KR101190033B1 - 수산화 알루미늄-알루미나 복합입자를 포함하는 금속배선용 수성 연마 슬러리 - Google Patents

수산화 알루미늄-알루미나 복합입자를 포함하는 금속배선용 수성 연마 슬러리 Download PDF

Info

Publication number
KR101190033B1
KR101190033B1 KR1020050107984A KR20050107984A KR101190033B1 KR 101190033 B1 KR101190033 B1 KR 101190033B1 KR 1020050107984 A KR1020050107984 A KR 1020050107984A KR 20050107984 A KR20050107984 A KR 20050107984A KR 101190033 B1 KR101190033 B1 KR 101190033B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acid
polishing slurry
alumina
composite particles
aluminum hydroxide
Prior art date
Application number
KR1020050107984A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070050594A (ko
Inventor
구자호
Original Assignee
삼성코닝정밀소재 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성코닝정밀소재 주식회사 filed Critical 삼성코닝정밀소재 주식회사
Priority to KR1020050107984A priority Critical patent/KR101190033B1/ko
Publication of KR20070050594A publication Critical patent/KR20070050594A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101190033B1 publication Critical patent/KR101190033B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F7/00—Compounds of aluminium
    • C01F7/02—Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Abstract

본 발명은 금속막의 평판화를 위한 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing: CMP) 슬러리에 관한 것으로, 본 발명에 따른 연마 조성물은 경도를 조절할 수 있는 표면 수화 공정을 통해 알루미나 입자의 표면이 수화된, 수산화 알루미늄-알루미나 복합입자를 연마제로 함유함으로써 우수한 입자 안정성 및 분산 안정성 뿐 아니라 금속배선에 대한 우수한 선택성을 가지며 디싱, 스크래치 및 에로젼을 감소시키므로, 반도체 제조시 금속층의 평판화를 위한 화학 기계적 연마 공정에 유용하게 활용될 수 있다.

