WO2021153567A1

WO2021153567A1 - 異方導電性シート、電気検査装置および電気検査方法

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Publication number: WO2021153567A1
Application number: PCT/JP2021/002673
Authority: WO
Inventors: 克典西浦; 山田　大典; 陽二郎山本
Original assignee: 三井化学株式会社
Priority date: 2020-01-31
Filing date: 2021-01-26
Publication date: 2021-08-05
Also published as: CN115087541B; KR20220116550A; US20230106035A1; JPWO2021153567A1; TW202146231A; CN115087541A; JP7367073B2

Abstract

異方導電性シートは、複数の貫通孔を有する絶縁層と、複数の貫通孔のそれぞれの内壁面に配置された複数の導電層とを有する。導電層は、貫通孔の内壁面に配置された下地層と、該下地層の金属ナノ粒子または金属薄膜と接するように配置された金属めっき層とを有する。下地層は、金属ナノ粒子または金属薄膜と、少なくとも一部が前記貫通孔の前記内壁面と前記金属ナノ粒子または金属薄膜との間に配置されたバインダーとを含む。バインダーは、チオール基、スルフィド基またはジスルフィド基を有する硫黄含有化合物である。

Description

異方導電性シート、電気検査装置および電気検査方法

　本発明は、異方導電性シート、電気検査装置および電気検査方法に関する。

　電子製品に搭載されるプリント配線板などの半導体デバイスは、通常、電気検査が行われる。電気検査は、通常、電気検査装置の（電極を有する）基板と、半導体デバイスなどの検査対象物となる端子とを電気的に接触させ、検査対象物の端子間に所定の電圧を印加したときの電流を読み取るなどの方法で行われる。そして、電気検査装置の基板の電極と、検査対象物の端子との電気的接触を確実に行うために、電気検査装置の基板と検査対象物との間に、異方性導電シートが配置される。

　異方導電性シートは、厚み方向に導電性を有し、面方向に絶縁性を有するシートであり、電気検査におけるプローブ（接触子）として用いられる。特に、電気検査装置の基板と検査対象物との間の電気的接続を確実に行うために、厚み方向に弾性変形する異方性導電シートが求められている。

　厚み方向に弾性変形する異方性導電シートとしては、例えば厚み方向に貫通する複数の貫通孔を有するシートと、貫通孔の内壁面に配置された複数の導通部とを有する異方導電性シートが知られている（例えば特許文献１および２参照）。

　これらの異方導電性シートは、基材シートに複数の貫通孔を形成した後、貫通孔の内壁面に、めっき（無電解めっきと電解めっき）により導通部を形成して得られるとされている。

特開２００７－２２０５１２号公報特開２０１０－１５３２６３号公報

　無電解めっきの代表例として、無電解Ｎｉめっきが知られている。しかしながら、貫通孔の内壁面に、無電解Ｎｉめっきした後、電解めっきして導通部（導電層）を形成した異方導電性シートは、例えば電気検査時の加圧や除圧によるシートの弾性変形を繰り返すうちに、電解めっき層が剥がれやすいという問題があった。これは、無電解Ｎｉめっき層が硬いため、加圧および除圧によるシートの弾性変形に追従できずに、無電解Ｎｉめっき層が剥がれるためであると考えられる。

　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、シートの厚み方向の弾性変形に伴う導電層の剥がれを抑制でき、電気検査装置の基板と検査対象物との間で十分な電気的接続を行うことができる異方導電性シート、電気検査装置および電気検査方法を提供することを目的とする。

　上記課題は、以下の構成によって解決することができる。

　本発明の異方導電性シートは、厚み方向の一方の側に位置する第１面と、他方の側に位置する第２面と、前記第１面と前記第２面との間を貫通する複数の貫通孔とを有する絶縁層と、前記複数の貫通孔のそれぞれの内壁面に配置された複数の導電層と、を有し、前記導電層は、前記貫通孔の内壁面に配置され、金属を含む薄膜と、少なくとも一部が前記貫通孔の前記内壁面と前記金属を含む薄膜との間に配置されたバインダーとを含む下地層と、前記下地層上に、前記金属を含む薄膜と接するように配置された金属めっき層とを有し、前記バインダーは、チオール基、スルフィド基またはジスルフィド基を有する硫黄含有化合物である。

　本発明の電気検査装置は、複数の電極を有する検査用基板と、前記検査用基板の前記複数の電極が配置された面上に配置された、本発明の異方導電性シートと、を有する。

　本発明の電気検査方法は、複数の電極を有する検査用基板と、端子を有する検査対象物とを、本発明の異方導電性シートを介して積層して、前記検査用基板の前記電極と、前記検査対象物の前記端子とを、前記異方導電性シートを介して電気的に接続する工程を有する。

　本発明によれば、シートの厚み方向の弾性変形に伴う導電層の剥がれを抑制でき、電気検査装置の基板と検査対象物との間で十分な電気的接続を行うことができる異方導電性シート、電気検査装置および電気検査方法を提供することができる。

図１Ａは、本実施の形態に係る異方導電性シートを示す平面図であり、図１Ｂは、図１Ａの異方導電性シートの１Ｂ－１Ｂ線の部分拡大断面図である。図２は、図１Ｂの拡大図である。図３は、図２の領域Ａの拡大模式図である。図４Ａ～Ｆは、本実施の形態に係る異方導電性シートの製造方法を示す断面模式図である。図５は、本実施の形態に係る電気検査装置を示す断面図である。図６ＡおよびＢは、他の実施の形態に係る異方導電性シートを示す部分拡大図である。図７Ａは、他の実施の形態に係る異方導電性シートを示す平面図であり、図７Ｂは、図７Ａの異方導電性シートの７Ｂ－７Ｂ線の部分拡大断面図である。

　１．異方導電性シート
　図１Ａは、本実施の形態に係る異方導電性シート１０の平面図であり、図１Ｂは、図１Ａの異方導電性シート１０の１Ｂ－１Ｂ線の部分拡大断面図である。図２は、図１Ｂの拡大図である。図３は、図２の領域Ａの拡大模式図である。

　図１ＡおよびＢに示されるように、異方導電性シート１０は、複数の貫通孔１２を有する絶縁層１１と、複数の貫通孔１２のそれぞれに対応して配置された複数の導電層１３（例えば、ａ１およびａ２で示される２つの導電層１３など）とを有する。このような異方導電性シート１０は、導電層１３で囲まれた複数の空洞１２’を有する。

　本実施の形態では、絶縁層１１の第１面１１ａ（異方導電性シート１０の一方の面）に、検査対象物が配置されることが好ましい。

　１－１．絶縁層１１
　絶縁層１１は、厚み方向の一方の側に位置する第１面１１ａと、厚み方向の他方の側に位置する第２面１１ｂと、第１面１１ａと第２面１１ｂとの間を貫通する複数の貫通孔１２とを有する（図１Ｂ参照）。

　貫通孔１２は、その内壁面に導電層１３を保持するとともに、絶縁層１１の可撓性を高めて、絶縁層１１の厚み方向に弾性変形させやすくしうる。

　貫通孔１２の形状は、特に制限されず、円柱状であってもよいし、角柱状であってもよい。本実施の形態では、貫通孔１２の形状は、円柱状である。また、貫通孔１２の軸方向に直交する断面の円相当径は、軸方向に一定であってもよいし、異なってもよい。軸方向とは、貫通孔１２の第１面１１ａ側の開口部と第２面１１ｂ側の開口部の中心同士を結ぶ線の方向をいう。

　第１面１１ａ側における貫通孔１２の開口部の円相当径Ｄ１は、複数の貫通孔１２の開口部の中心間距離（ピッチ）ｐが後述の範囲となるように設定されればよく、特に制限されず、例えば１～３３０μｍであることが好ましく、３～５５μｍであることがより好ましい（図２参照）。第１面１１ａ側における貫通孔１２の開口部の円相当径Ｄ１とは、第１面１１ａ側から貫通孔１２の軸方向に沿って見たときの、貫通孔１２の開口部の円相当径をいう。

　第１面１１ａ側における貫通孔１２の開口部の円相当径Ｄ１と、第２面１１ｂ側における貫通孔１２の開口部の円相当径Ｄ２とは、同じであってもよいし、異なってもよい。第１面１１ａ側における貫通孔１２の開口部の円相当径Ｄ１と、第２面１１ｂ側における貫通孔１２の開口部の円相当径Ｄ２とが異なる場合、それらの比（第１面１１ａ側の開口部の円相当径Ｄ１／第２面１１ｂ側の開口部の円相当径Ｄ２）は、例えば０．５～２．５であり、好ましくは０．６～２．０、さらに好ましくは０．７～１．５である。

