used as a measurement sample. (Measuring method) The concentration of metal elements in the measurement sample is measured under the following conditions.
  • the metal element concentration is obtained from a calibration curve prepared in advance.
  • the amount of metal element is calculated from the following formula.
  • Metal element amount (mg / kg) Measured metal element concentration ( ⁇ g / mL) x 51 (mL) ⁇ Sample amount (g) If it is below the lower limit of quantification, it should be 1 mg / kg. (ICP measurement conditions) The conditions are as follows.
  • Measuring device "ICPE-9000” multi-type ICP emission spectroscopic analyzer manufactured by Shimadzu Corporation Measuring elements: Zn, Ca, Si, Fe, Cr, Na, Mg, Cu, P, K, S, Al, Mn, Ba, Sr Observation direction: Axial high frequency output: 1.20 kW Carrier flow rate: 0.7 L / min Plasma flow rate: 10.0L / min Auxiliary flow rate: 0.6 L / min Exposure time: 30 seconds Standard solution for calibration curve: US SPEX "XSTC-13" general-purpose mixed standard solution 31 elemental mixture (base 5% HNO 3 ) (about 10 mg / L each), “XSTC-8" general-purpose mixed standard solution 13 element mixture (base H 2 O / trace HF) (about 10 mg / L each)
  • the total concentration of fluoride ions, chloride ions, nitrite ions, nitrate ions, phosphate ions, and sulfate ions contained in the hollow resin particles (1) is preferably 200 mg. It is / kg or less, more preferably 150 mg / kg or less, still more preferably 100 mg / kg or less, and particularly preferably 50 mg / kg or less. If the total concentration of fluoride ion, chloride ion, nitrite ion, nitrate ion, phosphate ion, and sulfate ion contained in the hollow resin particles (1) is within the above range, the effect of the present invention is more effective. Can be expressed.
  • the hollow resin particles (1) If the total concentration of fluoride ions, chloride ions, nitrite ions, nitrate ions, phosphate ions, and sulfate ions contained in the hollow resin particles (1) is too large outside the above range, the hollow resin particles There is a possibility that the semiconductor member including (1) cannot exhibit excellent low dielectric properties.
  • the amount of ions contained in the hollow resin particles (1) can be measured, for example, as follows.
  • (Measurement sample) Weigh approximately 0.5 g of hollow resin particles into a washed 50 mL container. Add 1 mL of cleaning ethanol and mix well to disperse. Further, add 50 mL of ion-exchanged water and mix well. After performing ultrasonic cleaning and extraction for about 10 minutes, leave it to stand for 60 minutes in a constant temperature bath at 60 ° C. The slurry after standing is filtered with an aqueous 0.20 ⁇ m chromatodisc and used as a measurement sample. (Measuring method) Measure the standard solution under the following measurement conditions and create a calibration curve. Next, the sample solution is measured under the same conditions.
  • Measuring device "IC-2001” ion chromatograph manufactured by Tosoh Corporation Ions: F-, Cl- , NO 2- , Br- , NO 3- , PO 4 3- , SO 4 2-
  • Injection volume 30 ⁇ L
  • the shell portion contains a monomer composition containing an aromatic crosslinkable monomer (a), an aromatic monofunctional monomer (b), and a (meth) acrylic acid ester-based monomer (c) represented by the formula (1). It contains an aromatic polymer (P1) obtained by polymerization.
  • the shell portion contains such an aromatic crosslinkable monomer (a), an aromatic monofunctional monomer (b), and a (meth) acrylic acid ester-based monomer (c) represented by the formula (1).
  • the effect of the present invention can be further exhibited.
  • the hollow resin is provided by the polar group provided in the aromatic polymer (P1). The adhesion between the particles (1) and the insulating resin can be improved.
  • R 1 represents H or CH 3
  • R 2 represents H, an alkyl group, or a phenyl group
  • R 3 -O represents an oxyalkylene group having 2 to 18 carbon atoms
  • m represents the oxyalkylene group. It is the average number of added moles and represents a number from 1 to 100.
  • the content ratio of the aromatic polymer (P1) in the shell portion is preferably 60% by weight to 100% by weight, more preferably 70% by weight to 100% by weight, in that the effect of the present invention can be more exhibited. It is more preferably 80% by weight to 100% by weight, and particularly preferably 90% by weight to 100% by weight.
  • the aromatic polymer (P1) is an aromatic crosslinkable monomer (a), an aromatic monofunctional monomer (b), and a (meth) acrylic acid ester-based monomer (c) represented by the formula (1). It is obtained by polymerizing the monomer composition containing the mixture. That is, the aromatic polymer (P1) is represented by a structural unit derived from the aromatic crosslinkable monomer (a), a structural unit derived from the aromatic monofunctional monomer (b), and the formula (1) (meth). It has a structural unit derived from the acrylic acid ester-based monomer (c).
  • the monomer composition preferably contains 10% by weight to 70% by weight of the aromatic crosslinkable monomer (a) and 10% by weight of the aromatic monofunctional monomer (b) in that the effects of the present invention can be further exhibited.
  • the aromatic monofunctional monomer (b) is 20% by weight to 65% by weight
  • the (meth) acrylic acid ester-based monomer (c) represented by the formula (1) is 2.
  • the monomer composition contains an aromatic crosslinkable monomer (a), an aromatic monofunctional monomer (b), and a (meth) acrylic acid ester-based monomer (c) represented by the formula (1).
  • the total content of the aromatic crosslinkable monomer (a), the aromatic monofunctional monomer (b), and the (meth) acrylic acid ester-based monomer (c) represented by the formula (1) in the monomer composition Is preferably 80% by weight to 100% by weight, more preferably 85% by weight to 100% by weight, still more preferably 90% by weight to 100% by weight, in that the effect of the present invention can be more exhibited. It is particularly preferably 95% by weight to 100% by weight.
  • the monomer composition is an aromatic crosslinkable monomer (a), an aromatic monofunctional monomer (b), and a (meth) acrylic acid ester type represented by the formula (1) as long as the effects of the present invention are not impaired. Any suitable other monomer other than the monomer (c) may be contained.
  • the other monomers may be only one kind or two or more kinds.
  • any suitable aromatic crosslinkable monomer can be adopted as long as it is an aromatic monomer having crosslinkability, as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • examples of such an aromatic crosslinkable monomer (a) include divinylbenzene, divinylnaphthalene, and diallyl phthalate in that the effects of the present invention can be further exhibited.
  • Divinylbenzene is preferable as the aromatic crosslinkable monomer (a) from the viewpoint of further exhibiting the effects of the present invention and the reactivity.
  • the aromatic crosslinkable monomer (a) may be only one kind or two or more kinds.
  • any suitable aromatic monofunctional monomer can be adopted as long as it is a monofunctional aromatic monomer, as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • an aromatic monofunctional monomer (b) for example, styrene, ethylvinylbenzene, ⁇ -methylstyrene, vinyltoluene, o-chlorostyrene, m- Examples thereof include chlorostyrene, p-chlorostyrene, vinylbiphenyl and vinylnaphthalene.
  • the aromatic monofunctional monomer (b) is preferably at least one selected from the group consisting of styrene and ethylvinylbenzene from the viewpoint of further exhibiting the effects of the present invention and the reactivity.
  • the aromatic monofunctional monomer (b) may be only one kind or two or more kinds.
  • the (meth) acrylic acid ester-based monomer (c) is represented by the formula (1).
  • R 1 represents H or CH 3 .
  • R 2 represents H, an alkyl group, or a phenyl group.
  • R3 - O represents an oxyalkylene group having 2 to 18 carbon atoms. That is, in the formula (1), R 3 represents an alkylene group having 2 to 18 carbon atoms.
  • R3 ⁇ O is an oxyalkylene group having 2 to 18 carbon atoms, preferably an oxyalkylene group having 2 to 8 carbon atoms, and more preferably an oxyalkylene group having 2 to 4 carbon atoms. It is an oxyalkylene group.
  • R3 - O is at least two types selected from an oxyethylene group, an oxypropylene group, and an oxybutylene group
  • the addition form of R3 - O may be random addition, block addition, alternate addition, or the like. It may be in any form.
  • the addition form referred to here means the form itself, and does not mean that it must be obtained by an addition reaction.
  • R3 - O is composed of an oxyethylene group, an oxypropylene group, and an oxybutylene group (typically, an oxytetramethylene group) in that the effects of the present invention can be further exhibited. At least one selected from the group.
  • m represents the average number of moles of substance added (sometimes referred to as "chain length") of the oxyalkylene group.
  • m is a number of 1 to 100, preferably a number of 1 to 40, more preferably a number of 2 to 30, still more preferably a number of 3 to 20, and particularly preferably a number of 4 to 18. It is a number, most preferably a number of 5 to 15. When m is within the above range, the effect of the present invention can be more exhibited.
  • (meth) acrylic acid ester-based monomer (c) for example, methoxypolyethylene glycol methacrylate, ethoxypolyethylene glycol methacrylate, propoxypolyethylene glycol methacrylate, butoxypolyethylene glycol methacrylate, hexaoxy, in that the effects of the present invention can be further exhibited.
  • (meth) acrylic acid ester-based monomer (c) a commercially available product can also be adopted.
  • the product name "Blemmer” series manufactured by NOF CORPORATION can be adopted.
  • the (meth) acrylic acid ester-based monomer (c) may be of only one type or of two or more types.
  • the shell portion is at least one selected from the group consisting of an aromatic polymer (P1), a polyolefin, a styrene polymer, a (meth) acrylic acid polymer, and a styrene- (meth) acrylic acid polymer. It may contain a non-crosslinking polymer (P2).
  • the content of the non-crosslinkable polymer (P2) in the shell portion is preferably 0% by weight to 40% by weight, more preferably 0% by weight to 30% by weight, in that the effects of the present invention can be more exhibited. It is more preferably 0% by weight to 20% by weight, and particularly preferably 0% by weight to 10% by weight.
  • polystyrene resin examples include polyethylene, polypropylene, poly ⁇ -olefin and the like. From the viewpoint of solubility in the monomer composition, it is preferable to use a side chain crystalline polyolefin using a long-chain ⁇ -olefin as a raw material, a low molecular weight polyolefin produced by a metallocene catalyst, or an olefin oligomer.
  • styrene polymer examples include polystyrene, styrene-acrylonitrile copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer and the like.
  • Examples of the (meth) acrylic acid-based polymer include polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate, polybutyl (meth) acrylate, and polypropyl (meth) acrylate.
  • styrene- (meth) acrylic acid-based polymer examples include a styrene-methyl (meth) acrylate copolymer, a styrene-ethyl (meth) acrylate copolymer, a styrene-butyl (meth) acrylate copolymer, and a styrene-propyl. Examples thereof include (meth) acrylate copolymers.
  • the relative permittivity of the hollow resin particles (1) is preferably 1.0 to 2.5, more preferably 1.0 to 2.4, and even more preferably 1.0 to 2.3. If the relative permittivity of the hollow resin particles (1) is within the above range, the effect of the present invention can be more exhibited. When the relative permittivity of the hollow resin particles (1) exceeds 2.5, the semiconductor member containing the hollow resin particles (1) may not be able to exhibit excellent low dielectric properties.
  • the relative permittivity of the hollow resin particles (1) can be calculated with reference to, for example, "dielectric constant of the mixed system" (Applied Physics, Vol. 27, No. 8 (1958)).
  • the relative permittivity of the mixed system of the dispersion medium and the hollow resin particles is ⁇
  • the relative permittivity of the base material for example, a resin composition such as polyimide or epoxy
  • the relative permittivity of the hollow resin particles is ⁇ 1.
  • ⁇ 2 and the volume ratio of the hollow resin particles in the mixed system is ⁇ , the following equation holds. That is, if ⁇ , ⁇ 1 , and ⁇ are experimentally obtained, the relative permittivity ⁇ 2 of the hollow resin particles can be calculated.
  • the volume fraction ⁇ of the hollow resin particles in the mixed system of the dispersion medium and the hollow resin particles can be obtained as follows.
  • the density of the hollow resin particles can be determined experimentally using a pycnometer (Cortec Co., Ltd., TQC 50 mL specific gravity bottle) and ARUFON UP-1080 (Toa Synthetic Co., Ltd., density 1.05 g / cm 3 ) which is a liquid polymer. .. Specifically, the hollow resin particles and ARUFON UP-1080 are defoamed and stirred using a planetary stirring defoaming machine (MAZELSTAR KK-250, manufactured by KURABO) so that the ratio of the hollow resin particles is 10% by weight. Make an evaluation mixture.
  • a planetary stirring defoaming machine MAZELSTAR KK-250, manufactured by KURABO
  • the evaluation mixture is filled in a pycnometer having a capacity of 50 mL, and the weight of the filled evaluation mixture is calculated by subtracting the weight of the empty pycnometer from the weight of the pycnometer filled with the mixture. From this value, the density of the hollow resin particles can be calculated using the following formula.
  • the hollow resin particles (1) can be produced by any suitable method as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Such a manufacturing method includes, for example, a dispersion step (step 1), a polymerization step (step 2), a cleaning step (step 3), and a drying step (step 4).
  • Step 1 Dispersion step
  • the aromatic crosslinkable monomer (a), the aromatic monofunctional monomer (b), and the (meth) acrylic acid ester-based monomer (c) represented by the formula (1) are added to the aqueous solution containing the dispersant.
  • a polymerization initiator, and an organic mixed solution containing an organic solvent having a boiling point of less than 100 ° C. are dispersed.
  • any appropriate dispersion method is adopted as long as the organic mixture solution can be present in the form of droplets in the aqueous solution, as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • Such a dispersion method is typically a dispersion method using a homogenizer, and examples thereof include an ultrasonic homogenizer and a high-pressure homogenizer.
  • the aqueous solution contains an aqueous medium and a dispersant.
  • aqueous medium examples include water, a mixed medium of water and a lower alcohol (methanol, ethanol, etc.).
  • a mixed medium of water and a lower alcohol methanol, ethanol, etc.
  • the water at least one selected from ion-exchanged water and distilled water is preferable.
  • any appropriate dispersant can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • a surfactant is preferably used as the dispersant in that the effects of the present invention can be further exhibited.
  • the surfactant include anionic surfactants, cationic surfactants, amphoteric ionic surfactants, nonionic surfactants and the like.
  • anionic surfactant examples include an alkyl sulfate ester fatty acid salt, an alkylbenzene sulfonate, an alkylnaphthalene sulfonate, an alkane sulfonate, an alkyldiphenyl ether sulfonate, a dialkyl sulfosuccinate, a monoalkyl sulfosuccinate, and a poly.
  • Non-reactive anionic surfactants such as oxyethylene alkylphenyl ether phosphate, polyoxyethylene-1- (allyloxymethyl) alkyl ether sulfate ester ammonium salt, polyoxyethylene alkylpropenylphenyl ether sulfate ester ammonium salt, Examples thereof include reactive anionic surfactants such as polyoxyalkylene alkenyl ether ammonium sulfate.
  • cationic surfactant examples include cationicity such as alkyltrimethylammonium salt, alkyltriethylammonium salt, dialkyldimethylammonium salt, dialkyldiethylammonium salt, and N-polyoxyalkylene-N, N, N-trialkylammonium salt.
  • surfactants include surfactants.
  • amphoteric ionic surfactant examples include lauryldimethylamine oxide, phosphoric acid ester salt, and phosphite ester-based surfactant.
  • nonionic surfactant examples include polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, polyoxyethylene fatty acid ester, sorbitan fatty acid ester, polysorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine, glycerin fatty acid ester, and oxyethylene.
  • examples include oxypropylene block polymer.
  • the amount of the surfactant added is preferably 0.01 part by weight to 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the organic mixture solution.
  • the surfactant may be only one kind or two or more kinds.
  • the aqueous solution may contain any suitable other components as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the organic mixed solution is a monomer composition containing an aromatic crosslinkable monomer (a), an aromatic monofunctional monomer (b), and a (meth) acrylic acid ester-based monomer (c) represented by the formula (1). It contains a polymerization initiator and an organic solvent having a boiling point of less than 100 ° C.
  • the description in the item of ⁇ hollow resin particles (1) according to a preferred embodiment> can be used as it is.
  • any suitable polymerization initiator can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the polymerization initiator preferably has a 10-hour half-life temperature of 90 ° C. or lower.
  • the polymerization initiator remaining in the hollow resin particles can be completely decomposed.
  • the semiconductor member containing the hollow resin particles (1) is heated by solder reflow or the like, It is possible to suppress oxidative deterioration and gas generation of the resin due to the remaining polymerization initiator.
  • the polymerization initiator is preferably polymerized at a combination of a reaction temperature and a reaction time at which the decomposition rate of the polymerization initiator calculated by the following formula is 98% or more. Under such polymerization conditions, the polymerization initiator remaining in the hollow resin particles (1) can be completely decomposed, and for example, the semiconductor member containing the hollow resin particles (1) is heated by solder reflow or the like. At that time, it is possible to suppress oxidative deterioration and gas generation of the resin due to the remaining polymerization initiator.
  • k d represents the thermal decomposition rate constant
  • t represents the reaction time (hr)
  • A represents the frequency factor (hr -1 )
  • ⁇ E represents the activation energy (J / mol)
  • R represents the gas constant (8.314 J / mol ⁇ K)
  • T represents the reaction temperature (K).
  • polymerization initiator examples include lauroyl peroxide, benzoyl peroxide, benzoyl peroxide, orthomethoxybenzoyl peroxide, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, and t-butylperoxy-2-ethylhexano.
  • Organic peroxides such as ate, di-t-butyl peroxide; 2,2'-azobisisobutyronitrile, 1,1'-azobiscyclohexanecarbonitrile, 2,2'-azobis (2,4-azobis) Azo-based compounds such as dimethylvaleronitrile); and the like.
  • the amount of the polymerization initiator added is preferably in the range of 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the monomer composition.
  • the polymerization initiator may be only one kind or two or more kinds.
  • Examples of the organic solvent having a boiling point of less than 100 ° C. include heptane, hexane, cyclohexane, methyl acetate, ethyl acetate, methyl ethyl ketone, chloroform, carbon tetrachloride, and the like.
  • the organic solvent having a boiling point of less than 100 ° C. may be a mixed solvent.
  • the amount of the organic solvent added having a boiling point of less than 100 ° C. is preferably 20 parts by weight to 250 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the monomer composition.
  • the organic mixed solution may contain any suitable other components as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • examples of such other components include the above-mentioned non-crosslinkable polymer (P2).
  • the amount of the non-crosslinkable polymer (P2) added is preferably 0 to 67 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the monomer composition.
  • the non-crosslinkable polymer (P2) may be only one kind or two or more kinds.
  • Step 2 is a step of heating the dispersion obtained in Step 1 for suspension polymerization.
  • any appropriate polymerization temperature can be adopted as long as it is suitable for suspension polymerization, as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the polymerization temperature is preferably 30 ° C to 80 ° C.
  • any appropriate polymerization time can be adopted as long as it is suitable for suspension polymerization, as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the polymerization time is preferably 1 hour to 20 hours.
  • Post-heating which is preferably performed after polymerization, is a suitable treatment for obtaining hollow resin particles (1) having a high degree of perfection.
  • any appropriate temperature can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the temperature for such post-heating is preferably 50 ° C to 120 ° C.
  • any appropriate time can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the time for such post-heating is preferably 1 hour to 10 hours.
  • Step 3 is a step of cleaning the slurry obtained in step 2.
  • any appropriate cleaning method can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • a cleaning method for example, (1) hollow resin particles (1) are formed, and then a very high centrifugal acceleration is applied using a high-speed centrifuge or the like to settle the hollow resin particles (1).
  • a solvent that acts as a particle aggregating agent examples thereof include a method in which the particles are aggregated and settled in a solvent, the hollow resin particles (1) are separated using a filter or the like, and the particles are washed with a washing solvent.
  • Step 4 is a step of drying the washed slurry obtained in step 4.
  • any appropriate drying method can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • Examples of such a drying method include drying by heating.
  • any appropriate temperature can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the temperature for such heating is preferably 50 ° C to 120 ° C.
  • any appropriate time can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the time for such heating is preferably 1 hour to 10 hours.
  • the hollow resin particles (2) are hollow resin particles having pores inside the particles.
  • any appropriate structure can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired. Examples of such a structure include a porous structure and a simple hollow structure in that the effects of the present invention can be further exhibited.
  • the term "vacant portion" as used herein means a state in which the inside is filled with a substance other than a resin, for example, a gas or a liquid, and is preferably filled with a gas in that the effects of the present invention can be further exhibited. It means the state of being done.
  • the volume average particle diameter of the hollow resin particles (2) is preferably 0.5 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 1.0 ⁇ m to 80 ⁇ m, still more preferably 1.5 ⁇ m to 60 ⁇ m, and particularly preferably 2. It is 0 ⁇ m to 40 ⁇ m. If the volume average particle diameter of the hollow resin particles (2) is within the above range, the effect of the present invention can be more exhibited. If the volume average particle diameter of the hollow resin particles (2) is out of the above range and is too small, the thickness of the surface layer portion of the particles becomes relatively thin, so that the hollow resin particles may not have sufficient mechanical strength. ..
  • volume average particle diameter of the hollow resin particles (2) is out of the above range and is too large, phase separation between the polymer and the solvent generated by the polymerization of the monomer components during suspension polymerization may be difficult to occur. It may be difficult to form the surface layer.
  • the volume average particle diameter of the hollow resin particles (2) can be obtained by the Coulter method as described later.
  • the volume average particle diameter of the hollow resin particles (2) can be determined by the Coulter method as follows. That is, the volume average particle diameter of the hollow resin particles (2) is measured by Coulter Multisizer (registered trademark) 3 (measuring device manufactured by Beckman Coulter Co., Ltd.). Measurements are performed using apertures calibrated according to the Multisizer® 3 User's Manual published by Beckman Coulter, Inc. The aperture used for the measurement is appropriately selected according to the size of the particles to be measured. The Current (aperture current) and Gain (gain) are appropriately set according to the size of the selected aperture. For example, when an aperture having a size of 50 ⁇ m is selected, the Current (aperture current) is set to ⁇ 800 and the Gain (gain) is set to 4.
  • 0.1 g of particles were placed in 10 m1 of a 0.1 wt% nonionic surfactant aqueous solution in a touch mixer (manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd., "TOUCHMIXER MT-31”) and an ultrasonic cleaner (Vell Co., Ltd.). Disperse using "ULTRASONIC CLEANER VS-150") manufactured by Vokuria to make a dispersion.
  • the inside of the beaker is gently stirred so that air bubbles do not enter, and the measurement is terminated when 100,000 particles are measured.
  • the volume average particle diameter of the particles is an arithmetic mean in the volume-based particle size distribution of 100,000 particles.
  • the hollow resin particles (2) have a relative permittivity of a film (F1) containing 80 parts by weight of the polyimide and 20 parts by weight of the hollow resin particles (2).
  • the reduction rate with respect to Dk0 is preferably 3% or more, more preferably 5% or more, still more preferably 10% or more, and particularly preferably 15% or more.
  • the semiconductor member containing the hollow resin particles (2) exhibits excellent low dielectric properties. It may not be possible.
  • the reduction rate of the relative permittivity Dk1 of the film (F1) with respect to the relative permittivity Dk0 of the film (F0) is calculated by the following formula.
