WO2021057396A1 - 显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

显示面板和包括该显示面板显示装置。该显示面板包括基底(110)、像素阵列、电路结构和遮光部。像素阵列包括设置在基底上的多个像素单元(41，50，610)。电路结构包括至少两个第一导电图形(151)和至少一个第二导电图形(152)。至少两个第一导电图形(151)在基底上的正投影彼此间隔第一间隙(1511)。遮光部包括第一遮光部(171)。第一间隙(1511)的至少一部分在基底(110)上的正投影位于第一遮光部(171)在基底(110)上的正投影内和第二导电图形(152)在基底(110)上的正投影内。至少一个第二导电图形(152)与至少两个第一导电图形(151)在不同的方向上延伸以跨越至少两个第一导电图形(151)。

Description

显示面板和显示装置

本申请要求于2019年09月27日递交的中国专利申请第201910924594.8号的优先权，在此全文引用上述中国专利申请公开的内容以作为本申请的一部分。

技术领域

本公开的实施例涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

随着手机等显示电子产品的发展，显示屏的屏占比的提升成为一种产品趋势，前置摄像头等手机必备的功能元件成为制约屏占比提升的一大因素。针对这个问题，业界提出了将摄像头与显示面板结合到一显示装置中的被称为“屏下摄像头”的方案。在这样的方案中，显示装置包括显示面板和位于该显示面板下方的摄像头。显示装置的具有屏下摄像头的区域可以与其他区域一样发光并进行显示，并且该区域也具有摄像功能。为了使得更多的光能够进入位于显示面板下方的摄像头中，将显示面板设计为具有高像素密度区域和低像素密度区域，摄像头则设置在能够允许更多的光透过的低像素密度区域下方。

发明内容

本公开的至少一实施例提供一种显示面板，该显示面板包括透明的基底、像素阵列、电路结构和遮光部。像素阵列包括设置在基底上的多个像素单元，至少一个像素单元包括至少一个发光元件。电路结构配置为用于驱动至少一个发光元件，并且包括至少两个第一导电图形和至少一个第二导电图形。至少两个第一导电图形在基底上的正投影彼此间隔第一间隙，第一间隙使得成像用光的至少一部分通过第一间隙时被衍射。遮光部包括第一遮光部。第一间隙的至少一部分在基底上的正投影位于第一遮光部在基底上的正投影内和第二导电图形在基底上的正投影内。至少一个第二导电图形与至少两个第一导电图形在不同的方向上延伸以跨越至少两个第一导电图形。

例如，在一些实施例中，至少一个发光元件包括第一电极、位于第一电极远离基底的一侧的第二电极和在第一电极和第二电极之间的发光层。第一遮光部在基底上的正投影与第一电极在基底上的正投影之间具有第二间隙。至少两个第一导电图形在基底上的正投影延伸经过第二间隙在基底上的正投影。第二间隙的至少一部分在基底上的正投影落入第二导电图形在基底上的正投影内。

例如，在一些实施例中，遮光部与第一电极同层设置，且与第一电极由相同的材料制备，阻挡成像用光。

例如，在一些实施例中，第一电极和遮光层均为叠层结构，叠层结构包括第一导电氧化物层、第二导电氧化物层和设置在第一导电氧化物层和第二导电氧化物层之间的金属层。

例如，在一些实施例中，第一导电氧化物层、第二导电氧化物层和金属层分别为第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层和金属银层。

例如，在一些实施例中，至少一个像素单元包括第一像素单元和第二像素单元。至少两个第一导电图形包括在第一像素单元和第二像素单元之间的、在第一方向上延伸的布线。第一遮光部为在第一方向上、在第一像素单元和第二像素单元之间延伸的条块。第一遮光部在基底上的正投影与第一像素单元的第一电极在基底上的正投影之间具有第二间隙。

例如，在一些实施例中，第一遮光部包括靠近第一像素单元的第一遮光端部部分、靠近第二像素单元的第二遮光端部部分和在第一遮光端部部分与第二遮光端部部分之间的中间遮光部分。第一遮光端部部分具有第一宽度，第二遮光端部部分具有第二宽度，并且中间遮光部分具有第三宽度，第三宽度分别小于第一宽度和第二宽度。

例如，在一些实施例中，至少一个发光元件包括第一发光元件和第二发光元件。第一像素单元包括第一子像素单元和第二子像素单元。第一电极包括第一子电极和第二子电极。第一子像素单元包括第一发光元件，第一发光元件包括第一子电极。第二子像素单元包括第二发光元件，第二发光元件包括第二子电极。遮光部还包括第二遮光部分。电路结构还包括至少两个第三导电图形和至少一个第四导电图形。至少两个第三导电图形在基底上的正投影彼此间隔第三间隙，第三间隙使得成像用光的至少一部分通过第三间隙时被衍射。第三间隙的至少一部分在基底上的正投影位于第二遮光部在基底上的正投影内和第四导电图形在基底上的正投影内。至少一个第四导电图形与至少两个第三导电图形在不同的方向上延伸以跨越至少两个第三导电图形。

例如，在一些实施例中，至少两个第一导电图形在第一方向上延伸，至少两个第三导电图形在垂直于第一方向的第二方向上延伸。第一遮光部在基底上的正投影与第一子电极在基底上的正投影之间具有第二间隙。第二遮光部在基底上的正投影与第二子电极在基底上的正投影之间具有第四间隙。至少两个第三导电图形在基底上的正投影延伸经过第四间隙在基底上的正投影。第四间隙的至少一部分在基底上的正投影落入第四导电图形在基底上的正投影内。

