JPS63210755A - パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法 - Google Patents
パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法Info
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- JPS63210755A JPS63210755A JP62045631A JP4563187A JPS63210755A JP S63210755 A JPS63210755 A JP S63210755A JP 62045631 A JP62045631 A JP 62045631A JP 4563187 A JP4563187 A JP 4563187A JP S63210755 A JPS63210755 A JP S63210755A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は1例んばバターニングされた半導体集積回路
環、規則的に配列された被検パターンの表面欠陥や異物
を、レーザ光回折パターン空間周波数フィルタリング方
式を用いて検出するパターン欠陥検査装置に関するもの
である。
環、規則的に配列された被検パターンの表面欠陥や異物
を、レーザ光回折パターン空間周波数フィルタリング方
式を用いて検出するパターン欠陥検査装置に関するもの
である。
従来、この種の装置として1例えば特公昭56−165
42号公報に記載のものがあり、これは被検物の透過像
を用いてパターンの欠陥検査を行っていた〇 一万1反射像を用いるものとしで、同一出願人による「
パターン欠陥検査装置」 出願特願昭(AJ1064)号明細書に記載のものがあ
る。
42号公報に記載のものがあり、これは被検物の透過像
を用いてパターンの欠陥検査を行っていた〇 一万1反射像を用いるものとしで、同一出願人による「
パターン欠陥検査装置」 出願特願昭(AJ1064)号明細書に記載のものがあ
る。
@4図はこのような反射型のパターン欠陥装置を示す構
成図であり1図に2いて、(1)はレーザ等の可干渉光
源、(2)は光源からの光を拡大して平行光にするため
のコリメータ、(5)と(至)はノーーフばラ−,+4
1は載物台に載せられた被検物で規則的な被検パターン
を有する。(6)は被検物(4)を移動させるX−Yス
テージ、(7)は被検物(4)乃1らの反射光を集める
レンズ、Uは被検物(4)のレンズ(7)による結像位
置ζこ配置された欠陥検出用カメラ、(2)はカメラ(
6)からの出力信号を処理して欠陥位置を検出する信号
処理部、α荀は欠陥を表示するTVモニタ、αηはレン
ズ(8)の焦点(後焦点)位置に置かれ、被検物(4)
の正常パターンによる回折光を除去する空間フィルタ、
(至)はレンズ(7)の後焦点位檜での反射光による回
折パターンの位置を検出するカメラ、【4はこの回折パ
ターンの正規の位置からの位置ずれ量を算出し、アオリ
角調整機構3つと回転角調整機構(至)に補正指令を発
する制御装置、■は回転ステージである。
成図であり1図に2いて、(1)はレーザ等の可干渉光
源、(2)は光源からの光を拡大して平行光にするため
のコリメータ、(5)と(至)はノーーフばラ−,+4
1は載物台に載せられた被検物で規則的な被検パターン
を有する。(6)は被検物(4)を移動させるX−Yス
テージ、(7)は被検物(4)乃1らの反射光を集める
レンズ、Uは被検物(4)のレンズ(7)による結像位
置ζこ配置された欠陥検出用カメラ、(2)はカメラ(
6)からの出力信号を処理して欠陥位置を検出する信号
処理部、α荀は欠陥を表示するTVモニタ、αηはレン
ズ(8)の焦点(後焦点)位置に置かれ、被検物(4)
の正常パターンによる回折光を除去する空間フィルタ、
(至)はレンズ(7)の後焦点位檜での反射光による回
折パターンの位置を検出するカメラ、【4はこの回折パ
ターンの正規の位置からの位置ずれ量を算出し、アオリ
角調整機構3つと回転角調整機構(至)に補正指令を発
する制御装置、■は回転ステージである。
次に動作について説明する。可干渉光源11.1から発
した光は、ハーフミラ−(5)により反射され被検物(
4)の被検パターンに照射される。被検物(4)からの
反射光はハーフミラ−(5)を透過し、レンズ(7)で
集光された後、゛ハーフミラ−(9)により2つに分け
られ、−万は空間フィルタαηに到り、他方は回折パタ
ーン位置検出用カメラ331こ入光する。空間フィルタ
αηはその位置で正常バター/の回折パターンを写真乾
板を露光して作製され、現像処理後再び露光位置に正確
にもどして固定される。次に検査時には反射光による回
折光をカメラC13を観察しその回折パターンの位置を
検出する。制御装置ζAで被検物の光軸に対するアオリ
角と回転角のずれを補正する指示8調整機構田、(至)
1回転ステージ朝に与え、フィルタanの回折パターン
と被検物の正常パターンの回折光との位置合わせを行な
うと。
した光は、ハーフミラ−(5)により反射され被検物(
4)の被検パターンに照射される。被検物(4)からの
反射光はハーフミラ−(5)を透過し、レンズ(7)で
集光された後、゛ハーフミラ−(9)により2つに分け
られ、−万は空間フィルタαηに到り、他方は回折パタ
ーン位置検出用カメラ331こ入光する。空間フィルタ
αηはその位置で正常バター/の回折パターンを写真乾
板を露光して作製され、現像処理後再び露光位置に正確
にもどして固定される。次に検査時には反射光による回
折光をカメラC13を観察しその回折パターンの位置を
検出する。制御装置ζAで被検物の光軸に対するアオリ
角と回転角のずれを補正する指示8調整機構田、(至)
1回転ステージ朝に与え、フィルタanの回折パターン
と被検物の正常パターンの回折光との位置合わせを行な
うと。
検査時の正常パターンによる回折光はフィルタ上の回折
パターン(こよりカットされ除去され、欠陥信号がカメ
ラ(6)で観測され、モニタ04が映し出される。
パターン(こよりカットされ除去され、欠陥信号がカメ
ラ(6)で観測され、モニタ04が映し出される。
従来のパターン欠陥検査装置は以上のように構成されて
いるので、被検物の光軸に対するアオリ角・回転角が変
化すると、レンズの後焦点面に現れる回折パターンの位
置と、フィルタに記録されている回折パターンの位置と
がずれるために、被検橿(4)を動かすたびにアオリ角
・回転角のずれを検出し、補正してやらねばならないと
いう欠点を持っていたうまたーフィルタ材料が写真乾板
であるために、被検物のパターンが変わるたび會こ新た
(こフィルタを作製せねばならず、オフラインでの現像
処理を行なわねばならないとい6問題点かあつた。
いるので、被検物の光軸に対するアオリ角・回転角が変
化すると、レンズの後焦点面に現れる回折パターンの位
置と、フィルタに記録されている回折パターンの位置と
がずれるために、被検橿(4)を動かすたびにアオリ角
・回転角のずれを検出し、補正してやらねばならないと
いう欠点を持っていたうまたーフィルタ材料が写真乾板
であるために、被検物のパターンが変わるたび會こ新た
(こフィルタを作製せねばならず、オフラインでの現像
処理を行なわねばならないとい6問題点かあつた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさn
たもので、欠陥検出を行なう際に、毎回被検物(こl対
1で対応する空間フィルタが、オンラインでし力)も実
時間で作製でき、さらに被検物のアオリ角や回転角を補
正する必要がないために、極めて単純な光学系で高速か
つ高性能な欠陥検出処理が可能なパターン欠陥検査装置
を得ることを目的としている。
たもので、欠陥検出を行なう際に、毎回被検物(こl対
1で対応する空間フィルタが、オンラインでし力)も実
時間で作製でき、さらに被検物のアオリ角や回転角を補
正する必要がないために、極めて単純な光学系で高速か
つ高性能な欠陥検出処理が可能なパターン欠陥検査装置
を得ることを目的としている。
この発明に係るパターン欠陥検査装置は、被検物の回折
光を空間的にフィルタリングするものとして、実時間動
作で記録・消去可能な光空間変調素子を用いるものであ
る。
光を空間的にフィルタリングするものとして、実時間動
作で記録・消去可能な光空間変調素子を用いるものであ
る。
この発明に2けるパターン欠陥検査装置は、被、検パタ
ーンが、規則性あるパターンの場合はレンズの後焦点面
に現れる回折光の光強度が強く、規則性のない欠陥や異
物は回折光の光強度が弱いという事を利用したもので、
光空間に調素子は光の強い部分のみを実時間で記録し、
例えばその光の偏光方向を変化させるために、出力側に
偏光素子8fき、この強い回折光8遮断するようにし、
一方1弱い回折光は偏光方向の変化がほとんどないので
偏光素子を透過するよつにして欠陥を検出する。また、
記録された回折バター7の消去は例えば電圧印加と光の
照射音こより容易に行なろことができる。
ーンが、規則性あるパターンの場合はレンズの後焦点面
に現れる回折光の光強度が強く、規則性のない欠陥や異
物は回折光の光強度が弱いという事を利用したもので、
光空間に調素子は光の強い部分のみを実時間で記録し、
例えばその光の偏光方向を変化させるために、出力側に
偏光素子8fき、この強い回折光8遮断するようにし、
一方1弱い回折光は偏光方向の変化がほとんどないので
偏光素子を透過するよつにして欠陥を検出する。また、
記録された回折バター7の消去は例えば電圧印加と光の
照射音こより容易に行なろことができる。
従って、被検物に1対1で対応ず空間フィルタが実時間
で作製でさ、しかも同時に欠陥を抽出するため、被検パ
ターンが変更されるよろな場合でも即対応でき、オンラ
インでの検査を可能昏こする。
で作製でさ、しかも同時に欠陥を抽出するため、被検パ
ターンが変更されるよろな場合でも即対応でき、オンラ
インでの検査を可能昏こする。
以上、この発明の一実施例を図についで説明する。祇1
図はこの発明の一実施例によるパターン欠陥検査装置を
示す構成図であり2図において。
図はこの発明の一実施例によるパターン欠陥検査装置を
示す構成図であり2図において。
+11は可干渉光源であり1例んばアルゴンレーザ光源
、(3)は7ヤソタ、(8)は光空間変調素子OQを初
期化するための白色光源ランプ、(9)はその電源部。
、(3)は7ヤソタ、(8)は光空間変調素子OQを初
期化するための白色光源ランプ、(9)はその電源部。
ql)は光空間変:J@素子αqの電源部であり、aQ
はこれらシャッタ(3)、電源部(9)、Ql)、及び
X−Yステージ(6)、信号処理部(2)をコントロー
ルする制御装置である。また、αeは保持台である。
はこれらシャッタ(3)、電源部(9)、Ql)、及び
X−Yステージ(6)、信号処理部(2)をコントロー
ルする制御装置である。また、αeは保持台である。
ここで、光空間変調素子αQは実時間で被検物の正常パ
ターンによる回折光を記録し、正常パターンによる回折
光を遮断する。また、記録された回折パターンの消去が
実時間で可能なものである。
ターンによる回折光を記録し、正常パターンによる回折
光を遮断する。また、記録された回折パターンの消去が
実時間で可能なものである。
これを実現するものとして1例えばB50(オプトロニ
クス(19g4) 、16tl p59参照)やBGO
(光家%’ol 14 )%1 (1985) p19
参照)等の光伝導性及びポッケルス効果を有する電気光
学材料(PMOP素子)■と偏光子口、検光子α9で構
成されるものがあげられる。
クス(19g4) 、16tl p59参照)やBGO
(光家%’ol 14 )%1 (1985) p19
参照)等の光伝導性及びポッケルス効果を有する電気光
学材料(PMOP素子)■と偏光子口、検光子α9で構
成されるものがあげられる。
@2図はこの発明の一実施例に係る′電気光学材料の構
成を示す断面図であり1図に8いて、 c211は単結
晶板、lS!2は絶縁体、のは透明電極、そは入力光、
■は出力光、@、會はリード電極である。
成を示す断面図であり1図に8いて、 c211は単結
晶板、lS!2は絶縁体、のは透明電極、そは入力光、
■は出力光、@、會はリード電極である。
次に、動作についで説明する。
アルゴンレーザ(1)から発した波長488nm(7)
光は、コリメータ(2)により拡大され、ノ・−フィラ
ー(5)(こより反射され、被検パターンを有する半導
体ワエハ(4)に照射される。ワエハ(4)からの反射
光はハーフミラ−(5)を透過しレンズ(7)で集光さ
れた後。
光は、コリメータ(2)により拡大され、ノ・−フィラ
ー(5)(こより反射され、被検パターンを有する半導
体ワエハ(4)に照射される。ワエハ(4)からの反射
光はハーフミラ−(5)を透過しレンズ(7)で集光さ
れた後。
光空間変調素子0qより成るフィルタ部に到る。まず偏
光子Bを透過した光は、’を気光学材料囚に到ると1強
い光だけが光伝導により記録されポッケルス効果による
複屈折を変化させる。このとき。
光子Bを透過した光は、’を気光学材料囚に到ると1強
い光だけが光伝導により記録されポッケルス効果による
複屈折を変化させる。このとき。
被検物の正常パターンが繰返し構造を持つ場合。
レンズの後焦点位置に置かれた索子09面上には。
第3図に示すような回折パターンが現れる。光空間変;
Jl素子は、第3図に示すような強い強度分布を持つ回
折光の6を記録し複屈折を変えるのにくらべ、欠陥信号
のような繰返し構造を持たないパターンの回折光は弱い
のでほとんど記録されず。
Jl素子は、第3図に示すような強い強度分布を持つ回
折光の6を記録し複屈折を変えるのにくらべ、欠陥信号
のような繰返し構造を持たないパターンの回折光は弱い
のでほとんど記録されず。
複屈折の変化が起らない。つまり、正常パターンの強い
回折光と、欠陥から弱い回折光では複屈折の異なる部分
を透過し、出射する光の偏光状態が各々異な−ってくる
。そこで、素子の出力側(こ検光子09として正常パタ
ーンの回折光の偏光を遮断する偏光板を置くと、カメラ
(6)には欠陥からの回折光が入射し、欠陥信号として
検出される。
回折光と、欠陥から弱い回折光では複屈折の異なる部分
を透過し、出射する光の偏光状態が各々異な−ってくる
。そこで、素子の出力側(こ検光子09として正常パタ
ーンの回折光の偏光を遮断する偏光板を置くと、カメラ
(6)には欠陥からの回折光が入射し、欠陥信号として
検出される。
このように、正常パターンの回折バター78記録した空
間フィルタと、欠陥信号の検出が極めて短い時間差8置
くだけで得られる。ざらに、次の被検物の検査を行なら
ためには、シでツタ(3)によりいったん7−ザ光を遮
断し1次いで白色ランプを瞬時点灯して、記録されてい
る素子01上の回折パターンを消去する。
間フィルタと、欠陥信号の検出が極めて短い時間差8置
くだけで得られる。ざらに、次の被検物の検査を行なら
ためには、シでツタ(3)によりいったん7−ザ光を遮
断し1次いで白色ランプを瞬時点灯して、記録されてい
る素子01上の回折パターンを消去する。
次に、 ′dL圧をかけ直してフィルタを初M化し。
その間に被検物を移動させて3き、再度シャッタを開い
Cv−ザ光を照射することで検査を行なう。
Cv−ザ光を照射することで検査を行なう。
以上のプロセスを検査終了まで繰返す。
な2.上記実施例では半導体集積回路パターンの場合C
ごついで説明したが、半導体以外でも1表面に鏡面を持
ち、規則性を有する微細なパターンの欠陥検査や、透過
形のパターンであるマスクの検査の場合にも同様に実施
できる。
ごついで説明したが、半導体以外でも1表面に鏡面を持
ち、規則性を有する微細なパターンの欠陥検査や、透過
形のパターンであるマスクの検査の場合にも同様に実施
できる。
また、被検パターンが極めて微細で1次回折光以上の高
次光が集光レンズの外に出てしまつような場合には、記
録時の波長と、検査時の波長を同−にする必要はなく、
記録には光空間変調素子の吸収率の高い波長域の光源を
選択し、欠陥検出にはHeNeV−ザ等を用いることも
可能である。
次光が集光レンズの外に出てしまつような場合には、記
録時の波長と、検査時の波長を同−にする必要はなく、
記録には光空間変調素子の吸収率の高い波長域の光源を
選択し、欠陥検出にはHeNeV−ザ等を用いることも
可能である。
以上のよつに、この発明1こよれば、被検物の回折光を
9聞的にフィルタリ/グするものとして。
9聞的にフィルタリ/グするものとして。
実時間動作で記録・消去可能な光空間変調素子を用いた
のでオフラインの現像処理を必要とせず。
のでオフラインの現像処理を必要とせず。
極めて短い時間でフィルタを作製でき、し力1も被検物
のアオリ角・回転角の補正を必要としないために、検出
時間が極端に短縮でき、装置も簡単化し、安価で高速小
つ被検パターンの変化に即応できる欠陥横置装置が得ら
れゐ効果がある。
のアオリ角・回転角の補正を必要としないために、検出
時間が極端に短縮でき、装置も簡単化し、安価で高速小
つ被検パターンの変化に即応できる欠陥横置装置が得ら
れゐ効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるパターン欠陥検f
Hfit ’&示す構成図、第2図はこの発明の一実施
例に係る電気光学材料の構成を示す断面図、第:(図は
正常パターンの回折光による回折バター7を示す説明図
、及び@4図は従来のパターン欠陥検査装置を示す構成
図である。 図に2いC1C1)・・・可干渉光源、(4)・・・被
検物、(7)・・・し/ズ、(8)・・・白色ランプ、
(9)・・パ電源部、αq・・・光空間変調素子、(2
)・・・カメラ、U・・・信号処理部、α祷・・・表示
部、GO・・・制御装置−(181・・・偏光子、09
・・・検光子、(Xll・・・電気光学材料。 なお1図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Hfit ’&示す構成図、第2図はこの発明の一実施
例に係る電気光学材料の構成を示す断面図、第:(図は
正常パターンの回折光による回折バター7を示す説明図
、及び@4図は従来のパターン欠陥検査装置を示す構成
図である。 図に2いC1C1)・・・可干渉光源、(4)・・・被
検物、(7)・・・し/ズ、(8)・・・白色ランプ、
(9)・・パ電源部、αq・・・光空間変調素子、(2
)・・・カメラ、U・・・信号処理部、α祷・・・表示
部、GO・・・制御装置−(181・・・偏光子、09
・・・検光子、(Xll・・・電気光学材料。 なお1図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (6)
- (1)可干渉光による被検物の回折光を空間的にフィル
タリングし、規則的に配列された被検パターン上の欠陥
や異物を検出するものにおいて、実時間動作で記録・消
去可能な光空間変調素子を用いて空間的にフィルタリン
グすることを特徴とするパターン欠陥検査装置。 - (2)可干渉光源、この光源に照射される被検物の被検
パターンを結像するレンズ、このレンズの焦点に配設さ
れ、上記被検物の正常パターンによる回折光を実時間で
記録し、上記正常パターンによる回折光を遮断する光空
間変調素子、上記光空間変調素子に記録される回折パタ
ーンを消去する消去手段、及び上記レンズの結像位置に
配設され、上記被検物の欠陥を検出する検出手段を備え
た特許請求の範囲第1項記載のパターン欠陥検査装置。 - (3)光空間変調素子は光伝導性及びポッケルス効果を
有する電気光学材料と、偏光子及び検光子よりなる特許
請求の範囲1項又は第2項記載のパターン欠陥検査装置
。 - (4)被検パターンは被検物の反射像である特許請求の
範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載のパターン欠
陥検査装置。 - (5)被検パターンは被検物の透過像である特許請求の
範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載のパターン欠
陥検査装置。 - (6)回折光の記録に用いる光源と欠陥検出に用いる光
源は同じである特許請求の範囲第1項ないし第3項のい
ずれかに記載のパターン欠陥検査装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62045631A JPH0682102B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法 |
GB8804581A GB2202326B (en) | 1987-02-27 | 1988-02-26 | Pattern defect detecting system |
DE3806209A DE3806209A1 (de) | 1987-02-27 | 1988-02-26 | Strukturdefekt-erfassungssystem |
US07/423,551 US4929081A (en) | 1987-02-27 | 1989-10-13 | System for detecting defects in a regularly arranged pattern such as an integrated circuit or the like |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62045631A JPH0682102B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法 |
Publications (2)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01153943A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Hitachi Ltd | 異物検出方法及びその装置 |
JP2014132275A (ja) * | 2003-07-23 | 2014-07-17 | Kla-Encor Corp | 表面検査装置および表面検査方法 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3905798A1 (de) * | 1989-02-24 | 1990-08-30 | Siemens Ag | Verfahren zur messung von schaedigungen in mindestens einem bereich einer halbleiterscheibe waehrend der bearbeitung der halbleiterscheibe |
DE4003983C1 (en) * | 1990-02-09 | 1991-08-29 | Abos Automation, Bildverarbeitung, Optische Systeme Gmbh, 8057 Eching, De | Automated monitoring of space=shape data for mfg. semiconductors - compares image signals for defined illumination angle range with master signals, to determine defects |
JPH03249550A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | パターン欠陥検査装置 |
DE4032327A1 (de) * | 1990-10-11 | 1992-04-16 | Abos Automation Bildverarbeitu | Verfahren und vorrichtung zur automatisierten ueberwachung der herstellung von halbleiterbauteilen |
JPH076923B2 (ja) * | 1990-11-09 | 1995-01-30 | 三菱電機株式会社 | 空間周波数フィルタ、その空間周波数フィルタの製造方法及びパターン欠陥検査装置 |
US6411377B1 (en) * | 1991-04-02 | 2002-06-25 | Hitachi, Ltd. | Optical apparatus for defect and particle size inspection |
DE69208413T2 (de) * | 1991-08-22 | 1996-11-14 | Kla Instr Corp | Gerät zur automatischen Prüfung von Photomaske |
DE4239039C2 (de) * | 1992-11-20 | 2001-08-16 | Hesse Gmbh | Verfahren zur Erfassung der Daten von Bondpads zur Steuerung eines Bonders |
US5479257A (en) * | 1993-04-05 | 1995-12-26 | Olympus Optical Co., Ltd. | Method of and apparatus for detecting object position using a fourier transform of the object image and processing system using the same |
DE4413832C2 (de) * | 1994-04-20 | 2000-05-31 | Siemens Ag | Vorrichtungen zur Kontrolle von Halbleiterscheiben |
DE4413831C2 (de) * | 1994-04-20 | 2000-05-31 | Siemens Ag | Verfahren zur Kontrolle von Halbleiterscheiben |
US5506676A (en) * | 1994-10-25 | 1996-04-09 | Pixel Systems, Inc. | Defect detection using fourier optics and a spatial separator for simultaneous optical computing of separated fourier transform components |
DE19511196A1 (de) * | 1995-03-27 | 1996-10-02 | Basler Gmbh | Optische Prüfvorrichtung |
JPH11183393A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法 |
KR100259592B1 (ko) * | 1998-01-14 | 2000-06-15 | 김영환 | 웨이퍼의 이물질 검사장치 |
DE10036177C2 (de) | 2000-07-25 | 2002-07-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Testen von Halbleitereinrichtungen |
US6844927B2 (en) * | 2002-11-27 | 2005-01-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection |
US7525659B2 (en) * | 2003-01-15 | 2009-04-28 | Negevtech Ltd. | System for detection of water defects |
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CN109883653B (zh) * | 2019-01-10 | 2020-09-18 | 苏州端景光电仪器有限公司 | 一种自聚焦透镜光学后截距的静态测试装置及方法 |
Family Cites Families (9)
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---|---|---|---|---|
FR2385079A1 (fr) * | 1977-03-23 | 1978-10-20 | Thomson Csf | Dispositif de visualisation, par interferometrie holographique, des deformations de structures deformables |
JPS54105967A (en) * | 1978-02-08 | 1979-08-20 | Toshiba Corp | Defect test system for pattern featuring directivity |
US4330205A (en) * | 1979-01-12 | 1982-05-18 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Optical apparatus for measuring the size and location of optical in an article |
JPS55124117A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Toshiba Corp | Pattern inspecting apparatus |
JPS6027964B2 (ja) * | 1979-08-28 | 1985-07-02 | 工業技術院長 | 方向性ハイカツト空間周波数フイルタ |
JPS60708B2 (ja) * | 1979-11-07 | 1985-01-09 | 株式会社東芝 | 欠陥検査装置 |
IT1143380B (it) * | 1981-02-10 | 1986-10-22 | Fiat Ricerche | Procedimento e dispositivo per il rilevamento di difetti superficiali di pezzi meccanici in particolare di pezzi a superficie curva |
US4448527A (en) * | 1982-02-08 | 1984-05-15 | Centro Ricerche Fiat S.P.A. | Method and apparatus for detecting surface defects in mechanical workpieces |
US4674824A (en) * | 1985-06-14 | 1987-06-23 | Stanford University | System for enhancement of optical features |
-
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- 1987-02-27 JP JP62045631A patent/JPH0682102B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS=1977 * |
OPTICS LETTERS=1985 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01153943A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Hitachi Ltd | 異物検出方法及びその装置 |
JP2014132275A (ja) * | 2003-07-23 | 2014-07-17 | Kla-Encor Corp | 表面検査装置および表面検査方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4929081A (en) | 1990-05-29 |
GB2202326B (en) | 1991-02-27 |
GB2202326A (en) | 1988-09-21 |
JPH0682102B2 (ja) | 1994-10-19 |
GB8804581D0 (en) | 1988-03-30 |
DE3806209A1 (de) | 1988-09-08 |
DE3806209C2 (ja) | 1992-05-14 |
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