Description

수산화 알루미늄-알루미나 복합입자를 포함하는 금속 배선용 수성 연마 슬러리{AQUEOUS POLISHING SLURRY FOR METAL CIRCUIT COMPRISING ALUMINIUM HYDROXIDE-ALUMINA COMPOSITE PARTICLES}
본 발명은 금속막의 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing: CMP) 공정에 사용될 수 있는 수성 연마 슬러리에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정에는 텅스텐, 알루미늄 및 구리 등의 금속 배선층과 산화 규소(SiO2) 및 질화 규소(Si3N4) 등의 절연막의 평판화를 구현하기 위해 연마 슬러리를 사용하여 웨이퍼로 연마하는 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 수행된다.
이러한 연마 공정에 사용되는 연마 슬러리는 연마제, 물, 분산제 및 첨가제가 포함되며, 이때 첨가제로는 산화제, 착화제, 부식방지제 및 pH 조절제 등이 사용된다. 이 중, 연마제는 연마 대상과의 기계적인 마찰로 연마를 수행하므로 연마제 입자의 경도가 중요하게 작용하며, 따라서 기존 연마제로는 주로 절연막의 효과 적인 제거를 위해 퓸드(fumed) 알루미나, 퓸드 실리카, 세리아 및 지르코니아 등의 입자 경도가 큰 금속 산화물들이 사용되어 왔다.
그러나, 배선으로 사용되는 텅스텐 또는 알루미늄막과 같은 금속막의 경우 절연막에 비해 막질이 부드럽고 무르기 때문에 산화나 에칭과 같은 화학적인 작용으로도 어느 정도의 연마가 이루어지며, 최근들어 반도체 제품의 집적화 및 성능 고속화를 위해 주목받고 있는 구리 배선의 경우에는 기존 배선에 비해서도 훨씬 경도가 낮아 경도가 큰 종래의 연마 입자들을 사용하는 경우 치명적인 스크래치(scratch)를 발생시킴은 물론 금속 배선 부분이 접시모양으로 움푹 패이는 디싱(dishing) 등을 일으킬 수 있다. 또한, 기존의 연마 입자들은 배선막에 대한 선택비가 낮아 배선막 외에도 질화탄탈륨(TaN)과 같은 배리어(barrier) 물질 및 산화규소막에 대해서도 불필요한 연마를 일으켜 에로젼(erosion) 등을 발생시키는 문제점이 있어 왔다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 연마제를 포함하지 않는 슬러리에 대한 연구도 있었으나 연마 입자의 부재로 인해 충분한 연마가 이루어지기 힘들고, 웨이퍼나 연마대상에 구리 잔류물이 남아있는 등 여러 가지 문제점을 발생시켰다.
한편, 미국 특허 제5,693,239호에서는 1 내지 50 중량% 함량의 α-알루미나 연마제와 함께 상대적으로 연마성이 경미한 γ- 또는 δ-알루미나, 비정질 알루미나 또는 수산화 알루미늄 등을 추가로 포함할 수 있는 연마 조성물을 사용하여 절연막에 대한 선택비를 향상시킬 수 있음을 개시하고 있으며, 미국 특허 제6,037,260호에서는 알루미나 연마제의 분산성을 향상시키기 위해 산성 물질로 처리 한 수산화 알루미늄을 0.5 내지 20 중량%로 첨가한 절연막 연마용 조성물을 개시하고 있다. 그러나, 상기 특허들에 개시된 연마 조성물들은 금속막이 아닌 절연막의 연마용으로서, 경도가 크고 1200℃ 이상의 고온에서만 제조되는 고가의 α-알루미나를 주 연마제로 사용하고 있으며, 이를 금속 배선 연마에 그대로 적용하게 되면 경제적 측면에서도 불리할 뿐 아니라 디싱 및 에로젼과 같은 문제가 발생하게 된다.
아울러, 미국 특허 제6,770,218호에서는 수산화 알루미늄을 선택적으로 포함할 수 있는 알루미나 미립자를 연마 입자로 사용한 반도체 금속배선 연마 슬러리를 개시하고 있으나, 역시 경도가 크고 고가인 알루미나를 주 연마제로 사용하면서 이러한 알루미나 미립자가 연마 슬러리 내에서 물과 접촉됨으로써 수화되어 발생된 소량의 수산화 알루미늄만을 포함하는 것이므로 스크래치 및 에로젼과 같은 문제를 여전히 해결하지 못하고 있다.
이에, 본 발명의 목적은 연마제의 입자 안정성 및 분산 안정성이 우수하면서도 금속배선에 대한 선택성이 높고 디싱, 스크래치 및 에로젼을 거의 발생시키지 않는 연마 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적에 따라, 본 발명에서는 수산화 알루미늄-알루미나 복합입자를 연 마제로 포함하는 금속 배선용 수성 연마 슬러리를 제공한다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 연마 슬러리에 사용되는 수산화 알루미늄-알루미나 복합입자는 5 내지 300 ㎚의 평균입경 및 1 내지 7, 바람직하게는 2 내지 4의 모스(Mohs) 경도를 갖는 것으로, 알루미나 입자 표면에 수화 반응으로 형성된 수산화 알루미늄 층을 가짐을 특징으로 하며, 이 수산화 알루미늄 층의 두께를 조절하여 연마제 입자가 금속배선 평판화에 적합한 경도 특성을 갖도록 할 수 있다.
본 발명의 복합입자는 구체적으로, 알루미나를 수화 억제제를 포함하는 수용액에 분산시켜 습식 밀링한 후, 일정시간 동안 방치하여 수화시키고 최종 입자가 원하는 경도 특성을 나타낼 때 다시 수화 억제제로 처리함으로써 제조할 수 있다.
본 발명에 사용되는 알루미나 입자는 5 내지 300 ㎚, 바람직하게는 10 내지 200 ㎚의 평균 입경, 그리고 10 내지 480 ㎡/g, 바람직하게는 10 내지 400 ㎡/g의 비표면적을 갖는 알파(alpha), 감마(gamma), 델타(delta), 카이(chi), 에타(eta), 로(rho), 카파(kappa), 쎄타(theta) 및 이들의 복합상 등와 같은 전이 알루미나일 수 있으며, 수산화 알루미늄을 400 내지 800℃, 바람직하게는 400 내지 700℃의 온도 범위에서 열처리하여 수득할 수 있다.
본 발명에 사용되는 수화 억제제는 알루미나 표면의 수산기와 리간드 치환반응 또는 수소결합을 일으켜 Al-O-X(X는 수화 억제제의 작용기)을 형성하여 수화를 억제함으로써, 알루미나의 수화시 수화 속도를 조절하며, 최종 얻어진 복합입자가 연마 슬러리에 포함될 때 더 이상의 수화를 방지하는 역할을 한다.
상기 수화 억제제로는 알루미나 표면의 수산기에 대한 반응성이 물보다 큰 작용기인 카복실, 아미노, 술폰산, 술폰산염, 인산 및 인산염 등의 작용기를 하나 이상 포함하는, 저분자 유기산 또는 그의 염, 계면활성제, 중합체 또는 공중합체를 사용할 수 있으며, 예를 들면 저분자 유기산으로는 시트르산, 프탈산, 말레산, 살리실산 및 이들의 염을, 그리고 중합제 또는 공중합체로는 분자량 1,000 내지 10,000 범위의 폴리아크릴산 및 폴리메타아크릴산 등을, 그리고 공중합체로는 술폰산기, 술포네이트기, 포스폰산기, 포스포네이트기 및 포스페이트기 등의 강산 작용기를 갖는 화합물인 스티렌술폰산, 2-아크릴아미도-2-메틸프로판 술폰산(AMPS), 비닐술폰산 및 비닐포스폰산 등 중에서 둘 이상 선택된 단량체의 공중합체; 및 상기 강산 작용기를 갖는 화합물에 아크릴산, 메타아크릴산, 무수말레인 및 알킬 아크릴레이트 등의 카복실기 함유 화합물, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드 등의 알킬렌 옥사이드, 스티렌, 비닐알콜, 비닐피롤리돈 및 비닐 아세테이트 등의 비닐계 화합물, 및 포름아미드, 디메틸포름아미드, 아세트아미드, 벤즈아미드 및 아크릴아미드 등의 아미드계 화합물 중에서 하나 이상 선택된 단량체를 축중합시킨 공중합체 등을 사용할 수 있다.
상기 수화 억제제는 습식밀링시에는 합성된 알루미나 대비 0.05 내지 20 중량%로 사용할 수 있고, 수화반응 중단시에는 최종 복합입자 대비 0.05 내지 10 중량%로 사용할 수 있다.
이러한 알루미나의 표면 수화로 형성된 수산화 알루미늄 층은 깁사이트 (gibbsite), 뵈마이트(boehmite), 바이어라이트(bayerite), 다이아스포어(diaspore), 노드스트란다이트(nordstrandite), 의사 뵈마이트(pseudo boehmite) 및 이들의 복합상으로 복합입자 총 입경의 10 내지 90% 두께로 형성될 수 있다.
이렇게 얻어진 본 발명의 복합입자는 연마 슬러리 중량 대비 0.05 내지 20 중량%, 바람직하게는 1 내지 15 중량% 범위로 사용할 수 있으며, 기존 연마제와 달리 금속 배선에 알맞는 경도 특성을 선택조절할 수 있으므로 연마 슬러리에 포함되어 배리어(barrier) 물질인 질화 탄탈륨(TaN)이나 산화규소 또는 질화규소의 절연막에 대한 연마속도를 크게 감소시켜 금속 배선에 대한 선택비를 높이며, 디싱, 스크래치 및 에로젼을 감소시킨다.
본 발명에 따른 수성 연마 슬러리는 수산화 알루미늄-알루미나 복합입자 연마제 외에 산화제, 착화제, 부식방지제 및 pH 조절제 등의 통상의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.
산화제는 연마 대상인 금속 배선막이 그에 상응하는 산화물, 수산화물 또는 이온으로 산화되도록 하여 연마를 돕는 역할을 한다. 본 발명의 연마 슬러리에 사용될 수 있는 산화제는 특별히 한정되지는 않으나, 예를 들면 CMP 공정에 통상적으로 사용되는 과산화수소(H2O2)를 사용할 수 있으며, 연마 슬러리 중량 대비 0.2 내지 30 중량%, 바람직하게는 1 내지 15 중량% 범위로 사용할 수 있다.
착화제는 산화제에 의해 금속 배선막 표면에 형성된 금속 산화물을 제거하는 역할과, 금속 산화물과 착물을 형성하여 더 이상의 산화를 막는 역할을 동시에 수 행한다. 이러한 착화제로는 당업계에 공지된 것을 사용할 수 있으며, 예를 들면 옥살산 암모늄, 타르타르산, 니트릴로 트리 아세트산, 아미노 디아세트산, 카르복시산 아민, 아미노 아세트산 및 암모늄 시트레이트 중에서 선택된 것이 바람직하고, 연마 슬러리 중량 대비 0.2 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.3 내지 3 중량%의 범위로 사용될 수 있다.
부식 방지제는 금속 배선막 표면에 부동화층 또는 용해 억제층을 형성시켜 연마 속도를 조절하여 평탄화 향상에 도움을 주는 역할을 한다. 이러한 부식 방지제로는 벤조트리아졸(BTA) 및/또는 트리아졸 유도체가 사용될 수 있으며, 연마 슬러리 총 중량 대비 0.001 내지 1 중량%, 바람직하게는 0.001 내지 0.3 중량% 범위로 사용될 수 있다. 이때, 부식 방지제의 함량은 착화제의 양에 따라 변경될 수 있다.
pH 조절제는 연마 슬러리의 pH를 조절하는 역할을 한다. pH 조절제로는 통상적인 산, 염기 또는 아민 화합물은 모두 사용할 수 있고, 예를 들면 수산화 암모늄 및 아민, 질산, 황산, 인산, 및 유기산 등을 사용할 수 있으며, 본원 발명의 경우 연마제를 보호하기 위해 연마 슬러리의 pH가 3 내지 11, 바람직하게는 4 내지 9가 되도록 첨가될 수 있다.
이렇게 얻어진 본 발명의 연마 슬러리는 연마제 입자의 안정성 및 분산 안정성이 우수하면서도 금속배선에 대한 선택성이 높고 디싱 및 에로젼을 거의 발생시키지 않으므로, 반도체 제조 시 평판화를 위한 화학 기계적 연마 공정에 유용하게 활용될 수 있다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 연마 슬러리는 기존 연마제들과 달리 구리 배선과 같은 금속막 CMP 공정에 적합한 경도 특성을 선택할 수 있는 수산화 알루미늄-알루미나 복합입자를 연마제로 사용함으로써, 우수한 입자 안정성 및 분산 안정성 뿐 아니라 금속배선에 대한 우수한 선택성을 갖게하며 디싱, 스크래치 및 에로젼을 감소시키므로, 반도체 제조 시 평판화를 위한 화학 기계적 연마 공정에 유용하게 활용될 수 있다.

Claims (10)

  1. 수산화 알루미늄-알루미나 복합입자를 연마제로 포함하고,
    상기 수산화 알루미늄-알루미나 복합입자가 5 내지 300 ㎚의 평균입경 및 1 내지 7의 모스(Mohs) 경도를 갖는 것을 특징으로 하는 연마 슬러리.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    수산화 알루미늄-알루미나 복합입자가 연마 슬러리 중량 대비 0.05 내지 20 중량%로 포함됨을 특징으로 하는 연마 슬러리.
  4. 제 1 항에 있어서,
    수산화 알루미늄-알루미나 복합입자가 전이 알루미나 입자를 수화 억제제의 존재하에 습식 밀링한 후 방치하여 수화시킨 다음 다시 수화 억제제로 처리하는 공정에 의해 제조된 것임을 특징으로 하는 연마 슬러리.
  5. 제 4 항에 있어서,
    알루미나가 5 내지 300 ㎚의 평균 입경 및 10 내지 480 ㎡/g의 비표면적을 갖는 알 파(alpha), 감마(gamma), 델타(delta), 카이(chi), 에타(eta), 로(rho), 카파(kappa), 쎄타(theta) 및 이들의 복합상 전이 알루미나 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 연마 슬러리.
  6. 제 4 항에 있어서,
    수화 억제제가 카복실, 아미노, 술폰산, 술폰산염, 인산 및 인산염 중에서 선택된 작용기를 하나 이상 포함하는, 저분자 유기산 또는 그의 염, 계면활성제, 중합체 또는 공중합체임을 특징으로 하는 연마 슬러리.
  7. 제 6 항에 있어서,
    수화 억제제가 시트르산, 프탈산, 말레산, 살리실산 및 이들의 염; 분자량 1,000 내지 10,000 범위의 폴리아크릴산 및 폴리메타아크릴산; 스티렌술폰산, 2-아크릴아미도-2-메틸프로판 술폰산(AMPS), 비닐술폰산 및 비닐포스폰산을 포함하는 강산 작용기를 갖는 화합물 중에서 둘 이상 선택된 단량체의 공중합체; 및 상기 강산 작용기를 갖는 화합물 중에서 선택된 단량체에, 아크릴산, 메타아크릴산, 무수말레인 및 알킬 아크릴레이트를 포함하는 카복실기 함유 화합물, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드를 포함하는 알킬렌 옥사이드, 스티렌, 비닐알콜, 비닐피롤리돈 및 비닐 아세테이트를 포함하는 비닐계 화합물, 및 포름아미드, 디메틸포르아미드, 아세트아미드, 벤즈아미드 및 아크릴아미드를 포함하는 아미드계 화합물 중에서 선택된 단량체를 축중합시킨 공중합체 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 연마 슬러리.
  8. 제 1 항에 있어서,
    복합입자의 수산화 알루미늄 층이 깁사이트(gibbsite), 뵈마이트(boehmite), 바이어라이트(bayerite), 다이아스포어(diaspore), 노드스트란다이트(nordstrandite), 의사 뵈마이트(pseudo boehmite) 또는 이들의 복합상임을 특징으로 하는 연마 슬러리.
  9. 제 1 항에 있어서,
    복합입자의 수산화 알루미늄 층이 전체 복합입자의 10 내지 90% 두께로 차지함을 특징으로 하는 연마 슬러리.
  10. 제 1 항에 있어서,
    산화제, 착화제, 부식방지제 및 pH 조절제 중에서 선택된 하나 이상의 첨가제를 추가로 포함함을 특징으로 하는 연마 슬러리.
KR1020050107984A 2005-11-11 2005-11-11 수산화 알루미늄-알루미나 복합입자를 포함하는 금속배선용 수성 연마 슬러리 KR101190033B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050107984A KR101190033B1 (ko) 2005-11-11 2005-11-11 수산화 알루미늄-알루미나 복합입자를 포함하는 금속배선용 수성 연마 슬러리

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050107984A KR101190033B1 (ko) 2005-11-11 2005-11-11 수산화 알루미늄-알루미나 복합입자를 포함하는 금속배선용 수성 연마 슬러리

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070050594A KR20070050594A (ko) 2007-05-16
KR101190033B1 true KR101190033B1 (ko) 2012-10-12

Family

ID=38274076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050107984A KR101190033B1 (ko) 2005-11-11 2005-11-11 수산화 알루미늄-알루미나 복합입자를 포함하는 금속배선용 수성 연마 슬러리

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101190033B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101208896B1 (ko) * 2012-05-24 2012-12-06 주식회사 대한세라믹스 알루미나계 연마재 지립의 제조방법 및 이에 의해 제조된 알루미나계 연마재 지립
CN113755842B (zh) * 2021-10-18 2024-04-02 德米特（苏州）电子环保材料有限公司 一种金属抛光液及其制备方法和应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994002561A1 (en) 1992-07-28 1994-02-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive grain, method of making same and abrasive products

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994002561A1 (en) 1992-07-28 1994-02-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive grain, method of making same and abrasive products

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070050594A (ko) 2007-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20090289217A1 (en) Polishing composition
JP4628423B2 (ja) 基板の研磨及び製造方法
KR101200566B1 (ko) 차단재 연마 용액
KR101020613B1 (ko) 탄탈 배리어 제거 용액
US20050104048A1 (en) Compositions and methods for polishing copper
US20050136671A1 (en) Compositions and methods for low downforce pressure polishing of copper
JP2006196887A (ja) ケミカルメカニカルポリッシングのための選択的スラリー
EP1505134A1 (en) Chemical mechanical planarization compositions for reducing erosion in semiconductor wafers
KR20090014109A (ko) 폴리머 배리어 제거 연마 슬러리
US8425276B2 (en) Polishing composition
US20080029126A1 (en) Compositions and methods for improved planarization of copper utilizing inorganic oxide abrasive
US20090061630A1 (en) Method for Chemical Mechanical Planarization of A Metal-containing Substrate
KR101190033B1 (ko) 수산화 알루미늄-알루미나 복합입자를 포함하는 금속배선용 수성 연마 슬러리
KR101190034B1 (ko) 금속 배선용 화학기계적 연마 조성물
KR101144839B1 (ko) 감마 알루미나가 표면-결합된 실리카를 포함하는 수성 연마슬러리 및 그 제조방법
KR101258843B1 (ko) 금속 배선용 화학기계적 연마 조성물
KR101190032B1 (ko) 금속 배선용 화학기계적 연마 조성물
KR20070075455A (ko) 다공성 알루미나를 포함하는 금속배선용 수성 연마 슬러리
JP5741864B2 (ja) 研磨組成物
KR20070002217A (ko) 제올라이트 연마제를 포함하는 금속배선용 수성 연마슬러리
KR20100080067A (ko) 금속 배선 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물
KR20070000576A (ko) 수산화 알루미늄을 포함하는 금속 배선용 화학기계적 연마조성물
KR101134587B1 (ko) 금속 배선용 연마 슬러리
KR20070055057A (ko) 금속 배선용 화학기계적 연마 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee