WO2022114156A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び電子機器 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び電子機器 Download PDF

Info

Publication number
WO2022114156A1
WO2022114156A1 PCT/JP2021/043499 JP2021043499W WO2022114156A1 WO 2022114156 A1 WO2022114156 A1 WO 2022114156A1 JP 2021043499 W JP2021043499 W JP 2021043499W WO 2022114156 A1 WO2022114156 A1 WO 2022114156A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
light emitting
substituted
emitting layer
unsubstituted
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/043499
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
聡美 田崎
江美子 神戸
哲也 増田
和樹 西村
Original Assignee
出光興産株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2020196398A external-priority patent/JP2024029266A/ja
Priority claimed from JP2020196415A external-priority patent/JP2024029267A/ja
Application filed by 出光興産株式会社 filed Critical 出光興産株式会社
Priority to KR1020237021050A priority Critical patent/KR20230111222A/ko
Priority to US18/037,432 priority patent/US20240023426A1/en
Priority to CN202180078154.0A priority patent/CN116529340A/zh
Publication of WO2022114156A1 publication Critical patent/WO2022114156A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/658—Organoboranes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
    • C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
    • C07B2200/05—Isotopically modified compounds, e.g. labelled
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Definitions

  • the triplet energy T 1 (H1) of the first host material and the triplet energy T 1 (H2) of the second host material satisfy the relationship of the following mathematical formula (Equation 1).
  • An organic electroluminescence element having an overlap integral of 99.0% or more for each standardized PL spectrum for a PL spectrum of 400 nm or more and 600 nm or less of the film is provided.
  • the (9-phenyl) carbazolyl group is specifically any of the following groups unless otherwise described in the present specification.
  • the "substituted or unsubstituted divalent heterocyclic group" described in the present specification shall exclude one hydrogen atom on the heterocycle from the above "substituted or unsubstituted heterocyclic group”. It is a divalent group derived by.
  • specific example group G13 of the "substituted or unsubstituted divalent heterocyclic group"
  • Examples thereof include a divalent group derived by removing an atom.
  • the substituent in the case of "substitutable or unsubstituted" is Alkyl groups with 1 to 18 carbon atoms, It is a group selected from the group consisting of an aryl group having 6 to 18 ring-forming carbon atoms and a heterocyclic group having 5 to 18 ring-forming atoms.
  • triplet excitons (hereinafter, triplet excitons).
  • 3A * triplet excitons collide with each other and the reaction shown in the following equation occurs.
  • 1 A represents the ground state
  • 1 A * represents the lowest excited singlet exciton.
  • the triplet energy T 1 (H1) of the first host material in the first light emitting layer and the second host material in the second light emitting layer The significance of the triplet energy T 1 (H2) satisfying the relationship of the above mathematical formula (Equation 1) will be described.
  • the triplet excitons generated by the recombination of holes and electrons in the first light emitting layer by satisfying the relationship of the above formula (Equation 1) are the first. Even if carriers are excessively present at the interface between the organic layer that is in direct contact with one light emitting layer, it is considered that the triplet excitons existing at the interface between the first light emitting layer and the organic layer are less likely to be quenched.
  • the film thickness d1 of the first light emitting layer 51 is measured as follows.
  • the central portion of the organic EL element 1 (reference numeral CL in FIG. 1) is cut in a direction perpendicular to the formation surface of the first light emitting layer 51 (that is, in the film thickness d1 direction of the first light emitting layer 51).
  • the cut surface at the center is observed and measured with a transmission electron microscope (TEM).
  • the central portion of the organic EL element 1 means the central portion of the shape obtained by projecting the organic EL element 1 from the cathode 4 side, and for example, when the projected shape is rectangular, it means the intersection of the diagonal lines of the rectangle.
  • the film thickness d2 of the second light emitting layer 52 is also measured by the same method.
  • the overlap integral of the PL spectrum will be described.
  • the overlap integral of the PL spectra is obtained by adding the first light emitting material to the first host material and adding the first light emitting material to the PL spectrum at 400 nm or more and 600 nm or less, and to the second host material.
  • the PL spectrum of the second film to which the light emitting material is added in the range of 400 nm or more and 600 nm or less is standardized.
  • the triplet energy T 1 (H1) of the first host material and the triplet energy T 1 (H2) of the second host material are the following mathematical formulas (Equation 5). It is preferable to satisfy the relationship of. T 1 (H1) -T 1 (H2)> 0.03 eV ... (Equation 5)
  • the method for measuring the maximum peak wavelength of a compound (light emitting material) is as follows. A 5 ⁇ mol / L toluene solution of the compound to be measured is prepared, placed in a quartz cell, and the emission spectrum (vertical axis: emission intensity, horizontal axis: wavelength) of this sample is measured at room temperature (300 K).
  • the emission spectrum can be measured by a spectrofluorometer (device name: F-7000) manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd.
  • the emission spectrum measuring device is not limited to the device used here.
  • the peak wavelength of the emission spectrum having the maximum emission intensity is defined as the maximum peak wavelength.
  • the triplet energy T 1 (H1) of the first host material and the triplet energy T 1 (D1) of the first light emitting material are the following mathematical formulas (Equation 2A). It is preferable to satisfy the relationship of. T 1 (D1)> T 1 (H1) ... (Equation 2A)
  • the triplet energy T 1 (H1) of the first host material satisfies the relationship of the following mathematical formula (Equation 12A), and satisfies the relationship of the following mathematical formula (Equation 12B). It is also preferable. T 1 (H1)> 2.10 eV ... (Equation 12A) T 1 (H1)> 2.15eV ... (Equation 12B)
  • the organic EL device may have an anode, a first light emitting layer, a second light emitting layer, and a cathode in this order, but the first light emitting layer and the second light emitting layer are used.
  • the order of the light emitting layers can also be reversed.
  • the anode as the first electrode, the first light emitting layer, the second light emitting layer, and the cathode as the second electrode are provided in this order.
  • the order of the first light emitting layer and the second light emitting layer can be reversed.
  • the “contacting” layer structure may include, for example, any of the following aspects (LS1), (LS2) and (LS3).
  • (LS1) A region in which both the first host material and the second host material coexist in the process of going through the step of vapor deposition of the compound related to the first light emitting layer and the step of vapor deposition of the compound related to the second light emitting layer.
  • the organic EL element according to the embodiment includes a third light emitting layer
  • the first light emitting layer and the second light emitting layer are in direct contact with each other
  • the second light emitting layer and the said second light emitting layer are in direct contact with each other. It is preferable that the third light emitting layer is in direct contact with the third light emitting layer.
  • the metal material for example, a single material such as Al, Ag, Ta, Zn, Mo, W, Ni, Cr or an alloy material containing these metals as a main component (preferably 50% by mass or more of the whole); NiP, Amorphous alloys such as NiB, CrP, and CrB; microcrystalline alloys such as NiAl and silver alloys; and the like.
  • APC alloy of silver, palladium and copper
  • ARA alloy of silver, rubidium and gold
  • MoCr alloy of molybdenum and chromium
  • NiCr alloy of nickel and chromium
  • the light reflection layer may be a single layer or a plurality of layers.
  • the * in the general formula (12), the general formula (13) and the general formula (14) is the connection position with the L 101 in the general formula (11), or the general formula (111) or the general formula (111b). ) Indicates the connection position with L 112 . )
  • L 111 is bonded to the position of the carbon atom of * 2 in the ring structure represented by the general formula (111aX), and L 112 is the general formula (11aX).
  • the group represented by the general formula (111X) is represented by the following general formula (111bX).
  • R 1501 to R 1514 is a group represented by the general formula (151).
  • the plurality of groups represented by the general formula (151) are the same or different from each other.
  • L 1501 is Single bond, It is an arylene group having 6 to 50 substituted or unsubstituted ring-forming carbon atoms, or a divalent heterocyclic group having 5 to 50 substituted or unsubstituted ring-forming atoms.
  • Ar 1501 is A substituted or unsubstituted ring-forming aryl group having 6 to 50 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 5 to 50 ring-forming atoms.
  • L 201 and L 202 are independent of each other.
  • Ar 201 and Ar 202 are independently substituted or unsubstituted aryl groups having 6 to 50 carbon atoms.
  • the a ring, the b ring, and the c ring in the general formula (6) are independently substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon rings having 6 to 50 carbon atoms. In one embodiment, the a ring, b ring and c ring in the general formula (6) are independently substituted or unsubstituted benzene rings or naphthalene rings, respectively.
  • R 601A combines with one or more selected from the group consisting of R 611 and R 621 to form a substituted or unsubstituted heterocycle, or does not form a substituted or unsubstituted heterocycle.
  • R 602A combines with one or more selected from the group consisting of R 613 and R 614 to form a substituted or unsubstituted heterocycle, or does not form a substituted or unsubstituted heterocycle.
  • R 601A and R 602A which do not form the substituted or unsubstituted heterocycle, are independent of each other.
  • Substituentally substituted or unsubstituted alkyl groups having 1 to 50 carbon atoms Substituent or unsubstituted alkenyl groups having 2 to 50 carbon atoms, Substituentally or unsubstituted alkynyl groups having 2 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, A substituted or unsubstituted ring-forming aryl group having 6 to 50 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 5 to 50 ring-forming atoms.
  • Hydrogen atom Substituentally substituted or unsubstituted alkyl groups having 1 to 50 carbon atoms, Substituent or unsubstituted alkenyl groups having 2 to 50 carbon atoms, Substituentally or unsubstituted alkynyl groups having 2 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, -A group represented by Si (R 901 ) (R 902 ) (R 903 ), A group represented by -O- (R 904 ), A group represented by -S- (R 905 ), -A group represented by N (R 906 ) (R 907 ), Halogen atom, Cyano group, Nitro group, A substituted or unsubstituted ring-forming aryl group having 6 to 50 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 5 to 50 ring-forming atoms.
  • Substituentally substituted or unsubstituted alkyl groups having 1 to 50 carbon atoms Substituent or unsubstituted alkenyl groups having 2 to 50 carbon atoms, Substituentally or unsubstituted alkynyl groups having 2 to 50 carbon atoms, A substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 ring-forming carbon atoms, or an substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 ring-forming carbon atoms.
  • At least one of R 671 to R 675 is Substituentally substituted or unsubstituted alkyl groups having 1 to 50 carbon atoms, Substituent or unsubstituted alkenyl groups having 2 to 50 carbon atoms, Substituentally or unsubstituted alkynyl groups having 2 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, A group represented by ⁇ N (R 906 ) (R 907 ), or an substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 carbon atoms.
  • R 681 to R 686 are independent of each other.
  • the third element light emitting layer 70 may be a single layer, a laminated structure, a fluorescent light emitting layer, or a phosphorescent light emitting layer.
  • the light emitted from the first element 100, the second element 200, and the third element 300 is taken out from the anode 3 side, and is a color conversion unit (first color filter 81, second color filter 82, and second color filter 82). It passes through the third color filter 83) and is emitted to the outside of the organic EL light emitting device 102.
  • Example 2 A layer (light reflecting layer) (thickness 100 nm) of silver alloy APC (Ag-Pd-Cu) and a layer (conductive layer) (film) of indium zinc oxide (IZO) on a glass substrate. A thickness of 10 nm) was formed in this order by a sputtering method. Subsequently, using a normal lithography technique, the conductive material layer composed of the light reflecting layer and the conductive layer was patterned by etching using the resist pattern as a mask to form an anode having the light reflecting layer. The substrate on which the lower electrode (anode) was formed was ultrasonically cleaned in isopropyl alcohol for 5 minutes, and then UV ozone cleaning was performed for 30 minutes.
  • the compounds HT1 and HA1 were co-deposited using a vacuum vapor deposition method to form a hole injection layer having a film thickness of 10 nm.
  • the concentration of compound HT1 in the hole injection layer was 97% by mass, and the concentration of HA1 was 3% by mass.
  • the compound HT1 was deposited on the hole injection layer to form a first hole transport layer (HT) having a film thickness of 114 nm.
  • the compound EB1 is deposited on the first hole transport layer, and a second hole transport layer (also referred to as an electron barrier layer) (EBL) having a film thickness of 5 nm is deposited.
  • EBL electron barrier layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

陽極（３）、発光層、及び陰極（４）を有する有機ＥＬ素子（１）であって、発光層は第一発光層（５１）及び第二発光層（５２）を含み、第一発光層（５１）は、第一ホスト材料及び最大ピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一発光材料を含み、第二発光層（５２）は、第二ホスト材料及び前記発光を示す第二発光材料を含み、第一のホスト材料及び第二ホスト材料が(数１)を満たし、第一ホスト材料に第一発光材料を添加した第一膜のＰＬスペクトルの最大ピーク波長λ１及びＦＷＨＭ１、並びに第二ホスト材料に第二発光材料を添加した第二膜のＰＬスペクトルの最大ピーク波長λ２及びＦＷＨＭ２が(数２０)、(数３０)を満たす有機ＥＬ素子（１）。 Ｔ１(Ｈ１)＞Ｔ１(Ｈ２)　(数１) ｜λ１－λ２｜　≦　３ｎｍ　(数２０) ｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜　≦　２ｎｍ　(数３０)

