KR19980063768A - 관찰 장치, 위치 검출 장치 및 그 위치 검출 장치를 구비한 노광 장치 - Google Patents

관찰 장치, 위치 검출 장치 및 그 위치 검출 장치를 구비한 노광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR19980063768A
KR19980063768A KR1019970065819A KR19970065819A KR19980063768A KR 19980063768 A KR19980063768 A KR 19980063768A KR 1019970065819 A KR1019970065819 A KR 1019970065819A KR 19970065819 A KR19970065819 A KR 19970065819A KR 19980063768 A KR19980063768 A KR 19980063768A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phase difference
light
mark
optical path
illumination
Prior art date
Application number
KR1019970065819A
Other languages
English (en)
Inventor
스가야아야코
Original Assignee
요시다쇼이치로
니콘(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 요시다쇼이치로, 니콘(주) filed Critical 요시다쇼이치로
Publication of KR19980063768A publication Critical patent/KR19980063768A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 저단차 패턴으로 이루어지는 마크에 대하여도 안정된 고정밀도의 위치 검출이 가능한 위치 검출 장치를 제공한다. 상기 검출 장치는 결상 광학계(6 내지 15)의 광로중에서 조명 개구 조리개(27)와 광학적으로 거의 쌍의 위치에 배치된 상태로 마크(WM)로부터 0차광과 0차광이 통과하지 않는 부분을 통하는 광 사이에 소정의 위상차를 부여하기 위한 위상차 부여 수단(31)을 구비한다. 그리고, 위상차 부여 수단을 통하지 않고 형성된 마크의 밝은 시야(明視野)상에 근거하여 물체(W)의 위치를 검출하는 밝은 시야 검출과, 위상차 부여 수단을 통해 형성된 마크의 위상차상에 근거하여 물체의 위치를 검출하는 위상차 검출을, 조명 개구 조리개의 개구 형상을 변화시키지 않고 마크의 단차 크기에 따라서 절환한다.

Description

관찰 장치, 위치 검출 장치 및 그 위치 검출 장치를 구비한 노광 장치.
본 발명은 관찰 장치, 위치 검출 장치 및 상기 위치 검출 장치를 구비한 노광 장치에 관한, 특히 반도체 소자나 액정 표시 소자등을 제조하는 리소그래피 공정에서 사용하는 노광 장치에서의 감광성 기판의 위치 검출에 관한 것이다. 또한, 본 발명에 의한 관찰 장치는 감광성 기판의 위치 검출을 비롯하여, 관찰 시료로서의 피관찰 물체를 관찰하는 현미경등에도 관한 것이다.
(종래의 기술)
반도체 노광 장치에서는, 마스크와 웨이퍼의 얼라인먼트(위치맞춤)를 행한 후, 노광광을 마스크에 조사하여, 마스크에 형성된 패턴을 투영 광학계를 통해 웨이퍼상에 전사 노광한다. 얼라인먼트에 있어서는, 웨이퍼상에 형성된 얼라인먼트 마크의 위치를 얼라인먼트 센서에 의해서 광전검출하고, 검출한 마크의 위치 정보에 근거하여 마스크와 웨이퍼의 얼라인먼트를 행한다.
얼라인먼트 센서로서, 예를 들면 FIA(Field Image Alignment:필드 이미지 얼라인먼트)방식에 따른 얼라인먼트 센서가 알려져 있다. FIA 방식의 얼라인먼트 센서로서는, 할로겐 램프등을 광원으로서, 파장대역폭이 넓은 광으로 마크를 조명한다. 그리고, 조명된 마크로부터의 광(회절광을 포함)을 결상 광학계로 집광하여 CCD의 촬상면에 마크의 상을 형성하여, 얻어진 촬상 신호를 화상 처리함에 의하여 마크의 위치 검출을 행한다.
일반적으로, FIA 방식에 따른 통상의 얼라인먼트 센서를 사용하여 저단차 패턴으로 이루어지는 마크를 위치 검출하는 경우, 결상 광학계를 통해 형성되는 마크상의 컨트래스트는 낮기 때문에, 마크의 위치 검출을 고정밀도로 행할 수 없다.
그래서, 예를 들면 일본 특허 공개평 3-27515호 공보나 일본 특허 공개평 7-183186호 공보에는, 저단차 마크를 소정의 정밀도로 위치 검출할 수 있는 FIA 방식의 얼라인먼트 센서가 개시되어 있다.
일본 특허 공개평 7-183186호 공보에 개시된 얼라인먼트 센서로서는, 디포커스(defocus)를 행하여 저단차 마크의 위치를 검출한다. 따라서, 디포커스 동작에 따른 광축 경사에 기인하는 검출 오차를 보정하기 위해서, 저단차 마크의 위치 검출에 있어서 광축의 경사량(텔레손량)을 측정하지 않으면 안된다.
한편, 일본 특허 공개평 3-27515호 공보에 개시된 얼라인먼트 센서로서는, 마크의 밝은 시야상에 근거하여 고단차 마크의 위치를 밝은 시야 검출하고, 마크의 위상차상에 근거하여 저단차 마크의 위치를 위상차 검출한다. 상기의 경우, 밝은 시야 검출로부터 위상차 검출로 절환하기 위해서는, 밝은 시야계용의 조명 개구 조리개를 대신하여 위상차계용의 조명 개구 조리개를 조명 광학계의 광로중에 삽입함과 동시에, 위상차판을 결상 광학계의 광로중에 삽입할 필요가 있다. 그 결과, 위상차계용의 조명 개구 조리개 및 위상차판이 광로중으로부터 후퇴한 밝은 시야계와, 위상차계용의 조명 개구 조리개 및 위상차판이 광로중에 삽입된 위상차계와의 양쪽에서 광학 조정 상태를 알맞게 유지하는 것이 곤란하다.
또한, 밝은 시야계용의 조명 개구 조리개를 대신하여 위상차계용의 조명 개구 조리개를 조명 광학계의 광로중에 삽입하여 밝은 시야 검출로부터 위상차 검출로 절환하면 조명 상태가 변화하기 때문에, 결상 광학계의 수차 상태가 변동하여, 예를 들면 조명(σ)이 큰 밝은 시야 검출로서는, 광속은 눈동자의 거의 전면에 넓어지고, 눈동자 수차의 거의 전체의 영향을 받은 결상이 된다. 그런데, 조명(σ)이 작은 위상차 검출로서는, 광속은 눈동자에만 분포하여, 그 부분의 영향만을 받은 결상이 된다. 그 결과, 밝은 시야 검출과 위상차 검출과의 양쪽으로 수차를 알맞게 유지하는 것이 곤란하다. 또한, 위상차계의 광학 조정에 있어서 위상차계용의 조명 개구 조리개의 조명 광학계의 광축에 대한 자리내기 및 위상차판의 결상 광학계의 광축에 대한 자리내기를 행하지만, 밝은 시야계의 광학 조정에 비교하여 자리내기 대상이 많고, 광학 조정 상태의 최적화가 곤란하다.
또한, 얼라인먼트 센서의 관찰계에서, 위상차판의 위상차를 부여하는 부분의 투과율을 저하시킴에 따라 저단차 마크의 상의 컨트래스트를 향상시키는 방식이 있다. 그러나, 상기의 경우, 상의 컨트래스트는 향상하지만, 얻어지는 검출 신호의 진폭이 작게 되어, 광전검출에서의 재현성이 저하한다.
본 발명은 상술한 과제를 감안하여 행해진 것으로서, 예를 들면 저단차 패턴으로 이루어지는 마크에 대하여도 안정한 고정밀도의 위치 검출이 가능한 관찰 장치, 위치 검출 장치 및 상기 위치 검출 장치를 구비한 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
(과제를 해결하기 위한 수단)
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제 1 발명에 있어서는, 위치 검출해야 하는 물체상에 형성된 마크에 조명 개구 조리개를 통해 조명광을 조사하기 위한 조명 광학계와, 상기 조명광에 의해 조명된 상기 마크로부터의 광에 근거하여 상기 마크의 상을 형성하기 위한 결상 광학계와, 상기 결상 광학계를 통해 형성된 상기 마크 상의 위치 정보에 근거하여 상기 물체의 위치를 검출하기 위한 검출 수단을 구비한 위치 검출 장치에서,
상기 결상 광학계의 광로중에 있어서 상기 조명 개구 조리개와 광학적으로 거의 쌍의 위치에 배치되고, 또한 상기 조명 개구 조리개에 대응하는 제 1 영역을 통과하는 상기 마크로부터의 광과 상기 제 1 영역 주변의 제 2 영역을 통과하는 상기 마크로부터 광과의 사이에 소정의 위상차를 부여하기 위한 위상차 부여 수단과,
상기 위상차 부여 수단을 통하지 않고 형성된 상기 마크의 밝은 시야상에 근거하여 상기 물체의 위치를 검출하는 밝은 시야 검출과, 상기 위상차 부여 수단을 통해 형성된 상기 마크의 위상차상에 근거하여 상기 물체의 위치를 검출하는 위상차 검출을 절환하기 위한 절환 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 위치 검출 장치를 제공한다.
제 1 발명의 바람직한 양태에 의하면, 상기 절환 수단은 위상차 검출에 있어서 상기 결상 광학계의 광로중에 상기 위상차 부여 수단을 삽입하여, 밝은 시야 검출에 있어서 상기 결상 광학계의 광로중에서 상기 위상차 부여 수단을 후퇴시킨다. 또는, 상기 절환 수단은 상기 결상 광학계의 광로중에 배치된 상기 위상차 부여 수단이 부여하는 위상차를 전기적으로 변화시켜, 위상차 검출에 있어서 상기 위상차 부여 수단이 부여하는 위상차를 상기 소정의 위상차로 설정하고, 밝은 시야 검출에 있어서 상기 위상차 부여 수단이 부여하는 위상차를 실질적으로 0으로 설정한다.
또한, 본 발명의 제 2 발명에 의하면, 패턴이 형성된 마스크를 조명하여 상기 마스크의 패턴상을 감광성의 기판상에 형성하기 위한 노광 장치에서,
상기 기판상에 형성된 마크에 조명 개구 조리개를 통해 조명광을 조사하기 위한 조명 광학계와, 상기 조명광에 의해 조명된 상기 마크로부터의 광에 근거하여 상기 마크의 상을 형성하기 위한 결상 광학계와, 상기 결상 광학계를 통해 형성된 상기 마크 상의 위치 정보에 근거하여 상기 기판의 위치를 검출하기 위한 검출 수단을 가지는 위치 검출 장치를 구비하고,
상기 위치 검출 장치는,
상기 결상 광학계의 광로중에서 상기 조명 개구 조리개와 광학적으로 거의 쌍의 위치에 배치되고, 또한 상기 조명 개구 조리개에 대응하는 제 1 영역을 통과하는 상기 마크로부터의 광과 상기 제 1 영역 주변의 제 2 영역을 통과하는 상기 마크로부터의 광과의 사이에 소정의 위상차를 부여하기 위한 위상차 부여 수단과,
상기 위상차 부여 수단을 통하지 않고 형성된 상기 마크의 밝은 시야상에 근거하여 상기 기판의 위치를 검출하는 밝은 시야 검출과, 상기 위상차 부여 수단을 통해 형성된 상기 마크의 위상차상에 근거하여 상기 기판의 위치를 검출하는 위상차 검출을 절환하기 위한 절환 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 노광 장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 제 3 발명에 의하면, 피관찰 물체에 조명 개구 조리개를 통해 조명광을 조사하기 위한 조명 광학계와, 상기 조명광에 의해 조명된 상기 피관찰 물체로부터의 광에 근거하여 상기 피관찰 물체의 상을 형성하기 위한 결상 광학계를 구비하며, 상기 피관찰 물체를 관찰하기 위한 관찰 장치에서,
상기 결상 광학계의 광로중에서 상기 조명 개구 조리개와 광학적으로 거의 쌍의 위치에 배치되고, 또한 상기 조명 개구 조리개에 대응하는 제 1 영역을 통과하는 상기 피관찰 물체로부터의 광과 상기 제 1 영역 주변의 제 2 영역을 통과하는 상기 피관찰 물체로부터의 광과의 사이에 소정의 위상차를 부여하기 위한 위상차 부여 수단과,
상기 위상차 부여 수단을 통하지 않고 형성된 상기 피관찰 물체의 밝은 시야상을 관찰하는 밝은 시야 관찰과, 상기 위상차 부여 수단을 통해 형성된 상기 피관찰 물체의 위상차상을 관찰하는 위상차 관찰을 절환하기 위한 절환 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 관찰 장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 제 4 발명에 의하면, 피관찰 물체에 조명 개구 조리개를 통해 조명광을 조사하기 위한 조명 광학계와, 상기 조명광에 의해 조명된 상기 피관찰 물체로부터의 광에 근거하여 상기 피관찰 물체의 상을 형성하기 위한 결상 광학계와, 상기 피관찰 물체의 상을 광전적으로 검출하기 위한 광전검출기를 구비하여, 상기 피관찰 물체를 관찰하기 위한 관찰 장치에서,
상기 피관찰 물체의 위상차상을 관찰하기 위해서, 상기 조명 개구 조리개에 대응하는 제 1 영역을 통과하는 상기 피관찰 물체로부터의 광과 상기 제 1 영역 주변의 제 2 영역을 통과하는 상기 피관찰 물체로부터의 광과의 사이에 소정의 위상차를 부여하기 위한 위상차 부여 수단을 상기 결상 광학계의 광로중에서의 상기 조명 개구 조리개와 광학적에는 거의 쌍의 위치에 설치하여,
상기 제 1 영역의 광의 투과율을 T1로 하고, 상기 제 2 영역의 광의 투과율을 T2로 할 때,
T10.7
｜T1-T2｜＜0.3
의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 관찰 장치를 제공한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 관계되는 위치 검출 장치 및 그 위치 검출 장치를 구비한 노광 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면.
도 2a는 도 1의 결상 개구 조리개(30)의 구성을 개략적으로 나타내는 도면.
도 2b는 도 1의 위상차판(31)의 구성을 개략적으로 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 관계되는 위치 검출 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 관계되는 위치 검출 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 제 4 실시예에 관계되는 위치 검출 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면.
도 6a는 위상차판(31)의 위상차를 부여하는 부분의 투과율을 저하시킨 상태로 얻어지는 신호 강도를 나타내는 도면.
도 6b는 위상차판(31)의 위상차를 부여하는 부분의 투과율을 높게 유지한 상태로 얻어지는 신호 강도를 나타내는 도면.
도 7은 위상차판(31)의 위상차를 부여하는 부분의 광투과율을 저하시킨 경우에 있어서 광전검출기로써 검출되는 신호의 모양을 나타내는 도면.
도 8은 위상차판(31)의 위상차를 부여하는 부분의 광투과율을 높게 유지한 경우에 있어서 광전검출기로써 검출되는 신호의 모양을 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 제 5 실시예에 관계되는 위치 검출 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면.
도 10은 본 발명의 제 6 실시예에 관계되는 위치 검출 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1:레티클 스테이지 3:광원
4:라이트 가이드 6:하프프리즘
7:제 1 대물렌즈 8:반사프리즘
11:제 2 대물렌즈 12:지표판
15:XY 분기 하프프리즘 16, 17:CCD
18:신호 처리계 21:웨이퍼 홀더
22:Z스테이지 23:XY스테이지
24:스테이지 제어계 25:주제어계
26:키보드 27:조명 개구 조리개
30:결상 개구 조리개 31:위상차판
32:절환 미러 33:빔 분할기
34, 35:셔터 R:레티클
PA:패턴 영역 PL:투영 광학계
W:웨이퍼 WM:웨이퍼 마크
(발명의 실시형태)
본 발명에서는, 결상 광학계의 광로중에서 조명 개구 조리개과 광학적으로 거의 쌍의 위치에 배치되는 위상차 부여 수단에 의해서, 마크로부터의 0차광과 0차광이 통하지 않는 부분을 통하는 광의 사이에 소정의 위상차를 부여한다. 그리고, 위상차 부여 수단을 통하지 않고 형성된 마크의 밝은 시야상의 위치 정보에 근거하여, 물체의 위치를 밝은 시야 검출한다. 또는, 위상차 부여 수단을 통해 형성된 마크의 위상차상의 위치 정보에 근거하여, 물체의 위치를 위상차 검출한다. 여기에서, 밝은 시야 검출과 위상차 검출은, 예를 들면 조명 개구 조리개의 개구형상을 변화시키지 않게 마크의 단차 크기에 따라서 절환된다.
본 발명에서는 밝은 시야 검출과 위상차 검출에서 같은 조명 개구 조리개를 사용하고 있고 개구형상이 불변하기 때문에, 밝은 시야 검출로부터 위상차 검출로 절환되어도 조명 상태가 변화하지 않는다. 따라서, 결상 광학계의 수차상태가 변동하지 않고, 밝은 시야 검출로부터 위상차 검출로의 절환에 따른 종래의 수차 보정 동작이 불필요하게 된다. 또한, 위상차 부여 수단으로서 예를 들면 광로에 대하여 끼우고 떼기 가능한 위상차판을 사용하는 경우, 결상 광학계의 광축에 대한 위상차판의 자리내기를 행하기만 해도 위상차계의 광학 조정 상태를 최적화할 수 있기 때문에, 밝은 시야 검출로부터 위상차 검출로의 절환에 따른 광학 조정이 종래의 광학 조정보다도 훨씬 용이하게 된다. 따라서, 본 발명의 위치 검출 장치 및 상기 위치 검출 장치를 구비한 노광 장치에 의하면, 저단차 패턴으로 이루어지는 마크에 대하여도 안정한 고정밀도의 위치 검출이 가능하게 된다.
또한, 본 발명에서는, 피관찰 물체의 위상차상을 관찰하기 위해서, 조명 개구 조리개에 대응하는 제 1 영역을 통과하는 피관찰 물체로부터의 광과 상기 제 1 영역 주변의 제 2 영역을 통과하는 피관찰 물체로부터의 광과의 사이에 소정의 위상차를 부여하기 위한 위상차 부여 수단을 상기 결상 광학계의 광로중에 서 상기 조명 개구 조리개와 광학적으로 거의 쌍의 위치에 설치되어 있다. 그리고, 상기 제 1 영역의 광의 투과율을 T1로 하고, 상기 제 2 영역의 광의 투과율을 T2로 할 때, 상기 위상차 부여 수단이,
T10.7
｜T1-T2｜0.3
의 조건을 만족하도록 구성하고 있다. 이 때문에, 종래에 있어서 CCD등의 촬상소자를 포함하는 광전검출기로써 검출되는 피관찰 물체의 위상차상에 관한 검출 신호의 진폭을 크게 할 수 있기 때문에, 피관찰 물체의 위상차상을 높은 정밀도 검출할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면에 근거하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 관계되는 위치 검출 장치 및 상기 위치 검출 장치를 구비한 노광 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 본 실시예는 반도체 노광 장치에서의 감광성 기판의 위치 검출에 본 발명을 적용하고 있다.
또한, 도 1에서는 노광 장치의 투영 광학계(PL)의 광축에 대하여 평행하게 Z축이, Z축에 수직인 평면내에서 도 1의 지면에 평행한 방향으로 X축이, Z축에 수직인 평면내에서 도 1의 지면에 수직인 방향으로 Y축이 각각 설정되어 있다.
도시의 노광 장치는 적당한 노광광으로 마스크(투영원판) 로서의 레티클(R)을 균일하게 조명하기 위한 노광용 조명 광학계(도시 생략)를 구비하고 있다. 레티클(R)은 레티클 스테이지(1)상에서 XY평면과 거의 평행하게 지지되어 있고, 그 패턴 영역(PA)에는 전사해야 하는 회로 패턴이 형성되어 있다.
레티클(R)을 투과한 광은 투영광학계(PL)를 통해 웨이퍼(W)에 도달하고, 웨이퍼(W)상에는 레티클(R)의 패턴상이 형성된다.
또한, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 홀더(21)를 통해 Z스테이지(22)상에서 XY평면과 거의 평행하게 지지되어 있다. Z스테이지(22)는 스테이지 제어계(24)에 의해서, 투영광학계(PL)의 광축을 따라서 구동되도록 구성되어 있다.
Z스테이지(22)는 또한, XY스테이지(23)상에 지지되어 있다. XY스테이지(23)는, 마찬가지로 스테이지 제어계(24)에 의해서, 투영광학계(PL)의 광축에 대하여 수직인 XY평면내에서 이차원적으로 구동되도록 구성되어 있다.
상술한 바와 같이, 노광 장치에서는 투영노광에 앞서, 레티클(R)상의 패턴 영역(PA)과 웨이퍼(W)상의 각 노광 영역을 광학적으로 위치맞춤(얼라인먼트)할 필요가 있다. 그래서, 웨이퍼(W)상에 형성된 단차패턴으로 이루어지는 얼라인먼트 마크 즉 웨이퍼 마크(WM)의 기준 좌표계에서의 X방향 위치 및 Y방향 위치를 검출하고, 그 위치 정보에 근거하여 얼라인먼트가 행하여진다. 이와 같이, 웨이퍼 마크(WM)의 위치를 검출하여 얼라인먼트를 행하는데, 본 발명의 위치 검출 장치가 사용된다.
또한, 웨이퍼 마크(WM)는 X방향 및 Y방향으로 각각 주기성을 갖는 상호 독립한 2개의 일차원 마크라도, X방향 및 Y방향으로 주기성을 갖는 이차원 마크라도 된다.
도 1에 나타내는 위치 검출 장치는 파장대역폭이 넓은 조명광으로서 얼라인먼트광(AL)을 공급하기 위한 광원(3)을 구비하고 있다. 광원(3)으로서, 예를 들면 할로겐 램프와 같은 광원을 사용할 수 있다. 광원(3)으로부터의 얼라인먼트광(AL)은, 예를 들면 광파이버와 같은 라이트 가이드(4)를 통해 소정 위치까지 이끌어진다. 라이트 가이드(4)의 사출단에서 사출된 얼라인먼트광(AL)은, 예를 들면 원형의 개구부를 갖는 조명 개구 조리개(27)를 통해 제한된 후, 콘덴서 렌즈(29)에 입사한다.
콘덴서 렌즈(29)를 통한 얼라인먼트광(AL)은, 일단 집광된 후, 조명 시야 조리개(도시 생략)를 통해 조명 릴레이 렌즈(5)에 입사한다. 조명 릴레이 렌즈(5)를 통해 평행광이 된 얼라인먼트광(AL)은 하프프리즘(6)을 투과한 후, 제 1 대물 렌즈(7)에 입사한다. 제 1 대물렌즈(7)로 집광된 얼라인먼트광(AL)은 반사프리즘(8)의 반사면에서 도면중 하측방향으로 반사된 후, 웨이퍼(W) 상에 형성된 웨이퍼 마크(WM)를 조명한다.
이와 같이, 광원(3), 라이트 가이드(4), 조명 개구 조리개(27), 콘덴서 렌즈(29), 조명 시야 조리개(도시 생략), 조명 릴레이 렌즈(5), 하프프리즘(6), 제 1 대물렌즈(7) 및 반사프리즘(8)은 웨이퍼 마크(WM)에 조명광을 조사하기 위한 조명 광학계를 구성하고 있다.
조명광에 대한 웨이퍼 마크(WM)에서의 반사광(회절광을 포함)은 반사프리즘(8) 및 제 1 대물렌즈(7)를 통해, 하프프리즘(6)에 입사한다. 하프프리즘(6)으로 도면중 상측방향으로 반사된 광은 제 2 대물렌즈(11)를 통해, 지표판(12)상에 웨이퍼 마크(WM)의 상을 형성한다. 이 마크상으로부터의 광은 릴레이 렌즈계(13, 14) 및 그 광로중에 있어 조명 개구 조리개(27)와 거의 쌍의 위치에 배치된 결상 개구 조리개(30)를 통해, XY 분기 하프프리즘(15)에 입사한다. 그리고, XY 분기 하프프리즘(15)에서 반사된 광은 Y방향용 CCD(16)에, XY 분기 하프프리즘(15)을 투과한 광은 X방향용 CCD(17)에 입사한다.
이와 같이, 반사프리즘(8), 제 1 대물렌즈(7), 하프프리즘(6), 제 2 대물렌즈(11), 지표판(12), 릴레이 렌즈계(13, 14), 결상개구 조리개(30), 및 하프프리즘(15)은 조명광에 대한 웨이퍼 마크(WM)에서의 반사광에 근거하여 마크상을 형성하기 위한 결상 광학계를 구성하고 있다.
이렇게 해서, Y방향용 CCD(16) 및 X방향용 CCD(17)의 촬상면에는, 마크상이 지표판(12)의 지표 패턴상과 동시에 형성된다. Y방향용 CCD(16) 및 X방향용 CCD(17)로부터의 출력 신호는 신호 처리계(18)로 공급된다. 또한, 신호 처리계(18)에 있어서 신호 처리(파형 처리)에 의해 얻어진 웨이퍼 마크(WM)의 위치 정보는 주제어계(25)로 공급된다.
주제어계(25)는 신호 처리계(18)로부터의 웨이퍼 마크(WM)의 위치 정보에 근거하여 웨이퍼(W)의 X방향 위치 및 Y방향 위치를 검출하고, 검출한 웨이퍼(W)의 X방향 위치 및 Y방향 위치에 따른 스테이지 제어 신호를 스테이지 제어계(24)에 출력한다. 스테이지 제어계(24)는 스테이지 제어 신호에 따라서 XY 스테이지(23)를 적당하게 구동하여, 웨이퍼(W)의 얼라인먼트를 행한다.
또한, 주제어계(25)에는 예를 들면 키보드와 같은 입력 수단(26)을 통해, 밝은 시야 검출 지령 또는 위상차 검출 지령이 공급된다. 주제어계(25)는 위상차 검출 지령에 근거하여 위상차판(31)을 릴레이 렌즈계(13, 14)의 광로중에 삽입하여, 밝은 시야 검출 지령에 근거하여 위상차판(31)을 릴레이 렌즈계(13, 14)의 광로중에서 후퇴시킨다.
이와 같이, Y방향용 CCD(16), X방향용 CCD(17), 신호 처리계(18), 및 주제어계(25)는 결상 광학계를 통해 형성된 마크상의 위치 정보에 근거하여 웨이퍼(W)의 위치를 검출하기 위한 검출 수단을 구성하고 있다.
또한, 위상차판(31)은 후술하는 바와 같이, 결상 광학계의 광로중에서 조명 개구 조리개(27)와 거의 쌍의 위치에 배치된 상태로 웨이퍼 마크(WM)로부터의 0차광과 0차광이 통하지 않는 부분을 통하는 광과의 사이에 소정의 위상차를 부여하기 위한 위상차 부여 수단을 구성하고 있다.
또한, 주제어계(25)는 위상차 검출에 있어서 결상 광학계의 광로중에 위상차판(31)을 삽입하고, 밝은 시야 검출에 있어서 결상 광학계의 광로중에서 위상차판(31)을 후퇴시키기 위한 절환 수단을 구성하고 있다.
도 2a는 도 1의 결상 개구 조리개(30)의 구성을 도2b는 도 1의 위상차판(31)의 구성을 각각 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2a에 나타낸 바와 같이, 결상 개구 조리개(30)의 개구부(30a)는 결상 광학계의 광축을 중심으로 하는 원형이고, 결상 개구 조리개(30)상에 형성되는 조명 개구 조리개(27)의 개구부의 상(도면중 절선으로 나타냄)(27a)보다도 크게 형성되어 있다. 따라서, 통상의 높이를 갖는 고단차의 웨이퍼 마크(WM)를 밝은 시야 검출하는 경우, 웨이퍼 마크(WM)로부터의 정반사광(0차광)은 조명 개구 조리개(27)가 개구부로 만드는 상(27a)의 내측 영역(30b)을 통해, Y방향용 CCD(16) 및 X방향용 CCD(17)로 이끌어진다.
또한, 웨이퍼 마크(WM)로부터의 회절광은 조명 개구 조리개(27)의 개구부의 상(27a)과 결상 개구 조리개(30)의 개구부(30a) 사이에 형성되는 영역(30c)을 통해 또는 영역(30b)과 영역(30c)을 통해, Y방향용 CCD(16) 및 X 방향용 CCD(17)로 이끌어진다.
이렇게 해서, 고단차의 웨이퍼 마크(WM)가 양호한 밝은 시야상이 결상 광학계를 통해 형성되며, 형성된 밝은 시야상의 위치 정보에 근거하여 웨이퍼(W)의 위치를 고정밀도로 검출할 수 있다.
한편, 도 2b에 나타낸 바와 같이, 위상차판(31)상에 형성되는 조명 개구 조리개(27)의 개구부의 상(27a)의 내측 영역(도면중 사선으로 나타냄)에는, 이것을 통과하는 광의 위상을 소정량만 변화시키기 위한 위상막(31a)이 형성되어 있다. 따라서, 예를 들면 수십 nm이하의 높이를 갖는 저단차의 웨이퍼 마크(WM)를 위상차 검출하는 경우, 웨이퍼 마크(WM)로부터의 0차광은 위상차판(31)의 위상막(31a)을 통과한다. 또한, 웨이퍼 마크(WM)로부터의 회절광은 위상차판(31)의 위상막(31a)의 외측 영역(31b)을 통과하든지, 또는 위상막(31a)과 영역(31b)을 통과한다. 그 결과, 위상차판(31)의 작용에 의해, 위상막(31a)을 통과한 광과 그 외측의 영역(31b)을 통과한 광과의 사이에는 소정의 위상차가 부여되어, Y방향용 CCD(16) 및 X방향용 CCD(17)의 촬상면에 형성되는 위상차상의 컨트래스트가 크게 된다. 이 때, 부여되는 위상차가 λ/4일 때에, 컨트래스트가 최대로 된다. 이와 같이, 위상차판(31)의 위상막(31a) 및 영역(31b)은 웨이퍼 마크(WM)로부터의 0차광과 0차광이 통하지 않는 부분을 통하는 광과의 사이에 위상차를 부여하는 부분을 구성하고 있다.
이렇게 해서, 저단차의 웨이퍼 마크(WM)가 양호한 위상차상이 결상 광학계를 통해 형성되며, 형성된 위상차상의 위치 정보에 근거하여 웨이퍼(W)의 위치를 고정밀도로 검출할 수 있다.
제 1 실시예에서는, 밝은 시야계의 광학 조정에 있어서, 고단차의 웨이퍼 마크(WM)에 대한 결상상태가 가장 알맞게 되도록, 조명 개구 조리개(27)를 조명 광학계의 광축에 대하여 자리내기함과 동시에, 결상 개구 조리개(30)를 결상 광학계의 광축에 대하여 자리내기한다. 또한, 결상 광학계의 수차상태가 가장 알맞게 되도록, 제 1 대물렌즈(7)의 일부 렌즈를 광축에 대하여 미동시켜 수차보정을 행한다. 계속하여, 위상차계의 광학 조정에 있어서, 저단차의 웨이퍼 마크(WM)에 대한 결상상태가 가장 알맞게 되도록, 위상차판(31)을 결상 광학계의 광축에 대하여 자리내기한다.
이와 같이, 제 1 실시예에서는, 밝은 시야 검출과 위상차 검출에서 마찬가지로 조명 개구 조리개를 사용하고 있고 개구형상이 불변하기 때문에, 밝은 시야 검출로부터 위상차 검출로 절환해도 조명 상태가 변화하지 않는다. 따라서, 결상 광학계의 수차상태가 변동하지 않고, 밝은 시야 검출로부터 위상차 검출로의 절환에 따른 종래의 수차 보정 동작이 불필요하게 된다. 또한, 위상차판의 자리내기를 행하기만 해도 위상차계의 광학 조정 상태를 최적화할 수 있기 때문에, 밝은 시야 검출로부터 위상차 검출로의 절환에 따른 광학 조정이 종래의 광학 조정보다도 훨씬 용이하게 된다.
또한, 광로에 대하여 끼우고 떼기 자유롭게 위상차판을 대신하여, 부여하는 위상차를 상기적으로 변화시킬 수 있는 위상차판을 항상 광로중에 배치하도록 구성할 수도 있다. 상기의 경우, 위상차 검출에 있어서 부여하는 위상차를 소정의 위상차로 설정하며, 밝은 시야 검출에 있어서 부여하는 위상차를 실질적으로 0으로 설정한다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 관계되는 위치 검출 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
제 2 실시예의 위치 검출 장치는 제 1 실시예의 위치 검출 장치와 유사의 구성을 가지며, 도 3에 나타내는 구성 이외의 부분은 제 1 실시예의 구성과 동일하다. 제 2 실시예에서는, 릴레이 렌즈(13)와 지표판(12) 사이의 광로중에 배치된 절환 미러(32)에 의해 광로를 절환하는 점이 제 1 실시예와 기본적으로 다르다. 도 3에 있어서, 제 1 실시예의 요소와 같은 기능을 갖는 요소에는, 도 1과 같은 참조 부호를 붙인다. 이하, 제 1 실시예와의 상위에 착안하여 제 2 실시예를 설명한다.
절환 미러(32)가 광로중에서 후퇴한 경우, 지표판(12)상에 형성된 웨이퍼 마크(WM)의 상으로부터의 광은, 얼라인먼트광(AL1)으로 되고, 밝은 시야계용 릴레이 렌즈계(13', 14') 및 그 광로중에 배치된 결상 개구 조리개(30)을 통해, XY 분기 하프프리즘(15)에 입사한다. 그리고, XY 분기 하프프리즘(15)에서 반사된 광은 Y방향용 CCD(16)에, XY 분기 하프프리즘(15)를 투과한 광은 X방향용 CCD(17)에 입사한다.
한편, 절환 미러(32)가 광로중에 삽입된 경우, 지표판(12)상에 형성된 웨이퍼 마크(WM)의 상으로부터의 광은, 절환 미러(32)에서 반사되어 얼라인먼트광(AL2)이 되고, 위상차계용의 릴레이 렌즈계(13＂, 14＂) 및 그 광로중에 배치된 위상차판(31)을 통해, XY 분기 하프프리즘(15)에 입사한다. 그리고, XY 분기 하프프리즘(15)에서 반사된 광은 Y방향용 CCD(16)에, XY 분기 하프프리즘(15)을 투과한 광은 X방향용 CCD(17)에 입사한다.
이와 같이, 제 4 실시예에서는, 절환 미러(32)를 광로중에서 후퇴시킴으로써 고단차의 웨이퍼 마크의 위치를 밝은 시야 검출하고, 절환 미러(32)를 광로중에 삽입함으로써 저단차의 웨이퍼 마크의 위치를 위상차 검출할 수 있다. 즉, 절환 미러(32)를 결상 광학계의 광축에 대하여 자리내기하는 것만으로 위상차계의 광학 조정 상태를 최적화할 수 있기 때문에, 광학 조정이 매우 용이하다.
또한, 밝은 시야계용의 릴리이 렌즈계(13', 14')와 위상차계용의 릴레이 렌즈계(13″, 14″)를 별개로 구비하고 있기 때문에, 예를 들면 위상차판(31)의 제조오차등의 영향을 보정하기 위한 보정 광학 부재를 위상차계용의 릴레이 렌즈계(13＂, 14＂)중에 설치할 수 있다.
또한, 기계적인 구동 기구에 의해서 작동하는 절환 미러(32)를 대신하여, 광속의 투과와 반사를 전기적으로 절환할 수 있는 적당한 광학 부재를 사용하는 것도 가능하다.
도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 관계되는 위치 검출 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
제 4 실시예의 위치 검출 장치는, 제 2 실시예의 위치 검출 장치와 유사의 구성을 갖는다. 그러나, 제 3 실시예에서는, 절환 미러를 대신하여 빔 분할기(33)를 사용하고 있는 점이 제 2 실시예와 기본적으로 다르다. 도 4에 있어서, 제 2 실시예의 요소와 같은 기능을 갖는 요소에는, 도 3과 같은 참조 부호를 붙인다. 이하, 제 2 실시예와의 상위에 착안하여, 제 4 실시예를 설명한다.
지표판(12)상에 형성된 웨이퍼 마크(WM)의 상으로부터의 광은 빔 분할기(33)를 통해 얼라인먼트광(AL1과 AL2)으로 분할된다. 빔 분할기(33)를 투과한 얼라인먼트광(AL1)은 밝은 시야계용의 릴레이 렌즈계(13', 14') 및 그 광로중에 배치된 결상 개구 조리개(30)를 통해, XY 분기 하프프리즘(15')에 입사한다. 그리고, XY 분기 하프프리즘(15')에서 반사된 광은 Y방향용 CCD(16')에, XY 분기 하프프리즘(15')을 투과한 광은 X방향용 CCD(17')에 입사한다.
한편, 빔 분할기(33)에서 반사된 얼라인먼트광(AL2)은 위상차계용 릴레이 렌즈계(13″, 14″) 및 그 광로중에 배치된 위상차판(31)을 통해, XY 분기 하프프리즘(15″)에 입사한다. 그리고, XY 분기 하프프리즘(15″)에서 반사된 광은 Y방향용 CCD(16″)에, XY 분기 하프프리즘(15)을 투과한 광은 X방향용 CCD(17″)에 입사한다.
이와 같이, 제 2 실시예에서는, Y방향용 CCD(16') 및 X방향용 CCD(17')의 출력 신호를 선택함으로써 고단차의 웨이퍼 마크의 위치를 밝은 시야 검출하고, Y방향용 CCD(16″) 및 X방향용 CCD(17″)의 출력 신호를 선택함으로써 저단차의 웨이퍼 마크의 위치를 위상차 검출할 수 있다. 즉, 신호 처리계로 처리해야 하는 출력 신호를 선택하기만 해도 밝은 시야 검출로부터 위상차 검출로 절환을 행할 수 있기 때문에, 위상차계의 광학 조정이 불필요하게 된다. 또한, 제 3 실시예에서는, 밝은 시야 검출로부터 위상차 검출로 절환함에 있어서 기계적으로 구동하는 기구가 없기 때문에, 기계적인 구동에 따르는 검출 오차를 회피할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 관계되는 위치 검출 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
제 3 실시예의 위치 검출 장치와, 제 2 실시예의 위치 검출 장치와 유사의 구성을 갖는다. 그러나, 제 3 실시예에서는, 빔 분할기(33)를 통해 분할된 각 광로중에 셔터(34 및 35)를 각각 배치하고 있는 점이 제 3 실시예와 기본적으로 다르다. 도 5에 있어서, 제 2 실시예의 요소와 같은 기능을 갖는 요소에는, 도 3 과 같은 참조 부호를 붙인다. 이하, 제 2 실시예의 상위에 착안하여, 제 3 실시예를 설명한다.
도 5에 있어서, 지표판(12)상에 형성된 웨이퍼 마크(WM)의 상으로부터의 광은 빔 분할기(33)를 통해 얼라인먼트광(AL1과 AL2)으로 분할된다. 빔 분할기(33)를 투과한 얼라인먼트광(AL1)은 밝은 시야계용의 릴레이 렌즈계(13', 14') 및 그 광로중에 배치된 결상 개구 조리개(30)를 통해, XY 분기 하프프리즘(15)에 입사한다. 그리고, XY 분기 하프프리즘(15)에서 반사된 광은 Y방향용 CCD(16)에, XY 분기 하프프리즘(15)을 투과한 광은 X방향용 CCD(17)에 입사한다.
한편, 빔 분할기(33)에서 반사된 얼라인먼트광(AL2)은 위상차계용 릴레이 렌즈계(13″, 14″) 및 그 광로중에 배치된 위상차판(31)을 통해, XY 분기 하프프리즘(15)에 입사한다. 그리고, XY 분기 하프프리즘(15)에서 반사된 광은 Y방향용 CCD(16)에, XY 분기 하프프리즘(15)을 투과한 광은 X방향용 CCD(17)에 입사한다.
제 4 실시예에서는, 예를 들면 릴레이 렌즈(14″)와 XY 분기 하프프리즘(15) 사이의 광로중에 셔터(35)를 삽입하여 얼라인먼트광(AL2)의 통과를 차단함으로써, 고단차의 웨이퍼 마크의 위치를 밝은 시야 검출한다. 또한, 예를 들면 릴레이 렌즈(14')와 XY 분기 하프프리즘(15) 사이의 광로중에 셔터(34)를 삽입하여 얼라인먼트광(AL1)의 통과를 차단함으로써, 저단차의 웨이퍼 마크의 위치를 위상차 검출한다. 즉, 2개의 얼라인먼트광중의 어느 것인가 한 쪽의 광의 통과를 선택적으로 차단하는 것만으로 밝은 시야 검출로부터 위상차 검출로 절환을 행할 수 있기 때문에, 제 2 실시예보다도 간단한 구성으로 기계적인 구동에 따른 검출 오차를 회피할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제 5 실시예와 관계되는 위치 검출 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
제 5 실시예의 위치 검출 장치는 제 2 실시예의 위치 검출 장치와 유사의 구성을 갖는다. 그러나, 제 5 실시예에서는 절환 미러를 대신하여 파장 선택 광학 소자로서의 다이클로익 미러(36)를 사용하고, 또한 절환 가능한 파장 선택 필터(37, 38)를 설치한 점이 제 5 실시예와 기본적으로 다르다. 도 9에 있어서 제 2 실시예의 요소와 동일 기능을 갖는 요소에는 도 3과 같은 참조부호를 붙인다. 이하, 제 2 실시예와 상위에 착안하여, 제 5 실시예를 설명한다.
파장 선택 필터(37)가 조명광로내에 설정되면, 광원(LS)에서 공급되는 광속 내의 긴 파장을 갖는 광이 추출되어, 피검물체로서의 웨이퍼 마크(WM)는 그 파장 선택 필터(37)에 의해 추출된 장파장 광의 기초로 조명된다.
지표판(12)상에 형성된 웨이퍼 마크(WM)의 상으로부터 긴 파장을 갖는 광은 다이클로익 미러(36)를 통과하고, 그 후, 다이클로익 미러(36)를 통과한 얼라인먼트광(AL1)은 밝은 시야용의 릴레이 렌즈계(13', 14') 및 그 광로중에 배치된 결상 개구 조리개(30)를 통해, XY 분기 하프프리즘(15')에 입사한다. 그리고, XY 분기 하프프리즘(15')에서 반사된 광은 Y방향용 CCD(16')에, XY 분기 하프프리즘(15')을 투과한 광은 X방향용 CCD(17')에 각각 입사한다.
한편, 파장 선택 필터(38)가 조명 광로내에 설정되면, 광원(LS)에서 공급되는 광속 내의 짧은 파장을 갖는 광이 추출되어, 피검물체로서의 웨이퍼 마크(WM)는 그 파장 선택 필터(38)에 의해 추출된 단파장 광의 기초로 조명된다.
지표판(12)상에 형성된 웨이퍼 마크(WM)의 상으로부터 짧은 파장을 갖는 광은 다이클로익 미러(36)를 반사하고, 그 후, 다이클로익 미러(36)를 반사한 얼라인먼트광(AL2)은 위상차용의 릴레이 렌즈계(13″,14″) 및 그 광로중에 배치된 위상차판(31)을 통해, XY 분기 하프프리즘(15″)에 입사한다. 그리고, XY 분기 하프프리즘(15″)에서 반사된 광은 Y방향용 CCD(16″)에, XY 분기 하프프리즘(15″)을 투과한 광은 X방향용 CCD(17″)에 각각 입사한다.
또한, 절환 가능한 파장 선택 필터(37, 38)는 도 9에 나타낸 바와 같이, 조명용 파이버(4)보다도 광원측에 배치한 예를 나타내었지만, 이것에 제한되지 않는다. 즉, 절환 가능한 파장 선택 필터(37, 38)는 조명 광학계의 조명광로중이나, 웨이퍼로부터 다이클로익 미러(36) 사이의 결상 광학계의 결상광로중에 배치되어도 된다.
그런데, 도 10은 본 발명의 제 6 실시예와 관계되는 위치 검출 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
제 6 실시예의 위치 검출 장치는 제 2 실시예의 위치 검출 장치와 유사의 구성을 갖는다. 그러나, 제 6 실시예에서는, 절환 미러를 대신하여 편광 빔 분할기(39)를 사용하고, 또한 P편광의 광속과 S편광의 광속을 선택적으로 추출하는 편광판(40)을 조명광로중에 설치한 점이 제 5 실시예와 기본적으로 다르다. 도 10에 있어서, 제 2 실시예의 요소와 동일 기능을 갖는 요소에는 도 3과 같은 참조 부호를 붙인다. 이하, 제 2 실시예와의 상위에 착안하여, 제 6 실시예를 설명한다.
웨이퍼 마크(WM)를 밝은 시야 관찰하는 경우에는, 도 10의 지면 방향으로 편광하는 광속(P편광의 광속)이 편광판(40)으로써 추출되도록, 편광판(40)을 광축 방향으로 회전시켜, 편광판(40)을 설정한다. 이 편광판(40)의 설정에 의해서, 조명용 파이버(4)를 사출하는 광속은 편광판(40)에 의해서, 도 10의 지면 방향으로 편광하는 광속(P편광의 광속)이 추출되어, 피검물체로서의 웨이퍼 마크(WM)는 그 편광판(40)에 의해 추출된 P편광 광속의 기초로 조명된다.
지표판(12)상에 형성된 웨이퍼 마크(WM)의 상으로부터의 P편광의 광속은 편광 빔 분할기(39)를 통과한다. 그 후, 편광빔 분할기(39)를 통과한 얼라인먼트광(AL1)은 밝은 시야용의 릴레이 렌즈계(13', 14') 및 그 광로중에 배치된 결상 개구 조리개(30)를 통해, XY 분기 하프프리즘(15')에 입사한다. 그리고, XY 분기 하프프리즘(15')에서 반사된 광은 Y방향용 CCD(16')에, XY 분기 하프프리즘(15')을 투과한 광은 X방향용 CCD(17')에 각각 입사한다.
한편, 웨이퍼 마크(WM)를 위상차 관찰하는 경우에는, 도 10의 지면과 직교하는 방향으로 편광하는 광속(S편광의 광속)이 편광판(40)으로써 추출되도록, 편광판(40)을 광축 방향으로 회전시켜, 편광판(40)을 재설정한다. 이 편광판(40)의 재설정에 의해서, 조명용 파이버(4)를 사출하는 광속은 편광판(40)에 의해서, 도 10의 지면과 직교하는 방향으로 편광하는 광속(S편광의 광속)이 추출되어, 피검물체로서의 웨이퍼 마크(WM)는 그 편광판(40)에 의해 추출된 S편광 광속의 기초로 조명된다.
지표판(12)상에 형성된 웨이퍼 마크(WM)의 상으로부터의 S편광의 광속은 편광빔 분할기(39)를 반사한다. 그 후, 편광빔 분할기(39)를 반사한 얼라인먼트광(AL2)은 위상차용 릴레이 렌즈계(13″,14″) 및 그 광로중에 배치된 위상차판(31)을 통해, XY 분기 하프프리즘(15″)에 입사한다. 그리고, XY 분기 하프프리즘(15″)에서 반사된 광은 Y방향용 CCD(16″)에, XY 분기 하프프리즘(15″)을 투과한 광은 X방향용 CCD(17″)에 각각 입사한다.
또한, 이상 각 실시예에 있어서는, 조명 광학계와 검출광학계의 일부를 공용시켜, 밝은 시야 검출용의 얼라인먼트계와 위상차 검출용의 얼라인먼트계를 겸용시킨 예를 나타내었지만, 이것들의 얼라인먼트계를 예를 들면 노광 장치에 응용하는 경우에, 조명 광학계와 검출 광학계를 겸용시키지 않고, 밝은 시야 검출전용의 얼라인먼트계와 위상차 검출전용의 얼라인먼트계를 독립으로 노광 장치등의 장치에서 설치해도 좋은 것은 말할 필요도 없다.
도 6a는 위상차판(31)의 위상차를 부여하는 부분의 투과율을 저하시킨 상태로 얻어지는 신호 강도를, 도 6b는 위상차판(31)의 위상차를 부여하는 부분의 투과율을 높게 유지한 상태로 얻어지는 신호 강도를 각각 나타내는 도면이다.
도 6a와 도 6b를 참조하면, 위상차판(31)의 위상차를 부여하는 부분(도 2b의 31a)의 투과율을 저하시킴으로써, 위상차상의 컨트래스트를 향상시킬 수 있음이 판명된다. 그러나, 상기의 경우, 상의 컨트래스트는 향상하지만, 얻어지는 검출 신호의 진폭이 작게 되어, 광전검출에서의 재현성이 저하된다. 따라서, 상술의 제 1 실시예 내지 제 4 실시예에 있어서 저단차 구조를 갖는 피검물체의 관찰시에 재현성이 높은 위치 검출을 확보하기 위해서, 위상차판(31)의 위상차를 부여하는 부분의 투과율을 실질적으로 높게 유지하는 것이 바람직하다.
그래서, 위상차판(31)의 위상차를 부여하는 부분에 광흡수 작용을 갖게 하여 이 부분의 광투과율을 저하시킨 경우와, 위상차판(31)의 위상차를 부여하는 부분의 광투과율을 높게 유지하는 경우를 비교한 구체예에 대하여 도 7 및 도 8을 참조하면서 설명한다.
우선, 위상차판(31)의 위상 부여 영역으로서의 위상막(31a)의 광투과율(T1)을 45%(T1=0.45)로서, 위상막(31a)의 광투과율을 저하시킨 경우에 있어서, 이 위상막(31a)의 투과율(T1)과 위상차판(31)의 위상막(31a) 주변의 투과 영역(31b)의 투과율(T2)과의 투과차｜Tl-T2｜를 55%(｜T1-T2｜=0.55), 밝은 시야관찰시에 웨이퍼(W) 등의 피관찰 물체가 없는 경우에서의 CCD등의 광전검출기(16, 17, 16', 17', 16″, 17″)로써 검출되는 강도를 1로 하면, 광전검출기로써 검출되는 검출 신호는 도 7에 나타내는 파형이 된다.
도 7의 검출 신호의 최대 강도를 Imax1, 도 7의 검출 신호의 최소 강도를 Imin1, 도 7의 검출 신호의 교류성분(AC 성분)을 △I1, 도 7의 검출 신호의 컨트래스트를 C1로 할 때, 각 값은 Imax1=0.545, Imin1=0.362, △I1=0.183, C1=0.202가 된다.
한편, 위상차판(31)의 위상 부여 영역으로서의 위상막(31a)의 광투과율(T1)을 100%(T1=1.00)로서, 위상막(31a)의 광투과율을 높게 유지한 경우에 있어서, 이 위상막(31a)의 투과율(T1)과 위상차판(31)의 위상막(31a) 주변의 투과 영역(31b)의 투과율(T2)과의 투과차｜T1-T2｜를 0%(｜T1-T2｜=0), 밝은 시야 관찰시에 웨이퍼(W)등의 피관찰 물체가 없는 경우에서의 CCD등의 광전검출기(16, 17, 16', 17', 16″, 17″)로써 검출되는 강도를 1로 하면, 광전검출기로써 검출되는 검출 신호는 도 8에 나타내는 파형이 된다.
도 8의 검출 신호의 최대 강도를 Imax2, 도 8의 검출 신호의 최소 강도를 Imin2, 도 8의 검출 신호의 교류성분(AC 성분)을 △I2, 도 8의 검출 신호의 컨트래스트를 C2로 할 때, 각 값은 Imax2=1.132, Imin2=0.859, △I2=0.273, C2=0.137이 된다.
이와 같이, 도 7 및 도 8의 검출 신호를 비교하면, 도 7에 나타내는 검출 신호는 도 8에 나타내는 검출 신호보다도 컨트래스트가 높으므로, 저단차 구조를 갖는 피관찰 물체의 상을 접안 렌즈를 통해서 인간의 육안으로 관찰하는 것이 바람직하다. 그러나, CCD등의 광전검출기(16, 17, 16', 17', 16″, 17″)를 사용하여 저단차 구조를 갖는 피관찰 물체의 상을 촬상하는 경우에는, CCD등의 광전검출기의 소음을 고려하면, 도 7에 나타내는 검출 신호보다도 오히려 도 8의 검출 신호를 검출하는 것이 바람직하다.
구체적으로는 우선, 도 7에 나타내는 CCD등의 광전검출기의 소음을 N1로 하고, 도 8에 도시하는 CCD등의 광전검출기의 소음을 N2로 할 때, 양쪽의 광전검출기의 소음을 같다고 하여, N1=0.02, N2=0.02로 한다.
이 때의 도 7에 나타내는 검출 신호의 S/N비를 (S/N)1로 하고, 도 8에 나타내는 검출 신호의 S/N비를 (S/N)2로 할 때, 각 신호의 S/N비는 이하와 같게 된다.
(S/N)1=△I1/Nl=9.15
(S/N)2=△I2/N2=13.65
따라서, 도 8에 나타내는 검출 신호는 도 7에 나타내는 검출 신호보다도 S/N비가 높으므로, 고정밀도로 검출할 수 있는 바를 이해할 수 있다.
또한, 위상차판(31)의 위상 부여 영역으로서의 위상막(31a)의 광투과율을 저하시켜 어둡게 된 도 8에 나타내는 검출 신호는 그 검출 신호에 대하여 이득을 얻어서 밝은 신호로 변환하는 것은, 전기적으로 가능하다. 그러나, 전기적 이득을 얻는데 따른 소음도 증폭되기 때문에, 전기적 이득을 얻어도 도 8의 검출 신호의 S/N비를 높게 할 수 없다.
상기와 같이, CCD등의 광전검출기(16, 17, 16', 17', 16″, 17″)를 사용하여 저단차 구조를 갖는 피관찰 물체의 상을 고정밀도로 촬상하는 경우에는, 이 위상막(31a)의 광투과율을 높게 유지하는 것이 바람직하고, 구체적으로는 위상차판(31)의 위상차막(31a)의 투과율을 T1, 위상차판(31)의 위상막(31a) 주변의 투과영역(31b)의 투과율을 T2로 할 때,
T10.7
｜T1-T2｜＜0.3
의 조건을 만족하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 상술의 제 1 실시예 내지 제 4 실시예에 있어서, 위상차판(31)에는, 도 2b에 나타낸 바와 같이, 개구 조리개용의 개구 패턴(30e)이 형성되는 것이 바람직하다. 이 구성에 의해, 결상 개구 조리개와 위상차판과의 위치맞춤을 패터닝 정밀도까지 향상시킬 수 있다. 최근의 패터닝 정밀도는 수십 nm오더이고, 같은 정도의 위치맞춤 정밀도를 종래의 방법으로 확보하기 위해서는 정밀한 조정 기구와 큰 스페이스가 필요하다. 이와 같이, 각 실시예에 있어서 개구 패턴이 형성된 위상차판을 사용함으로써, 공간 절약 또한 저비용으로 결상 개구 조리개와 위상차판과의 위치맞춤을 고정밀도로 행할 수 있다.
또한, 상술의 각 실시예에서는, 본 발명의 위치 검출 장치를 노광 장치에 적용한 예를 나타내었지만, 위치 검출해야 하는 물체에 형성된 마크, 특히 저단차 마크의 위치 검출에 대하여 본 발명을 일반적으로 적용하는 것이 가능하다.
또한, 상술의 각 실시예에서는, 위상차판을 사용하여 저단차 패턴의 위치 검출을 행하는 경우를 나타내었지만, 피검물체로서는 저단차 패턴일 필요가 없고, 명암 패턴이어도 된다.
또한, 상술의 각 실시예에서는, 낙사(落射) 조명형의 위치 검출 장치에 대하여 설명하였지만, 투과형의 위치 검출 장치에 본 발명을 적용할 수도 있다.
도 1 내지 도 10으로 설명한 각 실시예에 의한 위치 검출 장치(또는 관찰 장치)를 반도체 디바이스를 제조하는 노광 장치에 응용한 경우에는, 위치 검출 공정에 있어 얼라인먼트계로서의 위치 검출 장치(또는 관찰 장치)에 의해 감광성 기판(웨이퍼W)의 위치 검출하여, 그 후, 위치 보정 공정에서 감광성 기판(웨이퍼W)의 위치를 보정한다. 여기에서, 위치 보정 공정에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 주제어계(25)로써 검출된 감광성 기판(웨이퍼W)의 위치 정보에 근거하여, 스테이지 제어계(24)를 통해, 감광성 기판(웨이퍼등)을 유지하는 스테이지(웨이퍼 홀더(21), XY스테이지(22) 및 Z스테이지(23))의 위치를 보정하는 공정을 포함한다.
상기와 같이, 위치 보정 공정을 완료한 후에, 노광의 공정(포토리소그래피 공정)으로 이행한다. 이 노광의 공정에서는, 노광용의 조명 광학계(IS)에 의해서 레티클(R)을 조명하고, 레티클(R)(또는 마스크)의 패턴을 투영광학계(PL)를 통해 감광성 기판으로서의 웨이퍼(W)상에 투영 전사하는 전사 공정을 포함한다.
이상의 노광 공정(포토리소그래피 공정)을 거친 웨이퍼(W)는 현상하는 공정을 거치고 나서 현상한 레지스트이외의 부분을 제거하는 에칭 공정, 에칭 공정 후의 불필요한 레지스트를 제거하는 레지스트 제거 공정등을 거친다. 그리고, 노광, 에칭, 레지스트 제거 공정을 반복하여, 웨이퍼 프로세스가 종료한다. 그 후, 웨이퍼 프로세스가 종료하면, 실제의 조립 공정에서, 늘어붙은 회로마다 웨이퍼를 절단하여 칩화하는 다이싱, 각 칩에 배선등을 부여하는 본딩, 각 칩마다 패키징하는 패키징등의 각 공정을 거쳐서, 최종적으로 LSI등의 반도체 디바이스가 제조된다.
또한, 이상으로는 노광 장치를 사용한 웨이퍼 프로세스에서의 포토리소그래피 공정에 의해 LSI등의 반도체 디바이스를 제조하는 예를 나타내었지만, 노광 장치를 사용한 포토리소그래피 공정에 의해서, 액정 표시 소자, 박막 자기헤드, 촬상 소자(CCD등)등의 반도체 디바이스도 제조할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 저단차 패턴으로 이루어지는 마크에 대하여도 안정한 고정밀도의 위치 검출이 가능한 관찰 장치, 위치 검출 장치 및 상기 위치 검출 장치를 구비한 노광 장치를 실현할 수 있다.

Claims (11)

  1. 위치 검출해야 하는 물체상에 형성된 마크에 조명 개구 조리개를 통해 조명광을 조사하기 위한 조명 광학계와, 상기 조명광에 의해 조명된 마크로부터의 광을 기초로 상기 마크의 상을 형성하기 위한 결상 광학계와, 상기 결상 광학계를 통해 형성된 마크 상의 위치 정보를 기초로 상기 물체의 위치를 검출하기 위한 검출 수단을 구비한 위치 검출 장치에 있어서,
    상기 결상 광학계의 광로중에 있어 상기 조명 개구 조리개와 광학적으로 거의 쌍의 위치에 배치되고, 또한 상기 조명 개구 조리개에 대응하는 제 1 영역을 통과하는 마크로부터의 광과 상기 제 1 영역 주변의 제 2 영역을 통과하는 상기 마크로부터 광 사이에 소정의 위상차를 부여하기 위한 위상차 부여 수단 및,
    상기 위상차 부여 수단을 통하지 않고 형성된 마크의 밝은 시야 상을 기초로 상기 물체의 위치를 검출하는 밝은 시야 검출과, 상기 위상차 부여 수단을 통해 형성된 상기 마크의 위상차상에 근거하여 상기 물체의 위치를 검출하는 위상차 검출을 절환하기 위한 절환 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 위치 검출 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 절환 수단은 위상차 검출 시에 상기 결상 광학계의 광로중에 위상차 부여 수단을 삽입하고, 밝은 시야 검출 시에 상기 결상 광학계의 광로중으로부터 위상차 부여 수단을 후퇴시키는 것을 특징으로 하는 위치 검출 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 절환 수단은 상기 결상 광학계의 광로중에 배치된 위상차 부여 수단이 부여하는 위상차를 전기적으로 변화시키고, 위상차 검출 시에 상기 위상차 부여 수단이 부여하는 위상차를 소정의 위상차로 설정하며, 밝은 시야 검출 시에 상기 위상차 부여 수단이 부여하는 위상차를 실질적으로 0으로 설정하는 것을 특징으로 하는 위치 검출 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 절환 수단은 상기 결상 광학계의 광로중에 있어서 마크로부터 광의 광로를 제 1 광로와 제 2 광로의 사이에서 절환하기 위한 광로 절환 수단이고,
    상기 결상 광학계는 제 1 광로를 통한 광에 근거하여 마크의 밝은 시야 상을 형성하고, 상기 위상차 부여 수단이 배치된 제 2 광로를 통한 광에 근거하여 마크의 위상차상을 형성하는 것을 특징으로 하는 위치 검출 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 결상 광학계는 마크로부터 광의 광로를 제 1 광로와 상기 위상차 부여 수단이 배치된 제 2 광로로 분할하기 위한 광로 분할 수단을 구비하며,
    상기 절환 수단은 상기 제 1 광로를 통한 광에 의해 형성된 마크의 밝은 시야 상과, 상기 제 2 광로를 통한 광에 의해 형성된 마크의 위상차상중 어느 한 쪽의 상을 상기 검출 수단에 있어서 선택하는 것을 특징으로 하는 위치 검출 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 결상 광학계는 마크로부터 광의 광로를 제 1 광로와 상기 위상차 부여 수단이 배치된 제 2 광로 분할하기 위한 광로 분할 수단을 구비하고,
    상기 절환 수단은 상기 제 1 광로를 따른 광의 통과를 선택적으로 차단하기 위한 제 1 차광 수단과, 상기 제 2 광로를 따른 광의 통과를 선택적으로 차단하기 위한 제 2 차광 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 위치 검출 장치.
  7. 패턴이 형성된 마스크를 조명하여 상기 마스크의 패턴상을 감광성의 기판상에 형성하기 위한 노광 장치에 있어서,
    상기 기판상에 형성된 마크에 조명 개구 조리개를 통해 조명광을 조사하기 위한 조명 광학계와, 상기 조명광에 의해 조명된 마크로부터의 광에 근거하여 상기 마크의 상을 형성하기 위한 결상 광학계와, 상기 결상 광학계를 통해 형성된 마크 상의 위치 정보에 근거하여 상기 기판의 위치를 검출하기 위한 검출 수단을 갖는 위치 검출 장치를 구비하고,
    상기 위치 검출 장치는, 상기 결상 광학계의 광로중에 있어 조명 개구 조리개와 광학적으로 쌍의 위치에 배치되고, 또한 상기 조명 개구 조리개에 대응하는 제 1 영역을 통과하는 마크로부터의 광과 상기 제 1 영역 주변의 제 2 영역을 통과하는 마크로부터 광 사이에 소정의 위상차를 부여하기 위한 위상차 부여 수단 및; 상기 위상차 부여 수단을 통하지 않고 형성된 마크의 밝은 시야 상을 기초로 상기 기판의 위치를 검출하는 밝은 시야 검출과, 상기 위상차 부여 수단을 통해 형성된 상기 마크의 위상차상을 기초로 상기 기판의 위치를 검출하는 위상차 검출을 절환하기 위한 절환 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  8. 피관찰 물체에 조명 개구 조리개를 통해 조명광을 조사하기 위한 조명 광학계와, 상기 조명광에 의해 조명된 피관찰 물체로부터의 광을 기초로 상기 피관찰 물체의 상을 형성하기 위한 결상 광학계를 구비하여, 상기 피관찰 물체를 관찰하기 위한 관찰 장치에 있어서,
    상기 결상 광학계의 광로중에 있어 조명 개구 조리개와 광학적으로 거의 쌍의 위치에 배치되고, 또한 조명 개구 조리개에 대응하는 제 1 영역을 통과하는 피관찰 물체로부터의 광과 상기 제 1 영역 주변의 제 2 영역을 통과하는 피관찰 물체로부터 광과의 사이에 소정의 위상차를 부여하기 위한 위상차 부여 수단 및,
    상기 위상차 부여 수단을 통하지 않고 형성된 피관찰 물체의 밝은 시야상을 관찰하는 밝은 시야 관찰과, 상기 위상차 부여 수단을 통해 형성된 피관찰 물체의 위상차상을 관찰하는 위상차 관찰을 절환하기 위한 절환 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 관찰 장치.
  9. 피관찰 물체에 조명 개구 조리개를 통해 조명광을 조사하기 위한 조명 광학계와, 상기 조명광에 의해 조명된 피관찰 물체로부터의 광을 기초로 상기 피관찰 물체의 상을 형성하기 위한 결상 광학계와, 상기 피관찰 물체의 상을 광전적으로 검출하기 위한 광전 검출기를 구비하여, 상기 피관찰 물체를 관찰하기 위한 관찰 장치에 있어서,
    상기 피관찰 물체의 위상차상을 관찰하기 위해서, 조명 개구 조리개에 대응하는 제 1 영역을 통과하는 피관찰 물체로부터의 광과 상기 제 1 영역 주변의 제 2 영역을 통과하는 피관찰 물체로부터의 광 사이에 소정의 위상차를 부여하기 위한 위상차 부여 수단을 상기 결상 광학계의 광로중에서의 상기 조명 개구 조리개와 광학적으로 거의 쌍의 위치에 설치하고,
    상기 제 1 영역의 광 투과율을 T1로 하고, 상기 제 2 영역의 광 투과율을 T2로 할 때,
    Tl0.7
    ｜T1-T2｜＜0.3
    의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 관찰 장치.
  10. 반도체 디바이스를 제조하는 방법에 있어서,
    제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 위치 검출 장치를 사용하여 위치 검출해야 하는 물체로서의 감광성 기판 위치를 검출하는 위치 검출 공정과;
    상기 감광성 기판의 위치를 보정하는 위치 보정 공정과;
    소정의 패턴이 형성된 레티클을 조명하는 조명 공정 및;
    상기 레티클의 패턴을 투영 광학계를 통해 감광성 기판으로 노광하는 노광 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
  11. 반도체 디바이스를 제조하는 방법에 있어서,
    제 8 항 또는 제 9 항에 따른 관찰 장치를 사용하여 피관찰 물체로서의 감광성 기판 위치를 검출하는 위치 검출 공정과;
    상기 감광성 기판의 위치를 보정하는 위치 보정 공정과;
    소정의 패턴이 형성된 레티클을 조명하는 조명 공정 및;
    상기 레티클의 패턴을 투영 광학계를 통해 감광성 기판으로 노광하는 노광 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
KR1019970065819A 1996-12-05 1997-12-04 관찰 장치, 위치 검출 장치 및 그 위치 검출 장치를 구비한 노광 장치 KR19980063768A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8340652A JPH10172898A (ja) 1996-12-05 1996-12-05 観察装置、位置検出装置および該位置検出装置を備えた露光装置
JP96-340652 1996-12-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19980063768A true KR19980063768A (ko) 1998-10-07

Family

ID=18339029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970065819A KR19980063768A (ko) 1996-12-05 1997-12-04 관찰 장치, 위치 검출 장치 및 그 위치 검출 장치를 구비한 노광 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5936253A (ko)
EP (1) EP0846986A3 (ko)
JP (1) JPH10172898A (ko)
KR (1) KR19980063768A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100848983B1 (ko) * 2006-04-18 2008-07-30 캐논 가부시끼가이샤 패턴전사장치, 임프린트 장치 및 패턴전사방법

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000021738A (ja) * 1998-06-26 2000-01-21 Nikon Corp 位置検出装置及び該装置を用いた位置検出方法
KR20010058151A (ko) * 1999-12-24 2001-07-05 박종섭 변형 조명계를 이용한 웨이퍼 정렬 시스템
KR100356483B1 (ko) * 1999-12-28 2002-10-18 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 제조용 노광기
US6819435B2 (en) * 2000-04-12 2004-11-16 Nano Or Technologies Inc. Spatial and spectral wavefront analysis and measurement
WO2002063620A2 (en) * 2001-02-06 2002-08-15 Nano-Or Technologies (Israel) Ltd. Multiple layer optical storage device
TW493358B (en) * 2001-06-14 2002-07-01 Ritdisplay Corp Package method and apparatus of organic light-emitting diode display device
EP1476715B1 (en) * 2002-01-24 2018-10-10 Icos Vision Systems N.V. Improved spatial wavefront analysis and 3d measurement
JP2005166785A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Canon Inc 位置検出装置及び方法、並びに、露光装置
KR100579994B1 (ko) * 2004-06-23 2006-05-12 동부일렉트로닉스 주식회사 노광장치 및 얼라인 마크 측정 방법
GB0625123D0 (en) * 2006-12-18 2007-01-24 Renishaw Plc Phase contrast encoding
WO2010085632A2 (en) * 2009-01-23 2010-07-29 University Of Washington Virtual core flow cytometry
JP5385652B2 (ja) * 2009-03-24 2014-01-08 キヤノン株式会社 位置検出装置、露光装置、位置検出方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2014178357A (ja) * 2013-03-13 2014-09-25 Sony Corp デジタル顕微鏡装置、その撮像方法およびプログラム
DE102020201808A1 (de) 2020-02-13 2021-08-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines optischen Elements in einem Strahlengang

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4419013A (en) * 1981-03-30 1983-12-06 Tre Semiconductor Equipment Corporation Phase contrast alignment system for a semiconductor manufacturing apparatus
US5140366A (en) * 1987-05-29 1992-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus with a function for controlling alignment by use of latent images
JP2698671B2 (ja) * 1989-03-20 1998-01-19 株式会社日立製作所 パターン位置検出装置及び露光装置
JP3200894B2 (ja) * 1991-03-05 2001-08-20 株式会社日立製作所 露光方法及びその装置
JP3395798B2 (ja) * 1993-12-22 2003-04-14 株式会社ニコン 位置検出方法及び装置、並びに露光方法及び装置
US5783833A (en) * 1994-12-12 1998-07-21 Nikon Corporation Method and apparatus for alignment with a substrate, using coma imparting optics
US5621500A (en) * 1995-05-25 1997-04-15 Nikon Corporation Method and apparatus for projection exposure
JPH0934134A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Nikon Corp アライメント装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100848983B1 (ko) * 2006-04-18 2008-07-30 캐논 가부시끼가이샤 패턴전사장치, 임프린트 장치 및 패턴전사방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5936253A (en) 1999-08-10
EP0846986A2 (en) 1998-06-10
EP0846986A3 (en) 2000-05-03
JPH10172898A (ja) 1998-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0158681B1 (ko) 기판 마스크 패턴용 투사장치
US4871257A (en) Optical apparatus for observing patterned article
US20080239290A1 (en) Reticle defect inspection apparatus and reticle defect inspection method
KR19980063768A (ko) 관찰 장치, 위치 검출 장치 및 그 위치 검출 장치를 구비한 노광 장치
JPS6313330A (ja) 位置合せ装置
US4521082A (en) Exposure apparatus
JPH07270119A (ja) 集積回路リソグラフィー用の蛍光使用の直接レチクル対ウエハ・アライメントの方法及び装置
JP3632241B2 (ja) 位置検出装置
JP2003344306A (ja) 微細構造観察方法、および欠陥検査装置
US6294296B1 (en) Method and device for mutually aligning a mask pattern formed in a mask and a substrate
JPH09189520A (ja) 位置検出装置
JP3600920B2 (ja) 位置検出装置、それを用いた露光装置、その露光装置を用いた素子製造方法。
JPH05118957A (ja) 投影光学系の検査方法
JP2004119663A (ja) 位置検出装置、位置検出方法、露光装置、および露光方法
JPH11121357A (ja) 位置検出装置及び位置検出方法
CN112859528B (zh) 一种套刻误差测量装置及测量方法
JP3067191B2 (ja) 位相差測定装置及び方法
US11231573B2 (en) Position detection apparatus, exposure apparatus, and article manufacturing method
JPH1041219A (ja) 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH07321030A (ja) アライメント装置
JPH0934134A (ja) アライメント装置
JP3211246B2 (ja) 投影露光装置及び素子製造方法
JP3027870B2 (ja) 位置検出装置及び半導体素子の製造方法
JP2002122412A (ja) 位置検出装置、露光装置およびマイクロデバイスの製造方法
JP2005166722A (ja) 位置検出装置及び該位置検出装置を用いた投影露光装置及び露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application