WO2021130947A1 - 研磨用スラリー - Google Patents

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polishing
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和樹 森山
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ニッタ・デュポン株式会社
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    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
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    • H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching

Definitions

  • the present invention relates to a polishing slurry.
  • a printed circuit board manufactured as follows is known. First, a groove pattern is formed on the resin sheet. Next, a copper layer is formed by laminating copper or a copper alloy on a resin sheet so as to embed copper or a copper alloy in this groove pattern. Then, the copper layer excessively laminated on the resin layer formed of the resin sheet is removed by chemical mechanical polishing (CMP) to obtain a printed circuit board in which copper or a copper alloy is embedded in the groove pattern.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • As a polishing slurry used for polishing a copper layer for example, a polishing slurry containing abrasive grains, an organic acid, a surfactant, an oxidizing agent, and a pH adjuster is known (for example, a patent). Document 1).
  • the polishing rate is high from the viewpoint of efficient polishing in polishing such as CMP.
  • CMP polishing in order to increase the polishing rate, it is conceivable to increase the concentration of abrasive grains, but the polishing slurry that can increase the polishing rate other than increasing the concentration of abrasive grains has not been sufficiently studied so far. ..
  • polishing slurry is difficult to etch the copper or copper alloy embedded in the groove pattern.
  • an object of the present invention is to provide a polishing slurry capable of increasing the polishing rate and making it difficult to etch copper or a copper alloy.
  • the polishing slurry according to the present invention is a polishing slurry for polishing copper or a copper alloy.
  • Abrasive grains and With organic acids Oxidizing agent and Contains alkali, With polycarboxylic acid Further containing alkylbenzene sulfonic acid, The concentration of the polycarboxylic acid is 0.1 to 0.5% by mass in terms of the concentration of sodium polycarboxylic acid.
  • the concentration of the alkylbenzene sulfonic acid is 0.3% by mass or more in terms of the concentration of triethanolamine alkylbenzene sulfonic acid.
  • one aspect of the polishing slurry according to the present invention contains glycine as the organic acid.
  • polishing slurry according to the present invention contains hydrogen peroxide as the oxidizing agent.
  • polishing slurry according to the present invention contains ammonia as the alkali.
  • the concentration of the abrasive grains is 1.0% by mass or less.
  • the pH is 9.0 or more.
  • the polishing slurry according to this embodiment is a polishing slurry for polishing copper or a copper alloy.
  • an object to be polished having a copper layer formed of copper or a copper alloy as a surface layer and having a resin layer laminated adjacent to the surface layer and formed of a resin is polished from the surface layer side.
  • the polishing slurry used for this will be described as an example.
  • the object to be polished has a resin layer, a groove is formed in the resin layer, and the groove has copper or a copper alloy.
  • the object to be polished can be obtained by forming a groove pattern on a resin sheet using laser light and plating the groove with copper or a copper alloy. An excess copper or copper alloy is formed on the resin layer formed of the resin sheet during this plating, and the polishing slurry according to the present embodiment is used to remove the excess copper or copper alloy. Be done.
  • the material for forming the resin sheet include epoxy resin and the like. Further, as the material, for example, a material in which an epoxy resin and a silica filler are mixed can be mentioned.
  • Examples of the mixture of the epoxy resin and the silica filler include Ajinomoto body up film (ABF) and the like.
  • Examples of the mixture of the epoxy resin and the silica filler include those containing 5 to 95% by mass of the epoxy resin and 5 to 95% by mass of the silica filler.
  • the object to be polished is used as a printed circuit board or the like after being polished with a polishing slurry.
  • the polishing slurry according to the present embodiment contains abrasive grains, an organic acid, an oxidizing agent, an alkali, and further contains a polycarboxylic acid and an alkylbenzene sulfonic acid.
  • the polishing slurry according to the present embodiment can increase the polishing rate by containing abrasive grains. Further, since the polishing slurry according to the present embodiment contains an organic acid, the organic acid and copper contained in copper or a copper alloy can form a complex, and as a result, the polishing rate can be increased. it can.
  • the polishing slurry according to the present embodiment can oxidize copper contained in copper or a copper alloy by containing an oxidizing agent, and as a result, the polishing rate can be increased. Further, the polishing slurry according to the present embodiment can easily bring the pH of the polishing slurry to a desired value by containing an alkali. Further, the polishing slurry according to the present embodiment can increase the polishing rate by containing a polycarboxylic acid. In other words, in the polishing slurry according to the present embodiment, the polycarboxylic acid functions as a polishing accelerator.
  • the polishing slurry according to the present embodiment contains alkylbenzene sulfonic acid, a protective film can be formed on the copper or the copper alloy of the object to be polished, making it difficult to etch the copper or the copper alloy.
  • the alkylbenzene sulfonic acid functions as a protective film forming agent.
  • the concentration of the polycarboxylic acid is 0.1 to 0.5% by mass in terms of the concentration of the sodium polycarboxylic acid, and it is 0.3 to 0.5. It is preferably mass%.
  • the polishing rate can be increased when the concentration of the polycarboxylic acid is 0.1% by mass or more in terms of the concentration of sodium polycarboxylic acid.
  • the etching rate can be lowered by setting the concentration of the polycarboxylic acid to 0.5% by mass or less in terms of the concentration of the sodium polycarboxylic acid.