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び電子機器
　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び電子機器に関する。
　有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という場合がある。）は、携帯電話及びテレビ等のフルカラーディスプレイへ応用されている。有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、陽極から正孔が発光層に注入され、また陰極から電子が発光層に注入される。そして、発光層において、注入された正孔と電子とが再結合し、励起子が形成される。このとき、電子スピンの統計則により、一重項励起子が２５％の割合で生成し、及び三重項励起子が７５％の割合で生成する。
　有機ＥＬ素子の性能向上を図るため、例えば、特許文献１には、発光層がアントラセン系化合物及びピレン系化合物を含み、さらにドーパント材料を含む有機電界発光素子が記載されている。
　また、特許文献２には、有機ＥＬ素子の性能向上を図るため、２つの三重項励起子の衝突融合により一重項励起子が生成する現象（以下、Ｔｒｉｐｌｅｔ－Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｆｕｓｉｏｎ＝ＴＴＦ現象と称する場合がある。）が記載されている。
　有機ＥＬ素子の性能としては、例えば、輝度、発光波長、色度、発光効率、駆動電圧、及び寿命が挙げられる。
特開２０１９－１６１２１８号公報 国際公開第２０１０／１３４３５０号
　本発明の目的の一つは、性能が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。また、本発明の別の目的の一つは、発光効率が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した有機エレクトロルミネッセンス発光装置を提供すること、並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供することである。
　本発明の一態様によれば、
　陽極、
　発光層、及び
　陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
　前記発光層は第一の発光層及び第二の発光層を含み、
　前記第一の発光層は、第一のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光材料と、を含み、
　前記第二の発光層は、第二のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光材料と、を含み、
　前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、
　前記第一の発光材料と前記第二の発光材料とは互いに同一であるか、または異なり、
　前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、
　前記第一のホスト材料に、前記第一の発光材料を添加した第一の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ１及び半値幅ＦＷＨＭ１、並びに前記第二のホスト材料に、前記第二の発光材料を添加した第二の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ２及び半値幅ＦＷＨＭ２が、下記数式（数２０）及び（数３０）を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
　　　Ｔ１（Ｈ１）＞Ｔ１（Ｈ２）　　　　　　　　…（数１）
　　　｜λ１－λ２｜　≦　３ｎｍ　　　　　　　　…（数２０）
　　　｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜　≦　２ｎｍ　　…（数３０）
　本発明の一態様によれば、
　陽極、
　発光層及び
　陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
　前記発光層は第一の発光層及び第二の発光層を含み、
　前記第一の発光層は、第一のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光材料と、を含み、
　前記第二の発光層は、第二のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光材料と、を含み、
　前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、
　前記第一の発光材料と前記第二の発光材料とが、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、
　前記第一のホスト材料に、前記第一の発光材料を添加した第一の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルと、前記第二のホスト材料に、前記第二の発光材料を添加した第二の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルについて、それぞれを規格化したＰＬスペクトルの重なり積分は、９９．０％以上である有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
　　　Ｔ１（Ｈ１）＞Ｔ１（Ｈ２）　　　　　　　　…（数１）
　本発明の一態様によれば、
　第一電極、
　正孔輸送帯域、
　発光層、
　電子輸送帯域、及び
　半透過性の第二電極をこの順で有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
　前記発光層は第一の発光層及び第二の発光層を含み、
　前記第一の発光層は、第一のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光材料と、を含み、
　前記第二の発光層は、第二のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光材料と、を含み、
　前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、
　前記第一の発光材料と前記第二の発光材料とは互いに同一であるか、または異なり、
　前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、
　前記第一のホスト材料に、前記第一の発光材料を添加した第一の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ１及び半値幅ＦＷＨＭ１、並びに前記第二のホスト材料に、前記第二の発光材料を添加した第二の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ２及び半値幅ＦＷＨＭ２が、下記数式（数２０）及び（数３０）を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
　　　Ｔ１（Ｈ１）＞Ｔ１（Ｈ２）　　　　　　　　…（数１）
　　　｜λ１－λ２｜　≦　３ｎｍ　　　　　　　　…（数２０）
　　　｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜　≦　２ｎｍ　　…（数３０）
　本発明の一態様によれば、
　第一電極、
　正孔輸送帯域、
　発光層、
　電子輸送帯域、及び
　半透過性の第二電極をこの順で有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
　前記発光層は第一の発光層及び第二の発光層を含み、
　前記第一の発光層は、第一のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光材料と、を含み、
　前記第二の発光層は、第二のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光材料と、を含み、
　前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、
　前記第一の発光材料と前記第二の発光材料とが、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、
　前記第一のホスト材料に、前記第一の発光材料を添加した第一の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルと、前記第二のホスト材料に、前記第二の発光材料を添加した第二の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルについて、それぞれを規格化したＰＬスペクトルの重なり積分は、９９．０％以上である有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
　　　Ｔ１（Ｈ１）＞Ｔ１（Ｈ２）　　　　　　　　…（数１）
　本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子である第１の素子と、前記第１の素子とは異なる有機エレクトロルミネッセンス素子である第２の素子とを有する有機エレクトロルミネッセンス発光装置が提供される。
　本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置を搭載した電子機器が提供される。
　本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器が提供される。
　本発明の一態様によれば、性能が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できる。また、本発明の一態様によれば、発光効率が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できる。また、本発明の一態様によれば、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した有機エレクトロルミネッセンス発光装置を提供できる。また、本発明の一態様によれば、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供できる。
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の一例の概略構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の一例の概略構成を示す図である。 実施例等で用いた発光層と同一構成である第一の膜及び第二の膜のＰＬスペクトルである。
［定義］
　本明細書において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、及び三重水素（tritium）を包含する。
　本明細書において、化学構造式中、「Ｒ」等の記号や重水素原子を表す「Ｄ」が明示されていない結合可能位置には、水素原子、即ち、軽水素原子、重水素原子、又は三重水素原子が結合しているものとする。
　本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、及び複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、別途記載のない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジン環は環形成炭素数５であり、フラン環は環形成炭素数４である。また、例えば、９，９－ジフェニルフルオレニル基の環形成炭素数は１３であり、９，９’－スピロビフルオレニル基の環形成炭素数は２５である。
　また、ベンゼン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ベンゼン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているベンゼン環の環形成炭素数は、６である。また、ナフタレン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ナフタレン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているナフタレン環の環形成炭素数は、１０である。
　本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば、単環、縮合環、及び環集合）の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、及び複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子の結合を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、別途記載のない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。例えば、ピリジン環に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子の数は、ピリジン環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合しているピリジン環の環形成原子数は、６である。また、例えば、キナゾリン環の炭素原子に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子については、キナゾリン環の環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合しているキナゾリン環の環形成原子数は１０である。
　本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表し、置換されている場合の置換基の炭素数を含めない。ここで、「ＹＹ」は、「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」は、１以上の整数を意味し、「ＹＹ」は、２以上の整数を意味する。
　本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表し、置換されている場合の置換基の原子数を含めない。ここで、「ＹＹ」は、「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」は、１以上の整数を意味し、「ＹＹ」は、２以上の整数を意味する。
　本明細書において、無置換のＺＺ基とは「置換もしくは無置換のＺＺ基」が「無置換のＺＺ基」である場合を表し、置換のＺＺ基とは「置換もしくは無置換のＺＺ基」が「置換のＺＺ基」である場合を表す。
　本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「無置換」とは、ＺＺ基における水素原子が置換基と置き換わっていないことを意味する。「無置換のＺＺ基」における水素原子は、軽水素原子、重水素原子、又は三重水素原子である。
　また、本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「置換」とは、ＺＺ基における１つ以上の水素原子が、置換基と置き換わっていることを意味する。「ＡＡ基で置換されたＢＢ基」という場合における「置換」も同様に、ＢＢ基における１つ以上の水素原子が、ＡＡ基と置き換わっていることを意味する。
「本明細書に記載の置換基」
　以下、本明細書に記載の置換基について説明する。
　本明細書に記載の「無置換のアリール基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
　本明細書に記載の「無置換の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
　本明細書に記載の「無置換のアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。
　本明細書に記載の「無置換のアルケニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
　本明細書に記載の「無置換のアルキニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
　本明細書に記載の「無置換のシクロアルキル基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、３～５０であり、好ましくは３～２０、より好ましくは３～６である。
　本明細書に記載の「無置換のアリーレン基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
　本明細書に記載の「無置換の２価の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
　本明細書に記載の「無置換のアルキレン基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。
・「置換もしくは無置換のアリール基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」の具体例（具体例群Ｇ１）としては、以下の無置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ａ）及び置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「無置換のアリール基」である場合を指し、置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「置換のアリール基」である場合を指す。）本明細書において、単に「アリール基」という場合は、「無置換のアリール基」と「置換のアリール基」の両方を含む。
　「置換のアリール基」は、「無置換のアリール基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアリール基」としては、例えば、下記具体例群Ｇ１Ａの「無置換のアリール基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ１Ｂの置換のアリール基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアリール基」の例、及び「置換のアリール基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアリール基」には、下記具体例群Ｇ１Ｂの「置換のアリール基」におけるアリール基自体の炭素原子に結合する水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ１Ｂの「置換のアリール基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。
・無置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ａ）：
フェニル基、
ｐ－ビフェニル基、
ｍ－ビフェニル基、
ｏ－ビフェニル基、
ｐ－ターフェニル－４－イル基、
ｐ－ターフェニル－３－イル基、
ｐ－ターフェニル－２－イル基、
ｍ－ターフェニル－４－イル基、
ｍ－ターフェニル－３－イル基、
ｍ－ターフェニル－２－イル基、
ｏ－ターフェニル－４－イル基、
ｏ－ターフェニル－３－イル基、
ｏ－ターフェニル－２－イル基、
１－ナフチル基、
２－ナフチル基、
アントリル基、
ベンゾアントリル基、
フェナントリル基、
ベンゾフェナントリル基、
フェナレニル基、
ピレニル基、
クリセニル基、
ベンゾクリセニル基、
トリフェニレニル基、
ベンゾトリフェニレニル基、
テトラセニル基、
ペンタセニル基、
フルオレニル基、
９，９’－スピロビフルオレニル基、
ベンゾフルオレニル基、
ジベンゾフルオレニル基、
フルオランテニル基、
ベンゾフルオランテニル基、
ペリレニル基、及び
下記一般式（ＴＥＭＰ－１）～（ＴＥＭＰ－１５）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価のアリール基。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
・置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ｂ）：ｏ－トリル基、
ｍ－トリル基、
ｐ－トリル基、
パラ－キシリル基、
メタ－キシリル基、
オルト－キシリル基、
パラ－イソプロピルフェニル基、
メタ－イソプロピルフェニル基、
オルト－イソプロピルフェニル基、
パラ－ｔ－ブチルフェニル基、
メタ－ｔ－ブチルフェニル基、
オルト－ｔ－ブチルフェニル基、
３，４，５－トリメチルフェニル基、
９，９－ジメチルフルオレニル基、
９，９－ジフェニルフルオレニル基、
９，９－ビス（４－メチルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ビス（４－イソプロピルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）フルオレニル基、
シアノフェニル基、
トリフェニルシリルフェニル基、
トリメチルシリルフェニル基、
フェニルナフチル基、
ナフチルフェニル基、及び
前記一般式（ＴＥＭＰ－１）～（ＴＥＭＰ－１５）で表される環構造から誘導される１価の基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基。
・「置換もしくは無置換の複素環基」
　本明細書に記載の「複素環基」は、環形成原子にヘテロ原子を少なくとも１つ含む環状の基である。ヘテロ原子の具体例としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、及びホウ素原子が挙げられる。
　本明細書に記載の「複素環基」は、単環の基であるか、又は縮合環の基である。
　本明細書に記載の「複素環基」は、芳香族複素環基であるか、又は非芳香族複素環基である。
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ２）としては、以下の無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ）、及び置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「無置換の複素環基」である場合を指し、置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「置換の複素環基」である場合を指す。）本明細書において、単に「複素環基」という場合は、「無置換の複素環基」と「置換の複素環基」の両方を含む。
　「置換の複素環基」は、「無置換の複素環基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換の複素環基」の具体例は、下記具体例群Ｇ２Ａの「無置換の複素環基」の水素原子が置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ２Ｂの置換の複素環基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換の複素環基」の例や「置換の複素環基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換の複素環基」には、具体例群Ｇ２Ｂの「置換の複素環基」における複素環基自体の環形成原子に結合する水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ２Ｂの「置換の複素環基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。
　具体例群Ｇ２Ａは、例えば、以下の窒素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ１）、酸素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ２）、硫黄原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ３）、及び下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ４）を含む。
　具体例群Ｇ２Ｂは、例えば、以下の窒素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ１）、酸素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ２）、硫黄原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ３）、及び下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基（具体例群Ｇ２Ｂ４）を含む。
・窒素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ１）：
ピロリル基、
イミダゾリル基、
ピラゾリル基、
トリアゾリル基、
テトラゾリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ピリジル基、
ピリダジニル基、
ピリミジニル基、
ピラジニル基、
トリアジニル基、
インドリル基、
イソインドリル基、
インドリジニル基、
キノリジニル基、
キノリル基、
イソキノリル基、
シンノリル基、
フタラジニル基、
キナゾリニル基、
キノキサリニル基、
ベンゾイミダゾリル基、
インダゾリル基、
フェナントロリニル基、
フェナントリジニル基、
アクリジニル基、
フェナジニル基、
カルバゾリル基、
ベンゾカルバゾリル基、
モルホリノ基、
フェノキサジニル基、
フェノチアジニル基、
アザカルバゾリル基、及びジアザカルバゾリル基。
・酸素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ２）：フリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
キサンテニル基、
ベンゾフラニル基、
イソベンゾフラニル基、
ジベンゾフラニル基、
ナフトベンゾフラニル基、
ベンゾオキサゾリル基、
ベンゾイソキサゾリル基、
フェノキサジニル基、
モルホリノ基、
ジナフトフラニル基、
アザジベンゾフラニル基、
ジアザジベンゾフラニル基、
アザナフトベンゾフラニル基、及び
ジアザナフトベンゾフラニル基。
・硫黄原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ３）：
チエニル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ベンゾチオフェニル基（ベンゾチエニル基）、
イソベンゾチオフェニル基（イソベンゾチエニル基）、
ジベンゾチオフェニル基（ジベンゾチエニル基）、
ナフトベンゾチオフェニル基（ナフトベンゾチエニル基）、
ベンゾチアゾリル基、
ベンゾイソチアゾリル基、
フェノチアジニル基、
ジナフトチオフェニル基（ジナフトチエニル基）、
アザジベンゾチオフェニル基（アザジベンゾチエニル基）、
ジアザジベンゾチオフェニル基（ジアザジベンゾチエニル基）、
アザナフトベンゾチオフェニル基（アザナフトベンゾチエニル基）、及び
ジアザナフトベンゾチオフェニル基（ジアザナフトベンゾチエニル基）。
・下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ４）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）において、ＸＡ及びＹＡは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、又はＣＨ２である。ただし、ＸＡ及びＹＡのうち少なくとも１つは、酸素原子、硫黄原子、又はＮＨである。
　前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）において、ＸＡ及びＹＡの少なくともいずれかがＮＨ、又はＣＨ２である場合、前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基には、これらＮＨ、又はＣＨ２から１つの水素原子を除いて得られる１価の基が含まれる。
・窒素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ１）：
（９－フェニル）カルバゾリル基、
（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、
（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、
（９－ナフチル）カルバゾリル基、
ジフェニルカルバゾール－９－イル基、
フェニルカルバゾール－９－イル基、
メチルベンゾイミダゾリル基、
エチルベンゾイミダゾリル基、
フェニルトリアジニル基、
ビフェニリルトリアジニル基、
ジフェニルトリアジニル基、
フェニルキナゾリニル基、及び
ビフェニリルキナゾリニル基。
・酸素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ２）：
フェニルジベンゾフラニル基、
メチルジベンゾフラニル基、
ｔ－ブチルジベンゾフラニル基、及び
スピロ［９Ｈ－キサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基。
・硫黄原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ３）：
フェニルジベンゾチオフェニル基、
メチルジベンゾチオフェニル基、
ｔ－ブチルジベンゾチオフェニル基、及び
スピロ［９Ｈ－チオキサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基。
・前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基（具体例群Ｇ２Ｂ４）：
　前記「１価の複素環基の１つ以上の水素原子」とは、該１価の複素環基の環形成炭素原子に結合している水素原子、ＸＡ及びＹＡの少なくともいずれかがＮＨである場合の窒素原子に結合している水素原子、及びＸＡ及びＹＡの一方がＣＨ２である場合のメチレン基の水素原子から選ばれる１つ以上の水素原子を意味する。
・「置換もしくは無置換のアルキル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ３）としては、以下の無置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ａ）及び置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）が挙げられる。（ここで、無置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「無置換のアルキル基」である場合を指し、置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「置換のアルキル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキル基」という場合は、「無置換のアルキル基」と「置換のアルキル基」の両方を含む。
　「置換のアルキル基」は、「無置換のアルキル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルキル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルキル基」（具体例群Ｇ３Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）の例等が挙げられる。本明細書において、「無置換のアルキル基」におけるアルキル基は、鎖状のアルキル基を意味する。そのため、「無置換のアルキル基」は、直鎖である「無置換のアルキル基」、及び分岐状である「無置換のアルキル基」が含まれる。尚、ここに列挙した「無置換のアルキル基」の例や「置換のアルキル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルキル基」には、具体例群Ｇ３Ｂの「置換のアルキル基」におけるアルキル基自体の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ３Ｂの「置換のアルキル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。
・無置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ａ）：
メチル基、
エチル基、
ｎ－プロピル基、
イソプロピル基、
ｎ－ブチル基、
イソブチル基、
ｓ－ブチル基、及びｔ－ブチル基。
・置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）：
ヘプタフルオロプロピル基（異性体を含む）、
ペンタフルオロエチル基、
２，２，２－トリフルオロエチル基、及び
トリフルオロメチル基。
・「置換もしくは無置換のアルケニル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルケニル基」の具体例（具体例群Ｇ４）としては、以下の無置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ａ）、及び置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアルケニル基とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「無置換のアルケニル基」である場合を指し、「置換のアルケニル基」とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「置換のアルケニル基」である場合を指す。）本明細書において、単に「アルケニル基」という場合は、「無置換のアルケニル基」と「置換のアルケニル基」の両方を含む。
　「置換のアルケニル基」は、「無置換のアルケニル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルケニル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルケニル基」（具体例群Ｇ４Ａ）が置換基を有する基、及び置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアルケニル基」の例や「置換のアルケニル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルケニル基」には、具体例群Ｇ４Ｂの「置換のアルケニル基」におけるアルケニル基自体の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ４Ｂの「置換のアルケニル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。
・無置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ａ）：
ビニル基、
アリル基、
１－ブテニル基、
２－ブテニル基、及び
３－ブテニル基。
・置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）：
１，３－ブタンジエニル基、
１－メチルビニル基、
１－メチルアリル基、
１，１－ジメチルアリル基、
２－メチルアリル基、及び
１，２－ジメチルアリル基。
・「置換もしくは無置換のアルキニル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキニル基」の具体例（具体例群Ｇ５）としては、以下の無置換のアルキニル基（具体例群Ｇ５Ａ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアルキニル基とは、「置換もしくは無置換のアルキニル基」が「無置換のアルキニル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキニル基」という場合は、「無置換のアルキニル基」と「置換のアルキニル基」の両方を含む。
　「置換のアルキニル基」は、「無置換のアルキニル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルキニル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルキニル基」（具体例群Ｇ５Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基等が挙げられる。
・無置換のアルキニル基（具体例群Ｇ５Ａ）：エチニル基。
・「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ６）としては、以下の無置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ａ）、及び置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「無置換のシクロアルキル基」である場合を指し、置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「置換のシクロアルキル基」である場合を指す。）本明細書において、単に「シクロアルキル基」という場合は、「無置換のシクロアルキル基」と「置換のシクロアルキル基」の両方を含む。
　「置換のシクロアルキル基」は、「無置換のシクロアルキル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のシクロアルキル基」の具体例としては、下記の「無置換のシクロアルキル基」（具体例群Ｇ６Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のシクロアルキル基」の例や「置換のシクロアルキル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のシクロアルキル基」には、具体例群Ｇ６Ｂの「置換のシクロアルキル基」におけるシクロアルキル基自体の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ６Ｂの「置換のシクロアルキル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。
・無置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ａ）：
シクロプロピル基、
シクロブチル基、
シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、
１－アダマンチル基、
２－アダマンチル基、
１－ノルボルニル基、及び
２－ノルボルニル基。
・置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）：
４－メチルシクロヘキシル基。
・「－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基」
　本明細書に記載の－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基の具体例（具体例群Ｇ７）としては、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ２）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）、及び
－Ｓｉ（Ｇ６）（Ｇ６）（Ｇ６）
が挙げられる。ここで、
　Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
　Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
　Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
　Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
　－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ１）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ２）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｓｉ（Ｇ２）（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｓｉ（Ｇ６）（Ｇ６）（Ｇ６）における複数のＧ６は、互いに同一であるか、又は異なる。
・「－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基」
　本明細書に記載の－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基の具体例（具体例群Ｇ８）としては、
－Ｏ（Ｇ１）、
－Ｏ（Ｇ２）、
－Ｏ（Ｇ３）、及び
－Ｏ（Ｇ６）
が挙げられる。
　ここで、
　Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
　Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
　Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
　Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
・「－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基」
　本明細書に記載の－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基の具体例（具体例群Ｇ９）としては、
－Ｓ（Ｇ１）、
－Ｓ（Ｇ２）、
－Ｓ（Ｇ３）、及び
－Ｓ（Ｇ６）
が挙げられる。
　ここで、
　Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
　Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
　Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
　Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
・「－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基」
　本明細書に記載の－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基の具体例（具体例群Ｇ１０）としては、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｎ（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ３）（Ｇ３）、及び
－Ｎ（Ｇ６）（Ｇ６）
が挙げられる。
　ここで、
　Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
　Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
　Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
　Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
　－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ１）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｎ（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｎ（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。
　－Ｎ（Ｇ６）（Ｇ６）における複数のＧ６は、互いに同一であるか、又は異なる。
・「ハロゲン原子」
　本明細書に記載の「ハロゲン原子」の具体例（具体例群Ｇ１１）としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。
・「置換もしくは無置換のフルオロアルキル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のフルオロアルキル基」は、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子がフッ素原子と置き換わった基を意味し、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している全ての水素原子がフッ素原子で置き換わった基（パーフルオロ基）も含む。「無置換のフルオロアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。「置換のフルオロアルキル基」は、「フルオロアルキル基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。尚、本明細書に記載の「置換のフルオロアルキル基」には、「置換のフルオロアルキル基」におけるアルキル鎖の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び「置換のフルオロアルキル基」における置換基の１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。「無置換のフルオロアルキル基」の具体例としては、前記「アルキル基」（具体例群Ｇ３）における１つ以上の水素原子がフッ素原子と置き換わった基の例等が挙げられる。
・「置換もしくは無置換のハロアルキル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のハロアルキル基」は、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子と置き換わった基を意味し、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している全ての水素原子がハロゲン原子で置き換わった基も含む。「無置換のハロアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。「置換のハロアルキル基」は、「ハロアルキル基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。尚、本明細書に記載の「置換のハロアルキル基」には、「置換のハロアルキル基」におけるアルキル鎖の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び「置換のハロアルキル基」における置換基の１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。「無置換のハロアルキル基」の具体例としては、前記「アルキル基」（具体例群Ｇ３）における１つ以上の水素原子がハロゲン原子と置き換わった基の例等が挙げられる。ハロアルキル基をハロゲン化アルキル基と称する場合がある。
・「置換もしくは無置換のアルコキシ基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルコキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。「無置換のアルコキシ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。
・「置換もしくは無置換のアルキルチオ基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキルチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。「無置換のアルキルチオ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。
・「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。「無置換のアリールオキシ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。
・「置換もしくは無置換のアリールチオ基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリールチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。「無置換のアリールチオ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。
・「置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基」
　本明細書に記載の「トリアルキルシリル基」の具体例としては、－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。「トリアルキルシリル基」の各アルキル基の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０であり、より好ましくは１～６である。
・「置換もしくは無置換のアラルキル基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアラルキル基」の具体例としては、－（Ｇ３）－（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」であり、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。従って、「アラルキル基」は、「アルキル基」の水素原子が置換基としての「アリール基」と置き換わった基であり、「置換のアルキル基」の一態様である。「無置換のアラルキル基」は、「無置換のアリール基」が置換した「無置換のアルキル基」であり、「無置換のアラルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、７～５０であり、好ましくは７～３０であり、より好ましくは７～１８である。
　「置換もしくは無置換のアラルキル基」の具体例としては、ベンジル基、１－フェニルエチル基、２－フェニルエチル基、１－フェニルイソプロピル基、２－フェニルイソプロピル基、フェニル－ｔ－ブチル基、α－ナフチルメチル基、１－α－ナフチルエチル基、２－α－ナフチルエチル基、１－α－ナフチルイソプロピル基、２－α－ナフチルイソプロピル基、β－ナフチルメチル基、１－β－ナフチルエチル基、２－β－ナフチルエチル基、１－β－ナフチルイソプロピル基、及び２－β－ナフチルイソプロピル基等が挙げられる。
　本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリール基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはフェニル基、ｐ－ビフェニル基、ｍ－ビフェニル基、ｏ－ビフェニル基、ｐ－ターフェニル－４－イル基、ｐ－ターフェニル－３－イル基、ｐ－ターフェニル－２－イル基、ｍ－ターフェニル－４－イル基、ｍ－ターフェニル－３－イル基、ｍ－ターフェニル－２－イル基、ｏ－ターフェニル－４－イル基、ｏ－ターフェニル－３－イル基、ｏ－ターフェニル－２－イル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、９，９’－スピロビフルオレニル基、９，９－ジメチルフルオレニル基、及び９，９－ジフェニルフルオレニル基等である。
　本明細書に記載の置換もしくは無置換の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、ベンゾイミダゾリル基、フェナントロリニル基、カルバゾリル基（１－カルバゾリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基、４－カルバゾリル基、又は９－カルバゾリル基）、ベンゾカルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、（９－フェニル）カルバゾリル基（（９－フェニル）カルバゾール－１－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－２－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－３－イル基、又は（９－フェニル）カルバゾール－４－イル基）、（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、ジフェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルトリアジニル基、ビフェニリルトリアジニル基、ジフェニルトリアジニル基、フェニルジベンゾフラニル基、及びフェニルジベンゾチオフェニル基等である。
　本明細書において、カルバゾリル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　本明細書において、（９－フェニル）カルバゾリル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　前記一般式（ＴＥＭＰ－Ｃｚ１）～（ＴＥＭＰ－Ｃｚ９）中、＊は、結合位置を表す。
　本明細書において、ジベンゾフラニル基、及びジベンゾチオフェニル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　前記一般式（ＴＥＭＰ－３４）～（ＴＥＭＰ－４１）中、＊は、結合位置を表す。
　本明細書に記載の置換もしくは無置換のアルキル基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及びｔ－ブチル基等である。
・「置換もしくは無置換のアリーレン基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリーレン基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換のアリール基」からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換のアリーレン基」の具体例（具体例群Ｇ１２）としては、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。
・「置換もしくは無置換の２価の複素環基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換の２価の複素環基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換の複素環基」から複素環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換の２価の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ１３）としては、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」から複素環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。
・「置換もしくは無置換のアルキレン基」
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキレン基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換のアルキル基」からアルキル鎖上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換のアルキレン基」の具体例（具体例群Ｇ１４）としては、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」からアルキル鎖上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。
　本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリーレン基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは下記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－６８）のいずれかの基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　前記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－５２）中、Ｑ１～Ｑ１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
　前記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－５２）中、＊は、結合位置を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　前記一般式（ＴＥＭＰ－５３）～（ＴＥＭＰ－６２）中、Ｑ１～Ｑ１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
　式Ｑ９及びＱ１０は、単結合を介して互いに結合して環を形成してもよい。
　前記一般式（ＴＥＭＰ－５３）～（ＴＥＭＰ－６２）中、＊は、結合位置を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　前記一般式（ＴＥＭＰ－６３）～（ＴＥＭＰ－６８）中、Ｑ１～Ｑ８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
　前記一般式（ＴＥＭＰ－６３）～（ＴＥＭＰ－６８）中、＊は、結合位置を表す。
　本明細書に記載の置換もしくは無置換の２価の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは下記一般式（ＴＥＭＰ－６９）～（ＴＥＭＰ－１０２）のいずれかの基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　前記一般式（ＴＥＭＰ－６９）～（ＴＥＭＰ－８２）中、Ｑ１～Ｑ９は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　前記一般式（ＴＥＭＰ－８３）～（ＴＥＭＰ－１０２）中、Ｑ１～Ｑ８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
　以上が、「本明細書に記載の置換基」についての説明である。
・「結合して環を形成する場合」
　本明細書において、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は互いに結合せず」という場合は、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合と、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合と、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合しない」場合と、を意味する。
　本明細書における、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、及び「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合（以下、これらの場合をまとめて「結合して環を形成する場合」と称する場合がある。）について、以下、説明する。母骨格がアントラセン環である下記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物の場合を例として説明する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　例えば、Ｒ９２１～Ｒ９３０のうちの「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、環を形成する」場合において、１組となる隣接する２つからなる組とは、Ｒ９２１とＲ９２２との組、Ｒ９２２とＲ９２３との組、Ｒ９２３とＲ９２４との組、Ｒ９２４とＲ９３０との組、Ｒ９３０とＲ９２５との組、Ｒ９２５とＲ９２６との組、Ｒ９２６とＲ９２７との組、Ｒ９２７とＲ９２８との組、Ｒ９２８とＲ９２９との組、並びにＲ９２９とＲ９２１との組である。
　上記「１組以上」とは、上記隣接する２つ以上からなる組の２組以上が同時に環を形成してもよいことを意味する。例えば、Ｒ９２１とＲ９２２とが互いに結合して環ＱＡを形成し、同時にＲ９２５とＲ９２６とが互いに結合して環ＱＢを形成した場合は、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物は、下記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　「隣接する２つ以上からなる組」が環を形成する場合とは、前述の例のように隣接する「２つ」からなる組が結合する場合だけではなく、隣接する「３つ以上」からなる組が結合する場合も含む。例えば、Ｒ９２１とＲ９２２とが互いに結合して環ＱＡを形成し、かつ、Ｒ９２２とＲ９２３とが互いに結合して環ＱＣを形成し、互いに隣接する３つ（Ｒ９２１、Ｒ９２２及びＲ９２３）からなる組が互いに結合して環を形成して、アントラセン母骨格に縮合する場合を意味し、この場合、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物は、下記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）で表される。下記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）において、環ＱＡ及び環ＱＣは、Ｒ９２２を共有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　形成される「単環」、又は「縮合環」は、形成された環のみの構造として、飽和の環であっても不飽和の環であってもよい。「隣接する２つからなる組の１組」が「単環」、又は「縮合環」を形成する場合であっても、当該「単環」、又は「縮合環」は、飽和の環、又は不飽和の環を形成することができる。例えば、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）において形成された環ＱＡ及び環ＱＢは、それぞれ、「単環」又は「縮合環」である。また、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）において形成された環ＱＡ、及び環ＱＣは、「縮合環」である。前記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）の環ＱＡと環ＱＣとは、環ＱＡと環ＱＣとが縮合することによって縮合環となっている。前記一般式（ＴＭＥＰ－１０４）の環ＱＡがベンゼン環であれば、環ＱＡは、単環である。前記一般式（ＴＭＥＰ－１０４）の環ＱＡがナフタレン環であれば、環ＱＡは、縮合環である。
　「不飽和の環」とは、芳香族炭化水素環、又は芳香族複素環を意味する。「飽和の環」とは、脂肪族炭化水素環、又は非芳香族複素環を意味する。
　芳香族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ１において具体例として挙げられた基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
　芳香族複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２において具体例として挙げられた芳香族複素環基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
　脂肪族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ６において具体例として挙げられた基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
　「環を形成する」とは、母骨格の複数の原子のみ、あるいは母骨格の複数の原子とさらに１以上の任意の元素で環を形成することを意味する。例えば、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）に示す、Ｒ９２１とＲ９２２とが互いに結合して形成された環ＱＡは、Ｒ９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ９２２が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、１以上の任意の元素とで形成する環を意味する。具体例としては、Ｒ９２１とＲ９２２とで環ＱＡを形成する場合において、Ｒ９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ９２２とが結合するアントラセン骨格の炭素原子と、４つの炭素原子とで単環の不飽和の環を形成する場合、Ｒ９２１とＲ９２２とで形成する環は、ベンゼン環である。
　ここで、「任意の元素」は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは、炭素元素、窒素元素、酸素元素、及び硫黄元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素である。任意の元素において（例えば、炭素元素、又は窒素元素の場合）、環を形成しない結合は、水素原子等で終端されてもよいし、後述する「任意の置換基」で置換されてもよい。炭素元素以外の任意の元素を含む場合、形成される環は複素環である。
　単環または縮合環を構成する「１以上の任意の元素」は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは２個以上１５個以下であり、より好ましくは３個以上１２個以下であり、さらに好ましくは３個以上５個以下である。
　本明細書に別途記載のない限り、「単環」、及び「縮合環」のうち、好ましくは「単環」である。
　本明細書に別途記載のない限り、「飽和の環」、及び「不飽和の環」のうち、好ましくは「不飽和の環」である。
　本明細書に別途記載のない限り、「単環」は、好ましくはベンゼン環である。
　本明細書に別途記載のない限り、「不飽和の環」は、好ましくはベンゼン環である。
　「隣接する２つ以上からなる組の１組以上」が、「互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、又は「互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは、隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、母骨格の複数の原子と、１個以上１５個以下の炭素元素、窒素元素、酸素元素、及び硫黄元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素とからなる置換もしくは無置換の「不飽和の環」を形成する。
　上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基は、例えば後述する「任意の置換基」である。上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基である。
　上記の「飽和の環」、又は「不飽和の環」が置換基を有する場合の置換基は、例えば後述する「任意の置換基」である。上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基である。
　以上が、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、及び「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合（「結合して環を形成する場合」）についての説明である。
・「置換もしくは無置換の」という場合の置換基
　本明細書における一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基（本明細書において、「任意の置換基」と呼ぶことがある。）は、例えば、
無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）、
－Ｏ－（Ｒ９０４）、
－Ｓ－（Ｒ９０５）、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、及び
無置換の環形成原子数５～５０の複素環基
からなる群から選択される基等であり、
　ここで、Ｒ９０１～Ｒ９０７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
　Ｒ９０１が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ９０２が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０２は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ９０３が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０３は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ９０４が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０４は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ９０５が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０５は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ９０６が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０６は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ９０７が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０７は、互いに同一であるか又は異なる。
　一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～５０のアルキル基、
環形成炭素数６～５０のアリール基、及び
環形成原子数５～５０の複素環基
からなる群から選択される基である。
　一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～１８のアルキル基、
環形成炭素数６～１８のアリール基、及び
環形成原子数５～１８の複素環基
からなる群から選択される基である。
　上記任意の置換基の各基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基の具体例である。
　本明細書において別途記載のない限り、隣接する任意の置換基同士で、「飽和の環」、又は「不飽和の環」を形成してもよく、好ましくは、置換もしくは無置換の飽和の５員環、置換もしくは無置換の飽和の６員環、置換もしくは無置換の不飽和の５員環、又は置換もしくは無置換の不飽和の６員環を形成し、より好ましくは、ベンゼン環を形成する。
　本明細書において別途記載のない限り、任意の置換基は、さらに置換基を有してもよい。任意の置換基がさらに有する置換基としては、上記任意の置換基と同様である。
　本明細書において、「ＡＡ～ＢＢ」を用いて表される数値範囲は、「ＡＡ～ＢＢ」の前に記載される数値ＡＡを下限値とし、「ＡＡ～ＢＢ」の後に記載される数値ＢＢを上限値として含む範囲を意味する。
〔第一実施形態〕
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
　第一実施形態の有機ＥＬ素子は、陽極、発光層、及び陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層は第一の発光層及び第二の発光層を含み、前記第一の発光層は、第一のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光材料と、を含み、前記第二の発光層は、第二のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光材料と、を含み、前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、前記第一の発光材料と前記第二の発光材料とは互いに同一であるか、または異なり、前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、前記第一のホスト材料に、前記第一の発光材料を添加した第一の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ１及び半値幅ＦＷＨＭ１、並びに前記第二のホスト材料に、前記第二の発光材料を添加した第二の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ２及び半値幅ＦＷＨＭ２が、下記数式（数２０）及び（数３０）を満たす。
　　　Ｔ１（Ｈ１）＞Ｔ１（Ｈ２）　　　　　　　　…（数１）
　　　｜λ１－λ２｜　≦　３ｎｍ　　　　　　　　…（数２０）
　　　｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜　≦　２ｎｍ　　…（数３０）
　本発明者らは、前記数式（数１）の関係を満たすホスト材料を含み、前記数式（数２０）及び（数３０）の関係を満たす２つの膜（第一の膜及び第二の膜）と同一構成の発光層（第一の発光層及び第二の発光層）を備えることで、発光効率を向上できることを見出した。その理由は以下のように考えられる。
　始めに、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させるための技術として知られているＴｒｉｐｒｅｔ－Ｔｒｉｐｒｅｔ－Ａｎｎｈｉｌａｔｉｏｎ（ＴＴＡと称する場合がある。）について説明する。
　従来、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させるための技術として、Ｔｒｉｐｒｅｔ－Ｔｒｉｐｒｅｔ－Ａｎｎｈｉｌａｔｉｏｎ（ＴＴＡと称する場合がある。）が知られている。ＴＴＡは、三重項励起子と三重項励起子とが衝突して、一重項励起子を生成するという機構（メカニズム）である。なお、ＴＴＡメカニズムは、特許文献２に記載のようにＴＴＦメカニズムと称する場合もある。
　ＴＴＦ現象を説明する。陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子とは、発光層内で再結合し励起子を生成する。そのスピン状態は、従来から知られているように、一重項励起子が２５％、三重項励起子が７５％の比率である。従来知られている蛍光素子においては、２５％の一重項励起子が基底状態に緩和するときに光を発するが、残りの７５％の三重項励起子については光を発することなく熱的失活過程を経て基底状態に戻る。
従って、従来の蛍光素子の内部量子効率の理論限界値は２５％といわれていた。
　一方、有機物内部で生成した三重項励起子の挙動が理論的に調べられている。Ｓ．Ｍ．Ｂａｃｈｉｌｏらによれば（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ａ，１０４，７７１１（２０００））、五重項等の高次の励起子がすぐに三重項に戻ると仮定すると、三重項励起子（以下、３Ａ＊と記載する）の密度が上がってきたとき、三重項励起子同士が衝突し下記式のような反応が起きる。ここで、１Ａは、基底状態を表し、１Ａ＊は、最低励起一重項励起子を表す。
　　　３Ａ＊＋３Ａ＊→（４／９）１Ａ＋（１／９）１Ａ＊＋（１３／９）３Ａ＊
　即ち、５３Ａ＊→４１Ａ＋１Ａ＊となり、当初生成した７５％の三重項励起子のうち、１／５即ち２０％が一重項励起子に変化することが予測されている。従って、光として寄与する一重項励起子は、当初生成する２５％分に７５％×（１／５）＝１５％を加えた４０％ということになる。このとき、全発光強度中に占めるＴＴＦ由来の発光比率（ＴＴＦ比率）は、１５／４０、すなわち３７．５％となる。また、当初生成した７５％の三重項励起子のお互いが衝突して一重項励起子が生成した（２つの三重項励起子から１つの一重項励起子が生成した）とすると、当初生成する一重項励起子２５％分に７５％×（１／２）＝３７．５％を加えた６２．５％という非常に高い内部量子効率が得られる。このとき、ＴＴＦ比率は、３７．５／６２．５＝６０％である。
　次に、第一実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層中の第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と、第二の発光層中の第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが、前記数式（数１）の関係を満たす意義について説明する。
　第一実施形態に係る有機ＥＬ素子においては、前記数式（数１）の関係を満たすことにより、第一の発光層で正孔と電子との再結合によって生成した三重項励起子は、当該第一の発光層と直接に接する有機層との界面にキャリアが過剰に存在していても、第一の発光層と当該有機層との界面に存在する三重項励起子がクエンチされ難くなると考えられる。例えば、再結合領域が、第一の発光層と正孔輸送層又は電子障壁層との界面に局所的に存在する場合には、過剰な電子によるクエンチが考えられる。一方、再結合領域が、第一の発光層と電子輸送層又は正孔障壁層との界面に局所的に存在する場合には、過剰な正孔によるクエンチが考えられる。
　第一実施形態に係る有機ＥＬ素子は、前記数式（数１）の関係を満たすように第一の発光層及び第二の発光層を備えることで、第一の発光層で生成した三重項励起子は、過剰キャリアによってクエンチされずに第二の発光層へと移動し、また、第二の発光層から第一の発光層へ逆移動することを抑制できる。その結果、第二の発光層において、ＴＴＦメカニズムが発現して、一重項励起子が効率良く生成され、発光効率が向上する。
　このように、有機ＥＬ素子が、三重項励起子を主に生成させる第一の発光層と、第一の発光層から移動してきた三重項励起子を活用してＴＴＦメカニズムを主に発現させる第二の発光層と、を異なる領域として備え、第二の発光層中の第二のホスト材料として、第一の発光層中の第一のホスト材料よりも小さな三重項エネルギーを有する化合物を用いて、三重項エネルギーの差を設けることで、発光効率が向上する。
　次に、第一実施形態に係る有機ＥＬ素子において前記数式（数２０）及び（数３０）の関係を満たす意義について説明する。
　第一実施形態の有機ＥＬ素子は、前述の通り、発光層を積層構成とした上で、さらに前記数式（数１）の関係を満たす第一のホスト材料及び第二のホスト材料を用いて、発光効率の向上を図っている。
　しかし、発光層が積層構成の有機ＥＬ素子において、例えば、光取り出し側に色変換部を備える有機ＥＬ素子や、トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、光取り出し側に色変換部を備えないボトムエミッション型の有機ＥＬ素子と同程度に、発光層積層による高効率化を実現できないという課題が見つかった。
　第一実施形態の有機ＥＬ素子は、第一の発光層及び第二の発光層に含まれるホスト材料種がそれぞれ異なることで、各発光層におけるホスト材料と発光材料との相互作用の強さも異なるので、第一の発光層と第二の発光層との発光スペクトルの重なりを大きくすることは難しい。発光スペクトルの重なりは、例えば、第一の発光層及び第二の発光層それぞれからの発光スペクトルのピーク波長がシフトする、又は発光スペクトルの半値幅が広くなることで、より小さくなる。発光スペクトルの重なりが小さくなると、特定の波長外の発光スペクトルの割合が増加すると考えられる。
　本発明者らは、前記特定の波長外の発光スペクトルに起因する光を有効に活用し、光を取り出す際のロスを低減させることに着目した。
　第一実施形態の有機ＥＬ素子は、前記第一のホスト材料に前記第一の発光材料を添加した第一の膜と、前記第二のホスト材料に前記第二の発光材料を添加した第二の膜とのＰＬスペクトルの最大のピーク波長の差が３ｎｍ以下であり（数式（数２０））、かつ半値幅の差が２ｎｍ以下（数式（数３０））である２つの膜（第一の膜及び第二の膜）と同一構成の発光層（第一の発光層及び第二の発光層）を備える。
　すなわち、第一実施形態の有機ＥＬ素子は、第一の発光層の構成成分からなる第一の膜と、第二の発光層の構成成分からなる第二の膜とを、ＰＬスペクトルの変化（差）が小さい組合せとすることで、上部電極（陰極）又は下部電極（陽極）から光を取り出す際のロスを低減させる。その結果、発光効率が向上すると考えられる。
　第一実施形態の有機ＥＬ素子は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子、及び光取り出し側に色変換部を備える有機ＥＬ素子でより好適に用いられる。
　第一実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ１、及び前記第二の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ２は、下記数式（数２０Ａ）を満たすことが好ましく、数式（数２０Ｂ）を満たすことがより好ましい。
　　　｜λ１－λ２｜　≦　２ｎｍ　　　　　　　　…（数２０Ａ）
　　　｜λ１－λ２｜　≦　１ｎｍ　　　　　　　　…（数２０Ｂ）
　第一実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の膜のＰＬスペクトルの半値幅ＦＷＨＭ１、及び前記第二の膜のＰＬスペクトルの半値幅ＦＷＨＭ２は、下記数式（数３０Ａ）を満たすことが好ましい。
　　　｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜　≦　１ｎｍ　　…（数３０Ａ）
　第一の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ１及び半値幅ＦＷＨＭ１、並びに第二の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ２及び半値幅ＦＷＨＭ２は、以下の方法で測定できる。
　まず、第一の発光層と同一の構成になるように、以下の方法で第一の膜測定用試料を作製する。第二の発光層と同一の構成になるように、以下の方法で第二の膜測定用試料を作製する。
　「第一の発光層と同一の構成」とは、第一の膜が第一の発光層と同じ材料を用いて作製されていることを意味する。具体的には、第一の発光層が第一のホスト材料及び第一の発光材料からなる場合、第一の発光層に含まれる第一のホスト材料に対する第一の発光材料の比率（質量基準）（第一の発光材料／第一のホスト材料）と、第一の膜に含まれる第一のホスト材料に対する第一の発光材料の比率（質量基準）（第一の発光材料／第一のホスト材料）とが同一であることを意味する。
　「第二の発光層と同一の構成」についても同様である。
　第一の膜測定用試料及び第二の膜測定用試料の作製方法は、以下の通りである。
　石英基板（２５×２５ｍｍ）上に、第一のホスト材料（ＢＨ１）及び第一の発光材料（ＢＤ１）を、第一の発光層に含まれる第一のホスト材料に対する第一の発光材料の比率（質量基準）（第一の発光材料／第一のホスト材料）が同じになるように共蒸着し、膜厚５０ｎｍの第一の膜測定用試料を成膜する。その上に、塗布型乾燥剤（双葉電子工業株式会社製、ＯｌｅＤｒｙ－Ｐ２）を塗布形成した封止ガラス（外形寸法１７×１７ｍｍ、内径寸法１３×１３ｍｍ、掘り込み深さ０．５ｍｍ）を、紫外線硬化樹脂（スリーボンドファインケミカル社製、ＴＢ３１２４Ｎ（ＩＥ））にて、封止する。第二の膜測定用試料も、同様に成膜する。
　ＰＬスペクトル測定には、蛍光スペクトル測定装置（分光蛍光光度計Ｆ－７０００（株式会社日立ハイテクサイエンス製））を用いる。
　測定条件は以下の通りである。
　膜測定用試料を特定の波長（吸収スペクトルの最大のピーク波長から３０ｎｍ短波長化した値）で励起して得られたＰＬスペクトルから、膜の最大のピーク波長λ（単位：ｎｍ）及び半値幅ＦＷＨＭ（単位：ｎｍ）を算出する。
　図１に、第一実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。図１に示す有機ＥＬ素子１は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であり、光取り出し側が、陽極３側となっている。
　有機ＥＬ素子１は、透光性の基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、を含む。有機層１０は、陽極３側から順に、正孔注入層６、正孔輸送層７、第一の発光層５１、第二の発光層５２、電子輸送層８、及び電子注入層９が、この順番で積層されて構成される。また、有機ＥＬ素子１は、第一の発光層５１及び第二の発光層５２から発する光を透過させる色変換部８０を備える。図１の場合、色変換部は、カラーフィルターであり、有機ＥＬ素子１の光取り出し側である陽極３側に配置されている。
　有機ＥＬ素子１は、前記数式（数１）の関係を満たすホスト材料を含む第一の発光層５１及び第二の発光層５２を備える。第一の発光層５１は、前記数式（数２０）及び（数３０）の関係を満たす第一の膜と同じ構成からなる。第二の発光層５２は、前記数式（数２０）及び（数３０）の関係を満たす第二の膜と同じ構成からなる。
　第一実施形態に係る有機ＥＬ素子１は、図１に示す有機ＥＬ素子１の構成に限定されない。別の構成の有機ＥＬ素子としては、例えば、有機層が、陽極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、第二の発光層、第一の発光層、電子輸送層、及び電子注入層が、この順番で積層されて構成される態様が挙げられる。
　また、色変換部８０が、基板２と陽極３との間に配置される態様が挙げられる。
　第一の発光層５１の膜厚ｄ１の測定は以下のようにして行う。
　有機ＥＬ素子１の中心部（図１中、符号ＣＬ）を、第一の発光層５１の形成面に対して垂直方向（つまり第一の発光層５１の膜厚ｄ１方向）に切断し、その中心部の切断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察して測定する。
　有機ＥＬ素子１の中心部とは、有機ＥＬ素子１を陰極４側から投影した形状の中心部を意味し、例えば投影形状が矩形状である場合には矩形の対角線の交点を意味する。
　第二の発光層５２の膜厚ｄ２も同様の方法で測定する。
〔第二実施形態〕
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
　第二実施形態の有機ＥＬ素子は、陽極、発光層及び陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層は第一の発光層及び第二の発光層を含み、前記第一の発光層は、第一のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光材料と、を含み、前記第二の発光層は、第二のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光材料と、を含み、前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、前記第一の発光材料と前記第二の発光材料とが、互いに同一であるか、又は異なり、前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、前記第一のホスト材料に、前記第一の発光材料を添加した第一の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルと、前記第二のホスト材料に、前記第二の発光材料を添加した第二の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルについて、それぞれを規格化したＰＬスペクトルの重なり積分は、９９．０％以上である。
　　　Ｔ１（Ｈ１）＞Ｔ１（Ｈ２）　　　　　　　　…（数１）
　本発明者らは、前記数式（数１）の関係を満たすホスト材料を含み、かつＰＬスペクトルの重なり積分が９９．０％以上である２つの膜（第一の膜及び第二の膜）と同一構成の発光層（第一の発光層及び第二の発光層）を備えることで、発光効率を向上できることを見出した。
　本明細書において、前記ＰＬスペクトルの重なり積分が９９．０％以上であるとは、第一の膜のＰＬスペクトルと、第二の膜のＰＬスペクトルとがほぼ重なっていることを意味する。すなわち、第二実施形態においては、第一の発光層の構成成分からなる第一の膜と、第二の発光層の構成成分からなる第二の膜とを、ＰＬスペクトルの変化（差）が小さい組合せとしている。
　第二実施形態の有機ＥＬ素子によれば、第一実施形態と同様の理由により、光色変換部を経て光を取り出す際に生じる光のロスを低減できるので、発光効率を向上できる。
（ＰＬスペクトルの重なり積分）
　ＰＬスペクトルの重なり積分について説明する。
　ＰＬスペクトルの重なり積分は、前記第一のホスト材料に、前記第一の発光材料を添加した第一の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルと、前記第二のホスト材料に、前記第二の発光材料を添加した第二の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルについて、それぞれ規格化される。
　例えば、第一のホスト材料に第一の発光材料を添加した第一の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルと、第二のホスト材料に第二の発光材料を添加した第二の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルと、をそれぞれ一般化してベクトルで扱い、それぞれモードＥ１（第一の膜のＰＬスペクトルのモード）と、モードＥ２（第二の膜のＰＬスペクトルのモード）とで表した場合、モードＥ１とモードＥ２との重なり積分（ＰＯＩ：Ｐｏｗｅｒ　Ｏｖｅｒｌａｐ　Ｉｎｔｅｇｒａｌ）は、以下の数式（１００）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000022
　前記数式（１００）において、Ｅ１＝Ｅ２のとき、ＰＯＩ＝１となるので、規格化されていることがわかる。規格化された重なり積分の物理的な意味は、第一の膜のＰＬスペクトルと、第二の膜のＰＬスペクトルとの重なりの大きさを表している。
　第二実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルと、前記第二の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルについて、それぞれを規格化したＰＬスペクトルの重なり積分は、９９．５％以上であることが好ましい。
　第二実施形態の有機ＥＬ素子は、第一実施形態に対し、
　前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を満たす第一の発光層及び第二の発光層を、前記数式（数１）の関係を満たし、かつ「前記ＰＬスペクトルの重なり積分が９９．０％以上」の要件を満たす第一の発光層及び第二の発光層に置き換えたこと以外、第一実施形態の有機ＥＬ素子と同様の構成である。
　第二実施形態の有機ＥＬ素子の一例としては、図１に示すように、基板と、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に配置された有機層と、色変換部とを含む態様が挙げられる。有機層は、陽極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、第一の発光層、第二の発光層、電子輸送層、及び電子注入層が、この順番で積層されてもよいし、陽極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、第二の発光層、第一の発光層、電子輸送層、及び電子注入層が、この順番で積層されてもよい。また、色変換部は、基板と陽極との間に配置されてもよい。
〔第三実施形態〕
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
　第三実施形態の有機ＥＬ素子は、第一実施形態又は第二実施形態の一態様である。
　図２に、第三実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。図２に示す有機ＥＬ素子１Ａは、トップエミッション型の有機ＥＬ素子である。
　有機ＥＬ素子１Ａは、基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、光反射層３１と、を含む。有機層１０は、陽極３側から順に、正孔注入層６、正孔輸送層７、第一の発光層５１、第二の発光層５２、電子輸送層８、及び電子注入層９が、この順番で積層されて構成される。図２の場合、陽極３は、透明電極であり、光反射層３１は、陽極３と基板２との間に配置されている。光反射層３１は、基板２に対して陽極３とは反対側に配置されていてもよい。
　第三実施形態の有機ＥＬ素子１Ａにおいて、別の構成の有機ＥＬ素子としては、例えば、有機層が、陽極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、第二の発光層、第一の発光層、電子輸送層、及び電子注入層が、この順番で積層されて構成される態様が挙げられる。また、陰極の上に色変換部を配置する態様が挙げられる。
　第三実施形態の有機ＥＬ素子１Ａによれば、第一実施形態と同様の理由により、上部電極（陰極）から光を取り出す際に生じる光のロスを低減できるので、発光効率を向上できる。
〔第四実施形態〕
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
　第四実施形態の有機ＥＬ素子は、第一電極、正孔輸送帯域、発光層、電子輸送帯域、及び半透過性の第二電極をこの順で有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層は第一の発光層及び第二の発光層を含み、前記第一の発光層は、第一のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光材料と、を含み、前記第二の発光層は、第二のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光材料と、を含み、前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、前記第一の発光材料と前記第二の発光材料とは互いに同一であるか、または異なり、前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、前記第一のホスト材料に、前記第一の発光材料を添加した第一の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ１及び半値幅ＦＷＨＭ１、並びに前記第二のホスト材料に、前記第二の発光材料を添加した第二の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ２及び半値幅ＦＷＨＭ２が、下記数式（数２０）及び（数３０）を満たす。
　　　Ｔ１（Ｈ１）＞Ｔ１（Ｈ２）　　　　　　　　…（数１）
　　　｜λ１－λ２｜　≦　３ｎｍ　　　　　　　　…（数２０）
　　　｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜　≦　２ｎｍ　　…（数３０）
　本発明者らは、前記数式（数１）の関係を満たすホスト材料を含み、前記数式（数２０）及び（数３０）の関係を満たす２つの膜（第一の膜及び第二の膜）と同一構成の発光層（第一の発光層及び第二の発光層）を備えることで、発光効率を向上できることを見出した。その理由は第一実施形態で説明した理由と同様である。
　第四実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ１、及び前記第二の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ２は、前記数式（数２０Ａ）を満たすことが好ましく、前記数式（数２０Ｂ）を満たすことがより好ましい。
　第四実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の膜のＰＬスペクトルの半値幅ＦＷＨＭ１、及び前記第二の膜のＰＬスペクトルの半値幅ＦＷＨＭ２は、前記数式（数３０Ａ）を満たすことが好ましい。
　第一の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ１及び半値幅ＦＷＨＭ１、並びに第二の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ２及び半値幅ＦＷＨＭ２は、第一実施形態で説明した方法と同様の方法で測定できる。
　図３に、第四実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。図３に示す有機ＥＬ素子は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子である。
　有機ＥＬ素子１Ｂは、基板２と、光反射層３１と、第一電極としての陽極３と、第二電極としての陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、を含む。有機層１０は、陽極３側から順に、正孔注入層６、正孔輸送層７、第一の発光層５１、第二の発光層５２、電子輸送層８、及び電子注入層９が、この順番で積層されて構成される。図３の場合、陽極３は、透明電極である。光反射層３１は、陽極３と基板２との間に配置されている。
　有機ＥＬ素子１Ｂは、前記数式（数１）の関係を満たすホスト材料を含む第一の発光層５１及び第二の発光層５２を備える。第一の発光層５１は、前記数式（数２０）及び（数３０）の関係を満たす第一の膜と同じ構成からなる。第二の発光層５２は、前記数式（数２０）及び（数３０）の関係を満たす第二の膜と同じ構成からなる。
　第一実施形態に係る有機ＥＬ素子１Ｂは、図３に示す有機ＥＬ素子１Ｂの構成に限定されない。別の構成の有機ＥＬ素子としては、例えば、有機層が、陽極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、第二の発光層、第一の発光層、電子輸送層、及び電子注入層が、この順番で積層されて構成される態様が挙げられる。また、陰極の上に色変換部（例えば、カラーフィルター及び量子ドット等）を配置する態様が挙げられる。
　また、光反射層が、基板に対して陽極とは反対側に配置される態様が挙げられる。図３に示す有機ＥＬ素子１Ｂにおいては、基板、光反射層及び陽極がこの順に配置されているのに対し、光反射層、基板及び陽極がこの順に配置されている態様も挙げられる。
　第一の発光層５１の膜厚ｄ１及び第二の発光層５２の膜厚ｄ２の測定方法は、第一実施形態で説明した通りである。
〔第五実施形態〕
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
　第五実施形態の有機ＥＬ素子は、第一電極、正孔輸送帯域、発光層、電子輸送帯域、及び半透過性の第二電極をこの順で有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層は第一の発光層及び第二の発光層を含み、前記第一の発光層は、第一のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光材料と、を含み、前記第二の発光層は、第二のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光材料と、を含み、前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、前記第一の発光材料と前記第二の発光材料とが、互いに同一であるか、又は異なり、前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、前記第一のホスト材料に、前記第一の発光材料を添加した第一の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルと、前記第二のホスト材料に、前記第二の発光材料を添加した第二の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルについて、それぞれを規格化したＰＬスペクトルの重なり積分は、９９．０％以上である。
　　　Ｔ１（Ｈ１）＞Ｔ１（Ｈ２）　　　　　　　　…（数１）
　本発明者らは、前記数式（数１）の関係を満たすホスト材料を含み、かつＰＬスペクトルの重なり積分が９９．０％以上である２つの膜（第一の膜及び第二の膜）と同一構成の発光層（第一の発光層及び第二の発光層）を備えることで、発光効率を向上できることを見出した。
　ＰＬスペクトルの重なり積分の定義及び説明は、第一実施形態に記載の通りである。
　第五実施形態においては、第一の発光層の構成成分からなる第一の膜と、第二の発光層の構成成分からなる第二の膜とを、ＰＬスペクトルの変化（差）が小さい組合せとしている。
　第五実施形態のトップエミッション型素子によれば、第四実施形態と同様の理由により、上部電極（第二電極）から光を取り出す際のロスを低減できるので、発光効率を向上できる。
　第五実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルと、前記第二の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルについて、それぞれを規格化したＰＬスペクトルの重なり積分は、９９．５％以上であることが好ましい。
　第五実施形態の有機ＥＬ素子は、第四実施形態に対し、
　前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を満たす第一の発光層及び第二の発光層を、前記数式（数１）の関係を満たし、かつ「前記ＰＬスペクトルの重なり積分が９９．０％以上」の要件を満たす第一の発光層及び第二の発光層に置き換えたこと以外、第四実施形態の有機ＥＬ素子と同様の構成である。
　第五実施形態の有機ＥＬ素子の一例としては、図３に示すように、基板と、第一電極としての陽極と、第二電極としての陰極と、陽極と陰極との間に配置された有機層と、を含む態様が挙げられる。有機層は、陽極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、第一の発光層、第二の発光層、電子輸送層、及び電子注入層が、この順番で積層されてもよいし、陽極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、第二の発光層、第一の発光層、電子輸送層、及び電子注入層が、この順番で積層されてもよい。
〔実施形態同士で共通する構成〕
　次に、第一実施形態から第三実施形態に係る有機ＥＬ素子に共通する好ましい態様、又は第四実施形態から第五実施形態に係る有機ＥＬ素子に共通する好ましい態様について説明する。以下、符号の記載は省略することがある。
　本明細書において、第一実施形態から第五実施形態に係る有機ＥＬ素子に共通する形態を、「前記実施形態に係る有機ＥＬ素子」と称することがある。
　第一実施形態から第三実施形態に係る有機ＥＬ素子において、光取り出し側に、色変換部を備えることが好ましい。色変換部としては特に制限は無いが、例えば、カラーフィルター、及び量子ドット等が挙げられる。光取り出し側は、陽極側であっても陰極側であってもよい。
　第四実施形態又は第五実施形態に係る有機ＥＬ素子において、さらに光反射層を備え、第一電極は、透明電極であることが好ましい。
　光反射層は、第一電極に対して発光層とは反対側に配置されることが好ましい。光反射層は、第一電極の陽極側に配置されていることが好ましい。
　第四実施形態又は第五実施形態に係る有機ＥＬ素子は、光反射層、第一電極としての透明電極、正孔輸送帯域、発光層、電子輸送帯域、及び半透過性の第二電極をこの順で有することが好ましい。
　第一電極は、反射性電極であってもよい。この態様の場合、第一電極は、光反射層と、透明性の導電層とで構成されることが好ましい。透明性の導電層は、光反射層と発光層の間に配置されることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の膜における前記第一のホスト材料に対する前記第一の発光材料の質量基準の比率（第一の発光材料／第一のホスト材料））と、前記第一の発光層における前記第一のホスト材料に対する前記第一の発光材料の質量基準の比率（第一の発光材料／第一のホスト材料）とが同じであることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の膜における前記第二のホスト材料に対する前記第二の発光材料の質量基準の比率（第二の発光材料／第二のホスト材料）と、前記第二の発光層における前記第二のホスト材料に対する前記第二の発光材料の質量基準の比率（第二の発光材料／第二のホスト材料）とが同じであることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光層中、前記第一のホスト材料の全質量に対する前記第一の発光材料の含有比率（第一の発光材料／第一のホスト材料）は、０．５質量％以上６質量％以下であることが好ましく、１質量％以上４質量％以下であることがより好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の膜中、前記第一のホスト材料の全質量に対する前記第一の発光材料の含有比率（第一の発光材料／第一のホスト材料）は、０．５質量％以上６質量％以下であることが好ましく、１質量％以上４質量％以下であることがより好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光層中、前記第二のホスト材料の全質量に対する前記第二の発光材料の含有割合（第二の発光材料／第二のホスト材料）は、０．５質量％以上６質量％以下であることが好ましく、１質量％以上４質量％以下であることがより好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の膜中、前記第二のホスト材料の全質量に対する前記第二の発光材料の含有比率（第二の発光材料／第二のホスト材料）は、０．５質量％以上６質量％以下であることが好ましく、１質量％以上４質量％以下であることがより好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、前記第一のホスト材料の電子移動度μＥ１、前記第一のホスト材料の正孔移動度μＨ１、前記第二のホスト材料の電子移動度μＥ２、及び前記第二のホスト材料の正孔移動度μＨ２が下記数式（数１５）を満たすことが好ましい。
　（μＥ２／μＨ２）＞（μＥ１／μＨ１）　…（数１５）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層と第二の発光層との積層順が、陽極側から、第一の発光層と第二の発光層との順序である場合、前記第一のホスト材料の電子移動度μＥ１、及び前記第二のホスト材料の電子移動度μＥ２が下記数式（数１６）を満たすことが好ましい。
　第一のホスト材料と第二のホスト材料とが、下記数式（数１６）の関係を満たすことで、第一の発光層でのホールと電子との再結合能が向上する。
　　　μＥ２＞μＥ１　　　…（数１６）
　電子移動度は、インピーダンス分光法を用い、以下の方法で測定できる。
　陽極及び陰極で厚さ１００ｎｍ～２００ｎｍの測定対象層を挟み、バイアスＤＣ電圧を印加しながら１００ｍＶ以下の微小交流電圧を印加する。このときに流れる交流電流値（絶対値と位相）を測定する。交流電圧の周波数を変えながら本測定を行い、電流値と電圧値とから、複素インピーダンス（Ｚ）を算出する。このときモジュラスＭ＝ｉωＺ（ｉ：虚数単位、ω：角周波数）の虚数部（ＩｍＭ）の周波数依存性を求め、ＩｍＭが最大値となる周波数ωの逆数を、測定対象層内を伝導する電子の応答時間と定義する。そして以下の式により電子移動度を算出する。
　電子移動度＝（測定対象層の膜厚）２／（応答時間・電圧）
　正孔移動度は、インピーダンス分光法を用い、電子移動度と同様の方法で測定できる。
　以下の式により正孔移動度を算出する。
　正孔移動度＝（測定対象層の膜厚）２／（応答時間・電圧）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが、下記数式（数５）の関係を満たすことが好ましい。
　　　Ｔ１（Ｈ１）－Ｔ１（Ｈ２）＞０．０３ｅＶ　　　…（数５）
　本明細書において、「ホスト材料」とは、例えば「層の５０質量％以上」含まれる材料である。したがって、第一の発光層は、例えば、第一のホスト材料を、第一の発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。第二の発光層は、例えば、第二のホスト材料を、第二の発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、「最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光材料」は、第一のホスト材料の一重項エネルギーＳ１よりも小さい一重項エネルギーＳ１を有する材料であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、「最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光材料」は、第二のホスト材料の一重項エネルギーＳ１よりも小さい一重項エネルギーＳ１を有する材料であることが好ましい。
（有機ＥＬ素子の発光波長）
　前記実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、素子駆動時に最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の光を放射することが好ましい。
　前記実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、素子駆動時に最大のピーク波長が、４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の光を放射することがより好ましい。
　素子駆動時に有機ＥＬ素子が放射する光の最大のピーク波長の測定は、以下のようにして行う。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ社製）で計測する。得られた分光放射輝度スペクトルにおいて、発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長を測定し、これを最大のピーク波長（単位：ｎｍ）とする。
（第一の発光層）
　第一の発光層は、第一のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光材料と、を含む。第一のホスト材料は、第二の発光層が含有する第二のホスト材料とは、異なる化合物である。第一の発光層が含有する前記第一の発光材料は、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示す化合物であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光材料は、分子中にアジン環構造を含まない化合物であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光材料は、ホウ素含有錯体ではないことが好ましく、前記第一の発光材料は、錯体ではないことがより好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光層は、金属錯体を含有しないことが好ましい。また、前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光層は、ホウ素含有錯体を含有しないことも好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光層は、燐光発光性材料（ドーパント材料）を含まないことが好ましい。
　また、前記第一の発光層は、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。
　化合物（発光材料）の最大のピーク波長の測定方法は、次の通りである。測定対象となる化合物の５μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の発光スペクトル（縦軸：発光強度、横軸：波長とする。）を測定する。発光スペクトルは、株式会社日立ハイテクサイエンス製の分光蛍光光度計（装置名：Ｆ－７０００）により測定できる。なお、発光スペクトル測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。
　発光スペクトルにおいて、発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長を最大のピーク波長とする。
　前記化合物の発光スペクトルにおいて、発光強度が最大となるピークを最大ピークとし、当該最大ピークの高さを１としたとき、当該発光スペクトルに現れる他のピークの高さは、０．６未満であることが好ましい。なお、発光スペクトルにおけるピークは、極大値とする。
　また、前記化合物の発光スペクトルにおいて、ピークの数が３つ未満であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光層は、素子駆動時に最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の光を放射することが好ましい。
　素子駆動時に発光層が放射する光の最大のピーク波長の測定は、次に記載の方法で行うことができる。
・素子駆動時に発光層から放射される光の最大のピーク波長λｐ
　素子駆動時に第一の発光層から放射される光の最大のピーク波長λｐ１は、第二の発光層を第一の発光層と同じ材料を用いて有機ＥＬ素子を作製し、有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測する。得られた分光放射輝度スペクトルから、最大のピーク波長λｐ１（単位：ｎｍ）を算出する。
　素子駆動時に第二の発光層から放射される光の最大のピーク波長λｐ２は、第一の発光層を第二の発光層と同じ材料を用いて有機ＥＬ素子を作製し、有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測する。得られた分光放射輝度スペクトルから、最大のピーク波長λｐ２（単位：ｎｍ）を算出する。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一のホスト材料の一重項エネルギーＳ１（Ｈ１）と、前記第一の発光材料の一重項エネルギーＳ１（Ｄ１）とが下記数式（数２）の関係を満たすことが好ましい。
