JPS62237726A - 投影式露光装置 - Google Patents
投影式露光装置Info
- Publication number
- JPS62237726A JPS62237726A JP61079913A JP7991386A JPS62237726A JP S62237726 A JPS62237726 A JP S62237726A JP 61079913 A JP61079913 A JP 61079913A JP 7991386 A JP7991386 A JP 7991386A JP S62237726 A JPS62237726 A JP S62237726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment pattern
- wafer
- exposure apparatus
- liquid crystal
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マスク上の回路パターンをウェハ上に重ね露
光する半導体露光装置に係り、特に、ウェハアライメン
トパターンの高コントラスト検出を図り、高精度なアラ
イメントを行う半導体露光装置に関する。
光する半導体露光装置に係り、特に、ウェハアライメン
トパターンの高コントラスト検出を図り、高精度なアラ
イメントを行う半導体露光装置に関する。
第２図に半導体製造に用いられる縮小投影露光装置の構
成を示す。マスク（又はレチクル）１５に描画された回
路パターン１６を縮小レンズ１８により数分の１１こ縮
小し、ウェハ１９上に１チツプずつ露光するものである
７、一般に、半導体は数種類の回路パターンを順次重ね
焼きして形成される。そこで、露光時にマスク１５上の
回路パターン１６とウェハ１９上に既に形成されている
回路パターン２０との重ね合せを行う念めの検出系１が
あり、マスク１５上のマスクアライメントパターン１７
とウェハ１９上のウェハアライメントパターン２１の検
出を行い位置ずれを補正している。ウエノ・アライメン
トパターン２１はＭ３図に示すように凹又は凸の立体構
造をとっている。ここで、３５はレジストである。ウニ
・・アライメントパターン２０こ光を照射すると段差エ
ツジ部で光が散乱５２．５２’ する。これをレンズ
５０で取込むことによりパターン検出を行っている。と
ころで、半導体回路パターンの微細化が進むとウェハア
ライメントパターン２１の段差ｄが小さい工程も生じて
くる。この場合、散乱光３２．５２’が正反射光成分３
１に比べて極度に小さくなるため、第４図５５のように
検出信号のコントラストが低下する。ここで、Ｘはウェ
ハ上の位Ｒ，Ｉは信号強度、３６は段差ｄの大きい場合
の検出１８号である。
成を示す。マスク（又はレチクル）１５に描画された回
路パターン１６を縮小レンズ１８により数分の１１こ縮
小し、ウェハ１９上に１チツプずつ露光するものである
７、一般に、半導体は数種類の回路パターンを順次重ね
焼きして形成される。そこで、露光時にマスク１５上の
回路パターン１６とウェハ１９上に既に形成されている
回路パターン２０との重ね合せを行う念めの検出系１が
あり、マスク１５上のマスクアライメントパターン１７
とウェハ１９上のウェハアライメントパターン２１の検
出を行い位置ずれを補正している。ウエノ・アライメン
トパターン２１はＭ３図に示すように凹又は凸の立体構
造をとっている。ここで、３５はレジストである。ウニ
・・アライメントパターン２０こ光を照射すると段差エ
ツジ部で光が散乱５２．５２’ する。これをレンズ
５０で取込むことによりパターン検出を行っている。と
ころで、半導体回路パターンの微細化が進むとウェハア
ライメントパターン２１の段差ｄが小さい工程も生じて
くる。この場合、散乱光３２．５２’が正反射光成分３
１に比べて極度に小さくなるため、第４図５５のように
検出信号のコントラストが低下する。ここで、Ｘはウェ
ハ上の位Ｒ，Ｉは信号強度、３６は段差ｄの大きい場合
の検出１８号である。
ウェハからの正反射光成分３１をＲｖＦＴし、散乱光で
ある高次回折光成分のみを検出すると第５図のようにコ
ントラストが向上する。特開昭５３−１３５６５３号公
報などζこ公知例がある。ところで、実際の露光では、
ウェハ上に複数個のウェハアライメントパターンが設け
られており、工程によってこの内の一つ（例えば１．Ｊ
！２ｇ２１’）を選択する２、検出系１とマスクアライ
メントパターン１７が固定の場合には、アライメント後
ウェハを露光位置に移染させる必要があるため（ポスト
・アライメント）スルーブツトとアライメント精度を低
下させてしまう。従って、マスクアライメントパターン
１７′や検出系１をＴ方向（縮小レンズに対し接線方向
）に移動し、アライメント後、直ちに無光することが必
要になってきた。ところで、第６図は、検出系１をＴ方
向に旬かした時のウェハ１９からリニアセ／す１４まで
の系を展開したものである。１５はレチクル、１８は縮
小レンズ、６は前群１１と後群１１′に分割されたリレ
ーレンズ、１２は拡大レンズ、１３は／リントリカルレ
ンズである。縮小レンズが片テレセンドリンク系の場合
、正反射光の光路５０は縮小レンズ１８で曲げられ検出
系１′に入射するが、正反射光成分を遮断し散乱光であ
る高次回折光５１のみを検出するための空間フィルタ９
は従来固定であったために検出系１のＴ方向移動に対応
できなかった。
ある高次回折光成分のみを検出すると第５図のようにコ
ントラストが向上する。特開昭５３−１３５６５３号公
報などζこ公知例がある。ところで、実際の露光では、
ウェハ上に複数個のウェハアライメントパターンが設け
られており、工程によってこの内の一つ（例えば１．Ｊ
！２ｇ２１’）を選択する２、検出系１とマスクアライ
メントパターン１７が固定の場合には、アライメント後
ウェハを露光位置に移染させる必要があるため（ポスト
・アライメント）スルーブツトとアライメント精度を低
下させてしまう。従って、マスクアライメントパターン
１７′や検出系１をＴ方向（縮小レンズに対し接線方向
）に移動し、アライメント後、直ちに無光することが必
要になってきた。ところで、第６図は、検出系１をＴ方
向に旬かした時のウェハ１９からリニアセ／す１４まで
の系を展開したものである。１５はレチクル、１８は縮
小レンズ、６は前群１１と後群１１′に分割されたリレ
ーレンズ、１２は拡大レンズ、１３は／リントリカルレ
ンズである。縮小レンズが片テレセンドリンク系の場合
、正反射光の光路５０は縮小レンズ１８で曲げられ検出
系１′に入射するが、正反射光成分を遮断し散乱光であ
る高次回折光５１のみを検出するための空間フィルタ９
は従来固定であったために検出系１のＴ方向移動に対応
できなかった。
このように上記従来技術は固定された空間フィルタに問
題があった。これを解決するために第６図に示すように
、検出系１のＴ方向移動に応じて空間フィルタ９から９
′に移動させる必要がある。
題があった。これを解決するために第６図に示すように
、検出系１のＴ方向移動に応じて空間フィルタ９から９
′に移動させる必要がある。
しかし、墾間フィルタを機械的に移動させると、検出系
１の安定性を阻害する要因となるために好ましくない。
１の安定性を阻害する要因となるために好ましくない。
本発明の目的は、検出系の安定性を増し、高精度のアラ
イメントが実現できるようにした半導体露光装置を提供
することにある。
イメントが実現できるようにした半導体露光装置を提供
することにある。
上記目的は、投影式露光装置において、ストライプ状に
配置された電極（セル）を有する液晶素子（液晶空間フ
ィルタ）と検光子を検出系の光路内に設置し、検出系の
移動に応じたウエノ・アライメントパターンからの正反
射光のみを遮断するよう（こ、このストライプ状の電極
（セル）をオン・オフ制御し、空間フィルタを機械的に
移動させることなくウェハアライメントパターンの高次
回折光のみを検出できるように構成したことにより達成
される。
配置された電極（セル）を有する液晶素子（液晶空間フ
ィルタ）と検光子を検出系の光路内に設置し、検出系の
移動に応じたウエノ・アライメントパターンからの正反
射光のみを遮断するよう（こ、このストライプ状の電極
（セル）をオン・オフ制御し、空間フィルタを機械的に
移動させることなくウェハアライメントパターンの高次
回折光のみを検出できるように構成したことにより達成
される。
〔作用〕
液晶素子４０は、第７図に示すように、透明電極４１
、４１’を印刷した二枚のガラス４２．４２’とシール
４３の間に液晶４４を充てんさせたものである。第８図
に示すように、直線偏光を入射すると、電気的にオフの
状態では液晶素子４０は旋光子として働き、偏光方向を
９０度回転させる。オンの状態にすると旋光が生じない
。この性質を利用し、液晶素子の後に検光子４５を設け
れば、光の遮断、透過を電気的に行うことが可能である
。そこで、電極をストライプ状にいくつかのセルに分割
し、検出系の移動に伴ない正反射光のみを遮断するよう
にセルのオン・オフを行い、可動部のない位置可変の空
間フィルタを実現し、検出系の安定性を増し、高精度の
アライメントを可能にしたこと薔こある。
、４１’を印刷した二枚のガラス４２．４２’とシール
４３の間に液晶４４を充てんさせたものである。第８図
に示すように、直線偏光を入射すると、電気的にオフの
状態では液晶素子４０は旋光子として働き、偏光方向を
９０度回転させる。オンの状態にすると旋光が生じない
。この性質を利用し、液晶素子の後に検光子４５を設け
れば、光の遮断、透過を電気的に行うことが可能である
。そこで、電極をストライプ状にいくつかのセルに分割
し、検出系の移動に伴ない正反射光のみを遮断するよう
にセルのオン・オフを行い、可動部のない位置可変の空
間フィルタを実現し、検出系の安定性を増し、高精度の
アライメントを可能にしたこと薔こある。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。本図
は、特願昭５８−２４５８６６に記載された検出系を変
形させたものである。レーザ照明光２（Ｓ偏光）をガル
バノミラ−３で反射させ、コリメータレンズ４．偏光ビ
ームスプリッタ８，１／４波長板７．リレーレンズの前
群１１．ミラー５．マスクの回路パターンに隣接して設
けられたマスクアライメントパターン１７の金属部、縮
小レンズ１８を通してウェハ１９上のウェハアライメン
トパターン２０こ照射する０ここで、ガルバノミラ−３
とウェハアライメントパターン２１は共役関係にあるた
め、ウェハアライメントパターンには位置不変で照射角
のみ変化するスポット光が照射される。ウェハアライメ
ントパターンからの散乱光は、リレーレンズ前群１１ま
で照明光の光路を逆にたどり、１／４波長板７１こより
Ｐ偏光に変えられ念後、偏光ビームスプリンタ８を通り
、液晶空間フィルタ９゜検光子１０．リレーレンズ後群
１１テ拡大レンズ１２ヲ経て、シリンドリカルレンズ１
５で検出方向と直角な方向（アライメントパターンの長
手方向）を圧縮し、撮像手段であるリニアセンサ１４上
に結像させる。分離形のリレーレンズ６（前群１１と後
群１１′）の間の無限遠系の光路中に液晶素子を用いた
液晶空間フィルタが設けられている。液晶空間フィルタ
９は第９図に示すようなストライプ状ｌこ配置された電
極を有する。５１は交流電源、５２はスイッチング系、
５３．５３’は電極セルである。尚、液晶をはさむ２
つの電極の内、他の一方は、一様に共通接地するものと
する。電極セルは、大形セル５３′ と小形セル５３か
ら成り、検出系の移動に伴ない、正反射光成分が通過す
る全領域に微小ピッチＰを持つ小形セルが配置され、そ
の左右に大形セルが配置されている。電極の存在しない
部分では、光が旋光するため、Ｉ！１図１０の検光子は
第８図に示すようｌこ旋光の結果であるＳ偏光を遮断す
る方向に設けられる。これにより、第９図でスイッチを
オンにしたセルでのみ光が透過するため、第１０図のよ
うに正反射光成分の通過する付近のセル５５を除き、他
のセルをオンにすれば、散乱光である高次回折光成分の
みが通過する。
は、特願昭５８−２４５８６６に記載された検出系を変
形させたものである。レーザ照明光２（Ｓ偏光）をガル
バノミラ−３で反射させ、コリメータレンズ４．偏光ビ
ームスプリッタ８，１／４波長板７．リレーレンズの前
群１１．ミラー５．マスクの回路パターンに隣接して設
けられたマスクアライメントパターン１７の金属部、縮
小レンズ１８を通してウェハ１９上のウェハアライメン
トパターン２０こ照射する０ここで、ガルバノミラ−３
とウェハアライメントパターン２１は共役関係にあるた
め、ウェハアライメントパターンには位置不変で照射角
のみ変化するスポット光が照射される。ウェハアライメ
ントパターンからの散乱光は、リレーレンズ前群１１ま
で照明光の光路を逆にたどり、１／４波長板７１こより
Ｐ偏光に変えられ念後、偏光ビームスプリンタ８を通り
、液晶空間フィルタ９゜検光子１０．リレーレンズ後群
１１テ拡大レンズ１２ヲ経て、シリンドリカルレンズ１
５で検出方向と直角な方向（アライメントパターンの長
手方向）を圧縮し、撮像手段であるリニアセンサ１４上
に結像させる。分離形のリレーレンズ６（前群１１と後
群１１′）の間の無限遠系の光路中に液晶素子を用いた
液晶空間フィルタが設けられている。液晶空間フィルタ
９は第９図に示すようなストライプ状ｌこ配置された電
極を有する。５１は交流電源、５２はスイッチング系、
５３．５３’は電極セルである。尚、液晶をはさむ２
つの電極の内、他の一方は、一様に共通接地するものと
する。電極セルは、大形セル５３′ と小形セル５３か
ら成り、検出系の移動に伴ない、正反射光成分が通過す
る全領域に微小ピッチＰを持つ小形セルが配置され、そ
の左右に大形セルが配置されている。電極の存在しない
部分では、光が旋光するため、Ｉ！１図１０の検光子は
第８図に示すようｌこ旋光の結果であるＳ偏光を遮断す
る方向に設けられる。これにより、第９図でスイッチを
オンにしたセルでのみ光が透過するため、第１０図のよ
うに正反射光成分の通過する付近のセル５５を除き、他
のセルをオンにすれば、散乱光である高次回折光成分の
みが通過する。
第１１図に一実施例を示すように、計算機６１によりパ
ルス発生器６２を制御し、シフトレジスタ６３にオン／
オフデータを書き込み、アナログスイッチ６４により液
晶空間フィルタ９の各セル６５をオン／オフすれば、任
意の位置に置かれた検出系に対して最適な空間フィルタ
を設けることができる。
ルス発生器６２を制御し、シフトレジスタ６３にオン／
オフデータを書き込み、アナログスイッチ６４により液
晶空間フィルタ９の各セル６５をオン／オフすれば、任
意の位置に置かれた検出系に対して最適な空間フィルタ
を設けることができる。
尚、本発明の液晶空間フィルタと検光子は、分離形リレ
ーレンズの無限遠系内に限らず、検出系の光路中の空間
周波数領域であれば、任意の位置に適用し、設置できる
。また、液晶に限らず、光の旋光や透過率を電気的に高
速処理できる素子であれば、同様に使用できる。
ーレンズの無限遠系内に限らず、検出系の光路中の空間
周波数領域であれば、任意の位置に適用し、設置できる
。また、液晶に限らず、光の旋光や透過率を電気的に高
速処理できる素子であれば、同様に使用できる。
一方、空間フィルタとして液晶を用いることにより、Ｐ
ＬＺＴ（電気光学結晶）に比べ微細構造が作りやすく、
安価であり、駆動電圧が低く、寿命も長く、他の光空間
変調器に比べ、許容入射角も大きいという効果がある。
ＬＺＴ（電気光学結晶）に比べ微細構造が作りやすく、
安価であり、駆動電圧が低く、寿命も長く、他の光空間
変調器に比べ、許容入射角も大きいという効果がある。
また、他の実施例として、ウェハアライメントパターン
からの回折光の空間周波数領域に、第１２図に示すよう
な細かいストライプ状の多数の電極セルを有する液晶空
間フィルタと検光子を配置し、各電極セルへの電源供給
を個々にオン・オフすることにより、ウェハアライメン
トパターンの構造（こ応じて、最適な空間変調器を電気
的な制御により作ることができる。第１２図の実施例で
は、電極セルの幅は１００μｍ、セルとセルのすき間は
１０μｍである。たとえば、従来の方式の方がコントラ
ストの高い検出波形が得られるならば、液晶空間フィル
タと検光子により、光を全面通過するようにすることも
できるし、第１５図に示すように、ウェハアライメント
パターンの回折光の空間周波数領域に斜線部のようなノ
イズなどをこより波形が乱れている部分を取り除きたい
場合には、その位置化対応する部分の光を液晶空間フィ
ルタと検光子ｌこより遮断し、最適な空間変調を行うこ
とができる。
からの回折光の空間周波数領域に、第１２図に示すよう
な細かいストライプ状の多数の電極セルを有する液晶空
間フィルタと検光子を配置し、各電極セルへの電源供給
を個々にオン・オフすることにより、ウェハアライメン
トパターンの構造（こ応じて、最適な空間変調器を電気
的な制御により作ることができる。第１２図の実施例で
は、電極セルの幅は１００μｍ、セルとセルのすき間は
１０μｍである。たとえば、従来の方式の方がコントラ
ストの高い検出波形が得られるならば、液晶空間フィル
タと検光子により、光を全面通過するようにすることも
できるし、第１５図に示すように、ウェハアライメント
パターンの回折光の空間周波数領域に斜線部のようなノ
イズなどをこより波形が乱れている部分を取り除きたい
場合には、その位置化対応する部分の光を液晶空間フィ
ルタと検光子ｌこより遮断し、最適な空間変調を行うこ
とができる。
以上説明したように本発明によれば、検出系の移動に応
じて、ウェハアライメントパターンの正反射光成分を遮
断するための実効的な空間フィルタ位置を機械的な動作
を伴なうことなく電気的に変化させることができるため
、検出系の安定性が増し、高いアライメント精度が得ら
れるという効果がある。
じて、ウェハアライメントパターンの正反射光成分を遮
断するための実効的な空間フィルタ位置を機械的な動作
を伴なうことなく電気的に変化させることができるため
、検出系の安定性が増し、高いアライメント精度が得ら
れるという効果がある。
第１図は本発明の実施例を示す装置の斜視図、第２図は
半導体露光装置の構成図、第３図はウェハアライメント
パターンの構造図、第４図及び第５図は検出波形図、第
６図は、検出系移動時の展開図、第７図は液晶素子の構
造図、第８図は液晶素子の旋光方向図、第９図、第１０
図及び第１１図は本発明の液晶空間フィルタの構造図と
旋光方向図と駆動方法の実施例を示す図、第１２図は本
発明の実施例であり液晶空間フィルタの構造図、第１５
図は空間周波数領域における光強度分布を示す図である
。 １・・・検出系 ９・・・液晶空間フィルタ１
０・・・検光子 ６・・・リレーレンズ７・・
・１／４波長板 ８・・・偏光ビームスプリッタ １３・・・シリンドリカルレンズ １４・・・リニアセンサ １５・・・マスク１８・・
・縮小レンズ１９・・・ウェハ２１・・・ウェハアライ
メントパターン２２・・・ウェハテーブル ３ １ 日 ＺＤ 菫 ４ 図 メ 、ｆ＝５ 図 ７．４．ａ ３８ 記 （α） （し）駕 ９
回 扇 １０ ０ 届 １２− ＩＩ ７ １３ 回 Ｘ′
半導体露光装置の構成図、第３図はウェハアライメント
パターンの構造図、第４図及び第５図は検出波形図、第
６図は、検出系移動時の展開図、第７図は液晶素子の構
造図、第８図は液晶素子の旋光方向図、第９図、第１０
図及び第１１図は本発明の液晶空間フィルタの構造図と
旋光方向図と駆動方法の実施例を示す図、第１２図は本
発明の実施例であり液晶空間フィルタの構造図、第１５
図は空間周波数領域における光強度分布を示す図である
。 １・・・検出系 ９・・・液晶空間フィルタ１
０・・・検光子 ６・・・リレーレンズ７・・
・１／４波長板 ８・・・偏光ビームスプリッタ １３・・・シリンドリカルレンズ １４・・・リニアセンサ １５・・・マスク１８・・
・縮小レンズ１９・・・ウェハ２１・・・ウェハアライ
メントパターン２２・・・ウェハテーブル ３ １ 日 ＺＤ 菫 ４ 図 メ 、ｆ＝５ 図 ７．４．ａ ３８ 記 （α） （し）駕 ９
回 扇 １０ ０ 届 １２− ＩＩ ７ １３ 回 Ｘ′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マスクとこのマスクに記録されたパターンをウェハ
に結像する結像光学系と、このマスクに露光照明光を射
出する露光照明系とを備えた半導体露光装置において、
アライメント用のウェハアライメントパターンを照明す
るスペクトル幅の狭い照明光を照射するアライメントパ
ターン照明系を設け、アライメントパターンからの散乱
光の空間周波数領域に、ストライプ状に複数設けられた
電極板を有する液晶空間フィルタと検光子を配置し、各
電極板への電源供給を個々にオン・オフすることにより
、所望の空間周波数領域を選択的に抽出し、上記アライ
メントパターン照明系によつて照明されたウェハ上のア
ライメントパターンの像を上記結像光学系を介して検出
する検出系を備え付けたことを特徴とする半導体露光装
置。 ２、上記液晶空間フィルタと検光子は、電極板電圧印加
状態で、光がこの検光子を通過する関係にあることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体露光装置。 ３、上記ストライプ状の電極板を有する液晶空間フィル
タは、ウェハアライメントパターンの位置に応じてその
検出系を縮小レンズに対して接線方向に移動する時、ウ
ェハのアライメントパターンからの正反射光成分を常に
遮断するように、オン・オフの制御を行う位置可変フィ
ルタであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61079913A JPH0638390B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 投影式露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61079913A JPH0638390B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 投影式露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62237726A true JPS62237726A (ja) | 1987-10-17 |
| JPH0638390B2 JPH0638390B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=13703527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61079913A Expired - Lifetime JPH0638390B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 投影式露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638390B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01114034A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-02 | Hitachi Ltd | 半導体露光装置 |
| JPH0521315A (ja) * | 1991-07-11 | 1993-01-29 | Nec Yamagata Ltd | 露光装置における位置決め装置 |
| WO2021210052A1 (ja) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | 株式会社ニコン | 計測装置、露光装置、および計測方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6165251A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP61079913A patent/JPH0638390B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6165251A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01114034A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-02 | Hitachi Ltd | 半導体露光装置 |
| JPH0521315A (ja) * | 1991-07-11 | 1993-01-29 | Nec Yamagata Ltd | 露光装置における位置決め装置 |
| WO2021210052A1 (ja) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | 株式会社ニコン | 計測装置、露光装置、および計測方法 |
| JPWO2021210052A1 (ja) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0638390B2 (ja) | 1994-05-18 |
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