  • the concentration of the alkylbenzene sulfonic acid is 0.3% by mass or more in terms of the concentration of the alkylbenzene sulfonic acid triethanolamine, which is 0.3 to 1. It is preferably 2% by mass.
  • the etching rate can be lowered when the concentration of the alkylbenzene sulfonic acid is 0.3% by mass or more in terms of the concentration of the alkylbenzene sulfonic acid triethanolamine.
  • the alkylbenzene sulfonic acid tends to lower the polishing rate by functioning as a protective film forming agent.
  • the polishing rate can be further increased by setting the concentration of the alkylbenzene sulfonic acid to 1.2% by mass or less in terms of the concentration of triethanolamine alkylbenzene sulfonic acid. it can.
  • the concentration of the ground grains is preferably 1.0% by mass or less, more preferably 0.01 to 1.0% by mass.
  • the polishing slurry according to the present embodiment can suppress the occurrence of scratches when the concentration of the ground grains is 1.0% by mass or less. Further, in the polishing slurry according to the present embodiment, the polishing rate can be increased when the concentration of the polished grains is 0.01% by mass or more.
  • the concentration of the organic acid is preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably 1.0 to 5.0% by mass.
  • the concentration of the oxidizing agent is preferably 0.01 to 5.0% by mass, more preferably 1.0 to 3.0% by mass.
  • the pH is preferably 9.0 or more, more preferably 9.0 to 11.0.
  • the alkali concentration is preferably adjusted so that the pH is within the above range.
  • the alkali concentration is preferably 0.01 to 2. It is 0.0% by mass, more preferably 0.1 to 1.0% by mass.
  • Examples of the carboxylic acid monomer constituting the polycarboxylic acid include substituted or unsubstituted acrylic acid, substituted or unsubstituted methacrylic acid and the like.
  • Examples of the substituted acrylic acid include alkyl acrylate and the like.
  • Examples of alkyl acrylate include methyl acrylate and ethyl acrylate.
  • Examples of the substituted methacrylic acid include alkyl methacrylate.
  • Examples of the alkyl methacrylate include methyl methacrylate, ethyl methacrylate and the like, and n in the alkyl group (C n H 2n + 1 ) of the alkyl methacrylate may be 3 or more.
  • polycarboxylic acid examples include a homopolymer of the carboxylic acid monomer, a copolymer of a plurality of types of carboxylic acid monomers, and a copolymer of a carboxylic acid monomer and a monomer other than the carboxylic acid.
  • the polycarboxylic acid may be contained in the polishing slurry according to the present embodiment by mixing the polycarboxylic acid salt with another material of the polishing slurry.
  • the polycarboxylic acid salt include sodium polyacrylate and the like.
  • the weight average molecular weight of the polycarboxylic acid in terms of sodium polycarboxylic acid is preferably 1.0 ⁇ 10 3 to 1.0 ⁇ 10 7 , and more preferably 1.0 ⁇ 10 4 to 1.0 ⁇ 10 6 . is there.
  • the weight average molecular weight can be determined by gel permeation chromatography (GPC).
  • the polycarboxylic acid has a liquid containing 5.0% by mass of glycine, 0.6% by mass of ammonia, 0.5% by mass of polycarboxylic acid, and water as a balance, preferably having an etching rate of 380 ⁇ m / min or more. It is a polycarboxylic acid having a temperature of more preferably 400 to 1000 ⁇ m / min, even more preferably 450 to 800 ⁇ m / min, and particularly preferably 500 to 600 ⁇ m / min.
  • the polycarboxylic acid is 5.0% by mass of glycine, 0.6% by mass of ammonia, 1.2% by mass of alkylbenzene sulfonate (for example, triethanolamine dodecylbenzenesulfonic acid), and 2.0% by mass of polycarboxylic acid.
  • the etching rate of the liquid containing water as the balance is preferably 15 ⁇ m / min or more, more preferably 30 to 500 ⁇ m / min, still more preferably 50 to 300 ⁇ m / min, and particularly preferably 60 to 100 ⁇ m / min. It is a polycarboxylic acid.
  • the etching rate can be measured by the method described in Examples described later. Further, in the examples described later, although the abrasive granules and the defoaming agent were used, the abrasive granules and the antifoaming agent which did not affect the etching rate value were used.
  • alkylbenzene sulfonic acid examples include dodecylbenzene sulfonic acid, decylbenzene sulfonic acid, undecylbenzene sulfonic acid, tridecylbenzene sulfonic acid, tetrabenzene sulfonic acid and the like.
  • the alkylbenzene sulfonic acid may be contained in the polishing slurry according to the present embodiment by mixing the alkylbenzene sulfonic acid salt with another material of the polishing slurry.
  • alkylbenzene sulfonate examples include sodium alkylbenzene sulfonate and those obtained by neutralizing alkylbenzene sulfonic acid with triethanolamine (TEA) (triethanolamine alkylbenzene sulfonate).
  • TEA triethanolamine alkylbenzene sulfonate
  • Examples of the abrasive grains include inorganic particles, organic particles, and organic-inorganic composite particles.
  • the inorganic particles include silica particles, alumina particles, titania particles, zirconia particles, ceria particles, calcium carbonate particles and the like.
  • Examples of the silica particles include fumed silica particles, colloidal silica particles, and silica particles obtained by the sol-gel method.