　第１面１１ａ側における複数の貫通孔１２の開口部の中心間距離（ピッチ）ｐは、特に制限されず、検査対象物の端子のピッチに対応して適宜設定されうる（図２参照）。検査対象物としてのＨＢＭ（Ｈｉｇｈ　Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ　Ｍｅｍｏｒｙ）の端子のピッチは５５μｍであり、ＰｏＰ（Ｐａｃｋａｇｅ　ｏｎ　Ｐａｃｋａｇｅ）の端子のピッチは４００～６５０μｍであることなどから、複数の貫通孔１２の開口部の中心間距離ｐは、例えば５～６５０μｍでありうる。中でも、検査対象物の端子の位置合わせを不要とする（アライメントフリーにする）観点では、第１面１１ａ側における複数の貫通孔１２の開口部の中心間距離ｐは、５～５５μｍであることがより好ましい。第１面１１ａ側における、複数の貫通孔１２の開口部の中心間距離ｐとは、第１面１１ａ側における、複数の貫通孔１２の開口部の中心間距離のうち最小値をいう。貫通孔１２の開口部の中心は、開口部の重心である。複数の貫通孔１２の開口部の中心間距離ｐは、軸方向に一定であってもよいし、異なってもよい。

　貫通孔１２の軸方向の長さＬ（絶縁層１１の厚み）と、第１面１１ａ側における貫通孔１２の開口部の円相当径Ｄ１の比（Ｌ／Ｄ１）は、特に制限されないが、３～４０であることが好ましい（図２参照）。

　絶縁層１１は、厚み方向に圧力が加わると、弾性変形するような弾性を有する。すなわち、絶縁層１１は、少なくとも弾性体層を有し、全体として弾性を損なわない範囲で、他の層をさらに有してもよい。本実施の形態では、絶縁層１１自体が、弾性体層である。

　（弾性体層）
　弾性体層は、エラストマー組成物の架橋物を含む。

　弾性体層を構成するエラストマー組成物の架橋物のガラス転移温度は、－４０℃以下であることが好ましく、－５０℃以下であることがより好ましい。ガラス転移温度は、ＪＩＳＫ７０９５：２０１２に準拠して測定することができる。

　また、弾性体層を構成するエラストマー組成物の架橋物の線膨脹係数（ＣＴＥ）は、特に制限されないが、例えば６０ｐｐｍ／Ｋよりも高いことが好ましく、２００ｐｐｍ／Ｋ以上であることがより好ましい。線膨脹係数は、ＪＩＳＫ７１９７：１９９１に準拠して測定することができる。

　また、弾性体層を構成するエラストマー組成物の架橋物の２５℃における貯蔵弾性率は、１．０×１０^７Ｐａ以下であることが好ましく、１．０×１０^５～９．０×１０^６Ｐａであることがより好ましい。弾性体層の貯蔵弾性率は、ＪＩＳ　Ｋ　７２４４－１：１９９８／ＩＳＯ６７２１－１：１９９４に準拠して測定することができる。

　エラストマー組成物の架橋物のガラス転移温度、線膨脹係数および貯蔵弾性率は、当該エラストマー組成物の組成により調整されうる。また、弾性体層の貯蔵弾性率は、その形態（多孔質かどうかなど）によっても調整されうる。

　エラストマー組成物に含まれるエラストマーは、絶縁性を示し、かつエラストマー組成物の架橋物のガラス転移温度、線膨脹係数または貯蔵弾性率が上記範囲を満たすものであればよく、特に制限されないが、その例には、シリコーンゴム、ウレタンゴム（ウレタン系ポリマー）、アクリル系ゴム（アクリル系ポリマー）、エチレン－プロピレン－ジエン共重合体（ＥＰＤＭ）、クロロプレンゴム、スチレン－ブタジエン共重合体、アクリルニトリル－ブタジエン共重合体、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、フッ素系ゴムなどのエラストマーであることが好ましい。中でも、シリコーンゴムが好ましい。

　エラストマー組成物は、必要に応じて架橋剤をさらに含んでもよい。架橋剤は、エラストマーの種類に応じて適宜選択されうる。例えば、シリコーンゴムの架橋剤の例には、ヒドロシリル化反応の触媒活性を有する金属、金属化合物、金属錯体など（白金、白金化合物、それらの錯体など）の付加反応触媒や；ベンゾイルパーオキサイド、ビス－２，４－ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイドなどの有機過酸化物が含まれる。アクリル系ゴム（アクリル系ポリマー）の架橋剤の例には、エポキシ化合物、メラミン化合物、イソシアネート化合物などが含まれる。

　例えば、シリコーン系エラストマー組成物の架橋物としては、ヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を有するオルガノポリシロキサンと、ビニル基を有するオルガノポリシロキサンと、付加反応触媒とを含むシリコーン系エラストマー組成物の付加架橋物やビニル基を有するオルガノポリシロキサンと、付加反応触媒とを含むシリコーンゴム組成物の付加架橋物；ＳｉＣＨ_３基を有するオルガノポリシロキサンと、有機過酸化物硬化剤とを含むシリコーン系エラストマー組成物の架橋物などが含まれる。

　エラストマー組成物は、例えば粘着性や貯蔵弾性率を上記範囲に調整しやすくする観点などから、必要に応じて粘着付与剤、シランカップリング剤、フィラーなどの他の成分もさらに含んでもよい。

　弾性体層は、例えば貯蔵弾性率を上記範囲に調整しやすくする観点から、多孔質であってもよい。すなわち、多孔質シリコーンを用いることもできる。

　（他の層）
　絶縁層１１は、必要に応じて上記以外の他の層をさらに有してもよい。他の層の例には、耐熱性樹脂層（後述する図６Ｂ参照）や接着層などが含まれる。

　（前処理）
　絶縁層１１の表面（少なくとも貫通孔１２の内壁面１２ｃ）は、下地層１６との接着性を高める観点などから、前処理されていてもよい。

　前処理は、（下地層１６に含まれる）硫黄含有化合物の結合性部位と反応する官能基を付与する処理であることが好ましい。硫黄含有化合物の結合性部位と反応する官能基の例には、水酸基、シラノール基、エポキシ基、ビニル基、アミノ基、カルボキシル基、イソシアネート基などが含まれ、好ましくは水酸基またはシラノール基である。例えば、硫黄含有化合物の結合性部位がアルコキシシリル基を含む場合、貫通孔１２の内壁面１２ｃには水酸基またはシラノール基が付与されていることが好ましい。

　上記のような官能基を付与する前処理の例には、後述する酸素プラズマ処理であってもよいし、シランカップリング剤による処理であってもよく、これらを組み合わせてもよい。

　シランカップリング剤は、加水分解によりシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）を生成するアルコキシシリル基と、エポキシ基、ビニル基、アミノ基とを有する化合物でありうる。

　シランカップリング剤の例には、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラなどのエポキシ基を有するエポキシ系シランカップリング剤；ビニルトリメトキシシラン、ビニルメトキシシランなどのビニル基を有するビニル系シランカップリング剤；γ－アミノプロピルトリメトキシシランなどの分子内にアミノ基を有するアミン系シランカップリング剤などが含まれる。

　そして、貫通孔１２の内壁面１２ｃに導入された官能基の少なくとも一部と、後述する下地層１６に含まれるバインダー（硫黄含有化合物）の官能基の少なくとも一部とは、反応により結合していることが好ましい。例えば、貫通孔１２の内壁面１２ｃの水酸基またはシラノール基と、硫黄含有化合物のアルコキシシリル基とは、縮合してシリカ結合を形成していることが好ましい。それにより、両者が強固に結合しうる。

　（厚み）
　絶縁層１１の厚みは、非導通部分での絶縁性を確保できる程度であればよく、特に制限されないが、例えば４０～４００μｍ、好ましくは１００～３００μｍでありうる。

　１－２．導電層１３
　導電層１３は、少なくとも貫通孔１２の内壁面１２ｃに配置されている。本実施の形態では、導電層１３は、貫通孔１２の内壁面１２ｃと、第１面１１ａ上の貫通孔１２の開口部の周囲と、第２面１１ｂ上の貫通孔１２の開口部の周囲とに連続して配置されている。そして、ａ１やａ２で示される単位の導電層１３が、導電路としてそれぞれ機能する（図１Ｂ参照）。

　導電層１３は、金属を含む薄膜１６Ａおよびバインダー１６Ｂを含む下地層１６と、当該下地層１６の金属を含む薄膜１６Ａと接するように配置された金属めっき層１７とを有する（図２および３参照）。なお、図３では、金属を含む薄膜１６Ａが、金属ナノ粒子Ｍを含む例を示している。

　１－２－１．下地層１６
　下地層１６は、貫通孔１２の内壁面１２ｃと金属めっき層１７との間に配置されている。そして、下地層１６は、貫通孔１２の内壁面１２ｃと金属めっき層１７との接着性を高めるとともに、金属めっき層１７を電解めっき法により形成可能にしうる。

　下地層１６は、前述の通り、金属を含む薄膜１６Ａと、バインダー１６Ｂとを含む。

　（金属を含む薄膜１６Ａ）
　金属を含む薄膜１６Ａは、貫通孔１２の内壁面１２ｃ上に、バインダー１６Ｂを介して配置されうる。具体的には、金属を含む薄膜１６Ａは、金属と、当該金属に硫黄含有基を介して吸着しているバインダー１６Ｂとの複合膜でありうる。

　金属を含む薄膜１６Ａを構成する金属の種類は、導電性を付与できる金属であればよく、特に限定されないが、金、銀、銅、白金、錫、鉄、コバルト、パラジウム、真鍮、モリブデン、タングステン、パーマロイ、スチールまたはこれらのうち１種の合金であることが好ましい。中でも、導電性に優れる点から、金属を含む薄膜１６Ａは、金、銀または白金を含むことが好ましく、金を含むことがより好ましい。

