JPH10172901A - 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法Info
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- JPH10172901A JPH10172901A JP8352242A JP35224296A JPH10172901A JP H10172901 A JPH10172901 A JP H10172901A JP 8352242 A JP8352242 A JP 8352242A JP 35224296 A JP35224296 A JP 35224296A JP H10172901 A JPH10172901 A JP H10172901A
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Abstract
チクル面上のパターンを投影光学系によりウエハ面上に
高い光学性能を有して走査投影することのできる走査型
投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を得
ること。 【解決手段】 第1可動ステージに載置した第1物体面
上のパターンを投影光学系により第2可動ステージに載
置した第2物体面上に走査手段により双方を同期させて
走査投影露光する際、該投影光学系による該第1物体の
像面位置を計測する検出手段、該第1可動ステージを走
査しながら該検出手段で計測した該像面位置を該第1可
動ステージの各走査位置における該像面位置に関する補
正値として記憶する記憶手段とを有し、該走査投影露光
する際に該記憶手段に記憶した補正値を利用して、駆動
手段で該第2物体をフォーカス方向に駆動させて該像面
位置に設定していること。
Description
及びそれを用いたデバイスの製造方法に関し、例えばI
CやLSI等の半導体デバイスやCCD等の撮像デバイ
スや液晶パネル等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバ
イスを製造する工程のうち、リソグラフィー工程におい
て使用される走査型投影露光装置において、レチクル等
の第1物体面上のパターンをウエハ等の第2物体面上に
投影光学系により投影する際のウエハの光軸方向の位置
合わせ(焦点合わせ)を行う場合に好適なものである。
の高集積化がますます加速度を増しており、これに伴う
半導体ウエハの微細加工技術の中心をなす投影露光装置
として、円弧状の露光域を持つ等倍のミラー光学系に対
してマスクと感光基板を走査しながら露光する等倍投影
露光装置(ミラープロジェクションアライナー)や、マ
スクのパターン像を屈折光学系により感光基板上に形成
し、感光基板をステップアンドリピート方式で露光する
縮小投影露光装置(ステッパー)等が提案されている。
ンが大型化する傾向にあり、投影露光装置においてはマ
スク上のより大きな面積パターンを感光基板上に露光す
る大面積化が求められている。
が得られ、且つ画面サイズを拡大できるステップアンド
スキャン方式の走査型投影露光装置(露光装置)が種々
と提案されている。この走査型露光装置では、レチクル
面上のパターンをスリット状光束により照明し、該スリ
ット状光束により照明されたパターンを投影系(投影光
学系)を介し、スキャン動作によりウエハ上に露光転写
している。
従来の反射投影光学系を用いた等倍の走査型露光装置を
改良し、投影光学系に屈折素子を組み込んで、反射素子
と屈折素子とを組み合わせたもの、或いは屈折素子のみ
で構成した縮小投影光学系を用いて、マスクステージと
感光基板のステージ(ウエハステージ)との両方を縮小
倍率で応じた速度比で同期走査する走査型露光装置等が
提案されている。
略図である。
(レチクル)301はマスクステージ3で支持され、感
光基板であるウエハ313はウエハステージ5で支持さ
れている。マスク301とウエハ313は投影光学系1
を介して光学的に共役な位置に置かれており、不図示の
照明系からの図中Y方向に伸びるスリット状の露光光3
12がマスク301を照明し投影光学系1の投影倍率に
比した大きさでウエハ3に結像している。走査露光は、
このスリット状の露光光312、言い換えれば投影光学
系1に対してマスクステージ3とウエハステージ5の双
方を光学倍率に応じた速度比でX方向に動かしてマスク
301とウエハ313を走査することにより行ってい
る。そしてマスク301上のデバイスパターン303全
面をウエハ313上の転写領域に転写している。
ウエハ上に露光する。 (a1)マスクパターンの転写されていないウエハ(以
下、ファーストウエハと呼ぶ)。(a2)マスクパター
ンが形成されているウエハ(以下、セカンドウエハと呼
ぶ)。
ターンを重ね露光する方法として、マスク301及びウ
エハ313上のパターンの配列を検出し、レーザー干渉
系307,308により各ステージの位置をモニタしな
がら、位置合わせを行った後に露光する方法がある。
露光系を用いた場合、ウエハ上に形成されるパターン領
域の投影倍率分だけ大きなマスク301を用いる必要が
ある。一般に大きなマスク301を支持する為には、マ
スクステージ3も大きくなり、又それを駆動する駆動系
を考慮すると重量が増えてくる。そして実際の露光時に
マスクステージ3をスライドさせるとマスクステージ3
の重心移動による投影露光系1の姿勢変化が生じ、或い
は甚だしい場合偏心が発生する。
動する為、マスクステージ3をある速度まで加速する際
の反動による投影光学系1の振動及びマスクステージ3
自体のピッチングが発生してくる。この振動もやはり投
影光学系の姿勢変化を招き、この姿勢変化の為に所望の
露光フォーカスに対するズレ、又は像面の像ズレが発生
してくる。又、マスクステージ3のピッチングによって
も露光面のフォーカスズレや像ズレが発生してくる。
出する方法では、マスクステージ3及びウエハステージ
5が共にXY平面上で静止した状態でなければ計測がで
きなかった。又、この方法は走査露光装置において走査
露光時の本質的なフォーカス(或いはフォーカスの変
動)が判らないという問題点があった。
ーカス変動を観察する方法として、実際にレジストが塗
布されたウエハ上に対して走査露光し、現像した後にレ
ジスト像からフォーカスの変動の様子を考慮する方法が
ある。
れることは、精々、ディフォーカス量の絶対値であり、
ディフォーカスの方向までは判断することができない。
従って、走査露光中のフォーカス変動に対して補正を行
うことができなく、その為、走査露光のフォーカス変動
によってレジストの解像力の低下を招き、半導体素子の
製造上歩留まりの低下が発生してしまうという問題点が
あった。
物体としてのレチクル面上のパターンを投影光学系で第
2可動ステージに載置した第2物体としてのウエハ面上
に走査投影する際、該第1可動ステージを走査したとき
の各走査位置における投影光学系による第1物体の像面
位置を計測する検出光学系の構成を適切に設定すること
により、第1及び第2可動ステージの駆動により発生す
る投影光学系による第1物体の像面フォーカス方向の変
動量を第1可動ステージの位置に対して計測し、この計
測値に基づき実際の走査露光時に第2可動ステージをフ
ォーカス方向に補正駆動しながら走査露光することによ
り高精度な露光を可能とし、高集積度の半導体デバイス
を容易に製造することができる走査型投影露光装置及び
それを用いたデバイスの製造方法の提供を目的とする。
装置は、(1−1)第1可動ステージに載置した第1物
体面上のパターンを投影光学系により第2可動ステージ
に載置した第2物体面上に走査手段により該第1,第2
可動ステージを該投影光学系の撮影倍率に対応させた速
度比で同期させて走査投影露光する走査型投影露光装置
において、該投影光学系による該第1物体の像面位置を
計測する検出手段、該第1可動ステージを走査しながら
該検出手段で計測した該像面位置を該第1可動ステージ
の各走査位置における該像面位置に関する補正値として
記憶する記憶手段とを有し、該走査投影露光する際に該
記憶手段に記憶した補正値を利用して、駆動手段で該第
2物体をフォーカス方向に駆動させて該像面位置に設定
していることを特徴としている。
動ステージを走査しながら該検出手段で前記像面位置を
計測する前に該第1可動ステージが固定しているときの
前記投影光学系による前記第1物体の像面位置情報を検
出し、該像面位置情報を利用して前記第1可動ステージ
の各走査位置に対する像面位置に関する情報を算出して
いること、(1-1-2) 前記検出手段は前記第1物体上に照
明光を照射する照明光源を有し、該第1物体面上には該
照明光の一部が通過する第1スリットが設けられてお
り、該照明光のうち該第1スリットを通過し、該投影光
学系を介した光束を受光手段で検出し、該受光手段で得
られる信号を利用して該第1可動ステージの各走査位置
における該投影光学系による該第1物体の像面位置に関
する情報を検出していること、(1-1-3) 前記検出手段は
前記第2可動ステージに設けた第2スリットマークを照
明する照明光源を有し、該第2スリットマークと前記投
影光学系を介した光束を受光手段で検出し、該受光手段
で得られる信号を利用して該第1可動ステージの各走査
位置における該投影光学系による該第1物体の像面位置
に関する情報を検出していること、(1-1-4) 前記受光手
段は前記照明光のうち前記第1スリットを通過し、前記
投影光学系を介した後に前記第2可動ステージに設けた
段差構造を有する反射面で反射し、該反射した光束のう
ち該投影光学系と該第1スリットを介した光束を検出し
ていること、(1-1-5) 前記第1物体上には前記像面位置
計測用の第1パターンと前記第2可動ステージ面上を観
察する為の観察窓とが設けられており、前記第2可動ス
テージ上には前記像面位置計測用の第2パターンが設け
られており、前記検出手段は該第1,第2パターンを同
時に観察する観察系を有し、該観察系で観察される該第
1,第2パターンを利用して該第1可動ステージの各走
査位置における該投影光学系による該第1物体の像面位
置に関する情報を検出していること等を特徴としてい
る。
−1)の走査型投影露光装置を用いてレチクルとウエハ
との位置合わせを行った後に、レチクル面上のパターン
をウエハ面上に投影露光し、その後、該ウエハを現像処
理工程を介してデバイスを製造していることを特徴とし
ている。
概略図である。図2は本発明に係る投影光学系による第
1物体の結像面(フォーカス面)の検出方法の説明図で
ある。
(フォトマスクともいう。)であり、レチクル301の
下面にはクロム蒸着等で形成した回路パターンが設けて
ある。3はレチクル301を保持し、XY方向に移動可
能な第1可動ステージとしてのマスクステージ(レチク
ルステージともいう。)である。1は投影レンズ(投影
光学系)であり、露光照明系(不図示)によって照明さ
れたレチクル301の回路パターンのウエハテーブル2
bに保持した第2物体としてのウエハ2aに投影してい
る。ウエハテーブル2bは第2可動ステージとしてのウ
エハステージ5に載置している。
ハステージ5を投影レンズ1による結像倍率と同じ比率
の速度で走査方向(X方向)に正確に一定速度で同期さ
せて、モータ等の走査手段(不図示)で互いに逆方向へ
移動させて走査露光している。
て、フォーカス検出系4に不図示の照明光源からの照明
光束(露光光)が入射し、マスクステージ3上に支持さ
れたレチクル301を照明する。照明光は図4(A)に
示すようにレチクル301に設けられたスリットパター
ン(第1スリット)9(9a,9b)を通過した後、投
影光学系1を通してウエハステージ5上の反射面31に
到達する。
ウエハテーブル2及び投影光学系1のフォーカス面検出
用の反射面31が取り付けられている。レチクル301
上のスリット9を通過した照明光は、反射面31によっ
て反射し、再び投影光学系1を通ってレチクル301上
のスリット9に達する。そのスリット9を再び通過した
光はフォーカス検出系4を通って受光手段としての光量
検出手段(不図示)に入射して、該光量検出手段で戻り
光の光量を検出している。
て、投影光学系1、反射面31を介して再びそのスリッ
トを戻って来る光量は、ウエハステージ5上の反射面3
1のフォーカス位置に依存して変化する。その戻って来
る光量はレチクルパターンの投影光学系1による投影像
のベストピント面で最大値となり、ディフォーカス量に
応じて光量は減少する。つまり、このスリット9を通過
し検出された光量を観察することによって、投影光学系
1のフォーカス面の変動を観察している。
第1物体としてのレチクル301に設けたスリットパタ
ーン9を用いて、投影光学系1によるレチクル301の
結像位置(フォーカス位置)を検出する(測定する)検
出手段を説明する。
「レチクル」とも呼ぶ。)にスリット(スリットパター
ン)9を設ける。露光波長を有する照明光源8から出射
した光は、ビームスプリッタ30を通過した後、照明兼
検出光学系4(以下、「検出光学系」と省略する。)を
通してレチクル301上を照射する。レチクル301の
パターン面上には所定の間隔となるスリット9があり、
このスリット9を通過した光は投影光学系1を通して不
図示のウエハステージ5上に設けられた反射面32aに
到達する。
301のパターン面に対して理想像面(ベストフォーカ
ス面)上にあった場合、反射面32aより反射した光
(実線)は投影光学系1を再び通ってレチクル301の
パターン面上に到達する。反射面32aがベストフォー
カス面にある為、スリット9を通過した光は再びスリッ
ト9を通過して検出光学系4に入る。その後、ビームス
プリッタ30によって受光手段としての光電変換素子7
に入射する。
ズレて32bの位置にあったとする。このときスリット
9を通過し、反射面32bから反射した光(点線)はレ
チクル301側でディフォーカスした位置に集光する。
従って、レチクル301のパターン面上のスリット9に
対してディフォーカスする為、スリット9で一部が遮光
されてしまい、通過する光量が減少してしまう。つまり
反射面32をフォーカス方向に振ることでスリット9か
ら通過する光量が変化する。
である。横軸に反射面32のフォーカス方向の位置、縦
軸にスリットを通って戻って来る光量(以下、「検出光
量」と省略する。)とすると、ベストフォーカス位置で
検出光量がピークとなり、ディフォーカスするにつれて
光量が減少する。本実施形態では光量のピークを見つけ
ることによって、レチクル301のパターン面に対する
投影光学系1のベストフォーカス面を検出している。
投影露光装置に搭載し、マスクステージ3及びウエハス
テージ5を走査しながら、この検出光量を観察すること
によって、レチクル301のパターン面のウエハ面上で
のフォーカス変動を確認している。そして、この計測を
露光に先立って測定し、オフセットとして記憶手段に記
憶しておき、このオフセットに基づき実際の露光時にウ
エハステージ5上のウエハをフォーカス方向に駆動しな
がら露光している。このようにすることで、走査露光時
のフォーカス変動を補正して、所望の走査露光を行って
いる。
ス量DEに対する検出手段で検出される光量に基づく検
出信号ISを縦軸に、ディフォーカス量を横軸にとった
ときの検出信号ISの変化の様子(以下、「プロファイ
ルデータ」と呼ぶ。)を示している。
のフォーカス位置に対して、検出信号ISはベストフォ
ーカス位置DOでMAX(最大)となり、ディフォーカ
スするにつれて小さくなる。ここでは、このディフォー
カス量に対する検出信号ISは装置固有であり、ディフ
ォーカス量の絶対値に対する検出信号の強度は1対1で
あると考えられる。従って、検出信号ISの強度を観察
することによって、ディフォーカス量の絶対値を検出し
ている。
ディフォーカス量に対する検出信号ISの強度が、図8
(B)に示すように変化する場合がある。このときは予
めマスクステージ3を固定の位置でウエハステージ5上
の反射面31をフォーカス方向に変動させて、同時にこ
のプロファイルを計測し、ディフォーカス量DEに対す
る検出信号IS強度のテーブルを保存している。
ィフォーカス量DEに対する検出信号ISの強度をテー
ブルとして記憶手段に保管しておき、マスクステージ3
を走査しながら、この検出光量を見ることでマスクステ
ージ3の走査による像面変動(フォーカス変動)を観察
している。像面変動の発生原因の1つとして、マスクス
テージ3が走査時に走査位置に応じて上下方向(光軸方
向)に変動する所謂ピッチングがある。また実露光のス
ループットを考慮すると、マスクステージ3を高速に走
査する必要がある。
を搭載している為、その重量も大きくなる。従って、マ
スクステージ3の走査を開始する際の加速による反動に
よって、投影光学系1が振動或いは歪みが生じる恐れが
ある。その振動或いは歪みによっての像面変動が予想さ
れる。これらの要因による像面の変動量は、装置固有の
ものであり短時間では再現して発生すると考えられる。
(9a,9b)としては、図4(A)に示すように、走
査方向に対して平行なスリット(以下、「Hマーク」と
呼ぶ。)と、これとは直交する方向(「Vマーク」と呼
ぶ。)の2種類が設けられている。更に、そのスリット
は走査方向に直交方向に離れた2群(9a,9b)から
なっている。このようにレチクル上の2か所で、そのフ
ォーカス変動を観察することによって、走査中の走査方
向に直交方向でのフォーカス変動を観察している。
成分を計測している。但し、このチルト成分が無視でき
る量であることが保証されている場合、このスリットは
片側で計測するようにしても良い。更に上記ではスリッ
トをHマーク及びVマークの2種類用いているが、シス
テム的には片側(例えばHマーク)だけを用いても構わ
ない。
ーン9が設けられたレチクル301を用いて、マスクス
テージ3の走査中のフォーカス変動を計測している。次
に実際の計測シーケンスについて、図9のフローチャー
トを用いて詳細に解説する。
されると、この計測が開始する(ステップ200)。つ
まり走査露光のメインシーケンス中にこの計測を実行し
ても良いし、またオペレータの意志に基づいて実行して
も構わない。
を基準位置に駆動し、その位置でベストフォーカス位置
Z(B.F) 及びプロファイルデータ(図8)を算出し、デ
ィフォーカスに対する検出信号強度をテーブルとして保
管する。これらのデータは、上記で既に述べた手順で計
測している。
テージ5上の反射面31を上記より求まったベストフォ
ーカス位置Z(B.F) に駆動する。その後、反射面31の
フォーカス位置は駆動せずに、マスクステージ3を走査
しながら検出光量(検出信号)を計測する(ステップ2
03)。このときマスクステージ3の位置に対して計測
するサンプリングのタイミングは、照明光領域中のスリ
ットの本数(特にVマークの本数)が一致するように同
期するようにしている。既に述べたように検出信号から
はディフォーカス量は算出できるが、その方向は判断で
きない。その為、以下のようなシーケンスによって方向
及びディフォーカス量を検出している。
置に対する検出信号変化を計測している。図10,図1
1,図12はこの様子を示した説明図である。次に図1
0,図11,図12を用いてフォーカス変動の場合に応
じて解説する。
フがマスクステージ3の位置に対する実際のフォーカス
変動を示し、下方にはこのとき検出される検出信号を示
している。
置に応じた検出信号中にベストピント面から得られる検
出信号のピーク値Mmaxが含まれているかを判断す
る。もし検出信号にこのピーク値Mmaxが含まれてい
る場合、ステップ205に進む。この様子を図10を用
いて解説する。ピーク値Mmaxを含む場合(図10
(A))、ステップ205で検出信号の最小値Min値
から、その位置X1でのディフォーカス量Zdを求め
る。また検出信号からディフォーカス量変化の絶対値Z
ab(x)をプロファイルデータに基づいて、マスクス
テージ3の位置Xに対して求める。
Zdより、−Zdだけ反射面31全体を更に駆動する
(ステップ206)。そのフォーカス位置から再びマス
クステージ3を走査し、上記と同様に検出信号を得る
(ステップ207)。この段階で得られた検出信号は、
位置X1で検出信号が最大値Maxとなり、この位置を
ベストピント位置として、そのディフォーカス方向(符
号(a(x)))を示している(図10(B))。つま
りステップ205で求まる絶対値Zab(x)に、ステ
ップ207で求めたa(x)を乗じることでマスクステ
ージ3の走査露光中のフォーカス変動Z(x)が検出で
きる(ステップ208:Z(x)=Zab(x)×a
(x))。
ス方向のディフォーカス量Zdを持っている場合、同様
にステップ207まで進める。ここで検出信号の最大値
Maxが発生する位置X2を基準として、ここを中心に
ディフォーカスの方向a(x)を同様に求め、以下同様
の処理を行う。
フセットとして保管し(ステップ209),ステップ2
10では、このフォーカスオフセットに基づき反射面3
1を駆動しながら検出信号を観察し、フォーカス変動が
無いことを確認して(ステップ210)終了する。
ーク値Mmaxが含まれていた場合について解説してき
た。次にシーケンス204に戻り、検出信号のピーク値
Mmaxを含まない場合について、図11,図12を用
いて解説する。
axからディフォーカス量Zd(max)を算出する。
またフォーカス変動の絶対値Z’ab(x)を求める。
次にステップ212において、ディフォーカス量+Zd
(max)だけ反射面31を駆動し再びマスクステージ
3を走査しながら、フォーカス変動計測を行う(ステッ
プ213)。ここでフォーカス変動の様子が図11
(A)で代表される場合と、図12(A)で代表される
場合がある。
1をディフォーカス量+Zd(max)だけ駆動し、検
出すると検出信号のピークの値がMmaxになり、検出
信号全体が最初の計測時のそれよりも大きくなる。つま
りステップ214で検出信号強度が増加した場合、ステ
ップ215aに移行する。そこでステップ207と同様
にa(x)を求め、ディフォーカス量Zd(max)を
ベストフォーカス位置として、フォーカス変動Z(x)
=Z’ab(x)×a(x)として算出している。
射面31をディフォーカス量+Zd(max)だけ駆動
し、再び計測すると検出信号が最初に得られたそれより
も小さくなり、また最大値Mmaxから離れる値が検出
される。従って、この場合、ステップ215bに移行し
て変動方向a(x)を求めると同時に、ベストピント位
置を−Zd(max)として、フォーカス変動Z(x)
=−Z’ab(x)×a(x)を算出する。
(x)の値をフォーカス変動オフセットとして同様に記
憶手段に保管し、ステップ210に移行した後、上記と
同様にシーケンスを進める。
やディフォーカス量Zd(max)だけ駆動して計測す
る場合について解説してきたが、本発明はこれに限定さ
れない。つまり反射面31をフォーカス方向に駆動し、
2回以上計測することで走査露光中のフォーカス変動
(方向も含めて)を検出できることが容易に予想され
る。
ォーカス変動量Z(x)を求めることができたが、この
フォーカス変動Z(x)は装置固有であり長期的な経時
変化はあるものの、短時間の変動(最低でもウエハ1ロ
ット露光する間)では変化しないで再現されると考えら
れる。
たフォーカス変動Z(x)をオフセットとして補償する
ようにウエハステージ5上のウエハをフォーカス方向に
駆動しながら走査露光することで、マスクステージ3の
駆動に伴う投影光学系のフォーカス変動を補正し、これ
によって高精度の走査露光を可能としている。
てきたが、実露光する際スループットを考慮すると、往
復方向から走査露光する可能性がある。その場合、2方
向でフォーカス変動Z(x)をそれぞれ求め、それらを
オフセットとして制御し、実露光をしても良い。またそ
の場合の計測では、最初の計測を2方向で求め、その後
2回目の検出を2方向で行うことで、計測時間の短縮化
が図れる。
査しながら計測したが、ウエハステージ5上の反射面3
1を走査方向に長く設定してウエハステージ5も走査し
ながら計測をしても良い。
図4(B)を用いて説明する。
走査しフォーカス変動量を算出したが、本実施形態では
スループットを考慮して1回の走査によってフォーカス
変動量を算出している。
された光は、フォーカス検出系4を通してマスクステー
ジ3で支持されたレチクル301のパターン面を照明す
る。レチクル301のパターン面には、図4(B),図
7に示したようなスリット21,22が構成されてい
る。スリット21a,21b(22a,22b)を透過
した光は、投影光学系1を通過した後、ウエハステージ
5上に設けられた反射面40a(40b)に到達する。
カス方向に段差を付けた2つの反射面24と反射面25
から構成している。スリット21aを通過した光26a
は反射面25に到達し、スリット21bを通過した光2
6bは反射面24に到達する。それぞれの反射面より反
射した光は、再び投影光学系1を通ってフォーカス検出
系4に戻る。フォーカス検出系4の後ろには、レチクル
パターン面が結像する位置(レチクルパターンと共役な
位置)に、光線26a及び光線26bの反射光(検出
光)を分割する為の分割ミラー11aが配置されてい
る。
6aの検出光は方向80aに反射し、不図示の光電変換
素子によって、その光量が検出される。同様に、光線2
6bの検出光は方向80bに反射し、不図示の光電変換
素子によって、その光量が検出される。方向81a及び
81bから検出される光量は、ウエハステージ5のフォ
ーカス変動に対して、図5に示すように、それぞれ23
a,23bのように反射面24,25の段差分だけフォ
ーカスのピークが異なる検出信号が得られる。
24がベストピント面にした状態から測定を開始したと
する。そのとき検出信号23aから信号強度Ma−ma
xが得られ、検出信号23bからは信号強度Mb0が得
られる。次に、マスクステージ3を走査しフォーカス変
動量を計測し始めると、もしフォーカスがD.F−1に
変化すると検出信号23aからはMa1なる強度が得ら
れる。この出力値Ma1からディフォーカス量の絶対値
を求めることができる。このとき検出信号23bからは
Mb1なる強度が得られる。また検出信号23aから上
記と同様の出力値Ma1であるが、ディフォーカス方向
の異なるD.F−2に変化したとすると、検出信号23
bからはMb2なる強度の信号が得られる。つまり検出
信号23bからの出力値を観察することでディフォーカ
スの方向が判る。
場合も、予めフォーカス変動に対する検出信号のプロフ
ァイルを求めておき、その後、マスクステージ3の走査
時のフォーカス変動量計測を行うことでより精度の高い
計測を可能としている。
ット21(図4(B)表示)について解説してきたが、
レチクル21とは反対側に設けられたスリット22を用
いて同様の計測が可能である。このようにレチクルの両
側でのフォーカス変動を観察することで、走査方向に垂
直方向のフォーカス変動(チルト成分)を検出すること
ができる。従って、これらの計測値をオフセットとして
管理し、実際の露光時にはウエハステージ5をフォーカ
ス方向に駆動しながら露光することで精度良く走査露光
ができる。
る。
たスリットを用い、スリット上を照明し、ウエハステー
ジ5上の反射面からの戻り光の光量でフォーカス変動を
観察していた。これに対して本実施形態では、ウエハス
テージ5上に設けられた検出用マーク(第2スリットマ
ーク)を観察して、同様な効果を得ている。
ステージ3上に設けた検出用マーク(第2スリットマー
ク)60の説明図である。
の検出方法を図14を用いて解説する。
れた光は、照明光学系68を通してビームスプリッタ6
6に入射する。ビームスプリッタ66によって反射した
光は、検出光学系63、ミラー62で反射して、レチク
ル301上のパターン面上を落射照明する。所謂ケーラ
ー照明する。このときレチクル301上にパターンが存
在しない領域では、照明光が投影光学系1を透過してウ
エハステージ5上に設けられた検出用マーク60まで到
達する。検出用マーク60からの反射光もしくは散乱光
は再び投影光学系1を戻り、レチクル301を通してミ
ラー62で反射して検出光学系63に入射し、ビームス
プリッタ66を透過する。透過した光は検出光学系64
を通して、光電変換素子65上に検出用マーク60の像
を結像する。検出光学系64をフォーカス方向に駆動す
ることで、レチクル301上のマーク或いは検出用マー
ク60の像を光電変換素子65上にフォーカスを合わせ
ている。
にレチクルパターンに対してフォーカスをするマーク9
0(以下「レチクルフォーカスマーク」と呼ぶ。)とウ
エハステージ5上の検出用マーク60を観察できる窓
(観察窓)91が設けられている。またウエハステージ
5上の検出マーク60としては、図13(B)に示すよ
うな2つのスリットマークが設けられている。このよう
な構成のレチクルに対して、検出系でレチクル301を
観察すると、もしレチクルパターンに対してウエハステ
ージ5のフォーカス方向が合っている場合で、且つ検出
光学系64によって光電変換素子65上にフォーカスを
合わせておけば、そこで観察される両方の像(60、9
0)共にフォーカスが合った状態で観察できる。つまり
レチクル301上のパターンとウエハステージ5上の検
出用マーク60を同時に観察でき、常にレチクルパター
ンに対してフォーカスを合わせておけば、ウエハステー
ジ(レチクル像)5のディフォーカス状態を検出するこ
とができる。
64により、光電変換素子65のフォーカス合わせの手
順を以下に解説する。図15(A)には光電変換素子6
5上に結像するレチクルパターン90と検出用マーク6
0の様子を示している。マスクステージ3を走査中にこ
れらのマークを観察する際に、検出光学系64は光電変
換素子65上にレチクルパターン90がフォーカスが合
うようにリアルタイムで駆動する。
ク波形よりディフォーカス量を算出する。実際にはマス
クステージ3のピッチング等によってレチクルパターン
の検出系に対してフォーカス変動がある場合、検出系を
レチクルパターンに対して走査中常にフォーカスを合わ
せなければならない。その為、レチクル301上のフォ
ーカスマーク90の波形を観察し、そのベストフォーカ
ス状態になるよう制御系70を通して検出光学系64を
駆動する駆動系69に負帰還を加えている。
摸式図を示す。フォーカス量の評価方法としては、検出
波形のMAX値及びMIN値を基にコントラストを算出
する。ディフォーカス量に対するこのコントラスト値の
変化の様子を図15(C)に示す。このようにコントラ
ストはベストフォーカス面でピークとなり、ディフォー
カスするにつれてその値は減少する。従って実施形態1
の中で使用した図8(A)と同様に使うことができ、実
施形態1で解説した同様の手順でフォーカス変動が検出
できる為、ここでの解説は省略する。これまでは波形信
号のMAX値及びMIN値よりコントラストを算出して
評価したが、実際はこれに限定されるものではない。つ
まり検出波形のエッヂ部(図15(B)の領域93)の
傾き(微分値の絶対値)を評価しても良い。
検出マークに関して述べてきたが、必ずしも両方が必要
ではない。もし両マークを用いて検出する場合、Hマー
クのベストピント面とVマークのベストピント面の中間
の値をレチクル像のベストピント面とすると良い。それ
に対して検出系及び投影光学系1に非点収差の発生量が
無視できるような光学系の場合、Hマーク或いはVマー
クのみで測定し、そこから得られた計測値をフォーカス
の補正値としても良い。
トピント面としたが、実際の露光像面に対してオフセッ
トを持っている場合がある。この場合、オフセット量を
予め実露光によって求めた上で、このオフセットを考慮
してフォーカス変動値を算出しても良く、これによれば
高精度の実露光に即した計測ができる。
用した半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明す
る。
の半導体チップ、或いは液晶パネルやCCD等)の製造
のフローを示す。
スの回路設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4
(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
れ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシ
ング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)等の工程を含む。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷(ステップ7)される。
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打
込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
を現像する。ステップ18(エッチング)では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ19(レジス
ト剥離)ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製
造することができる。
1可動ステージに載置した第1物体としてのレチクル面
上のパターンを投影光学系で第2可動ステージに載置し
た第2物体としてのウエハ面上に走査投影する際、該第
1可動ステージを走査したときの各走査位置における投
影光学系による第1物体の像面位置を計測する検出光学
系の構成を適切に設定することにより、第1及び第2可
動ステージの駆動により発生する投影光学系による第1
物体の像面フォーカス方向の変動量を第1可動ステージ
の位置に対して計測し、この計測値に基づき実際の走査
露光時に第2可動ステージをフォーカス方向に補正駆動
しながら走査露光することにより高精度な露光を可能と
し、高集積度の半導体デバイスを容易に製造することが
できる走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの
製造方法を達成することができる。
の例
フ
上の検出マークの反射面の摸式図
細図
グラフ
ス変動を示すグラフ
ス変動を示すグラフ
ス変動を示すグラフ
クとウエハ上マーク
観察像及び検出信号とコントラスト変化の様子
ト
ト
Claims (7)
- 【請求項1】 第1可動ステージに載置した第1物体面
上のパターンを投影光学系により第2可動ステージに載
置した第2物体面上に走査手段により該第1,第2可動
ステージを該投影光学系の撮影倍率に対応させた速度比
で同期させて走査投影露光する走査型投影露光装置にお
いて、該投影光学系による該第1物体の像面位置を計測
する検出手段、該第1可動ステージを走査しながら該検
出手段で計測した該像面位置を該第1可動ステージの各
走査位置における該像面位置に関する補正値として記憶
する記憶手段とを有し、該走査投影露光する際に該記憶
手段に記憶した補正値を利用して、駆動手段で該第2物
体をフォーカス方向に駆動させて該像面位置に設定して
いることを特徴とする走査型投影露光装置。 - 【請求項2】 前記検出手段は前記第1可動ステージを
走査しながら該検出手段で前記像面位置を計測する前に
該第1可動ステージが固定しているときの前記投影光学
系による前記第1物体の像面位置情報を検出し、該像面
位置情報を利用して前記第1可動ステージの各走査位置
に対する像面位置に関する情報を算出していることを特
徴とする請求項1の走査型投影露光装置。 - 【請求項3】 前記検出手段は前記第1物体上に照明光
を照射する照明光源を有し、該第1物体面上には該照明
光の一部が通過する第1スリットが設けられており、該
照明光のうち該第1スリットを通過し、該投影光学系を
介した光束を受光手段で検出し、該受光手段で得られる
信号を利用して該第1可動ステージの各走査位置におけ
る該投影光学系による該第1物体の像面位置に関する情
報を検出していることを特徴とする請求項1又は2の走
査型投影露光装置。 - 【請求項4】 前記検出手段は前記第2可動ステージに
設けた第2スリットマークを照明する照明光源を有し、
該第2スリットマークと前記投影光学系を介した光束を
受光手段で検出し、該受光手段で得られる信号を利用し
て該第1可動ステージの各走査位置における該投影光学
系による該第1物体の像面位置に関する情報を検出して
いることを特徴とする請求項1又は2の走査型投影露光
装置。 - 【請求項5】 前記受光手段は前記照明光のうち前記第
1スリットを通過し、前記投影光学系を介した後に前記
第2可動ステージに設けた段差構造を有する反射面で反
射し、該反射した光束のうち該投影光学系と該第1スリ
ットを介した光束を検出していることを特徴とする請求
項3の走査型投影露光装置。 - 【請求項6】 前記第1物体上には前記像面位置計測用
の第1パターンと前記第2可動ステージ面上を観察する
為の観察窓とが設けられており、前記第2可動ステージ
上には前記像面位置計測用の第2パターンが設けられて
おり、前記検出手段は該第1,第2パターンを同時に観
察する観察系を有し、該観察系で観察される該第1,第
2パターンを利用して該第1可動ステージの各走査位置
における該投影光学系による該第1物体の像面位置に関
する情報を検出していることを特徴とする請求項1又は
2の走査型投影露光装置。 - 【請求項7】 請求項1〜6のいずれか1項記載の走査
型投影露光装置を用いてレチクルとウエハとの位置合わ
せを行った後に、レチクル面上のパターンをウエハ面上
に投影露光し、その後、該ウエハを現像処理工程を介し
てデバイスを製造していることを特徴とするデバイスの
製造方法。
Priority Applications (7)
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---|---|---|---|
JP35224296A JP3495868B2 (ja) | 1996-12-11 | 1996-12-11 | 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
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DE69703395T DE69703395T2 (de) | 1996-01-16 | 1997-01-14 | Projektionsapparat zur Abtastbelichtung und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung desselben |
EP00200151A EP1001313A1 (en) | 1996-01-16 | 1997-01-14 | Scan type projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
EP97300181A EP0785472B1 (en) | 1996-01-16 | 1997-01-14 | Scan type projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
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Country | Link |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6813001B2 (en) | 2001-11-02 | 2004-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure method and apparatus |
CN113433800A (zh) * | 2020-03-23 | 2021-09-24 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 垂向测量系统及曝光装置 |
-
1996
- 1996-12-11 JP JP35224296A patent/JP3495868B2/ja not_active Expired - Fee Related
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