  • Examples of the organic particles include polyethylene, polypropylene, poly-1-butene, poly-4-methyl-1-pentene, olefin-based copolymer, polystyrene, styrene-based copolymer, polyvinyl chloride, polyacetal, saturated polyester, and polyamide.
  • organic-inorganic composite particles include particles obtained by polycondensing a metal or silicon alkoxide compound (for example, alkoxysilane, aluminum alkoxide, titanium alkoxide, etc.) in the presence of organic particles.
  • a metal or silicon alkoxide compound for example, alkoxysilane, aluminum alkoxide, titanium alkoxide, etc.
  • the abrasive grains a plurality of types of the above-mentioned particles may be used.
  • inorganic particles are preferable, silica particles are more preferable, and colloidal silica particles are particularly more preferable.
  • the abrasive grains contain colloidal silica particles in an amount of preferably 80 to 100% by mass, more preferably 90 to 100% by mass, and even more preferably 100% by mass.
  • the concentration of the colloidal silica particles is preferably 1.0% by mass or less, more preferably 0.01 to 1.0% by mass.
  • Examples of the organic acid include amino acids and carboxylic acids.
  • Examples of the amino acid include glycine, glutamic acid, aspartic acid and the like.
  • Examples of the carboxylic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, benzoic acid, phthalic acid, salicylic acid, tartaric acid, citric acid, gluconic acid, glyoxylic acid, malic acid and the like.
  • the organic acid contains glycine in an amount of preferably 80 to 100% by mass, more preferably 90 to 100% by mass, and even more preferably 100% by mass.
  • the concentration of the glycine is preferably 10% by mass or less, more preferably 1.0 to 5.0% by mass.
  • Examples of the oxidizing agent include hydrogen peroxide, organic peroxide, permanganic acid compound, heavy chromium acid compound, halogen acid compound, nitric acid, nitric acid compound, perhalogen acid compound, persulfate, heteropolyacid and the like. Be done.
  • Examples of the organic peroxide include peracetic acid, perbenzoic acid, tert-butyl hydroperoxide and the like.
  • Examples of the permanganate compound include potassium permanganate and the like.
  • Examples of the dichromate compound include potassium dichromate and the like.
  • Examples of the halogen acid compound include potassium iodate and the like.
  • Examples of the nitric acid compound include iron nitrate and the like.
  • Examples of the perchloric acid compound include perchloric acid and the like.
  • Examples of the persulfate include ammonium persulfate and the like.
  • As the oxidizing agent a plurality of types of the above-mentioned oxidizing agents may be used.
  • Hydrogen peroxide is preferable as the oxidizing agent.
  • the oxidizing agent contains hydrogen peroxide, preferably 80 to 100% by mass, more preferably 90 to 100% by mass, and even more preferably 100% by mass.
  • the concentration of hydrogen peroxide is preferably 5.0% by mass or less, more preferably 1.0 to 3.0% by mass.
  • alkali examples include ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like.
  • Ammonia is preferable as the alkali.
  • the alkali contains ammonia in an amount of preferably 80 to 100% by mass, more preferably 90 to 100% by mass, and even more preferably 100% by mass.
  • polishing slurry according to the present embodiment is configured as described above, it has the following advantages.
  • a polishing slurry containing granules, an organic acid, an oxidizing agent, and an alkali further contains a predetermined amount of alkylbenzene sulfonic acid and a predetermined amount of polycarboxylic acid. It has been found that the polishing rate can be increased and it becomes difficult to etch copper or a copper alloy, and the present embodiment has been conceived. That is, the polishing slurry according to the present embodiment is a polishing slurry for polishing copper or a copper alloy. Further, the polishing slurry according to the present embodiment contains abrasive grains, an organic acid, an oxidizing agent, and an alkali.
  • the polishing slurry according to the present embodiment contains a polycarboxylic acid and an alkylbenzene sulfonic acid.
  • the concentration of the polycarboxylic acid is 0.1 to 0.5% by mass in terms of the concentration of sodium polycarboxylic acid.
  • the concentration of the alkylbenzene sulfonic acid is 0.3% by mass or more in terms of the concentration of triethanolamine alkylbenzene sulfonic acid. According to this embodiment, it is possible to provide a polishing slurry which can increase the polishing rate and is difficult to etch copper or a copper alloy.
  • the polishing slurry according to the present invention is not limited to the above embodiment. Further, the polishing slurry according to the present invention is not limited to the above-mentioned effects. The polishing slurry according to the present invention can be variously modified without departing from the gist of the present invention.
  • Polishing slurries of Examples and Comparative Examples having the compositions shown in Tables 1 to 3 below were prepared.
  • Colloidal silica particles PL-3, manufactured by Fuso Chemical Industry Co., Ltd.
  • Glycine was used as the organic acid.
  • Ammonia was used as the alkali.
  • alkylbenzene sulfonate triethanolamine dodecylbenzene sulfonate was used.
  • polycarboxylic acid salt 1 in the table sodium carboxylic acid-based copolymer (weight average molecular weight of carboxylic acid-based copolymer sodium: 500,000) was used.
  • polycarboxylic acid salt 2 in the table sodium polyacrylate (weight average molecular weight of sodium polyacrylate: 500,000) was used.
  • polycarboxylic acid salt 3 in the table sodium polycarboxylic acid (weight average molecular weight of sodium polycarboxylic acid: 10,000) was used.
  • Hydrogen peroxide was used as the oxidizing agent.
  • a silicone emulsion was used as the defoaming agent.