　金属を含む薄膜１６Ａは、下地層１６の形成方法によって種々の形態をとりうるが、金属ナノ粒子を含んでもよいし、金属ナノ粒子を含まなくてもよい。

　金属を含む薄膜１６Ａが金属ナノ粒子を含む場合、金属ナノ粒子の平均粒子径は、特に限定されないが、１～１００ｎｍであることが好ましい。金属ナノ粒子の平均粒子径が上記範囲内であると、水中の粒子安定性が高く、長期間、高い分散性を維持する。同様の観点から、金属ナノ粒子の平均粒子径は、１０～３０ｎｍであることがより好ましい。金属ナノ粒子の平均粒子径は、動的光散乱法や透過型電子顕微鏡により測定することができる。

　金属を含む薄膜１６Ａの厚みは、特に限定されないが、例えば１０～２００ｎｍであることが好ましい。金属を含む薄膜１６Ａの厚みが１０ｎｍ以上であると、貫通孔１２の内壁面１２ｃの表面に十分な導電性を付与しやすく、２００ｎｍ以下であると、製造効率が損なわれにくい。同様の観点から、金属を含む薄膜１６Ａの厚みは、２０～１００ｎｍであることがより好ましい。

　（バインダー）
　バインダーは、その少なくとも一部が、貫通孔１２の内壁面１２ｃと、金属を含む薄膜１６Ａとの間に配置されており、当該薄膜１６Ａを構成する金属を付着または吸着しうる。

　すなわち、バインダーは、チオール基、スルフィド基またはジスルフィド基を有する硫黄含有化合物（硫黄含有基を有する有機化合物）である。これらの硫黄含有基は、金属との親和性が高く、金属が付着または結合しやすい。すなわち、バインダーは、硫黄含有基以外の部位（好ましくは結合性部位）で貫通孔１２の内壁面１２ｃと結合し、硫黄含有基で（金属を含む薄膜１６Ａ中の）金属と結合することで、貫通孔１２の内壁面１２ｃ上に、金属を含む薄膜１６Ａを固定しうる。

　硫黄含有化合物は、硫黄含有基を１つだけ有してもよいし、２以上有してもよい。特に、金属補足性能を高める観点では、硫黄含有化合物は、硫黄含有基を２以上有することが好ましい。

　また、硫黄含有化合物は、重合体であってもよい。重合体の例には、上記官能基を有する化合物の重合体（例えばアルコキシシランの重合体）を、硫黄含有基を有する化合物で変性した重合体、上記硫黄含有基を有する単量体と上記官能基を有する単量体の共重合体などが含まれる。

　硫黄含有化合物は、貫通孔１２の内壁面１２ｃと結合する結合性部位をさらに有することが好ましい。結合性部位は、貫通孔１２の内壁面１２ｃ上の官能基と、静電的引力（例えば水素結合など）や反応（例えば縮合反応など）により結合しうるような官能基を有することが好ましい。

　そのような官能基の例には、アルコキシシリル基（－ＳｉＲ_ｎ（ＯＲ）_３－ｎ、ｎ＝０～２の整数）、シラノール基、アミノ基（－ＮＨ_２、－ＮＨＲ、－ＮＲ_３）、イミノ基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、アルコキシ基、水酸基、およびイソシアネート基が含まれる。中でも、貫通孔１２の内壁面１２ｃ上に水酸基などが存在する場合、は、それと反応しうるアルコキシシリル基、シラノール基、カルボキシル基およびアミノ基などが好ましい。例えば、絶縁層１１がシリコーン系エラストマーの架橋物であり、それにコロナ処理を施してシラノール基が生成している場合、硫黄含有化合物は、結合性部位の官能基としてアルコキシシラン基を有することが好ましい。

　硫黄含有化合物は、芳香環を有しない化合物（脂肪族化合物）であってもよいし、芳香環を有する化合物（芳香族化合物）であってもよい。

　芳香環を有しない化合物は、例えば炭素原子数１～１０、好ましくは２～８のアルキレン基を有しうる。そのような化合物の例には、チオクト酸、メルカプトペンチルジスルフィド、下記式（１）で表される化合物などのアルキルジスルフィド類；アミルメルカプタン、デカンチオール、下記式（２）で表される化合物などのアルキルチオール類が含まれる。

　式（１）または（２）中、
　ｍは、０または１であり、
　ｎは、２～８の整数であり、
　Ｘは、アルコキシ基であり、
　Ｍｅは、メチル基であり、
　Ｒは、エチレン基またはプロピレン基であり、
　Ｙは、チオール基である。

　式（１）で表される化合物の例には、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリエトキシシランが含まれる。式（２）で表される化合物の例には、ビス（３－（トリエトキシシリル）プロピル）ジスルフィド、ビス（３－（トリエトキシシリル）プロピル）テトラスルフィドが含まれる。

　芳香環を有する化合物における芳香環は、芳香族炭化水素環であってもよいし、芳香族複素環であってもよい。芳香環を有する化合物の例には、アミノフェニルジスルフィド、４，４’－ジチオジピリジンなどのジスルフィド類；６－メルカプトプリン、４－アミノチオフェノール、ナフタレンチオール、２－メルカプトベンズイミダゾール、トリアジンチオール系化合物などのチオール類が含まれる。

　中でも、下地層１６の形成方法にもよるが、貫通孔１２の内壁面１２ｃとの接着性に優れる下地層１６が得られやすい観点から、芳香族複素環を有する硫黄含有化合物が好ましく、芳香族複素環と２以上の硫黄含有基とを有する化合物がより好ましく、トリアジンチオール系化合物が特に好ましい。トリアジンチオール系化合物が、特に良好な接着性を示す理由は明らかではないが、トリアジン環が分子間でパッキングしやすく、バインダー密度を高めやすい点や、１分子中にチオール基を複数有するため、金属の補足性能が高い点などによると考えられる。

　トリアジンチオール系化合物は、トリアジン骨格と、チオール基とを有する。チオール基は、トリアジン骨格を構成する炭素原子に結合していることが好ましい。

　そのようなトリアジンチオール系化合物の例には、下記式（３）で表される化合物が含まれる。

　式（３）中、Ｒ_１は、水素原子または１価の炭化水素基を表す。１価の炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよいし、不飽和炭化水素基であってもよい。１価の炭化水素基の炭素原子数は、特に制限されないが、例えば１～１０でありうる。中でも、Ｒ_１は、水素原子、ＣＨ_３－、Ｃ_２Ｈ_５、ｎ－Ｃ_３Ｈ_７－、ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２－、ｎ－Ｃ_４Ｈ_９－、Ｃ_６Ｈ_５－、またはＣ_６Ｈ_１１－であることがより好ましい。

　Ｒ_２は、２価の炭化水素基を表す。２価の炭化水素基は、水素原子と炭素原子以外の他の原子もしくは官能基を含むものであってもよい。例えば、Ｒ_２は、硫黄原子、窒素原子またはカルバモイル基もしくはウレア基を含む２価の炭化水素基であってもよい。２価の炭化水素基の炭素原子数は、特に制限されないが、例えば２～１０でありうる。中でも、Ｒ_２は、エチレン基、プロピレン基、ヘキシレン基、フェニレン基、ビフェニレン基、デカニル基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－Ｓ－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－Ｓ－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－ＮＨ－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２－Ｎ－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－Ｐｈ－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－ＣＯＮＨ－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨＣＯＣＮＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－などが好ましい。

　Ｘは、水素原子または１価の炭化水素基を表す。１価の炭化水素基の炭素原子数は、特に制限されないが、例えば１～５でありうる。中でも、Ｘは、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、またはブチル基であることが好ましい。

　Ｙは、アルコキシ基を表す。アルコキシ基の炭素原子数は、１～５である。中でも、Ｙは、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、またはブトキシ基であることが好ましい。

　ｎは、１～３の整数であり、好ましくは３である。

　Ｍは、アルカリ金属を表し、好ましくはＬｉ、Ｎａ、ＫまたはＣｓである。

　トリアジンチオール系化合物の他の例には、下記式（４Ａ－１）～（４Ａ－３）で表されるトリアジン化合物と、（結合性部位を有し、かつ）それと反応または吸着可能な有機化合物との反応生成物も含まれる。

　式（４Ａ－１）～（４Ａ－３）中、
　Ａ^１～Ａ^６は、それぞれ水素原子、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、または、置換若しくは無置換のアンモニウムを表し、好ましくは水素原子である。これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

　上式（４Ａ－１）～（４Ａ－３）のいずれかで表されるトリアジン化合物と反応または吸着可能な有機化合物は、前述の結合性部位を有することが好ましい。そのような有機化合物は、例えばアルコキシシリル基、アミノ基（－ＮＨ_２、－ＮＨＲ、－ＮＲ_３）、カルボキシル基、水酸基、およびイソシアネート基からなる群より選ばれる官能基を有する化合物、具体的には、下記式（４Ｂ－１）～（４Ｂ－１０）のいずれかで表される化合物でありうる。

　上記式中、
　Ｒ^１は、置換または無置換のフェニレン基、キシリレン基、アゾ基、アゾ基を有する有機基、２価のベンゾフェノン残基、２価のフェニルエーテル残基、アルキレン基、シクロアルキレン基、ピリジレン基、エステル残基、スルフォン基、または、カルボニル基を表し；
　Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ水素原子またはアルキル基を表す。

