JP2016100365A - リソグラフィ装置および物品製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、添付の図面を参照して、基板上にエネルギー線を照射して基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置について説明する。本実施形態では、リソグラフィ装置として露光装置を使用する場合について説明するが、インプリント装置、荷電粒子線描画装置等の露光装置以外のリソグラフィ装置も使用し得る。
次に、図7、図8に示すフローチャートを用いて、S4のグローバルアライメント処理を説明する。
図7は、ロットの1枚目のウエハWに対するグローバルアライメント処理を示し、図8は、ロットの2枚目以降のウエハWに対するグローバルアライメント処理を示す。図7に示されるように、ロットの1枚目のウエハ(第2基板)Wに対するグローバルアライメント処理では、主制御部MCは、S41で、スコープSCが最初のマークFXY1(第2マーク)を観察し得る位置となるようにステージSTGを移動させる。スコープSCは、S42で、低倍率でマークFXY1の検出を行う。このとき、低倍率の撮像は予め設定された蓄積時間もしくは、先に露光処理を行ったウエハWで使用した蓄積時間で行われる。処理部Pは、光量を判定し、計測に必要な光量を確保する。判定の結果、必要な光量が確保できていない場合には、蓄積時間を再設定してマークFXY1の像を再び撮像し、撮像画面中央に対するマークFXY1のずれ量の算出が行われる。なお、低倍率の撮像を用いたプリアライメント計測は、本実施形態では、図3のFXY1とFXY2の2つのマークのみに対して実施している。
dy0’=dyMa+dySTG+dyPrevExp・・・(2)
ステージSTGの駆動誤差は、メカニカルアライメント部MAの送り込み誤差と比較してずっと小さい。また、装置間の露光誤差は装置の送り込みターゲットの違いであって、ロット内であれば固定値とみなせる。いま、2枚目以降のウエハの送り込み位置は、ロットの1枚目のウエハでマークAM1が位置P1で計測されたとする。その、ロットの2枚目以降のウエハにおけるマークAM1は、位置P1を中心としたメカニカルアライメント部の送り込み誤差範囲とマーク形状で定められる寸法で決定されるマーク領域LF1の範囲内に存在する。
STGOffy0=−dy0・・・(4)
更に、マークの中心を位置P2に追い込むためのステージSTGのオフセット量は、式5、式6で示される。
STGOffy2=dy3−dy0・・・(6)
2枚目以降のウエハWのマークの中心は、撮像領域の中心P0から(dx3,dy3)だけずれた位置とし、画像の取得範囲はマーク形状で定められる寸法とメカニカルアライメント部の誤差範囲であるLF1と同じLF1’とする。以上のようにマークの中心位置P2とマークの領域の位置LF1’、ステージSTGの送り込み位置を変更することで、LF1’の領域の画像データの転送が終了すると同時にマークの位置計測の処理が開始される。その結果、画像の転送時間ひいてはマークの位置計測時間が短縮される。
グローバルアライメント処理の第2実施形態を、図10を用いて説明する。図10において、第1実施形態では、ロットの2枚目以降のウエハの低倍率で観察するマークの位置計測の時間を短縮するためにマーク領域の位置をLF2となるように追い込み、LF2領域の画像転送が完了した後、マーク位置の計測を開始するとした。撮像素子Sにおいて、画像の転送は、画像転送を図10の撮像領域LF0の左上の撮像始点PL0から水平方向に順次転送し、右端まで転送完了後に次のラインに移動し同様に転送を行う。つまり、マークの位置計測に必要となるマーク領域LF2を処理部Pに転送したとほぼ同時に、LF2を右方向に延長した領域LF3の画像も処理部Pに転送されている。
グローバルアライメント処理の第3実施形態を、図10を用いて説明する。第3実施形態では、LF2の領域のデータの読み出しの終了後に、LF2のマーク領域(第1領域)のデータの処理と並行して、撮像領域の全領域LF0の画像転送を行う。これにより、LF2、LF3の領域でマークが観察できなかった場合に、撮像領域の全領域LF0から計測領域LF2(またはLF3)を除いた領域での計測処理を行うことができる。つまり、マークがLF2(またはLF3)内で見つからないような場合に、再度の撮像を行うことなくマーク位置の算出処理を行うことが可能となる。この場合、次のウエハ(他の基板)に対する計測ではLF3内に存在したマークの位置(AM5の位置)に基づいてオフセット量を変更して計測処理を行うことができる。
本発明の一側面としての物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布されたレジストにリソグラフィ装置を用いてパターン(潜像パターン)を形成する工程と、かかる工程でパターンが形成された基板を現像(加工)する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (11)
- 基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
マークが形成された前記基板を保持して移動するステージと、
複数の画素が行列状に配置された撮像領域を有する撮像素子と、
前記撮像領域に形成される前記マークの像に関するデータを行毎に順次読み出し、読み出された前記データを処理することで、前記基板上に形成された前記マークの位置を取得する処理部と、
前記マークの前記位置に基づいて前記ステージを移動させて前記基板の位置決めを行い、前記基板上に前記パターンを形成する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記処理部が第1基板上の第1マークの位置を取得する際、前記撮像領域において、前記第1マークの像が、前記第1基板よりも先に前記パターンが形成された第2基板上の第2マークの像よりも、前記処理部が前記データの読み出しを開始する行の近くに形成されるように、前記撮像素子に対して前記ステージを移動させることを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記処理部は、前記撮像領域のうちデータの処理の対象とする第1領域のデータの読み出しが終了したら、前記撮像領域のすべての行の読み出しを待たずに、前記第1領域からのデータの処理を開始することを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記処理部は、前記第1マークの像のデータを前記第1領域からのデータの中に見いだせなかった場合に、読み出しが終了した領域内の前記第1領域を除く領域からのデータの中に前記第1マークの像のデータが存在するか否かを確認することを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記処理部は、前記第1領域のデータの読み出しの終了後に、該第1領域からのデータの処理と並行して、前記第1領域に続く残りの領域のデータを読み出し、前記第1マークの像のデータを前記第1領域からのデータの中に見いだせなかった場合に、前記残りの領域からのデータの中に前記第1マークの像のデータが存在するか否かを確認することを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、前記第1マークの像が前記第1領域とは異なる他の領域からのデータの中に存在した場合に、前記第1基板より後に前記パターンが形成される他の基板のマークの位置を検出するときに、前記第1マークの像の前記撮像領域における位置に基づいて、前記他の基板のマークの像が前記第2マークの像よりも前記読み出しを開始する行に近く形成されるように前記ステージの移動を制御することを特徴とする請求項3または4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、少なくとも1つのショット領域のそれぞれに形成されたマークの第1倍率での撮像結果から基板の位置ずれ補正量を取得し、当該位置ずれ補正量に基づいて前記基板を移動した後に複数のショット領域のそれぞれに形成されたマークの前記第1倍率より高い第2倍率での撮像結果から取得した前記複数のマークの位置を統計処理して前記基板上のショット領域それぞれの位置を算出し、
前記第1マークおよび前記第2マークは、前記第1倍率で撮像される前記少なくとも1つのショット領域に形成されたマークであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記第1基板は、同じロットに属する複数の基板のうち前記パターンの形成の順番が2番目以降の基板であり、前記第2基板は、前記順番が1番目の基板であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1基板は、同じロットに属する複数の基板のうち前記パターンの形成の順番が2番目以降の基板であり、前記第2基板は、前記順番が前記第1の基板の直前の基板であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、前記第2マークの像の前記撮像領域における位置に加え、基板を前記ステージの上に位置決めするときの位置決め誤差に基づいて、前記ステージの移動を制御することを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記基板に設けられた切欠きを検出して、前記基板の位置合わせを行う位置合わせ部と、
前記位置合わせ部によって位置合わせが行われた前記基板を、前記ステージに搬送する搬送部と、をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 請求項1ないし10のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021210052A1 (ja) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | ||
JP7461240B2 (ja) | 2020-07-22 | 2024-04-03 | 株式会社Screenホールディングス | 位置検出装置、描画システムおよび位置検出方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015220746A1 (de) * | 2015-10-23 | 2017-04-27 | Ersa Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Platzierung elektronischer Bauteile |
CN117492336B (zh) * | 2024-01-02 | 2024-04-09 | 天府兴隆湖实验室 | 对准标记及图形对准方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020019065A1 (en) * | 2000-08-01 | 2002-02-14 | Marini Edward J. | Shot averaging for fine pattern alignment with minimal throughput loss |
JP2004296921A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Canon Inc | 位置検出装置 |
JP2006269952A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Nsk Ltd | 近接露光装置 |
JP2009212153A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Canon Inc | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2010258099A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Canon Inc | マーク位置検出装置及びマーク位置検出方法、それを用いた露光装置及びデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100307630B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2001-09-28 | 윤종용 | 정렬 마크, 이를 사용하는 정렬 시스템 및 이를 이용한 정렬방법 |
JP4366031B2 (ja) * | 2001-09-17 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及び方法並びに露光装置、デバイスの製造方法 |
JP2004158741A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Canon Inc | 位置合わせ装置 |
JP4235468B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2009-03-11 | キヤノン株式会社 | 半導体製造装置 |
KR20080020363A (ko) * | 2006-08-31 | 2008-03-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 정렬을 위한 위치설정방법 |
JP2010258009A (ja) | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Nec Saitama Ltd | 電子部品の冷却装置及びそれを用いた電子機器 |
JP2013183017A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Canon Inc | 描画装置、基準素子、及び物品製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020019065A1 (en) * | 2000-08-01 | 2002-02-14 | Marini Edward J. | Shot averaging for fine pattern alignment with minimal throughput loss |
JP2004296921A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Canon Inc | 位置検出装置 |
JP2006269952A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Nsk Ltd | 近接露光装置 |
JP2009212153A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Canon Inc | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2010258099A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Canon Inc | マーク位置検出装置及びマーク位置検出方法、それを用いた露光装置及びデバイスの製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021210052A1 (ja) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | ||
WO2021210052A1 (ja) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | 株式会社ニコン | 計測装置、露光装置、および計測方法 |
JP7468630B2 (ja) | 2020-04-13 | 2024-04-16 | 株式会社ニコン | 計測装置、露光装置、および計測方法 |
JP7461240B2 (ja) | 2020-07-22 | 2024-04-03 | 株式会社Screenホールディングス | 位置検出装置、描画システムおよび位置検出方法 |
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