  • ⁇ Abrasion rate (RR) test> Using the polishing slurries of Examples and Comparative Examples, the object to be polished was polished under the following conditions, and the polishing rate was determined.
  • Object to be polished Glass epoxy resin plated with copper Polishing machine: ECOMET4 Polishing pressure: 5psi Slurry flow rate: 50 mL / min Platen speed / head speed: 120 rpm / 67 rpm Polishing time: 10 min Polishing pad: SUBA600 XY (manufactured by Nitta Haas)
  • ⁇ Etching rate (ER) test> The object was a glass epoxy resin plated with copper. The object was immersed in the polishing slurry for 30 minutes. The etching rate was determined from the mass of the object before and after immersion.
  • ⁇ pH of polishing slurry> The pH of the polishing slurry was measured using a pH meter.
  • the polishing slurry of the example had a higher polishing rate than the polishing slurry of Comparative Example 1 containing no polycarboxylic acid. ..
  • the amount of the polishing slurry and alkylbenzene sulfonic acid of Comparative Examples 2 and 5 in which the amount of polycarboxylic acid was 1.0% by mass was 0.
  • the etching rate was lower than that of the polishing slurries of Comparative Examples 3, 4, 6 and 7, which were 1% by mass or less.
  • Test example A liquid of a test example having the composition shown in Table 4 below was prepared, and the liquid was used instead of the polishing slurry to perform the above etching rate test, and the pH of the liquid was measured.

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Abstract

本発明に係る研磨用スラリーは、銅又は銅合金を研磨する研磨用スラリーであって、砥粒と、有機酸と、酸化剤と、アルカリとを含有し、ポリカルボン酸と、アルキルベンゼンスルホン酸とを更に含有し、前記ポリカルボン酸の濃度が、ポリカルボン酸ナトリウムの濃度換算で、０．１～０．５質量％であり、前記アルキルベンゼンスルホン酸の濃度が、アルキルベンゼンスルホン酸トリエタノールアミンの濃度換算で、０．３質量％以上である、研磨用スラリーである。

Description

研磨用スラリー
　本発明は、研磨用スラリーに関する。
　従来、プリント基板として、以下のようにして作製されたものが知られている。
　まず樹脂シートに溝パターンを形成する。次に、この溝パターンに銅又は銅合金を埋め込むように樹脂シート上に銅又は銅合金を積層させて銅層を形成する。そして、樹脂シートで形成された樹脂層に余分に積層された銅層を化学機械研磨（ＣＭＰ）によって除去することで、前記溝パターンに銅又は銅合金が埋め込まれたプリント基板を得る。
　銅層の研磨に用いる研磨用スラリーとしては、例えば、砥粒と、有機酸と、界面活性剤と、酸化剤と、ｐＨ調整剤とを含有する研磨用スラリーが知られている（例えば、特許文献１）。
日本国特許第５４５９４６６号公報
　ところで、ＣＭＰ等の研磨において効率的に研磨するという観点から、研磨レートが高いことが望まれうる。
　研磨レートを高めるには、砥粒の濃度を高めることが考えられるが、砥粒の濃度を高めること以外で研磨レートを高めることができる研磨用スラリーについては、これまで検討が十分になされていない。
　また、研磨用スラリーは、溝パターンに埋め込められた銅又は銅合金をエッチングし難いことが望まれうる。
　そこで、本発明は、研磨レートを高めることができ、且つ、銅又は銅合金をエッチングし難い研磨用スラリーを提供することを課題とする。
　本発明に係る研磨用スラリーは、銅又は銅合金を研磨する研磨用スラリーであって、
　砥粒と、
　有機酸と、
　酸化剤と、
　アルカリとを含有し、
　ポリカルボン酸と、
　アルキルベンゼンスルホン酸とを更に含有し、
　前記ポリカルボン酸の濃度が、ポリカルボン酸ナトリウムの濃度換算で、０．１～０．５質量％であり、
　前記アルキルベンゼンスルホン酸の濃度が、アルキルベンゼンスルホン酸トリエタノールアミンの濃度換算で、０．３質量％以上である。
　ここで、本発明に係る研磨用スラリーの一態様は、前記有機酸として、グリシンを含有する。
　また、本発明に係る研磨用スラリーの他態様は、前記酸化剤として、過酸化水素を含有する。
　さらに、本発明に係る研磨用スラリーの他態様は、前記アルカリとして、アンモニアを含有する。