　そのような化合物の例には、ジアミノベンゼン、ジアミノアゾベンゼン、ジアミノ安息香酸、ジアミノベンゾフェノン、ヘキサメチレンジアミン、フェニレンジアミン、キシリレンジアミン、１，２－ジアミノエタン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、１，６－ジアミノヘキサン、１，７－ジアミノヘプタン、１，８－ジアミノオクタン、１，９－ジアミノノナン、１，１０－ジアミノデカン、１，１２－ジアミノドデカン、１，２－ジアミノシクロヘキサン、ジアミノジフェニルエーテル、Ｎ，Ｎ′－ジメチルテトラメチレンジアミン、ジアミノピリジン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ｍ－ヘキサメチレン－トリアミン、ベンジジン、３，３′－ジメチル－４，４′－ジアミノ－ジシクロヘキシルメタン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン、メタアミノベンジルアミンなどが含まれる。

　上記式中、Ｒ^４は、フェニル基、ビフェニリル基、置換または無置換のベンジル基、アゾ基を有する有機基、ベンゾイルフェニル基、置換または無置換のアルキル基、シクロアルキル基、アセタール残基、ピリジル基、アルコキシカルボニル基、または、アルデヒド基を有する有機基を示す。

　そのような化合物の例には、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、ｎ－デシルアミン、ｎ－ウンデシルアミン、ｎ－ドデシルアミン、ｎ－ヘプチルアミン、ｎ－ノニルアミン、ステアリルアミン、シクロプロピルアミン、シクロヘキシルアミン、ｏ－アミノジフェニル、１－メチルブチルアミン、２－エチルブチルアミン、２－エチルヘキシルアミン、２－フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、ｏ－メトキシベンジルアミン、アミノアセトアルデヒドジメチルアセタール、アミノアセトアルデヒドジエチルアセタール、アミノフェノールなどが含まれる。

　上記式中、Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれフェニル基、アゾ基を有する有機基、ベンゾイルフェニル基、アルキル基、ピリジル基、アルコキシカルボニル基、アルデヒド基、ベンジル基、または、不飽和基を表す。

　上記式中、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９は、それぞれフェニル基、ベンジル基、アゾ基を有する有機基、ベンゾイルフェニル基、置換または無置換のアルキル基、ピリジル基、アルコキシカルボニル基、アルデヒド基、ニトロソ基を表す。

　そのような化合物の例には、１，１－ジメトキシトリメチルアミン、１，１－ジエトキシトリメチルアミン、Ｎ－エチルジイソプロピルアミン、Ｎ－メチルジフェニルアミン、Ｎ－ニトロソジエチルアミン、Ｎ－ニトロソジフェニルアミン、Ｎ－フェニルジベンジルアミン、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、アミノエチルピペラジン、２，４，６－トリスジメチルアミンメチルフェノール、テトラメチルグアニジン、２－メチルアミノメチルフェノールなどが含まれる。

　上記式中、Ｒ^１０は、置換または無置換のフェニレン基、アゾ基を有する有機基、２価のベンゾフェノン残基、アルキレン基、シクロアルキレン基、ピリジレン基、または、アルコキシカルボニル基を表す。

　そのような化合物の例には、ジヒドロキシベンゼン、ジヒドロキシアゾベンゼン、ジヒドロキシ安息香酸、ジヒドロキシベンゾフェノン、１，２－ジヒドロキシエタン、１，４－ジヒドロキシブタン、１，３－ジヒドロキシプロパン、１，６－ジヒドロキシヘキサン、１，７－ジヒドロキシペンタン、１，８－ジヒドロキシオクタン、１，９－ジヒドロキシノナン、１，１０－ジヒドロキシデカン、１，１２－ジヒドロキシドデカン、１，２－ジヒドロキシシクロヘキサンなどが含まれる。

　上記式中、
　Ｒ^１１およびＲ^１２は、それぞれ不飽和基を表し、
　Ｘ^１は、２価のマレイン酸残基、２価のフタル酸残基、または、２価のアジピン酸残基を示す。

　そのような化合物の例には、クロレンド酸ジアリル、マレイン酸ジアリル、フタル酸ジアリル、アジピン酸ジアリルなどが含まれる。

　上記式中、
　Ｒ^１３は、不飽和基を表し、
　Ｘ^２は、置換または無置換のフェニル基、アルキル基、アミノ酸残基、水酸基を有する有機基、シアヌル酸残基、または、アルコキシカルボニル基を表す。

　上記式中、
　Ｒ^１４は、置換または無置換のフェニル基、ナフチル基、置換または無置換のアルキル基、ベンジル基、ピリジル基、または、アルコキシカルボニル基を表す。

　そのような化合物の例には、アリルメタクリレート、１－アリル－２－メトキシベンゼン、２－アリルオキシ－エタノール、３－アリルオキシ－１、２－プロパンジオール、４－アリル－１、２－ジメトキシベンゼン、酢酸アリル、アリルアルコール、アリルグリシジルエーテル、ヘプタン酸アリル、イソフタル酸アリル、イソ吉草酸アリル、アリルメタクリレート、ｎ－酪酸アリル、ｎ－カプリン酸アリル、フェノキシ酢酸アリル、プロピオン酸アリル、アリルベンゼン、ｏ－アリルフェノール、シアヌル酸トリアリル、トリアリルアミンなどが挙げられる。

　上記式中、
　Ｒ^１５は、フェニル基、置換または無置換のアルキル基、アルコキシカルボニル基、アミド基、または、ビニル基を表し、
　Ｘ^３は、アクリル酸残基を表す。

　そのような化合物の例には、アクリル酸－２－（ジメチル）アミノエチル、２－アセトアミドアクリル酸、アクリル酸－２－エチルヘキシル、アクリル酸－２－ヒドロキシエチル、アクリルアミド、Ｎ－メチロールアクリルアミド、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸イソブチル、メタクリル酸、３－メトキシアクリル酸メチル、アクリル酸ステアリル、アクリル酸ビニル、３－アクリルアミド－Ｎ、Ｎ－ジメチルプロピルアミンなどが含まれる。

　上記式中、Ｒ^１６およびＲ^１７は、それぞれフェニル基、アルキル基、アルコキシカルボニル基、アミド基、または、ビニル基を表す。

　そのような化合物の例には、１，２－シクロヘキサンジカルボン酸無水物、２－クロロマレイン酸無水物、４－メチルフタル酸無水物、安息香酸無水物、酪酸無水物、シュウ酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ピロメット酸無水物、トリメット酸無水物、トリメット酸無水物ドリコール、メチルナジック酸無水物クロトン酸無水物、ドデシルコハク酸無水物、ジクロルマレイン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。

　バインダー１６Ｂは、導電性を有する化合物であってもよい。

　下地層１６は、必要に応じて他の成分をさらに含んでもよい。他の成分の例には、無電解めっき液に含まれる還元剤に由来する成分や、金属めっき層１７を構成するめっき成分でありうる。ただし、下地層１６は、硬度が高くなりすぎないようにする観点から、ニッケルを実質的に含まないことが好ましい。ニッケルを実質的に含まないとは、ニッケルまたはその化合物の含有量が、下地層１６に対して１０質量％以下、好ましくは５質量％以下であることをいう。それにより、下地層の硬度が高くなりにくく、シートを厚み方向に弾性変形させた際に剥がれにくくしうる。

　なお、本実施の形態では、下地層１６が、金属を含む薄膜１６Ａとバインダー１６Ｂとを含む例（図３参照）を示したが、これに限定されない。すなわち、金属を含む薄膜１６Ａとバインダー１６Ｂとの境界は必ずしも明確ではないため、要は、下地層１６全体が、金属とバインダーとを含む層（有機－無機複合層）であればよい。例えば、下地層１６は、金属とバインダーとを含む層であって、金属が、下地層１６の表層部（金属めっき層１７と接する表層部）に偏在していてもよい、すなわち、（貫通孔１２の内壁面１２ｃ側から）金属が相対的に少ない領域と、金属が相対的に多い領域とを有してもよい。

　（厚み）
　下地層１６の厚みは、貫通孔１２の内壁面１２ｃと金属めっき層１７とを十分に接着させうる程度であればよい。例えば、下地層１６の厚みは、その形成方法にもよるが、例えば、１０～５００ｎｍであることが好ましい。下地層１６の厚みが１０ｎｍ以上であると、貫通孔１２の内壁面１２ｃと金属めっき層１７とを十分に接着させやすい。下地層１６の厚みが５００ｎｍ以下であると、例えば異方導電性シート１０を厚み方向に繰り返し弾性変形させても、下地層１６が剥がれにくい。同様の観点から、下地層１６の厚みは、３０～３００ｎｍであることがより好ましい。

　本実施の形態では、下地層１６の厚みＴ１は、第１面１１ａ（または第２面１１ｂ）上では、絶縁層１１の厚み方向の厚みをいい、内壁面１２ｃ上では、絶縁層１１の厚み方向と直交する方向の厚みをいう（図２参照）。

