WO2022062699A1 - 有机电致发光器件、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例提供的一种有机电致发光器件、显示面板及显示装置，增加了与发光层相邻的激子层，激子层作为激子复合区达到增加激子密度的作用，激子层的单重态能级高于发光层中主体材料的单重态能级，且激子层的发射光谱与发光层中主体材料的吸收光谱之间具有重叠面积，从而能将在激子层中形成的激子进行有效能量传递至发光层主体材料和客体材料，提高发光层的发光效率。并且，激子层具有在其内形成的三重态激子通过反系间穿越形成单重态激子的性能，使激子层通过能量损耗小的Forrest能量转移将激子能量转移至主体材料的能级，抑制能量损耗较大的Dexter能量转移，能有效提高激子能量传递，从而增强有机电致发光器件的效率。
Description
相关申请的交叉引用
本公开要求在2020年09月23日提交中国专利局、申请号为202011012901.4、申请名称为“有机电致发光器件、显示面板及显示装置”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本公开中。
本公开涉及显示技术领域，尤指一种有机电致发光器件、显示面板及显示装置。
近年来，有机电致发光显示器(OLED)作为一种新型的平板显示逐渐受到更多的关注。由于其具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、色彩饱和、轻薄、低能耗以及可柔性化等特点，被誉为梦幻显示，成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。
发明内容
一方面，本公开实施例提供了一种有机电致发光器件，包括：相对而置的阳极和阴极，位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，以及在从所述阳极指向所述阴极的方向上与所述发光层相邻的激子层；其中，
所述激子层包含至少一种化合物，所述激子层具有在其内形成的三重态激子通过反系间穿越形成单重态激子的性能，所述激子层的单重态能级高于所述发光层中主体材料的单重态能级，所述激子层的发射光谱与所述发光层中主体材料的吸收光谱之间的重叠面积大于设定值。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，所述激子层的发射光谱与所述发光层中主体材料的吸收光谱之间的重 叠面积大于5％。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，所述激子层包含一种化合物，所述化合物具有发射热活化延迟荧光特性。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，所述激子层包含由第一化合物和第二化合物混合形成的激基复合物，所述激基复合物的激子产率大于50％。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，所述第一化合物和第二化合物的质量比为1：9～9：1。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，所述发光层中主体材料的电子迁移率大于空穴迁移率，所述激子层位于所述发光层面向所述阳极的一侧；或，
所述发光层中主体材料的电子迁移率小于空穴迁移率，所述激子层位于所述发光层面向所述阴极的一侧。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，还包括：位于所述激子层远离所述发光层一侧的至少一层辅助功能层；
所述激子层的单重态能级小于相邻的辅助功能层的单重态能级。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，还包括：位于所述激子层远离所述发光层一侧的至少一层辅助功能层；
所述激子层中化合物的LUMO值大于相邻的辅助功能层的LUMO值。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，所述激子层中化合物的LUMO值与相邻的辅助功能层的LUMO值之差的绝对值大于0.3eV；
所述激子层中化合物的HOMO值与相邻的辅助功能层的HOMO值之差的绝对值小于0.5eV。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，所述激子层位于所述发光层面向所述阳极的一侧时，所述辅助功能层 包括至少以下之一：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；
所述激子层位于所述发光层面向所述阴极的一侧时，所述辅助功能层包括至少以下之一：电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，所述激子层的厚度小于或等于20nm。
另一方面，本公开实施例还提供了一种显示面板，包括多个本公开实施例提供的上述有机电致发光器件。
另一方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述显示面板。
图1为本公开实施例提供的有机电致发光器件的一种结构示意图；
图2为本公开实施例提供的有机电致发光器件的另一种结构示意图；
图3为本公开实施例提供的有机电致发光器件的能级关系示意图；
图4为本公开实施例提供的实验数据中各实施例的吸收-发射关系图；
图5为本公开实施例提供的实验数据中各实施例的吸收-发射关系图。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领 域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
有机发光二极管(OLED)具有自主发光、柔性、节能、超薄和重量轻的优点。通常，OLED施加电压时，从阳极注入空穴，阴极注入电子，电子和空穴在发光层中进行复合形成激子，根据自旋的统计规律，以25％：75％的比例生成单重态激子和三重态激子。常规的荧光OLED仅使用单重态激子进行发光，因此对其内量子效率IQE来说25％是理论极限，这大大限制了荧光OLED的效率，而磷光OLED由于能级匹配、载流子平衡、器件结构、出光效率等等限制也使得磷光OLED性能不尽人意。
在有机发光领域中，常规的荧光有机发光二极管(FOLED)相比磷光OLED和热激活延迟荧光(TADF)OLED具有更多的优点。与磷光和TADF发光器件相比，常规的FOLED的发射光谱更窄，有利于获得更好的色纯度；而且其发射的激子寿命短也是一个重要的优势，可以增加OLED的工作寿命和降低Roll off，但荧光OLED的效率理论极限比较低难以令人满意。因此对于OLED来说，如何提高其器件效率是改善器件性能的关键问题之一。
本公开实施例提供的一种有机电致发光器件，如图1和图2所示，包括：相对而置的阳极100和阴极200，位于阳极100和阴极200之间的发光层300，以及在从阳极100指向阴极200的方向上与发光层300相邻的激子层400；其中，
激子层400包含至少一种化合物，激子层400具有在其内形成的三重态激子通过反系间穿越形成单重态激子的性能，激子层400的单重态能级高于发光层300中主体材料的单重态能级，激子层400的发射光谱PL与发光层 300中主体材料的吸收光谱Abs之间的重叠面积大于设定值。
具体地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，增加了与发光层300相邻的激子层400，可以认为激子层400与发光层300层叠设置，且激子层400与所述发光层300的面积可以相同也可以不同，即激子层400的面积可以大于发光层300、小于发光层300或等于发光层，均可以实现激子层400作为激子复合区达到增加激子密度的作用，如图3所示，激子层400的单重态能级S1高于发光层300中主体材料的单重态能级S1，且激子层400的发射光谱PL与发光层300中主体材料的吸收光谱Abs之间具有重叠面积，从而能将在激子层400中形成的激子进行有效能量传递至发光层300主体材料和客体材料，提高发光层300的发光效率。并且，如图3所示，激子层400具有在其内形成的三重态激子T1通过反系间穿越形成单重态激子的性能，使激子层400通过能量损耗小的Forrest能量转移(FET)将激子能量转移至主体材料的S1能级，抑制能量损耗较大的Dexter能量转移(DET)，能有效提高激子能量传递，从而增强有机电致发光器件的效率，降低器件的Roll off。
可选地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，激子层400的发射光谱PL与发光层300中主体材料的吸收光谱Abs之间的重叠面积一般大于5％。
具体地，激子层400的发射光谱PL与发光层300中主体材料的吸收光谱Abs之间的重叠面积越大(重叠性越高)，越有利于激子能量从激子层400传输至发光层300，实现高效的能量传递。
可选地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，激子层400可以包含一种化合物，该化合物具有发射热活化延迟荧光特性，以实现在激子层400内将形成的三重态激子通过反系间穿越形成单重态激子，使激子层400通过能量损耗小的Forrest能量转移(FET)将激子能量转移至主体材料的S1能级，抑制能量损耗较大的Dexter能量转移(DET)，能有效提高激子能量传递，从而增强有机电致发光器件的效率。
可选地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，激子层也可 以包含由第一化合物和第二化合物混合形成的激基复合物，激基复合物的激子产率PLQY大于50％。
具体地，激基复合物的激子产率越高，说明在激子层400中，空穴和电子复合而成的激子比例越高，以提高激子层400中的激子密度。激基复合物的单重态能级S1高于发光层300中主体材料的单重态能级S1，可以将激子进行有效能量传递至发光层300主体材料和客体材料，提高发光层300的发光效率。
具体地，激子层400包含的化合物包括但不限于以下所列材料：
可选地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，第一化合物和第二化合物的质量比一般控制在1：9～9：1，具体可以根据所选用的具体材料确定两者的比例，在此不作详述。
可选地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，当选用发光层300中主体材料的电子迁移率大于空穴迁移率时，即发光层300中的主体材料选用电子型主体材料时，一般电子型主体材料的电子迁移率＞1*10
-6cm
2/V*S＞空穴迁移率，说明电子容易从阴极200一侧通过发光层300向阳极100一侧传输，因此，如图1所示，激子层400应设置在位于发光层300面向阳极100的一侧，有利于电子和空穴在激子层400复合达到所需的激子密度，从而将在激子层400中形成的激子进行有效能量传递至发光层300主体材料和客体材料，提高发光层300的发光效率。
可选地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，当选用发光层300中主体材料的电子迁移率小于空穴迁移率时，即发光层300中的主体材料选用空穴型主体材料时，一般电子型主体材料的电子迁移率<1*10
-6cm
2/V*S<空穴迁移率，说明空穴容易从阳极100一侧通过发光层300向阴极200一侧传输，因此，如图2所示，激子层400应设置在位于发光层 300面向阴极200的一侧，有利于电子和空穴在激子层400复合达到所需的激子密度，从而将在激子层400中形成的激子进行有效能量传递至发光层300主体材料和客体材料，提高发光层300的发光效率。
可选地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，如图1和图2所示，还可以包括：位于激子层400远离发光层300一侧的至少一层辅助功能层500。
可选地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，如图1所示，激子层400位于发光层300面向阳极100的一侧时，辅助功能层500可以包括至少以下之一：空穴注入层501、空穴传输层502、电子阻挡层503。
可选地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，如图2所示，激子层400位于发光层300面向阴极200的一侧时，辅助功能层500可以包括至少以下之一：电子注入层510、电子传输层520、空穴阻挡层530。
具体地，图1和图2中是以辅助功能层500包含空穴注入层501、空穴传输层502、电子阻挡层503、电子注入层510、电子传输层520、空穴阻挡层530为例进行说明的，具体膜层之间的层叠关系参见图1和图2。在实际应用时，可以根据需要选取所需的辅助功能层，例如辅助功能层500仅选取电子阻挡层503和空穴阻挡层530等，在此不作详述。
具体地，本公开实施例提供的上述有机电致发光器件在实际制作时，如图1所示，可以在衬底基板上依次形成阳极100、空穴注入层501、空穴传输层502、电子阻挡层503、激子层400、包含电子型主体材料的发光层300、空穴阻挡层530、电子传输层520、电子注入层510、阴极200。或者，如图2所示，可以在衬底基板上依次形成阳极100、空穴注入层501、空穴传输层502、电子阻挡层503、包含空穴型主体材料的发光层300、激子层400、空穴阻挡层530、电子传输层520、电子注入层510、阴极200。
具体地，衬底基板可以选为任意透明衬底材料，如玻璃、聚酰亚胺等。
阳极100选为高功函数电极材料，当本公开实施例提供的上述有机电致发光器件用于底发射结构时，可采用透明氧化物ITO、IZO等材料，厚度在 80nm～200nm；当本公开实施例提供的上述有机电致发光器件用于顶发射结构时，可采用复合结构制备，如“Ag/ITO”或“Ag/IZO”等，金属层厚度在80nm～100nm，金属氧化物厚度在5nm～10nm。阳极可见光区平均反射率参考值为85％～95％。如透明氧化物ITO、IZO，也可为Ag/ITO、Ag/IZO、CNT/ITO、CNT/IZO、GO/ITO、GO/IZO等形成的复合电极。
空穴注入层501的主要作用为降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率，可以选用如HATCN，CuPc等材料制备单层膜；也可对空穴传输材料进行p型掺杂的方式制备，如NPB:F4TCNQ，TAPC:MnO3等。一般的空穴注入层厚度在5nm～20nm，p掺杂浓度0.5％～10％。
空穴传输层502可选用空穴迁移率较高的咔唑类材料通过蒸镀制备。该层材料的分子最高被占据轨道(HOMO)能级需在-5.2eV～-5.6eV之间，参考厚度在100nm～140nm。
电子阻挡层503其空穴迁移率高出电子迁移率1～2个数量级，主要做用是传递空穴，且有效的阻挡电子的传输以及发光层内产生的激子，其厚度选为1nm～10nm。
空穴阻挡层530其电子迁移率高出空穴迁移率1～2个数量级，可以有效的阻挡空穴的传输，可以选为CBP，Bphen，TPBI等材料，其厚度选为5nm～100nm。
电子传输层520具有良好的电子传输特性，可以选为TmPyPB，B4PyPPM等材料，其厚度选为20nm～100nm。
电子注入层510可以选为LiF，Yb，LiQ等材料，其厚度选为1nm～10nm。
阴极200可以选为Mg，Ag等材料。
可选地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，如图1和图2所示，激子层400的单重态能级S1一般小于相邻的辅助功能层500的单重态能级S1。例如在图1所示的结构中，激子层400的单重态能级S1小于电子阻挡层503的单重态能级S1；在图2所示的结构中，激子层400的单重态能级S1小于空穴阻挡层530的单重态能级S1。
具体地，激子层400的单重态能级S1一般小于相邻的辅助功能层500的单重态能级S1，可以防止能量从激子层400传递至相邻膜层，可以将激子有效的限定在激子层400内后传递至发光层300，提高发光效率。
可选地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，如图1和图2所示，激子层400中化合物的LUMO值一般大于相邻的辅助功能层500的LUMO值。例如在图1所示的结构中，激子层400中化合物的LUMO值大于电子阻挡层503的LUMO值；在图2所示的结构中，激子层400中化合物的LUMO值大于空穴阻挡层530的LUMO值。值得注意的是，LUMO值指的是LUMO能级的绝对值。
具体地，激子层400中化合物的LUMO值大于相邻的辅助功能层500的LUMO值，可以防止激子从激子层400跃迁至相邻膜层，可以将激子有效的限定在激子层400内后传递至发光层300，提高发光效率。并且，当激子层400包含多个化合物时，每个化合物的LUMO值均需大于相邻的辅助功能层500的LUMO值。
可选地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，激子层400中化合物的LUMO值与相邻的辅助功能层500的LUMO值之差的绝对值大于0.3eV。在图1所示的结构中，激子层400中化合物的LUMO值与电子阻挡层503的LUMO值之差的绝对值大于0.3eV，当激子层400包含两种化合物时，∣LUMO第一化合物∣-∣LUMO电子阻挡层∣＞0.3eV，∣LUMO第二化合物∣-∣LUMO电子阻挡层∣＞0.3eV；在图2所示的结构中，激子层400中化合物的LUMO值与空穴阻挡层530的LUMO值之差的绝对值大于0.3eV，当激子层400包含两种化合物时，∣LUMO第一化合物∣-∣LUMO空穴阻挡层∣＞0.3eV，∣LUMO第二化合物∣-∣LUMO空穴阻挡层∣＞0.3eV。
激子层400中化合物的HOMO值与相邻的辅助功能层500的HOMO值之差的绝对值小于0.5eV。在图1所示的结构中，激子层400中化合物的HOMO值与电子阻挡层503的HOMO值之差的绝对值小于0.5eV，当激子层400包含两种化合物时，∣HOMO第一化合物∣-∣HOMO电子阻挡层∣＜0.5eV， ∣HOMO第二化合物∣-∣HOMO电子阻挡层∣＜0.5eV；在图2所示的结构中，激子层400中化合物的HOMO值与空穴阻挡层503的HOMO值之差的绝对值小于0.5eV，当激子层400包含两种化合物时，∣HOMO第一化合物∣-∣HOMO空穴阻挡层∣＜0.5eV，∣HOMO第二化合物∣-∣HOMO空穴阻挡层∣＜0.5eV。
可选地，在本公开实施例提供的上述有机电致发光器件中，激子层400的厚度一般小于或等于20nm，激子层400的厚度不宜过厚，以防止激子层400的激子能量不能充分转移至发光层300。
具体地，采用本公开实施例提供的上述有机电致发光器件的结构制作三组实施例和对应的比较例，其中，对比例与各实施例中的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和阴极的材料相同，厚度略有不同。在第一组实施例1和对应的比较例1～3中，发光层均采用蓝色发光材料，即发光层包含蓝色主体材料BH和5wt％的蓝色客体材料BD，调整激子层的材料和厚度。在第二组实施例2和对应的比较例4～6中，发光层均采用绿色发光材料，即发光层包含绿色主体材料GH和1.5wt％的绿色客体材料GD，调整激子层的材料和厚度。在第三组实施例3和对应的比较例7中，发光层均采用红色发光材料，即发光层包含红色主体材料RH和3wt％的红色客体材料RD，调整激子层的厚度。详细参数如表1所示：
表1
上述三组实施例的器件性能从以下数据进行比较：开启电压Von，电流效率CE、发光波长λ
EL，具体测量得到的数据如表2所示：
| 开启电压(V) | CE(cd/A) | λ EL(nm) | |
| 实施例1 | 3.7 | 9.0 | 468 |
| 比较例1 | 3.6 | 6.8 | 468 |
| 比较例2 | 3.8 | 8.4 | 469 |
| 比较例3 | 3.8 | 6.0 | 468 |
| 实施例2 | 3.0 | 63.8 | 536 |
| 比较例4 | 2.8 | 50.0 | 536 |
| 比较例5 | 2.9 | 45.1 | 537 |
| 比较例6 | 3.0 | 68.4 | 538 |
| 实施例3 | 4.6 | 21.8 | 618 |
| 比较例7 | 4.5 | 19.5 | 618 |
表2
从第一组实施例的实施例1、比较例1和比较例2的器件性能表明，第二 组实施例的实施例2和比较例4的器件性能表明，第三组实施例的实施例3和比较例7的器件性能表明，激子层400的存在提高了器件效率，这是因为激子层使得单重态激子密度增加，激子通过能量转移至发光层进行发光。
从图4所示光谱图可以看出，实施例1的激子层400厚度为3nm时，其器件的发射光谱与比较例1的发射光谱重合，表明激子层400没有发射。比较例2中的激子层厚度为10nm时，其器件的发射光谱存在微弱的激子层400发射，表明激子层400的激子能量转移不充分，这可能是激子层400厚度增加引起的。
通过比较实施例1和比较例3发现，实施例1的器件性能高于比较例3的器件性能，如图5所示，这可能是因为实施例1的激子层发射(PL)光谱与发光层主体材料的吸收(Abs)光谱重叠更大，使得激子能量转移更容易导致的。
从表2和表3所示的数据参数可知，对比实施例2、比较例5和比较例6发现，实施例2的器件性能最好，这可能是因为实施例2的激子层中激基复合物的PLQY最高导致激子的产率最高，因此实施例2的器件效率最高。
| 激子层的材料3nm | 激子层-PL | 主体材料-Abs | ΔPeak | 激子层-PLQY | |
| 实施例1 | 化合物A：化合物B | 409nm | 373nm | 36nm | 68％ |
| 比较例3 | 化合物C：化合物D | 440nm | 373nm | 67nm | 71％ |
| 实施例2 | 化合物E：化合物F | 520nm | 492nm | 28nm | 64％ |
| 比较例5 | 化合物F：化合物G | 515nm | 492nm | 23nm | 43％ |
| 比较例6 | 化合物H：化合物I | 510nm | 492nm | 18nm | 54％ |
| 实施例3 | 化合物J：化合物K | 550nm | 576nm | 26nm | 79％ |
表3
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种显示面板，包括多个本公开实施例提供的上述有机电致发光器件。由于该显示面板解决问题的原理与前述一种有机电致发光器件相似，因此该显示面板的实施可以参见有机电致发光器件的实施，重复之处不再赘述。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。该显示装置的实施可以参见上述有机电致发光器件的实施例，重复之处不再赘述。
本公开实施例提供的上述有机电致发光器件、显示面板及显示装置，增加了与发光层相邻的激子层，激子层作为激子复合区达到增加激子密度的作用，激子层的单重态能级高于发光层中主体材料的单重态能级，且激子层的发射光谱与发光层中主体材料的吸收光谱之间具有重叠面积，从而能将在激子层中形成的激子进行有效能量传递至发光层主体材料和客体材料，提高发光层的发光效率。并且，激子层具有在其内形成的三重态激子通过反系间穿越形成单重态激子的性能，使激子层通过能量损耗小的Forrest能量转移将激子能量转移至主体材料的能级，抑制能量损耗较大的Dexter能量转移，能有效提高激子能量传递，从而增强有机电致发光器件的效率。
显然，本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开实施例的精神和范围。这样，倘若本公开实施例的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (13)
- 一种有机电致发光器件，其中，包括：相对而置的阳极和阴极，位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，以及在从所述阳极指向所述阴极的方向上与所述发光层相邻的激子层；其中，所述激子层包含至少一种化合物，所述激子层具有在其内形成的三重态激子通过反系间穿越形成单重态激子的性能，所述激子层的单重态能级高于所述发光层中主体材料的单重态能级，所述激子层的发射光谱与所述发光层中主体材料的吸收光谱之间的重叠面积大于设定值。
- 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述激子层的发射光谱与所述发光层中主体材料的吸收光谱之间的重叠面积大于5％。
- 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述激子层包含一种化合物，所述化合物具有发射热活化延迟荧光特性。
- 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述激子层包含由第一化合物和第二化合物混合形成的激基复合物，所述激基复合物的激子产率大于50％。
- 如权利要求4所述的有机电致发光器件，其中，所述第一化合物和第二化合物的质量比为1：9～9：1。
- 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述发光层中主体材料的电子迁移率大于空穴迁移率，所述激子层位于所述发光层面向所述阳极的一侧；或，所述发光层中主体材料的电子迁移率小于空穴迁移率，所述激子层位于所述发光层面向所述阴极的一侧。
- 如权利要求6所述的有机电致发光器件，其中，还包括：位于所述激子层远离所述发光层一侧的至少一层辅助功能层；所述激子层的单重态能级小于相邻的辅助功能层的单重态能级。
- 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，还包括：位于所述激 子层远离所述发光层一侧的至少一层辅助功能层；所述激子层中化合物的LUMO值大于相邻的辅助功能层的LUMO值。
- 如权利要求8所述的有机电致发光器件，其中，所述激子层中化合物的LUMO值与相邻的辅助功能层的LUMO值之差的绝对值大于0.3eV；所述激子层中化合物的HOMO值与相邻的辅助功能层的HOMO值之差的绝对值小于0.5eV。
- 如权利要求7-8任一项所述的有机电致发光器件，其中，所述激子层位于所述发光层面向所述阳极的一侧时，所述辅助功能层包括至少以下之一：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；所述激子层位于所述发光层面向所述阴极的一侧时，所述辅助功能层包括至少以下之一：电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层。
- 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述激子层的厚度小于或等于20nm。
- 一种显示面板，其中，包括多个如权利要求1～11任一项所述的有机电致发光器件。
- 一种显示装置，其中，包括：如权利要求12所述的显示面板。
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