　また、本発明に係る研磨用スラリーの他態様は、前記砥粒の濃度が１．０質量％以下である。
　さらに、本発明に係る研磨用スラリーの他態様では、ｐＨが９．０以上である。
　以下、本発明の一実施形態について説明する。
　本実施形態に係る研磨用スラリーは、銅又は銅合金を研磨する研磨用スラリーである。
　以下では、銅又は銅合金で形成された銅層を表面層として有し、且つ、該表面層に隣接して積層され樹脂で形成された樹脂層を有する被研磨物を、表面層側から研磨するのに用いられる研磨用スラリーを例に説明する。
　前記被研磨物は、樹脂層を有し、該樹脂層には溝が形成され、該溝には銅又は銅合金を有する。
　前記被研磨物は、レーザー光を用いて樹脂シートに溝を形成することで溝パターンを形成し、該溝に銅又は銅合金をメッキすることにより得ることができる。
　このメッキの際に樹脂シートで形成された樹脂層上に余分な銅又は銅合金が形成されるが、本実施形態に係る研磨用スラリーは、この余分な銅又は銅合金を除去するのに用いられる。
　前記樹脂シートを形成する材料としては、例えば、エポキシ樹脂等が挙げられる。また、該材料としては、例えば、エポキシ樹脂とシリカフィラーとが混合されたものも挙げられる。エポキシ樹脂とシリカフィラーとが混合されたものとしては、例えば、Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ　ｂｕｉｌｔ　ｕｐ　ｆｉｌｍ（ＡＢＦ）等が挙げられる。
　エポキシ樹脂とシリカフィラーとが混合されたものとしては、例えば、エポキシ樹脂を５～９５質量％含有し、シリカフィラーを５～９５質量％含有するものが挙げられる。
　前記被研磨物は、研磨用スラリーで研磨した後に、プリント基板等として用いられる。
　また、本実施形態に係る研磨用スラリーは、砥粒と、有機酸と、酸化剤と、アルカリとを含有し、ポリカルボン酸と、アルキルベンゼンスルホン酸とを更に含有する。
　本実施形態に係る研磨用スラリーは、砥粒を含有することにより、研磨レートを高めることができる。
　また、本実施形態に係る研磨用スラリーは、有機酸を含有することにより、有機酸と銅又は銅合金に含まれる銅とが錯体を形成することができ、その結果、研磨レートを高めることができる。
　さらに、本実施形態に係る研磨用スラリーは、酸化剤を含有することにより、銅又は銅合金に含まれる銅を酸化させることができ、その結果、研磨レートを高めることができる。
　また、本実施形態に係る研磨用スラリーは、アルカリを含有することにより、研磨用スラリーのｐＨを所望の値にしやすくすることができる。
　さらに、本実施形態に係る研磨用スラリーは、ポリカルボン酸を含有することにより、研磨レートを高めることができる。言い換えれば、本実施形態に係る研磨用スラリーにおいて、ポリカルボン酸は、研磨促進剤として機能する。
　また、本実施形態に係る研磨用スラリーは、アルキルベンゼンスルホン酸を含有することにより、被研磨物の銅又は銅合金上に保護膜を形成し、銅又は銅合金をエッチングし難くすることができる。言い換えれば、本実施形態に係る研磨用スラリーにおいて、アルキルベンゼンスルホン酸は、保護膜形成剤として機能する。
　本実施形態に係る研磨用スラリーでは、ポリカルボン酸の濃度が、ポリカルボン酸ナトリウムの濃度換算で、０．１～０．５質量％であることが重要であり、０．３～０．５質量％であることが好ましい。
　本実施形態に係る研磨用スラリーは、ポリカルボン酸の濃度が、ポリカルボン酸ナトリウムの濃度換算で、０．１質量％以上であることにより、研磨レートを高めることができる。
　また、本実施形態に係る研磨用スラリーは、ポリカルボン酸の濃度が、ポリカルボン酸ナトリウムの濃度換算で、０．５質量％以下であることにより、エッチングレートを低くすることができる。
　また、本実施形態に係る研磨用スラリーでは、前記アルキルベンゼンスルホン酸の濃度が、アルキルベンゼンスルホン酸トリエタノールアミンの濃度換算で、０．３質量％以上であることが重要であり、０．３～１．２質量％であることが好ましい。
　本実施形態に係る研磨用スラリーは、前記アルキルベンゼンスルホン酸の濃度が、アルキルベンゼンスルホン酸トリエタノールアミンの濃度換算で、０．３質量％以上であることにより、エッチングレートを低くすることができる。
　また、アルキルベンゼンスルホン酸は、保護膜形成剤として機能することで、研磨レートを低下させる傾向にある。よって、本実施形態に係る研磨用スラリーは、前記アルキルベンゼンスルホン酸の濃度が、アルキルベンゼンスルホン酸トリエタノールアミンの濃度換算で、１．２質量％以下であることにより、研磨レートをより一層高めることができる。
　さらに、本実施形態に係る研磨用スラリーでは、前記研粒の濃度が、好ましくは１．０質量％以下、より好ましくは０．０１～１．０質量％である。
　本実施形態に係る研磨用スラリーは、研粒の濃度が１．０質量％以下であることにより、スクラッチが生じるのを抑制することができる。
　また、本実施形態に係る研磨用スラリーは、研粒の濃度が０．０１質量％以上であることにより、研磨レートを高めることができる。
　また、本実施形態に係る研磨用スラリーでは、前記有機酸の濃度が、好ましくは０．０１～１０質量％、より好ましくは１．０～５．０質量％である。
　さらに、本実施形態に係る研磨用スラリーでは、前記酸化剤の濃度が、好ましくは０．０１～５．０質量％、より好ましくは１．０～３．０質量％である。
　また、本実施形態に係る研磨用スラリーでは、ｐＨが、好ましくは９．０以上、より好ましくは９．０～１１．０である。
　また、本実施形態に係る研磨用スラリーでは、前記ｐＨが上記範囲内となるように、アルカリの濃度が調整されていることが好ましく、例えば、前記アルカリの濃度が、好ましくは０．０１～２．０質量％、より好ましくは０．１～１．０質量％である。
　前記ポリカルボン酸を構成するカルボン酸モノマーとしては、置換又は非置換のアクリル酸、置換又は非置換のメタクリル酸等が挙げられる。
　置換のアクリル酸としては、アクリル酸アルキル等が挙げられる。アクリル酸アルキルとしては、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等が挙げられる。
　置換のメタクリル酸としては、メタクリル酸アルキル等が挙げられる。メタクリル酸アルキルとしては、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等が挙げられ、また、メタクリル酸アルキルのアルキル基（ＣｎＨ２ｎ＋１）におけるｎが３以上であってもよい。
　前記ポリカルボン酸としては、前記カルボン酸モノマーの単独重合体、複数種のカルボン酸モノマーの共重合体、カルボン酸モノマーとカルボン酸以外のモノマーとの共重合体などが挙げられる。
　ポリカルボン酸は、ポリカルボン酸塩と研磨用スラリーの他の材料とが混合されることで、本実施形態に係る研磨用スラリーに含まれてもよい。
　前記ポリカルボン酸塩としては、例えば、ポリアクリル酸ナトリウムなどが挙げられる。
　前記ポリカルボン酸のポリカルボン酸ナトリウム換算での重量平均分子量は、好ましくは１．０×１０３～１．０×１０７、より好ましくは１．０×１０４～１．０×１０６である。
　なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって求めることができる。
　前記ポリカルボン酸は、グリシン５．０質量％、アンモニア０．６質量％、ポリカルボン酸０．５質量％、及び、残部としての水を含む液のエッチングレートが、好ましくは３８０μｍ／ｍｉｎ以上、より好ましくは４００～１０００μｍ／ｍｉｎ、さらにより好ましくは４５０～８００μｍ／ｍｉｎ、特に好ましくは５００～６００μｍ／ｍｉｎとなるポリカルボン酸である。
　また、前記ポリカルボン酸は、グリシン５．０質量％、アンモニア０．６質量％、アルキルベンゼンスルホン酸塩（例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸トリエタノールアミン）１．２質量％、ポリカルボン酸２．０質量％、及び、残部としての水を含む液のエッチングレートが、好ましくは１５μｍ／ｍｉｎ以上、より好ましくは３０～５００μｍ／ｍｉｎ、さらにより好ましくは５０～３００μｍ／ｍｉｎ、特に好ましくは６０～１００μｍ／ｍｉｎとなるポリカルボン酸である。
　なお、エッチングレートは、後述する実施例に記載方法で測定することができる。また、後述する実施例では、研粒及び消泡剤を用いているが、エッチングレートの値に影響を与えない研粒及び消泡剤を用いた。
　前記アルキルベンゼンスルホン酸としては、ドデシルベンゼンスルホン酸、デシルベンゼンスルホン酸、ウンデシルベンゼンスルホン酸、トリデシルベンゼンスルホン酸、テトラベンゼンスルホン酸などが挙げられる。
　アルキルベンゼンスルホン酸は、アルキルベンゼンスルホン酸塩と研磨用スラリーの他の材料とが混合されることで、本実施形態に係る研磨用スラリーに含まれてもよい。
　アルキルベンゼンスルホン酸塩としては、例えば、アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、アルキルベンゼンスルホン酸をトリエタノールアミン（ＴＥＡ）で中和したもの（アルキルベンゼンスルホン酸トリエタノールアミン）などが挙げられる。
　前記砥粒としては、無機粒子、有機粒子、有機無機複合粒子等が挙げられる。
　前記無機粒子としては、シリカ粒子、アルミナ粒子、チタニア粒子、ジルコニア粒子、セリア粒子、炭酸カルシウム粒子等が挙げられる。
　前記シリカ粒子としては、ヒュームドシリカ粒子、コロイダルシリカ粒子、ゾルゲル法で得られたシリカ粒子等が挙げられる。
　前記有機粒子としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ－１－ブテン、ポリ－４－メチル－１－ペンテン、オレフィン系共重合体、ポリスチレン、スチレン系共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリアセタール、飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、フェノキシ樹脂、ポリメチルメタクリレート、（メタ）アクリル系樹脂、アクリル系共重合体などの有機ポリマー粒子が挙げられる。
　前記有機無機複合粒子としては、例えば、有機粒子の存在下で、金属又はケイ素のアルコキシド化合物（例えば、アルコキシシラン、アルミニウムアルコキシド、チタンアルコキシド等）を重縮合させて得られる粒子等が挙げられる。
　前記砥粒としては、上述した粒子を複数種用いてもよい。
　前記砥粒としては、無機粒子が好ましく、シリカ粒子がより好ましく、コロイダルシリカ粒子が特により好ましい。
　前記砥粒は、コロイダルシリカ粒子を、好ましくは８０～１００質量％、より好ましくは９０～１００質量％、さらに好ましくは１００質量％含有する。
　本実施形態に係る研磨用スラリーでは、前記コロイダルシリカ粒子の濃度が、好ましくは１．０質量％以下、より好ましくは０．０１～１．０質量％である。
　前記有機酸としては、アミノ酸、カルボン酸等が挙げられる。
　前記アミノ酸としては、グリシン、グルタミン酸、アスパラギン酸等が挙げられる。
　前記カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、安息香酸、フタル酸、サリチル酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸、グリオキシル酸、リンゴ酸等が挙げられる。
　前記有機酸は、グリシンを、好ましくは８０～１００質量％、より好ましくは９０～１００質量％、さらに好ましくは１００質量％含有する。
　本実施形態に係る研磨用スラリーでは、前記グリシンの濃度が、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは１．０～５．０質量％である。
　前記酸化剤としては、例えば、過酸化水素、有機過酸化物、過マンガン酸化合物、重クロム酸化合物、ハロゲン酸化合物、硝酸、硝酸化合物、過ハロゲン酸化合物、過硫酸塩、ヘテロポリ酸などが挙げられる。
　有機過酸化物としては、例えば、過酢酸、過安息香酸、ｔｅｒｔ－ブチルハイドロパーオキサイド等が挙げられる。過マンガン酸化合物としては、例えば、過マンガン酸カリウム等が挙げられる。重クロム酸化合物としては、例えば、重クロム酸カリウム等が挙げられる。ハロゲン酸化合物としては、例えば、ヨウ素酸カリウム等が挙げられる。硝酸化合物としては、例えば、硝酸鉄等が挙げられる。過ハロゲン酸化合物としては、例えば、過塩素酸等が挙げられる。過硫酸塩としては、例えば、過硫酸アンモニウム等が挙げられる。前記酸化剤としては、上述した酸化剤を複数種用いてもよい。
　前記酸化剤としては、過酸化水素が好ましい。
　前記酸化剤は、過酸化水素を、好ましくは８０～１００質量％、より好ましくは９０～１００質量％、さらに好ましくは１００質量％含有する。
　本実施形態に係る研磨用スラリーでは、前記過酸化水素の濃度が、好ましくは５．０質量％以下、より好ましくは１．０～３．０質量％である。
　前記アルカリとしては、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。
　前記アルカリとしては、アンモニアが好ましい。
　前記アルカリは、アンモニアを、好ましくは８０～１００質量％、より好ましくは９０～１００質量％、さらに好ましくは１００質量％含有する。
　本実施形態に係る研磨用スラリーは、上記のように構成されているので、以下の利点を有するものである。
　本発明者らが鋭意研究したところ、研粒、有機酸、酸化剤、及び、アルカリを含有する研磨用スラリーが、所定量のアルキルベンゼンスルホン酸及び所定量のポリカルボン酸を更に含有することにより、研磨レートを高めることができ、且つ、銅又は銅合金をエッチングし難いものとなることを見出し、本実施形態を想到するに至った。
　即ち、本実施形態に係る研磨用スラリーは、銅又は銅合金を研磨する研磨用スラリーである。また、本実施形態に係る研磨用スラリーは、砥粒と、有機酸と、酸化剤と、アルカリとを含有する。さらに、本実施形態に係る研磨用スラリーは、ポリカルボン酸と、アルキルベンゼンスルホン酸とを含有する。前記ポリカルボン酸の濃度は、ポリカルボン酸ナトリウムの濃度換算で、０．１～０．５質量％である。前記アルキルベンゼンスルホン酸の濃度は、アルキルベンゼンスルホン酸トリエタノールアミンの濃度換算で、０．３質量％以上である。
　本実施形態によれば、研磨レートを高めることができ、且つ、銅又は銅合金をエッチングし難い研磨用スラリーを提供し得る。
　なお、本発明に係る研磨用スラリーは、上記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係る研磨用スラリーは、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明に係る研磨用スラリーは、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
　次に、実施例および比較例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。
（実施例及び比較例）
　下記表１～３に示す組成の実施例及び比較例の研磨用スラリーを作製した。
　なお、研粒としては、コロイダルシリカ粒子（ＰＬ－３、扶桑化学工業社製）を用いた。有機酸としては、グリシンを用いた。アルカリとしては、アンモニアを用いた。アルキルベンゼンスルホン酸塩としては、ドデシルベンゼンスルホン酸トリエタノールアミンを用いた。表のポリカルボン酸塩１としては、カルボン酸系共重合体ナトリウム（カルボン酸系共重合体ナトリウムの重量平均分子量：５０万）を用いた。表のポリカルボン酸塩２としては、ポリアクリル酸ナトリウム（ポリアクリル酸ナトリウムの重量平均分子量：５０万）を用いた。表のポリカルボン酸塩３としては、ポリカルボン酸ナトリウム（ポリカルボン酸ナトリウムの重量平均分子量：１万）を用いた。酸化剤としては、過酸化水素を用いた。消泡剤としては、シリコーンエマルションを用いた。
＜研磨レート（ＲＲ）試験＞
　実施例及び比較例の研磨用スラリーを用いて、下記条件で被研磨物を研磨し、研磨レートを求めた。
　　被研磨物：ガラスエポキシ樹脂に銅をメッキしたもの
　　研磨機：ＥＣＯＭＥＴ４
　　研磨圧：５ｐｓｉ
　　スラリー流量：５０ｍＬ／ｍｉｎ
　　プラテン回転数／ヘッド回転数：１２０ｒｐｍ／６７ｒｐｍ
　　研磨時間：１０ｍｉｎ
　　研磨パッド：ＳＵＢＡ６００　ＸＹ（ニッタ・ハース社製）
＜エッチングレート（ＥＲ）試験＞
　ガラスエポキシ樹脂に銅をメッキしたものを被対象物とした。
　該被対象物を研磨用スラリーに３０分浸漬させた。
　浸漬前後の被対象物の質量からエッチングレートを求めた。
＜被研磨物の腐食＞
　上記研磨レート試験後に、被研磨物の腐食の有無を目視にて確認した。
＜スクラッチの抑制＞
　上記研磨レート試験後に、被研磨物のスクラッチを目視にて確認した。なお、腐食された被研磨物については、この確認は行わなかった。
×：スクラッチが多く確認された。
△：スクラッチが少し確認された。
○：スクラッチが確認できなかった。
＜研磨用スラリーのｐＨ＞
　研磨用スラリーのｐＨは、ｐＨメーターを用いて測定した。
　試験結果も下記表１～３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表１～３に示すように、砥粒の量が同程度であれば、実施例の研磨用スラリーでは、ポリカルボン酸を含有しない比較例１の研磨用スラリーに比べて、研磨レートが高かった。
　また、表１～３に示すように、実施例の研磨用スラリーでは、ポリカルボン酸の量が１．０質量％である比較例２、５の研磨用スラリー、アルキルベンゼンスルホン酸の量が０．１質量％以下である比較例３、４、６、７の研磨用スラリーに比べて、エッチングレートが低かった。
（試験例）
　下記表４に示す組成の試験例の液を作製し、該液を研磨用スラリーの変わりに用いて、上記エッチングレート試験をし、また、液のｐＨを測定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004

Claims (6)

  1. 　銅又は銅合金を研磨する研磨用スラリーであって、
    　砥粒と、
    　有機酸と、
    　酸化剤と、
    　アルカリとを含有し、
    　ポリカルボン酸と、
    　アルキルベンゼンスルホン酸とを更に含有し、
    　前記ポリカルボン酸の濃度が、ポリカルボン酸ナトリウムの濃度換算で、０．１～０．５質量％であり、
    　前記アルキルベンゼンスルホン酸の濃度が、アルキルベンゼンスルホン酸トリエタノールアミンの濃度換算で、０．３質量％以上である、研磨用スラリー。
  2. 　前記有機酸として、グリシンを含有する、請求項１に記載の研磨用スラリー。
  3. 　前記酸化剤として、過酸化水素を含有する、請求項１又は２に記載の研磨用スラリー。
  4. 　前記アルカリとして、アンモニアを含有する、請求項１～３の何れか１項に記載の研磨用スラリー。
  5. 　前記砥粒の濃度が１．０質量％以下である、請求項１～４の何れか１項に記載の研磨用スラリー。
  6. 　ｐＨが９．０以上である、請求項１～５の何れか１項に記載の研磨用スラリー。
     
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006202892A (ja) * 2005-01-19 2006-08-03 Jsr Corp 化学機械研磨方法
WO2009133793A1 (ja) * 2008-05-01 2009-11-05 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体および該化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット、ならびに化学機械研磨方法
JP2010512657A (ja) * 2006-12-22 2010-04-22 テクノ セミケム シーオー．， エルティーディー． ゼオライトを含有する銅化学機械的研磨組成物
WO2010098278A1 (ja) * 2009-02-24 2010-09-02 ニッタ・ハース株式会社 金属膜研磨用組成物
JP2012084895A (ja) * 2003-07-30 2012-04-26 Climax Engineered Materials Llc 銅の化学的機械的平滑化のためのスラリー及び方法
JP5459466B2 (ja) 2008-06-05 2014-04-02 Ｊｓｒ株式会社 回路基板の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、回路基板の製造方法、回路基板および多層回路基板
JP2020019863A (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 ニッタ・ハース株式会社 研磨用スラリー

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3602393B2 (ja) * 1999-12-28 2004-12-15 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 化学的機械的研磨用スラリー
JP3841995B2 (ja) * 1999-12-28 2006-11-08 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 化学的機械的研磨用スラリー
JP4187497B2 (ja) * 2002-01-25 2008-11-26 Ｊｓｒ株式会社 半導体基板の化学機械研磨方法
EP1700893B1 (en) * 2005-03-09 2008-10-01 JSR Corporation Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method, and kit for preparing chemical mechanical polishing aqueous dispersion
WO2008013226A1 (fr) * 2006-07-28 2008-01-31 Showa Denko K.K. Composition de polissage
KR101406487B1 (ko) * 2006-10-06 2014-06-12 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 반도체 장치의 화학 기계연마 방법
KR100823457B1 (ko) * 2006-12-22 2008-04-21 테크노세미켐 주식회사 제올라이트를 함유하는 구리 화학 기계적 연마 조성물
CN102834479B (zh) * 2010-07-14 2015-02-18 日立化成株式会社 铜研磨用研磨液及使用了其的研磨方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012084895A (ja) * 2003-07-30 2012-04-26 Climax Engineered Materials Llc 銅の化学的機械的平滑化のためのスラリー及び方法
JP2006202892A (ja) * 2005-01-19 2006-08-03 Jsr Corp 化学機械研磨方法
JP2010512657A (ja) * 2006-12-22 2010-04-22 テクノ セミケム シーオー．， エルティーディー． ゼオライトを含有する銅化学機械的研磨組成物
WO2009133793A1 (ja) * 2008-05-01 2009-11-05 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体および該化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット、ならびに化学機械研磨方法
JP5459466B2 (ja) 2008-06-05 2014-04-02 Ｊｓｒ株式会社 回路基板の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、回路基板の製造方法、回路基板および多層回路基板
WO2010098278A1 (ja) * 2009-02-24 2010-09-02 ニッタ・ハース株式会社 金属膜研磨用組成物
JP2020019863A (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 ニッタ・ハース株式会社 研磨用スラリー

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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