例如，在一些实施例中，至少一个第四导电图形分别与至少两个第一导电图形中不同的第一导电图形成一体。至少一个第二导电图形分别与至少两个第三导电图形中不同的第三导电图形成一体。

例如，在一些实施例中，至少两个第一导电图形彼此平行地在第一方向上延伸。第一 遮光部在垂直于第一方向上的第二方向上彼此相对的两个侧边缘在基底上的正投影分别位于至少两个第一导电图形中位于最外侧的两个第一导电图形在基底上的正投影内。

例如，在一些实施例中，至少两个第一导电图形包括栅线、电源线、数据线、检测线、复位线、发光控制线中的至少一个，至少一个第二导电图形包括栅线、电源线、数据线、检测线、复位线、发光控制线中的至少一个。

例如，在一些实施例中，第一间隙的间隙宽度小于10μm。

例如，在一些实施例中，发光元件是有机发光二极管或量子点发光二极管。

例如，在一些实施例中，显示面板包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域具有第一像素密度，第二显示区域具有小于第一像素密度的第二像素密度。像素单元、电路结构和遮光部位于第二显示区域。

例如，在一些实施例中，第一显示区域围绕第二显示区域。

本公开的至少一实施例提供一种显示装置，该显示装置包括如上所述的显示面板和图像传感器。图像传感器在基底的正投影与第二显示区域在基底上的正投影交叠。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本公开的某些实施例，因此不应被看作是对保护范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1A示出了一种显示面板的平面示意图；

图1B是图1A中的显示面板沿I-I线截取的剖视示意图；

图2A示出了图1A中显示面板的局部放大示意图；

图2B示出了一种像素电路的示意图；

图2C示出了另一种像素电路的示意图；

图2D示出了再一种像素电路的示意图；

图2E示出了根据本公开的一实施例的电路结构的一部分的剖视图；

图3A示出了根据本公开一实施例的显示面板的第一显示区域的示意图；

图3B示出了根据本公开一实施例的显示面板的第二显示区域的示意图；

图4A示出了根据本公开一实施例的一个像素单元及其周围的电路结构的示意图；

图4B示出了图4A中部分I的视图，其中移除了第一遮光部；

图4C示出了图4A中部分II的视图，其中移除了第三遮光部；

图4D示出了图4A中部分III的视图，其中移除了第二遮光部；

图4E示出了图4A中部分IV的视图，其中移除了第四遮光部；

图4F示出了图4A中部分V的放大视图；

图4G示出了图4A中部分VI的放大视图；

图4H示出了图4A中部分VII的放大视图；

图5A示出了沿图4F中线A-A截取的剖视示意图；

图5B示出了沿图4A中线B-B截取的剖视示意图；

图5C示出了沿图4A中线C-C截取的剖视示意图；

图5D示出了沿图4H中线D-D截取的剖视示意图；

图6示出了根据本公开另一实施例的一个像素单元及其周围的电路结构的示意图；

图7示出了根据本公开一个实施例的显示装置的显示面板的电路结构示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对准置关系，当被描述对象的绝对准置改变后，则该相对准置关系也可能相应地改变。

图1A示出了一种显示面板的平面示意图，图1B是图1A中的显示面板的截面示意图。图2A示出了图1A中显示面板的局部放大示意图，图中每个正方形表示一个像素单元。

如图1A-图2A所示，显示面板包括第一显示区域10和被第一显示区域10至少部分围绕的第二显示区域20。该第一显示区域10包括阵列排布的多个第一像素单元11，该第二显示区域20包括阵列排布的多个第二像素单元21。第一像素单元11可以进一步包括多个子像素单元，例如红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元；同样地，第二像素单元21可以进一步包括多个子像素单元，例如红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元。

如图2A所示，第一显示区域10具有第一像素密度(单位面积内的像素单元个数)，并且该第二显示区域20具有小于第一像素密度的第二像素密度。

在第二显示区域20中，多个第二像素单元21之间的空白区域可以允许更多的光透过，从而提高该区域的光透过率。因此，相比于第一显示区域10，第二显示区域20具有更大的光透过率。例如，如图1B所示，可以将摄像头2设置到显示面板的位于第二显示区域20的基底210的下方，第二显示区域20可以满足摄像头2关于光透过率的成像要求。

此外，显示面板包括电路结构，用于控制各个子像素单元的发光，该电路结构包括为像素单元中的每个子像素单元中的像素电路提供控制信号、数据信号、电源电压等的各种走线，包括栅线、数据线、检测线、电源线等。例如，像素电路可以为2T1C(两个TFT和一个电容)像素电路3T1C像素电路等。

图2B示出了一种像素电路的示意图，图2C示出了另一种像素电路的示意图，图2D示出了再一种像素电路的示意图；图2E示出了根据本公开的一实施例的电路结构的一部分的剖视图。

如图2B所示，一种用于显示装置的2T1C像素电路包括开关晶体管T0、驱动晶体管N0以及存储电容Cs，用于驱动发光元件(例如有机发光二极管(OLED)或量子点发光二极管)发光。例如，该开关晶体管T0的栅极连接栅线以接收扫描信号Scan1，该开关晶体管T0的源极连接到数据线以接收数据信号Vdata，该开关晶体管T0的漏极连接到驱动晶体管N0的栅极；驱动晶体管N0的源极通过电源线连接到第一电压端以接收第一电压Vdd(高电压)，驱动晶体管N0的漏极连接到OLED的正极端；存储电容Cs的一端连接到开关晶体管T0的漏极以及驱动晶体管N0的栅极，另一端连接到驱动晶体管N0的源极以及通过电源线连接到第一电压端；OLED的负极端通过公共阴极(以及阴极环等)连接到第二电压端以接收第二电压Vss(低电压，例如接地电压)。