　下地層１６の厚みは、走査型電子顕微鏡にて撮影した断面画像により測定することができる。
　具体的には、異方導電性シート１０の厚み方向に沿った断面を、走査型電子顕微鏡により観察する。そして、下地層１６に相当する領域を特定し、その厚みを測定する。下地層１６と金属めっき層１７との境界は、例えば金属ナノ粒子を含む金属を含む薄膜１６Ａ（金属ナノ粒子法で形成された金属を含む薄膜）では、二次電子像において、当該金属ナノ粒子の外縁を結んだ線を境界として特定することができる。また、金属ナノ粒子を含まない金属を含む薄膜１６Ａ（分子接合法で形成された金属を含む薄膜）では、ＳＥＭ－ＥＤＸまたはＴＥＭ－ＥＤＸなどで得られる特性Ｘ線像において、硫黄原子を含有する領域の外縁を境界として特定することができる。

　下地層１６の厚みＴ１は、金属めっき層１７の厚みＴ２よりも薄いことが好ましい。具体的には、下地層１６の厚みＴ１と金属めっき層１７の厚みＴ２の合計に対する、下地層１６の厚みＴ１の比Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）は、０．００２５～０．５であることが好ましい（図３参照）。０．００２５以上であると、貫通孔１２の内壁面１２ｃと金属めっき層１７とを十分に接着させやすく、０．５以下であると、十分な導電性が発現しやすい。同様の観点から、比Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）は、０．００５～０．２であることがより好ましい。

　１－２－２．金属めっき層１７
　金属めっき層１７は、下地層１６の金属を含む薄膜１６Ａと接するように配置された、導電層１３の主体となる層である。金属めっき層１７は、下地層１６の金属を含む薄膜１６Ａを起点として電解めっき法により形成された層でありうる。

　金属めっき層１７を構成する材料の体積抵抗率は、十分な導電性が得られる程度であればよく、特に制限されないが、例えば１．０×１０×１０^－４Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、１．０×１０×１０^－６～１．０×１０^－９Ω・ｃｍであることがより好ましい。金属めっき層１７を構成する材料の体積抵抗率は、ＡＳＴＭＤ９９１に記載の方法で測定することができる。

　金属めっき層１７を構成する金属は、下地層１６上に電解めっきなどにより形成可能なものであればよい。金属めっき層１７を構成する金属の例としては、下地層１６の金属を含む薄膜１６Ａを構成する金属の例として挙げたものと同様でありうる。下地層１６の金属を含む薄膜１６Ａを構成する金属と、金属めっき層１７を構成する金属とは、同じであってもよいし、異なってもよい。下地層１６と金属めっき層１７との接着性をより高くしうる観点では、下地層１６の金属を含む薄膜１６Ａを構成する金属と、金属めっき層１７を構成する金属とは、同じであることが好ましい。

　（厚み）
　金属めっき層１７の厚みは、十分な導電性が得られ、かつ貫通孔１２が塞がれたり、シートの弾性変形により剥がれたりしない程度であればよく、特に制限されない。具体的には、金属めっき層１７の厚みは、厚み比（Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２））が上記範囲を満たすことが好ましく、例えば０．２～４μｍであることが好ましい。金属めっき層１７の厚みが０．２μｍ以上であると、十分な導電性が得られやすく、４μｍ以下であると、シートの弾性変形によって、金属めっき層１７が剥がれたり、金属めっき層１７との接触により検査対象物の端子が傷付いたりしにくくしうる。同様の観点から、金属めっき層１７の厚みは、例えば０．５～２μｍであることがより好ましい。

　本実施の形態では、金属めっき層１７の厚みは、下地層１６と同様に、第１面１１ａ（または第２面１１ｂ）上では、絶縁層１１の厚み方向の厚みをいい、内壁面１２ｃ上では、絶縁層１１の厚み方向と直交する方向の厚みをいう。

　１－２－３．共通事項
　第１面１１ａ側における導電層１３で囲まれた空洞１２’の円相当径は、第１面１１ａ側における貫通孔１２の開口部の円相当径Ｄ１から導電層１３の厚み分を差し引いて求められるが、例えば１～３３０μｍでありうる。

　１－３．第１溝部１４および第２溝部１５
　第１溝部１４および第２溝部１５は、異方導電性シート１０の一方の面および他方の面にそれぞれ形成された溝（凹条）である。具体的には、第１溝部１４は、第１面１１ａ上において複数の導電層１３の間に配置され、それらの間を絶縁する。第２溝部１５は、第２面１１ｂ上において複数の導電層１３の間に配置され、それらの間を絶縁する。

　第１溝部１４（または第２溝部１５）の、延設方向に対して直交する方向の断面形状は、特に制限されず、矩形、半円形、Ｕ字型、Ｖ字型のいずれであってもよい。本実施の形態では、第１溝部１４（または第２溝部１５）の断面形状は、矩形である。

　第１溝部１４（または第２溝部１５）の幅ｗおよび深さｄは、異方導電性シート１０を厚み方向に押圧したときに、第１溝部１４（または第２溝部１５）を介して一方の側の導電層１３と、他方の側の導電層１３とが接触しない範囲に設定されることが好ましい。

　具体的には、異方導電性シート１０を厚み方向に押圧すると、第１溝部１４（または第２溝部１５）を介して一方の側の導電層１３と、他方の側の導電層１３とが近づいて接触しやすい。したがって、第１溝部１４（または第２溝部１５）の幅ｗは、導電層１３の厚みよりも大きいことが好ましく、導電層１３の厚みに対して２～４０倍であることが好ましい。

　第１溝部１４（または第２溝部１５）の幅ｗは、第１面１１ａ（または第２面１１ｂ）において、第１溝部１４（または第２溝部１５）が延設される方向に対して直交する方向の最大幅である（図２参照）。

　第１溝部１４（または第２溝部１５）の深さｄは、導電層１３の厚みと同じであってもよいし、それよりも大きくてもよい。すなわち、第１溝部１４（または第２溝部１５）の最深部は、絶縁層１１の第１面１１ａに位置していてもよいし、絶縁層１１の内部に位置していていもよい。中でも、第１溝部１４（または第２溝部１５）を挟んで一方の導電層１３と他方の導電層１３とが接触しない範囲に設定しやすくする観点から、第１溝部１４（または第２溝部１５）の深さｄは、導電層１３の厚みよりも大きいことが好ましく、導電層１３の厚みに対して１．５～２０倍であることがより好ましい（図２参照）。

　第１溝部１４（または第２溝部１５）の深さｄは、絶縁層１１の厚み方向と平行な方向において、導電層１３の表面から最深部までの深さをいう（図２参照）。

　第１溝部１４と第２溝部１５の幅ｗおよび深さｄは、それぞれ互いに同じであってもよいし、異なってもよい。

　１－４．効果
　本実施の形態の異方導電性シート１０では、導電層１３は、貫通孔１２の内壁面１２ｃと金属めっき層１７との間に配置された下地層１６を有する。下地層１６は、バインダーを含むため、適度な柔軟性を有しつつ、貫通孔１２の内壁面１２ｃと金属めっき層１７とを良好に接着させうる。それにより、電気検査時において、異方導電性シート１０を、加圧または除圧により繰り返し厚み方向に弾性変形させても、金属めっき層１７が剥がれにくい。それにより、電気検査装置の基板と検査対象物との間で十分な電気的接続を行うことができる。

　また、本実施の形態では、異方導電性シート１０は、貫通孔１２の内壁面１２ｃだけでなく、絶縁層１１の第１面１１ａおよび第２面１１ｂ（または異方導電性シート１０の表面）にも導電層１３を有する。それにより、電気検査の際に、検査用基板の電極と検査対象物の端子との間に挟んで圧力を加えた場合に、確実に電気的接触を行うことができる。

　２．異方導電性シートの製造方法
　図４Ａ～Ｆは、本実施の形態に係る異方導電性シート１０の製造方法を示す断面模式図である。

　本実施の形態に係る異方導電性シート１０は、例えば１）絶縁シート２１を準備する工程（図４Ａ参照）と、２）絶縁シート２１に、複数の貫通孔１２を形成する工程（図４Ｂ参照）と、３）複数の貫通孔１２が形成された絶縁シート２１の表面に、下地層２２を形成する工程と（図４Ｃ参照）、４）下地層２２上に金属めっき層２３を形成して、導電層２４を得る工程と（図４Ｄ参照）、５）絶縁シート２１の第１面２１ａ側の一部と第２面２１ｂ側の一部とを除去して（図４Ｅ参照）、複数の導電層１３を得る工程（図４Ｆ参照）とを経て製造される。

　１）の工程（絶縁シート準備工程）について
　まず、絶縁シート２１を準備する。本実施の形態では、前述のエラストマー組成物の架橋物（弾性体層）を含む絶縁シート２１を準備する。

　２）の工程（貫通孔形成工程）について
　次いで、絶縁シート２１に、複数の貫通孔１２を形成する。

　貫通孔１２の形成は、任意の方法で行うことができる。例えば、機械的に孔を形成する方法（例えばプレス加工、パンチ加工）や、レーザー加工法などにより行うことができる。中でも、微細で、かつ形状精度の高い貫通孔１２の形成が可能である点から、貫通孔１２の形成は、レーザー加工法によって行うことがより好ましい（図４Ａ参照）。

　レーザーの媒質は、特に限定されず、エキシマレーザー、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザーのいずれであってもよい。レーザーのバルス幅も、特に限定されず、ピコ秒レーザー、ナノ秒レーザー、フェムト秒レーザーのいずれであってもよく、樹脂を精度良く穿孔しやすい観点から、フェムト秒レーザーが好ましい。

　なお、レーザー加工では、レーザーが照射される時間が最も長い、絶縁層１１のレーザー照射面において、貫通孔１２の開口径が大きくなりやすい。つまり、絶縁層１１の内部からレーザーの照射面へ向かうにつれて開口径が大きくなるテーパ形状となりやすい。そのようなテーパ形状を低減する観点から、レーザーが照射される面に犠牲層（不図示）をさらに有する絶縁シート２１を用いて、レーザー加工を行ってもよい。犠牲層を有する絶縁シート２１のレーザー加工方法は、例えば国際公開第２００７／２３５９６号の内容と同様の方法で行うことができる。

　３）の工程（下地層形成工程）について
　次いで、複数の貫通孔１２が形成された絶縁シート２１の表面全体に、１つの連続した下地層２２を形成する（図４Ｃ参照）。具体的には、絶縁シート２１の、複数の貫通孔１２の内壁面１２ｃと、その開口部の周囲の第１面２１ａおよび第２面２１ｂとに連続して下地層２２を形成する。

　下地層２２の形成は、任意の方法で行うことができる。例えば、絶縁シート２１を、バインダーを含む溶液と接触させて、絶縁シート２１上にバインダーを付着させた後、金属イオンが溶解した溶液とさらに接触させて、絶縁シート２１に付着したバインダー上に金属薄膜を析出させる方法（分子接合法）で行ってもよいし；下地層２２は、複数の貫通孔１２が形成された絶縁シート２１を、金属ナノ粒子とバインダーとを含む分散液と接触させて形成してもよいし（金属ナノ粒子法）。

　（分子接合法）
　分子接合法では、Ａ）絶縁シート２１を、バインダーを含む溶液と接触させて、絶縁シート２１上にバインダーを付与する工程と、Ｂ）バインダーを付与した絶縁シート２１を、金属イオンが溶解した溶液とさらに接触させて、絶縁シート２１のバインダー上に金属薄膜を析出させる工程とを経て、下地層１６を形成する。それにより、金属を含む薄膜１６Ａを有する下地層２２を得ることができる。

　Ａ）の工程（バインダー付与工程）について
　まず、複数の貫通孔１２が形成された絶縁シート２１を、バインダーを含む溶液と接触させる。それにより、絶縁シート２１の表面にバインダーを付与する。

　バインダーを含む溶液は、バインダーを含む水溶液であり、必要に応じて水溶性有機溶剤などをさらに含んでもよい。バインダーは、前述のものを使用することができる。中でも、本方法に使用されるバインダーは、トリアジンチオール系化合物であることが好ましい。バインダーの含有量は、特に制限されないが、貫通孔１２の内部にも浸透させやすくする観点などから、水溶液に対して例えば０．０１～１０質量％程度としうる。

　バインダーを含む溶液との接触は、前述と同様に、上記溶液を絶縁シート２１に噴霧または塗布して行ってもよいし、上記溶液中に絶縁シート２１を浸漬して行ってもよい。中でも、絶縁シート２１を上記溶液に浸漬することが好ましい。

　その後、絶縁シート２１を溶液から取り出して、乾燥させる。乾燥は、加熱乾燥であってもよい。浸漬条件および乾燥条件は、前述の方法と同様としうる。

　なお、絶縁シート２１とバインダ－との密着性を向上させるために、絶縁シート２１とバインダーを含む溶液とを接触させる前に、絶縁シート２１の表面および貫通孔１２の内壁面１２ｃに、水酸基などの官能基を導入もしくは結合させておくことが好ましい（後述の６）の工程（前処理工程）を参照）。

　Ｂ）の工程（無電解めっき工程）について
　次いで、バインダーを付与した絶縁シート２１を、金属イオンが溶解した溶液（無電解めっき液）とさらに接触させて、無電解めっきを行う。それにより、絶縁シート２１に付与したバインダー上に、金属薄膜を析出させる。

　なお、金属を含む薄膜１６Ａを形成しやすくする観点から、無電解めっきを行う前に、活性化処理を行うことが好ましい。

　（活性化処理）
　絶縁シート２１を、活性化液に浸漬して、バインダーの硫黄含有基（例えばチオール基）を活性化させる。

　使用される活性化液は、パラジウム塩、金塩、白金塩、銀塩、塩化スズなどのスズ塩と、アミン錯体とを含む水溶液でありうる。この水溶液に、例えば－ＳＨ基と－Ｓ－Ｓ－基を有する絶縁シート２１を浸漬すると、これらの基には、パラジウム、白金および銀などの金属が析出して化学的に結合する（接着する）ため、洗浄しても脱落しにくい。

　（無電解めっき）
　次いで、得られた絶縁シート２１を、無電解めっき液と接触させる。無電解めっき液との接触は、例えば無電解めっき液を絶縁シート２１に噴霧または塗布して行ってもよいし、無電解めっき液中に絶縁シート２１を浸漬して行ってもよい。中でも、絶縁シート２１を無電解めっき液に浸漬することが好ましい。

　無電解めっき液は、金属塩と、還元剤とを含み、必要に応じてｐＨ調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤および改良剤などの補助成分をさらに含んでもよい。

　金属塩を構成する金属の種類は、金、銀、銅、コバルト、鉄、パラジウム、白金、真鍮、モリブデン、タングステン、パーマロイ、スチール、ニッケルなどとこれらの合金であり、これらの金属塩が単独または混合して使用される。

　金属塩の具体例には、ＫＡｕ（ＣＮ）_２, ＫＡｕ（ＣＮ）_４, Ｎａ_３Ａｕ（ＳＯ_３）_２, Ｎａ_３Ａｕ（Ｓ_２Ｏ_３）_２、ＮａＡｕＣｌ_４、ＡｕＣＮ、Ａｇ（ＮＨ_３）_２ＮＯ_３、ＡｇＣＮ、ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ、ＣｕＥＤＴＡ、ＮｉＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ, ＮｉＣｌ_２、Ｎｉ(ＯＣＯＣＨ_３)_２、ＣｏＳＯ_４、ＣｏＣｌ_２、ＳｎＣｌ_２・７Ｈ_２Ｏ、ＰｄＣｌ_２などを挙げることができる。これらの濃度は、通常、０．００１～１ｍｏｌ／Ｌの範囲でありうる。

　還元剤は、上記の金属塩を還元して金属を生成する作用を持つものである。還元剤の例には、ＫＢＨ_４、ＮａＢ、ＮａＨ_２ＰＯ_２、（ＣＨ_３）_２ＮＨ・ＢＨ_３、ＣＨ_２Ｏ、ＮＨ_２ＮＨ_２、ヒドロキシルアミン塩、Ｎ，Ｎ－エチルグリシンなどである。これらの濃度は、通常、通常、０．００１～１ｍｏｌ／Ｌの範囲でありうる。

　また、無電解めっき液は、上記成分に加えて、無電解めっき液の耐久性を延長させたり、還元効率を高めたりする目的で補助成分をさらに含んでもよい。そのような補助成分の例には、塩基性化合物、無機塩、有機酸塩、クエン酸塩、酢酸塩、ホウ酸塩、炭酸塩、水酸化アンモニア、ＥＤＴＡ、ジアミノエチレン、酒石酸ナトリウム、エチレングリコール、チオ尿素、トリアジンチオール、トリエタノールアミンが含まれる。これら成分の濃度は、０．００１～０．１ｍｏｌ／Ｌでありうる。

　浸漬条件は、導電性が得られる程度に下地層２２を形成可能な条件であればよい。例えば、浸漬温度は、２０～５０℃とすることができ、浸漬時間は、３０分～２４時間としうる。

　その後、絶縁シート２１を無電解めっき液から取り出して、乾燥させる。乾燥は、好ましくは加熱乾燥でありうる。加熱乾燥は、金属の酸化を抑制する観点から、窒素ガスやアルゴンガス雰囲気下で行うことが好ましい。加熱温度は、絶縁シート２１にダメージを与えない程度の温度であることが好ましく、例えば５０～２００℃の温度範囲で、1～１８０分間行われる。

　（金属ナノ粒子法）
　金属ナノ粒子法では、複数の貫通孔１２が形成された絶縁シート２１を、金属ナノ粒子とバインダーとを含む分散液と接触させる。それにより、複数の貫通孔１２が形成された絶縁シート２１の表面に、バインダー１６Ｂを介して金属ナノ粒子を付着させて、金属ナノ粒子を含む金属を含む薄膜１６Ａを形成することができる。

　金属ナノ粒子とバインダーとを含む分散液は、例えば金属ナノ粒子の分散液と、前述のバインダーとを混合して得ることができる。

　金属ナノ粒子の分散液は、金属を含む薄膜１６Ａに対応する金属を含む金属塩と、還元剤と、水とを、必要に応じて加熱下で混合して得ることができる。すなわち、用いられる金属塩や還元剤は、前述の無電解めっき液で使用される金属塩や還元剤と同様のものを使用できる。

　バインダーは、前述のものを使用することができる。中でも、本方法に使用されるバインダーは、結合性部位を有するアルキルジスルフィド類（例えばチオクト酸やメルカプトペンチルジスルフィドなど）であることが好ましい。

　上記分散液は、必要に応じて水以外の成分をさらに含んでもよい。水以外の成分の例には、水溶性溶剤（例えばエタノールなどのアルコール類やアセトンなどのケトン類）が含まれる。

　上記分散液との接触は、前述と同様に、上記分散液を絶縁シート２１に噴霧または塗布して行ってもよいし、上記分散液中に絶縁シート２１を浸漬して行ってもよいが、絶縁シート２１を上記分散液に浸漬することが好ましい。浸漬条件は、前述の方法における無電解めっきにおける浸漬条件と同様としうる。

　その後、絶縁シート２１を上記分散液から取り出して、乾燥させる。乾燥は、好ましくは加熱乾燥でありうる。乾燥条件は、前述の方法における乾燥条件と同様としうる。

　４）の工程（金属めっき層形成工程）について
　次いで、得られた下地層２２上に、金属めっき層２３を形成する（図４Ｄ参照）。

　金属めっき層２３の形成は、例えば無電解めっき法や電解めっき法などの任意の方法で行うことができる。中でも、下地層２２は、表層部分に金属を含む薄膜（図３の金属を含む薄膜１６Ａ参照）を含み、導電性を有することから、当該金属を含む薄膜を起点として電解めっき法により金属めっき層２３を形成することが好ましい。それにより、下地層２２と、金属めっき層１７とを有する導電層２４を形成することができる（図４Ｄ参照）。

　なお、金属を含む薄膜１６Ａの導電性が不足している場合は、無電解めっき法にて金属めっき薄膜をさらに形成した後、電解めっき法にて、金属めっき層２３を形成してもよい。無電解めっき法にて用いる無電解めっき液に用いられる金属塩や還元剤などの各成分は、前述の無電解めっき液と同様としうる。

　５）の工程（導電層形成工程）について
　そして、絶縁シート２１の第１面および第２面に、複数の第１溝部１４および複数の第２溝部１５をそれぞれ形成する（図４Ｆ参照）。それにより、導電層２４を、貫通孔１２ごとに設けられた複数の導電層１３としうる（図４Ｆ参照）。

　複数の第１溝部１４および第２溝部１５の形成は、任意の方法で行うことができる。例えば、複数の第１溝部１４および複数の第２溝部１５の形成は、レーザー加工法により行うことが好ましい。本実施の形態では、第１面１１ａ（または第２面１１ｂ）では、複数の第１溝部１４（または複数の第２溝部１５）は、格子状に形成されうる（図１Ａ参照）。

　他の工程について
　なお、異方導電性シート１０の製造方法は、必要に応じて他の工程をさらに含んでもよい。例えば、２）の工程と３）の工程の間に、６）複数の貫通孔１２が形成された絶縁シート２１を前処理する工程をさらに行うことが好ましい。

　６）の工程（前処理工程）について
　複数の貫通孔１２が形成された絶縁シート２１について、下地層２２を形成しやすくするための前処理を行うことが好ましい。

　具体的には、３）の工程（下地層形成工程）において、バインダーを含む分散液と接触させる前に、バインダーとの密着性を向上させるために、絶縁シート２１の表面および貫通孔の内壁面１２ｃに水酸基などの官能基を導入もしくは結合させる処理を行うことが好ましい。この官能基（好ましくは水酸基）の導入もしくは結合は、公知の方法をはじめとして様々な方法として可能である。好適な方法としては、コロナ放電処理、プラズマ処理、ＵＶ照射処理、イトロ処理の方法がある。

　中でも、官能基を導入しうるだけでなく、レーザー加工で発生したスミアの除去（デスミア処理）も可能であることなどから、プラズマ処理が好ましく、酸素ガスまたは、酸素／４フッ化炭素混合ガスによるプラズマ処理がより好ましい。具体的には、空気や酸素ガスを、絶縁シート２１の貫通孔１２にフローさせながら、プラズマ処理を行うことが好ましい。それにより、貫通孔１２の内壁面１２ｃが親水化され、下地層２２との接着性を一層高めうる。

　例えば絶縁シート２１が、シリコーン系エラストマー組成物の架橋物で構成されている場合、絶縁シート２１を酸素プラズマ処理することで、アッシング／エッチングが可能であるだけでなく、シリコーンの表面を酸化し、シリカ膜を形成することができる。シリカ膜を形成することで、めっき液が貫通孔１２内に浸入しやすくしたり、導電層２２と貫通孔１２の内壁面との密着性を高めたりしうる。

　酸素プラズマ処理は、例えばプラズマアッシャーや高周波プラズマエッチング装置、マイクロ波プラズマエッチング装置を用いて行うことができる。

　あるいは、下地層２２との接着性を高めるために、シランカップリング剤による処理を行ってもよい。使用されるシランカップリング剤は、前述の通りである。それにより、例えば貫通孔１２の内壁面１２ｃなどに、シランカップリング剤に由来するアミノ基などの官能基が導入される。それにより、下地層２２を形成する際に、バインダーの結合性部位（例えばカルボキシル基を有する部位）とイオン結合としうるため、貫通孔１２の内壁面１２ｃなどと下地層２２との接着性を一層高めうる。

　あるいは、絶縁層１１を構成するエラストマーや樹脂として、表面に水酸基が存在するような材料を選択してもよい。

　得られた異方導電性シートは、好ましくは電気検査に用いることができる。

　３．電気検査装置および電気検査方法
　（電気検査装置）
　図５は、本実施の形態に係る電気検査装置１００の一例を示す断面図である。

　電気検査装置１００は、図１Ｂの異方導電性シート１０を用いたものであり、例えば検査対象物１３０の端子１３１間（測定点間）の電気的特性（導通など）を検査する装置である。なお、同図では、電気検査方法を説明する観点から、検査対象物１３０も併せて図示している。また、異方導電性シート１０の断面図は、図１Ｂと同様であることから、その図示は省略する。

　図５に示されるように、電気検査装置１００は、保持容器（ソケット）１１０と、検査用基板１２０と、異方導電性シート１０とを有する。

　保持容器（ソケット）１１０は、検査用基板１２０や異方導電性シート１０などを保持する容器である。

　検査用基板１２０は、保持容器１１０内に配置されており、検査対象物１３０に対向する面に、検査対象物１３０の各測定点に対向する複数の電極１２１を有する。

　異方導電性シート１０は、検査用基板１２０の電極１２１が配置された面上に、当該電極１２１と、異方導電性シート１０における第２面１１ｂ側の導電層１３とが接するように配置されている。

　検査対象物１３０は、特に制限されないが、例えばＨＢＭやＰｏＰなどの各種半導体装置（半導体パッケージ）または電子部品、プリント基板などが挙げられる。検査対象物１３０が半導体パッケージである場合、測定点は、バンプ（端子）でありうる。また、検査対象物１３０がプリント基板である場合、測定点は、導電パターンに設けられる測定用ランドや部品実装用のランドでありうる。

　（電気検査方法）
　図５の電気検査装置１００を用いた電気検査方法について説明する。

　図５に示されるように、本実施の形態に係る電気検査方法は、電極１２１を有する検査用基板１２０と、検査対象物１３０とを、異方導電性シート１０を介して積層して、検査用基板１２０の電極１２１と、検査対象物１３０の端子１３１とを、異方導電性シート１０を介して電気的に接続させる工程を有する。

　上記工程を行う際、検査用基板１２０の電極１２１と検査対象物１３０の端子１３１とを、異方導電性シート１０を介して十分に導通させやすくする観点から、必要に応じて、検査対象物１３０を押圧するなどして加圧したり、加熱雰囲気下で接触させたりしてもよい。

　前述の通り、異方導電性シート１０は、貫通孔１２の内壁面１２ｃと金属めっき層１７との間に配置された下地層１６を有する。下地層１６は、貫通孔１２の内壁面１２ｃと金属めっき層１７とを良好に接着させうる。それにより、電気検査時において、異方導電性シート１０が、加圧または除圧により、繰り返し厚み方向に弾性変形しても、金属めっき層１７が剥がれないようにすることができる。それにより、電気検査装置の基板と検査対象物との間で十分な電気的接続を行うことができる。

　［変形例］
　なお、上記実施の形態では、図１に示される異方導電性シート１０の例で説明したが、これに限定されない。

　図６ＡおよびＢは、他の実施の形態に係る異方導電性シート１０を示す部分断面図である。すなわち、上記実施の形態では、導電層１３は、絶縁層１１の第１面１１ａと第２面１１ｂの両方に配置される例を示したが（図１Ｂ参照）、これに限定されず、絶縁層１１の第１面１１ａのみに配置されてもよい（図６Ａ参照）。

　また、上記実施の形態では、絶縁層１１全体が、弾性体層である例を示したが、これに限定されず、弾性変形しうる範囲で、他の層をさらに有してもよい。例えば、絶縁層１１は、第１面１１ａ（または第２面１１ｂ）を含む弾性体層１１Ａと、第２面１１ｂ（または第１面１１ａ）を含む耐熱性樹脂層１１Ｂとを有してもよい（図６Ｂ参照）。