　　　Ｓ１（Ｈ１）＞Ｓ１（Ｄ１）　　　…（数２）
　一重項エネルギーＳ１とは、最低励起一重項状態と基底状態とのエネルギー差を意味する。
　第一のホスト材料と第一の発光材料とが、前記数式（数２）の関係を満たすことにより、第一のホスト材料上で生成された一重項励起子は、第一のホスト材料から第一の発光材料へエネルギー移動し易くなり、第一の発光材料の発光（好ましくは蛍光性発光）に寄与する。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と、前記第一の発光材料の三重項エネルギーＴ１（Ｄ１）とが下記数式（数２Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
　　　Ｔ１（Ｄ１）＞Ｔ１（Ｈ１）　　　…（数２Ａ）
　第一のホスト材料と第一の発光材料とが、前記数式（数２Ａ）の関係を満たす事により、第一の発光層内で生成した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを有する第一の発光材料ではなく、第一のホスト材料上を移動するため、第二の発光層へ移動し易くなる。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子は、下記数式（数２Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
　　　Ｔ１（Ｄ１）＞Ｔ１（Ｈ１）＞Ｔ１（Ｈ２）　　　…（数２Ｂ）
（三重項エネルギーＴ１）
　三重項エネルギーＴ１の測定方法としては、下記の方法が挙げられる。
　測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、１０－５ｍｏｌ／Ｌ以上１０－４ｍｏｌ／Ｌ以下となるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とする。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式（Ｆ１）から算出されるエネルギー量を三重項エネルギーＴ１とする。
　　換算式（Ｆ１）：Ｔ１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
　燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
　なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
　燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ－４５００形分光蛍光光度計本体を用いることができる。なお、測定装置はこの限りではなく、冷却装置、及び低温用容器と、励起光源と、受光装置とを組み合わせることにより、測定してもよい。
（一重項エネルギーＳ１）
　溶液を用いた一重項エネルギーＳ１の測定方法（溶液法と称する場合がある。）としては、下記の方法が挙げられる。
　測定対象となる化合物の１０－５ｍｏｌ／Ｌ以上１０－４ｍｏｌ／Ｌ以下のトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸収強度、横軸：波長とする。）を測定する。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式（Ｆ２）に代入して一重項エネルギーを算出する。
　　換算式（Ｆ２）：Ｓ１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
　吸収スペクトル測定装置としては、例えば、日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）が挙げられるが、これに限定されない。
　吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
　なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光材料は、前記第一の発光層中に、１．１質量％を超えて、含有されることが好ましい。すなわち、第一の発光層は、第一の発光材料を、第一の発光層の全質量の１．１質量％超、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の１．２質量％以上、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の１．５質量％以上、含有することがさらに好ましい。
　第一の発光層は、第一の発光材料を、第一の発光層の全質量の１０質量％以下、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の７質量％以下、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の５質量％以下、含有することがさらに好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、第一のホスト材料としての第一の化合物を、第一の発光層の全質量の６０質量％以上、含有することが好ましく、第一の発光層の全質量の７０質量％以上、含有することがより好ましく、第一の発光層の全質量の８０質量％以上、含有することがさらに好ましく、第一の発光層の全質量の９０質量％以上、含有することがよりさらに好ましく、第一の発光層の全質量の９５質量％以上、含有することがさらになお好ましい。
　第一の発光層は、第一のホスト材料を、第一の発光層の全質量の９９質量％以下、含有することが好ましい。
　ただし、第一のホスト材料及び第一の発光材料の合計含有率の上限は、１００質量％である。
　なお、前記実施形態は、第一の発光層に、第一のホスト材料と第一の発光材料以外の材料が含まれることを除外しない。
　第一の発光層は、第一のホスト材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。第一の発光層は、第一の発光材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光層の膜厚は、３ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上であることがより好ましい。前記第一の発光層の膜厚が３ｎｍ以上であれば、第一の発光層において、正孔と電子との再結合を起こすのに充分な膜厚である。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光層の膜厚は、１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。前記第一の発光層の膜厚が１５ｎｍ以下であれば、第二の発光層へ三重項励起子が移動するのに充分に薄い膜厚である。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光層の膜厚は、３ｎｍ以上、１５ｎｍ以下であることがより好ましい。
（第二の発光層）
　第二の発光層は、第二のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光材料と、を含む。第二のホスト材料は、第一の発光層が含有する第一のホスト材料とは、異なる化合物である。第二の発光層が含有する前記第二の発光材料は、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示す化合物であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光層は、素子駆動時に最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の光を放射することが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光材料の最大のピークの半値幅が、１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光材料のストークスシフトは、７ｎｍを超えることが好ましい。
　第二の発光材料のストークスシフトが７ｎｍを越えていれば、自己吸収による発光効率の低下を防止し易くなる。
　自己吸収とは、放出した光を同一化合物が吸収する現象であり、発光効率の低下を引き起こす現象である。自己吸収は、ストークスシフトの小さい（すなわち、吸収スペクトルと蛍光スペクトルの重なりが大きい）化合物で顕著に観測されるため、自己吸収を抑制するには、ストークスシフトの大きい（吸収スペクトルと蛍光スペクトルの重なりが小さい）化合物を用いることが好ましい。ストークスシフトは、実施例に記載の方法で測定できる。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光材料の三重項エネルギーＴ１（Ｄ２）と、前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが下記数式（数３）の関係を満たすことが好ましい。
　　　Ｔ１（Ｄ２）＞Ｔ１（Ｈ２）　　　…（数３）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光材料と、第二のホスト材料とが、前記数式（数３）の関係を満たすことにより、第一の発光層で生成した三重項励起子は、第二の発光層に移動する際、より高い三重項エネルギーを有する第二の発光材料ではなく、第二のホスト材料の分子にエネルギー移動する。また、第二のホスト材料上で正孔及び電子が再結合して発生した三重項励起子は、より高い三重項エネルギーを持つ第二の発光材料には移動しない。第二の発光材料の分子上で再結合し発生した三重項励起子は、速やかに第二のホスト材料の分子にエネルギー移動する。
　第二のホスト材料の三重項励起子が第二の発光材料に移動することなく、ＴＴＦ現象によって第二のホスト材料上で三重項励起子同士が効率的に衝突することで、一重項励起子が生成される。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二のホスト材料の一重項エネルギーＳ１（Ｈ２）と前記第二の発光材料の一重項エネルギーＳ１（Ｄ２）とが、下記数式（数４）の関係を満たすことが好ましい。
　　　Ｓ１（Ｈ２）＞Ｓ１（Ｄ２）　　　…（数４）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光材料と、第二のホスト材料とが、前記数式（数４）の関係を満たすことにより、第二の発光材料の一重項エネルギーは、第二のホスト材料の一重項エネルギーより小さいため、ＴＴＦ現象によって生成された一重項励起子は、第二のホスト材料から第二の発光材料へエネルギー移動し、第二の発光材料の発光（好ましくは蛍光性発光）に寄与する。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光材料は、分子中にアジン環構造を含まない化合物であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光材料は、ホウ素含有錯体ではないことが好ましく、前記第二の発光材料は、錯体ではないことがより好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光層は、金属錯体を含有しないことが好ましい。また、前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光層は、ホウ素含有錯体を含有しないことも好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光層は、燐光発光性材料（ドーパント材料）を含まないことが好ましい。
　また、前記第二の発光層は、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光材料は、前記第二の発光層中に、１．１質量％を超えて、含有されることが好ましい。すなわち、第二の発光層は、第二の発光材料を、第二の発光層の全質量の１．１質量％超、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の１．２質量％以上、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の１．５質量％以上、含有することがさらに好ましい。
　第二の発光層は、第二の発光材料を、第二の発光層の全質量の１０質量％以下、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の７質量％以下、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の５質量％以下、含有することがさらに好ましい。
　第二の発光層は、第二のホスト材料としての第二の化合物を、第二の発光層の全質量の６０質量％以上、含有することが好ましく、第二の発光層の全質量の７０質量％以上、含有することがより好ましく、第二の発光層の全質量の８０質量％以上、含有することがさらに好ましく、第二の発光層の全質量の９０質量％以上、含有することがよりさらに好ましく、第二の発光層の全質量の９５質量％以上、含有することがさらになお好ましい。
　第二の発光層は、第二のホスト材料を、第二の発光層の全質量の９９質量％以下、含有することが好ましい。
　第二のホスト材料及び第二の発光材料の合計含有率の上限は、１００質量％である。
　なお、前記実施形態は、第二の発光層に、第二のホスト材料と第二の発光材料以外の材料が含まれることを除外しない。
　第二の発光層は、第二のホスト材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。第二の発光層は、第二の発光材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光層の膜厚は、５ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。前記第二の発光層の膜厚が５ｎｍ以上であれば、第一の発光層から第二の発光層へ移動してきた三重項励起子が、再び第一の発光層に戻ることを抑制し易い。また、前記第二の発光層の膜厚が５ｎｍ以上であれば、第一の発光層における再結合部分から三重項励起子を充分離すことができる。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光層の膜厚は、２０ｎｍ以下であることが好ましい。前記第二の発光層の膜厚が２０ｎｍ以下であれば、第二の発光層中の三重項励起子の密度を向上させて、ＴＴＦ現象をさらに起こり易くすることができる。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光層の膜厚は、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層が含む前記第一の発光材料又は第二の発光層が含む前記第二の発光材料の三重項エネルギーＴ１（ＤＸ）と、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）とが、下記数式（数１１）の関係を満たすことが好ましい。
　　０ｅＶ＜Ｔ１（ＤＸ）－Ｔ１（Ｈ１）＜０．６ｅＶ　…（数１１）
　第一の発光材料の三重項エネルギーＴ１（Ｄ１）は、下記数式（数１１Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
　　０ｅＶ＜Ｔ１（Ｄ１）－Ｔ１（Ｈ１）＜０．６ｅＶ　…（数１１Ａ）
　第二の発光材料の三重項エネルギーＴ１（Ｄ２）は、下記数式（数１１Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
　　０ｅＶ＜Ｔ１（Ｄ２）－Ｔ１（Ｈ２）＜０．８ｅＶ　…（数１１Ｂ）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）が、下記数式（数１２）の関係を満たすことが好ましい。
　　Ｔ１（Ｈ１）＞２．０ｅＶ　…（数１２）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）が、下記数式（数１２Ａ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１２Ｂ）の関係を満たすことも好ましい。
　　Ｔ１（Ｈ１）＞２．１０ｅＶ　…（数１２Ａ）
　　Ｔ１（Ｈ１）＞２．１５ｅＶ　…（数１２Ｂ）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）が、前記数式（数１２Ａ）又は前記数式（数１２Ｂ）の関係を満たすことにより、第一の発光層で生成した三重項励起子は、第二の発光層へと移動し易くなり、また、第二の発光層から第一の発光層へ逆移動することを抑制し易くなる。その結果、第二の発光層において、一重項励起子が効率良く生成され、発光効率が向上する。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）が、下記数式（数１２Ｃ）の関係を満たすことも好ましく、下記数式（数１２Ｄ）の関係を満たすことも好ましい。
　　２．０８ｅＶ＞Ｔ１（Ｈ１）＞１．８７ｅＶ　…（数１２Ｃ）
　　２．０５ｅＶ＞Ｔ１（Ｈ１）＞１．９０ｅＶ　…（数１２Ｄ）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）が、前記数式（数１２Ｃ）又は前記数式（数１２Ｄ）の関係を満たすことにより、第一の発光層で生成した三重項励起子のエネルギーが小さくなり、有機ＥＬ素子の長寿命化が期待できる。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）が、下記数式（数１３）の関係を満たすことが好ましい。
　　Ｔ１（Ｈ２）≧１．９ｅＶ　…（数１３）
（第一のホスト材料、第一の発光材料、第二のホスト材料及び第二の発光材料の好ましい組合せ）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料、第一の発光材料、第二のホスト材料及び第二の発光材料の組合せとしては、
（ａ）前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を満たす材料の組合せ、又は（ｂ）前記数式（数１）の関係を満たし、かつ「前記ＰＬスペクトルの重なり積分が９９．０％以上」の要件を満たす材料の組合せであれば特に限定されるものではないが、例えば、下記表１～７に示す組合せを好適に用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000029
・表１～７の説明
　ＢＨ１の列は第一のホスト材料を表す。
　ＢＨ２の列は第二のホスト材料を表す。
　ＢＤ１の列は第一の発光材料を表す。
　ＢＤ２の列は第二の発光材料を表す。
　Ｄは、重水素原子を表す。
　Δλは、｜λ１－λ２｜（単位：ｎｍ）を表す。
　ΔＦＷＨＭは、｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜（単位：ｎｍ）を表す。
　ＢＨ２について、１つの欄に２種の化合物が記載されている例は、第二の発光層中に、ＢＨ２として２種の化合物が含まれることを示している。
（有機ＥＬ素子のその他の層）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子は、第一の発光層及び第二の発光層以外に、１以上の有機層を有していてもよい。有機層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層及び電子障壁層からなる群から選択される少なくともいずれかの層が挙げられる。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層及び第二の発光層だけで構成されていてもよいが、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、及び電子障壁層等からなる群から選択される少なくともいずれかの層をさらに有していてもよい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子は、陽極と、第一の発光層と、第二の発光層と、陰極とをこの順に有していることもできるが、第一の発光層と第二の発光層の順序を逆にすることもできる。第四実施形態又は第五実施形態に係る有機ＥＬ素子の場合、第一電極としての陽極と、第一の発光層と、第二の発光層と、第二電極としての陰極とをこの順に有していることもできるが、第一の発光層と第二の発光層の順序を逆にすることもできる。
　第一の発光層と第二の発光層の順序がいずれの場合も、前記数式（数１）の関係を満たす材料の組合せを選択することにより、前述の発光層が積層構成とすることによる効果が期待できる。
（正孔輸送層）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記陽極と前記第一の発光層との間に正孔輸送層を含むことが好ましい。
　すなわち、正孔輸送帯域は、前記第一電極と前記第一の発光層との間に正孔輸送層を含むことが好ましい。
（電子輸送層）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光層と前記陰極との間に電子輸送層を含むことが好ましい。
　すなわち、電子輸送帯域は、前記第二の発光層と前記第二電極との間に電子輸送層を含むことが好ましい。
（第三の発光層）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子は、第三の発光層をさらに含んでいてもよい。
　第三の発光層は、第三のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第三の発光材料と、を含む。前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料と前記第三のホスト材料とは、互いに異なる。前記第一の発光材料と前記第二の発光材料と前記第三の発光材料とは、互いに同一であるか、又は異なる。第三の発光層が含有する第三の発光材料は、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の蛍光発光を示す化合物であることが好ましい。発光材料の最大のピーク波長の測定方法は、前述の通りである。
　前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と前記第三のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ３）とが、下記数式（数１Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
　　　Ｔ１（Ｈ１）＞Ｔ１（Ｈ３）　　　…（数１Ａ）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子が第三の発光層を含んでいる場合、前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）と前記第三のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ３）とが、下記数式（数１Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
　　　Ｔ１（Ｈ２）＞Ｔ１（Ｈ３）　　　…（数１Ｂ）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接していることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接していることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、「第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接している」場合、当該「第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接している」層構造は、例えば、以下の態様（ＬＳ１）、（ＬＳ２）及び（ＬＳ３）のいずれかの態様も含み得る。
　（ＬＳ１）第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第一のホスト材料及び第二のホスト材料の両方が混在する領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
　（ＬＳ２）第一の発光層及び第二の発光層が発光性の化合物（発光材料）を含む場合に、第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第一のホスト材料、第二のホスト材料及び発光性の化合物が混在する領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
　（ＬＳ３）第一の発光層及び第二の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で当該発光性の化合物からなる領域、第一のホスト材料からなる領域、又は第二のホスト材料からなる領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子が第三の発光層を含んでいる場合、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接しており、前記第二の発光層と前記第三の発光層とが、直接、接していることが好ましい。
　本明細書において、「第二の発光層と第三の発光層とが、直接、接している」層構造は、例えば、以下の態様（ＬＳ４）、（ＬＳ５）及び（ＬＳ６）のいずれかの態様も含み得る。
　（ＬＳ４）第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第三の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第二のホスト材料及び第三のホスト材料の両方が混在する領域が生じ、当該領域が第二の発光層と第三の発光層との界面に存在する態様。
　（ＬＳ５）第二の発光層及び第三の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第三の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第二のホスト材料、第三のホスト材料及び発光性の化合物が混在する領域が生じ、当該領域が第二の発光層と第三の発光層との界面に存在する態様。
　（ＬＳ６）第二の発光層及び第三の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第三の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で当該発光性の化合物からなる領域、第二のホスト材料からなる領域、又は第三のホスト材料からなる領域が生じ、当該領域が第二の発光層と第三の発光層との界面に存在する態様。
　また、前記実施形態に係る有機ＥＬ素子は、拡散層をさらに有することもできる。
　拡散層は、三重項励起子を第一の発光層から第二の発光層にスムーズに移動させるための層であり、拡散層材料を含む。拡散層材料としては、下記数式（数２３）の関係を満たす材料であれば、特に限定されない。
　すなわち、前記実施形態に係る有機ＥＬ素子が拡散層をさらに有する場合、第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と、少なくとも１つの拡散層材料の三重項エネルギーＴ１（拡散層材料）と、前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが、下記数式（数２３）の関係を満たすことが好ましい。
　　　Ｔ１（Ｈ１）＞Ｔ１（拡散層材料）＞Ｔ１（Ｈ２）　　　…（数２３）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子は、拡散層を設ける事で、三重項励起子の励起寿命が長くなる事が期待される。
　また、前記実施形態に係る有機ＥＬ素子は、拡散層を設ける事で、三重項励起子の拡散速度が向上する事が期待される。
　拡散層は、拡散層材料を、拡散層の全質量の６０質量％以上含有することもでき、拡散層の全質量の７０質量％以上含有することもでき、拡散層の全質量の８０質量％以上含有することもできる。
　拡散層は、拡散層材料を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子が拡散層を有する場合、前記拡散層は、前記第一の発光層と前記第二の発光層との間に配置されていることが好ましい。
　有機ＥＬ素子の構成についてさらに説明する。以下、符号の記載は省略することがある。
（基板）
　基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、及びプラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、プラスチック基板等が挙げられる。プラスチック基板を形成する材料としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレート等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
（陽極）
　基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
　これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム－酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１質量％以上１０質量％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５質量％以上５質量％以下、酸化亜鉛を０．１質量％以上１質量％以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
　陽極上に形成されるＥＬ層のうち、陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることができる。
　仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子がトップエミッション型である場合、陽極は、透明電極であることが好ましい。第四実施形態又は第五実施形態に係る有機ＥＬ素子の場合、第一電極は、陽極であることが好ましい。透明電極としては、後述の導電層を用いることができる。
　陽極は、光反射層を有してもよい。光反射層は、光反射性を有する金属材料で形成されることが好ましい。光反射性とは、発光層から発光される光を５０％以上（好ましくは８０％以上）反射する性質を意味する。
　金属材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒなどの単体材料もしくはこれらの金属を主成分（好ましくは全体の５０質量％以上）とした合金材料；ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰ、及びＣｒＢなどのアモルファス合金；ＮｉＡｌ、銀合金などの微結晶性合金；等が挙げられる。
　また、金属材料として、ＡＰＣ（銀、パラジウム及び銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム及び金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデン及びクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケル及びクロムの合金）等を用いてもよい。
　光反射層は単層であっても複数層であってもよい。
　陽極は、光反射層と、透明電極としての導電層とを有する多層構造であってもよい。陽極が光反射層及び導電層を有する場合、光反射層と正孔輸送帯域との間に導電層が配置されることが好ましい。また、陽極は、２つの導電層（第一の導電層及び第二の導電層）の間に、光反射層が配置された多層構造であってもよい。このような多層構造の場合、第一の導電層及び第二の導電層は、同じ材料で形成されていてもよいし、互いに異なる材料で形成されていてもよい。
　透明電極としての導電層には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。
　また、前記仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を導電層に用いることもできる。
（陰極）
　陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
　なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
　なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子がトップエミッション型である場合、陰極は、発光層からの光を透過する光透過性もしくは半透過性を有する金属材料で形成されることが好ましい。第四実施形態又は第五実施形態に係る有機ＥＬ素子の場合、第二電極は、陰極であることが好ましい。光透過性もしくは半透過性とは、発光層から発光される光を５０％以上（好ましくは８０％以上）透過する性質を意味する。
　陰極には、前記仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。
（正孔注入層）
　正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
　また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等やジピラジノ［２，３－ｆ：２０，３０－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）も挙げられる。
　また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。
（正孔輸送層）
　正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０－６ｃｍ２／（Ｖ・ｓ）以上の正孔移動度を有する物質である。
　正孔輸送層には、ＣＢＰ、９－［４－（Ｎ－カルバゾリル）］フェニル－１０－フェニルアントラセン（ＣｚＰＡ）、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（ＰＣｚＰＡ）のようなカルバゾール誘導体や、ｔ－ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
　但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
（電子輸送層）
　電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどの金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。本実施態様においては、ベンゾイミダゾール化合物を好適に用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０－６ｃｍ２／（Ｖ・ｓ）以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層は、単層で構成されていてもよいし、上記物質からなる層が二層以上積層されて構成されていてもよい。
　また、電子輸送層には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）などを用いることができる。
（電子注入層）
　電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
　あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
（キャッピング層）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子がトップエミッション型である場合、当該有機ＥＬ素子は、陰極の上部にキャッピング層を備えることが好ましい。
　キャッピング層としては、例えば、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、窒化ケイ素、及びシリコン化合物（酸化ケイ素等）などを用いることができる。
　また、芳香族アミン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、フルオレン誘導体、又はジベンゾフラン誘導体をキャッピング層に用いることもできる。
　また、これらの物質を含む層を積層させた積層体も、キャッピング層として用いることができる。
（色変換部）
　色変換部は、光取出し側に設けられ、光取出し側から取り出された光を、所望の色光に変換する役割を果たす。
　色変換部は、陽極および陰極のうち、光取出し側に配された電極（透明電極）上に配置されていることが好ましい。
　色変換部としては、例えば、カラーフィルター、及び量子ドットを含む材料等が挙げられる。
・カラーフィルター
　カラーフィルターの材料としては、例えば、下記色素、または当該色素をバインダー樹脂中に溶解もしくは分散させた固体状態のものを挙げることができる。
赤色（Ｒ）色素：
　ペリレン系顔料、レーキ顔料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、アントラキノン系顔料、アントラセン系顔料、イソインドリン系顔料、イソインドリノン系顔料等の単品および少なくとも二種類以上の混合物が使用可能である。
緑色（Ｇ）色素：
　ハロゲン多置換フタロシアニン系顔料、ハロゲン多置換銅フタロシアニン系顔料、トリフェルメタン系塩基性染料、イソインドリン系顔料、イソインドリノン系顔料等の単品および少なくとも二種類以上の混合物が使用可能である。
青色（Ｂ）色素：
　銅フタロシアニン系顔料、インダンスロン系顔料、インドフェノール系顔料、シアニン系顔料、ジオキサジン系顔料等の単品および少なくとも二種類以上の混合物が使用可能である。
　カラーフィルターの材料に用いられるバインダー樹脂としては、透明な材料を使用することが好ましく、例えば、可視光領域における透過率が５０％以上である材料を使用することが好ましい。
　カラーフィルターの材料に用いられるバインダー樹脂としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等の透明樹脂（高分子）等が挙げられ、これらの１種または２種以上の混合使用が可能である。
・量子ドット
　量子ドットを含む材料としては、例えば量子ドットを樹脂に分散させた材料等が挙げられる。量子ドットとしては、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ／ＺｎＳ、ＩｎＰ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＣｄＳ／ＣｄＳｅ、ＣｄＳ／ＺｎＳ、ＰｂＳ、及びＣｄＴｅ等を用いることができる。
　色変換部には、カラーフィルターと、量子ドットを含む材料とを併用してもよい。
（層形成方法）
　前記実施形態の有機ＥＬ素子の各層の形成方法としては、上記で特に言及した以外には制限されないが、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法などの乾式成膜法や、スピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、インクジェット法などの湿式成膜法などの公知の方法を採用することができる。
（膜厚）
　前記実施形態の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、上記で特に言及した場合を除いて限定されない。一般に、膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、膜厚が厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常、有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
（第一のホスト材料及び第二のホスト材料）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料及び第二のホスト材料としては、
（ａ）前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を満たすホスト材料、又は
（ｂ）前記数式（数１）の関係を満たし、かつ「前記ＰＬスペクトルの重なり積分が９９．０％以上」の要件を満たすホスト材料であれば特に限定されない。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料及び第二のホスト材料としては、例えば、下記一般式（１）、一般式（１Ｘ）、一般式（１２Ｘ）、一般式（１３Ｘ）、一般式（１４Ｘ）、一般式（１５Ｘ）又は一般式（１６Ｘ）で表される第一の化合物、及び下記一般式（２）で表される第二の化合物等が挙げられる。また、第一の化合物を第一のホスト材料及び第二のホスト材料として用いることもでき、この場合、第二のホスト材料として用いた下記一般式（１）、又は下記一般式（１Ｘ）、一般式（１２Ｘ）、一般式（１３Ｘ）、一般式（１４Ｘ）、一般式（１５Ｘ）又は一般式（１６Ｘ）で表される化合物を、便宜的に第二の化合物と称する場合がある。
　また、第三のホスト材料としては、特に限定されないが、例えば、下記一般式（１）、一般式（１Ｘ）、一般式（１２Ｘ）、一般式（１３Ｘ）、一般式（１４Ｘ）、一般式（１５Ｘ）もしくは一般式（１６Ｘ）で表される第一の化合物、又は下記一般式（２）で表される第二の化合物を使用し得る。
（第一の化合物）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
（前記一般式（１）において、
　Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１１）で表される基であり、
　ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
　前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ１０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ１０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
（前記実施形態に係る第一の化合物中、Ｒ９０１、Ｒ９０２、Ｒ９０３、Ｒ９０４、Ｒ９０５、Ｒ９０６、Ｒ９０７、Ｒ８０１及びＲ８０２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ９０１が複数存在する場合、複数のＲ９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ９０２が複数存在する場合、複数のＲ９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ９０３が複数存在する場合、複数のＲ９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ９０４が複数存在する場合、複数のＲ９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ９０５が複数存在する場合、複数のＲ９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ９０６が複数存在する場合、複数のＲ９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ９０７が複数存在する場合、複数のＲ９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ８０１が複数存在する場合、複数のＲ８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ８０２が複数存在する場合、複数のＲ８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基は、下記一般式（１１１）で表される基であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
（前記一般式（１１１）において、
　Ｘ１は、ＣＲ１２３Ｒ１２４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ１２５であり、
　Ｌ１１１及びＬ１１２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍａは、０、１、２、３又は４であり、
　ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
　ｍａ＋ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
　Ａｒ１０１は、前記一般式（１１）におけるＡｒ１０１と同義であり、
　Ｒ１２１、Ｒ１２２、Ｒ１２３、Ｒ１２４及びＲ１２５は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｃは、３であり、
　３つのＲ１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　ｍｄは、３であり、
　３つのＲ１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）
　前記一般式（１１１）で表される基における下記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の炭素原子＊１～＊８の位置のうち、＊１～＊４のいずれか１つの位置にＬ１１１が結合し、＊１～＊４の残りの３つの位置にＲ１２１が結合し、＊５～＊８のいずれか１つの位置にＬ１１２が結合し、＊５～＊８の残りの３つの位置にＲ１２２が結合する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
　例えば、前記一般式（１１１）で表される基において、Ｌ１１１が前記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の＊２の炭素原子の位置に結合し、Ｌ１１２が前記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の＊７の炭素原子の位置に結合する場合、前記一般式（１１１）で表される基は、下記一般式（１１１ｂ）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
（前記一般式（１１１ｂ）において、
　Ｘ１、Ｌ１１１、Ｌ１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ１０１、Ｒ１２１、Ｒ１２２、Ｒ１２３、Ｒ１２４及びＲ１２５は、それぞれ独立に、前記一般式（１１１）におけるＸ１、Ｌ１１１、Ｌ１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ１０１、Ｒ１２１、Ｒ１２２、Ｒ１２３、Ｒ１２４及びＲ１２５と同義であり、
　複数のＲ１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　複数のＲ１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１１）で表される基は、前記一般式（１１１ｂ）で表される基であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　　ｍａは、０、１又は２であり、
　　ｍｂは、０、１又は２である、ことが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　　ｍａは、０又は１であり、
　　ｍｂは、０又は１であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　Ａｒ１０１は、
　　置換もしくは無置換のフェニル基、
　　置換もしくは無置換のナフチル基、
　　置換もしくは無置換のビフェニル基、
　　置換もしくは無置換のターフェニル基、
　　置換もしくは無置換のピレニル基、
　　置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は
　　置換もしくは無置換のフルオレニル基であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　Ａｒ１０１は、下記一般式（１２）、一般式（１３）又は一般式（１４）で表される基であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
（前記一般式（１２）、一般式（１３）及び一般式（１４）において、
　Ｒ１１１～Ｒ１２０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１２４で表される基、
　　－ＣＯＯＲ１２５で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　前記一般式（１２）、一般式（１３）及び一般式（１４）中の＊は、前記一般式（１１）中のＬ１０１との結合位置、又は前記一般式（１１１）もしくは一般式（１１１ｂ）中のＬ１１２との結合位置を示す。）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　前記第一の化合物は、下記一般式（１０１）で表されることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
（前記一般式（１０１）において、
　Ｒ１０１～Ｒ１２０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０のうち１つがＬ１０１との結合位置を示し、Ｒ１１１～Ｒ１２０のうち１つがＬ１０１との結合位置を示し、
　Ｌ１０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　Ｌ１０１は、
　　単結合、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　前記第一の化合物は、下記一般式（１０２）で表されることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
（前記一般式（１０２）において、
　Ｒ１０１～Ｒ１２０は、それぞれ独立に、前記一般式（１０１）におけるＲ１０１～Ｒ１２０と同義であり、
　ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０のうち１つがＬ１１１との結合位置を示し、Ｒ１１１～Ｒ１２０のうち１つがＬ１１２との結合位置を示し、
　Ｘ１は、ＣＲ１２３Ｒ１２４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ１２５であり、
　Ｌ１１１及びＬ１１２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍａは、０、１、２、３又は４であり、
　ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
　ｍａ＋ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
　Ｒ１２１、Ｒ１２２、Ｒ１２３、Ｒ１２４及びＲ１２５は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｃは、３であり、
　３つのＲ１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　ｍｄは、３であり、
　３つのＲ１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）
　前記一般式（１０２）で表される化合物において、
　ｍａは、０、１又は２であり、
　ｍｂは、０、１又は２であることが好ましい。
　前記一般式（１０２）で表される化合物において、
　ｍａは、０又は１であり、
　ｍｂは、０又は１であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　Ｒ１０１～Ｒ１１０のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　Ｒ１０１～Ｒ１１０のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であり、かつ、Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
　Ｌ１０１は、置換もしくは無置換のピレニレン基ではなく、
　前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではないことが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０は、水素原子であることが好ましい。
・一般式（１Ｘ）で表される化合物
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
（前記一般式（１Ｘ）において、
　Ｒ１０１～Ｒ１１２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１１Ｘ）で表される基であり、
　ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１２の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ｘ）で表される基であり、
　前記一般式（１１Ｘ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ｘ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ１０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ１０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１１Ｘ）中の＊は、前記一般式（１Ｘ）中のベンズ［ａ］アントラセン環との結合位置を示す。）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基は、下記一般式（１１１Ｘ）で表される基であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
（前記一般式（１１１Ｘ）において、
　Ｘ１は、ＣＲ１４３Ｒ１４４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ１４５であり、
　Ｌ１１１及びＬ１１２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍａは、１、２、３又は４であり、
　ｍｂは、１、２、３又は４であり、
　ｍａ＋ｍｂは、２、３又は４であり、
　Ａｒ１０１は、前記一般式（１１）におけるＡｒ１０１と同義であり、
　Ｒ１４１、Ｒ１４２、Ｒ１４３、Ｒ１４４及びＲ１４５は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｃは、３であり、
　３つのＲ１４１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　ｍｄは、３であり、
　３つのＲ１４２は、互いに同一であるか、又は異なる。）
　前記一般式（１１１Ｘ）で表される基における下記一般式（１１１ａＸ）で表される環構造中の炭素原子＊１～＊８の位置のうち、＊１～＊４のいずれか１つの位置にＬ１１１が結合し、＊１～＊４の残りの３つの位置にＲ１４１が結合し、＊５～＊８のいずれか１つの位置にＬ１１２が結合し、＊５～＊８の残りの３つの位置にＲ１４２が結合する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
　例えば、前記一般式（１１１Ｘ）で表される基において、Ｌ１１１が前記一般式（１１１ａＸ）で表される環構造中の＊２の炭素原子の位置に結合し、Ｌ１１２が前記一般式（１１１ａＸ）で表される環構造中の＊７の炭素原子の位置に結合する場合、前記一般式（１１１Ｘ）で表される基は、下記一般式（１１１ｂＸ）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
（前記一般式（１１１ｂＸ）において、
　Ｘ１、Ｌ１１１、Ｌ１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ１０１、Ｒ１４１、Ｒ１４２、Ｒ１４３、Ｒ１４４及びＲ１４５は、それぞれ独立に、前記一般式（１１１Ｘ）におけるＸ１、Ｌ１１１、Ｌ１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ１０１、Ｒ１４１、Ｒ１４２、Ｒ１４３、Ｒ１４４及びＲ１４５と同義であり、
　複数のＲ１４１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　複数のＲ１４２は、互いに同一であるか、又は異なる。）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１１Ｘ）で表される基は、前記一般式（１１１ｂＸ）で表される基であることが好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、ｍａは、１又は２であり、ｍｂは、１又は２であることが好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、ｍａは、１であり、ｍｂは、１であることが好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ａｒ１０１は、
　　置換もしくは無置換のフェニル基、
　　置換もしくは無置換のナフチル基、
　　置換もしくは無置換のビフェニル基、
　　置換もしくは無置換のターフェニル基、
　　置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリル基、
　　置換もしくは無置換のピレニル基、
　　置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は
　　置換もしくは無置換のフルオレニル基であることが好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物は、下記一般式（１０１Ｘ）で表されることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
（前記一般式（１０１Ｘ）において、
　Ｒ１１１及びＲ１１２のうち１つがＬ１０１との結合位置を示し、Ｒ１３３及びＲ１３４のうち１つがＬ１０１との結合位置を示し、
　Ｒ１０１～Ｒ１１０、Ｒ１２１～Ｒ１３０、Ｌ１０１との結合位置ではないＲ１１１又はＲ１１２、並びにＬ１０１との結合位置ではないＲ１３３又はＲ１３４は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｌ１０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｌ１０１は、
　　単結合、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることが好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物は、下記一般式（１０２Ｘ）で表されることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
（前記一般式（１０２Ｘ）において、
　Ｒ１１１及びＲ１１２のうち１つがＬ１１１との結合位置を示し、Ｒ１３３及びＲ１３４のうち１つがＬ１１２との結合位置を示し、
　Ｒ１０１～Ｒ１１０、Ｒ１２１～Ｒ１３０、Ｌ１１１との結合位置ではないＲ１１１又はＲ１１２並びにＬ１１２との結合位置ではないＲ１３３又はＲ１３４は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｘ１は、ＣＲ１４３Ｒ１４４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ１４５であり、
　Ｌ１１１及びＬ１１２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　ｍａは、１、２、３又は４であり、
　ｍｂは、１、２、３又は４であり、
　ｍａ＋ｍｂは、２、３、４又は５であり、
　Ｒ１４１、Ｒ１４２、Ｒ１４３、Ｒ１４４及びＲ１４５は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｃは、３であり、
　３つのＲ１４１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　ｍｄは、３であり、
　３つのＲ１４２は、互いに同一であるか、又は異なる。）
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１０２Ｘ）中のｍａは、１又は２であり、ｍｂは、１又は２であることが好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１０２Ｘ）中のｍａは、１であり、ｍｂは、１であることが好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基は、下記一般式（１１ＡＸ）で表される基、又は下記一般式（１１ＢＸ）で表される基であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
（前記一般式（１１ＡＸ）及び前記一般式（１１ＢＸ）において、
　Ｒ１２１～Ｒ１３１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　前記一般式（１１ＡＸ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１ＡＸ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　前記一般式（１１ＢＸ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１ＢＸ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ１３１及びＬ１３２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　前記一般式（１１ＡＸ）及び前記一般式（１１ＢＸ）中の＊は、それぞれ、前記一般式（１Ｘ）中のベンズ［ａ］アントラセン環との結合位置を示す。）
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物は、下記一般式（１０３Ｘ）で表されることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
（前記一般式（１０３Ｘ）において、
　Ｒ１０１～Ｒ１１０並びにＲ１１２は、それぞれ、前記一般式（１Ｘ）におけるＲ１０１～Ｒ１１０並びにＲ１１２と同義であり、
　Ｒ１２１～Ｒ１３１、Ｌ１３１及びＬ１３２は、それぞれ、前記一般式（１１ＢＸ）におけるＲ１２１～Ｒ１３１、Ｌ１３１及びＬ１３２と同義である。）
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｌ１３１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることも好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｌ１３２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることも好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｒ１０１～Ｒ１１２のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であることも好ましい。
　本前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、Ｒ１０１～Ｒ１１２のうち２つ以上が、前記一般式（１１Ｘ）で表される基であり、一般式（１１Ｘ）中のＡｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、
　Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリル基ではなく、
　Ｌ１０１は、置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリレン基ではなく、
　前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のベンズ［ａ］アントリル基ではないことも好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１２は、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基であることが好ましい。
　前記一般式（１Ｘ）で表される化合物において、前記一般式（１１Ｘ）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１２は、水素原子であることが好ましい。
・一般式（１２Ｘ）で表される化合物
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１２Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
（前記一般式（１２Ｘ）において、
　Ｒ１２０１～Ｒ１２１０のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成し、
　前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ及び前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１２０１～Ｒ１２１０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１２１）で表される基であり、
　ただし、前記置換もしくは無置換の単環が置換基を有する場合の当該置換基、前記置換もしくは無置換の縮合環が置換基を有する場合の当該置換基、並びにＲ１２０１～Ｒ１２１０の少なくとも１つが、前記一般式（１２１）で表される基であり、
　前記一般式（１２１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１２１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ１２０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ１２０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘ２は、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ１２０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ１２０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１２１）中の＊は、前記一般式（１２Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）
　前記一般式（１２Ｘ）において、Ｒ１２０１～Ｒ１２１０のうちの隣接する２つからなる組とは、Ｒ１２０１とＲ１２０２との組、Ｒ１２０２とＲ１２０３との組、Ｒ１２０３とＲ１２０４との組、Ｒ１２０４とＲ１２０５との組、Ｒ１２０５とＲ１２０６との組、Ｒ１２０７とＲ１２０８との組、Ｒ１２０８とＲ１２０９との組、並びにＲ１２０９とＲ１２１０との組である。
・一般式（１３Ｘ）で表される化合物
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１３Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
（前記一般式（１３Ｘ）において、
　Ｒ１３０１～Ｒ１３１０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１３１）で表される基であり、
　ただし、Ｒ１３０１～Ｒ１３１０の少なくとも１つは、前記一般式（１３１）で表される基であり、
　前記一般式（１３１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１３１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ１３０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ１３０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘ３は、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ１３０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１３０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ１３０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１３０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１３１）中の＊は、前記一般式（１３Ｘ）中のフルオランテン環との結合位置を示す。）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１３１）で表される基ではないＲ１３０１～Ｒ１３１０のうち隣接する２つ以上からなる組は、いずれも、互いに結合しない。前記一般式（１３Ｘ）において隣接する２つからなる組とは、Ｒ１３０１とＲ１３０２との組、Ｒ１３０２とＲ１３０３との組、Ｒ１３０３とＲ１３０４との組、Ｒ１３０４とＲ１３０５との組、Ｒ１３０５とＲ１３０６との組、Ｒ１３０７とＲ１３０８との組、Ｒ１３０８とＲ１３０９との組、並びにＲ１３０９とＲ１３１０との組である。
・一般式（１４Ｘ）で表される化合物
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１４Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
（前記一般式（１４Ｘ）において、
　Ｒ１４０１～Ｒ１４１０は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１４１）で表される基であり、
　ただし、Ｒ１４０１～Ｒ１４１０の少なくとも１つは、前記一般式（１４１）で表される基であり、
　前記一般式（１４１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１４１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ１４０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ１４０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘ４は、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ１４０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１４０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ１４０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１４０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１４１）中の＊は、前記一般式（１４Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）
・一般式（１５Ｘ）で表される化合物
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１５Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
（前記一般式（１５Ｘ）において、
　Ｒ１５０１～Ｒ１５１４は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１５１）で表される基であり、
　ただし、Ｒ１５０１～Ｒ１５１４の少なくとも１つは、前記一般式（１５１）で表される基であり、
　前記一般式（１５１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１５１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ１５０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ１５０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘ５は、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ１５０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１５０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ１５０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１５０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１５１）中の＊は、前記一般式（１５Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）
・一般式（１６Ｘ）で表される化合物
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１６Ｘ）で表される化合物であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
（前記一般式（１６Ｘ）において、
　Ｒ１６０１～Ｒ１６１４は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
　　前記一般式（１６１）で表される基であり、
　ただし、Ｒ１６０１～Ｒ１６１４の少なくとも１つは、前記一般式（１６１）で表される基であり、
　前記一般式（１６１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１６１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｌ１６０１は、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ１６０１は、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　ｍｘ６は、０、１、２、３、４又は５であり、
　Ｌ１６０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１６０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ１６０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１６０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　前記一般式（１６１）中の＊は、前記一般式（１６Ｘ）で表される環との結合位置を示す。）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料は、分子中に、単結合で連結されたベンゼン環とナフタレン環とを含む連結構造を有し、当該連結構造中のベンゼン環及びナフタレン環には、それぞれ独立に、さらに単環又は縮合環が縮合しているか又は縮合しておらず、当該連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、当該単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結していることも好ましい。
　第一のホスト材料が、このような架橋を含んだ連結構造を有していることにより、有機ＥＬ素子の色度悪化の抑制が期待できる。
　この場合の第一のホスト材料は、分子中に、下記式（Ｘ１）又は式（Ｘ２）で表されるような、単結合で連結されたベンゼン環とナフタレン環とを含む連結構造（ベンゼン－ナフタレン連結構造と称する場合がある。）を最小単位として有していればよく、当該ベンゼン環にさらに単環又は縮合環が縮合していてもよいし、当該ナフタレン環にさらに単環又は縮合環が縮合していてもよい。例えば、第一のホスト材料が、分子中に、下記式（Ｘ３）、式（Ｘ４）、又は式（Ｘ５）で表されるような、単結合で連結されたナフタレン環とナフタレン環とを含む連結構造（ナフタレン－ナフタレン連結構造と称する場合がある。）においても、一方のナフタレン環は、ベンゼン環を含んでいるため、ベンゼン－ナフタレン連結構造を含んでいることになる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記架橋が二重結合を含むことも好ましい。すなわち、前記ベンゼン環と前記ナフタレン環とが、単結合以外の部分において二重結合を含む架橋構造によりさらに連結した構造を有することも好ましい。
　ベンゼン－ナフタレン連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結すると、例えば、前記式（Ｘ１）の場合、下記式（Ｘ１１）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ３）の場合、下記式（Ｘ３１）で表される連結構造（縮合環）になる。
　ベンゼン－ナフタレン連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、単結合以外の部分において二重結合を含む架橋によりさらに連結すると、例えば、前記式（Ｘ１）の場合、下記式（Ｘ１２）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ２）の場合、下記式（Ｘ２１）又は式（Ｘ２２）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ４）の場合、下記式（Ｘ４１）で表される連結構造（縮合環）になり、前記式（Ｘ５）の場合、下記式（Ｘ５１）で表される連結構造（縮合環）になる。
　ベンゼン－ナフタレン連結構造中のベンゼン環とナフタレン環とが、単結合以外の少なくとも１つの部分においてヘテロ原子（例えば、酸素原子）を含む架橋によりさらに連結すると、例えば、前記式（Ｘ１）の場合、下記式（Ｘ１３）で表される連結構造（縮合環）になる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一のホスト材料は、分子中に、第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが単結合で連結されたビフェニル構造を有し、当該ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、当該単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結していることも好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の１つの部分において前記架橋によりさらに連結していることも好ましい。第一のホスト材料が、このような架橋を含んだビフェニル構造を有していることにより、有機ＥＬ素子の色度悪化の抑制が期待できる。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記架橋が二重結合を含むことも好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記架橋が二重結合を含まないことも好ましい。
　前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の２つの部分において前記架橋によりさらに連結していることも好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の２つの部分において前記架橋によりさらに連結し、前記架橋が二重結合を含まないことも好ましい。第一のホスト材料が、このような架橋を含んだビフェニル構造を有していることにより、有機ＥＬ素子の色度悪化の抑制が期待できる。
　例えば、下記式（ＢＰ１）で表される前記ビフェニル構造中の第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが、単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結すると、当該ビフェニル構造は、下記式（ＢＰ１１）～（ＢＰ１５）等の連結構造（縮合環）になる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
　前記式（ＢＰ１１）は、前記単結合以外の１つの部分において二重結合を含まない架橋によって連結した構造である。
　前記式（ＢＰ１２）は、前記単結合以外の１つの部分において二重結合を含む架橋によって連結した構造である。
　前記式（ＢＰ１３）は、前記単結合以外の２つの部分において二重結合を含まない架橋によって連結した構造である。
　前記式（ＢＰ１４）は、前記単結合以外の２つの部分の一方において二重結合を含まない架橋によって連結し、前記単結合以外の２つの部分の他方において二重結合を含む架橋によって連結した構造である。
　前記式（ＢＰ１５）は、前記単結合以外の２つの部分において二重結合を含む架橋によって連結した構造である。
　前記第一の化合物及び前記第二の化合物において、「置換もしくは無置換」と記載された基は、いずれも「無置換」の基であることが好ましい。
（第一の化合物の製造方法）
　第一の化合物は、公知の方法により製造できる。また、第一の化合物は、公知の方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応及び原料を用いることによっても、製造できる。
（第一の化合物の具体例）
　第一の化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。ただし、本発明は、これら第一の化合物の具体例に限定されない。
　本明細書において、化合物の具体例中、Ｄは、重水素原子を示し、Ｍｅは、メチル基を示し、ｔＢｕは、ｔｅｒｔ－ブチル基を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000059
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000061
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000062
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000063
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000064
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000065
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000066
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000067
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000068
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000069
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000070
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000071
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000072
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000073
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000074
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000075
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000076
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000077
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000078
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000079
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000080
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000081
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000082
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000083
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000084
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000085
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000086
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000087
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000088
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000089
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000090
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000091
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000092
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000093
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000094
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000095
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000096
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000097
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000098
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000099
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000100
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000101
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000102
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000103
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000104
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000105
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000106
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000107
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000108
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000109
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000110
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000111
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000112
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000113
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000114
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000115
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000116
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000117
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000118
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000119
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000120
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000121
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000122
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000123
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000124
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000125
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000126
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000127
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000128
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000129
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000130
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000131
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000132
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000133
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000134
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000135
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000136
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000137
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000138
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000139
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000140
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000141
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000142
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000143
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000144
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000145
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000146
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000147
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000148
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000149
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000150
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000151
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000152
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000153
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000154
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000155
（第二の化合物）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の化合物は、下記一般式（２）で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000156
（前記一般式（２）において、
　Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｌ２０１及びＬ２０２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ２０１及びＡｒ２０２は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
（前記実施形態に係る第二の化合物中、Ｒ９０１、Ｒ９０２、Ｒ９０３、Ｒ９０４、Ｒ９０５、Ｒ９０６、Ｒ９０７、Ｒ８０１及びＲ８０２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ９０１が複数存在する場合、複数のＲ９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ９０２が複数存在する場合、複数のＲ９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ９０３が複数存在する場合、複数のＲ９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ９０４が複数存在する場合、複数のＲ９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ９０５が複数存在する場合、複数のＲ９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ９０６が複数存在する場合、複数のＲ９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ９０７が複数存在する場合、複数のＲ９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ８０１が複数存在する場合、複数のＲ８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
　Ｒ８０２が複数存在する場合、複数のＲ８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
　　置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
　　－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
　　－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、又は
　　ニトロ基であり、
　Ｌ２０１及びＬ２０２は、それぞれ独立に、
　　単結合、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
　Ａｒ２０１及びＡｒ２０２は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　Ｌ２０１及びＬ２０２は、それぞれ独立に、
　　単結合、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であり、
　Ａｒ２０１及びＡｒ２０２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　Ａｒ２０１及びＡｒ２０２は、それぞれ独立に、
　　フェニル基、
　　ナフチル基、
　　フェナントリル基、
　　ビフェニル基、
　　ターフェニル基、
　　ジフェニルフルオレニル基、
　　ジメチルフルオレニル基、
　　ベンゾジフェニルフルオレニル基、
　　ベンゾジメチルフルオレニル基、
　　ジベンゾフラニル基、
　　ジベンゾチエニル基、
　　ナフトベンゾフラニル基、又は
　　ナフトベンゾチエニル基であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（２）で表される第二の化合物は、下記一般式（２０１）、一般式（２０２）、一般式（２０３）、一般式（２０４）、一般式（２０５）、一般式（２０６）、一般式（２０７）、一般式（２０８）又は一般式（２０９）で表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000157
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000158
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000159
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000160
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000161
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000162
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000163
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000164
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000165
（前記一般式（２０１）～（２０９）中、
　Ｌ２０１及びＡｒ２０１は、前記一般式（２）におけるＬ２０１及びＡｒ２０１と同義であり、
　Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ２０１～Ｒ２０８と同義である。）
　前記一般式（２）で表される第二の化合物は、下記一般式（２２１）、一般式（２２２）、一般式（２２３）、一般式（２２４）、一般式（２２５）、一般式（２２６）、一般式（２２７）、一般式（２２８）又は一般式（２２９）で表される化合物であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000166
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000167
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000168
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000169
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000170
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000171
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000172
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000173
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000174
（前記一般式（２２１）、一般式（２２２）、一般式（２２３）、一般式（２２４）、一般式（２２５）、一般式（２２６）、一般式（２２７）、一般式（２２８）及び一般式（２２９）において、
　Ｒ２０１並びにＲ２０３～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ２０１並びにＲ２０３～Ｒ２０８と同義であり、
　Ｌ２０１及びＡｒ２０１は、それぞれ、前記一般式（２）におけるＬ２０１及びＡｒ２０１と同義であり、
　Ｌ２０３は、前記一般式（２）におけるＬ２０１と同義であり、
　Ｌ２０３とＬ２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ２０３は、前記一般式（２）におけるＡｒ２０１と同義であり、
　Ａｒ２０３とＡｒ２０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）
　前記一般式（２）で表される第二の化合物は、下記一般式（２４１）、一般式（２４２）、一般式（２４３）、一般式（２４４）、一般式（２４５）、一般式（２４６）、一般式（２４７）、一般式（２４８）又は一般式（２４９）で表される化合物であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000175
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000176
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000177
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000178
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000179
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000180
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000181
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000182
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000183
（前記一般式（２４１）、一般式（２４２）、一般式（２４３）、一般式（２４４）、一般式（２４５）、一般式（２４６）、一般式（２４７）、一般式（２４８）及び一般式（２４９）において、
　Ｒ２０１、Ｒ２０２並びにＲ２０４～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ２０１、Ｒ２０２並びにＲ２０４～Ｒ２０８と同義であり、
　Ｌ２０１及びＡｒ２０１は、それぞれ、前記一般式（２）におけるＬ２０１及びＡｒ２０１と同義であり、
　Ｌ２０３は、前記一般式（２）におけるＬ２０１と同義であり、
　Ｌ２０３とＬ２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ａｒ２０３は、前記一般式（２）におけるＡｒ２０１と同義であり、
　Ａｒ２０３とＡｒ２０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）
　前記一般式（２）で表される第二の化合物中、前記一般式（２１）で表される基ではないＲ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基であることが好ましい。
　Ｌ１０１は、
　　単結合、又は
　　無置換の環形成炭素数６～２２のアリーレン基であり、
　Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２２のアリール基であることが好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（２）で表される第二の化合物中、アントラセン骨格の置換基であるＲ２０１～Ｒ２０８は、分子間の相互作用が抑制されることを防ぎ、電子移動度の低下を抑制する点から、水素原子であることが好ましいが、Ｒ２０１～Ｒ２０８は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基でもよい。
　Ｒ２０１～Ｒ２０８がアルキル基及びシクロアルキル基等のかさ高い置換基となった場合、分子間の相互作用が抑制され、第一のホスト材料に対し電子移動度が低下し、前記数式（数１６）に記載のμＥ２＞μＥ１の関係を満たさなくなるおそれがある。第二の化合物を第二の発光層に用いた場合には、μＥ２＞μＥ１の関係を満たす事で第一の発光層でのホールと電子との再結合能の低下、及び発光効率の低下を抑制することが期待できる。なお、置換基としては、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、－ＣＯＯＲ８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基がかさ高くなるおそれがあり、アルキル基、及びシクロアルキル基がさらにかさ高くなるおそれがある。
　前記一般式（２）で表される第二の化合物中、アントラセン骨格の置換基であるＲ２０１～Ｒ２０８は、かさ高い置換基ではないことが好ましく、アルキル基及びシクロアルキル基ではないことが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、－ＣＯＯＲ８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基ではないことがより好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基であることも好ましい。
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
　前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ２０１～Ｒ２０８は、水素原子であることが好ましい。
　前記第二の化合物中、Ｒ２０１～Ｒ２０８における「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、前述のかさ高くなるおそれのある置換基、特に置換もしくは無置換のアルキル基、及び置換もしくは無置換のシクロアルキル基を含まないことも好ましい。Ｒ２０１～Ｒ２０８における「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、置換もしくは無置換のアルキル基、及び置換もしくは無置換のシクロアルキル基を含まないことにより、アルキル基及びシクロアルキル基等のかさ高い置換基が存在する事による分子間の相互作用が抑制されるのを防ぎ、電子移動度の低下を防ぐことができ、また、このような第二の化合物を第二の発光層に用いた場合には、第一の発光層でのホールと電子との再結合能の低下、及び発光効率の低下を抑制できる。
　アントラセン骨格の置換基であるＲ２０１～Ｒ２０８がかさ高い置換基ではなく、置換基としてのＲ２０１～Ｒ２０８は、無置換であることがさらに好ましい。また、アントラセン骨格の置換基であるＲ２０１～Ｒ２０８がかさ高い置換基ではない場合において、かさ高くない置換基としてのＲ２０１～Ｒ２０８に置換基が結合する場合、当該置換基もかさ高い置換基ではないことが好ましく、置換基としてのＲ２０１～Ｒ２０８に結合する当該置換基は、アルキル基及びシクロアルキル基ではないことが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、－ＣＯＯＲ８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基ではないことがより好ましい。
　前記第二の化合物において、「置換もしくは無置換」と記載された基は、いずれも「無置換」の基であることが好ましい。
（第二の化合物の製造方法）
　第二の化合物は、公知の方法により製造できる。また、第二の化合物は、公知の方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応及び原料を用いることによっても、製造できる。
（第二の化合物の具体例）
　第二の化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。ただし、本発明は、これら第二の化合物の具体例に限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000184
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000185
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000186
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000187
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000188
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000189
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000190
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000191
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000192
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000193
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000194
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000195
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000196
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000197
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000198
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000199
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000200
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000201
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000202
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000203
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000204
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000205
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000206
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000207
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000208
 
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000209
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000210
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000211
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000212
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000213
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000214
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000215
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000216
（第一の発光材料及び第二の発光材料）
　前記実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光材料及び第二の発光材料としては、
（ａ）前記数式（数２０）及び（数３０）の関係を満たす発光材料、又は
（ｂ）前記「前記ＰＬスペクトルの重なり積分が９９．０％以上」の要件を満たす発光材料であれば特に限定されるものではないが、例えば、下記一般式（５）で表される化合物、及び下記一般式（６）で表される化合物からなる群から選択される１以上の化合物を好適に使用し得る。
　また、第三の発光材料は、特に限定されないが、例えば、下記一般式（５）で表される化合物、又は下記一般式（６）で表される化合物を使用し得る。
（一般式（５）で表される化合物）
　一般式（５）で表される化合物について説明する
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000217
（前記一般式（５）において、
　Ｒ５０１～Ｒ５０７及びＲ５１１～Ｒ５１７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ５０１～Ｒ５０７及びＲ５１１～Ｒ５１７は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
　Ｒ５２１及びＲ５２２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
　「Ｒ５０１～Ｒ５０７及びＲ５１１～Ｒ５１７のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組」は、例えば、Ｒ５０１とＲ５０２からなる組、Ｒ５０２とＲ５０３からなる組、Ｒ５０３とＲ５０４からなる組、Ｒ５０５とＲ５０６からなる組、Ｒ５０６とＲ５０７からなる組、Ｒ５０１とＲ５０２とＲ５０３からなる組等の組合せである。
　一実施形態において、Ｒ５０１～Ｒ５０７及びＲ５１１～Ｒ５１７の少なくとも１つ、好ましくは２つが－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基である。
　一実施形態においては、Ｒ５０１～Ｒ５０７及びＲ５１１～Ｒ５１７は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
　一実施形態においては、前記一般式（５）で表される化合物は、下記一般式（５２）で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000218
（前記一般式（５２）において、
　Ｒ５３１～Ｒ５３４及びＲ５４１～Ｒ５４４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ５３１～Ｒ５３４、Ｒ５４１～Ｒ５４４、並びにＲ５５１及びＲ５５２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ５６１～Ｒ５６４は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
　一実施形態においては、前記一般式（５）で表される化合物は、下記一般式（５３）で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000219
（前記一般式（５３）において、Ｒ５５１、Ｒ５５２及びＲ５６１～Ｒ５６４は、それぞれ独立に、前記一般式（５２）におけるＲ５５１、Ｒ５５２及びＲ５６１～Ｒ５６４と同義である。）
　一実施形態においては、前記一般式（５２）及び一般式（５３）におけるＲ５６１～Ｒ５６４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基（好ましくはフェニル基）である。
　一実施形態においては、前記一般式（５）におけるＲ５２１及びＲ５２２、前記一般式（５２）及び一般式（５３）におけるＲ５５１及びＲ５５２は、水素原子である。
　一実施形態においては、前記一般式（５）、一般式（５２）及び一般式（５３）における、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
（一般式（５）で表される化合物の具体例）
　前記一般式（５）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000220
（一般式（６）で表される化合物）
　一般式（６）で表される化合物について説明する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000221
（前記一般式（６）において、
　ａ環、ｂ環及びｃ環は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
　Ｒ６０１及びＲ６０２は、それぞれ独立に、前記ａ環、ｂ環又はｃ環と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　前記置換もしくは無置換の複素環を形成しないＲ６０１及びＲ６０２は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
　ａ環、ｂ環及びｃ環は、ホウ素原子及び２つの窒素原子から構成される前記一般式（６）中央の縮合２環構造に縮合する環（置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環）である。
　ａ環、ｂ環及びｃ環の「芳香族炭化水素環」は、上述した「アリール基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
　ａ環の「芳香族炭化水素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子３つを環形成原子として含む。
　ｂ環及びｃ環の「芳香族炭化水素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。
　「置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環」の具体例としては、具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。
　ａ環、ｂ環及びｃ環の「複素環」は、上述した「複素環基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
　ａ環の「複素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子３つを環形成原子として含む。ｂ環及びｃ環の「複素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。「置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環」の具体例としては、具体例群Ｇ２に記載の「複素環基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。
　Ｒ６０１及びＲ６０２は、それぞれ独立に、ａ環、ｂ環又はｃ環と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成してもよい。この場合における複素環は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の窒素原子を含む。この場合における複素環は、窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよい。Ｒ６０１及びＲ６０２がａ環、ｂ環又はｃ環と結合するとは、具体的には、ａ環、ｂ環又はｃ環を構成する原子とＲ６０１及びＲ６０２を構成する原子が結合することを意味する。例えば、Ｒ６０１がａ環と結合して、Ｒ６０１を含む環とａ環が縮合した２環縮合（又は３環縮合以上）の含窒素複素環を形成してもよい。当該含窒素複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２のうち、窒素を含む２環縮合以上の複素環基に対応する化合物等が挙げられる。
　Ｒ６０１がｂ環と結合する場合、Ｒ６０２がａ環と結合する場合、及びＲ６０２がｃ環と結合する場合も上記と同じである。
　一実施形態において、前記一般式（６）におけるａ環、ｂ環及びｃ環は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環である。
　一実施形態において、前記一般式（６）におけるａ環、ｂ環及びｃ環は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゼン環又はナフタレン環である。
　一実施形態において、前記一般式（６）におけるＲ６０１及びＲ６０２は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
　一実施形態において、前記一般式（６）で表される化合物は下記一般式（６２）で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000222
（前記一般式（６２）において、
　Ｒ６０１Ａは、Ｒ６１１及びＲ６２１からなる群から選択される１以上と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　Ｒ６０２Ａは、Ｒ６１３及びＲ６１４からなる群から選択される１以上と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　前記置換もしくは無置換の複素環を形成しないＲ６０１Ａ及びＲ６０２Ａは、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ６１１～Ｒ６２１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ６１１～Ｒ６２１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
　前記一般式（６２）のＲ６０１Ａ及びＲ６０２Ａは、それぞれ、前記一般式（６）のＲ６０１及びＲ６０２に対応する基である。
　例えば、Ｒ６０１ＡとＲ６１１が結合して、これらを含む環とａ環に対応するベンゼン環が縮合した２環縮合（又は３環縮合以上）の含窒素複素環を形成してもよい。当該含窒素複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２のうち、窒素を含む２環縮合以上の複素環基に対応する化合物等が挙げられる。Ｒ６０１ＡとＲ６２１が結合する場合、Ｒ６０２ＡとＲ６１３が結合する場合、及びＲ６０２ＡとＲ６１４が結合する場合も上記と同じである。
　Ｒ６１１～Ｒ６２１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成してもよい。
　例えば、Ｒ６１１とＲ６１２が結合して、これらが結合する６員環に対して、ベンゼン環、インドール環、ピロール環、ベンゾフラン環又はベンゾチオフェン環等が縮合した構造を形成してもよく、形成された縮合環は、ナフタレン環、カルバゾール環、インドール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環となる。
　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６１１～Ｒ６２１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６１１～Ｒ６２１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６１１～Ｒ６２１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、又は
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。
　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６１１～Ｒ６２１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、又は
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基であり、
　Ｒ６１１～Ｒ６２１のうち少なくとも１つは、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。
　一実施形態において、前記一般式（６２）で表される化合物は、下記一般式（６３）で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000223
（前記一般式（６３）において、
　Ｒ６３１は、Ｒ６４６と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　Ｒ６３３は、Ｒ６４７と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　Ｒ６３４は、Ｒ６５１と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　Ｒ６４１は、Ｒ６４２と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
　Ｒ６３１～Ｒ６５１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
　　互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
　　互いに結合せず、
　前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ６３１～Ｒ６５１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
　　－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
　Ｒ６３１は、Ｒ６４６と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成してもよい。例えば、Ｒ６３１とＲ６４６が結合して、Ｒ６４６が結合するベンゼン環と、Ｎを含む環と、ａ環に対応するベンゼン環とが縮合した３環縮合以上の含窒素複素環を形成してもよい。当該含窒素複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２のうち、窒素を含む３環縮合以上の複素環基に対応する化合物等が挙げられる。Ｒ６３３とＲ６４７が結合する場合、Ｒ６３４とＲ６５１が結合する場合、及びＲ６４１とＲ６４２が結合する場合も上記と同じである。
　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６３１～Ｒ６５１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６３１～Ｒ６５１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６３１～Ｒ６５１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、又は
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。
　一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６３１～Ｒ６５１は、それぞれ独立に、
　　水素原子、又は
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基であり、
　Ｒ６３１～Ｒ６５１のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。
　一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ａ）で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000224
（前記一般式（６３Ａ）において、
　Ｒ６６１は、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
　Ｒ６６２～Ｒ６６５は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。）
　一実施形態において、Ｒ６６１～Ｒ６６５は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
　一実施形態において、Ｒ６６１～Ｒ６６５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。
　一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｂ）で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000225
（前記一般式（６３Ｂ）において、
　Ｒ６７１及びＲ６７２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
　Ｒ６７３～Ｒ６７５は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。）
　一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｂ’）で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000226
（前記一般式（６３Ｂ’）において、Ｒ６７２～Ｒ６７５は、それぞれ独立に、前記一般式（６３Ｂ）におけるＲ６７２～Ｒ６７５と同義である。）
　一実施形態において、Ｒ６７１～Ｒ６７５のうち少なくとも１つは、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
　一実施形態において、
　Ｒ６７２は、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
　Ｒ６７１及びＲ６７３～Ｒ６７５は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
　一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｃ）で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000227
（前記一般式（６３Ｃ）において、
　Ｒ６８１及びＲ６８２は、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
　Ｒ６８３～Ｒ６８６は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。）
　一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｃ’）で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000228
（前記一般式（６３Ｃ’）において、Ｒ６８３～Ｒ６８６は、それぞれ独立に、前記一般式（６３Ｃ）におけるＲ６８３～Ｒ６８６と同義である。）
　一実施形態において、Ｒ６８１～Ｒ６８６は、それぞれ独立に、
　　置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
　　置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
　一実施形態において、Ｒ６８１～Ｒ６８６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
　前記一般式（６）で表される化合物は、まずａ環、ｂ環及びｃ環を連結基（Ｎ－Ｒ６０１を含む基及びＮ－Ｒ６０２を含む基）で結合させることで中間体を製造し（第１反応）、ａ環、ｂ環及びｃ環を連結基（ホウ素原子を含む基）で結合させることで最終生成物を製造することができる（第２反応）。第１反応ではバッハブルト－ハートウィッグ反応等のアミノ化反応を適用できる。第２反応では、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応等を適用できる。
（一般式（６）で表される化合物の具体例）
　以下に、前記一般式（６）で表される化合物の具体例を記載するが、これらは例示に過ぎず、前記一般式（６）で表される化合物は下記具体例に限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000229
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000230
　一実施形態においては、前記各式中の「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、
　　無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
　　無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
　　無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
　　－Ｓｉ（Ｒ９０１ａ）（Ｒ９０２ａ）（Ｒ９０３ａ）、
　　－Ｏ－（Ｒ９０４ａ）、
　　－Ｓ－（Ｒ９０５ａ）、
　　－Ｎ（Ｒ９０６ａ）（Ｒ９０７ａ）、
　　ハロゲン原子、
　　シアノ基、
　　ニトロ基、
　　無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ９０１ａ～Ｒ９０７ａは、それぞれ独立に、
　　水素原子、
　　無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
　Ｒ９０１ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０１ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ９０２ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０２ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ９０３ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０３ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ９０４ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０４ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ９０５ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０５ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ９０６ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０６ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
　Ｒ９０７ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０７ａは、互いに同一であるか、又は異なる。
　一実施形態においては、前記各式中の「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、
　　無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
　　無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
　　無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
　一実施形態においては、前記各式中の「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、
　　無置換の炭素数１～１８のアルキル基、
　　無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、又は
　　無置換の環形成原子数５～１８の複素環基である。
〔第六実施形態〕
〔有機エレクトロルミネッセンス発光装置〕
　第六実施形態に係る有機ＥＬ発光装置は、第一実施形態から第三実施形態のいずれかに係る有機ＥＬ素子である第１の素子と、前記第１の素子とは異なる有機ＥＬ素子である第２の素子と、基板と、を有する。
　第１の素子としては、第一実施形態から第三実施形態のいずれかに係る有機ＥＬ素子を適用できる。
　第２の素子は、蛍光発光する素子であっても、燐光発光する素子であってもよい。第２の素子としては、第一実施形態から第三実施形態のいずれかに係る有機ＥＬ素子を適用してもよいし、前記実施形態とは異なる有機ＥＬ素子を適用してもよい。
第１の素子及び第２の素子の発光色は特に限定されない。
　図４に、第六実施形態に係る有機ＥＬ発光装置の一例の概略構成を示す。
　図４では、第１の素子として、第一実施形態の有機ＥＬ素子１を適用した場合について説明する。
　有機ＥＬ発光装置１０１は、第１の素子１００（第一実施形態の有機ＥＬ素子１）と、第１の素子１００とは異なる第２の素子２００と、透光性の基板２と、色変換部とを有する。色変換部は、陽極３側に配置された第一のカラーフィルター８１及び第二のカラーフィルター８２で構成される。第１の素子１００及び第２の素子２００は、基板２の上に並列して配置されている。
　第２の素子２００は、発光層として第２の素子発光層６０を備える。第２の素子発光層６０は単層であっても、積層構成であってもよいし、蛍光発光層であっても、燐光発光層であってもよい。
　第１の素子１００及び第２の素子２００から放射された光は、陽極３側から取り出され、色変換部（第一のカラーフィルター８１及び第二のカラーフィルター８２）を通過して有機ＥＬ発光装置１０１の外部へと出射される。
　第六実施形態の有機ＥＬ発光装置１０１は、図４に示す有機ＥＬ発光装置１０１の構成に限定されない。別の構成の有機ＥＬ発光装置としては、色変換部（第一のカラーフィルター８１及び第二のカラーフィルター８２）が、基板２と陽極３との間に配置される態様が挙げられる。また、色変換部として、量子ドットを用いる態様が挙げられる。
　第六実施形態によれば、発光効率を向上できる有機ＥＬ発光装置１０１を提供できる。第六実施形態に係る有機ＥＬ発光装置１０１は、表示装置及び発光装置等の電子機器に使用できる。
〔第七実施形態〕
　第七実施形態に係る有機ＥＬ発光装置の構成について説明する。第七実施形態の説明において第六実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略化する。
　第七実施形態に係る有機ＥＬ発光装置は、第３の素子をさらに有する点で、第六実施形態に係る有機ＥＬ発光装置と異なる。
　第七実施形態に係る有機ＥＬ発光装置は、第１の素子及び第２の素子とは異なる有機ＥＬ素子である第３の素子をさらに有する。
　第３の素子は、蛍光発光する素子であっても、燐光発光する素子であってもよい。第３の素子としては、第一実施形態から第三実施形態のいずれかに係る有機ＥＬ素子を適用してもよいし、前記実施形態とは異なる有機ＥＬ素子を適用してもよい。第３の素子の発光色は特に限定されない。
　第七実施形態では、第六実施形態と同様に、第１の素子が第一実施形態の有機ＥＬ素子１である場合について説明する。
　図５に、第七実施形態に係る有機ＥＬ発光装置の一例の概略構成を示す。
　有機ＥＬ発光装置１０２は、第１の素子１００（第一実施形態の有機ＥＬ素子１）と、第２の素子２００と、第３の素子３００と、透光性の基板２と、色変換部とを有する。色変換部は、陽極３側に配置された第一のカラーフィルター８１、第二のカラーフィルター８２及び第三のカラーフィルター８３で構成される。第１の素子１００、第２の素子２００及び第３の素子３００は、基板２の上に並列して配置されている。
　第３の素子３００は、発光層として第３の素子発光層７０を備える。第３の素子発光層７０は単層であっても、積層構成であってもよいし、蛍光発光層であっても、燐光発光層であってもよい。
　第１の素子１００、第２の素子２００及び第３の素子３００から放射された光は、陽極３側から取り出され、色変換部（第一のカラーフィルター８１、第二のカラーフィルター８２及び第三のカラーフィルター８３）を通過して有機ＥＬ発光装置１０２の外部へと出射される。
　第七実施形態の有機ＥＬ発光装置１０２は、図５に示す有機ＥＬ発光装置１０２の構成に限定されない。別の構成の有機ＥＬ発光装置としては、色変換部（第一のカラーフィルター８１、第二のカラーフィルター８２及び第三のカラーフィルター８３）が、基板２と陽極３との間に配置される態様が挙げられる。また、色変換部として、量子ドットを用いる態様が挙げられる。
　第七実施形態によれば、発光効率を向上できる有機ＥＬ発光装置１０２を提供できる。第七実施形態に係る有機ＥＬ発光装置１０２は、表示装置及び発光装置等の電子機器に使用できる。
〔第八実施形態〕
［電子機器］
　第八実施形態に係る電子機器は、第一実施形態から第五実施形態の少なくともいずれかの有機ＥＬ素子を搭載しているか、又は第六実施形態及び第七実施形態の少なくともいずれかの有機ＥＬ発光装置を搭載している。
　電子機器としては、例えば、表示装置及び発光装置等が挙げられる。表示装置としては、例えば、表示部品（例えば、有機ＥＬパネルモジュール等）、テレビ、携帯電話、タブレット、及びパーソナルコンピュータ等が挙げられる。発光装置としては、例えば、照明及び車両用灯具等が挙げられる。
〔実施形態の変形〕
　なお、本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良等は、本発明に含まれる。
　例えば、発光層は、２層に限られず、２を超える複数の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が２を超える複数の発光層を有する場合、少なくとも２つの発光層が上記実施形態で説明した条件を満たしていればよい。例えば、その他の発光層が、蛍光発光型の発光層であっても、三重項励起状態から直接基底状態への電子遷移による発光を利用した燐光発光型の発光層であってもよい。
　また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、中間層を介して複数の発光ユニットが積層された、いわゆるタンデム型の有機ＥＬ素子であってもよい。
　また、例えば、発光層の陽極側、及び陰極側の少なくとも一方に障壁層を隣接させて設けてもよい。障壁層は、発光層に接して配置され、正孔、電子、及び励起子の少なくともいずれかを阻止することが好ましい。
　例えば、発光層の陰極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、電子を輸送し、かつ正孔が当該障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、電子輸送層を含む場合は、発光層と電子輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
　また、発光層の陽極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、正孔を輸送し、かつ電子が当該障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、正孔輸送層を含む場合は、発光層と正孔輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
　また、励起エネルギーが発光層からその周辺層に漏れ出さないように、障壁層を発光層に隣接させて設けてもよい。発光層で生成した励起子が、当該障壁層よりも電極側の層（例えば、電子輸送層及び正孔輸送層等）に移動することを阻止する。
　発光層と障壁層とは接合していることが好ましい。
　その他、本発明の実施における具体的な構造、及び形状等は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。
　以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明はこれら実施例に何ら限定されない。
　実施例１及び比較例１に係る有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物の構造を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000231
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000232
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000233
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000234
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000235
＜ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の作製１＞
　有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。
〔実施例１〕
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
　洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして、化合物ＨＡ１０を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
　正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ１０を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
　第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ２０を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
　第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－６（第一のホスト材料（ＢＨ１））及び化合物ＢＤ－２（第一の発光材料（ＢＤ１））を、化合物ＢＤ－２の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
　第一の発光層上に化合物ＢＨ２－４（第二のホスト材料（ＢＨ２））及び化合物ＢＤ－２（第二の発光材料（ＢＤ２））を、化合物ＢＤ－２の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
　第二の発光層上に化合物ＥＴ１０を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
　第１の電子輸送層（ＨＢＬ）上に化合物ＥＴ２０を蒸着し、膜厚１５ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
　第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
　電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
　実施例１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA10(5)/HT10(80)/HT20(10)/BH1-6:BD-2 (5,98%:2%)/
BH2-4:BD-2(20,98%:2%)/ET10(10)/ET20(15)/LiF(1)/Al(80)
　なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
　同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－６又はＢＨ２－４）及び発光材料（化合物ＢＤ－２）の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔比較例１〕
　比較例１の有機ＥＬ素子は、実施例１の第一の発光層における化合物ＢＨ１－６及びＢＤ－２を表８に記載の化合物に置き換え、第二の発光層における化合物ＢＤ－２を表８に記載の化合物に置き換えたこと以外、実施例１と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の評価＞
　実施例１及び比較例１で作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表８に示す。
・外部量子効率ＥＱＥ
　まず、カラーフィルター取り付け前の有機ＥＬ素子について、以下の方法で外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を測定した。
　電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。
　次に、有機ＥＬ素子に、カラーフィルターを、透明接着剤を用いて取り付けた。
　カラーフィルターは、ゼラチンカラーフィルター（エドモンド・オプティクス・ジャパン社製、ＮＯ．４７　ディープブルー、商品コード＃５３－７００）を用いた。
　カラーフィルター取り付け後の有機ＥＬ素子に、再度、電流密度が１０．０ｍＡ／ｃｍ２となるように電圧を印加し、その時の分光放射輝度スペクトルを前記分光放射輝度計ＣＳ－２０００で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。
　下記数式（数１０１）を用いて、「カラーフィルター取り付け前のＥＱＥ（％）」を１００としたときの「カラーフィルター取り付け後のＥＱＥ（％）」を「ＥＱＥ（相対値：％）」として求めた。下記数式（数１０１）中、各例は、実施例１又は比較例１である。
　各例のＥＱＥ（相対値：％）＝（カラーフィルター取り付け後の各例のＥＱＥ（％）／カラーフィルター取り付け前の各例のＥＱＥ（％））×１００　（数１０１）
・素子駆動時の素子から放射される光の最大のピーク波長λｐ
　有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、最大のピーク波長λｐ（単位：ｎｍ）を算出した。
・｜λ１－λ２｜及び｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜
　既述の方法で、第一の膜及び第二の膜を準備し、第一の膜（第一の発光層と同じ構成）のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ１及び半値幅ＦＷＨＭ１、並びに第二の膜（第二の発光層と同じ構成）のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ２及び半値幅ＦＷＨＭ２を測定した。
　得られた値から｜λ１－λ２｜（単位：ｎｍ）、及び｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜（単位：ｎｍ）を算出した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000236
・表８の説明
　ＣＦはカラーフィルターを表す。
　Δλは、｜λ１－λ２｜を表す。
　ΔＦＷＨＭは、｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜を表す。
　表９～１３も同様である。
　実施例１及び比較例１の有機ＥＬ素子において、所望の色度を得るため、カラーフィルターを通すと、比較例１では、カラーフィルターにより、発光効率が大きく削られたが、実施例１では元のスペクトルが短波長であるため発光効率が削られる領域が小さくなった。表８に示す通り、カラーフィルター設置前のＥＱＥを１００としたとき、実施例１では、ＥＱＥを５８％維持できた。
　前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を全て満たす実施例１は、前記数式（数３０）の関係を満たさない比較例１に比べ、発光効率が向上した。
　また、実施例１は、前記数式（数１）の関係を満たし、重なり積分が９９．０％以上の特性を有する第一の発光層及び第二の発光層を備えている。
　実施例２～４及び比較例２～４に係る有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物の構造を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000237
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000238
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000239
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000240
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000241
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000242
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000243
＜トップエミッション型の有機ＥＬ素子の作製１＞
　有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。
〔実施例２〕
　ガラス基板の上に、銀合金であるＡＰＣ（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ）の層（光反射層）（膜厚１００ｎｍ）、及び酸化インジウム亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ　ｚｉｎｃ　ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）の層（導電層）（膜厚１０ｎｍ）を、この順にスパッタリング法により成膜した。
　続いて、通常のリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、光反射層及び導電層からなる導電材料層をパターニングし、光反射層を備える陽極を形成した。下部電極（陽極）が形成された基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
　その後、真空蒸着法を用いて化合物ＨＴ１およびＨＡ１を共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層を形成した。正孔注入層における化合物ＨＴ１の濃度を９７質量％とし、ＨＡ１の濃度を３質量％とした。
　次に、正孔注入層上に、化合物ＨＴ１を蒸着し、膜厚１１４ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
　次に、この第一の正孔輸送層上に、化合物ＥＢ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）
　第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－５（第一のホスト材料（ＢＨ１））及び化合物ＢＤ－２（第一の発光材料（ＢＤ１））を、化合物ＢＤ－２の割合が１質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
　第一の発光層上に化合物ＢＨ２－７（第二のホスト材料（ＢＨ２））及び化合物ＢＤ－２（第二の発光材料（ＢＤ２））を、化合物ＢＤ－２の割合が１質量％となるように共蒸着し、膜厚１５ｎｍの第二の発光層を成膜した。
　第二の発光層上に化合物ＨＢ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
　第１の電子輸送層（ＨＢＬ）上に化合物ＥＴ１及び化合物Ｌｉｑを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。この第２の電子輸送層（ＥＴ）の化合物ＥＴ１の割合を５０質量％とし、化合物Ｌｉｑの割合を５０質量％とした。なお、Ｌｉｑは、（８－キノリノラト）リチウム（（８－Ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ｌｉｔｈｉｕｍ）の略称である。
　第２の電子輸送層上にイッテルビウム（Ｙｂ）を蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
　電子注入層上に、ＭｇとＡｇとを蒸着成膜し、半透過性のＭｇＡｇ合金からなる膜厚１２ｎｍの陰極を形成した。陰極におけるＭｇの濃度を１０質量％とし、Ａｇの濃度を９０質量％とした。陰極の上にＣａｐを真空蒸着法によって成膜し、膜厚６５ｎｍのキャッピング層を形成した。
　実施例２の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
APC(100)/IZO(10）/HT1:HA1(10,97%:3%)/HT1(114)/EB1(5)/
BH1-5:BD-2(5,99%:1%)/BH2-7:BD-2(15,99%:1%)/
HB1(5)/ET1:Liq(25,50%:50%)/Yb(1)/Mg:Ag(12,10%:90%)/Cap(65)
　なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
　同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９７％：３％）は、正孔注入層における化合物ＨＴ１及び化合物ＨＡ１の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（９９％：１％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（ＢＨ１又はＢＨ２）及び発光材料（ＢＤ１又はＢＤ２）の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（５０％：５０％）は、第２の電子輸送層（ＥＴ）における化合物ＥＴ１及び化合物Ｌｉｑの割合（質量％）を示す。
〔比較例２〕
　比較例２の有機ＥＬ素子は、実施例２の第一の発光層における化合物ＢＨ１－５を表９に記載の化合物に置き換えたこと以外、実施例２と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の評価＞
　実施例２及び比較例２で作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表９に示す。
・電流効率Ｌ／Ｊ及び「Ｌ／Ｊ／ＣＩＥｙ」の値
　電流密度が、１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを、分光放射輝度計ＣＳ－１０００（コニカミノルタ社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、色度ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ、及び電流効率（単位：ｃｄ／Ａ）を算出した。
　「Ｌ／Ｊ／ＣＩＥｙ」の値は、電流効率Ｌ／Ｊの値をＣＩＥｙの値で除することにより算出した。本評価では、「Ｌ／Ｊ／ＣＩＥｙ」の値を発光効率の指標として用いた。
・素子駆動時の素子から放射される光の最大のピーク波長λｐ
　有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、最大のピーク波長λｐ（単位：ｎｍ）を算出した。
・｜λ１－λ２｜及び｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜
　既述の方法で、第一の膜及び第二の膜を準備し、第一の膜（第一の発光層と同じ構成）のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ１及び半値幅ＦＷＨＭ１、並びに第二の膜（第二の発光層と同じ構成）のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ２及び半値幅ＦＷＨＭ２を測定した。
　得られた値から｜λ１－λ２｜（単位：ｎｍ）、及び｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜（単位：ｎｍ）を算出した。
　図６に、各例で用いた発光層と同一構成である化合物ＢＨ１－５及びＢＤ－２からなる膜（第一の膜）、化合物ＢＨ１－１５及びＢＤ－２からなる膜（第一の膜）、化合物ＢＨ１－１及びＢＤ－２からなる膜（第一の膜）、化合物ＢＨ１－８及びＢＤ－２からなる膜、化合物ＢＨ２－７及びＢＤ－２からなる膜（第二の膜）、及び化合物ＢＨ２－１２及びＢＤ－２からなる膜（第二の膜）のＰＬスペクトルを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000244
　前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を全て満たす実施例２は、前記数式（数３０）の関係を満たさない比較例２に比べ、発光効率が向上した。
　また、実施例２は、前記数式（数１）の関係を満たし、重なり積分が９９．０％以上の特性を有する第一の発光層及び第二の発光層を備えている。
　図６より、実施例２の第一の発光層と同一構成の第一の膜（化合物ＢＨ１－５及びＢＤ－２からなる膜）及び第二の発光層と同一構成の第二の膜（化合物ＢＨ２－７及びＢＤ－２からなる膜）の重なり積分は、９９．６％と算出された。一方、比較例２の第一の発光層と同一構成の膜（化合物ＢＨ１－８及びＢＤ－２からなる膜）及び第二の発光層と同一構成の膜（化合物ＢＨ２－７及びＢＤ－２からなる膜）の重なり積分は、９４．９％であった。
＜トップエミッション型の有機ＥＬ素子の作製２＞
〔実施例３及び比較例３〕
　実施例３及び比較例３の有機ＥＬ素子は、実施例２の第一の発光層における化合物ＢＨ１－５を表１０に記載の化合物に置き換え、第二の発光層における化合物ＢＨ２－７を表１０に記載の化合物に置き換え、さらに第２の電子輸送層における化合物ＥＴ１を化合物ＥＴ２に置き換えたこと以外、実施例２と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の評価＞
　実施例３及び比較例３で作製した有機ＥＬ素子について、実施例１と同様の評価を行った。評価結果を表１０に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000245
　前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を全て満たす実施例３は、前記数式（数３０）の関係を満たさない比較例３に比べ、発光効率が向上した。
　また、実施例３は、前記数式（数１）の関係を満たし、重なり積分が９９．０％以上の特性を有する第一の発光層及び第二の発光層を備えている。
　図６より、実施例３の第一の発光層と同一構成の第一の膜（化合物ＢＨ１－１５及びＢＤ－２からなる膜）及び第二の発光層と同一構成の第二の膜（化合物ＢＨ２－１２及びＢＤ－２からなる膜）の重なり積分は、９９．３％と算出された。一方、比較例３の第一の発光層と同一構成の膜（化合物ＢＨ１－８及びＢＤ－２からなる膜）及び第二の発光層と同一構成の膜（化合物ＢＨ２－１２及びＢＤ－２からなる膜）の重なり積分は、９４．９％であった。
＜トップエミッション型の有機ＥＬ素子の作製３＞
〔実施例４及び比較例４〕
　実施例４及び比較例４の有機ＥＬ素子は、実施例２の第一の発光層における化合物ＢＨ１－５を表１１に記載の化合物に置き換えたこと以外、実施例２と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の評価＞
　実施例４及び比較例４で作製した有機ＥＬ素子について、実施例２と同様の評価を行った。評価結果を表１１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000246
　前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を全て満たす実施例４は、前記数式（数３０）の関係を満たさない比較例４に比べ、発光効率が向上した。
　また、実施例４は、前記数式（数１）の関係を満たし、重なり積分が９９．０％以上の特性を有する第一の発光層及び第二の発光層を備えている。
　図６より、実施例４の第一の発光層と同一構成の第一の膜（化合物ＢＨ１－１及びＢＤ－２からなる膜）及び第二の発光層と同一構成の第二の膜（化合物ＢＨ２－７及びＢＤ－２からなる膜）の重なり積分は、９９．０％と算出された。一方、比較例４の第一の発光層と同一構成の膜（化合物ＢＨ１－８及びＢＤ－２からなる膜）及び第二の発光層と同一構成の膜（化合物ＢＨ２－７及びＢＤ－２からなる膜）の重なり積分は、９４．９％であった。
　実施例５～１０及び比較例５～１０に係る有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物の構造を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000247
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000248
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000249
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000250
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000251
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000252
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000253
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000254
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000255
＜トップエミッション型の有機ＥＬ素子の作製４＞
　有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。
〔実施例５〕
　ガラス基板の上に、銀合金であるＡＰＣ（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ）の層（光反射層）（膜厚１００ｎｍ）、及び酸化インジウム亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ　ｚｉｎｃ　ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）の層（導電層）（膜厚１０ｎｍ）を、この順にスパッタリング法により成膜した。
　続いて、通常のリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、光反射層及び導電層からなる導電材料層をパターニングし、光反射層を備える陽極を形成した。下部電極（陽極）が形成された基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
　その後、真空蒸着法を用いて化合物ＨＴ１０およびＨＡ１を共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層を形成した。正孔注入層における化合物ＨＴ１０の濃度を９７質量％とし、ＨＡ１の濃度を３質量％とした。
　次に、正孔注入層上に、化合物ＨＴ１０を蒸着し、膜厚１１２ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
　次に、この第一の正孔輸送層上に、化合物ＨＴ２０を蒸着し、膜厚５ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）
　第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－１６（第一のホスト材料（ＢＨ１））及び化合物ＢＤ－１（第一の発光材料（ＢＤ１））を、化合物ＢＤ－１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
　第一の発光層上に化合物ＢＨ２－４（第二のホスト材料（ＢＨ２））及び化合物ＢＤ－１（第二の発光材料（ＢＤ２））を、化合物ＢＤ－１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚１５ｎｍの第二の発光層を成膜した。
　第二の発光層上に化合物ＥＴ１０を蒸着し、膜厚５ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
　第１の電子輸送層（ＨＢＬ）上に化合物ＥＴ２０及び化合物Ｌｉｑを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。この第２の電子輸送層（ＥＴ）の化合物ＥＴ２０の割合を５０質量％とし、化合物Ｌｉｑの割合を５０質量％とした。
　第２の電子輸送層上にイッテルビウム（Ｙｂ）を蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
　電子注入層上に、ＭｇとＡｇとを蒸着成膜し、半透過性のＭｇＡｇ合金からなる膜厚１３ｎｍの陰極を形成した。陰極におけるＭｇの濃度を１０質量％とし、Ａｇの濃度を９０質量％とした。陰極の上にＣａｐを真空蒸着法によって成膜し、膜厚６５ｎｍのキャッピング層を形成した。
　実施例５の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
APC(100)/IZO(10）/HT10:HA1(10,97%:3%)/HT10(112)/HT20(5)/
BH1-16:BD-1(5,98%:2%)/BH2-4:BD-1(15,98%:2%)/
ET10(5)/ET20:Liq(25,50%:50%)/Yb(1)/Mg:Ag(13,10%:90%)/Cap(65)
　なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
　同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９７％：３％）は、正孔注入層における化合物ＨＴ１０及び化合物ＨＡ１の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（ＢＨ１又はＢＨ２）及び発光材料（ＢＤ１又はＢＤ２）の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（５０％：５０％）は、第２の電子輸送層（ＥＴ）における化合物ＥＴ２０及び化合物Ｌｉｑの割合（質量％）を示す。
〔実施例６～７及び比較例５～７〕
　実施例６～７及び比較例５～７の有機ＥＬ素子は、実施例５の第一の発光層における化合物ＢＨ１－１６を表１２に記載の化合物に置き換えたこと以外、実施例５と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の評価＞
　実施例５～７及び比較例５～７で作製した有機ＥＬ素子について、実施例２と同様の評価を行った。評価結果を表１２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000256
　前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を全て満たす実施例５は、前記数式（数３０）の関係を満たさない比較例５に比べ、発光効率が向上した。
　同様に、実施例６は、比較例６に比べ、発光効率が向上した。実施例７は、比較例７に比べ、発光効率が向上した。
　また、実施例５～７は、前記数式（数１）の関係を満たし、重なり積分が９９．０％以上の特性を有する第一の発光層及び第二の発光層を備えている。
＜トップエミッション型の有機ＥＬ素子の作製５＞
　有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。
〔実施例８〕
　ガラス基板の上に、銀合金であるＡＰＣ（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ）の層（光反射層）（膜厚１００ｎｍ）、及び酸化インジウム亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ　ｚｉｎｃ　ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）の層（導電層）（膜厚１０ｎｍ）を、この順にスパッタリング法により成膜した。
　続いて、通常のリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、光反射層及び導電層からなる導電材料層をパターニングし、光反射層を備える陽極を形成した。下部電極（陽極）が形成された基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
　その後、真空蒸着法を用いて化合物ＨＴ２およびＨＡ１を共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層を形成した。正孔注入層における化合物ＨＴ２の濃度を９０質量％とし、ＨＡ１の濃度を１０質量％とした。
　次に、正孔注入層上に、化合物ＨＴ２を蒸着し、膜厚１２２ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
　次に、この第一の正孔輸送層上に、化合物ＥＢ２を蒸着し、膜厚５ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）
　第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－１９（第一のホスト材料（ＢＨ１））及び化合物ＢＤ－２（第一の発光材料（ＢＤ１））を、化合物ＢＨ１－１９の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚１０ｎｍの第一の発光層を成膜した。
　第一の発光層上に化合物ＢＨ２－１３（第二のホスト材料（ＢＨ２））及び化合物ＢＤ－２（第二の発光材料（ＢＤ２））を、化合物ＢＤ－２の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
　第二の発光層上に化合物ＨＢ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
　第１の電子輸送層（ＨＢＬ）上に化合物ＥＴ３及び化合物Ｌｉｑを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。この第２の電子輸送層（ＥＴ）の化合物ＥＴ３の割合を５０質量％とし、化合物Ｌｉｑの割合を５０質量％とした。
　第２の電子輸送層上にイッテルビウム（Ｙｂ）を蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
　電子注入層上に、ＭｇとＡｇとを蒸着成膜し、半透過性のＭｇＡｇ合金からなる膜厚１３ｎｍの陰極を形成した。陰極におけるＭｇの濃度を１０質量％とし、Ａｇの濃度を９０質量％とした。陰極の上にＣａｐを真空蒸着法によって成膜し、膜厚６５ｎｍのキャッピング層を形成した。
　実施例８の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
APC(100)/IZO(10）/HT2:HA1(10,90%:10%)/HT2(112)/EB2(5)/
BH1-19:BD-2(10,98%:2%)/BH2-13:BD-2(10,98%:2%)/
HB1(5)/ET3:Liq(25,50%:50%)/Yb(1)/Mg:Ag(13,10%:90%)/Cap(65)
　なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
　同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９０％：１０％）は、正孔注入層における化合物ＨＴ２及び化合物ＨＡ１の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（ＢＨ１又はＢＨ２）及び発光材料（ＢＤ１又はＢＤ２）の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（５０％：５０％）は、第２の電子輸送層（ＥＴ）における化合物ＥＴ３及び化合物Ｌｉｑの割合（質量％）を示す。
〔実施例９～１０及び比較例８～１０〕
　実施例９～１０及び比較例８～１０の有機ＥＬ素子は、実施例８の第一の発光層における化合物ＢＨ１－１９を表１３に記載の化合物に置き換えたこと以外、実施例８と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の評価＞
　実施例８～１０及び比較例８～１０で作製した有機ＥＬ素子について、実施例２と同様の評価を行った。評価結果を表１３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000257
　前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を全て満たす実施例８は、前記数式（数３０）の関係を満たさない比較例８に比べ、発光効率が向上した。
　同様に、実施例９は、比較例９に比べ、発光効率が向上した。実施例１０は、比較例１０に比べ、発光効率が向上した。
　また、実施例８～１０は、前記数式（数１）の関係を満たし、重なり積分が９９．０％以上の特性を有する第一の発光層及び第二の発光層を備えている。
　実施例１－１～３－１、参考例１～３、比較例１Ａ～３Ａ及び比較例１Ｂ～３Ｂに係る有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物の構造を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000258
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000259
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000260
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000261
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000262
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000263
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000264
＜トップエミッション型の有機ＥＬ素子の作製１－１＞
　有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。
〔実施例１－１〕
　ガラス基板の上に、銀合金であるＡＰＣ（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ）の層（光反射層）（膜厚１００ｎｍ）、及び酸化インジウム亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ　ｚｉｎｃ　ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）の層（導電層）（膜厚１０ｎｍ）を、この順にスパッタリング法により成膜した。
　続いて、通常のリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、光反射層及び導電層からなる導電材料層をパターニングし、光反射層を備える陽極を形成した。下部電極（陽極）が形成された基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
　その後、真空蒸着法を用いて化合物ＨＴ１およびＨＡ１を共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層を形成した。正孔注入層における化合物ＨＴ１の濃度を９７質量％とし、ＨＡ１の濃度を３質量％とした。
　次に、正孔注入層上に、化合物ＨＴ１を蒸着し、膜厚１１４ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
　次に、この第一の正孔輸送層上に、化合物ＥＢ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）
　第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－５（第一のホスト材料（ＢＨ１））及び化合物ＢＤ－２（第一の発光材料（ＢＤ１））を、化合物ＢＤ－２の割合が１質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
　第一の発光層上に化合物ＢＨ２－７（第二のホスト材料（ＢＨ２））及び化合物ＢＤ－２（第二の発光材料（ＢＤ２））を、化合物ＢＤ－２の割合が１質量％となるように共蒸着し、膜厚１５ｎｍの第二の発光層を成膜した。
　第二の発光層上に化合物ＨＢ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
　第１の電子輸送層（ＨＢＬ）上に化合物ＥＴ１及び化合物Ｌｉｑを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。この第２の電子輸送層（ＥＴ）の化合物ＥＴ１の割合を５０質量％とし、化合物Ｌｉｑの割合を５０質量％とした。なお、Ｌｉｑは、（８－キノリノラト）リチウム（（８－Ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ｌｉｔｈｉｕｍ）の略称である。
　第２の電子輸送層上にイッテルビウム（Ｙｂ）を蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
　電子注入層上に、ＭｇとＡｇとを蒸着成膜し、半透過性のＭｇＡｇ合金からなる膜厚１２ｎｍの陰極を形成した。陰極におけるＭｇの濃度を１０質量％とし、Ａｇの濃度を９０質量％とした。陰極の上にＣａｐを真空蒸着法によって成膜し、膜厚６５ｎｍのキャッピング層を形成した。
　実施例１－１の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
APC(100)/IZO(10）/HT1:HA1(10,97%:3%)/HT1(114)/EB1(5)/
BH1-5:BD-2(5,99%:1%)/BH2-7:BD-2(15,99%:1%)/
HB1(5)/ET1:Liq(25,50%:50%)/Yb(1)/Mg:Ag(12,10%:90%)/Cap(65)
　なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
　同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９７％：３％）は、正孔注入層における化合物ＨＴ１及び化合物ＨＡ１の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（９９％：１％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（ＢＨ１又はＢＨ２）及び発光材料（ＢＤ１又はＢＤ２）の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（５０％：５０％）は、第２の電子輸送層（ＥＴ）における化合物ＥＴ１及び化合物Ｌｉｑの割合（質量％）を示す。
〔比較例１Ａ〕
　比較例１Ａの有機ＥＬ素子は、実施例１－１の第一の発光層における化合物ＢＨ１－５を表１４に記載の化合物に置き換えたこと以外、実施例１－１と同様にして作製した。
＜ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の作製１－１＞
　有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。
〔参考例１〕
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
　洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして、化合物ＨＴ１及び化合物ＨＡ１を共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。この正孔注入層中の化合物ＨＴ１の割合を９７質量％とし、化合物ＨＡ１の割合を３質量％とした。
　正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ１を蒸着し、膜厚８５ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
　第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＥＢ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
　第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－５（第一のホスト材料（ＢＨ１））及び化合物ＢＤ－２（第一の発光材料（ＢＤ１））を、化合物ＢＤ－２の割合が１質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
　第一の発光層上に化合物ＢＨ２－７（第二のホスト材料（ＢＨ２））及び化合物ＢＤ－２（第二の発光材料（ＢＤ２））を、化合物ＢＤ－２の割合が１質量％となるように共蒸着し、膜厚１５ｎｍの第二の発光層を成膜した。
　第二の発光層上に化合物ＨＢ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
　第１の電子輸送層（ＨＢＬ）上に化合物ＥＴ１及び化合物Ｌｉｑを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。この第２の電子輸送層（ＥＴ）の化合物ＥＴ１の割合を５０質量％とし、化合物Ｌｉｑの割合を５０質量％とした。
　第２の電子輸送層上にＬｉｑを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
　電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
　参考例１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HT1:HA1(10,97%:3%)/HT1(85)/EB1(5)/ BH1-5:BD-2 (5,99%:1%)/
BH2-7:BD-2(15,99%:1%)/HB1(5)/ET1:Liq(25,50%:50%)/Liq(1)/Al(80)
　なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
〔比較例１Ｂ〕
　比較例１Ｂの有機ＥＬ素子は、参考例１の第一の発光層における化合物ＢＨ１－５を表１４に記載の化合物に置き換えたこと以外、参考例１と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の評価＞
　実施例１－１、参考例１、比較例１Ａ及び比較例１Ｂで作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表１４に示す。
・電流効率Ｌ／Ｊ及び「Ｌ／Ｊ／ＣＩＥｙ」の値
　実施例１－１及び比較例１Ａで作製した有機ＥＬ素子について、電流密度が、１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを、分光放射輝度計ＣＳ－１０００（コニカミノルタ社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、色度ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ、及び電流効率（単位：ｃｄ／Ａ）を算出した。
　「Ｌ／Ｊ／ＣＩＥｙ」の値は、電流効率Ｌ／Ｊの値をＣＩＥｙの値で除することにより算出した。本評価では、「Ｌ／Ｊ／ＣＩＥｙ」の値を発光効率の指標として用いた。
・外部量子効率ＥＱＥ
　参考例１及び比較例１Ｂで作製した有機ＥＬ素子について、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。
・素子駆動時の素子から放射される光の最大のピーク波長λｐ
　有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、最大のピーク波長λｐ（単位：ｎｍ）を算出した。
・｜λ１－λ２｜及び｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜
　既述の方法で、第一の膜及び第二の膜を準備し、第一の膜（第一の発光層と同じ構成）のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ１及び半値幅ＦＷＨＭ１、並びに第二の膜（第二の発光層と同じ構成）のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ２及び半値幅ＦＷＨＭ２を測定した。
　得られた値から｜λ１－λ２｜（単位：ｎｍ）、及び｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜（単位：ｎｍ）を算出した。
　図６に、各例で用いた発光層と同一構成である化合物ＢＨ１－５及びＢＤ－２からなる膜（第一の膜）、化合物ＢＨ１－１５及びＢＤ－２からなる膜（第一の膜）、化合物ＢＨ１－１及びＢＤ－２からなる膜（第一の膜）、化合物ＢＨ１－８及びＢＤ－２からなる膜、化合物ＢＨ２－７及びＢＤ－２からなる膜（第二の膜）、及び化合物ＢＨ２－１２及びＢＤ－２からなる膜（第二の膜）のＰＬスペクトルを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000265
・表１４の説明
　Δλは、｜λ１－λ２｜を表す。
　ΔＦＷＨＭは、｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜を表す。
　「ＴＥ」はトップエミッション型素子を表す。
　「ＢＥ」はボトムエミッション型素子を表す。
　表１５～１６も同様である。
　トップエミッション型素子である実施例１－１と比較例１Ａとを対比すると、前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を全て満たす実施例１－１は、前記数式（数３０）の関係を満たさない比較例１Ａに比べ、発光効率が向上した。
　一方、ボトムエミッション型素子である参考例１と比較例１Ｂとを対比すると、参考例１は、前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を全て満たすが、前記数式（数３０）の関係を満たさない比較例１Ｂと同等の発光効率であった。
　また、トップエミッション型素子である実施例１－１は、前記数式（数１）の関係を満たし、重なり積分が９９．０％以上の特性を有する第一の発光層及び第二の発光層を備えている。
　図６より、実施例１－１の第一の発光層と同一構成の第一の膜（化合物ＢＨ１－５及びＢＤ－２からなる膜）及び第二の発光層と同一構成の第二の膜（化合物ＢＨ２－７及びＢＤ－２からなる膜）の重なり積分は、９９．６％と算出された。一方、比較例１Ａの第一の発光層と同一構成の膜（化合物ＢＨ１－８及びＢＤ－２からなる膜）及び第二の発光層と同一構成の膜（化合物ＢＨ２－７及びＢＤ－２からなる膜）の重なり積分は、９４．９％であった。
＜トップエミッション型の有機ＥＬ素子の作製２－１＞
〔実施例２－１及び比較例２Ａ〕
　実施例２－１及び比較例２Ａの有機ＥＬ素子は、実施例１－１の第一の発光層における化合物ＢＨ１－５を表１５に記載の化合物に置き換え、第二の発光層における化合物ＢＨ２－７を表１５に記載の化合物に置き換え、さらに第２の電子輸送層における化合物ＥＴ１を化合物ＥＴ２に置き換えたこと以外、実施例１－１と同様にして作製した。
＜ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の作製２－１＞
〔参考例２及び比較例２Ｂ〕
　参考例２及び比較例２Ｂの有機ＥＬ素子は、参考例１の第一の発光層における化合物ＢＨ１－５を表１５に記載の化合物に置き換え、第二の発光層における化合物ＢＨ２－７を表１５に記載の化合物に置き換え、さらに第２の電子輸送層における化合物ＥＴ１を化合物ＥＴ２に置き換えたこと以外、参考例１と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の評価＞
　実施例２－１、参考例２、比較例２Ａ及び比較例２Ｂで作製した有機ＥＬ素子について、実施例１－１及び参考例１と同様の評価を行った。評価結果を表１５に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000266
　トップエミッション型素子である実施例２－１と比較例２Ａとを対比すると、前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を全て満たす実施例２－１は、前記数式（数３０）の関係を満たさない比較例２Ａに比べ、発光効率が向上した。
　一方、ボトムエミッション型素子である参考例２と比較例２Ｂとを対比すると、参考例２は、前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を全て満たすが、前記数式（数３０）の関係を満たさない比較例２Ｂと同等の発光効率であった。
　また、トップエミッション型素子である実施例２－１は、前記数式（数１）の関係を満たし、重なり積分が９９．０％以上の特性を有する第一の発光層及び第二の発光層を備えている。
　図６より、実施例２－１の第一の発光層と同一構成の第一の膜（化合物ＢＨ１－１５及びＢＤ－２からなる膜）及び第二の発光層と同一構成の第二の膜（化合物ＢＨ２－１２及びＢＤ－２からなる膜）の重なり積分は、９９．３％と算出された。一方、比較例２Ａの第一の発光層と同一構成の膜（化合物ＢＨ１－８及びＢＤ－２からなる膜）及び第二の発光層と同一構成の膜（化合物ＢＨ２－１２及びＢＤ－２からなる膜）の重なり積分は、９４．９％であった。
＜トップエミッション型の有機ＥＬ素子の作製３－１＞
〔実施例３－１及び比較例３Ａ〕
　実施例３－１及び比較例３Ａの有機ＥＬ素子は、実施例１－１の第一の発光層における化合物ＢＨ１－５を表１６に記載の化合物に置き換え、さらに第２の電子輸送層における化合物ＥＴ１を化合物ＥＴ３に置き換えたこと以外、実施例１－１と同様にして作製した。
＜ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の作製３－１＞
〔参考例３及び比較例３Ｂ〕
　参考例３及び比較例３Ｂの有機ＥＬ素子は、参考例１の第一の発光層における化合物ＢＨ１－５を表１６に記載の化合物に置き換え、さらに第２の電子輸送層における化合物ＥＴ１を化合物ＥＴ３に置き換えたこと以外、参考例１と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の評価＞
　実施例３－１、参考例３、比較例３Ａ及び比較例３Ｂで作製した有機ＥＬ素子について、実施例１－１及び参考例１と同様の評価を行った。評価結果を表１６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000267
　トップエミッション型素子である実施例３－１と比較例３Ａとを対比すると、前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を全て満たす実施例３－１は、前記数式（数３０）の関係を満たさない比較例３Ａに比べ、発光効率が向上した。
　一方、ボトムエミッション型素子である参考例３と比較例３Ｂとを対比すると、参考例３は、前記数式（数１）、（数２０）及び（数３０）の関係を全て満たすが、前記数式（数３０）の関係を満たさない比較例３Ｂと同等の発光効率であった。
　また、トップエミッション型素子である実施例３－１は、前記数式（数１）の関係を満たし、重なり積分が９９．０％以上の特性を有する第一の発光層及び第二の発光層を備えている。
　図６より、実施例３－１の第一の発光層と同一構成の第一の膜（化合物ＢＨ１－１及びＢＤ－２からなる膜）及び第二の発光層と同一構成の第二の膜（化合物ＢＨ２－７及びＢＤ－２からなる膜）の重なり積分は、９９．０％と算出された。一方、比較例３Ａの第一の発光層と同一構成の膜（化合物ＢＨ１－８及びＢＤ－２からなる膜）及び第二の発光層と同一構成の膜（化合物ＢＨ２－７及びＢＤ－２からなる膜）の重なり積分は、９４．９％であった。
＜化合物の評価方法＞
（三重項エネルギーＴ１）
　測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、濃度が１０μｍｏｌ／Ｌとなるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とした。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式（Ｆ１）から算出されるエネルギー量を三重項エネルギーＴ１とした。なお、三重項エネルギーＴ１は、測定条件によっては上下０．０２ｅＶ程度の誤差が生じ得る。
　　換算式（Ｆ１）：Ｔ１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
　燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
　なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
　燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ－４５００形分光蛍光光度計本体を用いた。
（一重項エネルギーＳ１）
　測定対象となる化合物の１０μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸収強度、横軸：波長とする。）を測定した。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式（Ｆ２）に代入して一重項エネルギーを算出した。
　　換算式（Ｆ２）：Ｓ１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
　吸収スペクトル測定装置としては、日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）を用いた。
　吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
　なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。
　各例で用いた化合物の一重項エネルギーＳ１及び三重項エネルギーＴ１の測定値を表中に示す。
　化合物ＢＤ－２の一重項エネルギーＳ１は、２．７１ｅＶであった。
　化合物ＢＤ－２の三重項エネルギーＴ１は、２．６０ｅＶであった。
　化合物ＢＤ－１の一重項エネルギーＳ１は、２．７３ｅＶであった。
　化合物ＢＤ－１の三重項エネルギーＴ１は、２．２９ｅＶであった。
（トルエン溶液の調製）
　化合物ＢＤ－２を、４．９×１０－６ｍｏｌ／Ｌの濃度でトルエンに溶解し、化合物ＢＤ－２のトルエン溶液を調製した。化合物ＢＤ－１についても化合物ＢＤ－２と同様に、トルエン溶液を調製した。
（発光スペクトルの最大のピーク波長の測定）
　蛍光スペクトル測定装置（分光蛍光光度計Ｆ－７０００（株式会社日立ハイテクサイエンス製））を用いて、化合物ＢＤ－２のトルエン溶液を３９０ｎｍで励起した場合の最大のピーク波長を測定した。また、測定した蛍光スペクトルから、化合物ＢＤ－２の最大ピークの半値幅ＦＷＨＭ（単位：ｎｍ）を測定した。化合物ＢＤ－１についても化合物ＢＤ－２と同様に、最大ピークの半値幅ＦＷＨＭ（単位：ｎｍ）を測定した。
　化合物ＢＤ－２の最大のピーク波長は、４５５ｎｍであった。
　化合物ＢＤ－１の最大のピーク波長は、４５３ｎｍであった。
　１，１Ａ，１Ｂ…有機ＥＬ素子、２…基板、３…陽極、４…陰極、６…正孔注入層、７…正孔輸送層、８…電子輸送層、９…電子注入層、３１…光反射層、５１…第一の発光層、５２…第二の発光層、６０…第２の素子発光層、７０…第３の素子発光層、８０…色変換部、８１…第一のカラーフィルター、８２…第二のカラーフィルター、８３…第三のカラーフィルター、１００…第１の素子、１０１，１０２…有機ＥＬ発光装置、２００…第２の素子、３００…第３の素子。

Claims (25)

  1. 　陽極、
    　発光層、及び
    　陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
    　前記発光層は第一の発光層及び第二の発光層を含み、
    　前記第一の発光層は、第一のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光材料と、を含み、
    　前記第二の発光層は、第二のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光材料と、を含み、
    　前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、
    　前記第一の発光材料と前記第二の発光材料とは互いに同一であるか、または異なり、
    　前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、
    　前記第一のホスト材料に、前記第一の発光材料を添加した第一の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ１及び半値幅ＦＷＨＭ１、並びに前記第二のホスト材料に、前記第二の発光材料を添加した第二の膜のＰＬスペクトルの最大のピーク波長λ２及び半値幅ＦＷＨＭ２が、下記数式（数２０）及び（数３０）を満たす、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
    　　　Ｔ１（Ｈ１）＞Ｔ１（Ｈ２）　　　　　　　　…（数１）
    　　　｜λ１－λ２｜　≦　３ｎｍ　　　　　　　　…（数２０）
    　　　｜ＦＷＨＭ１－ＦＷＨＭ２｜　≦　２ｎｍ　　…（数３０）
  2. 　請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記陽極が第一電極であり、
    　前記陰極が半透過性の第二電極であり、
    　前記第一電極、正孔輸送帯域、前記発光層、電子輸送帯域、及び前記第二電極をこの順で有する
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 　請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　さらに光反射層を備え、
    　前記第一電極は、透明電極である、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 　陽極、
    　発光層及び
    　陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
    　前記発光層は第一の発光層及び第二の発光層を含み、
    　前記第一の発光層は、第一のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第一の発光材料と、を含み、
    　前記第二の発光層は、第二のホスト材料と、最大のピーク波長が５００ｎｍ以下の発光を示す第二の発光材料と、を含み、
    　前記第一のホスト材料と前記第二のホスト材料とは互いに異なり、
    　前記第一の発光材料と前記第二の発光材料とが、互いに同一であるか、又は異なり、
    　前記第一のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ１）と前記第二のホスト材料の三重項エネルギーＴ１（Ｈ２）とが、下記数式（数１）の関係を満たし、
    　前記第一のホスト材料に、前記第一の発光材料を添加した第一の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルと、前記第二のホスト材料に、前記第二の発光材料を添加した第二の膜の４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルについて、それぞれを規格化したＰＬスペクトルの重なり積分は、９９．０％以上である、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
    　　　Ｔ１（Ｈ１）＞Ｔ１（Ｈ２）　　　　　　　　…（数１）
  5. 　請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記陽極が第一電極であり、
    　前記陰極が半透過性の第二電極であり、
    　前記第一電極、正孔輸送帯域、前記発光層、電子輸送帯域、及び前記第二電極をこの順で有する
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 　請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　さらに光反射層を備え、
    　前記第一電極は、透明電極である、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 　請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　光取り出し側に、色変換部を備える、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 　請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記第一の膜における前記第一のホスト材料に対する前記第一の発光材料の質量基準の比率と、前記第一の発光層における前記第一のホスト材料に対する前記第一の発光材料の質量基準の比率とが同じであり、
    　前記第二の膜における前記第二のホスト材料に対する前記第二の発光材料の質量基準の比率と、前記第二の発光層における前記第二のホスト材料に対する前記第二の発光材料の質量基準の比率とが同じである、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 　請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記第一のホスト材料の電子移動度μＥ１、前記第一のホスト材料の正孔移動度μＨ１、前記第二のホスト材料の電子移動度μＥ２、及び前記第二のホスト材料の正孔移動度μＨ２が下記数式（数１５）を満たす、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
    　（μＥ２／μＨ２）＞（μＥ１／μＨ１）　　　…（数１５）
  10. 　請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記第一のホスト材料の電子移動度μＥ１、及び前記第二のホスト材料の電子移動度μＥ２が下記数式（数１６）を満たす、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
    　　　μＥ２＞μＥ１　　　…（数１６）
  11. 　請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記第一の発光材料は、蛍光発光を示す化合物である、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  12. 　請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記第一の発光材料は、錯体ではない、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  13. 　請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記第二の発光材料は、蛍光発光を示す化合物である、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  14. 　請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記第二の発光材料は、錯体ではない、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  15. 　請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  16. 　請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記第一のホスト材料は、分子中に、単結合で連結されたベンゼン環とナフタレン環とを含む連結構造を有し、
    　前記連結構造中の前記ベンゼン環及び前記ナフタレン環には、それぞれ独立に、さらに単環又は縮合環が縮合しているか又は縮合しておらず、
    　前記連結構造中の前記ベンゼン環と前記ナフタレン環とが、前記単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結している、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  17. 　請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記架橋が二重結合を含む、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  18. 　請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記第一のホスト材料は、分子中に、第一のベンゼン環と第二のベンゼン環とが単結合で連結されたビフェニル構造を有し、
    　前記ビフェニル構造中の前記第一のベンゼン環と前記第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の少なくとも１つの部分において架橋によりさらに連結している、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  19. 　請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記ビフェニル構造中の前記第一のベンゼン環と前記第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の１つの部分において前記架橋によりさらに連結している、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  20. 　請求項１８または請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記架橋が二重結合を含む、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  21. 　請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    　前記ビフェニル構造中の前記第一のベンゼン環と前記第二のベンゼン環とが、前記単結合以外の２つの部分において前記架橋によりさらに連結し、
    　前記架橋が二重結合を含まない、
    　有機エレクトロルミネッセンス素子。
  22. 　請求項１から請求項２１までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である第１の素子と、
    　前記第１の素子とは異なる有機エレクトロルミネッセンス素子である第２の素子を有する、
    　有機エレクトロルミネッセンス発光装置。
  23. 　請求項２２に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置において、
    　前記第１の素子及び前記第２の素子とは異なる有機エレクトロルミネッセンス素子である第３の素子をさらに有する、
    　有機エレクトロルミネッセンス発光装置。
  24. 　請求項２２又は請求項２３に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置を搭載した電子機器。
  25. 　請求項１から請求項２１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器。
PCT/JP2021/043499 2020-11-26 2021-11-26 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び電子機器 WO2022114156A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020237021050A KR20230111222A (ko) 2020-11-26 2021-11-26 유기 일렉트로루미네센스 소자, 유기 일렉트로루미네센스 발광 장치 및 전자 기기
US18/037,432 US20240023426A1 (en) 2020-11-26 2021-11-26 Organic electroluminescent element, organic electroluminescent light emitting apparatus, and electronic device
CN202180078154.0A CN116529340A (zh) 2020-11-26 2021-11-26 有机电致发光元件、有机电致发光装置和电子设备

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-196415 2020-11-26
JP2020-196398 2020-11-26
JP2020196398A JP2024029266A (ja) 2020-11-26 2020-11-26 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
JP2020196415A JP2024029267A (ja) 2020-11-26 2020-11-26 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び電子機器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022114156A1 true WO2022114156A1 (ja) 2022-06-02

Family

ID=81754475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/043499 WO2022114156A1 (ja) 2020-11-26 2021-11-26 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び電子機器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240023426A1 (ja)
KR (1) KR20230111222A (ja)
WO (1) WO2022114156A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023243563A1 (ja) * 2022-06-15 2023-12-21 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096023A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Canon Inc 有機発光素子
JP2013157552A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Canon Inc 有機発光素子
JP2013200939A (ja) * 2010-06-08 2013-10-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013229322A (ja) * 2012-03-30 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置
JP2015128065A (ja) * 2013-12-30 2015-07-09 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機電界発光素子及び有機電界発光表示装置
US20170194388A1 (en) * 2015-12-30 2017-07-06 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device
JP2019161218A (ja) * 2018-03-08 2019-09-19 Jnc株式会社 有機電界発光素子
JP2020077628A (ja) * 2018-11-09 2020-05-21 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機電界発光素子

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010134350A (ja) 2008-12-08 2010-06-17 Fujifilm Corp 電子機器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096023A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Canon Inc 有機発光素子
JP2013200939A (ja) * 2010-06-08 2013-10-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013157552A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Canon Inc 有機発光素子
JP2013229322A (ja) * 2012-03-30 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置
JP2015128065A (ja) * 2013-12-30 2015-07-09 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機電界発光素子及び有機電界発光表示装置
US20170194388A1 (en) * 2015-12-30 2017-07-06 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device
JP2019161218A (ja) * 2018-03-08 2019-09-19 Jnc株式会社 有機電界発光素子
JP2020077628A (ja) * 2018-11-09 2020-05-21 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機電界発光素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023243563A1 (ja) * 2022-06-15 2023-12-21 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20240023426A1 (en) 2024-01-18
KR20230111222A (ko) 2023-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2021049653A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2021090932A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2021049651A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2021210582A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2021256564A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
JP2024059681A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2021162057A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2021090931A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置及び電子機器
WO2021049663A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2021049655A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2022114156A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び電子機器
WO2022154030A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器
WO2022138950A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2021049661A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2021049656A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2022118867A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2022138949A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2022158578A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2023063402A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2023054679A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器
WO2023054678A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2023243563A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2022191237A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2023038086A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器及び組成物
WO2022255454A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21898128

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 18037432

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202180078154.0

Country of ref document: CN

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20237021050

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21898128

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP