WO2021210052A1 - 計測装置、露光装置、および計測方法 - Google Patents

計測装置、露光装置、および計測方法 Download PDF

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diffracted light
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measured
imaging
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道雄 大橋
▲高▼橋 聡
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株式会社ニコン
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Definitions

  • the present invention relates to a measuring device, an exposure device, and a measuring method.
  • the position of an existing pattern formed in advance on the photosensitive substrate is measured prior to the exposure of the light-dark pattern, and the position is aligned with the existing pattern to make the photosensitive substrate photosensitive.
  • the light and dark patterns are exposed on the substrate.
  • a method of measuring the position of the existing pattern by imaging an image of an alignment mark in the existing pattern with a position measurement optical system is used (see Patent Document 1).
  • the measuring device includes an illumination system that irradiates an object to be measured located on an object surface with light, an imaging system that forms a conjugate surface that is optically conjugate to the object surface, and the above.
  • Diffraction light that limits at least a part of the plurality of diffracted lights from the object to be measured and passes the first diffracted light and the second diffracted light different from the first diffracted light among the plurality of diffracted lights. It includes a limiting unit and an imaging unit that is arranged on the conjugate surface and images a periodic light-dark pattern formed by the first diffracted light and the second diffracted light.
  • the measuring device forms an imaging system that irradiates an object to be measured located on an object surface with light having a plurality of wavelengths and a conjugate surface that is optically conjugate with the object surface.
  • the diffracted light passing portion for passing the first diffracted light and the second diffracted light different from the first diffracted light is arranged on the conjugate surface. It includes an imaging unit that captures a light-dark pattern formed by the light having a plurality of wavelengths that has passed through the diffracted light passing unit.
  • the exposure apparatus includes the measuring apparatus of the first or second aspect and an exposure optical system that irradiates an object including the object to be measured with exposure light.
  • the exposure apparatus uses the measuring apparatus of the first or second aspect to measure the position of the mark having a periodic structure.
  • FIG. 2 (a) and 2 (b) are diagrams showing an example of a position measurement mark suitable for the measuring device of the first embodiment.
  • FIG. 2 (c) is a diagram showing an image of the mark of FIG. 2 (a) formed on the imaging surface of the imaging unit of the measuring device.
  • FIG. 4A is a diagram showing an example of a lighting aperture changing portion in the lighting system.
  • FIG. 4B is a diagram showing an example of a diffracted light limiting unit.
  • FIG. 6A is a diagram showing an example of the size of the transmission aperture provided in the illumination aperture changing portion.
  • FIG. 6B is a diagram showing an example of the size of the selective opening provided in the diffracted light limiting portion.
  • FIG. 7A is a diagram showing an example of an illumination aperture diaphragm according to a modification of the measuring device 1.
  • FIG. 7B is a diagram showing an example of a diffracted light limiting diaphragm according to a modification of the measuring device 1.
  • the figure which shows a part of the structure of the modification 2 of the measuring apparatus schematicly.
  • the term "optically conjugated" means that one surface and the other surface are in an imaging relationship via an optical system.
  • the X, Y, and Z directions indicated by arrows in the figures referred to below are orthogonal to each other, and the X, Y, and Z directions each indicate the same direction in each figure.
  • the directions indicated by the arrows are referred to as + X direction, + Y direction, and + Z direction, respectively.
  • the position in the X direction is referred to as the X position
  • the position in the Y direction is referred to as the Y position
  • the position in the Z direction is referred to as the Z position.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of the measuring device 1 of the first embodiment.
  • the object W to be measured is placed so that the surface WS, which is the surface WS on the + Z side of the object W to be measured such as a silicon wafer to be measured, substantially coincides with the object surface OP of the imaging system 10. ..
  • the sample table 70 is movably supported in the X and Y directions by the guide 71, and the object W to be measured is also movable in the X and Y directions. It is measured by the encoder 61 via the position of the scale plate 72 provided on the sample table 70, and is transmitted to the control unit 60 as a position signal S2.
  • the imaging system 10 has an objective lens 11, a first relay lens 12, a second relay lens 13, and a third relay lens 14, and forms a conjugate surface CP that is optically conjugate to the object surface OP.
  • An imaging unit 19 such as a CMOS image sensor is arranged on the conjugated surface CP so that the imaging surface 19s coincides with the conjugated surface CP.
  • a measurement mark WM to be measured is formed on the surface WS of the object W to be measured, and the imaging system 10 captures an image of the object W to be measured including the measurement mark WM on the imaging surface 19s of the imaging unit 19. Image is formed on.
  • an intermediate image of the object W to be measured is also formed between the first relay lens 12 and the second relay lens 13, that is, between the object surface OP and the conjugate surface CP on which the object W to be measured is arranged. It has an intermediate image plane MP to be formed.
  • An index plate 15 made of a transparent substrate is provided on the intermediate image plane MP, and a position index 16 is provided on a part of the index plate 15.
  • the position index 16 is, for example, a rectangular light-shielding film periodically arranged on the index plate 15.
  • Position indicators 16 in which light-shielding films are periodically arranged in the X direction are arranged on both sides of the optical path of the imaging system 10 in the X direction, and light-shielding films are periodically arranged in the Y direction on both sides in the Y direction.
  • the position index 16 arranged in is arranged.
  • the position index 16 is illuminated by light from an index illumination system (not shown) provided in the imaging system 10, and the image of the position index 16 is imaged by the conjugate surface CP by the second relay lens 13 and the third relay lens 14. Is formed in.
  • the imaging unit 19 captures an image of the position index 16 as well as an image of the measurement mark WM formed on the conjugated surface CP.
  • the illumination system 20 includes relay lenses 21, 22, 24, an illumination aperture changing portion 40, a mirror 23, a branch mirror 25, and an objective lens 11, and an illumination light IL supplied from a light source portion 50 is arranged on an object surface OP.
  • the surface WS of the object to be measured W including the measurement mark WM is irradiated.
  • the objective lens 11 is included in both the imaging system 10 and the illumination system 20.
  • the illumination light IL supplied from the light source unit 50 passes through the relay lens 21 constituting the illumination system 20, and the numerical aperture is defined by the illumination aperture aperture 41a included in the illumination aperture changing unit 40.
  • the details of the illumination aperture changing unit 40 will be described later.
  • the illumination light IL that has passed through the illumination aperture changing portion 40 passes through the relay lens 21, the mirror 23, and the relay lens 24, and then reaches the branch mirror 25.
  • the branch mirror 25 is a mirror that reflects light in a part of the plane and transmits light in another part, for example, a mirror in which a reflective film is formed on a part of a transparent plate.
  • the illumination light transmitted through the relay lens 24 is reflected by the branch mirror 25 and is transmitted through the objective lens 11 to irradiate the object W including the measurement mark WM.
  • each lens such as the objective lens 11 is shown in FIG. 1 so as to be composed of only one lens, each lens may be composed of a plurality of lenses.
  • FIG. 2A shows an example of a measurement mark WM formed on the surface WS of the object to be measured W, which is suitable for measuring the position in the X direction, as viewed from the + Z direction.
  • FIG. 2B shows a cross-sectional view of the measurement mark WM shown in FIG. 2A as viewed from the ⁇ Y direction.
  • An example of a measurement mark suitable for measuring the position in the Y direction is a measurement mark WM rotated by 90 ° in the XY plane.
  • the measurement mark WM is, for example, a mark in which concave portions MB and convex portions MT having steps are alternately and periodically formed in the X direction on the surface WS of the object to be measured W.
  • One recess MB is a rectangle whose sides are parallel to the X or Y direction and is long in the Y direction, and a plurality of recesses MB are periodically formed in the X direction with a periodic PX. Therefore, the measurement mark WM functions as a reflection type diffraction grating having a periodic structure in the X direction.
  • the number of recessed MBs periodically arranged in the X direction may be any number of two or more.
  • the surface WS of the object to be measured W including the measurement mark WM is covered with a translucent or semipermeable membrane RS containing a photoresist or the like.
  • the width of the concave portion MB and the convex portion MT in the X direction is about 1 to 3 ⁇ m as an example, and the period PX of the arrangement in the X direction is about 2 to 4 ⁇ m as an example.
  • the measurement mark WM is designed to be formed at a predetermined position on the object to be measured W.
  • the actual position of the measurement mark WM is different from the design position because the object W to be measured such as a silicon wafer undergoes isotropic or isotropic deformation due to the semiconductor process or the like.
  • the control unit 60 first transmits the control signal S3 based on the position signal S2 from the encoder 61 to move the sample table 70, and sets the design position of the measurement mark WM on the imaging system 10. Match the measurement reference position.
  • the illumination light IL is applied to the object W to be measured, and due to the periodic structure of the measurement mark WM in the X direction, as shown in FIG.
  • a plurality of diffracted lights such as the second-order diffracted light Dp2 and the second-order diffracted light Dm2 are generated.
  • the generated diffracted light enters the objective lens 11 and is guided to the branch mirror 25.
  • the plurality of diffracted lights (Dm2, Dm1, Dp1, Dp2) pass through the branch mirror 25 and reach the so-called pupil surface in the imaging system 10 or the diffracted light limiting diaphragm 31a provided in the vicinity thereof. Therefore, the diffracted lights of different orders generated at different diffraction angles from the measurement mark WM arranged on the object surface OP are collected at different positions in the diffracted light limiting diaphragm 31a.
  • the 0th-order diffracted light which is specularly reflected light from the measurement mark WM, is blocked by the branch mirror 25 and therefore does not reach the diffracted light limiting diaphragm 31a.
  • the diffracted light limiting aperture 31a is provided with a selection opening 35a at a position where diffracted light of a predetermined order is collected in an attenuation region for attenuating light, and allows diffracted light of a predetermined order to pass through to another order. Amplifies the diffracted light of. Here, the diffracted light of another order may be shielded. Further, the light transmittance (light transmittance) of the selective opening 35a does not have to be 100%. The light transmittance of the selection opening 35a may be higher than the light transmittance of the attenuation region. In the state shown in FIG.
  • the selective aperture 35a selectively passes the +1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 in the X direction, and the diffracted light of another order (+1st-order diffracted light Dp2 and -2).
  • the next diffracted light (Dm2, etc.) is shielded from light.
  • the details of the diffracted light limiting unit 30 including the diffracted light limiting diaphragm 31a will be described later.
  • the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 selectively passed by the diffracted light limiting diaphragm 31a are focused by the first relay lens 12 and are in the vicinity of the index plate 15 arranged on the intermediate image plane MP.
  • an intermediate image of the measurement mark WM as an interference fringe is formed.
  • the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 are focused by the second relay lens 13 and the third relay lens 14, and form an image of the measurement mark WM as interference fringes on the imaging surface of the imaging unit 19. do.
  • FIG. 2C is a diagram showing an example of the intensity distribution of the image IM of the measurement mark WM formed on the imaging surface 19s.
  • the horizontal axis of the intensity distribution graph shown in FIG. 2C indicates the position in the X direction on the imaging surface 19s, and the vertical axis indicates the intensity of the image IM.
  • the intensity distributions of the images IIL and IIR of the position index 16 on the index plate 15 are shown on the ⁇ X side and the + X side of the image IM of the measurement mark WM.
  • the image IM of the measurement mark WM shown in FIG. 2 (c) has only the imaging magnification (horizontal magnification) of the imaging system 10 with respect to the measurement mark WM shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). It is enlarged in the X direction. However, in the following description, in order to facilitate understanding, it is assumed that the lateral magnification of the imaging system 10 is 1x. It should be noted that the scale in the X direction of FIG. 2 (c) does not match the scale of the X direction of FIGS. 2 (a) and 2 (b).
  • the image IM of the measurement mark WM is an interference fringe formed by the interference of the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 from the measurement mark WM. Therefore, a periodic light-dark pattern in the X direction is formed over one cycle or more, and the light-dark cycle in the X direction is 1/2 of the period PX in the X direction of the measurement mark WM. In addition, this light-dark pattern may be referred to as a light-dark image.
  • the imaging unit 19 images the image IM over an imaging range DA of one cycle or more of light and dark of the image IM of the measurement mark WM along the X direction, and transmits the imaging signal S1 to the control unit 60.
  • the range of the imaging range DA in the X direction may be an integral multiple of 1/2 of the period PX, that is, n ⁇ PX / 2 (n is a natural number).
  • the imaging unit 19 or the control unit 60 may integrate the imaging signal S1 of the image IM in the Y direction within the imaging range DA. Further, as will be described later, when measuring the position of the measurement mark WM or the like in the Y direction, the imaging unit 19 or the control unit 60 integrates the imaging signal S1 of the image IM in the X direction within the imaging range DA. You may.
  • the width of the imaging range DA in the X direction and the width in the Y direction may be variably set by the imaging unit 19 or the control unit 60.
  • By changing the width of the imaging range DA in the X direction and the width in the Y direction it is possible to measure measurement marks WM, WMa, and WMb of various shapes, and the measurement marks WM, WMa, and WMb are arranged around the measurement marks WM, WMa, and WMb. It is possible to reduce the adverse effects of the circuit pattern and the like.
  • the image pickup unit 19 also takes an image of the image IIL and IIR of the position index 16 and transmits the image pickup signal S1 to the control unit 60.
  • the control unit 60 measures the actual position of the measurement mark WM based on the transmitted image pickup signal S1.
  • the measurement mark WM is arranged so that its design position coincides with the measurement reference position of the imaging system 10 during measurement. Therefore, the actual position of the measurement mark WM is measured by measuring the amount of the displacement of the measurement mark WM from the measurement reference position of the imaging system 10 and adding the amount of the displacement to the design position of the measurement mark WM. Can be measured.
  • the measurement reference position of the imaging system 10 is, for example, a position where an image of a measurement mark WM or the like arranged at the measurement reference position is formed between the images IIL and IIR of the two position indexes 16 on the imaging surface 19s. Is.
  • the control unit 60 determines the positions of the images IIL and IIR in the X direction based on the phases of the images IIL and IIR of the two position indexes 16 in the X direction, for example, and the image formation which is an intermediate position between them.
  • the measurement reference position in the X direction of the system 10 is determined.
  • the control unit 60 determines the position of the image IM in the X direction based on, for example, the phase of the image IM of the measurement mark WM in the X direction of the change in brightness, and determines the position of the image IM in the X direction from the measurement reference position in the X direction of the imaging system 10 described above. Calculate the amount of misalignment. Then, the actual X position of the measurement mark WM is calculated (measured) by adding the amount of the displacement to the design X position of the known measurement mark WM.
  • the measurement of the X position of the measurement mark WM has been described, but the measurement of the Y position can be performed in the same manner.
  • the measurement mark WM shown in FIG. 2A on the object W to be measured is rotated by 90 ° in the XY plane to measure the measurement mark WM.
  • an image that changes light and dark periodically along the Y direction is formed on the imaging surface 19s, and the control unit 60 determines the positional relationship between the image and the image of the position index 16 and the design of the measurement mark WM.
  • the actual Y position of the measurement mark WM is calculated (measured) based on the Y position.
  • the control unit 60 measures the amount of misalignment from the measurement reference position of the imaging system 10 at the design position of the measurement mark WM at the time of measurement by the position signal S2 from the encoder 61, and the amount of misalignment. Is further added to calculate (measure) the actual position of the measurement mark WM.
  • FIG. 3 is a diagram showing another example of the measurement mark WM.
  • the measurement mark WMa shown in FIG. 3A corresponds to several recesses MB near the center in the X direction rotated by 90 ° in the XY plane with respect to the measurement mark WM shown in FIG. 2A. doing.
  • the ⁇ X side end portion LX and the + X side end portion RX of the measurement mark WMa have a concave portion MBa and a convex portion MTa extending in the X direction suitable for position measurement in the X direction.
  • the central portion CY in the X direction of the measurement mark WMa has a concave portion MBb and a convex portion MTb extending in the Y direction suitable for position measurement in the Y direction.
  • the measuring device 1 can both measure the position of the measurement mark WMa in the X direction and the position in the Y direction.
  • the period PY of the arrangement of the concave MBb and the convex MTb of the central portion CY in the Y direction is the same as the period PX of the arrangement of the concave MBa and the convex MTa of the -X side end LX and the + X side end RX in the X direction. It may be the same or different.
  • the number of recessed MBa included in the central portion CY and the number of recessed MBs included in the ⁇ X side end portion LX and the + X side end portion RX may be any number of two or more.
  • the measurement mark WMb shown in FIG. 3B is a mark including a concave portion MBc formed in a two-dimensional grid pattern and a convex portion MTc surrounded by the concave portion MBc. Since the two-dimensional lattice formed by the recessed MBc includes both the periodicity in the X direction and the periodicity in the Y direction, the measuring device 1 measures the position of the measurement mark WMb in the X direction and the position in the Y direction. Can be done together.
  • FIG. 3C is a diagram showing an example of one subdivided recessed MB.
  • One recessed MB shown in FIG. 3C is composed of a plurality of micro-concave MBSBs whose inside is subdivided in the X direction and a plurality of micro-convex MBSTs.
  • the inside thereof may be subdivided in the Y direction.
  • the recess MBb suitable for measurement is subdivided in both the X direction and the Y direction
  • the inside thereof may be subdivided in the X direction
  • the Y direction may be subdivided
  • the X direction and the Y direction may be subdivided. It may be subdivided two-dimensionally in the direction.
  • the width of one micro-concave MBb in the X direction (or Y direction) is, for example, about 0.05 to 0.3 ⁇ m, and the width of the plurality of micro-concave MBBs constituting one concave MBB in the X direction (or Y direction).
  • the period of the arrangement in the Y direction) is about 0.1 to 0.5 ⁇ m.
  • one convex MT, MTa, MTb may be a mark subdivided as described above.
  • the measurement marks WM, WMa, and WMb are not limited to the shapes having the above-mentioned steps, and may be marks having a difference in amplitude reflectance between the concave portions MB, MBa, MBb and the convex portions MT, MTa, MTb. Just do it.
  • each measurement is performed when measuring the positions of various measurement marks WM, WMa, and WMb (hereinafter, collectively referred to as “measurement mark WM”) as described above.
  • the position is measured by imaging an image with diffracted light suitable for. Therefore, the measuring device 1 of the first embodiment attenuates at least a part of the plurality of diffracted lights generated from the measurement mark WM, and the first diffracted light (for example, +1st order diffracted light Dp1) and the first diffracted light.
  • a diffracted light limiting unit 30 that allows the second diffracted light (for example, -1st diffracted light Dm1) different from the above to pass through.
  • FIG. 4B is a view of the diffracted light limiting unit 30 as viewed from the + Z direction.
  • the diffracted light limiting unit 30 includes a diffracted light limiting diaphragm 31a to 31d, an imaging diaphragm holding unit 32, and a selection switching unit 33.
  • the image diaphragm holding unit 32 is rotatably held around the rotation center CL2 by the selection switching unit 33.
  • the imaging diaphragm holding unit 32 holds four diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d as an example, and inserts one of them into the imaging optical path 10P of the imaging system 10. Selective openings 35a to 35d having different shapes are formed in the diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d.
  • the diffracted light limiting unit 30 can select the diffracted light passing through the selection openings 35a to 35d by inserting any of the diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d into the imaging optical path 10P.
  • FIG. 4A is a view of the illumination aperture changing portion 40 viewed from the + Z direction.
  • the illumination aperture changing unit 40 includes an illumination aperture diaphragm 41a to 41d, an illumination aperture holding unit 42, and an illumination switching unit 43.
  • the illumination diaphragm holding unit 42 is rotatably held around the rotation center CL1 by the illumination switching unit 43.
  • the illumination diaphragm holding unit 42 holds four illumination aperture diaphragms 41a to 41d as an example, and inserts one of them into the illumination optical path 20P of the illumination system 20.
  • the illumination aperture diaphragms 41a to 41d are provided with transmission openings 45a to 45d having different shapes.
  • the illumination aperture changing unit 40 inserts any of the illumination aperture diaphragms 41a to 41d into the illumination optical path 20P, so that the numerical aperture of the illumination light that passes through the transmission openings 45a to 45d and is applied to the object W to be measured, etc. Lighting conditions can be selected.
  • the numerical aperture of the illumination light is a half-width sine in the incident angle range of the illumination light applied to the object W to be measured.
  • the value obtained by dividing the numerical aperture of the illumination light by the numerical aperture (NA) of the objective lens 11 is a value generally called a coherence factor.
  • the illumination aperture diaphragms 41a to 41d are arranged on or near the so-called pupil surface by the lenses 22, 24, the objective lens 11, and the like with respect to the object surface OP. Therefore, the illumination light transmitted through the respective transmission openings 45a to 45d in the illumination aperture diaphragms 41a to 41d is placed on the measurement mark WM arranged on the object surface OP at an incident angle corresponding to the position of the transmission openings 45a to 45d. Incident.
  • the diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d are provided at or near the so-called pupil surface in the imaging system 10. Therefore, the illumination aperture diaphragms 41a to 41d inserted in the illumination optical path 20P and the diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d inserted in the imaging optical path 10P are arranged on the lenses 22, 24, the objective lens 11, and the object surface OP. An imaging relationship is formed through the object to be measured W as a reflective surface.
  • the positional relationship between the diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d and the illumination aperture diaphragms 41a to 41d in the X and Y directions is reversed by the imaging action of the lenses 22 and 24 in the illumination system 20. Therefore, the X and Y directions of FIG. 4A are inverted with respect to FIG. 4B so that the imaging relationship between the diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d and the illumination aperture diaphragms 41a to 41d can be easily understood. (That is, rotated 180 °) and displayed.
  • the illumination aperture changing unit 40 inserts the illumination aperture diaphragm 41a into the illumination optical path 20P, and the diffracted light limiting unit 30
  • the diffracted light limiting diaphragm 31a is inserted into the imaging light path 10P.
  • FIGS. 4 (a) and 4 (b) This state is shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), and the center 41ac of the illumination aperture diaphragm 41a is arranged so as to coincide with the center of the illumination optical path 20P, and the diffracted light limiting diaphragm 31a
  • the center 31ac is arranged so as to coincide with the center of the imaging optical path 10P.
  • the transmission opening 45a provided in the illumination aperture diaphragm 41a has a narrow width in the X direction and a width in the Y direction is wider than the width in the X direction. Therefore, the illumination light IL applied to the measurement mark WM is incident in a narrow incident angle degree range in the X direction and in a wide incident angle degree range in the Y direction.
  • the range of the angle of incidence of the illumination light IL transmitted through the transmission opening 45a on the measurement mark WM in the X direction is 0 or more and 1/3 or less as the above-mentioned coherence factor.
  • a plurality of diffracted lights (Dm2, Dm1, Dp1, Dp2) are generated from the measurement mark WM by the irradiation of the illumination light IL.
  • the selective opening 35a of the diffracted light limiting diaphragm 31a of the diffracted light limiting unit 30 allows the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 to pass through, and blocks the other diffracted light (Dm2, Dp2, etc.).
  • the distance in the X direction from the center 31ac of the diffracted light limiting diaphragm 31a of the two selection openings 35a is such that the selection opening 35a passes the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 from the measurement mark WM.
  • the width of each of the two selection openings 35a in the X direction is set to a width through which the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 from the measurement mark WM can pass.
  • the above relationship regarding the position and width of the diffracted light limiting diaphragm 31a of the selective aperture 35a from the center 31ac is the distance and width from the center 31bc to 31dc of the diffracted light limiting diaphragms 31b to 31d of the other selective apertures 35b to 35d. Is the same.
  • the diffracted light of each order spreads and is distributed in the X direction in the diffracted light limiting diaphragm 31a according to the width of the transmission opening 45a of the illumination aperture diaphragm 41a in the X direction. Therefore, the width of the transmission aperture 45a of the illumination aperture diaphragm 41a in the X direction may be set to such a width that the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 can be separated from the diffracted light of other orders in the diffracted light limiting diaphragm 31a. ..
  • the position of the measurement mark is measured based on an image including not only the +1st order diffracted light Dp1 and the -1st order diffracted light Dm1 but also the diffracted light of other orders. Since the diffracted light of each order passes through different positions in the imaging system, different amounts of wave surface aberrations are received from the imaging system. In this case, for example, when the shape of the measurement mark WM fluctuates and the ratio of the intensity of the diffracted light of each order fluctuates, the image IM of the measurement mark WM is deformed or displaced due to the influence of the wave surface aberration of the imaging system, and the position is changed. An error will occur in the measurement result.
  • the first diffracted light (+1st order diffracted light Dp1 etc.) and the second diffracted light (-1st order diffracted light Dm1 etc.) are selectively selected from a plurality of diffracted lights by the diffracted light limiting aperture 31a. Since the image IM of the measurement mark WM is formed by passing the light through the image IM, it is not easily affected by the wave surface aberration of the imaging system 10, and highly accurate position measurement can be performed.
  • the contrast of the image IM is lowered even if the position of the measurement mark WM fluctuates (defocuses) in the Z direction. It is difficult and the measurement mark WM can be measured at a deep depth of focus.
  • the illumination aperture diaphragm 41c is centered 41cc. It is inserted into the illumination optical path 20P so as to coincide with the center of the illumination optical path 20P. Then, the diffracted light limiting diaphragm 31c is inserted into the imaging optical path 10P so that the center 31cc coincides with the center of the imaging optical path 10P.
  • the illumination aperture diaphragm 41c is provided with a transmission opening 45c having a shape in which the transmission opening 45a provided in the above-mentioned illumination aperture diaphragm 41a is rotated by 90 ° in the XY plane.
  • the diffracted light limiting diaphragm 31c is provided with a selective opening 35c having a shape in which the selective opening 35a provided in the diffracted light limiting diaphragm 31a is rotated by 90 ° in the XY plane.
  • the selective aperture 35c of the diffracted light limiting diaphragm 31c allows the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 from the measurement mark WM suitable for measurement in the Y direction to pass through, and other diffracted light (Dm2, Dp2, etc.). To block light. Therefore, only the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 suitable for detecting the measurement mark WM in the Y direction reach the imaging surface 19s of the imaging unit 19, and form an image IM of the measurement mark WM. ..
  • the illumination aperture diaphragm 41a having a wide transmission opening 45a in the Y direction is used for the measurement in the X direction
  • the illumination aperture diaphragm 41c having the transmission opening 45c wide in the X direction is used for the measurement in the Y direction. Is using.
  • An aperture diaphragm 41b may be used.
  • the amount of illumination light IL can be increased, the S / N of the image IM is improved, and the measurement accuracy can be expected to be improved. ..
  • the above-mentioned measurement in the X direction and the measurement in the Y direction may be performed in sequence.
  • the illumination aperture diaphragm 41b is inserted into the illumination optical path 20P so that the center 41 bc coincides with the center of the illumination optical path 20P, and the diffracted light limiting diaphragm 31b is connected so that the center 31 bc coincides with the center of the imaging optical path 10P.
  • the measurement in the X direction and the Y direction may be performed at the same time while being inserted into the image optical path 10P.
  • a transmission opening 45b having a narrow width in both the X direction and the Y direction is provided in the vicinity of the center 41bc of the illumination aperture diaphragm 41b. Therefore, the illumination light IL applied to the measurement mark WMa is incident in a narrow incident angle degree range in the X direction and the Y direction.
  • the range of the angles of incidence of the illumination light IL transmitted through the transmission opening 45b on the measurement mark WM in the X and Y directions is, for example, 0 or more and 1/3 or less as the above-mentioned coherence factor.
  • the diffracted light limiting diaphragm 31b is provided with a selection opening 35b at positions separated from the center 31bc in the ⁇ X direction and the ⁇ Y direction. Of the selected openings 35b, the portion distant from the center 31 bc in the ⁇ X direction is +1 in the ⁇ X direction generated from the ⁇ X side end LX and the + X side end RX of the measurement mark WMa by irradiation with the illumination light IL.
  • the second-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 are passed through.
  • the portion of the selected aperture 35b that is separated from the center 31 bc in the ⁇ Y direction is the +1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 in the ⁇ Y direction generated from the central portion CY of the measurement mark WMa by irradiation with the illumination light IL. To pass through.
  • the diffracted light generated from the measurement mark WMa is shielded by the diffracted light limiting diaphragm 31b. Therefore, by using the illumination aperture diaphragm 41b and the diffracted light limiting diaphragm 31b, the positions of the measurement marks WMa shown in FIG. 3A in the X direction and the Y direction can be measured with high accuracy.
  • the measurement may be performed using the illumination aperture diaphragm 41d and the diffracted light limiting diaphragm 31d. That is, the illumination aperture aperture 41d is inserted into the illumination optical path 20P so that the center 41dc coincides with the center of the illumination optical path 20P, and the diffracted light limiting aperture 31d is connected so that the center 31dc coincides with the center of the imaging optical path 10P.
  • the measurement may be performed while being inserted into the image optical path 10P.
  • the illumination light IL transmitted near the end in the ⁇ Y direction will be described.
  • the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 in the X direction generated by irradiating the ⁇ X side end LX and the + X side end RX of the measurement mark WMa with the illumination light IL are set to the diffracted light limiting diaphragm 31d. It passes through any of the four selective openings 35d provided.
  • the diffracted light of another order in the X direction and the diffracted light in the Y direction generated by the light applied to the central portion CY of the measurement mark WMa are shielded by the diffracted light limiting diaphragm 31d.
  • the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 in the Y direction generated by irradiating the central portion CY of the measurement mark WMa with the illumination light IL are formed by the four selective openings 35d provided in the diffracted light limiting diaphragm 31d. Pass through either.
  • the diffracted light of the other order in the Y direction and the diffracted light in the Y direction generated by the light irradiated to the ⁇ X side end LX and the + X side end RX of the measurement mark WMa are the diffracted light limiting diaphragm 31d. Is shaded by.
  • the positions of the measurement marks WMa shown in FIG. 3A in the X direction and the Y direction can be measured with high accuracy.
  • the above-mentioned measurement in the X direction and the measurement in the Y direction may be sequentially performed.
  • the diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d selectively pass the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 from the measurement mark, and shield the diffracted light of other orders.
  • the diffracted light selectively passed through the diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d may be, for example, + second-order diffracted light Dp2 and second-order diffracted light Dm2, or + third-order diffracted light and third-order diffracted light (not shown).
  • a diaphragm that selectively passes the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 and the + 2nd-order diffracted light Dp2 and the -second-order diffracted light Dm2 are selectively selected.
  • a diaphragm is provided, and these may be switched by the selection switching unit 33 so that they can be inserted into the imaging optical path 10P.
  • the two diffracted lights passed through the diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d are not limited to a pair of diffracted light having the same absolute value of order, such as + m-th order diffracted light and ⁇ m-th order diffracted light with respect to the natural number m.
  • a pair of diffracted lights having different absolute values of order such as + 1st-order diffracted light Dp1 and -2nd-order diffracted light Dm2, may be used. Further, one of them may be 0th-order diffracted light (specularly reflected light).
  • the diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d are symmetrical with respect to the plane orthogonal to the measurement direction. Two diffracted lights emitted into may be passed through.
  • the diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d may be provided with their respective selective openings line-symmetrically with respect to an axis passing through their respective centers and orthogonal to the measurement direction.
  • the illumination light IL is incident at a predetermined angle from the direction perpendicular to the object W, for example, an angle corresponding to half of the diffraction angle of the -1st-order diffracted light, for example, the 0th-order diffracted light ( It is preferable to selectively pass the specularly reflected light) and the + 1st-order diffracted light from the viewpoint of telecentricity.
  • the illumination switching unit 43 included in the illumination aperture changing unit 40 described above shifts the entire illumination aperture holding unit 42 and the illumination aperture diaphragms 41a to 41d in the X and Y directions to cover the illumination light IL. It may be possible to change the angle of incidence on the object W.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of the configuration of the light source unit 50 of the measuring device 1.
  • the light source unit 50 of the example includes a first light emitting unit 51a that emits the first light La of the first wavelength and a second light emitting unit 51b that emits the second light Lb of the second wavelength.
  • the first light emitting unit 51a and the second light emitting unit 51b may be members such as a laser or an LED that emit light by themselves, or may be members that emit light introduced from the outside of the emission end of the optical fiber.
  • the first light emitting unit 51a may be a laser and the second light emitting unit 51b may be an LED.
  • the first light La and the second light Lb are mixed and separated by the polarizing beam splitter 52.
  • the S polarization component of the first light La is reflected by the polarization beam splitter 52, and the P polarization component of the second light Lb passes through the polarization beam splitter 52 to become the illumination light L1.
  • the P-polarizing component of the first light La passes through the polarizing beam splitter 52, and the S-polarizing component of the second light Lb is reflected by the polarizing beam splitter 52 to become the illumination light L2.
  • the illumination light L1 is reflected by the mirror 53 and is incident on the phase modulation element 54a.
  • the illumination light L2 directly enters the phase modulation element 54b.
  • the phase modulation elements 54a and 54b are, for example, liquid crystal elements, which function as so-called wave plates according to the voltage applied from the voltage control units 55a and 55b. That is, when the first voltage is applied from the voltage control units 55a and 55b, it functions as a 0-wave plate (flat plate), and when a second voltage is applied, it functions as a 1/2 wave plate.
  • the polarization states of the illumination lights L1 and L2 are controlled by the phase modulation elements 54a and 54b, respectively, and the illumination lights L1 and L2 are converted into the illumination lights L3 and L4.
  • the illumination light L3 that has passed through the phase modulation element 54a is incident on the polarizing beam splitter 57.
  • the illumination light L4 that has passed through the phase modulation element 54b is reflected by the mirror 56 and incident on the beam splitter 57. Then, the illumination lights L3 and L4 are combined by the beam splitter 57 and emitted from the light source unit 50 as the illumination light L5.
  • the light source unit 50 of the above example a plurality of lights having different wavelengths can be emitted simultaneously or separately, and the polarized light state of the illumination light L5 emitted by changing the states of the phase modulation elements 54a and 54b. Can be switched.
  • the first light emitting unit 51a is a laser
  • the measurement mark WM may be irradiated with the first illumination light L1. Even if the etandue of the imaged luminous flux is reduced by the diffracted light limiting diaphragm, the brightness of the imaged luminous flux is high, so that a sufficient amount of light can be secured on the imaging surface 19s.
  • the illumination NA may be about 0.4 and the imaging NA may be about 0.5.
  • the light source unit 50 of the measuring device 1 is not limited to the above-mentioned light source shown in FIG. 5, and combines one or a plurality of light emitting units and, if necessary, the light emitted from those light source units. Any light source may be used as long as it has a compositing unit.
  • the light source unit 50 may emit light having three or more different wavelengths.
  • the diffraction angle of the diffracted light of each order from the measurement mark WM becomes a different angle for each wavelength of the illumination light IL. Therefore, the positions of the diffracted lights (Dm2, Dm1, Dp1, Dp2, etc.) of each order on the diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d also differ depending on the wavelength of the illumination light IL. Therefore, in order to selectively pass diffracted light of a predetermined order of light of a plurality of wavelengths through the selection openings 35a to 35d, the wavelength widths of the plurality of wavelengths using the width of the selection openings 35a to 35d in the measurement direction are used. Need to be expanded accordingly.
  • FIG. 6A is a diagram showing an example of the size of the transmission aperture 45a provided in the illumination aperture diaphragm 41a when the light source unit 50 that emits light of a plurality of wavelengths is used
  • FIG. 6B is a diagram. It is a figure which shows an example of the size of the selection opening 35a provided in the diffracted light limiting diaphragm 31a.
  • the light source unit 50 is assumed to emit light having a wavelength from the minimum wavelength having a wavelength of ⁇ 1 to the maximum wavelength having a wavelength of ⁇ 2, and as shown in FIG. 2A, the period PX in the X direction.
  • the measurement mark WM having the
  • the illumination aperture diaphragm 41a is provided on or near the pupil surface of the illumination system 20, and the diffracted light limiting diaphragm 31a is provided on or near the pupil surface of the imaging system 10. Therefore, in FIGS. 6A and 6B, the XY coordinates in each of the drawings are set to the sine of the angle of incidence of the illumination light IL on the object W to be measured, or the diffracted light (Dm2, Dm1, Dp1, Dp2, etc.). ) Corresponds to the sine of the ejection angle from the object W to be measured.
  • the width of one side of the transmission opening 45a in the X direction is defined as iNA, and the total width of the transmission opening 45a in the X direction is defined as 2 ⁇ iNA.
  • the center position of the transmission aperture 45a in the X direction coincides with the center 41ac of the illumination aperture diaphragm 41a.
  • a selection opening 35a is arranged at positions separated by DX in the + X direction and ⁇ X direction from the center 31ac of the diffracted light limiting diaphragm 31a in the X direction, respectively.
  • the value of DX is ( ⁇ 1 + ⁇ 2) / (2 ⁇ PX)
  • the measurement mark WM having a period PX contains light having a wavelength substantially intermediate between the above-mentioned minimum wavelength ( ⁇ 1) and maximum wavelength ( ⁇ 2). It corresponds to the sine of the diffraction angle of the ⁇ primary diffracted light generated when irradiated.
  • the width of each of the selection openings 35a in the X direction may be SX, and SX may satisfy the equation (1).
  • SX ⁇ (3 ⁇ ⁇ 1- ⁇ 2) / PX-2 ⁇ iNA ⁇ ⁇ ⁇ (1)
  • the selective aperture 35a can pass the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 of the illumination light IL from the minimum wavelength ( ⁇ 1) to the maximum wavelength ( ⁇ 2) and lead to the imaging unit 19.
  • the diffracted light limiting diaphragm 31a blocks light of other order diffracted light (Dm2, Dp2, etc.).
  • the selective aperture 35a selectively passes the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 but passes two diffracted lights of other orders such as the + m-th-order diffracted light and the ⁇ m-order diffracted light. It may be passed selectively.
  • the SX may satisfy the condition of the equation (2) instead of the equation (1). SX ⁇ (m + 2) x ⁇ 1-m x ⁇ 2) / PX-2 x iNA ... (2)
  • the selection aperture 35a When the minimum wavelength ( ⁇ 1) and the maximum wavelength ( ⁇ 2) are significantly different, it becomes difficult for the selection aperture 35a to selectively pass only the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 by the above method. .. However, if the range is about ⁇ 1 ⁇ 2 ⁇ 2 ⁇ ⁇ 1, only the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 can be selectively passed through the above-mentioned selective opening 35a extended in the X direction.
  • the selection opening 35a extended in the X direction described above is used.
  • ⁇ 1 ⁇ 2 ⁇ 3 ⁇ ⁇ 1 can selectively pass diffracted light of two desired orders.
  • the illumination aperture diaphragm 41a and the diffracted light limiting diaphragm 31a shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b) are rotated by 90 ° in the XY plane, respectively. do it.
  • the diffracted light limiting unit 30 includes a plurality of diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d having differently shaped selection openings 35a to 35d, and the selection switching unit 33 selects and forms an image. It is supposed to be inserted into the optical path 10P.
  • the configuration of the diffracted light limiting unit 30 is not limited to this, and for example, it has a plurality of movable blades, and the selection switching unit 33 moves the position of each movable blade to obtain the position of the selection opening and the position of the selection opening.
  • the configuration may be such that the shape can be changed.
  • the illumination aperture changing unit 40 has a plurality of movable blades, and the position and shape of the transmission aperture can be changed by moving the position of each movable blade of the illumination switching unit 43. You may. Further, instead of using the illumination aperture diaphragms 41a to 41d to block a part of the illumination light IL, an optical member that collects the illumination light IL at a position corresponding to the transmission apertures 45a to 45d may be used.
  • the illumination aperture changing portion 40 can also be referred to as a diffracted light passing portion.
  • the imaging system 10 has an intermediate imaging surface MP, and an index plate 15 is arranged on the intermediate imaging surface MP.
  • an index plate 15 is arranged on the intermediate imaging surface MP.
  • the mechanical rigidity and temperature stability of the imaging system 10 are good, for example, a predetermined imaging pixel of the imaging unit 19 can be used as the measurement reference position of the imaging system 10 described above. Therefore, the index plate 15 does not necessarily have to be arranged. Therefore, it is not necessary to form the intermediate image plane MP for arranging the index plate 15.
  • the measurement mark can be measured with high accuracy even when the imaging system 10 is mechanically or thermally deformed. It has the effect of being able to measure the position of the WM.
  • the measuring device of the first embodiment described above is optically coupled to the illumination system 20 that irradiates the object W located on the object surface OP with light (illumination light IL) and the object surface OP. Limiting at least a part of the imaging systems 10, 10a, 10b forming the conjugate plane CP and the plurality of diffracted lights (Dm2, Dm1, Dp1, Dp2, etc.) from the object W to be measured, and a plurality of diffractions.
  • the first diffracted light + 1st diffracted light Dp1 etc.) and the second diffracted light different from the first diffracted light (-1st diffracted light Dm1 etc.) are passed through the diffracted light limiting unit 30 and arranged on the conjugate surface CP.
  • FIG. 7 (b) is used instead of at least a part of the diffracted light limiting diaphragms 31a to 31d shown in FIG. 4 (b).
  • the illumination aperture diaphragm 41e shown in FIG. 7A is used instead of at least a part of the illumination aperture diaphragms 41a to 41d shown in FIG. 4A.
  • the configurations other than the diffracted light limiting diaphragm e and the illumination aperture diaphragm 41e are the same as those of the measuring device 1 of the first embodiment described above, and thus the description of the same configuration will be omitted. ..
  • the illumination aperture diaphragm 41e shown in FIG. 7A has a transmissive aperture 45f near the center 45 ec, a transmissive aperture 45e at a position away from the center 45 ec in the ⁇ Y direction, and a position away from the center 45 ec in the + Y direction.
  • Each of the transmission openings 45 g is provided.
  • the transmission opening 45f transmits the light of the first wavelength of the light contained in the illumination light IL.
  • the transmission opening 45e transmits light having a second wavelength shorter than that of the first wavelength among the lights contained in the illumination light IL.
  • the transmission opening 45g transmits light having a third wavelength longer than the first wavelength among the lights contained in the illumination light IL.
  • the illumination light IL transmitted through any of the transmission openings 45e, 45f, and 45g is guided by the lenses 22, 24, the mirror 23, and the branch mirror 25, and is irradiated on the measurement mark WM.
  • the light of the first wavelength transmitted through the transmission opening 45f is incident on the measurement mark WM from substantially vertically above. Due to the imaging action of the lenses 22 and 24 described above, the light of the second wavelength transmitted through the transmission opening 45e is incident on the measurement mark WM from a direction inclined in the ⁇ Y direction with respect to the vertical upper direction. Further, the light of the second wavelength transmitted through the transmission opening 45 g is incident on the measurement mark WM from a direction inclined in the + Y direction with respect to the vertical upper direction.
  • the emission angle of the diffracted light generated from the measurement mark WM also shifts according to the wavelength.
  • the position at which the diffracted light of each order is collected in the diffracted light limiting diaphragm 31e can be shifted in the Y direction for each wavelength.
  • the diffracted light limiting diaphragm 31e shown in FIG. 7B is provided with selection openings 35e, 35f, and 35g which are arranged in pairs in the X direction at different positions in the Y direction.
  • the distance between the two selection openings 35e in the X direction is shorter than the distance between the two selection openings 35f in the X direction, and the distance between the two selection openings 35g in the X direction is longer than the distance between the two selection openings 35f in the X direction.
  • the illumination light IL of the first wavelength transmitted through the transmission opening 45f is incident on the measurement mark WM substantially perpendicularly, and the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light are incident on the measurement mark WM.
  • Dm1 passes through the selective opening 35f of the diffracted light limiting diaphragm 31e and reaches the imaging unit 19.
  • the illumination light IL of the second wavelength transmitted through the transmission aperture 45e is incident on the measurement mark WM from the direction inclined in the ⁇ Y direction, and the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 are the selective aperture 35e of the diffracted light limiting diaphragm 31e. And reaches the imaging unit 19.
  • the illumination light IL of the third wavelength transmitted through the transmission opening 45 g is incident on the measurement mark WM from the direction inclined in the + Y direction, and the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 pass through the selective opening 35 g of the diffracted light limiting diaphragm 31e. It passes through and reaches the imaging unit 19.
  • the measurement mark WM is +1 next time.
  • the folding light Dp1 and the -1st order diffracted light Dm1 can be selectively passed through.
  • the image pickup unit 19 can form a good image of the measurement mark WM.
  • the light source unit 50 may simultaneously emit the above-mentioned light of a plurality of different wavelengths (light of the first wavelength to light of the third wavelength).
  • the wavelength of the light emitted at predetermined time intervals may be different. That is, the light of the first wavelength may be irradiated in the first period, and the light of the second wavelength may be irradiated in the second period different from the first period.
  • the imaging unit 19 can separately capture the image of the measurement mark WM for each different wavelength by performing imaging in the first period and the second period described above, respectively. Therefore, more accurate measurement can be performed by separately measuring the position of the measurement mark WM for each different wavelength and performing statistical processing such as averaging on the measurement results. Further, the spectroscopy may be performed in the non-measurement direction at the position of the intermediate image plane MP.
  • the above-mentioned diffractive light limiting diaphragm 31e and illumination are used.
  • a diffractive light limiting diaphragm and an illumination aperture diaphragm having a shape in which the aperture diaphragm 41e is rotated by 90 ° may be used.
  • the above modification 1 of the measuring device includes an illumination system 20 that irradiates an object W located on the object surface OP with light of a plurality of wavelengths, and a conjugate surface that is optically conjugated to the object surface OP.
  • an imaging unit 19 that captures a light / dark pattern (image IM) of the object to be measured W formed by.
  • the measuring device 1 of the first embodiment described above has the same effect as the measuring device 1 of the first embodiment described above, and also has an effect that more accurate measurement can be performed by using light having a plurality of wavelengths. For example, it is effective when the image contrast of the measurement mark is good at a certain wavelength but the image contrast of the measurement mark is weak at another wavelength due to the unevenness of the measurement mark.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing a portion of the measuring device 1 of the modified example 2 corresponding to the imaging system 10 after the index plate 15 of the measuring device 1 of the first embodiment described above.
  • the beam splitter 17 is arranged between the second relay lens 13 and the third relay lens 14a. Therefore, the diffracted light such as the + 1st-order diffracted light Dp1 and the -1st-order diffracted light Dm1 is split into two by the beam splitter 17.
  • One of the divided diffracted lights travels straight through the beam splitter 17 and is focused by the third relay lens 14a, and the image IM of the measurement mark WM is placed on the imaging surface 19as of the first imaging unit 19a.
  • the other of the divided diffracted light (Dp1b, Dm1b) is reflected by the beam splitter 17 and focused by the third relay lens 14b, and the image IM of the measurement mark WM is placed on the imaging surface 19bs of the second imaging unit 19b.
  • the optical system from the objective lens 11 (see FIG. 1) to the third relay lens 14a via the index plate 15 and the beam splitter 17 constitutes one imaging system 10a.
  • the optical system from the objective lens 11 to the third relay lens 14b via the index plate 15 and the beam splitter 17 constitutes another imaging system 10b. That is, the measuring device 1 of the modified example 2 has a plurality of imaging systems 10a and 10b.
  • the imaging surface 19as of the first imaging unit 19a is arranged in the vicinity of the conjugate surface CPa with respect to the object surface OP of the imaging system 10a.
  • the imaging surface 19bs of the second imaging unit 19b is arranged in the vicinity of the conjugate surface CPb with respect to the object surface OP of the imaging system 10b.
  • the amount of displacement of the imaging surface 19as with respect to the conjugate surface CPa in the Z direction is different from the amount of displacement of the imaging surface 19bs with respect to the conjugate surface CPb in the X direction.
  • the relative position of the imaging surface 19as of the first imaging unit 19a with respect to the conjugate surface CPa in the direction intersecting the conjugate surface CPa intersects the conjugate surface CPb of the imaging surface 19bs of the second imaging unit 19b with respect to the conjugate surface CPb. It is different from the relative position in the direction.
  • the image formed on the imaging surface 19as is relative to the object surface OP and the measurement mark WM arranged at positions deviated from the object surface OP in the ⁇ Z direction.
  • Good contrast On the other hand, the image formed on the imaging surface 19bs has a good contrast with respect to the object surface OP and the measurement mark WM arranged at a position deviated from the object surface OP in the + Z direction.
  • the position where the beam splitter 17 for branching the optical paths of the plurality of imaging systems 10a and 10b is arranged is not limited to the position between the second relay lens 13 and the third relay lens 14 described above.
  • the beam splitter 17 that splits the optical path may be arranged on the objective lens 11 side of the index plate 15, or may be arranged on the objective lens 11 side of the diffracted light limiting unit 30, for example. In these cases, the index plate 15 or the diffracted light limiting unit 30 may be arranged in each of the plurality of imaging systems 10a and 10b.
  • FIG. 9 is a diagram showing an outline of the exposure apparatus 2 of the second embodiment.
  • the exposure apparatus 2 of the second embodiment is bright and dark on a photoresist (not shown) formed on the surface (+ Z side surface) of a substrate for a semiconductor wafer or a display device (hereinafter, collectively referred to as a “substrate”) WF. It is an exposure apparatus for exposure transfer of a pattern.
  • the exposure apparatus 2 includes a part of the measuring apparatus 1 of the first embodiment or the modified example described above as the measuring apparatus 1a.
  • the measuring device 1a is a part of the measuring device 1 of the first embodiment or the modified example, including the imaging system 10, the lighting system 20, the diffracted light limiting unit 30, the imaging unit 19, and the light source unit 50.
  • the configurations and functions of the control unit 60, the sample table 70, the guide 71, the scale plate 72, and the encoder 61 are included in the measuring apparatus 1 of the first embodiment or the modified example. Since it is the same as the function and the function, the description thereof will be omitted as appropriate.
  • the measuring device 1 treats the substrate WF as the above-mentioned object W to be measured, and measures the position of the measurement mark WM (see FIG. 1, not shown in FIG. 9) formed on the surface of the substrate WF.
  • the substrate WF carried into the exposure apparatus 2 is placed on a sample table 70 that can be moved on the guide 71, and is arranged below the measuring device 1a by moving the sample table 70.
  • the control unit 60 sends the control signal S3 to move the sample table 70 in the XY plane, and the measurement marks WM arranged at a plurality of locations on the surface of the substrate WF are sequentially placed directly under the imaging system 10 of the measurement device 1a.
  • the position of the measurement mark WM is measured by the method described above.
  • the control unit 60 sets the X position of the existing circuit pattern on the substrate WF and the X position of the existing circuit pattern on the substrate WF based on the information regarding the positional relationship between the known measurement mark WM and the existing circuit pattern and the position of the measurement mark WM measured by the measuring device 1a. Create map data for the Y position.
  • control unit 60 moves the sample table 70 in the XY plane so that the substrate WF is arranged under the exposure optical system 80, and the photoresist formed on the surface of the substrate WF (not shown). To expose.
  • the exposure may be so-called step exposure or scan exposure.
  • the X and Y positions of the sample table 70 during exposure are measured and positioned by the encoder 61a integrally held with the exposure optical system 80 via the position of the scale plate 72 provided on the sample table 70. It is transmitted to the control unit 60 as a signal S2a.
  • the control unit 60 controls the X position and the Y position of the sample table 70 based on the position signal S2a and the above-mentioned map data.
  • the original plate (mask pattern) drawn on the mask 83 is irradiated with the illumination light from the exposure light source 81 via the exposure illumination system 82.
  • the image of the original plate is projected onto the photoresist (not shown) on the substrate WF via the exposure optical system 80 arranged on the exposure optical path AXP, and the light-dark pattern is exposed on the photoresist.
  • the mask 83 and the substrate WF are synchronously scanned relative to the exposure optical system 80 during the exposure operation.
  • the mask 83 is placed on the mask stage 84, and the mask stage 84 can move in the X direction on the mask surface plate 85.
  • the position of the mask stage 84 is measured by the interferometer 87 via the position of the reference mirror 86.
  • the exposure operation is step exposure, the sample table 70 is stationary during the exposure of one shot, and the sample table 70 moves in the X direction or the Y direction by a predetermined distance between each shot.
  • the exposure optical system 80 may be a so-called immersion optical system in which a liquid is arranged between the exposure optical system 80 and the substrate WF.
  • the exposure apparatus 2 is not limited to an apparatus that exposes with light or ultraviolet rays, and may be an apparatus that exposes with an electron beam or an X-ray.
  • the exposure apparatus 2 may include a plurality of measuring devices 1a and can simultaneously measure a plurality of measurement mark WMs on the substrate WF.
  • the exposure device 2 of the second embodiment is an exposure that irradiates an object including the above-mentioned measuring device of the first embodiment, the modified example 1 or the modified example 2 and the object to be measured W (the substrate WF) with exposure light. It includes an optical system 80. With this configuration, the position of the measurement mark WM formed on the substrate WF can be measured with high accuracy, and therefore, the position can be accurately measured with respect to the existing circuit pattern formed on the substrate WF. The light and dark patterns can be exposed by matching.
  • the surface WS of the object to be measured W is directly covered with the film RS.
  • the first type of medium ML1 is embedded in the recess MB of the measurement mark WM of the object to be measured W, and a second type of medium different from the first type is placed on the recess MB.
  • the structure may be such that the ML2 is covered and the film RS is formed on the medium ML2 of the second type.
  • the film thickness of the second type medium ML2 may change depending on the process.
  • the contrast of the image of the measurement mark WM formed on the imaging surface 19s changes depending on the change in the film thickness of the medium ML2.
  • the mark may be measured by using the illumination light in the wavelength range in which the contrast of the image of the measurement mark WM is good.
  • the present invention is not limited to the above contents. Other aspects conceivable within the scope of the technical idea of the present invention are also included within the scope of the present invention. In this embodiment, all or a part of the above-described embodiments may be combined.
  • 1,1a Measuring device, 10,10a, 10b: Imaging system, 11: Objective lens, 15: Indicator plate, 16: Position index, 19: Imaging unit, OP: Object surface, CP: Conjugate surface, MP: Intermediate Imaging surface, 20: Illumination system, 40: Illumination aperture changing part, 41a to 41e: Illumination aperture diaphragm, 30: Diffraction light limiting part, 31a to 31e: Diffused light limiting diaphragm, 33: Selection switching part, 50: Light source part , 60: Control unit, W: Object W, WM, WMa, WMb: Measurement mark, 2: Exposure device, 80: Exposure optical system, 81: Exposure light source, 82: Exposure illumination system

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Abstract

計測装置は、物体面に位置する被計測物に対して光を照射する照明系と、物体面と光学的に共役な共役面を形成する結像系と、被計測物からの複数の回折光のうちの少なくとも一部を制限し、且つ複数の回折光のうち第1回折光と前記第1回折光とは異なる第2回折光とを通過させる回折光制限部と、共役面に配置され、第1回折光と第2回折光とによって形成される周期的な明暗像を撮像する撮像部と、を備える。

Description

計測装置、露光装置、および計測方法
 本発明は、計測装置、露光装置、および計測方法に関する。
 感光性基板上に明暗パターンを露光する露光技術においては、明暗パターンの露光に先立って感光性基板上に予め形成されている既存パターンの位置を計測し、既存パターンに位置整合させて、感光性基板上に明暗パターンを露光する。既存パターンの位置の計測には、既存パターンの中のアライメントマークの像を位置計測光学系により撮像することにより、既存パターンの位置を計測する方法が用いられている(特許文献1参照)。
米国特許第10120294号
 第1の態様によると、計測装置は、物体面に位置する被計測物に対して光を照射する照明系と、前記物体面と光学的に共役な共役面を形成する結像系と、前記被計測物からの複数の回折光のうちの少なくとも一部を制限し、且つ前記複数の回折光のうち第1回折光と前記第1回折光とは異なる第2回折光とを通過させる回折光制限部と、前記共役面に配置され、前記第1回折光と前記第2回折光とによって形成される周期的な明暗パターンを撮像する撮像部と、を備える。
 第2の態様によると、計測装置は、物体面に位置する被計測物に対して複数の波長の光を照射する照明系と、前記物体面と光学的に共役な共役面を形成する結像系と、前記被計測物からの複数の回折光のうち、第1回折光と前記第1回折光とは異なる第2回折光とを通過させる回折光通過部と、前記共役面に配置され、前記回折光通過部を通過した前記複数の波長の前記光によって形成される明暗パターンを撮像する撮像部と、を備える。
 第3の態様によると、露光装置は、第1または第2の態様の計測装置と、前記被計測物を含む物体に露光光を照射する露光光学系と、を備える。
 第4の態様によると、露光装置は、第1または第2の態様の計測装置を用いて、周期構造を有するマークの位置を計測する。
第1実施形態の計測装置の構成を概略的に示す図。 図2(a)および図2(b)は、第1実施形態の計測装置に適した位置計測マークの一例を示す図。図2(c)は、図2(a)のマークの、計測装置の撮像部の撮像面に形成される像を示す図。 第1実施形態の計測装置に適した位置計測マークの他の例を示す図。 図4(a)は、照明系内の照明開口変更部の一例を示す図。図4(b)は、回折光制限部の一例を示す図。 光源の一例を示す図。 図6(a)は、照明開口変更部に設けられた透過開口の大きさの一例を示す図。図6(b)は、回折光制限部に設けられた選択開口の大きさの一例を示す図。 図7(a)は、計測装置の変形例1の照明開口絞りの例を示す図。図7(b)は、計測装置の変形例1の回折光制限絞りの例を示す図。 計測装置の変形例2の構成の一部を概略的に示す図。 第2実施形態の露光装置の構成を概略的に示す図。 変形例にかかる位置計測マークの一例を示す図。
 本明細書において、「光学的に共役」とは、1つの面と他の1つの面とが光学系を介して結像関係になっていることをいう。
 以下で参照する各図に矢印で示したX方向、Y方向およびZ方向はそれぞれ直交する方向であるとともに、X方向、Y方向およびZ方向のそれぞれは各図において同一の方向を示している。
 以下では、各矢印の示す方向を、それぞれ+X方向、+Y方向および+Z方向と呼ぶ。
 また、X方向の位置をX位置、Y方向の位置をY位置、Z方向の位置をZ位置と呼ぶ。
(第1実施形態の計測装置)
 図1は、第1実施形態の計測装置1の構成を概略的に示す図である。試料台70は、計測対象であるシリコンウエハ等の被計測物Wの+Z側の面である表面WSが、結像系10の物体面OPと概ね一致するように被計測物Wを載置する。試料台70は、ガイド71によりX方向およびY方向に移動可能に支持されており、被計測物WもX方向およびY方向に移動可能である、被計測物WのX位置、Y位置は、試料台70に設けられているスケール板72の位置を介してエンコーダ61により計測され、位置信号S2として制御部60に伝達される。
 結像系10は、対物レンズ11、第1リレーレンズ12、第2リレーレンズ13、第3リレーレンズ14を有し、物体面OPに対して光学的に共役な共役面CPを形成する。共役面CPには、CMOSイメージセンサ等の撮像部19が、その撮像面19sが共役面CPと一致するように配置されている。
 被計測物Wの表面WSには、位置計測の対象となる計測マークWMが形成されており、結像系10は、計測マークWMを含む被計測物Wの像を撮像部19の撮像面19sに結像する。
 結像系10は、第1リレーレンズ12と第2リレーレンズ13との間、すなわち被計測物Wが配置される物体面OPと共役面CPの間にも、被計測物Wの中間像が形成される中間結像面MPを有している。中間結像面MPには、透明基板から成る指標板15が設けられており、指標板15の一部には位置指標16が設けられている。
 位置指標16は、一例として長方形状の遮光膜が指標板15上に周期的に配置されたものである。結像系10の光路の中心に対してX方向の両側には遮光膜がX方向に周期的に配置された位置指標16が配置され、Y方向の両側には遮光膜がY方向に周期的に配置された位置指標16が配置されている。
 位置指標16は、結像系10内に設けられている不図示の指標照明系からの光で照明され、第2リレーレンズ13および第3リレーレンズ14により、位置指標16の像が共役面CPに形成される。撮像部19は、共役面CPに形成された計測マークWMの像とともに、位置指標16の像も撮像する。
 照明系20は、リレーレンズ21、22、24、照明開口変更部40、ミラー23、分岐ミラー25、および対物レンズ11を含み、光源部50から供給される照明光ILを、物体面OPに配置された、計測マークWMを含む被計測物Wの表面WSに照射する。このうち、対物レンズ11は、結像系10と照明系20との両方に含まれている。
 光源部50から供給される照明光ILは、照明系20を構成するリレーレンズ21を透過し、照明開口変更部40に含まれている照明開口絞り41aにより、その開口数が規定される。照明開口変更部40の詳細については後述する。
 照明開口変更部40を通過した照明光ILは、リレーレンズ21、ミラー23およびリレーレンズ24を経た後、分岐ミラー25に至る。
 分岐ミラー25は、一例として、その面内の一部において光を反射し、他の部分において光を透過するミラーであり、例えば透明板の一部に反射膜が形成されているミラーである。
 リレーレンズ24を透過した照明光は、分岐ミラー25により反射され、対物レンズ11を透過して計測マークWMを含む被計測物Wに照射される。
 なお、図1においては、対物レンズ11等の各レンズは1枚のみのレンズから成るように図示しているが、各レンズは複数のレンズから構成されてもよい。
 図2(a)は、被計測物Wの表面WSに形成されている、X方向の位置の計測に適した計測マークWMの一例を、+Z方向から見た図を示している。図2(b)は、図2(a)に示した計測マークWMを-Y方向から見た断面図を示している。
 なお、Y方向の位置の計測に適した計測マークの一例は、この計測マークWMをXY面内で90°回転させたものである。
 計測マークWMは、一例として被計測物Wの表面WSに、段差を有する凹部MBと凸部MTとが、X方向に交互に周期的に形成されているマークである。1つの凹部MBは、各辺がX方向またはY方向に平行であってY方向に長い長方形であり、複数の凹部MBが、X方向に周期PXで周期的に形成されている。このため、計測マークWMは、X方向に周期構造を持った反射型の回折格子として機能する。なお、X方向に周期的に配置される凹部MBの個数は、2個以上の任意の個数で良い。
 図2(b)に示したように、計測マークWMを含む被計測物Wの表面WSは、フォトレジスト等を含む、透光性または半透光性の膜RSで覆われている。
 凹部MBおよび凸部MTのX方向の幅は、一例として1~3μm程度であり、X方向の配列の周期PXは、一例として2~4μm程度である。
 計測マークWMは、設計上は被計測物W上の所定の位置に形成されている。しかしながら、半導体プロセス等により、シリコンウエハ等の被計測物Wは等方的あるいは非等方的な変形を受けるため、実際の計測マークWMの位置は、設計上の位置とは異なっている。
 位置計測に際し、始めに制御部60は、エンコーダ61からの位置信号S2に基づいて制御信号S3を送信して試料台70を移動させ、計測マークWMの設計上の位置を、結像系10の計測基準位置に一致させる。
 これにより、照明光ILが被計測物Wに照射され、計測マークWMのX方向の周期構造により、図1に示したように、計測マークWMから+1次回折光Dp1、-1次回折光Dm1、+2次回折光Dp2、-2次回折光Dm2等の複数の回折光が発生する。発生した回折光は、対物レンズ11に入射し、分岐ミラー25に導かれる。
 そして、複数の回折光(Dm2、Dm1、Dp1、Dp2)は、分岐ミラー25を透過して、結像系10内のいわゆる瞳面またはその近傍に設けられている回折光制限絞り31aに至る。従って、物体面OPに配置されている計測マークWMから異なる回折角度で発生した異なる次数の回折光は、回折光制限絞り31aにおいてそれぞれ異なる位置に集光する。なお、図1に示した例では、計測マークWMから正反射光である0次回折光は、分岐ミラー25により遮光されるため、回折光制限絞り31aには到達しない。
 回折光制限絞り31aには、光を減衰させる減衰領域内の所定の次数の回折光が集光する位置に選択開口35aが設けられており、所定の次数の回折光を通過させ、他の次数の回折光を減衰する。ここで、他の次数の回折光は遮光されてもよい。また、選択開口35aの光通過率(光透過率)は100%でなくてもよい。選択開口35aの光通過率は減衰領域の光透過率より高ければよい。図1に示した状態においては、選択開口35aは、X方向への+1次回折光Dp1、および-1次回折光Dm1を選択的に通過させ、他の次数の回折光(+1次回折光Dp2および-2次回折光Dm2等)を遮光する。回折光制限絞り31aを含む回折光制限部30の詳細については後述する。
 回折光制限絞り31aにより選択的に通過された+1次回折光Dp1、および-1次回折光Dm1は、第1リレーレンズ12により集光され、中間結像面MPに配置されている指標板15の近傍に、干渉縞としての計測マークWMの中間像を形成する。そして、+1次回折光Dp1、および-1次回折光Dm1は、第2リレーレンズ13および第3リレーレンズ14により集光され、撮像部19の撮像面に、干渉縞としての計測マークWMの像を形成する。
 図2(c)は、撮像面19sに形成された計測マークWMの像IMの強度分布の一例を示す図である。図2(c)の示した強度分布のグラフの横軸は、撮像面19sにおけるX方向の位置を示し、縦軸は像IMの強度を示している。
 また、計測マークWMの像IMの-X側および+X側には、指標板15上の位置指標16の像IIL、IIRの強度分布が示されている。
 図2(c)に示した計測マークWMの像IMは、図2(a)および図2(b)に示した計測マークWMに対して、結像系10の結像倍率(横倍率)だけX方向に拡大されたものである。ただし、以下では、理解を容易にするために、結像系10の横倍率が1倍であるものとして説明する。
 なお、図2(c)のX方向のスケールは、図2(a)および図2(b)のX方向のスケールとは一致していない点に留意されたい。
 計測マークWMの像IMは、計測マークWMからの+1次回折光Dp1および-1次回折光Dm1が干渉することにより形成される干渉縞である。従って、X方向に周期的な明暗パターンが1周期以上に渡って形成されるとともに、そのX方向の明暗の周期は計測マークWMのX方向の周期PXの1/2となる。尚、この明暗パターンを明暗像と称してもよい。
 撮像部19は、X方向に沿って計測マークWMの像IMの明暗の1周期以上の撮像範囲DAに渡って像IMを撮像し、撮像信号S1を制御部60に送信する。撮像範囲DAのX方向の範囲は、周期PXの1/2の整数倍、すなわち、n×PX/2(nは自然数)であっても良い。
 撮像部19または制御部60は、撮像範囲DA内において、像IMの撮像信号S1をY方向に積算しても良い。また、後述するように、計測マークWM等のY方向の位置を計測する場合には、撮像部19または制御部60は、撮像範囲DA内において、像IMの撮像信号S1をX方向に積算しても良い。
 撮像範囲DAのX方向の幅およびY方向の幅は、撮像部19または制御部60により可変に設定できるものであっても良い。撮像範囲DAのX方向の幅およびY方向の幅を変更することにより、種々の形状の計測マークWM、WMa、WMbの計測が可能になるとともに、計測マークWM、WMa、WMbの周囲に配置されている回路パターン等による悪影響を低減することができる。
 撮像部19は、同様に、位置指標16の像IIL、IIRについても撮像し、撮像信号S1を制御部60に送信する。
 制御部60は、送信された撮像信号S1に基づいて、計測マークWMの実際の位置を計測する。
 上述したように、計測に際して計測マークWMは、その設計上の位置が結像系10の計測基準位置と一致するように配置されている。従って、計測マークWMの結像系10の計測基準位置からの位置ずれ量を計測し、計測マークWMの設計上の位置に、その位置ずれ量を加算することにより、計測マークWMの実際の位置を計測することができる。
 結像系10の計測基準位置とは、例えば、計測基準位置に配置された計測マークWM等の像が、撮像面19sにおいて、2つの位置指標16の像IIL、IIRの中間に形成される位置である。
 制御部60は、2つの位置指標16の像IIL、IIRの例えば明暗変化のX方向の位相に基づいて、像IIL、IIRのX方向の位置をそれぞれ決定し、それらの中間位置である結像系10のX方向の計測基準位置を決定する。
 制御部60は、計測マークWMの像IMの例えば明暗変化のX方向の位相に基づいて、像IMのX方向の位置を決定し、上述の結像系10のX方向の計測基準位置からの位置ずれ量を算出する。そして、既知である計測マークWMの設計上のX位置に、その位置ずれ量を加算することにより、計測マークWMの実際のX位置を算出(計測)する。
 以上においては、計測マークWMのX位置の計測について説明したが、Y位置の計測についても同様に行うことができる。Y位置の計測に際しては、上述したように被計測物W上の、図2(a)に示した計測マークWMがXY面内で90°回転された計測マークWMを計測する。この場合、撮像面19sにはY方向に沿って周期的に明暗変化する像が形成され、制御部60は、その像と位置指標16の像との位置関係、および計測マークWMの設計上のY位置に基づいて、計測マークWMの実際のY位置を算出(計測)する。
 なお、以上においては、計測マークWMの位置計測に際し、計測マークWMの設計上の位置を結像系10の計測基準位置に一致させて計測を行うとしたが、計測マークWMの設計上の位置を、結像系10の計測基準位置に完全には一致させなくても良い。この場合、 制御部60は、計測時における計測マークWMの設計上の位置の結像系10の計測基準位置からの位置ずれ量を、エンコーダ61からの位置信号S2により計測し、その位置ずれ量をさらに加算して計測マークWMの実際の位置を算出(計測)すれば良い。
 図3は、計測マークWMの他の例を示す図である。
 図3(a)に示した計測マークWMaは、図2(a)に示した計測マークWMに対し、X方向の中心近傍の数本の凹部MBをXY面内で90°回転したものに相当している。計測マークWMaのうちの-X側端部LXおよび+X側端部RXは、X方向の位置計測に適したX方向に延びる凹部MBaおよび凸部MTaを有している。一方、計測マークWMaのうちのX方向の中央部CYは、Y方向の位置計測に適したY方向に延びる凹部MBbおよび凸部MTbを有している。
 従って、計測装置1は、計測マークWMaのX方向の位置の計測、およびY方向の位置の計測を、共に行うことができる。
 なお、中央部CYの凹部MBbおよび凸部MTbのY方向の配置の周期PYは、-X側端部LXおよび+X側端部RXの凹部MBaおよび凸部MTaのX方向の配置の周期PXと同一であっても良く、あるいは異なっていても良い。
 中央部CYに含まれる凹部MBaの個数、-X側端部LXおよび+X側端部RXに含まれる凹部MBの個数は、それぞれ2個以上の任意の個数で良い。
 図3(b)に示した計測マークWMbは、2次元の格子状に形成された凹部MBcとそれに囲まれた凸部MTcとを含むマークである。凹部MBcが形成する2次元の格子はX方向の周期性とY方向の周期性とを共に含むため、計測装置1は、計測マークWMbのX方向の位置の計測、およびY方向の位置の計測を、共に行うことができる。
 なお、上述の各計測マークWM、WMa、WMbにおいて、1つの凹部MB、MBa、MBbが、例えば被計測方向に細分化されていても良い。
 図3(c)は、細分化された1つの凹部MBの一例を示す図である。図3(c)に示した1つの凹部MBは、その内部がX方向に細分化された複数の微小凹部MBSBと複数の微小凸部MBSTとで構成されている。
 Y方向の計測に適した凹部MBaを細分化する場合には、その内部はY方向に細分化されれば良い。
 X方向、Y方向の両方に計測に適した凹部MBbを細分化する場合には、その内部はX方向に細分化されても良く、Y方向に細分化されても良く、あるいはX方向およびY方向に2次元的に細分化されても良い。
 これらの場合、1つの微小凹部MBbのX方向(またはY方向)の幅は例えば、0.05~0.3μm程度であり、1つの凹部MBを構成する複数の微小凹部MBBのX方向(またはY方向)の配列の周期は0.1~0.5μm程度である。
 なお、1つの凹部MBではなく、1つの凸部MT、MTa、MTbが上述のように細分化されているマークであっても良い。
 なお、計測マークWM、WMa、WMbは、上述の段差を有する形状に限られるわけではなく、凹部MB、MBa、MBbと凸部MT、MTa、MTbとの振幅反射率に違いがあるマークであれば良い。
 第1実施形態の計測装置1においては、以上で説明したような種々の計測マークWM、WMa、WMb(以下では総称して単に「計測マークWM」とも呼ぶ)の位置の計測に際し、それぞれの計測に適した回折光による像を撮像して位置計測を行う。
 このために、第1実施形態の計測装置1は、計測マークWMから発生する複数の回折光のうちの少なくとも一部を減衰し、第1回折光(例えば+1次回折光Dp1)と第1回折光とは異なる第2回折光(例えば-1次回折光Dm1)とを通過させる、回折光制限部30を備えている。
 以下、図1および図4を参照して、回折光制限部30および照明系20に含まれる照明開口変更部40について説明する。
 図4(b)は、回折光制限部30を+Z方向から見た図である。図1および図4(b)に示したように、回折光制限部30は、回折光制限絞り31a~31d、結像絞り保持部32、および選択切換部33を有している。結像絞り保持部32は、選択切換部33により回転中心CL2を中心として回動可能に保持されている。
 結像絞り保持部32は、一例として4個の回折光制限絞り31a~31dを保持し、それらの1つを結像系10の結像光路10P内に挿入する。
 回折光制限絞り31a~31dには、それぞれ異なる形状を有する選択開口35a~35dが形成されている。回折光制限部30は、回折光制限絞り31a~31dのいずれかを結像光路10P内に挿入することにより、選択開口35a~35dを通過する回折光を選択することができる。
 図4(a)は、照明開口変更部40を+Z方向から見た図である。図1および図4(a)に示したように、照明開口変更部40は、照明開口絞り41a~41d、照明絞り保持部42、および照明切換部43を有している。照明絞り保持部42は、照明切換部43により回転中心CL1を中心として回動可能に保持されている。
 照明絞り保持部42は、一例として4個の照明開口絞り41a~41dを保持し、それらの1つを照明系20の照明光路20P内に挿入する。
 照明開口絞り41a~41dには、それぞれ異なる形状を有する透過開口45a~45dが設けられている。照明開口変更部40は、照明開口絞り41a~41dのいずれかを照明光路20P内に挿入することにより、透過開口45a~45dを通過して被計測物Wに照射される照明光の開口数等の照明条件を選択することができる。
 なお、照明光の開口数とは、被計測物Wに照射される照明光の入射角度範囲の半角の正弦(sin)である。照明光の開口数を、対物レンズ11の開口数(NA)で割った値が、一般的にコヒーレンスファクタと呼ばれる値である。
 なお、照明開口絞り41a~41dは、物体面OPに対して、レンズ22、24、および対物レンズ11等による、いわゆる瞳面またはその近傍に配置されている。従って、照明開口絞り41a~41dの中のそれぞれの透過開口45a~45dを透過した照明光は、透過開口45a~45dの位置に応じた入射角度で物体面OPに配置されている計測マークWMに入射する。
 また、上述したとおり回折光制限絞り31a~31dは、結像系10内のいわゆる瞳面またはその近傍に設けられている。従って、照明光路20Pに挿入された照明開口絞り41a~41dと結像光路10Pに挿入された回折光制限絞り31a~31dとは、レンズ22、24、対物レンズ11、および物体面OPに配置された反射面としての被計測物Wを介して結像関係になっている。
 なお、回折光制限絞り31a~31dと照明開口絞り41a~41dとのX方向およびY方向の位置関係は、照明系20の中のレンズ22、24の結像作用により反転している。そこで、回折光制限絞り31a~31dと照明開口絞り41a~41dとの結像関係が理解し易いように、図4(a)のX方向およびY方向を、図(b)に対して反転して(すなわち180°回転して)表示している。
 例えば、図2(a)に示したX方向に周期性を有する計測マークWMを計測する場合、照明開口変更部40は、照明開口絞り41aを照明光路20Pに挿入し、回折光制限部30は回折光制限絞り31aを結像光路10P内に挿入する。この状態は図4(a)および図4(b)に示されている状態であり、照明開口絞り41aの中心41acが照明光路20Pの中心と一致するように配置され、回折光制限絞り31aの中心31acが結像光路10Pの中心と一致するように配置されている。
 照明開口絞り41aに設けられている透過開口45aは、X方向の幅が狭く、Y方向の幅がX方向の幅よりも広い。従って、計測マークWMに照射される照明光ILは、X方向には狭い入射角度度範囲で、Y方向には広い入射角度度範囲で入射される。
 透過開口45aを透過した照明光ILの計測マークWMへのX方向の入射角度の範囲は、一例として、上述のコヒーレンスファクタとして0以上、かつ1/3以下である。
 照明光ILの照射により、計測マークWMからは、図1に示したように、複数の回折光(Dm2、Dm1、Dp1、Dp2)が発生する。回折光制限部30の回折光制限絞り31aの選択開口35aは、そのうち+1次回折光Dp1と-1次回折光Dm1を通過させ、それ以外の回折光(Dm2、Dp2等)を遮光する。従って、撮像部19の撮像面19sには、計測マークWMのX方向の検出に適した+1次回折光Dp1と-1次回折光Dm1のみが到達し、計測マークWMの像IMを形成する。
 なお、2つの選択開口35aの回折光制限絞り31aの中心31acからのX方向の距離は、選択開口35aが計測マークWMからの+1次回折光Dp1および-1次回折光Dm1を通過させる位置となるように設定しておく。また、2つの選択開口35aのそれぞれのX方向の幅は、計測マークWMからの+1次回折光Dp1および-1次回折光Dm1が通過可能な幅に設定しておく。
 選択開口35aの回折光制限絞り31aの中心31acからの位置および幅についての上記の関係は、他の選択開口35b~35dの回折光制限絞り31b~31dの中心31bc~31dcからの距離および幅についても同様である。
 また、照明開口絞り41aの透過開口45aのX方向の幅に応じて、各次数の回折光は回折光制限絞り31aにおいてX方向に広がって分布する。従って、照明開口絞り41aの透過開口45aのX方向の幅は、回折光制限絞り31aにおいて+1次回折光Dp1および-1次回折光Dm1を他の次数の回折光から分離できる程度の幅に設定すると良い。
 なお、従来の計測装置では、+1次回折光Dp1と-1次回折光Dm1のみでなく、他の次数の回折光も含む像に基づいて計測マークの位置を計測している。そして各次数の回折光は結像系内の異なる位置を通るため、それぞれ異なる量の波面収差を結像系から受けることになる。この場合、例えば計測マークWMの形状が変動し、それにより各次数の回折光の強度の比が変動すると、結像系の波面収差の影響により計測マークWMの像IMが変形または変位し、位置計測結果に誤差が生じてしまう。
 第1実施形態の計測装置1では、回折光制限絞り31aにより複数の回折光のうち第1回折光(+1次回折光Dp1等)と第2回折光(-1次回折光Dm1等)とを選択的に通過させて計測マークWMの像IMを形成するため、結像系10の波面収差の影響を受けにくく、高精度な位置計測を行うことができる。
 また、計測マークWMの像IMが第1回折光と第2回折光とにより形成されるため、計測マークWMのZ方向の位置の変動(デフォーカス)が生じても像IMのコントラストが低下しにくく、深い焦点深度で計測マークWMを計測することができる。
 なお、図2(a)に示した計測マークWMをXY面内で90°回転させた、Y方向の計測に適した計測マークWMを計測する場合には、照明開口絞り41cをその中心41ccが照明光路20Pの中心と一致するように照明光路20Pに挿入する。そして、回折光制限絞り31cをその中心31ccが結像光路10Pの中心と一致するように結像光路10Pに挿入する。
 照明開口絞り41cには、上述の照明開口絞り41aに設けられている透過開口45aをXY面内で90°回転した形状の透過開口45cが設けられている。また、回折光制限絞り31cには、上述の回折光制限絞り31aに設けられている選択開口35aをXY面内で90°回転した形状の選択開口35cが設けられている。
 よって、回折光制限絞り31cの選択開口35cは、Y方向の計測に適した計測マークWMからの+1次回折光Dp1と-1次回折光Dm1を通過させ、それ以外の回折光(Dm2、Dp2等)を遮光する。従って、撮像部19の撮像面19sには、計測マークWMのY方向の検出に適した+1次回折光Dp1と-1次回折光Dm1のみが到達し、計測マークWMの像IMを形成することになる。
 上記においては、X方向の計測に際してはY方向の幅が広い透過開口45aを有する照明開口絞り41aを使用し、Y方向の計測に際してはX方向の幅が広い透過開口45cを有する照明開口絞り41cを使用している。
 ただし、X方向の計測およびY方向の計測のいずれにおいても、照明開口絞り41aおよび照明開口絞り41cに代えて、X方向の幅およびY方向の幅が共に狭い、後述する透過開口45bを有する照明開口絞り41bを使用しても良い。
 なお、上記のように照明開口絞り41aまたは照明開口絞り41cを使用することにより、照明光ILの光量を増大させることができ、像IMのS/Nが改善され、計測精度の向上が期待できる。
 図3(a)に示した計測マークWMaを計測する場合には、上述したX方向の計測とY方向の計測とを順次行っても良い。あるいは、照明開口絞り41bをその中心41bcが照明光路20Pの中心と一致するように照明光路20Pに挿入し、回折光制限絞り31bをその中心31bcが結像光路10Pの中心と一致するように結像光路10Pに挿入した状態で、X方向とY方向の計測とを同時に行っても良い。
 照明開口絞り41bの中心41bcの近傍には、X方向およびY方向の幅がいずれも狭い透過開口45bが設けられている。従って、計測マークWMaに照射される照明光ILは、X方向およびY方向に狭い入射角度度範囲で入射される。
 透過開口45bを透過した照明光ILの計測マークWMへのX方向およびY方向の入射角度の範囲は、一例として、上述のコヒーレンスファクタとして0以上、かつ1/3以下である。
 回折光制限絞り31bには、その中心31bcから±X方向、および±Y方向に離れた位置に選択開口35bが設けられている。
 この選択開口35bのうち、中心31bcから±X方向に離れた部分は、照明光ILの照射により計測マークWMaの-X側端部LXおよび+X側端部RXから発生する±X方向への+1次回折光Dp1と-1次回折光Dm1を通過させる。そして選択開口35bのうち、中心31bcから±Y方向に離れた部分は、照明光ILの照射により計測マークWMaの中央部CYから発生する±Y方向への+1次回折光Dp1と-1次回折光Dm1を通過させる。
 計測マークWMaから発生する回折光のうち、これらの回折光以外は、回折光制限絞り31bにより遮光される。
 従って、照明開口絞り41bおよび回折光制限絞り31bを用いることにより、図3(a)に示した計測マークWMaのX方向およびY方向の位置を高精度に計測することができる。
 なお、図3(a)に示した計測マークWMaのX方向およびY方向を同時に計測する場合、照明開口絞り41dと回折光制限絞り31dとを用いて計測を行っても良い。すなわち、照明開口絞り41dをその中心41dcが照明光路20Pの中心と一致するように照明光路20Pに挿入し、回折光制限絞り31dをその中心31dcが結像光路10Pの中心と一致するように結像光路10Pに挿入した状態で、計測を行っても良い。
 この場合について、始めに、照明開口絞り41dに形成されている十字状の透過開口45dのうち、±Y方向の端部の近傍を透過した照明光ILについて説明する。この照明光ILが計測マークWMaの-X側端部LXおよび+X側端部RXに照射されることにより生じるX方向への+1次回折光Dp1と-1次回折光Dm1は、回折光制限絞り31dに設けられた4つの選択開口35dのいずれかを通過する。そして、X方向への他の次数の回折光、および計測マークWMaの中央部CYに照射された光により生じるY方向への回折光は、回折光制限絞り31dにより遮光される。
 次に、照明開口絞り41dに形成されている十字状の透過開口45dのうち、±X方向の端部の近傍を透過した照明光ILについて説明する。この照明光ILが計測マークWMaの中央部CYに照射されることにより生じるY方向への+1次回折光Dp1と-1次回折光Dm1は、回折光制限絞り31dに設けられた4つの選択開口35dのいずれかを通過する。そして、Y方向への他の次数の回折光、および計測マークWMaの-X側端部LXおよび+X側端部RXに照射された光により生じるY方向への回折光は、回折光制限絞り31dにより遮光される。
 従って、照明開口絞り41dと回折光制限絞り31dとを用いても、図3(a)に示した計測マークWMaのX方向およびY方向の位置を高精度に計測することができる。
 図3(b)に示した計測マークWMbについても、上記と同様に、照明開口絞り41bおよび回折光制限絞り31bを用いて、または照明開口絞り41dと回折光制限絞り31dとを用いて、X方向およびY方向の位置を高精度に計測することができる。
 なお、図3(b)に示した計測マークWMbについても、上述したX方向の計測とY方向の計測とを順次行っても良い。
 なお、以上においては、回折光制限絞り31a~31dは、計測マークからの+1次回折光Dp1と-1次回折光Dm1とを選択的に通過させ、他の次数の回折光は遮光するものとしている。ただし、回折光制限絞り31a~31dが選択的に通過させる回折光は、例えば+2次回折光Dp2と-2次回折光Dm2や+3次回折光と-3次回折光(不図示)であっても良い。
 また、複数の回折光制限絞り31a~31dの中には、+1次回折光Dp1と-1次回折光Dm1とを選択的に通過させる絞りと、+2次回折光Dp2と-2次回折光Dm2とを選択的に通過させる絞りとが設けられており、これらを選択切換部33により切換えて結像光路10Pに挿入可能としても良い。
 また、回折光制限絞り31a~31dが通過させる2つの回折光は、自然数mに対して+m次回折光と-m次回折光のように次数の絶対値が等しい回折光のペアに限られるわけでなく、例えば+1次回折光Dp1と-2次回折光Dm2のように次数の絶対値が異なる回折光のペアであっても良い。また、そのうちの一方は0次回折光(正反射光)であっても良い。
 被計測物WがZ方向に上下しても計測マークWMの位置計測結果が変動しないという、いわゆるテレセン性の観点からは、回折光制限絞り31a~31dは計測方向と直交する面に対して対称に射出される2つの回折光を通過させてもよい。言い換えると、回折光制限絞り31a~31dは、それぞれの中心を通過し且つ計測方向と直交する軸に関して、それぞれの選択開口が線対称に設けられてもよい。
 従って、照明光ILが被計測物Wに対して概ね垂直に入射される限りにおいては、いわゆるテレセン性の観点で、次数の絶対値が等しい回折光のペアを通過させ、撮像部19に結像させてもよい。
 一方、照明光ILが被計測物Wに対して垂直方向から所定の角度、例えば-1次回折光の回折角度の半分に相当する角度だけ傾けて入射される場合には、例えば、0次回折光(正反射光)と+1次回折光を選択的に通過させることが、テレセン性の観点では好ましい。
 なお、上述の照明開口変更部40に含まれる照明切換部43は、照明絞り保持部42および照明開口絞り41a~41dの全体をX方向およびY方向に位置シフトすることにより、照明光ILの被計測物Wへの入射角度を変更することが可能であっても良い。
 図5は、計測装置1の光源部50の構成の一例を示す図である。一例の光源部50は、第1波長の第1光Laを発する第1発光部51aと、第2波長の第2光Lbを発する第2発光部51bとを有している。第1発光部51aおよび第2発光部51bは、レーザやLED等の自ら光を発する部材であっても良く、光ファイバーの射出端の外部から導入された光を射出する部材であっても良い。例えば、第1発光部51aをレーザとし、第2発光部51bをLEDとしても良い。
 第1光Laと第2光Lbとは、偏光ビームスプリッタ52により混合および分離される。第1光LaのうちのS偏光成分は偏光ビームスプリッタ52により反射され、また第2光LbのうちのP偏光成分は偏光ビームスプリッタ52を透過して、照明光L1となる。第1光LaのうちのP偏光成分は偏光ビームスプリッタ52を透過して、また第2光LbのうちのS偏光成分は偏光ビームスプリッタ52により反射され、照明光L2となる。
 照明光L1は、ミラー53により反射され、位相変調素子54aに入射する。照明光L2は、そのまま位相変調素子54bに入射する。
 位相変調素子54a、54bは、例えば液晶素子であって、電圧制御部55a、55bから印加される電圧に応じて、いわゆる波長板として機能する素子である。すなわち、電圧制御部55a、55bから第1の電圧が印加されると0波長板(平板)として機能し、第2の電圧が印加されると1/2波長板として機能する。
 照明光L1およびL2は、それぞれ位相変調素子54a、54bにより、その偏光状態が制御され、照明光L3およびL4に変換される。
 位相変調素子54aを通過した照明光L3は、偏光型のビームスプリッタ57に入射する。位相変調素子54bを通過した照明光L4は、ミラー56により反射されビームスプリッタ57に入射する。そして、照明光L3、L4は、ビームスプリッタ57により合成されて、照明光L5として光源部50から射出される。
 上述の一例の光源部50においては、複数の異なる波長の光を、同時に、あるいは別々に射出できるとともに、位相変調素子54a、54bの状態を変更することにより、射出される照明光L5の偏光状態を切り替えることができる。
 第1発光部51aをレーザとする場合、上述した回折光制限絞りを用いるときには、第1照明光L1で計測マークWMを照射しても良い。回折光制限絞りによって結像光束のエタンデュが小さくなったとしても、結像光束の輝度が高いため、撮像面19sには十分な光量を確保することができる。一方、第2発光部51bをLEDとして第2照明光L2で計測マークWMを照射する場合、上述した回折光制限絞りを用いなくてもよい。この場合、照明NAが0.4程度で結像NAが0.5程度としても良い。
 なお、計測装置1の光源部50は、図5に示した上述の光源に限られるものではなく、1つまたは複数の発光部と、必要に応じてそれらの発光部から射出される光を合成する合成部を有する光源であれば、どのような光源を使用しても良い。
 光源部50は、3つ以上の異なる波長の光を発するものであっても良い。
 複数の波長の光を発する光源部50を用いる場合、計測マークWMからの各次数の回折光の回折角は、照明光ILの波長毎に異なった角度になる。従って、回折光制限絞り31a~31d上における各次数の回折光(Dm2、Dm1、Dp1、Dp2等)の位置も照明光ILの波長毎に異なる。このため、選択開口35a~35dにより複数の波長の光の所定の次数の回折光を選択的に通過させるためには、選択開口35a~35dの計測方向の幅を使用する複数の波長の波長幅に応じて拡大する必要がある。
 図6(a)は、複数の波長の光を発する光源部50を用いる場合の照明開口絞り41aに設けられた透過開口45aの大きさの一例を示す図であり、図6(b)は、回折光制限絞り31aに設けられた選択開口35aの大きさの一例を示す図である。
 ここで、光源部50は、波長がλ1である最小波長から波長がλ2である最大波長までの波長の光を発するものとし、また、図2(a)に示したようにX方向の周期PXを有する計測マークWMを計測するものとする。
 なお、照明開口絞り41aは照明系20の瞳面またはその近傍に設けられ、回折光制限絞り31aは結像系10の瞳面またはその近傍に設けられている。そこで、図6(a)、図6(b)では、各図中のXY座標を、照明光ILの被計測物Wへの入射角の正弦、または回折光(Dm2、Dm1、Dp1、Dp2等)の被計測物Wからの射出角の正弦に相当するものとして説明する。
 図6(a)に示したとおり、透過開口45aのX方向の片幅をiNAとし、透過開口45aのX方向の全幅を2×iNAとしている。なお、透過開口45aのX方向の中心位置は、照明開口絞り41aの中心41acと一致している。
 図6(b)に示したとおり、回折光制限絞り31aには、回折光制限絞り31aのX方向の中心31acから+X方向および-X方向にそれぞれDXだけ離れた位置に選択開口35aが配置されている。ここで、DXの値は(λ1+λ2)/(2×PX)であり、周期PXを有する計測マークWMに、上述の最小波長(λ1)と最大波長(λ2)の概ね中間の波長を有する光が照射された際に生じる±1次回折光の回折角の正弦に相当する。
 そして、選択開口35aのそれぞれのX方向の幅をSXとし、SXは、式(1)を満たすものとしても良い。
   SX < (3×λ1-λ2)/PX-2×iNA  ・・・(1)
 これにより、選択開口35aは、最小波長(λ1)から最大波長(λ2)までの照明光ILの+1次回折光Dp1および-1次回折光Dm1を通過させ、撮像部19に導くことができる。一方、回折光制限絞り31aは、他の次数の回折光(Dm2、Dp2等)を遮光する。
 なお、この場合においても、選択開口35aは、+1次回折光Dp1および-1次回折光Dm1を選択的に通過させる代わりに、+m次回折光および-m次回折光等の他の次数の2つの回折光を選択的に通過させても良い。この場合には、SXは、式(1)に代えて、式(2)の条件を満たせばよい。
 SX < (m+2)×λ1ー-m×λ2)/PX-2×iNA  ・・・(2)
 なお、最小波長(λ1)と最大波長(λ2)が大きく異なる場合には、上述の方法では、選択開口35aが+1次回折光Dp1および-1次回折光Dm1のみを選択的に通過させることは難しくなる。
 ただし、λ1<λ2≦2×λ1程度の範囲であれば、上述のX方向に拡張した選択開口35aにより+1次回折光Dp1および-1次回折光Dm1のみを選択的に通過させることができる。
 なお、例えば偶数次の回折光の強度が奇数次の回折光に比べて十分に小さくなるように計測マークWMの形状を設定している場合には、上述のX方向に拡張した選択開口35aにより、λ1<λ2≦3×λ1程度の範囲まで所望の2つの次数の回折光を選択的に通過させることができる。
 なお、Y方向の計測を行う場合には、図6(a)および図6(b)に示した照明開口絞り41aおよび回折光制限絞り31aを、それぞれXY面内で90°回転したものを使用すればよい。
 なお、以上の例においては、回折光制限部30は、それぞれ異なる形状の選択開口35a~35dを有する複数の回折光制限絞り31a~31dを備え、選択切換部33によりこれらを選択して結像光路10Pに挿入するものとしている。しかし、回折光制限部30の構成はこれに限られるものではなく、例えば、複数の可動ブレードを有し、選択切換部33がそれぞれの可動ブレードの位置を移動させることにより、選択開口の位置および形状を変更可能な構成であっても良い。
 照明開口変更部40についても同様に、例えば、複数の可動ブレードを有し、照明切換部43がそれぞれの可動ブレードの位置を移動させることにより、透過開口の位置および形状が変更可能な構成であっても良い。
 また、照明開口絞り41a~41dを用いて照明光ILの一部を遮光する代わりに、透過開口45a~45dに相当する位置に照明光ILを集光させるような光学部材を用いても良い。
 なお、照明開口変更部40を、回折光通過部ということもできる。
 なお、上記においては、結像系10は中間結像面MPを有し、中間結像面MPには指標板15が配置されているものとした。しかし、結像系10の機械的な剛性や温度安定性が良好である場合には、上述の結像系10の計測基準位置として、例えば撮像部19の所定の撮像画素を使用することができるので、指標板15は必ずしも配置されなくても良い。従って、指標板15を配置するための中間結像面MPも形成されなくても良い。
 なお、中間結像面MPに、位置指標16を設けた指標板15を配置することにより、結像系10に機械的または温度的な変形が生じた場合であっても、高精度に計測マークWMの位置を計測できるという効果がある。
(第1実施形態の計測装置の効果)
(1)以上の第1実施形態の計測装置は、物体面OPに位置する被計測物Wに対して光(照明光IL)を照射する照明系20と、物体面OPと光学的に共役な共役面CPを形成する結像系10、10a、10bと、被計測物Wからの複数の回折光(Dm2、Dm1、Dp1、Dp2等)のうちの少なくとも一部を制限し、且つ複数の回折光のうち第1回折光+1次回折光Dp1等)と第1回折光とは異なる第2回折光(-1次回折光Dm1等)とを通過させる回折光制限部30と、共役面CPに配置され、第1回折光と前記第2回折光とによって形成される周期的な明暗パターン(像IM)を撮像する撮像部19と、を備える。
 この構成により、結像系10、10a、10bの波面収差の影響を受けにくく、高精度な位置計測を行うことができる。
(計測装置の変形例1)
 計測装置の変形例1においては、複数の波長の光を発する光源部50を用いるとともに、図4(b)に示した回折光制限絞り31a~31dの少なくとも一部に代えて、図7(b)に示した回折光制限絞り31eを用いる。また、図4(a)に示した照明開口絞り41a~41dの少なくとも一部に代えて、図7(a)に示した照明開口絞り41eを用いる。
 計測装置の変形例1においても、回折光制限絞りeおよび照明開口絞り41e以外の構成については、上述の第1実施形態の計測装置1と同様であるので、同様な構成についての説明は省略する。
 図7(a)に示した照明開口絞り41eには、中心45ecの近傍に透過開口45f、中心45ecから-Y方向に離れた位置に透過開口45e、および中心45ecから+Y方向に離れた位置に透過開口45gが、それぞれ設けられている。
 透過開口45fは、照明光ILに含まれる光のうちの第1波長の光を透過させる。透過開口45eは、照明光ILに含まれる光のうちの第1波長より波長の短い第2波長の光を透過させる。そして、透過開口45gは、照明光ILに含まれる光のうちの第1波長より波長の長い第3波長の光を透過させる。
 透過開口45e、45f、45gのいずれかを透過した照明光ILは、レンズ22、24、ミラー23、および分岐ミラー25に導かれて、計測マークWMに照射される。透過開口45fを透過した第1波長の光は概ね垂直上方から計測マークWMに入射する。上述したレンズ22、24の結像作用により、透過開口45eを透過した第2波長の光は、垂直上方に対して-Y方向に傾いた方向から計測マークWMに入射する。また、透過開口45gを透過した第2波長の光は、垂直上方に対して+Y方向に傾いた方向から計測マークWMに入射する。
 異なる波長を有する複数の照明光ILの計測マークWMへのY方向の入射角度をそれぞれずらすことにより、計測マークWMから発生する回折光の射出角度も波長に応じてずれたものとなる。これにより、回折光制限絞り31eにおいて各次数の回折光が集光する位置を、波長毎にY方向にずらすことができる。
 そこで、図7(b)に示した回折光制限絞り31eでは、Y方向のそれぞれ異なる位置に、それぞれX方向に対となって配置される選択開口35e、35f、35gが設けられている。2つの選択開口35eのX方向の間隔は2つの選択開口35fのX方向の間隔より短く、2つの選択開口35gのX方向の間隔は2つの選択開口35fのX方向の間隔より長い。
 図2(a)に示した計測マークWMを計測する場合、透過開口45fを透過した第1波長の照明光ILは計測マークWMに概ね垂直に入射し、その+1次回折光Dp1および-1次回折光Dm1は回折光制限絞り31eの選択開口35fを通過して撮像部19に至る。
 透過開口45eを透過した第2波長の照明光ILは-Y方向に傾いた方向から計測マークWMに入射し、その+1次回折光Dp1および-1次回折光Dm1は回折光制限絞り31eの選択開口35eを通過して撮像部19に至る。
 透過開口45gを透過した第3波長の照明光ILは+Y方向に傾いた方向から計測マークWMに入射し、その+1次回折光Dp1および-1次回折光Dm1は回折光制限絞り31eの選択開口35gを通過して撮像部19に至る。
 従って、計測装置の変形例1においては、回折光制限絞り31eおよび照明開口絞り41eを用いることにより、複数の波長の光を発する光源部50を用いた場合にも、計測マークWMからの+1次回折光Dp1と--1次回折光Dm1を選択的に通過させることができる。これにより、撮像部19に計測マークWMの良好な像を形成させることができる。光源部50は、上述の複数の異なる波長の光(第1波長の光~第3波長の光)を同時に射出しても良い。
 あるいは、所定時間毎に射出する光の波長を異ならせても良い。すなわち、第1期間には第1波長の光を照射し、第1期間とは異なる第2期間に第2波長の光を照射しても良い。この場合には、撮像部19は、上述の第1期間と第2期間とにそれぞれ撮像を行うことにより、計測マークWMの像を異なる波長毎に別々に撮像することができる。従って、計測マークWMの位置を異なる波長毎に別々に計測し、それらの計測結果に平均化等の統計処理を施すことにより、より高精度な計測を行うことができる。
 また、中間結像面MPの位置で、非計測方向に分光しても良い。
 なお、図2(a)に示した計測マークWMをXY面内で90°回転させたY方向の計測に適したマークのY位置を計測する場合には、上述の回折光制限絞り31eおよび照明開口絞り41eをそれぞれ90°回転した形状の回折光制限絞りおよび照明開口絞りを使用すれば良い。
(計測装置の変形例1の効果)
(2)以上の計測装置の変形例1は、物体面OPに位置する被計測物Wに対して複数の波長の光を照射する照明系20と、物体面OPと光学的に共役な共役面CPを形成する結像系10と、被計測物Wからの複数の回折光(Dm2、Dm1、Dp1、Dp2等)のうち、第1回折光(+1次回折光Dp1等)と第1回折光とは異なる第2回折光(-1次回折光Dm1等)とを通過させる回折光通過部(回折光制限部30)と、共役面CPに配置され、回折光通過部を通過した複数の波長の光によって形成される被計測物Wの明暗パターン(像IM)を撮像する撮像部19とを備えている。
 この構成により、上述の第1実施形態の計測装置1と同様な効果を有するとともに、複数の波長の光を用いることにより、より高精度な計測ができるという効果を有している。例えば、計測マークの凹凸の段差に起因して、ある波長では計測マークの像コントラストが良好であるが別の波長では計測マークの像コントラストが弱くなるような場合に有効である。
(計測装置の変形例2)
 以下、計測装置1の変形例2について説明する。計測装置1の変形例2の構成は、上述の第1実施形態の計測装置1または変形例1の構成とほとんど共通するので、以下では第1実施形態の計測装置1または変形例1との相違点についてのみ説明し、共通部分については同一の符号を付して適宜説明を省略する。
 図8は、変形例2の計測装置1のうち、上述の第1実施形態の計測装置1の指標板15以降の結像系10に対応する部分を概略的に示す図である。変形例2においては、第2リレーレンズ13と第3リレーレンズ14aとの間に、ビームスプリッタ17が配置されている。従って、+1次回折光Dp1および-1次回折光Dm1等の回折光は、ビームスプリッタ17によりそれぞれ2つに分割される。
 分割された回折光の一方(Dp1a、Dm1a)はビームスプリッタ17を直進して、第3リレーレンズ14aにより集光されて、第1撮像部19aの撮像面19as上に、計測マークWMの像IMを形成する。分割された回折光の他方(Dp1b、Dm1b)はビームスプリッタ17により反射され、第3リレーレンズ14bにより集光されて、第2撮像部19bの撮像面19bs上に、計測マークWMの像IMを形成する。
 対物レンズ11(図1参照)から指標板15およびビームスプリッタ17等を経て第3リレーレンズ14aに至る光学系は1つの結像系10aを構成している。同様に、対物レンズ11から指標板15およびビームスプリッタ17を経て第3リレーレンズ14bに至る光学系は別の結像系10bを構成している。すなわち、変形例2の計測装置1は、複数の結像系10a、10bを有している。
 第1撮像部19aの撮像面19asは、結像系10aの物体面OPに対する共役面CPaの近傍に配置されている。第2撮像部19bの撮像面19bsは、結像系10bの物体面OPに対する共役面CPbの近傍に配置されている。
 ただし、撮像面19asの共役面CPaに対するZ方向の位置ずれ量は、撮像面19bsの共役面CPbに対するX方向の位置ずれ量とは、異なっている。
 換言すれば、共役面CPaに対する第1撮像部19aの撮像面19asの共役面CPaと交差する方向の相対位置は、共役面CPbに対する第2撮像部19bの撮像面19bsの共役面CPbと交差する方向の相対位置とは異なっている。
 従って、変形例2の計測装置1においては、一例として、撮像面19asに形成される像は、物体面OPおよび物体面OPから-Z方向にずれた位置に配置される計測マークWMに対して良好なコントラストとなる。一方、撮像面19bsに形成される像は、物体面OPおよび物体面OPから+Z方向にずれた位置に配置される計測マークWMに対して良好なコントラストとなる。
 この結果、計測マークWMが物体面OPから±Z方向にずれて配置されていても、複数の結像系10a、10bのいずれかにより計測マークWMの良好な像を検出し、その結果、計測マークWMを精度良く計測することが可能となる。
 以上では、2つの結像系10a、10bを備える例を説明したが、複数のビームスプリッタ17を直列に配置するなどにより、3つの結像系を備えていても良い。
 また、複数の結像系10a、10bの光路を分岐させるビームスプリッタ17が配置される位置は、上述の第2リレーレンズ13と第3リレーレンズ14との間に限られるわけではない。光路を分岐させるビームスプリッタ17は、例えば指標板15よりも対物レンズ11側に配置されていても良く、回折光制限部30よりも対物レンズ11側に配置されていても良い。これらの場合には、指標板15または回折光制限部30を、複数の結像系10a、10bのそれぞれに配置すれば良い。
(第2実施形態の露光装置)
 図9は、第2実施形態の露光装置2の概略を示す図である。第2実施形態の露光装置2は、半導体ウエハまたは表示デバイス用の基板(以下、合わせて「基板」と呼ぶ)WFの表面(+Z側面)上に形成されたフォトレジスト(不図示)に、明暗パターンを露光転写するための露光装置である。
 露光装置2は、上述の第1実施形態または変形例の計測装置1の一部を計測装置1aとして備えている。計測装置1aは、第1実施形態または変形例の計測装置1のうち、結像系10、照明系20、回折光制限部30、撮像部19および光源部50を含む部分である。なお、露光装置2のうち、制御部60、試料台70、ガイド71、スケール板72、エンコーダ61の構成および機能は、第1実施形態または変形例の計測装置1に含まれているそれらの構成および機能と同様であるので、説明を適宜省略する。
 計測装置1は、基板WFを上述の被計測物Wとして扱い、基板WFの表面に形成されている計測マークWM(図1参照。図9には不図示)の位置を計測する。
 露光装置2に搬入された基板WFは、ガイド71上で可動な試料台70上に載置され、試料台70の移動により計測装置1aの下方に配置される。制御部60は、制御信号S3を送り試料台70をXY面内で移動させ、基板WFの表面の複数箇所に配置されている計測マークWMを、順次、計測装置1aの結像系10の直下に配置し、上述した手法により計測マークWMの位置を計測する。
 制御部60は、既知である計測マークWMと既存回路パターンとの位置関係、および計測装置1aにより計測された計測マークWMの位置に関する情報に基づいて、基板WF上の既存回路パターンのX位置およびY位置に関するマップデータを作成する。
 続いて、制御部60は、基板WFが露光光学系80の下に配置されるように、試料台70をXY面内で移動させ、基板WFの表面に形成されているフォトレジスト(不図示)への露光を行う。露光は、いわゆるステップ露光であっても良く、スキャン露光であっても良い。
 露光中の試料台70のX位置およびY位置は、試料台70に設けられているスケール板72の位置を介して、露光光学系80と一体的に保持されているエンコーダ61aにより計測され、位置信号S2aとして制御部60に伝達される。制御部60は、位置信号S2aおよび上述のマップデータに基づいて、試料台70のX位置およびY位置を制御する。
 上述の露光動作においては、マスク83上に描画されている原版(マスクパターン)に露光光源81からの照明光が、露光照明系82を介して照射される。その結果、露光光路AXP上に配置されている露光光学系80を介して、原版の像が基板WF上のフォトレジスト(不図示)に投影され、フォトレジストに明暗パターンが露光される。
 露光動作がスキャン露光の場合には、露光動作中に、マスク83と基板WFは同期して露光光学系80に対して相対走査する。この走査のために、マスク83はマスクステージ84上に載置され、マスクステージ84はマスク定盤85上をX方向に移動可能となっている。マスクステージ84の位置は、基準ミラー86の位置を介して、干渉計87により計測される。
 露光動作がステップ露光の場合には、1ショットの露光中には試料台70は静止され、各ショットの間に試料台70はX方向またはY方向に所定距離だけ移動する。
 露光光学系80は、露光光学系80と基板WFの間に液体が配置される、いわゆる液浸用の光学系であっても良い。または、露光装置2は、光または紫外線により露光を行う装置に限らず、電子線またはX線により露光を行う装置であっても良い。
 露光装置2は、計測装置1aを複数備え、基板WF上の複数の計測マークWMを同時に計測可能であっても良い。
(第2実施形態の露光装置の効果)
(3)第2実施形態の露光装置2は、上述の第1実施形態、変形例1または変形例2の計測装置と、被計測物W(基板WF)を含む物体に露光光を照射する露光光学系80と、を備えている。
 この構成により、基板WF上に形成されている計測マークWMの位置を高精度に計測することができ、従って、基板WF上に形成されている既存の回路パターンに対して、高精度に位置を整合させて、明暗パターンを露光することができる。
(その他変型例)
 上述した説明では、図2(b)に示したように、被計測物Wの表面WSが膜RSで直接覆われている。しかしながら、図10に示すように、被計測物Wの計測マークWMの凹部MBに第1の種類の媒質ML1が埋め込まれており、その上を第1の種類とは異なる第2の種類の媒質ML2が覆っており、その第2の種類の媒質ML2の上に膜RSが形成されている構成であっても良い。ここで、第2の種類の媒質ML2の膜厚がプロセスによって変化する可能性がある。撮像面19s上に形成される計測マークWMの像のコントラストは、この媒質ML2の膜厚の変化によって変わってくる。この場合、計測マークWMの像のコントラストが良好となる波長域の照明光を用いて、マーク計測を行えば良い。
 本発明は以上の内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。本実施形態は、上記した態様の全て又は一部を組み合わせてもよい。
1,1a:計測装置、10,10a,10b:結像系、11:対物レンズ、15:指標板、16:位置指標、19:撮像部、OP:物体面、CP:共役面、MP:中間結像面、20:照明系、40:照明開口変更部、41a~41e:照明開口絞り、30:回折光制限部、31a~31e:回折光制限絞り、33:選択切換部、50:光源部、60:制御部、W:被計測物W、WM,WMa,WMb:計測マーク、2:露光装置、80:露光光学系、81:露光光源、82:露光照明系

Claims (17)

  1.  物体面に位置する被計測物に対して光を照射する照明系と、
     前記物体面と光学的に共役な共役面を形成する結像系と、
     前記被計測物からの複数の回折光のうちの少なくとも一部を制限し、且つ前記複数の回折光のうち第1回折光と前記第1回折光とは異なる第2回折光とを通過させる回折光制限部と、
     前記共役面に配置され、前記第1回折光と前記第2回折光とによって形成される周期的な明暗パターンを撮像する撮像部と、
    を備える、計測装置。
  2.  請求項1に記載の計測装置において、
     前記回折光制限部は、前記被計測物からの複数の回折光の中から通過させる前記第1回折光および前記第2回折光を切り換える選択切換部を有する、計測装置。
  3.  請求項1または請求項2に記載の計測装置において、
     前記第1回折光は+m次(mは自然数)の回折光であり、
     前記第2回折光は-m次の回折光である、計測装置。
  4.  請求項1または請求項2に記載の計測装置において、
     前記第1回折光と前記第2回折光とは、前記被計測物を計測する方向と直交する面に対して対称に射出される回折光である、計測装置。
  5.  請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の計測装置において、
     前記照明系が前記被計測物に照射する前記光の、前記結像系に対するコヒーレンスファクタが、0以上、かつ1/3以下である、計測装置。
  6.  請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の計測装置において、
     前記照明系は、前記被計測物に照射する前記光の、前記結像系に対するコヒーレンスファクタを変更する照明開口変更部を有する、計測装置。
  7.  請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の計測装置において、
     前記照明系は、前記光の前記被計測物に対する入射角度を変更する偏向部材を有する、計測装置。
  8.  請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の計測装置において、
     前記結像系は、前記被計測物と前記共役面との間に中間結像面を有し、前記中間結像面に位置指標を有し、
     前記撮像部は、前記明暗パターンとともに、前記共役面に形成された前記位置指標の像を撮像する、計測装置。
  9.  請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の計測装置において、
     基板表面に形成されている前記被計測物を検出するとともに、
     前記結像系および前記撮像部を複数有し、
     複数の前記結像系のそれぞれにおける前記共役面に対する前記撮像部の相対位置が、前記共役面と交差する方向に異なっている、計測装置。
  10.  請求項1から請求項9までのいずれか一項に記載の計測装置において、
     前記照明系は、複数の波長の光を照射する、計測装置。
  11.  物体面に位置する被計測物に対して複数の波長の光を照射する照明系と、
     前記物体面と光学的に共役な共役面を形成する結像系と、
     前記被計測物からの複数の回折光のうち、第1回折光と前記第1回折光とは異なる第2回折光とを通過させる回折光通過部と、
     前記共役面に配置され、前記回折光通過部を通過した前記複数の波長の前記光によって形成される明暗パターンを撮像する撮像部と、
    を備える、計測装置。
  12.  請求項11に記載の計測装置において、
     前記回折光通過部は、前記被計測物からの複数の回折光のうち少なくとも一部を制限する、計測装置。
  13.  請求項11又は12に記載の計測装置において、
     前記回折光通過部は、前記複数の波長のうち第1波長の光によって前記被計測物から発生する前記第1及び第2回折光を通過させ、且つ前記複数の波長のうち前記第1波長とは異なる第2波長の光によって前記被計測物から発生する前記第1及び第2回折光を通過させる、計測装置。
  14.  請求項10から請求項13までのいずれか一項に記載の計測装置において、
     前記複数の波長の光のうち第1波長の光を照射する第1期間と、前記複数の波長の光のうち第2波長の光を照射する第2期間とが異なる、計測装置。
  15.  請求項1から請求項14までのいずれか一項に記載の計測装置と、
     前記被計測物を含む物体に露光光を照射する露光光学系と、
    を備える、露光装置。
  16.  請求項1から請求項14までのいずれか一項に記載の計測装置を用いて、
     周期構造を有するマークの位置を計測する、計測方法。
  17.  請求項16に記載の計測方法において、
     前記マークとして、周期構造の周期の50%の凹部と50%の凸部から成るマークに比べて所定の次数の回折光の強度が増強されるマークを用いる、計測方法。
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