JP2003344306A - 微細構造観察方法、および欠陥検査装置 - Google Patents
微細構造観察方法、および欠陥検査装置Info
- Publication number
- JP2003344306A JP2003344306A JP2002154896A JP2002154896A JP2003344306A JP 2003344306 A JP2003344306 A JP 2003344306A JP 2002154896 A JP2002154896 A JP 2002154896A JP 2002154896 A JP2002154896 A JP 2002154896A JP 2003344306 A JP2003344306 A JP 2003344306A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- image
- plate
- light
- beam splitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】試料上のパターンの方向に依存せず高域でのＭ
ＴＦ改善効果を得るとともに、必要に応じて照明光の偏
光状態を直線偏光にも切り替えられるような光学系を実
現する。 【解決手段】照明された試料の像を結像させる結像手段
が、λを波長として対物レンズとλ／４板とλ／２板
と、λ／４板とλ／２板とを個別に光路に対して出し入
れする波長板切り替え手段と、部分偏光ビームスプリッ
タとアナライザと結像レンズとを具備する欠陥検査装
置。
ＴＦ改善効果を得るとともに、必要に応じて照明光の偏
光状態を直線偏光にも切り替えられるような光学系を実
現する。 【解決手段】照明された試料の像を結像させる結像手段
が、λを波長として対物レンズとλ／４板とλ／２板
と、λ／４板とλ／２板とを個別に光路に対して出し入
れする波長板切り替え手段と、部分偏光ビームスプリッ
タとアナライザと結像レンズとを具備する欠陥検査装
置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細構造の観察方
法、およびそれを実現する高分解能な顕微鏡の光学系、
特に半導体製造工程やフラットパネルディスプレイの製
造工程などにおいて微細パターンの欠陥および異物等の
観察や検査に用いる高分解能光学系と、これを用いた欠
陥検査装置に関する。
法、およびそれを実現する高分解能な顕微鏡の光学系、
特に半導体製造工程やフラットパネルディスプレイの製
造工程などにおいて微細パターンの欠陥および異物等の
観察や検査に用いる高分解能光学系と、これを用いた欠
陥検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程やフラットパネルディス
プレイの製造工程などにおいて、光学顕微鏡を用いた微
細パターンの欠陥および異物等の観察や検査が行われて
いる。近年、半導体デバイスの集積度の向上に伴い、顕
微鏡光学系の高性能化が必要となってきた。
プレイの製造工程などにおいて、光学顕微鏡を用いた微
細パターンの欠陥および異物等の観察や検査が行われて
いる。近年、半導体デバイスの集積度の向上に伴い、顕
微鏡光学系の高性能化が必要となってきた。
【０００３】光学顕微鏡の分解能を上げる方法として
は、結像に使用する光の波長の短波長化と、対物レンズ
の高開口数（ＮＡ）化，結像系の伝達関数（ＭＴＦ）の
高域を持ち上げる超解像技術を用いる方法などがある。
これらのうち、短波長化と高ＮＡ化は直接的な方法であ
るが、実用上はいずれについても様々な制約があり、実
現できない場合がある。そこで、波長とＮＡを変えずに
微細構造を高いコントラストで観察できる方法、すなわ
ち結像系のＭＴＦの高域を持ち上げる超解像技術が注目
されている。
は、結像に使用する光の波長の短波長化と、対物レンズ
の高開口数（ＮＡ）化，結像系の伝達関数（ＭＴＦ）の
高域を持ち上げる超解像技術を用いる方法などがある。
これらのうち、短波長化と高ＮＡ化は直接的な方法であ
るが、実用上はいずれについても様々な制約があり、実
現できない場合がある。そこで、波長とＮＡを変えずに
微細構造を高いコントラストで観察できる方法、すなわ
ち結像系のＭＴＦの高域を持ち上げる超解像技術が注目
されている。
【０００４】超解像技術の一例として、偏光状態を制御
することでＭＴＦを改善する方法が特開２０００−１５
５０９９に示されている。直線偏光で試料を照明し、試
料からの反射光をアナライザを通して結像系に導く方法
と、楕円偏光で試料を照明し、試料からの反射光のうち
偏光ビームスプリッタで反射された直線偏光成分のみを
結像系に導く方法が示されている。前者では、試料上の
直線状パターンの方向に対する試料を照明する直線偏光
の方位とアナライザの方位を最適化することで、試料上
のパターンによる高次回折光と０次光との光量比を調整
している。０次光の光量を減らすことで高域のＭＴＦが
改善されるとともに、パターンのある部分と無い部分の
光量差を減らすことが可能になり、微細パターンが見や
すくなり、また、観察像を用いた欠陥検査の性能を向上
させることができる。照明系の結像系の光路の分離に無
偏光ビームスプリッタを用いる必要があるため、光の利
用効率が低く、像が暗くなるという欠点はあるが、試料
での反射時の偏光の変化が顕著に現われるため、大きな
ＭＴＦ改善効果を得ることができる。後者の方法では、
試料上の直線状パターンの方向に対する試料を照明する
楕円偏光の方位と楕円率を最適化することで、同様のＭ
ＴＦ改善効果が得られる。直線偏光照明を用いる系より
も光の利用効率を高くとることが可能で、明るい像を得
ることができる。なお、この系では、直線偏光照明を実
現することもできる。しかし、その場合には、試料から
の反射光が結像系に戻らないため、ＭＴＦ改善効果が最
も大きくなる直線偏光照明で像を観察することはできな
い。
することでＭＴＦを改善する方法が特開２０００−１５
５０９９に示されている。直線偏光で試料を照明し、試
料からの反射光をアナライザを通して結像系に導く方法
と、楕円偏光で試料を照明し、試料からの反射光のうち
偏光ビームスプリッタで反射された直線偏光成分のみを
結像系に導く方法が示されている。前者では、試料上の
直線状パターンの方向に対する試料を照明する直線偏光
の方位とアナライザの方位を最適化することで、試料上
のパターンによる高次回折光と０次光との光量比を調整
している。０次光の光量を減らすことで高域のＭＴＦが
改善されるとともに、パターンのある部分と無い部分の
光量差を減らすことが可能になり、微細パターンが見や
すくなり、また、観察像を用いた欠陥検査の性能を向上
させることができる。照明系の結像系の光路の分離に無
偏光ビームスプリッタを用いる必要があるため、光の利
用効率が低く、像が暗くなるという欠点はあるが、試料
での反射時の偏光の変化が顕著に現われるため、大きな
