WO2023204156A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2023204156A1
WO2023204156A1 PCT/JP2023/015209 JP2023015209W WO2023204156A1 WO 2023204156 A1 WO2023204156 A1 WO 2023204156A1 JP 2023015209 W JP2023015209 W JP 2023015209W WO 2023204156 A1 WO2023204156 A1 WO 2023204156A1
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WO
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cured film
light emitting
wiring
display device
resin
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PCT/JP2023/015209
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Inventor
啓華 橋本
有希 増田
Original Assignee
東レ株式会社
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    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • HELECTRICITY
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    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present invention relates to display devices such as LED displays.
  • LEDs light emitting diodes
  • liquid crystal displays plasma displays
  • organic EL displays organic EL displays.
  • LED displays that form a display by arranging them, especially mini LED displays in which the size of the LEDs that serve as light sources are reduced from the conventional 1 mm to 100 to 700 ⁇ m, and micro LED displays in which the size is reduced to 100 ⁇ m or less, are attracting attention and research. Development is actively underway.
  • the main features of mini-LED displays and micro-LED displays include high contrast, high-speed response, low power consumption, and wide viewing angle, making them suitable for wearable display applications such as conventional TVs, smartphones, and smart watches. It is expected to be widely used in new applications with high potential, such as signage, AR, VR, and even transparent displays that can display spatial images.
  • LED display devices have been proposed for practical use and higher performance, including a form in which micro-LEDs are arranged on a multilayer flexible circuit board (see Patent Document 1), a form in which bank layers and trace lines are provided on a display board, etc. , a configuration in which a micro LED and a micro driver chip are arranged thereon (see Patent Document 2) has been proposed.
  • a planarization film is formed on a growth substrate on which a light emitting element body including an electrode pad is integrally formed, and the planarization film on the electrode pad is removed to expose the electrode pad, and the electrode pad is connected to the electrode pad.
  • An outer electrode pad is formed on the flattening film, and the outer electrode pad is arranged to face the circuit-side electrode part with respect to the circuit board on which the circuit-side electrode part is formed, and is formed as a front external electrode pad.
  • a configuration in which the circuit-side electrode portion is electrically connected (see Patent Document 3) has been proposed.
  • the LED display device described in the above-mentioned document had a problem in that the wiring was insufficiently hidden by the surrounding wiring insulating film, protective film, partition wall, etc., resulting in poor design.
  • the present invention has the following configuration.
  • a display device including at least wiring, a cured film, and a plurality of light emitting elements, wherein the light emitting elements each include electrodes on two different surfaces, and at least one of the electrodes extends into the cured film.
  • the plurality of wirings are connected to the plurality of wirings, and the plurality of wirings are configured to maintain electrical insulation by the cured film, and the cured film is a film obtained by curing a resin composition containing (A) resin.
  • a display device, wherein the cured film has a transmittance of light at a wavelength of 450 nm of 0.1% or more and 95% or less at a thickness standard of 1 ⁇ m.
  • the cured film is provided with an opening pattern penetrating in the thickness direction, and the wiring is arranged at least in the opening pattern, and the bottom part of the wiring is formed at a position in contact with the light emitting element.
  • the display device according to any one of [1] to [5], wherein the longest length of is 2 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • a display device including at least a substrate having wiring and/or TFT, a cured film, and a plurality of light emitting elements, wherein the light emitting elements each have electrodes on two different surfaces, and the wiring and/or TFT at least a part of is in contact with the cured film, the cured film is a film obtained by curing a resin composition containing (A) resin, and the cured film has a transmittance of light at a wavelength of 450 nm at a thickness standard of 1 ⁇ m, A display device having a concentration of 0.1% or more and 95% or less.
  • the resin (A) contains one or more resins selected from the group consisting of polyimide, polyimide precursor, polybenzoxazole, polybenzoxazole precursor, and copolymers thereof.
  • the display device according to any one of [12] to [12].
  • the resin composition containing the resin (A) further contains (C) a colorant, and the colorant (C) has (C-1) an absorption maximum in a wavelength range of 400 nm or more and 490 nm or less.
  • the display device according to any one of [1] to [14], which contains a colorant that has a coloring agent.
  • the resin composition containing the (A) resin further contains (C) a colorant, and the (C) colorant has an absorption maximum in the range of (C-2) a wavelength exceeding 490 nm and 580 nm or less.
  • the display device according to any one of [1] to [15], containing a colorant having the following properties.
  • the resin composition containing the (A) resin further contains (C) a colorant, and the (C) colorant has an absorption maximum in a range of (C-3) exceeding a wavelength of 580 nm and 800 nm or less.
  • the display device according to any one of [1] to [15], containing a colorant having the following properties.
  • the colorant (C) has an absorption maximum in the wavelength range of 400 nm or more and 490 nm or less, and (C-2) the wavelength range of 490 nm or more and 580 nm or less.
  • the display device according to any one of [1] to [15], comprising a colorant having an absorption maximum and (C-3) a colorant having an absorption maximum in a wavelength range exceeding 580 nm and 800 nm or less.
  • the display device of the present invention has high wiring concealability, and can provide a display device with a high design.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view taken along a plane perpendicular to a counter substrate, showing an example of a first aspect of a display device of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken on a plane perpendicular to the counter substrate, showing another example of the first aspect of the display device of the present invention. They are an enlarged sectional view (a) of designated area A, and a bottom view (b) of the designated area A excluding the light emitting element, as seen from the opposing substrate side.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a counter substrate, showing one embodiment of a display device of the present invention having a structure in which partition walls are provided.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a counter substrate of one embodiment of a display device of the present invention in which a driving element is arranged in a cured film.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the counter substrate of one embodiment of the display device of the present invention having another configuration in which a driving element is disposed in a cured film.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a plane perpendicular to a support base or a counter substrate, illustrating a manufacturing process of one embodiment of a display device of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken on a plane perpendicular to the supporting base or the counter substrate, showing an example of another manufacturing process of the display device of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken on a plane perpendicular to the support base or the counter substrate, showing an example of another manufacturing process of the display device of the present invention having a structure in which partition walls are provided.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along a plane perpendicular to a counter substrate, showing another embodiment of the display device of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a support base, showing one embodiment of a display device of the present invention having a structure in which a partition wall is provided in a cured film.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along a plane perpendicular to a counter substrate, showing another embodiment of the display device of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along a plane perpendicular to a counter substrate, showing another embodiment of the display device of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along a plane perpendicular to a counter substrate, showing another embodiment of the display device of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along a plane perpendicular to a counter substrate, showing another embodiment of the display device of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a counter substrate, showing one embodiment of a display device of the present invention having a structure in which a light-shielding layer is provided.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the support base, showing the opening pattern of the cured film.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a support base, showing a manufacturing process of one embodiment of a display device of the present invention having a structure in which a partition wall is provided.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a support base, showing a manufacturing process of one embodiment of a display device of the present invention having a structure in which a light-shielding layer is provided.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a light emitting element driving substrate, showing an example of a manufacturing process of a display device according to a second aspect of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a counter substrate, showing one embodiment of a display device of the present invention using light emitting elements with different connection modes.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a counter substrate, showing one embodiment of a display device of the present invention using light emitting elements with different connection modes.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a counter substrate, showing one embodiment of a display device of the present invention using light emitting elements with different connection modes.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a counter substrate, showing one embodiment of a display device of the present invention using light emitting elements with different connection modes.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a counter substrate, showing one embodiment of a display device of the present invention using light emitting elements with different connection modes.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a counter substrate, showing one embodiment of a display device of the present invention using light emitting elements with different connection modes.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the element drive substrate, showing an example of a second aspect of the display device of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the element drive substrate, showing an example of a second aspect of the display device of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the element drive substrate, showing an example of a second aspect of the display device of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the support substrate, showing another example of the second embodiment of the display device of the present invention using light emitting elements with different connection modes.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to a light emitting element drive substrate, showing an example of a manufacturing process of a display device according to a second aspect of the present invention.
  • a first aspect of the display device of the present invention is a display device including at least wiring, a cured film, and a plurality of light emitting elements, the light emitting elements each having electrodes on two different surfaces, and at least one of the electrodes. is connected to the plurality of wirings extending in the cured film, and the plurality of wirings are configured to maintain electrical insulation by the cured film, and the cured film contains (A) resin. It is a film obtained by curing a resin composition containing the cured film, and the transmittance of light at a wavelength of 450 nm at a thickness of 1 ⁇ m is 0.1% or more and 95% or less.
  • FIG. 1 A display device according to the first aspect of the present invention will be explained using FIG. 1 as an example.
  • a display device 1 includes a plurality of light emitting elements 2 arranged on a counter substrate 5, and a cured film 3 arranged on the light emitting elements 2.
  • the light emitting element has a polyhedral three-dimensional shape.
  • a polyhedral three-dimensional shape is a three-dimensional shape having a plurality of faces, preferably having at least one pair of parallel faces, and includes, for example, a tetrahedron, a hexahedron such as a rectangular parallelepiped, a cube, an octahedron, etc.
  • the light emitting element has electrodes on two different surfaces. Providing electrodes on two different surfaces means that in a multifaceted three-dimensional light emitting element, when one of the surfaces with electrodes is used as a reference surface, the other electrodes are provided on a surface different from the reference surface. say.
  • the reference surface refers to a continuous range of surfaces within a polyhedral three-dimensional shape, and surfaces that are separated by grooves within a polyhedral three-dimensional shape even if they are spatially in the same plane are defined as the reference surface. It is a different aspect from that. Furthermore, when focusing on one light emitting element, the electrodes provided on the two different surfaces may be referred to as a pair of electrodes.
  • an electrode provided on a light emitting element refers to a connection site for transmitting a signal from wiring to the light emitting element to control light emission of the light emitting element.
  • one electrode is provided on the surface connected to the wiring 4 extending in the cured film 3, and the opposite substrate side is provided with one electrode. have other electrodes on their respective faces.
  • one electrode of a pair of electrodes provided on each of the plurality of light emitting elements is connected to a plurality of wirings 4 extending in the cured film 3, respectively.
  • a configuration is illustrated in which a plurality of cured films 3 are further laminated on the cured film 3 disposed so as to be in contact with at least a portion of the light emitting element 2, and a total of three layers are laminated.
  • the cured film 3 may be a single layer.
  • the light emitting element 2 is provided with electrodes 6 on two different surfaces, and one of the pair of electrodes 6 is connected to the wiring 4 extending in the cured film 3.
  • the plurality of wirings 4 extending in the cured film 3 are separated by the cured film 3. With this structure, the plurality of wirings 4 maintain electrical insulation due to the cured film 3.
  • the cured film 3 is preferably a cured film obtained by curing a resin composition containing resin (A), which will be described later.
  • the electrode 6 that is not connected to the wiring 4 extending in the cured film 3 is connected to the wiring 4d.
  • the wiring 4d may be formed on a support substrate, which will be described later, or may be formed on a counter substrate 5.
  • the wiring 4d may be formed after forming a temporary bonding layer of a temporary bonding material on the support substrate.
  • the electrode 6 and the wiring 4d may be connected through a bump, a conductive film, or the like, or may be directly connected.
  • the wiring 4d may be covered with the cured film 3 to maintain electrical insulation, and the cured film 3 and the wiring 4d may form a laminated structure of two or more layers.
  • the wiring 4d may be connected to the wiring 4 extending in the cured film 3 disposed so as to be in contact with at least a portion of the light emitting element 2 through a through electrode or the like, and may be connected to the wiring 4 extending in the cured film 3 disposed so as to be in contact with at least a part of the light emitting element 2.
  • Wiring may be arranged and connected to the wiring 4 extending in the cured film 3, or may be connected to the light emitting element drive board 7.
  • the light emitting element 2 is electrically connected to a driving element 8 added to a light emitting element driving board 7 provided at a position facing the counter substrate 5 through the wirings 4 and 4c, so that the light emitting element 2 emits light. can be controlled.
  • the light emitting element drive board 7 is electrically connected to the wiring 4 via bumps 10, for example.
  • a barrier metal 9 may be provided to prevent diffusion of metal such as the wiring 4.
  • the wiring 4c in the figure may be formed on the side surface of the light emitting element driving board 7, or may be formed through the light emitting element driving board 7, or may be connected to the driving element 8 as a wiring constituting the light emitting element driving board. May be connected.
  • the wiring 4d and the electrode 6 are arranged between the counter substrate 5 and the light emitting element 2, and the cured film 3 is arranged between the counter substrate 5 and the light emitting element 2 in a manner that is adjacent to the wiring 4 and the electrode 6.
  • the figure shows an example of how the However, the wiring 4 and the electrode 6 may be formed so as to cover the entire plane of the light emitting element 2, and the cured film 3 may not be disposed between the counter substrate 5 and the light emitting element 2, or the wiring 4 and the electrode 6 shown in FIG. is formed as a thin film, the resin film 21 (described later) will not be able to reach the area next to the wiring 4 and the electrode 6, and the cured film 3 will not be formed between the counter substrate 5 and the light emitting element 2.
  • This embodiment also includes a form in which a cavity is formed in part.
  • the cured film 3 has a light transmittance of 0.1% or more and 95% or less at a wavelength of 450 nm when the thickness of the cured film 3 is 1 ⁇ m. Thereby, the cured film 3 hides the wiring 4, suppresses the glare of the wiring 4, makes it difficult to see from the outside, and improves the design.
  • the cured film 3 is a film obtained by curing a resin composition containing resin (A), which will be described later, and the light transmittance at a wavelength of 450 nm at a thickness standard of 5 ⁇ m is 0.1% or more and 79% or less. It is preferable that Thereby, the cured film 3 hides the wiring 4, suppresses the glare of the wiring 4, makes it difficult to see from the outside, and improves the design.
  • the cured film 3 is a film obtained by curing a resin composition containing resin (A), which will be described later, and the light transmittance at a wavelength of 450 nm at a thickness standard of 1 ⁇ m is 0.1% or more and 25% or less. It is preferable that As a result, the cured film 3 hides the wiring 4, suppresses the glare of the wiring 4, makes it difficult to see from the outside, and improves design.Furthermore, visibility is improved by reducing external light reflection and improving contrast. can be increased.
  • the light transmittance at a wavelength of 450 nm at a standard thickness of 1 ⁇ m of the cured film 3 is less than 0.1%, there is a concern that problems such as a decrease in sensitivity and resolution of the resin film before curing may occur.
  • the light transmittance exceeds 95% the wiring concealment property is reduced, the glare of the wiring is insufficiently suppressed, and there is a concern that problems such as the wiring being visible from the outside may occur.
  • the cured film of the display device may be peeled off and measured, or the conditions of the evaluation method of the light transmittance of the cured film described below. You may also measure the light transmittance of the cured film prepared in . Furthermore, when a plurality of cured films are formed, any of the cured films may be used for measurement. The measurement of the light transmittance at a wavelength of 450 nm when the thickness of the cured film is 5 ⁇ m is the same as the measurement of the light transmittance at a wavelength of 450 nm when the thickness of the cured film is 1 ⁇ m.
  • the thickness of the measured transmission spectrum may be converted to 1 ⁇ m according to Lambert's law. Further, even if the thickness of the cured film is not 5 ⁇ m, the conversion may be performed according to Lambert's law, as in the case where the thickness of the cured film is not 1 ⁇ m.
  • the materials for the wirings 4, 4c, 4d and the electrodes 6 are not particularly limited, and include metals, conductive films, and the like, and known materials may also be used.
  • Metals are preferable from the viewpoint of electron mobility, and examples thereof include gold, silver, copper, aluminum, nickel, titanium, molybdenum, and alloys containing these.
  • These metals can be produced by, for example, wet plating such as electroless plating and electrolytic plating, CVD chemical vapor deposition (CVD) such as thermal CVD, plasma CVD, and laser CVD, dry plating methods such as vacuum evaporation, sputtering, and ion plating. It can be formed by etching after bonding the metal foil to the substrate.
  • wet plating such as electroless plating and electrolytic plating
  • CVD chemical vapor deposition (CVD) such as thermal CVD, plasma CVD, and laser CVD
  • dry plating methods such as vacuum evaporation, sputtering, and ion plating. It can be formed by etching after bonding the metal foil to the substrate.
  • the conductive film is preferable from the viewpoint of transparency, and is made of, for example, a compound containing as a main component an oxide of at least one element selected from indium, gallium, zinc, tin, titanium, niobium, etc., an organic substance, and conductive particles.
  • examples include photosensitive conductive paste, but other known materials may also be used.
  • Examples of compounds containing as a main component an oxide of at least one element selected from indium, gallium, zinc, tin, titanium, niobium, etc. include indium tin zinc oxide (ITZO), indium gallium zinc oxide, etc. (IGZO: InGaZnO), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZO), indium gallium oxide (IGO), indium tin oxide (ITO), and indium oxide (InO).
  • These conductive films can be formed by wet plating such as electroless plating or electrolytic plating, CVD chemical vapor deposition (CVD) such as thermal CVD, plasma CVD, or laser CVD, or dry plating such as vacuum evaporation, sputtering, or ion plating. It can be formed by, for example, a method in which a metal foil is bonded to a substrate and then etched.
  • CVD chemical vapor deposition such as thermal CVD, plasma CVD, or laser CVD
  • dry plating such as vacuum evaporation, sputtering, or ion plating. It can be formed by, for example, a method in which a metal foil is bonded to a substrate and then etched.
  • the content of the conductive particles is preferably 60% by mass or more and 90% by mass or less.
  • the conductive layer contains an organic substance, disconnection can be suppressed on curved surfaces and bent portions, and conductivity can be improved.
  • the content of the conductive particles is less than 60% by mass, the probability of contact between the conductive particles becomes low, and the conductivity decreases. Further, the conductive particles tend to separate from each other at the bent portion of the wiring.
  • the content of conductive particles is preferably 70% by mass or more.
  • the content of the conductive particles exceeds 90% by mass, it becomes difficult to form a wiring pattern, and disconnections are likely to occur at bent portions.
  • the content of conductive particles is preferably 80% by mass or less.
  • organic substances include epoxy resins, phenoxy resins, acrylic copolymers, and epoxy carboxylate compounds. Two or more types of these may be contained. It may also contain an organic substance having a urethane bond. By containing an organic substance having a urethane bond, the flexibility of the wiring can be improved. Further, the organic substance preferably exhibits photosensitivity, and a fine wiring pattern can be easily formed by photolithography. Photosensitivity is developed by, for example, containing a photopolymerization initiator and a component having an unsaturated double bond.
  • the conductive particles in the present invention refer to particles made of a substance having an electrical resistivity of 10 ⁇ 5 ⁇ m or less.
  • the material constituting the conductive particles include silver, gold, copper, platinum, lead, tin, nickel, aluminum, tungsten, molybdenum, chromium, titanium, indium, alloys of these metals, and carbon particles.
  • the average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.005 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the average particle diameter here refers to the average particle diameter of large-diameter particles when two or more types of conductive particles are contained.
  • the average particle diameter of the conductive particles is more preferably 0.01 ⁇ m or more.
  • the average particle diameter of the conductive particles is 2 ⁇ m or less, it becomes easier to form a desired wiring pattern.
  • the average particle diameter of the conductive particles is more preferably 1.5 ⁇ m or less.
  • the thickness of the conductive film is preferably 2 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. When the thickness of the conductive film is 2 ⁇ m or more, disconnection at the bent portion can be further suppressed and the conductivity can be further improved.
  • the thickness of the conductive film is more preferably 4 ⁇ m or more. On the other hand, when the thickness of the conductive film is 10 ⁇ m or less, a wiring pattern can be more easily formed in the manufacturing process.
  • the thickness of the conductive film is more preferably 8 ⁇ m or less.
  • the cured film 21 disposed so as to be in contact with at least a portion of the light emitting element 2 may be composed of a cured film obtained by curing a resin composition or a resin sheet containing (A) resin, or a cured film containing (A) resin. It may be composed of a material other than a cured film obtained by curing a resin composition or a resin sheet, and known materials such as epoxy resin, silicone resin, and fluororesin may be used.
  • the light emitting element driving substrate 7 includes a substrate having an element having a driving function, etc., and it is preferable that the driving element 8 is connected.
  • the light emitting element driving substrate 7 is not particularly limited, and any known substrate can be used. Examples include glass substrates, sapphire substrates, printed wiring boards, TFT array substrates, and ceramics. Wiring may be formed on at least one surface of a glass substrate or a sapphire substrate. When using a printed wiring board, it is possible to connect to the driving element 8, the bumps 10, the wiring 4, etc. without forming the wiring 4c.
  • the total thickness of the cured film is preferably 5 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the total thickness of the cured film is 5 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, the light transmittance of the cured film 3 is low, so the cured film 3 hides the wiring 4, suppresses glare on the wiring 4, and prevents external light from entering. It is possible to improve the design by making it difficult to see. Furthermore, it is possible to reduce the height of the display device itself having a light-emitting element, to suppress wiring defects such as short circuits due to short wiring distances, to suppress loss reduction, and to improve high-speed response. In addition, visibility can be improved by reducing reflection of external light and improving contrast.
  • the total thickness of the cured film refers to the thickness of the entire layer of continuous cured films in which at least a portion of one cured film is in contact with another cured film.
  • the range indicated by 20 in FIG. 1 is the thickness of the entire layer of the cured film.
  • the overall thickness is preferably 5 ⁇ m or more and 70 ⁇ m or less, more preferably 5 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less.
  • the number of cured films is 2 or more and 10 or less.
  • the cured film preferably has one or more layers, and furthermore, by having two or more layers, the number of wirings that can be connected to the light emitting elements can be increased, so that multiple light emitting elements can be arranged.
  • the number of layers is preferably 10 or less from the viewpoint of suppressing wiring defects such as wiring short circuits due to reduction in package height and short wiring distance, reduction in loss, and improvement in high-speed response.
  • the cured film is provided with an opening pattern penetrating in the thickness direction, and the wiring is disposed in at least the opening pattern, and the bottom surface of the wiring is formed at a position in contact with the light emitting element. It is preferable that the longest length of is 2 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • FIG. 2 shows an enlarged sectional view (a) of the designated area A in FIG. 1 and a bottom view (b) of the surface of the designated area A excluding the light emitting element, as viewed from the counter substrate side.
  • the cured film 3 is provided on the light emitting element 2.
  • the cured film 3 is provided with an opening pattern 12, and the diagram shows wiring 4 formed in the opening pattern 12.
  • the bottom surface portion 13 of the wiring 4 extends into the cured film 3 to the position where the wiring 4 contacts the electrode 6 of the light emitting element 2, and shows the form of the wiring 4 at the contact point.
  • the bottom view (b) of the designated area A in FIG. 2 from which the light emitting elements are removed viewed from the opposing substrate side
  • the bottom view (lower part) of the designated area A in FIG. 2 excluding the light emitting element is a view of the bottom part 13 of the wiring 4 extending on the cured film 3 with the light emitting element 2 removed, as seen from below. , shows the bottom part 13.
  • the shape of the bottom part 13 may differ depending on the product or the form of the light emitting element.
  • the diameter is defined as the longest length 14, and in the case of an elliptical shape, the major axis is defined as the longest length 14. In the case of a polygon, the longest diagonal line connecting the corner vertices is defined as the longest length 14. Note that the bottom surface portion 13 in the bottom view (b) of the designated area A in FIG. 2 excluding the light emitting elements when viewed from the counter substrate side shows an example in which the bottom surface portion 13 is circular.
  • a minute light emitting element can be applied, and a plurality of light emitting elements can be mounted in high density, and a display device having high resolution light emitting elements in a wide range of sizes can be obtained. It becomes possible to form even finer wiring, and the number of wirings that can be formed in a unit area increases, making it possible to reduce the overall thickness of the cured film.Since the light transmittance of the cured film 3 is low, the cure The film 3 hides the wiring 4, suppresses the glare of the wiring 4, makes it difficult to see from the outside, and improves the design.
  • the display device itself having a light-emitting element it is possible to reduce the height of the display device itself having a light-emitting element, to suppress wiring defects such as short circuits due to short wiring distances, to suppress loss reduction, and to improve high-speed response.
  • visibility can be improved by reducing reflection of external light and improving contrast.
  • the longest length of the bottom portion of the wiring formed in the vicinity of the light emitting element is 2 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the longest length of the bottom part of the wiring is preferably 2 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less, more preferably 2 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, and even more preferably , 2 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less. If it is less than 2 ⁇ m, poor connection with the light emitting element 2 may occur, and if it exceeds 20 ⁇ m, it may become an obstacle to the application of minute light emitting elements or high-density packaging.
  • the thickness of the cured film is preferably at least 1.1 times and at most 20.0 times the thickness of the wiring.
  • the thickness of the wiring refers to the thickness a of the wiring 4 disposed on the surface of the cured film 3, as shown in the enlarged cross-sectional view (a) of the designated area A in FIG.
  • the thickness of the wiring 4b extending in the opening pattern penetrating in the horizontal direction is not included.
  • the thickness of the wiring is preferably 0.1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, more preferably 3 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the thickness of the cured film refers to the thickness of the cured film 3a that covers the wiring 4a, as explained using the enlarged cross-sectional view (a) of the designated area A in FIG.
  • the thickness of the wiring may be the same or different in each layer. If they are different, for example, in FIG. 1, it is preferable that the thickness of the wiring near the bump 10 is thicker than the thickness of the wiring near the light emitting element 2. Thereby, wiring defects can be suppressed when connecting the light emitting element drive substrate 7 using the bumps 10, and a highly reliable display device can be obtained.
  • the cured film covers a surface other than the light extraction surface of the light emitting element.
  • the light extraction surface is defined as a light extraction surface if there is a region from which light can be extracted even if a part of the surface of the light emitting element is covered with the cured film.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view (a) of the light emitting element driving substrate side of the designated area B in FIG. (b) is a cross-sectional view at a position other than the designated area B, and (c) is a bottom view of the designated area B excluding the opposing substrate, as viewed from the opposing substrate side.
  • the light emitting element 2 is covered with a cured film 3, and the light emitting element electrode 6 and The wiring 4 connecting and extending into the cured film 3 is shown from the top.
  • the cross-sectional shape of the wiring 4 may be circular or polygonal.
  • the light emitting element 2 when viewed from the counter substrate side, the light emitting element 2 is covered with a cured film 3, and the other electrode 6 of the light emitting element is covered with a hardened film 3. is shown from below.
  • the cross-sectional shape of the electrode 6 may be circular or polygonal.
  • the light emitting element 2 may be covered with the cured film 3 except for the electrodes 6. In this case, the light extraction surface is the surface on which the electrode 6 is arranged.
  • the light emitting element 2 can be protected from external impact by covering the entire side surface and upper surface of the light emitting element 2 with the cured film 3. Further, it is possible to flatten the level difference caused by the arrangement of the light emitting element 2, and it is also preferable because it facilitates bonding with the counter substrate 5.
  • the cured film 3 that covers the surface other than the light extraction surface of the light emitting element 2 has the above-mentioned high wiring concealment property, thereby suppressing the glare of the wiring 4, making it difficult to see from the outside, and improving the design. can.
  • a display device includes at least a substrate having wiring and/or a TFT, a cured film, and a plurality of light emitting elements, the light emitting elements having electrodes on two different surfaces.
  • the cured film is a film obtained by curing a resin composition containing (A) resin, and the thickness of the cured film is 1 ⁇ m as standard.
  • the transmittance of light with a wavelength of 450 nm is 0.1% or more and 95% or less.
  • FIG. 25 A display device according to the second aspect of the present invention will be described using FIG. 25 as an example.
  • the cured film 3 is arranged so that at least a part of the substrate having wiring and/or TFTs is in contact with the cured film 3.
  • the substrate having wiring and/or TFT is, for example, a light emitting element driving substrate 7, and an example thereof is a TFT array substrate on which wiring 4 is arranged.
  • the light emitting element 2 having electrodes on two different surfaces is disposed on the wiring 4e.
  • a polyhedral three-dimensional light emitting element has one electrode on the surface connected to the wiring 4e and the other electrodes on the surface facing the counter substrate. Further, a configuration in which a cured film 3 is provided between or around the light emitting elements 2 is illustrated. The one of the pair of electrodes 6 that is not connected to the wiring 4e is connected to the wiring 4d.
  • the wiring 4d may be formed on the counter substrate 5. The electrode 6 and the wiring 4d may be connected through a bump, a conductive film, or the like, or may be directly connected.
  • the wiring 4d may be connected to the wiring 4 extending in the cured film 3 disposed so as to be in contact with at least a part of the light emitting element 2 through a through electrode or the like, and may be connected to the wiring 4 extending in the cured film 3 arranged so as to be in contact with at least a part of the light emitting element 2.
  • Wiring may be placed on the substrate and connected to the wiring 4e, or may be connected to the light emitting element drive board 7.
  • the light emitting element 2 is electrically connected to a driving element 8 added to a light emitting element driving board 7 provided at a position facing the counter substrate 5 through the wirings 4 and 4c, so that the light emitting element 2 emits light. can be controlled.
  • the light emitting element drive board 7 is electrically connected to the wiring 4 via bumps 10, for example. Further, a barrier metal 9 may be provided to prevent diffusion of metal such as the wiring 4.
  • the wiring 4c in the drawings may be formed on the side surface of the light emitting element driving board 7, may penetrate through the light emitting element driving board 7, or may be connected to the driving element 8 as a wiring constituting the light emitting element driving board. It's okay.
  • the total thickness of the cured film is preferably 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the total thickness of the cured film is preferably 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the total thickness of the cured film refers to the total thickness of a continuous layer of cured films in which at least a portion of one cured film is in contact with another cured film.
  • the range indicated by 20 in FIG. 25 described above is the thickness of the entire layer of the cured film.
  • the total thickness is preferably 1 ⁇ m or more and ⁇ 10 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less. If it is less than 1 ⁇ m, the protection of the wiring will be insufficient, and there is a risk of wiring defects such as short circuits. If it exceeds 10 ⁇ m, it will be difficult to form fine wiring, resulting in inconveniences in terms of wiring defects such as short circuits. There are cases.
  • a partition wall having a thickness greater than the thickness of the light emitting elements is provided between the plurality of light emitting elements.
  • partition walls 15 in a repeating pattern corresponding to the number of pixels of the display device 1 having the light emitting elements 2, that is, between or around each light emitting element 2.
  • the electrode 6 and the wiring 4 or 4d may be connected through a bump, a conductive film, or the like, or may be directly connected. This configuration is preferable because it facilitates bonding with the counter substrate 5 which may include the wiring 4d.
  • the thickness of the partition wall is preferably larger than the thickness of each light emitting element, and specifically, preferably 5 ⁇ m or more and 120 ⁇ m or less.
  • the partition wall may be composed of a cured film obtained by curing a resin composition containing (A) resin, or may be composed of a material other than the resin composition containing (A) resin, such as epoxy resin, (meth) )
  • Known materials such as acrylic polymer, polyurethane, polyester, polyolefin, and polysiloxane may be used. By using these materials, partition walls with excellent adhesion can be formed.
  • a light shielding portion may be provided on the side surface of the partition wall or on the partition wall itself.
  • the light shielding portion is a portion containing, for example, a black pigment.
  • a reflective portion may be provided on the side surface of the partition wall to improve brightness.
  • the reflective portion is a portion containing, for example, a white pigment.
  • a partition wall having a thickness equal to or greater than the thickness of the light emitting elements is disposed between the plurality of light emitting elements in the cured film covering the light emitting elements.
  • partition walls are provided, as shown in FIG. 11, a configuration in which partition walls 15 are provided between or around the light emitting elements 2 in the cured film 3 that covers the light emitting elements 2 is illustrated.
  • the partition wall shown in FIG. 11 may be made of a material other than the resin composition containing resin (A), and known materials such as epoxy resin, (meth)acrylic polymer, polyurethane, polyester, polyolefin, and polysiloxane may be used. You may. By using these materials, partition walls with excellent adhesion can be formed.
  • a light shielding portion may be provided on the side surface of the partition wall or on the partition wall itself.
  • the light shielding portion is a portion containing, for example, a black pigment.
  • the light emitted from the light emitting element toward the partition wall can be reflected to increase the light extraction efficiency, and a reflective part may be provided on the side surface of the partition wall to improve the brightness.
  • the reflective portion is a portion containing, for example, a white pigment.
  • a light diffusion layer may be provided around the light emitting element, cured film, or wiring.
  • the light emitting element is preferably an LED with a side length of 5 ⁇ m or more and 700 ⁇ m or less, and more preferably the light emitting element is an LED with a side length of 5 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less. .
  • An LED is composed of a PN junction in which a P-type semiconductor and an N-type semiconductor are joined, and when a forward voltage is applied to the LED, electrons and holes move within the chip, causing current to flow. At this time, an energy difference is created by the combination of electrons and holes, and the surplus energy is converted into light energy, which emits light.
  • the wavelength of light emitted from an LED varies depending on the compound that constitutes the semiconductor, such as GaN, GaAs, InGaAlP, and GaP, and this difference in wavelength determines the color of the emitted light.
  • white is generally displayed by mixing two or more different colors of light, but in the case of LEDs, color reproducibility is greatly improved by mixing the three primary colors of red, green, and blue. This has been improved, making it possible to display a more natural white color.
  • the shape of the LED includes a bullet shape, a chip shape, a polygonal shape, etc., but a chip shape and a polygonal shape are preferable from the viewpoint of miniaturization of the LED. Further, it is preferable that the length of one side of the LED is 5 ⁇ m or more and 700 ⁇ m or less, since this allows a plurality of chips to be arranged, and it is more preferable that the length of one side of the LED is 5 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the light emitting element is provided with electrodes on two different surfaces.
  • Two different planes means that, for a light emitting element having two or more planes, when one of the planes having an electrode is used as a reference plane, the other electrodes are respectively located on a plane different from the reference plane.
  • electrodes are provided on the surfaces facing each other with the light emitting element interposed therebetween. Further, it is preferable that electrodes are provided on adjacent surfaces of the light emitting element.
  • An example of providing electrodes on two different surfaces of the light emitting element is a structure in which the electrodes 6 are arranged on opposite surfaces with the light emitting element 2 in between, as shown in FIGS.
  • An example of a structure in which adjacent surfaces are provided with the same structure as shown in FIG. 21 is exemplified.
  • the discontinuous surface is not a continuous surface, but a surface with steps, and includes, for example, the structures shown in FIGS. 22 to 24.
  • the electrodes 6 By providing the electrodes 6 on discontinuous surfaces, the light emitting area in the light emitting element can be controlled, and the productivity and luminous efficiency of the light emitting element can be improved.
  • a pick and place method or a mass transfer method As for the method of mounting the light emitting element onto a substrate such as the light emitting element drive board 7 on which the cured film 3 is arranged, for example, a pick and place method or a mass transfer method has been proposed, but the present invention is not limited to these methods.
  • a single type of light emitting element such as an ultraviolet light emitting element that emits ultraviolet light
  • the former method may use light-emitting elements that emit red, green, and blue light, respectively, or may use light-emitting elements that emit red, green, and blue light that are vertically stacked.
  • the latter method can facilitate array mounting of light emitting elements.
  • a wavelength conversion material such as a quantum dot can be used to create red, green, and blue sub-pixels for full-color display.
  • two or more light emitting elements may be packaged and then mounted on a substrate.
  • the wavelength conversion material known materials can be used.
  • a light-emitting element that emits blue light first, a light-emitting element array substrate is fabricated in which only light-emitting elements that emit blue light are arranged and mounted, and then blue light is added at positions corresponding to red and green sub-pixels. It is preferable to arrange a wavelength conversion layer that is excited by light and converts the wavelength to emit red or green light. This makes it possible to form red, green, and blue subpixels using only light emitting elements that emit blue light.
  • a light-emitting element array substrate is fabricated on which only ultraviolet light-emitting elements are arranged and mounted, and ultraviolet light is placed at positions corresponding to red, green, and blue sub-pixels. It is preferable to arrange a wavelength conversion layer that converts the wavelength of light into red, green, or blue light by being excited by the light. Thereby, it is possible to suppress the difference in the light emission angle due to the color of the sub-pixel described above.
  • the wavelength conversion layer a known one can be used, and a color filter or the like may be used if necessary.
  • the counter substrate in the present invention is not particularly limited, and known ones can be used. Examples include glass plates, resin plates, resin films, sapphire substrates, printed wiring boards, TFT array substrates, and ceramics.
  • As the material of the glass plate alkali-free glass is preferable.
  • Preferred materials for the resin plate and resin film include polyester, (meth)acrylic polymer, transparent polyimide, polyether sulfone, and the like.
  • the thickness of the glass plate and the resin plate is preferably 1 mm or less, and preferably 0.8 mm or less.
  • the thickness of the resin film is preferably 100 ⁇ m or less.
  • the display device of the present invention includes a driving element, and the light emitting element is electrically connected to the driving element through wiring extending in the cured film.
  • the display device includes a driving element, and the light emitting element is electrically connected to the driving element through wiring extending in the cured film, so that one or more light emitting elements can be individually driven by switching.
  • drive elements include driver ICs, and one or more driver ICs are used for packages of one or more light emitting elements for each function, or multiple light emitting elements of red, blue, green, etc. You may.
  • the driving elements 8 in the cured film 3 on the counter substrate 5 in the vicinity of the light emitting elements 2. Further, as shown in FIG. 6, a configuration in which the driving element 8 is disposed in the cured film 3 at a position above the light emitting element 2 is also preferable. This makes it possible to suppress wiring defects such as short circuits due to short wiring distances, suppress loss reduction, and improve high-speed response.
  • the device further includes a driving element and a substrate, the driving element is connected to the light emitting element through wiring, and furthermore, at least a part of the wiring extends to a side surface of the substrate. It has a driving element and a substrate, the driving element is connected to the light emitting element through wiring, and furthermore, at least a part of the wiring extends to the side surface of the substrate, so that the plurality of light emitting elements can be individually switched and driven.
  • the height of the display device itself can be reduced and its high-speed response can be improved, and the display device can also be made smaller and have a narrower frame.
  • the substrate is not particularly limited, and any known substrate can be used. Examples include glass substrates, sapphire substrates, TFT array substrates, and ceramics.
  • the wiring at least a portion of which extends on the side surface of the substrate, is preferably arranged as shown in FIGS. 1, 4, and 4c in FIGS. 12 to 14, for example.
  • a light shielding layer is further provided between the plurality of light emitting elements.
  • the light shielding layer may be composed of a cured film obtained by curing a resin composition containing (A) resin and (E) a coloring material, or may be composed of a material other than the resin composition containing (A) resin.
  • a resin composition containing (A) resin and (E) a coloring material may be composed of a material other than the resin composition containing (A) resin.
  • Well-known materials such as epoxy resins, (meth)acrylic polymers, polyurethanes, polyesters, polyolefins, and polysiloxanes may be used.
  • a black pigment may be used, such as black organic pigments such as carbon black, perylene black, and aniline black, graphite, and titanium, copper, iron, manganese, cobalt, chromium, nickel, and zinc.
  • metal fine particles such as calcium and silver
  • inorganic pigments such as metal oxides, composite oxides, metal sulfides, metal nitrides, and metal oxynitrides.
  • it may be made black by combining a red pigment, a blue pigment, and, if necessary, a yellow pigment or other pigments.
  • a dye may also be used. Two or more types of colorants may be contained.
  • Photosensitivity may be imparted to the resin composition containing (A) resin and (E) colorant, and (B) photosensitizer described below may be used.
  • a method for producing a resin composition containing (A) resin and (E) coloring material for example, using a dispersing machine, (A) resin, (E) coloring material, and optionally dispersing agent and organic solvent are added.
  • a preferred method is to prepare a coloring material dispersion liquid with a high coloring material concentration by dispersing a resin solution containing the resin, and then adding the resin (A) and, if necessary, other components such as a photosensitizer and stirring. Filtration may be performed if necessary.
  • Examples of the dispersing machine include a ball mill, bead mill, sand grinder, three-roll mill, and high-speed impact mill. Among these, bead mills are preferred for improving dispersion efficiency and fine dispersion.
  • Examples of the bead mill include a coball mill, a basket mill, a pin mill, and a dyno mill.
  • Examples of beads used in the bead mill include titania beads, zirconia beads, and zircon beads.
  • the bead diameter of the bead mill is preferably 0.03 mm or more and 1.0 mm or less.
  • a light-shielding layer can be obtained by applying a resin composition containing (A) resin and (E) coloring material to various substrates, drying, and then heat-treating.