　（耐熱性樹脂層１１Ｂ）
　耐熱性樹脂層１１Ｂは、耐熱性樹脂組成物で構成される。

　耐熱性樹脂層１１Ｂを構成する耐熱性樹脂組成物は、弾性体層１１Ａを構成するエラストマー組成物の架橋物よりも高いガラス転移温度を有することが好ましい。具体的には、電気検査は、約－４０～１５０℃で行われることから、耐熱性樹脂組成物のガラス転移温度は、１５０℃以上であることが好ましく、１５０～５００℃であることがより好ましい。耐熱性樹脂組成物のガラス転移温度は、前述と同様の方法で測定することができる。

　また、耐熱性樹脂層１１Ｂを構成する耐熱性樹脂組成物は、弾性体層１１Ａを構成するエラストマー組成物の架橋物よりも低い線膨脹係数を有することが好ましい。具体的には、耐熱性樹脂層１１Ｂを構成する耐熱性樹脂組成物の線膨脹係数は、６０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましい。

　また、耐熱性樹脂層１１Ｂは、例えば無電解めっき処理などにおいて薬液に浸漬されるため、これらを構成する耐熱性樹脂組成物は、耐薬品性を有することが好ましい。

　また、耐熱性樹脂層１１Ｂを構成する耐熱性樹脂組成物は、弾性体層１１Ａを構成するエラストマー組成物の架橋物よりも高い貯蔵弾性率を有することが好ましい。

　耐熱樹脂組成物１１Ｂの組成は、ガラス転移温度、線膨脹係数または貯蔵弾性率が上記範囲を満たし、かつ耐薬品性を有するものであればよく、特に制限されない。耐熱性樹脂組成物に含まれる樹脂の例には、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミドなどのエンジニアリングプラスチック、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、オレフィン樹脂が含まれる。耐熱性樹脂組成物は、必要に応じてフィラーなどの他の成分をさらに含んでもよい。

　耐熱性樹脂層１１Ｂの厚みＴｂは、特に制限されないが、絶縁層１１の弾性が損なわれにくくする観点では、弾性体層１１Ａの厚みＴａよりも薄いことが好ましい（図６Ｂ参照）。具体的には、耐熱性樹脂層１１Ｂの厚みＴｂと弾性体層１１Ａの厚みＴａとの比（Ｔｂ／Ｔａ）は、例えば５／９５～３０／７０であることが好ましく、１０／９０～２０／８０であることがより好ましい。耐熱性樹脂層１１Ｂの厚みの割合が一定以上であると、絶縁層１１の弾性（弾性変形しやすさ）を損なわない程度に、絶縁層１１に適度な硬さ（コシ）を付与できる。それにより、ハンドリング性を高めることができるだけでなく、絶縁層１１の伸縮などによって導電層１３が破壊されたり、熱によって複数の貫通孔１２の中心間距離が変動したりするのを抑制できる。

　このように、図６Ｂの異方導電性シート１０では、絶縁層１１は、弾性が高い弾性体層１１Ａと、耐熱性が高い（または線膨脹係数が低い）耐熱性樹脂層１１Ｂとを有する。そのため、絶縁層１１の弾性（弾性変形しやすさ）を損なわない程度に、絶縁層１１に適度な硬さ（コシ）を付与できる。それにより、ハンドリング性を高めることができるだけでなく、熱による絶縁層１１の伸縮などによって導電層１３が破壊されたり、熱によって複数の貫通孔１２の中心間距離が変動したりするのを抑制できる。

　弾性体層１１Ａ、耐熱性樹脂層１１Ｂは、それぞれ１層であってもよいし、２層以上あってもよい。また、接着層（不図示）なども含まれてもよい。

　図７Ａは、他の実施の形態に係る異方導電性シートを示す平面図であり、図７Ｂは、図７Ａの異方導電性シートの７Ｂ－７Ｂ線の部分拡大断面図である。

　すなわち、上記実施の形態では、導電層１３は、貫通孔１２の内壁面１２ｃだけでなく、絶縁層１１の第１面１１ａおよび第２面１１ｂにも配置される例を示したが（図１Ｂ参照）、これに限定されず、貫通孔１２の内壁面１２ｃのみに配置されてもよい（図７Ｂ参照）。その場合、隣り合う２つの貫通孔１２は、互いに絶縁されることから、第１溝部１４および第２溝部１５は、いずれも不要である。

　また、上記実施の形態では、異方導電性シートを電気検査に用いる例を示したが、これに限定されず、２つの電子部材間の電気的接続、例えばガラス基板とフレキシブルプリント基板との間の電気的接続や、基板とそれに実装される電子部品との間の電気的接続などに用いることもできる。

　本出願は、２０２０年１月３１日出願の特願２０２０－０１５６３０に基づく優先権を主張する。当該出願明細書に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。

　本発明によればシートの厚み方向の弾性変形に伴う導電層の剥がれを抑制でき、電気検査装置の基板と検査対象物との間で十分な電気的接続を行うことができる異方導電性シート、電気検査装置および電気検査方法を提供することができる。

　１０　異方導電性シート
　１１　絶縁層
　１１ａ　第１面
　１１ｂ　第２面
　１１Ａ　弾性体層
　１１Ｂ　耐熱性樹脂層
　１２　貫通孔
　１２ｃ　内壁面
　１３、２４　導電層
　１４　第１溝部
　１５　第２溝部
　１６、２２　下地層
　１７、２３　金属めっき層
　２１　絶縁シート
　１００　電気検査装置
　１１０　保持容器
　１２０　検査用基板
　１２１　電極
　１３０　検査対象物
　１３１　（検査対象物の）端子

Claims

　厚み方向の一方の側に位置する第１面と、他方の側に位置する第２面と、前記第１面と前記第２面との間を貫通する複数の貫通孔とを有する絶縁層と、
　前記複数の貫通孔のそれぞれの内壁面に配置された複数の導電層と、を有し、
　前記導電層は、
　前記貫通孔の内壁面に配置され、金属を含む薄膜と、少なくとも一部が前記貫通孔の前記内壁面と前記金属を含む薄膜との間に配置されたバインダーとを含む下地層と、
　前記下地層上に、前記金属を含む薄膜と接するように配置された金属めっき層とを有し、
　前記バインダーは、チオール基、スルフィド基またはジスルフィド基を有する硫黄含有化合物である、
　異方導電性シート。
　前記硫黄含有化合物は、前記貫通孔の内壁面と結合する結合性部位をさらに有する、
　請求項１に記載の異方導電性シート。
　前記結合性部位は、アルコキシシリル基、シラノール基、アミノ基、イミノ基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基、アルコキシ基、水酸基、およびイソシアネート基からなる群より選ばれる官能基を含む、
　請求項２に記載の異方導電性シート。
　前記硫黄含有化合物は、芳香族複素環を含む、
　請求項２または３に記載の異方導電性シート。
　前記硫黄含有化合物は、トリアジンチオール系化合物である、
　請求項４に記載の異方導電性シート。
　前記金属を含む薄膜は、金属ナノ粒子を含む、
　請求項１～５のいずれか一項に記載の異方導電性シート。
　前記金属ナノ粒子の平均粒子径は、１～３０ｎｍである、
　請求項６に記載の異方導電性シート。
　前記金属は、金、銀または白金を含む、
　請求項１～７のいずれか一項に記載の異方導電性シート。
　前記下地層の厚みは、１０～５００ｎｍである、
　請求項１～８のいずれか一項に記載の異方導電性シート。
　前記下地層の厚みをＴ１、前記金属めっき層の厚みをＴ２としたとき、
　厚みの比Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）は、０．００２５～０．５である、
　請求項１～９のいずれか一項に記載の異方導電性シート。
　前記複数の導電層のそれぞれは、前記貫通孔の内壁面から前記第１面上の前記貫通孔の開口部の周囲まで連続して配置されており、
　前記第１面上において、前記複数の導電層の間に配置され、それらを絶縁するための複数の第１溝部をさらに有する、
　請求項１～１０のいずれか一項に記載の異方導電性シート。
　前記絶縁層は、弾性体層を有する、
　請求項１～１１のいずれか一項に記載の異方導電性シート。
　前記弾性体層は、シリコーン系エラストマー組成物の架橋物を含む、
　請求項１２に記載の異方導電性シート。
　前記貫通孔の内壁面は、官能基を有し、
　前記貫通孔の内壁面上の前記官能基と、前記硫黄含有化合物の官能基とは反応により結合している、
　請求項３に記載の異方導電性シート。
　前記第１面側における前記複数の貫通孔の開口部の中心間距離は、５～１００μｍである、
　請求項１～１４のいずれか一項に記載の異方導電性シート。
　検査対象物の電気検査に用いられる異方導電性シートであって、
　前記検査対象物は、前記第１面上に配置される、
　請求項１～１５のいずれか一項に記載の異方導電性シート。
　複数の電極を有する検査用基板と、
　前記検査用基板の前記複数の電極が配置された面上に配置された、請求項１～１６のいずれか一項に記載の異方導電性シートと、を有する、
　電気検査装置。
　複数の電極を有する検査用基板と、端子を有する検査対象物とを、請求項１～１６のいずれか一項に記載の異方導電性シートを介して積層して、前記検査用基板の前記電極と、前記検査対象物の前記端子とを、前記異方導電性シートを介して電気的に接続する工程を有する、
　電気検査方法。