ＭＴＦ改善効果を得ることができる。後者の方法では、
試料上の直線状パターンの方向に対する試料を照明する
楕円偏光の方位と楕円率を最適化することで、同様のＭ
ＴＦ改善効果が得られる。直線偏光照明を用いる系より
も光の利用効率を高くとることが可能で、明るい像を得
ることができる。なお、この系では、直線偏光照明を実
現することもできる。しかし、その場合には、試料から
の反射光が結像系に戻らないため、ＭＴＦ改善効果が最
も大きくなる直線偏光照明で像を観察することはできな
い。
【０００５】この方法を実現する系の基本構成のうち後
者の楕円偏光照明を用いる場合の例を図４および図５に
示す。光源８からでた光は、凹面鏡とレンズ９を介して
開口絞り１１に達し、さらにレンズと波長選択フィルタ
１２，視野絞り１３を経て偏光ビームスプリッタ１５に
入射する。偏光ビームスプリッタ１５を透過した直線偏
光は、λを波長として、λ／２板１６，λ／４板１７を
通って楕円偏光となり、対物レンズ２０によって試料１
に照射される。λ／４板１７を回転させることによって
楕円偏光の長軸の方向を制御し、λ／２板１６を回転さ
せることによって楕円偏光の楕円率を制御することがで
きる。試料１で反射された光は、対物レンズ２０，λ／
４板１７，λ／２板１６を経て再び偏光ビームスプリッ
タ１５に入射し、ｓ偏光成分だけが反射され、結像レン
ズ３０とズームレンズ５０からなる結像系に導かれる。
この系では、試料１を円偏光照明するように２枚の波長
板の角度を決めた場合には、試料面で反射する際に偏光
状態が変化しなかった成分だけが、偏光ビームスプリッ
タ１５で反射されて結像系に導かれる。
者の楕円偏光照明を用いる場合の例を図４および図５に
示す。光源８からでた光は、凹面鏡とレンズ９を介して
開口絞り１１に達し、さらにレンズと波長選択フィルタ
１２，視野絞り１３を経て偏光ビームスプリッタ１５に
入射する。偏光ビームスプリッタ１５を透過した直線偏
光は、λを波長として、λ／２板１６，λ／４板１７を
通って楕円偏光となり、対物レンズ２０によって試料１
に照射される。λ／４板１７を回転させることによって
楕円偏光の長軸の方向を制御し、λ／２板１６を回転さ
せることによって楕円偏光の楕円率を制御することがで
きる。試料１で反射された光は、対物レンズ２０，λ／
４板１７，λ／２板１６を経て再び偏光ビームスプリッ
タ１５に入射し、ｓ偏光成分だけが反射され、結像レン
ズ３０とズームレンズ５０からなる結像系に導かれる。
この系では、試料１を円偏光照明するように２枚の波長
板の角度を決めた場合には、試料面で反射する際に偏光
状態が変化しなかった成分だけが、偏光ビームスプリッ
タ１５で反射されて結像系に導かれる。
【０００６】一方、試料１を楕円偏光照明するように２
枚の波長板の角度を決めた場合には、試料１で反射する
際に偏光状態が変化した成分の一部も偏光ビームスプリ
ッタ１５で反射されて結像系に導かれる。一般的に直線
状のパターンで回折された光は偏光状態が変化する場合
があるが、０次光は変化しない。そこで、楕円偏光照明
することによって回折光成分が強調され、結像系に導か
れる。その結果、高域のＭＴＦが改善された像を得るこ
とが可能になる。
枚の波長板の角度を決めた場合には、試料１で反射する
際に偏光状態が変化した成分の一部も偏光ビームスプリ
ッタ１５で反射されて結像系に導かれる。一般的に直線
状のパターンで回折された光は偏光状態が変化する場合
があるが、０次光は変化しない。そこで、楕円偏光照明
することによって回折光成分が強調され、結像系に導か
れる。その結果、高域のＭＴＦが改善された像を得るこ
とが可能になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来例で説明した直線
偏光照明や楕円偏光照明を用いる方法は、高域のＭＴＦ
を改善できる有効な方法である。しかし、大きなＭＴＦ
改善効果を得るためには、試料上のパターンの方位によ
って照明光の偏光の方位を変える必要があり、条件設定
が煩雑であるという問題点があった。また、試料上に方
位の異なるパターンが混在する場合に、すべてのパター
ンについて同等のＭＴＦ改善効果を得ることが難しいと
いう問題があった。これは、ＭＴＦの改善効果が等方的
でなく、照明光の偏光方向と試料上のパターンの方向と
の関係に依存するからである。そこで、本発明の目的
は、試料上のパターンの方向に依存せず高域でのＭＴＦ
改善効果が得られる方法および装置を提供することにあ
る。
偏光照明や楕円偏光照明を用いる方法は、高域のＭＴＦ
を改善できる有効な方法である。しかし、大きなＭＴＦ
改善効果を得るためには、試料上のパターンの方位によ
って照明光の偏光の方位を変える必要があり、条件設定
が煩雑であるという問題点があった。また、試料上に方
位の異なるパターンが混在する場合に、すべてのパター
ンについて同等のＭＴＦ改善効果を得ることが難しいと
いう問題があった。これは、ＭＴＦの改善効果が等方的
でなく、照明光の偏光方向と試料上のパターンの方向と
の関係に依存するからである。そこで、本発明の目的
は、試料上のパターンの方向に依存せず高域でのＭＴＦ
改善効果が得られる方法および装置を提供することにあ
る。
【０００８】また、楕円偏光照明を用いる方法は、光の
利用効率が高く、かつＭＴＦ改善効果も得られる優れた
方式ではあるが、直線偏光照明を用いる方法との共存が
難しいという問題があった。直線偏光照明を用いる方法
は、光の利用効率が低く像が暗くなるため、常用するに
は問題がある。しかし、楕円偏光照明の場合より大きな
ＭＴＦ改善効果が得られるため、必要な時には使用でき
ることが望ましい。ところが、照明系の結像系の光路の
分離に用いるビームスプリッタ等に求められる特性が異
なるため、ひとつの光学系で両方を実現することが非常
に困難である。そこで、本発明の他の目的は、必要に応
じて照明光の偏光状態を直線偏光にも切り替えられるよ
うな光学系を実現することにある。
利用効率が高く、かつＭＴＦ改善効果も得られる優れた
方式ではあるが、直線偏光照明を用いる方法との共存が
難しいという問題があった。直線偏光照明を用いる方法
は、光の利用効率が低く像が暗くなるため、常用するに
は問題がある。しかし、楕円偏光照明の場合より大きな
ＭＴＦ改善効果が得られるため、必要な時には使用でき
ることが望ましい。ところが、照明系の結像系の光路の
分離に用いるビームスプリッタ等に求められる特性が異
なるため、ひとつの光学系で両方を実現することが非常
に困難である。そこで、本発明の他の目的は、必要に応
じて照明光の偏光状態を直線偏光にも切り替えられるよ
うな光学系を実現することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の実施態様におい
ては、試料に照明光を照射する照明手段と、照明された
試料の像を結像させる結像手段と、前記試料の像を撮像