  • a patterned light-shielding layer can be obtained by irradiation with actinic radiation, which will be described later, and subsequent development and heat treatment, which will be described later.
  • the thickness of the light shielding layer is preferably 0.1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the thickness of the light shielding layer is more preferably 0.5 ⁇ m or more.
  • the thickness of the wiring is 5 ⁇ m or less, light leakage from the light emitting element and color mixing between pixels can be suppressed and contrast can be improved without significantly impairing light extraction efficiency.
  • the thickness of the light shielding layer is more preferably 4 ⁇ m or less.
  • the light shielding layer is a colored film formed on a 0.7 mm thick alkali-free glass to a thickness of 1.0 ⁇ m, and the reflected chromaticity values (a*, b*) measured from the glass surface are as follows. -0.5 ⁇ a* ⁇ 1.0 and -1.0 ⁇ b* ⁇ 0.5, preferably -0.5 ⁇ a* ⁇ 0.5 and -1.0 ⁇ b* ⁇ 0 .4 is preferable.
  • the reflected color tone of the black display of liquid crystal display devices and organic EL displays generally has a negative value of b*, which is a bluish tone. It is preferable that
  • the reflection chromaticity (L*, a*, b*) of the colored film was measured using a spectrophotometer (CM-2600d; manufactured by Konica Minolta, Inc.) calibrated with a white calibration plate (CM-A145; manufactured by Konica Minolta, Inc.).
  • CM-2600d spectrophotometer
  • CM-A145 white calibration plate
  • SCI total internal reflection chromaticity
  • the configuration of the light shielding layer it is preferable to arrange it as shown at 25 in FIG. 15, for example.
  • the light shielding layer 25 may be in contact with the light emitting element 2 or may be separated from it.
  • the cured film obtained by curing the resin composition containing the resin (A) has a light transmittance of 0.1% or more and 95% or less at a wavelength of 450 nm at a thickness standard of 1 ⁇ m.
  • the light transmittance at a wavelength of 450 nm at a thickness standard of 5 ⁇ m of the cured film is 0.1% or more and 79% or less. This suppresses the glare of the wiring, makes it difficult to see from the outside, and improves the design.
  • the light transmittance at a wavelength of 450 nm at a thickness of the cured film of 1 ⁇ m is 0.1% or more and 25% or less. This can suppress the glare of the wiring, make it difficult to see from the outside, and improve the design.Furthermore, visibility can be improved by reducing reflection of external light and improving contrast.
  • the light transmittance at a wavelength of 450 nm is less than 0.1% when the thickness of the cured film is 1 ⁇ m, there is a concern that problems such as a decrease in sensitivity and resolution of the resin film before curing may occur.
  • the light transmittance exceeds 95%, the wiring concealment property is reduced, the suppression of glare of the wiring is insufficient, and there is a concern that problems such as being visible from the outside may occur.
  • the resin (A) preferably has high heat resistance, and specifically, it is preferably one that shows little resin deterioration at high temperatures of 160° C. or higher during and after heat treatment.
  • a cured film is preferable because it reduces the amount of outgassing, which is one of its excellent properties as a cured film used as a display device, such as an insulating film, a protective film, and a partition wall.
  • the resin (A) preferably has a high light transmittance at the exposure wavelength before curing. In order to obtain such properties, it is preferable to shorten the conjugated chain derived from the aromatic ring of the resin, or to reduce charge transfer within or between molecules.
  • the resin (A) is not particularly limited, but is preferably an alkali-soluble resin from the viewpoint of reducing environmental impact.
  • Alkali-soluble means that a solution of a resin dissolved in ⁇ -butyrolactone is applied onto a silicon wafer and prebaked at 120° C. for 4 minutes to form a prebaked film with a thickness of 10 ⁇ m ⁇ 0.5 ⁇ m.
  • prebaking is a process of heating and drying after coating, and the prebaking film refers to a film obtained through heating and drying. Further, the pre-baked film is synonymous with the resin film.
  • the prebaked film is immersed in a 2.38% by mass tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 ⁇ 1° C. for 1 minute, and then rinsed with pure water to determine the decrease in film thickness.
  • the prebaked film having a dissolution rate of 50 nm/min or more is defined as being alkali-soluble.
  • the resin (A) preferably contains one or more resins selected from the group consisting of polyimide, polyimide precursor, polybenzoxazole, polybenzoxazole precursor, and copolymers thereof.
  • the resin (A) may contain these resins alone or may contain a combination of a plurality of resins.
  • the polyimide is not particularly limited as long as it has an imide ring.
  • the polyimide precursor is not particularly limited as long as it has a structure that becomes a polyimide having an imide ring by dehydration and ring closure, and it can contain polyamic acids, polyamic acid esters, and the like.
  • Polybenzoxazole is not particularly limited as long as it has an oxazole ring.
  • the polybenzoxazole precursor is not particularly limited as long as it has a structure that becomes a polybenzoxazole having a benzoxazole ring upon dehydration and ring closure, and may contain polyhydroxyamide or the like.
  • Polyimide has a structural unit represented by the general formula (1)
  • polyimide precursors and polybenzoxazole precursors have a structural unit represented by the following general formula (2)
  • polybenzoxazole has the general formula ( 3) has the structural unit represented by. Two or more of these may be contained, or a structural unit represented by general formula (1), a structural unit represented by general formula (2), and a structural unit represented by general formula (3) may be copolymerized. It may also contain a resin.
  • V represents a tetravalent to decavalent organic group having 4 to 40 carbon atoms
  • W represents a divalent to octavalent organic group having 4 to 40 carbon atoms
  • a and b each represent an integer from 0 to 6.
  • R 1 and R 2 represent a group selected from the group consisting of a hydroxyl group, a carboxy group, a sulfonic acid group, and a thiol group, and a plurality of R 1 and R 2 may be the same or different.
  • X and Y each independently represent a divalent to octavalent organic group having 4 to 40 carbon atoms.
  • R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
  • c and d each represent an integer of 0 to 4, and e and f each represent an integer of 0 to 2.
  • T and U each independently represent a divalent to octavalent organic group having 4 to 40 carbon atoms.
  • X in the general formula (2) in the case of a polybenzoxazole precursor, has an aromatic group, d>0, and a hydroxyl group at the ortho position of the aromatic amide group. It has a structure that forms a benzoxazole ring by dehydration and ring closure.
  • the repeating number n of the structural unit represented by general formula (1), general formula (2) or general formula (3) in the resin (A) is preferably 5 to 100,000, 10 to 100, More preferably, it is 000.
  • the resin may have other structural units in addition to the structural units represented by general formula (1), general formula (2), or general formula (3).
  • other structural units include, but are not limited to, cardo structures and siloxane structures.
  • the structural unit represented by general formula (1) or general formula (2) it is preferable to use the structural unit represented by general formula (1) or general formula (2) as the main structural unit.
  • the main structural unit refers to having 50 mol% or more of structural units represented by general formula (1), general formula (2), or general formula (3) out of the total number of structural units, and 70 mol% or more. It is more preferable to have.
  • V-(R 1 ) a , (OH) c -X-(COOR 3 ) e in the above general formula (2), and T in the above general formula (3) are acid residues. represents a group.
  • V is a tetravalent to decavalent organic group having 4 to 40 carbon atoms, and preferably an organic group having 4 to 40 carbon atoms containing an aromatic ring or a cycloaliphatic group.
  • X and T are divalent to octavalent organic groups having 4 to 40 carbon atoms, and preferably organic groups having 4 to 40 carbon atoms containing an aromatic ring or an aliphatic group.
  • acid components constituting acid residues include terephthalic acid, isophthalic acid, diphenyl ether dicarboxylic acid, bis(carboxyphenyl)hexafluoropropane, biphenyl dicarboxylic acid, benzophenone dicarboxylic acid, triphenyl dicarboxylic acid, and suberin.
  • tetracarboxylic acids include pyromellitic acid and 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic acid.
  • Examples include, but are not limited to, aromatic tetracarboxylic acids of the structure, butanetetracarboxylic acid, cyclobutanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic acid, and the like. Two or more types of these may be used.
  • R 17 represents an oxygen atom, C(CF 3 ) 2 or C(CH 3 ) 2 .
  • R 18 and R 19 represent a hydrogen atom or a hydroxyl group.
  • acids can be used as they are, or as acid anhydrides, halides, or active esters.
  • W-(R 2 ) b in the above general formula (1), (OH) d -Y-(COOR 4 ) f in the above general formula (2), and U in the above general formula (3) are the residues of diamines. represents a group.
  • W, Y and U are divalent to octavalent organic groups having 4 to 40 carbon atoms, and preferably organic groups having 4 to 40 carbon atoms and containing an aromatic ring or a cycloaliphatic group.
  • diamines constituting diamine residues include bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfone, and bis(3-amino-4-hydroxyphenyl).
  • R 20 represents an oxygen atom, C(CF 3 ) 2 or C(CH 3 ) 2 .
  • R 21 to R 24 each independently represent a hydrogen atom or a hydroxyl group.
  • At least one diamine having the structure shown below from the viewpoint of improving alkali developability and the transmittance of the resin (A) and its cured film.
  • R 20 represents an oxygen atom, C(CF 3 ) 2 or C(CH 3 ) 2 .
  • R 21 to R 22 each independently represent a hydrogen atom or a hydroxyl group.
  • diamines can be used as diamines, diisocyanate compounds obtained by reacting diamines with phosgene, and trimethylsilylated diamines.
  • the resin preferably contains a group selected from an alkylene group and an alkylene ether group. These groups may contain aliphatic rings. As the group selected from alkylene groups and alkylene ether groups, groups represented by general formula (4) are particularly preferred.
  • R 5 to R 8 each independently represent an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • R 9 to R 16 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • the structures expressed within the parentheses are different.
  • g, h, and i each independently represent an integer from 0 to 35, and g+h+i>0.
  • Examples of the group represented by general formula (4) include ethylene oxide group, propylene oxide group, and butylene oxide group, and may be linear, branched, or cyclic.
  • the resin preferably contains a group selected from the above-mentioned alkylene group and alkylene ether group in W in the general formula (1) or Y in the general formula (2).
  • a group selected from the above-mentioned alkylene group and alkylene ether group in W in the general formula (1) or Y in the general formula (2) it is possible to improve the mechanical properties, especially the elongation, of the (A) resin and its cured film, and also to improve the light transmittance at 450 nm before and after curing, and to heat the cured film of the resin composition at a low temperature.
  • High chemical resistance, high adhesion to substrate metals, and resistance to constant temperature and humidity testing (HAST) can be obtained by promoting ring closure during processing.
  • diamines containing groups selected from alkylene groups and alkylene ether groups include ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 2-methyl-1,3-propanediamine, 1,4-diaminobutane, 1, 5-diaminopentane, 2-methyl-1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8-diaminooctane, 1,9-diaminononane, 1,10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, 1,12-diaminododecane, 1,2-cyclohexanediamine, 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1,2-bis(aminomethyl)cyclohexane, 1,3- Bis(aminomethyl)cyclohexane, 1,4-bis(aminomethyl)cycl
  • the diamine residue containing a group selected from an alkylene group and an alkylene ether group is preferably contained in an amount of 5 mol% or more, more preferably 10 mol% or more, of the total diamine residues. Moreover, it is preferably contained in 40 mol% or less, more preferably 30 mol% or less in all diamine residues.
  • it improves developability with an alkaline developer, improves the mechanical properties of the (A) resin and its cured film, especially the elongation, and further improves the light transmittance at 450 nm after curing.
  • high chemical resistance, high adhesion to metal surfaces, and resistance to constant temperature and humidity testing (HAST) can be obtained by promoting ring closure in the cured film of the resin composition during low temperature heat treatment.
  • Diamine residues having an aliphatic polysiloxane structure may be copolymerized within a range that does not reduce heat resistance.
  • adhesion to the substrate can be improved.
  • a diamine component bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane, bis(p-aminophenyl)octamethylpentasiloxane, etc. are copolymerized in an amount of 1 to 15 mol% based on the total diamine residues. can be mentioned. Copolymerization within this range is preferred from the viewpoint of improving adhesion to substrates such as silicon wafers and from the viewpoint of not reducing solubility in alkaline solutions.
  • a resin having an acidic group at the end of the main chain can be obtained by sealing the end of the resin with a monoamine, acid anhydride, acid chloride, or monocarboxylic acid having an acidic group.
  • a monoamine, acid anhydride, acid chloride, and monocarboxylic acid having an acidic group known ones may be used, or a plurality of them may be used.
  • the content of the terminal capping agent such as the monoamine, acid anhydride, acid chloride, monocarboxylic acid, etc. is 2 to 25 mol% based on the total 100 mol% of the acid component and amine component that constitute the resin (A). is preferred.
  • the resin preferably has a weight average molecular weight of 10,000 or more and 100,000 or less. If the weight average molecular weight is 10,000 or more, the mechanical properties of the cured film after curing can be improved. More preferably, the weight average molecular weight is 20,000 or more. On the other hand, if the weight average molecular weight is 100,000 or less, the developability with various developers can be improved, and if the weight average molecular weight is 50,000 or less, the developability with alkaline solutions can be improved. It is preferable because it can be done.
  • the weight average molecular weight (Mw) can be confirmed using GPC (gel permeation chromatography). For example, it can be determined by measuring the developing solvent as N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter sometimes abbreviated as NMP) and converting it into polystyrene.
  • NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • the content of the resin (A) is preferably 3 to 55% by mass, more preferably 5 to 40% by mass, based on 100% by mass of all components including the solvent. By setting it within the above range, it is possible to obtain an appropriate viscosity for spin coating or slit coating.
  • phenol resins polymers containing radically polymerizable monomers having alkali-soluble groups as monomer units, such as polyhydroxystyrene, acrylics, siloxane polymers, cyclic olefin polymers, and cardo resins may also be used. These known resins may be used alone, or a plurality of resins may be used in combination.
  • the phenol resin is preferably a wholly aromatic phenol resin consisting of a phenol compound and an aromatic aldehyde compound.
  • the resin composition containing (A) resin preferably contains (B) a photosensitizer (hereinafter sometimes referred to as component (B)).
  • the resin composition containing the resin (A) further contains the photosensitizer (B), since this imparts photosensitivity to the resin composition and allows formation of a fine opening pattern.
  • Photosensitizer is a compound whose chemical structure changes in response to ultraviolet rays, and includes, for example, a photoacid generator, a photobase generator, a photopolymerization initiator, and the like.
  • a photoacid generator is used as component (B)
  • acid is generated in the light-irradiated part of the photosensitive resin composition, and the solubility of the light-irradiated part in an alkaline developer increases, so that the light-irradiated part dissolves.
  • a positive pattern can be obtained.
  • the cured film obtained by curing the resin composition containing the resin (A) has a light transmittance of 0.1% or more and 95% or less at a wavelength of 450 nm at a thickness standard of 1 ⁇ m.
  • the cured film has the above-mentioned high wiring concealment property, thereby suppressing the glare of the wiring, making it difficult to see from the outside, and improving the design.
  • the light transmittance is less than 0.1%, there is a concern that problems such as a decrease in sensitivity and resolution of the resin film before curing may occur.
  • the light transmittance exceeds 95% the wiring concealment property is reduced, the suppression of glare of the wiring is insufficient, and there is a concern that problems such as being visible from the outside may occur.
  • the photosensitizer In order to obtain such characteristics, (B) the photosensitizer must be one that has low transmittance of light at a wavelength of 450 nm and does not undergo structural changes due to heat treatment, or (B) the photosensitizer and ( A) Low light transmittance of reaction products with resins, thermal crosslinking agents, etc.; (B) Low light transmittance of photosensitive agent decomposition products themselves or reaction products derived from degradable products. is preferred.
  • the resin composition containing the resin (A) preferably has positive photosensitivity. Further, the resin composition containing the resin (A) and the photosensitizer (B) preferably has positive photosensitivity.
  • photoacid generators are preferred from the viewpoints of high wiring concealment, high sensitivity, and microprocessability.
  • the photoacid generator include quinonediazide compounds, sulfonium salts, phosphonium salts, diazonium salts, and iodonium salts.
  • a sensitizer and the like can be included if necessary.
  • quinonediazide compound a compound in which the sulfonic acid of naphthoquinonediazide is bonded with an ester to a compound having a phenolic hydroxyl group is preferable.
  • the compound having a phenolic hydroxyl group used here known compounds may be used, and preferred examples include compounds in which 4-naphthoquinonediazide sulfonic acid or 5-naphthoquinonediazide sulfonic acid is introduced through an ester bond.
  • other compounds can also be used.
  • the total functional groups of the compound having a phenolic hydroxyl group be substituted with quinonediazide.
  • a quinonediazide compound substituted by 50 mol% or more the affinity of the quinonediazide compound for an aqueous alkaline solution is reduced.
  • the solubility of the resin composition in the unexposed area in an alkaline aqueous solution is greatly reduced.
  • the quinonediazide sulfonyl group is changed to indenecarboxylic acid by exposure, and a high dissolution rate of the photosensitive resin composition in the exposed area in the alkaline aqueous solution can be obtained. That is, as a result, the dissolution rate ratio between the exposed area and the unexposed area of the composition is increased, and a pattern with high resolution can be obtained.
  • the resin composition has positive photosensitivity that is sensitive to the I-line (365 nm), H-line (405 nm), G-line (436 nm) of a general mercury lamp, and broadband light including them. can get things.
  • the photosensitive agent (B) may be contained alone or in combination of two or more types, and a highly sensitive resin composition can be obtained.
  • Examples of the quinonediazide include a 5-naphthoquinonediazide sulfonyl group, a 4-naphthoquinonediazide sulfonyl group, and those containing a 4-naphthoquinonediazide sulfonyl group and a 5-naphthoquinonediazide sulfonyl group in the same molecule.
  • Examples of the naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound include 5-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound (B-1) and 4-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound (B-2), and in the present invention, the compound (B-2) is included. It is preferable. Compound (B-2) has high absorption in the i-line region of a mercury lamp and is suitable for i-line exposure. In addition, the light transmittance at 450 nm can be lowered by coloring by decomposing the compound (B-2) or reacting with the resin (A) during curing, so the light transmittance after heat treatment can be reduced. preferred.
  • the photosensitizer is the compound (B-2) alone, or is a mixture with other components
  • the compound (B-2) is contained in an amount of 46% by mass or more.
  • the content ratio of (B-2) compound is the total amount of photosensitizer (B-1) compound + (B-2) compound.
  • it is preferably 46% by mass or more and 100% by mass or less.
  • a quinonediazide compound can be synthesized by a known method by an esterification reaction between a compound having a phenolic hydroxyl group and a quinonediazide sulfonic acid compound. By using a quinonediazide compound, resolution, sensitivity, and residual film rate are further improved.
  • the molecular weight of the photosensitizer is preferably 300 or more, more preferably 350 or more, and preferably 3,000 or less, more preferably 1,500 or less.
  • sulfonium salts are preferred because they appropriately stabilize acid components generated by exposure.
  • phosphonium salts are preferred.
  • diazonium salts are preferred.
  • the content of the (B) photosensitizer is preferably 0.1 parts by mass or more and 100 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the (A) resin. (B) If the content of the photosensitizer is 0.1 parts by mass or more and 100 parts by mass or less, photosensitivity can be imparted while maintaining the heat resistance, chemical resistance, and mechanical properties of the film after heat treatment. .
  • the content of the (B) photosensitizer is more preferably 1 part by mass or more, and even more preferably 3 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of component (A). Moreover, 100 parts by mass or less is more preferable, and even more preferably 80 parts by weight or less. When the amount is 1 part by mass or more and 100 parts by mass or less, photosensitivity can be imparted while maintaining the heat resistance, chemical resistance, and mechanical properties of the film after heat treatment.
  • the content of the photosensitizer (B) is more preferably 0.1 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the (A) resin; It is more preferably 1 part by mass or more, particularly preferably 3 parts by mass or more. Further, it is more preferably 100 parts by mass or less, even more preferably 80 parts by mass or less, and particularly preferably 50 parts by mass or less. If the amount is 0.1 parts by mass or more and 100 parts by mass or less, photosensitivity can be imparted while maintaining the heat resistance, chemical resistance, and mechanical properties of the film after heat treatment.
  • photobase generator When a photobase generator is contained as the photosensitizer, specific examples of the photobase generator include amide compounds, ammonium salts, and the like.
  • Examples of the amide compound include 2-nitrophenylmethyl-4-methacryloyloxypiperidine-1-carboxylate, 9-anthrylmethyl-N,N-dimethylcarbamate, 1-(anthraquinone-2yl)ethylimidazolecarboxylate, (E)-1-[3-(2-hydroxyphenyl)-2-propenoyl]piperidine and the like.
  • ammonium salts include 1,2-diisopropyl-3-(bisdimethylamino)methylene)guanidinium 2-(3-benzoylphenyl)propionate, (Z)- ⁇ [bis(dimethylamino)methylidene]amino ⁇ -N -cyclohexylamino)metaniminium tetrakis(3-fluorophenyl)borate, 1,2-dicyclohexyl-4,4,5,5-tetramethylbiguanidium n-butyltriphenylborate, and the like.
  • the content of the photosensitizer (B) in the resin composition is preferably 0.1 parts by mass or more, and 0.1 parts by mass or more based on 100 parts by mass of (A) resin.
  • the amount is more preferably .5 parts by mass or more, even more preferably 0.7 parts by mass or more, and particularly preferably 1 part by mass or more.
  • the content is preferably 25 parts by mass or less, more preferably 20 parts by mass or less, even more preferably 17 parts by mass or less, and particularly preferably 15 parts by mass or less.
  • resolution after development can be improved.
  • examples of the photopolymerization initiator include a benzyl ketal photopolymerization initiator, an ⁇ -hydroxyketone photopolymerization initiator, and an ⁇ -aminoketone photopolymerization initiator.
  • acylphosphine oxide photopolymerization initiator acylphosphine oxide photopolymerization initiator, oxime ester photopolymerization initiator, acridine photopolymerization initiator, benzophenone photopolymerization initiator, acetophenone photopolymerization initiator, aromatic ketoester photopolymerization initiator or benzoin Acid ester-based photopolymerization initiators and titanocene-based photopolymerization initiators are preferred, and a known one or a plurality of them may be used.
  • ⁇ -hydroxyketone photopolymerization initiators from the viewpoint of improving sensitivity during exposure, ⁇ -hydroxyketone photopolymerization initiators, ⁇ -aminoketone photopolymerization initiators, acylphosphine oxide photopolymerization initiators, oxime ester photopolymerization initiators, acridine More preferred are photopolymerization initiators based on benzophenone or ⁇ -aminoketone, and still more preferred are photopolymerization initiators based on acylphosphine oxide, and photopolymerization initiators based on oxime ester.
  • the content of the photosensitizer (B) in the resin composition is preferably 0.1 parts by mass or more, and 0.1 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of (A) resin.
  • the amount is more preferably .5 parts by mass or more, even more preferably 0.7 parts by mass or more, and particularly preferably 1 part by mass or more.
  • the content is preferably 25 parts by mass or less, more preferably 20 parts by mass or less, even more preferably 17 parts by mass or less, and particularly preferably 15 parts by mass or less.
  • resolution after development can be improved.
  • the resin composition containing the resin (A) further contains a colorant (C), and the colorant (C) absorbs in a wavelength range of (C-1) from 400 nm to 490 nm. It is preferable to contain a colorant having a maximum (hereinafter sometimes referred to as component (C) or component (C-1)).
  • Colorants include thermochromic compounds, dyes, pigments, and the like. Among these, from the viewpoint of heat resistance, sensitivity, and resolution, it is preferable to use at least one of dyes and organic pigments, and dyes are more preferable.
  • component (C-1) By containing component (C-1) in component (C), the amount of light that absorbs and transmits light in the wavelength range of 400 nm or more and 490 nm or less is suppressed, and the wavelength at a thickness standard of 1 ⁇ m in the cured film according to the present invention
  • the transmittance of 450 nm light can be set to 0.1% or more and 95% or less, and the cured film has high wiring hiding properties, which suppresses the glare of the wiring, makes it difficult to see from the outside, and improves the design. You can increase your sexuality.
  • component (C-1) is a colorant having an absorption maximum in a wavelength range of preferably 420 nm or more and 480 nm or less, more preferably a wavelength range of 430 nm or more and 470 nm or less.
  • the component (C-1) has the property of transmitting light having a wavelength of 350 nm to 390 nm, which is a part of the exposure wavelength, it is possible to achieve both sensitivity to the exposure wavelength and resolution.
  • the transmittance of light with a wavelength of 350 nm to 390 nm is preferably 40% or more, more preferably 70% or more.
  • the component (C-1) may contain at least one type, for example, a method using one type of thermochromic compound, one type of dye or organic pigment, or a method using two or more types of thermochromic compound, dye or organic pigment. Examples include a method of using a mixture of two or more thermochromic compounds, a method of using a combination of one or more thermochromic compounds, one or more dyes, and one or more organic pigments.
  • Examples of the component (C-1) include yellow dyes and orange dyes.
  • Examples of the types of dyes include oil-soluble dyes, disperse dyes, reactive dyes, acid dyes, and direct dyes.
  • Examples of the skeleton structure of the dye used as the component (C-1) include, but are not limited to, anthraquinone, methine, quinoline, perinone, and the like. Further, each of these dyes may be used alone or as a metal-containing complex salt system.
  • the pigment used as component (C-1) is preferably a pigment with high heat resistance from the viewpoint of discoloration during curing.Specific examples are shown by color index (CI) numbers. Examples of yellow pigments include Pigment Yellow 83, 117, 129, 138, 139, 150, 180 and the like. Examples of orange pigments include Pigment Orange 38, 43, 64, 71, and 72.
  • the content of component (C-1) is preferably 0.1 to 100 parts by weight, more preferably 0.2 to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the resin (A). By setting the content of component (C-1) to 0.1 parts by mass or more, light of the corresponding wavelength can be absorbed. Further, by setting the amount to 100 parts by mass or less, it is possible to achieve both light transmittance, sensitivity, and resolution.
  • the resin composition containing the (A) resin further contains (C) a colorant, and the (C) colorant has an absorption maximum in a wavelength range of (C-2) exceeding 490 nm and 580 nm or less. It is preferable that the coloring agent contains a colorant (hereinafter sometimes referred to as component (C-2)) having the following properties.
  • the resin composition containing the (A) resin further contains (C) a colorant, and the (C) colorant has an absorption maximum in a wavelength range of (C-3) exceeding 580 nm and 800 nm or less.
  • the coloring agent contains a coloring agent (hereinafter sometimes referred to as component (C-3)) having the following properties.
  • the component (C), together with the component (C-1), further includes (C-2) a colorant having an absorption maximum in a wavelength range exceeding 490 nm and 580 nm or less, and (C-3) a wavelength It is preferable to contain a colorant having an absorption maximum in a range of more than 580 nm and less than 800 nm.
  • the blackening reduces external light reflection and improves the contrast.
  • Components (C-2) and (C-3) are preferred because they can improve visibility, and like component (C-1), they have high solvent solubility, heat resistance, and high transmittance for wavelengths of 350 nm to 390 nm. It is preferable to use at least one of dyes and organic pigments, and dyes are more preferable. This is preferable because in addition to blackening by mixing component (C-1), component (C-2), and component (C-3), high sensitivity and high resolution can be achieved in the resin film.
  • Examples of the skeleton structure of dyes that can be preferably used as components (C-2) and (C-3) include, but are not limited to, triphenylmethane-based dyes and anthraquinone-based dyes. Further, each of these dyes may be used alone or as a metal-containing complex salt system.
  • organic pigments that can be preferably used as component (C-2) are shown by color index (CI) numbers.
  • red pigments include Pigment Red 48:1, 122, 168, 177, 202, 206, 207, 209, 224, 242, 254, etc.
  • purple pigments that can be preferably used as component (C-2) include Pigment Violet 19, 23, 29, 32, 33, 36, 37, and 38.
  • blue pigments that can be preferably used as component (C-3) include Pigment Blue 15 (15:3, 15:4, 15:6, etc.), 21, 22, 60, 64, and the like.
  • green pigments that can be preferably used as the C-3 component include Pigment Green 7, 10, 36, 47, and 58. Pigments other than these can also be used. Also, as above, if necessary. You may also use one that has been surface-treated.
  • the content of component (C-2) and component (C-3) is preferably 0.1 to 100 parts by mass, more preferably 0.2 to 50 parts by mass, based on 100 parts by mass of resin (A). .
  • the content of component (C-1) is preferably 0.1 to 100 parts by mass, more preferably 0.2 to 50 parts by mass, based on 100 parts by mass of resin (A). .
  • the content of component (C-1) is preferably 0.1 to 100 parts by mass or more, light of the corresponding wavelength can be absorbed. Further, by setting the amount to 100 parts by mass or less, it is possible to achieve both light transmittance, sensitivity, and resolution.
  • the dyes used as components (C-1), (C-2), and (C-3) are soluble in organic solvents that dissolve (A) resin in terms of storage stability and discoloration during curing.
  • a dye that is large in color, compatible with the resin, and has high heat resistance is preferable.
  • the organic solvents mentioned here include, for example, N-methyl-2-pyrrolidone, ⁇ -butyrolactone, ⁇ -valerolactone, ⁇ -valerolactone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, 1, Polar aprotic solvents such as 3-dimethyl-2-imidazolidinone, N,N'-dimethylpropylene urea, N,N-dimethylisobutyric acid amide, methoxy-N,N-dimethylpropionamide, tetrahydrofuran, dioxane, propylene Ethers such as glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and diisobutyl ketone, ethyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, propyl acetate, propylene glyco
  • the organic pigment may be subjected to surface treatment such as rosin treatment, acidic group treatment, basic group treatment, etc., if necessary. Moreover, it can be used together with a dispersant depending on the case. Examples of the dispersant include cationic, anionic, nonionic, amphoteric, silicone, and fluorine-based surfactants.
  • the resin composition containing the resin (A) further contains a (C) colorant, and the (C) colorant is a (C-4) black colorant (hereinafter referred to as (C-4) component). ) is preferable.
  • the transmittance of light at a wavelength of 450 nm at a thickness standard of 1 ⁇ m in the cured film according to the present invention can be 0.1% or more and 95% or less.
  • the cured film has high wiring hiding properties, which suppresses the glare of the wiring, making it difficult to see from the outside, and improving design.Furthermore, by reducing reflection of external light and improving contrast, visibility is improved. can be increased.
  • the component (C-4) may contain at least one type, for example, a method using one type of inorganic black pigment, an organic black pigment, or a black dye, or a method using two or more types of inorganic black pigment, organic black pigment, or black dye. Examples include a method of using in combination.
  • inorganic black pigment examples include, but are not limited to, inorganic black pigments having titanium atoms, inorganic black pigments having zirconium atoms, amorphous carbon black, and carbon black.
  • amorphous carbon black herein refers to non-crystalline carbon black particles.
  • carbon black simply refers to crystalline carbon black particles that are generally well known for use as colorants.
  • Inorganic black pigments having titanium atoms include titanium nitride represented by TiN, titanium oxynitride represented by TiNxOy (0 ⁇ x ⁇ 2.0, 0.1 ⁇ y ⁇ 2.0), and titanium oxynitride represented by TiC. It means any one or more of titanium carbide, a solid solution of titanium nitride and titanium carbide, a composite oxide or composite nitride of titanium and a metal other than titanium. Among them, titanium nitride and titanium oxynitride are preferred because of their high light-shielding properties in the visible light region and high exposure light transmittance in the exposure process, and titanium nitride is more preferred because of its low dielectric constant. preferable.
  • titanium nitride synthesized by a thermal plasma method is preferable because it is easy to obtain particles with a small primary particle size and a sharp particle size distribution.
  • the content of titanium dioxide represented by TiO 2 which is an inorganic white pigment, as an impurity is preferably as small as possible, and it is more preferably that it is not contained. .
  • Inorganic black pigments having zirconium atoms include zirconium nitride represented by Zr3N4 , zirconium nitride represented by ZrN, and ZrOxNy (0 ⁇ x ⁇ 2.0, 0.1 ⁇ y ⁇ 2.0). It means any one or more of the expressed zirconium oxynitride, a composite oxide or a composite nitride of zirconium and a metal other than zirconium. Among these, zirconium nitride represented by ZrN is preferred because it has high exposure light transmittance in the exposure process and low dielectric constant.
  • Examples of the manufacturing method include gas phase reactions, and among them, zirconium nitride synthesized by a thermal plasma method is preferred because it is easy to obtain particles with a small primary particle size and a sharp particle size distribution.
  • the content of zirconium dioxide represented by ZrO 2 which is an inorganic white pigment, as an impurity is preferably as small as possible, and it is more preferable that it is not contained. .
  • the inorganic black pigment having a titanium atom and the inorganic black pigment having a zirconium atom may be subjected to surface treatment to modify the pigment surface, if necessary.
  • Surface treatment methods include, for example, introducing an organic group containing a silicon atom as a surface modification group by treatment with a silane coupling agent, or treating a part of the pigment surface with a coating material such as silica, metal oxide, and/or organic resin.
  • a method of covering the entire surface may be used, and a combination of multiple surface treatments may be used. By performing these surface treatments, the long-term storage stability of the resin composition of the present invention may be improved.
  • the inorganic black pigment having a zirconium atom and the inorganic black pigment having a titanium atom may constitute one primary particle as a solid solution containing both.
  • Amorphous carbon black means non-crystalline carbon black consisting of a diamond structure (SP 3 structure) and a graphite structure (SP 2 structure). It corresponds to carbon classified as so-called diamond-like carbon (DLC).
  • Amorphous carbon black has higher insulation properties than carbon black having crystallinity, which will be described later, and can be suitably used as a coloring material without surface treatment.
  • the structure of amorphous carbon black contains a large amount of SP 3 structure, the shielding property of visible light and near infrared rays is low, but the insulation property can be improved.
  • the insulation property is low, but the visible light and near-infrared ray blocking properties can be improved.
  • the properties inherent to the pigment can be controlled by controlling the synthesis conditions.
  • amorphous carbon black in which the content of the SP 3 structure is 30 to 70 atom % based on the total of the SP 3 structure and the SP 2 structure can be preferably used in the photosensitive composition of the present invention. Further, the ratio of SP 3 structure and SP 2 structure can be analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy.
  • the total amount of the above-mentioned inorganic black pigment having a titanium atom, inorganic black pigment having a zirconia atom, and amorphous carbon is 5.5% in the total solid content of the photosensitive composition in the present invention in order to further improve the near-infrared light shielding property. It is preferably 0% by mass or more. Further, in order to avoid an excessive increase in dielectric constant, it is preferably 35.0% by mass or less based on the total solid content in the photosensitive composition.
  • the total solid content herein means the components of the photosensitive composition excluding the solvent content.
  • Carbon blacks include furnace black, thermal black, channel black, acetylene black, Ketjen black, and lamp black, which are classified based on their manufacturing method. Furnace black produced by the furnace method is preferred because it is easy to control the chemical reaction industrially. Among these, from the viewpoint of improving insulation, it is preferable that the structure length of carbon black, in which particles are strongly connected in a beaded manner, is shorter. is more preferable.
  • surface-modified carbon black commercially available products may be used, such as "TPK-1227", which is a carbon black whose surface is modified with acidic functional groups containing sulfur atoms, and carbon black whose pigment surface is coated with silica. Examples include “TPX-1409” (both manufactured by CABOT), which is a carbon black manufactured by CABOT.
  • the total amount of carbon black is preferably 5.0% by mass or more based on the total solid content of the resin composition in the present invention in order to further improve near-infrared light shielding properties. Further, in order to avoid an excessive increase in dielectric constant, it is preferably 10.0% by mass or less based on the total solid content in the resin composition.
  • a mixture of multiple types may be used so that the cured film has desired optical properties. For example, by adjusting the color using zirconium nitride, which has a strong purplish black color, and amorphous carbon, which has a strong yellowish black color, the reflected color of the cured film can be made into a neutral black with low saturation. be able to.
  • the average primary particle diameter of the inorganic black pigment is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, from the viewpoint of improving dispersibility and storage stability after dispersion.
  • the thickness is preferably 150 nm or less, more preferably 100 nm or less.
  • the average primary particle diameter herein means the number average value of the primary particle diameter calculated by a particle size measurement method using an image analysis type particle size distribution measuring device. A transmission electron microscope (TEM) can be used to take the image, and the average primary particle diameter can be calculated at a magnification of 50,000 times. (C-4) When the component is not spherical, the average value of its major axis and minor axis is the primary particle diameter.
  • Image analysis type particle size distribution software Mac-View manufactured by Mountech is used for image analysis. If it is necessary to reduce the average primary particle diameter or to sharpen the particle size distribution by grinding coarse particles, dry grinding may be performed. For example, a hammer mill, a ball mill, etc. can be used for the dry grinding process. Furthermore, if there is a limit to the dry pulverization treatment due to reasons such as excessively high hardness of the pigment, it is desirable to remove coarse particles by classification treatment without crushing.
  • the organic black pigment refers to benzodifuranone black pigments, perylene black pigments, azo black pigments, and isomers thereof.
  • the term "isomer" as used herein also includes tautomers.
  • the isomer may be contained as a mixture of a plurality of pigment powders, or may be contained as a mixed crystal in constituting one primary particle.
  • organic pigments have extremely poor light-shielding properties in the near-infrared region, but have the advantage of having a low dielectric constant. Therefore, in the resin composition containing the resin (A) in the present invention, an increase in the dielectric constant can be avoided. However, it can be effectively used as a component for imparting light-shielding properties only in the visible light region.
  • benzodifuranone black pigment examples include, but are not limited to, "Irgaphor (registered trademark)" Black S0100 manufactured by BASF. Further, the dispersibility can be improved by partially mixing a benzodifuranone black pigment having a substituent such as SO 3 H, SO 3 - or COOH as a dispersion aid and performing a wet dispersion treatment.
  • perylene black pigment when expressed by color index (CI) number, it is C. I.
  • examples include Pigment Black 31 and 32, such as FK4280 manufactured by BASF, but are not limited thereto.
  • the resin composition containing the resin (A) in the present invention may further contain a dispersant.
  • a dispersant refers to an agent that has both a pigment-affinity group that has a chemical bonding or adsorption effect on the pigment surface and a polymer chain or group that has solvent affinity.
  • hydrogen bonding and Van der Waals forces are involved in the action mechanism of the dispersant in a complex manner.
  • finer pigments are promoted by increasing the wettability of the organic pigment surface to the dispersion medium and increasing the steric repulsion effect and/or electrostatic repulsion effect between organic pigments due to polymer chains. , and has the effect of enhancing dispersion stability. Flexibility can be further improved by promoting fineness and improving dispersion stability.
  • a dispersant having a basic adsorption group As the dispersant, a dispersant having a basic adsorption group, a dispersant having an acidic group, and a nonionic dispersant can be preferably used.
  • the dispersant having a basic adsorption group include DisperBYK-142, 145, 164, 167, 182, 187, 2001, 2008, 2009, 2010, 2013, 2020, 2025, 9076, 9077, BYK-LP N6919, BYK-LP N21116, BYK-JET9152 (all manufactured by BYK Chemie), “Solsperse (registered trademark)” 9000, 11200, 13650, 20000, 24000, 24000SC, 24000GR, 32000, 32500, 32550, 3260 00, 33000, 34750 , 35100, 35200, 37500, 39000, 56000, 76500 (all manufactured by Lubrizol), and Efka-PX4310, 4320, 4710 (all
  • dispersant having an acidic group examples include “Tego dispers (registered trademark)” 655 (manufactured by Evonik), DisperBYK-102, 118, 174, and 2096 (all manufactured by BYK Chemie), and nonionic
  • system dispersant examples include “SOLSPERSE (registered trademark)” 54000 (manufactured by Lubrizol) and “Tego dispers (registered trademark)” 650, 652, and 740W (all manufactured by Evonik). These dispersants may be used alone or in combination as appropriate, taking into consideration the surface characteristics and average primary particle size specific to the pigment, so as to obtain the average dispersed particle size described below.
  • the content of the dispersant is preferably 10 parts by mass or more based on 100 parts by mass of the total amount of pigment, in order to achieve sufficient deagglomeration in the wet media dispersion treatment described below and to suppress re-agglomeration after the dispersion treatment. More preferably 20 parts by mass or more.
  • the content is preferably 100 parts by mass or less, more preferably 60 parts by mass or less.
  • the resin composition containing the resin may include, as necessary, other components such as a thermal crosslinking agent, a radically polymerizable compound, an antioxidant, a solvent, a compound having a phenolic hydroxyl group, an adhesion improver, an adhesion improver, It may also contain a surfactant.
  • a resin composition can be obtained by mixing and dissolving an adhesion improver, a surfactant, etc.
  • Examples of the dissolution method include known methods such as heating and stirring.
  • the viscosity of the resin composition is preferably 2 to 5,000 mPa ⁇ s.
  • the solid content concentration By adjusting the solid content concentration so that the viscosity is 2 mPa ⁇ s or more, it becomes easy to obtain a desired film thickness.
  • the viscosity is 5,000 mPa ⁇ s or less, it becomes easy to obtain a highly uniform resin film.
  • a resin composition having such a viscosity can be easily obtained, for example, by adjusting the solid content concentration to 5 to 60% by mass.
  • the solid content concentration refers to components other than the solvent.
  • the obtained resin composition is preferably filtered using a filter to remove dust and particles.
  • Materials for the filter include polypropylene (PP), polyethylene (PE), nylon (NY), polytetrafluoroethylene (PTFE), and polyethylene and nylon are preferred.
  • the resin sheet refers to a sheet formed on a base material using the above resin composition. Specifically, it refers to a resin sheet obtained by applying a resin composition to a base material and drying it.
  • a film such as polyethylene terephthalate (PET) can be used as the base material to which the resin composition is applied.
  • PET polyethylene terephthalate
  • a resin sheet attached to a substrate such as a silicon wafer
  • a base material whose surface is coated with a release agent such as silicone resin. This is preferable because the resin sheet and the base material can be peeled off.
  • the method for manufacturing a display device of the present invention is a method for manufacturing a display device having a light emitting element each having at least wiring, a cured film, and a plurality of electrodes on two different surfaces, wherein the light emitting element is arranged on a support substrate.
  • the method includes a step (D6) of forming the cured film, and a step (D5) of forming the wiring on at least a portion of the surface of the cured film and the opening pattern of the cured film.
  • FIG. 7 shows a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the support substrate, showing the manufacturing process of an example of a display device having a plurality of light emitting elements according to the present invention.
  • a resin film refers to a film obtained by applying a resin composition containing (A) resin to a substrate or laminating a resin sheet and drying.
  • resin compositions containing resin (A) those containing a solvent may be referred to as varnishes.
  • a cured film refers to a resin film or a film obtained by curing a resin sheet.
  • step (D1) is a step of arranging light emitting elements 2 each having electrodes 6 on two different surfaces on a support substrate 18.
  • a glass substrate, a silicon substrate, a ceramic, a gallium arsenide, an organic circuit board, an inorganic circuit board, or a circuit component material arranged on these substrates can be used, but the support substrate is not limited to these.
  • Temporary pasting material and wiring 4d may be arranged on the support substrate.
  • a TFT array substrate may be used.
  • the supporting substrate may be used as a counter substrate or a light emitting element driving substrate, or may be removed during the process, or another counter substrate or a light emitting element driving substrate may be placed after removal.
  • FIG. 1 is a step of arranging light emitting elements 2 each having electrodes 6 on two different surfaces on a support substrate 18.
  • the 7a shows an example in which a temporary bonding layer is formed on the support substrate 18 and wiring 4d is formed thereon.
  • the electrode 6 and the wiring 4d may be connected through a bump, a conductive film, or the like, or may be directly connected. Further, the wiring 4d may be connected to the wiring 4 extending in the cured film 3 disposed so as to be in contact with at least a portion of the light emitting element 2 through a through electrode or the like, or may be connected to the light emitting element driving board 7. .
  • step (D2) as shown in FIG. 7b, a resin composition containing (A) resin or a resin formed from a resin composition containing (A) resin is applied onto the support substrate 18 and the light emitting element 2.
  • This is a step of forming a resin film 19 by coating or laminating the sheet.
  • a resin film may be formed by coating or laminating a resin sheet formed from a resin composition containing the resin composition or a resin composition containing the resin (A).
  • coating methods include spin coating, slit coating, dip coating, spray coating, and printing.
  • the thickness of the coating film varies depending on the coating method, solid content concentration of the composition, viscosity, etc., but the coating is usually done so that the film thickness after drying is 0.1 to 150 ⁇ m.
  • the supporting substrate to which the resin composition containing resin (A) is coated may be pretreated with the adhesion improver described above.
  • a solution in which 0.5 to 20% by mass of the adhesion improver is dissolved in a solvent such as isopropanol, ethanol, methanol, water, tetrahydrofuran, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, diethyl adipate, etc. is used.
  • a solvent such as isopropanol, ethanol, methanol, water, tetrahydrofuran, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, diethyl adipate, etc.
  • examples include methods of treating the surface of the substrate by spin coating, slit die coating, bar coating, dip coating, spray coating, vapor treatment, and the like. After treating the surface of the substrate, a vacuum drying
  • the coating film of the resin composition containing the resin (A) is dried to obtain the resin film 19. Drying is preferably carried out using an oven, hot plate, infrared rays, etc. at a temperature of 50° C. to 140° C. for 1 minute to several hours.
  • the resin sheet when using the resin sheet, if the resin sheet has a protective film, peel it off, place the resin sheet and support substrate facing each other, and bond them together by thermocompression bonding. Bonding by pressure bonding is sometimes referred to as laminating a resin sheet to a support substrate). Next, the resin sheet laminated to the support substrate is dried in the same manner as in the case of obtaining the resin film described above to form the resin film 19.
  • the resin sheet can be obtained by applying a resin composition containing the resin (A) onto a support film made of polyethylene terephthalate or the like, which is a removable substrate, and drying the resin composition.
  • Thermocompression bonding can be performed by heat press treatment, heat lamination treatment, heat vacuum lamination treatment, etc.
  • the bonding temperature is preferably 40° C. or higher from the viewpoint of adhesion to the substrate and embeddability. Further, when the resin sheet is photosensitive, the bonding temperature is preferably 140° C. or lower in order to prevent the resin sheet from curing during bonding and reducing the resolution of pattern formation in the exposure and development steps.
  • step (D3) is a step of forming a penetrating opening pattern 12 corresponding to the shape of the wiring 4 in the resin film 19 using a photolithography process, as shown in FIG. 7c.
  • the light emitting elements can be arranged in high density.
  • Actinic radiation is irradiated onto the photosensitive resin film through a mask having a desired pattern.
  • Actinic radiation used for exposure includes ultraviolet rays, visible light, electron beams, and X-rays, but in the present invention, we use G-line (436 nm), H-line (405 nm), or I-line (365 nm), which are common exposure wavelengths. , is preferably used.
  • a photoresist is formed after the resin film is formed, and then the above-mentioned actinic radiation is irradiated.
  • the exposed photosensitive resin film 19 is developed.
  • a developer tetramethylammonium, diethanolamine, diethylaminoethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, triethylamine, diethylamine, methylamine, dimethylamine, dimethylaminoethyl acetate, dimethylaminoethanol, dimethylaminoethyl
  • alkaline compounds such as methacrylate, cyclohexylamine, ethylenediamine, and hexamethylenediamine are preferred.
  • polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ⁇ -butyrolactone, and dimethylacrylamide, methanol, ethanol,
  • alcohols such as isopropanol, esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate, and ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, isobutyl ketone and methyl isobutyl ketone may be added.
  • alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol, esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate, etc. may be added to water for rinsing.
  • step (D6) by curing the resin film 19 shown in FIG. 7c, the cured film 3 has a transmittance of light at a wavelength of 450 nm of 0.1% or more and 95% or less at a thickness standard of 5 ⁇ m. This is the process of forming.
  • the step (D6) is a step (D6) of forming a cured film 3 having a transmittance of light at a wavelength of 450 nm of 0.1% or more and 79% or less at a thickness standard of 5 ⁇ m by curing the resin film 19.
  • D4) may be a step (D4) of forming a cured film 3 having a transmittance of light at a wavelength of 450 nm of 0.1% or more and 25% or less at a thickness standard of 1 ⁇ m by curing the resin film 19. D7) may be used.
  • the cured film 3 is obtained by heating the resin film 19 to advance a ring-closing reaction and a thermal crosslinking reaction.
  • the heat resistance and chemical resistance of the cured film 3 are improved by (A) crosslinking between resins or (B) with a photosensitive agent, a thermal crosslinking agent, or the like.
  • This heat treatment may be performed by raising the temperature in stages or may be performed while raising the temperature continuously.
  • the heat treatment is preferably carried out for 5 minutes to 5 hours.
  • An example is a case in which heat treatment is performed at 110° C. for 30 minutes and then further heat treated at 230° C. for 60 minutes.
  • the heat treatment conditions are preferably 140°C or higher and 400°C or lower.
  • the heat treatment conditions are preferably 140°C or higher, more preferably 160°C or higher, in order to advance the thermal crosslinking reaction. Further, in order to provide an excellent cured film and improve the reliability of the display device, the heat treatment conditions are preferably 300°C or lower, more preferably 250°C or lower.
  • the treatment may be performed in an air atmosphere, or in order to suppress the fading of the component (C), the treatment may be performed in an atmosphere with a low oxygen concentration.
  • the oxygen concentration is preferably 1000 ppm or less, more preferably 300 ppm or less, even more preferably 100 ppm or less, and particularly preferably 50 ppm or less.
  • the cured film obtained in this manner preferably has an opening pattern, and the angle of the inclined side in the cross section of the opening pattern is preferably 40° or more and 85° or less.
  • the angle of the cross-sectional shape of the opening is 40° or more, a plurality of light emitting elements can be efficiently arranged, and high definition can be achieved.
  • the angle of the cross-sectional shape of the opening is more preferably 50° or more.
  • the angle of the cross-sectional shape of the opening is 85° or less, wiring defects such as short circuits in the wiring can be suppressed.
  • the angle of the cross-sectional shape of the opening is more preferably 80° or less.
  • FIG. 16 shows a cross-sectional view in a plane perpendicular to the support base showing the opening pattern of the cured film.
  • the angle of the inclined side 26 of the opening pattern formed in the cured film 3 is 27. Note that the sloped side was set to be 1/2 in the thickness direction of the cured film 3, and the opening pattern at the position 29 and the opening pattern at the bottom were connected with a straight line.
  • a barrier metal such as titanium is sputtered on the cured film 3, and a copper seed (seed layer) is further deposited on top of it by a sputtering method.
  • step (D5) after forming a photoresist layer (not shown), a metal such as copper for electrical connection with at least one electrode 6 of the light emitting element 2 is formed.
  • wiring 4 made of a conductive film or the like is formed on the opening pattern 12 of the cured film 3 and a part of the surface of the cured film 3 by plating, sputtering, processing of a photosensitive conductive paste, or the like. After that, unnecessary photoresist, seed layer, and barrier metal are removed.
  • the cured film 3 hides the wiring 4, suppresses the glare of the wiring 4, makes it difficult to see from the outside, and improves the design. Furthermore, visibility can be improved by reducing reflection of external light and improving contrast.
  • the method for manufacturing a display device of the present invention includes repeating the step (D2), the step (D3), the step (D6), and the step (D5) a plurality of times to form a cured film having the wiring in the cured film. It is preferable to have a step of forming a plurality of layers.
  • the cured film 3 and the wiring 4 can be formed by repeating the same method again to form a cured film 3 consisting of two or more layers.
  • a barrier metal 9 is formed in the opening pattern 12 of the cured film 3 by sputtering to form a bump 10. Note that the barrier metal 9 may or may not be included.
  • the light emitting element drive substrate 7 having the drive elements 8 such as driver ICs is electrically connected via the bumps 10, the support substrate 18 is peeled off, and the counter substrate 5 is coated with an adhesive or the like.
  • the wiring 4 may include an electrode.
  • One or more drive elements 8 are used for one light emitting element 2, one unit of light emitting element 2 consisting of red, blue, and green, a plurality of light emitting elements 2, or a plurality of units of light emitting elements 2 according to function.
  • one or more driving elements may be arranged near the light emitting element during the process shown in FIG. 7. In that case, the driving element is electrically connected to the light emitting element 2 via the light emitting element driving substrate 7, the wiring 4c, the wiring 4 extending in the cured film 3, and the like.
  • the cured film hides the wiring, suppresses the glare of the wiring, makes it difficult to see from the outside, and improves the design. Furthermore, visibility can be improved by reducing reflection of external light and improving contrast.
  • the method for manufacturing a display device of the present invention preferably includes a step (D8) of providing a partition wall having a thickness equal to or greater than the thickness of the light emitting element before the step (D1).
  • FIG. 17a shows a step (D8) in which partition walls 15 having a thickness equal to or greater than the thickness of the light emitting element 2 are provided on the support substrate 18, and FIG.
  • the step (D1) of providing the light emitting element 2 is shown.
  • FIG. 17c is a step similar to the step (D2) shown in FIG. 7b, in which a resin film 19 is disposed while the partition wall 15 remains in place.
  • resin (A) may be used, or known materials such as epoxy resin, (meth)acrylic polymer, polyurethane, polyester, polyolefin, and polysiloxane may be used. Further, a light shielding part or a reflecting part may be provided.
  • the method further includes a driving element and a substrate, the driving element is connected to the light emitting element through wiring, and at least a part of the wiring is connected to the light emitting element.
  • the driving element is connected to the light emitting element through wiring, and at least a part of the wiring is connected to the light emitting element.
  • FIG. 7h shows a step (D9) in which the driving element has a driving element and a substrate, and the driving element is connected to the light emitting element through wiring.
  • the driving element is connected to the light emitting element 2 through the wirings 4 and 4c, and a portion of the wiring 4c extends to the side surface of the light emitting element driving board 7. Note that if the light emitting element driving substrate 7 has a through electrode, it may be connected to the driving element 8 through the through electrode.
  • the height of the display device itself can be reduced and high-speed response can be improved, and the display device can also be made smaller and have a narrower frame.
  • the method for manufacturing a display device of the present invention further includes a step (D10) of providing a light shielding layer between the plurality of light emitting elements.
  • FIG. 18a shows a step (D10) of providing a light shielding layer 25 between a plurality of light emitting elements 2.
  • the light shielding layer 25 may be formed before forming the light emitting element 2, or may be formed after forming the light emitting element 2.
  • the light shielding layer 25 may be composed of a cured film obtained by curing a resin composition containing (A) resin and (E) a coloring material, or may be composed of a material other than the resin composition containing (A) resin. Also, known materials such as epoxy resins, (meth)acrylic polymers, polyurethanes, polyesters, polyolefins, and polysiloxanes may be used.
  • a black pigment may be used, such as black organic pigments such as carbon black, perylene black, and aniline black, graphite, and titanium, copper, iron, manganese, cobalt, chromium, nickel, and zinc.
  • metal fine particles such as calcium and silver
  • inorganic pigments such as metal oxides, composite oxides, metal sulfides, metal nitrides, and metal oxynitrides.
  • it may be made black by combining a red pigment, a blue pigment, and, if necessary, a yellow pigment or other pigments.
  • a dye may also be used. Two or more types of colorants may be contained.
  • Photosensitivity may be imparted to the resin composition containing (A) resin and (E) colorant, and (B) photosensitizer described below may be used.
  • a photolithography process may be used; if it does not have photosensitivity, a photoresist is formed on the light shielding layer, and then a photolithography process or an etching process is used. Alternatively, an etching process with a mask may be used.
  • a patterned colored film can be obtained by heat-treating (post-baking) the obtained pattern. The heat treatment may be performed in air, under a nitrogen atmosphere, or in a vacuum state.
  • the heating temperature is preferably 100 to 300°C, and the heating time is preferably 0.25 to 5 hours. The heating temperature may be changed continuously or in steps.
  • the method for manufacturing a display device of the present invention is a method for manufacturing a display device having a light emitting element each having at least wiring, a cured film, and a plurality of electrodes on two different surfaces, the method comprising a step of arranging pads on a support substrate. (E1), forming a resin film made of a resin composition containing (A) resin on the support substrate and the pad (E2), exposing and developing the resin film to form the resin film; a step (E3) of forming a plurality of penetrating opening patterns in the film; curing the resin film; and the cured film having a transmittance of light at a wavelength of 450 nm of 0.1% or more and 95% or less at a thickness standard of 1 ⁇ m.
  • the method includes a step (E6) of arranging the light emitting element on the cured film.
  • FIG. 8 shows a cross-sectional view taken on a plane perpendicular to the supporting base or the counter substrate, showing an example of another manufacturing process of the display device 1 of the present invention.
  • the steps in FIGS. 8b to 8e overlap with those in FIGS. 7b to 7f, so their explanations are omitted.
  • Step (E1) is a step of arranging pads 17 on support substrate 18, as shown in FIG. 8a.
  • the pad may be made of copper, aluminum, or the like.
  • step (E2) as shown in FIG. 8b, a resin composition or a resin sheet containing (A) resin is applied or laminated on the support substrate 18 and the pad 17 to form a resin film 19. It is a process. Note that “on the support substrate” and “on the pad” refer to not only the surface of the support substrate and the surface of the pad, but also the upper side of the support substrate and the pad.
  • a resin film may be formed by coating or laminating a resin sheet formed from a resin composition containing a resin or (A) resin.
  • step (E3) is a step of forming a plurality of penetrating opening patterns 12 in the resin film 19 using a photolithography process, as shown in FIG. 8c.
  • step (E10) as shown in FIG. 8c, the resin film 19 is cured so that the transmittance of light with a wavelength of 450 nm at a thickness standard of 1 ⁇ m is 0.1% or more and 95% or less.
  • a barrier metal such as titanium is sputtered on the cured film 3, and a copper seed (seed layer) is further deposited on top of it by sputtering.
  • step (E5) after forming a photoresist layer (not shown), the wiring 4 made of copper or a conductive film is formed by plating, sputtering, or processing with a photosensitive conductive paste.
  • This is a step of forming the opening pattern 12 of the cured film 3 and a part of the surface of the cured film 3 by et al. After that, unnecessary photoresist, seed layer, and barrier metal are removed.
  • the method for manufacturing a display device of the present invention includes repeating the step (E2), the step (E3), the step (E10), and the step (E5) a plurality of times to produce a cured film having the wiring in the cured film. It is preferable to have a step of forming a plurality of layers.
  • the cured film 3 and the wiring 4 can be formed by repeating the same method again to form a cured film 3 consisting of two or more layers as shown in FIG. 8e.
  • step (E6) is a step of arranging the light emitting element 2 on the cured film 3 so as to maintain electrical connection with the wiring 4, as shown in FIG. 8f.
  • the electrode 6 of the light emitting element 2 and the wiring 4 may be connected directly, or may be connected via a bump, a conductive film, etc., for example.
  • step (E7) of forming a cured film 21 on the cured film 3 and the light emitting element 2.
  • the cured film 21 (A) a resin composition containing a resin is applied, or (A) a resin sheet composed of a resin composition containing a resin is laminated to form a resin film composed of a resin composition, and then cured. It is preferable to form the cured film 21 by doing so.
  • it may be composed of a material other than the resin composition containing the resin (A), and known materials such as epoxy resin, silicone resin, and fluororesin may be used.
  • Curing conditions vary depending on the type of resin, but include, for example, 80° C. to 230° C. for 15 minutes to 5 hours. The purpose of this is to protect and planarize the light emitting element by forming a cured film on the light emitting element.
  • FIG. 8g shows an example in which the cured film 21 is formed and then the wiring 4d is formed thereon.
  • the electrode 6 and the wiring 4d may be connected through a bump, a conductive film, or the like, or may be directly connected.
  • the wiring 4d may be connected to the wiring 4 extending in the cured film 3 disposed so as to be in contact with at least a portion of the light emitting element 2 through a through electrode or the like, or may be connected to the light emitting element driving board 7. .
  • the counter substrate 5 is bonded to the cured film 21 using an adhesive or the like. Further, the supporting substrate 18 is peeled off, barrier metal 9 and bumps 10 are formed, and the light emitting element driving substrate 7 to which a driving element 8 such as a driver IC is added is electrically connected via the bump 10.
  • the drive element 8 is electrically connected to the light emitting elements 2 via the wiring 4 extending in the cured film 3, thereby obtaining the display device 1 having a plurality of light emitting elements 2.
  • the wiring 4 may include an electrode.
  • One or more drive elements 8 are used for one light emitting element 2, one unit of light emitting element 2 consisting of red, blue, and green, a plurality of light emitting elements 2, or a plurality of units of light emitting elements 2 according to function.
  • one or more driving elements may be arranged near the light emitting element during the process shown in FIG. 8. In that case, the driving element is electrically connected to the light emitting element 2 via the light emitting element driving substrate 7, the wiring 4c, the wiring 4 extending in the cured film 3, and the like.
  • the cured film 3 hides the wiring 4, suppresses the glare of the wiring 4, makes it difficult to see from the outside, and improves the design. Furthermore, visibility can be improved by reducing reflection of external light and improving contrast.
  • the method for manufacturing a display device of the present invention preferably has a step (E9) of providing a partition wall having a thickness equal to or greater than the thickness of the light emitting element after the step (E5).
  • FIG. 9f shows a step (E9) of providing partition walls 15 after forming a plurality of layers of the cured film 3 shown in FIG. 8e. Thereafter, the light emitting element 2 is provided between the partition walls 15 as shown in FIG. 9g, and then the wiring 4d and the electrode 6 are electrically connected as shown in FIG. At the same time as bonding the counter substrate 5, the support substrate 18 is peeled off to form the barrier metal 9 and the bumps 10, which are electrically connected to the light emitting element drive substrate 7 having the drive elements 8 such as driver ICs via the bumps 10. .
  • the method for manufacturing a display device of the present invention further includes a driving element and a substrate, the driving element is connected to the light emitting element through wiring, and at least a part of the wiring comprises: It is preferable to include a step (E11) extending to a side surface of the substrate.
  • step (E11) is shown in FIG.
  • FIG. 8h shows a step (E11) in which a driving element and a substrate are provided, and the driving element is connected to a light emitting element through wiring.
  • the driving element is connected to the light emitting element 2 through the wirings 4 and 4c, and a portion of the wiring 4c extends to the side surface of the light emitting element driving board 7. Note that if the light emitting element driving substrate 7 has a through electrode, it may be connected to the driving element 8 through the through electrode.
  • the height of the display device itself can be reduced and high-speed response can be improved, and the display device can also be made smaller and have a narrower frame.
  • the method for manufacturing a display device of the present invention is a method for manufacturing a display device having a light emitting element each having at least wiring, a cured film, and a plurality of electrodes on two different surfaces, the method comprising: (A) resin on a substrate or the like; a step (F1) of forming a resin film made of a resin composition containing a resin composition; a step (F2) of forming a plurality of penetrating opening patterns in the resin film by exposing and developing the resin film; to form the cured film having a transmittance of 0.1% or more and 95% or less for light at a wavelength of 450 nm at a thickness standard of 1 ⁇ m (F3), at least a part of the surface of the cured film and a step (F4) of forming the wiring in a part of the opening pattern of the cured film; a step (F5) of arranging the light emitting element on the cured film so as to maintain electrical connection with the wiring; have
  • FIG. 19 shows a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the light emitting element driving substrate, showing an example of the manufacturing process of the display device 1 according to the second aspect of the present invention.
  • Step (F1) is a step of forming a resin film made of a resin composition containing resin (A) on a substrate or the like, as shown in FIG. 19a.
  • a resin film may be formed by coating or laminating a resin composition containing the resin (A) or a resin sheet formed from the resin composition containing the resin (A).
  • FIG. 19a shows an example of a TFT array substrate in which a TFT 22, an insulating film 23, and wiring 4 are arranged on a glass substrate.
  • the insulating film 23 is not particularly limited, but includes, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, an insulating film made of an organic material, and the like.
  • step (F2) is a step of forming a plurality of penetrating opening patterns in the resin film using a photolithography process, as shown in FIG. 19a.
  • step (F3) by curing the resin film, a cured film having a transmittance of light with a wavelength of 450 nm of 0.1% or more and 95% or less at a thickness standard of 1 ⁇ m is formed. This is the process of forming 3.
  • step (F4) is a step of forming wiring on at least a part of the surface of the cured film and a part of the opening pattern of the cured film, as shown in FIG. 19b.
  • a photoresist layer (not shown)
  • this is a step of forming, for example, a wiring 4e on a part of the surface of the cured film 3 by sputtering or processing a photosensitive conductive paste. After that, unnecessary photoresist is removed.
  • the wiring 4e is mainly made of gold, silver, copper, aluminum, nickel, titanium, molybdenum, alloys containing these, or oxides of at least one element among indium, gallium, zinc, tin, titanium, and niobium.
  • Examples include photosensitive conductive pastes containing compounds, organic substances, and conductive particles as components, but other known materials may also be used.
  • the method for manufacturing a display device of the present invention includes repeating the step (F1), the step (F2), the step (F3), and the step (F4) a plurality of times to form a cured film having the wiring in the cured film. It is preferable to have a step of forming a plurality of layers.
  • a cured film 3 consisting of two or more layers can be formed as shown in FIG. 19c. After that, wiring 4c is formed.
  • step (F5) is a step of arranging the light emitting element 2 on the cured film 3 so as to maintain electrical connection with the wiring 4e, as shown in FIG. 19d.
  • the electrode 6 and the wiring 4e may be connected through a bump, a conductive film, or the like, or may be directly connected.
  • the partition wall 15 may be formed before or after the light emitting element 2 is arranged. Thereafter, after forming the cured film 21, the wiring 4d is formed.
  • the wiring 4d may be connected to the wirings 4 and 4e extending in the cured film 3 disposed so as to be in contact with at least a portion of the light emitting element 2 through a through electrode or the like, or may be connected to the light emitting element driving board 7. .
  • the counter substrate 5 is bonded together using an adhesive or the like.
  • the drive element 8 such as a driver IC is electrically connected to the light emitting elements 2 via the wiring 4c and the wirings 4 and 4e extending in the cured film 3, thereby displaying the display device 1 having a plurality of light emitting elements 2.
  • the wirings 4d and 4e also include electrodes.
  • One or more drive elements 8 are used for one light emitting element 2, one unit of light emitting element 2 consisting of red, blue, and green, a plurality of light emitting elements 2, or a plurality of units of light emitting elements 2 according to function.
  • one or more driving elements may be placed near the light emitting element during the process shown in FIG. 19. In that case, the driving element is electrically connected to the light emitting element 2 via the light emitting element driving substrate 7, the wiring 4c, the wiring 4 extending in the cured film 3, and the like.
  • the electrical insulation of the wiring can be ensured by the cured film, and by extending the wiring into the cured film, the light emitting operation is controlled by electrically connecting the electrode of the light emitting element and the driving element. I can do it.
  • the cured film hides the wiring, suppresses glare from the wiring, makes it difficult to see from the outside, and improves design. Furthermore, visibility can be improved by reducing reflection of external light and improving contrast.
  • the method for manufacturing a display device of the present invention is a method for manufacturing a display device having a light emitting element each having at least wiring, a cured film, and a plurality of electrodes on two different surfaces, the method comprising: (A) resin on a substrate or the like; a step (G1) of forming a resin film made of a resin composition containing a resin composition; a step (G2) of forming a plurality of penetrating opening patterns in the resin film by exposing and developing the resin film; to form the cured film having a transmittance of 0.1% or more and 95% or less for light at a wavelength of 450 nm at a thickness standard of 1 ⁇ m (G3), at least a part of the surface of the cured film and
  • the method may include a step (G4) of forming the wiring in a part of the opening pattern of the cured film, and a step (G5) of arranging the light emitting element so as to maintain electrical connection with the wiring.
  • FIG. 29 shows a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the light emitting element drive substrate, showing an example of the manufacturing process of the display device 1 according to the second aspect of the present invention.
  • Step (G1) is a step of forming a resin film made of a resin composition containing resin (A) on a substrate or the like, as shown in FIG. 29a.
  • a resin film may be formed by coating or laminating a resin composition containing the resin (A) or a resin sheet formed from the resin composition containing the resin (A).
  • FIG. 29a shows an example of a TFT array substrate in which a TFT 22, an insulating film 23, and wiring 4 are arranged on a glass substrate.
  • the insulating film 23 is not particularly limited, but includes, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, an insulating film made of an organic material, and the like.
  • step (G2) is a step of forming a plurality of penetrating opening patterns in the resin film using a photolithography process, as shown in FIG. 29a.
  • step (G3) as shown in FIG. 29a, the resin film is cured to form a cured film having a transmittance of light with a wavelength of 450 nm of 0.1% or more and 95% or less at a thickness standard of 1 ⁇ m. This is the process of forming 3.
  • step (G4) is a step of forming wiring on at least a part of the surface of the cured film and a part of the opening pattern of the cured film, as shown in FIG. 29b.
  • a photoresist layer (not shown)
  • this is a step of forming, for example, a wiring 4e on a part of the surface of the cured film 3 by sputtering or processing a photosensitive conductive paste. After that, unnecessary photoresist is removed.
  • the wiring 4e is mainly made of gold, silver, copper, aluminum, nickel, titanium, molybdenum, alloys containing these, or oxides of at least one element among indium, gallium, zinc, tin, titanium, and niobium.
  • Examples include photosensitive conductive pastes containing compounds, organic substances, and conductive particles as components, but other known materials may also be used.
  • the wiring 4c is formed as shown in FIG. 29c.
  • step (G5) is a step of arranging the light emitting element 2 so as to maintain electrical connection with the wiring 4e, as shown in FIG. 29d.
  • the electrode 6 and the wiring 4e may be connected through a bump, a conductive film, or the like, or may be directly connected.
  • the cured film 3 or the partition wall 15 may be formed before or after disposing the light emitting element 2. Thereafter, after forming the cured film 21, the wiring 4d is formed.
  • the wiring 4d may be connected to the wirings 4 and 4e extending in the cured film 3 disposed so as to be in contact with at least a portion of the light emitting element 2 through a through electrode or the like, or may be connected to the light emitting element driving board 7. .
  • the counter substrate 5 is bonded together using an adhesive or the like.
  • the drive element 8 such as a driver IC is electrically connected to the light emitting elements 2 via the wiring 4c and the wirings 4 and 4e extending in the cured film 3, thereby displaying the display device 1 having a plurality of light emitting elements 2.
  • the wirings 4d and 4e also include electrodes.
  • One or more drive elements 8 are used for one light emitting element 2, one unit of light emitting element 2 consisting of red, blue, and green, a plurality of light emitting elements 2, or a plurality of units of light emitting elements 2 according to function.
  • one or more driving elements may be placed near the light emitting element during the process shown in FIG. 29. In that case, the driving element is electrically connected to the light emitting element 2 via the light emitting element driving substrate 7, the wiring 4c, the wiring 4 extending in the cured film 3, and the like.
  • the electrical insulation of the wiring can be ensured by the cured film, and by extending the wiring into the cured film, the light emitting operation is controlled by electrically connecting the electrode of the light emitting element and the driving element. I can do it.
  • the cured film hides the wiring, suppresses glare from the wiring, makes it difficult to see from the outside, and improves design. Furthermore, visibility can be improved by reducing reflection of external light and improving contrast.
  • the display device of the present invention is suitably used for display devices such as various LED displays, various lamps for vehicles, and the like.
  • a varnish made of a resin composition was spin-coated onto a 5 cm square glass substrate so that the film thickness after heat treatment at 230° C. for 1 hour was 1.0 ⁇ m or more, and prebaked at 120° C. for 3 minutes. Thereafter, using a high-temperature clean oven CLH-21CD-S manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd., the temperature was raised from 50°C to 110°C at a rate of 3.5°C/min under a nitrogen stream with an oxygen concentration of 100 ppm or less. Heat treatment was performed at 110°C for 30 minutes.
  • the thickness of the coating film after pre-baking and after development was measured using an optical interference film thickness measuring device Lambda Ace STM-602 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. with a refractive index of 1.629. The thickness of the film was measured using a refractive index of 1.629.
  • the transmittance of the thus obtained cured film at a wavelength of 450 nm was measured using a double beam spectrophotometer U-2910 (manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd.).
  • the film thickness of the heat-resistant resin film after heat treatment was not 1.0 ⁇ m or 5.0 ⁇ m, the film thickness of the measured transmission spectrum was converted to 1.0 ⁇ m or 5.0 ⁇ m according to Lambert's law. value.
  • the wiring concealing ability of the cured film was evaluated using the display devices described in the Examples and Comparative Examples below.
  • a microscope was used for the measurement.
  • the glare of the wiring was suppressed using a microscope, and visually evaluated whether it was hidden.
  • a display device in which the glare of at least a portion of the wiring is suppressed by a hardened film and is difficult to see is considered to be hidden and is considered good. 2.
  • a display device in which the wiring can be clearly confirmed visually due to the hardened film. was rated 1 as defective.
  • a varnish made of a resin composition was prepared and applied onto an 8-inch silicon wafer using a spin coating method using a coating and developing device ACT-8 (manufactured by Tokyo Electron Ltd.) so that the film thickness after heat treatment was 5 ⁇ m.
  • Coating and pre-baking were performed to prepare a pre-baked film. Prebaking was performed at 120°C for 3 minutes. Thereafter, each layer was exposed to light using an i-line stepper (manufactured by Nikon Corporation, NSR-2205i14) at an exposure dose of 50 to 1000 mJ/cm 2 .
  • the size of the circular pattern used for exposure was 5 to 30 ⁇ m.
  • TMAH tetramethylammonium
  • Tama Chemical Industries tetramethylammonium
  • the film was developed, then rinsed with pure water, and dried by shaking to obtain a patterned film. Alternatively, it was developed using cyclopentanone and dried by shaking to obtain a patterned film.
  • a photoresist was formed before exposure, then exposed and developed, and the photoresist was removed after development.
  • the film thicknesses after prebaking and after development were measured using an optical interference film thickness measuring device Lambda Ace STM-602 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd., with a refractive index of 1.629.
  • the wafer was taken out when the temperature became 50° C. or less, the wafer was cut, and the cross-sectional shape of a circular pattern of 5 to 30 ⁇ m was observed and measured using a scanning electron microscope S-4800 (manufactured by Hitachi High-Tech).
  • the angle of the inclined side was determined by connecting the opening pattern at the position halved in the thickness direction of the cured film and the opening pattern at the bottom with a straight line.
  • Level A those with an angle of 55° or more and 80° or less are classified as Level A
  • Level B those with an angle of 40° or more and less than 55° or greater than 80° and 85° or less are classified as Level B
  • Level C those with an angle of 40° or more and less than 85° are classified as Level B. It was rated as level C.
  • diimidazole dodecanoate (7.4 g, 0.023 mol), 1,1'-(4,4'-oxybenzoyl)diimidazole (hereinafter referred to as PBOM) (8.1 g, 0.023 mol) ) was added together with 25 g of NMP and reacted at 85° C. for 3 hours.
  • PBOM 1,1'-(4,4'-oxybenzoyl)diimidazole
  • SiDA 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane
  • ODPA 4,4'-oxydiphthalic anhydride
  • reaction solution was poured into 3 L of water to obtain a white precipitate.
  • This precipitate was collected by filtration, washed twice with water and once with isopropanol, and then dried in a vacuum dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor (A-9).
  • EA ethyl acrylate
  • 2-EHMA 2-ethylhexyl methacrylate
  • St styrene
  • St acrylic acid
  • 0.8 g of 2,2'-azobisisobutyronitrile and 10 g of DMEA was added dropwise over a period of 1 hour. After the dropwise addition was completed, a polymerization reaction was further carried out at 80° C. under a nitrogen atmosphere for 6 hours.
  • the acid value of the obtained acrylic resin (A-10) was 103 mgKOH/g.
  • the obtained 17.50 g of resin solution, 44.02 g of silver particles with an average particle size of 1.0 ⁇ m, and 0.28 g of carbon black with an average particle size of 0.05 ⁇ m were mixed, and the mixture was milled using a three-roller mill “EXAKT M -50'' (manufactured by EXAKT) to obtain 61.8 g of photosensitive conductive paste 1.
  • the average particle diameter of silver particles and carbon black was determined by observing each particle using an electron microscope (SEM) at a magnification of 10,000 times and a field of view width of 12 ⁇ m, and 40 randomly selected silver particles and carbon black. The maximum width of each primary particle was measured, and their number average value was calculated.
  • the obtained preliminary dispersion was supplied to an Ultra Apex Mill, a dispersion machine manufactured by Kotobuki Kogyo Co., Ltd. equipped with a centrifugal separator filled with 75% by volume of 0.05 mm ⁇ zirconia beads, and dispersed for 3 hours at a rotational speed of 8 m/s.
  • This carbon black CB-Bk1 (200g), a 40% by mass solution (94g) of propylene glycol monomethyl ether acetate of acrylic resin (A-11), a 40% by mass solution (31g) of Bic Chemie Japan LPN21116 as a polymer dispersant, and Propylene glycol monomethyl ether acetate (675 g) was placed in a tank and stirred for 1 hour using a homomixer (manufactured by Tokushu Kika) to obtain a preliminary dispersion.
  • a homomixer manufactured by Tokushu Kika
  • the preliminary dispersion liquid was supplied to an Ultra Apex mill (manufactured by Kotobuki Kogyo) equipped with a centrifugal separator filled with 70% of 0.05 mm ⁇ zirconia beads (YTZ balls manufactured by Nikkato), and dispersion was performed at a rotation speed of 8 m/s for 2 hours.
  • Pigment Dispersion 1 (C-4-1)> After mixing 57.7 g of "Solsperse (registered trademark)" 20000 (polyether polymer resin dispersant having a tertiary amino group at the end of the molecule) with 750.0 g of PGMEA as a solvent and stirring for 10 minutes. , 192.3 g of titanium nitride (average primary particle size 25 nm; "TiN” in the table) was added and stirred for 30 minutes, followed by wet media dispersion treatment and filtration using a horizontal bead mill (PP filter pore size 0.8 ⁇ m). Pigment dispersion 1 (C-4-1) was prepared. Note that the average dispersed particle diameter of titanium nitride contained in Pigment Dispersion 1 was 85 nm.
  • ⁇ Preparation Example 7 Preparation of Pigment Dispersion 2 (C-4-2)>
  • the organic blue pigment C.I. I. Pigment Blue 60 (average primary particle size 60 nm), an organic red pigment C.I. I. Pigment Red 190 (average primary particle size 55 nm), organic yellow pigment C.I. I. Pigment Yellow 192 (average primary particle size: 40 nm) was used to prepare each pigment dispersion in the same manner as in Preparation Example 1.
  • I. Pigment Blue 60 has an average dispersed particle size of 162 nm
  • C.I. I. Pigment Red 190 has an average dispersed particle size of 110 nm
  • Pigment Yellow 192 had an average dispersed particle diameter of 90 nm. 400.0 g of organic blue pigment dispersion, 300.0 g of organic red pigment dispersion, and 300.0 g of organic yellow pigment dispersion were mixed and stirred for 10 minutes to prepare pigment dispersion 2 (C- 4-2) was prepared.
  • Table 1 shows the formulation of the resin composition composed of (A) resin, (B) photosensitizer, (C) colorant, etc.
  • Resin composition 1-21 was prepared using the solvents listed in Table 1 so that the solid content concentration was 40% by mass.
  • Tables 2-1 and 2-2 show the resin compositions used in the examples, the light transmittance (%) at a wavelength of 450 nm based on the thickness of the cured film of the resin composition of 5 ⁇ m, and the overall percentage of the cured film. The thickness ( ⁇ m), the number of layers of the cured film, the shape and length of the opening pattern obtained by processing the cured film, and the angle of the inclined side of the opening pattern are shown.
  • Level A display devices in which the wiring glare is suppressed and hidden by a cured film and the longest length of the opening pattern is 2 ⁇ m or less are classified as Level A; Level B displays that suppress glare, are concealed, and have an aperture pattern with a maximum length of 5 ⁇ m or less; display devices that suppress wiring glare with a cured film, are concealed, and have an aperture pattern that has a maximum length of 5 ⁇ m or less; 20 ⁇ m or less is Level C, and a display device in which the glare of the wiring is suppressed and hidden by a cured film and the longest length of the opening pattern is greater than 20 ⁇ m is Level D. Level E is when the wiring can be clearly confirmed visually.
  • evaluation level (2) those with an angle of slanted sides of 55° or more and 80° or less are classified as Level A, and those that are 40° or more and less than 55° or greater than 80° and 85° or less are classified as Level B, less than 40° or 85°. The larger one was rated as level C.
  • Example 1 (Configuration of Figure 7) An embodiment of the display device of the present invention will be described in accordance with a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the supporting base or the counter substrate showing the manufacturing process in FIG.
  • a glass substrate was used as the support substrate 18.
  • a temporary attachment material made of polyimide was placed on the glass substrate, and ITO was formed as a wiring 4d on a part of the surface of the temporary attachment material by sputtering.
  • the light emitting element 2 which is a light emitting element, was placed on the support substrate 18 (corresponding to step (D1)).
  • the thickness of the light emitting element 2 was 7 ⁇ m, the length of one side was 30 ⁇ m, and the length of the other side was 50 ⁇ m.
  • the resin composition 1 shown in Table 1 was coated on the support substrate 18 and the light emitting element 2 so as to have a thickness of 10 ⁇ m after heat treatment to form a resin film 19 (step (equivalent to D2)).
  • i-line (365 nm) was irradiated onto the resin film 19 through a mask having a desired pattern.
  • the exposed resin film 19 was developed using a 2.38 mass % tetramethylammonium (TMAH) aqueous solution to form a plurality of opening patterns 12 penetrating the resin film 19 in the thickness direction (step (D3)).
  • TMAH tetramethylammonium
  • the shape of the opening pattern was circular, and the longest length of the bottom part in the smallest area of the opening pattern was 2 ⁇ m in diameter.
  • the resin film 19 was heat-treated at 110° C. for 30 minutes in an atmosphere with an oxygen concentration of 100 ppm or less, and then further heat-treated at 230° C. for 60 minutes to form a cured film 3 with a thickness of 10 ⁇ m (step ( D4)).
  • the resin film 19 is cured as it is to become the cured film 3.
  • a titanium barrier metal was sputtered on the cured film 3, and a copper seed layer was further formed thereon by a sputtering method.
  • a wiring 4 made of copper that is electrically connected to the light emitting element 2 is formed on the opening pattern 12 of the cured film 3 and a part of the surface of the cured film 3 by a plating method.
  • the photoresist, seed layer, and barrier metal were removed (corresponding to step (D5)).
  • the thickness of the wiring 4a formed on a part of the surface of the cured film 3 was 5 ⁇ m.
  • step (D2), step (D3), step (D4), and step (D5) were repeated twice to form three layers of cured film 3.
  • the total thickness of the three-layer cured film 3 was 30 ⁇ m.
  • a barrier metal 9 was formed in the opening pattern 12 of the cured film 3 by sputtering to form a bump 10.
  • the solder is reflowed at 260° C. for 1 minute to electrically connect to the light emitting element driving board 7 having the driver IC, which is the driving element 8, through the bumps 10, and then to the supporting substrate. 18 was peeled off and the counter substrate 5 was bonded together using an adhesive or the like, thereby obtaining a display device 1 having a plurality of light emitting elements 2.
  • a glass substrate having copper wiring was used as the light emitting element driving substrate 7, and on the side thereof, wiring 4c was used as shown in FIG. 7h, and the photosensitive conductive paste 1 of Preparation Example 1 was used as the wiring 4c ( (corresponds to step D9).
  • the wiring 4c was manufactured as follows.
  • the transfer sample was pasted on both sides so that part of the wiring was placed on the edge of the glass with the R-chamfered part, the side surface of the glass was pressed against a hot plate at 130°C for 30 seconds, and then a hot roll laminator was used. The remaining portion was transferred under the conditions of , 130° C., and 1.0 m/min.
  • Example 2 A display device 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the resin composition 1 of Example 1 was replaced with a resin sheet made of resin composition 2 and the resin film 19 was formed by lamination.
  • Examples 3 to 14 Display devices 3 to 14 were obtained in the same manner as in Example 1 except that Resin Composition 1 in Example 1 was changed to Resin Compositions 3 to 14.
  • Example 15 Regarding Example 1, resin composition 1 was coated on support substrate 18 and light emitting element 2 so as to have a thickness of 20 ⁇ m after heat treatment, thereby forming resin film 19. As a result, a display device 15 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the total thickness of the three-layer cured film 3 was 40 ⁇ m.
  • Example 16 An embodiment of the display device of the present invention will be described in accordance with a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the supporting base or the counter substrate showing the manufacturing process in FIG.
  • pads 17 made of copper were placed on support substrate 18 (corresponding to step (E1)).
  • the thickness of the pad was 0.2 ⁇ m.
  • the resin composition 2 shown in Table 1 was coated on the support substrate 18 and the pad 17 so as to have a thickness of 10 ⁇ m after heat treatment to form a resin film 19 (step ( E2)).
  • the resin film 19 was cured under the same conditions as in Example 1 to form a cured film 3 with a thickness of 10 ⁇ m (corresponding to step (E4)).
  • a barrier metal such as titanium is sputtered on the cured film 3, and a copper seed (seed layer) is further deposited on top of it by sputtering. Formed.
  • a wiring 4 made of copper was formed on the opening pattern 12 of the cured film 3 and a part of the surface of the cured film 3 by plating (step (equivalent to E5)).
  • the thickness of the wiring 4 formed on a part of the surface of the cured film 3 was 5 ⁇ m.
  • step (E2), step (E3), step (E4), and step (E5) were repeated twice to form three layers of cured film 3 having wiring 4 in cured film 3, as shown in FIG. 8e. .
  • the total thickness of the three-layer cured film 3 was 30 ⁇ m.
  • the light emitting element 2 was placed on the cured film 3 so as to maintain electrical connection with the wiring 4 (corresponding to step (E6)).
  • the thickness of the light emitting element 2 was 7 ⁇ m.
  • a resin film 19 made of the resin composition 2 was formed on the light emitting element 2 and cured by heat treatment to form a cured film 21.
  • the cured film 21 was formed by heat treatment at 110° C. for 30 minutes in an atmosphere with an oxygen concentration of 100 ppm or less, and then further heat treatment at 230° C. for 60 minutes.
  • ITO was formed as a wiring 4d on a part of the surface of the cured film 21 by sputtering.
  • the support substrate 18 is peeled off, and the light emitting element driving substrate 7 having the driver IC, which is the driving element 8, is electrically connected to the light emitting element 2 via the bumps 10.
  • the counter substrate 5 By bonding the counter substrate 5 together using an adhesive or the like, a display device 16 having a plurality of light emitting elements 2 was obtained.
  • a glass substrate having copper wiring was used as the light-emitting element drive substrate 7, and on the side thereof, wiring 4c was used as shown in FIG. 8h, and the photosensitive conductive paste 1 of Preparation Example 1 was used as the wiring 4c.
  • Example 17 Example 16 except that the resin composition 2 of Example 16 was changed to resin composition 10, the support substrate 18 was used as the light emitting element driving substrate 7 on which the wiring 4c was formed, and it was used as it was without going through the peeling process. A display device 17 was obtained in the same manner as above.
  • Example 18 In Example 16, T693/R4000Series (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.) was used as the cured film 21 to be formed on the light emitting element 2, and the cured film 21 was formed by heat treatment at 150° C. for 60 minutes. A display device 18 was obtained in the same manner as in Example 16.
  • Example 19 After forming a plurality of layers of the cured film 3 shown in FIG. 8e in the same manner as in Example 15, the resin composition 2 was applied between and around the light emitting elements 2 to be disposed later, as shown in FIG. 9f. After forming the partition walls 15 (corresponding to step (E9)), a plurality of light emitting elements 2 are arranged as shown in FIG. 9g, and as shown in FIG. By electrically connecting the light emitting element driving substrate 7 having the driver IC, which is the driving element 8, and bonding the counter substrate 5 to the light emitting element 2 using an adhesive or the like, a plurality of light emitting elements 2 can be formed. A display device 19 having the following was obtained. Note that the thickness of the light emitting element 2 was 7 ⁇ m, and the thickness of the partition wall was 10 ⁇ m.
  • Example 20 As shown in FIG. 17a, partition walls 15 were formed on support substrate 18 (corresponding to step D8). Next, as shown in FIG. 17b, light emitting elements 2 were formed between the partition walls 15 (step (corresponding to D1)). Other than that, the display device 20 was manufactured using the same steps as in Example 3. In addition, the thickness of the light emitting element 2 was 7 ⁇ m, and the thickness of the partition wall 15 was formed to be 10 ⁇ m. For the partition wall 15, an acrylic resin containing a known white pigment was used.
  • Example 21 The display device 21 was obtained in the same manner as in Example 1 except that resin composition 1 in Example 1 was changed to resin composition 17, a photoresist was formed before exposure, and the photoresist was removed after development. Ta.
  • Example 22 A display device 22 was obtained in the same manner as in Example 1 except that Resin Composition 1 in Example 1 was changed to Resin Composition 18.
  • Example 23 A display device 23 was obtained in the same manner as in Example 1 except that Resin Composition 1 in Example 1 was changed to Resin Composition 19 and the exposed resin film 19 was developed using cyclopentanone. Ta.
  • Example 24-25 Resin composition 1 in Example 1 was changed to resin compositions 20 to 21, and resin composition 1 listed in Table 1 was coated on the support substrate 18 and the light emitting element 2 to a thickness of 8 ⁇ m after heat treatment. , a resin film 19 was formed (corresponding to step (D2)).
  • i-line (365 nm) was irradiated onto the resin film 19 through a mask having a desired pattern.
  • the exposed resin film 19 was developed using a 2.38 mass % tetramethylammonium (TMAH) aqueous solution to form a plurality of opening patterns 12 penetrating the resin film 19 in the thickness direction (step (D3)). ).
  • TMAH tetramethylammonium
  • the resin film 19 was heat-treated at 110° C. for 30 minutes in an atmosphere with an oxygen concentration of 100 ppm or less, and then further heat-treated at 230° C. for 60 minutes to form a cured film 3 with a thickness of 8 ⁇ m (step ( D4)).
  • the resin film 19 is cured as it is to become the cured film 3.
  • a titanium barrier metal was sputtered on the cured film 3, and a copper seed layer was further formed thereon by a sputtering method.
  • a wiring 4 made of copper that is electrically connected to the light emitting element 2 is formed on the opening pattern 12 of the cured film 3 and a part of the surface of the cured film 3 by a plating method.
  • the photoresist, seed layer, and barrier metal were removed (corresponding to step (D5)).
  • the thickness of the wiring 4a formed on a part of the surface of the cured film 3 was 2 ⁇ m.
  • step (D2), step (D3), step (D4), and step (D5) were repeated twice to form three layers of cured film 3.
  • the second and third cured films 3 were formed to have a thickness of 4 ⁇ m after the heat treatment.
  • the total thickness of the three-layer cured film 3 was 16 ⁇ m.
  • display devices 24 to 25 were obtained in the same manner as in Example 1.
  • Example 26 A display device 26 was obtained in the same manner as in Example 16 except that Resin Composition 2 in Example 16 was changed to Resin Composition 18.
  • Example 27 A display device 27 was obtained in the same manner as in Example 16 except that resin composition 2 in Example 16 was changed to resin composition 19 and the exposed resin film 19 was developed using cyclopentanone. Ta.
  • Example 28-29 Resin composition 2 in Example 16 was changed to resin compositions 20 to 21, and as shown in FIG. to form a resin film 19 (corresponding to step (E2)).
  • the resin film 19 was cured under the same conditions as in Example 1 to form a cured film 3 with a thickness of 4 ⁇ m (corresponding to step (E4)).
  • a barrier metal such as titanium is sputtered on the cured film 3, and a copper seed (seed layer) is further deposited on top of it by sputtering. Formed.
  • a wiring 4 made of copper was formed on the opening pattern 12 of the cured film 3 and a part of the surface of the cured film 3 by plating (step (equivalent to E5)).
  • the thickness of the wiring 4 formed on a part of the surface of the cured film 3 was 2 ⁇ m.
  • step (E2), step (E3), step (E4), and step (E5) were repeated twice to form three layers of cured film 3 having wiring 4 in the cured film, as shown in FIG. 8e.
  • the total thickness of the three-layer cured film 3 was 12 ⁇ m.
  • the same method as in Example 16 was carried out to obtain display devices 28 to 29.
  • Example 30 In Example 3, as shown in FIG. 7h, a TFT substrate is used as the light emitting element driving substrate 7, and a groove is formed on the side surface by laser processing, titanium and copper are formed in that order by sputtering, and then copper is formed by plating. was formed to form a wiring 4c (corresponding to step D9).
  • the display device 30 was obtained in the same manner as in Example 3 except for the above.
  • Example 31 In Example 16, as shown in FIG. 8h, a TFT substrate was used as the light emitting element drive substrate 7, a groove was formed on the side surface by laser processing, titanium and copper were formed in that order by sputtering, and then copper was formed by plating. was formed to form a wiring 4c (corresponding to step E11).
  • the display device 31 was obtained in the same manner as in Example 16 except for the above.
  • Example 32 On the side surface of the light emitting element drive substrate 7 of Example 30, wiring 4c was used as shown in FIG. 7h, and the photosensitive conductive paste 1 of Preparation Example 1 was used as the wiring 4c (corresponding to step D9). Other than that, the same method as in Example 30 was carried out to obtain a display device 32.
  • Example 33 On the side surface of the light emitting element drive substrate 7 of Example 31, wiring 4c was used as shown in FIG. 8h, and the photosensitive conductive paste 1 described in Example 32 was used as the wiring 4c (corresponding to step E11). Other than that, the same method as in Example 31 was performed to obtain a display device 33.
  • Example 34 The same method as in Example 30 except that a printed wiring board was used as the light emitting element driving substrate 7 of Example 30, and the driving element 8 and wiring 4 were connected through the wiring and bumps 10 in the printed wiring board without forming the wiring 4c. A display device 34 was obtained.
  • Example 35 The same method as in Example 31 except that a printed wiring board was used as the light emitting element driving substrate 7 of Example 31, and the driving element 8 and wiring 4 were connected through the wiring and bumps 10 in the printed wiring board without forming the wiring 4c. A display device 35 was obtained.
  • Example 36 As shown in FIG. 18a, a light shielding layer 25 was formed on the support substrate 18 (corresponding to step D10). Next, as shown in FIG. 18a, a light emitting element 2 was formed between the light shielding layers 25 (step (corresponding to D1)). Other than that, the display device 36 was manufactured using the same steps as in Example 3.
  • the production of the light shielding layer 25 is as follows.
  • Colored resin composition 1 was coated on the support substrate 18 to a thickness of 1 ⁇ m after heat treatment, and the coated film was dried by heating on a 100° C. hot plate for 2 minutes. This dried film was exposed to ultraviolet light at an exposure dose of 200 mJ/cm 2 using an exposure machine equipped with an ultra-high pressure mercury lamp. Next, a patterned film was obtained by developing using an alkaline developer of 0.045% by mass potassium hydroxide aqueous solution and then washing with pure water. The obtained pattern film was post-baked at 230° C. for 30 minutes in a hot air oven to obtain a light shielding layer.
  • Example 37 A display device 37 was manufactured in the same steps as in Example 36, except that the light-shielding layer 25 in Example 36 was changed to colored resin composition 2 to form the light-shielding layer 25.
  • Example 38 In FIG. 7f, the thickness of the wiring 4a in contact with the bump 10 was 10 ⁇ m, the thickness of the cured film 3 formed on a part of the surface of the wiring 4a was 15 ⁇ m, and the thickness of the entire cured film 3 was 35 ⁇ m.
  • a display device 38 was obtained in the same process as in 3.
  • Example 39 In FIG. 8b, the process was the same as in Example 16, except that the pad 18 had a thickness of 10 ⁇ m, the cured film 3 formed on a part of the surface of the pad had a thickness of 15 ⁇ m, and the entire cured film 3 had a thickness of 35 ⁇ m. A display device 39 was obtained.
  • Example 40 An embodiment of the display device of the present invention will be described according to the manufacturing process cross-sectional view of FIG. As shown in FIG. 19a, a TFT array substrate is used as the light emitting element driving substrate 7, and the resin composition 2 shown in Table 1 is coated on the light emitting element driving substrate 7 to a thickness of 3 ⁇ m after heat treatment. A film 19 was formed (corresponding to step (F1)). Note that the thickness of the wiring 4 was 1 ⁇ m.
  • the resin film 19 was cured under the same conditions as in Example 3 to form a cured film 3 with a thickness of 3 ⁇ m (corresponding to step (F3)).
  • step (F4) there is a step of forming the wiring on at least a part of the surface of the cured film and a part of the opening pattern of the cured film.
  • a photoresist layer (not shown)
  • ITO was formed as a wiring 4e on a part of the surface of the cured film 3 by sputtering. After that, unnecessary photoresist was removed. (corresponding to step (F4)).
  • the thickness of ITO was 0.1 ⁇ m.
  • steps (F1), (F2), and (F3) were repeated to cure the resin composition 3 listed in Table 1, thereby forming a cured film 3 with a thickness of 3 ⁇ m.
  • the wiring 4c using the photosensitive conductive paste 1 of Preparation Example 1 was formed as the wiring 4c.
  • partition walls 15 were formed on the cured film 3.
  • the light emitting element 2 was formed between the partition walls 15 (step (corresponding to F5)). Note that the thickness of the light emitting element 2 was 7 ⁇ m, and the thickness of the partition wall 15 was 8 ⁇ m.
  • an acrylic resin containing a known white pigment was used for the partition wall 15.
  • a resin film 19 made of the resin composition 2 was formed on the cured film 3 and the light emitting element 2, and was cured by heat treatment to form a cured film 21.
  • ITO was formed as the wiring 4d on a part of the surface of the cured film 3 by sputtering.
  • a display device 40 having a plurality of light emitting elements 2 is obtained by electrically connecting the driving element 8 such as a driver IC to the light emitting element 2 via the wiring 4c, the wiring 4 extending in the cured film 3, and the wiring 4e. Ta.
  • Example 41-42 Display devices 41 to 42 were obtained in the same manner as in Example 40, except that Resin Composition 2 in Example 40 was changed to Resin Compositions 13 and 21.
  • Example 43 Using a light emitting element 2 having electrodes on each discontinuous surface as shown in FIG. 22, a temporary attachment material made of polyimide is placed on a glass substrate, and a support substrate on which the temporary attachment material is placed is used.
  • a display device 43 was obtained in the same manner as in Example 3 except that the light emitting element 2, which is a light emitting element, was placed on the light emitting element 18 (corresponding to step (D1)).
  • Example 44 A display device 44 was obtained in the same manner as in Example 16, except that the light emitting element 2 having electrodes on discontinuous surfaces as shown in FIG. 23 was used.
  • Example 45 A display device 45 was obtained in the same manner as in Example 40, except that the light emitting elements 2 each having electrodes on discontinuous surfaces as shown in FIG. 24 were used.
  • Example 46 A display device 46 was obtained in the same manner as in Example 25, except that the number of layers of the cured film 3 was 1 and the total thickness was 5 ⁇ m.
  • Example 47 A display device 47 was obtained in the same manner as in Example 3 except that the number of layers of the cured film 3 was 5 and the total thickness was 50 ⁇ m.
  • Example 48 A display device 48 was obtained in the same manner as in Example 3 except that the number of layers of the cured film 3 was 4 and the total thickness was 60 ⁇ m.
  • Example 49 A display device 49 was obtained in the same manner as in Example 3 except that the number of layers of the cured film 3 was 11 and the total thickness was 110 ⁇ m.
  • Example 50 of the display device according to the second aspect of the present invention will be described according to a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the light emitting element driving substrate showing the manufacturing process of FIG. 29.
  • a TFT array substrate is used as the light emitting element driving substrate 7, and the resin composition 13 listed in Table 1 is coated on the light emitting element driving substrate 7 to a thickness of 3 ⁇ m after heat treatment.
  • a film 19 was formed (corresponding to step (G1)). Note that the thickness of the wiring 4 was 1 ⁇ m.
  • a plurality of opening patterns 12 were formed in the resin film 19 under the same conditions as the photolithography process shown in Example 3 (corresponding to step (G2)).
  • the resin film 19 was cured under the same conditions as in Example 3 to form a cured film 3 with a thickness of 3 ⁇ m (corresponding to step (G3)).
  • step (Gb) there is a step of forming the wiring on at least a part of the surface of the cured film and a part of the opening pattern of the cured film.
  • a photoresist layer (not shown)
  • ITO was formed as a wiring 4e on a part of the surface of the cured film 3 by sputtering. After that, unnecessary photoresist was removed. (corresponding to step (G4)).
  • the thickness of ITO was 0.1 ⁇ m.
  • a wiring 4c using the photosensitive conductive paste 1 of Preparation Example 1 was formed as the wiring 4c.
  • partition walls 15 were formed on the cured film 3.
  • the light emitting element 2 was formed between the partition walls 15 (step (corresponding to G5)). Note that the thickness of the light emitting element 2 was 7 ⁇ m, and the thickness of the partition wall 15 was 8 ⁇ m.
  • an acrylic resin containing a known white pigment was used for the partition wall 15.
  • a resin film 19 made of the resin composition 2 was formed on the cured film 3 and the light emitting element 2, and was cured by heat treatment to form a cured film 21.
  • ITO was formed as the wiring 4d on a part of the surface of the cured film 3 by sputtering.
  • the counter substrate 5 was bonded together using an adhesive.
  • the drive element 8 such as a driver IC is electrically connected to the light emitting element 2 via the wiring 4c, the wiring 4 extending in the cured film 3, and the wiring 4e, so that a display device 52 having a plurality of light emitting elements 2 can be connected. I got it.
  • Example 51 A display device 53 was obtained in the same manner as in Example 50, except that resin composition 13 in Example 50 was changed to resin composition 21.
  • Example 52 A display device 54 was obtained in the same manner as in Example 50, except that a light emitting element 2 having electrodes on discontinuous surfaces as shown in FIG. 28 was used.
  • Example 53 A display device 55 was obtained in the same manner as in Example 52 except that resin composition 13 in Example 52 was changed to resin composition 21.
  • the cured film 3 has a sufficiently low light transmittance, so the cured film 3 hides the wiring 4, suppresses the glare of the wiring 4, and makes it difficult to see from the outside. This made it possible to improve the design.
  • the thickness of the cured film is smaller than that of conventional flexible substrates, it is possible to reduce wiring defects such as short circuits by lowering the package height and shortening the wiring distance, reduce loss, and improve high-speed response. there were.
  • the display devices 1 to 20, 22 to 49, 52, and 54 can be microfabricated, minute light emitting elements can be applied, and the light emitting elements can be mounted at high density.
  • a cured film made of a resin composition can be used as the partition wall 15, and by forming the partition wall, bonding of the opposing substrates is facilitated. Furthermore, since the cured film 3 of the display devices 13, 24-25, 28-29, 41-42, and 52-55 is black, the cured film 3 hides the wiring 4, suppresses the glare of the wiring 4, and In addition to improving the design by making it more difficult to see, visibility was also improved by reducing the reflection of external light and improving contrast. Furthermore, in the display devices 1 to 33, 36 to 49, and 52 to 55, at least a portion of the wiring 4c extends to the side surface of the substrate, so that the display device itself can be made lower in height and has improved high-speed response.
  • the display device 36 and 37 suppress light leakage from the light-emitting elements and color mixing between each pixel, and improve contrast without significantly impairing light extraction efficiency. It was possible to improve.
  • the thickness of the wiring near the bump 10 is thicker than the thickness of the wiring near the light emitting element 2, so that wiring defects can be suppressed when connecting the light emitting element drive board 7 using the bump 10, and reliability is improved. It was possible to obtain a high display device.
  • the display devices 46, 52 to 55 have one layer of cured film 3, the number of light emitting elements that can be arranged is limited.
  • the thickness of the entire cured film exceeded 100 ⁇ m, and the level difference flatness was deteriorated, which caused a problem when mounting the light emitting element.
  • the light transmittance of the cured film 3 was sufficiently high, so that the hiding property of the cured film 3 including suppressing glare from the wiring 4 was insufficient.
  • Display device 2 Light emitting element 3 Cured films 4, 4c, 4d, 4e Wiring 4a Thickness 4b of wiring arranged on the surface of the cured film Wiring extending in an opening pattern penetrating the cured film in the thickness direction Thickness 5
  • Counter substrate 6 Electrode 7
  • Light emitting element drive substrate 8 Drive element 9
  • Barrier metal 10 Bump 11a Designated area A 11b Specified area B 12 Opening pattern 13
  • Bottom part of wiring 4 14 Longest length of bottom part 15
  • Partition wall 16
  • External substrate 17
  • Support substrate 19 Resin film 20
  • Total thickness of cured film 21 Cured film 22 TFT 23 TFT insulating layer 24
  • Contact hole 25 Light shielding layer 26 Slanted side 27 Angle of sloped side 28 Thickness of cured film 3 29

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Abstract

【課題】LEDディスプレイ装置は周辺の配線絶縁用絶縁膜や保護膜、隔壁などによる配線隠蔽が不十分で、意匠性が低下する課題を解決する。 【解決手段】少なくとも配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子は異なる2つの面に電極をそれぞれ具備し、前記電極の少なくとも一方は前記硬化膜中に延在する複数本の前記配線と接続し、複数本の前記配線は、前記硬化膜により電気的絶縁性を保持する構成であり、前記硬化膜は、(A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、前記硬化膜の厚み基準5μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である、表示装置である。

Description

表示装置
 本発明は、LEDディスプレイ等の表示装置に関する。
 近年、ディスプレイのさらなる高性能化の観点から、液晶、プラズマディスプレイ、有機ELディスプレイに続く新たなディスプレイ技術として発光ダイオード(Light Emitting Diode、以後LEDと呼称する場合がある。)を画素数と同じだけ並べることでディスプレイを構成するLEDディスプレイ、特に光源となるLEDのサイズを従来の1mm程度から、100~700μmとしたミニLEDディスプレイ、100μm以下まで小型化したマイクロLEDディスプレイが注目を集めており、研究開発が盛んに行われている。ミニLEDディスプレイ、マイクロLEDディスプレイの主な特長としては、高コントラスト、高速応答性、低消費電力、広視野角などが挙げられ、従来のテレビやスマートフォン、スマートウォッチをはじめとしたウエアラブルディスプレイ用途だけでなく、サイネージやAR、VR、さらには空間映像が表示可能な透明ディスプレイといった将来性が高い新たな用途などへの幅広い展開が期待されている。
 LEDディスプレイ装置について実用化や高性能化に向けて様々な形態が提案されており、多層フレキシブル回路基板にマイクロLEDを配置した形態(特許文献1参照)、ディスプレイ基板にバンク層およびトレース線を設け、その上にマイクロLEDおよびマイクロドライバチップを配置した形態(特許文献2参照)が提案されている。また、電極パッドを備える発光素子本体が一体に形成された成長用基板の上に平坦化膜を形成し、電極パッド上の平坦化膜を除去して電極パッドを露出させ、電極パッドに接続される、外側電極パッドを前記平坦化膜上に形成し、回路側電極部が形成された回路基板に対して、外側電極パッドが回路側電極部と対向するように配置させて前外部電極パッドと回路側電極部とを電気的に接続した形態(特許文献3参照)、などが提案されている。
特開2019-153812号公報 特開2020-52404号公報 特開2020-68313号公報
 しかし、上記の文献に記載のLEDディスプレイ装置は周辺の配線絶縁用絶縁膜や保護膜、隔壁などによる配線隠蔽が不十分で、意匠性が低下する課題があった。
 上記課題を解決するため、本発明は次の構成を有する。
 [1]少なくとも配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子は異なる2つの面に電極をそれぞれ具備し、前記電極の少なくとも一方は前記硬化膜中に延在する複数本の前記配線と接続し、複数本の前記配線は、前記硬化膜により電気的絶縁性を保持する構成であり、前記硬化膜は、(A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、前記硬化膜の厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である、表示装置。
 [2]前記硬化膜の厚み基準5μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、79%以下である、[1]に記載の表示装置。
 [3]前記硬化膜の厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、25%以下である、[1]に記載の表示装置。
 [4]前記硬化膜の全体の厚みが5μm以上、100μm以下である、[1]~[3]のいずれかに記載の表示装置。
 [5]前記硬化膜の層数が2層以上10層以下である、[1]~[4]のいずれかに記載の表示装置。
 [6]前記硬化膜には厚さ方向に貫通する開口パターンが設けられ、少なくとも前記開口パターンに前記配線を配する構成であり、前記発光素子と接した位置に形成される前記配線の底面部の最長長さが2μm以上、20μm以下である、[1]~[5]のいずれかに記載の表示装置。
 [7]前記硬化膜が前記発光素子の光取り出し面以外の面を覆う構成である、[1]~[6]のいずれかに記載の表示装置。
 [8]少なくとも、配線および/またはTFTを有する基板、硬化膜ならびに複数の発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子は異なる2つの面に電極をそれぞれ具備し、前記配線および/またはTFTの少なくとも一部は前記硬化膜と接し、前記硬化膜は、(A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、前記硬化膜の厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である、表示装置。
 [9]複数の前記発光素子の間に、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を有する、[1]~[8]のいずれかに記載の表示装置。
 [10]前記発光素子が1辺の長さが5μm以上、700μm以下のLEDである、[1]~[9]のいずれかに記載の表示装置。
 [11]さらに、駆動素子及び基板を有し、前記駆動素子は配線を通じて前記発光素子に接続され、さらに前記配線の少なくとも一部は、前記基板の側面に延在する、[1]~[10]のいずれかに記載の表示装置。
 [12]複数の前記発光素子の間に、遮光層を有する、[1]~[11]のいずれかに記載の表示装置。
 [13]前記(A)樹脂が、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選択される1種以上の樹脂を含有する、[1]~[12]のいずれかに記載の表示装置。
 [14]前記(A)樹脂を含む樹脂組成物がさらに、(B)感光剤を含有する、[1]~[13]のいずれかに記載の表示装置。
 [15]前記(A)樹脂を含む樹脂組成物がさらに、(C)着色剤を含有し、前記(C)着色剤が、(C-1)波長400nm以上、490nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤を含有する、[1]~[14]のいずれかに記載の表示装置。
 [16]前記(A)樹脂を含む樹脂組成物がさらに、(C)着色剤を含有し、前記(C)着色剤が、(C-2)波長490nmを超えて580nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤を含有する、[1]~[15]のいずれかに記載の表示装置。
 [17]前記(A)樹脂を含む樹脂組成物がさらに、(C)着色剤を含有し、前記(C)着色剤が、(C-3)波長580nmを超えて800nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤を含有する、[1]~[15]のいずれかに記載の表示装置。
 [18]前記(C)着色剤が、(C-1)波長400nm以上、490nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤とともに、さらに、(C-2)波長490nmを超えて580nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤および(C-3)波長580nmを超えて800nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤を含有する、[1]~[15]のいずれかに記載の表示装置。
 [19]前記(A)樹脂を含む樹脂組成物がポジ型感光性である、[1]~[18]のいずれかに記載の表示装置。
 本発明の表示装置は配線隠蔽性が高くなり、意匠性が高い表示装置を提供することができる。
本発明の表示装置の第1の態様の一例を示す対向基板に垂直な面での断面図である。 本発明の表示装置の第1の態様の別の一例を示す対向基板に垂直な面での断面図である。 指定領域Aを拡大した断面図(a)および指定領域Aから発光素子を除いた面を、対向基板側から見た底面図(b)である。 指定領域Bの発光素子駆動基板側を、対向基板に平行な面で切断した断面図(a)、指定領域Bの対向基板に対して直交した配線を含まない位置での断面図(b)および指定領域Bの対向基板を除いた面を、対向基板側から見た底面図(c)である。 隔壁を設けた構成の本発明の表示装置の一態様を示す対向基板に垂直な面での断面図である。 硬化膜中に駆動素子を配した構成の本発明の表示装置の一態様の対向基板に垂直な面での断面図である。 硬化膜中に駆動素子を配した別の構成の本発明の表示装置の一態様の対向基板に垂直な面での断面図である。 本発明の表示装置の一態様の作製工程を示す支持基盤または対向基板に垂直な面での断面図である。 本発明の表示装置の別の作製工程の一例を示す支持基盤または対向基板に垂直な面での断面図である。 隔壁を設けた構成の本発明の表示装置の別の作製工程の一例を示す支持基盤または対向基板に垂直な面での断面図である。 本発明の表示装置の別の一態様を示す対向基板に垂直な面での断面図である。 硬化膜中に隔壁を設けた構成の本発明の表示装置の一態様を示す支持基盤に垂直な面での断面図である。 本発明の表示装置の別の一態様を示す対向基板に垂直な面での断面図である。 本発明の表示装置の別の一態様を示す対向基板に垂直な面での断面図である。 本発明の表示装置の別の一態様を示す対向基板に垂直な面での断面図である。 遮光層を設けた構成の本発明の表示装置の一態様を示す対向基板に垂直な面での断面図である。 硬化膜の開口パターンを示す支持基盤に垂直な面での断面図である。 隔壁を設けた構成の本発明の表示装置の一態様の作製工程を示す支持基盤に垂直な面での断面図である。 遮光層を設けた構成の本発明の表示装置の一態様の作製工程を示す支持基盤に垂直な面での断面図である。 本発明の第2の態様にかかる表示装置の作製工程の一例を示す発光素子駆動基盤に垂直な面での断面図である。 異なる接続態様の発光素子を用いた本発明の表示装置の一態様を示す対向基板に垂直な面での断面図である。 異なる接続態様の発光素子を用いた本発明の表示装置の一態様を示す対向基板に垂直な面での断面図である。 異なる接続態様の発光素子を用いた本発明の表示装置の一態様を示す対向基板に垂直な面での断面図である。 異なる接続態様の発光素子を用いた本発明の表示装置の一態様を示す対向基板に垂直な面での断面図である。 異なる接続態様の発光素子を用いた本発明の表示装置の一態様を示す対向基板に垂直な面での断面図である。 本発明の表示装置の第2の態様の一例を示す素子駆動基板に垂直な面での断面図である。 本発明の表示装置の第2の態様の一例を示す素子駆動基板に垂直な面での断面図である。 本発明の表示装置の第2の態様の一例を示す素子駆動基板に垂直な面での断面図である。 異なる接続態様の発光素子を用いた本発明の表示装置の第2の態様の別の一例を示す支持基板に垂直な面での断面図である。 本発明の第2の態様にかかる表示装置の作製工程の一例を示す発光素子駆動基板に垂直な面での断面図である。
 以下、本発明の表示装置の好適な実施の形態を具体的に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、目的や用途に応じて種々に変更して実施することができる。
 本発明の表示装置の第1の態様は、少なくとも配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子は異なる2つの面に電極をそれぞれ具備し、前記電極の少なくとも一方は前記硬化膜中に延在する複数本の前記配線と接続し、複数本の前記配線は、前記硬化膜により電気的絶縁性を保持する構成であり、前記硬化膜は、(A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、前記硬化膜の厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である。
 以降の記載においては、第1の態様または後述する第2の態様を特に指定しない場合は、両態様に共通する説明である。
 本発明の第1の態様の表示装置について、図1を一例として説明する。
 図1において、表示装置1は、対向基板5上に複数の発光素子2を配し、発光素子2上に硬化膜3を配する。ここで、発光素子は多面立体形状を有する。多面立体形状とは、複数の面を有する3次元形状であり、少なくとも1対の平行面を有することが好ましく、例えば、四面体、直方体や立方体などの六面体、八面体等が挙げられるが、これらのように規則的な形状に限定されず、これらの形状の頂点や稜に面取りするなどした形状、これらの形状をベースに凹部や溝や段差を有する形状も含まれる。また、ここでプラスマイナス5°のずれは平行と見なし、平行面またはその他の面に凹凸があってもよい。発光素子は異なる2つの面に電極をそれぞれ具備する。異なる2つの面に電極をそれぞれ具備するとは、多面立体形状の発光素子において、電極を有する面の1つを基準面としたときに、基準面とは異なる面にその他の電極をそれぞれ有することをいう。ここで、基準面とは、多面立体形状内での連続した範囲の面を示し、空間的に同一面内に存在しても多面立体形状内においては溝で分断されている面は、基準面とは異なる面とする。また、1つの発光素子に着目したときに上記異なる2つの面にそれぞれ具備された電極を、一対の電極と記す場合もある。
 本発明において、発光素子に具備される電極は、発光素子の発光を制御するための信号を配線から発光素子に伝えるための接続部位のことを指す。図1に示す態様では、1つの発光素子に着目したとき、多面立体形状の発光素子に対し、硬化膜3中に延在する配線4と接続する面に一方の電極を有し、対向基板側の面にその他の電極をそれぞれ有する。そして、全体として見たとき、複数の発光素子のそれぞれに設けられた一対の電極のうち一方の電極は硬化膜3中に延在する複数本の配線4とそれぞれが接続されている。
 図1に示す態様では、発光素子2の少なくとも一部と接するように配した硬化膜3の上にさらに複数の硬化膜3を積層し合計して3層積層する構成を例示しているが、硬化膜3は単層であってもよい。発光素子2は異なる2つの面に電極6をそれぞれ具備し、一対の電極6の一方が硬化膜3中に延在する配線4と接続されている。なお、硬化膜3中に延在する複数本の配線4は、硬化膜3により隔てられている。このような構造により、複数本の配線4は、硬化膜3により、電気的絶縁性を保持している。前記硬化膜3は、後述する(A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜であることが好ましい。
 一対の電極6のうち硬化膜3中に延在する配線4と接続されていない方の電極6は配線4dと接続されている。配線4dは後述する支持基板上に形成してもよく、対向基板5上に形成してもよい。支持基板上に配線4dを形成する場合、支持基板上に仮貼り材料による仮貼り層を形成した後、配線4dが形成されていてもよい。電極6と配線4dはバンプや導電性フィルムなどを通じて接続されていてもよく、直接接続されていてもよい。
 また、配線4dは硬化膜3より覆われることで、電気的絶縁性を保持する構成となっていてもよく、硬化膜3と配線4dで2層以上の積層構造を形成してもよい。配線4dは貫通電極などを通じて発光素子2の少なくとも一部と接するように配した硬化膜3中に延在する配線4と接続してもよく、発光素子2の側面や後述する隔壁16の側面に配線を配して硬化膜3中に延在する配線4と接続してもよく、発光素子駆動基板7と接続してもよい。さらに発光素子2が、対向基板5に対して対向した位置に設けられた発光素子駆動基板7に付加された駆動素子8と、配線4や4cを通じて電気的に接続されて、発光素子2の発光を制御させることができる。また、発光素子駆動基板7は、例えばバンプ10を介して配線4と電気的に接続されている。さらに配線4などの金属の拡散を防止するため、バリアメタル9を配してもよい。なお、以後、図中の配線4cは発光素子駆動基板7の側面に形成されてもよく、発光素子駆動基板7を貫通してもよく、また発光素子駆動基板を構成する配線として駆動素子8と接続してもよい。
 図1では、対向基板5と発光素子2の間に配線4dと電極6を配し、さらに、硬化膜3が、配線4と電極6に隣接する形で、対向基板5と発光素子2の間に配する態様を例示している。ただし、発光素子2の平面すべてを覆うように配線4と電極6を形成して、対向基板5と発光素子2の間に硬化膜3が配されない形態や、図1に示す配線4と電極6が薄膜に形成されているような場合は、後述する樹脂膜21が、配線4と電極6の隣にまで入りきれず、対向基板5と発光素子2の間に硬化膜3が形成されずに一部に空洞を生じる形態も本実施形態に含まれるものとする。
 前記硬化膜3は、その硬化膜3の厚み基準1μmでの波長450nmにおける光の透過率が0.1%以上、95%以下であることが重要である。これにより、硬化膜3が配線4を隠蔽し、配線4のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくして意匠性を高めることができる。
 前記硬化膜3は後述する(A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、その硬化膜3の厚み基準5μmでの波長450nmにおける光の透過率が0.1%以上、79%以下であることが好ましい。これにより、硬化膜3が配線4を隠蔽し、配線4のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくして意匠性を高めることができる。
 前記硬化膜3は後述する(A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、その硬化膜3の厚み基準1μmでの波長450nmにおける光の透過率が0.1%以上、25%以下であることが好ましい。これにより、硬化膜3が配線4を隠蔽し、配線4のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくして意匠性を高めることができ、さらに外光反射低減やコントラスト向上により、視認性を高めることができる。
 硬化膜3の厚み基準1μmでの波長450nmにおける光の透過率が0.1%未満となると、硬化前の樹脂膜の感度や解像度が低下するなどの不具合が生じる懸念がある。光の透過率が95%を超えると配線隠蔽性が低下し、配線のぎらつきの抑制が不十分であり、配線が外部から視認されるなどの不具合が生じる懸念がある。
 硬化膜の厚み基準1μmでの波長450nmにおける光の透過率の測定については、表示装置の硬化膜を剥離して測定してもよいし、後述する硬化膜の光の透過率の評価方法の条件で作製した硬化膜の光の透過率を測定してもよい。また、硬化膜を複数層形成する場合、いずれの硬化膜を用いて測定してもよい。硬化膜の厚み基準5μmでの波長450nmにおける光の透過率の測定についても、硬化膜の厚み基準1μmでの波長450nmにおける光の透過率の測定と同様である。硬化膜の膜厚が1μmでなかった場合は、ランベルトの法則に従い、測定した透過スペクトルの膜厚を1μmに換算した値とすればよい。また、硬化膜の膜厚が5μmでなかった場合も、硬化膜の膜厚が1μmでなかった場合と同様に、ランベルトの法則に従い換算すればよい。
 配線4、4c、4dおよび電極6の材料としては、特に限定されず、金属や導電膜などが挙げられ、公知のものも使用してもよい。
 金属は電子移動度の観点から好ましく、例えば、金や銀、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、モリブデンやこれらを含む合金などが挙げられる。
 これらの金属は、例えば無電解めっき、電解めっき等などの湿式めっき、熱CVD、プラズマCVD、レーザーCVDなどのCVD化学蒸着法(CVD)、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの乾式めっき法、金属箔を基板に結合した後、エッチングを行う方法などにより形成することができる。
 導電膜は透明性などの観点から好ましく、例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、チタン、およびニオブなどのうちの少なくとも1種の元素の酸化物を主成分として含む化合物や有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストなどが挙げられるが、その他公知のものを使用してもよい。インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、チタン、およびニオブなどのうちの少なくとも1種の元素の酸化物を主成分として含む化合物としては、具体的には、酸化インジウム錫亜鉛(ITZO)、酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO:InGaZnO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化インジウムガリウム(IGO)、酸化インジウム錫(ITO)および酸化インジウム(InO)などが挙げられる。
 これらの導電膜は、例えば無電解めっき、電解めっき等などの湿式めっき、熱CVD、プラズマCVD、レーザーCVDなどのCVD化学蒸着法(CVD)、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの乾式めっき法、金属箔を基板に結合した後、エッチングを行う方法などにより形成することができる。
 有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストにおいて、導電性粒子の含有量が60質量%以上、90質量%以下であることが好ましい。導電層が有機物を含有することにより、曲面や屈曲部において断線を抑制し、導電性を向上させることができる。導電性粒子の含有量が60質量%未満であると、導電性粒子同士の接触確率が低くなり、導電性が低下する。また、配線の屈曲部において、導電性粒子同士が乖離しやすくなる。導電性粒子の含有量は好ましくは70質量%以上である。一方、導電性粒子の含有量が90質量%を超えると、配線パターンを形成することが困難になるとともに、屈曲部において断線が生じやすくなる。導電性粒子の含有量は好ましくは80質量%以下である。
 有機物としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル系共重合体、エポキシカルボキシレート化合物等が挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。またウレタン結合を有する有機物を含有してもよい。ウレタン結合を有する有機物を含有することで、配線の柔軟性を向上させることができる。また、有機物は、感光性を示すことが好ましく、フォトリソグラフィにより容易に微細な配線パターンを形成することができる。感光性は、例えば光重合開始剤、不飽和二重結合を有する成分を含有させることにより発現する。
 本発明における導電性粒子とは、電気抵抗率が10-5Ω・m以下の物質で構成される粒子を指す。導電性粒子を構成する材料としては、例えば、銀、金、銅、白金、鉛、スズ、ニッケル、アルミニウム、タングステン、モリブデン、クロム、チタン、インジウムやこれら金属の合金、カーボン粒子が挙げられる。また、導電性粒子を2種以上含有することが好ましい。導電性粒子を2種以上含有することにより、後述する熱処理工程において、同種の導電性粒子同士が焼結して体積収縮することを抑制し、結果として導電膜全体としての体積収縮が抑制され、屈曲性を向上させることができる。
 導電性粒子の平均粒子径は0.005μm以上、2μm以下であることが好ましい。ここでの平均粒子径とは、2種以上の導電性粒子を含有する場合は、大径粒子の平均粒子径とする。導電性粒子の平均粒子径が0.005μm以上であると、導電性粒子間の相互作用を適度に抑え、導電性粒子の分散状態をより安定に保つことができる。導電性粒子の平均粒子径はより好ましくは0.01μm以上である。一方、導電性粒子の平均粒子径が2μm以下であると、所望の配線パターンを形成しやすくなる。導電性粒子の平均粒子径はより好ましくは1.5μm以下である。
 導電膜の厚さは2μm以上、10μm以下であることが好ましい。導電膜の厚さが2μm以上であると、屈曲部における断線をより抑制し、導電性をより向上させることができる。導電膜の厚さはより好ましくは4μm以上である。一方、導電膜の厚さが10μm以下であると、製造工程において配線パターンをより容易に形成することができる。導電膜の厚さはより好ましくは8μm以下である。
 本発明の表示装置の別の実施態様として、図10に示すように、図1の表示装置に対し、発光素子2の少なくとも一部と接するように配した硬化膜21を設けた構成を例示している。発光素子2の少なくとも一部と接するように配した硬化膜21は、(A)樹脂を含む樹脂組成物または樹脂シートを硬化した硬化膜から構成されていてもよく、また(A)樹脂を含む樹脂組成物または樹脂シートを硬化した硬化膜以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂など公知のものを使用してもよい。
 本発明において、発光素子駆動基板7は、駆動機能を有する素子などを有する基板などが挙げられ、駆動素子8が接続されていることが好ましい。
 発光素子駆動基板7としては特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、ガラス基板、サファイヤ基板、プリント配線板、TFTアレイ基板、セラミックスなどが挙げられる。ガラス基板、サファイヤ基板については少なくとも1つの面に配線が形成されていてもよい。プリント配線板を用いる場合は、配線4cを形成せずに駆動素子8やバンプ10、配線4などと接続することができる。
 本発明において、硬化膜の全体の厚みが5μm以上、100μm以下であることが好ましい。
 硬化膜の全体の厚みが5μm以上、100μm以下であることにより、硬化膜3の光の透過率が低いため、硬化膜3が配線4を隠蔽し、配線4のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくして意匠性を高めることができる。さらに発光素子を有する表示装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上が可能になる。その他にも、外光反射低減やコントラスト向上により、視認性を高めることができる。
 硬化膜の全体の厚みとは、一の硬化膜の少なくとも一部が他の硬化膜に接する連続した硬化膜の層全体の厚みをいう。例えば前述の図1のように硬化膜3を複数積層した場合は、図1の20で示した範囲が硬化膜の層全体の厚みである。全体の厚みは好ましくは5μm以上、70μm以下、より好ましくは5μm以上、60μm以下である。5μm未満であると配線の保護が不十分なため、配線の短絡など配線不良の懸念があり、100μmを超えると光取り出し効率が不足する懸念があるとともに、表示装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上という点で不都合を生じる場合がある。
 硬化膜を複数積層する場合、硬化膜の層数が2層以上10層以下であることが好ましい。
硬化膜は複数の発光素子を配置する観点から、1層以上が好ましく、さらに2層以上とすることで、発光素子と接続可能な配線数を増加させることができるため、複数の発光素子を配置することができ、また、パッケージ低背化や配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化、高速応答性の向上の観点から10層以下が好ましい。
 本発明において、硬化膜には厚さ方向に貫通する開口パターンが設けられ、少なくとも前記開口パターンに前記配線を配する構成であり、前記発光素子と接した位置に形成される前記配線の底面部の最長長さが2μm以上、20μm以下であることが好ましい。
 図2に、図1の指定領域Aを拡大した断面図(a)および指定領域Aから発光素子を除いた面を、対向基板側から見た底面図(b)を示す。図2の指定領域Aを拡大した断面図(a)においては、硬化膜3が発光素子2上に設けられている。硬化膜3には開口パターン12が設けられており、その開口パターン12に配線4を形成した図を示している。配線4の底面部13は、配線4が発光素子2の電極6と接した位置まで硬化膜3中に延在し、接した地点での配線4の形態を示している。
 図2の指定領域Aから発光素子を除いた面を、対向基板側から見た底面図(b)においては、発光素子2を取り去った状態で硬化膜3中に延在した配線4の底面部13を下方から見た図であり、底面部13を示している。図2の指定領域Aの発光素子を除いた底面図(下部分)においては、発光素子2を取り去った状態で硬化膜3に延在した配線4の底面部13を下方から見た図であり、底面部13を示している。底面部13の形状は製品や発光素子の形態により異なる場合があり、円形状の場合は直径を最長長さ14と定義し、楕円形状の場合は長径を最長長さ14と定義し、長方形等の多角形の場合は角部の頂点同士を結んだ際の最長の対角線を最長長さ14と定義する。なお、図2の指定領域Aから発光素子を除いた面を、対向基板側から見た底面図(b)での底面部13は円形状の例を示している。
 本構成により、微小な発光素子が適用可能であり、また複数の発光素子の高密度実装が可能となり、幅広いサイズで高解像度な発光素子を有する表示装置を得ることができる。さらに微細な配線を形成することが可能になり、単位面積中で形成できる配線数が増加するため硬化膜全体の厚みを小さくすることができ、硬化膜3の光の透過率が低いため、硬化膜3が配線4を隠蔽し、配線4のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくして意匠性を高めることができる。さらに発光素子を有する表示装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上が可能になる。その他にも、外光反射低減やコントラスト向上により、視認性を高めることができる。
 本発明において、発光素子と近接した位置に形成される配線の底面部の最長長さが2μm以上、20μm以下であることが好ましい。かかる本構成を採ることにより、微小な発光素子が適用可能であり、また複数の発光素子の高密度実装が可能となり、幅広いサイズで高解像度な発光素子を有する表示装置を得ることができる。さらに微細な配線を形成することが可能になり、単位面積中で形成できる配線数が増加するため硬化膜全体の厚みを小さくすることができ、硬化膜3の光の透過率が低いため、硬化膜3が配線4を隠蔽し、配線4のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくして意匠性を高めることができる。さらに発光素子を有する表示装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上が可能になる。その他にも、外光反射低減やコントラスト向上により、視認性を高めることができる。
 微小な発光素子を適用する、また発光素子の高密度実装化の観点から、配線の底面部の最長長さは、好ましくは2μm以上、15μm以下、より好ましくは2μm以上、10μm以下、さらに好ましくは、2μm以上、5μm以下である。2μm未満であると発光素子2との接続不良を生じる場合があり、20μmを超えると微小な発光素子の適用や高密度実装化に障害となる場合がある。
 硬化膜の厚みは配線の厚みに対して、1.1倍以上20.0倍以下が好ましい。
 配線の厚みとは、図2の指定領域Aを拡大した断面図(a)で説明すると、硬化膜3の表面に配されている配線4の厚みaを指しており、硬化膜3中の厚さ方向に貫通する開口パターンに延在している配線4bの厚みは含まないものとする。配線の厚みは0.1μm以上、10μm以下が好ましく、3μm以上、10μm以下がより好ましい。配線の厚みを0.1μm以上、10μm以下とすることで、発光素子を有する表示装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上が可能になる。さらに、3μm以上、10μm以下とすることで、配線抵抗を低減することができ、消費電力の抑制や輝度向上に寄与することができる。
 硬化膜の厚みとは、図2の指定領域Aを拡大した断面図(a)で説明すると、配線4aを被覆した硬化膜3aの厚みを指している。
 これにより、適切な配線に対する保護膜としても作用し、配線の短絡など配線不良を抑制した信頼性に優れた硬化膜を得ることができる。
 配線の厚みは各層で同じであっても、異なっていてもよい。異なっている場合、一例として、図1において、発光素子2に近い配線の厚みに比べ、バンプ10に近い配線の厚みが厚いことが好ましい。それにより、バンプ10を用いた発光素子駆動基板7の接続時に配線不良を抑制でき、信頼性の高い表示装置を得ることができる。
 本発明において、前記硬化膜が前記発光素子の光取り出し面以外の面を覆う構成であることが好ましい。なお、光取り出し面とは、発光素子の面の一部が前記硬化膜で覆われている場合であっても、光取り出せる領域があれば光取り出し面であるものとする。
 一例として、図3に、図1の指定領域Bの発光素子駆動基板側を、対向基板に平行な面で切断した断面図(a)、指定領域Bの対向基板に対して直交した配線を含まない位置での断面図(b)および指定領域Bの対向基板を除いた面を、対向基板側から見た底面図(c)を示す。
 図3の指定領域Bの発光素子駆動基板側を、対向基板に平行な面で切断した断面図(a)においては、発光素子2は硬化膜3に覆われており、発光素子の電極6と接続し、硬化膜3中に延在する配線4が上面から示されている。配線4の断面形状は円形でも多角形でもよい。
 図3の対向基板に対して直交した配線を含まない位置での断面図(b)においては、発光素子2の周囲が硬化膜3に覆われていることが示されている。
 図3の指定領域Bの対向基板を除いた面を、対向基板側から見た底面図(c)においては、発光素子2は硬化膜3に覆われており、発光素子のもう一方の電極6が下面から示されている。電極6の断面形状は円形でも多角形でもよい。発光素子2は硬化膜3により、電極6を除く部分が覆われていてもよい。この場合、光取り出し面は電極6を配する面となる。
 図1および図3に示すように、発光素子2の側面全部と上面部を硬化膜3で覆う態様とすることにより、発光素子2を外部からの衝撃から保護することができる。また、発光素子2の配置により生じる段差を平坦化することができ、また、対向基板5との貼り合わせが容易になるため好ましい。
 発光素子2の光取り出し面以外の面を覆う硬化膜3は、前述した高い配線隠蔽性を有することにより、配線4のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくし、意匠性を高めることができる。
 本発明の第2の態様にかかる表示装置は、少なくとも、配線および/またはTFTを有する基板、硬化膜ならびに複数の発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子は異なる2つの面に電極をそれぞれ具備し、前記配線および/またはTFTの少なくとも一部は前記硬化膜と接し、前記硬化膜は、(A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、前記硬化膜の厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である。
 本発明の第2の態様にかかる表示装置について、図25を一例として説明する。
 図25において、表示装置1では、配線および/またはTFTを有する基板の少なくとも一部が硬化膜3と接するように硬化膜3を配する。配線および/またはTFTを有する基板は、例えば発光素子駆動基板7であり、配線4を配したTFTアレイ基板を一例としている。
 次に、硬化膜3の表面の少なくとも一部及び硬化膜3の開口パターンの一部に配線4eを配した後、異なる2つの面に電極をそれぞれ具備した発光素子2を配線4e上に配する。
 図25に示す態様では、多面立体形状の発光素子に対し、配線4eと接続する面に一方の電極を有し、対向基板側の面にその他の電極をそれぞれ有することを示す。また、発光素子2の間またはその周囲に硬化膜3を設けた構成を例示している。一対の電極6のうち配線4eと接続されていない方の電極6は配線4dと接続されている。配線4dは対向基板5上に形成してもよい。電極6と配線4dはバンプや導電性フィルムなどを通じて接続されていてもよく、直接接続されていてもよい。配線4dは貫通電極などを通じて発光素子2の少なくとも一部と接するように配した硬化膜3中に延在する配線4と接続してもよく、発光素子2の側面や後述する硬化膜3の側面に配線を配して配線4eと接続してもよく、発光素子駆動基板7と接続してもよい。さらに発光素子2が、対向基板5に対して対向した位置に設けられた発光素子駆動基板7に付加された駆動素子8と、配線4や4cを通じて電気的に接続されて、発光素子2の発光を制御させることができる。また、発光素子駆動基板7は、例えばバンプ10を介して配線4と電気的に接続されている。さらに配線4などの金属の拡散を防止するため、バリアメタル9を配してもよい。なお、以後図中配線4cは発光素子駆動基板7の側面に形成されてもよく、発光素子駆動基板7を貫通してもよく、また発光素子駆動基板を構成する配線として駆動素子8と接続してもよい。
 本発明の第2の態様にかかる表示装置のその他の例としては例えば図26~図28に示すような構成が好ましい。
 本発明の第2の態様にかかる表示装置おいては、硬化膜の全体の厚みが1μm以上、20μm以下であることが好ましい。硬化膜の全体の厚みが1μm以上、20μm以下であることにより、発光素子2から四方に発光した光が硬化膜3中で吸収されることを抑制し、光取り出し効率を高めることができ、輝度を向上させることができる。さらに発光素子を有する表示装置自体の低背化、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上が可能になる。
 本発明の第2の態様において、硬化膜の全体の厚みとは、一の硬化膜の少なくとも一部が他の硬化膜に接する連続した硬化膜の層全体の厚みをいう。例えば前述の図25の20で示した範囲が硬化膜の層全体の厚みである。全体の厚みは好ましくは1μm以上、~10μm以下、より好ましくは1μm以上、5μm以下である。1μm未満であると配線の保護が不十分なため、配線の短絡など配線不良の懸念があり、10μmを超えると微細配線の形成が困難になり、配線の短絡など配線不良の点で不都合を生じる場合がある。
 本発明において、複数の前記発光素子の間に、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を有することが好ましい。
 図4に示すように、発光素子2を有する表示装置1の画素数に応じた繰り返しパターン、すなわち各発光素子2間またはその周囲に、隔壁15を有することが好ましい。電極6と配線4または4dはバンプや導電性フィルムなどを通じて接続されていてもよく、直接接続されていてもよい。この構成により、配線4dを含んでもよい対向基板5との貼り合わせが容易になるため好ましい。
 隔壁の厚みは、各発光素子の厚みよりも大きいことが好ましく、具体的には、5μm以上、120μm以下が好ましい。
 隔壁は、(A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜から構成されていてもよく、また(A)樹脂を含む樹脂組成物以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、(メタ)アクリルポリマ、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサンなど公知のものを使用してもよい。これらの材料を使用することで、密着性の優れた隔壁を形成することができる。
 発光素子からの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させるために、隔壁の側面もしくは隔壁自体に遮光部を設けてもよい。遮光部は例えば黒色顔料などが含まれる部分である。
さらに、発光素子から隔壁方向に発光した光を反射して光の取り出し効率を高めることができ、輝度を向上させるために隔壁の側面に反射部を設けてもよい。反射部は例えば白色顔料などが含まれる部分である。
 複数の前記発光素子の間に、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を、発光素子を覆う前記硬化膜中に配することが好ましい。
 隔壁を設ける別実施態様として、図11に示すように、発光素子2を覆う硬化膜3中に発光素子2の間またはその周囲に隔壁15を設けた構成を例示している。
 図11で示した隔壁は、(A)樹脂を含む樹脂組成物以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、(メタ)アクリルポリマ、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサンなど公知のものを使用してもよい。これらの材料を使用することで、密着性の優れた隔壁を形成することができる。
 隔壁を配することにより、その後の発光素子を転写する際の目印とすることができること、フォトスペーサーとしても用いることができるため、発光素子転写時の効率を上げることができるため、好ましい。さらに、発光素子からの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させるために、隔壁の側面もしくは隔壁自体に遮光部を設けてもよい。遮光部は例えば黒色顔料などが含まれる部分である。
 発光素子から隔壁方向に発光した光を反射して光の取り出し効率を高めることができ、輝度を向上させるために隔壁の側面に反射部を設けてもよい。反射部は例えば白色顔料などが含まれる部分である。
 本発明において、発光素子や硬化膜あるいは配線の周囲に光拡散層を設けてもよい。
 本発明において、前記発光素子が1辺の長さが5μm以上、700μm以下のLEDであることが好ましく、前記発光素子が1辺の長さが5μm以上、100μm以下のLEDであることがさらに好ましい。
 LEDは、P型半導体とN型半導体が接合されたPN接合により構成され、LEDに順方向の電圧をかけると、チップ内を電子と正孔が移動し、電流が流れる。その際、電子と正孔が結合することによってエネルギー差が生じ、余剰エネルギーが光エネルギーに変換され、発光する。LEDから放出される光の波長は、GaN、GaAs、InGaAlP、GaPなど半導体を構成する化合物によって異なり、この波長の違いが発光色を決定する。また、白色は、2種類以上の色の異なる光を混ぜることによって表示することが一般的であるが、LEDの場合、赤、緑、青の3原色を混色することにより色の再現性が大幅に改善され、より自然な白色を表示することが可能となる。
 LEDは形状として砲弾型やチップ型、多角体型などが挙げられるが、LED微小化の観点からチップ型や多角形型が好ましい。また、LEDの1辺の長さが5μm以上、700μm以下であることで、複数のチップを配置できるため好ましく、LEDの1辺の長さが5μm以上、100μm以下であることがさらに好ましい。
 また、発光素子は異なる2つの面に電極をそれぞれ具備する。異なる2つの面とは、2つ以上の面を有する発光素子について、電極を有する面の1つを基準面としたときに、基準面とは異なる面にその他の電極をそれぞれ有することを示す。
 本発明において、電極が発光素子を挟んで向かい合う面にそれぞれ具備することが好ましい。また電極が発光素子の隣り合う面にそれぞれ具備することが好ましい。発光素子の異なる2つの面に電極をそれぞれ具備する例としては、図1や図20のように電極6が発光素子2を挟んで向かい合う面で配置した構造などが挙げられ、電極が発光素子の隣り合う面にそれぞれ具備する例としては、図21のような構造などが挙げられる。電極が発光素子を挟んで向かい合う面にそれぞれ具備する、または電極が発光素子の隣り合う面にそれぞれ有することで、発光素子のサイズの小型化可能となり、低コスト化や高密度実装による高解像度な表示装置を得ることができる。
 また、本発明において、不連続な面に電極をそれぞれ具備することが好ましい。不連続な面とは、連続した面ではなく、段差が存在する面などが挙げられ、例えば図22~図24のような構造が挙げられる。不連続な面に電極6を具備することで、発光素子中の発光面積を制御できるとともに、発光素子の生産性や発光効率を向上させることができる。 発光素子の硬化膜3を配した発光素子駆動基板7などの基板への実装方法については、例えばピックアンドプレース法やマストランスファー法などが提案されているが、これらに限定しない。
 発光素子の基板への実装については、例えば、赤色、緑色、青色に発光する発光素子を、マトリクス状に基板の所定の位置へ配列して実装する方法や、赤色や青色に発光する発光素子または紫外線を発光する紫外発光素子などの単一種の発光素子を、基板へ配列して実装する方法などが挙げられる。前者の方法は、それぞれ赤色、緑色、青色に発光する発光素子を用いてもよく、赤色、緑色、青色に発光する発光素子を縦方向にスタックしたようなものを用いてもよい。後者の方法は、発光素子の配列実装を容易にすることができる。この場合、量子ドット等の波長変換材料を利用して、赤色、緑色、青色のサブピクセルを作り、フルカラー表示とすることができる。さらに、2つ以上の複数の発光素子をパッケージ化した後、基板に実装してもよい。
 波長変換材料としては公知のものを使用することができる。
例えば、青色に発光する発光素子を用いる場合、まず、青色に発光する発光素子のみを配列して実装した発光素子アレイ基板を作製し、次に赤色と緑色のサブピクセルに相当する位置に、青色の光により励起して赤色や緑色に波長変換して発光する波長変換層を配列することが好ましい。これにより、青色に発光する発光素子のみを使用して、赤色、緑色、青色のサブピクセルを形成することが可能となる。
 一方、紫外光を放出する紫外発光素子を用いる場合、まず、紫外発光素子のみを配列して実装した発光素子アレイ基板を作製し、赤色、緑色、青色のサブピクセルに相当する位置に、紫外光により励起して赤色、緑色、青色に波長変換して発光する波長変換層を配列することが好ましい。これにより、前述したサブピクセルの色による光の放射角度の違いを抑制することができる。
波長変換層としては公知のものを使用することができ、また必要に応じてカラーフィルター等を使用してもよい。
 本発明における対向基板としては、特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、ガラス板、樹脂板、樹脂フィルム、サファイヤ基板、プリント配線板、TFTアレイ基板、セラミックスなどが挙げられる。ガラス板の材質としては、無アルカリガラスが好ましい。樹脂板および樹脂フィルムの材質としては、ポリエステル、(メタ)アクリルポリマ、透明ポリイミド、ポリエーテルスルフォン等が好ましい。ガラス板および樹脂板の厚みは、1mm以下が好ましく、0.8mm以下が好ましい。樹脂フィルムの厚みは、100μm以下が好ましい。
 本発明の表示装置は駆動素子を具備し、発光素子が駆動素子と硬化膜中に延在する配線を通じて電気的に接続されていることが好ましい。表示装置が駆動素子を具備し、発光素子が駆動素子と硬化膜中に延在する配線を通じて電気的に接続されていることで、1個または複数の発光素子を個別にスイッチング駆動することができる。駆動素子としてはドライバーICなどが挙げられ、ドライバーICは機能別に1個または複数の発光素子や赤、青、緑などからなる複数個の発光素子をパッケージしたものに対して1個または複数個使用してもよい。
 駆動素子の配置の構成態様として図5に示すように、硬化膜3中に駆動素子8を対向基板5上に発光素子2の近傍に配置する構成が好ましい。また、図6に示すように、駆動素子8を発光素子2の上方の位置で、硬化膜3中に配置する構成も好ましい。
これにより、配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化の抑制、高速応答性の向上が可能になる。
 本発明において、さらに、駆動素子及び基板を有し、前記駆動素子は配線を通じて前記発光素子に接続され、さらに前記配線の少なくとも一部は、前記基板の側面に延在することが好ましい。駆動素子及び基板を有し、駆動素子は配線を通じて発光素子に接続され、さらに配線の少なくとも一部は、基板の側面に延在することで、複数の発光素子を個別にスイッチング駆動することができるとともに、表示装置自体の低背化や高速応答性が向上し、さらに表示装置をより小型化、狭額縁化することができる。
 基板としては発光素子駆動基板7と同様に特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、ガラス基板、サファイヤ基板、TFTアレイ基板、セラミックスなどが挙げられる。少なくとも一部は基板の側面に延在する配線は、その構成態様としては例えば図1や図4、図12~図14の4cに示すように配置する構成が好ましい。
 本発明において、さらに、複数の発光素子の間に、遮光層を有することが好ましい。複数の発光素子の間に、遮光層を有することで、光取り出し効率を大きく損なうことなく、発光素子からの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させることができる。
 遮光層は、(A)樹脂および(E)着色材を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜から構成されていてもよく、また(A)樹脂を含む樹脂組成物以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、(メタ)アクリルポリマ、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサンなど公知のものを使用してもよい。(E)着色材としては、黒色顔料を用いてもよく、例えば、カーボンブラック、ペリレンブラック、アニリンブラック等の黒色有機顔料、グラファイト、およびチタン、銅、鉄、マンガン、コバルト、クロム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、銀等の金属微粒子、金属酸化物、複合酸化物、金属硫化物、金属窒化物、金属酸窒化物等の無機顔料が挙げられる。また、赤色顔料および青色顔料や必要に応じて黄色顔料やその他の顔料を組み合わせて黒色としてもよい。また染料を用いてもよい。着色材は2種以上含有してもよい。
 (A)樹脂および(E)着色材を含む樹脂組成物に感光性を付与してもよく、後述の(B)感光剤を用いてもよい。
 (A)樹脂および(E)着色材を含む樹脂組成物の製造方法としては、例えば、分散機を用いて(A)樹脂、(E)着色材、必要に応じて分散剤および有機溶剤を含有する樹脂溶液を分散させて、着色材濃度の高い着色材分散液を調製し、さらに(A)樹脂や、必要に応じて感光剤などの他の成分を添加して撹拌する方法が好ましい。必要に応じて濾過を行ってもよい。
 分散機としては、例えば、ボールミル、ビーズミル、サンドグラインダー、3本ロールミル、高速度衝撃ミルなどが挙げられる。これらの中でも、分散効率化および微分散化のため、ビーズミルが好ましい。ビーズミルとしては、例えば、コボールミル、バスケットミル、ピンミル、ダイノーミルなどが挙げられる。ビーズミルに用いるビーズとしては、例えば、チタニアビーズ、ジルコニアビーズ、ジルコンビーズが挙げられる。ビーズミルのビーズ径は、0.03mm以上、1.0mm以下が好ましい。(E)着色材の一次粒子径および一次粒子が凝集して形成された二次粒子の粒子径が小さい場合には、径が0.03mm以上、0.10mm以下の微小なビーズを用いることが好ましい。この場合には、微小なビーズと分散液とを分離することが可能な、遠心分離方式によるセパレーターを備えるビーズミルが好ましい。一方で、サブミクロン程度の粗大な粒子を含む着色材を分散させる場合には、十分な粉砕力を得るために、径が0.10mm以上のビーズを用いることが好ましい。
 (A)樹脂および(E)着色材を含む樹脂組成物は、各種基板に塗布、乾燥後、加熱処理により、遮光層を得ることができる。感光性を有する場合は、後述の化学線を照射して露光後、後述の現像および加熱処理によりパターニングされた遮光層を得ることができる。
 遮光層の厚みは0.1μm以上、5μm以下であることが好ましい。遮光層の厚みが0.1μm以上であると、発光素子からの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させることができる。遮光層の厚みはより好ましくは0.5μm以上である。一方、配線の厚さが5μm以下であると、光取り出し効率を大きく損なうことなく、発光素子からの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させることができる。遮光層の厚みはより好ましくは4μm以下である。
 遮光層は厚み0.7mmの無アルカリガラス上に膜厚1.0μmとなるように着色膜を形成し、ガラス面からの色度を測定した反射色度値(a*、b*)が、-0.5≦a*≦1.0かつ-1.0≦b*≦0.5となることが好ましく、-0.5≦a*≦0.5かつ-1.0≦b*≦0.4となることが好ましい。反射色度は着色膜に映り込んだ像の色調の指標となり、(a*、b*)=(0.0、0.0)に近いほど、無彩色な反射色調と言える。一方、液晶表示装置や有機ELディスプレイの黒表示の反射色調は一般的にb*が負の値となり、青みの色調であるため、表示装置に用いられる加飾膜としてはb*が負の値となることが好ましい。
 着色膜の反射色度(L*,a*,b*)は、白色校正板(CM-A145;コニカミノルタ(株)製)で校正した分光測色計(CM-2600d;コニカミノルタ(株)製)を用い、標準光源D65(色温度6504K)、視野角2°(CIE1976)、大気圧下、20℃の測定条件下で透明基材から入射させた光に対する全反射色度(SCI)を測定することで得られる。
 遮光層の構成態様としては例えば図15の25に示すように配置する構成が好ましい。遮光層25は発光素子2と接してもよく、離れていてもよい。
 本発明において、(A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜について、厚み基準1μmでの波長450nmにおける光の透過率が0.1%以上、95%以下である。これにより、前述した高い配線隠蔽性を有することにより、配線のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくし、意匠性を高めることができる。
 硬化膜の厚み基準5μmでの波長450nmにおける光の透過率が0.1%以上、79%以下であることが好ましい。これにより、配線のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくし、意匠性を高めることができる。
 硬化膜の厚み基準1μmでの波長450nmにおける光の透過率が0.1%以上、25%以下であることが好ましい。これにより、配線のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくし、意匠性を高めることができ、さらに外光反射低減やコントラスト向上により、視認性を高めることができる。
 硬化膜の厚み基準1μmでの波長450nmにおける光の透過率が0.1%未満となると、硬化前の樹脂膜の感度や解像度が低下するなどの不具合が生じる懸念がある。光の透過率が95%を超えると配線隠蔽性が低下し、配線のぎらつきの抑制が不十分であり、外部から視認されるなどの不具合が生じる懸念がある。
 また、(A)樹脂は耐熱性が高いものが好ましく、具体的には熱処理時や熱処理後の160℃以上の高温下において樹脂劣化が少ないものが好ましい。そのような硬化膜は表示装置として用いられる硬化膜、例えば絶縁膜、保護膜および隔壁などとして優れた特性の1つである、アウトガス量が少なくなるため好ましい。
 (A)樹脂は露光、現像により所望の開口パターンを形成する観点から、硬化前は露光波長における光の透過率が高いものが好ましい。
そのような特性を得るためには、例えば樹脂の芳香環由来の共役鎖を短くするか、分子内や分子間の電荷移動を小さくすることが好ましい。
 配線の保護のため、厚み10μm以上の厚膜でも加工性が優れることが好ましい。
 (A)樹脂は特に限定されないが、環境負荷低減の観点からアルカリ可溶性樹脂であることが好ましい。アルカリ可溶性とは、γ-ブチロラクトンに樹脂を溶解した溶液をシリコンウエハ上に塗布し、120℃で4分間プリベークを行って膜厚10μm±0.5μmのプリベーク膜を形成する。ここで、プリベークとは塗布後に加熱乾燥する工程であり、プリベーク膜とは加熱乾燥を経て得られた膜をいう。またプリベーク膜は樹脂膜と同義である。次に、該プリベーク膜を23±1℃の2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に1分間浸漬した後、純水でリンス処理したときの膜厚減少を求める。上記プリベーク膜の溶解速度が50nm/分以上であるものについてアルカリ可溶性であると定義する。
 前記(A)樹脂は、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選択される1種以上の樹脂を含有することが好ましい。前記(A)樹脂は、これらの樹脂を単独で含有してもよく、また複数の樹脂を組み合わせて含有してもよい。
 ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体について説明する。
 ポリイミドはイミド環を有するものであれば、特に限定されない。またポリイミド前駆体は、脱水閉環することによりイミド環を有するポリイミドとなる構造を有していれば、特に限定されず、ポリアミド酸やポリアミド酸エステルなどを含有することができる。ポリベンゾオキサゾールはオキサゾール環を有するものであれば、特に限定されない。ポリベンゾオキサゾール前駆体は、脱水閉環することによりベンゾオキサゾール環を有するポリベンゾオキサゾールとなる構造を有していれば、特に限定されず、ポリヒドロキシアミドなどを含有することができる。
 ポリイミドは一般式(1)で表される構造単位を有し、ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体は下記一般式(2)で表される構造単位を有し、ポリベンゾオキサゾールは一般式(3)で表される構造単位を有する。これらを2種以上含有してもよいし、一般式(1)で表される構造単位、一般式(2)で表される構造単位、一般式(3)で表される構造単位を共重合した樹脂を含有してもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 一般式(1)中、Vは炭素数4~40の4~10価の有機基、Wは炭素数4~40の2~8価の有機基を表す。aおよびbは、それぞれ0~6の整数を表す。RおよびRは水酸基、カルボキシ基、スルホン酸基およびチオール基からなる群より選ばれる基を表し、複数のRおよびRはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 一般式(2)中、XおよびYは、それぞれ独立に炭素数4~40の2~8価の有機基を表す。RおよびRは、それぞれ独立に水素原子、または炭素数1~20の1価の有機基を表す。cおよびdは、それぞれ0~4の整数、eおよびfは、それぞれ0~2の整数を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 一般式(3)中、TおよびUは、それぞれ独立に炭素数4~40の2~8価の有機基を表す。
 (A)樹脂にアルカリ可溶性を持たせるために、一般式(1)はa+b>0であることが好ましい。また、一般式(2)はc+d+e+f>0であることが好ましい。一般式(2)において、ポリイミド前駆体の場合は、一般式(2)中のX、Yは芳香族基を有することが好ましい。さらには、一般式(2)中のXは芳香族基を有し、e>2であって、芳香族アミド基のオルト位にカルボキシ基またはカルボキシエステル基を有し、脱水閉環することによりイミド環を形成する構造となる。
 一般式(2)において、ポリベンゾオキサゾール前駆体の場合は、一般式(2)中のXは芳香族基を有し、d>0であって、芳香族アミド基のオルト位にヒドロキシル基を有し、脱水閉環することによりベンゾオキサゾール環を形成する構造となる。
 (A)樹脂における、一般式(1)、一般式(2)または一般式(3)で表される構造単位の繰り返し数nは、5~100,000であることが好ましく、10~100,000であることがより好ましい。
 (A)樹脂は、一般式(1)、一般式(2)または一般式(3)で表される構造単位に加えて、他の構造単位を有してもよい。他の構造単位としては、例えば、カルド構造、シロキサン構造などが挙げられるが、これらに限定されない。この場合、一般式(1)または一般式(2)で表される構造単位を、主たる構成単位とすることが好ましい。ここで主たる構成単位とは全構造単位数のうち一般式(1)、一般式(2)または一般式(3)で表される構造単位を50モル%以上有することをいい、70モル%以上有することがより好ましい。
 上記一般式(1)中、V-(R、上記一般式(2)中、(OH)-X-(COORおよび上記一般式(3)中のTは酸の残基を表す。Vは炭素数4~40の4価~10価の有機基であり、なかでも芳香族環または環状脂肪族基を含有する炭素原子数4~40の有機基が好ましい。XおよびTは炭素数4~40の2価~8価の有機基であり、なかでも芳香族環、または脂肪族基を含有する炭素原子数4~40の有機基が好ましい。
 酸の残基を構成する酸成分としては、ジカルボン酸の例としてテレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ビス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビフェニルジカルボン酸、ベンゾフェノンジカルボン酸、トリフェニルジカルボン酸、スベリン酸、ドデカフルオロスベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ヘキサデカフルオロセバシン酸、1,9-ノナン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘキサデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸、ヘンエイコサン二酸、ドコサン二酸、トリコサン二酸、テトラコサン二酸、ペンタコサン二酸、ヘキサコサン二酸、ヘプタコサン二酸、オクタコサン二酸、ノナコサン二酸、トリアコンタン二酸など、トリカルボン酸の例としてトリメリット酸、トリメシン酸、ジフェニルエーテルトリカルボン酸、ビフェニルトリカルボン酸など、テトラカルボン酸の例としてピロメリット酸、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸、3,3’,4,4’-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,2’,3,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)プロパン、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)プロパン、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メタン、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸、9,9-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)フルオレン、9,9-ビス{4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル}フルオレン、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸、2,3,5,6-ピリジンテトラカルボン酸、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンおよび下記に示した構造の芳香族テトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、シクロブタンテトラカルボン酸、1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸などを挙げることができるが、これらに限定されない。これらを2種以上用いてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 式中、R17は酸素原子、C(CF、またはC(CHを表す。R18およびR19は水素原子、または水酸基を表す。
 これらの酸は、そのまま、あるいは酸無水物、ハロゲン化物、活性エステルとして使用できる。
 上記一般式(1)中のW-(R、上記一般式(2)中の(OH)-Y-(COORおよび上記一般式(3)中のUはジアミンの残基を表す。W、YおよびUは炭素数4~40の2~8価の有機基であり、なかでも芳香族環または環状脂肪族基を含有する炭素原子数4~40の有機基が好ましい。
 ジアミンの残基を構成するジアミンの具体的な例としては、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)メチレン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシ)ビフェニル、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)フルオレンなどのヒドロキシル基含有ジアミン、3-スルホン酸-4,4’-ジアミノジフェニルエーテルなどのスルホン酸含有ジアミン、ジメルカプトフェニレンジアミンなどのチオール基含有ジアミン、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、ベンジン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、1,5-ナフタレンジアミン、2,6-ナフタレンジアミン、ビス(4-アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3-アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス{4-(4-アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’,3,3’-テトラメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’,4,4’-テトラメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ビス(トリフルオロメチル)-4,4’-ジアミノビフェニルなどの芳香族ジアミンや、これらの芳香族環の水素原子の一部を、炭素数1~10のアルキル基やフルオロアルキル基、ハロゲン原子などで置換した化合物、2,4-ジアミノ-1,3,5-トリアジン(グアナミン)、2,4-ジアミノ-6-メチル-1,3,5-トリアジン(アセトグアナミン)、2,4-ジアミノ-6-フェニル-1,3,5-トリアジン(ベンゾグアナミン)などの含窒素複素芳香族環を有するジアミン、1,3-ビス(3-アミノプロピル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(p-アミノフェニル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(p-アミノフェネチル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,7-ビス(p-アミノフェニル)-1,1,3,3,5,5,7,7-オクタメチルテトラシロキサンなどのシリコーンジアミン、シクロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルアミンなどの脂環式ジアミンおよび下記に示した構造のジアミンなどが挙げられる。これらを2種以上用いてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 式中、R20は酸素原子、C(CF、またはC(CHを表す。R21~R24はそれぞれ独立に水素原子、または水酸基を表す。
 その中で、アルカリ現像性や(A)樹脂、その硬化膜の透過率を向上させる観点から以下に示した構造のジアミンを少なくとも1つ以上含有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 式中、R20は酸素原子、C(CF、またはC(CHを表す。R21~R22はそれぞれ独立に水素原子、または水酸基を表す。
 これらのジアミンは、ジアミンとして、またはジアミンにホスゲンと反応させて得られるジイソシアネート化合物、トリメチルシリル化ジアミンとして使用できる。
 (A)樹脂は、アルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基を含有することが好ましい。これらの基は脂肪族環を含んでいてもよい。アルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基としては、一般式(4)で表される基が特に好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 一般式(4)中、R~Rはそれぞれ独立に炭素数1~6のアルキレン基を表す。R~R16はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、または炭素数1~6のアルキル基を表す。ただし、括弧内に表される構造はそれぞれ異なる。g、h、iはそれぞれ独立に0~35の整数を表し、g+h+i>0である。
 一般式(4)で表される基としては、例えばエチレンオキシド基、プロピレンオキシド基、ブチレンオキシド基などが挙げられ、直鎖状、分岐状、および環状のいずれでもよい。
 (A)樹脂が、アルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基を有することにより、(A)樹脂、およびその硬化膜の機械特性、特に伸度を向上させ、さらに硬化前後の450nmにおける光の透過率を向上させることができる。
 (A)樹脂は、前記一般式(1)におけるWまたは一般式(2)におけるYに、前記のアルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基を含有することが好ましい。これにより、(A)樹脂、およびその硬化膜の機械特性、特に伸度を向上させ、さらに硬化前後の450nmにおける光の透過率を向上させることができるとともに、樹脂組成物の硬化膜における低温加熱処理での閉環促進による高耐薬品性、基板金属との高い密着性、恒温恒湿試験(HAST)対する耐性を得ることができる。
 アルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基を含有するジアミンの具体例としては、エチレンジアミン、1,3-ジアミノプロパン、2-メチル-1,3-プロパンジアミン、1,4-ジアミノブタン、1,5-ジアミノペンタン、2-メチル-1,5-ジアミノペンタン、1,6-ジアミノヘキサン、1,7-ジアミノヘプタン、1,8-ジアミノオクタン、1,9-ジアミノノナン、1,10-ジアミノデカン、1,11-ジアミノウンデカン、1,12-ジアミノドデカン、1,2-シクロヘキサンジアミン、1,3-シクロヘキサンジアミン、1,4-シクロヘキサンジアミン、1,2-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,3-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,4-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、4,4’-メチレンビス(シクロヘキシルアミン)、4,4’-メチレンビス(2-メチルシクロヘキシルアミン)、KH-511、ED-600、ED-900、ED-2003、EDR-148、EDR-176、D-200、D-400、D-2000、THF-100、THF-140、THF-170、RE-600、RE-900、RE-2000、RP-405、RP-409、RP-2005、RP-2009、RT-1000、HE-1000、HT-1100、HT-1700、(以上商品名、HUNTSMAN(株)製)などが挙げられる。
 また、これらのジアミン中に、-S-、-SO-、-SO-、-NH-、-NCH-、-N(CHCH)-、-N(CHCHCH)-、-N(CH(CH)-、-COO-、-CONH-、-OCONH-、-NHCONH-などの結合を含んでもよい。
 アルキレン基およびアルキレンエーテル基から選ばれた基を含有するジアミン残基は、全ジアミン残基中、5モル%以上含まれることが好ましく、10モル%以上含まれることがより好ましい。また、全ジアミン残基中、40モル%以下含まれることが好ましく、30モル%以下含まれることがより好ましい。上記範囲とすることにより、アルカリ現像液での現像性を高めるとともに、(A)樹脂、およびその硬化膜の機械特性、特に伸度を向上させ、さらに硬化後の450nmにおける光の透過率を向上させることができるとともに、樹脂組成物の硬化膜における低温加熱処理での閉環促進による高耐薬品性、金属表面との高い密着性、恒温恒湿試験(HAST)に対する耐性を得ることができる。
 耐熱性を低下させない範囲で、脂肪族ポリシロキサン構造を有するジアミン残基を共重合してもよい。脂肪族ポリシロキサン構造を有するジアミン残基を共重合することで基板との接着性を向上させることができる。具体的には、ジアミン成分として、ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、ビス(p-アミノフェニル)オクタメチルペンタシロキサンなどを全ジアミン残基中の1~15モル%共重合したものなどが挙げられる。この範囲で共重合させることが、シリコンウエハなどの基板との接着性向上の点、および、アルカリ溶液へ溶解性を低下させない点で好ましい。
 (A)樹脂の末端を、酸性基を有するモノアミン、酸無水物、酸クロリド、モノカルボン酸により封止することで、主鎖末端に酸性基を有する樹脂を得ることができる。酸性基を有するモノアミン、酸無水物、酸クロリド、モノカルボン酸としては公知のものを使用してもよく、複数使用してもよい。
 上記モノアミン、酸無水物、酸クロリド、モノカルボン酸などの末端封止剤の含有量は、(A)樹脂を構成する酸成分およびアミン成分の総和100モル%に対して、2~25モル%が好ましい。
 (A)樹脂は、重量平均分子量が10,000以上100,000以下であることが好ましい。重量平均分子量が10,000以上であれば、硬化後の硬化膜の機械特性を向上させることができる。より好ましくは重量平均分子量が20,000以上である。一方、重量平均分子量が100,000以下であれば、各種現像液による現像性を向上させることができ、さらに重量平均分子量が50,000以下であれば、アルカリ溶液による現像性を向上させることができるため好ましい。
 重量平均分子量(Mw)は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)を用いて確認できる。例えば展開溶剤をN-メチル-2-ピロリドン(以下、NMPと省略する場合がある)として測定し、ポリスチレン換算で求めることができる。
 (A)樹脂の含有量は溶剤を含む全含有成分100質量%のうち、3~55質量%とすることが好ましく、5~40質量%とすることがさらに好ましい。前記範囲とすることで、スピン塗布またはスリット塗布を行う上で適切な粘度とすることができる。
 その他に、フェノール樹脂、アルカリ可溶性基を有するラジカル重合性モノマーをモノマー単位として含む重合体、例えばポリヒドロキシスチレンやアクリル等、シロキサンポリマー、環状オレフィン重合体、およびカルド樹脂などを用いてもよい。これらの樹脂公知のものを使用してもよく、また単独で用いてもよく、複数の樹脂を組み合わせて用いてもよい。
 なお、フェノール樹脂は透過率を低下させる観点から、フェノール化合物と芳香族アルデヒド化合物からなる全芳香族フェノール樹脂が好ましい。
 本発明において、(A)樹脂を含む樹脂組成物は、(B)感光剤(以下、(B)成分と呼称する場合がある)を含有することが好ましい。
 (A)樹脂を含む樹脂組成物がさらに、(B)感光剤を含有することで、樹脂組成物に感光性を付与し、微細な開口パターンを形成することができるので好ましい。
 (B)感光剤は、紫外線に感応して化学構造が変化する化合物であり、例えば、光酸発生剤、光塩基発生剤、光重合開始剤などを挙げることができる。(B)成分として光酸発生剤を用いた場合は、感光性樹脂組成物の光照射部に酸が発生し、光照射部のアルカリ現像液に対する溶解性が増大するため、光照射部が溶解するポジ型のパターンを得ることができる。
 (B)感光剤として光塩基発生剤を含有する場合は、樹脂組成物の光照射部に塩基が発生し、光照射部のアルカリ現像液に対する溶解性が低下するため、光照射部が不溶化するネガ型のパターンを得ることができる。
 (B)感光剤として光重合開始剤を含有する場合は、樹脂組成物の光照射部にラジカルが発生してラジカル重合が進行し、アルカリ現像液に対して不溶化することで、ネガ型のパターンを形成することができる。また、露光時のUV硬化が促進されて、感度を向上させることができる。
 本発明において、(A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜について、厚み基準1μmでの波長450nmにおける光の透過率が0.1%以上、95%以下である。これにより、硬化膜が前述した高い配線隠蔽性を有することにより、配線のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくし、意匠性を高めることができる。光の透過率が0.1%未満となると、硬化前の樹脂膜の感度や解像度が低下するなどの不具合が生じる懸念がある。光の透過率が95%を超えると配線隠蔽性が低下し、配線のぎらつきの抑制が不十分であり、外部から視認されるなどの不具合が生じる懸念がある。
 そのような特性を得るためには、(B)感光剤は(B)感光剤自体が波長450nmにおける光の透過率が低く、加熱処理により構造変化が少ないものや、(B)感光剤と(A)樹脂や熱架橋剤等との反応生成物の光の透過率が低いもの、(B)感光剤の分解生成物自身もしくは分解性生成物由来の反応生成物の光の透過率が低いものが好ましい。
 微細加工性の観点から、(A)樹脂を含む樹脂組成物は、ポジ型感光性をであることが好ましい。さらに、(A)樹脂および(B)感光剤を含む樹脂組成物は、ポジ型感光性を有することが好ましい。
 上記した(B)感光剤の中で、高い配線隠遮性や高感度で微細加工性の観点から、光酸発生剤が好ましい。光酸発生剤としては、キノンジアジド化合物、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩などが挙げられる。さらに増感剤などを必要に応じて含むことができる。
 キノンジアジド化合物としては、フェノール性水酸基を有した化合物にナフトキノンジアジドのスルホン酸がエステルで結合した化合物が好ましい。ここで用いられるフェノール性水酸基を有する化合物としては、公知のものを使用してもよく、それらに4-ナフトキノンジアジドスルホン酸あるいは5-ナフトキノンジアジドスルホン酸をエステル結合で導入したものが好ましいものとして例示することができるが、これ以外の化合物を使用することもできる。
 また、フェノール性水酸基を有した化合物の官能基全体の50モル%以上がキノンジアジドで置換されていることが好ましい。50モル%以上置換されているキノンジアジド化合物を使用することで、キノンジアジド化合物のアルカリ水溶液に対する親和性が低下する。その結果、未露光部の樹脂組成物のアルカリ水溶液に対する溶解性は大きく低下する。さらに、露光によりキノンジアジドスルホニル基がインデンカルボン酸に変化し、露光部の感光性樹脂組成物のアルカリ水溶液に対する大きな溶解速度を得ることができる。すなわち、結果として組成物の露光部と未露光部の溶解速度比を大きくして、高い解像度でパターンを得ることができる。
 このようなキノンジアジド化合物を含有することで、一般的な水銀灯のi線(365nm)、h線(405nm)、g線(436nm)やそれらを含むブロードバンドに感光するポジ型の感光性を有する樹脂組成物を得ることができる。また、(B)感光剤は1種のみ含有しても、2種以上組み合わせて含有してもよく、高感度な樹脂組成物を得ることができる。
 キノンジアジドとしては、5-ナフトキノンジアジドスルホニル基、4-ナフトキノンジアジドスルホニル基、同一分子中に4-ナフトキノンジアジドスルホニル基および5-ナフトキノンジアジドスルホニル基を含むものなどが挙げられる。
 ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物としては5-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物(B-1)および4-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物(B-2)などが挙げられるが、本発明においては(B-2)化合物を含むことが好ましい。(B-2)化合物は水銀灯のi線領域の吸収が大きく、i線露光に適している。また、硬化時に(B-2)化合物の分解や(A)樹脂などと反応することにより着色することで、450nmにおける光の透過率を下げることができるため、加熱処理後の光透過率の観点から好ましい。感光剤は(B-2)化合物のみの単独成分である場合か、または他の成分との混合である場合は、(B-2)化合物が46質量%以上含まれることが好ましい。(B-1)化合物と(B-2)化合物の混合物である場合、(B-2)化合物の含有比率としては全感光剤量である(B-1)化合物+(B-2)化合物に対し、46質量%以上100質量%以下であることが好ましい。この含有比率とすることにより、光の透過率の低い硬化膜を得ることができる。
 キノンジアジド化合物は、フェノール性水酸基を有する化合物と、キノンジアジドスルホン酸化合物とのエステル化反応によって、公知の方法により合成することができる。キノンジアジド化合物を使用することで解像度、感度、残膜率がより向上する。
 (B)感光剤の分子量は、熱処理により得られる膜の耐熱性、機械特性および接着性の点から、好ましくは300以上、より好ましくは350以上であり、好ましくは3,000以下、より好ましくは1,500以下である。
 (B)感光剤のうち、スルホニウム塩、ホスホニウム塩およびジアゾニウム塩は、露光によって発生した酸成分を適度に安定化させるため好ましい。中でもスルホニウム塩が好ましい。
 (B)感光剤の含有量は、(A)樹脂100質量部に対して0.1質量部以上100質量部以下が好ましい。(B)感光剤の含有量が0.1質量部以上100質量部以下であれば、熱処理後の膜の耐熱性、耐薬品性および機械特性を維持しつつ、感光性を付与することができる。
 (B)感光剤がキノンジアジド化合物を含有する場合、(B)感光剤の含有量は、(A)成分100質量部に対して、1質量部以上がより好ましく、3質量部以上がさらに好ましい。また、100質量部以下がより好ましく、80質量部以下がさらに好ましい。1質量部以上100質量部以下であれば、熱処理後の膜の耐熱性、耐薬品性および機械特性を維持しつつ、感光性を付与することができる。
 (B)感光剤がスルホニウム塩、ホスホニウム塩またはジアゾニウム塩を含有する場合、(B)感光剤の含有量は、(A)樹脂100質量部に対して、0.1質量部以上がより好ましく、1質量部以上がさらに好ましく、3質量部以上が特に好ましい。また、100質量部以下がより好ましく、80質量部以下がさらに好ましく、50質量部以下が特に好ましい。0.1質量部以上100質量部以下であれば、熱処理後の膜の耐熱性、耐薬品性および機械特性を維持しつつ、感光性を付与することができる。
 (B)感光剤として光塩基発生剤を含有する場合、光塩基発生剤として、具体的には、アミド化合物、アンモニウム塩などが挙げられる。
 アミド化合物としては、例えば、2-ニトロフェニルメチル-4-メタクリロイルオキシピペリジン-1-カルボキシラート、9-アントリルメチル-N,N-ジメチルカルバメート、1-(アントラキノン-2イル)エチルイミダゾールカルボキシラート、(E)-1-[3-(2-ヒドロキシフェニル)-2-プロペノイル]ピペリジンなどが挙げられる。
 アンモニウム塩としては、例えば、1,2-ジイソプロピル-3-(ビスジメチルアミノ)メチレン)グアニジウム2-(3-ベンゾイルフェニル)プロピオナート、(Z)-{[ビス(ジメチルアミノ)メチリデン]アミノ}-N-シクロヘキシルアミノ)メタニミニウムテトラキス(3-フルオロフェニル)ボラート、1,2-ジシクロヘキシル-4,4,5,5-テトラメチルビグアニジウムn-ブチルトリフェニルボラートなどが挙げられる。
 (B)感光剤として光塩基発生剤を含有する場合、樹脂組成物における(B)感光剤の含有量は、(A)樹脂100質量部に対して、0.1質量部以上が好ましく、0.5質量部以上がより好ましく、0.7質量部以上がさらに好ましく、1質量部以上が特に好ましい。含有量が上記範囲内であると、露光時の感度を向上させることができる。一方、含有量は、25質量部以下が好ましく、20質量部以下がより好ましく、17質量部以下がさらに好ましく、15質量部以下が特に好ましい。含有量が上記範囲内であると、現像後の解像度を向上させることができる。
 (B)感光剤として、光重合開始剤を含有する場合、光重合開始剤としては、例えば、ベンジルケタール系光重合開始剤、α-ヒドロキシケトン系光重合開始剤、α-アミノケトン系光重合開始剤、アシルホスフィンオキシド系光重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤、アクリジン系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、アセトフェノン系光重合開始剤、芳香族ケトエステル系光重合開始剤または安息香酸エステル系光重合開始剤、チタノセン系光重合開始剤が好ましく、それぞれ公知のものを使用してもよく、複数使用してもよい。この中で、露光時の感度向上の観点から、α-ヒドロキシケトン系光重合開始剤、α-アミノケトン系光重合開始剤、アシルホスフィンオキシド系光重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤、アクリジン系光重合開始剤またはベンゾフェノン系光重合開始剤がより好ましく、α-アミノケトン系光重合開始剤、アシルホスフィンオキシド系光重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤がさらに好ましい。
 (B)感光剤として光重合開始剤を含有する場合、樹脂組成物における(B)感光剤の含有量は、(A)樹脂100質量部に対して、0.1質量部以上が好ましく、0.5質量部以上がより好ましく、0.7質量部以上がさらに好ましく、1質量部以上が特に好ましい。含有量が上記範囲内であると、露光時の感度を向上させることができる。一方、含有量は、25質量部以下が好ましく、20質量部以下がより好ましく、17質量部以下がさらに好ましく、15質量部以下が特に好ましい。含有量が上記範囲内であると、現像後の解像度を向上させることができる。
 本発明において、前記(A)樹脂を含む前記樹脂組成物がさらに、(C)着色剤を含有し、前記(C)着色剤が、(C-1)波長400nm以上、490nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤(以下、(C)成分、(C-1)成分と呼称する場合がある)を含有することが好ましい。
 (C)着色剤とは、熱発色性化合物、染料、または顔料などが挙げられる。このうち、耐熱性や感度や解像度の観点から、染料および有機顔料のいずれか1種以上を使用することが好ましく、染料がより好ましい。
 (C)成分が(C-1)成分を含有することで、波長400nm以上、490nm以下の範囲の光を吸収して透過する光量を抑え、本発明に係る硬化膜における厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が0.1%以上、95%以下とすることができ、硬化膜が高い配線隠蔽性を有することにより、配線のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくし、意匠性を高めることができる。
 好ましくは、(C-1)成分は、好ましくはが波長420nm以上480nm以下の範囲、より好ましくは波長430nm以上470nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤である。
 (C-1)成分が、露光波長の一部である波長350nm~390nmの光を透過する特性を有することにより露光波長に対する感度及び解像度を両立することができる。具体的には、(C-1)成分と溶媒からなる濃度10-5mol/Lの化合物溶液において、波長350nm~390nmの光の透過率は40%以上が好ましく、70%以上がより好ましい。
 (C-1)成分は少なくとも1種類以上含有すればよく、例えば、1種の熱発色性化合物や1種の染料または有機顔料を用いる方法、2種以上の熱発色性化合物や染料または有機顔料を混合して用いる方法、1種以上の熱発色性化合物と1種以上の染料と1種以上の有機顔料を組み合わせて用いる方法等が挙げられる。
 (C-1)成分は、例えば黄色染料や橙色染料などが挙げられる。染料の種類として例えば、油溶性染料、分散染料、反応性染料、酸性染料もしくは直接染料等が挙げられる。
 (C-1)成分として用いる染料の骨格構造としては、例えばアントラキノン系、メチン系、キノリン系、ペリノン系などが挙げられるがこれらに限定されない。またこれら各染料は単独でも含金属錯塩系として用いてもよい。具体的には、Sumilan、Lanyl染料(住友化学工業(株)製)、Orasol、Oracet、Filamid、Irgasperse染料(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ(株)製)、Zapon、Neozapon、Neptune、Acidol染料(BASF(株)製)、Kayaset、Kayakalan染料(日本化薬(株)製)、Valifast Colors染料(オリエント化学工業(株)製)、Savinyl、Sandoplast、Polysynthren、Lanasyn染料(クラリアントジャパン(株)製)、Aizen Spilon染料(保土谷化学工業(株)製)、機能性色素(山田化学工業(株)製)、Plast Color染料、Oil Color染料(有本化学工業(株)製)等をそれぞれ適用することができるが、それらに限定されるものではない。これらの染料は単独または混合することで用いることができる。
 (C-1)成分として用いる顔料は、硬化時の退色の観点から耐熱性の高い顔料が好ましく、具体例をカラーインデックス(CI)ナンバーで示すと、黄色顔料の例としては、ピグメントイエロー83、117、129、138、139、150、180などが挙げられる。橙色顔料の例としてはピグメントオレンジ38、43、64、71、72などが挙げられる。また、(C-1)成分の含有量は、(A)樹脂100質量部に対して、0.1~100質量部が好ましく、さらに0.2~50質量部が好ましい。(C-1)成分の含有量が0.1質量部以上とすることで、対応する波長の光を吸収させることができる。また、100質量部以下とすることで、光の透過率および感度、解像度を両立することができる。
 本発明において、(A)樹脂を含む樹脂組成物がさらに、(C)着色剤を含有し、前記(C)着色剤が、(C-2)波長490nmを超えて580nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤(以下、(C-2)成分と呼称する場合がある)を含有することが好ましい。
 本発明において、(A)樹脂を含む樹脂組成物がさらに、(C)着色剤を含有し、前記(C)着色剤が、(C-3)波長580nmを超えて800nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤(以下、(C-3)成分と呼称する場合がある)を含有することが好ましい。
 また、本発明において、(C)成分が、(C-1)成分とともに、さらに、(C-2)波長490nmを超えて580nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤および(C-3)波長580nm超えて800nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤を含有することが好ましい。
 (C-1)成分に加えて、(C-2)成分および(C-3)成分を含有することで、配線隠蔽性に加えて、黒色化により外光反射低減やコントラストが向上するため、視認性を高めることができ、好ましい
 (C-2)成分及び(C-3)成分は、(C-1)成分と同様に溶剤溶解性や耐熱性、350nm~390nmの波長の透過性が高いことが好ましく、染料および有機顔料のいずれか1種以上を使用することが好ましく、染料がより好ましい。これにより、(C-1)成分および(C-2)成分、(C-3)成分を混合することによる黒色化の他、樹脂膜において、高感度、高解像度化できるため、好ましい。
 (C-2)成分及び(C-3)成分として好ましく使用できる染料の骨格構造としては、例えばトリフェニルメタン系、アントラキノン系などが挙げられるがこれらに限定されない。またこれら各染料は単独でも含金属錯塩系として用いてもよい。具体的には、Sumilan、Lanyl染料(住友化学工業(株)製)、Orasol、Oracet、Filamid、Irgasperse染料(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ(株)製)、Zapon、Neozapon、Neptune、Acidol染料(BASF(株)製)、Kayaset、Kayakalan染料(日本化薬(株)製)、Valifast Colors染料(オリエント化学工業(株)製)、Savinyl、Sandoplast、Polysynthren、Lanasyn染料(クラリアントジャパン(株)製)、Aizen Spilon染料(保土谷化学工業(株)製)、機能性色素(山田化学工業(株)製)、Plast Color染料、Oil Color染料(有本化学工業(株)製)等をそれぞれ適用することができるが、それらに限定されるものではない。これらの染料は単独または混合することで用いることができる。
 (C-2)成分として好ましく使用できる有機顔料としては具体例をカラーインデックス(CI)ナンバーで示すと、赤色顔料の例としては、ピグメントレッド48:1、122、168、177、202、206、207、209、224、242、254などが挙げられる。(C-2)成分として好ましく使用できる紫色顔料の例としては、ピグメントバイオレット19、23、29、32、33、36、37、38などが挙げられる。(C-3)成分として好ましく使用できる青色顔料の例としてはピグメントブルー15(15:3、15:4、15:6など)、21、22、60、64などが挙げられる。(C-3成分として好ましく使用できる緑色顔料の例としてはピグメントグリーン7、10、36、47、58などが挙げられる。また、これら以外の顔料を用いることもできる。また上記と同様必要に応じて、表面処理を施されているものを使用してもよい。
 (C-2)成分、(C-3)成分の含有量は、それぞれ(A)樹脂100質量部に対して、0.1~100質量部が好ましく、さらに0.2~50質量部が好ましい。(C-1)成分の含有量が0.1質量部以上とすることで、対応する波長の光を吸収させることができる。また、100質量部以下とすることで、光の透過率および感度、解像度を両立することができる。
 また、(C-1)成分、(C-2)成分および(C-3)成分として用いられる染料は保存安定性、硬化時の退色の観点から(A)樹脂を溶解する有機溶剤に可溶でかつ樹脂と相溶し、耐熱性の高い染料が好ましい。ここでいう有機溶剤は、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、δ-バレロラクトン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N’-ジメチルプロピレン尿素、N,N‐ジメチルイソ酪酸アミド、メトキシ-N,N-ジメチルプロピオンアミドなどの極性の非プロトン性溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸プロピル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテートなどのエステル類、乳酸エチル、乳酸メチル、ジアセトンアルコール、3-メチル-3-メトキシブタノールなどのアルコール類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類等が挙げられる。また、耐熱性は、酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で250℃1時間での加熱前後で吸収スペクトルの変化が見られないものが好ましい。
 有機顔料は、必要に応じて、ロジン処理、酸性基処理、塩基性基処理などの表面処理が施されているものを使用してもよい。また、場合により分散剤とともに使用することができる。分散剤は、例えば、カチオン系、アニオン系、非イオン系、両性、シリコーン系、フッ素系の界面活性剤を挙げることができる。
 本発明において、前記(A)樹脂を含む前記樹脂組成物がさらに、(C)着色剤を含有し、(C)着色剤が(C-4)黒色着色剤(以下、(C-4)成分と呼称する場合がある)を含有することが好ましい。
 (C)成分が(C-4)成分を含有することで、本発明に係る硬化膜における厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が0.1%以上、95%以下とすることができ、硬化膜が高い配線隠蔽性を有することにより、配線のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくし、意匠性を高めることができ、さらに外光反射低減やコントラスト向上により、視認性を高めることができる。
 (C-4)成分は少なくとも1種類以上含有すればよく、例えば、1種の無機黒色顔料、有機黒色顔料または黒色染料を用いる方法、2種以上の無機黒色顔料、有機黒色顔料または黒色染料を組み合わせて用いる方法等が挙げられる。
 無機黒色顔料としては、例えば、チタン原子を有する無機黒色顔料、ジルコニウム原子を有する無機黒色顔料、アモルファスカーボンブラック、カーボンブラックなどが挙げられるが、これらに限定しない。ここでいうアモルファスカーボンブラックとは、非晶性カーボンブラック粒子のことをいう。一方で、単にカーボンブラックとは、一般的に着色剤用途としてよく知られた、結晶性を有するカーボンブラック粒子のことをいう。
 チタン原子を有する無機黒色顔料とは、TiNで表される窒化チタン、TiNxOy(0<x<2.0、0.1<y<2.0)で表される酸窒化チタン、TiCで表される炭化チタン、窒化チタンと炭化チタンの固溶体、チタンとチタン以外の金属との複合酸化物または複合窒化物のいずれか一種以上を意味する。中でも、可視光領域の遮光性が高いことに加えて、露光工程における露光光透過率が高い点で、窒化チタンおよび酸窒化チタンのいずれかが好ましく、誘電率が低い点から、窒化チタンがより好ましい。窒化チタンの製法としては気相反応が挙げられ、中でも、一次粒子径が小さく粒度分布がシャープな粒子を得やすいことから、熱プラズマ法で合成された窒化チタンが好ましい。また、チタン原子を有する無機黒色顔料は、誘電率の上昇を回避するため、不純物として無機白色顔料である、TiOで表される二酸化チタンの含有量は少ないほど好ましく、含有しないことがより好ましい。
 ジルコニウム原子を有する無機黒色顔料とは、Zrで表される窒化ジルコニウム、ZrNで表される窒化ジルコニウム、ZrOxNy(0<x<2.0,0.1<y<2.0)で表される酸窒化ジルコニウム、ジルコニウムとジルコニウム以外の金属との複合酸化物または複合窒化物のいずれか一種以上を意味する。中でも、露光工程における露光光透過率が高く、誘電率が低いことから、ZrNで表される窒化ジルコニウムが好ましい。製法としては気相反応が挙げられ、中でも、一次粒子径が小さく粒度分布がシャープな粒子を得やすいことから、熱プラズマ法で合成された窒化ジルコニウムが好ましい。また、ジルコニウム原子を有する無機黒色顔料は、誘電率の上昇を回避するため、不純物として無機白色顔料である、ZrOで表される二酸化ジルコニウムの含有量は少ないほど好ましく、含有しないことがより好ましい。
 チタン原子を有する無機黒色顔料およびジルコニウム原子を有する無機黒色顔料は、必要に応じて顔料表面を改質するため表面処理を施しても良い。表面処理の方法としては、例えば、シランカップリング剤処理によりケイ素原子を含む有機基を表面修飾基として導入する方法、シリカ、金属酸化物および/または有機樹脂などの被覆材で顔料表面の一部または全てを被覆する方法などが挙げられ、複数の表面処理を組み合わせても良い。これら表面処理を施すことにより、本発明における樹脂組成物の長期貯蔵安定性を向上できる場合がある。なお、ジルコニウム原子を有する無機黒色顔料と、チタン原子を有する無機黒色顔料は、両方を含む固溶体として1つの一次粒子を構成していても良い。
 アモルファスカーボンブラックとは、ダイヤモンド構造(SP構造)とグラファイト構造(SP構造)とから成る非晶性カーボンブラックを意味する。いわゆる、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)に分類される炭素に相当する。アモルファスカーボンブラックは、後述する結晶性を有するカーボンブラックと比べて、絶縁性が高く、表面処理を施すことなく着色材として好適に用いることができる。製法としては、炭素源を気化させ、気化させた炭素蒸気を冷却し再凝固させた後に一旦フレーク状とし、乾式粉砕処理を施して微粒化したものが好ましい。アモルファスカーボンブラックの構造は、SP構造を多く含む場合、可視光線および近赤外線の遮光性が低い反面、絶縁性を向上できる。一方、SP構造多く含む場合は、絶縁性が低い反面、可視光線および近赤外線の遮光性を向上できる。すなわち、合成条件により顔料固有のそれら特性を制御することができる。中でも、本発明における感光性組成物には、SP構造およびSP構造の合計に対して、SP構造の含有量が30~70atom%であるアモルファスカーボンブラックを好ましく用いることができる。また、SP構造およびSP構造の割合は、X線光電子分光法により解析することができる。
 以上のチタン原子を有する無機黒色顔料、ジルコニア原子を有する無機黒色顔料およびアモルファスカーボンの合計量は、近赤外線遮光性をより向上させる上で、本発明における感光性組成物の全固形分中5.0質量%以上が好ましい。また、誘電率の過度な上昇を回避する上で、感光性組成物中の全固形分中35.0質量%以下が好ましい。ここでいう全固形分とは、感光性組成物から溶剤分を除いた成分を意味する。
 カーボンブラックとしては、その製法から分類されるファーネスブラック、サーマルブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、ランプブラックが挙げられ、中でも、分散性に優れ、顔料表面の酸性度や粒子径の微細化の制御が工業的に容易である点から、ファーネス法で製造されたファーネスブラックが好ましい。中でも、絶縁性向上の観点から、カーボンブラック特有の強固に粒子が数珠状に連結したストラクチャー長が短いほど好ましく、さらに、有機基が表面修飾されたものや、または高絶縁性の被覆材で被覆されたものがより好ましい。そのような表面改質型カーボンブラックとしては、市販品を用いてもよく、例えば、硫黄原子を含む酸性官能基が表面修飾されたカーボンブラックである“TPK-1227”、顔料表面がシリカで被覆されたカーボンブラックである“TPX-1409”(以上、いずれもCABOT社製)が挙げられる。
 カーボンブラックの合計量は、近赤外線遮光性をより向上させる上で、本発明における樹脂組成物の全固形分中5.0質量%以上が好ましい。また、誘電率の過度な上昇を回避する上で、樹脂組成物中の全固形分中10.0質量%以下が好ましい。
 硬化膜が所望の光学特性を有するよう複数種を混合して用いても良い。例えば、紫味の強い黒色を呈する窒化ジルコニウムと、黄味の強い黒色を呈するアモルファスカーボンとを用いて調色することにより、硬化膜の反射色を、彩度が低く抑えられたニュートラルブラックとすることができる。
 無機黒色顔料の平均一次粒子径は、分散性および分散後の貯蔵安定性を向上する観点から、5nm以上が好ましく、10nm以上がより好ましい。一方で、高い屈曲性を得ることができる点から、150nm以下が好ましく、100nm以下がより好ましい。ここでいう平均一次粒子径とは、画像解析式粒度分布測定装置を用いた粒度測定法により算出した、一次粒子径の数平均値を意味する。画像の撮影には、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いることができ、倍率50,000倍の条件で、平均一次粒子径を算出することができる。(C-4)成分が球状でない場合は、その長径と短径の平均値を一次粒子径とする。画像解析には、マウンテック社製画像解析式粒度分布ソフトウェアMac-Viewを用いる。平均一次粒子径を小径化させる、あるいは粗大分を摩砕して粒度分布をシャープなものとする必要がある場合、乾式粉砕処理を行っても良い。乾式粉砕処理には、例えば、ハンマーミル、ボールミルなどを用いることができる。また、顔料の硬度が過度に高いなどの理由から乾式粉砕処理で限界がある場合は、解砕することなく粗大分を分級処理で除去することが望ましい。
 有機黒色顔料としては、ベンゾジフラノン系黒色顔料、ペリレン系黒色顔料、アゾ系黒色顔料およびそれらの異性体のことをいう。ここでいう異性体とは、互変異性体をも含む。異性体は、複数の顔料粉末の混合物として含まれていてもよく、1つの一次粒子を構成する上で混晶として含まれていてもよい。なお、概して有機顔料は、近赤外領域における遮光性には極めて乏しい反面、誘電率が低い利点があるため、本発明における(A)樹脂を含む樹脂組成物においては、誘電率の上昇を回避していながら可視光領域のみに遮光性を付与するための成分として効果的に用いることができる。
 ベンゾジフラノン系黒色顔料としては、例えば、BASF製“Irgaphor(登録商標)”Black S0100などが挙げられるが、それらに限定されるものではない。また、SOH、SO-またはCOOHなどの置換基を有するベンゾジフラノン系黒色顔料を分散助剤として一部混合して湿式分散処理を行うことで分散性を高めることができる。
 ペリレン系黒色顔料としては、カラーインデックス(CI)ナンバーで示すと、C.I.ピグメントブラック31、32が挙げられ、例えば、BASF製FK4280などが挙げられるが、それらに限定されるものではない。
 本発明における(A)樹脂を含む樹脂組成物は、さらに、分散剤を含有することができる。分散剤とは、顔料表面への化学的結合または吸着作用を有する顔料親和性基と、親溶媒性を有する高分子鎖または基とを併せ持つものを意味する。分散剤の作用機構としては、酸-塩基相互作用の他、水素結合、ファン・デル・ワールス(Van-der-Waals)力などが複合的に関与し、後述する顔料分散液を作製する際に行う湿式メディア分散処理において、有機顔料表面の分散媒への湿潤性を高め、高分子鎖による有機顔料同士の立体反発効果および/または静電反発効果を高めることにより、顔料の微細化を促進し、かつ分散安定性を高める効果を奏する。微細化の促進および分散安定性の向上により、屈曲性をさらに向上することができる。
 分散剤としては、塩基性吸着基を有する分散剤、酸性基を有する分散剤、ノニオン系分散剤を好ましく用いることができる。塩基性吸着基を有する分散剤としては、例えば、DisperBYK-142、145、164、167、182、187、2001、2008、2009、2010、2013、2020、2025、9076、9077、BYK-LP N6919、BYK-LP N21116、BYK-JET9152(以上、いずれもビックケミー社製)、“Solsperse(登録商標)”9000、11200、13650、20000、24000、24000SC、24000GR、32000、32500、32550、326000、33000、34750、35100、35200、37500、39000、56000、76500(以上、いずれもルーブリゾール社製)、Efka-PX4310、4320、4710(以上、いずれもBASF社製)が挙げられる。酸性基を有する分散剤としては、例えば、“Tego dispers(登録商標)”655(エボニック社製)、DisperBYK-102、118、174、2096(以上、いずれもビックケミー社製)、が挙げられ、ノニオン系分散剤としては、例えば、“SOLSPERSE(登録商標)”54000(ルーブリゾール社製)、“Tego dispers(登録商標)”650、652、740W(以上、いずれもエボニック社製)が挙げられる。顔料固有の表面特性や平均一次粒子径を考慮して、後述の平均分散粒子径が得られるよう、適宜これらの分散剤を単独であるいは複数種を混合して用いてもよい。
 分散剤の含有量は、後述の湿式メディア分散処理における十分な解凝集性と、分散処理後の再凝集を抑制する上で、顔料の合計量100質量部に対して10質量部以上が好ましく、20質量部以上がより好ましい。一方、分散剤以外の構成成分の含有量を十分に確保する上で、100質量部以下が好ましく、60質量部以下がより好ましい。
 (A)樹脂を含む樹脂組成物は、必要に応じてその他の成分として、熱架橋剤、ラジカル重合性化合物、酸化防止剤、溶剤、フェノール性水酸基を有する化合物、密着改良剤、接着改良剤、界面活性剤を含有してもよい。
 次に、本発明における樹脂組成物の製造方法について説明する。例えば、前記(A)樹脂と、必要により、(B)感光剤、(C)着色剤、熱架橋剤、ラジカル重合性化合物、酸化防止剤、溶剤、フェノール性水酸基を有する化合物、密着改良剤、接着改良剤、界面活性剤などを混合して溶解させることにより、樹脂組成物を得ることができる。
 溶解方法としては、加熱や撹拌など公知の方法が挙げられる。
 樹脂組成物の粘度は、2~5,000mPa・sが好ましい。粘度が2mPa・s以上となるように固形分濃度を調整することにより、所望の膜厚を得ることが容易になる。一方粘度が5,000mPa・s以下であれば、均一性の高い樹脂膜を得ることが容易になる。このような粘度を有する樹脂組成物は、例えば固形分濃度を5~60質量%にすることで容易に得ることができる。ここで、固形分濃度とは溶剤以外の成分を言う。
 得られた樹脂組成物は、濾過フィルターを用いて濾過し、ゴミや粒子を除去することが好ましい。濾過フィルターの材質には、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、ナイロン(NY)、ポリテトラフルオロエチエレン(PTFE)などがあるが、ポリエチレンやナイロンが好ましい。
 (A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜を形成する際には、(A)樹脂を含む樹脂組成物から樹脂シートを形成してから、樹脂シート硬化させて膜を形成してもよい。
 樹脂シートは上記樹脂組成物を用いて基材に形成したシートをいう。具体的には、基材に樹脂組成物を塗布し、乾燥して得られた樹脂シートをいう。
 樹脂組成物を塗布する基材にはポリエチレンテレフタレート(PET)などのフィルムを用いることができる。樹脂シートをシリコンウエハなどの基板に貼り合わせて用いる際に、基材を剥離除去する必要がある場合は、表面にシリコーン樹脂などの離型剤がコーティングされている基材を用いると、容易に樹脂シートと基材を剥離できるため好ましい。
 次に、表示装置の製造方法について説明する。
 本発明の表示装置の製造方法は、少なくとも配線、硬化膜及び複数の異なる2つの面に電極をそれぞれ具備する発光素子を有する表示装置の製造方法であって、支持基板上に前記発光素子を配置する工程(D1)、前記支持基板上および前記発光素子上に、(A)樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程(D2)、前記樹脂膜に対して露光、現像することにより、前記樹脂膜に複数の貫通した開口パターンを形成する工程(D3)、前記樹脂膜を硬化させ、厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である前記硬化膜を形成する工程(D6)、および、前記硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンに前記配線を形成する工程(D5)、を有する。
 図7に本発明の、複数の発光素子を有する表示装置の一例の作製工程を示す支持基板に垂直な面での断面図を示す。
 以下、樹脂膜とは(A)樹脂を含む樹脂組成物を基板に塗布もしくは樹脂シートをラミネートし、乾燥して得られた膜をいう。ここで(A)樹脂を含む樹脂組成物のうち溶剤を含有するものをワニスと記す場合もある。また、硬化膜は樹脂膜、もしくは樹脂シートを硬化して得られた膜をいう。
 図7aにおいて、工程(D1)は、支持基板18上に異なる2つの面に電極6をそれぞれ具備する発光素子2を配置する工程である。支持基板はガラス基板、シリコン基板、セラミックス類、ガリウムヒ素、有機回路基板、無機回路基板、またはこれらの基板に回路の構成材料が配置されたものなどが用いられるが、これらに限定されない。支持基板上には仮貼り材料や配線4dが配置されていてもよい。またTFTアレイ基板を使用してもよい。支持基板は対向基板や発光素子駆動基板として使用してもよく、また工程の途中で除去してもよく、また除去後別の対向基板や発光素子駆動基板を配置してもよい。図7aでは支持基板18上に仮貼り層を形成し、その上に配線4dを形成したものを一例として図示している。電極6と配線4dはバンプや導電性フィルムなどを通じて接続されていてもよく、直接接続されていてもよい。また、配線4dは貫通電極などを通じて発光素子2の少なくとも一部と接するように配した硬化膜3中に延在する配線4と接続してもよく、発光素子駆動基板7と接続してもよい。
 次に、工程(D2)は、図7bに示すように支持基板18上および発光素子2上に、(A)樹脂を含む樹脂組成物または(A)樹脂を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして樹脂膜19を形成する工程である。
 なお、支持基板上および発光素子上とは、支持基板の表面や発光素子の表面のみならず、支持基板や発光素子の上側にあればよく、硬化膜や配線、隔壁上に(A)樹脂を含む樹脂組成物または(A)樹脂を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして樹脂膜を形成してもよい。
 塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、印刷法などの方法がある。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が0.1~150μmになるように塗布される。
 塗布に先立ち、(A)樹脂を含む樹脂組成物を塗布する支持基板を予め前述した密着改良剤で前処理してもよい。例えば、密着改良剤をイソプロパノール、エタノール、メタノール、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルなどの溶剤に0.5~20質量%溶解させた溶液を用いて、スピンコート、スリットダイコート、バーコート、ディップコート、スプレーコート、蒸気処理などの方法で基板表面を処理する方法が挙げられる。基板表面を処理した後、必要に応じて、減圧乾燥処理を施してもよい。また、その後50℃~280℃の熱処理により基板と密着改良剤との反応を進行させてもよい。
 次に、(A)樹脂を含む樹脂組成物の塗布膜を乾燥して、樹脂膜19を得る。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使用し、50℃~140℃の範囲で1分~数時間行うことが好ましい。
 一方、前記樹脂シートを用いる場合、前記樹脂シートに保護フィルムを有する場合にはこれを剥離し、樹脂シートと支持基板を対向させ、熱圧着により貼り合わせる(樹脂シートと支持基板を対向させ、熱圧着により貼り合わせることを、樹脂シートを支持基板にラミネートすると記す場合もある)。次に、支持基板にラミネートした樹脂シートを、上記樹脂膜を得る際と同様に乾燥して、樹脂膜19を形成する。樹脂シートは、(A)樹脂を含む樹脂組成物を剥離性基板であるポリエチレンテレフタラート等により構成される支持フィルム上に塗布、乾燥させて得ることができる。
 熱圧着は、熱プレス処理、熱ラミネート処理、熱真空ラミネート処理等によって行うことができる。貼り合わせ温度は、基板への密着性、埋め込み性の点から40℃以上が好ましい。また、樹脂シートが感光性を有する場合、貼り合わせ時に樹脂シートが硬化し、露光・現像工程におけるパターン形成の解像度が低下することを防ぐために、貼り合わせ温度は140℃以下が好ましい。
 次に、工程(D3)は、フォトリソ工程を用いて、樹脂膜19に対して、配線4の形態に対応した貫通した開口パターン12を、図7cに示すように、形成する工程である。
 (A)樹脂を含む樹脂組成物または樹脂シートは微細加工可能なため、発光素子の高密度配置が可能である。
 感光性を有する樹脂膜上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照射する。露光に用いられる化学線としては紫外線、可視光線、電子線、X線などがあるが、本発明では一般的な露光波長であるg線(436nm)、h線(405nm)またはi線(365nm)、を用いることが好ましい。感光性を有さない樹脂膜においては、樹脂膜形成後にフォトレジストを形成した後、前記の化学線を照射する。
 露光された感光性を有する樹脂膜19を現像する。現像液としては、テトラメチルアンモニウム、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によっては、これらのアルカリ水溶液にN-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ-ブチロラクトン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶剤、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などを1種または2種以上添加してもよい。現像後は水にてリンス処理をすることが一般的である。ここでもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えてリンス処理をしてもよい。
 次に、工程(D6)は、図7cに示す樹脂膜19を硬化させることにより、厚み基準5μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である硬化膜3を形成する工程である。
 また、工程(D6)は、樹脂膜19を硬化させることにより、厚み基準5μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、79%以下である硬化膜3を形成する工程(D4)であってもよく、樹脂膜19を硬化させることにより、厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、25%以下である硬化膜3を形成する工程(D7)であってもよい。
 樹脂膜19を加熱して閉環反応や熱架橋反応を進行させ、硬化膜3を得る。硬化膜3は、(A)樹脂同士、または(B)感光剤や熱架橋剤などとの架橋によって、耐熱性および耐薬品性が向上する。この加熱処理は、段階的に昇温して行ってもよいし、連続的に昇温しながら行ってもよい。加熱処理は5分間~5時間実施することが好ましい。一例としては、110℃で30分加熱処理した後、さらに230℃60分熱処理する例が挙げられる。加熱処理条件としては、140℃以上400℃以下が好ましい。加熱処理条件は、熱架橋反応を進行させるため、140℃以上が好ましく、160℃以上がより好ましい。また優れた硬化膜を提供するため、表示装置の信頼性を向上させるため、加熱処理条件は300℃以下が好ましく、250℃以下がより好ましい。
 加熱時は空気雰囲気で処理されてもよく、また(C)成分の退色を抑制するため、酸素濃度が低い雰囲気で処理されてもよい。酸素濃度としては1000ppm以下が好ましく、300ppm以下がより好ましく、100ppm以下がさらに好ましく、50ppm以下が特に好ましい。
 このようにして得られた硬化膜は、開口パターンを有し、該開口パターン断面における傾斜辺の角度が40°以上85°以下であることが好ましい。開口部の断面形状の角度が40°以上であると、複数の発光素子を効率的に配置することができ、高精細化が可能となる。開口部の断面形状の角度はより好ましくは50°以上である。一方、開口部の断面形状の角度が85°以下であると、配線の短絡など配線不良の抑制を図ることができる。開口部の断面形状の角度はより好ましくは80°以下である。
 図16に硬化膜の開口パターンを示す支持基盤に垂直な面での断面図を示す。図16において硬化膜3に形成した開口パターンについて傾斜辺26の角度が27である。なお、傾斜辺は硬化膜3の厚み方向において1/2とした位置29での開口パターンと底部の開口パターンを直線で結んだものとした。
 続いて、図7cにおいて、硬化膜3と配線4との密着性を向上させるため、硬化膜3上にチタンなどのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅シード(シード層)をスパッタリング法で形成する。
 次に、工程(D5)は、図7dに示すように、フォトレジスト層(図示せず)を形成した後、発光素子2の少なくとも一方の電極6と電気的に接続させるための銅などの金属や導電膜などからなる配線4をめっき法やスパッタリング、感光性導電ペーストの加工等により硬化膜3の開口パターン12および硬化膜3の一部の表面上に形成する工程である。その後、不要なフォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去する。
 これにより、硬化膜3が配線4を隠蔽し、配線4のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくして意匠性を高めることができる。さらに外光反射低減やコントラスト向上により、視認性を高めることができる。
 本発明の表示装置の製造方法は、前記工程(D2)、前記工程(D3)、前記工程(D6)および前記工程(D5)を複数回繰り返し行い、硬化膜中に前記配線を有する前記硬化膜を複数層形成する工程を有することが好ましい。
 図7e~fに示すように硬化膜3および配線4は再度同様の方法で繰り返し実施することで2層以上からなる硬化膜3を形成することができる。
 これにより、硬化膜中に配線を有する硬化膜を複数層とすることで、複数の発光素子を配置することができ、また、パッケージ低背化や配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化、高速応答性の向上を図ることができる。
 その後、図7gに示すように、硬化膜3の開口パターン12にバリアメタル9をスパッタリング法で形成し、バンプ10を形成する。なお、バリアメタル9は有していても、有していなくてもよい。
 その後、図7hに示すように、バンプ10を介してドライバーICなど駆動素子8を有する発光素子駆動基板7に電気的に接続させ、支持基板18を剥離し、対向基板5を、接着剤等を用いて貼り合わせることにより、複数の発光素子2を有する表示装置1を得る。なお、配線4は電極を包含してもよい。
 駆動素子8は機能別に1個の発光素子2または赤、青、緑からなる1ユニットの発光素子2、複数の発光素子2または複数ユニットの発光素子2に対して1個または複数個使用してもよく、例えば図7の工程中に発光素子の近傍等に1個または複数個駆動素子を配置してもよい。その場合、駆動素子は発光素子駆動基板7や配線4c、硬化膜3中に延在した配線4などを介して発光素子2と電気的に接続される。
 これにより、硬化膜が配線を隠蔽し、配線のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくして意匠性を高めることができる。さらに外光反射低減やコントラスト向上により、視認性を高めることができる。
 本発明の表示装置の製造方法は、前記工程(D1)の前に、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を設ける工程(D8)を有することが好ましい。
 工程(D8)の一例を図17に示す。図17aは支持基板18上に発光素子2の厚み以上の厚みを有する隔壁15を設ける工程(D8)であり、次の図17bは、発光素子2の厚み以上の厚みを有する隔壁の間に複数の発光素子2を設ける工程(D1)を示す。図17cは隔壁15を設けた状態のまま、図7bに示す工程(D2)と同様で樹脂膜19を配する工程である。以下の工程は図7に示した通りに進められる。隔壁としては(A)樹脂を用いてもよく、またエポキシ樹脂、(メタ)アクリルポリマ、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサンなど公知のものを用いてもよい。また遮光部や反射部を設けてもよい。
 本発明の表示装置の製造方法においては、前記工程(D5)の後、さらに、駆動素子及び基板を有し、前記駆動素子は配線を通じて前記発光素子に接続され、さらに前記配線の少なくとも一部は、前記基板の側面に延在する工程(D9)を有することが好ましい。
 工程(D9)の一例を図7に示す。図7hは駆動素子及び基板を有し、駆動素子は配線を通じて発光素子に接続される工程(D9)を示す。図7hのように配線4や4cを通じて駆動素子が発光素子2に接続されており、また配線4cの一部は発光素子駆動基板7の側面に延在している。なお、発光素子駆動基板7に貫通電極がある場合、その貫通電極を通じて駆動素子8と接続してもよい。
 これにより、表示装置自体の低背化や高速応答性が向上し、さらに表示装置をより小型化、狭額縁化することができる。
 本発明の表示装置の製造方法は、さらに、複数の前記発光素子の間に、遮光層を有する工程(D10)を有することが好ましい。
 工程(D10)の一例を図18に示す。図18aは複数の発光素子2の間に遮光層25を設ける工程(D10)を示す。また、遮光層25は発光素子2を形成する前に形成してもよく、発光素子2を形成した後形成してもよい。
 遮光層25は、(A)樹脂および(E)着色材を含む樹脂組成物を硬化した硬化膜から構成されていてもよく、また(A)樹脂を含む樹脂組成物以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、(メタ)アクリルポリマ、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシロキサンなど公知のものを使用してもよい。(E)着色材としては、黒色顔料を用いてもよく、例えば、カーボンブラック、ペリレンブラック、アニリンブラック等の黒色有機顔料、グラファイト、およびチタン、銅、鉄、マンガン、コバルト、クロム、ニッケル、亜鉛、カルシウム、銀等の金属微粒子、金属酸化物、複合酸化物、金属硫化物、金属窒化物、金属酸窒化物等の無機顔料が挙げられる。また、赤色顔料および青色顔料や必要に応じて黄色顔料やその他の顔料を組み合わせて黒色としてもよい。また染料を用いてもよい。着色材は2種以上含有してもよい。
 (A)樹脂および(E)着色材を含む樹脂組成物に感光性を付与してもよく、後述の(B)感光剤を用いてもよい。
 遮光層の形成方法としては、感光性を有する場合はフォトリソ工程を使用してもよく、感光性を有さない場合は、遮光層上にフォトレジストを形成した後に、フォトリソ工程もしくはエッチング工程を使用してもよく、マスクを用いてエッチング工程を使用してもよい。得られたパターンを加熱処理(ポストベーク)することにより、パターニングされた着色膜を得ることができる。加熱処理は、空気中、窒素雰囲気下、および真空状態のいずれで行ってもよい。加熱温度は100~300℃が好ましく、加熱時間は0.25~5時間が好ましい。加熱温度を連続的に変化させてもよいし、段階的に変化させてもよい。
 本発明の表示装置の製造方法は、少なくとも配線、硬化膜及び複数の異なる2つの面に電極をそれぞれ具備する発光素子を有する表示装置の製造方法であって、支持基板上にパッドを配置する工程(E1)、前記支持基板上および前記パッド上に、(A)樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程(E2)、前記樹脂膜に対して露光、現像することにより、前記樹脂膜に複数の貫通した開口パターン形成する工程(E3)、前記樹脂膜を硬化させ、厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である前記硬化膜を形成する工程(E10)、前記硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンに前記配線を形成する工程(E5)、および、前記配線と電気的接続を保持するようにして前記硬化膜上に前記発光素子を配する工程(E6)、を有する。
 図8に本発明の表示装置1の別の作製工程の一例を示す支持基盤または対向基板に垂直な面での断面図を示す。図7の工程と重複するところ、具体的には図8b~eは図7b~fと重複しているため、説明を省略している。
 工程(E1)は、図8aに示すように、支持基板18上にパッド17を配置する工程である。
パッドとしては銅やアルニウムなどが挙げられる。
 次に、工程(E2)は、図8bに示すように、支持基板18上およびパッド17上に、(A)樹脂を含む樹脂組成物または樹脂シートを塗布またはラミネートして樹脂膜19を形成する工程である。
なお、支持基板上およびパッド上とは、支持基板の表面やパッドの表面のみならず、支持基板やパッドの上側にあればよく、硬化膜や配線、隔壁上に(A)樹脂を含む樹脂組成物または(A)樹脂を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして樹脂膜を形成してもよい。
 次に、工程(E3)は、図8cに示すように、フォトリソ工程を用いて、樹脂膜19に複数の貫通した開口パターン12を形成する工程である。
 次に、工程(E10)は、図8cに示すように、樹脂膜19を硬化させることにより厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である硬化膜3を形成する工程である。
また、樹脂膜19を硬化させることにより、厚み基準5μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、79%以下である硬化膜3を形成する工程(E4)であってもよく、樹脂膜19を硬化させることにより、厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、25%以下である硬化膜3を形成する工程(E8)であってもよい。
 続いて、図8cにおいて、硬化膜3と配線4との密着性を向上させるため、硬化膜3上にチタンなどのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅シード(シード層)をスパッタリング法で形成する。
 次に、工程(E5)は、図8dに示すように、フォトレジスト層(図示せず)を形成した後、銅や導電膜などからなる配線4をめっき法やスパッタリング、感光性導電ペーストの加工等により硬化膜3の開口パターン12および硬化膜3の一部の表面上に形成する工程である。その後、不要なフォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去する。
 本発明の表示装置の製造方法は、前記工程(E2)、前記工程(E3)、前記工程(E10)および前記工程(E5)を複数回繰り返し行い、硬化膜中に前記配線を有する前記硬化膜を複数層形成する工程を有することが好ましい。
 図8b~dに示すように、硬化膜3および配線4は再度同様の方法で繰り返し実施することで図8eに示すように2層以上からなる硬化膜3を形成することができる。
 次に、工程(E6)は、図8fに示すように、配線4と電気的接続を保持するようにして硬化膜3上に発光素子2を配する工程である。発光素子2の電極6と配線4は直接接続してもよく、例えば、バンプや導電性フィルムなどを介してもよい。
また、図8gに示すように、硬化膜3および発光素子2上に硬化膜21を形成する工程(E7)を有することが好ましい。硬化膜21としては、(A)樹脂を含む樹脂組成物を塗布、または(A)樹脂を含む樹脂組成物から構成される樹脂シートをラミネートして樹脂組成物からなる樹脂膜を形成し、硬化して硬化膜21を形成することが好ましい。また(A)樹脂を含む樹脂組成物以外の材料から構成されてもよく、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂など公知のものを使用してもよい。
 硬化条件は、樹脂の種類により異なるが、例えば80℃~230℃、15分~5時間などが挙げられる。
これは、発光素子上に硬化膜を形成することで、発光素子の保護や平坦化を目的としている。
 また、図8gでは硬化膜21を形成した後、その上に配線4dを形成したものを一例として図示している。電極6と配線4dはバンプや導電性フィルムなどを通じて接続されていてもよく、直接接続されていてもよい。また、配線4dは貫通電極などを通じて発光素子2の少なくとも一部と接するように配した硬化膜3中に延在する配線4と接続してもよく、発光素子駆動基板7と接続してもよい。
 その後、図8hに示すように、硬化膜21に対して、接着剤等を用いて対向基板5を貼り合わせる。また、支持基板18を剥離し、バリアメタル9とバンプ10を形成し、バンプ10を介してドライバーICなど駆動素子8を付加した発光素子駆動基板7に電気的に接続される。
 駆動素子8は硬化膜3中に延在した配線4を介して発光素子2と電気的に接続することにより、複数の発光素子2を有する表示装置1を得る。なお、配線4は電極を包含してもよい。
 駆動素子8は機能別に1個の発光素子2または赤、青、緑からなる1ユニットの発光素子2、複数の発光素子2または複数ユニットの発光素子2に対して1個または複数個使用してもよく、例えば図8の工程中に発光素子の近傍等に1個または複数個駆動素子を配置してもよい。その場合、駆動素子は発光素子駆動基板7や配線4c、硬化膜3中に延在した配線4などを介して発光素子2と電気的に接続される。
 これにより、硬化膜3が配線4を隠蔽し、配線4のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくして意匠性を高めることができる。さらに外光反射低減やコントラスト向上により、視認性を高めることができる。
 本発明の表示装置の製造方法は、前記工程(E5)の後、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を設ける工程(E9)を有することが好ましい。
 工程(E9)の一例を図9に示す。図9fは図8eに示す硬化膜3を複数層形成した後に、隔壁15を設ける工程(E9)を示す。その後、図9gに示すように隔壁15の間に発光素子2を設け、次に、図9hに示すように配線4dと電極6を電気的に接続させ、また隔壁15と発光素子2の上部に対向基板5を貼り合わせるとともに、支持基板18を剥離し、バリアメタル9とバンプ10を形成し、バンプ10を介してドライバーICなど駆動素子8を有する発光素子駆動基板7に電気的に接続される。
 本発明の表示装置の製造方法は、前記工程(E7)の後、さらに、駆動素子及び基板を有し、前記駆動素子は配線を通じて前記発光素子に接続され、さらに前記配線の少なくとも一部は、前記基板の側面に延在する工程(E11)を有することが好ましい。
 工程(E11)の一例を図8に示す。図8hは駆動素子及び基板を有し、駆動素子は配線を通じて発光素子に接続される工程(E11)を示す。図8hのように配線4や4cを通じて駆動素子が発光素子2に接続されており、また配線4cの一部は発光素子駆動基板7の側面に延在している。なお、発光素子駆動基板7に貫通電極がある場合、その貫通電極を通じて駆動素子8と接続してもよい。
 これにより、表示装置自体の低背化や高速応答性が向上し、さらに表示装置をより小型化、狭額縁化することができる。
 本発明の表示装置の製造方法は、少なくとも配線、硬化膜及び複数の異なる2つの面に電極をそれぞれ具備する発光素子を有する表示装置の製造方法であって、基板などの上に(A)樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程(F1)、前記樹脂膜に対して露光、現像することにより、前記樹脂膜に複数の貫通した開口パターン形成する工程(F2)、前記樹脂膜を硬化させ、厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である前記硬化膜を形成する工程(F3)、前記硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンの一部に前記配線を形成する工程(F4)、前記配線と電気的接続を保持するようにして前記硬化膜上に前記発光素子を配する工程(F5)、を有する。
 図19に本発明の第2の態様にかかる表示装置1の作製工程の一例を示す発光素子駆動基盤に垂直な面での断面図を示す。
工程(F1)は、図19aに示すように、基板などの上に(A)樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程である。(A)樹脂を含む樹脂組成物または(A)樹脂を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして樹脂膜を形成してもよい。
 基板としては発光素子駆動基板7を用いることができる。図19aにガラス基板上にTFT22、絶縁膜23、配線4を配したTFTアレイ基板を1例として示す。
 絶縁膜23としては、特に限定しないが、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、有機物からなる絶縁膜などが挙げられる。
 次に、工程(F2)は、図19aに示すように、フォトリソ工程を用いて、樹脂膜に複数の貫通した開口パターンを形成する工程である。
 次に、工程(F3)は、図19aに示すように、樹脂膜を硬化させることにより厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である硬化膜3を形成する工程である。
 次に、工程(F4)は、図19bに示すように、硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンの一部に配線を形成する工程である。フォトレジスト層(図示せず)を形成した後、例えば、配線4eをスパッタリング法や感光性導電ペーストの加工等により硬化膜3の一部の表面上に形成する工程である。その後、不要なフォトレジストを除去する。
 配線4eとしては、金や銀、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、モリブデンやこれらを含む合金やインジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、チタン、およびニオブなどのうちの少なくとも1種の元素の酸化物を主成分として含む化合物や有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストなどが挙げられるが、その他公知のものを使用してもよい。
 本発明の表示装置の製造方法は、前記工程(F1)、前記工程(F2)、前記工程(F3)および前記工程(F4)を複数回繰り返し行い、硬化膜中に前記配線を有する前記硬化膜を複数層形成する工程を有することが好ましい。
 硬化膜3は再度同様の方法で繰り返し実施することで図19cに示すように2層以上からなる硬化膜3を形成することができる。その後配線4cを形成する。
 次に、工程(F5)は、図19dに示すように、配線4eと電気的接続を保持するようにして硬化膜3上に発光素子2を配する工程である。電極6と配線4eはバンプや導電性フィルムなどを通じて接続されていてもよく、直接接続されていてもよい。
 また、発光素子2を配する前、もしくは後に隔壁15を形成してもよい。その後硬化膜21を形成した後、配線4dを形成する。配線4dは貫通電極などを通じて発光素子2の少なくとも一部と接するように配した硬化膜3中に延在する配線4、4eと接続してもよく、発光素子駆動基板7と接続してもよい。
 その後、図19eに示すように、接着剤等を用いて対向基板5を貼り合わせる。また、ドライバーICなど駆動素子8は配線4cや硬化膜3中に延在した配線4、4eを介して発光素子2と電気的に接続することにより、複数の発光素子2を有する表示装置1を得る。なお、配線4d、4eは電極も包含する。
 駆動素子8は機能別に1個の発光素子2または赤、青、緑からなる1ユニットの発光素子2、複数の発光素子2または複数ユニットの発光素子2に対して1個または複数個使用してもよく、例えば図19の工程中に発光素子の近傍等に1個または複数個駆動素子を配置してもよい。その場合、駆動素子は発光素子駆動基板7や配線4c、硬化膜3中に延在した配線4などを介して発光素子2と電気的に接続される。
 これにより、硬化膜により配線の電気的絶縁性を確保することが出来、硬化膜中に配線を延在させることにより、発光素子の電極と駆動素子を電気的に接続させることにより発光動作を制御させることが出来る。また、硬化膜が配線を隠蔽し、配線のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくして意匠性を高めることができる。さらに外光反射低減やコントラスト向上により、視認性を高めることができる。
 本発明の表示装置の製造方法は、少なくとも配線、硬化膜及び複数の異なる2つの面に電極をそれぞれ具備する発光素子を有する表示装置の製造方法であって、基板などの上に(A)樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程(G1)、前記樹脂膜に対して露光、現像することにより、前記樹脂膜に複数の貫通した開口パターン形成する工程(G2)、前記樹脂膜を硬化させ、厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である前記硬化膜を形成する工程(G3)、前記硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンの一部に前記配線を形成する工程(G4)、前記配線と電気的接続を保持するように前記発光素子を配する工程(G5)、を有してもよい。
 図29に本発明の第2の態様にかかる表示装置1の作製工程の一例を示す発光素子駆動基板に垂直な面での断面図を示す。
 工程(G1)は、図29aに示すように、基板などの上に(A)樹脂を含む樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程である。(A)樹脂を含む樹脂組成物または(A)樹脂を含む樹脂組成物から形成された樹脂シートを、塗布またはラミネートして樹脂膜を形成してもよい。
 基板としては発光素子駆動基板7を用いることができる。図29aにガラス基板上にTFT22、絶縁膜23、配線4を配したTFTアレイ基板を1例として示す。
 絶縁膜23としては、特に限定しないが、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、有機物からなる絶縁膜などが挙げられる。
 次に、工程(G2)は、図29aに示すように、フォトリソ工程を用いて、樹脂膜に複数の貫通した開口パターンを形成する工程である。
 次に、工程(G3)は、図29aに示すように、樹脂膜を硬化させることにより厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である硬化膜3を形成する工程である。
 次に、工程(G4)は、図29bに示すように、硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンの一部に配線を形成する工程である。フォトレジスト層(図示せず)を形成した後、例えば、配線4eをスパッタリング法や感光性導電ペーストの加工等により硬化膜3の一部の表面上に形成する工程である。その後、不要なフォトレジストを除去する。
 配線4eとしては、金や銀、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、モリブデンやこれらを含む合金やインジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、チタン、およびニオブなどのうちの少なくとも1種の元素の酸化物を主成分として含む化合物や有機物および導電性粒子を含有する感光性導電ペーストなどが挙げられるが、その他公知のものを使用してもよい。
 その後、図29cに示すように配線4cを形成する。
 次に、工程(G5)は、図29dに示すように、配線4eと電気的接続を保持するようにして発光素子2を配する工程である。電極6と配線4eはバンプや導電性フィルムなどを通じて接続されていてもよく、直接接続されていてもよい。
 発光素子2を配する前、もしくは後に硬化膜3または隔壁15を形成してもよい。その後硬化膜21を形成した後、配線4dを形成する。配線4dは貫通電極などを通じて発光素子2の少なくとも一部と接するように配した硬化膜3中に延在する配線4、4eと接続してもよく、発光素子駆動基板7と接続してもよい。
 その後、図29eに示すように、接着剤等を用いて対向基板5を貼り合わせる。また、ドライバーICなど駆動素子8は配線4cや硬化膜3中に延在した配線4、4eを介して発光素子2と電気的に接続することにより、複数の発光素子2を有する表示装置1を得る。なお、配線4d、4eは電極も包含する。
 駆動素子8は機能別に1個の発光素子2または赤、青、緑からなる1ユニットの発光素子2、複数の発光素子2または複数ユニットの発光素子2に対して1個または複数個使用してもよく、例えば図29の工程中に発光素子の近傍等に1個または複数個駆動素子を配置してもよい。その場合、駆動素子は発光素子駆動基板7や配線4c、硬化膜3中に延在した配線4などを介して発光素子2と電気的に接続される。
 これにより、硬化膜により配線の電気的絶縁性を確保することが出来、硬化膜中に配線を延在させることにより、発光素子の電極と駆動素子を電気的に接続させることにより発光動作を制御させることが出来る。また、硬化膜が配線を隠蔽し、配線のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくして意匠性を高めることができる。さらに外光反射低減やコントラスト向上により、視認性を高めることができる。
 本発明の表示装置は各種LEDディスプレイ等表示装置や車載用の各種ランプ等に好適に用いられる。
 以下、実施例等をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
なお、実施例中の表示装置や表示装置に用いた樹脂組成物からなる硬化膜の評価は以下の方法により行った。
 <硬化膜の光の透過率の評価方法>
 5cm角ガラス基板上に樹脂組成物からなるワニスを230℃1時間での加熱処理後の膜厚が1.0μmまたはとなるようにスピンコート塗布し、120℃で3分間プリベークした。その後、光洋サーモシステム(株)製高温クリーンオーブンCLH-21CD-Sを用いて、窒素気流下において酸素濃度100ppm以下で50℃から3.5℃/分で、110℃まで昇温し、続けて110℃で30分加熱処理を行った。その後3.5℃/分で、加熱温度である230℃まで昇温し、続けて昇温後の加熱温度で1時間加熱処理を行ない、塗布膜を乾燥、加熱処理させて硬化膜を得た。なお、プリベーク後および現像後の塗布膜の膜厚は、大日本スクリーン製造(株)製光干渉式膜厚測定装置ラムダエースSTM-602を使用し、屈折率を1.629として測定し、硬化膜の膜厚は屈折率1.629で測定した。
 このようにして得られた硬化膜について、ダブルビーム分光光度計U-2910((株)日立ハイテクサイエンス製)を用いて、波長450nmの透過率を測定した。また、加熱処理後の耐熱性樹脂膜の膜厚が1.0μmまたは5.0μmでなかった場合は、ランベルトの法則に従い、測定した透過スペクトルの膜厚を1.0μmまたは5.0μmに換算した値とした。
 <硬化膜による配線の隠蔽性の評価方法>
 下記実施例、比較例に記載の表示装置を用いて硬化膜による配線の隠蔽性を評価した。測定には顕微鏡を用いた。顕微鏡にて配線のぎらつきを抑制し、隠蔽されているか目視にて評価した。表示装置のうち硬化膜により配線の少なくとも一部のぎらつきを抑制し、見えづらくなったものを隠蔽されたと見なし良好として2、表示装置のうち硬化膜により配線が目視で明確に確認できたものを不良として1、とした。
 <樹脂組成物からなる硬化膜の開口パターン形状評価>
 樹脂組成物からなるワニスを作製して8インチのシリコンウエハ上に、加熱処理後の膜厚が5μmとなるよう、塗布現像装置ACT-8(東京エレクトロン(株)製)を用いてスピンコート法で塗布およびプリベークを行い、プリベーク膜を作製した。プリベークは120℃で3分間行った。その後、i線ステッパー((株)ニコン製、NSR-2205i14)を用いてそれぞれ50~1000mJ/cmの露光量にて露光した。露光に用いた円形パターンのサイズは5~30μmである。露光後、2.38質量%のテトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液(多摩化学工業製)を用いて、現像前後の未露光部の膜厚変化が1.0~1.5μmとなるような条件で現像し、次いで純水でリンスし、振り切り乾燥をし、パターン形成膜を得た。もしくはシクロペンタノンを用いて現像し、振り切り乾燥をし、パターン形成膜を得た。非感光性材料の場合は、露光前にフォトレジストを形成した後、露光、現像を行い、現像後にフォトレジストを除去した。なお、プリベーク後および現像後の膜厚は、大日本スクリーン製造(株)製光干渉式膜厚測定装置ラムダエースSTM-602を使用し、屈折率を1.629として測定した。
 現像後、イナートオーブンCLH-21CD-S(光洋サーモシステム(株)製)を用いて、窒素気流下において酸素濃度20ppm以下で50℃から3.5℃/分で、100℃まで昇温し、続けて100℃で30分加熱処理を行った。その後3.5℃/分で、230℃まで昇温し、続けて、1時間加熱処理を行ない、パターン形成膜を硬化させて硬化膜を得た。
 温度が50℃以下になったところでウエハを取り出した後、ウエハを割断し、5~30μmの円形パターン断面形状を走査型電子顕微鏡S-4800(日立ハイテク製)を用いて観察、測定した。なお、硬化膜の厚み方向において1/2とした位置での開口パターンと底部の開口パターンを直線で結んだものを傾斜辺として傾斜辺の角度を求めた。
 その結果、傾斜辺の角度が55°以上80°以下のものをレベルA、40°以上55°未満または80°より大きく85°以下のものをレベルB、40°未満または85°より大きいものをレベルCと評価した。
 <合成例1 ヒドロキシル基含有ジアミン化合物の合成>
 2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(セントラル硝子(株)製、以下、BAHFとする)18.3g(0.05モル)をアセトン100mLおよびプロピレンオキシド(東京化成(株)製)17.4g(0.3モル)に溶解させ、-15℃に冷却した。ここに3-ニトロベンゾイルクロリド(東京化成(株)製)20.4g(0.11モル)をアセトン100mLに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、-15℃で4時間撹拌し、その後室温に戻した。析出した白色固体をろ別し、50℃で真空乾燥した。
 得られた白色固体30gを300mLのステンレスオートクレーブに入れ、メチルセルソルブ250mLに分散させ、5%パラジウム-炭素(和光純薬(株)製)を2g加えた。ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行った。約2時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して反応を終了させた。反応終了後、濾過して触媒であるパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、下記式で表されるヒドロキシル基含有ジアミン化合物を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 <合成例2 ポリベンゾオキサゾール前駆体(A-1)の合成>
 乾燥窒素気流下、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル(以下、4,4’-DAEとする)1.5g(0.0075モル)、BAHF12.8g(0.035モル)、RT-1000(HUNTSMAN(株)製)5.0g(0.0050モル)をNMP100gに溶解させた。ここに、ドデカン酸ジイミダゾール(7.4g、0.023モル)、1,1’-(4,4’-オキシベンゾイル)ジイミダゾール(以下、PBOMとする)(8.1g、0.023モル)をNMP25gとともに加えて、85℃で3時間反応させた。次に、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(以下、SiDAとする)0.6g(0.0025モル)、4,4’-オキシジフタル酸無水物(以下、ODPAとする)0.8g(0.0025モル)、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物(以下、NAと記す場合もある)0.8g(0.0050モル)をNMP25gとともに加えて、85℃で1時間反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、酢酸13.2g(0.25モル)をNMP25gとともに加えて、室温で1時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水1.5Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の通風乾燥機で3日間乾燥し、ポリベンゾオキサゾール前駆体(A-1)の粉末を得た。
 <合成例3 ポリベンゾオキサゾール前駆体(A-2)の合成>
 乾燥窒素気流下、BAHF27.5g、(0.075モル)をNMP257gに溶解させた。ここに、PBOM17.2g(0.048モル)をNMP20gとともに加えて、85℃で3時間反応させた。続いて、RT-1000(HUNTSMAN(株)製)20.0g(0.02モル)、SiDA1.2g(0.005モル)、PBOM14.3g(0.04モル)をNMP50gとともに加えて、85℃で1時間反応させた。さらに、末端封止剤として、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物3.9g(0.024モル)をNMP10gとともに加えて、85℃で30分反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、酢酸52.8g(0.50モル)をNMP87gとともに加えて、室温で1時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水3Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の通風乾燥機で3日間乾燥し、ポリベンゾオキサゾール前駆体(A-2)の粉末を得た。
 <合成例4 ポリイミド前駆体(A-3)の合成>
 乾燥窒素気流下、合成例1で得られたヒドロキシル基含有ジアミン51.9g(0.086モル)およびSiDA1.0g(0.004モル)をNMP200gに溶解した。ここにODPA31.0g(0.10モル)を加え、40℃で2時間撹拌した。そして末端封止剤として3-アミノフェノール(東京化成工業(株)製)1.1g(0.01モル)をNMP10gとともに加えて、40℃で1時間反応させた。その後、ジメチルホルアミドジメチルアセタール(三菱レーヨン(株)製、以下、DFAとする)7.1g(0.06モル)をNMP5gで希釈した溶液を滴下した。滴下後、40℃で2時間撹拌を続けた。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。さらに水2Lで3回洗浄を行い、集めたポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し、ポリイミド前駆体(A-3)を得た。
 <合成例5 ポリイミド前駆体(A-4)の合成>
 乾燥窒素気流下、合成例1で得られたヒドロキシル基含有ジアミン41.1g(0.068モル)、プロピレンオキシドおよびテトラメチレンエーテルグリコール構造を含むジアミン(RT-1000、HUNTSMAN(株)製)18.0g(0.018モル)およびSiDA1.0g(0.004モル)をNMP200gに溶解した。ここにODPA31.0g(0.10モル)を加え、40℃で2時間撹拌した。そして末端封止剤として3-アミノフェノール1.1g(0.01モル)をNMP10gとともに加えて、40℃で1時間反応させた。その後、DFA6.0g(0.05モル)をNMP5gで希釈した溶液を滴下した。滴下後、40℃で2時間撹拌を続けた。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。さらに水2Lで3回洗浄を行い、集めたポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し、ポリイミド前駆体(A-4)を得た。
 <合成例6 ポリイミド(A-5)の合成>
 乾燥窒素気流下、BAHF29.3g(0.08モル)、SiDA1.2g(0.005モル)、末端封止剤として、3-アミノフェノール3.3g(0.03モル)をNMP80gに溶解させた。ここにODPA31.2g(0.1モル)をNMP20gとともに加えて、60℃で1時間反応させ、次いで180℃で4時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水3Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で20時間乾燥し、ポリイミド(A-5)の粉末を得た。
 <合成例7 カルド樹脂(A-6)の合成>
 乾燥窒素気流下、還流冷却器付き四つ口フラスコ中にビスフェノールフルオレン型エポキシ樹脂とアクリル酸との等当量反応物(新日鐵化学社製、製品名「ASF-400」溶液)の50%PGMEA溶液198.53gと、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物39.54g(0.12モル)、コハク酸無水物8.13g(0.08モル)、PGMEA48.12g及びトリフェニルホスフィン0.45gを仕込み、120~125℃に加熱下に1時間撹拌し、更に75~80℃で6時間の加熱撹拌を行い、その後、グリシジルメタクリレート8.6gを投入し、更に80℃で8時間攪拌し、環状構造を構成している4級炭素原子に二つの環状構造が結合した骨格構造を有する樹脂(A-6)を得た。
 <合成例8 フェノール樹脂(A-7)の合成>
 乾燥窒素気流下、m-クレゾール108.1g(1.0モル)、ベンズアルデヒド34.0g(0.32モル)、サリチルアルデヒド90.4g(0.74モル)、エタノール200g及びパラトルエンスルホン酸8.6g(0.05モル)を反応容器に仕込み、65℃還流下で18時間反応させた。反応系を苛性ソーダで中和後、メチルイソブチルケトンと水を添加し、5回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを100℃で減圧留去させ、フェノール樹脂(A-7)を得た。
 <合成例9 感光剤(キノンジアジド化合物)の合成(B-1)>
 乾燥窒素気流下、4,4’-[1-[4-[1-(4-ヒドロキシフェニル-1)-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール(本州化学工業(株)製、以下TrisP-PAとする)21.2g(0.05モル)と5-ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリド(東洋合成(株)製、NAC-5)26.8g(0.10モル)をγ-ブチロラクトン(以下、GBLとも呼ぶ)450gに室温において溶解させた。ここに、γ-ブチロラクトン50gと混合したトリエチルアミン12.7gを、系内が35℃以上にならないように滴下した。滴下後40℃で2時間撹拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、濾液を水に投入した。その後、析出した沈殿を濾過で集め、さらに1%塩酸水1Lで洗浄した。その後、さらに水2Lで2回洗浄した。この沈殿を真空乾燥機で乾燥し、下記式で表されるキノンジアジド化合物(B-1)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 <合成例10 感光剤(キノンジアジド化合物)の合成(B-2)>
 乾燥窒素気流下、TrisP-PA21.2g(0.05モル)と4-ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリド(東洋合成(株)製、NAC-5)26.8g(0.10モル)をγ-ブチロラクトン450gに室温において溶解させた。ここに、γ-ブチロラクトン50gと混合したトリエチルアミン12.7gを、系内が35℃以上にならないように滴下した。滴下後40℃で2時間撹拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、濾液を水に投入した。その後、析出した沈殿を濾過で集め、さらに1%塩酸水1Lで洗浄した。その後、さらに水2Lで2回洗浄した。この沈殿を真空乾燥機で乾燥し、下記式で表されるキノンジアジド化合物(B-2)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 <合成例11 ポリイミド前駆体(A-8)の合成>
 乾燥窒素気流下、1,4-パラフェニレンジアミン3.2g(0.03モル)および4,4’-DAE12.0g(0.06モル)をNMP200gに溶解した。ここにODPA31.0g(0.10モル)を加え、40℃で2時間撹拌した。そして末端封止剤として3-アミノフェノール(東京化成工業(株)製)1.1g(0.01モル)をNMP10gとともに加えて、40℃で1時間反応させた。その後、DFA7.1g(0.06モル)をNMP5gで希釈した溶液を滴下した。滴下後、40℃で2時間撹拌を続けた。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。さらに水2Lで3回洗浄を行い、集めたポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し、ポリイミド前駆体(A-8)を得た。
 <合成例12 ポリイミド前駆体(A-9)の合成>
 ODPA155.1g(0.50モル)を2リットル容量のセパラブルフラスコに入れ、2-ヒドロキシエチルメタクリレート(HEMA)134.0g(1.00モル)及びγ―ブチロラクトン400gを加えた。室温下で攪拌しながら、ピリジン79.1gを加えることにより、反応混合物を得た。反応による発熱の終了後、室温まで放冷し、更に16時間静置した。
 次に、氷冷下において、反応混合物に、ジシクロヘキシルカルボジイミド(DCC)206.3g(1.00モル)をγ-ブチロラクトン180gに溶解した溶液を、攪拌しながら40分かけて加えた。続いて、1,4-パラフェニレンジアミン16.2g(0.15モル)および4,4’-DAE60.1g(0.30モル)をγ-ブチロラクトン350gに懸濁した懸濁液を、攪拌しながら60分かけて加えた。更に室温で2時間攪拌した後、エチルアルコール30mlを加えて1時間攪拌した。その後、γ-ブチロラクトン400gを加えた。反応混合物に生じた沈殿物を、ろ過により取り除き、反応液を得た。
 反応液を水3Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で2回洗浄した後、イソプロパノールで1回洗浄した後に50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し、ポリイミド前駆体(A-9)を得た。
 <合成例13 アクリル樹脂(A-10)の合成>
 窒素雰囲気の反応容器中に、150gのジメチルアミノメタノール(以下、「DMEA」;東京化成工業(株)製)を仕込み、オイルバスを用いて80℃まで昇温した。これに、20gのエチルアクリレート(以下、「EA」)、40gのメタクリル酸2-エチルヘキシル(以下、「2-EHMA」)、20gのスチレン(以下、「St」)、15gのアクリル酸(以下、「AA」)、0.8gの2,2’-アゾビスイソブチロニトリル及び10gのDMEAからなる混合物を、1時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに80℃、窒素雰囲気下で6時間重合反応を行った。その後、1gのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、5gのグリシジルメタクリレート(以下、「GMA」)、1gのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び10gのDMEAからなる混合物を、0.5時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに80℃、窒素雰囲気下で2時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製して未反応不純物を除去し、さらに24時間真空乾燥し、共重合比率(質量基準):EA/2-EHMA/St/GMA/AA=20/40/20/5/15のアクリル樹脂(A-10)を得た。得られたアクリル樹脂(A-10)の酸価は103mgKOH/gであった。
 <合成例14 アクリル樹脂(A-11)の合成>
 特許第3120476号明細書の実施例1に記載の方法により、メチルメタクリレート/メタクリル酸/スチレン共重合体(質量比30/40/30)を合成した。得られた共重合体100質量部に対し、グリシジルメタクリレート40質量部を付加させ、精製水で再沈し、濾過および乾燥することにより、重量平均分子量15,000、酸価110mgKOH/gのアクリル樹脂(A-11)を得た。
 <調製例1 感光性導電ペースト1の調製>
 100mLクリーンボトルに、樹脂として10.0gのアクリル樹脂(A-10)、光重合開始剤として0.50gの“IRGACURE(登録商標)”OXE-01(チバジャパン(株)製)、溶剤として5.0gのDMEA及び不飽和二重結合を有する化合物として2.0gの“ライトアクリレート(登録商標)”BP-4EA(共栄社化学(株)製)を入れ、自転-公転真空ミキサー「あわとり錬太郎ARE-310」((株)シンキー製)を用いて混合して、17.5gの樹脂溶液(固形分71.4質量%)を得た。
 得られた17.50gの樹脂溶液と、44.02gの平均粒子径1.0μmの銀粒子と、0.28gの平均粒子径0.05μmのカーボンブラックを混合し、3本ローラーミル「EXAKT M-50」(EXAKT社製)を用いて混練し、61.8gの感光性導電ペースト1を得た。なお、銀粒子、カーボンブラックの平均粒子径は、電子顕微鏡(SEM)を用いて、倍率10000倍、視野幅12μmで各粒子を観察し、無作為に選択した40個の銀粒子およびカーボンブラックの一次粒子について、それぞれの最大幅を測定し、それらの数平均値を算出した。
 <調製例2 着色材分散液(DC-1)の製造>
 着色材として、熱プラズマ法により製造したジルコニア化合物粒子Zr-1(日清エンジニアリング(株)製)を用いた。Zr-1 200g、アクリルポリマー(P-1)のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)35質量%溶液114g、高分子分散剤として3級アミノ基と4級アンモニウム塩を有する“DISPERBYK(登録商標)”LPN-2111625gおよびPGMEA661gをタンクに仕込み、ホモミキサーで20分撹拌し、予備分散液を得た。0.05mmφジルコニアビーズを75体積%充填した遠心分離セパレーターを具備した寿工業(株)製分散機ウルトラアペックスミルに、得られた予備分散液を供給し、回転速度8m/sで3時間分散を行い、固形分濃度25質量%、着色材/樹脂(質量比)=80/20の着色材分散液(DC-1)を得た。
 <調製例3 感光性着色樹脂組成物1の調製>
 283.1gの着色材分散液(DC-1)に、アクリル樹脂(A-11)のPGMEA35質量%溶液を184.4g、多官能モノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬(株)製)を50.1g、光重合開始剤として“Irgacure(登録商標)”907(BASF社製)を7.5gおよび“KAYACURE(登録商標)”DETX-S(日本化薬(株)製)を3.8g、密着改良剤としてKBM5103(信越化学(株)製)を12.0g、界面活性剤としてシリコーン系界面活性剤“BYK(登録商標)”333(ビックケミー社製)のPGMEA10質量%溶液3gを456.1gのPGMEAに溶解した溶液を添加して、全固形分濃度20質量%、着色材/樹脂(質量比)=30/70の感光性着色樹脂組成物1を得た。
 <調製例4 着色材分散液(DC-2)の製造>
 特表2008-517330号公報に記載の方法により、スルホン酸基を表面に修飾したカーボンブラック(CB-Bk1)の表面元素組成としては(C:88%、O:7%、Na:3%、S:2%)であり、S元素の状態としては、S2pピーク成分のうちC-S及びS-Sに帰属される成分が90%、SO及びSOxに帰属される成分は10%であり、BET値は54m2/gであった。
 このカーボンブラックCB-Bk1を(200g)、アクリル樹脂(A-11)のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート40質量%溶液(94g)、高分子分散剤としてビックケミー・ジャパンLPN21116、40質量%溶液(31g)及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(675g)をタンクに仕込み、ホモミキサー(特殊機化製)で1時間撹拌し、予備分散液を得た。その後0.05mmφジルコニアビーズ(ニッカトー製YTZボール)を70%充填した遠心分離セパレーターを具備したウルトラアペックスミル(寿工業製)に予備分散液を供給し、回転速度8m/sで2時間分散を行い、固形分濃度25質量%、顔料/樹脂(質量比)=80/20の着色分散液DC-2を得た。
 <調製例5 感光性着色樹脂組成物2の調製>
 534.8gの着色材分散液(DC-2)に、アクリル樹脂(A-11)のPGMEA40質量%溶液を122.1g、多官能モノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬(株)製)を47.3g、光重合開始剤として“アデカクルーズ”NCI-831(ADEKA(株)社製)を11.8g、密着改良剤としてKBM5103(信越化学(株)製)を12.0g、界面活性剤としてシリコーン系界面活性剤“BYK(登録商標)”333(ビックケミー社製)のPGMEA10質量%溶液4gを194.0gのPGMEAに溶解した溶液を添加して、全固形分濃度25質量%、着色材/樹脂(質量比)=45/55の感光性着色樹脂組成物2を得た。
 <調製例6 顔料分散液1(C-4-1)の調製>
 57.7gの“Solsperse(登録商標)”20000(三級アミノ基を分子末端に有するポリエーテル系高分子樹脂分散剤)を、溶剤である750.0gのPGMEAに混合して10分間撹拌した後、192.3gの窒化チタン(平均一次粒子径25nm;表中、「TiN」)を投入して30分間撹拌した後に、横型ビーズミルを用いて湿式メディア分散処理および濾過(PPフィルタ孔径0.8μm)を行い、顔料分散液1(C-4-1)を調製した。なお、顔料分散液1に含有する窒化チタンの平均分散粒子径は85nmであった。
 <調製例7:顔料分散液2(C-4-2)の調製>
 有機青色顔料であるC.I.ピグメントブルー60(平均一次粒子径60nm)、有機赤色顔料であるC.I.ピグメントレッド190(平均一次粒子径55nm)、有機黄色顔料であるC.I.ピグメントイエロー192(平均一次粒子径40nm)を用いて、調製例1と同様の手順で各顔料分散液をそれぞれ調製した。なお、顔料分散液に含有する、C.I.ピグメントブルー60の平均分散粒子径は、162nm、C.I.ピグメントレッド190の平均分散粒子径は、110nm、C.I.ピグメントイエロー192の平均分散粒子径は90nmであった。有機青色顔料分散液400.0g、有機赤色顔料分散液300.0gと、有機黄色顔料分散液300.0gを混合し10分間撹拌して、擬似黒色分散液である、顔料分散液2(C-4-2)を調製した。
 <調製例8 顔料分散液3の調製>
 30.00gの“Solsperse(登録商標)”20000を、850.0gのPGMEAに混合して10分間撹拌した後、有機黒色顔料である、120.0gの上ベンゾジフラノン系顔料(平均一次粒子径50nm;BASF製“Irgaphor(登録商標)”Black S0100を投入して30分間撹拌した後に、横型ビーズミルを用いて、調製例3と同様の手順で顔料分散液3(C-4-3)を調製した。なお、顔料分散液3に含有するベンゾジフラノン系顔料の平均分散粒子径は120nmであった。
 実施例、比較例に用いた(B-3)成分、(C-1)成分、(C-2)成分、(C-3)成分、(F-1)成分、(F-2)成分、その他成分、溶媒を以下に示す。
(B-3)成分:光重合開始剤NCI-831((株)ADEKA製)
(C-1)成分:Plast Yellow8070(極大吸収波長:460nm)(有本化学工業(株)製)
(C-2)成分:Oil Scarlet5206(極大吸収波長:530nm)(有本化学工業(株)製)
(C-3)成分:Plast Blue8540(極大吸収波長:660nm)(有本化学工業(株)製)
その他成分:
ラジカル重合性化合物:
(F-1)成分:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA、共栄社化学(株)製)
熱架橋剤:
(G-1)成分:HMOM-TPHAP(本州化学工業(株)製)
(G-2)成分:YX-4000H(三菱ケミカル(株)製)
溶媒:
GBL:ガンマブチロラクトン
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 表1に(A)樹脂、(B)感光剤及び(C)着色剤などから構成される樹脂組成物の配合処方を示す。樹脂組成物1-21は、表1に記載の溶媒を用いて固形分濃度40質量%となるように調製した。また、表2-1、表2-2に実施例で使用した樹脂組成物、樹脂組成物の硬化膜の厚み基準5μmでの波長450nmでの光の透過率(%)、硬化膜の全体の厚み(μm)、硬化膜の層数、硬化膜を加工した開口パターンの形状と長さ、開口パターンの傾斜辺の角度を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
 評価レベル(1)について、表示装置のうち硬化膜により配線のぎらつきを抑制し、隠蔽されかつ、開口パターンの最長長さが2μm以下のものをレベルA、表示装置のうち硬化膜により配線のぎらつきを抑制し、隠蔽されかつ、開口パターンの最長長さが5μm以下のものをレベルB、表示装置のうち硬化膜により配線のぎらつきを抑制し、隠蔽されかつ、開口パターンの最長長さが20μm以下のものをレベルC、表示装置のうち硬化膜により配線のぎらつきを抑制し、隠蔽されかつ、開口パターンの最長長さが20μmより大きいものをレベルD、表示装置のうち硬化膜により配線が目視で明確に確認できたものをレベルE、とした。
 評価レベル(2)について、傾斜辺の角度が55°以上80°以下のものをレベルA、40°以上55°未満または80°より大きく85°以下のものをレベルB、40°未満または85°より大きいものをレベルCと評価した。
 (実施例1)(図7の構成)
 図7の作製工程を示す支持基盤または対向基板に垂直な面での断面図に従って本発明の表示装置の実施例を説明する。
 図7aに示すように、支持基板18はガラス基板を使用した。ガラス基板上にはポリイミドからなる仮貼り材料を配置し、配線4dとしてITOをスパッタリング法により仮貼り材料の一部の表面上に形成した。そして、支持基板18上に発光素子である発光素子2を配置した(工程(D1)に相当)。発光素子2の厚みは7μm、1辺の長さが30μm、もう1辺の長さが50μmであった。
 次に、図7bに示すように、支持基板18上および発光素子2上に、表1に記載の樹脂組成物1を加熱処理後10μmとなるように塗布し、樹脂膜19を形成した(工程(D2)に相当)。
 次に、図7cに示すように、樹脂膜19上に所望のパターンを有するマスクを通してi線(365nm)を照射した。露光された樹脂膜19を、2.38質量%のテトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液を用いて現像し、樹脂膜19の厚さ方向に貫通する複数の開口パターン12をパターン形成した(工程(D3)に相当)。開口パターンの形状は円形で、開口パターンのうち、最も小さい領域での底面部の最長長さは直径2μmであった。
 次に、樹脂膜19を酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で110℃で30分加熱処理した後、さらに230℃60分熱処理して、硬化させることにより厚み10μmの硬化膜3を形成した(工程(D4)に相当)。樹脂膜19はそのまま硬化して硬化膜3となる。
 次に、図7dに示すように、硬化膜3上にチタンのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅のシード層をスパッタリング法で形成した。そのあと、フォトレジスト層を形成した後、めっき法により、発光素子2と電気的に接続される銅からなる配線4を硬化膜3の開口パターン12及び硬化膜3の一部の表面上に形成し、その後、フォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去した(工程(D5)に相当)。硬化膜3の一部の表面上に形成した配線4aの厚みは5μmであった。
 その後、図7e~fのように、工程(D2)、工程(D3)、工程(D4)および工程(D5)を2回繰り返し行い硬化膜3を3層形成した。その結果、3層の硬化膜3全体の厚みは30μmであった。
 その後、図7gにおいて硬化膜3の開口パターン12にバリアメタル9をスパッタリング法で形成し、バンプ10を形成した。その後、図7hに示すように、260℃、1分ではんだをリフローさせ、バンプ10を介して駆動素子8であるドライバーICを有する発光素子駆動基板7に電気的に接続させ、その後、支持基板18を剥離し、対向基板5を、接着剤等を用いて貼り合わせることにより、複数の発光素子2を有する表示装置1を得た。なお、発光素子駆動基板7としては銅配線を有するガラス基板を使用し、その側面において、図7hに示すように配線4cを用い、配線4cとして調製例1の感光性導電ペースト1を用いた(工程D9に相当)。配線4cの作製は以下のとおりである。
 <調製例1の感光性導電ペースト1による配線4cの作製>
 厚さ16μmのPETフィルム上に離型剤が塗布された離型PETフィルム上に、感光性導電ペースト1を乾燥後の膜厚が6.0μmになるように塗布し、得られた塗布膜を100℃の乾燥オーブン内で10分間乾燥した。その後、超高圧水銀ランプを有する露光機を用いて350mJ/cmの露光量で露光した後、現像液として0.1質量%炭酸ナトリウム水溶液を用いて、0.1MPaの圧力で30秒間スプレー現像して、パターンを得た。その後、得られたパターンを30分間、140℃の乾燥オーブン内でキュアして、配線を配した転写用サンプルを得た。得られたパターンのライン幅は50μmであり、ライン長さは90mmであった。転写用サンプルを配線の一部がR面取り部を有するガラス端部に配されるように両面に貼り合わせ、ガラス側面部を130℃のホットプレートに30秒間押し当て、その後ホットロールラミネーターを用いて、130℃、1.0m/分の条件で残部を転写した。
 (実施例2)
 実施例1の樹脂組成物1を樹脂組成物2からなる樹脂シートに変更し、ラミネートにより樹脂膜19を形成した以外は実施例1と同様の方法で行い、表示装置2を得た。
 (実施例3~14)
 実施例1の樹脂組成物1を樹脂組成物3~14に変更した以外は実施例1と同様の方法で行い、表示装置3~14を得た。
 (実施例15)
 実施例1について支持基板18上および発光素子2上に、樹脂組成物1を加熱処理後20μmとなるように塗布し、樹脂膜19を形成した。その結果、3層の硬化膜3全体の厚みが40μmとなった以外は実施例1と同様の方法で行い、表示装置15を得た。
 (実施例16)
 図8の作製工程を示す支持基盤または対向基板に垂直な面での断面図に従って本発明の表示装置の実施例を説明する。
まず、図8aに示すように、支持基板18上に銅からなるパッド17を配置した(工程(E1)に相当)。パッドの厚みは0.2μmであった。
次に、図8bに示すように、支持基板18上およびパッド17上に、表1に記載の樹脂組成物2を加熱処理後10μmとなるように塗布し、樹脂膜19を形成した(工程(E2)に相当)。
 次に、図8cに示すように、実施例1に示すフォトリソ工程と同条件により、樹脂膜19に複数の開口パターン12を形成した(工程(E3)に相当)。
 次に、樹脂膜19を実施例1と同条件により硬化させることにより厚み10μmの硬化膜3を形成した(工程(E4)に相当)。
 続いて、図8cにおいて、硬化膜3と配線4との密着性を向上させるため、硬化膜3上にチタンなどのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅シード(シード層)をスパッタリング法で形成した。
 次に、図8dに示すように、フォトレジスト層を形成した後、めっき法により、銅からなる配線4を硬化膜3の開口パターン12及び硬化膜3の一部の表面上に形成した(工程(E5)に相当)。硬化膜3の一部表面上に形成した配線4の厚みは5μmであった。その後、フォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去した。
 その後、工程(E2)、工程(E3)、工程(E4)および工程(E5)を2回繰り返し行い、図8eに示すように硬化膜3中に配線4を有する硬化膜3を3層形成した。その結果、3層の硬化膜3の全体の厚みは30μmであった。
 次に、図8fに示すように、配線4と電気的接続を保持するようにして硬化膜3上に発光素子2を配置した(工程(E6)に相当)。発光素子2の厚みは7μmであった。
 次に、図8gに示すように、発光素子2上に樹脂組成物2からなる樹脂膜19を形成し、加熱処理により硬化させ、硬化膜21を形成した。なお、酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で110℃で30分加熱処理した後、さらに230℃60分熱処理して、硬化膜21を形成した。その後、配線4dとしてITOをスパッタリング法により硬化膜21の一部の表面上に形成した。
 次に、図8hに示すように、支持基板18を剥離し、バンプ10を介して駆動素子8であるドライバーICを有する発光素子駆動基板7を電気的に接続し、また、発光素子2に対して対向基板5を、接着剤等を用いて貼り合わせることにより、複数の発光素子2を有する表示装置16を得た。なお、発光素子駆動基板7としては銅配線を有するガラス基板を使用し、その側面において、図8hに示すように配線4cを用い、配線4cとして調製例1の感光性導電ペースト1を用いた。
 (実施例17)
 実施例16の樹脂組成物2を樹脂組成物10に変更し、支持基板18は配線4cを形成した発光素子駆動基板7として使用し、剥離する工程を経ずにそのまま使用した以外は実施例16と同様の方法で行い、表示装置17を得た。
 (実施例18)
 実施例16のうち、発光素子2上に形成する硬化膜21としてT693/R4000Series(ナガセケムテックス(株)製)を用いて、150℃60分熱処理して、硬化膜21を形成した以外は実施例16と同様の方法で行い、表示装置18を得た。
 (実施例19)
 実施例15と同様な方法で、図8eに示す硬化膜3を複数層形成したあとに、後に配される発光素子2間およびその周囲に樹脂組成物2を用いて図9fに示すように、隔壁15を形成し(工程(E9)相当)、その後は、図9gに示すように複数の発光素子2を配置し、図9hに示すように、支持基板18を剥離し、バンプ10を介して駆動素子8であるドライバーICを有する発光素子駆動基板7を電気的に接続し、また、発光素子2に対して対向基板5を、接着剤等を用いて貼り合わせることにより、複数の発光素子2を有する表示装置19を得た。なお、発光素子2の厚みは7μmであり、隔壁の厚みは10μmであった。
 (実施例20)
 図17aに示すように、支持基板18の上に隔壁15を形成した(工程D8に相当)。次に図17bに示すように、隔壁15の間に発光素子2を形成した(工程(D1に相当))。それ以外は、実施例3と同様な工程で表示装置20を製造した。なお、発光素子2の厚みは7μmであり、隔壁15の厚みは10μmで形成した。隔壁15は公知の白色顔料を含むアクリル樹脂を用いた。
 (実施例21)
 実施例1の樹脂組成物1を樹脂組成物17に変更し、露光前にフォトレジストを形成し、現像後にフォトレジストを除去した以外は実施例1と同様の方法で行い、表示装置21を得た。
 (実施例22)
 実施例1の樹脂組成物1を樹脂組成物18に変更した以外は実施例1と同様の方法で行い、表示装置22を得た。
 (実施例23)
 実施例1の樹脂組成物1を樹脂組成物19に変更し、露光された樹脂膜19を、シクロペンタノンを用いて現像した以外は実施例1と同様の方法で行い、表示装置23を得た。
 (実施例24~25)
 実施例1の樹脂組成物1を樹脂組成物20~21に変更し、支持基板18上および発光素子2上に、表1に記載の樹脂組成物1を加熱処理後8μmとなるように塗布し、樹脂膜19を形成した(工程(D2)に相当)。
 次に、図7cに示すように、樹脂膜19上に所望のパターンを有するマスクを通してi線(365nm)を照射した。露光された樹脂膜19を、2.38質量%のテトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液を用いて現像し、樹脂膜19の厚さ方向に貫通する複数の開口パターン12をパターン形成した(工程(D3)に相当)。
 次に、樹脂膜19を酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で110℃で30分加熱処理した後、さらに230℃60分熱処理して、硬化させることにより厚み8μmの硬化膜3を形成した(工程(D4)に相当)。樹脂膜19はそのまま硬化して硬化膜3となる。
 次に、図7dに示すように、硬化膜3上にチタンのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅のシード層をスパッタリング法で形成した。そのあと、フォトレジスト層を形成した後、めっき法により、発光素子2と電気的に接続される銅からなる配線4を硬化膜3の開口パターン12及び硬化膜3の一部の表面上に形成し、その後、フォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去した(工程(D5)に相当)。硬化膜3の一部の表面上に形成した配線4aの厚みは2μmであった。
 その後、図7e~fのように、工程(D2)、工程(D3)、工程(D4)および工程(D5)を2回繰り返し行い硬化膜3を3層形成した。なお、2層目、3層目の硬化膜3は加熱処理後4μmとなるように形成した。その結果、3層の硬化膜3全体の厚みは16μmであった。それ以外は実施例1と同様の方法で行い、表示装置24~25を得た。
 (実施例26)
 実施例16の樹脂組成物2を樹脂組成物18に変更した以外は実施例16と同様の方法で行い、表示装置26を得た。
 (実施例27)
 実施例16の樹脂組成物2を樹脂組成物19に変更し、露光された樹脂膜19を、シクロペンタノンを用いて現像した以外は実施例16と同様の方法で行い、表示装置27を得た。
 (実施例28~29)
 実施例16の樹脂組成物2を樹脂組成物20~21に変更し、図8bに示すように、支持基板18上およびパッド17上に、樹脂組成物20~21を加熱処理後4μmとなるように塗布し、樹脂膜19を形成した(工程(E2)に相当)。
 次に、図8cに示すように、実施例1に示すフォトリソ工程と同条件により、樹脂膜19に複数の開口パターン12を形成した(工程(E3)に相当)。
 次に、樹脂膜19を実施例1と同条件により硬化させることにより厚み4μmの硬化膜3を形成した(工程(E4)に相当)。
 続いて、図8cにおいて、硬化膜3と配線4との密着性を向上させるため、硬化膜3上にチタンなどのバリアメタルをスパッタリングし、さらにその上に銅シード(シード層)をスパッタリング法で形成した。
 次に、図8dに示すように、フォトレジスト層を形成した後、めっき法により、銅からなる配線4を硬化膜3の開口パターン12及び硬化膜3の一部の表面上に形成した(工程(E5)に相当)。硬化膜3の一部表面上に形成した配線4の厚みは2μmであった。その後、フォトレジストおよびシード層、バリアメタルを除去した。
 その後、工程(E2)、工程(E3)、工程(E4)および工程(E5)を2回繰り返し行い、図8eに示すように硬化膜中に配線4を有する硬化膜3を3層形成した。その結果、3層の硬化膜3の全体の厚みは12μmであった。それ以外は実施例16と同様の方法で行い、表示装置28~29を得た。
 (実施例30)
 実施例3において、図7hに示すように発光素子駆動基板7としてTFT基板を使用し、その側面において、レーザー加工により溝を形成し、スパッタリングによってチタン、銅の順に形成した後、めっき法により銅を形成し配線4cとした(工程D9に相当)。それ以外は実施例3と同様の方法で行い、表示装置30を得た。
 (実施例31)
 実施例16において、図8hに示すように発光素子駆動基板7としてTFT基板を使用し、その側面において、レーザー加工により溝を形成し、スパッタリングによってチタン、銅の順に形成した後、めっき法により銅を形成し配線4cとした(工程E11に相当)。それ以外は実施例16と同様の方法で行い、表示装置31を得た。
 (実施例32)
 実施例30の発光素子駆動基板7の側面において、図7hに示すように配線4cを用い、配線4cとして調製例1の感光性導電ペースト1を用いた(工程D9に相当)。それ以外は実施例30と同様の方法で行い、表示装置32を得た。
 (実施例33)
 実施例31の発光素子駆動基板7の側面において、図8hに示すように配線4cを用い、配線4cとして実施例32記載の感光性導電ペースト1を用いた(工程E11に相当)。それ以外は実施例31と同様の方法で行い、表示装置33を得た。
 (実施例34)
 実施例30の発光素子駆動基板7としてプリント配線板を用い、配線4cを形成せずプリント配線板中の配線およびバンプ10を通じて駆動素子8と配線4を接続した以外は実施例30と同様の方法で行い、表示装置34を得た。
 (実施例35)
 実施例31の発光素子駆動基板7としてプリント配線板を用い、配線4cを形成せずプリント配線板中の配線およびバンプ10を通じて駆動素子8と配線4を接続した以外は実施例31と同様の方法で行い、表示装置35を得た。
 (実施例36)
 図18aに示すように、支持基板18の上に遮光層25を形成した(工程D10に相当)。次に図18aに示すように、遮光層25の間に発光素子2を形成した(工程(D1に相当))。それ以外は、実施例3と同様な工程で表示装置36を製造した。遮光層25の作製は以下のとおりである。
 <遮光層25の作製>
 着色樹脂組成物1を、支持基板18に加熱処理後1μmとなるように塗布し、塗布膜を100℃のホットプレート上で2分間加熱乾燥した。この乾燥膜に対して、超高圧水銀ランプを有する露光機を用いて、紫外線を200mJ/cmの露光量で露光した。次に、0.045質量%水酸化カリウム水溶液のアルカリ現像液を用いて現像し、続いて純水洗浄することにより、パターン膜を得た。得られたパターン膜を熱風オーブン中230℃で30分間ポストベイクして遮光層を得た。
 (実施例37)
 実施例36の遮光層25を着色樹脂組成物2に変更して遮光層25を形成した以外は、実施例36と同様な工程で表示装置37を製造した。
 (実施例38)
 図7fにおいて、バンプ10と接する配線4aの厚みを10μm、配線4aの一部の表面上に形成した硬化膜3の厚みを15μmとし、硬化膜3全体の厚みを35μmとした以外は、実施例3と同様な工程で表示装置38を得た。
 (実施例39)
 図8bにおいて、パッド18の厚みを10μm、パッドの一部の表面上に形成した硬化膜3の厚みを15μmとし、硬化膜3全体の厚みを35μmとした以外は、実施例16と同様な工程で表示装置39を得た。
 (実施例40)
 図19の作製工程断面図に従って本発明の表示装置の実施例を説明する。
図19aに示すように、発光素子駆動基板7として、TFTアレイ基板を用いて、発光素子駆動基板7上に表1に記載の樹脂組成物2を加熱処理後3μmとなるように塗布し、樹脂膜19を形成した(工程(F1)に相当)。なお、配線4の厚みは1μmであった。
 次に、実施例2に示すフォトリソ工程と同条件により、樹脂膜19に複数の開口パターン12を形成した(工程(F2)に相当)。
 次に、樹脂膜19を実施例3と同条件により硬化させることにより厚み3μmの硬化膜3を形成した(工程(F3)に相当)。
 次に、図19bに示すように、硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンの一部に前記配線を形成する工程である。フォトレジスト層(図示せず)を形成した後、配線4eとしてITOをスパッタリング法により硬化膜3の一部の表面上に形成した。その後、不要なフォトレジストを除去した。(工程(F4)に相当)。ITOの厚みは0.1μmであった。
 次に、図19cに示すように、工程(F1)、(F2)、(F3)を繰り返して、表1に記載の樹脂組成物3を硬化させることにより厚み3μmの硬化膜3を形成した。その後、配線4cとして調製例1の感光性導電ペースト1を用いた配線4cを形成した。
 次に、図19dに示すように、硬化膜3の上に隔壁15を形成した。次に隔壁15の間に発光素子2を形成した(工程(F5に相当))。なお、発光素子2の厚みは7μmであり、隔壁15の厚みは8μmで形成した。隔壁15は公知の白色顔料を含むアクリル樹脂を用いた。硬化膜3および発光素子2上に樹脂組成物2からなる樹脂膜19を形成し、加熱処理により硬化させ、硬化膜21を形成した。配線4dとしてITOをスパッタリング法により硬化膜3の一部の表面上に形成した。
 その後、図19eに示すように、接着剤を用いて対向基板5を貼り合わせた。ドライバーICなど駆動素子8は配線4cや硬化膜3中に延在した配線4、配線4eを介して発光素子2と電気的に接続することにより、複数の発光素子2を有する表示装置40を得た。
 (実施例41~42)
 実施例40の樹脂組成物2を樹脂組成物13、21に変更した以外は実施例40と同様の方法で行い、表示装置41~42を得た。
 (実施例43)
 図22に示したような、不連続な面に電極をそれぞれ具備する発光素子2を用いて、ガラス基板上にはポリイミドからなる仮貼り材料を配置し、そして、仮貼り材料を配置した支持基板18上に発光素子である発光素子2を配置した(工程(D1)に相当)以外は実施例3と同様の方法で行い、表示装置43を得た。
 (実施例44)
 図23に示したような、不連続な面に電極をそれぞれ具備する発光素子2を用いた以外は実施例16と同様の方法で行い、表示装置44を得た。
 (実施例45)
 図24に示したような、不連続な面に電極をそれぞれ具備する発光素子2を用いた以外は実施例40と同様の方法で行い、表示装置45を得た。
 (実施例46)
 硬化膜3の層数を1層、全体の厚みを5μmとした以外は実施例25と同様の方法で行い、表示装置46を得た。
 (実施例47)
 硬化膜3の層数を5層、全体の厚みを50μmとした以外は実施例3と同様の方法で行い、表示装置47を得た。
 (実施例48)
 硬化膜3の層数を4層、全体の厚みを60μmとした以外は実施例3と同様の方法で行い、表示装置48を得た。
 (実施例49)
 硬化膜3の層数を11層、全体の厚みを110μmとした以外は実施例3と同様の方法で行い、表示装置49を得た。
 (実施例50)
 図29の作製工程を示す発光素子駆動基板に垂直な面での断面図に従って本発明の第2の態様にかかる表示装置の実施例50を説明する。
図29aに示すように、発光素子駆動基板7として、TFTアレイ基板を用いて、発光素子駆動基板7上に表1に記載の樹脂組成物13を加熱処理後3μmとなるように塗布し、樹脂膜19を形成した(工程(G1)に相当)。なお、配線4の厚みは1μmであった。
次に、実施例3に示すフォトリソ工程と同条件により、樹脂膜19に複数の開口パターン12を形成した(工程(G2)に相当)。
 次に、樹脂膜19を実施例3と同条件により硬化させることにより厚み3μmの硬化膜3を形成した(工程(G3)に相当)。
 次に、図29bに示すように、硬化膜の表面の少なくとも一部及び前記硬化膜の前記開口パターンの一部に前記配線を形成する工程である。フォトレジスト層(図示せず)を形成した後、配線4eとしてITOをスパッタリング法により硬化膜3の一部の表面上に形成した。その後、不要なフォトレジストを除去した。(工程(G4)に相当)。ITOの厚みは0.1μmであった。
 次に、図29cに示すように、配線4cとして調製例1の感光性導電ペースト1を用いた配線4cを形成した。
 次に、図29dに示すように、硬化膜3の上に隔壁15を形成した。次に隔壁15の間に発光素子2を形成した(工程(G5に相当))。なお、発光素子2の厚みは7μmであり、隔壁15の厚みは8μmで形成した。隔壁15は公知の白色顔料を含むアクリル樹脂を用いた。硬化膜3および発光素子2上に樹脂組成物2からなる樹脂膜19を形成し、加熱処理により硬化させ、硬化膜21を形成した。配線4dとしてITOをスパッタリング法により硬化膜3の一部の表面上に形成した。
 その後、図29eに示すように、接着剤を用いて対向基板5を貼り合わせた。また、ドライバーICなど駆動素子8は配線4cや硬化膜3中に延在した配線4、配線4eを介して発光素子2と電気的に接続することにより、複数の発光素子2を有する表示装置52を得た。
 (実施例51)
 実施例50の樹脂組成物13を樹脂組成物21に変更した以外は実施例50と同様の方法で行い、表示装置53を得た。
 (実施例52)
 図28に示したような、不連続な面に電極をそれぞれ具備する発光素子2を用いた以外は実施例50と同様の方法で行い、表示装置54を得た。
 (実施例53)
 実施例52の樹脂組成物13を樹脂組成物21に変更した以外は実施例52と同様の方法で行い、表示装置55を得た。
 その結果、表示装置1~49、52~55は硬化膜3の光透過率が十分低いため、硬化膜3が配線4を隠蔽し、配線4のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくして意匠性を高めることができた。かつ、従来のフレキシブル基板に比較して、硬化膜の厚みが小さいため、パッケージ低背化や配線短距離化による配線の短絡など配線不良の抑制や低損失化、高速応答性の向上が可能であった。さらに表示装置1~20、22~49、52、54は微細加工が可能なため、微小な発光素子が適用可能であり、また発光素子の高密度実装が可能であった。また、隔壁15としても樹脂組成物からなる硬化膜が適用可能であり、隔壁を形成することで、対向基板の貼り合わせが容易になった。さらに、表示装置13、24~25、28~29、41~42、52~55は硬化膜3が黒色のため、硬化膜3が配線4を隠蔽し、配線4のぎらつきを抑制し、外部から視認しづらくして意匠性を高める他、外光反射低減やコントラスト向上により、視認性を高めることができた。さらに、表示装置1~33、36~49、52~55は配線4cの少なくとも一部は、基板の側面に延在しているため、表示装置自体の低背化や高速応答性が向上し、さらに表示装置をより小型化、狭額縁化することが可能であった。また、表示装置36、37は複数の発光素子の間に遮光層を形成することで、光取り出し効率を大きく損なうことなく、発光素子からの光漏れや各画素間の混色を抑制し、コントラストを向上させることが可能であった。表示装置38、39は発光素子2に近い配線の厚みに比べ、バンプ10に近い配線の厚みが厚いことにより、バンプ10を用いた発光素子駆動基板7の接続時に配線不良を抑制でき、信頼性の高い表示装置を得ることが可能であった。表示装置46、52~55は硬化膜3の層数が1層のため、発光素子の配置可能数は限定的であった。表示装置49は硬化膜全体の厚みが100μmを超え、段差平坦性が低下したため、発光素子実装時に課題が生じた。
 (比較例1~2)
 実施例1の樹脂組成物1を樹脂組成物15~16に変更した以外は実施例1と同様の方法で行い、表示装置50~51を得た。
 その結果、表示装置50~51は硬化膜3の光の透過率が十分高いため、硬化膜3の配線4に対するぎらつきの抑制を含む隠蔽性が不十分であった。
1 表示装置
2 発光素子
3 硬化膜
4、4c、4d、4e 配線
4a 硬化膜の表面に配されている配線の厚み
4b 硬化膜中の厚さ方向に貫通する開口パターンに延在している配線の厚み
5 対向基板
6 電極
7 発光素子駆動基板
8 駆動素子
9 バリアメタル
10 バンプ
11a 指定領域A
11b 指定領域B
12 開口パターン
13 配線4の底面部
14 底面部の最長長さ
15 隔壁
16 外部基板
17 パッド
18 支持基板
19 樹脂膜
20 硬化膜の全体の厚み
21 硬化膜
22 TFT
23 TFT絶縁層
24 コンタクトホール
25 遮光層
26 傾斜辺
27 傾斜辺の角度
28 硬化膜3の厚み
29 効果膜3の厚み1/2の位置

Claims (19)

  1. 少なくとも配線、硬化膜及び複数の発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子は異なる2つの面に電極をそれぞれ具備し、前記電極の少なくとも一方は前記硬化膜中に延在する複数本の前記配線と接続し、複数本の前記配線は、前記硬化膜により電気的絶縁性を保持する構成であり、前記硬化膜は、(A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、前記硬化膜の厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である、表示装置。
  2. 前記硬化膜の厚み基準5μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、79%以下である、請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記硬化膜の厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、25%以下である、請求項1に記載の表示装置。
  4. 前記硬化膜の全体の厚みが5μm以上、100μm以下である、請求項1または2に記載の表示装置。
  5. 前記硬化膜の層数が2層以上10層以下である、請求項1または2に記載の表示装置。
  6. 前記硬化膜には厚さ方向に貫通する開口パターンが設けられ、少なくとも前記開口パターンに前記配線を配する構成であり、前記発光素子と接した位置に形成される前記配線の底面部の最長長さが2μm以上、20μm以下である、請求項1または2に記載の表示装置。
  7. 前記硬化膜が前記発光素子の光取り出し面以外の面を覆う構成である、請求項1または2に記載の表示装置。
  8. 少なくとも、配線および/またはTFTを有する基板、硬化膜ならびに複数の発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子は異なる2つの面に電極をそれぞれ具備し、前記配線および/またはTFTの少なくとも一部は前記硬化膜と接し、前記硬化膜は、(A)樹脂を含む樹脂組成物を硬化した膜であり、前記硬化膜の厚み基準1μmでの波長450nmの光の透過率が、0.1%以上、95%以下である、表示装置。
  9. 複数の前記発光素子の間に、前記発光素子の厚み以上の厚みを有する隔壁を有する、請求項1または8に記載の表示装置。
  10. 前記発光素子が1辺の長さが5μm以上、700μm以下のLEDである、請求項1または8に記載の表示装置。
  11. さらに、駆動素子及び基板を有し、前記駆動素子は配線を通じて前記発光素子に接続され、さらに前記配線の少なくとも一部は、前記基板の側面に延在する、請求項1または8に記載の表示装置。
  12. 複数の前記発光素子の間に、遮光層を有する、請求項1または8に記載の表示装置。
  13. 前記(A)樹脂が、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選択される1種以上の樹脂を含有する、請求項1または8に記載の表示装置。
  14. 前記(A)樹脂を含む樹脂組成物がさらに、(B)感光剤を含有する、請求項1または8に記載の表示装置。
  15. 前記(A)樹脂を含む樹脂組成物がさらに、(C)着色剤を含有し、前記(C)着色剤が、(C-1)波長400nm以上、490nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤を含有する、請求項1または8に記載の表示装置。
  16. 前記(A)樹脂を含む樹脂組成物がさらに、(C)着色剤を含有し、前記(C)着色剤が、(C-2)波長490nmを超えて580nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤を含有する、請求項1または8に記載の表示装置。
  17. 前記(A)樹脂を含む樹脂組成物がさらに、(C)着色剤を含有し、前記(C)着色剤が、(C-3)波長580nmを超えて800nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤を含有する、請求項1または8に記載の表示装置。
  18. 前記(C)着色剤が、(C-1)波長400nm以上、490nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤とともに、さらに、(C-2)波長490nmを超えて580nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤および(C-3)波長580nmを超えて800nm以下の範囲に吸収極大を持つ着色剤を含有する、請求項1または8に記載の表示装置。
  19. 前記(A)樹脂を含む樹脂組成物がポジ型感光性である、請求項1または8に記載の表示装置。
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