WO2022085430A1

WO2022085430A1 - 表示装置および表示装置の製造方法

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Publication number: WO2022085430A1
Application number: PCT/JP2021/036774
Authority: WO
Inventors: 橋本啓華; 増田有希; 西村拓真
Original assignee: 東レ株式会社
Priority date: 2020-10-23
Filing date: 2021-10-05
Publication date: 2022-04-28
Also published as: TW202223067A; CN115956300A; JPWO2022085430A1; US20240038819A1; KR20230093238A

Abstract

金属配線やＬＥＤなどの発光素子を覆うように形成される配線絶縁用絶縁膜や保護膜などとして用いられる硬化膜の段差平坦性に問題があり、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良が発生し、表示装置とした場合の発光不良率の問題を解決する。　少なくとも金属配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子はいずれか一方の面に一対の電極端子を具備し、前記一対の電極端子は前記硬化膜中に延在する複数の前記金属配線と接続し、前記複数の前記金属配線は、前記硬化膜により電気的絶縁性を保持する構成であり、前記金属配線は、前記硬化膜の厚み方向に延在する金属配線（Ｋ１）を複数有し、および、前記金属配線（Ｋ１）と接続された、前記硬化膜の厚み方向と垂直な平面方向に延在する金属配線（Ｋ２）を複数有し、前記硬化膜は、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、前記金属配線（Ｋ２）の一部の表面と接する硬化膜を有し、表示装置は、隣り合う二つの前記金属配線（Ｋ２）の線間間隔Ｈ１が１～２０μｍである部位（Ｇ）を少なくとも有し、前記部位（Ｇ）において、前記金属配線（Ｋ２）の厚みをＨ２（μｍ）、前記硬化膜の厚みをＨ３（μｍ）、前記部位（Ｇ）で生じた前記硬化膜の段差の深さをＨ４（μｍ）とすると、Ｈ３／Ｈ２は１．４～４．０であり、（式１）で表される段差平坦化率Ｐ（％）は７０～９９％である、表示装置である。Ｐ（％）＝（１－（Ｈ４／Ｈ２））×１００・・・（式１）

Description

表示装置および表示装置の製造方法

　本発明は、ＬＥＤディスプレイ等の表示装置および表示装置の製造方法に関する。

　近年、ディスプレイのさらなる高性能化の観点から、液晶、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイに続く新たなディスプレイ技術として発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ、以後ＬＥＤと呼称する場合がある。）を画素数と同じだけ並べることでディスプレイを構成するＬＥＤディスプレイ、特に光源となるＬＥＤのサイズを従来の１ｍｍ程度から、１００～７００μｍとしたミニＬＥＤディスプレイ、１００μｍ以下まで小型化したマイクロＬＥＤディスプレイが注目を集めており、研究開発が盛んに行われている。ミニＬＥＤディスプレイ、マイクロＬＥＤディスプレイの主な特長としては、高コントラスト、高速応答性、低消費電力、広視野角などが挙げられ、従来のテレビやスマートフォン、スマートウォッチをはじめとしたウエアラブルディスプレイ用途だけでなく、サイネージやＡＲ、ＶＲ、さらには空間映像が表示可能な透明ディスプレイといった将来性が高い新たな用途などへの幅広い展開が期待されている。

　ＬＥＤディスプレイ装置について実用化や高性能化に向けて様々な形態が提案されており、多層フレキシブル回路基板にマイクロＬＥＤを配置した形態（特許文献１参照）、ディスプレイ基板にバンク層およびトレース線を設け、その上にマイクロＬＥＤおよびマイクロドライバチップを配置した形態（特許文献２参照）が提案されている。また、電極パッドを備える発光素子本体が一体に形成された成長用基板の上に平坦化膜を形成し、電極パッド上の平坦化膜を除去して電極パッドを露出させ、電極パッドに接続される、外側電極パッドを前記平坦化膜上に形成し、回路側電極部が形成された回路基板に対して、外側電極パッドが回路側電極部と対向するように配置させて前外部電極パッドと回路側電極部とを電気的に接続した形態（特許文献３参照）、などが提案されている。

特開２０１９－１５３８１２号公報特開２０２０－５２４０４号公報特開２０２０－６８３１３号公報

　しかし、上記の文献に記載のＬＥＤディスプレイ装置は、発光不良率に問題があった。

　また、上記の文献に記載のＬＥＤディスプレイ装置は、ＬＥＤの小型化が進むことによって、微細な金属配線に高電圧を印加する必要があるため、金属配線の劣化や電気的リークが発生しやすく、実使用の加速試験である信頼性試験後に不良率が高い課題があった。

　上記課題を解決するため、本発明の第１の態様は次の構成を有する。

　［１］少なくとも金属配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子はいずれか一方の面に一対の電極端子を具備し、前記一対の電極端子は前記硬化膜中に延在する複数の前記金属配線と接続し、前記複数の前記金属配線は、前記硬化膜により電気的絶縁性を保持する構成であり、前記金属配線は、前記硬化膜の厚み方向に延在する金属配線（Ｋ１）を複数有し、および、前記金属配線（Ｋ１）と接続された、前記硬化膜の厚み方向と垂直な平面方向に延在する金属配線（Ｋ２）を複数有し、前記硬化膜は、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、前記金属配線（Ｋ２）の一部の表面と接する硬化膜を有し、表示装置は、隣り合う二つの前記金属配線（Ｋ２）の線間間隔Ｈ１が１～２０μｍである部位（Ｇ）を少なくとも有し、前記部位（Ｇ）において、前記金属配線（Ｋ２）の厚みをＨ２（μｍ）、前記硬化膜の厚みをＨ３（μｍ）、前記部位（Ｇ）で生じた前記硬化膜の段差の深さをＨ４（μｍ）とすると、Ｈ３／Ｈ２は１．４～４．０であり、（式１）で表される段差平坦化率Ｐ（％）は７０～９９％である、表示装置。
Ｐ（％）＝（１－（Ｈ４／Ｈ２））×１００・・・（式１）
　上記課題を解決するため、本発明の第２の態様は次の構成を有する。

　［１］少なくとも金属配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子はいずれか一方の面に一対の電極端子を具備し、前記一対の電極端子は前記硬化膜中に延在する複数の前記金属配線と接続し、複数の前記金属配線は、前記硬化膜により電気的絶縁性を保持する構成であり、前記硬化膜は、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、前記硬化膜の絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である、表示装置。

　［２］少なくとも金属配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置の製造方法であって、支持基板上に前記発光素子を配置する工程（Ｄ１）、前記支持基板上および前記発光素子上に、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程（Ｄ２）、前記樹脂膜に対して露光、現像することにより、前記樹脂膜に複数の貫通した開口パターンを形成する工程（Ｄ３）、前記樹脂膜を硬化させ、硬化膜の絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である前記硬化膜を形成する工程（Ｄ４）、および、前記硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンに前記金属配線を形成する工程（Ｄ５）、を有する表示装置の製造方法。

　［３］少なくとも金属配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置の製造方法であって、
支持基板上に金属パッドを配置する工程（Ｅ１）、前記支持基板上および前記金属パッド上に、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程（Ｅ２）、前記樹脂膜に対して露光、現像することにより、前記樹脂膜に複数の貫通した開口パターンを形成する工程（Ｅ３）、前記樹脂膜を硬化させ、絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である、前記硬化膜を形成する工程（Ｅ４）、前記硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンに前記金属配線を形成する工程（Ｅ５）、および、前記金属配線と電気的接続を保持するようにして前記硬化膜上に前記発光素子を配する工程（Ｅ６）、を有する表示装置の製造方法。

　本発明の第１の態様の表示装置は硬化膜による段差平坦性が高い膜構成とすることにより、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる表示装置を提供することができる。

　本発明の第２の態様の表示装置は実使用の加速試験である信頼性試験後も不良率が低い表示装置を提供することができる。

　本発明の第１の態様
本発明の表示装置の一態様を示す正面断面図である。図１の指定領域Ａの正面拡大断面図である。本発明の表示装置の別の一態様を示す正面断面図である。図３の指定領域Ａの正面拡大断面図である。図３の指定領域Ｂの正面拡大断面図（上部分）および指定領域Ｂの発光素子を除いた底面図（下部分）である。図３の指定領域Ｃの上面拡大断面図（上部分）、指定領域Ｃの正面に対して直交した面での配線を除いた断面図（中部分）および指定領域Ｃの対向基板を除いた底面図（下部分）である。反射膜を設けた形態の本発明の表示装置の別の一態様を示す正面断面図である。隔壁を設けた形態の本発明の表示装置の別の一態様を示す正面断面図である。硬化膜中に隔壁を設けた形態の本発明の表示装置の別の一態様を示す正面断面図である。反射膜と隔壁を設けた形態の本発明の表示装置の別の一態様を示す正面断面図である。硬化膜中に隔壁を設け、その上に反射膜を設けた形態の本発明の表示装置の別の一態様を示す正面断面図である。硬化膜中に駆動素子を配した構成の本発明の表示装置の別の一態様の正面断面図である。硬化膜中に駆動素子を配した別の構成の本発明の表示装置の別の一態様の正面断面図である。本発明の表示装置の一態様の作製工程断面図である。隔壁を設けた形態の本発明の表示装置の一態様の作製工程断面図である。反射膜を設けた形態の本発明の表示装置の一態様の作製工程断面図である。本発明の表示装置の別の一例の作製工程断面図である。隔壁を設けた形態の別の一例の本発明の表示装置の作製工程断面図である。反射膜を設けた形態の別の一例の本発明の表示装置の作製工程断面図である。

　本発明の第２の態様
本発明の表示装置の一態様を示す正面断面図である。指定領域Ｂの正面拡大断面図（上部分）および指定領域Ｂの発光素子を除いた底面図（下部分）である。指定領域Ｃの上面拡大断面図（上部分）、指定領域Ｃの正面に対して直交した面での配線を除いた断面図（中部分）および指定領域Ｃの対向基板を除いた底面図（下部分）である。反射膜を設けた形態の本発明の表示装置の一態様を示す正面断面図である。隔壁を設けた形態の本発明の表示装置の別の一態様を示す正面断面図である。硬化膜中に隔壁を設けた形態の本発明の表示装置の一態様を示す正面断面図である。反射膜と隔壁を設けた形態の本発明の表示装置の別の一態様を示す正面断面図である。硬化膜中に隔壁を設け、その上に反射膜を設けた形態の本発明の表示装置の一態様を示す正面断面図である。硬化膜中に駆動素子を配した構成の本発明の表示装置の一態様の正面断面図である。硬化膜中に駆動素子を配した別の構成の本発明の表示装置の一態様の正面断面図である。本発明の表示装置の一態様の作製工程断面図である。隔壁を設けた形態の本発明の表示装置の一態様の作製工程断面図である。反射膜を設けた形態の本発明の表示装置の一態様の作製工程断面図である。本発明の表示装置の別の一例の作製工程断面図である。隔壁を設けた形態の別の一例の本発明の表示装置の作製工程断面図である。反射膜を設けた形態の別の一例の本発明の表示装置の作製工程断面図である。硬化膜を設けた形態の本発明の表示装置の一態様を示す正面断面図である。本発明の第１および第２の態様導電膜を設けた形態の本発明の表示装置の一態様を示す正面断面図である。導電膜を設けた形態の本発明の表示装置の別の一態様を示す正面断面図である。導電膜を設けた形態の本発明の表示装置の別の一態様を示す正面断面図である。導電膜を設けた形態の本発明の表示装置の別の一態様を示す正面断面図である。遮光層を設けた形態の本発明の表示装置の一態様を示す正面断面図である。硬化膜の開口パターンの正面断面図である。導電膜を設けた形態の本発明の表示装置の一態様の作製工程断面図である。遮光層を設けた形態の本発明の表示装置の一態様の作製工程断面図である。導電膜を設けた形態の別の一例の本発明の表示装置の作製工程断面図である。本発明の表示装置の別の一例の作製工程断面図である。導電膜を設けた形態の本発明の表示装置の別の一態様を示す正面断面図である。導電膜を設けた形態の本発明の表示装置の別の一態様を示す正面断面図である。導電膜を設けた形態の本発明の表示装置の別の一例の作製工程断面図である。導電膜を設けた形態の本発明の表示装置の別の一例の作製工程断面図である。導電膜を設けた形態の本発明の表示装置の別の一例の作製工程断面図である。導電膜を設けた形態の本発明の表示装置の別の一例の作製工程断面図である。

　以下、本発明の表示装置の好適な実施の形態を具体的に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、目的や用途に応じて種々に変更して実施することができる。

　本発明は以下の２つの態様に分類される。

　本発明の第１の態様の表示装置は、少なくとも金属配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子はいずれか一方の面に一対の電極端子を具備し、前記一対の電極端子は前記硬化膜中に延在する複数の前記金属配線と接続し、前記複数の前記金属配線は、前記硬化膜により電気的絶縁性を保持する構成であり、前記金属配線は、前記硬化膜の厚み方向に延在する金属配線（Ｋ１）を複数有し、および、前記金属配線（Ｋ１）と接続された、前記硬化膜の厚み方向と垂直な平面方向に延在する金属配線（Ｋ２）を複数有し、前記硬化膜は、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、前記金属配線（Ｋ２）の一部の表面と接する硬化膜を有し、表示装置は、隣り合う二つの前記金属配線（Ｋ２）の線間間隔Ｈ１（単位はμｍ。以下省略する場合がある。）が１～２０μｍである部位（Ｇ）を少なくとも有し、前記部位（Ｇ）において、前記金属配線（Ｋ２）の厚みをＨ２（単位はμｍ。以下省略する場合がある。）、前記硬化膜（Ｆ１）の厚みをＨ３（単位はμｍ。以下省略する場合がある。）、前記部位（Ｇ）で生じた前記硬化膜（Ｆ１）の段差の深さをＨ４（単位はμｍ。以下省略する場合がある。）とすると、Ｈ３／Ｈ２は１．４～４．０であり、（式１）で表される段差平坦化率Ｐ（％）は７０～９９％である。
Ｐ（％）＝（１－（Ｈ４／Ｈ２））×１００・・・（式１）
　本発明の第１の態様の表示装置について、図１を一態様の例として説明する。

　ここで、対象となる部材を明確にするため、硬化膜３の厚み方向に延在する金属配線４を金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ１）と接続された、硬化膜３の厚み方向と垂直な平面方向に延在する金属配線４を金属配線（Ｋ２）４ｂと規定する。また、硬化膜３においては、金属配線（Ｋ２）４ｂを埋没させている硬化膜３を硬化膜（Ｆ１）３ａと規定する。

　図１において、表示装置１は、金属配線（Ｋ２）４ｂを埋没させている硬化膜（Ｆ１）３ａを有する。発光素子２は対向基板５と接する面とは反対の面に一対の電極端子６を具備し、それぞれの電極端子６が金属配線４と接続されている。金属配線４は硬化膜（Ｆ１）３ａの厚み方向に延在する金属配線（Ｋ１）４ａ、および金属配線（Ｋ２）４ｂと電気的に接続されている。硬化膜（Ｆ１）３ａ中に延在する複数の金属配線（Ｋ１）４ａ、（Ｋ２）４ｂは、硬化膜（Ｆ１）３ａにより覆われており、硬化膜（Ｆ１）３ａは、絶縁膜としても機能するため、金属配線（Ｋ１）４ａ、（Ｋ２）４ｂはそれぞれ相互に硬化膜（Ｆ１）３ａにより電気的絶縁性を保持する構成となっている。金属配線が電気的絶縁性を保持する構成となっているとは、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜によって金属配線の電気的絶縁性が必要な部分が覆われること意味する。

　発光素子２の少なくとも一部と接するように硬化膜２９を有し、対向基板５を発光素子２や硬化膜２９と接して配する。図１に示す態様では、硬化膜（Ｆ１）３ａは単層の構成を例示しているが、さらに金属配線（Ｋ２）４ｂを埋没させている硬化膜（Ｆ１）３ａを複数層積層してもよい。また、図１に示す態様では、発光素子２が、対向基板５に対して対向した位置に設けられた発光素子駆動基板７に付加された駆動素子８と、金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂや金属配線２２を通じて電気的に接続されて、発光素子２の発光を制御させることができる。また、発光素子駆動基板７は、例えば、はんだバンプ１０を介して金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂと電気的に接続されている。さらに金属配線４や金属配線（Ｋ２）４ｂなどの金属の拡散を防止するため、バリアメタル９を配してもよい。なお、以後図中金属配線２２は発光素子駆動基板７を貫通して駆動素子８と接続してもよい。支持基板上に金属配線４ｂと硬化膜３ａを形成した後、支持基板を取り除き、その後にはんだバンプ１０や発光素子駆動基板７を取り付けることが出来るが、これについては後述する。

　本発明の第１の態様における段差平坦化率を説明する。図２に図１の指定領域Ａ１１ａの正面拡大断面図を示す。硬化膜（Ｆ１）３ａが金属配線（Ｋ２）４ｂを埋没させるように配され、金属配線４は、硬化膜（Ｆ１）３ａ中で硬化膜（Ｆ１）３ａの厚み方向に延在する金属配線（Ｋ１）４ａ及び金属配線（Ｋ１）と接続された、硬化膜（Ｆ１）３ａの厚み方向と垂直な平面方向に延在する金属配線（Ｋ２）４ｂを有する構成である。

　本発明の第１の態様の表示装置は、隣り合う二つの金属配線（Ｋ２）４ｂの線間間隔Ｈ１が１～２０μｍである部位（Ｇ）２８（以下、部位（Ｇ）とも呼ぶ）を少なくとも有する。部位（Ｇ）２８は、図２中に一点鎖線で示す、金属配線（Ｋ２）４ｂを埋没させている硬化膜（Ｆ１）３ａのうち、金属配線（Ｋ２）４ｂが下に、金属配線（Ｋ１）４ａが上にくる視点において、線間間隔Ｈ１の距離を持って隣り合う二つの金属配線（Ｋ２）４ｂの上部および間にある硬化膜（Ｆ１）３ａの領域と規定する。

　硬化膜（Ｆ１）３ａが金属配線（Ｋ２）４ｂを埋没させるように配される際に、硬化膜（Ｆ１）３ａの表面に段差が生じる場合がある。この段差の深さＨ４が大きいほどその後の配線形成や発光素子の形成工程で、不具合が生じやすくなり、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良が発生し、表示装置とした場合に発光不良が発生してしまう場合がある。そのため、金属配線（Ｋ２）４ｂの厚みＨ２及び硬化膜（Ｆ１）３ａに生じた段差の深さＨ４について、前述した式１で示される段差平坦化率Ｐを７０～９９％の範囲に収めることにより、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。段差平坦化率Ｐが７０％未満であると、段差平坦性が不十分となり、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良が生じやすくなり、発光不良が生じやすくなる。段差平坦化率Ｐは、好ましくは７５～９９％、より好ましくは８０～９９％、さらに、好ましくは９０～９７％である。

　ここで、段差平坦化率Ｐにおける、段差の深さＨ４は、線間間隔Ｈ１の距離を持って隣り合う二つの金属配線（Ｋ２）の間にある、硬化膜（Ｆ１）の上部にある段差の最大値をいう。図２においては、段差の深さＨ４を指す。

　硬化膜（Ｆ１）の段差の深さＨ４の測定については、表示装置の該当する部位Ｇの断面を測定してもよい。また、硬化膜（Ｆ１）を複数層形成する場合、いずれかの硬化膜（Ｆ１）を形成したときの該当する部位Ｇの断面を測定してもよい。

　金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２、硬化膜（Ｆ１）の厚みＨ３について、Ｈ３／Ｈ２は、１．４～４．０である。

　金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２は、任意の部位（Ｇ）の場所の金属配線（Ｋ２）における配線幅の中心の厚みを言う。

　硬化膜（Ｆ１）の厚みＨ３は、段差の深さＨ４の場所における硬化膜（Ｆ１）の厚みを言う。

　金属配線（Ｋ２）４ｂの厚みＨ２、硬化膜（Ｆ１）の厚みＨ３の測定については、表示装置の該当する所の断面を測定してもよい。また、硬化膜（Ｆ１）を複数層形成する場合、いずれかの硬化膜（Ｆ１）を形成したときの該当する所の断面を測定してもよい。

　これにより、適切な金属配線に対する絶縁膜や保護膜としても作用し、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。Ｈ３／Ｈ２が１．４未満であると、段差を抑制するには不十分な場合があり、Ｈ３／Ｈ２が４．０を超えると表示装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上という点で不都合を生じる場合がある。Ｈ３／Ｈ２は好ましくは１．６～３．５、より好ましくは１．８～３．０である。

　硬化膜３は後述する（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜である。

　金属配線４の材料としては、特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、金や銀、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、モリブデンやこれらを含む合金などが挙げられ、銅が好ましい。なお、金属配線４は電極を包含してもよい。

　硬化膜２９は、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または樹脂シートを硬化した硬化膜から構成されていてもよく、また（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または樹脂シートを硬化した硬化膜以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂など公知のものを使用してもよい。

　別の態様を図３に示す。図３において、表示装置１は、対向基板５上に複数の発光素子２を有し、発光素子２上に硬化膜３を有する。発光素子上とは、発光素子の表面のみならず、支持基板や発光素子の上側にあればよい。図３に示す態様では、発光素子２の少なくとも一部と接するように配した硬化膜３の上にさらに複数の硬化膜（Ｆ１）３ａを積層し合計して３層積層する構成を例示しているが、これに限定しない。発光素子２は対向基板５と接する面とは反対の面に一対の電極端子６を具備し、それぞれの電極端子６が硬化膜（Ｆ１）３ａ中に延在する金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂと接続されている。なお、硬化膜（Ｆ１）３ａ中に延在する複数の金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂは、硬化膜（Ｆ１）３ａにより覆われており、硬化膜（Ｆ１）３ａは、絶縁膜としても機能するため、電気的絶縁性を保持する構成となっている。図１に例示する態様とは発光素子を配する位置関係が上下に相対した配置構成である。

　図４に図３の領域Ａの正面拡大断面図を示す。各構成部分の説明は図２に同じである。

　本発明において、金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２が１．５～１０μｍであることが好ましい。

　これにより、配線抵抗が小さくなり、配線遅延が生じにくくなる。また、前述したＨ３／Ｈ２が、１．４～４．０であることから、硬化膜が十分な厚みを形成でき、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２が１．５μｍ未満であると配線抵抗が大きくなり、遅延が生じやすくなる場合があり、金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２が１０μｍを超えると、表示装置自体の低背化という点で不都合を生じる場合がある。好ましくは、金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２が２～９μｍ、より好ましくは金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２が３～８μｍである。

　金属配線の厚みは各層で同じであっても、異なっていてもよい。異なっている場合、一例として、図３において、発光素子２に近い金属配線の厚みに比べ、バンプ１０に近い金属配線の厚みが厚いことが好ましい。それにより、バンプ１０を用いた発光素子駆動基板７の接続時に配線不良を抑制でき、信頼性の高い表示装置を得ることができる。

　本発明の第２の態様の表示装置は、少なくとも金属配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子はいずれか一方の面に一対の電極端子を具備し、前記一対の電極端子は前記硬化膜中に延在する複数の前記金属配線と接続し、複数の前記金属配線は、前記硬化膜により電気的絶縁性を保持する構成であり、前記硬化膜は、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、前記硬化膜の絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である。

　本発明の第２の態様の表示装置について、図２０を一態様の例として説明する。

　図２０において、表示装置１は、対向基板５上に複数の発光素子２を配し、発光素子２上に硬化膜３を配する。発光素子上とは、発光素子の表面のみならず、支持基板や発光素子の上側にあればよい。図２０に示す態様では、発光素子２の少なくとも一部と接するように配した硬化膜３の上にさらに複数の硬化膜３を積層し合計して３層積層する構成を例示しているが、硬化膜３は単層であってもよい。発光素子２は対向基板５と接する面とは反対の面に一対の電極端子６を具備し、それぞれの電極端子６が硬化膜３中に延在する金属配線４と接続されている。なお、硬化膜３中に延在する複数の金属配線４は、硬化膜３により覆われていれば、硬化膜３は、絶縁膜としても機能するため、電気的絶縁性を保持する構成となっている。金属配線が電気的絶縁性を保持する構成となっているとは、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜によって金属配線の電気的絶縁性が必要な部分が覆われること意味する。さらに発光素子２が、対向基板５に対して対向した位置に設けられた発光素子駆動基板７に付加された駆動素子８と、金属配線４や４ｃを通じて電気的に接続されて、発光素子２の発光を制御させることができる。また、発光素子駆動基板７は、例えばはんだバンプ１０を介して金属配線４と電気的に接続されている。さらに金属配線４などの金属の拡散を防止するため、バリアメタル９を配してもよい。なお、以後図中金属配線４ｃは発光素子駆動基板７を貫通して駆動素子８と接続してもよい。

　前記硬化膜３は後述する（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、その硬化膜３の絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下であることが重要である。これにより、金属配線の劣化や電気的リークを抑制し、実使用の加速試験である信頼性試験後も不良率を低くすることができる。絶縁破壊電圧は、好ましくは４５０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下、より好ましくは５００ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である。絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ未満であると金属配線の劣化や電気的リークが発生することで不良率が高くなり、また、絶縁破壊電圧が６００ｋＶ／ｍｍを超えると電荷が蓄積し配線や駆動素子の静電破壊が起こることで、不良率が高くなる。信頼性試験としては、衝撃試験、高温保持試験、恒温高湿試験、熱サイクル試験などが挙げられる。

　絶縁破壊電圧の測定については、表示装置の硬化膜を剥離して測定してもよいし、後述する硬化膜の引張強度の評価方法の条件で作製した硬化膜の絶縁破壊電圧を測定してもよい。また、硬化膜を複数層形成する場合、いずれの硬化膜を用いて測定してもよい。

　本発明の第１の態様および第２の態様の表示装置の別実施態様として、図３６に示すように、図３または図２０の表示装置に対し、発光素子２の少なくとも一部と接するように配した硬化膜２９を設けた構成を例示している。発光素子２の少なくとも一部と接するように配した硬化膜２９は、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または樹脂シートを硬化した硬化膜から構成されていてもよく、また（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または樹脂シートを硬化した硬化膜以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂など公知のものを使用してもよい。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、発光素子駆動基板７は、駆動機能を有する素子などを有する基板などが挙げられ、駆動素子８が接続されていることが好ましい。

　発光素子駆動基板７としては特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、ガラス基板、サファイヤ基板、プリント配線板、ＴＦＴアレイ基板、セラミックスなどが挙げられる。

　本発明の第１の態様および第２の態様の表示装置において、該金属配線は導電膜であってもよい。

　導電膜としては、特に限定されず、例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、チタン、およびニオブなどのうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む化合物や有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストなどが挙げられるが、その他公知のものが使用してもよい。インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、チタン、およびニオブなどのうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む化合物としては、具体的には、酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ），酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ: ＩｎＧａＺｎＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ），酸化インジウム錫（ＩＴＯ）および酸化インジウム（ＩｎＯ）などが挙げられる。

　これらの導電膜は、例えば無電解めっき、電解めっき等などの湿式めっき、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤなどのＣＶＤ化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの乾式めっき法、金属箔を基板に結合した後、エッチングを行う方法などにより形成することができる。

　有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストについて、有機物としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル系共重合体、エポキシカルボキシレート化合物等が挙げられる。これらを２種以上含有してもよい。またウレタン結合を有する有機物を含有してもよい。ウレタン結合を有する有機物を含有することで、配線の柔軟性を向上させることができる。また、有機物は、感光性を示すことが好ましく、フォトリソグラフィにより容易に微細な配線パターンを形成することができる。感光性は、例えば光重合開始剤、不飽和二重結合を有する成分を含有させることにより発現する。