する撮像手段と、取得された画像を予め記憶しておいた
画像と比較して前記試料の欠陥を検出する欠陥検出手段
と、該欠陥検出手段で検出した欠陥を表示する表示手段
を備えた欠陥検査装置において、結像手段が、λを波長
として対物レンズとλ／４板とλ／２板と、λ／４板と
λ／２板とを個別に光路に対して出し入れする波長板切
り替え手段と、部分偏光ビームスプリッタとアナライザ
と結像レンズを具備するものである。
ては、試料に照明光を照射する照明手段と、照明された
試料の像を結像させる結像手段と、前記試料の像を撮像
する撮像手段と、取得された画像を予め記憶しておいた
画像と比較して前記試料の欠陥を検出する欠陥検出手段
と、該欠陥検出手段で検出した欠陥を表示する表示手段
を備えた欠陥検査装置において、結像手段が、λを波長
として対物レンズとλ／４板とλ／２板と、λ／４板と
λ／２板とを個別に光路に対して出し入れする波長板切
り替え手段と、部分偏光ビームスプリッタとアナライザ
と結像レンズを具備するものである。
【００１０】試料上のパターンの方位によらずＭＴＦ改
善効果をえるために、円偏光照明下でＭＴＦ改善効果を
得る方法を提供する。具体的には、照明系と結像系の光
路の分離に部分偏光ビームスプリッタを用い、これにλ
／４板を加えて試料を円偏光で照明し、部分偏光ビーム
スプリッタ直後の結像系にアナライザを追加する。試料
で反射された際に偏光が変化して生じた成分は、部分偏
光ビームスプリッタにｐ偏光として入射するため、一部
が反射されて結像系に導かれる。結像系のアナライザの
方位を調整することで、この成分を必要な量だけ結像系
に導くことが可能になり、ＭＴＦ改善効果を得ることが
可能になる。さらに、本発明では、必要に応じて偏光ビ
ームスプリッタとアナライザの間に位相補償板を追加す
る。部分偏光ビームスプリッタで反射されたｐ偏光成分
とｓ偏光成分をアナライザで加算する際の互いの位相差
を、位相補償板で調整することで、さらにＭＴＦ改善効
果を大きくすることが可能になる。
善効果をえるために、円偏光照明下でＭＴＦ改善効果を
得る方法を提供する。具体的には、照明系と結像系の光
路の分離に部分偏光ビームスプリッタを用い、これにλ
／４板を加えて試料を円偏光で照明し、部分偏光ビーム
スプリッタ直後の結像系にアナライザを追加する。試料
で反射された際に偏光が変化して生じた成分は、部分偏
光ビームスプリッタにｐ偏光として入射するため、一部
が反射されて結像系に導かれる。結像系のアナライザの
方位を調整することで、この成分を必要な量だけ結像系
に導くことが可能になり、ＭＴＦ改善効果を得ることが
可能になる。さらに、本発明では、必要に応じて偏光ビ
ームスプリッタとアナライザの間に位相補償板を追加す
る。部分偏光ビームスプリッタで反射されたｐ偏光成分
とｓ偏光成分をアナライザで加算する際の互いの位相差
を、位相補償板で調整することで、さらにＭＴＦ改善効
果を大きくすることが可能になる。
【００１１】また、本発明では、単一の光学系で簡単な
切り替えによって、従来の楕円偏光照明系と上述の円偏
光照明、もっとも大きなＭＴＦ改善効果が得られる直線
偏光照明のすべてを実現する方法を提供する。具体的に
は、照明系と結像系の光路の分離に部分偏光ビームスプ
リッタを用い、これに個別に出し入れ可能にしたλ／２
板とλ／４板を加えて試料を任意の偏光状態の光で照明
し、部分偏光ビームスプリッタ直後の結像系にアナライ
ザを追加する。従来の楕円偏光照明方式と互換の系を実
現する場合には、部分偏光ビームスプリッタで反射され
た光のうちｓ偏光成分のみが結像系に導かれるようにア
ナライザの方位を設定する。それ以外の場合には、アナ
ライザの方位を調整することでＭＴＦ改善効果の程度を
調整することができる。さらに、直線偏光照明を用いた
場合には、試料で反射された際に偏光が変化して生じた
成分は、部分偏光ビームスプリッタにｓ偏光として入射
するため、ほとんど全てが反射されて結像系に導かれ
る。この成分に関しては、無偏光ビームスプリッタを用
いた場合と比べると、約２倍の効率で結像系に導かれる
ため、従来の直線偏光照明による方法よりさらに大きな
ＭＴＦ改善効果を得ることが可能になる。
切り替えによって、従来の楕円偏光照明系と上述の円偏
光照明、もっとも大きなＭＴＦ改善効果が得られる直線
偏光照明のすべてを実現する方法を提供する。具体的に
は、照明系と結像系の光路の分離に部分偏光ビームスプ
リッタを用い、これに個別に出し入れ可能にしたλ／２
板とλ／４板を加えて試料を任意の偏光状態の光で照明
し、部分偏光ビームスプリッタ直後の結像系にアナライ
ザを追加する。従来の楕円偏光照明方式と互換の系を実
現する場合には、部分偏光ビームスプリッタで反射され
た光のうちｓ偏光成分のみが結像系に導かれるようにア
ナライザの方位を設定する。それ以外の場合には、アナ
ライザの方位を調整することでＭＴＦ改善効果の程度を
調整することができる。さらに、直線偏光照明を用いた
場合には、試料で反射された際に偏光が変化して生じた
成分は、部分偏光ビームスプリッタにｓ偏光として入射
するため、ほとんど全てが反射されて結像系に導かれ
る。この成分に関しては、無偏光ビームスプリッタを用
いた場合と比べると、約２倍の効率で結像系に導かれる
ため、従来の直線偏光照明による方法よりさらに大きな
ＭＴＦ改善効果を得ることが可能になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の微細構造観察方法を用い
た光学欠陥検査装置の実施例を図１に示す。円偏光照明
を用いる例である。試料１はチャック２に真空吸着され
ており、このチャック２は、θステージ３，Ｚステージ
４，Ｙステージ５，Ｘステージ６上に搭載されている。
試料１の上方に配置されている光学系１１１は、試料１
に形成されているパターンの外観検査を行うために試料
１の光学像を撮像するものであり、主に照明光学系と試
料１の像を作り撮像する結像光学系及び、焦点検出光学
系４５で構成されている。照明光学系に配置された光源
８はインコヒーレント光源であり、例えばキセノンラン
プである。
た光学欠陥検査装置の実施例を図１に示す。円偏光照明
を用いる例である。試料１はチャック２に真空吸着され
ており、このチャック２は、θステージ３，Ｚステージ
４，Ｙステージ５，Ｘステージ６上に搭載されている。
試料１の上方に配置されている光学系１１１は、試料１
に形成されているパターンの外観検査を行うために試料
１の光学像を撮像するものであり、主に照明光学系と試
料１の像を作り撮像する結像光学系及び、焦点検出光学
系４５で構成されている。照明光学系に配置された光源
８はインコヒーレント光源であり、例えばキセノンラン
プである。
【００１３】光源８からでた光は、レンズ９を介して開
口絞り１１の開口部を透過し、さらにレンズと波長選択
フィルタ１２を経て視野絞り１３に到達する。この波長
選択フィルタ１２は試料１の分光反射率を考慮し、高解
像度の試料１の像を検出するために照明波長域を限定す
るものであり、例えば干渉フィルタを配置する。視野絞
り１３を透過した光は、光路分離部２１０に入射する。
口絞り１１の開口部を透過し、さらにレンズと波長選択
フィルタ１２を経て視野絞り１３に到達する。この波長
選択フィルタ１２は試料１の分光反射率を考慮し、高解
像度の試料１の像を検出するために照明波長域を限定す
るものであり、例えば干渉フィルタを配置する。視野絞
り１３を透過した光は、光路分離部２１０に入射する。
【００１４】光路分離部２１０は、部分偏光ビームスプ
リッタ２００（例えば、Ｔｐ：Ｒｐ＝６：４，Ｔｓ／Ｒ
ｓ＜０.０５)とλ／４板１７，位相補償板２２０，アナ
ライザ２２から構成されており、光源８から試料１に向
かう照明光の光路と試料１から撮像素子へ向かう光路を
分離する。その機能は図２に示す。光路分離部２１０に
入射した照明光（ランダム偏光）は、部分偏光ビームス
プリッタ２００を透過率Ｔｐ(〜０.６）だけ透過してｐ
偏光の直線偏光となる。さらにλ／４板１７によって円
偏光となって対物レンズ２０を経て試料１に照射され
る。試料１に照明された光は、試料１上で反射，散乱，
回折され、対物レンズ２０のＮＡ以内の光は再び対物レ
ンズ２０に入射し、λ／４板１７を通り、部分偏光ビー
ムスプリッタ２００で反射され、アナライザ２２に入射
する。試料で反射された光のうち反射時に回転方向が逆
になった成分（正反射成分、すなわち０次光成分）は、
λ／４板１７で直線偏光となり、部分偏光ビームスプリ
ッタ２００にｓ偏光として入射し、ほとんどロスなく反
射される。
リッタ２００（例えば、Ｔｐ：Ｒｐ＝６：４，Ｔｓ／Ｒ
ｓ＜０.０５)とλ／４板１７，位相補償板２２０，アナ
ライザ２２から構成されており、光源８から試料１に向
かう照明光の光路と試料１から撮像素子へ向かう光路を
分離する。その機能は図２に示す。光路分離部２１０に
入射した照明光（ランダム偏光）は、部分偏光ビームス
プリッタ２００を透過率Ｔｐ(〜０.６）だけ透過してｐ
偏光の直線偏光となる。さらにλ／４板１７によって円
偏光となって対物レンズ２０を経て試料１に照射され
る。試料１に照明された光は、試料１上で反射，散乱，
回折され、対物レンズ２０のＮＡ以内の光は再び対物レ
ンズ２０に入射し、λ／４板１７を通り、部分偏光ビー
ムスプリッタ２００で反射され、アナライザ２２に入射
する。試料で反射された光のうち反射時に回転方向が逆
になった成分（正反射成分、すなわち０次光成分）は、
λ／４板１７で直線偏光となり、部分偏光ビームスプリ
ッタ２００にｓ偏光として入射し、ほとんどロスなく反
射される。
【００１５】一方、試料で反射された光のうち反射時に
回転方向が変わらなかった成分（反射光の偏光状態の変
化によって生じた成分、すなわち高次回折光の一部）
は、λ／４板１７で直線偏光となり、部分偏光ビームス
プリッタ２００にｐ偏光として入射し、反射率Ｒｐで反
射される。（普通の偏光ビームスプリッタではＲｐ〜０
なので、この成分は結像系には到達しない）これらの成
分は、位相補償板２２０で互いの位相差を調整された
後、アナライザ２２に入射し、その方位で決まる比率で
合成（加算）され結像光学系に導かれる。位相補償板２
２０の位相補償量およびアナライザ２２の方位は、高次
回折光が０次光より効率良く結像系に導かれるように決
める。円偏光の回転方向が反射時に変わらなかった高次
回折光成分も結像光学系に取り込むことができるので、
高域のＭＴＦを改善することが可能になる。また、位相
補償板で円偏光の回転方向が反射時に反転した成分と変
わらなかった成分との位相差を最適化し、アナライザの
方位を調整することで、結像光学系へ導かれる光中のこ
れらの成分の割合を調整することができるので、高域の
ＭＴＦの改善度合いの調整も可能である。
回転方向が変わらなかった成分（反射光の偏光状態の変
化によって生じた成分、すなわち高次回折光の一部）
は、λ／４板１７で直線偏光となり、部分偏光ビームス
プリッタ２００にｐ偏光として入射し、反射率Ｒｐで反
射される。（普通の偏光ビームスプリッタではＲｐ〜０
なので、この成分は結像系には到達しない）これらの成
分は、位相補償板２２０で互いの位相差を調整された
後、アナライザ２２に入射し、その方位で決まる比率で
合成（加算）され結像光学系に導かれる。位相補償板２
２０の位相補償量およびアナライザ２２の方位は、高次
回折光が０次光より効率良く結像系に導かれるように決
める。円偏光の回転方向が反射時に変わらなかった高次
回折光成分も結像光学系に取り込むことができるので、
高域のＭＴＦを改善することが可能になる。また、位相
補償板で円偏光の回転方向が反射時に反転した成分と変
わらなかった成分との位相差を最適化し、アナライザの
方位を調整することで、結像光学系へ導かれる光中のこ
れらの成分の割合を調整することができるので、高域の
ＭＴＦの改善度合いの調整も可能である。
【００１６】アナライザ２２を透過した光は、結像レン
ズ３０とズームレンズ５０からなる結像光学系を介し
て、イメージセンサ７０の受光面に試料１の像を形成す
る。イメージセンサ７０はリニアセンサやＴＤＩイメー
ジセンサ或いはエリアセンサ（ＴＶカメラ）等が用いら
れる。また、試料からの反射光の一部は、例えばダイク
ロイックミラー等の光分割手段２５によって焦点検出光
学系４５に導かれ、自動焦点合せを行うための信号検出
に用いられる。
ズ３０とズームレンズ５０からなる結像光学系を介し
て、イメージセンサ７０の受光面に試料１の像を形成す
る。イメージセンサ７０はリニアセンサやＴＤＩイメー
ジセンサ或いはエリアセンサ（ＴＶカメラ）等が用いら
れる。また、試料からの反射光の一部は、例えばダイク
ロイックミラー等の光分割手段２５によって焦点検出光
学系４５に導かれ、自動焦点合せを行うための信号検出
に用いられる。
【００１７】焦点検出光は、結像レンズ４０で試料１の
高さ情報を有した光学像をセンサ４１上に形成し、この
センサ出力の信号は、焦点検出信号処理回路９０に入力
される。焦点検出信号処理回路９０は試料１の高さと対
物レンズ２０の焦点位置のズレ量を検出し、ＣＰＵ７５
に焦点ズレ量のデータを送る。この焦点ズレ量に応じ
て、ＣＰＵ７５からステージ制御部８０にＺステージ４
を駆動させる指令を行い、所定パルスをステージ制御部
８０からＺステージ４に送り、自動焦点合わせが行われ
る。
高さ情報を有した光学像をセンサ４１上に形成し、この
センサ出力の信号は、焦点検出信号処理回路９０に入力
される。焦点検出信号処理回路９０は試料１の高さと対
物レンズ２０の焦点位置のズレ量を検出し、ＣＰＵ７５
に焦点ズレ量のデータを送る。この焦点ズレ量に応じ
て、ＣＰＵ７５からステージ制御部８０にＺステージ４
を駆動させる指令を行い、所定パルスをステージ制御部
８０からＺステージ４に送り、自動焦点合わせが行われ
る。
【００１８】また、検出光学系のイメージセンサ７０で