  • the reduction rate (%) of the relative permittivity Dk1 of the film (F1) with respect to the relative permittivity Dk0 of the film (F0). [(Dk0-Dk1) / Dk0] ⁇ 100
  • the relative permittivity Dk and the dielectric loss tangent Df can be measured, for example, as follows.
  • the hollow resin particles (2) to be measured have a concentration of 20% by weight of the hollow resin particles (2) with respect to the total solid content (polyimide resin + hollow resin particles (2)).
  • the mixture is dispersed in ethyl acetate in such a manner, and defoamed and stirred using a planetary stirring defoaming machine (Mazelstar KK-250, manufactured by KURABO) to prepare an evaluation mixture. After applying the evaluation mixture to a glass plate having a thickness of 5 mm using an applicator set to a wet thickness of 250 ⁇ m, the mixture is applied at 60 ° C.
  • the reduction rate of the dielectric loss tangent Df1 of the film (F1) with respect to the dielectric loss tangent Df0 of the film (F0) is preferably 3% or more, more preferably 5% or more, still more preferably. It is 10% or more, and particularly preferably 15% or more.
  • the reduction rate of the dielectric loss tangent Df1 of the film (F1) with respect to the dielectric loss tangent Df0 of the film (F0) is within the above range, the effect of the present invention can be more exhibited. If the reduction rate of the dielectric loss tangent Df1 of the film (F1) with respect to the dielectric loss tangent Df0 of the film (F0) is too small outside the above range, the semiconductor member containing the hollow resin particles (2) may not exhibit excellent low dielectric properties. There is.
  • the reduction rate of the dielectric loss tangent Df1 of the film (F1) with respect to the dielectric loss tangent Df0 of the film (F0) is calculated by the following formula.
  • Reduction rate (%) of the dielectric loss tangent Df1 of the film (F1) with respect to the dielectric loss tangent Df0 of the film (F0). [(Df0-Df1) / Df0] ⁇ 100
  • the hollow resin particles (2) have a specific surface area of preferably 1 m 2 / g to 30 m 2 / g, more preferably 1 m 2 / g to 25 m 2 / g, and further preferably 1 m 2 / g to 20 m. It is 2 / g, and particularly preferably 1 m 2 / g to 15 m 2 / g.
  • the specific surface area is within the above range, the effect of the present invention can be more exhibited. If the specific surface area is out of the above range and is too small, voids are likely to be formed at the interface between the particles and the insulating resin, which may reduce the strength of the insulating resin material or deteriorate the low hygroscopicity. If the specific surface area is out of the above range and is too large, the strength of the hollow resin particles may decrease, the particles may be destroyed in the manufacturing process, and the hollow portion may not be maintained.
  • the specific surface area of the hollow resin particles (2) is measured by the BET method (nitrogen adsorption method) described in ISO 9277 1st Edition JIS Z 8830: 2001.
  • the BET nitrogen adsorption isotherm was measured using the automatic specific surface area / pore distribution measuring device "Tristar II" manufactured by Shimadzu Corporation, and the specific surface area was measured from the nitrogen adsorption amount using the BET multipoint method. Is calculated. After performing the pretreatment by heating gas purging, nitrogen is used as the adsorbent, and the measurement is performed using the constant volume method under the condition of the adsorbate cross-sectional area of 0.162 nm 2 .
  • the container containing the particles was heated at 65 ° C., nitrogen purge was performed for 20 minutes, allowed to cool at room temperature, and then the container was heated at 65 ° C. while inside the container. This is done by vacuum degassing until the pressure is 0.05 mmHg or less.
  • the hollow resin particles (2) have a bulk specific gravity of preferably 0.01 g / cm 3 to 0.6 g / cm 3 , more preferably 0.02 g / cm 3 to 0.55 g / cm 3 , and further. It is preferably 0.03 g / cm 3 to 0.5 g / cm 3 , and particularly preferably 0.05 g / cm 3 to 0.45 g / cm 3 . If the bulk specific density is out of the above range and is too small, the strength of the hollow resin particles may decrease, the particles may be destroyed in the manufacturing process, and the hollow portion may not be maintained. If the bulk specific density is out of the above range and is too large, the number of hollow portions may be reduced and sufficient low dielectric properties may not be exhibited.
  • the bulk specific volume of the hollow resin particles (2) can be measured according to JISK5101-12-1 (pigment test method-Part 12: apparent density or apparent specific volume-Section 1: static method).
  • the hollow resin particles (2) are preferably a polymer (P) containing at least one selected from the group consisting of the structural unit (I) derived from the vinyl-based monomer and the structural unit (II) derived from the phosphoric acid ester-based monomer. )including.
  • the hollow resin particles (2) have at least one whose main component is selected from the group consisting of a structural unit (I) derived from a vinyl-based monomer and a structural unit (II) derived from a phosphoric acid ester-based monomer. It is a polymer (P) containing a seed.
  • the "main component” has a content of preferably 50% by weight or more, more preferably 70% by weight or more, still more preferably 90% by weight or more, and particularly preferably 95% by weight or more. Means that it is 98% by weight or more.
  • the content of the polymer (P) in the hollow resin particles (2) is preferably 50% by weight to 100% by weight, more preferably 70% by weight to 100% by weight, still more preferably 90% by weight. It is ⁇ 100% by weight, particularly preferably 95% by weight to 100% by weight, and most preferably 98% by weight to 100% by weight.
  • the polymer (P) is preferably a polymer containing both a structural unit (I) derived from a vinyl-based monomer and a structural unit (II) derived from a phosphoric acid ester-based monomer.
  • monomer composition all the monomer components used for producing the polymer (P) may be referred to as a monomer composition.
  • the structural unit (I) derived from the vinyl-based monomer is a structural unit formed when the vinyl-based monomer is polymerized as one of all the monomer components used for producing the polymer (P).
  • any suitable vinyl-based monomer can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the vinyl-based monomer may be only one kind or two or more kinds.
  • vinyl-based monomer examples include a monofunctional vinyl-based monomer having one ethylenically unsaturated group and a polyfunctional vinyl-based monomer having two or more ethylenically unsaturated groups.
  • Examples of the monofunctional vinyl-based monomer having one ethylenically unsaturated group include a styrene-based monomer, a carboxyl group-containing monomer, a (meth) acrylic acid alkyl ester, a hydroxyl group-containing monomer, a nitrogen atom-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer.
  • styrene-based monomer examples include styrene, ethylvinylbenzene, ⁇ -methylstyrene, vinyltoluene, o-chlorostyrene, m-chlorostyrene, p-chlorostyrene, vinylbiphenyl, and vinylnaphthalene.
  • carboxyl group-containing monomer examples include (meth) acrylic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, isocrotonic acid, and acid anhydrides thereof (for example, maleic anhydride and itaconic anhydride).
  • Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include methyl (meth) acrylic acid, ethyl (meth) acrylic acid, propyl (meth) acrylic acid, isopropyl (meth) acrylic acid, and n-butyl (meth) acrylic acid.
  • Examples thereof include (meth) acrylic acid alkyl esters having 20 alkyl groups.
  • the alkyl group referred to here includes an alicyclic hydrocarbon group and an alkyl group having an alicyclic hydrocarbon group.
  • the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, because the stability of the dispersion during suspension polymerization is excellent, and as a result, hollow resin particles having high mechanical strength can be easily obtained. It is more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • hydroxyl group-containing monomer examples include hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid esters, vinyl alcohols, and allyl alcohols.
  • examples of the hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester include (meth) acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth) acrylic acid 3-hydroxypropyl, (meth) acrylic acid 4-hydroxybutyl, and (meth) acrylic acid 6-. Hydroxyhexyl, hydroxyoctyl (meth) acrylate, hydroxydecyl (meth) acrylate, hydroxylauryl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid (4-hydroxymethylcyclohexyl) can be mentioned.
  • the nitrogen atom-containing monomer is a monomer having at least one nitrogen atom in the molecule.
  • a monomer having both a hydroxyl group and a nitrogen atom in the molecule is not included in the hydroxyl group-containing monomer, and is included in the nitrogen atom-containing monomer.
  • the nitrogen atom-containing monomer include N-vinyl cyclic amides, (meth) acrylamides, amino group-containing monomers, cyano group-containing monomers, heterocyclic-containing monomers, imide group-containing monomers, and isocyanate group-containing monomers.
  • N-vinyl cyclic amide examples include N-vinyl-2-pyrrolidone (NVP), N-vinyl-2-piperidone, N-vinyl-3-morpholinone, N-vinyl-2-caprolactam, and N-vinyl-1. , 3-Oxazine-2-one, and N-vinyl-3,5-morpholindione.
  • Examples of (meth) acrylamides include (meth) acrylamide, N-alkyl (meth) acrylamide, N, N-dialkyl (meth) acrylamide, N-hydroxyalkyl (meth) acrylamide, and N-alkoxyalkyl (meth) acrylamide. Can be mentioned.
  • N-alkyl (meth) acrylamide examples include N-ethyl (meth) acrylamide, N-isopropyl (meth) acrylamide, Nn-butyl (meth) acrylamide, and N-octyl (meth) acrylamide.
  • N-alkyl (meth) acrylamide also includes (meth) acrylamide having an amino group, such as, for example, dimethylaminoethyl (meth) acrylamide, diethylaminoethyl (meth) acrylamide, and dimethylaminopropyl (meth) acrylamide.
  • N, N-dialkyl (meth) acrylamide examples include N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N, N-diethyl (meth) acrylamide, N, N-dipropyl (meth) acrylamide, and N, N-diisopropyl ( Examples thereof include meth) acrylamide, N, N-di (n-butyl) (meth) acrylamide, and N, N-di (t-butyl) (meth) acrylamide.
  • N-hydroxyalkyl (meth) acrylamide examples include N-methylol (meth) acrylamide, N- (2-hydroxyethyl) (meth) acrylamide, N- (2-hydroxypropyl) (meth) acrylamide, and N- ( 1-Hydroxypropyl) (meth) acrylamide, N- (3-hydroxypropyl) (meth) acrylamide, N- (2-hydroxybutyl) (meth) acrylamide, N- (3-hydroxybutyl) (meth) acrylamide, N -(4-Hydroxybutyl) (meth) acrylamide, N-methyl-N-2-hydroxyethyl (meth) acrylamide can be mentioned.
  • N-alkoxyalkyl (meth) acrylamide examples include N-methoxymethyl (meth) acrylamide and N-butoxymethyl (meth) acrylamide.
  • amino group-containing monomer examples include aminoethyl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, dimethylaminopropyl (meth) acrylate, and t-butylaminoethyl (meth) acrylate.
  • Examples of the cyano group-containing monomer include acrylonitrile and methacrylonitrile.
  • heterocyclic-containing monomer examples include (meth) acryloylmorpholine, N-vinylpiperazine, N-vinylpyrrole, N-vinylimidazole, N-vinylpyrazine, N-vinylmorpholin, N-vinylpyrazole, vinylpyridine, and vinylpyrimidine.
  • imide group-containing monomer examples include maleimide-based monomers such as N-cyclohexylmaleimide, N-isopropylmaleimide, N-laurylmaleimide, and N-phenylmaleimide; N-methylitaconimide, N-ethylitaconimide, and N-butylitacon.
  • Itaconimide-based monomers such as imide, N-octylitaconimide, N-2-ethylhexylitaconimide, N-laurylitaconimide, N-cyclohexylitaconimide; N- (meth) acryloyloxymethylene succinimide, N- (meth) acryloyl- Examples thereof include succinimide-based monomers such as 6-oxyhexamethylene succinimide and N- (meth) acryloyl-8-oxyoctamethylene succinimide.
  • isocyanate group-containing monomer examples include 2- (meth) acryloyloxyethyl isocyanate.
  • Examples of the epoxy group-containing monomer include glycidyl (meth) acrylate and methyl glycidyl (meth) acrylate.
  • Examples of the sulfonic acid group-containing monomer include sodium vinyl sulfonate.
  • Examples of the (meth) acrylic acid alkoxyalkyl ester include (meth) acrylic acid 2-methoxyethyl, (meth) acrylic acid 2-ethoxyethyl, (meth) acrylic acid methoxytriethylene glycol, and (meth) acrylic acid 3-. Examples thereof include methoxypropyl, 3-ethoxypropyl (meth) acrylate, 4-methoxybutyl (meth) acrylate, and 4-ethoxybutyl (meth) acrylate.
  • Examples of the (meth) acrylic acid ester having an aromatic hydrocarbon group include phenyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, and benzyl (meth) acrylate.
  • vinyl esters examples include vinyl acetate and vinyl propionate.
  • aromatic vinyl compound examples include styrene and vinyltoluene.
  • olefins examples include ethylene, butadiene, isoprene, and isobutylene.
  • vinyl ethers examples include vinyl alkyl ethers.
  • polyfunctional vinyl-based monomer having two or more ethylenically unsaturated groups examples include a polyfunctional (meth) acrylic acid ester-based monomer and an aromatic divinyl-based monomer.
  • polyfunctional (meth) acrylic acid ester-based monomer examples include ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, and nonaethylene.
  • Glycoldi (meth) acrylate tetradecaethylene glycol di (meth) acrylate, decaethylene glycol di (meth) acrylate, pentadecaethylene glycol di (meth) acrylate, 1,3-butylene glycol di (meth) acrylate, 1, 4-Butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, glycerindi (meth) acrylate, trimethyl propanetri (meth) acrylate, pentaeristol tetra (meth) acrylate, diethylene glycol phthalate.
  • Examples thereof include di (meth) acrylate, caprolactone-modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, caprolactone-modified hydroxypivalic acid ester neopentyl glycol di (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate.
  • aromatic divinyl-based monomer examples include divinylbenzene, divinylnaphthalene, and derivatives thereof.
  • the vinyl-based monomer preferably contains a polyfunctional vinyl-based monomer from the viewpoint of further exhibiting the effects of the present invention.
  • the content ratio of the polyfunctional vinyl-based monomer in the total amount of the vinyl-based monomer is preferably 3% by weight to 70% by weight, more preferably 5% by weight to 50% by weight, in that the effect of the present invention can be more exhibited. It is more preferably 7% by weight to 45% by weight, and particularly preferably 10% by weight to 40% by weight. If the content ratio of the polyfunctional vinyl monomer in the total amount of the vinyl monomer is out of the above range and is too small, it may be difficult to form pores inside the particles. If the content ratio of the polyfunctional vinyl-based monomer in the total amount of the vinyl-based monomer is too large outside the above range, the shrinkage of the surface of the obtained hollow resin particles (2) becomes large, and the mechanical strength may be weakened.
  • the structural unit (II) derived from the phosphoric acid ester-based monomer is a structural unit formed when the phosphoric acid ester-based monomer is polymerized as one of all the monomer components used for producing the polymer (P). Is.
  • any suitable phosphoric acid ester-based monomer can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the phosphoric acid ester-based monomer may be only one kind or two or more kinds.
  • the phosphate ester-based monomer preferably has an ethylenically unsaturated group in that the particle hardness can be increased by copolymerizing with the vinyl-based monomer in the vicinity of the droplet surface during suspension polymerization.
  • an acidic phosphoric acid ester-based monomer is easy to orient to the surface of droplets during suspension polymerization, acts with an inorganic dispersant, and can increase the hardness near the particle surface. preferable.
  • the phosphoric acid ester-based monomer represented by the general formula (1) is preferable in that the effects of the present invention can be further exhibited.
  • R 1 is a (meth) acrylic group or an allylic group
  • R 2 is a linear or branched alkylene group
  • m is an integer of 1 to 30
  • n is 0 or 1
  • v is 1 to 1.
  • An integer of 10 and x is 1 or 2.
  • the phosphate ester-based monomer represented by the general formula (1) is a caprolactone EO-modified dimethacrylate represented by the formula (2) and a formula (3) in that the effect of the present invention can be further exhibited.
  • the polyoxypropylene allyl ether phosphate represented, 2-methacryloyloxyethyl acid phosphate is preferred.
  • Equation (3) p is an integer from 1 to 30. q is 1 or 2.
  • caprolactone EO-modified dimethacrylate represented by the formula (2) for example, it can be obtained under the product name "KAYAMER PM-21” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • polyoxypropylene allyl ether phosphoric acid ester represented by the formula (3) for example, it can be obtained under the product name "Adecaria Soap PP-70" manufactured by ADEKA CORPORATION.
  • the polymer (P) which is the main component thereof is a polymer containing both a structural unit (I) derived from a vinyl-based monomer and a structural unit (II) derived from a phosphoric acid ester-based monomer.
  • the content of the phosphate ester-based monomer in all the monomer components used for producing the polymer is preferably 0.001 part by weight to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the vinyl-based monomer. It is more preferably 0.01 part by weight to 3 parts by weight, further preferably 0.03 part by weight to 1 part by weight, and particularly preferably 0.05 part by weight to 0.8 part by weight.
  • the content of the phosphoric acid ester-based monomer is within the above range with respect to 100 parts by weight of the vinyl-based monomer, the effect of the present invention can be further exhibited.
  • the hollow resin particles (2) are other than the polymer (P) containing at least one selected from the group consisting of the structural unit (I) derived from the vinyl-based monomer and the structural unit (II) derived from the phosphoric acid ester-based monomer.
  • Any suitable other component may be contained as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • Such other components may be only one kind or two or more kinds. Examples of such other components include pigments, antioxidants, fragrances, UV protection agents, surfactants, preservatives, and medicinal ingredients.
  • the hollow resin particles (2) can be produced by any suitable method as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Such a manufacturing method includes, for example, a dispersion step (step 1), a polymerization step (step 2), a cleaning step (step 3), and a drying step (step 4).
  • Step 1 Dispersion step
  • step 1 an organic mixed solution containing a monomer composition containing at least one selected from the group consisting of vinyl-based monomers and phosphate-based monomers, a polymerization initiator, and a non-polymerizable organic compound in an aqueous solution containing a dispersant. Is the process of dispersing.
  • any appropriate dispersion method is adopted as long as the organic mixture solution can be present in the form of droplets in the aqueous solution, as long as the effect of the present invention is not impaired. obtain.
  • a typical example of such a dispersion method is a dispersion method using a homomixer or a homogenizer.
  • the aqueous solution contains an aqueous medium and a dispersant.
  • aqueous medium examples include water, a mixed medium of water and a lower alcohol (methanol, ethanol, etc.).
  • a mixed medium of water and a lower alcohol methanol, ethanol, etc.
  • the water at least one selected from deionized water, ion-exchanged water, and distilled water is preferable.
  • any appropriate dispersant can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • examples of such a dispersant include an inorganic dispersant and a surfactant.
  • An inorganic dispersant is preferably used as the dispersant because the effects of the present invention can be more exhibited.
  • the dispersant may be only one kind or two or more kinds.
  • Examples of the inorganic dispersant include pyrophosphates of alkaline earth metals (magnesium pyrophosphate, etc.), phosphates of alkaline earth metals (calcium tertiary phosphate, etc.), calcium carbonate, barium carbonate, etc., which are sparingly soluble in water. Salts; Inorganic dispersants such as silica and zirconium oxide; Inorganic polymer substances such as talc, bentonite, silicic acid, diatomaceous earth and viscosity; The alkaline earth metal referred to here is preferably magnesium or calcium.
  • metal ions interact with the phosphate ester portion of the phosphate ester-based monomer to form a dense film on the surface layer.
  • hollow resin particles having high mechanical strength can be obtained, which is preferable.
  • the monomer composition (polymer (P) which is the main component of the hollow resin particles is that the stability of the oil droplets can be ensured and hollow resin particles having the same particle size can be obtained.
  • surfactant examples include anionic surfactants, cationic surfactants, amphoteric ionic surfactants, nonionic surfactants and the like.
  • anionic surfactant examples include an alkyl sulfate ester fatty acid salt, an alkylbenzene sulfonate, an alkylnaphthalene sulfonate, an alkane sulfonate, an alkyldiphenyl ether sulfonate, a dialkyl sulfosuccinate, a monoalkyl sulfosuccinate, and a poly.
  • Non-reactive anionic surfactants such as oxyethylene alkylphenyl ether phosphate, polyoxyethylene-1- (allyloxymethyl) alkyl ether sulfate ester ammonium salt, polyoxyethylene alkylpropenylphenyl ether sulfate ester ammonium salt, Examples thereof include reactive anionic surfactants such as polyoxyalkylene alkenyl ether ammonium sulfate.
  • cationic surfactant examples include cationicity such as alkyltrimethylammonium salt, alkyltriethylammonium salt, dialkyldimethylammonium salt, dialkyldiethylammonium salt, and N-polyoxyalkylene-N, N, N-trialkylammonium salt.
  • surfactants include surfactants.
  • amphoteric ionic surfactant examples include lauryldimethylamine oxide, phosphoric acid ester salt, and phosphite ester-based surfactant.
  • nonionic surfactant examples include polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, polyoxyethylene fatty acid ester, sorbitan fatty acid ester, polysorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine, glycerin fatty acid ester, and oxyethylene.
  • examples include oxypropylene block polymer.
  • the amount of the surfactant added is preferably 0.01 part by weight to 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the organic mixture solution.
  • the surfactant may be only one kind or two or more kinds.
  • the aqueous solution may contain any suitable other components as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the organic mixed solution contains a monomer composition containing at least one selected from the group consisting of vinyl-based monomers and phosphate-based monomers, a polymerization initiator, and a non-polymerizable organic compound.
  • the description in the item of ⁇ hollow resin particles (2) according to a preferred embodiment> can be used as it is.
  • any suitable polymerization initiator can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the polymerization initiator preferably has a 10-hour half-life temperature of 90 ° C. or lower.
  • the polymerization initiator remaining in the hollow resin particles (2) can be completely decomposed, and for example, the semiconductor member containing the hollow resin particles (2) is heated by solder reflow or the like. At that time, it is possible to suppress oxidative deterioration and gas generation of the resin due to the remaining polymerization initiator.
  • the polymerization initiator is preferably polymerized at a combination of a reaction temperature and a reaction time at which the decomposition rate of the polymerization initiator calculated by the following formula is 98% or more. Under such polymerization conditions, the polymerization initiator remaining in the hollow resin particles (2) can be completely decomposed, and for example, the semiconductor member containing the hollow resin particles (2) is heated by solder reflow or the like. At that time, it is possible to suppress oxidative deterioration and gas generation of the resin due to the remaining polymerization initiator.
  • k d represents the thermal decomposition rate constant
  • t represents the reaction time (hr)
  • A represents the frequency factor (hr -1 )
  • ⁇ E represents the activation energy (J / mol)
  • R represents the gas constant (8.314 J / mol ⁇ K)
  • T represents the reaction temperature (K).
  • polymerization initiator examples include lauroyl peroxide, benzoyl peroxide, benzoyl peroxide, orthomethoxybenzoyl peroxide, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, and t-butylperoxy-2-ethylhexano.
  • Organic peroxides such as ate, di-t-butyl peroxide; 2,2'-azobisisobutyronitrile, 1,1'-azobiscyclohexanecarbonitrile, 2,2'-azobis (2,4-azobis) Azo-based compounds such as dimethylvaleronitrile); and the like.
