JP2010245330A - 位置検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 高精度にアライメントしつつ、スループットを上げる事が求められている。ウエハ上のアライメントマークが二方向の場合には、アライメントマークを静止させてからマーク像を入力しなければならなかった。
【解決手段】 ウエハ上のアライメントマークをフォトセンサで計測する際、TDIセンサを使用する。TDIセンサは、水平方向に加え、垂直方向にも受光素子を複数列配置した2次元構造のセンサである。TDIセンサの特徴としては、移動する対象像と電荷移動速度を等しくすると、2次元画像化可能という特徴がある。TDIセンサを使用することにより、ステージを垂直方向に止めることなく、2次元の画像を入力する事が出来るため、X方向とY方向の2方向のアライメントマークを計測することが可能となる。マーク計測の際も、ステージ速度を落とす事を防ぐ事が出き、時間短縮となり、スループット向上につながる。
【選択図】 図1
【解決手段】 ウエハ上のアライメントマークをフォトセンサで計測する際、TDIセンサを使用する。TDIセンサは、水平方向に加え、垂直方向にも受光素子を複数列配置した2次元構造のセンサである。TDIセンサの特徴としては、移動する対象像と電荷移動速度を等しくすると、2次元画像化可能という特徴がある。TDIセンサを使用することにより、ステージを垂直方向に止めることなく、2次元の画像を入力する事が出来るため、X方向とY方向の2方向のアライメントマークを計測することが可能となる。マーク計測の際も、ステージ速度を落とす事を防ぐ事が出き、時間短縮となり、スループット向上につながる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、位置合わせマークからマーク位置を検出するための、位置計測方法に関する。例えば、半導体デバイス製造用の半導体製造装置において、第1物体のレチクル面上に形成されているIC,LSI,超大規模集積回路等の微細な電子回路パターンと、第2物体のウエハの相対的な位置合わせ(以下、アライメント)を行う際の、位置計測方法に関するものである。本発明は高精度にアライメントをする状況において、スループットを落とさずに行うことが可能な位置計測方法に関する。
半導体デバイス製造用の半導体製造装置においては、回路の微細化及び高密度化に伴い、レチクル面上の回路パターンをウエハ面上により高い解像力で投影露光できることが要求されている。回路パターンの投影解像力は投影光学系の開口数(NA)と露光波長に依存するので、高解像度化の方法としては、投影光学系のNAを大きくする方法や露光波長をより短波長化する方法が採用されている。後者の方法に関し、露光光源は、g線からi線に移行し、更にi線からエキシマレーザに移行しつつある。また、エキシマレーザにおいても、その発振波長が248nm及び193nmの露光装置が既に実用化され使用されている。回路パターンの微細化に伴い、回路パターンが形成されているレチクルとそれが投影されるウエハとを高精度にアライメントすることも要求されており、その必要精度は回路線幅の1/3であり、例えば、現状の90nmデザインにおける必要精度はその1/3の30nmである。また、微細加工の要求に加え、生産性向上の要求から、スループット(単位時間内で処理できるウエハ枚数)を上げる必要がある。
以上のように、半導体製造装置においては、高精度にアライメントしつつ、スループットを上げる事が求められている。その対策として、ステージを止めることなくフォトセンサでウエハ上のマークを検出する方法が提案されている。アライメントマークが一方向の場合に、マーク垂直方向にアライメントマークをスキャンしながらマーク像を入力する手段については、特許文献1で提案済みである。上記発明によれば、アライメントマークを計測するときの処理時間が短縮できるため、高精度にアライメントしつつスループットの向上が可能となる。
最近の半導体製造装置においては、更に一定時間にできるだけ多くのウエハを処理する能力が要求されている。前述の従来例では、アライメントマークが一方向の場合には有効な提案であったが、二方向の場合には、アライメントマークを静止させてからマーク像を入力しなければならなかった。
上記従来技術の課題を解決するため、本発明は、マスク原板上のパターンをX方向,Y方向移動可能なステージ上に乗っているウエハに投影露光する半導体製造装置において、ウエハ上のアライメントマークをフォトセンサで計測する際、フォトセンサとしては、TDI(Time Delay Integration)センサを使用する。TDIセンサは、水平方向に加え、垂直方向にも受光素子を複数列配置した2次元構造のセンサである。センサには、水平方向と垂直方向の2方向の軸がある。TDIセンサの特徴としては、移動する対象像と電荷移動速度を等しくすると、2次元画像化可能という特徴がある。
TDIセンサを使用することにより、ステージを垂直方向に止めることなく、2次元の画像を入力する事が出来るため、X方向とY方向の2方向のアライメントマークを計測することが可能である。
マーク計測の際も、ステージ速度を落とす事を防ぐ事が出き、時間短縮となり、スループット向上につながる。
本発明によれば、2方向のマーク計測の際もステージ速度を落とす事を防ぐため、処理時間の短縮につながり、高精度にアライメントしつつスループットの向上が可能となる。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
図1にTDIセンサの構造を示す。水平方向10画素、垂直方向5画素の例である。CCDエリアセンサは、電荷読み出しの時、1ライン単位で垂直転送を行う。TDIセンサの場合、この垂直転送タイミングと受光面に入射している対象像が移動するタイミングを合わせれば、同じ像をセンサの垂直ライン数だけ露光する事ができる。したがって、高感度に撮像することが出来る。
図1で灰色に塗り潰しているのは、1ライン目で露光した電荷が垂直方向に移動しているのを示している。1ライン目で露光された電荷((1))を、対象物の物理的移動に同期して、垂直方向にシフト((2))し、2ライン目でまた露光を行う((3))。これをライン数だけ繰り返すと最終ラインから多重露光させた出力が得られ((4))、この動作を全ライン同時に行えば、多重露光された2次元の画像が出力される。この時、垂直転送のタイミングと受光面に入射している対象像が移動するスピードを合わせれば、移動する物体の2次元画像を撮像できる。
TDIセンサを使った2次元アライメントマークの入力について説明する。本特許では、フォトセンサとして、TDIセンサで説明しているが、蓄積の開始、終了を制御できる複数の画素を有し、多列のセンサを有する他のフォトセンサでも良い。
図2は、TDIセンサを含んだ縮小投影光学装置に対して、2次元アライメントマークが移動している図を示している。図3は、図2の状態の時に、TDIセンサに対して、対象像である2次元アライメントマークを入力している図を示している。Vmは2次元アライメントマークの移動速度、Magは縮小投影の倍率、Dq はTDIセンサの1画素のサイズ、TqはTDIセンサの電荷が1画素を移動する時間を示している。TDIセンサの電荷の移動速度Vqは、Vq=Dq/Tqで表す事ができる。
図3の2次元アライメントマークの入力は、速度Vmで矢印の方向に移動している。TDIセンサに対する2次元アライメントマークの速度は、縮小投影の倍率を加味すると、Vm×Magとなる。移動にあわせて、1ライン目の電荷を2ライン目に転送すると、2ライン目において再び電荷の蓄積が行われる。あるラインに対応した入力は電荷転送とともに移動するため、常に同じ位置で蓄積を行う。このように連続した動作を最終ラインまで行うと、電荷は水平レジスタから出力され、2次元の画像が入力できる。以上のように、Vm×Mag=Vqの場合、図3のようにセンサ観察領域内に入る大きさのマークをTDIセンサで撮像すると、2次元アライメントマークを移動させながら、画像として入力することができる。
以上のようにTDIセンサは、対象像の受光面での移動速度とフォトセンサの垂直方向の電荷移動速度を等しくすると、2次元画像化可能という特徴がある。TDIセンサを使用することにより、ステージを垂直方向に止めることなく、X方向とY方向の2方向のアライメントマークを計測することが可能である。
半導体露光装置においてTDIセンサを使ったアライメントの手順を説明する。ウエハ上のX方向,Y方向アライメントマークを計りながらステージを移動させ、垂直方向の移動距離が長い場合、水平方向の移動が完了後、垂直方向のステージ位置が水平方向のアライメントマークの像を蓄積可能な許容範囲に入ってから、センサの蓄積を開始する。
図4を用いて、半導体露光装置においてのアライメントの手順を述べる。アライメントマークは、X方向,Y方向ステージ(7)に登載されているウエハ(5)上にある。光源(11)から出た光は、ファイバや専用光学系でハーフミラー(10)に導かれ、ミラー(13)、縮小投影レンズ(4)を通り、位置アライメントマーク(図6Mx,My)を照明する。アライメントマークの像は、ウエハ(5)で反射し、再び同じ経路を通り、ハーフミラー(10)を通過し、フォトセンサ(12)にあたる。
センサで受光したアライメントマークの像は、光電変換される。このとき光を蓄積する時間は、センサ駆動装置CLKによっては予め決定された時間となるように制御される。また、制御する時間はステッパ制御装置HPよりアライメント処理装置APに伝えられ、CLKに設定される。光を蓄積するタイミングはステージ処理装置SPより指示される。フォトセンサで光電変換された信号は、101にてA/D変換され、複数のデジタル信号情報として処理装置内のメモリ(MEM)に記憶される。記憶されたデジタル信号よりAPでマーク中心が計算される。
アライメントマークはウエハ(5)上に複数点配置されている。その様子を図5に示す。図5のS1〜S4はウエハ上で4点のアライメントマークを計測するグローバルアライメントの場合のマーク計測ショットを表している。
X方向,Y方向ステージはS1から順番にマーク位置を計測していく。例えば、S1からS2へ移動するには加速、減速を行い、最短時間でマーク位置(目標位置)に移動しなければならない。ステージの移動は、HPがステージ制御装置200のSPへ目標位置(座標)を指示し、モータ(MOT)を駆動して干渉計(PM)を参照しながらサーボをかけ、正確に目標位置に移動する。
ステージが目標位置に到達し、マーク像を撮像することが可能となった時点で、センサ駆動装置CLKへ蓄積可能信号を送りマークの蓄積が開始される。
ステージがS1からS2マーク位置(目標位置)へ移動しS2付近に到達したパターンを図6を用いて説明する。ステージの垂直方向の移動速度パターンを図6(a)に示す。縦軸が速度(Vum)横軸が時間(t)である。そのとき、目標位置までの残差を図6(b)に示す。縦軸が残差(dpum)である。この場合、垂直方向はX方向である。一方ステージの水平方向の移動速度パターンを図6(c)に示す。縦軸が速度(Vm )横軸が時間(t)である。そのとき、目標位置までの残差を図6(d)に示す。縦軸が残差(dpm )である。水平方向は、Yである。
水平方向に関しては、ステージが静止していないと正確な位置が検出できない。ウエハ上のアライメントマークを高精度で計測可能となるトレランス(許容範囲)をtolumとしてSPに設定されている。トレランスとは、ステージの位置と目標位置との差の許容範囲のことである。ステージの目標位置との差が±tolumに入ったら水平方向は静止したとする。tolumの量は通常センサの画素分解能よりも十分に小さい。
垂直方向は、ステージが静止している必要はない。観察可能範囲に入っていれば、センサはマークの像を撮像できる。上記範囲を垂直方向のトレランスとしてtolum’があらかじめSPに設定されている。tolum’の大きさは、センサの観察視野にマークが入ってきた時に設定される。通常スクライブラインにマークを入れることがあるので、100um程度である。
フォトセンサの蓄積は、水平方向のステージ位置がtolum内に入り垂直方向のステージ位置がtolum’に入れば可能となる。図6の(e)に蓄積のタイミングを示す。マーク存在範囲tolum’に達した後、ステージの垂直方向の速度とフォトセンサの垂直方向の電荷移動速度が等しい場合、2次元の画像を入力できる。
tolum’に達するとSPはCLKに蓄積可能信号を送る。SPは蓄積可能信号をCLKに送った直後より、SPにて水平方向のステージ位置をサンプリングし、蓄積期間中のステージの微動、ドリフトをモニタし記憶する。さらに、ステージ微少回転角度のドリフトも蓄積する。CLKは所定の蓄積時間に達したら、SPへ蓄積が終了したことを信号で知らせ、水平方向のステージ位置のモニタおよび記憶を終了させる。
SPではフォトセンサが蓄積していた間のステージ水平方向の平均位置とステージ角度平均を計算する。APはメモリに記憶されたマーク像を処理し、マークの位置を計算する。HPに蓄積が終了したことを指示する。そうすることで、次のアライメントマーク位置に移動することが可能となる。
以上の処理をすべてのアライメントマークについて繰り返し、グローバルアライメントが実施される。ステージの垂直方向の速度とフォトセンサの垂直方向の電荷移動速度が等しい場合、2方向アライメントマークを垂直方向にスキャンすると、2次元の画像を入力できる。仮にS1→S2→S3→S4の順のように計測した場合においても、マーク計測を行う事が出きる。マーク計測の際も、ステージ速度を落とす事を防ぐ事が出き、時間短縮となる。
第1の実施例では、2次元アライメントマークを入力する際は、水平方向に関しては、ステージのずれが少ないという前提で記載した。その場合のTDIセンサからの出力を元に作成した2次元画像は、図7のようになる。
しかし、第1の実施例の方法で2次元アライメントマークを入力する際に、ジッタのような信号のタイミング揺らぎなどの影響で、水平方向に対してステージが微動していた場合、TDIセンサからの出力を元に作成した2次元画像は、図8のようになる。図8の画像を元に画像処理を行った場合、計測精度が低下する要因となることもある。
第2の実施例では、水平方向に対してステージが微動していた場合でも、図7のような正常な画像を入力できる方法について述べる。装置全体の構成、装置全体の動作に関しては実施例1と同じである。2次元アライメントマークの画像入力方法のみ異なるので、その部分について説明する。
フォトセンサの蓄積は、水平方向のステージ位置がtolum内に入り垂直方向のステージ位置がtolum’に入れば開始となる。
2次元アライメントマークがTDIセンサの第1ラインに入ると、SPはCLKに蓄積可能信号を送る。この時の時刻を0とし、2次元アライメントマークとTDIセンサの関係を図9に示す。TDIセンサのライン数はnとする。Dq はTDIセンサの1画素のサイズとする。TDIセンサの垂直方向の長さは、n×Dqで表す事ができる。2次元アライメントマークがTDIセンサ上に縮小投影された像は、ライン数でmラインに相当するとする。2次元アライメントマークの垂直方向の長さは、m×Dqで表す事ができる。TDIセンサの電荷が1画素を移動する時間は、Tqとする。
Tq秒後の時刻Tqで、1ライン目で露光された電荷を、2次元アライメントマークの移動に同期して、垂直方向に移動し、2ライン目でまた露光を行う。これをnライン分繰り返すと、時刻nTqに、時刻0から時刻nTqの間でn回多重露光された出力が、水平ラインから出力される。この時の2次元アライメントマークとTDIセンサの関係を図10に示す。上記n回多重露光された出力は、AP内のメモリに記憶される。また時刻0から時刻nTq間における水平方向のステージ位置の平均値は、SPに記憶される。
同じようにして、時刻2Tqで、1ライン目で露光された電荷を、2次元アライメントマークの移動に同期して、垂直方向に移動し、2ライン目でまた露光を行う。これをnライン分繰り返すと、時刻(n+1)Tqに、時刻Tqから時刻(n+1)Tqの間でn回多重露光された出力が、水平ラインから出力される。上記n回多重露光された出力は、AP内のメモリに記憶される。また時刻Tqから時刻(n+1)Tq間における水平方向のステージ位置の平均値は、SPに記憶される。
上記の動作を2次元アライメントマークの像のmライン全てに行い、HPに蓄積が終了したことを指示する。蓄積終了後には、APには、mライン分のn回多重露光された出力が記憶される。SPには、上記mライン分の水平方向のステージ位置が記憶される。
APでは、SPに記憶されたmライン分のステージ位置をもとに、APのメモリに記憶された出力を補正した後、2次元画像を作成する。作成した2次元画像の図を図11に示す。図11で最下部のラインは、時刻0〜時刻nTqの間で多重露光されたラインを表している。最上部のラインは、時刻mTq〜時刻(m+n)Tqの間で多重露光されたラインを表している。
第2の実施例では、水平方向に対してステージが微動していた場合でも、図7のような画像を入力でき、精度向上につながる。
Claims (6)
- 2次元方向に移動可能なステージ上に乗っている平板上物体に刻印されている位置合わせマークの検出において、電荷蓄積と電荷移動と電荷加算を繰り返し実行するフォトセンサと、前記位置合わせマークに対して第1計測方向の移動と第2計測方向の移動を同時に制御するステージと、前記フォトセンサの下に前記位置合わせマークが移動し、第2計測方向のステージがある範囲内で静止していれば、第1計測方向のステージが移動中でも予め決められた範囲内にマークが存在していれば、前記第1計測方向のステージ移動に同期して前記フォトセンサから複数回ラインデータを取得し、前記複数のラインデータを2次元画像として前記位置合わせマークの位置を計算することを特徴とする位置合わせマーク計測装置。
- フォトセンサとしてTDIセンサを使うことを特徴とする請求項1に記載の位置合わせマーク計測装置。
- 電荷蓄積と電荷転送と電荷加算の繰り返し周期をT、フォトセンサの画素サイズをD、ステージの移動速度をVs,フォトセンサと平板上物体間の倍率をMとすると、T=D/M/Vs という関係であることを特徴とする請求項1に記載の位置合わせマーク計測装置。
- 前記繰り返し周期ごとに前記第2計測方向のステージ位置を測定し、記憶することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の位置合わせマーク計測装置。
- 前記記憶したステージ位置を用いて、得られた2次元画像のライン毎の第2計測方向の位置を補正することを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の位置合わせマーク計測装置。
- 請求項1〜請求項5のいずれかに記載の位置合わせマーク計測装置を使用することを特徴とする半導体製造装置。
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US8736924B2 (en) | 2011-09-28 | 2014-05-27 | Truesense Imaging, Inc. | Time-delay-and-integrate image sensors having variable integration times |
JP2015053404A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | キヤノン株式会社 | 計測装置、計測方法、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
JP7461240B2 (ja) | 2020-07-22 | 2024-04-03 | 株式会社Screenホールディングス | 位置検出装置、描画システムおよび位置検出方法 |
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2009
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US8964088B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-02-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Time-delay-and-integrate image sensors having variable intergration times |
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US9503606B2 (en) | 2011-09-28 | 2016-11-22 | Semiconductor Components Industries, Llc | Time-delay-and-integrate image sensors having variable integration times |
JP2015053404A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | キヤノン株式会社 | 計測装置、計測方法、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
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