如图2C所示，另一种用于显示装置的2T1C像素电路也包括开关晶体管T0、驱动晶体管N0以及存储电容Cs，但是其连接方式略有改变，且驱动晶体管N0为N型晶体管。图2C的像素电路相对于图2B的变化之处包括：OLED的正极端通过电源线(或公共阳极等)连接到第一电压端以接收第一电压Vdd(高电压)，而负极端连接到驱动晶体管N0的漏极，驱动晶体管N0的源极通过电源线连接到第二电压端以接收第二电压Vss(低电压，例如接地电压)。存储电容Cs的一端连接到开关晶体管T0的漏极以及驱动晶体管N0的栅极，另一端连接到驱动晶体管N0的源极以及第二电压端。

图2D示出了一种可以检测驱动晶体管的阈值电压的像素电路(也即，3T1C电路)，驱动晶体管N0为N型晶体管。例如，如图2D所示，为了实现补偿功能，可以在2T1C电路的基础上引入感测晶体管S0，也即，可以将感测晶体管S0的第一端连接到驱动晶体管N0的源极，感测晶体管S0的第二端经由检测线Vsen与检测电路(未示出)连接，感测晶体管S0的栅极可以连接到与开关晶体管T0的栅极相同或不同的栅线。

基于2T1C结构像素电路，根据需要还可以增加例如补偿电路、发光控制电路、复位 电路等，由此实现例如4T2C像素电路、7T1C像素电路等，本公开的实施例对此不作限制。

图2E示出了根据本公开的一实施例的电路结构的一部分的剖视图。如上参照图2B-2D所述，电路结构可以包括像素电路，该像素电路可以包括开关晶体管、驱动晶体管和存储电容等。如图2E所示，电路结构可以包括基板210、设置在基板210上的阻挡层221、设置在阻挡层221上的缓冲层222、设置在缓冲层222上的半导体层231、设置在半导体层231上的栅极绝缘层223、设置在栅极绝缘层223上的栅电极232和第一电容电极241、设置在栅电极232和第一电容电极241上的第一层间绝缘层224、设置在第一层间绝缘层224上的第二电容电极242、设置在第二电容电极242上的第二层间绝缘层225、设置在第二层间绝缘层225上的源电极233和漏电极234、覆盖在源电极233和漏电极234上的平坦化层251。半导体层231、栅电极232、源电极233和漏电极234形成驱动晶体管(或者发光控制晶体管)，第一电容电极241和第二电容电极242彼此相对，通过第一层间绝缘层224形成存储电容。在图2E中所示的示例中，第一电容电极241与栅电极232同层，例如通过同一构图工艺形成；第二电容电极242介于栅电极232所在导电层和源电极233和漏电极234所在导电层之间的另一导电层中，该导电层例如还包括其他信号线。

此外，图2E还示出了被开关晶体管和存储电容驱动的OLED发光元件。该OLED发光元件包括第一电极261、第二电极263、设置在第一电极261和第二电极263之间的发光层262。根据发光层的材料，发光层可以发出不同颜色的光，例如红光、绿光或蓝光等。该电路结构还包括设置在平坦化层251上并且在第一电极261边缘上的像素界定层252。漏电极234通过形成在平坦化层251中的过孔与第一电极261电连接。

阻挡层221用于阻挡湿气和/或氧渗透穿过基板220。该缓冲层222用于提供平坦表面。该半导体层231可以包括多晶硅或氧化物半导体。半导体层231包括未用杂质掺杂的沟道区以及位于沟道区两侧并且用杂质掺杂的源区和漏区，源区和漏区分别与源电极233和漏电极234电连接。栅电极232、第一电容电极241和第二电容电极242可以包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo等中的一种或几种。

为像素阵列提供控制信号、数据信号、电源电压等的各种走线，包括栅线、数据线、检测线、电源线、复位线、发光控制线等，可以形成不同层中，例如，栅线可以与上述薄膜晶体管中的栅电极同层形成(例如通过同一构图工艺形成)，数据线和检测线可以与上述薄膜晶体管中的源电极和漏电极形成(例如通过同一构图工艺形成)，例如电源线可以与未示出的遮光层同层形成(例如通过同一构图工艺形成)，该遮光层可以设置在上述薄膜晶体管与基板210之间，以遮挡来自基板210的光照，避免该光照对于薄膜晶体管的不利影响。

如上所述的栅线、数据线等导电图形在像素阵列中的各个像素单元之间延伸以布线。 在第二显示区域20中，将这些导电图形集中在一起使得这些导电图形被布置成围绕一具有更高的光透过率的空白区域。如果连接在各个第二像素单元21之间的诸如导电图形之间的间隙小，那么使得入射光可以通过这些间隙时发生(单缝)衍射或(双缝)干涉，从而不能用于成像，而且将产生衍射或干涉条纹。因此，这些衍射或干涉导致位于第二显示区域20下方的摄像头2的成像质量降低。

根据本公开的至少一实施例提供一种显示面板，其包括透明的基底、像素阵列、电路结构和遮光部。该像素阵列包括多个像素单元，其设置在基底上。至少一个像素单元包括至少一个发光元件。电路结构配置为用于驱动至少一个发光元件。电路结构包括至少两个第一导电图形和至少一个第二导电图形。该至少两个第一导电图形在基底上的正投影彼此间隔第一间隙，该第一间隙使得成像用光的至少一部分通过第一间隙时被衍射。遮光部包括第一遮光部。第一间隙的至少一部分在基底上的正投影位于第一遮光部在基底上的正投影内和第二导电图形在基底上的正投影内。并且，至少一个第二导电图形与至少两个第一导电图形在不同的方向上延伸以跨越所述至少两个第一导电图形。

因此，在上述实施例中，一方面，至少两个第一导电图形之间的间隙通过第一遮光部被遮蔽；另一方面，通过将第一导电图形和第二导电图形的合理布线，至少两个第一导电图形之间的间隙还通过第二导电图形被遮蔽。因此，第一导电图形之间的间隙能够被更充分地遮蔽，以避免成像用光的衍射和干涉的发生。

图3A示出了根据本公开一实施例的显示面板的第一显示区域30的示意图，图3B示出了根据本公开一实施例的显示面板的第二显示区域40的示意图。

根据本公开一实施例的显示面板包括第一显示区域30和被第一显示区域30至少部分围绕的第二显示区域40，例如可以参考图1A和图2A所示的示例性结构；同样地，在第二显示区域40的背侧(即非显示侧)提供摄像头，以用于实现屏下摄像头设计。

如图3A和图3B所示，第一显示区域30包括阵列排布的多个像素单元31，第二显示区域40包括阵列排布的多个像素单元41。第一像素单元31可以进一步包括多个子像素单元，例如红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元；同样地，第二像素单元41可以进一步包括多个子像素单元，例如红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元。第一显示区域30具有第一像素密度，第二显示区域40具有小于第一像素密度的第二像素密度。第二显示区域40中的像素单元41之间具有空白区域42(即，不存在诸如导电图形的遮挡成像用光的部件的区域)，用于使成像用光通过其入射到在第二显示区域40中设置的摄像头中。

这里，成像用光可以包括可见光、红外光中的至少一种，但本公开的实施例对此不作限制。

图4A示出了根据本公开一实施例的第一像素单元50及其周围的电路结构的示意图。 例如，该第一像素单元50可以为图3B中所示的第二显示区域40中的像素单元41中的一个。

图4B示出了图4A中部分I的视图，其中移除了第一遮光部171。图4C示出了图4A中部分II的视图，其中移除了第三遮光部173。图4D示出了图4A中部分III的视图，其中移除了第二遮光部172。图4E示出了图4A中部分IV的视图，其中移除了第四遮光部174。图4F示出了图4A中部分V的放大视图。图4G示出了图4A中部分VI的放大视图。图4H示出了图4A中部分VII的放大视图。图5A示出了沿图4F中线A-A截取的剖视示意图。图5B示出了沿图4A中线B-B截取的剖视示意图。图5C示出了沿图4A中线C-C截取的剖视示意图。图5D示出了沿图4H中线D-D截取的剖视示意图。为了避免混淆，在图5A-5D中省略了一些层，而仅绘制出需要说明的层。

如图4A-5D所示，显示面板包括透明的基底110、像素阵列、电路结构和遮光部。该像素阵列包括多个像素单元，例如第一像素单元50，该多个像素单元设置在基底110上。

每个像素单元包括至少一个发光元件；该电路结构包括像素电路以及连接像素电路的各种走线。该发光元件包括第一电极160、位于第一电极160远离基底110的一侧的第二电极180和设置在第一电极160和第二电极180之间的发光层190，如图5C所示。例如，该发光元件可以为有机发光二极管(OLED)元件，其中发光层190为有机发光层，第一电极160为阳极而第二电极180为阴极。此外，该发光元件还可以为其他类型的发光元件，例如量子点发光二极管。该像素单元例如包括第一像素单元50、位于第一像素单元50右侧的第二像素单元(未示出)、位于第一像素单元50下侧的第三像素单元(未示出)、位于第一像素单元50左侧的第四像素单元(未示出)和位于第一像素单元50上侧的第五像素单元(未示出)。

该电路结构配置为用于驱动至少一个发光元件。该电路结构例如包括栅线、电源线、数据线、检测线等中的一种或多种。如图4A、图4F所示，该电路结构包括至少两个第一导电图形151和至少一个第二导电图形152。如图4B所示，该至少两个第一导电图形151包括在第一像素单元和第二像素单元之间在第一方向(第一方向在图4A中示出为左右方向)上延伸的多条(例如图中的七条，但是本公开的实施例不限于此，例如，二到六条等也是可以的)条形的布线。如图4F所示，该至少一个第二导电图形152与至少两个第一导电图形151在不同的方向上延伸以跨越所述至少两个第一导电图形151。例如，该至少一个第二导电图形152包括在垂直于第一方向的第二方向(第二方向在图4A中示出为上下方向)上延伸的两条条形的布线。

例如，该至少两个第一导电图形151可以包括栅线、电源线、数据线、检测线等中的至少一个，该至少一个第二导电图形152包括栅线、电源线、数据线、检测线等中的至少一个。

如图4B所示，该至少两个第一导电图形151在基底110上的正投影彼此间隔第一间隙1511，为了实现高像素密度所要求的布线，该第一间隙1511被形成得窄，而使得成像用光的至少一部分通过该第一间隙1511时被衍射或干涉。因此，设置遮光部以遮挡该第一间隙1511。该第一间隙1511的间隙宽度例如小于10μm，小于5μm或小于2μm。可以根据成像用光的波长范围，再考虑增加一冗余量，来确定需要被遮挡的间隙的宽度。

另外，为了布线连贯等原因，相邻的导电图形之间不会导致发生衍射和干涉的间隙也可以至少部分被遮挡。

如图4A所示，遮光部包括第一遮光部171。使用第一遮光部171遮挡第一间隙1511的大部分。例如，该第一遮光部171为在第一方向上在第一像素单元50和第二像素单元之间延伸的条块。

遮光部使用使得能够阻挡成像用光的材料制备。例如，该材料对成像用光的透过率小于10％，例如小于5％，又或者例如小于1％。

例如，遮光部可以与第一电极160同层设置，且与第一电极160由相同材料制备。因此，第一遮光部171能够与第一电极160使用同一掩膜版并且通过同一刻蚀步骤来形成，而不需要另外制作掩膜版或者另外进行刻蚀步骤来形成第一遮光部171，这降低了生产成本。例如，第一电极160和遮光部均为单金属层，例如金属银(Ag)层，或者也可以为叠层结构，包括第一导电氧化物层、第二导电氧化物层和设置在第一导电氧化物层和第二导电氧化物层之间的金属层。例如，该第一导电氧化物层和该第二导电氧化物层均为氧化铟锡(ITO)层，该金属层为金属银(Ag)层。位于金属层两侧的第一导电氧化物层和第二导电氧化物层可以保护该金属层免受氧化或腐蚀，从而增加显示面板的寿命。

如上所述，遮光部中的第一遮光部171遮挡第一间隙1511，使得成像用光不能通过第一间隙1511。第一遮光部171可能不能完全遮挡第一间隙1511。在本实施例中，第一遮光部171与第一电极160同层设置。第一遮光部171与第一电极160彼此绝缘，因此在第一遮光部171和第一电极160之间设置有第二间隙1711。也就是说，第一遮光部171在基底110上的正投影与第一电极160(第一子电极161)在基底110上的正投影之间具有第二间隙1711。至少两个第一导电图形151在基底110上的正投影延伸经过第二间隙1711在基底110上的正投影。因此，由于第二间隙1711的存在，至少两个第一导电图形151之间的第一间隙1511的一部分不能被第一遮光部171和第一电极160完全遮挡，从而仍可能产生光的衍射或干涉。此外，在一些示例中，为了实现高像素密度所要求的布线，该第二间隙1711也被形成得窄，而使得成像用光的至少一部分通过该第二间隙1711时也被衍射或干涉。

在本实施例中，第二间隙1711的至少一部分在基底110上的正投影落入第二导电图形152在基底110上的正投影内。因此，第一间隙1511与第二间隙1711在垂直于基底110 的方向上重叠的一部分被第二导电图形152所遮挡。通过对第一导电图形151和延伸跨越第一导电图形151的第二导电图形152的巧妙布线，实现了对第一导电图形151之间的第一间隙1511的充分遮挡，进一步提高屏下成像质量。

如图4A所示，第一像素单元包括第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元。相应地，第一像素单元的发光元件包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件。第一电极160包括第一子电极161、第二子电极162和第三子电极163。该第一子像素单元包括该第一发光元件，该第一发光元件包括该第一子电极161。该第二子像素单元包括该第二发光元件，该第一发光元件包括该第二子电极162。该第三子像素单元包括该第三发光元件，该第三发光元件包括该第三子电极163。例如，第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元可以分别为用于发出红色光、蓝色光和绿色光的子像素单元。

此外，如图4A-4H所示，在本实施例的一些示例中，电路结构还包括至少两个第三导电图形153、至少一个第四导电图形154、至少两个第五导电图形155、至少一个第六导电图形156和至少两个第七导电图形157。对应地，遮光部还包括第二遮光部172、第三遮光部173和第四遮光部174。

与第一导电图形151类似地，例如，该至少两个第五导电图形155例如包括在第一像素单元和另外的第四像素单元之间在第一方向上延伸的七条条形的布线。与第二导电图形152类似地，例如，该至少一个第六导电图形156包括在第二方向上延伸的两条条形布线。

该至少两个第五导电图形155在基底110上的正投影彼此间隔第五间隙1551，第五间隙1551使得成像用光的至少一部分通过该第五间隙1551时被衍射或干涉。第五间隙1551的至少一部分在基底110上的正投影位于第三遮光部173在基底110上的正投影内和第六导电图形156在基底110上的正投影内。也就是说，使用第三遮光部173和第六导电图形156来遮挡入射到第五间隙1551中的成像用光，以避免成像用光的延伸或干涉。

具体而言，第三遮光部173分在基底110上的正投影与第三子像素的第三电极163在基底110上的正投影之间具有第六间隙1731。至少两个第五导电图形155在基底110上的正投影延伸经过第六间隙1731在基底110上的正投影。因此，由于第六间隙1731的存在，第五间隙1551中的一部分不能被第二遮光部172和第二子电极162遮挡。第六间隙1731的至少一部分在基底110上的正投影落入第六导电图形156在基底110上的正投影内。因此，第五间隙1551与第六间隙1731在垂直于基底110的方向上重叠的一部分被第六导电图形156所遮挡。这样，通过对第五导电图形155和延伸跨越第五导电图形155的第六导电图形156的巧妙布线，实现了对第五导电图形155之间的第五间隙1551的充分遮挡，以避免成像用光发生衍射或干涉。

如图4A所示，例如，该至少两个第三导电图形153例如包括在第一像素单元和另外的第三像素单元之间在第二方向上延伸的七条条形的布线。例如，该至少一个第四导电图 形154包括跨越多个第三导电图形153而弯折地延伸的一条条形布线。

与第一导电图形151类似地，该至少两个第三导电图形153在基底110上的正投影彼此间隔第三间隙1531，第三间隙1531使得成像用光的至少一部分通过该第三间隙1531时被衍射或干涉。第三间隙1531的至少一部分在基底110上的正投影位于第三遮光部173在基底110上的正投影内和第四导电图形154在所述基底110上的正投影内。也就是说，使用第二遮光部172和第四导电图形154来遮挡入射到第三间隙1531中的成像用光，以避免成像用光的延伸或干涉。

具体而言，该第三遮光部173在基底110上的正投影与第二子像素的第二子电极162在基底110上的正投影之间具有第四间隙1721。至少两个第五导电图形155在基底110上的正投影延伸经过第四间隙1721在基底110上的正投影。第四间隙1721的至少一部分在基底110上的正投影落入第四导电图形154在基底110上的正投影内。这样，通过对第三导电图形153和延伸跨越第三导电图形153的第四导电图形154的巧妙布线，实现了对第三导电图形153之间的第三间隙1531的充分遮挡。

如图4A所示，例如，该至少两个第七导电图形157例如包括在第一像素单元和另外的第五像素单元之间在第二方向上延伸的七条条形的布线。与第一导电图形151类似地，例如，该至少两个第七导电图形157在基底110上的正投影彼此间隔第七间隙1571，第七间隙1571使得成像用光的至少一部分通过该第七间隙1571时被衍射或干涉。第七间隙1571的至少一部分在基底110上的正投影位于第四遮光部174在基底110上的正投影内。也就是说，使用第七遮光部来遮挡入射到第三间隙1531中的成像用光，以避免成像用光的衍射或干涉。

在本实施例中，例如，至少一个第二导电图形152分别与至少两个第三导电图形153中不同的第三导电图形153成一体。至少一个第四导电图形154分别与至少两个第一导电图形151中不同的第一导电图形151成一体。例如，至少一个第六导电图形156分别与至少两个第三导电图形153中不同的第三导电图形153成一体。

此外，如图4A所示，在第一子电极161和第三子电极163之间具有第八间隙1741。多个导电图形在基底110上的正投影延伸经过该第八间隙1741在基底110上的正投影。可以利用在不同方向上延伸的多个导电图形之间的相互遮挡来避免成像用光的衍射或干涉。例如，在基底110上的正投影延伸经过第八间隙1741在基底110上的正投影的导电图形包括在第二方向上延伸的第八导电图形158、在第二方向上延伸的第九导电图形159和在第一方向上延伸的第十导电图形1510。该第八导电图形158之间的第九间隙在基底110上的正投影落入第九导电图形159在基底110上的正投影内(参见图5D)，而第十导电图形1510在基底110上的正投影则横跨第八导电图形158和第九导电图形159在基底110上的正投影。该第八导电图形158和第九导电图形159设置在不同的层，从而不彼此连接。

如图4A-图4H所示，上述的第一导电图形151、第二导电图形152、第三导电图形153、第四导电图形154、第五导电图形155、第六导电图形156、第七导电图形157、第八导电图形158、第九导电图形159和第十导电图形1510可以位于显示面板中相同或不同的层，对此，例如可以参考图2E的层结构。并且这些导电图形中的一些导电图形可以彼此连接成一体，以形成一个导电图形。

在一示例中，第一导电图形151、第四导电图形154、第五导电图形155、第九导电图形159可以例如与如上图2E中所示的栅电极232和第一电容电极241或者第二电容电极242设置在同一层中。第二导电图形152、第三导电图形153、第六导电图形156、第七导电图形157、第八导电图形158可以与如上图2E中所示的源电极233和漏电极234设置在同一层中。第十导电图形1510可以与如上图2E中所示的半导体层231设置在同一层中。该第十导电图形1510可以被掺杂，当被加载电压时，该第十导电图形1510是导电的。

如图5A所示，至少两个第一导电图形151可以位于同一层。至少一个第二导电图形152位于第一导电图形151的靠近基底110的一侧。第一导电图形151和第二导电图形152被该二者之间的绝缘层121隔离开。在其他实施例中，第一导电图形151可以位于不同层。

如图5B所示，第三导电图形153可以位于不同层。例如，两个第三导电图形153分别与如上图2E中所示的第一电容电极241和第二电容电极242位于同一层中。第四导电图形154位于所有第三导电图形153的远离基底110的一侧。位于不同层的第三导电图形153被二者之间的绝缘层122间隔开。

如图5C所示，第一导电图形151位于相同的层，第一遮光部171位于第一导电图形151的远离基底110的一侧，用于遮挡要入射到第一导电图形151之间的第一间隙1511的成像用光。

如图5D所示，第八导电图形158和第九导电图形159彼此遮挡。第八导电图形158遮挡第九导电图形159之间的间隙，第九导电图形159遮挡第九导电图形159之间的间隙。第十导电图形1510则在与第八导电图形158和第九导电图形159所设置的层不同的层上横跨第八导电图形158和第九导电图形159。

返回参照图4A和图4B，至少两个第一导电图形151彼此平行地在第一方向上延伸，第一遮光部171在垂直于第一方向的第二方向上彼此相对的两个侧边缘在基底110上的正投影分别位于至少两个第一导电图形151中位于最外侧的两个第一导电图形151在基底110上的正投影内。也就是说，第一遮光部171在基底110上的正投影在第二方向上不超过位于最外侧的两个第一导电图形151在基底110上的正投影，从而在避免成像用光的干涉和衍射的同时，尽量少地减少对成像用光的遮挡。

图6示出了根据本公开另一实施例的一个像素单元及其周围的电路结构的示意图。

与图4A所示的实施例不同的是，第一遮光部171包括靠近第一像素单元的第一遮光端部部分1712、靠近位于第一像素单元右侧的第二像素单元(未示出)的第二遮光端部部分1713和在第一遮光端部部分1712与第二遮光端部部分1713之间的中间遮光部分1714。条形的第一遮光部171具有长度方向(或延伸方向)，在垂直于该长度方向的方向上，第一遮光端部部分1712具有第一宽度a1，第二遮光端部部分1713具有第二宽度a2，并且中间遮光部分1714具有第三宽度b，第三宽度b分别小于第一宽度a1和第二宽度a2。因此，这样的设计可以保证第一遮光部171在靠近像素单元的位置处对相应的导电图形之间的可能导致成像用光的干涉和衍射的间隙的充分遮挡，而在远离像素单元的位置处尽量减少对成像用光的遮挡。在其他示例中，第一宽度a1可以等于或不等于第二宽度a2。

此外，本公开的至少一实施例还提供一种显示装置。该显示装置可以包括如上所述的显示面板和图像传感器60(参见图5A-5D)。

如上所述，该显示面板具有第一显示区域和第二显示区域，该第一显示区域的像素密度大于该第二显示区域的像素密度；图像传感器60位于基底110背离像素阵列的一侧，该图像传感器60的感光面朝向显示面板。图像传感器60在基底110的正投影与第二显示区域在所述基底110上的正投影彼此交叠，例如，位于第二显示区域在基底110上的正投影内，由此可以利用通过第二显示区域的光进行成像，由此实现屏下摄像头功能。

图像传感器60可以采用本领域的常用结构，例如为互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器或者电荷耦合器件(CCD)图像传感器。图像传感器60可以电连接到图像处理器(未示出)。除了图像传感器60之外，为了实现更好的成像效果，该显示装置例如还可以包括镜头组件，镜头组件和图像传感器60在垂直于基底110的方向上依次沿着镜头组件的光轴排列设置。

图7示出了根据本公开一个实施例的显示装置的显示面板的电路结构示意图。如图7所示，该显示装置包括：呈阵列分布的多个像素单元610，多条扫描信号线、多条数据信号线和多条复位控制线。需要说明的是，在图7中仅示出了部分的像素单元610、扫描信号线、数据信号线和复位控制线。例如，SN表示第N行的扫描信号线，SN+1表示第N+1行的扫描信号线；RN表示第N行的复位控制线，RN+1表示第N+1行的复位控制线；DM表示第M列的数据信号线，DM+1表示第M+1列的数据信号线。这里，N与M例如为大于0的整数。每个像素单元610包括像素电路。

例如，每一行的扫描信号线和本行的像素电路中的开关电路200和补偿电路300连接以提供扫描信号Scan；每一列的数据信号线和本列像素电路中的开关电路200连接以提供数据信号Vdata；每一行的复位控制线和本行像素电路中的复位电路600连接以提供复位信号RST(图中未示出)。

例如，在像素单元的像素电路包括第一发光控制电路400和第二发光控制电路500的 情形下，该显示装置还可以包括多条发光控制线。图7中仅示出了第N行的发光控制线EN和第N+1行的发光控制线EN+1。

如图7所示，第N行像素单元的像素电路中的第一发光控制电路400和第N行的发光控制线EN连接；第N行像素单元的像素电路中的第二发光控制电路500和第N+1行的发光控制线EN+1连接；第N+1行像素单元的像素电路中的第一发光控制电路400和第N+1行的发光控制线EN+1连接。以此类推，也就是说第N行的像素电路中的第二发光控制电路500和第N+1行的像素电路中的第一发光控制电路400共享第N+1行的发光控制线EN+1。

需要说明的是，图7所示的显示装置还可以包括多条第一电压线和多条复位电压线以分别提供第一电压Vdd和复位电压Vinit(图中未示出)。

例如，如图7所示，该显示装置还可以包括扫描驱动电路70和数据驱动电路80。

例如，数据驱动电路80可以与多条数据信号线(DM、DM+1等)连接，以提供数据信号Vdata；同时还可以与多条第一电压线(图中未示出)和多条复位电压线(图中未示出)连接以分别提供第一电压Vdd和复位电压Vinit。

例如，扫描驱动电路70可以与多条扫描信号线(SN、SN+1等)连接，以提供扫描信号Scan；同时还可以与多条发光控制线(EN、EN+1等)连接以提供发光控制信号，以及与多条复位控制线(RN、RN+1等)连接以提供复位信号。

例如，扫描驱动电路70和数据驱动电路80可以实现为半导体芯片。该显示装置还可以包括其他部件，例如时序控制器、信号解码电路、电压转换电路等，这些部件例如可以采用已有的常规部件，这里不再详述。

本公开实施例提供的显示装置例如可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本公开的范围并非由上述描述的实施方式来限定，而是由所附的权利要求书及其等同范围来限定。

Claims (17)

1. 一种显示面板，包括：

   透明的基底；

   像素阵列，包括多个像素单元，设置在所述基底上，至少一个像素单元包括至少一个发光元件，

   电路结构，配置为用于驱动所述至少一个发光元件，包括：

   至少两个第一导电图形，所述至少两个第一导电图形在所述基底上的正投影彼此间隔第一间隙，所述第一间隙使得成像用光的至少一部分通过所述第一间隙时被衍射；以及

   至少一个第二导电图形；

   遮光部，包括：

   第一遮光部，

   其中，所述第一间隙的至少一部分在所述基底上的正投影位于所述第一遮光部在所述基底上的正投影内和所述第二导电图形在所述基底上的正投影内，

   所述至少一个第二导电图形与所述至少两个第一导电图形在不同的方向上延伸以跨越所述至少两个第一导电图形。
2. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，

   所述至少一个发光元件，包括：

   第一电极；

   第二电极，位于所述第一电极远离所述基底的一侧；以及

   发光层，在所述第一电极和所述第二电极之间，

   所述第一遮光部在所述基底上的正投影与所述第一电极在所述基底上的正投影之间具有第二间隙，

   所述至少两个第一导电图形在所述基底上的正投影延伸经过所述第二间隙在所述基底上的正投影，

   所述第二间隙的至少一部分在所述基底上的正投影落入所述第二导电图形在所述基底上的正投影内。
3. 根据权利要求2所述的显示面板，其中，

   所述遮光部与所述第一电极同层设置，且与所述第一电极由相同的材料制备，阻挡所述成像用光。
4. 根据权利要求3所述的显示面板，其中，

   所述第一电极和所述遮光层均为叠层结构，所述叠层结构包括第一导电氧化物层、第 二导电氧化物层和设置在所述第一导电氧化物层和所述第二导电氧化物层之间的金属层。
5. 根据权利要求4所述的显示面板，其中，

   所述第一导电氧化物层、所述第二导电氧化物层和所述金属层分别为第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层和金属银层。
6. 根据权利要求2-5任一所述的显示面板，其中，

   所述至少一个像素单元包括第一像素单元和第二像素单元，

   所述至少两个第一导电图形包括在所述第一像素单元和所述第二像素单元之间的、在第一方向上延伸的布线，

   所述第一遮光部为在所述第一方向上、在所述第一像素单元和所述第二像素单元之间延伸的条块，所述第一遮光部在所述基底上的正投影与所述第一像素单元的所述第一电极在所述基底上的正投影之间具有所述第二间隙。
7. 根据权利要求6所述的显示面板，其中，

   所述第一遮光部包括靠近所述第一像素单元的第一遮光端部部分、靠近所述第二像素单元的第二遮光端部部分和在所述第一遮光端部部分与所述第二遮光端部部分之间的中间遮光部分，

   所述第一遮光端部部分具有第一宽度，所述第二遮光端部部分具有第二宽度，并且所述中间遮光部分具有第三宽度，所述第三宽度分别小于所述第一宽度和所述第二宽度。
8. 根据权利要求6或7所述的显示面板，其中，

   所述至少一个发光元件包括第一发光元件和第二发光元件；

   所述第一像素单元包括第一子像素单元和第二子像素单元，

   所述第一电极包括所述第一子电极和所述第二子电极，

   所述第一子像素单元包括所述第一发光元件，所述第一发光元件包括所述第一子电极，

   所述第二子像素单元包括所述第二发光元件，所述第二发光元件包括所述第二子电极，

   所述遮光部还包括：

   第二遮光部分，

   所述电路结构还包括：

   至少两个第三导电图形，所述至少两个第三导电图形在所述基底上的正投影彼此间隔第三间隙，所述第三间隙使得成像用光的至少一部分通过所述第三间隙时被衍射；和

   至少一个第四导电图形，

   所述第三间隙的至少一部分在所述基底上的正投影位于所述第二遮光部在所述基底上的正投影内和所述第四导电图形在所述基底上的正投影内，

   所述至少一个第四导电图形与所述至少两个第三导电图形在不同的方向上延伸以跨越所述至少两个第三导电图形。
9. 根据权利要求8所述的显示面板，其中，

   所述至少两个第一导电图形在所述第一方向上延伸，所述至少两个第三导电图形在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，

   所述第一遮光部在所述基底上的正投影与所述第一子电极在所述基底上的正投影之间具有所述第二间隙，

   所述第二遮光部在所述基底上的正投影与所述第二子电极在所述基底上的正投影之间具有第四间隙，

   所述至少两个第三导电图形在所述基底上的正投影延伸经过所述第四间隙在所述基底上的正投影，

   所述第四间隙的至少一部分在所述基底上的正投影落入所述第四导电图形在所述基底上的正投影内。
10. 根据权利要求9所述的显示面板，其中，

    所述至少一个第四导电图形分别与所述至少两个第一导电图形中不同的第一导电图形成一体，并且

    所述至少一个第二导电图形分别与所述至少两个第三导电图形中不同的第三导电图形成一体。
11. 根据权利要求1-10所述的显示面板，其中，

    所述至少两个第一导电图形彼此平行地在第一方向上延伸，所述第一遮光部在垂直于所述第一方向上的第二方向上彼此相对的两个侧边缘在所述基底上的正投影分别位于所述至少两个第一导电图形中位于最外侧的两个第一导电图形在所述基底上的正投影内。
12. 根据权利要求1-11中任一项所述的显示面板，其中，

    所述至少两个第一导电图形包括栅线、电源线、数据线、检测线、复位线、发光控制线中的至少一个，所述至少一个第二导电图形包括栅线、电源线、数据线、检测线、复位线、发光控制线中的至少一个。
13. 根据权利要求1-12中任一项所述的显示面板，其中，

    所述第一间隙的间隙宽度小于10μm。
14. 根据权利要求1-13中任一项所述的显示面板，其中，

    所述发光元件是有机发光二极管或量子点发光二极管。
15. 根据权利要求1-14中任一项所述的显示面板，其中，

    所述显示面板包括第一显示区域和第二显示区域，所述第一显示区域具有第一像素密度，所述第二显示区域具有小于所述第一像素密度的第二像素密度，

    所述像素单元、所述电路结构和所述遮光部位于所述第二显示区域。
16. 根据权利要求15所述的显示面板，其中，

    所述第一显示区域围绕所述第二显示区域。
17. 一种显示装置，包括：

    根据权利要求15-16中任一项所述的显示面板；以及

    图像传感器，所述图像传感器在所述基底的正投影与所述第二显示区域在所述基底上的正投影交叠。

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