  • the amount of the polymerization initiator added is preferably 0.01 part by weight with respect to 100 parts by weight of the monomer composition (all monomer components used for producing the polymer (P) which is the main component of the hollow resin particles). It is ⁇ 10 parts by weight, more preferably 0.01 part by weight to 5 parts by weight, and further preferably 0.1 part by weight to 5 parts by weight.
  • the polymerization initiator may be only one kind or two or more kinds.
  • the non-polymerizable organic compound functions as a so-called solvent and also contributes to the formation of pores having a porous structure or a single hollow structure inside the particles of the hollow resin particles (2).
  • an organic solvent having a boiling point of 30 ° C. or higher and 200 ° C. or lower may be used because it exists as a liquid in the temperature range in which the polymerization step (step 2) is carried out.
  • the non-polymerizable organic compound include saturated aliphatic hydrocarbons such as n-pentane, isopentan, n-hexane, cyclohexane and n-heptane; aromatic compounds such as toluene and benzene; ethyl acetate.
  • An acetate-based compound such as butyl acetate
  • a fluorine-based compound such as hydrofluoroether and hydrofluorocarbon; one or more selected from the group can be used.
  • the amount of the non-polymerizable organic compound used all the monomer components used for producing the monomer composition (the polymer (P) which is the main component of the hollow resin particles) can further exhibit the effect of the present invention. ) It is preferably 10 parts by weight to 250 parts by weight with respect to 100 parts by weight. If the amount of the non-polymerizable organic compound used with respect to 100 parts by weight of the monomer composition is too small outside the above range, pores having a porous structure or a single hollow structure are surely formed inside the particles of the hollow resin particles (2). It may not be possible to form. If the amount of the non-polymerizable organic compound used with respect to 100 parts by weight of the monomer composition is too large outside the above range, sufficient strength may not be imparted to the obtained hollow resin particles (2).
  • the organic mixed solution may contain any suitable other components as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Step 2 is a step of heating the dispersion obtained in Step 1 for suspension polymerization.
  • any appropriate polymerization temperature can be adopted as long as it is suitable for suspension polymerization, as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the polymerization temperature is preferably 30 ° C to 105 ° C.
  • any appropriate polymerization time can be adopted as long as it is suitable for suspension polymerization, as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the polymerization time is preferably 0.1 hour to 20 hours.
  • Post-heating which is preferably performed after polymerization, is a suitable treatment for obtaining hollow resin particles having a high degree of perfection.
  • any appropriate temperature can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the temperature for such post-heating is preferably 50 ° C to 120 ° C.
  • any appropriate time can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the time for such post-heating is preferably 1 hour to 10 hours.
  • Step 3 is a step of cleaning the slurry obtained in step 2.
  • any appropriate cleaning method can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • a cleaning method for example, (1) hollow resin particles (2) are formed, and then a very high centrifugal acceleration is applied to settle the hollow resin particles using a high-speed centrifuge or the like to precipitate the supernatant. , Newly added ion-exchanged water or distilled water, disperse the settled hollow resin particles (2) in ion-exchanged water, and repeat this operation several times to remove impurities, (2) Ceramics filter. A method of removing impurities by cleaning by a cross-flow type filtration method using, etc., (3) Hollow resin particles (2) by adding a solvent that acts as a particle aggregating agent in the solvent. Examples thereof include a method in which the particles are aggregated and settled, the hollow resin particles (2) are separated using a filter or the like, and the particles are washed with a washing solvent.
  • Step 4 is a step of drying the washed slurry obtained in step 3.
  • any appropriate drying method can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • Examples of such a drying method include drying by heating.
  • any appropriate temperature can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the temperature for such heating is preferably 50 ° C to 120 ° C.
  • any appropriate time can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • the time for such heating is preferably 1 hour to 50 hours.
  • the hollow resin particles (3) are multi-hollow resin particles having two or more independent pores inside.
  • any suitable multi-hollow resin particles can be adopted as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Examples of such multi-hollow resin particles and a method for producing the same include the multi-hollow resin particles described in Japanese Patent No. 4566870.
  • the resin composition for semiconductor encapsulation may contain other additives.
  • the other additives may be only one kind or two or more kinds.
  • any appropriate additive can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • examples of such other additives include curing agents, coupling agents, curing accelerators, organic fillers, pigments, dyes, defoaming agents, leveling agents, UV absorbers, foaming agents, antioxidants, and difficult.
  • examples include fuel agents and ion scavengers.
  • any suitable curing agent can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • a curing agent include curing agents generally used in resin compositions for encapsulating semiconductors, and examples thereof include phenol-based curing agents, amine-based curing agents, acid anhydride-based curing agents, and mercaptan-based curing agents. , Isocyanate compounds such as isocyanate prepolymers and blocked isocyanates, and organic acids such as carboxylic acid-containing polyester resins.
  • phenolic curing agents are preferable from the viewpoint of balance of flame resistance, moisture resistance, electrical characteristics, curability, storage stability and the like.
  • phenolic curing agent examples include phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol, aminophenol, ⁇ -naphthol, ⁇ -naphthol, and dihydroxynaphthalene, and formaldehyde and ketones.
  • Novolak resin phenol novolak resin, cresol novolak resin, etc.
  • Novolak resin obtained by condensation or cocondensation under an acidic catalyst
  • phenol aralkyl resin such as a resin and a phenol aralkyl resin having a phenylene skeleton
  • phenol resin having a trisphenol methane skeleton examples include phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol
  • amine-based curing agent examples include aliphatic polyamines such as diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), and metaxylerylene diamine (MXDA); diaminodiphenylmethane (DDM), m-phenylenediamine (MPDA), and diamino.
  • Aromatic polyamines such as diphenylsulfone (DDS); polyamine compounds containing disyandiamide (DICY), organic acid dihydralide and the like;
  • the acid anhydride-based curing agent examples include alicyclic acid anhydrides such as hexahydrophthalic anhydride (HHPA), methyltetrahydrophthalic anhydride (MTHPA), and maleic anhydride; trimellitic anhydride (TMA) and pyrochloride.
  • Aromatic acid anhydrides such as merit acid (PMDA), benzophenone tetracarboxylic acid (BTDA), and phthalic anhydride;
  • Examples of the mercaptan-based curing agent include trimethylolpropane tris (3-mercaptobutyrate) and trimethylolethane ethanetris (3-mercaptobutyrate).
  • the content of the curing agent in the resin composition for encapsulating a semiconductor is preferably 0.1% by weight to 20% by weight, more preferably 0.5% by weight to 15% by weight, and further preferably 1. It is 0% by weight to 10% by weight, and particularly preferably 1.5% by weight to 8% by weight.
  • the content of the curing agent in the resin composition for encapsulating a semiconductor is within the above range, the effect of the present invention can be further exhibited.
  • any suitable coupling agent can be adopted as long as the effect of the present invention is not impaired.
  • a coupling agent include a silane compound; a titanium compound; an aluminum chelate, and an aluminum / zirconium compound.
  • silane compound examples include vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris ( ⁇ -methoxyethoxy) silane, ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane, and ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl).
  • titanium-based compound examples include isopropyltriisostearoyl titanate, isopropyltris (dioctylpyrophosphate) titanate, isopropyltri (N-aminoethyl-aminoethyl) titanate, tetraoctylbis (ditridecylphosphite) titanate, and tetra (2).
  • the content of the coupling agent in the resin composition for encapsulating a semiconductor is preferably 0.01% by weight to 5% by weight, more preferably 0.05% by weight to 3% by weight, still more preferably 0. It is 07% by weight to 1% by weight, and particularly preferably 0.1% by weight to 0.5% by weight.
  • the content of the coupling agent in the resin composition for encapsulating a semiconductor is within the above range, the effect of the present invention can be further exhibited.
  • the underfill according to the embodiment of the present invention is formed from the resin composition for encapsulating a semiconductor according to the embodiment of the present invention.
  • the underfill according to the embodiment of the present invention is formed by curing the resin composition for encapsulating a semiconductor according to the embodiment of the present invention.
  • the thermosetting resin contained in the resin composition for encapsulating a semiconductor according to the embodiment of the present invention becomes a resin component in underfill by curing.
  • the curing method adopted when providing the underfill can be adopted.
  • any appropriate conditions can be adopted as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the curing condition generally adopted when the underfill is provided can be adopted.
  • the mold resin according to the embodiment of the present invention is formed from the resin composition for encapsulating a semiconductor according to the embodiment of the present invention.
  • the molded resin according to the embodiment of the present invention is formed by curing the resin composition for encapsulating a semiconductor according to the embodiment of the present invention.
  • the thermosetting resin contained in the resin composition for encapsulating a semiconductor according to the embodiment of the present invention becomes a resin component in the mold resin by being cured.
  • a curing method generally used when providing the mold resin can be adopted.
  • any appropriate conditions can be adopted as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • a curing condition generally adopted when the mold resin is provided can be adopted.
  • the semiconductor package according to the embodiment of the present invention is a semiconductor package including a circuit board and a semiconductor element mounted on the circuit board.
  • the underfill according to the embodiment of the present invention is provided between the circuit board and the semiconductor element.
  • the semiconductor element is sealed with the mold resin according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor package according to one embodiment of the present invention.
  • the semiconductor package 100 is a semiconductor package including a substrate 10, a semiconductor element 20 mounted on one surface of the substrate 10, and a mold resin 30 for sealing the one surface of the substrate 10 and the semiconductor element 20. be. That is, the semiconductor package 100 is a single-sided sealed semiconductor package in which the other side of the substrate 10 opposite to the above one side is not sealed by the mold resin 30.
  • the mold resin 30 is composed of a cured product of the resin composition for semiconductor encapsulation according to the embodiment of the present invention.
  • the coefficient of linear expansion of the mold resin 30 at the time of heat can be increased, so that the difference in the coefficient of linear expansion of the mold resin 30 and the substrate 10 at the time of heat can be reduced. Therefore, when used in a high temperature environment, the entire warp of the semiconductor package 100 can be suppressed.
  • the upper surface of the semiconductor element 20 may be covered with the mold resin 30 (FIG. 1) or may be exposed from the mold resin 30 (not shown).
  • the substrate 10 is typically a laminated board including a laminated board as a core layer used for a semiconductor package, a laminated board with a metal foil, a build-up layer, and the like.
  • a plurality of solder balls 12 are provided on the back surface of the substrate 10 on the side opposite to the front surface (mounting surface) on which the semiconductor element 20 is mounted.
  • the semiconductor element 20 is, for example, flip-chip mounted on the substrate 10.
  • the semiconductor element 20 is electrically connected to the substrate 10 via, for example, a plurality of bumps 22. As a modification, the semiconductor element 20 may be electrically connected to the substrate 10 via a bonding wire.
  • the gap between the semiconductor element 20 and the substrate 10 is filled with the underfill 32.
  • the underfill 32 for example, a film-like or liquid underfill material can be used.
  • the underfill 32 and the mold resin 30 may be made of different materials or may be made of the same material.
  • part means “part by weight”
  • % means “% by weight”.
  • Epoxy resin A Biphenyl aralkyl type novolak epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000)
  • Epoxy resin B Naphthalene skeleton-modified cresol novolac type epoxy resin (manufactured by DIC, EXA-7320)
  • Epoxy resin C Cresol novolac type epoxy resin (manufactured by DIC Corporation, N-660)
  • Cyanate resin A Novolac type cyanate resin (Primaset PT-30 manufactured by Lonza)
  • Cyanate resin B Bisphenol A type cyanate resin (manufactured by Lonza, Primasset BA230)
  • Phenol resin A Biphenyldimethylene type phenol resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., GPH-103)
  • Phenoxy resin A Phenoxy resin inorganic filler containing a bisphenol acetophenone structure
  • A Spherical
  • volume average particle size of the particles was measured by the Coulter method as follows.
  • the volume average particle diameter of the particles was measured by Coulter Multisizer (registered trademark) 3 (measuring device manufactured by Beckman Coulter Co., Ltd.). Measurements were performed using apertures calibrated according to the Multisizer® 3 User's Manual published by Beckman Coulter, Inc.
  • the aperture used for the measurement was appropriately selected according to the size of the particles to be measured.
  • the Current (aperture current) and Gain (gain) were appropriately set according to the size of the selected aperture.
  • the Current (aperture current) was set to ⁇ 800 and the Gain (gain) was set to 4.
  • the Gain (gain) was set to 4.
  • 0.1 g of particles were placed in 10 m1 of 0.1 wt% nonionic surfactant aqueous solution in a touch mixer (manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd., "TOUCHMIXER MT-31") and an ultrasonic cleaner (Vell Co., Ltd.).
  • a dispersion liquid was used, which was dispersed using "ULTRASONIC CLEANER VS-150" manufactured by Vokuria.
  • the volume average particle diameter of the particles was taken as the arithmetic mean in the volume-based particle size distribution of 100,000 particles.
  • the specific surface area of the particles was measured by the BET method (nitrogen adsorption method) described in ISO 9277 1st edition JIS Z 8830: 2001.
  • the BET nitrogen adsorption isotherm was measured using the automatic specific surface area / pore distribution measuring device "Tristar II" manufactured by Shimadzu Corporation, and the specific surface area was measured from the nitrogen adsorption amount using the BET multipoint method.
  • nitrogen was used as the adsorbent, and the measurement was carried out using the constant volume method under the condition of the adsorbate cross-sectional area of 0.162 nm 2 .
  • the container containing the particles was heated at 65 ° C., nitrogen purge was performed for 20 minutes, allowed to cool at room temperature, and then the container was heated at 65 ° C. while inside the container. This was done by vacuum degassing until the pressure was 0.05 mmHg or less.
  • ⁇ TEM measurement Observation of hollow resin particles>
  • the hollow resin particles as the dry powder were surface-treated (10 Pa, 5 mA, 10 seconds) using a "Osmium Coater Neoc-Pro" coating device manufactured by Meiwaforsis.
  • the hollow resin particles were observed with a TEM (transmission electron microscope, H-7600 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) to confirm the presence or absence of hollowness and the shape of the hollow resin particles.
  • the acceleration voltage was set to 80 kV, and the magnification was set to 5000 times or 10,000 times.
  • the particles were imaged with a scanning electron microscope (SEM) to obtain a surface SEM image. Further, after embedding the particles in an epoxy resin, the particles were cut into thin film sections, and then the cross section of the particles was imaged with a scanning electron microscope (SEM) to obtain a cross-sectional SEM image.
  • SEM scanning electron microscope
  • 900 parts by weight of deionized water as an aqueous medium and 23 parts by weight of magnesium pyrophosphate produced by a metathesis method as a dispersant were mixed to prepare an aqueous phase.
  • the oil phase was dispersed in the aqueous phase at 8000 rpm for 5 minutes using a TK-homomixer (manufactured by Primix) to obtain a dispersion having a volume average particle size of about 8 ⁇ m.
  • the dispersion is placed in a polymerizer equipped with a stirrer and a thermometer, the internal temperature of the polymerizer is raised to 55 ° C., stirring is continued for 5 hours, and then the internal temperature of the polymerizer is raised to 70 ° C.
  • the dispersant magnesium pyrophosphate contained in this suspension was decomposed with hydrochloric acid.
  • the suspension was dehydrated by filtration to separate the solids, and the solids were washed with sufficient water.
  • the non-polymerizable organic compound was removed by vacuum drying at 70 ° C. for 24 hours to obtain spherical resin particles.
  • the volume average particle diameter of the obtained resin particles was 7.8 ⁇ m. According to SEM observation, the obtained resin particles were porous hollow resin particles (1) having a porous shape inside.
  • the bulk specific gravity of the porous hollow resin particles (1) was 0.33 g / ml.
  • the specific surface areas of the porous hollow resin particles (1) before and after being treated with a jet mill at a pressure of 0.4 MPa were measured and found to be 8.2 m 2 / g and 23.2 m 2 / g. This indicates that the smaller the numerical difference in the specific surface area before and after the jet mill, the more the particles have sufficient durability against the impact of the jet mill, which is the shear force, pressure, etc. at the time of manufacturing the semiconductor member. It means that the particles are not destroyed by the external force of.
  • FIG. 2 shows a surface SEM image of the porous hollow resin particles (1).
  • FIG. 3 shows a cross-sectional SEM image of the porous hollow resin particles (1).
  • the particle surface is a dense shell with no pores, and the inside of the particles has a porous structure. I confirmed that.
  • the average particle size of the obtained hollow resin particles was 356 nm, and the particle density was 0.65 g / cm 3 .
  • the TEM observation results of the obtained hollow resin particles are shown in FIG. It was confirmed that the obtained hollow resin particles were single hollow resin particles (1) having a hollow surrounded by a shell.
  • Example 1 9 parts by weight of cresol novolac type epoxy resin (DIC, N-660) as epoxy resin C, 5 parts by weight of phenol novolac resin (PR-HF-3, manufactured by Sumitomo Bakelite) as curing agent A, as curing accelerator A 0.3 parts by weight of triphenylphosphine and 0.3 parts by weight of carbon black (carbon # 5 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)) as pigment A were kneaded with a mixer.
  • cresol novolac type epoxy resin DIC, N-660
  • PR-HF-3 phenol novolac resin
  • PC-HF-3 phenol novolac resin
  • curing accelerator A 0.3 parts by weight of triphenylphosphine and 0.3 parts by weight of carbon black (carbon # 5 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)) as pigment A were kneaded with a mixer.
  • the semiconductor encapsulating resin composition (1) was pressed at 100 ° C. with a thermal roll press to form a film and heat-cured to obtain a film (1) having a film thickness of 100 ⁇ m.
  • the relative permittivity and the dielectric loss tangent were measured by a network analyzer (manufactured by Agilent Technologies) by a cavity resonance perturbation method under the conditions of a measurement frequency of 10 GHz and a measurement temperature of 23 ° C.
  • the relative permittivity was 3.04 and the dielectric loss tangent was 0.0170.
  • the film (1) can be an underfill or a mold resin.
  • Example 2 The same procedure as in Example 1 was performed except that the single hollow resin particles (1) obtained in Production Example 2 were used instead of the porous hollow resin particles (1) obtained in Production Example 1, and the semiconductor was sealed.
  • the resin composition (2) for use was prepared.
  • the semiconductor encapsulating resin composition (2) was pressed at 100 ° C. with a thermal roll press to form a film and heat-cured to obtain a film (2) having a film thickness of 100 ⁇ m.
  • the relative permittivity and the dielectric loss tangent were measured by a network analyzer (manufactured by Agilent Technologies) by a cavity resonance perturbation method under the conditions of a measurement frequency of 10 GHz and a measurement temperature of 23 ° C.
  • the relative permittivity was 3.19 and the dielectric loss tangent was 0.0179.
  • the film (2) can be an underfill or a mold resin.
  • Example 3 Instead of 20.0 parts by weight of the porous hollow resin particles (1) obtained in Production Example 1, 10.0 parts by weight of the porous hollow resin particles (1) obtained in Production Example 1 and obtained in Production Example 2 The same procedure as in Example 1 was carried out except that 10 parts by weight of the single hollow resin particles (1) were used to prepare a resin composition (3) for encapsulating a semiconductor.
  • the semiconductor encapsulating resin composition (3) was pressed at 100 ° C. with a thermal roll press to form a film and heat-cured to obtain a film (3) having a film thickness of 100 ⁇ m.
  • the relative permittivity and the dielectric loss tangent were measured by a network analyzer (manufactured by Agilent Technologies) by a cavity resonance perturbation method under the conditions of a measurement frequency of 10 GHz and a measurement temperature of 23 ° C.
  • the relative permittivity was 3.35 and the dielectric loss tangent was 0.0188.
  • the film (3) can be an underfill or a mold resin.
  • the composition (C1) was prepared. The semiconductor encapsulating resin composition (C1) was pressed at 100 ° C.
  • the relative permittivity and the dielectric loss tangent were measured by a network analyzer (manufactured by Agilent Technologies) by a cavity resonance perturbation method under the conditions of a measurement frequency of 10 GHz and a measurement temperature of 23 ° C.
  • the relative permittivity was 3.90 and the dielectric loss tangent was 0.0200.
  • the film (C1) can be an underfill or a mold resin.
  • novolak type cyanate resin as cyanate resin A (Primaset PT-30, manufactured by Ronza Japan) 16.0 parts by weight, bisphenol A type cyanate resin as cyanate resin B (Primaset BA230, manufactured by Ronza Japan) 4 .0 parts by weight was dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone. Further, 20.0 parts by weight of the porous hollow resin particles (1) obtained in Production Example 1, and 40.0 parts by weight of spherical silica (manufactured by Admatex, SO-32R, average particle size 1 ⁇ m) as the inorganic filler A.
  • spherical silica manufactured by Admatex, SO-32R, average particle size 1 ⁇ m
  • Resin varnish A which is a varnish of the resin composition, was prepared. A resin varnish A was applied onto a PET film coated with a mold release agent using an applicator, and then the solvent in the resin composition was dried and removed and heat-cured to obtain a film having a film thickness of 100 ⁇ m.
  • the obtained resin varnish A was similarly coated on a PET film (polyethylene terephthalate, manufactured by Teijin DuPont Film Co., Ltd., purex film, thickness 36 ⁇ m), and the thickness of the resin layer after drying was 7.0 ⁇ m. And dried in a dryer at 160 ° C. for 5 minutes to obtain a resin sheet B (carrier material B) with a PET film for the second resin layer.
  • a PET film polyethylene terephthalate, manufactured by Teijin DuPont Film Co., Ltd., purex film, thickness 36 ⁇ m
  • the obtained carrier material A and carrier material B are made of a glass fiber base material (thickness 15 ⁇ m, manufactured by Unitika Glass Fiber Co., Ltd., E glass woven cloth, E02Z 04 53SK, IPC standard 1015, linear expansion coefficient: 5.5 ppm / ° C.).
  • Each resin layer was arranged so as to face the glass fiber base material on both sides thereof, and the resin composition was impregnated by a vacuum laminating device and a hot air drying device to obtain a prepreg on which a PET film was laminated.
  • the carrier material A and the carrier material B are superposed on both sides of the glass fiber base material so as to be located at the center in the width direction of the glass fiber base material, and 9.999 ⁇ 10 4 Pa (9,999 ⁇ 10 4 Pa) from normal pressure. Under the condition of reduced pressure of about 750 Torr) or more, bonding was performed using a laminate roll at 80 ° C.
  • the resin layers of the carrier material A and the carrier material B are bonded to both sides of the glass fiber base material, respectively, and the widthwise dimension of the glass fiber base material is used.
  • the resin layers of the carrier material A and the carrier material B were joined to each other.
  • the above-mentioned bonded material was heat-treated in a horizontal transport type hot air drying device set at 120 ° C. for 2 minutes without applying pressure to obtain prepreg 1 (P1).
  • the thickness of the first resin layer (C1) is 9 ⁇ m
  • the thickness of the glass fiber base material layer is 15 ⁇ m
  • the thickness of the second resin layer (C2) is 3 ⁇ m
  • the total thickness is 27 ⁇ m
  • C2 / C1 0. It was 33.
  • the thickness of the resin layer was measured by cutting out a cross section of prepreg 1 (P1) and observing it with an optical microscope.
  • the thickness of the core layer (the portion made of the laminated board) is the total thickness of the prepreg.
  • Preparation of resin varnish G 25 parts by weight of novolak type cyanate resin (Primaset PT-30 manufactured by Ronza Japan) as cyanate resin A, 25 parts by weight of biphenyl aralkyl type novolak epoxy resin (NC-3000) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • epoxy resin A phenoxy 10 parts by weight of the epoxy resin containing the bisphenol acetophenone structure prepared above as the resin A and 0.4 parts by weight of the imidazole compound (1-benzyl-2-phenylimidazole manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) as the curing accelerator were dissolved in methyl ethyl ketone. Dispersed. Further, 20.0 parts by weight of the porous hollow resin particles (1) obtained in Production Example 1 and 19.4 parts by weight of spherical silica (manufactured by Admatex, SO-32R, average particle size 1 ⁇ m) as the inorganic filler A.
  • spherical silica manufactured by Admatex, SO-32R, average particle size 1 ⁇ m
  • the resin varnish G which is a varnish of the resin composition, was prepared. A resin varnish G was applied onto a PET film coated with a mold release agent using an applicator, and then the solvent in the resin composition was dried and removed and heat-cured to obtain a film having a film thickness of 100 ⁇ m.
  • the relative permittivity and the dielectric loss tangent were measured by a network analyzer (manufactured by Azilent Technology Co., Ltd.) under the conditions of a measurement frequency of 10 GHz and a measurement temperature of 23 ° C., the relative permittivity was 2.85 and the dielectric loss tangent was 0.0187. Met. (Manufacturing of carrier materials C and D)
  • the obtained resin varnish G was put on a PET film (polyethylene terephthalate, manufactured by Teijin DuPont Film Co., Ltd., purex film, thickness 36 ⁇ m), and the thickness of the resin layer after drying was 22.0 ⁇ m using a die coater device. And dried in a drying device at 160 ° C.
  • the resin sheet C (carrier material C) with a PET film for the first resin layer was obtained by drying in a dryer at 160 ° C. for 5 minutes.
  • the obtained carrier material C and carrier material D are made of a glass fiber base material (thickness 15 ⁇ m, manufactured by Unitika Glass Fiber Co., Ltd., E glass woven cloth, E02Z 04 53SK, IPC standard 1015, linear expansion coefficient: 5.5 ppm / ° C.).
  • Each resin layer was arranged on both sides of the glass fiber base material so as to face the glass fiber base material, and the resin composition was impregnated by a vacuum laminating device and a hot air drying device to obtain a build-up layer A on which a PET film was laminated.
  • the carrier material C and the carrier material D are superposed on both sides of the glass fiber base material so as to be located at the center in the width direction of the glass fiber base material, and 9.999 ⁇ 10 4 Pa (9,999 ⁇ 10 4 Pa) from normal pressure. Under the condition of reduced pressure of about 750 Torr) or more, bonding was performed using a laminate roll at 80 ° C.
  • the resin layers of the carrier material C and the carrier material D are bonded to both sides of the glass fiber base material, respectively, and the widthwise dimension of the glass fiber base material is used.
  • the resin layers of the carrier material C and the carrier material D were bonded to each other.
  • the above-mentioned bonded material was heat-treated in a horizontal transport type hot air drying device set at 120 ° C. for 2 minutes without applying pressure to obtain a build-up layer A.
  • the thickness of the first resin layer (C1) is 18 ⁇ m
  • the thickness of the glass fiber base material layer is 15 ⁇ m
  • the thickness of the second resin layer (C2) is 7 ⁇ m
  • the total thickness is 40 ⁇ m
  • C2 / C1 0. It was 39.
  • the thickness of the resin layer was measured by cutting out a cross section of the build-up layer A and observing it with an optical microscope.
  • the obtained resin varnish H is put on a PET film (polyethylene terephthalate, manufactured by Teijin DuPont Film Co., Ltd., purex film, thickness 36 ⁇ m), and the thickness of the resin layer after drying using a die coater device is 14.0 ⁇ m. This was applied and dried in a drying device at 160 ° C. for 5 minutes to obtain a resin sheet E (carrier material E) with a PET film for the first resin layer. Further, the obtained resin varnish H was similarly coated on a PET film (polyethylene terephthalate, manufactured by Teijin DuPont Film Co., Ltd., purex film, thickness 36 ⁇ m), and the thickness of the resin layer after drying was 9.0 ⁇ m.
  • the resin sheet F (carrier material F) with a PET film for the second resin layer was obtained by drying in a dryer at 160 ° C. for 5 minutes.
  • the obtained carrier material E and carrier material F are used as a glass fiber base material (thickness 15 ⁇ m, manufactured by Unitika Glass Fiber Co., Ltd., E glass woven cloth, E02Z 04 53SK, IPC standard 1015, linear expansion coefficient: 5.5 ppm / ° C.).
  • Each resin layer was arranged on both sides of the glass fiber base material so as to face the glass fiber base material, and the resin composition was impregnated by a vacuum laminating device and a hot air drying device to obtain a solder resist layer A on which a PET film was laminated.
  • the carrier material E and the carrier material F are superposed on both sides of the glass fiber base material so as to be located at the center in the width direction of the glass fiber base material, and 9.999 ⁇ 10 4 Pa (9,999 ⁇ 10 4 Pa) from normal pressure. Under the condition of reduced pressure of about 750 Torr) or more, bonding was performed using a laminate roll at 80 ° C.
  • the resin layers of the carrier material E and the carrier material F are bonded to both sides of the glass fiber base material, respectively, and the widthwise dimension of the glass fiber base material is used. In the outer region, the resin layers of the carrier material E and the carrier material F were joined to each other.
  • the above-mentioned bonded material was heat-treated in a horizontal transport type hot air drying device set at 120 ° C. for 2 minutes without applying pressure to obtain a solder resist layer A.
  • the thickness of the first resin layer (C1) is 10 ⁇ m
  • the thickness of the glass fiber base material layer is 15 ⁇ m
  • the thickness of the second resin layer (C2) is 5 ⁇ m
  • the total thickness is 30 ⁇ m
  • C2 / C1 0. It was 5.
  • the thickness of the resin layer was measured by cutting out a cross section of the solder resist layer A and observing it with an optical microscope.
  • the PET film on the first resin layer side of the up layer A was peeled off and the first resin layer was overlapped.
  • a vacuum pressure type laminator device vacuum heating and pressure molding was performed at a temperature of 150 ° C., a pressure of 1 MPa, and a time of 120 seconds. Then, it was heat-cured at 220 ° C. for 60 minutes in a hot air drying device to peel off the PET film on the second resin layer side.
  • a blind via hole (non-penetrating hole) was formed by a carbon dioxide laser.
  • a swelling solution at 60 ° C. (Atotech Japan, Swelling Dip Security Gant P) for 5 minutes, and then an aqueous solution of potassium permanganate at 80 ° C. (Atotech Japan, manufactured by Atotech Japan). After soaking in Concentrate Compact CP) for 10 minutes, it was neutralized and roughened.
  • an electroless copper plating film of about 0.5 ⁇ m is formed, a plating resist is formed, and a pattern electroplated copper of 10 ⁇ m is formed using the electroless copper plating film as a feeding layer.
  • an annealing treatment was performed at 200 ° C. for 60 minutes in a hot air drying device, and then the feeding layer was removed by flash etching.
  • solder resist layer A was superposed on the solder resist layer A, and vacuum-heated and pressure-molded at a temperature of 150 ° C., a pressure of 1 MPa, and a time of 120 seconds using a vacuum-pressurized laminator device. Then, the PET film was peeled off by heating and curing at 220 ° C. for 60 minutes in a hot air drying device. Next, a blind via hole (non-through hole) was formed by a carbon dioxide laser so that the pad for mounting the semiconductor element or the like was exposed.
  • the circuit board (1) for a semiconductor package was obtained by cutting into a size of 50 mm ⁇ 50 mm.
  • a semiconductor element (TEG chip, size 20 mm ⁇ 20 mm, thickness 725 ⁇ m) was mounted on a circuit board (1) for a semiconductor package by heat crimping with a flip chip bonder device.
  • the semiconductor encapsulation resin composition (1) obtained in Example 1 is filled and the semiconductor encapsulation resin composition (1) is cured.
  • the semiconductor package (1) was obtained.
  • the semiconductor encapsulating resin composition (1) was cured under the conditions of a temperature of 150 ° C. and 120 minutes.
  • As the solder bumps of the semiconductor element those formed of lead-free solder having a Sn / Ag / Cu composition were used.
  • the semiconductor package (1) was mounted on a circuit board for a semiconductor module by heat crimping. Next, melt bonding was performed using solder balls in an IR reflow oven. As the solder balls of the semiconductor package, those formed of lead-free solder having a Sn / Ag / Cu composition were used.
  • the semiconductor encapsulation resin composition, underfill, mold resin, and semiconductor package according to the embodiment of the present invention are excellent in low dielectric properties and are useful in the field of resin encapsulation type electronic component devices.
  • it is extremely useful in the field of electronic component devices for handling high-frequency signals (for example, a frequency band of 5 GHz to 90 GHz) used in next-generation communication systems, millimeter-wave radars, and the like.

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Abstract

従来にない新たなアプローチにより、優れた低誘電特性を発現する半導体封止用樹脂組成物、アンダーフィル、モールド樹脂、及び半導体パッケージを提供する。 本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と硬化剤と無機充填材と中空樹脂粒子を含む半導体封止用樹脂組成物であって、該半導体封止用樹脂組成物中の該中空樹脂粒子の含有量が1重量%~50重量%である。

Description

半導体封止用樹脂組成物、アンダーフィル、モールド樹脂、及び半導体パッケージ
 本発明は、半導体封止用樹脂組成物、アンダーフィル、モールド樹脂、及び半導体パッケージに関する。
 近年、各種電子機器の情報処理量と通信速度の増大に伴い、搭載される半導体デバイスの高集積化、配線の高密度化、及び多層化などの実装技術が急速に進展している。半導体デバイスにおいて用いられる半導体部材(半導体パッケージや半導体モジュール)に用いられる絶縁樹脂材料には、高い周波数の信号の伝送速度を高め、信号伝送時の損失を低減させるために、絶縁樹脂の比誘電率及び誘電正接が低いことが要求される。例えば、半導体パッケージに用いられるアンダーフィルやモールド樹脂には、優れた低誘電特性が要求される。
 このような要求に対する一つのアプローチとして、絶縁樹脂を形成する熱硬化性樹脂組成物に含まれる熱硬化性樹脂とそれと併用する架橋剤を工夫することで、優れた低誘電特性を実現する技術が報告されている(特許文献1)。
特開2019-90037号公報
 本発明の課題は、従来にない新たなアプローチにより、優れた低誘電特性を発現する半導体封止用樹脂組成物、アンダーフィル、モールド樹脂、及び半導体パッケージを提供することにある。
 本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物は、
 熱硬化性樹脂と無機充填材と中空樹脂粒子を含む半導体封止用樹脂組成物であって、
 該半導体封止用樹脂組成物中の該中空樹脂粒子の含有量が1重量%~50重量%である。
 1つの実施形態においては、本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物は、アンダーフィルの材料として用いられる。
 1つの実施形態においては、本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物は、モールド樹脂の材料として用いられる。
 本発明の実施形態によるアンダーフィルは、
 本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物から形成される。
 本発明の実施形態によるモールド樹脂は、
 本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物から形成される。
 本発明の実施形態による半導体パッケージは、
 回路基板と該回路基板上に搭載された半導体素子を含む半導体パッケージであって、
 本発明の実施形態によるアンダーフィルが該回路基板と該半導体素子の間に設けられている。
 本発明の実施形態による半導体パッケージは、
 回路基板と該回路基板上に搭載された半導体素子を含む半導体パッケージであって、
 本発明の実施形態によるモールド樹脂によって該半導体素子が封止されている。
 本発明の実施形態によれば、従来にない新たなアプローチにより、優れた低誘電特性を発現する半導体封止用樹脂組成物、アンダーフィル、モールド樹脂、及び半導体パッケージを提供することができる。
本発明の一つの実施形態による半導体パッケージの概略断面図である。 製造例1で得られた多孔質中空樹脂粒子(1)の表面SEM画像である。 製造例1で得られた多孔質中空樹脂粒子(1)の断面SEM画像である。 製造例2で得られた単中空樹脂粒子(1)のTEM写真図である。
 以下、本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。
 本明細書中で「(メタ)アクリル」との表現がある場合は、「アクリルおよび/またはメタクリル」を意味し、「(メタ)アクリレート」との表現がある場合は、「アクリレートおよび/またはメタクリレート」を意味し、「(メタ)アリル」との表現がある場合は、「アリルおよび/またはメタリル」を意味し、「(メタ)アクロレイン」との表現がある場合は、「アクロレインおよび/またはメタクロレイン」を意味する。また、本明細書中で「酸(塩)」との表現がある場合は、「酸および/またはその塩」を意味する。塩としては、例えば、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩が挙げられ、具体的には、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩などが挙げられる。
 本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物、本発明の実施形態によるアンダーフィル、本発明の実施形態によるモールド樹脂、及び本発明の実施形態による半導体パッケージは、いずれも、半導体装置を構成する部材である。半導体パッケージは、代表的に、回路基板に半導体素子が搭載されている。回路基板は、代表的には、コア層としての積層板、積層板の少なくとも片面に設けられた金属箔、ビルドアップ層、ビルドアップ層の少なくとも片面に設けられた金属箔、ソルダーレジスト層を含む。回路基板と半導体素子との間は、代表的には、アンダーフィルによってアンダーフィリングされる。半導体素子は、代表的には、封止材(モールド樹脂)によって封止される。
 本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物、本発明の実施形態によるアンダーフィル、本発明の実施形態によるモールド樹脂、及び本発明の実施形態による半導体パッケージのそれぞれにおいて採用される、半導体パッケージを構成する部材や半導体パッケージ及びそれらの製造方法についての説明は、本明細書に記載されていない内容については、公知の半導体パッケージを構成する部材や半導体パッケージ及びそれらの製造方法についての説明を援用し得る。例えば、特許第6083127号公報に記載の説明、特開2017-34213号公報に記載の説明、特開2017-88828号公報に記載の説明が挙げられる。
≪≪半導体封止用樹脂組成物≫≫
 本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と無機充填材と中空樹脂粒子を含む。
 本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物を硬化させることにより、本発明の実施形態によるアンダーフィルやモールド樹脂が形成される。本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物中に含まれる熱硬化性樹脂は、硬化することで、アンダーフィルやモールド樹脂中の樹脂成分となる。
 本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物は、代表的には、その含有成分を有機溶剤などの溶剤により溶解および/または分散させた液状形態として用いられる。このような溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系溶剤、カルビトール系溶剤、アニソール、N-メチルピロリドンなどの有機溶剤が挙げられる。溶剤は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。溶剤の使用量は、目的に応じて適宜調整し得る。
 本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物は、好ましくは、アンダーフィルの材料として用いられる。
 本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物は、好ましくは、モールド樹脂の材料として用いられる。
 本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な方法によって製造し得る。このような製造方法としては、例えば、半導体封止用樹脂組成物を構成する各成分を、任意の適切な手段によって混合することにより混合物とし、該混合物を溶融混練することにより、混練物を得る。このような溶融混練の方法としては、例えば、1軸型混練押出機、2軸型混練押出機等の押出混練機を用いた溶融混練や、ミキシングロール等のロール式混練機を用いた溶融混練が挙げられる。さらに、溶融混錬の後に、混練物を冷却し、例えば、粉粒状、顆粒状、タブレット状とすることができる。
 粉粒状の樹脂組成物を得る方法としては、例えば、粉砕装置により、混練物を粉砕する方法が挙げられる。混練物をシートに成形したものを粉砕してもよい。粉砕装置としては、例えば、ハンマーミル、石臼式磨砕機、ロールクラッシャーが挙げられる。
 顆粒状または粉末状の樹脂組成物を得る方法としては、例えば、混練装置の出口に小径を有するダイスを設置して、ダイスから吐出される溶融状態の混練物を、カッター等で所定の長さに切断するというホットカット法に代表される造粒法が挙げられる。この場合、ホットカット法等の造粒法により顆粒状または粉末状の樹脂組成物を得た後、樹脂組成物の温度があまり下がらないうちに脱気を行うことが好ましい。
 タブレット状の混錬物(成形体)を製造する場合には、成形体製造装置(打錠装置)により、粉末状の樹脂組成物を、打錠成型や圧縮成形する方法が挙げられる。
≪熱硬化性樹脂≫
 熱硬化性樹脂としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な熱硬化性樹脂を採用し得る。熱硬化性樹脂は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。熱硬化性樹脂は、そのプレポリマーを併用してもよい。
 熱硬化性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは160℃~350℃であり、より好ましくは180℃~300℃である。このようなガラス転移温度を有する熱硬化性樹脂を用いることにより、鉛フリー半田リフロー耐熱性が向上し得る。
 熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油などで変性した油変性レゾールフェノール樹脂などのレゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂;ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂などのトリアジン環を有する樹脂;不飽和ポリエステル樹脂;ビスマレイミド樹脂;ポリウレタン樹脂;ジアリルフタレート樹脂;シリコーン樹脂;ベンゾオキサジン環を有する樹脂;シアネート樹脂;ポリイミド樹脂;ポリアミドイミド樹脂;ベンゾシクロブテン樹脂;などが挙げられる。
 本発明の効果をより発現させ得る点で、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂が好ましい。
 エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂;フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂などのフェノールアラルキル型エポキシ樹脂;トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂などの多官能エポキシ樹脂;ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、2官能ないし4官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;フェノキシ型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;ノルボルネン型エポキシ樹脂;アダマンタン型エポキシ樹脂;フルオレン型エポキシ樹脂;縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂;が挙げられる。
 エポキシ樹脂の中でも、本発明の効果をより発現させ得る点で、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、及びトリフェノールメタン型エポキシ樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。なお、半導体装置の反りを抑制し得る点からは、ノボラック型エポキシ樹脂及びフェノールアラルキル型エポキシ樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。また、流動性を向上させ得る点で、ビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。また、高温の弾性率を制御し得る点で、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂が好ましい。
 エポキシ樹脂の重量平均分子量は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な重量平均分子量を採用し得る。本発明の効果をより発現させ得る点で、好ましくは500~20000であり、より好ましくは800~15000である。重量平均分子量は、例えば、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測定することができる。
 半導体封止用樹脂組成物中の熱硬化性樹脂の含有量は、本発明の効果をより発現させ得る点で、好ましくは1重量%~55重量%であり、より好ましくは5重量%~50重量%であり、さらに好ましくは10重量%~45重量%であり、特に好ましくは15重量%~40重量%である。
≪無機充填材≫
 無機充填材としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩;酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物;炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩;水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物;硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩;ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩;窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物;チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩;を挙げることができる。これらの無機充填材の中でも、本発明の効果をより発現させ得る点で、シリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。溶融シリカの形状としては、例えば、破砕状、球状が挙げられる。
 無機充填材は、無機充填剤の充填性が向上し得る点で、球状シリカが好ましい。
 無機充填材は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
 無機充填材は、その平均粒子径が単分散の無機充填材であってもよいし、その平均粒子径が多分散の無機充填材であってもよい。
 無機充填材の平均粒子径は、本発明の効果をより発現させ得る点で、好ましくは0.005μm~100μmであり、より好ましくは0.01μm~50μmであり、さらに好ましくは0.05μm~35μmであり、特に好ましくは0.1μm~20μmである。無機充填材の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置(HORIBA製、LA-500)を用いて、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径(D50)を平均粒子径として測定することができる。
 半導体封止用樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、本発明の効果をより発現させ得る点で、好ましくは10重量%~90重量%であり、より好ましくは20重量%~80重量%であり、さらに好ましくは30重量%~75重量%である。
≪中空樹脂粒子≫
 半導体封止用樹脂組成物は中空樹脂粒子を含む。
 半導体封止用樹脂組成物中の中空樹脂粒子の含有量は、好ましくは1重量%~50重量%であり、より好ましくは3重量%~45重量%であり、さらに好ましくは5重量%~40重量%であり、特に好ましくは10重量%~35重量%である。半導体封止用樹脂組成物中の中空樹脂粒子の含有量が上記範囲内にあれば、本発明の効果をより発現し得る。
 中空樹脂粒子の中空の有無と形状の観察は、例えば、次の方法によって行うことができる。まず、乾燥粉体としての中空樹脂粒子に対し、例えば、メイワフォーシス社製「オスミウムコータNeoc-Pro」コーティング装置を用いて表面処理(10Pa、5mA、10秒)を行い、次いで、中空樹脂粒子をTEM(透過型電子顕微鏡、日立ハイテクノロジーズ社製H-7600)にて観察し、中空の有無および中空樹脂粒子の形状を確認できる。この時、加速電圧は、例えば、80kVとし、倍率は、例えば、5000倍または1万倍として撮影できる。
 中空樹脂粒子としては、代表的には、下記の好ましい実施形態による中空樹脂粒子(1)~(3)からなる群から選択される少なくとも1種が挙げられる。
<好ましい実施形態による中空樹脂粒子(1)>
 中空樹脂粒子(1)は、シェル部と該シェル部により囲われた中空部分を有する中空樹脂粒子である。ここでいう中空とは、内部が樹脂以外の物質、例えば、気体や液体等で満たされている状態を意味し、本発明の効果をより発現させ得る点で、好ましくは、気体で満たされている状態を意味する。
 中空部分は、1つの中空領域からなるものであってもよいし、複数の中空領域からなるものであってもよい。シェル部を構成する樹脂成分が相対的に多くなり、基材等の中空部分への浸入を防ぐ観点から、中空部分は1つの中空領域からなることが好ましい。
 中空樹脂粒子(1)の平均粒子径は、好ましくは0.1μm~5.0μmであり、より好ましくは0.15μm~1.0μmであり、さらに好ましくは0.2μm~0.8μmであり、特に好ましくは0.3μm~0.6μmである。中空樹脂粒子(1)の平均粒子径が上記範囲内にあれば、本発明の効果がより発現し得る。中空樹脂粒子(1)の平均粒子径が0.1μm未満の場合、シェル部の厚みが相対的に薄くなるため、十分な強度を有する中空樹脂粒子とならないおそれがある。中空樹脂粒子(1)の平均粒子径が5.0μmより大きい場合、懸濁重合中にモノマー成分が重合して生じるポリマーと溶剤との相分離が生じにくくなるおそれがあり、これによってシェル部の形成が困難となるおそれがある。
 中空樹脂粒子(1)の平均粒子径は、例えば、次の方法によって測定できる。まず、動的光散乱法を利用して、中空樹脂粒子(1)のZ平均粒子径を測定し、測定されたZ平均粒子径を得られた中空樹脂粒子(1)の平均粒子径とする。すなわち、まず、得られたスラリー状の中空樹脂粒子(1)をイオン交換水で希釈し、0.1重量%に調整した水分散体にレーザー光を照射し、中空樹脂粒子(1)から散乱される散乱光強度をマイクロ秒単位の時間変化で測定する。そして、検出された中空樹脂粒子(1)に起因する散乱強度分布を正規分布に当てはめて、平均粒子径を算出するためのキュムラント解析法により中空樹脂粒子(1)のZ平均粒子径を求める。このZ平均粒子径の測定は、市販の粒子径測定装置で簡便に実施できる。例えば、粒子径測定装置(マルバーン社製ゼータサイザーナノZS)を使用してZ平均粒子径を測定できる。通常、市販の粒子径測定装置は、データ解析ソフトが搭載されており、データ解析ソフトが測定データを自動的に解析することでZ平均粒子径を算出できるようになっている。
 中空樹脂粒子(1)は、該中空樹脂粒子(1)中に含まれるリチウム元素、ナトリウム元素、カリウム元素、マグネシウム元素、及びカリウム元素の濃度の合計が、好ましくは200mg/kg以下であり、より好ましくは150mg/kg以下であり、さらに好ましくは100mg/kg以下であり、特に好ましくは50mg/kg以下である。中空樹脂粒子(1)中に含まれるリチウム元素、ナトリウム元素、カリウム元素、マグネシウム元素、及びカリウム元素の濃度の合計が上記範囲内にあれば、本発明の効果がより発現し得る。中空樹脂粒子(1)中に含まれるリチウム元素、ナトリウム元素、カリウム元素、マグネシウム元素、及びカリウム元素の濃度の合計が上記範囲を外れて大きすぎると、該中空樹脂粒子(1)を含む半導体部材が優れた低誘電特性を発現できないおそれがある。
 中空樹脂粒子(1)に含まれる金属元素量は、例えば、次のように測定できる。
(測定試料)
 洗浄済みの50mL容器に中空樹脂粒子を約0.5g精秤する。洗浄用エタノールを1mL加えて、よく混合分散する。さらにイオン交換水50mLを注加して、よく混合する。超音波洗浄抽出を約10min実施後、60℃恒温槽にて60min静置した。静置後のスラリーを水系0.20μmクロマトディスクでろ過したものを測定試料とする。
(測定方法)
 測定試料中の金属元素濃度を下記条件で測定する。金属元素濃度は予め作成した検量線より求める。金属元素量は下式より算出する。
金属元素量(mg/kg)=測定金属元素濃度(μg/mL)×51(mL)÷試料量(g)
また、定量下限値以下の場合は1mg/kgとする。
(ICP測定条件)
 下記の条件とする。
測定装置:(株)島津製作所製「ICPE-9000」マルチタイプICP発光分光分析装置
測定元素:Zn、Ca、Si、Fe、Cr、Na、Mg、Cu、P、K、S、Al、Mn、Ba、Sr
観測方向:軸方向
高周波出力:1.20kw
キャリア流量:0.7L/min
プラズマ流量:10.0L/min
補助流量:0.6L/min
露光時間:30秒
検量線用標準液:米国SPEX社「XSTC-13」汎用混合標準溶液31元素混合(ベース5%HNO)(各約10mg/L)、「XSTC-8」汎用混合標準溶液13元素混合(ベースHO/traceHF)(各約10mg/L)
 中空樹脂粒子(1)は、該中空樹脂粒子(1)中に含まれるフッ化物イオン、塩化物イオン、亜硝酸イオン、硝酸イオン、リン酸イオン、及び硫酸イオンの濃度の合計が、好ましくは200mg/kg以下であり、より好ましくは150mg/kg以下であり、さらに好ましくは100mg/kg以下であり、特に好ましくは50mg/kg以下である。中空樹脂粒子(1)中に含まれるフッ化物イオン、塩化物イオン、亜硝酸イオン、硝酸イオン、リン酸イオン、及び硫酸イオンの濃度の合計が上記範囲内にあれば、本発明の効果がより発現し得る。中空樹脂粒子(1)中に含まれるフッ化物イオン、塩化物イオン、亜硝酸イオン、硝酸イオン、リン酸イオン、及び硫酸イオンの濃度の合計が上記範囲を外れて大きすぎると、該中空樹脂粒子(1)を含む半導体部材が優れた低誘電特性を発現できないおそれがある。
 中空樹脂粒子(1)に含まれるイオン量は、例えば、次のように測定できる。
(測定試料)
 洗浄済みの50mL容器に中空樹脂粒子を約0.5g精秤する。洗浄用エタノールを1mL加えて、よく混合分散する。さらにイオン交換水50mLを注加して、よく混合する。超音波洗浄抽出を約10min実施後、60℃恒温槽にて60min静置する。静置後のスラリーを水系0.20μmクロマトディスクでろ過したものを測定試料とする。
(測定方法)
 下記測定条件で標準液を測定して検量線を作成する。次に試料液を同条件にて測定する。得られた結果に基づいてイオン溶出濃度を検量線より求める。下式より試料のイオン量を算出する。
イオン量(mg/kg)=測定イオン溶出濃度(μg/mL)×51(mL)÷試料量(g)
また、定量下限値以下の場合は1mg/kgとする。
(イオンクロマトグラフ測定条件)
 下記の条件とした。
測定装置:東ソー(株)製「IC-2001」イオンクロマトグラフ
測定イオン:F、Cl、NO 、Br、NO 、PO 3-、SO 2-
カラム:TOSOH社製「TSKGEK superIC-AZ」
移動相:3.2mMのNaCO+1.9mMのNaHCO
流速:0.8mL/min
カラム温度:40℃
注入量:30μL
[シェル部]
 シェル部は、芳香族系架橋性モノマー(a)、芳香族系単官能モノマー(b)、及び式(1)により表される(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)を含むモノマー組成物を重合して得られる芳香族系ポリマー(P1)を含む。シェル部が、このような、芳香族系架橋性モノマー(a)、芳香族系単官能モノマー(b)、及び式(1)により表される(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)を含むモノマー組成物を重合して得られる芳香族系ポリマー(P1)を含むことにより、本発明の効果がより発現し得る。特に、芳香族系ポリマー(P1)を構成するモノマーとして、特定構造の(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)を採用することにより、本発明の効果がより発現し得る。また、芳香族系ポリマー(P1)を構成するモノマーとして、特定構造の(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)を採用することにより芳香族系ポリマー(P1)に備えられる極性基によって、中空樹脂粒子(1)と絶縁樹脂との密着性が高まり得る。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
(RはHまたはCHを表し、RはH、アルキル基、またはフェニル基を表し、R-Oは炭素原子数2~18のオキシアルキレン基を表し、mは該オキシアルキレン基の平均付加モル数であり、1~100の数を表す。)
 シェル部中の芳香族系ポリマー(P1)の含有割合は、本発明の効果をより発現させ得る点で、好ましくは60重量%~100重量%であり、より好ましくは70重量%~100重量%であり、さらに好ましくは80重量%~100重量%であり、特に好ましくは90重量%~100重量%である。
(芳香族系ポリマー(P1))
 芳香族系ポリマー(P1)は、芳香族系架橋性モノマー(a)、芳香族系単官能モノマー(b)、及び式(1)により表される(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)を含むモノマー組成物を重合して得られる。すなわち、芳香族系ポリマー(P1)は、芳香族系架橋性モノマー(a)由来の構造単位、芳香族系単官能モノマー(b)由来の構造単位、式(1)により表される(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)由来の構造単位を有する。
 モノマー組成物は、本発明の効果をより発現させ得る点で、好ましくは、芳香族系架橋性モノマー(a)を10重量%~70重量%、芳香族系単官能モノマー(b)を10重量%~70重量%、及び式(1)により表される(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)を1.0重量%~20重量%含み、より好ましくは、芳香族系架橋性モノマー(a)を20重量%~65重量%、芳香族系単官能モノマー(b)を20重量%~65重量%、及び式(1)により表される(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)を2.0重量%~18重量%含み、さらに好ましくは、芳香族系架橋性モノマー(a)を30重量%~60重量%、芳香族系単官能モノマー(b)を30重量%~60重量%、及び式(1)により表される(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)を4.0重量%~16重量%含み、特に好ましくは、芳香族系架橋性モノマー(a)を40重量%~50重量%、芳香族系単官能モノマー(b)を40重量%~50重量%、及び式(1)により表される(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)を6.0重量%~14重量%含む。
 モノマー組成物は、芳香族系架橋性モノマー(a)、芳香族系単官能モノマー(b)、及び式(1)により表される(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)を含む。モノマー組成物中の、芳香族系架橋性モノマー(a)と芳香族系単官能モノマー(b)と式(1)により表される(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)の合計の含有割合は、本発明の効果をより発現させ得る点で、好ましくは80重量%~100重量%であり、より好ましくは85重量%~100重量%であり、さらに好ましくは90重量%~100重量%であり、特に好ましくは95重量%~100重量%である。
 モノマー組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、芳香族系架橋性モノマー(a)、芳香族系単官能モノマー(b)、式(1)により表される(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)以外の、任意の適切なその他のモノマーを含んでいてもよい。その他のモノマーは、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
 芳香族系架橋性モノマー(a)は、架橋性を有する芳香族系モノマーであれば、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な芳香族系架橋性モノマーを採用し得る。このような芳香族系架橋性モノマー(a)としては、本発明の効果をより発現させ得る点で、例えば、ジビニルベンゼン、ジビニルナフタレン、ジアリルフタレートなどが挙げられる。本発明の効果をより一層発現させ得る点、および、反応性の点から、芳香族系架橋性モノマー(a)としては、ジビニルベンゼンが好ましい。
 芳香族系架橋性モノマー(a)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
 芳香族系単官能モノマー(b)は、単官能の芳香族系モノマーであれば、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な芳香族系単官能モノマーを採用し得る。このような芳香族系単官能モノマー(b)としては、本発明の効果をより発現させ得る点で、例えば、スチレン、エチルビニルベンゼン、α-メチルスチレン、ビニルトルエン、o-クロロスチレン、m-クロロスチレン、p-クロロスチレン、ビニルビフェニル、ビニルナフタレンなどが挙げられる。本発明の効果をより一層発現させ得る点、および、反応性の点から、芳香族系単官能モノマー(b)としては、スチレン及びエチルビニルベンゼンからなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。
 芳香族系単官能モノマー(b)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
 (メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)は、式(1)により表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 式(1)中、RはHまたはCHを表す。
 式(1)中、RはH、アルキル基、またはフェニル基を表す。
 式(1)中、R-Oは、炭素原子数2~18のオキシアルキレン基を表す。すなわち、式(1)中、Rは、炭素原子数2~18のアルキレン基を表す。
 式(1)中、R-Oは、炭素原子数2~18のオキシアルキレン基であり、好ましくは炭素原子数2~8のオキシアルキレン基であり、より好ましくは炭素原子数2~4のオキシアルキレン基である。また、R-Oが、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、及びオキシブチレン基から選ばれる少なくとも2種類以上の場合は、R-Oの付加形態は、ランダム付加、ブロック付加、交互付加等のいずれの形態であってもよい。なお、ここでいう付加形態は、形態そのものを意味するものであり、付加反応によって得られなければならないことを意味するものではない。
 式(1)中、R-Oとしては、本発明の効果をより発現させ得る点で、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、及びオキシブチレン基(代表的には、オキシテトラメチレン基)からなる群から選択される少なくとも1種である。
 式(1)中、mはオキシアルキレン基の平均付加モル数(「鎖長」と称することがある)を表す。mは、1~100の数であり、好ましくは1~40の数であり、より好ましくは2~30の数であり、さらに好ましくは3~20の数であり、特に好ましくは4~18の数であり、最も好ましくは5~15の数である。mが上記範囲内にあることにより、本発明の効果がより発現し得る。
 式(1)中、R-Oが2種以上の場合、例えば、オキシエチレン基(CO)とオキシプロピレン基(CO)からなる場合、mは、それぞれのオキシアルキレン基の平均付加モル数の合計となる。具体的には、例えば、-(R-O)-が、-[(CO)(CO)]-である場合(上述の通り、付加形態は、ランダム付加、ブロック付加、交互付加等のいずれの形態であってもよい)、m=p+qとなる。
 (メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)としては、本発明の効果をより発現させ得る点で、例えば、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、エトキシポリエチレングリコールメタクリレート、プロポキシポリエチレングリコールメタクリレート、ブトキシポリエチレングリコールメタクリレート、ヘキサオキシポリエチレングリコールメタクリレート、オクトキシポリエチレングリコールポリプロピレングリコールメタクリレート、ラウロキシポリエチレングリコールメタクリレート、ステアロキシポリエチレングリコールメタクリレート、フェノキシポリエチレングリコールポリプロピレングリコールメタクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールモノメタクリレート、ポリプロピレングリコールモノメタクリレート、ポリエチレングリコールプロピレングリコールモノメタクリレート、ポリエチレングリコールテトラメチレングリコールモノメタクリレート、プロピレングリコールポリブチレングリコールモノメタクリレート、モノエチレングリコールモノアクリレート、ポリプロピレングリコールモノアクリレートなどが挙げられる。
 (メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)としては、市販品も採用でき、例えば、日油株式会社製の商品名「ブレンマー」シリーズが採用できる。
 (メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
(非架橋性ポリマー(P2))
 シェル部は、芳香族系ポリマー(P1)と、さらに、ポリオレフィン、スチレン系ポリマー、(メタ)アクリル酸系ポリマー、及びスチレン-(メタ)アクリル酸系ポリマーからなる群から選択される少なくとも1種である非架橋性ポリマー(P2)を含んでいてもよい。
 シェル部中の非架橋性ポリマー(P2)の含有割合は、本発明の効果をより発現させ得る点で、好ましくは0重量%~40重量%であり、より好ましくは0重量%~30重量%であり、さらに好ましくは0重量%~20重量%であり、特に好ましくは0重量%~10重量%である。
 ポリオレフィンとしては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリα―オレフィンなどが挙げられる。モノマー組成物への溶解性の観点から、原料に長鎖のα-オレフィンを使用した側鎖結晶性ポリオレフィン、メタロセン触媒で製造された低分子量ポリオレフィンやオレフィンオリゴマーの使用が好ましい。
 スチレン系ポリマーとしては、例えば、ポリスチレン、スチレン-アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン共重合体などが挙げられる。
 (メタ)アクリル酸系ポリマーとしては、例えば、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリエチル(メタ)アクリレート、ポリブチル(メタ)アクリレート、ポリプロピル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
 スチレン-(メタ)アクリル酸系ポリマーとしては、例えば、スチレン-メチル(メタ)アクリレート共重合体、スチレン-エチル(メタ)アクリレート共重合体、スチレン-ブチル(メタ)アクリレート共重合体、スチレン-プロピル(メタ)アクリレート共重合体などが挙げられる。
[中空樹脂粒子(1)の比誘電率]
 中空樹脂粒子(1)の比誘電率は、好ましくは1.0~2.5であり、より好ましくは1.0~2.4であり、さらに好ましくは1.0~2.3である。中空樹脂粒子(1)の比誘電率が上記範囲内にあれば、本発明の効果がより発現し得る。中空樹脂粒子(1)の比誘電率が2.5を上回る場合、該中空樹脂粒子(1)を含む半導体部材が優れた低誘電特性を発現できないおそれがある。
 中空樹脂粒子(1)の比誘電率は、例えば「混合系の誘電率」(応用物理、第27巻、第8号(1958))を参考に算出することができる。分散媒と中空樹脂粒子の混合系の比誘電率をε、分散媒となる基材(例えば、ポリイミドやエポキシ等の樹脂組成物)の比誘電率をε、中空樹脂粒子の比誘電率をε、混合系中の中空樹脂粒子の体積率をφとした場合、下記式が成り立つ。すなわち、ε、ε、φを実験的に求めれば、中空樹脂粒子の比誘電率εを算出することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 なお、分散媒と中空樹脂粒子の混合系中の中空樹脂粒子の体積率φは以下のように求めることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
 中空樹脂粒子の密度はピクノメーター(コーテック株式会社、TQC50mL比重瓶)と液状ポリマーであるARUFON UP―1080(東亜合成株式会社、密度1.05g/cm)を用いて実験的に求めることができる。具体的には、中空樹脂粒子の割合が10重量%となるよう、中空樹脂粒子とARUFON UP―1080を遊星攪拌脱泡機(KURABO社製、マゼルスターKK-250)を用いて脱泡攪拌し、評価用混合物を作製する。評価用混合物を容量50mLのピクノメーターに充填し、混合物で満たされたピクノメーターの重量から、空の状態のピクノメーターの重量を差し引くことで充填した評価用混合物の重量を算出する。この値から、以下式を用いて中空樹脂粒子の密度を算出することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
<好ましい実施形態による中空樹脂粒子(1)の製造方法>
 中空樹脂粒子(1)は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な方法で製造し得る。
 このような製造方法としては、例えば、分散工程(工程1)、重合工程(工程2)、洗浄工程(工程3)、乾燥工程(工程4)を含む。
[工程1:分散工程]
 工程1は、分散剤を含む水溶液に、芳香族系架橋性モノマー(a)、芳香族系単官能モノマー(b)、及び式(1)により表される(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)を含むモノマー組成物と重合開始剤と沸点100℃未満の有機溶媒を含む有機混合溶液を分散させる工程である。
 水溶液中への有機混合溶液の分散は、水溶液中で有機混合溶液を液滴状で存在させることができさえすれば、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な分散方法を採用し得る。このような分散方法としては、代表的には、ホモジナイザーを用いた分散方法であり、例えば、超音波ホモジナイザーや高圧ホモジナイザーなどが挙げられる。
 水溶液は、水性媒体と分散剤を含む。
 水性媒体としては、例えば、水、水と低級アルコール(メタノール、エタノール等)との混合媒体などが挙げられる。水としては、イオン交換水及び蒸留水から選ばれる少なくとも1種が好ましい。
 分散剤としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な分散剤を採用し得る。本発明の効果をより発現させ得る点で、好ましくは、分散剤として界面活性剤を採用する。界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、両性イオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤などが挙げられる。
 アニオン性界面活性剤としては、例えば、アルキル硫酸エステル脂肪酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、アルカンスルホン酸塩、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸塩、ジアルキルスルホコハク酸塩、モノアルキルスルホコハク酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸塩等の非反応性のアニオン性界面活性剤、ポリオキシエチレン-1-(アリルオキシメチル)アルキルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩、ポリオキシエチレンアルキルプロペニルフェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩、ポリオキシアルキレンアルケニルエーテル硫酸アンモニウム等の反応性のアニオン性界面活性剤などが挙げられる。
 カチオン性界面活性剤としては、例えば、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルトリエチルアンモニウム塩、ジアルキルジメチルアンモニウム塩、ジアルキルジエチルアンモニウム塩、N-ポリオキシアルキレン-N,N,N-トリアルキルアンモニウム塩等のカチオン性界面活性剤などが挙げられる。
 両性イオン性界面活性剤としては、例えば、ラウリルジメチルアミンオキサイド、リン酸エステル塩、亜リン酸エステル系界面活性剤などが挙げられる。
 ノニオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、グリセリン脂肪酸エステル、オキシエチレン-オキシプロピレンブロックポリマーなどが挙げられる。
 界面活性剤の添加量は、有機混合溶液100重量部に対して、0.01重量部~1重量部が好ましい。界面活性剤は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
 水溶液には、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な他の成分を含んでいてもよい。
 有機混合溶液は、芳香族系架橋性モノマー(a)、芳香族系単官能モノマー(b)、及び式(1)により表される(メタ)アクリル酸エステル系モノマー(c)を含むモノマー組成物と重合開始剤と沸点100℃未満の有機溶媒を含む。
 有機混合溶液に含まれるモノマー組成物としては、<好ましい実施形態による中空樹脂粒子(1)>の項目における説明をそのまま援用し得る。
 重合開始剤としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な重合開始剤を採用し得る。
 重合開始剤は、10時間半減期温度が90℃以下であることが好ましい。このような重合開始剤を用いれば、中空樹脂粒子内に残存する重合開始剤を完全に分解することができ、例えば、中空樹脂粒子(1)を含む半導体部材をはんだリフロー等で加熱する時に、残存する重合開始剤による樹脂の酸化劣化やガス発生を抑制することができる。
 重合開始剤は、下記式により算出される重合開始剤の分解率が98%以上となる反応温度および反応時間の組み合わせで重合することが好ましい。このような重合条件にすることで、中空樹脂粒子(1)内に残存する重合開始剤を完全に分解することができ、例えば、中空樹脂粒子(1)を含む半導体部材をはんだリフロー等で加熱する時に、残存する重合開始剤による樹脂の酸化劣化やガス発生を抑制することができる。
 分解率(%)=(1-exp(-kt))×100
 kd=Aexp(-ΔE/RT)
 上記式中、kは熱分解速度定数を表し、tは反応時間(hr)を表し、Aは頻度因子(hr-1)を表し、ΔEは活性化エネルギー(J/mol)を表し、Rは気体定数(8.314J/mol・K)を表し、Tは反応温度(K)を表す。
 重合開始剤としては、例えば、過酸化ラウロイル、過酸化ベンゾイル、オルソクロロ過酸化ベンゾイル、オルソメトキシ過酸化ベンゾイル、3,5,5-トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、ジ-t-ブチルパーオキサイド等の有機過酸化物;2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、1,1’-アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)等のアゾ系化合物;などが挙げられる。
 重合開始剤の添加量は、モノマー組成物100重量部に対して、0.1~5重量部の範囲が好ましい。重合開始剤は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
 沸点100℃未満の有機溶媒としては、例えば、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン、酢酸メチル、酢酸エチル、メチルエチルケトン、クロロホルム、四塩化炭素、などが挙げられる。
 沸点100℃未満の有機溶媒は、混合溶媒であってもよい。
 有機溶媒として沸点100℃未満の有機溶媒を用いることにより、得られる中空樹脂粒子(1)の中空部分からの溶媒除去が容易になり、製造コストの低減が可能となる。
 沸点100℃未満の有機溶媒の添加量は、モノマー組成物100重量部に対して、20量部~250重量部が好ましい。
 有機混合溶液には、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な他の成分を含んでいてもよい。このような他の成分としては、例えば、前述の非架橋性ポリマー(P2)が挙げられる。
 非架橋性ポリマー(P2)の添加量は、モノマー組成物100重量部に対して、0重量部~67重量部が好ましい。非架橋性ポリマー(P2)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
[工程2:重合工程]
 工程2は、工程1で得られる分散液を加熱して懸濁重合する工程である。
 重合温度は、懸濁重合に適した温度であれば、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な重合温度を採用し得る。このような重合温度としては、好ましくは30℃~80℃である。
 重合時間は、懸濁重合に適した時間であれば、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な重合時間を採用し得る。このような重合時間としては、好ましくは1時間~20時間である。
 重合後に好ましく行う後加熱は、完成度の高い中空樹脂粒子(1)を得るために好適な処理である。
 重合後に好ましく行う後加熱の温度は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な温度を採用し得る。このような後加熱の温度としては、好ましくは50℃~120℃である。
 重合後に好ましく行う後加熱の時間は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な時間を採用し得る。このような後加熱の時間としては、好ましくは1時間~10時間である。
[工程3:洗浄工程]
 工程3は、工程2で得られたスラリーを洗浄する工程である。
 洗浄方法としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な洗浄方法を採用し得る。このような洗浄方法としては、例えば、(1)中空樹脂粒子(1)を形成させた後、高速遠心機等を用いて、非常に高い遠心加速度を与えて該中空樹脂粒子(1)を沈降させて上澄みを除去し、新たにイオン交換水または蒸留水を加え、沈降した中空樹脂粒子(1)をイオン交換水に分散させ、この操作を数回繰り返すことにより不純物を除去する方法、(2)セラミックスフィルター等を用いたクロスフロー式のろ過方法により洗浄を行うことで不純物を除去する方法、ま(3)中空樹脂粒子(1)に対して、粒子の凝集剤となる溶媒を添加することにより、溶媒中において粒子を凝集沈降させ、フィルター等を用いて該中空樹脂粒子(1)を分離し、洗浄溶媒により洗浄する方法、などが挙げられる。
 上記(1)の洗浄方法においては、イオン交換水または蒸留水はスラリー重量の5倍以上の量を用いて、洗浄することが好ましい。
 比重が小さい中空樹脂粒子(1)に対しては、(2)のセラミックスフィルター等を用いクロスフロー式のろ過方法により洗浄を行うことが好ましい。
[工程4:乾燥工程]
 工程4は、工程4で得られた洗浄後のスラリーを乾燥する工程である。
 乾燥方法としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な乾燥方法を採用し得る。このような乾燥方法としては、例えば、加熱による乾燥が挙げられる。
 加熱の温度は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な温度を採用し得る。このような加熱の温度としては、好ましくは50℃~120℃である。
 加熱の時間は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な時間を採用し得る。このような加熱の時間としては、好ましくは1時間~10時間である。
<好ましい実施形態による中空樹脂粒子(2)>
 中空樹脂粒子(2)は、粒子内部に空孔部を有する中空樹脂粒子である。粒子内部の空孔部の構造としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な構造を採用し得る。本発明の効果をより発現させ得る点で、このような構造としては、多孔質構造、単中空構造が挙げられる。ここでいう空孔部とは、内部が樹脂以外の物質、例えば、気体や液体等で満たされている状態を意味し、本発明の効果をより発現させ得る点で、好ましくは、気体で満たされている状態を意味する。
 中空樹脂粒子(2)の体積平均粒子径は、好ましくは0.5μm~100μmであり、より好ましくは1.0μm~80μmであり、さらに好ましくは1.5μm~60μmであり、特に好ましくは2.0μm~40μmである。中空樹脂粒子(2)の体積平均粒子径が上記範囲内にあれば、本発明の効果がより発現し得る。中空樹脂粒子(2)の体積平均粒子径が上記範囲を外れて小さすぎる場合、粒子の表層部の厚みが相対的に薄くなるため、十分な機械的強度を有する中空樹脂粒子とならないおそれがある。中空樹脂粒子(2)の体積平均粒子径が上記範囲を外れて大きすぎる場合、懸濁重合中にモノマー成分が重合して生じるポリマーと溶剤との相分離が生じにくくなるおそれがあり、これによって表層部の形成が困難となるおそれがある。なお、中空樹脂粒子(2)の体積平均粒子径は、後述するようなコールター法により得ることができる。
 中空樹脂粒子(2)の体積平均粒子径は、次のようにしてコールター法により行うことができる。すなわち、中空樹脂粒子(2)の体積平均粒子径は、コールターMultisizer(登録商標)3(ベックマン・コールター株式会社製測定装置)により測定する。測定は、ベックマン・コールター株式会社発行のMultisizer(登録商標)3ユーザーズマニュアルに従って校正されたアパチャーを用いて実施する。なお、測定に用いるアパチャーは、測定する粒子の大きさによって、適宜選択する。Current(アパチャー電流)及びGain(ゲイン)は、選択したアパチャーのサイズによって、適宜設定する。例えば、50μmのサイズを有するアパチャーを選択した場合、Current(アパチャー電流)は-800、Gain(ゲイン)は4と設定する。
 測定用試料としては、粒子0.1gを0.1重量%ノニオン性界面活性剤水溶液10m1中にタッチミキサー(ヤマト科学株式会社製、「TOUCHMIXER MT-31」)及び超音波洗浄器(株式会社ヴェルヴォクリーア製、「ULTRASONIC CLEANER VS-150」)を用いて分散させ、分散液としたものを使用する。測定中は、ビーカー内を気泡が入らない程度に緩く攪拌しておき、粒子を10万個測定した時点で測定を終了する。なお、粒子の体積平均粒子径は、10万個の粒子の体積基準の粒度分布における算術平均とする。
 中空樹脂粒子(2)は、ポリイミド80重量部と該中空樹脂粒子(2)20重量部が配合されたフィルム(F1)の比誘電率Dk1の該ポリイミドのみからなるフィルム(F0)の比誘電率Dk0に対する低減率が、好ましくは3%以上であり、より好ましくは5%以上であり、さらに好ましくは10%以上であり、特に好ましくは15%以上である。フィルム(F1)の比誘電率Dk1のフィルム(F0)の比誘電率Dk0に対する低減率は大きければ大きいほどよいが、現実的には、35%以下である。フィルム(F1)の比誘電率Dk1のフィルム(F0)の比誘電率Dk0に対する低減率が上記範囲内にあれば、本発明の効果がより発現し得る。フィルム(F1)の比誘電率Dk1のフィルム(F0)の比誘電率Dk0に対する低減率が上記範囲を外れて小さすぎると、中空樹脂粒子(2)を含む半導体部材が優れた低誘電特性を発現できないおそれがある。
 なお、フィルム(F1)の比誘電率Dk1のフィルム(F0)の比誘電率Dk0に対する低減率は、下記の式によって算出される。
フィルム(F1)の比誘電率Dk1のフィルム(F0)の比誘電率Dk0に対する低減率(%)
=[(Dk0-Dk1)/Dk0]×100
 比誘電率Dk及び誘電正接Dfの測定は、例えば、次のようにして行うことができる。任意の適切なポリイミド樹脂を用い、測定対象の中空樹脂粒子(2)を、全固形分(ポリイミド樹脂+中空樹脂粒子(2))に対して中空樹脂粒子(2)の濃度が20重量%となるようにして酢酸エチルに分散させ、遊星撹拌脱泡機(KURABO社製、マゼルスターKK-250)を用いて脱泡撹拌し、評価用混合物を作製する。評価用混合物を厚み5mmのガラス板にウエット厚250μmに設定したアプリケーターを用いて塗工した後、60℃で30分、90℃にて10分、150℃にて30分、200℃にて30分加熱することで酢酸エチルを除去した後、室温下まで冷却することで、中空樹脂粒子(2)を含むフィルムサンプルとし、得られたフィルムの比誘電率・誘電正接評価を空洞共振法(測定周波数:5.8GHz)にて実施する。
 中空樹脂粒子(2)は、フィルム(F1)の誘電正接Df1のフィルム(F0)の誘電正接Df0に対する低減率が、好ましくは3%以上であり、より好ましくは5%以上であり、さらに好ましくは10%以上であり、特に好ましくは15%以上である。フィルム(F1)の誘電正接Df1のフィルム(F0)の誘電正接Df0に対する低減率は大きければ大きいほどよいが、現実的には、35%以下である。フィルム(F1)の誘電正接Df1のフィルム(F0)の誘電正接Df0に対する低減率が上記範囲内にあれば、本発明の効果がより発現し得る。フィルム(F1)の誘電正接Df1のフィルム(F0)の誘電正接Df0に対する低減率が上記範囲を外れて小さすぎると、中空樹脂粒子(2)を含む半導体部材が優れた低誘電特性を発現できないおそれがある。
 なお、フィルム(F1)の誘電正接Df1のフィルム(F0)の誘電正接Df0に対する低減率は、下記の式によって算出される。
フィルム(F1)の誘電正接Df1のフィルム(F0)の誘電正接Df0に対する低減率(%)
=[(Df0-Df1)/Df0]×100
 中空樹脂粒子(2)は、比表面積が、好ましくは1m/g~30m/gであり、より好ましくは1m/g~25m/gであり、さらに好ましくは1m/g~20m/gであり、特に好ましくは1m/g~15m/gである。上記比表面積が上記範囲内にあれば、本発明の効果がより発現し得る。上記比表面積が上記範囲を外れて小さすぎると、粒子と絶縁樹脂の界面に空隙ができやすくなり、絶縁樹脂材料の強度が低下するおそれや、低吸湿性が悪化するおそれがある。上記比表面積が上記範囲を外れて大きすぎると、中空樹脂粒子の強度が低下し、製造工程において粒子が破壊され、中空部が維持できなくなるおそれがある。
 中空樹脂粒子(2)の比表面積は、ISO 9277第1版 JIS Z 8830:2001記載のBET法(窒素吸着法)により測定する。対象となる粒子について、株式会社島津製作所社製の自動比表面積/細孔分布測定装置「TristarII」を用いてBET窒素吸着等温線を測定し、窒素吸着量からBET多点法を用いて比表面積を算出する。加熱ガスパージによる前処理を実施した後、吸着質として窒素を用い、吸着質断面積0.162nmの条件下で定容量法を用いて測定を行う。なお、前処理は、具体的には、粒子が入った容器を65℃で加熱しながら、窒素パージを20分行い、室温放冷した後、その容器を65℃で加熱しながら、容器内の圧力が0.05mmHg以下になるまで真空脱気を行うことにより、行う。
 中空樹脂粒子(2)は、嵩比重が、好ましくは0.01g/cm~0.6g/cmであり、より好ましくは0.02g/cm~0.55g/cmであり、さらに好ましくは0.03g/cm~0.5g/cmであり、特に好ましくは0.05g/cm~0.45g/cmである。上記嵩比重が上記範囲を外れて小さすぎると、中空樹脂粒子の強度が低下し、製造工程において粒子が破壊され、中空部が維持できなくなるおそれがある。上記嵩比重が上記範囲を外れて大きすぎると、中空部が少なくなり、十分な低誘電特性が発現できないおそれがある。
 中空樹脂粒子(2)の嵩比重は、JISK5101-12-1(顔料試験方法-第12部:見掛け密度又は見掛け比容-第1節:静置法)に準拠して測定できる。
 中空樹脂粒子(2)は、好ましくは、ビニル系モノマー由来の構成単位(I)及びリン酸エステル系モノマー由来の構成単位(II)からなる群から選択される少なくとも1種を含む重合体(P)を含む。
 代表的には、中空樹脂粒子(2)は、その主成分が、ビニル系モノマー由来の構成単位(I)及びリン酸エステル系モノマー由来の構成単位(II)からなる群から選択される少なくとも1種を含む重合体(P)である。ここで、「主成分」とは、全体中の含有割合が、好ましくは50重量%以上、より好ましくは70重量%以上、さらに好ましくは90重量%以上、特に好ましくは95重量%以上、最も好ましくは98重量%以上であることを意味する。
 中空樹脂粒子(2)中の、重合体(P)の含有割合は、好ましくは50重量%~100重量%であり、より好ましくは70重量%~100重量%であり、さらに好ましくは90重量%~100重量%であり、特に好ましくは95重量%~100重量%であり、最も好ましくは98重量%~100重量%である。
 重合体(P)は、好ましくは、ビニル系モノマー由来の構成単位(I)及びリン酸エステル系モノマー由来の構成単位(II)の両方を含む重合体である。
 本明細書においては、重合体(P)を製造するために用いられる全モノマー成分をモノマー組成物と称することがある。
 ビニル系モノマー由来の構成単位(I)は、ビニル系モノマーが、重合体(P)を製造するために用いられる全モノマー成分の一つとして重合された場合に形成される構成単位である。このようなビニル系モノマーとしては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切なビニル系モノマーを採用し得る。ビニル系モノマーは、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
 ビニル系モノマーとしては、例えば、エチレン性不飽和基を1つ有する単官能ビニル系モノマー、エチレン性不飽和基を2つ以上有する多官能ビニル系モノマーが挙げられる。
 エチレン性不飽和基を1つ有する単官能ビニル系モノマーとしては、例えば、スチレン系モノマー、カルボキシル基含有モノマー、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、水酸基含有モノマー、窒素原子含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、(メタ)アクリル酸アルコキシアルキルエステル、芳香族炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステル、ビニルエステル類、芳香族ビニル化合物、オレフィン類、ビニルエーテル類、塩化ビニルが挙げられる。
 スチレン系モノマーとしては、例えば、スチレン、エチルビニルベンゼン、α-メチルスチレン、ビニルトルエン、o-クロロスチレン、m-クロロスチレン、p-クロロスチレン、ビニルビフェニル、ビニルナフタレンが挙げられる。
 カルボキシル基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、これらの酸無水物(例えば、無水マレイン酸や無水イタコン酸)が挙げられる。
 (メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n-ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸s-ブチル、(メタ)アクリル酸t-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸イソペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸イソデシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル、(メタ)アクリル酸ノナデシル、(メタ)アクリル酸エイコシル、(メタ)アクリル酸シクロペンチル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸イソボルニルなど、炭素数が1~20のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。なお、ここでいうアルキル基には、脂環式炭化水素基、脂環式炭化水素基を有するアルキル基を含む。懸濁重合時の分散液の安定性が優れており、結果として高い機械的強度の中空樹脂粒子が得られやすい点で、アルキル基は、炭素数1~8のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~4のアルキル基であることがより好ましい。
 水酸基含有モノマーとしては、例えば、水酸基含有(メタ)アクリル酸エステル、ビニルアルコール、アリルアルコールが挙げられる。水酸基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシラウリル、(メタ)アクリル酸(4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)が挙げられる。
 窒素原子含有モノマーは、分子内に窒素原子を少なくとも一つ有するモノマーである。本明細書では、分子内に水酸基と窒素原子とを併有するモノマーは、水酸基含有モノマーには含まれないものとし、窒素原子含有モノマーに含まれるものとする。窒素原子含有モノマーとしては、例えば、N-ビニル環状アミド、(メタ)アクリルアミド類、アミノ基含有モノマー、シアノ基含有モノマー、複素環含有モノマー、イミド基含有モノマー、イソシアネート基含有モノマーが挙げられる。
 N-ビニル環状アミドとしては、例えば、N-ビニル-2-ピロリドン(NVP)、N-ビニル-2-ピペリドン、N-ビニル-3-モルホリノン、N-ビニル-2-カプロラクタム、N-ビニル-1,3-オキサジン-2-オン、およびN-ビニル-3,5-モルホリンジオンが挙げられる。
 (メタ)アクリルアミド類としては、例えば、(メタ)アクリルアミド、N-アルキル(メタ)アクリルアミド、N,N-ジアルキル(メタ)アクリルアミド、N-ヒドロキシアルキル(メタ)アクリルアミド、N-アルコキシアルキル(メタ)アクリルアミドが挙げられる。
 N-アルキル(メタ)アクリルアミドとしては、例えば、N-エチル(メタ)アクリルアミド、N-イソプロピル(メタ)アクリルアミド、N-n-ブチル(メタ)アクリルアミド、N-オクチル(メタ)アクリルアミドが挙げられる。N-アルキル(メタ)アクリルアミドとしては、例えば、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリルアミド、ジエチルアミノエチル(メタ)アクリルアミド、ジメチルアミノプロピル(メタ)アクリルアミドのような、アミノ基を有する(メタ)アクリルアミドも含まれる。
 N,N-ジアルキル(メタ)アクリルアミドとしては、例えば、N,N-ジメチル(メタ)アクリルアミド、N,N-ジエチル(メタ)アクリルアミド、N,N-ジプロピル(メタ)アクリルアミド、N,N-ジイソプロピル(メタ)アクリルアミド、N,N-ジ(n-ブチル)(メタ)アクリルアミド、N,N-ジ(t-ブチル)(メタ)アクリルアミドが挙げられる。
 N-ヒドロキシアルキル(メタ)アクリルアミドとしては、例えば、N-メチロール(メタ)アクリルアミド、N-(2-ヒドロキシエチル)(メタ)アクリルアミド、N-(2-ヒドロキシプロピル)(メタ)アクリルアミド、N-(1-ヒドロキシプロピル)(メタ)アクリルアミド、N-(3-ヒドロキシプロピル)(メタ)アクリルアミド、N-(2-ヒドロキシブチル)(メタ)アクリルアミド、N-(3-ヒドロキシブチル)(メタ)アクリルアミド、N-(4-ヒドロキシブチル)(メタ)アクリルアミド、N-メチル-N-2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリルアミドが挙げられる。
 N-アルコキシアルキル(メタ)アクリルアミドとしては、例えば、N-メトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N-ブトキシメチル(メタ)アクリルアミドが挙げられる。
 アミノ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アミノエチル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノプロピル、(メタ)アクリル酸t-ブチルアミノエチルが挙げられる。
 シアノ基含有モノマーとしては、例えば、アクリロニトリル、メタクリロニトリルが挙げられる。
 複素環含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリロイルモルホリン、N-ビニルピペラジン、N-ビニルピロール、N-ビニルイミダゾール、N-ビニルピラジン、N-ビニルモルホリン、N-ビニルピラゾール、ビニルピリジン、ビニルピリミジン、ビニルオキサゾール、ビニルイソオキサゾール、ビニルチアゾール、ビニルイソチアゾール、ビニルピリダジン、(メタ)アクリロイルピロリドン、(メタ)アクリロイルピロリジン、(メタ)アクリロイルピペリジン、N-メチルビニルピロリドンが挙げられる。
 イミド基含有モノマーとしては、例えば、N-シクロヘキシルマレイミド、N-イソプロピルマレイミド、N-ラウリルマレイミド、N-フェニルマレイミド等のマレイミド系モノマー;N-メチルイタコンイミド、N-エチルイタコンイミド、N-ブチルイタコンイミド、N-オクチルイタコンイミド、N-2-エチルヘキシルイタコンイミド、N-ラウリルイタコンイミド、N-シクロヘキシルイタコンイミド等のイタコンイミド系モノマー;N-(メタ)アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、N-(メタ)アクリロイル-6-オキシヘキサメチレンスクシンイミド、N-(メタ)アクリロイル-8-オキシオクタメチレンスクシンイミド等のスクシンイミド系モノマー;が挙げられる。
 イソシアネート基含有モノマーとしては、例えば、2-(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネートが挙げられる。
 エポキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸メチルグリシジルが挙げられる。
 スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、ビニルスルホン酸ナトリウムが挙げられる。
 (メタ)アクリル酸アルコキシアルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸2-メトキシエチル、(メタ)アクリル酸2-エトキシエチル、(メタ)アクリル酸メトキシトリエチレングリコール、(メタ)アクリル酸3-メトキシプロピル、(メタ)アクリル酸3-エトキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-メトキシブチル、(メタ)アクリル酸4-エトキシブチルが挙げられる。
 芳香族炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、フェニル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレートが挙げられる。
 ビニルエステル類としては、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルが挙げられる。
 芳香族ビニル化合物としては、例えば、スチレン、ビニルトルエンが挙げられる。
 オレフィン類としては、例えば、エチレン、ブタジエン、イソプレン、イソブチレンが挙げられる。
 ビニルエーテル類としては、例えば、ビニルアルキルエーテルが挙げられる。
 エチレン性不飽和基を2つ以上有する多官能ビニル系モノマーとしては、例えば、多官能(メタ)アクリル酸エステル系モノマー、芳香族ジビニル系モノマーが挙げられる。
 多官能(メタ)アクリル酸エステル系モノマーとしては、例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ノナエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラデカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、デカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタデカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,3-ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4-ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリストールテトラ(メタ)アクリレート、フタル酸ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスルトールヘキサ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートが挙げられる。
 芳香族ジビニル系モノマーとしては、例えば、ジビニルベンゼン、ジビニルナフタレン、これらの誘導体が挙げられる。
 本発明の効果をより発現させ得る点で、ビニル系モノマーは、多官能ビニル系モノマーを含むことが好ましい。ビニル系モノマー全量中の多官能ビニル系モノマーの含有割合は、本発明の効果をより発現させ得る点で、好ましくは3重量%~70重量%であり、より好ましくは5重量%~50重量%であり、さらに好ましくは7重量%~45重量%であり、特に好ましくは10重量%~40重量%である。ビニル系モノマー全量中の多官能ビニル系モノマーの含有割合が上記範囲を外れて小さすぎると、粒子内部に空孔部を形成し難くなるおそれがある。ビニル系モノマー全量中の多官能ビニル系モノマーの含有割合が上記範囲を外れて大きすぎると、得られる中空樹脂粒子(2)の表面の収縮が大きくなり、機械的強度が弱くなるおそれがある。
 リン酸エステル系モノマー由来の構成単位(II)は、リン酸エステル系モノマーが、重合体(P)を製造するために用いられる全モノマー成分の一つとして重合された場合に形成される構成単位である。このようなリン酸エステル系モノマーとしては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切なリン酸エステル系モノマーを採用し得る。リン酸エステル系モノマーは、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
 リン酸エステル系モノマーとしては、懸濁重合時に、液滴表面近傍でビニル系モノマーと共重合することで粒子硬度を高められるという点で、エチレン性不飽和基を有することが好ましい。
 リン酸エステル系モノマーとしては、懸濁重合時に、液滴表面に配向しやすく、無機系分散剤と作用し、粒子表面近傍の硬度を高めることができるという点で、酸性リン酸エステル系モノマーが好ましい。
 エチレン性不飽和基を有する酸性リン酸エステル系モノマーとしては、本発明の効果をより発現させ得る点で、一般式(1)で表されるリン酸エステル系モノマーが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 一般式(1)中、Rは(メタ)アクリル基又はアリル基、Rは直鎖状又は分岐状のアルキレン基、mは1~30の整数、nは0又は1、vは1~10の整数、xは1又は2である。
 本発明の効果をより発現させ得る点で、一般式(1)で表されるリン酸エステル系モノマーとしては、式(2)で表されるカプロラクトンEO変性リン酸ジメタクリレート、式(3)で表されるポリオキシプロピレンアリルエーテルリン酸エステル、2-メタクリロイロキシエチルアシッドフォスフェートが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 式(2)中、a及びbは、a=1、b=2、又は、a=2、b=1である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 式(3)中、pは1~30の整数である。qは1又は2である。
 式(2)で表されるカプロラクトンEO変性リン酸ジメタクリレートとしては、例えば、日本化薬株式会社製の製品名「KAYAMER PM-21」として入手可能である。
 式(3)で表されるポリオキシプロピレンアリルエーテルリン酸エステルとしては、例えば、株式会社ADEKA社製の製品名「アデカリアソープ PP-70」として入手可能である。
 中空樹脂粒子(2)においては、その主成分である重合体(P)がビニル系モノマー由来の構成単位(I)及びリン酸エステル系モノマー由来の構成単位(II)の両方を含む重合体である場合、該重合体を製造するために用いられる全モノマー成分中におけるリン酸エステル系モノマーの含有量は、ビニル系モノマー100重量部に対して、好ましくは0.001重量部~5重量部であり、より好ましくは0.01重量部~3重量部であり、さらに好ましくは0.03重量部~1重量部であり、特に好ましくは0.05重量部~0.8重量部である。リン酸エステル系モノマーの含有量がビニル系モノマー100重量部に対して上記範囲内にあれば、本発明の効果をより発現し得る。
 中空樹脂粒子(2)は、ビニル系モノマー由来の構成単位(I)及びリン酸エステル系モノマー由来の構成単位(II)からなる群から選択される少なくとも1種を含む重合体(P)以外に、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な他の成分を含んでいてもよい。このような他の成分は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。このような他の成分としては、例えば、顔料、酸化防止剤、香料、紫外線防御剤、界面活性剤、防腐剤、薬効成分が挙げられる。
<好ましい実施形態による中空樹脂粒子(2)の製造方法>
 中空樹脂粒子(2)は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な方法で製造し得る。
 このような製造方法としては、例えば、分散工程(工程1)、重合工程(工程2)、洗浄工程(工程3)、乾燥工程(工程4)を含む。
[工程1:分散工程]
 工程1は、分散剤を含む水溶液に、ビニル系モノマー及びリン酸エステル系モノマーからなる群から選択される少なくとも1種を含むモノマー組成物と重合開始剤と非重合性有機化合物を含む有機混合溶液を分散させる工程である。
 水溶液中への有機混合溶液の分散は、水溶液中で有機混合溶液を液滴状で存在させることができさえすれば、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な分散方法を採用し得る。このような分散方法としては、代表的には、ホモミキサーやホモジナイザーを用いた分散方法である。
 水溶液は、水性媒体と分散剤を含む。
 水性媒体としては、例えば、水、水と低級アルコール(メタノール、エタノール等)との混合媒体などが挙げられる。水としては、脱イオン水、イオン交換水、及び蒸留水から選ばれる少なくとも1種が好ましい。
 分散剤としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な分散剤を採用し得る。このような分散剤としては、例えば、無機系分散剤、界面活性剤が挙げられる。本発明の効果をより発現させ得る点で、好ましくは、分散剤として無機系分散剤を採用する。分散剤は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
 無機系分散剤としては、例えば、アルカリ土類金属のピロリン酸塩(ピロリン酸マグネシウムなど)、アルカリ土類金属のリン酸塩(第三リン酸カルシウムなど)、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等の水に難溶性の塩類;シリカ、酸化ジルコニウム等の無機分散剤;タルク、ベントナイト、珪酸、珪藻土、粘度等の無機高分子物質;が挙げられる。ここでいうアルカリ土類金属としては、好ましくは、マグネシウム、カルシウムである。これらの中でも、アルカリ土類金属のピロリン酸塩及びアルカリ土類金属のリン酸塩は、金属イオンがリン酸エステル系モノマーにおけるリン酸エステル部と相互作用して表層に緻密な被膜が形成され、その結果、機械的強度の高い中空樹脂粒子が得ることができる点で好ましい。
 無機系分散剤の添加量としては、油滴の安定性を確保し、粒子径の揃った中空樹脂粒子が得られ得る点で、モノマー組成物(中空樹脂粒子の主成分である重合体(P)を製造するために用いられる全モノマー成分)100重量部に対して、好ましくは0.1重量部~30重量部であり、より好ましくは0.5重量部~20重量部である。
 界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、両性イオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤などが挙げられる。
 アニオン性界面活性剤としては、例えば、アルキル硫酸エステル脂肪酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、アルカンスルホン酸塩、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸塩、ジアルキルスルホコハク酸塩、モノアルキルスルホコハク酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸塩等の非反応性のアニオン性界面活性剤、ポリオキシエチレン-1-(アリルオキシメチル)アルキルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩、ポリオキシエチレンアルキルプロペニルフェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩、ポリオキシアルキレンアルケニルエーテル硫酸アンモニウム等の反応性のアニオン性界面活性剤などが挙げられる。
 カチオン性界面活性剤としては、例えば、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルトリエチルアンモニウム塩、ジアルキルジメチルアンモニウム塩、ジアルキルジエチルアンモニウム塩、N-ポリオキシアルキレン-N,N,N-トリアルキルアンモニウム塩等のカチオン性界面活性剤などが挙げられる。
 両性イオン性界面活性剤としては、例えば、ラウリルジメチルアミンオキサイド、リン酸エステル塩、亜リン酸エステル系界面活性剤などが挙げられる。
 ノニオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、グリセリン脂肪酸エステル、オキシエチレン-オキシプロピレンブロックポリマーなどが挙げられる。
 界面活性剤の添加量は、有機混合溶液100重量部に対して、0.01重量部~1重量部が好ましい。界面活性剤は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
 水溶液には、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な他の成分を含んでいてもよい。
 有機混合溶液は、ビニル系モノマー及びリン酸エステル系モノマーからなる群から選択される少なくとも1種を含むモノマー組成物と重合開始剤と非重合性有機化合物を含む。
 有機混合溶液に含まれるモノマー組成物としては、<好ましい実施形態による中空樹脂粒子(2)>の項目における説明をそのまま援用し得る。
 重合開始剤としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な重合開始剤を採用し得る。
 重合開始剤は、10時間半減期温度が90℃以下であることが好ましい。このような重合開始剤を用いれば、中空樹脂粒子(2)内に残存する重合開始剤を完全に分解することができ、例えば、中空樹脂粒子(2)を含む半導体部材をはんだリフロー等で加熱する時に、残存する重合開始剤による樹脂の酸化劣化やガス発生を抑制することができる。
 重合開始剤は、下記式により算出される重合開始剤の分解率が98%以上となる反応温度および反応時間の組み合わせで重合することが好ましい。このような重合条件にすることで、中空樹脂粒子(2)内に残存する重合開始剤を完全に分解することができ、例えば、中空樹脂粒子(2)を含む半導体部材をはんだリフロー等で加熱する時に、残存する重合開始剤による樹脂の酸化劣化やガス発生を抑制することができる。
 分解率(%)=(1-exp(-kt))×100
 kd=Aexp(-ΔE/RT)
 上記式中、kは熱分解速度定数を表し、tは反応時間(hr)を表し、Aは頻度因子(hr-1)を表し、ΔEは活性化エネルギー(J/mol)を表し、Rは気体定数(8.314J/mol・K)を表し、Tは反応温度(K)を表す。
 重合開始剤としては、例えば、過酸化ラウロイル、過酸化ベンゾイル、オルソクロロ過酸化ベンゾイル、オルソメトキシ過酸化ベンゾイル、3,5,5-トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、ジ-t-ブチルパーオキサイド等の有機過酸化物;2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、1,1’-アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)等のアゾ系化合物;などが挙げられる。
 重合開始剤の添加量は、モノマー組成物(中空樹脂粒子の主成分である重合体(P)を製造するために用いられる全モノマー成分)100重量部に対して、好ましくは0.01重量部~10重量部であり、より好ましくは0.01重量部~5重量部であり、さらに好ましくは0.1重量部~5重量部である。重合開始剤は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。
 非重合性有機化合物は、いわゆる溶剤としての働きを有すると共に、中空樹脂粒子(2)の粒子内部に、多孔質構造や単中空構造の空孔部が形成されることにも寄与する。
 このような非重合性有機化合物としては、重合工程(工程2)が実施される温度領域において液体として存在しているという理由から、沸点が30℃以上200℃以下の有機溶剤を使用することが好ましい。より具体的には、非重合性有機化合物としては、n-ペンタン、イソペンタン、n-ヘキサン、シクロヘキサン、n-ヘプタン等の飽和の脂肪族炭化水素類;トルエン、ベンゼン等の芳香族化合物;酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステル系化合物;ハイドロフルオロエーテル、ハイドロフルオロカーボン等のフッ素系化合物;からなる群より選択される1種以上を使用することができる。
 非重合性有機化合物の使用量としては、本発明の効果をより発現させ得る点で、モノマー組成物(中空樹脂粒子の主成分である重合体(P)を製造するために用いられる全モノマー成分)100重量部に対して、好ましくは10重量部~250重量部である。モノマー組成物100重量部に対する非重合性有機化合物の使用量が上記範囲を外れて小さすぎると、中空樹脂粒子(2)の粒子内部に、多孔質構造や単中空構造の空孔部が確実に形成できないおそれがある。モノマー組成物100重量部に対する非重合性有機化合物の使用量が上記範囲を外れて大きすぎると、得られる中空樹脂粒子(2)に十分な強度を付与できないおそれがある。
 有機混合溶液には、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な他の成分を含んでいてもよい。
[工程2:重合工程]
 工程2は、工程1で得られる分散液を加熱して懸濁重合する工程である。
 重合温度は、懸濁重合に適した温度であれば、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な重合温度を採用し得る。このような重合温度としては、好ましくは30℃~105℃である。
 重合時間は、懸濁重合に適した時間であれば、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な重合時間を採用し得る。このような重合時間としては、好ましくは0.1時間~20時間である。
 重合後に好ましく行う後加熱は、完成度の高い中空樹脂粒子を得るために好適な処理である。
 重合後に好ましく行う後加熱の温度は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な温度を採用し得る。このような後加熱の温度としては、好ましくは50℃~120℃である。
 重合後に好ましく行う後加熱の時間は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な時間を採用し得る。このような後加熱の時間としては、好ましくは1時間~10時間である。
[工程3:洗浄工程]
 工程3は、工程2で得られたスラリーを洗浄する工程である。
 洗浄方法としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な洗浄方法を採用し得る。このような洗浄方法としては、例えば、(1)中空樹脂粒子(2)を形成させた後、高速遠心機等を用いて、非常に高い遠心加速度を与えて該中空樹脂粒子を沈降させて上澄みを除去し、新たにイオン交換水または蒸留水を加え、沈降した中空樹脂粒子(2)をイオン交換水に分散させ、この操作を数回繰り返すことにより不純物を除去する方法、(2)セラミックスフィルター等を用いたクロスフロー式のろ過方法により洗浄を行うことで不純物を除去する方法、(3)中空樹脂粒子(2)に対して、粒子の凝集剤となる溶媒を添加することにより、溶媒中において粒子を凝集沈降させ、フィルター等を用いて該中空樹脂粒子(2)を分離し、洗浄溶媒により洗浄する方法、などが挙げられる。
 上記(1)の洗浄方法においては、イオン交換水または蒸留水はスラリー重量の5倍以上の量を用いて、洗浄することが好ましい。
 比重が小さい中空樹脂粒子(2)に対しては、(2)のセラミックスフィルター等を用いクロスフロー式のろ過方法により洗浄を行うことが好ましい。
[工程4:乾燥工程]
 工程4は、工程3で得られた洗浄後のスラリーを乾燥する工程である。
 乾燥方法としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な乾燥方法を採用し得る。このような乾燥方法としては、例えば、加熱による乾燥が挙げられる。
 加熱の温度は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な温度を採用し得る。このような加熱の温度としては、好ましくは50℃~120℃である。
 加熱の時間は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な時間を採用し得る。このような加熱の時間としては、好ましくは1時間~50時間である。
<好ましい実施形態による中空樹脂粒子(3)およびその製造方法>
 中空樹脂粒子(3)は、内部に2つ以上の独立した空孔部を有する多中空樹脂粒子である。このような多中空樹脂粒子としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な多中空樹脂粒子を採用し得る。このような多中空樹脂粒子及びその製造方法としては、例えば、特許第4566870号に記載されている多中空樹脂粒子が挙げられる。
≪その他の添加剤≫
 半導体封止用樹脂組成物は、その他の添加剤を含んでいてもよい。その他の添加剤は、1種のみであってよいし、2種以上であってもよい。
 その他の添加剤としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な添加剤を採用し得る。このようなその他の添加剤としては、例えば、硬化剤、カップリング剤、硬化促進剤、有機充填材、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤が挙げられる。
 硬化剤としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な硬化剤を採用し得る。このような硬化剤としては、半導体封止用樹脂組成物に一般に使用されている硬化剤が挙げられ、例えば、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、メルカプタン系硬化剤、イソシアネートプレポリマーやブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物、カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類が挙げられる。これらの硬化剤の中でも、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、保存安定性等のバランスの点から、フェノール系硬化剤が好ましい。
 フェノール系硬化剤としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェニルフェノール、アミノフェノール、α-ナフトール、β-ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のフェノール類とホルムアルデヒドやケトン類とを酸性触媒下で縮合または共縮合させて得られるノボラック樹脂(フェノールノボラック樹脂やクレゾールノボラック樹脂など);上記のフェノール類とジメトキシパラキシレンまたはビス(メトキシメチル)ビフェニルから合成されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂などのフェノールアラルキル樹脂;トリスフェノールメタン骨格を有するフェノール樹脂;が挙げられる。
 アミン系硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレリレンジアミン(MXDA)などの脂肪族ポリアミン;ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m-フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)などの芳香族ポリアミン;ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物;が挙げられる。
 酸無水物系硬化剤としては、例えば、ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)、無水マレイン酸などの脂環族酸無水物;無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)、無水フタル酸などの芳香族酸無水物;が挙げられる。
 メルカプタン系硬化剤としては、例えば、トリメチロールプロパントリス(3-メルカプトブチレート)、トリメチロールエタントリス(3-メルカプトブチレート)が挙げられる。
 半導体封止用樹脂組成物中の硬化剤の含有量は、好ましくは0.1重量%~20重量%であり、より好ましくは0.5重量%~15重量%であり、さらに好ましくは1.0重量%~10重量%であり、特に好ましくは1.5重量%~8重量%である。半導体封止用樹脂組成物中の硬化剤の含有量が上記範囲内にあれば、本発明の効果をより発現し得る。
 カップリング剤としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切なカップリング剤を採用し得る。このようなカップリング剤としては、例えば、シラン系化合物;チタン系化合物;アルミニウムキレート類;アルミニウム/ジルコニウム系化合物;が挙げられる。
 シラン系化合物としては、例えば、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(β-メトキシエトキシ)シラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ-アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ-[ビス(β-ヒドロキシエチル)]アミノプロピルトリエトキシシラン、N-β-(アミノエチル)-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-β-(アミノエチル)-γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-β-(アミノエチル)-γ-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ-(β-アミノエチル)アミノプロピルジメトキシメチルシラン、N-(トリメトキシシリルプロピル)エチレンジアミン、N-(ジメトキシメチルシリルイソプロピル)エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、N-β-(N-ビニルベンジルアミノエチル)-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-トリエトキシシリル-N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)プロピルアミンの加水分解物が挙げられる。
 チタン系化合物としては、例えば、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、イソプロピルトリ(N-アミノエチル-アミノエチル)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイト)チタネート、テトラ(2,2-ジアリルオキシメチル-1-ブチル)ビス(ジトリデシル)ホスファイトチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタネートが挙げられる。
 半導体封止用樹脂組成物中のカップリング剤の含有量は、好ましくは0.01重量%~5重量%であり、より好ましくは0.05重量%~3重量%であり、さらに好ましくは0.07重量%~1重量%であり、特に好ましくは0.1重量%~0.5重量%である。半導体封止用樹脂組成物中のカップリング剤の含有量が上記範囲内にあれば、本発明の効果をより発現し得る。
≪≪アンダーフィル≫≫
 本発明の実施形態によるアンダーフィルは、本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物から形成される。代表的には、本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物を硬化させることにより、本発明の実施形態によるアンダーフィルが形成される。本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物中に含まれる熱硬化性樹脂は、硬化することで、アンダーフィル中の樹脂成分となる。
 硬化の方法としては、一般に、アンダーフィルを設ける際に採用される硬化方法を採用し得る。
 硬化の条件としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な条件を採用し得る。このような条件としては、好ましくは、一般に、アンダーフィルを設ける際に採用される硬化条件を採用し得る。
≪≪モールド樹脂≫≫
 本発明の実施形態によるモールド樹脂は、本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物から形成される。代表的には、本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物を硬化させることにより、本発明の実施形態によるモールド樹脂が形成される。本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物中に含まれる熱硬化性樹脂は、硬化することで、モールド樹脂中の樹脂成分となる。
 硬化の方法としては、一般に、モールド樹脂を設ける際に採用される硬化方法を採用し得る。
 硬化の条件としては、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な条件を採用し得る。このような条件としては、好ましくは、一般に、モールド樹脂を設ける際に採用される硬化条件を採用し得る。
≪≪半導体パッケージ≫≫
 本発明の実施形態による半導体パッケージは、回路基板と該回路基板上に搭載された半導体素子を含む半導体パッケージである。
 本発明の1つの実施形態による半導体パッケージにおいては、本発明の実施形態によるアンダーフィルが回路基板と半導体素子の間に設けられている。
 本発明の1つの実施形態による半導体パッケージにおいては、本発明の実施形態によるモールド樹脂によって半導体素子が封止されている。
 図1は、本発明の一つの実施形態による半導体パッケージの概略断面図である。半導体パッケージ100は、基板10と、基板10の一面上に搭載された半導体素子20と、基板10のうちの上記一面および半導体素子20とを封止するモールド樹脂30と、を備えた半導体パッケージである。すなわち、半導体パッケージ100は、基板10のうちの上記一面とは反対の他面がモールド樹脂30によって封止されない、片面封止型の半導体パッケージである。モールド樹脂30は、本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物の硬化物により構成される。これにより、熱時におけるモールド樹脂30の線膨張係数を大きくできるので、モールド樹脂30と基板10との熱時線膨張係数の差を小さくできる。そのため、高温環境での使用時において、半導体パッケージ100の全体の反りが抑制され得る。
 半導体素子20の上面は、モールド樹脂30により覆われていてもよく(図1)、モールド樹脂30から露出していてもよい(不図示)。
 基板10は、代表的には、半導体パッケージに用いられるコア層としての積層板や金属箔付き積層板やビルドアップ層などを含む積層板である。図1において、基板10のうち半導体素子20を搭載する表面(搭載面)とは反対側の裏面には、たとえば複数の半田ボール12が設けられる。半導体素子20は、例えば、基板10上にフリップチップ実装される。半導体素子20は、たとえば複数のバンプ22を介して基板10へ電気的に接続される。変形例として、半導体素子20は、ボンディングワイヤを介して基板10へ電気的に接続されていてもよい。
 図1において、半導体素子20と基板10との間の隙間が、アンダーフィル32によって充填される。アンダーフィル32としては、例えば、フィルム状または液状のアンダーフィル材料を使用することができる。アンダーフィル32とモールド樹脂30とは、異なる材料で構成されていてもよく、同一の材料で構成されていてもよい。
 以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」は「重量部」を、「%」は「重量%」を意味する。
 実施例、比較例では、以下の原料を用いた。
エポキシ樹脂A:ビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂(日本化薬社製、NC-3000)
エポキシ樹脂B:ナフタレン骨格変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(DIC社製、EXA-7320)
エポキシ樹脂C:クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(DIC(株)製、N-660)
シアネート樹脂A:ノボラック型シアネート樹脂(ロンザ社製、プリマセットPT-30)
シアネート樹脂B:ビスフェノールA型シアネート樹脂(ロンザ社製、プリマセットBA230)
フェノール樹脂A:ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂(日本化薬社製、GPH-103)
フェノキシ樹脂A:ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂
無機充填材A:球状シリカ(アドマテックス社製、SO-32R、平均粒径1μm)
無機充填材B:球状溶融シリカ1(デンカ(株)社製、商品名「FB560」、平均粒径(D50)30μm)
無機充填材C:球状溶融シリカ2((株)アドマテックス製、SO-C5、平均粒径(D50)1.6μm)
無機充填材D:球状溶融シリカ3((株)アドマテックス製、SO-C2、平均粒径(D50)0.5μm)
カップリング剤A:γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(GE東芝シリコーン社製、A187)
カップリング剤B:フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン(東レ・ダウコーニング(株)製、CF4083)
硬化剤A:フェノールノボラック樹脂(住友ベークライト(株)製、PR-HF-3)
硬化促進剤A:トリフェニルホスフィン
硬化触媒A:オニウム塩化合物のリン系触媒(住友ベークライト社製、C05-MB)
硬化触媒B:ジシアンジアミド
顔料A:カーボンブラック(カーボン#5(三菱化学(株)製))
着色剤A:フタロシアニンブルー/ベンゾイミダゾロン/メチルエチルケトン(=1/1/8)混合物:(山陽色素社製)
<体積平均粒子径の測定>
 粒子の体積平均粒子径の測定は、以下のようにしてコールター法により行った。
 粒子の体積平均粒子径は、コールターMultisizer(登録商標)3(ベックマン・コールター株式会社製測定装置)により測定した。測定は、ベックマン・コールター株式会社発行のMultisizer(登録商標)3ユーザーズマニュアルに従って校正されたアパチャーを用いて実施した。なお、測定に用いるアパチャーは、測定する粒子の大きさによって、適宜選択した。Current(アパチャー電流)及びGain(ゲイン)は、選択したアパチャーのサイズによって、適宜設定した。例えば、50μmのサイズを有するアパチャーを選択した場合、Current(アパチャー電流)は-800、Gain(ゲイン)は4と設定した。
 測定用試料としては、粒子0.1gを0.1重量%ノニオン性界面活性剤水溶液10m1中にタッチミキサー(ヤマト科学株式会社製、「TOUCHMIXER MT-31」)及び超音波洗浄器(株式会社ヴェルヴォクリーア製、「ULTRASONIC CLEANER VS-150」)を用いて分散させ、分散液としたものを使用した。測定中は、ビーカー内を気泡が入らない程度に緩く攪拌しておき、粒子を10万個測定した時点で測定を終了した。なお、粒子の体積平均粒子径は、10万個の粒子の体積基準の粒度分布における算術平均とした。
<嵩比重>
 粒子の嵩比重は、JISK5101-12-1(顔料試験方法-第12部:見掛け密度又は見掛け比容-第1節:静置法)に準拠して測定した。
<比表面積>
 粒子の比表面積は、ISO 9277第1版 JIS Z 8830:2001記載のBET法(窒素吸着法)により測定した。対象となる粒子について、株式会社島津製作所社製の自動比表面積/細孔分布測定装置「TristarII」を用いてBET窒素吸着等温線を測定し、窒素吸着量からBET多点法を用いて比表面積を算出した。
 加熱ガスパージによる前処理を実施した後、吸着質として窒素を用い、吸着質断面積0.162nmの条件下で定容量法を用いて測定を行った。なお、前処理は、具体的には、粒子が入った容器を65℃で加熱しながら、窒素パージを20分行い、室温放冷した後、その容器を65℃で加熱しながら、容器内の圧力が0.05mmHg以下になるまで真空脱気を行うことにより、行った。
<TEM測定:中空樹脂粒子の観察>
 乾燥粉体としての中空樹脂粒子に対し、メイワフォーシス社製「オスミウムコータNeoc-Pro」コーティング装置を用いて表面処理(10Pa、5mA、10秒)を行った。次いで、中空樹脂粒子をTEM(透過型電子顕微鏡、日立ハイテクノロジーズ社製H-7600)にて観察し、中空の有無および中空樹脂粒子の形状を確認した。この時、加速電圧は80kVとし、倍率は5000倍または1万倍として撮影した。
<SEM観察>
 粒子を走査型電子顕微鏡(SEM)で撮像し、表面SEM画像を得た。さらに、粒子をエポキシ樹脂に包埋後、薄膜切片に切り出してから、粒子の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)で撮像し、断面SEM画像を得た。
〔製造例1〕:多孔質中空樹脂粒子(1)の製造
 メチルメタクリレート105重量部、トリメチロールプロパントリメタクリレート45重量部、酸性リン酸エステル基を有する重合性モノマーとしての「KAYAMER(登録商標)PM-21」(日本化薬社製)0.3重量部と、重合開始剤としての2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)(日本ファインケム社製、商品名「ABN-V」、10時間半減期温度=51℃、活性化エネルギーΔE=122.7kJ/mol、頻度因子A=1.80×1018hr-1)0.75重量部、非重合性有機化合物として酢酸エチル75重量部とシクロヘキサン75重量部とを混合して油相を調製した。
 また、水性媒体としての脱イオン水900重量部と、分散剤としての、複分解法により生成させたピロリン酸マグネシウム23重量部とを混合して、水相を調製した。
 次に、上記油相を上記水相中に、TK-ホモミキサー(プライミクス社製)を用い、8000rpmにて5分間分散させ、体積平均粒子径がおよそ8μmの分散液を得た。その後、撹拌機及び温度計を備えた重合器にこの分散液を入れ、重合器の内部温度を55℃に昇温して撹拌を5時間続けた後、重合器の内部温度を70℃に昇温(二次昇温)し、上記懸濁液を70℃で7時間撹拌する(ABN-Vの分解率=99.57%)ことによって、懸濁重合反応を完了させた。
 得られた懸濁液を冷却した後、この懸濁液に含まれている分散剤(ピロリン酸マグネシウム)を塩酸によって分解した。その後、懸濁液を濾過により脱水して固形分を分離し、十分な水により固形分を洗浄した。その後、70℃で24時間真空乾燥することで非重合性有機化合物を除去し、球状の樹脂粒子を得た。
 得られた樹脂粒子の体積平均粒子径は7.8μmであった。得られた樹脂粒子は、SEM観察によると、内部が多孔質状の形状を有する多孔質中空樹脂粒子(1)であった。多孔質中空樹脂粒子(1)の嵩比重は0.33g/mlであった。
 多孔質中空樹脂粒子(1)をジェットミルにて0.4MPaの圧力で処理した前後の比表面積を測定したところ、8.2m/g、23.2m/gであった。これは、ジェットミル前後の比表面積の数値差が小さいほど、ジェットミルの衝撃に対して、粒子が十分な耐久強度を有することを示し、これは、半導体部材の製造時におけるせん断力や圧力等の外力に対して、粒子が破壊されないことを意味する。
 図2に多孔質中空樹脂粒子(1)の表面SEM画像を示す。図3に多孔質中空樹脂粒子(1)の断面SEM画像を示す。(メタ)アクリル酸アルキルエステルと多官能(メタ)アクリル酸エステル系モノマーとを用いて製造した樹脂粒子(1)において、粒子表面は空孔の無い緻密なシェルであり、粒子内部は多孔質構造であることを確認した。
〔製造例2〕:単中空樹脂粒子(1)の製造
 スチレン(St)1.15g、ジビニルベンゼン(DVB)810(日鉄ケミカル&マテリアル株式会社製、81%含有品、19%はエチルビニルベンゼン(EVB))1.85g、ヘプタン2.4g、HSクリスタ4100(側鎖結晶性ポリオレフィン、豊国製油株式会社製)0.3g、ブレンマー50PEP-300(ポリエチレングリコールプロピレングリコールモノメタクリレート、日油社製)0.3g、油溶性重合開始剤としてのLPO(日油社製、商品名「パーロイルL」、10時間半減期温度=61.6℃、活性化エネルギーΔE=126.5kJ/mol、頻度因子A=3.81×1018hr-1)0.099gを混合し、油相を作製した。
 次いで、イオン交換水34gとラピゾールA-80(界面活性剤、日油社製)0.017gを混合し、水相を作製した。
 水相に油相を加え、超音波ホモジナイザー(BRANSON社製、SONIFIER450、条件:DutyCycle=50%、OutputControl=5、処理時間3分)を用いて懸濁液を作製した。得られた懸濁液を70℃で4時間加熱することで重合を行い、スラリーを得た。得られたスラリーを100℃にて24時間加熱することで、乾燥粉体としての中空樹脂粒子を得た。得られた中空樹脂粒子の平均粒子径は356nmであり、粒子密度は0.65g/cmであった。得られた中空樹脂粒子のTEM観察結果を図4に示す。得られた中空樹脂粒子は、シェルにより囲われた中空を持つ単中空樹脂粒子(1)であることが確認できた。
〔実施例1〕
 エポキシ樹脂Cとしてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(DIC社製、N-660)9重量部、硬化剤Aとしてフェノールノボラック樹脂(住友ベークライト社製、PR-HF-3)5重量部、硬化促進剤Aとしてトリフェニルホスフィン0.3重量部、顔料Aとしてカーボンブラック(カーボン#5(三菱化学社製))0.3重量部をミキサーで混錬した。さらに、製造例1で得られた多孔質中空樹脂粒子(1)20.0重量部、無機充填材Bとして球状溶融シリカ1(デンカ社製、商品名「FB560」、平均粒径(D50)30μm)40.0重量部、無機充填材Cとして球状溶融シリカ2(株式会社アドマテックス製、SO-C5、平均粒径(D50)1.6μm)15重量部、無機充填材Dとして球状溶融シリカ3(株式会社アドマテックス製、SO-C2、平均粒径(D50)0.5μm)10重量部、カップリング剤Bとしてフェニルアミノプロピルトリメトキシシラン(東レ・ダウコーニング社製、CF4083)0.4重量部を配合して、常温でミキサーを用いて混合した後、70℃~100℃でロール混練した。次いで、得られた混練物を冷却した後、これを粉砕して、半導体封止用樹脂組成物(1)を得た。
 半導体封止用樹脂組成物(1)を熱ロールプレス機によって100℃でプレスしてフィルム状にして熱硬化し、膜厚100μmのフィルム(1)を得た。比誘電率及び誘電正接は、ネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製)空洞共振摂動法により測定周波数10GHz及び測定温度23℃の条件で測定した。比誘電率は3.04、誘電正接は0.0170であった。フィルム(1)は、アンダーフィルやモールド樹脂とし得る。
〔実施例2〕
 製造例1で得られた多孔質中空樹脂粒子(1)に代えて、製造例2で得られた単中空樹脂粒子(1)を用いた以外は、実施例1と同様に行い、半導体封止用樹脂組成物(2)を調製した。
 半導体封止用樹脂組成物(2)を熱ロールプレス機によって100℃でプレスしてフィルム状にして熱硬化し、膜厚100μmのフィルム(2)を得た。比誘電率及び誘電正接は、ネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製)空洞共振摂動法により測定周波数10GHz及び測定温度23℃の条件で測定した。比誘電率は3.19、誘電正接は0.0179であった。フィルム(2)は、アンダーフィルやモールド樹脂とし得る。
〔実施例3〕
 製造例1で得られた多孔質中空樹脂粒子(1)20.0重量部に代えて、製造例1で得られた多孔質中空樹脂粒子(1)10.0重量部と製造例2で得られた単中空樹脂粒子(1)10重量部を用いた以外は、実施例1と同様に行い、半導体封止用樹脂組成物(3)を調製した。
 半導体封止用樹脂組成物(3)を熱ロールプレス機によって100℃でプレスしてフィルム状にして熱硬化し、膜厚100μmのフィルム(3)を得た。比誘電率及び誘電正接は、ネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製)空洞共振摂動法により測定周波数10GHz及び測定温度23℃の条件で測定した。比誘電率は3.35、誘電正接は0.0188であった。フィルム(3)は、アンダーフィルやモールド樹脂とし得る。
〔比較例1〕
 製造例1で得られた多孔質中空樹脂粒子(1)20.0重量部、球状溶融シリカ1(デンカ社製、商品名「FB560」、平均粒径(D50)30μm)40.0重量部用いる代わりに、球状溶融シリカ1(デンカ社製、商品名「FB560」、平均粒径(D50)30μm)60.0重量部を用いた以外は、実施例1と同様に行い、半導体封止用樹脂組成物(C1)を調製した。
 半導体封止用樹脂組成物(C1)を熱ロールプレス機によって100℃でプレスしてフィルム状にして熱硬化し、膜厚100μmのフィルム(C1)を得た。比誘電率及び誘電正接は、ネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製)空洞共振摂動法により測定周波数10GHz及び測定温度23℃の条件で測定した。比誘電率は3.90、誘電正接は0.0200であった。フィルム(C1)は、アンダーフィルやモールド樹脂とし得る。
〔実施例4〕
(樹脂ワニスAの調製)
 エポキシ樹脂Aとしてビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂(日本化薬社製、NC-3000)11.0重量部、フェノール樹脂Aとしてビフェニルジメチレン型フェノール樹脂(日本化薬社製、GPH-103)8.8重量部、シアネート樹脂Aとしてノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン社製、プリマセットPT-30)16.0重量部、シアネート樹脂BとしてビスフェノールA型シアネート樹脂(ロンザジャパン社製、プリマセットBA230)4.0重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、製造例1で得られた多孔質中空樹脂粒子(1)20.0重量部、無機充填材Aとして球状シリカ(アドマテックス社製、SO-32R、平均粒径1μm)40.0重量部、カップリング剤Aとしてγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(GE東芝シリコーン社製、A187)0.2重量部を添加して、高速撹拌装置を用いて30分間撹拌し、不揮発分50重量%となるように調整し、樹脂組成物のワニスである樹脂ワニスAを調製した。
 離型剤が塗布されたPETフィルム上に、アプリケーターを用いて樹脂ワニスAを塗工した後、樹脂組成物中の溶剤を乾燥除去して熱硬化することで膜厚100μmのフィルムを得た。比誘電率及び誘電正接を、ネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製)空洞共振摂動法により測定周波数10GHz及び測定温度23℃の条件で測定したところ、比誘電率は2.69、誘電正接は0.0216であった。
(キャリア材料A、Bの製造)
 得られた樹脂ワニスAをPETフィルム(ポリエチレンテレフタレート、帝人デュポンフィルム社製、ピューレックスフィルム、厚さ36μm)上に、ダイコーター装置を用いて、乾燥後の樹脂層の厚さが13.0μmとなるように塗工し、160℃の乾燥装置で5分間乾燥して、第一樹脂層用のPETフィルム付き樹脂シートA(キャリア材料A)を得た。
 また、得られた樹脂ワニスAをPETフィルム(ポリエチレンテレフタレート、帝人デュポンフィルム社製、ピューレックスフィルム、厚さ36μm)上に同様に塗工し、乾燥後の樹脂層の厚さが7.0μmになるように塗工し、160℃の乾燥機で5分間乾燥して、第二樹脂層用のPETフィルム付き樹脂シートB(キャリア材料B)を得た。
(プリプレグ1(P1)の製造)
 得られたキャリア材料A及びキャリア材料Bを、ガラス繊維基材(厚さ15μm、ユニチカグラスファイバー社製、Eガラス織布、E02Z 04 53SK、IPC規格1015、線膨張係数:5.5ppm/℃)の両面に、それぞれの樹脂層がガラス繊維基材と向き合うように配し、真空ラミネート装置及び熱風乾燥装置によって樹脂組成物を含浸させ、PETフィルムが積層されたプリプレグを得た。
 具体的には、ガラス繊維基材の両面にキャリア材料A及びキャリア材料Bがガラス繊維基材の幅方向の中心に位置するように、それぞれ重ね合わせ、常圧より9.999×10Pa(約750Torr)以上減圧した条件下で、80℃のラミネートロールを用いて接合した。
 ここで、ガラス繊維基材の幅方向寸法の内側領域においては、キャリア材料A及びキャリア材料Bの樹脂層をガラス繊維基材の両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラス繊維基材の幅方向寸法の外側領域においては、キャリア材料A及びキャリア材料Bの樹脂層同士を接合した。
 次に、上記の接合したものを、120℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を2分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理し、プリプレグ1(P1)を得た。このとき、第一樹脂層の厚み(C1)が9μm、ガラス繊維基材層の厚みが15μm、第二樹脂層の厚み(C2)が3μmで、総厚27μmであり、C2/C1が0.33であった。なお、樹脂層の厚みは、プリプレグ1(P1)の断面を切り出し、光学顕微鏡で観察することにより測定した。
(金属箔付き積層板(1)の準備)
 得られたプリプレグ1(P1)2枚をそれぞれ両面のPETフィルムを剥離して、互いの第一樹脂層がそれぞれ向き合うように積層し、得られた積層体の両面に、12μmの銅箔(三井金属鉱業社製、3EC-VLP箔)を重ね合わせ、220℃、3MPaで2時間加熱加圧成形することにより、金属箔付き積層板(1)を得た。得られた金属箔付き積層板(1)のコア層(積層板からなる部分)の厚みは、0.054mmであった。なお、プリプレグや樹脂層は、硬化前後で厚みがほとんど変化しなかった。そのため、コア層(積層板からなる部分)の厚みはプリプレグの厚みの合計となっている。
(樹脂ワニスGの調製)
 シアネート樹脂Aとしてノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン社製、プリマセットPT-30)25重量部、エポキシ樹脂Aとしてビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂(日本化薬社製、NC-3000)25重量部、フェノキシ樹脂Aとして上記で作製したビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂10重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(四国化成工業社製、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール)0.4重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに製造例1で得られた多孔質中空樹脂粒子(1)20.0重量部、無機充填材Aとして球状シリカ(アドマテックス社製、SO-32R、平均粒径1μm)を19.4重量部、カップリング剤Aとしてγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(GE東芝シリコーン社製、A187)0.2重量部を添加して、高速撹拌装置を用いて30分間撹拌して、不揮発分50重量%となるように調整し、樹脂組成物のワニスである樹脂ワニスGを調製した。
 離型剤が塗布されたPETフィルム上に、アプリケーターを用いて樹脂ワニスGを塗工した後、樹脂組成物中の溶剤を乾燥除去して熱硬化することで膜厚100μmのフィルムを得た。比誘電率及び誘電正接を、ネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製)空洞共振摂動法により測定周波数10GHz及び測定温度23℃の条件で測定したところ、比誘電率は2.85、誘電正接は0.0187であった。
(キャリア材料C、Dの製造)
 得られた樹脂ワニスGをPETフィルム(ポリエチレンテレフタレート、帝人デュポンフィルム社製、ピューレックスフィルム、厚さ36μm)上に、ダイコーター装置を用いて、乾燥後の樹脂層の厚さが22.0μmとなるように塗工し、160℃の乾燥装置で5分間乾燥して、第一樹脂層用のPETフィルム付き樹脂シートC(キャリア材料C)を得た。
 また、得られた樹脂ワニスGをPETフィルム(ポリエチレンテレフタレート、帝人デュポンフィルム社製、ピューレックスフィルム、厚さ36μm)上に同様に塗工し、乾燥後の樹脂層の厚さが11.0μmになるように、160℃の乾燥機で5分間乾燥して、第二樹脂層用のPETフィルム付き樹脂シートD(キャリア材料D)を得た。
(ビルドアップ層Aの製造)
 得られたキャリア材料C及びキャリア材料Dを、ガラス繊維基材(厚さ15μm、ユニチカグラスファイバー社製、Eガラス織布、E02Z 04 53SK、IPC規格1015、線膨張係数:5.5ppm/℃)の両面に、それぞれの樹脂層がガラス繊維基材と向き合うように配し、真空ラミネート装置及び熱風乾燥装置によって樹脂組成物を含浸させ、PETフィルムが積層されたビルドアップ層Aを得た。
 具体的には、ガラス繊維基材の両面にキャリア材料C及びキャリア材料Dがガラス繊維基材の幅方向の中心に位置するように、それぞれ重ね合わせ、常圧より9.999×10Pa(約750Torr)以上減圧した条件下で、80℃のラミネートロールを用いて接合した。
 ここで、ガラス繊維基材の幅方向寸法の内側領域においては、キャリア材料C及びキャリア材料Dの樹脂層をガラス繊維基材の両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラス繊維基材の幅方向寸法の外側領域においては、キャリア材料C及びキャリア材料Dの樹脂層同士を接合した。
 次に、上記の接合したものを、120℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を2分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、ビルドアップ層Aを得た。このとき、第一樹脂層の厚み(C1)が18μm、ガラス繊維基材層の厚みが15μm、第二樹脂層の厚み(C2)が7μmで、総厚40μmであり、C2/C1が0.39であった。なお、樹脂層の厚みは、ビルドアップ層Aの断面を切り出し、光学顕微鏡で観察することにより測定した。
(樹脂ワニスHの調製)
 シアネート樹脂Aとしてノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン社製、プリマセットPT-30)25重量部、エポキシ樹脂Aとしてビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂(日本化薬社製、NC-3000)25重量部、フェノキシ樹脂Aとして上記で作製したビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂10重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(四国化成工業社製、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール)0.4重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに製造例1で得られた多孔質中空樹脂粒子(1)20.0重量部、無機充填材Aとして球状シリカ(アドマテックス社製、SO-32R、平均粒径1μm)を19重量部、カップリング剤Aとしてγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(GE東芝シリコーン社製、A187)0.2重量部、着色剤Aとしてフタロシアニンブルー/ベンゾイミダゾロン/メチルエチルケトン(=1/1/8)混合物:(山陽色素社製)固形分で0.4重量部を添加して、高速撹拌装置を用いて30分間撹拌して、不揮発分50重量%となるように調整し、樹脂組成物のワニスである樹脂ワニスHを調製した。
(キャリア材料E、Fの製造)
 得られた樹脂ワニスHをPETフィルム(ポリエチレンテレフタレート、帝人デュポンフィルム社製、ピューレックスフィルム、厚さ36μm)上に、ダイコーター装置を用いて乾燥後の樹脂層の厚さが14.0μmとなるように塗工し、これを160℃の乾燥装置で5分間乾燥して、第一樹脂層用のPETフィルム付き樹脂シートE(キャリア材料E)を得た。
 また、得られた樹脂ワニスHをPETフィルム(ポリエチレンテレフタレート、帝人デュポンフィルム社製、ピューレックスフィルム、厚さ36μm)上に同様に塗工し、乾燥後の樹脂層の厚さが9.0μmになるように、160℃の乾燥機で5分間乾燥して、第二樹脂層用のPETフィルム付き樹脂シートF(キャリア材料F)を得た。
(ソルダーレジスト層Aの製造)
 得られたキャリア材料E及びキャリア材料Fを、ガラス繊維基材(厚さ15μm、ユニチカグラスファイバー社製、Eガラス織布、E02Z 04 53SK、IPC規格1015、線膨張係数:5.5ppm/℃)の両面に、それぞれの樹脂層がガラス繊維基材と向き合うように配し、真空ラミネート装置及び熱風乾燥装置によって樹脂組成物を含浸させ、PETフィルムが積層されたソルダーレジスト層Aを得た。
 具体的には、ガラス繊維基材の両面にキャリア材料E及びキャリア材料Fがガラス繊維基材の幅方向の中心に位置するように、それぞれ重ね合わせ、常圧より9.999×10Pa(約750Torr)以上減圧した条件下で、80℃のラミネートロールを用いて接合した。
 ここで、ガラス繊維基材の幅方向寸法の内側領域においては、キャリア材料E及びキャリア材料Fの樹脂層をガラス繊維基材の両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラス繊維基材の幅方向寸法の外側領域においては、キャリア材料E及びキャリア材料Fの樹脂層同士を接合した。
 次に、上記の接合したものを、120℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を2分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、ソルダーレジスト層Aを得た。このとき、第一樹脂層の厚み(C1)が10μm、ガラス繊維基材層の厚みが15μm、第二樹脂層の厚み(C2)が5μmで、総厚30μmであり、C2/C1が0.5であった。なお、樹脂層の厚みは、ソルダーレジスト層Aの断面を切り出し、光学顕微鏡で観察することにより測定した。
(半導体パッケージ(1)の製造)
 得られた金属箔付き積層板(1)をコア基板として用い、その両面に回路パターン形成(残銅率70%、L/S=50/50μm)した内層回路基板の表裏に、得られたビルドアップ層Aの第一樹脂層側のPETフィルムを剥離して第一樹脂層を重ね合わせた。これに対して、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度150℃、圧力1MPa、時間120秒で真空加熱加圧成形した。その後、熱風乾燥装置にて220℃で60分間加熱硬化をおこない、第二樹脂層側のPETフィルムを剥離した。次いで、炭酸レーザーによりブラインドビアホール(非貫通孔)を形成した。つぎにビア内および、樹脂層表面を、60℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)に5分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト CP)に10分浸漬後、中和して粗化処理をおこなった。
 次に、脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき皮膜を約0.5μm形成し、めっきレジストを形成し、無電解銅めっき皮膜を給電層としてパターン電気めっき銅10μm形成させ、L/S=50μm/50μmの微細回路加工を施した。次に、熱風乾燥装置にて、200℃で60分間アニール処理を行った後、フラッシュエッチングで給電層を除去した。
 次に、得られたソルダーレジスト層Aを重ね合わせ、これに真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度150℃、圧力1MPa、時間120秒で真空加熱加圧成形した。その後、熱風乾燥装置にて、220℃で60分間加熱硬化を行い、PETフィルムを剥離した。次いで、半導体素子搭載パッドなどが露出するように炭酸レーザーによりブラインドビアホール(非貫通孔)を形成した。
 最後に、ソルダーレジスト層Aから露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層3μmと、さらにその上へ、無電解金めっき層0.1μmとからなるめっき層を形成し、得られた基板を50mm×50mmサイズに切断し、半導体パッケージ用の回路基板(1)を得た。
 半導体パッケージ用の回路基板(1)上に、半導体素子(TEGチップ、サイズ20mm×20mm、厚み725μm)を、フリップチップボンダー装置により、加熱圧着により搭載した。次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、実施例1で得られた半導体封止用樹脂組成物(1)を充填し、この半導体封止用樹脂組成物(1)を硬化させることで、半導体パッケージ(1)を得た。なお、半導体封止用樹脂組成物(1)は、温度150℃、120分の条件で硬化させた。半導体素子の半田バンプとしては、Sn/Ag/Cu組成の鉛フリー半田で形成されたものを用いた。
 半導体モジュール用の回路基板上に、半導体パッケージ(1)を加熱圧着により搭載した。次に、IRリフロー炉で半田ボールを用いて溶融接合した。半導体パッケージの半田ボールは、Sn/Ag/Cu組成の鉛フリー半田で形成されたものを用いた。
 本発明の実施形態による半導体封止用樹脂組成物、アンダーフィル、、モールド樹脂、及び半導体パッケージは、低誘電特性に優れており、樹脂封止型電子部品装置の分野で有用である。特に次世代通信システムやミリ波レーダーなどに利用される高周波信号(例えば、5GHzから90GHzの周波数帯)を扱うに電子部品装置の分野で極めて有用である。
100 半導体パッケージ
10  基板
12  半田ボール
20  半導体素子
22  バンプ
30  モールド樹脂
32  アンダーフィル
 

Claims (7)

  1.  熱硬化性樹脂と無機充填材と中空樹脂粒子を含む半導体封止用樹脂組成物であって、
     該半導体封止用樹脂組成物中の該中空樹脂粒子の含有量が1重量%~50重量%である、
     半導体封止用樹脂組成物。
  2.  アンダーフィルの材料として用いられる、請求項1に記載の半導体封止用樹脂組成物。
  3.  モールド樹脂の材料として用いられる、請求項1に記載の半導体封止用樹脂組成物。
  4.  請求項2に記載の半導体封止用樹脂組成物から形成される、
     アンダーフィル。
  5.  請求項3に記載の半導体封止用樹脂組成物から形成される、
     モールド樹脂。
  6.  回路基板と該回路基板上に搭載された半導体素子を含む半導体パッケージであって、
     請求項4に記載のアンダーフィルが該回路基板と該半導体素子の間に設けられている、
     半導体パッケージ。
  7.  回路基板と該回路基板上に搭載された半導体素子を含む半導体パッケージであって、
     請求項5に記載のモールド樹脂によって該半導体素子が封止されている、
     半導体パッケージ。
     
     
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