検出した試料１の光学像の画像データは、画像処理回路
７１に入力されて処理が行われ、欠陥判定回路７２で欠
陥部の判定が行われる。その結果は、ディスプレイなど
の表示手段に表示されるとともに、通信手段を介して、
ワークステーションやデータサーバなどの外部記憶・制
御装置へ送信される。
検出した試料１の光学像の画像データは、画像処理回路
７１に入力されて処理が行われ、欠陥判定回路７２で欠
陥部の判定が行われる。その結果は、ディスプレイなど
の表示手段に表示されるとともに、通信手段を介して、
ワークステーションやデータサーバなどの外部記憶・制
御装置へ送信される。
【００１９】検出した画像データから欠陥部の判定を行
うイメージセンサ７０から欠陥判定回路７２までの一連
の画像処理の具体的な処理の方法としては、例えば、特
開平２−１７０２７９号公報または特開平３−３３６０
５号公報などに記載されているように、隣接チップの対
応する画像データ同士を比較することにより行う方法
や、隣接チップの対応する画像データ同士を比較する方
法、隣接するパターンの画像データ同士を比較する方
法，設計データと画像データ同士を比較する方法等があ
る。
うイメージセンサ７０から欠陥判定回路７２までの一連
の画像処理の具体的な処理の方法としては、例えば、特
開平２−１７０２７９号公報または特開平３−３３６０
５号公報などに記載されているように、隣接チップの対
応する画像データ同士を比較することにより行う方法
や、隣接チップの対応する画像データ同士を比較する方
法、隣接するパターンの画像データ同士を比較する方
法，設計データと画像データ同士を比較する方法等があ
る。
【００２０】試料１のＸＹ方向への移動は、ステージ制
御部８０でＸステージ６及びＹステージ５の動きを２次
元的に制御して行う。また、θステージ３は、ＸＹステ
ージ６及び５の運動方向と試料１に形成されたパターン
のθアライメントを行うときに用いれらる。
御部８０でＸステージ６及びＹステージ５の動きを２次
元的に制御して行う。また、θステージ３は、ＸＹステ
ージ６及び５の運動方向と試料１に形成されたパターン
のθアライメントを行うときに用いれらる。
【００２１】次に、円偏光照明や楕円偏光照明が可能な
光学系において、直線偏光照明を実現する際の照明系と
結像系の光路分離部２１０の実施例を図２に示す。
光学系において、直線偏光照明を実現する際の照明系と
結像系の光路分離部２１０の実施例を図２に示す。
【００２２】この実施例では、光路分離部２１０は、部
分偏光ビームスプリッタ２００（例えば、Ｔｐ：Ｒｐ＝
６：４，Ｔｓ／Ｒｓ＜０.０５ ）と、それぞれ出し入れ
可能なλ／２板１６とλ／４板１７，位相補償板２２
０，アナライザ２２から構成される。
分偏光ビームスプリッタ２００（例えば、Ｔｐ：Ｒｐ＝
６：４，Ｔｓ／Ｒｓ＜０.０５ ）と、それぞれ出し入れ
可能なλ／２板１６とλ／４板１７，位相補償板２２
０，アナライザ２２から構成される。
【００２３】直線偏光照明を用いて像観察を行う場合に
は、図に示すように光路にλ／２板１６を挿入し、λ／
４板１７を外す。部分偏光ビームスプリッタ２００に入
射した照明光（ランダム偏光）は、Ｔｐ(〜０.６）だけ
透過してｐ偏光となり、λ／２板１６で試料上のパター
ンに合わせて偏光の方位を変えられたあと、対物レンズ
２０を経て試料に入射する。試料で反射された光のうち
偏光方向が変化しなかった成分は、λ／２板１６で元の
偏光方向に戻され、部分偏光ビームスプリッタ２００に
ｐ偏光として入射し、反射率Ｒｐ(〜０.４）で反射され
る。
は、図に示すように光路にλ／２板１６を挿入し、λ／
４板１７を外す。部分偏光ビームスプリッタ２００に入
射した照明光（ランダム偏光）は、Ｔｐ(〜０.６）だけ
透過してｐ偏光となり、λ／２板１６で試料上のパター
ンに合わせて偏光の方位を変えられたあと、対物レンズ
２０を経て試料に入射する。試料で反射された光のうち
偏光方向が変化しなかった成分は、λ／２板１６で元の
偏光方向に戻され、部分偏光ビームスプリッタ２００に
ｐ偏光として入射し、反射率Ｒｐ(〜０.４）で反射され
る。
【００２４】一方、試料で反射された光のうち反射光の
偏光方向が回転したことによって生じた成分は、λ／２
板１６で元の偏光と直行する直線偏光となり、部分偏光
ビームスプリッタ２００にｓ偏光として入射し、ほとん
どロスなく反射される。これらの成分は、位相補償板２
２０で互いの位相差を調整された後、アナライザ２２に
入射し、その方位で決まる比率で合成（加算）され結像
光学系に導かれる。反射時に偏光方向が変化することに
よって生じた成分を効率よく結像光学系に取り込むこと
ができるので、従来の楕円偏光照明を用いる方法だけで
なく、同様に直線偏光照明による像観察が可能な無偏光
ビームスプリッタ用いる方法と比べても、より大きなＭ
ＴＦ改善効果が得られる。
偏光方向が回転したことによって生じた成分は、λ／２
板１６で元の偏光と直行する直線偏光となり、部分偏光
ビームスプリッタ２００にｓ偏光として入射し、ほとん
どロスなく反射される。これらの成分は、位相補償板２
２０で互いの位相差を調整された後、アナライザ２２に
入射し、その方位で決まる比率で合成（加算）され結像
光学系に導かれる。反射時に偏光方向が変化することに
よって生じた成分を効率よく結像光学系に取り込むこと
ができるので、従来の楕円偏光照明を用いる方法だけで
なく、同様に直線偏光照明による像観察が可能な無偏光
ビームスプリッタ用いる方法と比べても、より大きなＭ
ＴＦ改善効果が得られる。
【００２５】また、位相補償板で反射時に偏光方向が変
わらなかった成分と反射時に偏光方向が変化することに
よって生じた成分の位相差を最適化し、アナライザの方
位を調整することで、結像光学系へ導かれる光中のこれ
らの成分の割合を調整することができるので、ＭＴＦ改
善効果のさらなる強調や調整が可能である。
わらなかった成分と反射時に偏光方向が変化することに
よって生じた成分の位相差を最適化し、アナライザの方
位を調整することで、結像光学系へ導かれる光中のこれ
らの成分の割合を調整することができるので、ＭＴＦ改
善効果のさらなる強調や調整が可能である。
【００２６】また、図１に示した円偏光照明を用いる方
式に切り替えるには、光路にλ／４板１７を挿入し、λ
／２板１６を外せばよい。さらに従来の楕円偏光照明を
用いる方法と互換性をとるためには、光路にλ／２板１
６とλ／４板１７の両方を挿入し、部分偏光ビームスプ
リッタで反射された光のうちｓ偏光成分のみが結像系に
導かれるようにアナライザの方位を設定すればよい。こ
のように、簡単な切り替えで、必要に応じて観察条件を
変えることが可能になる。
式に切り替えるには、光路にλ／４板１７を挿入し、λ
／２板１６を外せばよい。さらに従来の楕円偏光照明を
用いる方法と互換性をとるためには、光路にλ／２板１
６とλ／４板１７の両方を挿入し、部分偏光ビームスプ
リッタで反射された光のうちｓ偏光成分のみが結像系に