　本発明における導電性粒子とは、電気抵抗率が１０^－５Ω・ｍ以下の物質で構成される粒子を指す。導電性粒子を構成する材料としては、例えば、銀、金、銅、白金、鉛、スズ、ニッケル、アルミニウム、タングステン、モリブデン、クロム、チタン、インジウムやこれら金属の合金、カーボン粒子が挙げられる。なお、導電膜は電極も包含する。導電膜を用いた表示装置としては、一例を図４７、図４８に示す。

　本発明の第１の態様において、硬化膜の層数が２～１０層であることが好ましい。

　硬化膜は複数の発光素子を配置する観点から、１層以上が好ましく、さらに２層以上とすることで、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができるとともに、発光素子と接続可能な金属配線数を増加させることができるため、複数の発光素子を配置することができ、また、パッケージ低背化や配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化、高速応答性の向上の観点から１０層以下が好ましい。層数が２層未満であると、配置できる発光素子数が制限される場合があり、層数が１０層を超えると表示装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上という点で不都合を生じる場合がある。層数は好ましくは２～８層、より好ましくは２～５層である。

　本発明の第２の態様において、硬化膜を複数積層する場合、硬化膜の層数が２層以上１０層以下であることが好ましい。

　硬化膜は複数の発光素子を配置する観点から、１層以上が好ましく、さらに２層以上とすることで、発光素子と接続可能な金属配線数を増加させることができるため、複数の発光素子を配置することができ、また、パッケージ低背化や配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化、高速応答性の向上の観点から１０層以下が好ましい。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、硬化膜の全体の厚みが５～１００μｍであることが好ましい。

　本発明の第１の態様において、硬化膜の全体の厚みが５～１００μｍであることにより、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。さらに発光素子を有する表示装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上が可能になる。

　本発明の第２の態様において、硬化膜の全体の厚みが５μｍ～１００μｍであることにより、発光素子２から四方に発光した光が硬化膜３中で吸収されることを抑制し、光取り出し効率を高めることができ、輝度を向上させることができるとともに、金属配線の劣化や電気的リークを抑制し、実使用の加速試験である信頼性試験後も不良率を低減できるため好ましい。さらに発光素子を有する表示装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上が可能になる。

　硬化膜の全体の厚みとは、一の硬化膜の少なくとも一部が他の硬化膜に接する連続した硬化膜の層全体の厚みをいう。例えば前述の図３や図２０のように硬化膜３を複数積層した場合は、図３や図２０の１９で示した領域が硬化膜の層全体の厚みである。全体の厚みは好ましくは７～７０μｍ、より好ましくは８～６０μｍである。５μｍ未満であると金属配線の保護が不十分なため、配線の短絡など配線不良の懸念があり、１００μｍを超えると光取り出し効率が不足する懸念があるとともに、表示装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上という点で不都合を生じる場合がある。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、硬化膜には厚さ方向に貫通する開口パターンが設けられ、少なくとも開口パターンに金属配線を配する構成であり、発光素子と接した位置に形成される金属配線の底面部の最長長さが２～２０μｍであることが好ましい。

　本発明の第１の態様において、図５に、図３の指定領域Ｂの正面拡大断面図（上部分）および指定領域Ｂの発光素子を除いた底面図（下部分）を示す。図５の指定領域Ｂの拡大正面断面図（上部分）においては、硬化膜３が発光素子２上に設けられている。硬化膜３には開口パターン１２が設けられており、その開口パターン１２に金属配線（Ｋ１）４ａを形成した図を示している。金属配線（Ｋ１）４ａの底面部１３は、発光素子２、発光素子２の電極端子６と接した位置まで金属配線（Ｋ１）４ａは硬化膜３中に延在し、接した地点での金属配線（Ｋ１）４ａの形態を示している。

　図５の指定領域Ｂの発光素子を除いた底面図（下部分）においては、発光素子２を取り去った状態で硬化膜３に延在した金属配線（Ｋ１）４ａの底面部１３を下方から見た図であり、底面部１３を示している。底面部１３の形状は製品や発光素子の形態により異なる場合があり、円形状の場合は直径を最長長さ１４と定義し、楕円形状の場合は長径を最長長さ１４と定義し、長方形等の多角形の場合は角部の頂点同士を結んだ際の最長の対角線を最長長さ１４と定義する。なお、図５の指定領域Ｂの発光素子を除いた底面図（下部分）での底面部１３は円形状の例を示している。

　本発明の第２の態様において、図２１に、図２０の指定領域Ｂの正面拡大断面図（上部分）および指定領域Ｂの発光素子を除いた底面図（下部分）を示す。図２１の指定領域Ｂの拡大正面断面図（上部分）においては、硬化膜３が発光素子２上に設けられている。硬化膜３には開口パターン１２が設けられており、その開口パターン１２に金属配線４を形成した図を示している。金属配線４の底面部１３は、発光素子２、発光素子２の電極端子６と接した位置まで金属配線４は硬化膜３中に延在し、接した地点での金属配線４の形態を示している。

　図２１の指定領域Ｂの発光素子を除いた底面図（下部分）においては、発光素子２を取り去った状態で硬化膜３に延在した金属配線４の底面部１３を下方から見た図であり、底面部１３を示している。底面部１３の形状は製品や発光素子の形態により異なる場合があり、円形状の場合は直径を最長長さ１４と定義し、楕円形状の場合は長径を最長長さ１４と定義し、長方形等の多角形の場合は角部の頂点同士を結んだ際の最長の対角線を最長長さ１４と定義する。なお、図２１の指定領域Ｂの発光素子を除いた底面図（下部分）での底面部１３は円形状の例を示している。

　本構成により、微小な発光素子が適用可能であり、また複数の発光素子の高密度実装が可能となり、幅広いサイズで高解像度な発光素子を有する表示装置を得ることができる。さらに微細な金属配線を形成することが可能になり、単位面積中で形成できる配線数が増加するため硬化膜全体の厚みを小さくすることができ、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。さらに発光素子を有する表示装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上が可能になる。

　微小な発光素子を適用する、また発光素子の高密度実装化の観点から、金属配線の底面部の最長長さは、好ましくは２～１５μｍ、より好ましくは２～１０μｍ、さらに好ましくは、２～５μｍである。２μｍ未満であると発光素子２との接続不良を生じる場合があり、２０μｍを超えると微小な発光素子の適用や高密度実装化に弊害となる場合がある。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、発光素子と近接した位置に形成される金属配線の底面部の最長長さが２～２０μｍであってもよい。

　また、本発明の第２の態様において、硬化膜の厚みは金属配線の厚みに対して、１．１倍以上４．０倍以下が好ましい。

　金属配線の厚みとは、図２１の指定領域Ｂの正面拡大断面図（上部分）で説明すると、硬化膜３の表面に配されている金属配線１０４ａの厚みを指しており、硬化膜３中の厚さ方向に貫通する開口パターンに延在している金属配線１０４ｂの厚みは含んでいない。金属配線の厚みは０．１～１０μｍが好ましく、３～１０μｍがより好ましい。金属配線の厚みを０．１～１０μｍとすることで、発光素子を有する表示装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上が可能になる。さらに、３～１０μｍとすることで、配線抵抗を低減することができ、消費電力の抑制や輝度向上に寄与することができる。

　硬化膜の厚みとは、図２１の指定領域Ｂの正面拡大断面図（上部分）で説明すると、金属配線１０４ａを被覆した硬化膜１０３ａの厚みを指している。

　これにより、適切な金属配線に対する保護膜としても作用し、配線の短絡など配線不良を抑制した信頼性に優れた硬化膜を得ることができる。

　金属配線の厚みは各層で同じであっても、異なっていてもよい。異なっている場合、一例として、図２０において、発光素子２に近い金属配線の厚みに比べ、バンプ１０に近い金属配線の厚みが厚いことが好ましい。それにより、バンプ１０を用いた発光素子駆動基板７の接続時に配線不良を抑制でき、信頼性の高い表示装置を得ることができる。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、前記硬化膜が前記発光素子の光取り出し面以外の面を覆う構成であることが好ましい。

　本発明の第１の態様の一例として、図６に、図３の指定領域Ｃの上面拡大断面図（上部分）、指定領域Ｃの正面に対して直交した面での配線を除いた断面図（中部分）および指定領域Ｃの対向基板を除いた底面図（下部分）を示す。

　図６の指定領域Ｃの上面拡大断面図（上部分）においては、発光素子２は硬化膜３に覆われており、発光素子の電極端子６と接続し、硬化膜３中に延在する金属配線４が上面から示されている。

　図６の正面に対して直交した面での配線を除いた断面図（中部分）においては、発光素子２の周囲が硬化膜３に覆われていることが示されている。

　図６の指定領域Ｃの対向基板を除いた底面図（下部分）においては、発光素子２の周囲が硬化膜３に覆われているものの、発光素子２の１面は硬化膜３に覆われていないことを示している。

　本発明の第２の態様の一例として、図２２に、図２０の指定領域Ｃの上面拡大断面図（上部分）、指定領域Ｃの正面に対して直交した面での配線を除いた断面図（中部分）および指定領域Ｃの対向基板を除いた底面図（下部分）を示す。

　図２２の指定領域Ｃの上面拡大断面図（上部分）においては、発光素子２は硬化膜３に覆われており、発光素子の電極端子６と接続し、硬化膜３中に延在する金属配線４が上面から示されている。
図２２の正面に対して直交した面での配線を除いた断面図（中部分）においては、発光素子２の周囲が硬化膜３に覆われていることが示されている。

　図２２の指定領域Ｃの対向基板を除いた底面図（下部分）においては、発光素子２の周囲が硬化膜３に覆われているものの、発光素子２の１面は硬化膜３に覆われていないことを示している。

　図３および図６、図２０および図２２に示すように、発光素子２の側面全部と上面部を硬化膜３で覆う態様とすることにより、発光素子２を外部からの衝撃から保護することができる。また、発光素子２の配置により生じる段差を平坦化することができ、また、対向基板５との貼り合わせが容易になるため好ましい。

　本発明の第１の態様において、発光素子２の光取り出し面以外の面を覆う硬化膜３は、前述した段差平坦性を有することにより、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。

　本発明の第２の態様において、発光素子２の光取り出し面以外の面を覆う硬化膜３は、前述した絶縁破壊電圧を有することにより、金属配線の劣化や電気的リークを抑制し、実使用の加速試験である信頼性試験後も不良率を低減することがきる。

　本発明の第１の態様および第２の態様において硬化膜に反射膜を設けることが好ましい。

　本発明の第１の態様において、図７に示すように、発光素子２の周辺に配した硬化膜３に反射膜１５を設けている。前述した硬化膜３に反射膜１５を設けることで、硬化膜３を通過した光が反射膜１５によって反射されることにより取り出し効率が高まり、輝度を向上させることができる。

　本発明の第２の態様において、図２３に示すように、発光素子２の周辺に配した硬化膜３に反射膜１５を設けている。硬化膜３に反射膜１５を設けることで、硬化膜３を通過した光が反射膜１５によって反射されることによりさらに取り出し効率が高まり、輝度を向上させることができるともに、信頼性試験において、吸水や光による金属配線や硬化膜の劣化を抑制でき、不良率を抑制できるため好ましい。

　反射膜は硬化膜の任意の場所に設けることができ、発光素子の取り出し方向に対して四方を囲むように配する態様や、発光素子に対して斜めに配する態様、湾曲を持たせて配する態様とすることもできる。反射膜としては光が反射する膜であればよく、例えばアルミニウムや銀、銅、チタンやそれらを含む合金などが挙げられるが、これらに限定しない。

　また、本発明の第１の態様および第２の態様において、複数の前記発光素子の間に、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を有することが好ましい。

　本発明の第１の態様において、図８に示すように、発光素子２を有する表示装置１の画素数に応じた繰り返しパターン、すなわち各発光素子２間またはその周囲に、隔壁１６を有することが好ましい。この構成および段差平坦化率が高いことにより、対向基板５との貼り合わせが容易になるため好ましい。

　本発明の第２の態様において、図２４に示すように、発光素子２を有する表示装置１の画素数に応じた繰り返しパターン、すなわち各発光素子２間またはその周囲に、隔壁１６を有することが好ましい。この構成により、対向基板５との貼り合わせが容易になるため好ましい。

　隔壁の厚みは、各発光素子の厚みよりも大きいことが好ましく、具体的には、５μｍ～１２０μｍが好ましい。

　隔壁は、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜から構成されていてもよく、また（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、（メタ）アクリルポリマ、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサンなど公知のものを使用してもよい。これらの材料を使用することで、密着性の優れた隔壁を形成することができる。

　発光素子からの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させるために、隔壁の側面もしくは隔壁自体に遮光部を設けてもよい。遮光部は例えば黒色顔料などが含まれる部分である。

　さらに、発光素子から隔壁方向に発光した光を反射して光の取り出し効率を高めることができ、輝度を向上させるために隔壁の側面に反射部を設けてもよい。反射部は例えば白色顔料などが含まれる部分である。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、複数の前記発光素子の間に、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を、発光素子を覆う前記硬化膜中に配することが好ましい。

　本発明の第１の態様において、隔壁を設ける別実施態様として、図９に示すように、発光素子２を覆う硬化膜３中に発光素子２の間またはその周囲に隔壁１６を設けた構成を例示している。

　本発明の第２の態様において、隔壁を設ける別実施態様として、図２５に示すように、発光素子２を覆う硬化膜３中に発光素子２の間またはその周囲に隔壁１６を設けた構成を例示している。

　図９および図２５で示した隔壁は、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、（メタ）アクリルポリマ、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサンなど公知のものを使用してもよい。これらの材料を使用することで、密着性の優れた隔壁を形成することができる。

　隔壁を配することにより、その後の発光素子を転写する際の目印とすることができること、フォトスペーサーとしても用いることができるため、発光素子転写時の効率を上げることができるため、好ましい。

　複数の発光素子の間に、発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を配するとともに、その隔壁の周囲に反射膜を設ける構成とすることも好ましい。

　本発明の第１の態様において、具体的には、図１０、図１１に示すように、複数の発光素子２の間に、発光素子２の厚み以上の厚みを有する隔壁１６を配するとともに、その隔壁の周囲に反射膜１５を設ける表示装置１の構成などが挙げられる。隔壁の周囲に反射膜を設ける構成とすることで、発光素子から発光した光が隔壁の周囲にある反射膜により反射されることで、光取り出し効率が高まり、輝度が向上する。

　本発明の第２の態様において、具体的には、図２６、図２７に示すように、複数の発光素子２の間に、発光素子２の厚み以上の厚みを有する隔壁１６を配するとともに、その隔壁の周囲に反射膜１５を設ける表示装置１の構成などが挙げられる。

　隔壁の周囲に反射膜を設ける構成とすることで、発光素子から発光した光が隔壁の周囲にある反射膜により反射されることで、ともに、信頼性試験において、吸水や光による金属配線や硬化膜の劣化を抑制でき、不良率を抑制できるため好ましい。

　発光素子からの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させるために、隔壁の側面もしくは隔壁自体に遮光部を設けてもよい。遮光部は例えば黒色顔料などが含まれる部分である。
さらに、発光素子から隔壁方向に発光した光を反射して光の取り出し効率を高めることができ、輝度を向上させるために隔壁の側面に反射部を設けてもよい。反射部は例えば白色顔料などが含まれる部分である。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、発光素子や硬化膜あるいは金属配線の周囲に光拡散層を設けてもよい。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、前記発光素子が１辺の長さが５μｍ以上７００μｍ以下のＬＥＤであることが好ましく、前記発光素子が１辺の長さが５μｍ以上１００μｍ以下のＬＥＤであることがさらに好ましい。

　ＬＥＤは、Ｐ型半導体とＮ型半導体が接合されたＰＮ接合により構成され、ＬＥＤに順方向の電圧をかけると、チップ内を電子と正孔が移動し、電流が流れる。その際、電子と正孔が結合することによってエネルギー差が生じ、余剰エネルギーが光エネルギーに変換され、発光する。ＬＥＤから放出される光の波長は、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＧａＰなど半導体を構成する化合物によって異なり、この波長の違いが発光色を決定する。また、白色は、２種類以上の色の異なる光を混ぜることによって表示することが一般的であるが、ＬＥＤの場合、赤、緑、青の３原色を混色することにより色の再現性が大幅に改善され、より自然な白色を表示することが可能となる。

　ＬＥＤは形状として砲弾型やチップ型、多角体型などが挙げられるが、ＬＥＤ微小化の観点からチップ型や多角形型が好ましい。また、ＬＥＤの１辺の長さが５μｍ以上７００μｍ以下であることで、複数のチップを配置できるため好ましく、ＬＥＤの１辺の長さが５μｍ以上１００μｍ以下であることがさらに好ましい。

　ＬＥＤの硬化膜３を配した発光素子駆動基板７などの基板への実装方法については、例えばピックアンドプレース法やマストランスファー法などが提案されているが、これらに限定しない。

　ＬＥＤの基板への実装については、例えば、赤色、緑色、青色に発光するＬＥＤを、マトリクス状に基板の所定の位置へ配列して実装する方法や、赤色や青色に発光するＬＥＤまたは紫外線を発光する紫外ＬＥＤなどの単一種のＬＥＤを、基板へ配列して実装する方法などが挙げられる。前者の方法は、それぞれ赤色、緑色、青色に発光するＬＥＤを用いてもよく、赤色、緑色、青色に発光するＬＥＤを縦方向にスタックしたようなものを用いてもよい。後者の方法は、ＬＥＤの配列実装を容易にすることができる。この場合、量子ドット等の波長変換材料を利用して、赤色、緑色、青色のサブピクセルを作り、フルカラー表示とすることができる。

　波長変換材料としては公知のものを使用することができる。

　例えば、青色に発光するＬＥＤを用いる場合、まず、青色に発光するＬＥＤのみを配列して実装したＬＥＤアレイ基板を作製し、次に赤色と緑色のサブピクセルに相当する位置に、青色の光により励起して赤色や緑色に波長変換して発光する波長変換層を配列することが好ましい。これにより、青色に発光するＬＥＤのみを使用して、赤色、緑色、青色のサブピクセルを形成することが可能となる。

　一方、紫外光を放出する紫外ＬＥＤを用いる場合、まず、紫外ＬＥＤのみを配列して実装したＬＥＤアレイ基板を作製し、赤色、緑色、青色のサブピクセルに相当する位置に、紫外光により励起して赤色、緑色、青色に波長変換して発光する波長変換層を配列することが好ましい。これにより、前述したサブピクセルの色による光の放射角度の違いを抑制することができる。
波長変換層としては公知のものを使用することができ、また必要に応じてカラーフィルター等を使用してもよい。

　本発明における対向基板としては、例えば、ガラス板、樹脂板、樹脂フィルムなどが挙げられる。ガラス板の材質としては、無アルカリガラスが好ましい。樹脂板および樹脂フィルムの材質としては、ポリエステル、（メタ）アクリルポリマ、透明ポリイミド、ポリエーテルスルフォン等が好ましい。ガラス板および樹脂板の厚みは、１ｍｍ以下が好ましく、０．８ｍｍ以下が好ましい。樹脂フィルムの厚みは、１００μｍ以下が好ましい。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、表示装置は駆動素子を具備し、発光素子が駆動素子と硬化膜中に延在する金属配線を通じて電気的に接続されていることが好ましい。表示装置が駆動素子を具備し、発光素子が駆動素子と硬化膜中に延在する金属配線を通じて電気的に接続されていることで、複数の発光素子を個別にスイッチング駆動することができる。駆動素子としてはドライバーＩＣなどが挙げられ、ドライバーＩＣは機能別に１個のＬＥＤまたは赤、青、緑からなる１ユニットのＬＥＤに対して複数個使用してもよい。

　本発明の第１の態様において、駆動素子の配置の構成態様として図１２に示すように、硬化膜３中に駆動素子８を対向基板５上に発光素子２の近傍に配置する構成が好ましい。また、図１３に示すように、駆動素子８を発光素子２の上方の位置で、硬化膜（Ｆ１）３ａ中に配置する構成も好ましい。

　本発明の第２の態様において、駆動素子の配置の構成態様として図２８に示すように、硬化膜３中に駆動素子８を対向基板５上に発光素子２の近傍に配置する構成が好ましい。また、図２９に示すように、駆動素子８を発光素子２の上方の位置で、硬化膜中に配置する構成も好ましい。
これにより、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上が可能になる。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、さらに、駆動素子及び基板を有し、前記駆動素子は前記金属配線を通じて前記発光素子に接続され、さらに前記金属配線の少なくとも一部は、前記基板の側面に延在することが好ましい。駆動素子及び基板を有し、駆動素子は金属配線を通じて発光素子に接続され、さらに金属配線の少なくとも一部は、基板の側面に延在することで、複数の発光素子を個別にスイッチング駆動することができるとともに、表示装置自体の低背化や高速応答性が向上し、さらに表示装置をより小型化、狭額縁化することができる。

　基板としては発光素子駆動基板７と同様に特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、ガラス基板、サファイヤ基板、プリント配線板、ＴＦＴアレイ基板、セラミックスなどが挙げられる。少なくとも一部は基板の側面に延在する金属配線は、例えば金や銀、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、タングステン、アルミニウム、スズ、クロム、またはこれらを含む合金などで構成することができる。また、基板の側面に延在する金属配線は、例えば、無電解めっき、電解めっき等などの湿式めっき、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤなどのＣＶＤ化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの乾式めっき法、金属箔を基板に結合した後、エッチングを行う方法などにより形成することができる。また、基板の側面に溝が配置されていてもよい。この場合、溝によって隣接する金属配線同士が確実に分離されるので、金属配線同士の間の短絡を抑えることができる。側面導体線を配置するための溝は、切削加工法、エッチング法、レーザー加工法などによって形成することができる。

　金属配線の構成態様としては例えば図１や図３の２２、図２０の４ｃに示すように配置する構成が好ましい。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、該金属配線は導電膜であってもよい。導電膜としては例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、チタン、およびニオブなどのうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む化合物や有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストなどが挙げられるが、その他公知のものが使用してもよい。

　インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、チタン、およびニオブなどのうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む化合物としては、具体的には、酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ），酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ: ＩｎＧａＺｎＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ），酸化インジウム錫（ＩＴＯ）および酸化インジウム（ＩｎＯ）などが挙げられる。

　有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストにおいて、導電性粒子の含有量が６０～９０質量％であることが好ましい。導電層が有機物を含有することにより、曲面や屈曲部において断線を抑制し、導電性を向上させることができる。導電性粒子の含有量が６０質量％未満であると、導電性粒子同士の接触確率が低くなり、導電性が低下する。また、配線の屈曲部において、導電性粒子同士が乖離しやすくなる。導電性粒子の含有量は好ましくは７０質量％以上である。一方、導電性粒子の含有量が９０質量％を超えると、配線パターンを形成することが困難になるとともに、屈曲部において断線が生じやすくなる。導電性粒子の含有量は好ましくは８０質量％以下である。

　有機物としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル系共重合体、エポキシカルボキシレート化合物等が挙げられる。これらを２種以上含有してもよい。またウレタン結合を有する有機物を含有しても構わない。ウレタン結合を有する有機物を含有することで、配線の柔軟性を向上させることができる。また、有機物は、感光性を示すことが好ましく、フォトリソグラフィにより容易に微細な配線パターンを形成することができる。感光性は、例えば光重合開始剤、不飽和二重結合を有する成分を含有させることにより発現する。

　本発明における導電性粒子とは、電気抵抗率が１０^－５Ω・ｍ以下の物質で構成される粒子を指す。導電性粒子を構成する材料としては、例えば、銀、金、銅、白金、鉛、スズ、ニッケル、アルミニウム、タングステン、モリブデン、クロム、チタン、インジウムやこれら金属の合金、カーボン粒子が挙げられる。また、導電性粒子を２種以上含有することが好ましい。導電性粒子を２種以上含有することにより、後述する熱処理工程において、同種の導電性粒子同士が焼結して体積収縮することを抑制し、結果として導電膜全体としての体積収縮が抑制され、屈曲性を向上させることができる。

　導電性粒子の平均粒子径は０．００５～２μｍであることが好ましい。ここでの平均粒子径とは、２種以上の導電性粒子を含有する場合は、大径粒子の平均粒子径とする。導電性粒子の平均粒子径が０．００５μｍ以上であると、導電性粒子間の相互作用を適度に抑え、導電性粒子の分散状態をより安定に保つことができる。導電性粒子の平均粒子径はより好ましくは０．０１μｍ以上である。一方、導電性粒子の平均粒子径が２μｍ以下であると、所望の配線パターンを形成しやすくなる。導電性粒子の平均粒子径はより好ましくは１．５μｍ以下である。

　導電膜の厚さは２～１０μｍであることが好ましい。導電膜の厚さが２μｍ以上であると、屈曲部における断線をより抑制し、導電性をより向上させることができる。導電膜の厚さはより好ましくは４μｍ以上である。一方、導電膜の厚さが１０μｍ以下であると、製造工程において配線パターンをより容易に形成することができる。導電膜の厚さはより好ましくは８μｍ以下である。

　導電膜の構成態様としては例えば図３７～図４０の３４に示すように配置する構成が好ましい。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、さらに、複数の発光素子の間に、遮光層を有することが好ましい。複数の発光素子の間に、遮光層を有することで、光取り出し効率を大きく損なうことなく、発光素子からの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させることができる。

　遮光層は、（Ａ）樹脂および（Ｅ）着色材を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜から構成されていてもよく、また（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、（メタ）アクリルポリマ、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサンなど公知のものを使用してもよい。（Ｅ）着色材としては、黒色顔料を用いてもよく、例えば、カーボンブラック、ペリレンブラック、アニリンブラック等の黒色有機顔料、グラファイト、およびチタン、銅、鉄、マンガン、コバルト、クロム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、銀等の金属微粒子、金属酸化物、複合酸化物、金属硫化物、金属窒化物、金属酸窒化物等の無機顔料が挙げられる。また、赤色顔料および青色顔料や必要に応じて黄色顔料やその他の顔料を組み合わせて黒色としてもよい。また染料を用いてもよい。着色材は２種以上含有してもよい。

　（Ａ）樹脂および（Ｅ）着色材を含む樹脂組成物に感光性を付与してもよく、後述の（Ｂ）感光剤を用いてもよい。

　（Ａ）樹脂および（Ｅ）着色材を含む樹脂組成物の製造方法としては、例えば、分散機を用いて（Ａ）樹脂、（Ｅ）着色材、必要に応じて分散剤および有機溶剤を含有する樹脂溶液を分散させて、着色材濃度の高い着色材分散液を調製し、さらに（Ａ）樹脂や、必要に応じて感光剤などの他の成分を添加して撹拌する方法が好ましい。必要に応じて濾過を行ってもよい。

　分散機としては、例えば、ボールミル、ビーズミル、サンドグラインダー、３本ロールミル、高速度衝撃ミルなどが挙げられる。これらの中でも、分散効率化および微分散化のため、ビーズミルが好ましい。ビーズミルとしては、例えば、コボールミル、バスケットミル、ピンミル、ダイノーミルなどが挙げられる。ビーズミルに用いるビーズとしては、例えば、チタニアビーズ、ジルコニアビーズ、ジルコンビーズが挙げられる。ビーズミルのビーズ径は、０．０３～１．０ｍｍが好ましい。（Ｅ）着色材の一次粒子径および一次粒子が凝集して形成された二次粒子の粒子径が小さい場合には、径が０．０３～０．１０ｍｍの微小なビーズを用いることが好ましい。この場合には、微小なビーズと分散液とを分離することが可能な、遠心分離方式によるセパレーターを備えるビーズミルが好ましい。一方で、サブミクロン程度の粗大な粒子を含む着色材を分散させる場合には、十分な粉砕力を得るために、径が０．１０ｍｍ以上のビーズを用いることが好ましい。

　（Ａ）樹脂および（Ｅ）着色材を含む樹脂組成物は、各種基板に塗布、乾燥後、加熱処理により、遮光層を得ることができる。感光性を有する場合は、後述の化学線を照射して露光後、後述の現像および加熱処理によりパターニングされた遮光層を得ることができる。

　遮光層の厚みは０．１～５μｍであることが好ましい。遮光層の厚みが０．１μｍ以上であると、発光素子からの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させることができる。遮光層の厚みはより好ましくは０．５μｍ以上である。一方、配線の厚さが５μｍ以下であると、光取り出し効率を大きく損なうことなく、発光素子からの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させることができる。遮光層の厚みはより好ましくは４μｍ以下である。

　遮光層は厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス上に膜厚１．０μｍとなるように着色膜を形成し、ガラス面からの色度を測定した反射色度値（ａ＊、ｂ＊）が、－０．５≦ａ*≦１．０かつ－１．０≦ｂ*≦０．５となることが好ましく、－０．５≦ａ*≦０．５かつ－１．０≦ｂ*≦０．４となることが好ましい。反射色度は着色膜に映り込んだ像の色調の指標となり、（ａ＊、ｂ＊）＝（０．０、０．０）に近いほど、無彩色な反射色調と言える。一方、液晶表示装置や有機ＥＬディスプレイの黒表示の反射色調は一般的にｂ＊が負の値となり、青みの色調であるため、表示装置に用いられる加飾膜としてはｂ＊が負の値となることが好ましい。

　着色膜の反射色度（Ｌ＊，ａ＊，ｂ＊）は、白色校正板（ＣＭ－Ａ１４５；コニカミノルタ（株）製）で校正した分光測色計（ＣＭ－２６００ｄ；コニカミノルタ（株）製）を用い、標準光源Ｄ６５（色温度６５０４Ｋ）、視野角２°（ＣＩＥ１９７６）、大気圧下、２０℃の測定条件下で透明基材から入射させた光に対する全反射色度（ＳＣＩ）を測定することで得られる。　遮光層の構成態様としては例えば図４１の３５に示すように配置する構成が好ましい。遮光層３５は発光素子２と接してもよく、離れていてもよい。

　本発明の第１の態様において、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜について、前述した段差平坦化率を得るためには、（Ａ）樹脂は耐熱性が高いものが好ましく、具体的には熱処理時や熱処理後の１６０℃以上の高温下において樹脂劣化や分解が少ないものが好ましい。また、そのような硬化膜は表示装置として用いられる硬化膜、例えば絶縁膜、保護膜および隔壁などとして優れた特性の１つである、アウトガス量が少なくなるため好ましい。

　本発明の第２の態様において、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜の絶縁破壊電圧は３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である。これにより、金属配線の劣化や電気的リークを抑制し、信頼性試験後の不良率を低減できることができる。

　そのような特性を得るためには、（Ａ）樹脂は耐熱性が高いものが好ましく、具体的には熱処理時や熱処理後の１６０℃以上の高温下において樹脂劣化が少なく、また樹脂劣化や樹脂の分解等に伴う例えば着色構造の１つであるキノン構造等の形成が少ないものが好ましい。また、そのような硬化膜は表示装置として用いられる硬化膜、例えば絶縁膜、保護膜および隔壁などとして優れた特性の１つである、アウトガス量が少なくなるため好ましい。

　（Ａ）樹脂は露光、現像により所望の開口パターンを形成する観点から、硬化前は露光波長における光の透過率が高いものが好ましい。

　そのような特性を得るためには、例えば樹脂の芳香環由来の共役鎖を短くするか、分子内や分子間の電荷移動を小さくすることが好ましい。

　金属配線の保護のため、厚み１０μｍ以上の厚膜でも加工性が優れることが好ましい。

　（Ａ）樹脂は特に限定されないが、環境負荷低減の観点からアルカリ可溶性樹脂であることが好ましい。アルカリ可溶性とは、γ－ブチロラクトンに樹脂を溶解した溶液をシリコンウエハ上に塗布し、１２０℃で４分間プリベークを行って膜厚１０μｍ±０．５μｍのプリベーク膜を形成する。次に、該プリベーク膜を２３±１℃の２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に１分間浸漬した後、純水でリンス処理したときの膜厚減少を求める。上記プリベーク膜の溶解速度が５０ｎｍ／分以上であるものについてアルカリ可溶性であると定義する。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、（Ａ）樹脂は、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選択される１種以上の樹脂を含有することが好ましい。（Ａ）樹脂は、これらの樹脂を単独で含有してもよく、また複数の樹脂を組み合わせて含有してもよい。

　ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体について説明する。

　ポリイミドはイミド環を有するものであれば、特に限定されない。またポリイミド前駆体は、脱水閉環することによりイミド環を有するポリイミドとなる構造を有していれば、特に限定されず、ポリアミド酸やポリアミド酸エステルなどを含有することができる。ポリベンゾオキサゾールはオキサゾール環を有するものであれば、特に限定されない。ポリベンゾオキサゾール前駆体は、脱水閉環することによりベンゾオキサゾール環を有するポリベンゾオキサゾールとなる構造を有していれば、特に限定されず、ポリヒドロキシアミドなどを含有することができる。

　ポリイミドは一般式（１）で表される構造単位を有し、ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体は下記一般式（２）で表される構造単位を有し、ポリベンゾオキサゾールは一般式（３）で表される構造単位を有する。これらを２種以上含有してもよいし、一般式（１）で表される構造単位、一般式（２）で表される構造単位、一般式（３）、一般式（７）で表される構造単位を共重合した樹脂を含有してもよい。

　一般式（１）中、Ｖは炭素数４～４０の４～１０価の有機基、Ｗは炭素数４～４０の２～８価の有機基を表す。ａおよびｂは、それぞれ０～６の整数を表す。Ｒ^１およびＲ^２は水酸基、カルボキシ基、スルホン酸基およびチオール基からなる群より選ばれる基を表し、複数のＲ^１およびＲ^２はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。

　一般式（２）中、ＸおよびＹは、それぞれ独立に炭素数４～４０の２～８価の有機基を表す。Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立に水素原子、または炭素数１～２０の１価の有機基を表す。ｃおよびｄは、それぞれ０～４の整数、ｅおよびｆは、それぞれ０～２の整数を表す。

　一般式（３）中、ＬおよびＭは、それぞれ独立に炭素数４～４０の２～８価の有機基を表す。

　一般式（７）中、Ｔ^１およびＵ^１は、それぞれ独立に炭素数４～４０の２～８価の有機基を表す。

　（Ａ）樹脂にアルカリ可溶性を持たせるために、一般式（１）はａ＋ｂ＞０であることが好ましい。また、一般式（２）はｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＞０であることが好ましい。一般式（２）において、ポリイミド前駆体の場合は、一般式（２）中のＸ、Ｙは芳香族基を有することが好ましい。さらには、一般式（２）中のＸは芳香族基を有し、ｅ＞２であって、芳香族アミド基のオルト位にカルボキシ基またはカルボキシエステル基を有し、脱水閉環することによりイミド環を形成する構造となる。

　一般式（２）において、ポリベンゾオキサゾール前駆体の場合は、一般式（２）中のＸは芳香族基を有し、ｄ＞０であって、芳香族アミド基のオルト位にヒドロキシル基を有し、脱水閉環することによりベンゾオキサゾール環を形成する構造となる。

　（Ａ）樹脂における、一般式（１）、一般式（２）または一般式（３）、一般式（７）で表される構造単位の繰り返し数ｎは、５～１００，０００であることが好ましく、１０～１００，０００であることがより好ましい。

　（Ａ）樹脂は、一般式（１）、一般式（２）または一般式（３）、一般式（７）で表される構造単位に加えて、他の構造単位を有してもよい。他の構造単位としては、例えば、カルド構造、シロキサン構造などが挙げられるが、これらに限定されない。この場合、一般式（１）、一般式（２）または一般式（３）、一般式（７）で表される構造単位を、主たる構成単位とすることが好ましい。ここで主たる構成単位とは全構造単位数のうち一般式（１）、一般式（２）または一般式（３）、一般式（７）で表される構造単位を５０モル％以上有することをいい、７０モル％以上有することがより好ましい。

　上記一般式（１）中、Ｖ－（Ｒ^１）_ａ、上記一般式（２）中、（ＯＨ）_ｃ－Ｘ－（ＣＯＯＲ^３）_ｅおよび上記一般式（３）中のＬ、上記一般式（７）中のＴ^１は酸の残基を表す。Ｖは炭素数４～４０の４価～１０価の有機基であり、なかでも芳香族環または環状脂肪族基を含有する炭素原子数４～４０の有機基が好ましい。ＸおよびＬ、Ｔ^１は炭素数４～４０の２価～８価の有機基であり、なかでも芳香族環、または脂肪族基を含有する炭素原子数４～４０の有機基が好ましい。

　本発明の第１の態様において、一般式（１）～（３）のいずれかの構造単位を有するポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体は加熱処理時の脱離成分がない、もしくは少ないため、加熱処理前後の厚み方向の変化率が２５％以下と小さく、そのため、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、段差平坦性が向上し、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができるため、好ましい。

　酸の残基を構成する酸成分としては、ジカルボン酸の例としてテレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ビス（カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビフェニルジカルボン酸、ベンゾフェノンジカルボン酸、トリフェニルジカルボン酸、スベリン酸、ドデカフルオロスベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ヘキサデカフルオロセバシン酸、１，９－ノナン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘキサデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸、ヘンエイコサン二酸、ドコサン二酸、トリコサン二酸、テトラコサン二酸、ペンタコサン二酸、ヘキサコサン二酸、ヘプタコサン二酸、オクタコサン二酸、ノナコサン二酸、トリアコンタン二酸など、トリカルボン酸の例としてトリメリット酸、トリメシン酸、ジフェニルエーテルトリカルボン酸、ビフェニルトリカルボン酸など、テトラカルボン酸の例としてピロメリット酸、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２’，３，３’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）プロパン、１，１－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エタン、１，１－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）エタン、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸、９，９－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）フルオレン、９，９－ビス｛４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝フルオレン、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸、２，３，５，６－ピリジンテトラカルボン酸、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンおよび下記に示した構造の芳香族テトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、シクロブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸などを挙げることができるが、これらに限定されない。これらを２種以上用いてもよい。

　式中、Ｒ^１７は酸素原子、Ｃ（ＣＦ_３）_２、またはＣ（ＣＨ_３）_２を表す。Ｒ^１８およびＲ^１９は水素原子、または水酸基を表す。

　これらの酸は、そのまま、あるいは酸無水物、ハロゲン化物、活性エステルとして使用できる。

　上記一般式（１）中のＷ－（Ｒ^２）_ｂ、上記一般式（２）中の（ＯＨ）_ｄ－Ｙ－（ＣＯＯＲ^４）_ｆおよび上記一般式（３）中のＭ、一般式（７）中のＵ^１はジアミンの残基を表す。Ｗ、ＹおよびＭ、Ｕ^１は炭素数４～４０の２～８価の有機基であり、なかでも芳香族環または環状脂肪族基を含有する炭素原子数４～４０の有機基が好ましい。

　ジアミンの残基を構成するジアミンの具体的な例としては、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）メチレン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシ）ビフェニル、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）フルオレンなどのヒドロキシル基含有ジアミン、３－スルホン酸－４，４’－ジアミノジフェニルエーテルなどのスルホン酸含有ジアミン、ジメルカプトフェニレンジアミンなどのチオール基含有ジアミン、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、ベンジン、ｍ－フェニレンジアミン、ｐ－フェニレンジアミン、１，５－ナフタレンジアミン、２，６－ナフタレンジアミン、ビス（４－アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（３－アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス｛４－（４－アミノフェノキシ）フェニル｝エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジエチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジエチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’，３，３’－テトラメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’，４，４’－テトラメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）－４，４’－ジアミノビフェニルなどの芳香族ジアミンや、これらの芳香族環の水素原子の一部を、炭素数１～１０のアルキル基やフルオロアルキル基、ハロゲン原子などで置換した化合物、２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン（グアナミン）、２，４－ジアミノ－６－メチル－１，３，５－トリアジン（アセトグアナミン）、２，４－ジアミノ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（ベンゾグアナミン）などの含窒素複素芳香族環を有するジアミン、１，３－ビス（３－アミノプロピル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン、１，３－ビス（ｐ－アミノフェニル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン、１，３－ビス（ｐ－アミノフェネチル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン、１，７－ビス（ｐ－アミノフェニル）－１，１，３，３，５，５，７，７－オクタメチルテトラシロキサンなどのシリコーンジアミン、シクロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルアミンなどの脂環式ジアミンおよび下記に示した構造のジアミンなどが挙げられる。これらを２種以上用いてもよい。

　式中、Ｒ^２０は酸素原子、Ｃ（ＣＦ_３）_２、またはＣ（ＣＨ_３）_２を表す。Ｒ^２１～Ｒ^２４はそれぞれ独立に水素原子、または水酸基を表す。

　その中で、アルカリ現像性や（Ａ）樹脂、その硬化膜の透過率を向上させる観点から以下に示した構造のジアミンを少なくとも１つ以上含有することが好ましい。

　式中、Ｒ^２０は酸素原子、Ｃ（ＣＦ_３）_２、またはＣ（ＣＨ_３）_２を表す。Ｒ^２１～Ｒ^２２はそれぞれ独立に水素原子、または水酸基を表す。

　これらのジアミンは、ジアミンとして、またはジアミンにホスゲンと反応させて得られるジイソシアネート化合物、トリメチルシリル化ジアミンとして使用できる。

　（Ａ）樹脂は、アルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基を含有することが好ましい。これらの基は脂肪族環を含んでいてもよい。アルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基としては、一般式（４）で表される基が特に好ましい。

　一般式（４）中、Ｒ^５～Ｒ^８はそれぞれ独立に炭素数１～６のアルキレン基を表す。Ｒ^９～Ｒ^１６はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、または炭素数１～６のアルキル基を表す。ただし、括弧内に表される構造はそれぞれ異なる。ｇ、ｈ、ｉはそれぞれ独立に０～３５の整数を表し、ｇ＋ｈ＋ｉ＞０である。

　一般式（４）で表される基としては、例えばエチレンオキシド基、プロピレンオキシド基、ブチレンオキシド基などが挙げられ、直鎖状、分岐状、および環状のいずれでもよい。

　本発明の第１の態様において、（Ａ）樹脂が、アルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基を有することにより、（Ａ）樹脂、およびその硬化膜の機械特性、特に伸度を向上させ、硬化前後の４５０ｎｍにおける光の透過率を向上させることができる。さらに、アルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基は（Ａ）樹脂のガラス転移温度を適度に低下させて流動性を付与できることから、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜は加熱処理して硬化膜を形成する際に少なくとも一部が流動し、段差平坦性が向上し、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。

　本発明の第２の態様において、（Ａ）樹脂が、アルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基を有することにより、（Ａ）樹脂、およびその硬化膜の機械特性、特に伸度を向上させ、さらに絶縁破壊電圧を向上させることができる。

　（Ａ）樹脂は、前記一般式（１）におけるＷまたは一般式（２）におけるＹに、前記のアルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基を含有することが好ましい。これにより、本発明の第１の態様において、（Ａ）樹脂、およびその硬化膜の機械特性、特に伸度を向上させ、さらに硬化前後の４５０ｎｍにおける光の透過率を向上させることができるとともに、樹脂組成物の硬化膜における低温加熱処理での閉環促進による高耐薬品性、基板金属との高い密着性、恒温恒湿試験（ＨＡＳＴ）対する耐性を得ることができる。また、本発明の第２の態様において、（Ａ）樹脂、およびその硬化膜伸度を向上させ、さらに絶縁破壊電圧を向上させることができるとともに、樹脂組成物の硬化膜における低温加熱処理での閉環促進による高耐薬品性、基板金属との高い密着性、恒温恒湿試験（ＨＡＳＴ）などの信頼性試験も対する耐性を得ることができる。

　アルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基を含有するジアミンの具体例としては、エチレンジアミン、１，３－ジアミノプロパン、２－メチル－１，３－プロパンジアミン、１，４－ジアミノブタン、１，５－ジアミノペンタン、２－メチル－１，５－ジアミノペンタン、１，６－ジアミノヘキサン、１，７－ジアミノヘプタン、１，８－ジアミノオクタン、１，９－ジアミノノナン、１，１０－ジアミノデカン、１，１１－ジアミノウンデカン、１，１２－ジアミノドデカン、１，２－シクロヘキサンジアミン、１，３－シクロヘキサンジアミン、１，４－シクロヘキサンジアミン、１，２－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，４－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、４，４’－メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、４，４’－メチレンビス（２－メチルシクロヘキシルアミン）、ＫＨ－５１１、ＥＤ－６００、ＥＤ－９００、ＥＤ－２００３、ＥＤＲ－１４８、ＥＤＲ－１７６、Ｄ－２００、Ｄ－４００、Ｄ－２０００、ＴＨＦ－１００、ＴＨＦ－１４０、ＴＨＦ－１７０、ＲＥ－６００、ＲＥ－９００、ＲＥ－２０００、ＲＰ－４０５、ＲＰ－４０９、ＲＰ－２００５、ＲＰ－２００９、ＲＴ－１０００、ＨＥ－１０００、ＨＴ－１１００、ＨＴ－１７００、（以上商品名、ＨＵＮＴＳＭＡＮ（株）製）などが挙げられる。

　これらのジアミン中に、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、－ＮＨ－、－ＮＣＨ_３－、－Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｎ（ＣＨ（ＣＨ_３）_２）－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＯＣＯＮＨ－、－ＮＨＣＯＮＨ－などの結合を含んでもよい。

　アルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基を含有するジアミン残基は、全ジアミン残基中、５モル％以上含まれることが好ましく、１０モル％以上含まれることがより好ましい。また、全ジアミン残基中、４０モル％以下含まれることが好ましく、３０モル％以下含まれることがより好ましい。上記範囲とすることにより、本発明の第１の態様において、アルカリ現像液での現像性を高めるとともに、（Ａ）樹脂、およびその硬化膜の機械特性、特に伸度を向上させ、さらに硬化後の４５０ｎｍにおける光の透過率を向上させることができるとともに、樹脂組成物の硬化膜における低温加熱処理での閉環促進による高耐薬品性、金属表面との高い密着性、恒温恒湿試験（ＨＡＳＴ）に対する耐性を得ることができる。また、本発明の第２の態様において、アルカリ現像液での現像性を高めるとともに、（Ａ）樹脂、およびその硬化膜の伸度を向上させ、さらに絶縁破壊電圧を向上させることができるとともに、樹脂組成物の硬化膜における低温加熱処理での閉環促進による高耐薬品性、基板金属との高い密着性、恒温恒湿試験（ＨＡＳＴ）対する耐性を得ることができる。

　耐熱性を低下させない範囲で、脂肪族ポリシロキサン構造を有するジアミン残基を共重合してもよい。脂肪族ポリシロキサン構造を有するジアミン残基を共重合することで基板との接着性を向上させることができる。具体的には、ジアミン成分として、ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ－アミノフェニル）オクタメチルペンタシロキサンなどを全ジアミン残基中の１～１５モル％共重合したものなどが挙げられる。この範囲で共重合させることが、シリコンウエハなどの基板との接着性向上の点、および、アルカリ溶液へ溶解性を低下させない点で好ましい。

　（Ａ）樹脂の末端を、酸性基を有するモノアミン、酸無水物、酸クロリド、モノカルボン酸により封止することで、主鎖末端に酸性基を有する樹脂を得ることができる。酸性基を有するモノアミン、酸無水物、酸クロリド、モノカルボン酸としては公知のものを使用してもよく、複数使用してもよい。

　上記モノアミン、酸無水物、酸クロリド、モノカルボン酸などの末端封止剤の含有量は、（Ａ）樹脂を構成する酸成分およびアミン成分の総和１００モル％に対して、２～２５モル％が好ましい。

　（Ａ）樹脂は、重量平均分子量が１０，０００以上１００，０００以下であることが好ましい。重量平均分子量が１０，０００以上であれば、硬化後の硬化膜の機械特性を向上させることができる。より好ましくは重量平均分子量が２０，０００以上である。一方、重量平均分子量が１００，０００以下であれば、各種現像液による現像性を向上させることができ、さらに重量平均分子量が５０，０００以下であれば、アルカリ溶液による現像性を向上させることができるため好ましい。

　重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用いて確認できる。例えば展開溶剤をＮ－メチル－２－ピロリドン（以下、ＮＭＰと省略する場合がある）として測定し、ポリスチレン換算で求めることができる。

　（Ａ）樹脂の含有量は溶剤を含む全含有成分１００質量％のうち、３～５５質量％とすることが好ましく、５～４０質量％とすることがさらに好ましい。前記範囲とすることで、スピン塗布またはスリット塗布を行う上で適切な粘度とすることができる。

　本発明の第２の態様において、その他に、フェノール樹脂、アルカリ可溶性基を有するラジカル重合性モノマーをモノマー単位として含む重合体、例えばポリヒドロキシスチレンやアクリル等、シロキサンポリマー、環状オレフィン重合体、およびカルド樹脂などを用いてもよい。これらの樹脂公知のものを使用してもよく、また単独で用いてもよく、複数の樹脂を組み合わせて用いてもよい。

　本発明の第１の態様において、（Ａ）樹脂がさらに、ビフェニル構造を有するフェノール樹脂を含有することが好ましい。

　ビフェニル構造を有するフェノール樹脂としては一般式（５）で表される構造を有することが好ましい。

　一般式（５）中、Ｒ^２８、Ｒ^２９およびＲ^３０はそれぞれ炭素数１～２０の１価の有機基を表す。Ｔ、Ｕはそれぞれ独立に炭素数１～２０のアルキレン基もしくはアルキレンオキシド基を表す。ｊは１～３の整数、ｋ^１、ｋ^２およびｋ^３は０～２の整数、ｌは３～１００の整数を表す。

　Ｒ^２８、Ｒ^２９およびＲ^３０としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、スルホン酸基およびチオール基から選ばれた基や炭素数１～２０の不飽和結合を有していてもよい脂肪族基、炭素数３～２０の脂環式基、および炭素数６～２０の芳香族基から成る群から選ばれる基などが挙げられるが、これらに限定しない。

　ｊは１～３の整数を表すが、適度なアルカリ溶解性を付与するために、ｊは１～２の整数を表すことが好ましく、ｊは１の整数を表すことがさらに好ましい。

　（Ａ）樹脂がビフェニル構造を有するフェノール樹脂を含有することにより、加熱処理時の脱離成分がない、もしくは少ないため、加熱処理前後の厚み方向の変化率が小さく、そのため段差が生じにくくなるとともに、（Ａ）樹脂のガラス転移温度を適度に低下させて流動性を付与できることから、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜は加熱処理して硬化膜を形成する際に少なくとも一部が流動し、段差平坦性が向上し、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。

　ビフェニル構造を有するフェノール樹脂として下記構造を含む樹脂が好ましいが、下記構造に限定しない。

　上記式中、ｎは２～９９の整数を表す。

　一般式（５）や上記式で表されるものの具体例としては、例えば、明和化成株式会社製ＭＥＨＣ－７８５１シリーズフェノール樹脂などが挙げられるが、これらに限定しない。

　ビフェニル構造を有するフェノール樹脂は、重量平均分子量が７００以上５０，０００以下であることが好ましい。重量平均分子量が７００以上であれば、段差平坦性が向上し、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。一方、重量平均分子量が２５，０００以下であれば、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選択される１種以上の樹脂との相溶性を向上させ、また各種現像液による現像性を向上させることができ、さらに重量平均分子量が９，０００以下であれば、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選択される１種以上の樹脂との相溶性をさらに向上させることができるためさらに好ましい。

　ビフェニル構造を有するフェノール樹脂の含有量は、段差平坦性向上の観点から、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選択される１種以上の樹脂１００質量部に対して５質量部以上が好ましく、段差平坦性向上の観点から１０質量部以上がさらに好ましい。また、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選択される１種以上の樹脂との相溶性の観点から、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選択される１種以上の樹脂１００質量部に対して４９質量部以下が好ましく、１９質量部以下がより好ましい。

　本発明の第１の態様において、その他に、フェノール樹脂、アルカリ可溶性基を有するラジカル重合性モノマーをモノマー単位として含む重合体、例えばポリヒドロキシスチレンやアクリル等、シロキサンポリマー、環状オレフィン重合体、およびカルド樹脂などを用いてもよい。これらの樹脂公知のものを使用してもよく、また単独で用いてもよく、複数の樹脂を組み合わせて用いてもよい。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物は、（Ｂ）感光剤（以下、（Ｂ）成分と呼称する場合がある）を含有することが好ましい。

　（Ｂ）成分を含有することで樹脂組成物に感光性を付与し、微細な開口パターンを形成することができる。

　（Ｂ）成分は、紫外線に感応して化学構造が変化する化合物であり、例えば、光酸発生剤、光塩基発生剤、光重合開始剤などを挙げることができる。（Ｂ）成分として光酸発生剤を用いた場合は、感光性樹脂組成物の光照射部に酸が発生し、光照射部のアルカリ現像液に対する溶解性が増大するため、光照射部が溶解するポジ型のパターンを得ることができる。

　（Ｂ）成分として光塩基発生剤を含有する場合は、樹脂組成物の光照射部に塩基が発生し、光照射部のアルカリ現像液に対する溶解性が低下するため、光照射部が不溶化するネガ型のパターンを得ることができる。

　（Ｂ）成分として光重合開始剤を含有する場合は、樹脂組成物の光照射部にラジカルが発生してラジカル重合が進行し、アルカリ現像液に対して不溶化することで、ネガ型のパターンを形成することができる。また、露光時のＵＶ硬化が促進されて、感度を向上させることができる。

　本発明の第１の態様において、（Ａ）樹脂および（Ｂ）成分を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜について、前述した段差平坦化率を得るためには、（Ｂ）成分は耐熱性が高く、加熱処理による構造変化や脱離基が少ないものが好ましい。

　本発明の第２の態様において、（Ａ）樹脂および（Ｂ）成分を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜について、絶縁破壊電圧は３６０ｋｖ／ｍｍ以上６００ｋｖ／ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、金属配線の劣化や電気的リークを抑制し、信頼性試験後も不良率を低減することができる。

　そのような特性を得るためには、（Ｂ）成分が、（Ａ）樹脂や（Ｃ）熱架橋剤等との反応を促進するものや（Ｂ）成分の分解生成物自身が（Ａ）樹脂や（Ｃ）熱架橋剤等と反応するもの、加熱処理後に有機酸の残存が少ないものが好ましい。さらに加熱処理後の有機酸の残存少なくするために、（Ｂ）成分を含む樹脂組成物を硬化させる前に露光処理を行うことが好ましい。（Ｃ）熱架橋剤は、（Ｃ）成分と呼称する場合がある。

　（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物は、微細加工性の観点から、ポジ型感光性を有することが好ましい。

　上記した（Ｂ）成分の中で、高感度で微細加工性の観点から、光酸発生剤が好ましい。光酸発生剤としては、キノンジアジド化合物、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩などが挙げられる。さらに増感剤などを必要に応じて含むことができる。

　キノンジアジド化合物としては、フェノール性水酸基を有した化合物にナフトキノンジアジドのスルホン酸がエステルで結合した化合物が好ましい。ここで用いられるフェノール性水酸基を有する化合物としては、公知のものを使用してもよく、それらに４－ナフトキノンジアジドスルホン酸あるいは５－ナフトキノンジアジドスルホン酸をエステル結合で導入したものが好ましいものとして例示することができるが、これ以外の化合物を使用することもできる。

　フェノール性水酸基を有した化合物の官能基全体の５０モル％以上がキノンジアジドで置換されていることが好ましい。５０モル％以上置換されているキノンジアジド化合物を使用することで、キノンジアジド化合物のアルカリ水溶液に対する親和性が低下する。その結果、未露光部の樹脂組成物のアルカリ水溶液に対する溶解性は大きく低下する。さらに、露光によりキノンジアジドスルホニル基がインデンカルボン酸に変化し、露光部の感光性樹脂組成物のアルカリ水溶液に対する大きな溶解速度を得ることができる。すなわち、結果として組成物の露光部と未露光部の溶解速度比を大きくして、高い解像度でパターンを得ることができる。

　このようなキノンジアジド化合物を含有することで、一般的な水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）やそれらを含むブロードバンドに感光するポジ型の感光性を有する樹脂組成物を得ることができる。また、（Ｂ）成分は１種のみ含有しても、２種以上組み合わせて含有してもよく、高感度な樹脂組成物を得ることができる。

　キノンジアジドとしては、５－ナフトキノンジアジドスルホニル基、４－ナフトキノンジアジドスルホニル基、同一分子中に４－ナフトキノンジアジドスルホニル基および５－ナフトキノンジアジドスルホニル基を含むものなどが挙げられる。

　ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物としては５－ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物（Ｂ－１）および４－ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物（Ｂ－２）などが挙げられるが、本発明の第１の態様および第２の態様においては（Ｂ－１）化合物を含むことが好ましい。（Ｂ－１）化合物は水銀灯のｇ線領域まで吸収が伸びており、ｇ線露光および全波長露光に適している。また、本発明の第１の態様においては、硬化時に（Ａ）樹脂などと反応することにより架橋構造を形成し、耐薬品性が向上する。さらに（Ｂ－２）化合物に比べて加熱処理時の脱離成分が少なく、低応力化や加熱処理後収縮が小さくなることから、段差平坦性の観点からも好ましい。（Ｂ－１）化合物の含有比率としては全感光剤量である（Ｂ－１）化合物＋（Ｂ－２）化合物に対し、５０質量％以上１００質量％以下であることが好ましい。この含有比率とすることにより、段差平坦化率の高い硬化膜を得ることができる。また、本発明の第２の態様においては、硬化時に（Ａ）樹脂や（Ｃ）熱架橋剤などと反応することにより架橋構造を形成し、硬化膜の引張強度が向上するとともに、耐薬品性が向上する。さらに（Ｂ－２）化合物に比べて加熱処理後の有機酸成分の残存が少ないため、絶縁破壊電圧を向上させる観点からも好ましい。（Ｂ－１）化合物の含有比率としては全感光剤量である（Ｂ－１）化合物＋（Ｂ－２）化合物に対し、５５質量％以上１００質量％以下であることが好ましい。この含有比率とすることにより、高い絶縁破壊電圧の硬化膜を得ることができる。

　キノンジアジド化合物は、フェノール性水酸基を有する化合物と、キノンジアジドスルホン酸化合物とのエステル化反応によって、公知の方法により合成することができる。キノンジアジド化合物を使用することで解像度、感度、残膜率がより向上する。

　（Ｂ）成分の分子量は、熱処理により得られる膜の耐熱性、機械特性および接着性の点から、好ましくは３００以上、より好ましくは３５０以上であり、好ましくは３，０００以下、より好ましくは１，５００以下である。

　（Ｂ）成分のうち、スルホニウム塩、ホスホニウム塩およびジアゾニウム塩は、露光によって発生した酸成分を適度に安定化させるため好ましい。中でもスルホニウム塩が好ましい。

　（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）樹脂１００質量部に対して０．１質量部以上１００質量部以下が好ましい。（Ｂ）成分の含有量が０．１質量部以上１００質量部以下であれば、熱処理後の膜の耐熱性、耐薬品性および機械特性を維持しつつ、感光性を付与することができる。

　（Ｂ）成分がキノンジアジド化合物を含有する場合、（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、１質量部以上がより好ましく、３質量部以上がさらに好ましい。また、１００質量部以下がより好ましく、８０質量部以下がさらに好ましい。１質量部以上１００質量部以下であれば、熱処理後の膜の耐熱性、耐薬品性および機械特性を維持しつつ、感光性を付与することができる。

　（Ｂ）成分がスルホニウム塩、ホスホニウム塩またはジアゾニウム塩を含有する場合、（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上がより好ましく、１質量部以上がさらに好ましく、３質量部以上が特に好ましい。また、１００質量部以下がより好ましく、８０質量部以下がさらに好ましく、５０質量部以下が特に好ましい。０．１質量部以上１００質量部以下であれば、熱処理後の膜の耐熱性、耐薬品性および機械特性を維持しつつ、感光性を付与することができる。

　（Ｂ）成分として光塩基発生剤を含有する場合、光塩基発生剤として、具体的には、アミド化合物、アンモニウム塩などが挙げられる。

　アミド化合物としては、例えば、２－ニトロフェニルメチル－４－メタクリロイルオキシピペリジン－１－カルボキシラート、９－アントリルメチル－Ｎ，Ｎ－ジメチルカルバメート、１－（アントラキノン－２イル）エチルイミダゾールカルボキシラート、（Ｅ）－１－［３－（２－ヒドロキシフェニル）－２－プロペノイル］ピペリジンなどが挙げられる。

　アンモニウム塩としては、例えば、１，２－ジイソプロピル－３－（ビスジメチルアミノ）メチレン）グアニジウム２－（３－ベンゾイルフェニル）プロピオナート、（Ｚ）－｛［ビス（ジメチルアミノ）メチリデン］アミノ｝－Ｎ－シクロヘキシルアミノ）メタニミニウムテトラキス（３－フルオロフェニル）ボラート、１，２－ジシクロヘキシル－４，４，５，５－テトラメチルビグアニジウムｎ－ブチルトリフェニルボラートなどが挙げられる。

　（Ｂ）成分として光塩基発生剤を含有する場合、樹脂組成物における（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上が好ましく、０．５質量部以上がより好ましく、０．７質量部以上がさらに好ましく、１質量部以上が特に好ましい。含有量が上記範囲内であると、露光時の感度を向上させることができる。一方、含有量は、２５質量部以下が好ましく、２０質量部以下がより好ましく、１７質量部以下がさらに好ましく、１５質量部以下が特に好ましい。含有量が上記範囲内であると、現像後の解像度を向上させることができる。

　（Ｂ）成分として、光重合開始剤を含有する場合、光重合開始剤としては、例えば、ベンジルケタール系光重合開始剤、α－ヒドロキシケトン系光重合開始剤、α－アミノケトン系光重合開始剤、アシルホスフィンオキシド系光重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤、アクリジン系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、アセトフェノン系光重合開始剤、芳香族ケトエステル系光重合開始剤または安息香酸エステル系光重合開始剤、チタノセン系光重合開始剤が好ましく、それぞれ公知のものを使用してもよく、複数使用してもよい。本発明の第２の態様においては、これらは、（Ａ）樹脂や（Ｃ）熱架橋剤等との反応を促進するため好ましい。この中で、露光時の感度向上の観点から、α－ヒドロキシケトン系光重合開始剤、α－アミノケトン系光重合開始剤、アシルホスフィンオキシド系光重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤、アクリジン系光重合開始剤またはベンゾフェノン系光重合開始剤がより好ましく、α－アミノケトン系光重合開始剤、アシルホスフィンオキシド系光重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤がさらに好ましい。

　（Ｂ）成分として光重合開始剤を含有する場合、樹脂組成物における（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上が好ましく、０．５質量部以上がより好ましく、０．７質量部以上がさらに好ましく、１質量部以上が特に好ましい。含有量が上記範囲内であると、露光時の感度を向上させることができる。一方、含有量は、２５質量部以下が好ましく、２０質量部以下がより好ましく、１７質量部以下がさらに好ましく、１５質量部以下が特に好ましい。含有量が上記範囲内であると、現像後の解像度を向上させることができる。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物がさらに、（Ｃ）熱架橋剤を含有することが好ましい。本発明の第２の態様において、（Ｃ）成分を含有することで硬化膜の絶縁破壊電圧や耐薬品性が向上するため好ましい。

　熱架橋剤とは、熱反応性の官能基を分子内に少なくとも２つ有する樹脂または化合物を指す。熱反応性の官能基として、アルコキシメチル基、メチロール基、環状エーテル基などを有する化合物が挙げられる。

　熱架橋剤として、アルコキシメチル化合物およびメチロール化合物から選ばれた化合物（以下、（Ｃ－１）成分と省略する場合がある）を１種類以上含有してもよい。（Ｃ－１）成分を含むことで架橋がより強固になり、硬化膜の例えばフラックス液などに対する耐薬品性をより向上させることができる。（Ｃ－１）成分の具体例としては、以下のメチロール化合物、またはメチロール基の水素原子がメチル基または炭素数２～１０のアルキル基で置換されたアルコキシメチル化合物が挙げられるが、下記構造に限らない。

　（Ｃ）成分として、環状エーテル基化合物（以下、（Ｃ－２）成分と省略する場合がある）を１種類以上含有してもよい。（Ｃ－２）成分を含むことで１６０℃以下の低温でも反応し、また架橋がより強固になり、硬化膜の絶縁破壊電圧を高め、また、硬化膜の耐薬品性をより向上させることができる。

　（Ｃ－２）成分の具体例としては、“デナコール（登録商標）”ＥＸ－２１２Ｌ、デナコールＥＸ－２１４Ｌ、デナコールＥＸ－２１６Ｌ、デナコールＥＸ－８５０Ｌ、デナコールＥＸ－３２１Ｌ（以上、ナガセケムテックス（株）製）、ＧＡＮ、ＧＯＴ（以上、日本化薬（株）製）、“エピコート（登録商標）”８２８、エピコート１００２、エピコート１７５０、エピコート１００７、ＹＸ４０００、ＹＸ４０００Ｈ、ＹＸ８１００－ＢＨ３０、Ｅ１２５６、Ｅ４２５０、Ｅ４２７５（以上、三菱ケミカル（株）製）、“エピクロン（登録商標）”８５０－Ｓ、エピクロンＨＰ－４０３２、エピクロンＨＰ－７２００、エピクロンＨＰ－８２０、エピクロンＨＰ－４７００、エピクロンＨＰ－４７７０、エピクロンＨＰ４０３２（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、ＴＥＣＨＭＯＲＥ　ＶＧ３１０１Ｌ（（株）プリンテック製）、“テピック（登録商標）”Ｓ、テピックＧ、テピックＰ（以上、日産化学工業（株）製）、エポトートＹＨ－４３４Ｌ（東都化成（株）製）、ＥＰＰＮ５０２Ｈ、ＮＣ－３０００、ＮＣ－６０００、ＸＤ－１０００（日本化薬（株）製）、エピクロンＮ６９５、ＨＰ７２００（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、“エタナコール（登録商標）”ＥＨＯ、エタナコールＯＸＢＰ、エタナコールＯＸＴＰ、エタナコールＯＸＭＡ（以上、宇部興産（株）製）、オキセタン化フェノールノボラックなどが挙げられる。

　その中でも、トリアリールメタン構造、もしくはビフェニル構造を有するものが好ましく、
　具体的にはＹＸ４０００、ＹＸ４０００Ｈ（以上、三菱ケミカル（株）製）、ＴＥＣＨＭＯＲＥ　ＶＧ３１０１Ｌ（（株）プリンテック製）、ＮＣ－３０００などが挙げられる。

　また、本発明の第１の態様および第２の態様において、（Ｃ）熱架橋剤が、ビフェニル構造を有する熱架橋剤を含有することが好ましい。

　本発明において（Ｃ）成分を含有することで耐薬品性が向上するため好ましい。

　ビフェニル構造を有する熱架橋剤は（Ａ）樹脂や（Ｂ）成分やビフェニル構造を有する熱架橋剤を含む樹脂のガラス転移温度を適度に低下させて流動性を付与できることから、（Ａ）樹脂や（Ｂ）成分やビフェニル構造を有する熱架橋剤を含む樹脂組成物からなる樹脂膜は加熱処理時の脱離成分がない、もしくは少ないため、加熱処理前後の厚み方向の変化率が小さく、そのため段差が生じにくくなるとともに、加熱処理して硬化膜を形成する際に少なくとも一部が流動し、段差平坦性が向上し、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。

　ビフェニル構造を有する熱架橋剤の具体例としては下記の環状エーテル基化合物、メチロール化合物、またはメチロール基の水素原子がメチル基または炭素数２～１０のアルキル基で置換されたアルコキシメチル化合物が挙げられるが、これらに限定しない。また共重合体でもよく、ビフェニル構造は置換基を有してもよい。

　ｎ９は繰り返し単位を示し、１～１０の整数を表す。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、（Ｃ）成分として、下記一般式（６）で表される構造単位を含む化合物（以下、（Ｃ－３）成分と省略する場合がある）を１種類以上含有してもよい。

　一般式（６）中、Ｒ^２５は炭素数１以上１５以下のアルキレン基またはアルキレンエーテル基を有する２価の有機基であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、エチレンオキシド基、プロピレンオキシド基、ブチレンオキシド基などが挙げられ、直鎖状、分岐状、および環状のいずれでも良い。また炭素数１以上１５以下のアルキレン基またはアルキレンエーテル基を有する２価の有機基の置換基の一部が、環状エーテル基、アルキルシリル基、アルコキシシリル基、アリール基、アリールエーテル基、カルボキシ基、カルボニル基、アリル基、ビニル基、複素環基やその他置換基を有していてもよく、それらを組み合わせたものでもよい。Ｒ^２６およびＲ^２７は、各々独立に、水素原子またはメチル基を示す。

　一般式（６）で表される構造単位を含む化合物は、それ自体に、柔軟なアルキレン基と剛直な芳香族基を有するため、本発明の第１の態様において、一般式（６）で表される構造単位を含む化合物は（Ａ）樹脂や（Ｂ）成分や一般式（６）で表される構造単位を含む化合物を含む樹脂のガラス転移温度を適度に低下させて流動性を付与できることから、（Ａ）樹脂や（Ｂ）成分や一般式（６）で表される構造単位を含む化合物を含む樹脂組成物からなる樹脂膜は加熱処理して硬化膜を形成する際に少なくとも一部が流動し、段差平坦性が向上し、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。また本発明の第２の態様においては、得られる硬化膜が、耐熱性を有しながら、伸度向上と低応力化が可能である。一般式（６）で表される構造単位を含む化合物成分に含まれる架橋基としては、アクリル基やメチロール基、アルコキシメチル基、環状エーテル基等が上げられるがこれに限定されない。この中でも、（Ａ）樹脂の水酸基と反応し、硬化膜の耐熱性を向上することができる点と、脱水せずに反応することができる点から、環状エーテル基が好ましい。

　一般式（６）で表される構造単位を含む化合物は、具体例としては以下のものが挙げられるが、下記構造に限らない。

　式中ｏ^１は１～２０の整数、ｏ^２は１～５の整数である。耐熱性と伸度向上を両立する点から、ｏ^１は３～７の整数、ｏ^２は１～２の整数であることが好ましい。

　また、本発明の第１の態様において、上記の熱架橋剤以外の熱架橋剤として、公知の環状エーテル基化合物、アルコキシメチル化合物およびメチロール化合物を含有してもよい。

　上記の（Ｃ）成分は２種類以上を組み合わせて含有してもよい。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、（Ｃ）成分の含有量は、例えばフラックス液などに対する耐薬品性の高い硬化膜を得る観点から、（Ａ）樹脂１００質量部に対して５質量部以上が好ましく、１０質量部以上がさらに好ましい。また、樹脂組成物の保存安定性を維持しながら、例えばフラックス液などに対する耐薬品性の高い硬化膜を得ることができ、さらにその硬化膜を適用した配線の信頼性試験後における金属配線との剥離や硬化膜のクラックを抑制することができる観点から、（Ａ）樹脂１００質量部に対して１００質量部以下が好ましく、９０質量部以下がより好ましく、８０質量部以下がさらに好ましい。

　本発明の第１の態様において、（Ｃ）熱架橋剤全体を１００質量部とした場合に、置換基を有してもよいビフェニル構造を有する熱架橋剤および一般式（１４）で表される構造単位を有する熱架橋剤の含有比率が、１５質量部以上８０質量部以下であることが好ましい。これは、段差平坦性が向上し、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物は、必要に応じてその他の成分として、ラジカル重合性化合物、酸化防止剤、溶剤、フェノール性水酸基を有する化合物、密着改良剤、接着改良剤、界面活性剤を含有してもよい。

　次に、本発明の第１の態様および第２の態様において、樹脂組成物の製造方法について説明する。例えば、前記（Ａ）樹脂と、必要により、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分や各ラジカル重合性化合物、酸化防止剤、溶剤、フェノール性水酸基を有する化合物、密着改良剤、接着改良剤、界面活性剤などを混合して溶解させることにより、樹脂組成物を得ることができる。

　溶解方法としては、加熱や撹拌など公知の方法が挙げられる。

　樹脂組成物の粘度は、２～５，０００ｍＰａ・ｓが好ましい。粘度が２ｍＰａ・ｓ以上となるように固形分濃度を調整することにより、所望の膜厚を得ることが容易になる。一方粘度が５，０００ｍＰａ・ｓ以下であれば、均一性の高い樹脂膜を得ることが容易になる。このような粘度を有する樹脂組成物は、例えば固形分濃度を５～６０質量％にすることで容易に得ることができる。ここで、固形分濃度とは溶剤以外の成分を言う。

　得られた樹脂組成物は、濾過フィルターを用いて濾過し、ゴミや粒子を除去することが好ましい。濾過フィルターの材質には、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ナイロン（ＮＹ）、ポリテトラフルオロエチエレン（ＰＴＦＥ）などがあるが、ポリエチレンやナイロンが好ましい。

　（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜を形成する際には、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物から樹脂シートを形成してから、樹脂シート硬化させて膜を形成してもよい。

　樹脂シートは上記樹脂組成物を用いて基材に形成したシートをいう。具体的には、基材に樹脂組成物を塗布し、乾燥して得られた樹脂シートをいう。

　樹脂組成物を塗布する基材にはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのフィルムを用いることができる。樹脂シートをシリコンウエハなどの基板に貼り合わせて用いる際に、基材を剥離除去する必要がある場合は、表面にシリコーン樹脂などの離型剤がコーティングされている基材を用いると、容易に樹脂シートと基材を剥離できるため好ましい。

　次に、本発明の表示装置の製造方法について説明する。

　まず、本発明の第１の態様の表示装置の製造方法について説明する。

　図１４に本発明の第１の態様の複数の発光素子を有する表示装置の一例の作製工程断面図を示す。

　以下、樹脂膜とは（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を基板に塗布もしくは樹脂シートをラミネートし、乾燥して得られた膜をいう。また、硬化膜は樹脂膜、もしくは樹脂シートを硬化して得られた膜をいう。

　図１４ａは、支持基板２０上に一対の電極端子６を有する発光素子２を配置する工程である。支持基板はガラス基板、シリコン基板、セラミックス類、ガリウムヒ素、有機回路基板、無機回路基板、またはこれらの基板に回路の構成材料が配置されたものなどが用いられるが、これらに限定されない。ガラス基板やシリコン基板上には仮貼り材料が配置されていてもよい。またＴＦＴアレイ基板を使用してもよい。また支持基板は工程の途中で除去してもよく、また除去後別の対向基板を配置してもよい。

　次に、図１４ｂは、支持基板２０上および発光素子２上に、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして樹脂膜２１を形成する工程である。

　なお、支持基板上および発光素子上とは、支持基板の表面や発光素子の表面のみならず、支持基板や発光素子の上側にあればよく、硬化膜や金属配線、反射膜、隔壁上に（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして樹脂膜を形成してもよい。

　塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、印刷法などの方法がある。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が０．１～１５０μｍになるように塗布される。

　塗布に先立ち、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を塗布する支持基板を予め前述した密着改良剤で前処理してもよい。例えば、密着改良剤をイソプロパノール、エタノール、メタノール、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルなどの溶剤に０．５～２０質量％溶解させた溶液を用いて、スピンコート、スリットダイコート、バーコート、ディップコート、スプレーコート、蒸気処理などの方法で基板表面を処理する方法が挙げられる。基板表面を処理した後、必要に応じて、減圧乾燥処理を施してもよい。また、その後５０℃～２８０℃の熱処理により基板と密着改良剤との反応を進行させてもよい。

　次に、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物の塗布膜を乾燥して、樹脂膜２１を得る。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使用し、５０℃～１４０℃の範囲で１分～数時間行うことが好ましい。

　一方、前記樹脂シートを用いる場合、前記樹脂シートに保護フィルムを有する場合にはこれを剥離し、樹脂シートと支持基板を対向させ、熱圧着により貼り合わせる（樹脂シートと支持基板を対向させ、熱圧着により貼り合わせることを、樹脂シートを支持基板にラミネートすると記す場合もある）。次に、支持基板にラミネートした樹脂シートを、上記樹脂膜を得る際と同様に乾燥して、樹脂膜２１を形成する。樹脂シートは、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を剥離性基板であるポリエチレンテレフタラート等により構成される支持フィルム上に塗布、乾燥させて得ることができる。

　熱圧着は、熱プレス処理、熱ラミネート処理、熱真空ラミネート処理等によって行うことができる。貼り合わせ温度は、基板への密着性、埋め込み性の点から４０℃以上が好ましい。また、樹脂シートが感光性を有する場合、貼り合わせ時に樹脂シートが硬化し、露光・現像工程におけるパターン形成の解像度が低下することを防ぐために、貼り合わせ温度は１４０℃以下が好ましい。

　次に、図１４ｃは、樹脂膜２１に対して、フォトリソ工程を用いて、金属配線４の形態に対応した貫通した開口パターン１２を形成する工程である。
（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または樹脂シートは微細加工可能なため、発光素子の高密度配置が可能である。

　感光性を有する樹脂膜上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照射する。露光に用いられる化学線としては紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線などがあるが、本発明では一般的な露光波長であるｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）またはｉ線（３６５ｎｍ）、を用いることが好ましい。感光性を有さない樹脂膜においては、樹脂膜形成後にフォトレジストを形成した後、前記の化学線を照射する。

　露光された感光性を有する樹脂膜２１を現像する。現像液としては、テトラメチルアンモニウム、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によっては、これらのアルカリ水溶液にＮ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ－ブチロラクトン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶剤、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などを１種または２種以上添加してもよい。現像後は水にてリンス処理をすることが一般的である。ここでもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えてリンス処理をしてもよい。

　次に、図１４ｃは、樹脂膜２１を硬化させることにより、硬化膜３を形成する工程である。

　樹脂膜２１を加熱して閉環反応や熱架橋反応を進行させ、硬化膜３を得る。硬化膜３は、（Ａ）成分同士、または（Ｂ）成分や（Ｃ）成分などとの架橋によって、耐熱性および耐薬品性が向上する。この加熱処理は、段階的に昇温して行ってもよいし、連続的に昇温しながら行ってもよい。加熱処理は５分間～５時間実施することが好ましい。一例としては、１１０℃で３０分加熱処理した後、さらに２３０℃６０分熱処理する例が挙げられる。加熱処理条件としては、１４０℃以上４００℃以下が好ましい。加熱処理条件は、熱架橋反応を進行させるため、１４０℃以上が好ましく、１６０℃以上がより好ましい。また優れた硬化膜を提供するため、表示装置の信頼性を向上させるため、さらに加熱処理後の段差平坦性を向上させるため、加熱処理条件は３００℃以下が好ましく、２５０℃以下がより好ましい。

　信頼性が高い硬化膜を得るために、加熱時は酸素濃度が低い雰囲気で処理されることが好ましい。酸素濃度としては１０００ｐｐｍ以下が好ましく、３００ｐｐｍ以下がより好ましく、５０ｐｐｍ以下がさらに好ましい。

　このようにして得られた硬化膜は、開口パターンを有し、該開口パターン断面における傾斜辺の角度が４０°以上８５°以下であることが好ましい。開口部の断面形状の角度が４０°以上であると、複数の発光素子を効率的に配置することができ、高精細化が可能となる。開口部の断面形状の角度はより好ましくは５０°以上である。一方、開口部の断面形状の角度が８５°以下であると、配線の短絡など配線不良の抑制を図ることができる。開口部の断面形状の角度はより好ましくは８０°以下である。

　図４２に硬化膜の開口パターンの正面断面図を示す。図４２において硬化膜３に形成した開口パターンについて傾斜辺３６の角度が３７である。なお、傾斜辺は硬化膜３の厚み方向において１／２とした位置３９での開口パターンと底部の開口パターンを直線で結んだものとした。

　続いて、図１４ｃにおいて、硬化膜３と金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂとの密着性を向上させるため、硬化膜３上にチタンなどのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅シード（シード層）をスパッタリング法で形成する。

　次に、図１４ｄは、フォトレジスト層（図示せず）を形成した後、発光素子２の一対の電極端子６と電気的に接続させるための銅などからなる金属配線（Ｋ１）４ａをめっき法等により硬化膜３の開口パターン１２に形成するとともに、硬化膜３の一部の表面上に金属配線（Ｋ２）４ｂを形成する工程である。その後、不要なフォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去する。

　これにより、硬化膜により金属配線の電気的絶縁性を確保することが出来、硬化膜中に金属配線を延在させることにより、発光素子の一対の電極端子と駆動素子を電気的に接続させることにより発光動作を制御させることが出来る。また、金属配線の一部の表面と接する硬化膜の段差平坦性が高いことで、硬化膜は適切な金属配線に対する絶縁膜や保護膜としても作用し、表示装置は硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。

　本発明の表示装置の製造方法において、硬化膜中に金属配線を有する前記硬化膜を複数層形成する工程を有してもよい。

　図１４ｅ～ｆに示すように硬化膜（Ｆ１）３ａおよび金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂは再度同様の方法で繰り返し実施することで２層以上からなる硬化膜３ａを形成することができる。

　これにより、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。また、硬化膜中に金属配線を有する硬化膜を複数層とすることで、複数の発光素子を配置することができ、また、パッケージ低背化や配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化、高速応答性の向上を図ることができる。

　その後、図１４ｇに示すように、硬化膜（Ｆ１）３ａの開口パターン１２にバリアメタル９をスパッタリング法で形成し、はんだバンプ１０を形成する。なお、バリアメタル９は有していても、有していなくてもよい。はんだバンプ１０は、例えばドライバーＩＣなど駆動素子を有する発光素子駆動基板７などに電気的に接続される。

　駆動素子８は機能別に１個の発光素子２または赤、青、緑からなる１ユニットの発光素子２に対して複数個使用してもよく、例えば図１４の工程中に発光素子の近傍等に複数個駆動素子を配置してもよい。その場合、駆動素子は硬化膜３や硬化膜（Ｆ１）３ａ中に延在した金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂを介して発光素子２と電気的に接続されている。

　その後、図１４ｈに示すように、はんだバンプ１０を介してドライバーＩＣなど駆動素子８を有する発光素子駆動基板７に電気的に接続させ、支持基板２０を剥離し、対向基板５を、接着剤等を用いて貼り合わせることにより、複数の発光素子２を有する表示装置１を得る。なお、金属配線４は電極を包含してもよい。

　これにより、硬化膜により金属配線の電気的絶縁性を確保することが出来、硬化膜中に金属配線を延在させることにより、発光素子の一対の電極端子と駆動素子を電気的に接続させることにより発光動作を制御させることが出来る。また、硬化膜の段差平坦性が高いことで、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。

　金属配線４は導電膜３４であってもよい。図４９は金属配線４の代わりに導電膜３４を使用した工程を示している。

　フォトリソ工程を用いて、金属配線４の形態に対応した貫通した開口パターン１２を形成する工程の後、樹脂膜２１を硬化させる工程の前に、樹脂膜の全領域に対して露光する工程を有してもよい。
現像後に露光することにより、加熱処理時の着色を抑制することができ、加熱処理後の波長４５０ｎｍの光の透過率を向上させることができる。特に（Ｂ）成分として光酸発生剤を使用した場合、特に好ましい。

　本発明の第１の態様の表示装置の製造方法において、支持基板２０上に一対の電極端子６を有する発光素子２を配置する工程の前に、発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を設ける工程を有してもよい。

　図１５ａは支持基板上に発光素子２の厚み以上の厚みを有する隔壁１６を設ける工程であり、次の図１５ｂは、発光素子２の厚み以上の厚みを有する隔壁の間に複数の発光素子２を設ける工程を示す。図１５ｃは隔壁１６を設けた状態のまま、図１４ｂに示す工程と同様で樹脂膜２１を配する工程である。以下の工程は図１４に示した通りに進められる。隔壁としては（Ａ）樹脂を用いてもよく、またエポキシ樹脂、（メタ）アクリルポリマ、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサンなど公知のものを用いてもよい。また遮光部や反射部を設けてもよい。

　本発明の第１の態様の表示装置の製造方法において、樹脂膜２１を硬化させる工程の後、硬化膜上の一部に反射膜を設ける工程を有してもよい。
硬化膜上の一部に反射膜を設ける工程の一例を図１６に示す。図１６ｄは硬化膜３上の一部の領域に反射膜１５を設ける工程を示す。

　図１６ｄまでの工程は図１４ｃの工程までの工程と同じであり、次の図１６ｅの工程は図１４ｄと同じ金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂを形成する工程を示す。以降の工程は反射膜１５を設けた状態のまま、図１４に示した工程の順に進められる。反射膜はアルミニウムや銀、銅、チタンやそれらを含む合金などを用いて例えばスパッタリングなどの方法で形成される。また後に形成する金属配線と重ならないように、予めフォトレジストなどで該当部分を保護する、もしくは所定のマスクを用いてスパッタリングを行うことが好ましい。

　本発明の第１の態様の表示装置の製造方法において、発光素子２の一対の電極端子６と電気的に接続させるための銅などからなる金属配線（Ｋ１）４ａをめっき法等により硬化膜３の開口パターン１２に形成するとともに、硬化膜３の一部の表面上に金属配線（Ｋ２）４ｂを形成する工程の後、さらに、駆動素子及び基板を有し、前記駆動素子は金属配線を通じて発光素子に接続され、さらに前記金属配線の少なくとも一部は、前記基板の側面に延在する工程を有することが好ましい。

　図１４ｈは駆動素子及び基板を有し、駆動素子は金属配線を通じて発光素子に接続される工程を示す。図１４ｈのように金属配線４や２２を通じて駆動素子８が発光素子２に接続されており、また金属配線２２の一部は発光素子駆動基板７の側面に延在している。なお、発光素子駆動基板７に貫通電極がある場合、その貫通電極を通じて駆動素子８と接続してもよい。

　これにより、表示装置自体の低背化や高速応答性が向上し、さらに表示装置をより小型化、狭額縁化することができる。

　金属配線２２は、例えば金や銀、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、タングステン、アルミニウム、スズ、クロム、またはこれらを含む合金などで構成することができる。基板または発光素子駆動基板７に既に配線がある場合は、その配線を使用してもよい。

　本発明の第１の態様の表示装置の製造方法において、該金属配線は導電膜であってもよい。

　図４３ｈは金属配線４や導電膜３４を通じて駆動素子が発光素子２に接続されており、また導電膜３４の一部は発光素子駆動基板７の側面に延在している。　

　導電膜３４としてはインジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、チタン、およびニオブなどのうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む化合物や有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストなどが好ましい。

　本発明の第１の態様の表示装置の製造方法において、さらに、複数の前記発光素子の間に、遮光層を有する工程を有することが好ましい。

　図４４ａは複数の発光素子２の間に遮光層３５を設ける工程を示す。また、遮光層３５は発光素子２を形成する前に形成してもよく、発光素子２を形成した後形成してもよい。

　遮光層３５は、（Ａ）樹脂および（Ｅ）着色材を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜から構成されていてもよく、また（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、（メタ）アクリルポリマ、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサンなど公知のものを使用してもよい。（Ｅ）着色材としては、黒色顔料を用いてもよく、例えば、カーボンブラック、ペリレンブラック、アニリンブラック等の黒色有機顔料、グラファイト、およびチタン、銅、鉄、マンガン、コバルト、クロム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、銀等の金属微粒子、金属酸化物、複合酸化物、金属硫化物、金属窒化物、金属酸窒化物等の無機顔料が挙げられる。また、赤色顔料および青色顔料や必要に応じて黄色顔料やその他の顔料を組み合わせて黒色としてもよい。また染料を用いてもよい。着色材は２種以上含有してもよい。

　遮光層の形成方法としては、感光性を有する場合はフォトリソ工程を使用してもよく、感光性を有さない場合は、遮光層上にフォトレジストを形成した後に、フォトリソ工程もしくはエッチング工程を使用してもよく、マスクを用いてエッチング工程を使用してもよい。得られたパターンを加熱処理（ポストベーク）することにより、パターニングされた着色膜を得ることができる。加熱処理は、空気中、窒素雰囲気下、および真空状態のいずれで行ってもよい。加熱温度は１００～３００℃が好ましく、加熱時間は０．２５～５時間が好ましい。加熱温度を連続的に変化させてもよいし、段階的に変化させてもよい。

　図１７に本発明の第１の態様の表示装置１の別の実施態様の作製工程断面図を示す。図１４の工程と重複するところ、具体的には図１７ｂ～ｅは図１４ｂ～ｆと重複しているため、説明を省略している。

　図１７ａは、支持基板２０上に金属配線（Ｋ２）４ｂを配置する工程である。金属配線（Ｋ２）４ｂとしては銅やアルニウムなどが挙げられる。電極パッドとして用いてもよい。

　次に、図１７ｂは、支持基板２０上および金属配線（Ｋ２）４ｂ上に、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または樹脂シートを塗布またはラミネートして樹脂膜２１を形成する工程である。

　なお、支持基板上および金属配線（Ｋ２）４ｂ上とは、支持基板の表面や金属配線（Ｋ２）４ｂの表面のみならず、支持基板や金属配線（Ｋ２）４ｂの上側にあればよく、硬化膜や金属配線、反射膜、隔壁上に（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして樹脂膜を形成してもよい。

　次に、図１７ｃは、フォトリソ工程を用いて、樹脂膜２１に複数の貫通した開口パターン１２を形成する工程である。

　次に、図１７ｃは、樹脂膜２１を硬化させることにより硬化膜（Ｆ１）３ａを形成する工程である。

　続いて、図１７ｃにおいて、硬化膜（Ｆ１）３ａと金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂとの密着性を向上させるため、硬化膜（Ｆ１）３ａ上にチタンなどのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅シード（シード層）をスパッタリング法で形成する。

　次に、図１７ｄは、フォトレジスト層（図示せず）を形成した後、硬化膜（Ｆ１）３ａの開口パターン１２に銅などからなる金属配線（Ｋ１）４ａをめっき法等により形成するとともに硬化膜（Ｆ１）３ａの一部の表面上に前記金属配線（Ｋ２）４ｂ形成する工程である。その後、不要なフォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去する。

　本発明の第１の態様の表示装置の製造方法において、硬化膜中に前記金属配線を有する前記硬化膜を複数層形成する工程を有してもよい。
硬化膜（Ｆ１）３ａおよび金属配線（Ｋ２）４ｂ上に、再度同様の方法で繰り返し実施することで図１７ｅに示すように２層以上からなる硬化膜（Ｆ１）３ａを形成することができる。

　次に、図１７ｆは、金属配線４と電気的接続を保持するようにして硬化膜３上に発光素子２を配する工程である。発光素子２の電極端子６と金属配線４は直接接続してもよく、例えば、はんだボールなどを介してもよい。

　図１７ｇに示すように、硬化膜３ａおよび発光素子２上に硬化膜２９を形成する工程を有してもよい。硬化膜２９としては、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を塗布、または（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物から構成される樹脂シートをラミネートして樹脂組成物からなる樹脂膜を形成し、硬化して硬化膜２９を形成することが好ましい。また、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂など公知のものを使用してもよい。

　硬化条件は、樹脂の種類により異なるが、例えば８０℃～２３０℃、１５分～５時間などが挙げられる。

　これは、発光素子上に硬化膜を形成することで、発光素子の保護や平坦化を目的としている。

　次に、図１７ｈは、発光素子２と硬化膜２９に対して接着剤等を用いて対向基板５を貼り合わせる工程である。また、支持基板２０を剥離し、バリアメタル９とバンプ１０を形成し、はんだバンプ１０を介してドライバーＩＣなど駆動素子８を付加した発光素子駆動基板７に電気的に接続される。

　駆動素子８は金属配線２２や硬化膜（Ｆ１）３ａ中に延在した金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂを介して発光素子２と電気的に接続することにより、複数の発光素子２を有する表示装置１を得る。なお、金属配線４は電極を包含してもよい。

　これにより、硬化膜により金属配線の電気的絶縁性を確保することが出来、硬化膜中に金属配線を延在させることにより、発光素子の一対の電極端子と駆動素子を電気的に接続させることにより発光動作を制御させることが出来る。また、硬化膜の段差平坦化率が高いことで、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができる。

　金属配線４は導電膜３４であってもよい。図５０は金属配線４の代わりに導電膜３４を使用した工程を示している。

　フォトリソ工程を用いて、金属配線４の形態に対応した貫通した開口パターン１２を形成する工程の後、樹脂膜２１を硬化させる工程の前に、樹脂層の全領域に対して露光する工程を有してもよい。

　現像後に樹脂層を露光することにより、加熱処理時の着色を抑制することができ、加熱処理後の波長４５０ｎｍの光透過率を向上させることができる。特に（Ｂ）成分として光酸発生剤を使用した場合、特に好ましい。

　本発明の第１の態様の表示装置の製造方法において、金属配線４と電気的接続を保持するようにして硬化膜３上に発光素子２を配する工程の前で、発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を設ける工程を有することが好ましい。

　図１８ｆは、図１７ｅに示す硬化膜３ａを複数層形成した後に、隔壁１６を設ける工程を示す。その後、図１８ｇに示すように隔壁１６の間に発光素子２を設け、次に、図１８ｈに示すように隔壁１６と発光素子２の上部に対向基板５を貼り合わせるとともに、支持基板２０を剥離し、バリアメタル９とバンプ１０を形成し、はんだバンプ１０を介してドライバーＩＣなど駆動素子８を有する発光素子駆動基板７に電気的に接続される。

　本発明の第１の態様の表示装置の製造方法において、金属配線４と電気的接続を保持するようにして硬化膜３上に発光素子２を配する工程の前で、硬化膜上の一部に反射膜を設ける工程を有することが好ましい。

　図１９ｆは、図１７ｅに示す硬化膜３ａを複数層形成した後に、反射膜１５を設ける工程を示す。以降の工程は反射膜１５を設けた状態のまま、図１７ｆ、図１７ｇおよび図１７ｈに示した工程の順に進められる。

　本発明の第１の態様の表示装置の製造方法において、硬化膜３および発光素子２上に硬化膜２９を形成する工程の後、さらに、駆動素子及び基板を有し、前記駆動素子は金属配線を通じて発光素子に接続され、さらに前記金属配線の少なくとも一部は、前記基板の側面に延在する工程を有することが好ましい。

　図１７ｈは駆動素子及び基板を有し、駆動素子は金属配線を通じて発光素子に接続される工程を示す。図１７ｈのように金属配線４や２２を通じて駆動素子８が発光素子２に接続されており、また金属配線２２の一部は発光素子駆動基板７の側面に延在している。なお、発光素子駆動基板７に貫通電極がある場合、その貫通電極を通じて駆動素子８と接続してもよい。

　図４５ｈは金属配線４や導電膜３４を通じて駆動素子が発光素子２に接続されており、また導電膜３４の一部は発光素子駆動基板７の側面に延在している。　

　図４６に本発明の第１の態様の表示装置１の別の実施態様の作製工程断面図を示す。

　図４６ａは、基板などの上に（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程である。（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして樹脂膜を形成してもよい。

　基板としては発光素子駆動基板７を用いることができる。図４６ａにガラス基板上にＴＦＴ３０、絶縁膜３１、金属配線４を配したＴＦＴアレイ基板を１例として示す。

　金属配線４としては、例えば、金や銀、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、モリブデンやこれらを含む合金などが挙げられる。絶縁膜３１としては、特に限定しないが、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、有機物からなる絶縁膜などが挙げられる。

　次は、フォトリソ工程を用いて、樹脂膜に複数の貫通した開口パターンを形成する工程である。

　次は、樹脂膜を硬化させることにより硬化膜３を形成する工程である。

　次に、図４６ｂは、硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンの一部に配線を形成する工程である。フォトレジスト層（図示せず）を形成した後、例えば、配線３２をスパッタリング法等により硬化膜３の一部の表面上に形成する工程である。その後、不要なフォトレジストを除去する。

　配線３２としては、金属配線やインジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、チタン、およびニオブなどのうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む化合物や有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストなどが挙げられるが、その他公知のものを使用してもよい。

　本発明の第１の態様において、硬化膜中に金属配線を有する前記硬化膜を複数層形成する工程を有してもよい。

　硬化膜３は再度同様の方法で繰り返し実施することで図４６ｃに示すように２層以上からなる硬化膜３を形成することができる。

　次に、図４６ｄは、配線３２と電気的接続を保持するようにして硬化膜３上に発光素子２を配する工程である。発光素子２の電極端子６と配線３２は直接接続してもよく、例えば、はんだボールなどを介してもよい。

　また、発光素子２を配する前、もしくは後に隔壁１６を形成してもよい。

　その後、図４６ｅに示すように、接着剤等を用いて対向基板５を貼り合わせる。また、導電膜３４を形成し、導電膜３４を通じてドライバーＩＣなど駆動素子８は硬化膜３中に延在した金属配線４や配線３２を介して発光素子２と電気的に接続することにより、複数の発光素子２を有する表示装置１を得る。なお、配線３２は電極も包含する。

　次に、本発明の第２の態様の表示装置の製造方法について説明する。

　本発明の第２の態様に係る表示装置の製造方法は、少なくとも金属配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置の製造方法であって、支持基板上に前記発光素子を配置する工程（Ｄ１）、前記支持基板上および前記発光素子上に、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程（Ｄ２）、前記樹脂膜に対して露光、現像することにより、前記樹脂膜に複数の貫通した開口パターンを形成する工程（Ｄ３）、前記樹脂膜を硬化させ、絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である前記硬化膜を形成する工程（Ｄ４）、および、前記硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の開口パターンに前記金属配線を形成する工程（Ｄ５）、を有する。　図３０に本発明の第２の態様の複数の発光素子を有する表示装置の一例の作製工程断面図を示す
　以下、樹脂膜とは（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を基板に塗布もしくは樹脂シートをラミネートし、乾燥して得られた膜をいう。また、硬化膜は樹脂膜、もしくは樹脂シートを硬化して得られた膜をいう。

　図３０ａにおいて、工程（Ｄ１）は、支持基板２０上に一対の電極端子６を有する発光素子２を配置する工程である。支持基板はガラス基板、シリコン基板、セラミックス類、ガリウムヒ素、有機回路基板、無機回路基板、またはこれらの基板に回路の構成材料が配置されたものなどが用いられるが、これらに限定されない。などが挙げられ、ガラス基板やシリコン基板上には仮貼り材料が配置されていてもよい。またＴＦＴアレイ基板を使用してもよい。また支持基板は工程の途中で除去してもよく、また除去後別の対向基板を配置してもよい。

　次に、工程（Ｄ２）は、図３０ｂに示すように支持基板２０上および発光素子２上に、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして樹脂膜２１を形成する工程である。

　次に、工程（Ｄ３）は、図３０ｃに示すように、樹脂膜２１に対して、フォトリソ工程を用いて、金属配線４の形態に対応した貫通した開口パターン１２を形成する工程である。
（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または樹脂シートは微細加工可能なため、発光素子の高密度配置が可能である。

　次に、工程（Ｄ４）は、図３０ｃに示すように、樹脂膜２１を硬化させることにより、絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である硬化膜３を形成する工程である。

　樹脂膜２１を加熱して閉環反応や熱架橋反応を進行させ、硬化膜３を得る。硬化膜３は、（Ａ）成分同士、または（Ｂ）成分や（Ｃ）成分などとの架橋によって、絶縁破壊電圧、耐熱性および耐薬品性が向上する。この加熱処理は、段階的に昇温して行ってもよいし、連続的に昇温しながら行ってもよい。加熱処理は５分間～５時間実施することが好ましい。一例としては、１１０℃で３０分加熱処理した後、さらに２３０℃６０分熱処理する例が挙げられる。加熱処理条件としては、１４０℃以上４００℃以下が好ましい。加熱処理条件は、熱架橋反応を進行させるため、１４０℃以上が好ましく、１６０℃以上がより好ましい。また優れた硬化膜を提供するため、表示装置の信頼性を向上させるため、加熱処理条件は３００℃以下が好ましく、２５０℃以下がより好ましい。

　光の透過率が高い硬化膜を得るために、加熱時は酸素濃度が低い雰囲気で処理されることが好ましい。酸素濃度としては１０００ｐｐｍ以下が好ましく、３００ｐｐｍ以下がより好ましく、５０ｐｐｍ以下がさらに好ましい。

　続いて、図３０ｃにおいて、硬化膜３と金属配線４との密着性を向上させるため、硬化膜３上にチタンなどのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅シード（シード層）をスパッタリング法で形成する。

　次に、工程（Ｄ５）は、図３０ｄに示すように、フォトレジスト層（図示せず）を形成した後、発光素子２の一対の電極端子６と電気的に接続させるための銅などからなる金属配線４をめっき法等により硬化膜３の開口パターン１２および硬化膜３の一部の表面上に形成する工程である。その後、不要なフォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去する。

　これにより、硬化膜により金属配線の電気的絶縁性を確保することが出来、硬化膜中に金属配線を延在させることにより、発光素子の一対の電極端子と駆動素子を電気的に接続し発光動作を制御することが出来る。また、硬化膜が高い光透過率を有することで、発光素子から発光した光の吸収を抑制することができ、光取り出し性を高めることが出来る。

　本発明の第２の態様の表示装置の製造方法においては、前記工程（Ｄ２）、前記工程（Ｄ３）、前記工程（Ｄ４）および前記工程（Ｄ５）を複数回繰り返し行い、硬化膜中に前記金属配線を有する前記硬化膜を複数層形成する工程を有することが好ましい。

　図３０ｅ～ｆに示すように硬化膜３および金属配線４は再度同様の方法で繰り返し実施することで２層以上からなる硬化膜３を形成することができる。

　これにより、硬化膜中に金属配線を有する硬化膜を複数層とすることで、複数の発光素子を配置することができ、また、パッケージ低背化や配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化、高速応答性の向上を図ることができる。

　その後、図３０ｇに示すように、硬化膜３の開口パターン１２にバリアメタル９をスパッタリング法で形成し、はんだバンプ１０を形成する。なお、バリアメタル９は有していても、有していなくてもよい。はんだバンプ１０は、例えばドライバーＩＣなど駆動素子を有する発光素子駆動基板７などに電気的に接続される。

　駆動素子８は機能別に１個の発光素子２または赤、青、緑からなる１ユニットの発光素子２に対して複数個使用してもよく、例えば図３０の工程中に発光素子の近傍等に複数個駆動素子を配置してもよい。その場合、駆動素子は硬化膜３中に延在した金属配線４を介して発光素子２と電気的に接続されている。

　その後、図３０ｈに示すように、はんだバンプ１０を介してドライバーＩＣなど駆動素子８を有する発光素子駆動基板７に電気的に接続させ、支持基板２０を剥離し、対向基板５を、接着剤等を用いて貼り合わせることにより、複数の発光素子２を有する表示装置１を得る。なお、金属配線４は電極を包含してもよい。

　これにより、硬化膜により金属配線の電気的絶縁性を確保することが出来、硬化膜中に金属配線を延在させることにより、発光素子の一対の電極端子と駆動素子を電気的に接続させることにより発光動作を制御させることが出来る。

　金属配線４は導電膜３４であってもよい。図５１は金属配線４の代わりに導電膜３４を使用した工程を示している。

　本発明の第２の態様の表示装置の製造方法において、前記工程（Ｄ３）の後、前記工程（Ｄ４）の前に、前記樹脂膜の全領域に対して露光する工程（Ｄ６）を有してもよい。
現像後に露光することにより、加熱処理後の有機酸の残存を少なくすることができ、絶縁破壊電圧を向上することができる。特に（Ｂ）成分として光酸発生剤を使用した場合、特に好ましい。

　本発明の第２の態様の表示装置の製造方法において、前記工程（Ｄ１）の後、複数の前記発光素子の間に、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を設ける工程（Ｄ７）を有することが好ましい。

　工程（Ｄ７）の一例を図３１に示す。図３１ａは支持基板上に発光素子２の厚み以上の厚みを有する隔壁１６を設ける工程（Ｄ７）であり、次の図３１ｂは、発光素子２の厚み以上の厚みを有する隔壁の間に複数の発光素子２を設ける工程（Ｄ１）を示す。図３１ｃは隔壁１６を設けた状態のまま、図３０ｂに示す工程（Ｄ２）と同様で樹脂膜２１を配する工程である。以下の工程は図３０に示した通りに進められる。隔壁としては（Ａ）樹脂を用いてもよく、またエポキシ樹脂、（メタ）アクリルポリマ、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサンなど公知のものを用いてもよい。また遮光部や反射部を設けてもよい。

　本発明の第２の態様の表示装置の製造方法において、前記工程（Ｄ４）の後、前記硬化膜上の一部に反射膜を設ける工程（Ｄ８）を有することが好ましい。

　工程（Ｄ８）の一例を図３２に示す。図３２ｄは硬化膜３上の一部の領域に反射膜１５を設ける工程（Ｄ８）を示す。

　図３２ｄまでの工程は図３０ｃの工程（Ｄ４）までの工程と同じであり、次の図３２ｅの工程は図３０ｄと同じ金属配線４を形成する工程（Ｄ５）を示す。以降の工程は反射膜１５を設けた状態のまま、図３０に示した工程の順に進められる。反射膜はアルミニウムや銀、銅、チタンやそれらを含む合金などを用いて例えばスパッタリングなどの方法で形成される。また後に形成する金属配線と重ならないように、予めフォトレジストなどで該当部分を保護する、もしくは所定のマスクを用いてスパッタリングを行うことが好ましい。

　本発明の第２の態様の表示装置の製造方法において、前記工程（Ｄ５）の後、さらに、駆動素子及び基板を有し、前記駆動素子は金属配線を通じて発光素子に接続され、さらに前記金属配線の少なくとも一部は、前記基板の側面に延在する工程（Ｄ９）を有することが好ましい。

　工程（Ｄ９）の一例を図３０に示す。図３０ｈは駆動素子及び基板を有し、駆動素子は金属配線を通じて発光素子に接続される工程（Ｄ９）を示す。図３０ｈのように金属配線４や４ｃを通じて駆動素子８が発光素子２に接続されており、また金属配線４ｃの一部は発光素子駆動基板７の側面に延在している。なお、発光素子駆動基板７に貫通電極がある場合、その貫通電極を通じて駆動素子８と接続してもよい。

　金属配線４ｃは、例えば金や銀、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、タングステン、アルミニウム、スズ、クロム、またはこれらを含む合金などで構成することができる。基板または発光素子駆動基板７に既に配線がある場合は、その配線を使用してもよい。

　本発明の第２の態様の表示装置の製造方法において、該金属配線は導電膜であってもよい（Ｄ１０）。

　工程（Ｄ１０）の一例を図４３に示す。図４３ｈは金属配線４や導電膜３４を通じて駆動素子が発光素子２に接続されており、また導電膜３４の一部は発光素子駆動基板７の側面に延在している。

　本発明の第２の態様の表示装置の製造方法は、さらに、複数の前記発光素子の間に、遮光層を有する工程（Ｄ１１）を有することが好ましい。

　工程（Ｄ１１）の一例を図４４に示す。図４４ａは複数の発光素子２の間に遮光層３５を設ける工程（Ｄ１１）を示す。また、遮光層３５は発光素子２を形成する前に形成してもよく、発光素子２を形成した後形成してもよい。

　また、本発明の第２の態様の表示装置の製造方法は、少なくとも金属配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置の製造方法であって、支持基板上に金属パッドを配置する工程（Ｅ１）、前記支持基板上および前記金属パッド上に、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程（Ｅ２）、前記樹脂膜に対して露光、現像することにより、前記樹脂膜に複数の貫通した開口パターン形成する工程（Ｅ３）、前記樹脂膜を硬化させ、絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である前記硬化膜を形成する工程（Ｅ４）、前記硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンに前記金属配線を形成する工程（Ｅ５）、および、前記金属配線と電気的接続を保持するようにして前記硬化膜上に前記発光素子を配する工程（Ｅ６）、を有する。

　図３３に本発明の表示装置１の別の実施態様の作製工程断面図を示す。図３０の工程と重複するところ、具体的には図３３ｂ～ｅは図３０ｂ～ｆと重複しているため、説明を省略している。

　工程（Ｅ１）は、図３３ａに示すように、支持基板２０上に金属パッド１８を配置する工程である。

　金属パッドとしては銅やアルニウムなどが挙げられる。

　次に、工程（Ｅ２）は、図３３ｂに示すように、支持基板２０上および金属パッド１８上に、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または樹脂シートを塗布またはラミネートして樹脂膜２１を形成する工程である。

　なお、支持基板上および金属パッド上とは、支持基板の表面や金属パッドの表面のみならず、支持基板や金属パッドの上側にあればよく、硬化膜や金属配線、反射膜、隔壁上に（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして樹脂膜を形成してもよい。

　次に、工程（Ｅ３）は、図３３ｃに示すように、フォトリソ工程を用いて、樹脂膜２１に複数の貫通した開口パターン１２を形成する工程である。

　次に、工程（Ｅ４）は、図３３ｃに示すように、樹脂膜２１を硬化させることにより絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である硬化膜３を形成する工程である。

　続いて、図３３ｃにおいて、硬化膜３と金属配線４との密着性を向上させるため、硬化膜３上にチタンなどのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅シード（シード層）をスパッタリング法で形成する。

　次に、工程（Ｅ５）は、図３３ｄに示すように、フォトレジスト層（図示せず）を形成した後、銅などからなる金属配線４をめっき法等により硬化膜３の開口パターン１２および硬化膜３の一部の表面上に形成する工程である。その後、不要なフォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去する。

　本発明の第２の態様の表示装置の製造方法において、前記工程（Ｅ２）、前記工程（Ｅ３）、前記工程（Ｅ４）および前記工程（Ｅ５）を複数回繰り返し行い、硬化膜中に前記金属配線を有する前記硬化膜を複数層形成する工程を有することが好ましい。

　図３３ｂ～ｄに示すように、硬化膜３および金属配線４は再度同様の方法で繰り返し実施することで図３３ｅに示すように２層以上からなる硬化膜３を形成することができる。

　次に、工程（Ｅ６）は、図３３ｆに示すように、金属配線４と電気的接続を保持するようにして硬化膜３上に発光素子２を配する工程である。発光素子２の電極端子６と金属配線４は直接接続してもよく、例えば、はんだボールなどを介してもよい。

　図３３ｇに示すように、硬化膜３および発光素子２上に硬化膜２９を形成する工程（Ｅ７）を有することが好ましい。硬化膜２９としては、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を塗布、または（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物から構成される樹脂シートをラミネートして樹脂組成物からなる樹脂膜を形成し、硬化して硬化膜２９を形成することが好ましい。また（Ａ）樹脂および（Ｂ）感光剤を含む樹脂組成物以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂など公知のものを使用してもよい。

　これは、硬化膜および発光素子上に（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成し、硬化して硬化膜を形成することで、発光素子の保護や平坦化を目的としている。

　その後、図３３ｈに示すように、硬化膜２９に対して、接着剤等を用いて対向基板５を貼り合わせる。また、支持基板２０を剥離し、バリアメタル９とバンプ１０を形成し、はんだバンプ１０を介してドライバーＩＣなど駆動素子８を付加した発光素子駆動基板７に電気的に接続される。

　駆動素子８は硬化膜３中に延在した金属配線４を介して発光素子２と電気的に接続することにより、複数の発光素子２を有する表示装置１を得る。なお、金属配線４は電極を包含してもよい。

　これにより、硬化膜により金属配線の電気的絶縁性を確保することが出来、硬化膜中に金属配線を延在させることにより、発光素子の一対の電極端子と駆動素子を電気的に接続させることにより発光動作を制御させることが出来る。また、硬化膜が高い光透過率を有することで、発光素子から発光した光の吸収を抑制することができ、光取り出し性を高めることが出来る。

　金属配線４は導電膜３４であってもよい。図５２は金属配線４の代わりに導電膜３４を使用した工程を示している。

　本発明の第２の態様の表示装置の製造方法は、前記工程（Ｅ３）の後、前記工程（Ｅ４）の前に、前記樹脂層の全領域に対して露光する工程（Ｅ８）を有することが好ましい。

　現像後に樹脂層を露光することにより、加熱処理後の有機酸の残存量を低減し、絶縁破壊電圧を向上できるので、（Ｂ）成分を含む樹脂組成物を硬化させる前に露光処理を行うことが好ましい。（Ｂ）成分として光酸発生剤を使用した場合は、現像後に樹脂層を露光することが特に好ましい。

　本発明の第２の態様の表示装置の製造方法においては、前記工程（Ｅ５）の後、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を設ける工程（Ｅ９）を有することが好ましい。

　工程（Ｅ９）の一例を図３４に示す。図３４ｆは、図３３ｅに示す硬化膜３を複数層形成した後に、隔壁１６を設ける工程（Ｅ９）を示す。その後、図３４ｇに示すように隔壁１６の間に発光素子２を設け、次に、図３４ｈに示すように隔壁１６と発光素子２の上部に対向基板５を貼り合わせるとともに、支持基板２０を剥離し、バリアメタル９とバンプ１０を形成し、はんだバンプ１０を介してドライバーＩＣなど駆動素子８を有する発光素子駆動基板７に電気的に接続される。

　本発明の第２の態様の表示装置の製造方法は、前記工程（Ｅ６）の前で、前記工程（Ｅ５）の後に、前記硬化膜上の一部に反射膜を設ける工程（Ｅ１０）を有することが好ましい。

　工程（Ｅ１０）の一例を図３５に示す。図３５ｆは、図３３ｅに示す硬化膜３を複数層形成した後に、反射膜１５を設ける工程（Ｅ１０）を示す。以降の工程は反射膜１５を設けた状態のまま、図３３ｆ、図３３ｇおよび図３３ｈに示した工程の順に進められる。

　本発明の第２の態様の表示装置の製造方法は、前記工程（Ｅ７）の後、さらに、駆動素子及び基板を有し、前記駆動素子は金属配線を通じて発光素子に接続され、さらに前記金属配線の少なくとも一部は、前記基板の側面に延在する工程（Ｅ１１）を有することが好ましい。

　工程（Ｅ１１）の一例を図３３に示す。図３３ｈは駆動素子及び基板を有し、駆動素子は金属配線を通じて発光素子に接続される工程（Ｅ１１）を示す。図３３ｈのように金属配線４や４ｃを通じて駆動素子が発光素子２に接続されており、また金属配線４ｃの一部は発光素子駆動基板７の側面に延在している。なお、発光素子駆動基板７に貫通電極がある場合、その貫通電極を通じて駆動素子８と接続してもよい。

　本発明の第２の態様の表示装置の製造方法において、該金属配線は導電膜であってもよい（Ｅ１２）。

　工程（Ｅ１２）の一例を図４５に示す。図４５ｈは金属配線４や導電膜３４を通じて駆動素子が発光素子２に接続されており、また導電膜３４の一部は発光素子駆動基板７の側面に延在している。

　また、本発明の第２の態様の表示装置の製造方法は、少なくとも配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置の製造方法であって、基板などの上に（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程（Ｆ１）、前記樹脂膜に対して露光、現像することにより、前記樹脂膜に複数の貫通した開口パターン形成する工程（Ｆ２）、前記樹脂膜を硬化させ、絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である前記硬化膜を形成する工程（Ｆ３）、前記硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンの一部に前記配線を形成する工程（Ｆ４）、前記配線と電気的接続を保持するようにして前記硬化膜上に前記発光素子を配する工程（Ｆ５）、を有してもよい。

　図４６に本発明の表示装置の別の実施態様の作製工程断面図を示す。

　工程（Ｆ１）は、図４６ａに示すように、基板などの上に（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程である。（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物または（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして樹脂膜を形成してもよい。

　金属配線４としては、例えば、金や銀、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、モリブデンやこれらを含む合金などが挙げられる。絶縁膜２４としては、特に限定しないが、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、有機物からなる絶縁膜などが挙げられる。

　次に、工程（Ｆ２）は、図４６ａに示すように、フォトリソ工程を用いて、樹脂膜に複数の貫通した開口パターンを形成する工程である。

　次に、工程（Ｆ３）は、図４６ａに示すように、樹脂膜を硬化させることにより絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である硬化膜３を形成する工程である。

　次に、工程（Ｆ４）は、図４６ｂに示すように、硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンの一部に配線を形成する工程である。フォトレジスト層（図示せず）を形成した後、例えば、配線３２をスパッタリング法等により硬化膜３の一部の表面上に形成する工程である。その後、不要なフォトレジストを除去する。

　配線としては、金属配線やインジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、チタン、およびニオブなどのうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む化合物や有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストなどが挙げられるが、その他公知のものを使用してもよい。

　本発明の表示装置の製造方法は、前記工程（Ｆ１）、前記工程（Ｆ２）、前記工程（Ｆ３）および前記工程（Ｆ４）を複数回繰り返し行い、硬化膜中に前記配線を有する前記硬化膜を複数層形成する工程を有することが好ましい。

　次に、工程（Ｆ５）は、図４６ｄに示すように、配線３２と電気的接続を保持するようにして硬化膜３上に発光素子２を配する工程である。発光素子２の電極端子６と配線３２は直接接続してもよく、例えば、はんだボールなどを介してもよい。

　発光素子２を配する前、もしくは後に隔壁１６を形成してもよい。

　これにより、硬化膜により配線の電気的絶縁性を確保することが出来、硬化膜中に配線を延在させることにより、発光素子の一対の電極端子と駆動素子を電気的に接続させることにより発光動作を制御させることが出来る。またその硬化膜３の絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下であることにより、金属配線の劣化や電気的リークを抑制し、実使用の加速試験である信頼性試験後も不良率を低くすることができる。

　本発明の第１の態様および第２の態様において、表示装置は各種ＬＥＤディスプレイ等表示装置や車載用の各種ランプ等に好適に用いられる。

　以下、実施例等をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
なお、実施例中の表示装置や表示装置に用いた樹脂組成物からなる硬化膜の評価は以下の方法により行った。

　＜本発明の第１の態様の表示装置における硬化膜の段差平坦化率Ｐ（％）の評価方法＞
　下記表２－１、表２－２、表２－３の実施例、比較例に記載の表示装置を用いて硬化膜の段差平坦性を評価した。日本電子（株）製断面試料作製装置ＩＢ－０９０１０ＣＰを用いて、表示装置を加工し、断面試料を作製した。その後、断面試料を（株）日立ハイテク製走査型電子顕微鏡Ｓ－４８００を用いて、前述の部位（Ｇ）での隣り合う二つの金属配線（Ｋ２）の線間間隔Ｈ１、金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２、硬化膜（Ｆ１）の厚みＨ３、部位（Ｇ）で生じた硬化膜（Ｆ１）の段差の深さＨ４を測定し、段差平坦化率Ｐ（％）を求めた。

　＜本発明の第２の態様における硬化膜の絶縁破壊電圧の評価方法＞
　樹脂組成物からなるワニスを８インチのシリコンウエハ上に、１２０℃で３分間のプリベーク後の膜厚が５μｍとなるように塗布現像装置ＡＣＴ－８を用いてスピンコート法で塗布およびプリベークした後、イナートオーブンＣＬＨ－２１ＣＤ－Ｓ（光洋サーモシステム（株）製）を用いて、酸素濃度２０ｐｐｍ以下で３．５℃／分で昇温し、表４－１、表４－２の硬化温度で１時間加熱処理を行なった。温度が５０℃以下になったところでウエハを取り出し、徐冷した後、４５質量％のフッ化水素酸に５分間浸漬することで、ウエハから樹脂組成物の膜を剥がした。この膜をＴＯＳ９２０１（菊水電子工業株式会社）を用いて、耐電圧の測定を行なった。測定は１検体につき１０回測定し、得られた耐電圧の平均の値を硬化膜の膜厚（単位ｍｍ）で割った値を絶縁破壊電圧（単位ｋＶ／ｍｍ）とした。なお、プリベークおよび硬化膜の膜厚は、大日本スクリーン製造（株）製光干渉式膜厚測定装置ラムダエースＳＴＭ－６０２を使用し、屈折率を１．６２９として測定し、硬化膜の膜厚は屈折率１．６２９で測定した。

　＜本発明の第２の態様における信頼性試験後の不良率の評価方法＞
　下記表４－１、表４－２の実施例、比較例に記載の３個の発光素子を有する表示装置について、各１０個用意し、これらの表示装置を、信頼性試験として、ＨＡＳＴ装置（タバイエスペエック（株）製ＨＡＳＴ　ＣＨＡＭＢＥＲ　ＥＨＳ－２１１ＭＤ）を用いて、温度８５℃、湿度８５％、２０００時間で、電圧５Ｖ印加を行なった後、目視での点灯検査を行った。１０個の表示装置について、点灯しなかった発光素子の個数の比率を不良率として評価した。

　＜本発明の第１の態様および第２の態様における樹脂組成物からなる硬化膜の開口パターン形状評価＞
　ワニスを作製して８インチのシリコンウエハ上に、加熱処理後の膜厚が５μｍとなるよう、塗布現像装置ＡＣＴ－８（東京エレクトロン（株）製）を用いてスピンコート法で塗布およびプリベークを行い、プリベーク膜を作製した。プリベークは１２０℃で３分間行った。その後、ｉ線ステッパー（（株）ニコン製、ＮＳＲ－２２０５ｉ１４）を用いてそれぞれ５０～１０００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量にて露光した。露光に用いた円形パターンのサイズは５～３０μｍである。露光後、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液（多摩化学工業製）を用いて、現像前後の未露光部の膜厚変化が１．０～１．５μｍとなるような条件で現像し、次いで純水でリンスし、振り切り乾燥をし、パターン形成膜を得た。もしくはシクロペンタノンを用いて現像し、振り切り乾燥をし、パターン形成膜を得た。非感光性材料の場合は、露光前にフォトレジストを形成した後、露光、現像を行い、現像後にフォトレジストを除去した。なお、プリベーク後および現像後の膜厚は、大日本スクリーン製造（株）製光干渉式膜厚測定装置ラムダエースＳＴＭ－６０２を使用し、屈折率を１．６２９として測定した。

　現像後、イナートオーブンＣＬＨ－２１ＣＤ－Ｓ（光洋サーモシステム（株）製）を用いて、窒素気流下において酸素濃度２０ｐｐｍ以下で５０℃から３．５℃／分で、１００℃まで昇温し、続けて１００℃で３０分加熱処理を行った。その後３．５℃／分で、２３０℃まで昇温し、続けて、１時間加熱処理を行ない、パターン形成膜を硬化させて硬化膜を得た。

　温度が５０℃以下になったところでウエハを取り出した後、ウエハを割断し、５～３０μｍの円形パターン断面形状を走査型電子顕微鏡Ｓ－４８００（日立ハイテク製）を用いて観察、測定した。なお、硬化膜の厚み方向において１／２とした位置での開口パターンと底部の開口パターンを直線で結んだものを傾斜辺として傾斜辺の角度を求めた。

　
　＜合成例１　ヒドロキシル基含有ジアミン化合物の合成＞
　２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（セントラル硝子（株）製、以下、ＢＡＨＦとする）１８．３ｇ（０．０５モル）をアセトン１００ｍＬおよびプロピレンオキシド（東京化成（株）製）１７．４ｇ（０．３モル）に溶解させ、－１５℃に冷却した。ここに３－ニトロベンゾイルクロリド（東京化成（株）製）２０．４ｇ（０．１１モル）をアセトン１００ｍＬに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、－１５℃で４時間撹拌し、その後室温に戻した。析出した白色固体をろ別し、５０℃で真空乾燥した。

　得られた白色固体３０ｇを３００ｍＬのステンレスオートクレーブに入れ、メチルセルソルブ２５０ｍＬに分散させ、５％パラジウム－炭素（和光純薬（株）製）を２ｇ加えた。ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行った。約２時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して反応を終了させた。反応終了後、濾過して触媒であるパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、下記式で表されるヒドロキシル基含有ジアミン化合物を得た。

　＜合成例２　ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ａ－１）の合成＞
　乾燥窒素気流下、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（以下、４，４’－ＤＡＥとする）１．５ｇ（０．００７５モル）、ＢＡＨＦ１２．８ｇ（０．０３５モル）、ＲＴ－１０００（ＨＵＮＴＳＭＡＮ（株）製）５．０ｇ（０．００５０モル）をＮＭＰ１００ｇに溶解させた。ここに、ドデカン酸ジイミダゾール（７．４ｇ、０．０２３モル）、１，１’－（４，４’－オキシベンゾイル）ジイミダゾール（以下、ＰＢＯＭとする）（８．１ｇ、０．０２３モル）をＮＭＰ２５ｇとともに加えて、８５℃で３時間反応させた。次に、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（以下、ＳｉＤＡとする）０．６ｇ（０．００２５モル）、４，４’－オキシジフタル酸無水物（以下、ＯＤＰＡとする）０．８ｇ（０．００２５モル）、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物（以下、ＮＡとする）０．８ｇ（０．００５０モル）をＮＭＰ２５ｇとともに加えて、８５℃で１時間反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、酢酸１３．２ｇ（０．２５モル）をＮＭＰ２５ｇとともに加えて、室温で１時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水１．５Ｌに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で３回洗浄した後、５０℃の通風乾燥機で３日間乾燥し、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ａ－１）の粉末を得た。

　＜合成例３　ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ａ－２）の合成＞
　乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ２７．５ｇ、（０．０７５モル）をＮＭＰ２５７ｇに溶解させた。ここに、ＰＢＯＭ１７．２ｇ（０．０４８モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、８５℃で３時間反応させた。続いて、ＲＴ－１０００（ＨＵＮＴＳＭＡＮ（株）製）２０．０ｇ（０．０２モル）、ＳｉＤＡ１．２ｇ（０．００５モル）、ＰＢＯＭ１４．３ｇ（０．０４モル）をＮＭＰ５０ｇとともに加えて、８５℃で１時間反応させた。さらに、末端封止剤として、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物３．９ｇ（０．０２４モル）をＮＭＰ１０ｇとともに加えて、８５℃で３０分反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、酢酸５２．８ｇ（０．５０モル）をＮＭＰ８７ｇとともに加えて、室温で１時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で３回洗浄した後、５０℃の通風乾燥機で３日間乾燥し、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ａ－２）の粉末を得た。

　＜合成例４　ポリイミド前駆体（Ａ－３）の合成＞
　乾燥窒素気流下、合成例１で得られたヒドロキシル基含有ジアミン５１．９ｇ（０．０８６モル）およびＳｉＤＡ１．０ｇ（０．００４モル）をＮＭＰ２００ｇに溶解した。ここにＯＤＰＡ３１．０ｇ（０．１０モル）を加え、４０℃で２時間撹拌した。そして末端封止剤として３－アミノフェノール（東京化成工業（株）製）１．１ｇ（０．０１モル）をＮＭＰ１０ｇとともに加えて、４０℃で１時間反応させた。その後、ジメチルホルアミドジメチルアセタール（三菱レーヨン（株）製、以下、ＤＦＡとする）７．１ｇ（０．０６モル）をＮＭＰ５ｇで希釈した溶液を滴下した。滴下後、４０℃で２時間撹拌を続けた。撹拌終了後、溶液を水２Ｌに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。さらに水２Ｌで３回洗浄を行い、集めたポリマー固体を５０℃の真空乾燥機で７２時間乾燥し、ポリイミド前駆体（Ａ－３）を得た。

　＜合成例５　ポリイミド前駆体（Ａ－４）の合成＞
　乾燥窒素気流下、合成例１で得られたヒドロキシル基含有ジアミン４１．１ｇ（０．０６８モル）、プロピレンオキシドおよびテトラメチレンエーテルグリコール構造を含むジアミン（ＲＴ－１０００、ＨＵＮＴＳＭＡＮ（株）製））１８．０ｇ（０．０１８モル）およびＳｉＤＡ１．０ｇ（０．００４モル）をＮＭＰ２００ｇに溶解した。ここにＯＤＰＡ３１．０ｇ（０．１０モル）を加え、４０℃で２時間撹拌した。そして末端封止剤として３－アミノフェノール１．１ｇ（０．０１モル）をＮＭＰ１０ｇとともに加えて、４０℃で１時間反応させた。その後、ＤＦＡ（三菱レーヨン（株）製）６．０ｇ（０．０５モル）をＮＭＰ５ｇで希釈した溶液を滴下した。滴下後、４０℃で２時間撹拌を続けた。撹拌終了後、溶液を水２Ｌに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。さらに水２Ｌで３回洗浄を行い、集めたポリマー固体を５０℃の真空乾燥機で７２時間乾燥し、ポリイミド前駆体（Ａ－４）を得た。

　＜合成例６　ポリイミド（Ａ－５）の合成＞
　乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ２９．３ｇ（０．０８モル）、ＳｉＤＡ１．２ｇ（０．００５モル）、末端封止剤として、３－アミノフェノール３．３ｇ（０．０３モル）をＮＭＰ８０ｇに溶解させた。ここにＯＤＰＡ３１．２ｇ（０．１モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、６０℃で１時間反応させ、次いで１８０℃で４時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥し、ポリイミド（Ａ－５）の粉末を得た。

　＜合成例７　カルド樹脂（Ａ－６）の合成＞
　乾燥窒素気流下、還流冷却器付き四つ口フラスコ中にビスフェノールフルオレン型エポキシ樹脂とアクリル酸との等当量反応物（新日鐵化学社製、製品名「ＡＳＦ－４００」溶液）の５０％ＰＧＭＥＡ溶液１９８．５３ｇと、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３９．５４ｇ（０．１２モル）、コハク酸無水物８．１３ｇ（０．０８モル）、ＰＧＭＥＡ４８．１２ｇ及びトリフェニルホスフィン０．４５ｇを仕込み、１２０～１２５℃に加熱下に１時間撹拌し、更に７５～８０℃で６時間の加熱撹拌を行い、その後、グリシジルメタクリレート８．６ｇを投入し、更に８０℃で８時間攪拌し、環状構造を構成している４級炭素原子に二つの環状構造が結合した骨格構造を有する樹脂（Ａ－６）を得た。

　＜合成例８　ポリイミド前駆体（Ａ－７）の合成＞
　ＯＤＰＡ１５５．１ｇ（０．５０モル）を２リットル容量のセパラブルフラスコに入れ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１３４．０ｇ（１．００モル）及びγ―ブチロラクトン４００ｇを加えた。室温下で攪拌しながら、ピリジン７９．１ｇを加えることにより、反応混合物を得た。反応による発熱の終了後、室温まで放冷し、更に１６時間静置した。

　次に、氷冷下において、反応混合物に、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２０６．３ｇ（１．００モル）をγ－ブチロラクトン１８０ｇに溶解した溶液を、攪拌しながら４０分かけて加えた。続いて、４，４’－ＤＡＥ９０．２ｇ（０．４５モル）をγ－ブチロラクトン３５０ｇに懸濁した懸濁液を、攪拌しながら６０分かけて加えた。更に室温で２時間攪拌した後、エチルアルコール３０ｍｌを加えて１時間攪拌した。その後、γ－ブチロラクトン４００ｇを加えた。反応混合物に生じた沈殿物を、ろ過により取り除き、反応液を得た。

　反応液を水３Ｌに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で２回洗浄した後、イソプロパノールで１回洗浄した後に５０℃の真空乾燥機で７２時間乾燥し、ポリイミド前駆体（Ａ－７）を得た。

　＜合成例９　ポリイミド前駆体（Ａ－８）の合成＞
　ＯＤＰＡ１５５．１ｇ（０．５０モル）を２リットル容量のセパラブルフラスコに入れ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１３４．０ｇ（１．００モル）及びγ―ブチロラクトン４００ｇを加えた。室温下で攪拌しながら、ピリジン７９．１ｇを加えることにより、反応混合物を得た。反応による発熱の終了後、室温まで放冷し、更に１６時間静置した。

　次に、氷冷下において、反応混合物に、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２０６．３ｇ（１．００モル）をγ－ブチロラクトン１８０ｇに溶解した溶液を、攪拌しながら４０分かけて加えた。続いて、１，４－パラフェニレンジアミン１６．２ｇ（０．１５モル）および４，４’－ＤＡＥ６０．１ｇ（０．３０モル）をγ－ブチロラクトン３５０ｇに懸濁した懸濁液を、攪拌しながら６０分かけて加えた。更に室温で２時間攪拌した後、エチルアルコール３０ｍｌを加えて１時間攪拌した。その後、γ－ブチロラクトン４００ｇを加えた。反応混合物に生じた沈殿物を、ろ過により取り除き、反応液を得た。

　反応液を水３Ｌに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で２回洗浄した後、イソプロパノールで１回洗浄した後に５０℃の真空乾燥機で７２時間乾燥し、ポリイミド前駆体（Ａ－８）を得た。

　＜合成例１０　感光剤（キノンジアジド化合物）の合成（Ｂ－１）＞
　乾燥窒素気流下、４，４’－［１－［４－［１－（４－ヒドロキシフェニル－１）－１－メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（本州化学工業（株）製、以下ＴｒｉｓＰ－ＰＡとする）２１．２ｇ（０．０５モル）と５－ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリド（東洋合成（株）製、ＮＡＣ－５）２６．８ｇ（０．１０モル）をγ－ブチロラクトン４５０ｇに室温において溶解させた。ここに、γ－ブチロラクトン５０ｇと混合したトリエチルアミン１２．７ｇを、系内が３５℃以上にならないように滴下した。滴下後４０℃で２時間撹拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、濾液を水に投入した。その後、析出した沈殿を濾過で集め、さらに１％塩酸水１Ｌで洗浄した。その後、さらに水２Ｌで２回洗浄した。この沈殿を真空乾燥機で乾燥し、下記式で表されるキノンジアジド化合物（Ｂ－１）を得た。

　＜合成例１１　感光剤（キノンジアジド化合物）の合成（Ｂ－２）＞
　乾燥窒素気流下、ＴｒｉｓＰ－ＰＡ（本州化学工業（株）製）２１．２ｇ（０．０５モル）と４－ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリド（東洋合成（株）製、ＮＡＣ－５）２６．８ｇ（０．１０モル）をγ－ブチロラクトン４５０ｇに室温において溶解させた。ここに、γ－ブチロラクトン５０ｇと混合したトリエチルアミン１２．７ｇを、系内が３５℃以上にならないように滴下した。滴下後４０℃で２時間撹拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、濾液を水に投入した。その後、析出した沈殿を濾過で集め、さらに１％塩酸水１Ｌで洗浄した。その後、さらに水２Ｌで２回洗浄した。この沈殿を真空乾燥機で乾燥し、下記式で表されるキノンジアジド化合物（Ｂ－２）を得た。

　＜合成例１２　ポリスチレン樹脂（Ａ－１０）の合成＞
　テトラヒドロフラン５００ｍｌ、開始剤としてｓｅｃ－ブチルリチウム０．０１モルを加えた混合溶液に、スチレン２０ｇを添加し、３時間撹拌しながら重合させた。重合停止反応は反応溶液にメタノール０．１モルを添加して行った。次にポリマーを精製するために反応混合物をメタノール中に注ぎ、沈降した重合体を乾燥させたところ白色重合体が得られた。更に、アセトン４００ｍｌに溶解し、６０℃で少量の濃塩酸を加えて７時間撹拌後、水に注ぎ、ポリマーを沈澱させ、洗浄乾燥したところ、精製されたポリスチレン樹脂（Ａ－１０）を得た。

　＜合成例１３　ポリイミド前駆体（Ａ－１１）の合成＞
　乾燥窒素気流下、１，４－パラフェニレンジアミン３．２ｇ（０．０３モル）および４，４’－ＤＡＥ１２．０ｇ（０．０６モル）をＮＭＰ２００ｇに溶解した。ここにＯＤＰＡ３１．０ｇ（０．１０モル）を加え、４０℃で２時間撹拌した。そして末端封止剤として３－アミノフェノール（東京化成工業（株）製）１．１ｇ（０．０１モル）をＮＭＰ１０ｇとともに加えて、４０℃で１時間反応させた。その後、ＤＦＡ（三菱レーヨン（株）製）７．１ｇ（０．０６モル）をＮＭＰ５ｇで希釈した溶液を滴下した。滴下後、４０℃で２時間撹拌を続けた。撹拌終了後、溶液を水２Ｌに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。さらに水２Ｌで３回洗浄を行い、集めたポリマー固体を５０℃の真空乾燥機で７２時間乾燥し、ポリイミド前駆体（Ａ－１１）を得た。

　＜合成例１４　アクリル樹脂（Ａ－１２）の合成＞
　窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのジメチルアミノメタノール（以下、「ＤＭＥＡ」；東京化成工業（株）製）を仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのエチルアクリレート（以下、「ＥＡ」）、４０ｇのメタクリル酸２－エチルヘキシル（以下、「２－ＥＨＭＡ」）、２０ｇのスチレン（以下、「Ｓｔ」）、１５ｇのアクリル酸（以下、「ＡＡ」）、０．８ｇの２，２’－アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに８０℃、窒素雰囲気下で６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのグリシジルメタクリレート（以下、「ＧＭＡ」）、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに８０℃、窒素雰囲気下で２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製して未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥し、共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２－ＥＨＭＡ／Ｓｔ／ＧＭＡ／ＡＡ＝２０／４０／２０／５／１５のアクリル樹脂（Ａ－１２）を得た。得られた樹脂（Ａ－１２）の酸価は１０３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

　＜合成例１５　アクリル樹脂（Ａ－１３）の合成＞
　特許第３１２０４７６号明細書の実施例１に記載の方法により、メチルメタクリレート／メタクリル酸／スチレン共重合体（重量比３０／４０／３０）を合成した。得られた共重合体１００重量部に対し、グリシジルメタクリレート４０重量部を付加させ、精製水で再沈し、濾過および乾燥することにより、重量平均分子量１５，０００、酸価１１０ｍｇＫＯＨ／ｇの樹脂（Ａ－１３）を得た。

　＜調製例１　感光性導電ペースト１の調製＞
　１００ｍＬクリーンボトルに、樹脂として１０．０ｇのアクリル樹脂（Ａ－１２）、光重合開始剤として０．５０ｇの“ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）”ＯＸＥ－０１（チバジャパン（株）製）、溶剤として５．０ｇのＤＭＥＡ及び不飽和二重結合を有する化合物として２．０ｇの“ライトアクリレート（登録商標）”ＢＰ－４ＥＡ（共栄社化学（株）製）を入れ、自転－公転真空ミキサー「あわとり錬太郎ＡＲＥ－３１０」（（株）シンキー製）を用いて混合して、１７．５ｇの樹脂溶液（固形分７１．４質量％）を得た。

　得られた１７．５０ｇの樹脂溶液と、４４．０２ｇの平均粒子径１．０μｍの銀粒子と、０．２８ｇの平均粒子径０．０５μｍのカーボンブラックを混合し、３本ローラーミル「ＥＸＡＫＴ　Ｍ－５０」（ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、６１．８ｇの感光性導電ペースト１を得た。なお、銀粒子、カーボンブラックの平均粒子径は、電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、倍率１００００倍、視野幅１２μｍで各粒子を観察し、無作為に選択した４０個の銀粒子およびカーボンブラックの一次粒子について、それぞれの最大幅を測定し、それらの数平均値を算出した。

　＜調製例２　着色材分散液（ＤＣ－１）の製造＞
　着色材として、熱プラズマ法により製造したジルコニア化合物粒子Ｚｒ－１（日清エンジニアリング（株）製）を用いた。Ｚｒ－１　２００ｇ、アクリルポリマー（Ｐ－１）のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）３５重量％溶液１１４ｇ、高分子分散剤として３級アミノ基と４級アンモニウム塩を有する“ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ（登録商標）”ＬＰＮ－２１１１６２５ｇおよびＰＧＭＥＡ６６１ｇをタンクに仕込み、ホモミキサーで２０分撹拌し、予備分散液を得た。０．０５ｍｍφジルコニアビーズを７５体積％充填した遠心分離セパレーターを具備した寿工業（株）製分散機ウルトラアペックスミルに、得られた予備分散液を供給し、回転速度８ｍ／ｓで３時間分散を行い、固形分濃度２５質量％、着色材／樹脂（質量比）＝８０／２０の着色材分散液（ＤＣ－１）を得た。

　＜調製例３　感光性着色樹脂組成物１の調製＞
　２８３．１ｇの着色材分散液（ＤＣ－１）に、樹脂（Ａ－１３）のＰＧＭＥＡ３５質量％溶液を１８４．４ｇ、多官能モノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬（株）製）を５０．１ｇ、光重合開始剤として“Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）”９０７（ＢＡＳＦ社製）を７．５ｇおよび“ＫＡＹＡＣＵＲＥ（登録商標）”ＤＥＴＸ－Ｓ（日本化薬（株）製）を３．８ｇ、密着改良剤としてＫＢＭ５１０３（信越化学（株）製）を１２．０ｇ、界面活性剤としてシリコーン系界面活性剤“ＢＹＫ（登録商標）”３３３（ビックケミー社製）のＰＧＭＥＡ１０質量％溶液３ｇを４５６．１ｇのＰＧＭＥＡに溶解した溶液を添加して、全固形分濃度２０質量％、着色材／樹脂（重量比）＝３０／７０の感光性着色樹脂組成物１を得た。

　＜調製例４　着色材分散液（ＤＣ－２）の製造＞
　特表２００８－５１７３３０号公報に記載の方法により、スルホン酸基を表面に修飾したカーボンブラック（ＣＢ－Ｂｋ１）の表面元素組成としては（Ｃ：８８％、Ｏ：７％、Ｎａ：３％、Ｓ：２％）であり、Ｓ元素の状態としては、Ｓ２ｐピーク成分のうちＣ－Ｓ及びＳ－Ｓに帰属される成分が９０％、ＳＯ及びＳＯｘに帰属される成分は１０％であり、ＢＥＴ値は５４ｍ２／ｇであった。

　このカーボンブラックＣＢ－Ｂｋ１を（２００ｇ）、アクリル樹脂（Ａ－１３）のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４０質量％溶液（９４ｇ）、高分子分散剤としてビックケミー・ジャパンＬＰＮ２１１１６、４０質量％溶液（３１ｇ）及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（６７５ｇ）をタンクに仕込み、ホモミキサー（特殊機化製）で１時間撹拌し、予備分散液を得た。その後０．０５ｍｍφジルコニアビーズ（ニッカトー製ＹＴＺボール）を７０％充填した遠心分離セパレーターを具備したウルトラアペックスミル（寿工業製）に予備分散液を供給し、回転速度８ｍ／ｓで２時間分散を行い、固形分濃度２５質量％、顔料／樹脂（質量比）＝８０／２０の着色分散液ＤＣ－２を得た。

　＜調製例５　感光性着色樹脂組成物２の調製＞
　５３４．８ｇの着色材分散液（ＤＣ－２）に、樹脂（Ａ－１３）のＰＧＭＥＡ４０質量％溶液を１２２．１ｇ、多官能モノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬（株）製）を４７．３ｇ、光重合開始剤として“アデカクルーズ”ＮＣＩ－８３１（ＡＤＥＫＡ（株）社製）を１１．８ｇ、密着改良剤としてＫＢＭ５１０３（信越化学（株）製）を１２．０ｇ、界面活性剤としてシリコーン系界面活性剤“ＢＹＫ（登録商標）”３３３（ビックケミー社製）のＰＧＭＥＡ１０質量％溶液４ｇを１９４．０ｇのＰＧＭＥＡに溶解した溶液を添加して、全固形分濃度２５質量％、着色材／樹脂（重量比）＝４５／５５の感光性着色樹脂組成物２を得た。

　実施例、比較例に用いた（Ａ－９）成分、（Ｂ－３）成分、（Ｃ－１）成分、（Ｃ－２）成分、その他成分、溶媒を以下に示す。
（Ａ－９）フェノール樹脂ＭＥＨＣ－７８５１（明和化成（株）製）、
（Ｃ－１）ＨＭＯＭ－ＴＰＨＡＰ（本州化学工業（株）製）
（Ｃ－２）ＹＸ４０００Ｈ（三菱ケミカル（株）製）

（Ｂ－３）成分：光重合開始剤ＮＣＩ－８３１（（株）ＡＤＥＫＡ製）
その他成分：
（Ｆ－１）：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ、共栄社化学（株）製）　
溶媒：
ＧＢＬ：ガンマブチロラクトン
ＥＬ：乳酸エチル
ＰＧＭＥ：プロピレングリコールモノメチルエーテル。

　本発明の第１の態様において、表１に（Ａ）樹脂、（Ｂ）感光剤及び（Ｃ）熱架橋剤などから構成される樹脂組成物の配合処方を示す。表１において、樹脂組成物１－１１、１３－１４は、表１に記載の溶媒を用いて固形分濃度４０質量％となるように調製した。樹脂組成物１２は表１に記載の溶媒を用いて固形分濃度２０質量％となるように調製した。また、表２－１、表２－２、表２－３に実施例で使用した樹脂組成物、部位（Ｇ）における隣り合う二つの金属配線（Ｋ２）の線間間隔Ｈ１（μｍ）および金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２（μｍ）、硬化膜（Ｆ１）の厚みＨ３（μｍ）、部位（Ｇ）で生じた硬化膜（Ｆ１）の段差の深さＨ４（μｍ）、段差平坦化率Ｐ（％）、そして硬化膜の全体の厚み（μｍ）、硬化膜の層数、硬化膜を加工した開口パターンの形状と長さ、開口パターンの傾斜辺の角度を示す。
を示す。

　評価レベル（１）について、表示装置の段差平坦化率Ｐが９０％以上かつ、開口パターンの最長長さが５μｍ以下のものをレベルＡ、表示装置の段差平坦化率Ｐが８０％以上８９％以下かつ、開口パターンの最長長さが５μｍ以下のものをレベルＢ、表示装置の段差平坦化率Ｐが７０％以上７９％以下かつ、開口パターンの最長長さが５μｍ以下のものをレベルＣ、表示装置の段差平坦化率Ｐが７０％以上かつ開口パターンの最長長さが５μｍよりも大きく１０μｍ以下のものをレベルＤ、表示装置の段差平坦化率Ｐが７０％以上かつ、開口パターンの最長長さが１０μｍより大きいものをレベルＥ、表示装置の段差平坦化率Ｐが７０％未満のものをレベルＦ、とした。

　評価レベル（２）について、傾斜辺の角度が５５°以上８０°以下のものをレベルＡ、４０°以上５５°未満または８０°より大きく８５°以下のものをレベルＢ、４０°未満または８５°より大きいものをレベルＣと評価した。

　（実施例１）（図１４の構成）
　図１４の作製工程断面図に従って本発明の表示装置の実施例を説明する。
図１４ａに示すように、支持基板２０はガラス基板を使用した。ガラス基板上にはポリイミドからなる仮貼り材料を配置し、支持基板２０上に発光素子であるＬＥＤ２を配置した。ＬＥＤ２の厚みは７μｍ、１辺の長さが３０μｍ、もう１辺の長さが５０μｍであった。

　次に、図１４ｂに示すように、支持基板２０上および発光素子２上に、表１に記載の樹脂組成物１を加熱処理後１０μｍとなるようにスピン塗布し、樹脂膜２１を形成した。

　次に、図１４ｃに示すように、樹脂膜２１上に所望のパターンを有するマスクを通してｉ線（３６５ｎｍ）を照射した。露光された樹脂膜２１を、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて現像し、樹脂膜２１の厚さ方向に貫通する複数の開口パターン１２をパターン形成した。開口パターンの形状は円形で、開口パターンのうち、最も小さい領域での底面部の最長長さは直径２μｍであった。

　次に、樹脂膜２１を酸素濃度１００ｐｐｍ以下の雰囲気下で１１０℃で３０分加熱処理した後、さらに２３０℃６０分熱処理して、硬化させることにより厚み１０μｍの硬化膜３を形成した。樹脂膜２１はそのまま硬化して硬化膜３となる。

　次に、図１４ｄに示すように、硬化膜３上にチタンのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅のシード層をスパッタリング法で形成した。そのあと、フォトレジスト層を形成した後、めっき法により、ＬＥＤ２と電気的に接続される銅からなる金属配線（Ｋ１）４ａを硬化膜３の開口パターン１２に形成するとともに、硬化膜３の一部の表面上に金属配線（Ｋ２）４ｂを形成し、その後、フォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去した。金属配線（Ｋ２）４ｂの厚みＨ２は５μｍであった。

　その後、図１４ｅ～ｆのように、硬化膜３ａ中に金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂを有する硬化膜３ａを２層形成した。金属配線（Ｋ２）４ｂの厚みＨ２はそれぞれ５μｍ、硬化膜（Ｆ１）３ａの厚みＨ３はそれぞれ１０μｍであった。なお、隣り合う二つの金属配線（Ｋ２）４ｂ間の線間間隔Ｈ１が２０μｍとなる部位（Ｇ）２８をＬＥＤ２に近い硬化膜３の一部の表面上に形成した。その結果、３層の硬化膜３全体の厚みは３０μｍであった。

　その後、図１４ｇにおいて硬化膜３ａの開口パターン１２にバリアメタル９をスパッタリング法で形成し、はんだバンプ１０を形成した。その後、図１４ｈに示すように、２５０℃、１分ではんだをリフローさせ、はんだバンプ１０を介して駆動素子８ｄであるドライバーＩＣを有する発光素子駆動基板７に電気的に接続させ、その後、支持基板２０を剥離し、対向基板５を接着剤等を用いて貼り合わせることにより、複数のＬＥＤ２を有する表示装置１を得た。

　（実施例２～１１）
　実施例１の樹脂組成物１を樹脂組成物２～１１に変更した以外は実施例１と同様の方法で行い、表示装置２～１１を得た。

　（実施例１２）
　実施例１の樹脂組成物１を樹脂組成物１２に変更し、スリット塗布により樹脂膜２１を形成した以外は実施例１と同様の方法で行い、表示装置１２を得た。

　（実施例１３）
　実施例１の樹脂組成物１を樹脂組成物２からなる樹脂シートに変更し、ラミネートにより樹脂膜２１を形成した以外は実施例１と同様の方法で行い、表示装置１３を得た。

　（実施例１４）
　実施例１４は、実施例２において、線間間隔Ｈ１が２μｍとなる部位（Ｇ）を形成し、金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２は１．５μｍ、硬化膜（Ｆ１）３ａの厚みＨ３は３μｍ、３層の硬化膜３全体の厚みは９μｍであった以外は実施例２と同様の方法で行い、表示装置１４を得た。

　（実施例１５）
　実施例１５は、実施例２において線間間隔Ｈ１が５μｍとなる部位（Ｇ）を形成した以外は実施例２と同様の方法で行い、表示装置１５を得た。

　（実施例１６～１７）
　実施例１６～１７は、実施例２において、複数層形成した硬化膜３ａのうち、ＬＥＤ２に近い層の硬化膜（Ｆ１）３ａの厚みＨ３を７μｍ、２０μｍとなるように形成し、３層の硬化膜３全体の厚みが２７μｍ、４０μｍであった以外は実施例２と同様の方法で行い、表示装置１６～１７を得た。

　（実施例１８）
　実施例１８は、実施例４において、線間間隔Ｈ１が２μｍとなる部位（Ｇ）を形成し、金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２は２μｍ、硬化膜（Ｆ１）３ａの厚みＨ３は４μｍ、３層の硬化膜３全体の厚みは１２μｍであった以外は実施例４と同様の方法で行い、表示装置１８を得た。

　（実施例１９）
　実施例１９は、実施例４において、線間間隔Ｈ１が５μｍとなる部位（Ｇ）を形成した以外は実施例４と同様の方法で行い、表示装置１９を得た。

　（実施例２０）
　実施例２０は、実施例４において、複数層形成した硬化膜３ａのうち、ＬＥＤ２に近い層の硬化膜（Ｆ１）３ａの厚みＨ３を７μｍ、となるように形成し、３層の硬化膜３全体の厚みが２７μｍであった以外は実施例４と同様の方法で行い、表示装置２０を得た。

　（実施例２１～２２）
　実施例２１～２２は、実施例４において、金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２が５μｍまたは１０μｍとなる部位を形成し、複数層形成した硬化膜３ａのうち、ＬＥＤ２に近い層の硬化膜（Ｆ１）３ａの厚みＨ３を１５μｍとなるように形成し、３層の硬化膜３全体の厚みが３５μｍであった以外は実施例４と同様の方法で行い、表示装置２１～２２を得た。

　（実施例２３）
　図１５ａに示すように、支持基板２０の上に隔壁１６を形成した。次に図１５ｂに示すように隔壁１６の間にＬＥＤ２を形成した。そして図１５ｃに示すように樹脂膜２１を配した以外は、実施例４と同様な工程で表示装置２３を製造した。なお、ＬＥＤ２の厚みは７μｍであり、隔壁１６の厚みは１０μｍで形成した。隔壁１６は公知の白色顔料を含むアクリル樹脂を用いた。

　（実施例２４）
　図１６ｄに示すように、実施例４と同様な方法で、図１４ｃに示す硬化膜を形成した工程のあとに、後で形成される金属配線（Ｋ２）４ｂを避けるようにして所定の位置にアルミニウムをスパッタ法により０．２μｍの厚さに形成し、反射膜１５を設けた。それ以外は、実施例４と同様な工程で表示装置２４を製造した。

　（実施例２５）
　図１７の作製工程断面図に従って本発明の表示装置の実施例を説明する。
まず、図１７ａに示すように、支持基板２０上に銅からなる金属配線（Ｋ２）４ｂを配置した。金属配線（Ｋ２）４ｂの厚みＨ２は５μｍであった。
次に、図１７ｂに示すように、支持基板２０上および金属配線（Ｋ２）４ｂ上に、表１に記載の樹脂組成物１を加熱処理後１０μｍとなるようにスピン塗布し、樹脂膜２１を形成した。
次に、図１７ｃに示すように、実施例１に示すフォトリソ工程と同条件により、樹脂膜２１に複数の開口パターン１２を形成した。

　次に、樹脂膜２１を実施例１と同条件により硬化させることにより厚み１０μｍの硬化膜３ａを形成した。

　続いて、図１７ｃにおいて、硬化膜３ａ上にチタンなどのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅シード（シード層）をスパッタリング法で形成した。

　次に、図１７ｄに示すように、フォトレジスト層を形成した後、めっき法により、銅からなる金属配線（Ｋ１）４ａを硬化膜３ａの開口パターン１２に形成するとともに、硬化膜３ａの一部の表面上に金属配線（Ｋ２）４ｂを形成し、その後、フォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去した。金属配線（Ｋ２）４ｂの厚みＨ２は５μｍであった。その後、フォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去した。

　その後、図１７ｅに示すように硬化膜３ａ中に金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂを有する硬化膜３ａを３層形成した。金属配線（Ｋ２）４ｂの厚みＨ２はそれぞれ５μｍ、硬化膜（Ｆ１）３ａの厚みＨ３はそれぞれ１０μｍであった。なお、隣り合う二つの金属配線（Ｋ２）４ｂ間の線間間隔Ｈ１が２０μｍとなる部位（Ｇ）２８をＬＥＤ２に近い硬化膜３ａの一部の表面上に形成した。その結果、３層の硬化膜３全体の厚みは３０μｍであった。

　次に、図１７ｆに示すように、金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂと電気的接続を保持するようにして硬化膜３ａ上にＬＥＤ２を配置した。ＬＥＤ２の厚みは７μｍであった。
次に、図１７ｇに示すように、硬化膜３ａおよび発光素子２上に樹脂組成物１からなる樹脂膜２１を形成し、加熱処理により硬化させ、硬化膜２９を形成した。なお、酸素濃度１００ｐｐｍ以下の雰囲気下で、１１０℃で３０分加熱処理した後、さらに２３０℃６０分熱処理して、硬化膜２９を形成した。
次に、図１７ｈに示すように、支持基板２０を剥離し、はんだバンプ１０を介して駆動素子８であるドライバーＩＣを有する発光素子駆動基板７を電気的に接続し、また、ＬＥＤ２に対して対向基板５を、接着剤等を用いて貼り合わせることにより、複数のＬＥＤ２を有する表示装置２５を得た。

　（実施例２６～２７）
　実施例２６の樹脂組成物１を樹脂組成物２、４に変更した以外は実施例２５と同様の方法で行い、表示装置２６～２７を得た。

　（実施例２８）
　実施例２５の樹脂組成物１を樹脂組成物１２に変更し、スリット塗布により樹脂膜２１を形成した以外は実施例２５と同様の方法で行い、表示装置２８を得た。

　（実施例２９）
　図１８ｆに示すように、実施例２６と同様な方法で、図１７ｅに示す硬化膜３ａを複数層形成したあとに、後に配されるＬＥＤ２間およびその周囲に樹脂組成物２を用いて隔壁１６を形成し、その後は、図１８ｇに示すように複数のＬＥＤ２を配置し、図１８ｈに示すように、支持基板２０を剥離し、はんだバンプ１０を介して駆動素子８であるドライバーＩＣを有する発光素子駆動基板７を電気的に接続し、また、ＬＥＤ２に対して対向基板５を、接着剤等を用いて貼り合わせることにより、複数のＬＥＤ２を有する表示装置２９を得た。なお、ＬＥＤ２の厚みは７μｍであり、隔壁の厚みは１０μｍであった。

　（実施例３０）
　図１９ｆに示すように、実施例２７と同様な方法で、硬化膜３ａを形成した工程および金属配線（Ｋ１）４ａ、金属配線（Ｋ２）４ｂを形成した工程のあとに、形成された金属配線（Ｋ２）４ｂを避けるようにして所定の位置にアルミニウムをスパッタ法により０．５μｍの厚さに形成し、反射膜１５を設けた。その後は、実施例２７と同様な工程で表示装置３０を製造した。

　（実施例３１）
　実施例２７のうち、発光素子２上に形成する硬化膜２９としてＮＬＤ－Ｌ－６７２（サンユレック（株）製）を用いて、１５０℃３６０分熱処理して、硬化膜２９を形成した以外は実施例２７と同様の方法で行い、で表示装置３１を製造した。

　（実施例３２）
　実施例４のうち、図１４ｈに示すように発光素子駆動基板７の側面において、レーザー加工により溝を形成し、スパッタリングによってチタン、銅の順に形成した後、めっき法により銅を形成し金属配線２２とした。それ以外は実施例１と同様の方法で行い、表示装置３８を得た。

　（実施例３３）
　実施例２７のうち、図１７ｈに示すように発光素子駆動基板７の側面において、レーザー加工により溝を形成し、スパッタリングによってチタン、銅の順に形成した後、めっき法により銅を形成し金属配線２２とした。それ以外は実施例２７と同様の方法で行い、表示装置３９を得た。

　（実施例３４）
　実施例３２の発光素子駆動基板７の側面において、図４３ｈに示すように導電膜３４を用い、導電膜３４として調製例１の感光性導電ペースト１を用いた。それ以外は実施例３２と同様の方法で行い、表示装置４０を得た。導電膜３４の作製は以下のとおりである。

　＜導電膜３４の作製＞
　厚さ１６μｍのＰＥＴフィルム上に離型剤が塗布された離型ＰＥＴフィルム上に、感光性導電ペースト１を乾燥後の膜厚が６．０μｍになるように塗布し、得られた塗布膜を１００℃の乾燥オーブン内で１０分間乾燥した。その後、超高圧水銀ランプを有する露光機を用いて３５０ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光した後、現像液として０．１質量％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、０．１ＭＰａの圧力で３０秒間スプレー現像して、パターンを得た。その後、得られたパターンを３０分間、１４０℃の乾燥オーブン内でキュアして、配線を配した転写用サンプルを得た。得られたパターンのライン幅は５０μｍであり、ライン長さは９０ｍｍであった。転写用サンプルを配線の一部がＲ面取り部を有するガラス端部に配されるように両面に貼り合わせ、ガラス側面部を１３０℃のホットプレートに３０秒間押し当て、その後ホットロールラミネーターを用いて、１３０℃、１．０ｍ／分の条件で残部を転写した。

　（実施例３５）
　実施例３３の発光素子駆動基板７の側面において、図４５ｈに示すように導電膜３４を用い、導電膜３４として実施例３４記載の感光性導電ペースト１を用いた。それ以外は実施例３３と同様の方法で行い、表示装置４１を得た。

　（実施例３６）
　実施例３２の発光素子駆動基板７としてプリント配線板を用い、プリント配線板中の配線およびバンプを通じて駆動素子８と金属配線４を接続した以外は実施例３２と同様の方法で行い、表示装置４２を得た。

　（実施例３７）
　実施例３３の発光素子駆動基板７としてプリント配線板を用い、プリント配線板中の配線およびバンプを通じて駆動素子８と金属配線４を接続した以外は実施例３３と同様の方法で行い、表示装置４３を得た。

　（実施例３８）
　図４４ａに示すように、支持基板２０の上に着色樹脂組成物１からなる遮光層３５を形成した。次に図４４ａに示すように、遮光層３５の間にＬＥＤ２を形成した。それ以外は、実施例４と同様な工程で表示装置４４を製造した。遮光層３５の作製は以下のとおりである。

　＜遮光層３５の作製＞
　着色樹脂組成物１を、支持基板２０に加熱処理後１μｍとなるように塗布し、塗布膜を１００℃のホットプレート上で２分間加熱乾燥した。この乾燥膜に対して、超高圧水銀ランプを有する露光機を用いて、紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光した。次に、０．０４５重量％水酸化カリウム水溶液のアルカリ現像液を用いて現像し、続いて純水洗浄することにより、パターン膜を得た。得られたパターン膜を熱風オーブン中２３０℃で３０分間ポストベイクして遮光層を得た。

　（実施例３９）
　実施例３８の遮光層３５を着色樹脂組成物２に変更して遮光層３５を形成した以外は、実施例３８と同様な工程で表示装置４５を製造した。

　（実施例４０）
　図１４ｆにおいて、バンプ１０と接する金属配線４ａの厚みを１０μｍ、金属配線４ａの一部の表面上に形成した硬化膜３の厚みを１５μｍとし、硬化膜３全体の厚みを３５μｍとした以外は、実施例４と同様な工程で表示装置４６を得た。

　（実施例４１）
　図１７ｂにおいて、金属パッド１８の厚みを１０μｍ、金属パッドの一部の表面上に形成した硬化膜３の厚みを１５μｍとし、硬化膜３全体の厚みを３５μｍとした以外は、実施例２７と同様な工程で表示装置４７を得た。

　（実施例４２）
　図４６の作製工程断面図に従って本発明の表示装置の実施例を説明する。
図４６ａに示すように、発光素子駆動基板７として、ＴＦＴアレイ基板を用いて、発光素子駆動基板７上に表１に記載の樹脂組成物３を加熱処理後３μｍとなるように塗布し、樹脂膜２１を形成した。なお、金属配線４の厚みは１μｍであった。
次に、実施例４に示すフォトリソ工程と同条件により、樹脂膜２１に複数の開口パターン１２を形成した。

　次に、樹脂膜２１を実施例４と同条件により硬化させることにより厚み３μｍの硬化膜３を形成した。

　次に、図４６ｂに示すように、硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンの一部に前記配線または導電膜を形成する工程である。フォトレジスト層（図示せず）を形成した後、配線２５としてＩＴＯをスパッタリング法により硬化膜３の一部の表面上に形成した。その後、不要なフォトレジストを除去した。ＩＴＯの厚みは０．１μｍであった。

　次に、図４６ｃに示すように、前記工程を繰り返して、表１に記載の樹脂組成物３を硬化させることにより厚み２μｍの硬化膜３を形成した。

　次に、図４６ｄに示すように、硬化膜３または上に隔壁１６を形成した。次に隔壁１６の間にＬＥＤ２を形成した。なお、ＬＥＤ２の厚みは７μｍであり、隔壁１６の厚みは８μｍで形成した。隔壁１６は公知の白色顔料を含むアクリル樹脂を用いた。

　その後、図４６ｅに示すように、接着剤を用いて対向基板５を貼り合わせた。また、導電膜３４として調製例１の感光性導電ペースト１を用いた導電膜２７を形成し、導電膜３４を通じてドライバーＩＣなど駆動素子８は硬化膜３中に延在した金属配線４や配線３２を介して発光素子２と電気的に接続することにより、複数のＬＥＤ２を有する表示装置４８を得た。

　その結果、表示装置１～３１、３８～４８は硬化膜３ａの段差平坦化率が高いため、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が抑制され、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良を抑制することができ、表示装置とした場合の発光不良率を低減させることができた。かつ、従来のフレキシブル基板に比較して、硬化膜の厚みが小さいため、パッケージ低背化や配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化、高速応答性の向上が可能であった。さらに表示装置１～９、１１～３１、３８～４８は微細加工が可能なため、微小な発光素子が適用可能であり、また発光素子の高密度実装が可能であった。また、隔壁１６としても樹脂組成物からなる硬化膜が適用可能であり、隔壁を形成することで、対向基板の貼り合わせが容易になった。さらに、表示装置１～３１、３８～４１、４４～４８は金属配線または導電膜の少なくとも一部は、基板の側面に延在しているため、表示装置自体の低背化や高速応答性が向上し、さらに表示装置をより小型化、狭額縁化することが可能であった。また、表示装置４４、４５は複数の発光素子の間に遮光層を形成することで、光取り出し効率を大きく損なうことなく、発光素子からの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させることが可能であった。表示装置４６、４７はＬＥＤ２に近い金属配線の厚みに比べ、バンプ１０に近い金属配線の厚みが厚いことにより、バンプ１０を用いた発光素子駆動基板７の接続時に配線不良を抑制でき、信頼性の高い表示装置を得ることが可能であった。

　（比較例１～２）
　実施例１の樹脂組成物１を樹脂組成物１３～１４に変更し、シクロペンタノンで現像を行った以外は実施例１と同様の方法で行い、表示装置３２～３３を得た。

　（比較例３）
　比較例３は、比較例１において、隣り合う二つの金属配線（Ｋ２）の線間間隔Ｈ１が２μｍとなる部位（Ｇ）を形成し、金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２は２μｍ、硬化膜（Ｆ１）３ａの厚みＨ３は４μｍ、３層の硬化膜３全体の厚みは１２μｍであった以外は比較例１と同様の方法で行い、表示装置３４を得た。

　（比較例４）
　比較例４は、比較例１において、隣り合う二つの金属配線（Ｋ２）の線間間隔Ｈ１が５μｍとなる部位（Ｇ）を形成した以外は比較例１と同様の方法で行い、表示装置３５を得た。

　（比較例５～６）
　比較例５～６は、比較例１において、複数層形成した硬化膜３ａのうち、ＬＥＤ２に近い層の硬化膜（Ｆ１）３ａの厚みＨ３を７μｍ、２０μｍとなるように形成し、３層の硬化膜３全体の厚みが２７μｍ、４０μｍであった以外は比較例１と同様の方法で行い、表示装置３６～３７を得た。
その結果、表示装置３２～３７は硬化膜３ａの段差平坦化率が低いため、硬化膜および金属配線や発光素子を積層することで生じる段差が解消されず、配線の短絡など配線不良や発光素子の接続不良が発生し、表示装置とした場合の発光不良が見られた。

　本発明の第２の態様において、表３に（Ａ）樹脂、（Ｂ）感光剤及び（Ｃ）熱架橋剤などから構成される樹脂組成物の配合処方を示す。表３において、樹脂組成物１０１－１１５は、表３に記載の溶媒を用いて固形分濃度４０質量％となるように調製した。また、表４－１、表４－２に実施例で使用した樹脂組成物、樹脂組成物の硬化膜の絶縁破壊電圧（ｋＶ／ｍｍ）、硬化膜の全体の厚み（μｍ）、硬化膜の層数、硬化膜を加工した開口パターンの形状と最長長さ、工程（Ｄ６）または工程（Ｄ８）の有無、及び表示装置の不良率、開口パターンの傾斜辺の角度を示す。

　評価レベル（１）について、各１０個の表示装置の不良率が０．２５以下かつ、開口パターンの最長長さが５μｍ以下のものをレベルＡ、表示装置の不良率が０．２５よりも大きく０．３５以下かつ、開口パターンの最長長さが５μｍ以下のものをレベルＢ、表示装置の不良率が０．３５以下かつ、開口パターンの最長長さが５μｍよりも大きく２０μｍ以下のものをレベルＣ、表示装置の不良率が０．３５以下かつ、開口パターンの最長長さが２０μｍより大きく２５μｍ以下のものをレベルＤ、表示装置の不良率が０．３５よりも大きく０．４５以下をレベルＥ、表示装置の不良率が０．４５を超えるものをレベルＦとした。レベルＡ～レベルＥは実使用上問題ないレベルであり、レベルＦは表示装置の不良率が高く実使用上問題あるレベルである。

　（実施例１０１）（図３０の構成）
　図３０の作製工程断面図に従って本発明の表示装置の実施例を説明する。
図３０ａに示すように、支持基板２０はガラス基板を使用した。ガラス基板上にはポリイミドからなる仮貼り材料を配置し、支持基板２０上に発光素子であるＬＥＤ２を配置した（工程（Ｄ１）に相当）。ＬＥＤ２の厚みは７μｍ、１辺の長さが３０μｍ、もう１辺の長さが５０μｍであった。

　次に、図３０ｂに示すように、支持基板２０上および発光素子２上に、表３に記載の樹脂組成物１０１を加熱処理後１０μｍとなるように塗布し、樹脂膜２１を形成した（工程（Ｄ２）に相当）。

　次に、図３０ｃに示すように、樹脂膜２１上に所望のパターンを有するマスクを通してｉ線（３６５ｎｍ）を照射した。露光された樹脂膜２１を、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて現像し、樹脂膜２１の厚さ方向に貫通する複数の開口パターン１２をパターン形成した（工程（Ｄ３）に相当）。開口パターンの形状は円形で、開口パターンのうち、最も小さい領域での底面部の最長長さは直径２μｍであった。

　次に、樹脂膜２１を酸素濃度１００ｐｐｍ以下の雰囲気下で１１０℃で３０分加熱処理した後、さらに２３０℃６０分熱処理して、硬化させることにより厚み１０μｍの硬化膜３を形成した（工程（Ｄ４）に相当）。樹脂膜２１はそのまま硬化して硬化膜３となる。

　次に、図３０ｄに示すように、硬化膜３上にチタンのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅のシード層をスパッタリング法で形成した。そのあと、フォトレジスト層を形成した後、めっき法により、ＬＥＤ２と電気的に接続される銅からなる金属配線４を硬化膜３の開口パターン１２及び硬化膜３の一部の表面上に形成し、その後、フォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去した（工程（Ｄ５）に相当）。硬化膜３の一部の表面上に形成した金属配線４ａの厚みは５μｍであった。

　その後、図３０ｅ～ｆのように、工程（Ｄ２）、工程（Ｄ３）、工程（Ｄ４）および工程（Ｄ５）を２回繰り返し行い硬化膜３を３層形成した。その結果、３層の硬化膜３全体の厚みは３０μｍであった。

　その後、図３０ｇにおいて硬化膜３の開口パターン１２にバリアメタル９をスパッタリング法で形成し、はんだバンプ１０を形成した。その後、図３０ｈに示すように、２５０℃、１分ではんだをリフローさせ、はんだバンプ１０を介して駆動素子８ｄであるドライバーＩＣを有する発光素子駆動基板７に電気的に接続させ、その後、支持基板２０を剥離し、対向基板５を、接着剤等を用いて貼り合わせることにより、複数のＬＥＤ２を有する表示装置１０１を得た。

　（実施例１０２）
　実施例１０１の樹脂組成物１０１を樹脂組成物１０２からなる樹脂シートに変更し、ラミネートにより樹脂膜２１を形成した以外は実施例１０１と同様の方法で行い、表示装置１０２を得た。

　（実施例１０３～１１１）
　実施例１０１の樹脂組成物１０１を樹脂組成物１０３～１１１に変更した以外は実施例１と同様の方法で行い、表示装置１０３～１１１を得た。

　（実施例１１２）
　実施例１０１の樹脂組成物１０１を樹脂組成物１１２に変更し、露光前にフォトレジストを形成し、現像後にフォトレジストを除去した以外は実施例１０１と同様の方法で行い、表示装置１１２を得た。

　（実施例１１３）
　実施例１１３は、実施例１０２において、さらに、工程（Ｄ３）の後、工程（Ｄ４）の前に、工程（Ｄ３）で得られた開口パターン１２をパターン形成した樹脂膜２１の全領域に対してｉ線（３６５ｎｍ）を照射する工程（Ｄ６）を付加した以外は実施例２と同様の方法で行い、表示装置１１３を得た。

　（実施例１１４）
　図３１ａに示すように、支持基板２０の上に隔壁１６を形成した（工程Ｄ７に相当）。次に図３１ｂに示すように、隔壁１６の間にＬＥＤ２を形成した（工程（Ｄ１に相当））。それ以外は、実施例１０３と同様な工程で表示装置１１４を製造した。なお、ＬＥＤ２の厚みは７μｍであり、隔壁１６の厚みは１０μｍで形成した。隔壁１６は公知の白色顔料を含むアクリル樹脂を用いた。

　（実施例１１５）
　図３２ｄに示すように、実施例１０３と同様な方法で、図３０ｃに示す硬化膜を形成した工程（Ｄ４）のあとに、後で形成される金属配線４を避けるようにして所定の位置にアルミニウムをスパッタ法により０．２μｍの厚さに形成し、反射膜１５を設けた（工程（Ｄ８））。それ以外は、実施例１０３と同様な工程で表示装置１１５を製造した。

　（実施例１１６）
　図３３の作製工程断面図に従って本発明の表示装置の実施例を説明する。

　まず、図３３ａに示すように、支持基板２０上に銅からなる電極パッド１８を配置した（工程（Ｅ１）に相当）。電極パッドの厚みは０．２μｍであった。
次に、図３３ｂに示すように、支持基板２０上および金属パッド１８上に、表３に記載の樹脂組成物１０１を加熱処理後１０μｍとなるように塗布し、樹脂膜２１を形成した（工程（Ｅ２）に相当）。

　次に、図３３ｃに示すように、実施例１に示すフォトリソ工程と同条件により、樹脂膜２１に複数の開口パターン１２を形成した（工程（Ｅ３）に相当）。

　次に、樹脂膜２１を実施例１０１と同条件により硬化させることにより厚み１０μｍの硬化膜３を形成した（工程（Ｅ４）に相当）。

　続いて、図３３ｃにおいて、硬化膜３と金属配線４との密着性を向上させるため、硬化膜３上にチタンなどのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅シード（シード層）をスパッタリング法で形成した。

　次に、図３３ｄに示すように、フォトレジスト層を形成した後、めっき法により、銅からなる金属配線４を硬化膜３の開口パターン１２及び硬化膜３の一部の表面上に形成した（工程（Ｅ５）に相当）。硬化膜３の一部表面上に形成した金属配線４の厚みは５μｍであった。その後、フォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去した。

　その後、工程（Ｅ２）、工程（Ｅ３）、工程（Ｅ４）および工程（Ｅ５）を２回繰り返し行い、図３３ｅに示すように硬化膜３中に金属配線４を有する硬化膜３を３層形成した。その結果、３層の硬化膜３の全体の厚みは３０μｍであった。

　次に、図３３ｆに示すように、金属配線４と電気的接続を保持するようにして硬化膜３上にＬＥＤ２を配置した（工程（Ｅ６）に相当）。ＬＥＤ２の厚みは７μｍであった。

　次に、図３３ｇに示すように、硬化膜３および発光素子２上に樹脂組成物１０１からなる樹脂膜２１を形成し、加熱処理により硬化させ、硬化膜２９を形成した。なお、酸素濃度１００ｐｐｍ以下の雰囲気下で１１０℃で３０分加熱処理した後、さらに２３０℃６０分熱処理して、硬化膜３を形成した。

　次に、図３３ｈに示すように、支持基板２０を剥離し、はんだバンプ１０を介して駆動素子８であるドライバーＩＣを有する発光素子駆動基板７を電気的に接続し、また、ＬＥＤ２に対して対向基板５を接着剤等を用いて貼り合わせることにより、複数のＬＥＤ２を有する表示装置１１６を得た。

　（実施例１１７～１１８）
　実施例１１６の樹脂組成物１０１を樹脂組成物１０２～１０３に変更した以外は実施例１１６と同様の方法で行い、表示装置１１７～１１８を得た。

　（実施例１１９）
　実施例１１７において、さらに、工程（Ｅ３）の後、工程（Ｅ４）の前に、工程（Ｅ３）で得られた開口パターン１２をパターン形成した樹脂膜２１の全領域に対してｉ線（３６５ｎｍ）を照射する工程（Ｅ８）を付加した以外は実施例１１７と同様の方法で行い、表示装置１１９を得た。

　（実施例１２０）
　図３４ｆに示すように、実施例１１８と同様な方法で、図３３ｅに示す硬化膜３を複数層形成したあとに、後に配されるＬＥＤ２間およびその周囲に樹脂組成物１０３を用いて隔壁１６を形成し（工程（Ｅ９）相当）、その後は、図３４ｇに示すように複数のＬＥＤ２を配置し、図３４ｈに示すように、支持基板２０を剥離し、はんだバンプ１０を介して駆動素子８であるドライバーＩＣを有する発光素子駆動基板７を電気的に接続し、また、ＬＥＤ２に対して対向基板５を、接着剤等を用いて貼り合わせることにより、複数のＬＥＤ２を有する表示装置１２０を得た。なお、ＬＥＤ２の厚みは７μｍであり、隔壁の厚みは１０μｍであった。　

　（実施例１２１）
　図３５ｆに示すように、実施例１１８と同様な方法で、図３３ｅに示す硬化膜を形成した工程（Ｅ５）のあとに、形成された金属配線４を避けるようにして所定の位置にアルミニウムをスパッタ法により０．５μｍの厚さに形成し、反射膜１５を設けた（工程（Ｅ１０））。その後は、実施例１１８と同様な工程で表示装置１２１を製造した。

　（実施例１２２）
　実施例１０１の樹脂組成物１０１を樹脂組成物１１３に変更した以外は実施例１０１と同様の方法で行い、表示装置１２２を得た。

　（実施例１２３）
　実施例１０１の樹脂組成物１０１を樹脂組成物１１４に変更し、露光された樹脂膜２１を、シクロペンタノンを用いて現像した以外は実施例１０１と同様の方法で行い、表示装置１２３を得た。

　（実施例１２４）
　実施例１０３のうち、図３０ｈに示すように発光素子駆動基板７の側面において、レーザー加工により溝を形成し、スパッタリングによってチタン、銅の順に形成した後、めっき法により銅を形成し金属配線４ｃとした（工程（Ｄ９））。それ以外は実施例１０１と同様の方法で行い、表示装置１２６を得た。

　（実施例１２５）
　実施例１１８のうち、図３３ｈに示すように発光素子駆動基板７の側面において、レーザー加工により溝を形成し、スパッタリングによってチタン、銅の順に形成した後、めっき法により銅を形成し金属配線４ｃとした（工程（Ｅ１１））。それ以外は実施例１１８と同様の方法で行い、表示装置１２７を得た。

　（実施例１２６）
　実施例１２４の発光素子駆動基板７の側面において、図４３ｈに示すように導電膜３４を用い、導電膜３４として調製例１の感光性導電ペースト１を用いた（工程（Ｄ１０））。それ以外は実施例１２４と同様の方法で行い、表示装置１２８を得た。導電膜３４の作製は以下のとおりである。

　（実施例１２７）
　実施例１２５の発光素子駆動基板７の側面において、図４５ｈに示すように導電膜３４を用い、導電膜３４として実施例１２６記載の感光性導電ペースト１を用いた（工程（Ｅ１２））。それ以外は実施例１２５と同様の方法で行い、表示装置１２９を得た。

　（実施例１２８）
　実施例１２４の発光素子駆動基板７としてプリント配線板を用い、プリント配線板中の配線およびバンプを通じて駆動素子８と金属配線４を接続した以外は実施例１２４と同様の方法で行い、表示装置１３０を得た。

　（実施例１２９）
　実施例１２５の発光素子駆動基板７としてプリント配線板を用い、プリント配線板中の配線およびバンプを通じて駆動素子８と金属配線４を接続した以外は実施例１２５と同様の方法で行い、表示装置１３１を得た。

　（実施例１３０）
　図４４ａに示すように、支持基板２０の上に着色樹脂組成物１からなる遮光層３５を形成した（工程（Ｄ１１））。次に図４４ａに示すように、遮光層３５の間にＬＥＤ２を形成した（工程（Ｄ１））。それ以外は、実施例１０３と同様な工程で表示装置１３２を製造した。遮光層３５の作製は以下のとおりである。

　（実施例１３１）
　実施例１３０の遮光層３５を着色樹脂組成物２に変更して遮光層３５を形成した以外は、実施例１３０と同様な工程で表示装置１３３を製造した。

　（実施例１３２）
　図３０ｆにおいて、バンプ１０と接する金属配線４ａの厚みを１０μｍ、金属配線４ａの一部の表面上に形成した硬化膜３の厚みを１５μｍとし、硬化膜３全体の厚みを３５μｍとした以外は、実施例１０３と同様な工程で表示装置１３４を得た。

　（実施例１３３）
　図３３ｂにおいて、金属パッド１８の厚みを１０μｍ、金属パッドの一部の表面上に形成した硬化膜３の厚みを１５μｍとし、硬化膜３全体の厚みを３５μｍとした以外は、実施例１１８と同様な工程で表示装置１３５を得た。

　（実施例１３４）
　図４６の作製工程断面図に従って本発明の表示装置の実施例を説明する。
図４６ａに示すように、発光素子駆動基板７として、ＴＦＴアレイ基板を用いて、発光素子駆動基板７上に表３に記載の樹脂組成物１０３を加熱処理後３μｍとなるように塗布し、樹脂膜２１を形成した（工程（Ｆ１））。なお、金属配線４の厚みは１μｍであった。
次に、実施例１０３に示すフォトリソ工程と同条件により、樹脂膜２１に複数の開口パターン１２を形成した（工程（Ｆ２））。

　次に、樹脂膜２１を実施例１０３と同条件により硬化させることにより厚み３μｍの硬化膜３を形成した（工程（Ｆ３））。

　次に、図４６ｂに示すように、硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンの一部に前記配線または導電膜を形成する工程である。フォトレジスト層（図示せず）を形成した後、配線２５としてＩＴＯをスパッタリング法により硬化膜３の一部の表面上に形成した。その後、不要なフォトレジストを除去した（工程（Ｆ４））。ＩＴＯの厚みは０．１μｍであった。

　次に、図４６ｃに示すように、工程工程（Ｆ１）、（Ｆ２）、（Ｆ３）を繰り返して、表３に記載の樹脂組成物１０３を硬化させることにより厚み２μｍの硬化膜３を形成した。

　次に、図４６ｄに示すように、硬化膜３または上に隔壁１６を形成した。次に隔壁１６の間にＬＥＤ２を形成した（工程（Ｆ５））。なお、ＬＥＤ２の厚みは７μｍであり、隔壁１６の厚みは８μｍで形成した。隔壁１６は公知の白色顔料を含むアクリル樹脂を用いた。

　その後、図４６ｅに示すように、接着剤を用いて対向基板５を貼り合わせた。また、導電膜３４として調製例１の感光性導電ペースト１を用いた導電膜３４を形成し、導電膜３４を通じてドライバーＩＣなど駆動素子８は硬化膜３中に延在した金属配線４や配線３２を介して発光素子２と電気的に接続することにより、複数のＬＥＤ２を有する表示装置１３６を得た。

　その結果、表示装置１０１～１２３、１２６～１３６は硬化膜３の絶縁破壊電圧が高いため、信頼性後の不良率が低かった。かつ、従来のフレキシブル基板に比較して、硬化膜の厚みが小さいため、パッケージ低背化や配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化、高速応答性の向上が可能であった。さらに表示装置１０１～１１０、１１３～１２１、１２４～１３４は微細加工が可能なため、微小な発光素子が適用可能であり、また発光素子の高密度実装が可能であった。また、隔壁１６としても樹脂組成物からなる硬化膜が適用可能であり、隔壁を形成することで、対向基板の貼り合わせが容易になった。さらに、表示装置１０１～１２３、１２６～１２９、１３２～１３６は金属配線または導電膜の少なくとも一部は、基板の側面に延在しているため、表示装置自体の低背化や高速応答性が向上し、さらに表示装置をより小型化、狭額縁化することが可能であった。また表示装置１３２、１３３は複数の発光素子の間に遮光層を形成することで、光取り出し効率を大きく損なうことなく、発光素子からの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させることが可能であった。表示装置１３４、１３５はＬＥＤ２に近い金属配線の厚みに比べ、バンプ１０に近い金属配線の厚みが厚いことにより、バンプ１０を用いた発光素子駆動基板７の接続時に配線不良を抑制でき、信頼性の高い表示装置を得ることが可能であった。

　（比較例１０１）
　実施例１０１の樹脂組成物１０１を樹脂組成物１１３に変更し、表４－１に示す硬化温度に変更した以外は実施例１０１と同様の方法で行い、表示装置１２４を得た。

　（比較例１０２）
　実施例１０１の樹脂組成物１０１を樹脂組成物１１５に変更した以外は実施例１０１と同様の方法で行い、表示装置１２５を得た。
その結果、表示装置１２４は硬化膜３の絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ未満のため、また、表示装置１２５は硬化膜３の絶縁破壊電圧が６００ｋＶ／ｍｍを超えたため、不良率が高かった。

１　表示装置
２　発光素子
３　硬化膜
３ａ　金属配線（Ｋ２）の一部の表面と接する硬化膜（Ｆ１）
１０３ａ　金属配線１０４ａを被覆した硬化膜１０３ａの厚み
４、４ｃ、２２　金属配線
４ａ　硬化膜（Ｆ１）の厚み方向に延在する金属配線（Ｋ１）
４ｂ　金属配線（Ｋ１）と接続された、硬化膜（Ｆ１）の厚み方向と垂直な平面方向に延在する金属配線（Ｋ２）
１０４ａ　硬化膜の表面に配されている金属配線の厚み
１０４ｂ　硬化膜中の厚さ方向に貫通する開口パターンに延在している金属配線の厚み
５　対向基板
６　電極端子
７　発光素子駆動基板
８　駆動素子
９　バリアメタル
１０　はんだバンプ
１１ａ　指定領域Ａ
１１ｂ、１１１ｂ　指定領域Ｂ
１１ｃ、１１１ｃ　指定領域Ｃ
１２　開口パターン
１３　金属配線４の底面部
１４　底面部の最長長さ
１５　反射膜
１６　隔壁
１７　外部基板
１９　硬化膜の全体の厚み
２０　支持基板
２１　樹脂膜
２３　隣り合う二つの金属配線（Ｋ２）の線間間隔Ｈ１
２４　金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２
２５　硬化膜（Ｆ１）の厚みＨ３
２６　段差の深さＨ４
２７　領域（Ｍ１）
２８　部位（Ｇ）
２９　硬化膜
３０　ＴＦＴ
３１　ＴＦＴ絶縁層
３２　配線
３３　コンタクトホール
３４　導電膜
３４ａ　硬化膜（Ｆ１）の厚み方向に延在する導電膜（Ｋ１０１）
３４ｂ　導電膜（Ｋ１０１）と接続された、硬化膜（Ｆ１）の厚み方向と垂直な平面方向に延在する導電膜（Ｋ１０２）
３５　遮光層
３６　傾斜辺
３７　傾斜辺の角度
３８　硬化膜３の厚み
３９　硬化膜３の厚み１／２の位置

Claims

少なくとも金属配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置であって、
前記発光素子はいずれか一方の面に一対の電極端子を具備し、
前記一対の電極端子は前記硬化膜中に延在する複数の前記金属配線と接続し、
前記複数の金属配線は、前記硬化膜により電気的絶縁性を保持する構成であり、
前記金属配線は、前記硬化膜の厚み方向に延在する金属配線（Ｋ１）を複数有し、および、前記金属配線（Ｋ１）と接続された、前記硬化膜の厚み方向と垂直な平面方向に延在する金属配線（Ｋ２）を複数有し、
前記硬化膜は、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、
前記金属配線（Ｋ２）の一部の表面と接する硬化膜を有し、
表示装置は、隣り合う二つの前記金属配線（Ｋ２）の線間間隔Ｈ１が１～２０μｍである部位（Ｇ）を少なくとも有し、
前記部位（Ｇ）において、前記金属配線（Ｋ２）の厚みをＨ２（μｍ）、前記硬化膜の厚みをＨ３（μｍ）、前記部位（Ｇ）で生じた前記硬化膜の段差の深さをＨ４（μｍ）とすると、
Ｈ３／Ｈ２は１．４～４．０であり、
（式１）で表される段差平坦化率Ｐ（％）は７０～９９％である、表示装置。
Ｐ（％）＝（１－（Ｈ４／Ｈ２））×１００・・・（式１）
前記金属配線（Ｋ２）の厚みＨ２が１．５～１０μｍである、請求項１に記載の表示装置。
少なくとも金属配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子はいずれか一方の面に一対の電極端子を具備し、前記一対の電極端子は前記硬化膜中に延在する複数の前記金属配線と接続し、複数の前記金属配線は、前記硬化膜により電気的絶縁性を保持する構成であり、前記硬化膜は、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、前記硬化膜の絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である、表示装置。
前記硬化膜の層数が２～１０層である、請求項１～３のいずれかに記載の表示装置。
前記硬化膜の全体の厚みが５～１００μｍである、請求項１～４のいずれかに記載の表示装置。
前記硬化膜には厚さ方向に貫通する開口パターンが設けられ、少なくとも前記開口パターンに前記金属配線を配する構成であり、前記発光素子と接した位置に形成される前記金属配線の底面部の最長長さが２～２０μｍである請求項１～５のいずれかに記載の表示装置。
前記硬化膜が前記発光素子の光取り出し面以外の面を覆う構成である、請求項１～６のいずれかに記載の表示装置。
前記硬化膜に、さらに反射膜を有する、請求項１～７のいずれかに記載の表示装置。
複数の前記発光素子の間に、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を有する、請求項１～８のいずれかに記載の表示装置。
複数の前記発光素子の間に、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を、発光素子を覆う前記硬化膜中に配する、請求項１～９のいずれかに記載の表示装置。
前記発光素子が１辺の長さが５μｍ以上７００μｍ以下のＬＥＤである、請求項１～１０のいずれかに記載の表示装置。
さらに、駆動素子及び基板を有し、前記駆動素子は金属配線を通じて発光素子に接続され、さらに前記金属配線の少なくとも一部は、前記基板の側面に延在する、請求項１～１１のいずれかに記載の表示装置。
複数の前記発光素子の間に、遮光層を有する、請求項１～１２のいずれかに記載の表示装置。
前記（Ａ）樹脂が、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選択される１種以上の樹脂を含有する、請求項１～１３のいずれかに記載の表示装置。
前記（Ａ）樹脂がさらに、ビフェニル構造を有するフェノール樹脂を含有する、請求項１、２、４～１４のいずれかに記載の表示装置。
前記（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物がさらに、（Ｂ）感光剤を含有する請求項１～１５のいずれかに記載の表示装置。
前記（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物がさらに、（Ｃ）熱架橋剤を含有する請求項１～１６のいずれかに記載の表示装置。
前記（Ｃ）熱架橋剤が、ビフェニル構造を有する熱架橋剤を含有する、請求項１７に記載の表示装置。
前記（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物がポジ型感光性である、請求項１～１８のいずれかに記載の表示装置。
少なくとも金属配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置の製造方法であって、
支持基板上に前記発光素子を配置する工程（Ｄ１）、
前記支持基板上および前記発光素子上に、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程（Ｄ２）、
前記樹脂膜に対して露光、現像することにより、前記樹脂膜に複数の貫通した開口パターンを形成する工程（Ｄ３）、
前記樹脂膜を硬化させ、絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である前記硬化膜を形成する工程（Ｄ４）、および、
前記硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンに前記金属配線を形成する工程（Ｄ５）、
を有する表示装置の製造方法。
前記工程（Ｄ３）の後、前記工程（Ｄ４）の前に、前記樹脂膜の全領域に対して露光する工程（Ｄ６）を有する請求項２０に記載の表示装置の製造方法。
前記工程（Ｄ２）、前記工程（Ｄ３）、前記工程（Ｄ４）および前記工程（Ｄ５）を複数回繰り返し行い、硬化膜中に前記金属配線を有する前記硬化膜を複数層形成する工程を有する請求項２０または２１に記載の表示装置の製造方法。
前記工程（Ｄ１）の後、複数の前記発光素子の間に、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を設ける工程（Ｄ７）を有する請求項２０～２２のいずかに記載の表示装置の製造方法。
前記工程（Ｄ４）の後、前記硬化膜上の一部に反射膜を設ける工程（Ｄ８）を有する請求項２０～２３のいずかに記載の表示装置の製造方法。
少なくとも金属配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置の製造方法であって、
支持基板上に金属パッドを配置する工程（Ｅ１）、
前記支持基板上および前記金属パッド上に、（Ａ）樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程（Ｅ２）、
前記樹脂膜に対して露光、現像することにより、前記樹脂膜に複数の貫通した開口パターンを形成する工程（Ｅ３）、
前記樹脂膜を硬化させ、絶縁破壊電圧が３６０ｋＶ／ｍｍ以上６００ｋＶ／ｍｍ以下である前記硬化膜を形成する工程（Ｅ４）、
前記硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンに前記金属配線を形成する工程（Ｅ５）、および、
前記金属配線と電気的接続を保持するようにして前記硬化膜上に前記発光素子を配する工程（Ｅ６）、
を有する表示装置の製造方法。
前記工程（Ｅ３）の後、前記工程（Ｅ４）の前に、前記樹脂層の全領域に対して露光する工程（Ｅ８）を有する請求項２５に記載の表示装置の製造方法。
前記工程（Ｅ２）、前記工程（Ｅ３）、前記工程（Ｅ４）および前記工程（Ｅ５）を複数回繰り返し行い、硬化膜中に前記金属配線を有する前記硬化膜を複数層形成する工程を有する請求項２５または２６のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
前記工程（Ｅ５）の後、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を設ける工程（Ｅ９）を有する、請求項２５～２７のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
前記工程（Ｅ６）の前で、前記工程（Ｅ５）の後に、前記硬化膜上の一部に反射膜を設ける工程（Ｅ１０）を有する請求項２５～２８のいずかに記載の表示装置の製造方法。