導かれるようにアナライザの方位を設定すればよい。こ
のように、簡単な切り替えで、必要に応じて観察条件を
変えることが可能になる。
【００２７】なお、これらの実施例では、光路分離部２
１０に位相補償板２２０が入る例を示したが、これは必
須ではない。位相補償板２２０無しでもこの系は成立
し、円偏光照明下で高域でのＭＴＦ改善の効果が得られ
る。また、部分偏光ビームスプリッタ２００の特性の例
として、Ｔｐ：Ｒｐ＝６：４，Ｔｓ／Ｒｓ＜０.０５ と
いう数字を示したが、これらも必須の条件ではない。ｐ
偏光成分が一部反射されるものであれば良い。
１０に位相補償板２２０が入る例を示したが、これは必
須ではない。位相補償板２２０無しでもこの系は成立
し、円偏光照明下で高域でのＭＴＦ改善の効果が得られ
る。また、部分偏光ビームスプリッタ２００の特性の例
として、Ｔｐ：Ｒｐ＝６：４，Ｔｓ／Ｒｓ＜０.０５ と
いう数字を示したが、これらも必須の条件ではない。ｐ
偏光成分が一部反射されるものであれば良い。
【００２８】上記のように、円偏光照明の場合でも高域
でのＭＴＦ改善効果が得られるので、試料上のパターン
方向に依存しない高分解能像観察、および、高感度な欠
陥検出が可能になる。また、必要に応じて、簡単な切り
替えで直線偏光照明と円偏光照明、楕円偏光照明を使い
分けることが可能になるので、より多様な試料への対応
が可能になる。
でのＭＴＦ改善効果が得られるので、試料上のパターン
方向に依存しない高分解能像観察、および、高感度な欠
陥検出が可能になる。また、必要に応じて、簡単な切り
替えで直線偏光照明と円偏光照明、楕円偏光照明を使い
分けることが可能になるので、より多様な試料への対応
が可能になる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、試料上のパターンの方
向に依存せず高域でのＭＴＦ改善効果が得られる。ま
た、必要に応じて照明光の偏光状態を直線偏光にも切り
替えられるような光学系を実現できる。
向に依存せず高域でのＭＴＦ改善効果が得られる。ま
た、必要に応じて照明光の偏光状態を直線偏光にも切り
替えられるような光学系を実現できる。
【図１】欠陥検査装置の構成を示す縦断面図。
【図２】円偏光照明を用いる場合の光路分離部の構成を
示す縦断面図。
示す縦断面図。
【図３】直線偏光照明と円偏光照明および楕円偏光照明
を切り替えて用いる場合の光路分離部の構成を示す縦断
面図。
を切り替えて用いる場合の光路分離部の構成を示す縦断
面図。
【図４】従来の欠陥検査装置の光学系の構成を示す縦断
面図。
面図。
【図５】従来の欠陥検査装置における光路分離部の構成
を示す縦断面図。
を示す縦断面図。
１…試料、８…光源、１６…λ／２板、１７…λ／４
板、２０…対物レンズ、２２…アナライザ、３０…結像
レンズ、５０…ズームレンズ、７０…イメージセンサ、
７１…画像処理回路、７２…欠陥判定回路、２００…部
分偏光ビームスプリッタ、２１０…光路分離部、２２０
…位相補償板。
板、２０…対物レンズ、２２…アナライザ、３０…結像
レンズ、５０…ズームレンズ、７０…イメージセンサ、
７１…画像処理回路、７２…欠陥判定回路、２００…部
分偏光ビームスプリッタ、２１０…光路分離部、２２０
…位相補償板。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ
Ｆターム(参考） 2G051 AA51 AA90 AB01 AB02 BA11
BA20 CA03 CA04 CB01 CC07
DA07 DA08 EA14 FA10
2H049 BA03 BA05 BA06 BA07 BA43
BB03 BB05 BC23
2H052 AA01 AA03 AC10 AC14 AF02
AF21 AF25
4M106 AA01 CA39 CA41 DB04 DJ02
DJ04 DJ23
Claims (7)
- 【請求項１】試料表面に形成された微細なパターンを光
によって観察する方法において、概略円偏光状態の照明
光を対物レンズを通して試料面に照射し、試料で反射さ
れた光をλを波長としてλ／４板と部分偏光ビームスプ
リッタとアナライザを通して結像光学系に導き、結像光
学系で結像された像を観察あるいは撮像することを特徴
とする微細構造観察方法。 - 【請求項２】試料表面に形成された微細なパターンを光
によって観察する方法において、概略直線偏光状態の照
明光を対物レンズを通して試料面に照射し、試料で反射
された光をλを波長としてλ／２板と部分偏光ビームス
プリッタとアナライザを通して結像光学系に導き、結像
光学系で結像された像を観察あるいは撮像することを特
徴とする微細構造観察方法。 - 【請求項３】前記部分偏光ビームスプリッタと前記アナ
ライザの間に位相補償素子を備え、部分偏光ビームスプ
リッタで反射されたｓ偏光成分とｐ偏光成分の位相差を
調整したうえで結像光学系に導くことを特徴とする請求
項１または２に記載の微細構造観察方法。 - 【請求項４】試料に照明光を照射する照明手段と、照明
された試料の像を結像させる結像手段と、前記試料の像
を撮像する撮像手段と、取得された画像を予め記憶して
おいた画像と比較して前記試料の欠陥を検出する欠陥検
出手段と、該欠陥検出手段で検出した欠陥を表示する表
示手段を備えた欠陥検査装置において、該照明手段が概
略円偏光状態の照明光を対物レンズに入射させる円偏光
生成手段を具備し、結像手段が、λを波長として対物レ
ンズとλ／４板と部分偏光ビームスプリッタとアナライ
ザと結像レンズを具備していることを特徴とする欠陥検
査装置。 - 【請求項５】試料に照明光を照射する照明手段と、照明
された試料の像を結像させる結像手段と、前記試料の像
を撮像する撮像手段と、取得された画像を予め記憶して
おいた画像と比較して前記試料の欠陥を検出する欠陥検
出手段と、該欠陥検出手段で検出した欠陥を表示する表
示手段を備えた欠陥検査装置において、該照明手段が概
略直線偏光状態の照明光を対物レンズに入射させる直線
偏光生成手段を具備し、結像手段が、λを波長として対
物レンズとλ／２板と部分偏光ビームスプリッタとアナ
ライザと結像レンズを具備していることを特徴とする欠
陥検査装置。 - 【請求項６】試料に照明光を照射する照明手段と、照明
された試料の像を結像させる結像手段と、前記試料の像
を撮像する撮像手段と、取得された画像を予め記憶して
おいた画像と比較して前記試料の欠陥を検出する欠陥検
出手段と、該欠陥検出手段で検出した欠陥を表示する表
示手段を備えた欠陥検査装置において、結像手段が、λ
を波長として対物レンズとλ／４板とλ／２板と、λ／
４板とλ／２板とを個別に光路に対して出し入れする波
長板切り替え手段と、部分偏光ビームスプリッタとアナ
ライザと結像レンズを具備することを特徴とする欠陥検
査装置。 - 【請求項７】前記結像手段が位相補償手段を具備するこ
とを特徴とする請求項４，５，６のいずれかに記載の欠
陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002154896A JP3965325B2 (ja) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | 微細構造観察方法、および欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002154896A JP3965325B2 (ja) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | 微細構造観察方法、および欠陥検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003344306A true JP2003344306A (ja) | 2003-12-03 |
| JP3965325B2 JP3965325B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=29771538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002154896A Expired - Fee Related JP3965325B2 (ja) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | 微細構造観察方法、および欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3965325B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006023307A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Carl Zeiss Sms Gmbh | 顕微鏡結像システムおよび高アパーチャ結像システムのエミュレーションのための、特にマスク検査のための方法 |
| JP2006078263A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Toppan Printing Co Ltd | 配線パターン検査装置及び配線パターン検査方法 |
| JP2006084446A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Toppan Printing Co Ltd | 配線パターンの検出装置、検出方法、検査装置、及び検査方法 |
| JP2006105780A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 微細構造観察方法および欠陥検査装置 |
| JP2006133026A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 外観検査装置 |
| JP2007057487A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Nikon Corp | 表面欠陥検査装置 |
| KR100963239B1 (ko) | 2008-07-08 | 2010-06-10 | 광주과학기술원 | 의료용 편광 현미경 시스템 및 편광 조정에 의해 복굴절특성을 측정하는 방법 |
| JP2011118108A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Olympus Corp | レーザ共焦点顕微鏡、及び、試料表面検出方法 |
| JP2017138591A (ja) * | 2016-01-27 | 2017-08-10 | アッベリオー インストラメンツ ゲーエムベーハーＡｂｂｅｒｉｏｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ＧｍｂＨ | 高分解能レーザ走査顕微鏡を使用する方法及び高分解能レーザ走査顕微鏡 |
| JP2020094853A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | レーザーテック株式会社 | マスク検査装置、切り替え方法及びマスク検査方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9128064B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-09-08 | Kla-Tencor Corporation | Super resolution inspection system |
-
2002
- 2002-05-29 JP JP2002154896A patent/JP3965325B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4690130B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2011-06-01 | カール ツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー | 顕微鏡結像システムおよび高アパーチャ結像システムのエミュレーションのための、特にマスク検査のための方法 |
| JP2006023307A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Carl Zeiss Sms Gmbh | 顕微鏡結像システムおよび高アパーチャ結像システムのエミュレーションのための、特にマスク検査のための方法 |
| JP2006078263A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Toppan Printing Co Ltd | 配線パターン検査装置及び配線パターン検査方法 |
| JP2006084446A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Toppan Printing Co Ltd | 配線パターンの検出装置、検出方法、検査装置、及び検査方法 |
| JP2006105780A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 微細構造観察方法および欠陥検査装置 |
| JP4485910B2 (ja) * | 2004-11-04 | 2010-06-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 外観検査装置 |
| US7821644B2 (en) | 2004-11-04 | 2010-10-26 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus for visual inspection |
| JP2006133026A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 外観検査装置 |
| JP2007057487A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Nikon Corp | 表面欠陥検査装置 |
| KR100963239B1 (ko) | 2008-07-08 | 2010-06-10 | 광주과학기술원 | 의료용 편광 현미경 시스템 및 편광 조정에 의해 복굴절특성을 측정하는 방법 |
| JP2011118108A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Olympus Corp | レーザ共焦点顕微鏡、及び、試料表面検出方法 |
| JP2017138591A (ja) * | 2016-01-27 | 2017-08-10 | アッベリオー インストラメンツ ゲーエムベーハーＡｂｂｅｒｉｏｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ＧｍｂＨ | 高分解能レーザ走査顕微鏡を使用する方法及び高分解能レーザ走査顕微鏡 |
| JP7111323B2 (ja) | 2016-01-27 | 2022-08-02 | アッベリオー インストラメンツ ゲーエムベーハー | 高分解能レーザ走査顕微鏡を使用する方法及び高分解能レーザ走査顕微鏡 |
| JP2020094853A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | レーザーテック株式会社 | マスク検査装置、切り替え方法及びマスク検査方法 |
| US10801967B2 (en) | 2018-12-11 | 2020-10-13 | Lasertec Corporation | Mask inspection apparatus, switching method, and mask inspection method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3965325B2 (ja) | 2007-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3610837B2 (ja) | 試料表面の観察方法及びその装置並びに欠陥検査方法及びその装置 | |
| US8462330B2 (en) | Method and apparatus for detecting defects | |
| JP4625716B2 (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
| US6690469B1 (en) | Method and apparatus for observing and inspecting defects | |
| JP5201350B2 (ja) | 表面検査装置 | |
| US20110141463A1 (en) | Defect inspection method, and defect inspection device | |
| WO2010044351A1 (ja) | 欠陥検出方法の高感度化 | |
| JP3762952B2 (ja) | 光学装置並びにそれを用いた画像測定装置及び検査装置 | |
| JPH11237344A (ja) | 欠陥検査方法およびその装置 | |
| US20060072106A1 (en) | Image viewing method for microstructures and defect inspection system using it | |
| JP2003149169A (ja) | ウエハ欠陥検査装置 | |
| JPWO2009072484A1 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
| JP3978528B2 (ja) | パターン欠陥検査装置及びレーザ顕微鏡 | |
| WO2018053199A1 (en) | Simultaneous multi-directional laser wafer inspection | |
| JPH0875661A (ja) | 欠陥検出装置 | |
| JP2003344306A (ja) | 微細構造観察方法、および欠陥検査装置 | |
| JPWO2009133849A1 (ja) | 検査装置 | |
| KR19980063768A (ko) | 관찰 장치, 위치 검출 장치 및 그 위치 검출 장치를 구비한 노광 장치 | |
| JP3956942B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
| JP3918840B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
| JPH1097053A (ja) | パターン欠陥検査装置 | |
| JP2000147795A (ja) | アライメント顕微鏡 | |
| US20110019200A1 (en) | Apparatus for visual inspection | |
| JPWO2009099142A1 (ja) | 表面検査装置および表面検査方法 | |
| JP2006250843A (ja) | 表面検査装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040927 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040927 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060510 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060510 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070209 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070306 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070522 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070528 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |