WO2020194516A1 - 高電圧パルス発生装置、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

高電圧パルス発生装置、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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江　偉華
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    • H05B41/30—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp
    • H05B41/34—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp to provide a sequence of flashes

Definitions

  • the present disclosure relates to a method for manufacturing a high voltage pulse generator, a gas laser device, and an electronic device.
  • the semiconductor exposure apparatus is simply referred to as an "exposure apparatus". Therefore, the wavelength of the light output from the exposure light source is being shortened.
  • a gas laser device is used instead of the conventional mercury lamp.
  • gas laser devices for exposure KrF excimer laser devices that output ultraviolet rays having a wavelength of 248 nm and ArF excimer laser devices that output ultraviolet rays having a wavelength of 193 nm are used.
  • the current exposure technology is immersion exposure, which shortens the apparent wavelength of the exposure light source by filling the gap between the projection lens and the wafer on the exposure device side with liquid and changing the refractive index of the gap. It has been put to practical use.
  • immersion exposure is performed using an ArF excimer laser device as an exposure light source, the wafer is irradiated with ultraviolet light having a wavelength of 134 nm in water. This technique is called ArF immersion exposure.
  • ArF immersion exposure is also called ArF immersion lithography.
  • Spectral line width is also called spectral width.
  • a narrow band module Line Narrow Module
  • the band narrowing element may be an etalon, a grating, or the like.
  • a laser device having a narrowed spectrum width in this way is called a narrowed band laser device.
  • the high voltage pulse generator is a high voltage pulse generator that applies a pulsed high voltage between a pair of discharge electrodes arranged in a laser chamber of a gas laser device, and comprises a transformer.
  • Each of the n transcores constituting, n transcores in which n is a natural number of 2 or more, and n primary electric circuits of the transformer, and n primary electric circuits. Includes a first terminal connected to a reference potential and a second terminal connected to a charger, and is connected in parallel to at least one primary side coil and at least one primary side coil.
  • a secondary side electric circuit including a secondary side coil and connected to a pair of discharge electrodes is provided.
  • the gas laser apparatus is a high voltage configured to apply a pulsed high voltage between a laser chamber, a pair of discharge electrodes arranged in the laser chamber, and a pair of discharge electrodes. It is a gas laser device including a pulse generator.
  • the high-voltage pulse generator is a high-voltage pulse generator that applies a pulsed high voltage between a pair of discharge electrodes arranged in the laser chamber of the gas laser device, and consists of n transformer cores constituting the transformer. There are n transformer cores in which n is a natural number of 2 or more, and n primary electric circuits of the transformer, and each of the n primary electric circuits is connected to a reference potential.
  • At least one primary side coil at least one diode connected in parallel to at least one primary side coil, and at least one primary side coil, including a first terminal and a second terminal connected to a charger.
  • N primary electrical circuits including at least one pulse generator connected in parallel to one primary coil, and secondary electrical circuits of the transformer, including secondary coils.
  • a secondary side electrical circuit connected to a pair of discharge electrodes.
  • a pulsed laser beam is generated by a gas laser device, the pulsed laser beam is output to the exposure device, and the electronic device is manufactured on a photosensitive substrate in the exposure device. Includes exposure to pulsed laser light.
  • the gas laser device includes a laser chamber, a pair of discharge electrodes arranged in the laser chamber, and a high voltage pulse generator configured to apply a pulsed high voltage between the pair of discharge electrodes. It is a device.
  • the high-voltage pulse generator is a high-voltage pulse generator that applies a pulsed high voltage between a pair of discharge electrodes arranged in the laser chamber of the gas laser device, and consists of n transformer cores constituting the transformer.
  • n transcores where n is a natural number of 2 or more, and n primary side electric circuits of the transformer, and each of the n primary side electric circuits is connected to a reference potential.
  • a secondary side electric circuit connected to a pair of discharge electrodes.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of the gas laser apparatus 1 according to the comparative example.
  • FIG. 2 shows the electric circuit of the pulse power module 13 shown in FIG.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a process for the laser control unit 30 to control the pulse energy of the pulsed laser beam.
  • FIG. 4 is a flowchart for explaining the subroutine of the drive timing setting process in S3 of FIG.
  • FIG. 5 is a time chart illustrating waveform control by setting the drive timing.
  • FIG. 6 shows the electric circuit of the pulse power module 13 according to the first embodiment of the present disclosure. In the same electric circuit as in FIG. 6, FIG.
  • FIG. 7 shows the flow of current when the condenser Cij is charged by the charger 12 with a broken arrow.
  • FIG. 8A is a plan view showing a second embodiment in which the pulse power module 13 is mounted on a circular substrate.
  • FIG. 8B schematically shows a cross section in line VIIIB-A-VIIIB of FIG. 8A.
  • FIG. 9 schematically shows the structure of the pulse power module 13 according to the third embodiment, which is composed of n primary side electric circuits Ea1 to Ean and n transcores TC1 to TCn.
  • FIG. 10A is a plan view showing a fourth embodiment in which the pulse power module 13 is arranged in the laser chamber 10.
  • FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line XB-XB of FIG. 10A.
  • FIG. 11A is a plan view showing a state in which the pulse power module 13 according to the fifth embodiment of the present disclosure is arranged in the laser chamber 10.
  • FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line XIB-XIB of FIG. 11A.
  • FIG. 12 schematically shows the configuration of the exposure device 100 connected to the gas laser device 1.
  • Pulse power module in which n primary side electric circuits are stacked. Pulse power module placed in the laser chamber 6. Pulse power module with a long transformer core in the Z direction 6.1 Trans core configuration 6.2 Secondary coil configuration 6.3 m pulse generator configuration 6.4 Action 7. Other
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of the gas laser device 1 according to the comparative example.
  • the internal configuration of the gas laser apparatus 1 as viewed from a direction substantially perpendicular to the discharge direction between the pair of discharge electrodes 11a and 11b and substantially perpendicular to the traveling direction of the laser beam output from the output coupling mirror 15. It is shown.
  • the traveling direction of the laser beam output from the output coupling mirror 15 is defined as the + Z direction.
  • the discharge direction between the discharge electrodes 11a and 11b is defined as the + V direction or the ⁇ V direction.
  • the direction perpendicular to both of these is defined as the + H direction or the ⁇ H direction.
  • the Z direction corresponds to the first direction in the present disclosure.
  • the H direction corresponds to the second direction in the present disclosure.
  • the -V direction almost coincides with the direction of gravity.
  • the ⁇ V direction corresponds to the third direction in the present disclosure.
  • the + V direction corresponds to the fourth direction in the present disclosure.
  • the gas laser device 1 is used together with the exposure device 100.
  • the laser beam output from the gas laser apparatus 1 is incident on the exposure apparatus 100.
  • the exposure apparatus 100 includes an exposure apparatus control unit 110.
  • the exposure apparatus control unit 110 is configured to control the exposure apparatus 100.
  • the exposure apparatus control unit 110 is configured to transmit setting data of the target pulse energy Et and an oscillation trigger signal to the laser control unit 30 included in the gas laser apparatus 1.
  • the gas laser device 1 includes a laser chamber 10, a charger 12, a pulse power module 13, a narrow band module 14, an output coupling mirror 15, an energy monitor 17, a cross flow fan 21, a motor 22, and a laser.
  • the control unit 30 and the like are included.
  • the gas laser device 1 is, for example, an excimer laser device.
  • the laser control unit 30 controls the control of the entire gas laser device 1.
  • the laser chamber 10 is arranged in the optical path of the laser resonator composed of the narrow band module 14 and the output coupling mirror 15.
  • the laser chamber 10 is provided with two windows 10a and 10b.
  • the laser chamber 10 houses the discharge electrodes 11a and 11b.
  • the laser chamber 10 houses a laser gas as a laser medium.
  • the laser gas includes, for example, argon gas, fluorine gas, and neon gas.
  • the laser gas includes, for example, krypton gas, fluorine gas, and neon gas.
  • An opening is formed in a part of the laser chamber 10, and this opening is closed by the electrically insulating portion 29.
  • the electrically insulating portion 29 supports the discharge electrode 11a.
  • a plurality of conductive portions 29a are embedded in the electrically insulating portion 29. Each of the conductive portions 29a is electrically connected to the discharge electrode 11a.
  • a return plate 10c is arranged inside the laser chamber 10.
  • the conductive member of the laser chamber 10 is electrically connected to the return plate 10c.
  • the return plate 10c supports the discharge electrode 11b.
  • the return plate 10c is electrically connected to the discharge electrode 11b.
  • the cross flow fan 21 is arranged inside the laser chamber 10.
  • the rotation axis of the cross flow fan 21 is connected to a motor 22 arranged outside the laser chamber 10.
  • the motor 22 rotates the cross flow fan 21.
  • the laser gas circulates inside the laser chamber 10.
  • the charger 12 holds electrical energy for supplying to the pulse power module 13.
  • the pulse power module 13 includes a switch SW.
  • the charger 12 is connected to the pulse power module 13.
  • the pulse power module 13 is connected to the discharge electrode 11a via the conductive portion 29a.
  • the narrow band module 14 includes wavelength selection elements such as a prism 14a and a grating 14b.
  • a high reflection mirror may be used instead of the narrow band module 14.
  • the output coupling mirror 15 is composed of a partially reflective mirror.
  • the energy monitor 17 includes a beam splitter 17a, a condenser lens 17b, and an optical sensor 17c.
  • the beam splitter 17a is arranged in the optical path of the laser beam output from the output coupling mirror 15.
  • the beam splitter 17a is configured to transmit a part of the laser beam output from the output coupling mirror 15 toward the exposure apparatus 100 with a high transmission rate and to reflect the other part.
  • the condenser lens 17b and the optical sensor 17c are arranged in the optical path of the laser beam reflected by the beam splitter 17a.
  • the laser control unit 30 receives the setting data of the target pulse energy Et and the oscillation trigger signal from the exposure device control unit 110.
  • the laser control unit 30 transmits a charge voltage setting signal to the charger 12 based on the target pulse energy Et setting data received from the exposure device control unit 110. Further, the laser control unit 30 transmits the oscillation trigger signal received from the exposure device control unit 110 to the pulse power module 13.
  • the pulse power module 13 When the pulse power module 13 receives the oscillation trigger signal from the laser control unit 30, it generates a pulsed high voltage from the electric energy charged in the charger 12, and applies this high voltage between the discharge electrodes 11a and 11b. To do.
  • the light generated in the laser chamber 10 is emitted to the outside of the laser chamber 10 through the windows 10a and 10b.
  • the light emitted from the window 10a of the laser chamber 10 has its beam width expanded by the prism 14a and enters the grating 14b.
  • the light incident on the grating 14b from the prism 14a is reflected by the plurality of grooves of the grating 14b and diffracted in a direction corresponding to the wavelength of the light.
  • the grating 14b is arranged in a retrow so that the incident angle of the light incident on the grating 14b from the prism 14a coincides with the diffraction angle of the diffracted light having a desired wavelength. As a result, light near the desired wavelength is returned to the laser chamber 10 via the prism 14a.
  • the output coupling mirror 15 transmits a part of the light emitted from the window 10b of the laser chamber 10 and outputs the light, reflects the other part, and returns the light to the laser chamber 10.
  • the light emitted from the laser chamber 10 reciprocates between the narrow band module 14 and the output coupling mirror 15. This light is amplified each time it passes through the discharge space between the discharge electrodes 11a and 11b. Further, this light is narrowed each time it is folded back by the narrowing module 14. The light oscillated by the laser and narrowed in band is output as laser light from the output coupling mirror 15.
  • the condenser lens 17b included in the energy monitor 17 focuses the laser beam reflected by the beam splitter 17a on the optical sensor 17c.
  • the optical sensor 17c transmits an electric signal corresponding to the pulse energy of the laser beam focused by the condensing lens 17b to the laser control unit 30 as measurement data.
  • the laser control unit 30 receives measurement data from the energy monitor 17.
  • the laser control unit 30 feedback-controls the charging voltage set in the charger 12 based on the pulse energy measurement data received from the energy monitor 17 and the target pulse energy Et setting data received from the exposure device control unit 110. To do.
  • FIG. 2 shows the electric circuit of the pulse power module 13 shown in FIG.
  • the pulse power module 13 in the comparative example includes n primary side electric circuits Ea1 to Ean, a secondary side electric circuit Eb, and a circuit drive unit 60.
  • the pulse power module 13 is a pulse compression circuit configured by an LTD (Linear Transformer Driver).
  • LTD Linear Transformer Driver
  • the pulse power module 13 is connected to the laser control unit 30 by a signal line.
  • the charger 12 described with reference to FIG. 1 is composed of n chargers 121 to 12n as shown in FIG.
  • the n chargers 121 to 12n are connected to n primary side electric circuits Ea1 to Ean, respectively.
  • n is a natural number of 2 or more, for example, a natural number in the range of 15 to 30.
  • Each of the n chargers 121 to 12n, each charger 12i, is a DC power supply device.
  • i is an arbitrary natural number of 1 or more and n or less.
  • the symbols of n constituent elements X may be numbered 1 to n to distinguish the n constituent elements X1 to Xn from each other.
  • the reference numeral Xi may be used instead of one of the n constituent elements Y1 to Yn different from the n constituent elements X1 to Xn.
  • the constituent elements Xi and the constituent elements Yi have a corresponding relationship with each other.
  • the n primary side electric circuits Ea1 to Ean one terminal is connected to the reference potential and the other terminal is connected to the charger 12i. That is, the n primary side electric circuits Ea1 to Ean are connected in parallel with each other.
  • the reference potential is, for example, the ground potential.
  • the n chargers 121 to 12n are connected to the laser control unit 30 by a signal line.
  • the primary side electric circuit Eai includes a primary side coil Lai and m pulse generating units Pi1 to Pim. That is, the n primary side electric circuits Ea1 to Ean include n primary side coils La1 to Lan and n ⁇ m pulse generators represented by the reference numerals Pij, respectively.
  • m is a natural number of 2 or more, for example, a natural number in the range of 15 to 30.
  • j is an arbitrary natural number of 1 or more and m or less.
  • the symbols of m component Xs may be numbered 1 to m to distinguish m components X1 to Xm from each other.
  • the reference numeral Xj may be used instead.
  • the codes of the n ⁇ m component X may be numbered 11 to nm to distinguish the n ⁇ m component X11 to Xnm from each other.
  • the reference numeral Xij may be used instead.
  • the pulse generating unit Pij includes a capacitor Cij and a switch SWij.
  • the capacitor Cij and the switch SWij are connected in series.
  • m pulse generating units Pi1 to Pim are connected in parallel with each other.
  • the primary side coil Lai is connected in parallel to m pulse generating units Pi1 to Pim.
  • the terminal located on the switch SWij side is connected to the reference potential, and the terminal located on the capacitor Cij side is connected to the output terminal of the charger 12i.
  • the switch SWij is composed of, for example, a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor).
  • the drain terminal of the MOSFET constituting the switch SWij is connected to one terminal of the capacitor Cij.
  • the source terminal of the MOSFET is connected to the reference potential.
  • the gate terminal of the MOSFET is connected to the circuit drive unit 60 by a signal line.
  • N signal lines are connected to the circuit drive unit 60.
  • the n signal lines are connected to n primary side electric circuits Ea1 to Ean, respectively.
  • Each of the n signal lines is branched into m signal lines.
  • the m signal lines are connected to m switches SWi1 to SWim included in the primary side electric circuit Eai, respectively. That is, m signal lines are connected to m gate terminals of m MOSFETs, respectively.
  • the secondary side electric circuit Eb includes n secondary side coils Lb1 to Lbn and n diodes Db1 to Dbn.
  • the n secondary coil Lb1 to Lbn are connected in series with each other.
  • the n diodes Db1 to Dbn are connected in parallel to the n secondary coils Lb1 to Lbn, respectively.
  • a transformer is composed of n primary side coils La1 to Lan, n secondary side coils Lb1 to Lbn, and n transformer cores TC1 to TCn (see FIGS. 8A to 11B). The n transcores TC1 to TCn and each transcore TCi will be described later.
  • the laser control unit 30 transmits a charging voltage setting signal to n chargers 121 to 12n.
  • the charging voltages ⁇ V set in each of the n chargers 121 to 12n are, for example, substantially the same values as each other.
  • the charging voltage ⁇ V is, for example, a voltage that becomes a positive potential with respect to the reference potential.
  • the charging voltage ⁇ V may be, for example, about 1 kV.
  • Each of the n chargers 121 to 12n, each of the chargers 12i charges the m capacitors Ci1 to Cim included in the primary side electric circuit Eai with a charging voltage ⁇ V.
  • the laser control unit 30 outputs timing data and an oscillation trigger signal to the circuit drive unit 60.
  • the timing data is data that determines the drive timing of each of the n primary side electric circuits Ea1 to Ean. Even if the timing data includes information that determines which of the n primary side electric circuits Ea1 to Ean is driven and which primary side electric circuit is not driven. Good.
  • the number and breakdown of the driven primary side electric circuits among the n primary side electric circuits Ea1 to Ean are determined based on the target pulse energy Et of the pulse laser light output from the gas laser device 1. May be good.
  • the circuit drive unit 60 transmits a circuit drive signal to the primary side electric circuit Eai based on the timing data and the oscillation trigger signal.
  • the circuit drive signal is input to the m switches SWi1 to SWim included in the primary side electric circuit Eai almost at the same time.
  • a pulsed current flows from the m capacitors Ci1 to Cim almost at the same time.
  • the pulsed current flowing from the m capacitors Ci1 to Cim flows into the primary coil Lai. In the primary coil Lai, the pulsed current flows from the upper side to the lower side in FIG.
  • a pulsed current flowing through the primary coil Lai generates a magnetic flux in the transcore TCi described later, and the generation of this magnetic flux causes an induced electromotive force in the secondary coil Lbi.
  • a pulsed voltage is applied between the pair of discharge electrodes 11a and 11b.
  • the induced electromotive force generated in the secondary side coil Lbi is substantially the same as the charging voltage ⁇ V of the charger 12i. If the number of primary side electric circuits driven at the same time among the n primary side electric circuits Ea1 to Ean is large, the induced electromotive force of the n secondary side coils Lb1 to Lbn is generated at the same time 2 The number of next-side coils increases.
  • the voltage applied between the pair of discharge electrodes 11a and 11b is i ⁇ ⁇ V. Will be.
  • the n-1 secondary side coils Lb2 to Lbn At the same time, an induced electromotive force is generated.
  • a large pulsed current also flows through the remaining secondary side coils Lb1 connected in series to the n-1 secondary side coils Lb2 to Lbn.
  • a pulsed current flowing through the secondary coil Lb1 generates a magnetic flux in the transcore TC1 described later, and the generation of this magnetic flux causes an induced electromotive force to be generated in the primary coil La1.
  • a diode Db1 is provided in order to suppress damage to the switches SW11 to SW1m and the charger 121. That is, even if an induced electromotive force is generated in any of the n-1 secondary side coils Lb2 to Lbn, the current flows through the diode Db1, so that the current flow through the secondary side coil Lb1 is suppressed.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a process for the laser control unit 30 to control the pulse energy of the pulsed laser beam.
  • the laser control unit 30 sets the applied voltages V (T1), V (T2), and V (T3) between the pair of discharge electrodes 11a and 11b as follows.
  • V (T1) V0 (T1)
  • V (T2) V0 (T2)
  • V (T3) V0 (T3)
  • the applied voltages V (T1), V (T2), and V (T3) are the applied voltages between the pair of discharge electrodes 11a and 11b at the timings delayed by the time T1, T2, and T3 from the oscillation trigger signal, respectively.
  • V0 (T1), V0 (T2), and V0 (T3) are initial values of the applied voltages V (T1), V (T2), and V (T3), respectively.
  • Times T1 to T3 have the relationship of the following equation.
  • T1 ⁇ T2 ⁇ T3 The time T3 is a time within a time during which the discharge required to output the pulsed laser beam having the desired pulse energy can be continued.
  • the one having the maximum absolute value is, for example, the applied voltage V (T1).
  • the applied voltage V (T1) is set to a voltage at which the laser gas between the pair of discharge electrodes 11a and 11b can at least break the insulation and start the main discharge.
  • the applied voltages V (T2) and V (T3) are set to voltages at which the main discharge initiated by the applied voltage V (T1) can be continued.
  • the laser control unit 30 reads the target pulse energy Et set by the exposure device control unit 110.
  • the laser control unit 30 performs the drive timing setting process.
  • the drive timing setting process is a process of setting each drive timing of the n primary side electric circuits Ea1 to Ean and creating timing data. The details of the drive timing setting process will be described later with reference to FIG.
  • the laser control unit 30 outputs the timing data created in S3 to the circuit drive unit 60.
  • the laser control unit 30 outputs the oscillation trigger signal received from the exposure device control unit 110 to the circuit drive unit 60.
  • the circuit drive unit 60 controls the drive of n primary side electric circuits Ea1 to Ean based on the timing data and the oscillation trigger signal. Specifically, the circuit drive unit 60 delays the primary side electric circuit to be driven among the n primary side electric circuits Ea1 to Ean by the time T1, T2, and T3 from the oscillation trigger signal, respectively. It may be driven at the timing. The number of primary side electric circuits to be driven among the n primary side electric circuits Ea1 to Ean and their breakdown will be described later with reference to FIG.
  • the laser control unit 30 determines whether or not laser oscillation has been performed. If the laser oscillation is not performed, the laser control unit 30 waits until the laser oscillation is performed. When the laser oscillation is performed, the laser control unit 30 shifts to S7.
  • the laser control unit 30 acquires the measured value E of the pulse energy measured by the energy monitor 17.
  • the laser control unit 30 calculates the difference ⁇ E between the measured value E of the pulse energy and the target pulse energy Et.
  • the laser control unit 30 sets new applied voltages V (T1), V (T2), and V (T3) so that the difference ⁇ E approaches 0.
  • the new applied voltages V (T1), V (T2), and V (T3) are set using the following equation.
  • V (T1) V (T1) + ⁇ 1 ⁇ ⁇ E
  • V (T2) V (T2) + ⁇ 2 ⁇ ⁇ E
  • V (T3) V (T3) + ⁇ 3 ⁇ ⁇ E
  • ⁇ 1, ⁇ 2, and ⁇ 3 on the right side may be proportional constants obtained in advance by experiments or the like.
  • the laser control unit 30 determines whether or not the target pulse energy Et has been changed.
  • the exposure apparatus control unit 110 may change the target pulse energy Et.
  • the exposure device control unit 110 outputs the changed target pulse energy Et setting data to the laser control unit 30.
  • the laser control unit 30 returns to S2.
  • the target pulse energy Et is not changed (S10: NO)
  • the laser control unit 30 shifts to S11.
  • the laser control unit 30 determines whether or not to end the process of controlling the pulse energy of the pulsed laser beam.
  • the laser control unit 30 returns to S3.
  • the laser control unit 30 ends the process of controlling the pulse energy of the pulsed laser beam (S11: YES)
  • the laser control unit 30 ends the process of this flowchart.
  • FIG. 4 is a flowchart for explaining a subroutine of the drive timing setting process in S3 of FIG.
  • the laser control unit 30 sets the identification number i to 1.
  • the identification number i when the identification number i is set, it is assumed that one of the n primary side electric circuits Ea1 to Ean is identified.
  • the identification number i when the identification number i is set, one charger 12i corresponding to the primary side electric circuit Eai is also identified.
  • the laser control unit 30 sets the drive timing of the primary side electric circuit Eai while counting up the identification number i.
  • the laser control unit 30 is the total value of the charging voltages by the i chargers 121 to 12i identified by the identification numbers 1 to i. Is determined to be equal to or lower than the applied voltage V (T1).
  • the applied voltage V (T1) is a value set in S1 of FIG. 3 as an applied voltage between the pair of discharge electrodes 11a and 11b at time T1.
  • the total value of the charging voltage by the i chargers 121 to 12i is represented by i ⁇ ⁇ V. Therefore, the determination of S302 is performed depending on whether or not the following conditions are satisfied. i ⁇ ⁇ V ⁇ V (T1)
  • the laser control unit 30 shifts to S305 when the total value i ⁇ ⁇ V of the charging voltage is not equal to or less than the applied voltage V (T1) (S302: NO). When the total value i ⁇ ⁇ V of the charging voltage is equal to or less than the applied voltage V (T1) (S302: YES), the laser control unit 30 shifts to S303.
  • the laser control unit 30 sets the drive timing of the primary side electric circuit Eai identified by the identification number i to the time T1.
  • the laser control unit 30 adds 1 to the value of the identification number i to update the value of the identification number i. After that, the laser control unit 30 returns to S302.
  • a first threshold value k 1 sets the value of the current identification number i.
  • the first threshold value k 1 is smaller than the identification number 1 ⁇ k 1 k 1 that is identified by -1 -1 primary electric circuit Ea1 ⁇ Eak 1 -1 at a timing delayed by the time T1 from the oscillation trigger signal This is the primary side electric circuit to be driven.
  • the primary side electric circuits Eak 1 to Ean identified by the identification numbers k 1 to n having the first threshold value k 1 or more are primary side electric circuits that are not to be driven at a timing delayed by a time T1 from the oscillation trigger signal. is there.
  • k 1 when -1 is driven simultaneously primary electric circuit Ea1 ⁇ Eak 1 -1, while a voltage close to the applied voltage V (T1) of the pair of discharge electrodes 11a and 11b Can be applied to.
  • the laser control unit 30 is identified by identification numbers k 1 to i i-k 1 + 1 charger 12k 1 to 12i. It is determined whether or not the total value of the charging voltage according to the above is equal to or less than the applied voltage V (T2).
  • the applied voltage V (T2) is a value set in S1 as an applied voltage between the pair of discharge electrodes 11a and 11b at time T2.
  • the total value of the charging voltage by the i-k 1 + 1 charger 12k 1 to 12i is represented by (i-k 1 + 1) ⁇ ⁇ V. Therefore, the determination of S306 is performed depending on whether or not the following conditions are satisfied. (Ik 1 + 1) ⁇ ⁇ V ⁇ V (T2)
  • the laser control unit 30 shifts to S309 when the total value (i-k 1 + 1) ⁇ ⁇ V of the charging voltage is not equal to or less than the applied voltage V (T2) (S306: NO). When the total value (i-k 1 + 1) ⁇ ⁇ V of the charging voltage is equal to or less than the applied voltage V (T2) (S306: YES), the laser control unit 30 shifts to S307.
  • the laser control unit 30 sets the drive timing of the primary side electric circuit Eai identified by the identification number i to the time T2. In S308, the laser control unit 30 adds 1 to the value of the identification number i to update the value of the identification number i. After that, the laser control unit 30 returns to S306.
  • the laser control unit 30 sets the second threshold value k 2 to the value of the current identification number i.
  • the first threshold value k 1 or the second threshold value k 2 is smaller than the identification number k 1 ⁇ k 2 k 2 -k 1 single primary identified by -1 electrical circuits Eak 1 ⁇ Eak 2 -1 is This is the primary side electric circuit to be driven at a timing delayed by the time T2 from the oscillation trigger signal.
  • Other identification numbers 1 ⁇ k 1 -1 and primary electrical circuit which is identified by k 2 ⁇ n Ea1 ⁇ Eak 1 -1 and Eak 2 ⁇ Ean may drive at a timing delayed by the time T2 from the oscillation trigger signal It is a primary side electric circuit that is not a target.
  • k 2 -k 1 one primary electric circuit Eak 1 ⁇ Eak 2 -1 simultaneously when driving, a voltage close to the applied voltage V (T2) of the pair discharge electrodes 11a and 11b Can be applied between.
  • the laser control unit 30 uses i-k 2 + 1 chargers 12k 2 to 12i identified by identification numbers k 2 to i. It is determined whether or not the total value of the charging voltage according to the above is equal to or less than the applied voltage V (T3).
  • the applied voltage V (T3) is a value set in S1 as an applied voltage between the pair of discharge electrodes 11a and 11b at time T3.
  • the total value of the charging voltage by ik 2 + 1 chargers 12k 2 to 12i is represented by (i-k 2 + 1) ⁇ ⁇ V. Therefore, the determination of S310 is performed depending on whether or not the following conditions are satisfied. (Ik 2 +1) ⁇ ⁇ V ⁇ V (T3)
  • the laser control unit 30 shifts to S313 when the total value (i-k 2 + 1) ⁇ ⁇ V of the charging voltage is not equal to or less than the applied voltage V (T3) (S310: NO).
  • the laser control unit 30 shifts to S311.
  • the laser control unit 30 sets the drive timing of the primary side electric circuit Eai identified by the identification number i to the time T3.
  • the laser control unit 30 adds 1 to the value of the identification number i to update the value of the identification number i. After that, the laser control unit 30 returns to S310.
  • a third threshold value k 3 it is set to the current value of the identification number i.
  • Third threshold k 3 is smaller than the identification number k 2 ⁇ k 3 k 3 are identified by -1 -k 2 pieces of primary electric circuit Eak 2 ⁇ Eak 3 -1 in the second threshold value k 2 or more, This is the primary side electric circuit to be driven at a timing delayed by the time T3 from the oscillation trigger signal.
  • Other identification numbers 1 ⁇ k 2 -1 and k 3 1 primary electrical circuit identified in ⁇ n Ea1 ⁇ Eak 2 -1 and Eak 3 ⁇ Ean may drive at a timing delayed by a time T3 from the oscillation trigger signal It is a primary side electric circuit that is not a target.
  • k 3 -k 2 pieces of primary electric circuit Eak 2 ⁇ Eak 3 -1 simultaneously when driving, a voltage close to the applied voltage V (T3) of the pair discharge electrodes 11a and 11b Can be applied between.
  • the laser control unit 30 sets the switches SWi1 to SWim included in the primary side electric circuit Eai of the identification number i to off. That is, the primary side electric circuit Eai of the identification number i is set to the primary side electric circuit that is not the target to be driven.
  • the laser control unit 30 adds 1 to the value of the identification number i to update the value of the identification number i.
  • the laser control unit 30 determines whether or not the current value of the identification number i is larger than the number n of the primary side electric circuits Ea1 to Ean. When the current value of the identification number i is the number n or less of the primary side electric circuits Ea1 to Ean (S316: NO), the laser control unit 30 returns to S314. When the current value of the identification number i is larger than the number n of the primary side electric circuits Ea1 to Ean (S316: YES), the laser control unit 30 ends the process of this flowchart and shifts to S4 of FIG. Timing data is generated as described above.
  • FIG. 5 is a time chart for explaining waveform control by setting the drive timing.
  • the horizontal axis of FIG. 5 indicates the time T.
  • the vertical axis of FIG. 5 shows the strength of a signal such as voltage V.
  • the laser control unit 30 outputs an oscillation trigger signal to the circuit drive unit 60.
  • the laser control unit 30 outputs timing data to the circuit drive unit 60 in addition to the oscillation trigger signal.
  • Circuit drive section 60 the primary side electric circuit Ea1 ⁇ Eak 1 -1 identified by identification numbers 1 ⁇ k 1 -1, and transmits the circuit driving signal at a timing delayed by the time T1 from the oscillation trigger signal.
  • the switch SWij is turned on included in the primary electrical circuit Ea1 ⁇ Eak 1 -1.
  • Circuit drive section 60, the primary side electric circuit Eak 1 ⁇ Eak 2 -1 identified by identification numbers k 1 ⁇ k 2 -1 transmits a circuit driving signal at a timing delayed by the time T2 from the oscillation trigger signal .
  • the switch SWij is turned on included in the primary electrical circuit Eak 1 ⁇ Eak 2 -1.
  • Circuit drive section 60 the primary side electric circuit Eak 2 ⁇ Eak 3 -1 identified by the identification number k 2 ⁇ k 3 -1, and transmits the circuit driving signal at a timing delayed by a time T3 from the oscillation trigger signal .
  • the switch SWij is turned on included in the primary electrical circuit Eak 2 ⁇ Eak 3 -1.
  • the circuit drive unit 60 keeps the switch SWij included in the primary side electric circuits Eak 3 to Ean identified by the identification numbers k 3 to n off.
  • each ⁇ Eak 3 -1 primary electrical circuit EAI the switch SWij is turned on, a pulse-like voltage having a peak value of the charging voltage ⁇ V is the primary coil Lai ends Is applied to.
  • the primary side electric circuits Eai of each of the primary side electric circuits Eak 3 to Ean are maintained in an undriven state.
  • Voltage Vs (T1) corresponds to a voltage which is the sum of voltages respectively applied to the primary coil La1 ⁇ Lak 1 -1 in k 1 -1 single primary electric circuit Ea1 ⁇ Eak 1 -1. Peak value of the voltage Vs (T1) becomes (k 1 -1) ⁇ ⁇ V.
  • Voltage Vs (T2) is equivalent to k 2 -k 1 one primary electric circuit Eak 1 ⁇ Eak 2 respectively primary coils Lak in -1 1 ⁇ Lak 2 -1 voltage which is the sum of the voltage applied to the To do.
  • the peak value of the voltage Vs (T2) is (k 2- k 1 ) ⁇ ⁇ V.
  • Voltage Vs (T3) is equivalent to k 3 -k 2 pieces of primary electric circuit Eak 2 ⁇ Eak 3 voltage which is the sum of voltages applied to the primary coil Lak 2 ⁇ Lak 3 -1 In -1 To do.
  • the peak value of the voltage Vs (T3) is (k 3- k 2 ) ⁇ ⁇ V.
  • Primary number k 1 -1 of the electric circuit Ea1 ⁇ Eak 1 -1 driven at the timing of time T1 the number k of the primary electric circuit Eak 1 ⁇ Eak 2 -1 driven at the timing of time T2 more than 2 -k 1 is desirable.
  • Primary number k 1 -1 of the electric circuit Ea1 ⁇ Eak 1 -1 driven at the timing of time T1 the number k of the primary electric circuit Eak 2 ⁇ Eak 3 -1 driven at the timing of time T3 More than 3- k 2 is desirable.
  • the absolute value of the peak value of the voltage Vs (T1) that occurs in k 1 -1 single secondary coil Lb1 ⁇ Lbk 1 -1 is, k 2 -k 1 single secondary coil Lbk 1 ⁇ Lbk It is higher than the absolute value of the peak value of the voltage Vs (T2) generated in 2-1.
  • k 1 the absolute value of the peak value of -1 of the secondary coil Lb1 ⁇ Lbk 1 voltage occurring at -1 Vs (T1) is, k 3 -k 2 pieces of the secondary coil Lbk 2 ⁇ Lbk 3 -1 It becomes higher than the absolute value of the peak value of the voltage Vs (T3) generated in.
  • the pulse waveform of the voltage Vr applied between the pair of discharge electrodes 11a and 11b is a waveform substantially similar to the waveform of the voltage Vs (T1) until just before the insulation failure occurs.
  • the voltage Vr rapidly approaches 0.
  • the voltages Vs (T2) and Vs (T3) are applied, the voltage Vr does not become 0 and is maintained at a voltage at which the main discharge can be continued.
  • the current I flowing through the secondary side electric circuit Eb peaks. After that, while the main discharge is continued, a current lower than the peak current flows through the secondary side electric circuit Eb. By this main discharge, the laser gas is excited to emit light, and the pulse laser light is output from the gas laser device 1.
  • the pulse waveform of the pulsed laser beam has a substantially similar shape to the pulse waveform of the current flowing through the secondary side electric circuit Eb. By setting the drive timing as described above, the waveform of the pulsed laser beam is controlled.
  • n diodes Da1 to Dan are arranged in n primary side electric circuits Ea1 to Ean, respectively.
  • the output inductance of the pulse power module 13 can be reduced, and pulsed laser light having a desired pulse energy can be output.
  • FIG. 6 shows the electric circuit of the pulse power module 13 in the first embodiment of the present disclosure.
  • the pulse power module 13 corresponds to the high voltage pulse generator of the present disclosure.
  • the output terminal of the charger 12i is connected to the terminal located on the capacitor Cij side.
  • the output terminal of the charger 12 is connected between the capacitor Cij and the switch SWij.
  • the charger 12 may be a common charger connected to n primary side electric circuits Ea1 to Ean.
  • the terminal located on the switch SWij side is connected to the reference potential.
  • n diodes Db1 to Dbn described with reference to FIG. 2 may not be provided in the first embodiment.
  • n diodes Da1 to Dan are arranged in each of the n primary side electric circuits Ea1 to Ean.
  • the n diodes Da1 to Dan are connected in parallel to the n primary coil La1 to Lan included in the n primary side electric circuits Ea1 to Ean, respectively. That is, the diode Dai is connected in parallel to the primary side coil Lai included in the primary side electric circuit Eai.
  • the diode Dai is connected so that the cathode side has a reference potential. That is, the anode of the diode Dai has substantially the same potential as the terminals located on the capacitor Cij side among the terminals at both ends of the pulse generating portion Pij.
  • the cathode of the diode Dai has substantially the same potential as the terminals located on the switch SWij side among the terminals at both ends of the pulse generating portion Pij.
  • the charger 12 charges m capacitors Ci1 to Cim included in the primary side electric circuit Eai with a charging voltage ⁇ V. After that, when the m switches SWi1 to SWim included in the primary side electric circuit Eai are turned from the off state to the on state almost at the same time, a pulsed current flows from the m capacitors Ci1 to Cim almost at the same time. Since the pulsed current flowing from the m capacitors Ci1 to Cim has a reverse bias with respect to the diode Dai, the pulsed current flowing from the m capacitors Ci1 to Cim is suppressed from flowing to the diode Dai. To. The pulsed current flowing from the m capacitors Ci1 to Cim flows into the primary coil Lai.
  • the pulsed current flows from the lower side to the upper side of FIG.
  • a pulsed current flowing through the primary side coil Lai generates a magnetic flux in the transcore TCi described later, and the generation of this magnetic flux causes an induced electromotive force to be generated in the secondary side coil Lbi.
  • a pulsed voltage is applied between the pair of discharge electrodes 11a and 11b. If the number of primary side electric circuits driven at the same time among the n primary side electric circuits Ea1 to Ean is large, the induced electromotive force of the n secondary side coils Lb1 to Lbn is generated at the same time 2 The number of next-side coils increases.
  • FIG. 6 the direction of the current when the primary side electric circuit Ea1 is not driven and the remaining n-1 primary side electric circuits Ea2 to Ean are driven is indicated by a broken line arrow.
  • induced electromotive force is generated simultaneously in n-1 secondary side coils Lb2 to Lbn.
  • a large pulsed current also flows through the remaining secondary coil Lb1 connected in series to the n-1 secondary coil Lb2 to Lbn.
  • a pulsed current flowing through the secondary coil Lb1 generates a magnetic flux in the transcore TC1 described later, and the generation of this magnetic flux causes an induced electromotive force to be generated in the primary coil La1.
  • FIG. 7 shows the current flow when the capacitor Cij is charged by the charger 12 in the same electric circuit as in FIG. 6 with a broken line arrow. At this time, all switches SWij are in the off state.
  • a current flows into the terminal on the switch SWij side of the condenser Cij to charge the condenser Cij.
  • a negative charge flows into the terminal on the opposite side of the capacitor Cij from the switch SWij. That is, a current flows out from the terminal on the opposite side of the capacitor Cij to the switch SWij.
  • the current flowing out from the terminal opposite to the switch SWij of the capacitor Cij is discharged to the reference potential through the diode Dai.
  • the secondary side electric circuit Eb can be simplified. As a result, the output inductance of the pulse power module 13 can be reduced. Further, for example, when the primary side electric circuit Ea1 is not driven and the remaining n-1 primary side electric circuits Ea2 to Ean are driven, damage to the switches SW11 to SW1m and the charger 12 is suppressed. Can be done.
  • the condenser Cij since the current flows through the diode Dai when charging the condenser Cij, the condenser Cij can be charged efficiently. Further, since it is possible to suppress the flow of current through the primary coil Lai during charging, it is possible to suppress the generation of magnetic flux in the transcore TCi and suppress the energy loss.
  • the first embodiment is the same as the above-mentioned comparative example.
  • FIG. 8A is a plan view showing a second embodiment in which the pulse power module 13 is mounted on a circular substrate.
  • FIG. 8B schematically shows a cross section in line VIIIB-A-VIIIB of FIG. 8A. However, in FIG. 8B, the side surface of the secondary coil Lb is shown instead of the cross section. 8A and 8B show one primary side electric circuit Eai among n primary side electric circuits Ea1 to Ean, one transcore TCi, and a part of the secondary side coil Lb. ..
  • the transcore TCi has an annular shape. As shown in FIG. 8A, the magnetic circuit MC is formed along the annulus constituting the transcore TCi. As shown in FIG. 8B, the transcore TCi is located on the first surface PLi. The first plane PLi is parallel to the HZ plane. The magnetic circuit MC is formed along the first surface PLi.
  • the secondary coil Lb is composed of a conductive member having a cylindrical shape. As shown in FIG. 8B, the secondary coil Lb has a through hole TH. The through hole TH penetrates the secondary coil Lb in the direction perpendicular to the first surface PLi.
  • the primary side electric circuit Eai includes the substrates E1i and E2i and the components mounted on the substrate E1i.
  • FIG. 8A the illustration of the substrate E2i is omitted. Both the substrates E1i and E2i are parallel to the first surface PLi.
  • a transcore TCi is also mounted on the substrate E1i.
  • the substrates E1i and E2i each include a conductive member. Both the substrates E1i and E2i are connected to the reference potential.
  • the components mounted on the substrate E1i are a plurality of primary side coils Lai1 and Lai2, a plurality of diodes Dai1 and Dai2, m pulse generators Pi1 to Pim, and m switch drive units DRi1 to DRim. , A plurality of conductive members E3i and E4i.
  • the components mounted on the substrate E1i are located between the substrates E1i and E2i together with the transcore TCi.
  • the substrates E1i and E2i and the transcore TCi each have through holes, and the secondary coil Lb penetrates through these through holes in the direction perpendicular to the first surface PLi.
  • the m pulse generating units Pi1 to Pim and the m switch driving units DRi1 to DRim are arranged radially around the transcore TCi.
  • the plurality of primary side coils Lai1 and Lai2 each include a conductive member.
  • the plurality of primary coil Lai1 and Lai2 and the plurality of diodes Dai1 and Dai2 are arranged in a space outside the secondary coil Lb and inside the transcore TCi. That is, the plurality of primary side coils Lai1 and Lai2 and the plurality of diodes Dai1 and Dai2 are arranged in the space between the secondary side coil Lb and the transcore TCi.
  • Each of the plurality of diodes Dai1 and Dai2 is arranged in the vicinity of any one of the plurality of primary side coils Lai1 and Lai2.
  • the plurality of diodes Dai1 and Dai2 are arranged around the secondary coil Lb at substantially equal intervals. By arranging the plurality of diodes Dai1 and Dai2 at substantially equal intervals, the bias of the current flowing through the plurality of diodes Dai1 and Dai2 is suppressed, and the load is concentrated on a part of the plurality of diodes Dai1 and Dai2. Can be suppressed.
  • the plurality of primary side coils Lai1 and Lai2 and the plurality of diodes Dai1 and Dai2 are alternately arranged in the circumferential direction around the secondary side coil Lb.
  • the arrangement of the elements will be described in detail with reference to FIG. 8B.
  • the -V direction is the third direction.
  • the + V direction is the fourth direction.
  • the position and shape of the magnetic circuit MC shall match the position and shape of the closed curve along the center of the cross section of the transcore TCi.
  • the region inside the magnetic circuit MC is defined as "inside the magnetic circuit”.
  • the region outside the magnetic circuit MC in the plan view shown in FIG. 8A is defined as “outside the magnetic circuit”.
  • first node N1 and the second node N2 are located on the third direction side of the first surface PLi and inside the magnetic circuit. It is assumed that the third node N3 is located on the third direction side of the first surface PLi and outside the magnetic circuit.
  • the third node N3 is connected to the reference potential via the substrate E1i.
  • the substrate E1i is located on the third direction side with respect to the first surface PLi, and connects the second node N2 and the third node N3.
  • the substrate E1i has the function of the first conductive portion in the present disclosure.
  • the fourth node N4 is located on the fourth direction side of the first surface PLi and inside the magnetic circuit. It is assumed that the fifth node N5 is located on the fourth direction side of the first surface PLi and outside the magnetic circuit.
  • the fifth node N5 is connected to a reference potential via the substrate E2i.
  • the substrate E2i is located on the fourth direction side with respect to the first surface PLi, and connects the fourth node N4 and the fifth node N5.
  • the substrate E2i has the function of the second conductive portion in the present disclosure.
  • the diode Dai2 is connected between the first node N1 and the second node N2.
  • the anode of the diode Dai2 is connected to the first node N1 and the cathode of the diode Dai2 is connected to the second node N2.
  • the same may apply to other diodes included in the primary side electric circuit Eai.
  • the m pulse generators Pi1 to Pim are connected between the first node N1 and the third node N3.
  • the m pulse generating units Pi1 to Pim include m capacitors Ci1 to Cim and m switches SWi1 to SWim. As shown in FIG. 8B, the capacitor Cij and the switch SWij are connected in series in each of the pulse generating units Pij of the m pulse generating units Pi1 to Pim.
  • the m switches SWi1 to SWim are composed of m MOSFETs.
  • the source terminals of the m MOSFETs constituting the m switches SWi1 to SWim are electrically connected to the substrate E1i at the third node N3 and connected to the reference potential via the substrate E1i.
  • the gate terminals of the m MOSFETs constituting the m switches SWi1 to SWim are connected to the m switch drive units DRi1 to DRim via signal lines, respectively.
  • the drain terminals of the m MOSFETs constituting the m switches SWi1 to SWim are electrically connected to one terminal of the m capacitors Ci1 to Cim, respectively.
  • the output terminals of the charger 12 are electrically connected to the conductive members that connect the m switches SWi1 to SWim and the m capacitors Ci1 to Cim, respectively.
  • the other terminals of the m capacitors Ci1 to Cim are electrically connected to the first node N1 via a conductive member.
  • the conductive member that connects the m capacitors Ci1 to Cim and the first node N1 is located between the transcore TCi and the substrate E1i.
  • An electrically insulating member (not shown) is arranged between the conductive member that connects the m capacitors Ci1 to Cim and the first node N1 and the substrate E1i.
  • the primary side coil Lai1 is connected between the first node N1 and the fourth node N4.
  • the primary side coil Lai1 includes a conductive portion.
  • the conductive portion has, for example, a columnar shape. This conductive portion is located inside the magnetic circuit.
  • One end of the conductive portion is electrically connected to the substrate E2i at the fourth node N4 and is connected to the reference potential via the substrate E2i.
  • the other end of the conductive portion is connected to the first node N1.
  • the conductive portion included in the primary side coil Lai1 corresponds to the third conductive portion in the present disclosure. Although not shown in FIG. 8B, the same may apply to other primary coil included in the primary electric circuit Eai.
  • the plurality of conductive members E3i and E4i are electrically connected between the substrates E1i and E2i.
  • the diode Dai2 is located inside the magnetic circuit.
  • a current can flow to a reference potential via the diode Dai2 in a short current path.
  • the m pulse generating units Pi1 to Pim are located outside the magnetic circuit.
  • the space inside the magnetic circuit can be secured as an installation space for the primary side coil Lai1 and the secondary side coil Lb and the like. Therefore, the arrangement of the transcore TCi, the primary side coil Lai1, the secondary side coil Lb, and the like can be arranged so that magnetic energy can be efficiently transmitted.
  • the second embodiment is the same as the first embodiment.
  • FIG. 9 relates to a third embodiment composed of n primary side electric circuits Ea1 to Ean and n transcores TC1 to TCn.
  • the structure of the pulse power module 13 is shown schematically.
  • the n transcores TC1 to TCn are arranged side by side in the V direction.
  • the n transcores TC1 to TCn are arranged so that their first surfaces PL1 to PLn are parallel to the HZ surface.
  • the secondary coil Lb is arranged so as to penetrate each of the through holes of the n transcores TC1 to TCn.
  • the upper end Lbu of the secondary side coil Lb is connected to the reference potential, and the lower end Lbb of the secondary side coil Lb is connected to the discharge electrode 11a.
  • the "coil” is not limited to a conductive wire having a plurality of turns. Even a conductive member that only penetrates through the through hole of the transcore TCi corresponds to the coil of the present disclosure as long as it can transmit magnetic energy to and from the transcore TCi.
  • the secondary side coil Lb corresponds to one in which n secondary side coils Lb1 to Lbn described with reference to FIG. 6 are connected in series.
  • the n primary side electric circuits Ea1 to Ean are arranged side by side in the V direction.
  • a plurality of primary side coils Lai1 and Lai2 included in each of the primary side electric circuits Eai of the n primary side electric circuits Ea1 to Ean are placed in the space inside the transcore TCi and outside the secondary side coil Lb. To position.
  • the substrate E11 included in the primary side electric circuit Ea1 may include a conductive member common to the substrate E22 included in the primary side electric circuit Ea2 adjacent to the primary side electric circuit Ea1. That is, the substrate E1i included in the primary side electric circuit Eai may include a conductive member common to the substrate E2i + 1 included in the primary side electric circuit Eai + 1.
  • i is a natural number from 1 to n-1.
  • the substrate E1i itself may be shared with the substrate E2i + 1, and the substrate E2i + 1 may be omitted.
  • the conductive member connecting the m capacitors Ci1 to Cim and the m switches SWi1 to SWim is charged.
  • the output terminal of the vessel 12 is electrically connected.
  • Resistor elements Ri1 to Rim may be connected between the charger 12 and the pulse generating units Pi1 to Pim of the primary side electric circuit Eai, respectively. Since the resistance elements Ri1 to Rim are connected, it is possible to suppress the flow of a large current from the charger 12 to the reference potential via the switches SWi1 to SWim when the switches SWi1 to SWim are turned on.
  • the charger 12 may be a common charger connected to n primary side electric circuits Ea1 to Ean.
  • the charger 12 charges the capacitors Cij included in the n primary side electric circuits Ea1 to Ean with a charging voltage ⁇ V.
  • a pulsed current flows from the m capacitors C11 to C1m.
  • the pulsed current flowing from the capacitors C11 to C1m flows into the primary coil La11 and La12.
  • the pulsed current flows from the upper side to the lower side in FIG.
  • a pulsed current flowing through the primary coil La11 and La12 causes a magnetic flux to be generated in the transcore TC1, and the generation of this magnetic flux causes an induced electromotive force to be generated in the secondary coil Lb.
  • a pulsed voltage is applied between the pair of discharge electrodes 11a and 11b.
  • the induced electromotive force generated in the secondary coil Lb by driving one primary electric circuit Ea1 is substantially the same as the charging voltage ⁇ V of the charger 12. Assuming that the number of the primary side electric circuits driven at the same time among the n primary side electric circuits Ea1 to Ean is i, the voltage applied between the pair of discharge electrodes 11a and 11b is i ⁇ ⁇ V. ..
  • the third embodiment is the same as the second embodiment.
  • FIG. 10A is a plan view showing a fourth embodiment in which the pulse power module 13 is arranged in the laser chamber 10.
  • FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line XB-XB of FIG. 10A. In FIG. 10B, only the substrates E21 and E11 to E1n are shown for the n primary side electric circuits Ea1 to Ean, and the illustration of other circuit elements is omitted.
  • n transcores TC1 to TCn are arranged side by side in the V direction.
  • the n transcores TC1 to TCn are arranged so that their first planes PL1 to PLn are parallel to the HZ plane.
  • the secondary coil Lb is arranged so as to penetrate all the through holes of the n transcores TC1 to TCn.
  • the upper end Lbu of the secondary side coil Lb is connected to the reference potential, and the lower end Lbb of the secondary side coil Lb is connected to the discharge electrode 11a.
  • the discharge electrode 11b is connected to the reference potential.
  • the substrate E21 and n substrates E11 to E1n are arranged so as to sandwich n transcores TC1 to TCn.
  • the pulsed high voltage generated by the pulse power module 13 can be directly applied to the discharge electrode 11a.
  • the fourth embodiment is the same as the third embodiment.
  • FIG. 11A having a transformer core elongated in the Z direction is a plan view showing a state in which the pulse power module 13 according to the fifth embodiment of the present disclosure is arranged in the laser chamber 10.
  • FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line XIB-XIB of FIG. 11A.
  • the laser chamber 10 has substantially the same shape as the substrates E11 to E1n included in the pulse power module 13 in the plan view shown in FIG. 11A. Therefore, only the pulse power module 13 is shown in FIG. 11A. Since the n transcores TC1 to TCn have the same configuration as each other and the n primary side electric circuits Ea1 to Ean have the same configuration as each other, in FIG. 11A, the components X1 to Xn are designated by the reference numerals Xi. I am substituting. In FIG. 11A, the illustration of the substrate E21 is omitted.
  • each transcore TCi of the n transcores TC1 to TCn is such that the width Wz in the Z direction is larger than the width Wh in the H direction. ..
  • the Z direction is the first direction parallel to the first planes PL1 to PLn.
  • the H direction is a second direction parallel to the first planes PL1 to PLn and perpendicular to the first direction.
  • the transcore TCi is arranged so that the Z direction, which is the longitudinal direction thereof, is parallel to the longitudinal direction of the pair of discharge electrodes 11a and 11b.
  • the shape of the transcore TCi will be described in more detail.
  • the transcore TCi includes first and second linear shape portions TCi1 and TCi2, and first and second curved portions TCi3 and TCi4.
  • the first and second linear shape portions TCi1 and TCi2 are arranged along the Z direction.
  • the first curved portion TCi3 connects the ends of the first and second linear shape portions TCi1 and TCi2 on the + Z direction side to each other.
  • the second curved portion TCi4 connects the ends of the first and second linear shape portions TCi1 and TCi2 on the ⁇ Z direction side to each other.
  • the transcore TCi has a race track shape.
  • the shape of the transcore TCi is not limited to the above shape, and may be rectangular or elliptical.
  • the width Wz of the transcore TCi in the Z direction is larger than the length DE of the pair of discharge electrodes 11a and 11b in the longitudinal direction (see FIG. 11B). It is desirable that the width Wh of the transcore TCi in the H direction is larger than the width of the pair of discharge electrodes 11a and 11b in the H direction.
  • the secondary coil Lb has a tubular shape having a through hole TH in the direction perpendicular to the first surface PLi, and the width Wz1 in the Z direction is the width Wh1 in the H direction. It has a larger shape. It is desirable that the ratio of the width Wz1 of the secondary coil Lb in the Z direction to the length DE of the pair of discharge electrodes 11a and 11b in the longitudinal direction is 0.5 or more and 2 or less. It is more desirable that this ratio is 0.8 or more and 1.2 or less. This ratio is even more desirable to be about 1.
  • the gap GAP (see FIG. 11B) between the transcore TCi and the secondary coil Lb is 5 mm or less. It is more desirable that the gap GAP is 1 mm or more and 3 mm or less.
  • the m pulse generators are m 1 pulse generators Pia 1 to Piam 1 and m 2 pulse generators Pib1 to Pibm. 2 and are included. These pulse generators are located outside the magnetic circuit MC formed in the transcore TCi. m 1 pieces of pulse generator Pia1 ⁇ Piam 1, in -H direction than transformer core TCi, are arranged side by side in the Z direction. m 2 pieces of pulse generator Pib1 ⁇ Pibm 2, in than transformer core TCi + H direction, are arranged side by side in the Z direction.
  • the m 1 pulse generating units Pia1 to Piam 1 and the m 2 pulse generating units Pib1 to Pibm 2 are located on opposite sides of the transcore TCi.
  • FIG. 11A the illustration of m switch drive units DRi1 to DRim is omitted.
  • Each of m 1 and m 2 is a natural number of 2 or more and m or less. Although m 1 and m 2 may be different numbers, it is desirable that they are the same number.
  • m 1 pulse generating part Pia1 to Piam 1 have a first gap G1 with each other, and m 2 pulse generating parts Pib1 to Pibm 2 have a second gap G2 with each other. It is desirable that the first gap G1 and the second gap G2 are substantially equal.
  • the primary coil Lai1 and Lai2 are arranged inside the transcore TCi and outside the secondary coil Lb, they are located between the transcore TCi and the primary coils Lai1 and Lai2. However, magnetic energy can be transmitted efficiently.
  • the deviation of the pulse current in the longitudinal direction of the discharge electrode 11a Can be further reduced.
  • the bias of the pulse current can be further reduced.
  • the fifth embodiment is the same as the fourth embodiment.
  • FIG. 12 schematically shows the configuration of the exposure apparatus 100 connected to the gas laser apparatus 1.
  • the gas laser apparatus 1 generates laser light and outputs it to the exposure apparatus 100.
  • the exposure apparatus 100 includes an illumination optical system 41 and a projection optical system 42.
  • the illumination optical system 41 illuminates the reticle pattern of the reticle stage RT with the laser beam incident from the gas laser device 1.
  • the projection optical system 42 reduces and projects the laser beam transmitted through the reticle to form an image on a workpiece (not shown) arranged on the workpiece table WT.
  • the workpiece is a photosensitive substrate such as a semiconductor wafer coated with a photoresist.
  • the exposure apparatus 100 exposes the workpiece to a laser beam reflecting the reticle pattern by synchronously moving the reticle stage RT and the workpiece table WT in parallel.
  • An electronic device can be manufactured by transferring a device pattern to a semiconductor wafer by the exposure process as described above.

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Abstract

ガスレーザ装置のレーザチャンバ内に配置された一対の放電電極間にパルス状の高電圧を印加する高電圧パルス発生装置は、トランスを構成するｎ個のトランスコアであって、ｎは２以上の自然数であるｎ個のトランスコアと、トランスのｎ個の１次側電気回路であって、ｎ個の１次側電気回路の各々は、基準電位に接続された第１の端子と、充電器に接続された第２の端子とを含むとともに、少なくとも１つの１次側コイルと、少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのダイオードと、少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのパルス発生部と、を含む、ｎ個の１次側電気回路と、トランスの２次側電気回路であって、２次側コイルを含み、一対の放電電極に接続された２次側電気回路と、を備える。

Description

高電圧パルス発生装置、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
　本開示は、高電圧パルス発生装置、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
　半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、半導体露光装置においては解像力の向上が要請されている。半導体露光装置を以下、単に「露光装置」という。このため露光用光源から出力される光の短波長化が進められている。露光用光源には、従来の水銀ランプに代わってガスレーザ装置が用いられている。現在、露光用のガスレーザ装置としては、波長２４８ｎｍの紫外線を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置ならびに、波長１９３ｎｍの紫外線を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられている。
　現在の露光技術としては、露光装置側の投影レンズとウエハ間の間隙を液体で満たして、当該間隙の屈折率を変えることによって、露光用光源の見かけの波長を短波長化する液浸露光が実用化されている。ＡｒＦエキシマレーザ装置を露光用光源として用いて液浸露光が行われた場合は、ウエハには水中における波長１３４ｎｍの紫外光が照射される。この技術をＡｒＦ液浸露光という。ＡｒＦ液浸露光はＡｒＦ液浸リソグラフィーとも呼ばれる。
　ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振におけるスペクトル線幅は約３５０～４００ｐｍと広いため、露光装置側の投影レンズによってウエハ上に縮小投影されるレーザ光（紫外線光）の色収差が発生して解像力が低下する。そこで色収差が無視できる程度となるまでガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化する必要がある。スペクトル線幅はスペクトル幅とも呼ばれる。このためガスレーザ装置のレーザ共振器内には狭帯域化素子を有する狭帯域化モジュール（Line Narrow Module）が設けられ、この狭帯域化モジュールによりスペクトル幅の狭帯域化が実現されている。なお、狭帯域化素子はエタロンやグレーティング等であってもよい。このようにスペクトル幅が狭帯域化されたレーザ装置を狭帯域化レーザ装置という。
米国特許出願公開第２０１７／０３３８６１８号明細書 特開平０７－２４５５４９号公報 米国特許第５５６８２２６号明細書
概要
　本開示の１つの観点に係る高電圧パルス発生装置は、ガスレーザ装置のレーザチャンバ内に配置された一対の放電電極間にパルス状の高電圧を印加する高電圧パルス発生装置であって、トランスを構成するｎ個のトランスコアであって、ｎは２以上の自然数であるｎ個のトランスコアと、トランスのｎ個の１次側電気回路であって、ｎ個の１次側電気回路の各々は、基準電位に接続された第１の端子と、充電器に接続された第２の端子とを含むとともに、少なくとも１つの１次側コイルと、少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのダイオードと、少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのパルス発生部と、を含む、ｎ個の１次側電気回路と、トランスの２次側電気回路であって、２次側コイルを含み、一対の放電電極に接続された２次側電気回路と、を備える。
　本開示の１つの観点に係るガスレーザ装置は、レーザチャンバと、レーザチャンバ内に配置された一対の放電電極と、一対の放電電極間にパルス状の高電圧を印加するように構成された高電圧パルス発生装置と、を備えるガスレーザ装置である。高電圧パルス発生装置は、ガスレーザ装置のレーザチャンバ内に配置された一対の放電電極間にパルス状の高電圧を印加する高電圧パルス発生装置であって、トランスを構成するｎ個のトランスコアであって、ｎは２以上の自然数であるｎ個のトランスコアと、トランスのｎ個の１次側電気回路であって、ｎ個の１次側電気回路の各々は、基準電位に接続された第１の端子と、充電器に接続された第２の端子とを含むとともに、少なくとも１つの１次側コイルと、少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのダイオードと、少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのパルス発生部と、を含む、ｎ個の１次側電気回路と、トランスの２次側電気回路であって、２次側コイルを含み、一対の放電電極に接続された２次側電気回路と、を備える。
　本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、ガスレーザ装置によってパルスレーザ光を生成し、パルスレーザ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にパルスレーザ光を露光することを含む。ガスレーザ装置は、レーザチャンバと、レーザチャンバ内に配置された一対の放電電極と、一対の放電電極間にパルス状の高電圧を印加するように構成された高電圧パルス発生装置と、を備えるガスレーザ装置である。高電圧パルス発生装置は、ガスレーザ装置のレーザチャンバ内に配置された一対の放電電極間にパルス状の高電圧を印加する高電圧パルス発生装置であって、トランスを構成するｎ個のトランスコアであって、ｎは２以上の自然数であるｎ個のトランスコアと、トランスのｎ個の１次側電気回路であって、ｎ個の１次側電気回路の各々は、基準電位に接続された第１の端子と、充電器に接続された第２の端子とを含むとともに、少なくとも１つの１次側コイルと、少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのダイオードと、少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのパルス発生部と、を含む、ｎ個の１次側電気回路と、トランスの２次側電気回路であって、２次側コイルを含み、一対の放電電極に接続された２次側電気回路と、を備える。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例に係るガスレーザ装置１の構成を模式的に示す。 図２は、図１に示されるパルスパワーモジュール１３の電気回路を示す。 図３は、レーザ制御部３０がパルスレーザ光のパルスエネルギーを制御するための処理を示すフローチャートである。 図４は、図３のＳ３における駆動タイミング設定処理のサブルーチンを説明するためのフローチャートである。 図５は、駆動タイミングの設定による波形制御を説明するタイムチャートである。 図６は、本開示の第１の実施形態におけるパルスパワーモジュール１３の電気回路を示す。 図７は、図６と同じ電気回路において、充電器１２によりコンデンサＣｉｊを充電するときの電流の流れを破線の矢印で示す。 図８Ａは、パルスパワーモジュール１３を円形基板に搭載した第２の実施形態を示す平面図である。 図８Ｂは、図８ＡのＶＩＩＩＢ－Ａ－ＶＩＩＩＢ線における断面を模式的に示す。 図９は、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎとｎ個のトランスコアＴＣ１～ＴＣｎとで構成された第３の実施形態に係るパルスパワーモジュール１３の構造を概略的に示す。 図１０Ａは、パルスパワーモジュール１３をレーザチャンバ１０に配置した第４の実施形態を示す平面図である。 図１０Ｂは、図１０ＡのＸＢ－ＸＢ線における断面図である。 図１１Ａは、本開示の第５の実施形態におけるパルスパワーモジュール１３をレーザチャンバ１０に配置した状態を示す平面図である。 図１１Ｂは、図１１ＡのＸＩＢ－ＸＩＢ線における断面図である。 図１２は、ガスレーザ装置１に接続された露光装置１００の構成を概略的に示す。
実施形態
＜内容＞
１．比較例
　１．１　ガスレーザ装置の構成
　１．２　ガスレーザ装置の動作
　１．３　パルスパワーモジュールの構成
　　１．３．１　１次側電気回路
　　１．３．２　２次側電気回路
　１．４　パルスパワーモジュールの動作
　１．５　レーザ制御部の動作
　　１．５．１　メインフロー
　　１．５．２　駆動タイミング設定処理の詳細
　　　１．５．２．１　時間Ｔ１において駆動される１次側電気回路
　　　１．５．２．２　時間Ｔ２において駆動される１次側電気回路
　　　１．５．２．３　時間Ｔ３において駆動される１次側電気回路
　　　１．５．２．４　駆動される対象でない１次側電気回路
　　１．５．３　タイムチャート
　１．６　課題
２．ダイオードを１次側電気回路に配置したパルスパワーモジュール
　２．１　構成
　２．２　動作
　２．３　作用
３．円形基板に搭載されたパルスパワーモジュール
４．ｎ個の１次側電気回路を積層したパルスパワーモジュール
５．レーザチャンバに配置されたパルスパワーモジュール
６．トランスコアをＺ方向に長い形状としたパルスパワーモジュール
　６．１　トランスコアの構成
　６．２　２次側コイルの構成
　６．３　ｍ個のパルス発生部の構成
　６．４　作用
７．その他
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．比較例
　１．１　ガスレーザ装置の構成
　図１は、比較例に係るガスレーザ装置１の構成を模式的に示す。図１においては、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間の放電方向に略垂直で、且つ、出力結合ミラー１５から出力されるレーザ光の進行方向に略垂直な方向からみたガスレーザ装置１の内部構成が示されている。出力結合ミラー１５から出力されるレーザ光の進行方向を、＋Ｚ方向とする。放電電極１１ａ及び１１ｂの間の放電方向を、＋Ｖ方向又は－Ｖ方向とする。これらの両方に垂直な方向を、＋Ｈ方向又は－Ｈ方向とする。Ｚ方向は、本開示における第１の方向に相当する。Ｈ方向は、本開示における第２の方向に相当する。－Ｖ方向は、重力の方向とほぼ一致している。－Ｖ方向は、本開示における第３の方向に相当する。＋Ｖ方向は、本開示における第４の方向に相当する。
　ガスレーザ装置１は、露光装置１００と共に使用される。ガスレーザ装置１から出力されたレーザ光は、露光装置１００へ入射する。露光装置１００は、露光装置制御部１１０を含んでいる。露光装置制御部１１０は、露光装置１００を制御するように構成されている。露光装置制御部１１０は、ガスレーザ装置１に含まれるレーザ制御部３０に対して、目標パルスエネルギーＥｔの設定データ及び発振トリガ信号を送信するように構成されている。
　ガスレーザ装置１は、レーザチャンバ１０と、充電器１２と、パルスパワーモジュール１３と、狭帯域化モジュール１４と、出力結合ミラー１５と、エネルギーモニタ１７と、クロスフローファン２１と、モータ２２と、レーザ制御部３０と、を含む。ガスレーザ装置１は、例えば、エキシマレーザ装置である。レーザ制御部３０は、ガスレーザ装置１全体の制御を統括する。
　レーザチャンバ１０は、狭帯域化モジュール１４と出力結合ミラー１５とで構成されたレーザ共振器の光路に配置されている。レーザチャンバ１０には、２つのウインドウ１０ａ及び１０ｂが設けられている。レーザチャンバ１０は、放電電極１１ａ及び１１ｂを収容している。レーザチャンバ１０は、レーザ媒質としてのレーザガスを収容する。レーザガスは、例えば、アルゴンガスと、フッ素ガスと、ネオンガスとを含む。あるいは、レーザガスは、例えば、クリプトンガスと、フッ素ガスと、ネオンガスとを含む。
　レーザチャンバ１０の一部に開口が形成され、この開口は電気絶縁部２９によって塞がれている。電気絶縁部２９は放電電極１１ａを支持している。電気絶縁部２９には、複数の導電部２９ａが埋め込まれている。導電部２９ａの各々は放電電極１１ａに電気的に接続されている。
　レーザチャンバ１０の内部にはリターンプレート１０ｃが配置されている。レーザチャンバ１０の導電性部材はリターンプレート１０ｃに電気的に接続されている。リターンプレート１０ｃは放電電極１１ｂを支持している。リターンプレート１０ｃは放電電極１１ｂに電気的に接続されている。レーザチャンバ１０とリターンプレート１０ｃとの間には、図１の紙面の奥行側と手前側とに、レーザガスが通過するための図示しない隙間を有している。
　クロスフローファン２１は、レーザチャンバ１０の内部に配置されている。クロスフローファン２１の回転軸は、レーザチャンバ１０の外部に配置されたモータ２２に接続されている。モータ２２は、クロスフローファン２１を回転させる。これにより、レーザガスがレーザチャンバ１０の内部で循環する。
　充電器１２は、パルスパワーモジュール１３に供給するための電気エネルギーを保持する。パルスパワーモジュール１３は、スイッチＳＷを含む。充電器１２は、パルスパワーモジュール１３に接続される。パルスパワーモジュール１３は、導電部２９ａを介して放電電極１１ａに接続される。
　狭帯域化モジュール１４は、プリズム１４ａ及びグレーティング１４ｂなどの波長選択素子を含む。狭帯域化モジュール１４の代わりに、高反射ミラーが用いられてもよい。
　出力結合ミラー１５は、部分反射ミラーで構成されている。
　エネルギーモニタ１７は、ビームスプリッタ１７ａと、集光レンズ１７ｂと、光センサ１７ｃと、を含んでいる。ビームスプリッタ１７ａは、出力結合ミラー１５から出力されたレーザ光の光路に配置されている。ビームスプリッタ１７ａは、出力結合ミラー１５から出力されたレーザ光の一部を露光装置１００に向けて高い透過率で透過させると共に、他の一部を反射するように構成されている。集光レンズ１７ｂ及び光センサ１７ｃは、ビームスプリッタ１７ａによって反射されたレーザ光の光路に配置されている。
　１．２　ガスレーザ装置の動作
　レーザ制御部３０は、露光装置制御部１１０から、目標パルスエネルギーＥｔの設定データと、発振トリガ信号と、を受信する。レーザ制御部３０は、露光装置制御部１１０から受信した目標パルスエネルギーＥｔの設定データに基づいて、充電器１２に充電電圧の設定信号を送信する。また、レーザ制御部３０は、露光装置制御部１１０から受信した発振トリガ信号を、パルスパワーモジュール１３に送信する。
　パルスパワーモジュール１３は、レーザ制御部３０から発振トリガ信号を受信すると、充電器１２に充電された電気エネルギーからパルス状の高電圧を生成し、この高電圧を放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加する。
　放電電極１１ａ及び１１ｂの間に高電圧が印加されると、放電電極１１ａ及び１１ｂの間に放電が起こる。この放電のエネルギーにより、レーザチャンバ１０内のレーザガスが励起されて高エネルギー準位に移行する。励起されたレーザガスが、その後、低エネルギー準位に移行するとき、そのエネルギー準位差に応じた波長の光を放出する。
　レーザチャンバ１０内で発生した光は、ウインドウ１０ａ及び１０ｂを介してレーザチャンバ１０の外部に出射する。レーザチャンバ１０のウインドウ１０ａから出射した光は、プリズム１４ａによってビーム幅を拡大させられて、グレーティング１４ｂに入射する。プリズム１４ａからグレーティング１４ｂに入射した光は、グレーティング１４ｂの複数の溝によって反射されるとともに、光の波長に応じた方向に回折させられる。グレーティング１４ｂは、プリズム１４ａからグレーティング１４ｂに入射する光の入射角と、所望波長の回折光の回折角とが一致するようにリトロー配置とされている。これにより、所望波長付近の光がプリズム１４ａを介してレーザチャンバ１０に戻される。
　出力結合ミラー１５は、レーザチャンバ１０のウインドウ１０ｂから出射した光のうちの一部を透過させて出力し、他の一部を反射させてレーザチャンバ１０に戻す。
　このようにして、レーザチャンバ１０から出射した光は、狭帯域化モジュール１４と出力結合ミラー１５との間で往復する。この光は、放電電極１１ａ及び１１ｂの間の放電空間を通過する度に増幅される。また、この光は、狭帯域化モジュール１４で折り返される度に狭帯域化される。こうしてレーザ発振し狭帯域化された光が、出力結合ミラー１５からレーザ光として出力される。
　エネルギーモニタ１７に含まれる集光レンズ１７ｂは、ビームスプリッタ１７ａによって反射されたレーザ光を光センサ１７ｃに集束させる。光センサ１７ｃは、集光レンズ１７ｂによって集束させられたレーザ光のパルスエネルギーに応じた電気信号を、測定データとしてレーザ制御部３０に送信する。
　レーザ制御部３０は、エネルギーモニタ１７から測定データを受信する。レーザ制御部３０は、エネルギーモニタ１７から受信したパルスエネルギーの測定データと、露光装置制御部１１０から受信した目標パルスエネルギーＥｔの設定データとに基づいて、充電器１２に設定する充電電圧をフィードバック制御する。
　１．３　パルスパワーモジュールの構成
　図２は、図１に示されるパルスパワーモジュール１３の電気回路を示す。比較例におけるパルスパワーモジュール１３は、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎと、２次側電気回路Ｅｂと、回路駆動部６０と、を含む。パルスパワーモジュール１３は、ＬＴＤ（Linear Transformer Driver）で構成されたパルス圧縮回路である。パルスパワーモジュール１３は、レーザ制御部３０に信号線で接続されている。
　１．３．１　１次側電気回路
　図１を参照しながら説明した充電器１２は、図２に示されるようにｎ個の充電器１２１～１２ｎで構成される。ｎ個の充電器１２１～１２ｎは、それぞれｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎに接続されている。ｎは、２以上の自然数であって、例えば１５～３０の範囲にある自然数である。ｎ個の充電器１２１～１２ｎの各々の充電器１２ｉは、直流電源装置である。ここで、ｉは、１以上、ｎ以下の任意の自然数である。本開示において、ｎ個の構成要素Ｘの符号に１～ｎの番号を付して、ｎ個の構成要素Ｘ１～Ｘｎを互いに区別することがある。また、ｎ個の構成要素Ｘ１～Ｘｎのうちの１つを指すときに符号Ｘｉで代用することがある。ｎ個の構成要素Ｘ１～Ｘｎと異なるｎ個の構成要素Ｙ１～Ｙｎのうちの１つを符号Ｙｉで代用するとき、構成要素Ｘｉと構成要素Ｙｉとは互いに対応関係にあることを示す。ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎの各々の１次側電気回路Ｅａｉは、１つの端子が基準電位に接続され、他の１つの端子が充電器１２ｉに接続されている。すなわち、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎは、互いに並列に接続されている。なお、基準電位は、例えば接地電位である。
　ｎ個の充電器１２１～１２ｎは、レーザ制御部３０に信号線で接続されている。
　１次側電気回路Ｅａｉは、１次側コイルＬａｉと、ｍ個のパルス発生部Ｐｉ１～Ｐｉｍとを含む。すなわち、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎは、ｎ個の１次側コイルＬａ１～Ｌａｎと、符号Ｐｉｊで各々示されるｎ×ｍ個のパルス発生部とを含む。ｍは、２以上の自然数であって、例えば１５～３０の範囲にある自然数である。ｊは、１以上、ｍ以下の任意の自然数である。本開示において、ｍ個の構成要素Ｘの符号に１～ｍの番号を付して、ｍ個の構成要素Ｘ１～Ｘｍを互いに区別することがある。また、ｍ個の構成要素Ｘ１～Ｘｍのうちの１つを指すときに符号Ｘｊで代用することがある。ｍ個の構成要素Ｘ１～Ｘｍと異なるｍ個の構成要素Ｙ１～Ｙｍのうちの１つを符号Ｙｊで代用するとき、構成要素Ｘｊと構成要素Ｙｊとは互いに対応関係にあることを示す。また、本開示において、ｎ×ｍ個の構成要素Ｘの符号に１１～ｎｍの番号を付して、ｎ×ｍ個の構成要素Ｘ１１～Ｘｎｍを互いに区別することがある。また、ｎ×ｍ個の構成要素Ｘ１１～Ｘｎｍのうちの１つを指すときに符号Ｘｉｊで代用することがある。ｎ×ｍ個の構成要素Ｘ１１～Ｘｎｍと異なるｎ×ｍ個の構成要素Ｙ１１～Ｙｎｍのうちの１つを符号Ｙｉｊで代用するとき、構成要素Ｘｉｊと構成要素Ｙｉｊとは互いに対応関係にあることを示す。
　パルス発生部Ｐｉｊは、コンデンサＣｉｊと、スイッチＳＷｉｊと、を含む。コンデンサＣｉｊとスイッチＳＷｉｊとは直列に接続されている。
　１次側電気回路Ｅａｉにおいて、ｍ個のパルス発生部Ｐｉ１～Ｐｉｍは互いに並列に接続されている。さらに１次側コイルＬａｉは、ｍ個のパルス発生部Ｐｉ１～Ｐｉｍに並列に接続されている。１次側コイルＬａｉの両端の端子のうち、１つの端子が基準電位に接続され、他の１つの端子が充電器１２ｉの出力端子に接続されている。パルス発生部Ｐｉｊの両端の端子のうち、スイッチＳＷｉｊ側に位置する端子が基準電位に接続され、コンデンサＣｉｊ側に位置する端子が充電器１２ｉの出力端子に接続されている。
　スイッチＳＷｉｊは、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）で構成されている。スイッチＳＷｉｊを構成するＭＯＳＦＥＴのドレイン端子が、コンデンサＣｉｊの１つの端子に接続されている。ＭＯＳＦＥＴのソース端子が、基準電位に接続されている。ＭＯＳＦＥＴのゲート端子が、回路駆動部６０に信号線で接続されている。
　回路駆動部６０にはｎ本の信号線が接続されている。ｎ本の信号線は、それぞれｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎに接続されている。ｎ本の信号線の各々は、ｍ本の信号線に分岐している。ｍ本の信号線は、１次側電気回路Ｅａｉに含まれるｍ個のスイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍにそれぞれ接続されている。すなわち、ｍ本の信号線は、それぞれｍ個のＭＯＳＦＥＴのｍ個のゲート端子に接続されている。
　１．３．２　２次側電気回路
　２次側電気回路Ｅｂの１つの端子は、放電電極１１ａに接続されている。２次側電気回路Ｅｂの他の１つの端子と、放電電極１１ｂとは、いずれも基準電位に接続されている。
　２次側電気回路Ｅｂは、ｎ個の２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｎと、ｎ個のダイオードＤｂ１～Ｄｂｎと、を含む。ｎ個の２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｎは、互いに直列に接続されている。ｎ個のダイオードＤｂ１～Ｄｂｎは、それぞれ、ｎ個の２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｎに並列に接続されている。
　ｎ個の１次側コイルＬａ１～Ｌａｎと、ｎ個の２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｎと、ｎ個のトランスコアＴＣ１～ＴＣｎ（図８Ａ～図１１Ｂ参照）とで、トランスが構成される。ｎ個のトランスコアＴＣ１～ＴＣｎ及び各々のトランスコアＴＣｉについては後述する。
　１．４　パルスパワーモジュールの動作
　レーザ制御部３０は、ｎ個の充電器１２１～１２ｎに充電電圧の設定信号を送信する。ｎ個の充電器１２１～１２ｎにそれぞれ設定される充電電圧ΔＶは、例えば、互いに略同一の値である。充電電圧ΔＶは、例えば、基準電位に対して正電位となる電圧である。充電電圧ΔＶは、例えば１ｋＶ程度であってもよい。ｎ個の充電器１２１～１２ｎの各々の充電器１２ｉは、１次側電気回路Ｅａｉに含まれるｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍを、充電電圧ΔＶで充電する。
　レーザ制御部３０は、回路駆動部６０にタイミングデータ及び発振トリガ信号を出力する。タイミングデータは、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎのそれぞれの駆動タイミングを定めるデータである。タイミングデータには、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎのうちのいずれの１次側電気回路を駆動させ、いずれの１次側電気回路を駆動させないかを定める情報が含まれていてもよい。ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎのうちの駆動される１次側電気回路の数及びその内訳は、ガスレーザ装置１から出力されるパルスレーザ光の目標パルスエネルギーＥｔに基づいて決定されてもよい。
　回路駆動部６０は、タイミングデータ及び発振トリガ信号に基づいて、１次側電気回路Ｅａｉに回路駆動信号を送信する。回路駆動信号は、１次側電気回路Ｅａｉに含まれるｍ個のスイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍにほぼ同時に入力される。ｍ個のスイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍがほぼ同時にオフ状態からオン状態になると、ｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍからほぼ同時にパルス状の電流が流れる。ｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍから流れるパルス状の電流は、１次側コイルＬａｉに流れ込む。１次側コイルＬａｉにおいて、パルス状の電流は、図２の上側から下方へ流れる。１次側コイルＬａｉに流れるパルス状の電流により、後述のトランスコアＴＣｉに磁束が発生し、この磁束の発生により、２次側コイルＬｂｉに誘導起電力が発生する。
　２次側コイルＬｂｉに誘導起電力が発生することにより、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間にパルス状の電圧が印加される。１次側コイルＬａｉと２次側コイルＬｂｉとの巻き数の比を１とすると、２次側コイルＬｂｉに発生する誘導起電力は、充電器１２ｉの充電電圧ΔＶと略同一である。ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎのうちの同時に駆動される１次側電気回路の数が多ければ、ｎ個の２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｎのうちの同時に誘導起電力が発生する２次側コイルの数が多くなる。例えば、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎのうちの同時に駆動される１次側電気回路の数をｉとすると、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加される電圧はｉ・ΔＶとなる。
　一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間に電圧が印加されて、絶縁破壊が起こると、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間で放電が起こり、２次側電気回路Ｅｂにパルス状の電流が流れる。図２に示されるように１次側コイルＬａｉと２次側コイルＬｂｉとが逆相である場合に、パルス状の電流は、２次側コイルＬｂｉにおいて図２の上側から下方へ流れる。放電が起こると、レーザガスが励起されてパルスレーザ光が発生する。
　ここで、例えば、１次側電気回路Ｅａ１が駆動されず、残りのｎ－１個の１次側電気回路Ｅａ２～Ｅａｎが駆動されたとすると、ｎ－１個の２次側コイルＬｂ２～Ｌｂｎで同時に誘導起電力が発生する。ダイオードＤｂ１が設けられていない場合には、ｎ－１個の２次側コイルＬｂ２～Ｌｂｎに直列に接続された残りの２次側コイルＬｂ１にも、大きなパルス状の電流が流れる。２次側コイルＬｂ１に流れるパルス状の電流により、後述のトランスコアＴＣ１に磁束が発生し、この磁束の発生により、１次側コイルＬａ１に誘導起電力が発生する。１次側コイルＬａ１に発生する誘導起電力により、１次側電気回路Ｅａ１に含まれるオフ状態のｍ個のスイッチＳＷ１１～ＳＷ１ｍに電圧が印加され、これらのスイッチＳＷ１１～ＳＷ１ｍにダメージを与えるおそれがある。また、１次側コイルＬａ１に発生する誘導起電力により充電器１２１にも電圧が印加され、この充電器１２１にダメージを与えるおそれがある。このようなスイッチＳＷ１１～ＳＷ１ｍ及び充電器１２１のダメージを抑制するためにダイオードＤｂ１が設けられている。すなわち、ｎ－１個の２次側コイルＬｂ２～Ｌｂｎのいずれかで誘導起電力が発生しても、ダイオードＤｂ１に電流が流れるので、２次側コイルＬｂ１に電流が流れることが抑制される。
　ダイオードＤｂ２～Ｄｂｎについても同様である。すなわち、ｎ個の２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｎのうちの１つの２次側コイルＬｂｉ以外のいずれかの２次側コイルで誘導起電力が発生しても、ダイオードＤｂｉに電流が流れるので、２次側コイルＬｂｉに電流が流れることが抑制される。
　１．５　レーザ制御部の動作
　１．５．１　メインフロー
　図３は、レーザ制御部３０がパルスレーザ光のパルスエネルギーを制御するための処理を示すフローチャートである。
　Ｓ１において、レーザ制御部３０は、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間への印加電圧Ｖ（Ｔ１）、Ｖ（Ｔ２）、Ｖ（Ｔ３）を以下のように設定する。
　　　Ｖ（Ｔ１）＝Ｖ０（Ｔ１）
　　　Ｖ（Ｔ２）＝Ｖ０（Ｔ２）
　　　Ｖ（Ｔ３）＝Ｖ０（Ｔ３）
　印加電圧Ｖ（Ｔ１）、Ｖ（Ｔ２）、Ｖ（Ｔ３）は、発振トリガ信号からそれぞれ時間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３だけ遅延したタイミングでの一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間への印加電圧である。Ｖ０（Ｔ１）、Ｖ０（Ｔ２）、Ｖ０（Ｔ３）は、それぞれ印加電圧Ｖ（Ｔ１）、Ｖ（Ｔ２）、Ｖ（Ｔ３）の初期値である。
　時間Ｔ１～Ｔ３は、次式の関係を有する。
　　　Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３
　時間Ｔ３は、所望のパルスエネルギーを有するパルスレーザ光を出力するために必要な放電を継続できる時間以内の時間である。
　印加電圧Ｖ（Ｔ１）、Ｖ（Ｔ２）、Ｖ（Ｔ３）のうちで絶対値が最大となるのは、例えば印加電圧Ｖ（Ｔ１）である。印加電圧Ｖ（Ｔ１）は、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間のレーザガスが少なくとも絶縁破壊して主放電が開始され得るような電圧に設定される。印加電圧Ｖ（Ｔ２）及びＶ（Ｔ３）は、印加電圧Ｖ（Ｔ１）によって開始された主放電が継続され得るような電圧に設定される。
　Ｓ２において、レーザ制御部３０は、露光装置制御部１１０によって設定された目標パルスエネルギーＥｔを読み込む。
　Ｓ３において、レーザ制御部３０は、駆動タイミング設定処理を行う。駆動タイミング設定処理は、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎのそれぞれの駆動タイミングを設定してタイミングデータを作成する処理である。駆動タイミング設定処理の詳細については、図４を参照しながら後述する。
　Ｓ４において、レーザ制御部３０は、Ｓ３で作成したタイミングデータを回路駆動部６０に出力する。
　Ｓ５において、レーザ制御部３０は、露光装置制御部１１０から受信した発振トリガ信号を回路駆動部６０に出力する。回路駆動部６０は、タイミングデータ及び発振トリガ信号に基づいて、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎの駆動を制御する。具体的には、回路駆動部６０は、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎのうちの駆動させる対象の１次側電気回路を、発振トリガ信号から時間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３だけそれぞれ遅延したタイミングで駆動させてもよい。ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎのうちの駆動させる１次側電気回路の数及びその内訳については、図４を用いて後述する。
　Ｓ６において、レーザ制御部３０は、レーザ発振が行われたか否かを判定する。レーザ制御部３０は、レーザ発振が行われていなければ、レーザ発振が行われるまで待機する。レーザ制御部３０は、レーザ発振が行われたら、Ｓ７に移行する。
　Ｓ７において、レーザ制御部３０は、エネルギーモニタ１７によって計測されたパルスエネルギーの計測値Ｅを取得する。
　Ｓ８において、レーザ制御部３０は、パルスエネルギーの計測値Ｅと目標パルスエネルギーＥｔとの差ΔＥを算出する。差ΔＥは、次式を用いて算出される。
　　　ΔＥ＝Ｅ－Ｅｔ
　Ｓ９において、レーザ制御部３０は、差ΔＥが０に近付くように、新たな印加電圧Ｖ（Ｔ１）、Ｖ（Ｔ２）、Ｖ（Ｔ３）を設定する。新たな印加電圧Ｖ（Ｔ１）、Ｖ（Ｔ２）、Ｖ（Ｔ３）は、次式を用いて設定される。
　　　Ｖ（Ｔ１）＝Ｖ（Ｔ１）＋α１・ΔＥ
　　　Ｖ（Ｔ２）＝Ｖ（Ｔ２）＋α２・ΔＥ
　　　Ｖ（Ｔ３）＝Ｖ（Ｔ３）＋α３・ΔＥ
　なお、右辺のα１、α２、α３は、それぞれ予め実験等によって求められた比例定数であってもよい。
　Ｓ１０において、レーザ制御部３０は、目標パルスエネルギーＥｔが変更されたか否かを判定する。露光装置制御部１１０は、目標パルスエネルギーＥｔを変更する場合があり得る。この場合、露光装置制御部１１０は、変更後の目標パルスエネルギーＥｔの設定データをレーザ制御部３０に出力する。
　レーザ制御部３０は、目標パルスエネルギーＥｔが変更された場合（Ｓ１０：ＹＥＳ）、Ｓ２に戻る。レーザ制御部３０は、目標パルスエネルギーＥｔが変更されていない場合（Ｓ１０：ＮＯ）、Ｓ１１に移行する。
　Ｓ１１において、レーザ制御部３０は、パルスレーザ光のパルスエネルギーを制御する処理を終了するか否かを判定する。
　レーザ制御部３０は、パルスレーザ光のパルスエネルギーを制御する処理を終了しない場合（Ｓ１１：ＮＯ）、Ｓ３に戻る。レーザ制御部３０は、パルスレーザ光のパルスエネルギーを制御する処理を終了する場合（Ｓ１１：ＹＥＳ）、本フローチャートの処理を終了する。
　１．５．２　駆動タイミング設定処理の詳細
　図４は、図３のＳ３における駆動タイミング設定処理のサブルーチンを説明するためのフローチャートである。
　Ｓ３０１において、レーザ制御部３０は、識別番号ｉを１に設定する。本フローチャートにおいて、識別番号ｉを設定すると、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎのうちの１つの１次側電気回路Ｅａｉが識別されるものとする。識別番号ｉが設定されると、１次側電気回路Ｅａｉに対応する１つの充電器１２ｉも識別される。以下の処理において、レーザ制御部３０は、識別番号ｉをカウントアップしながら、１次側電気回路Ｅａｉの駆動タイミングを設定する。
　１．５．２．１　時間Ｔ１において駆動される１次側電気回路
　Ｓ３０２において、レーザ制御部３０は、識別番号１～ｉで識別されるｉ個の充電器１２１～１２ｉによる充電電圧の合計値が、印加電圧Ｖ（Ｔ１）以下であるか否かを判定する。印加電圧Ｖ（Ｔ１）は、時間Ｔ１における一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間への印加電圧として図３のＳ１で設定された値である。ｉ個の充電器１２１～１２ｉによる充電電圧の合計値は、ｉ・ΔＶで表される。そこで、Ｓ３０２の判定は以下の条件が満たされるか否かにより行われる。
　　　ｉ・ΔＶ≦Ｖ（Ｔ１）
　レーザ制御部３０は、充電電圧の合計値ｉ・ΔＶが印加電圧Ｖ（Ｔ１）以下でない場合（Ｓ３０２：ＮＯ）、Ｓ３０５に移行する。レーザ制御部３０は、充電電圧の合計値ｉ・ΔＶが印加電圧Ｖ（Ｔ１）以下である場合（Ｓ３０２：ＹＥＳ）、Ｓ３０３に移行する。
　Ｓ３０３において、レーザ制御部３０は、識別番号ｉで識別される１次側電気回路Ｅａｉの駆動タイミングを時間Ｔ１に設定する。
　Ｓ３０４において、レーザ制御部３０は、識別番号ｉの値に１を加算して識別番号ｉの値を更新する。その後、レーザ制御部３０は、Ｓ３０２に戻る。
　Ｓ３０５において、レーザ制御部３０は、第１の閾値ｋ１を、現在の識別番号ｉの値に設定する。第１の閾値ｋ１より小さい識別番号１～ｋ１－１で識別されるｋ１－１個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｋ１－１は、発振トリガ信号から時間Ｔ１だけ遅延したタイミングで駆動させる対象の１次側電気回路である。第１の閾値ｋ１以上の識別番号ｋ１～ｎで識別される１次側電気回路Ｅａｋ１～Ｅａｎは、発振トリガ信号から時間Ｔ１だけ遅延したタイミングで駆動させる対象でない１次側電気回路である。このように設定すれば、ｋ１－１個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｋ１－１を同時に駆動したときに、印加電圧Ｖ（Ｔ１）に近い電圧を一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加し得る。
　１．５．２．２　時間Ｔ２において駆動される１次側電気回路
　Ｓ３０６において、レーザ制御部３０は、識別番号ｋ１～ｉで識別されるｉ－ｋ１＋１個の充電器１２ｋ１～１２ｉによる充電電圧の合計値が、印加電圧Ｖ（Ｔ２）以下であるか否かを判定する。印加電圧Ｖ（Ｔ２）は、時間Ｔ２における一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間への印加電圧としてＳ１で設定された値である。ｉ－ｋ１＋１個の充電器１２ｋ１～１２ｉによる充電電圧の合計値は、（ｉ－ｋ１＋１）・ΔＶで表される。そこで、Ｓ３０６の判定は以下の条件が満たされるか否かにより行われる。
　　　（ｉ－ｋ１＋１）・ΔＶ≦Ｖ（Ｔ２）
　レーザ制御部３０は、充電電圧の合計値（ｉ－ｋ１＋１）・ΔＶが印加電圧Ｖ（Ｔ２）以下でない場合（Ｓ３０６：ＮＯ）、Ｓ３０９に移行する。レーザ制御部３０は、充電電圧の合計値（ｉ－ｋ１＋１）・ΔＶが印加電圧Ｖ（Ｔ２）以下である場合（Ｓ３０６：ＹＥＳ）、Ｓ３０７に移行する。
　Ｓ３０７において、レーザ制御部３０は、識別番号ｉで識別される１次側電気回路Ｅａｉの駆動タイミングを時間Ｔ２に設定する。
　Ｓ３０８において、レーザ制御部３０は、識別番号ｉの値に１を加算して識別番号ｉの値を更新する。その後、レーザ制御部３０は、Ｓ３０６に戻る。
　Ｓ３０９において、レーザ制御部３０は、第２の閾値ｋ２を、現在の識別番号ｉの値に設定する。第１の閾値ｋ１以上で第２の閾値ｋ２より小さい識別番号ｋ１～ｋ２－１で識別されるｋ２－ｋ１個の１次側電気回路Ｅａｋ１～Ｅａｋ２－１は、発振トリガ信号から時間Ｔ２だけ遅延したタイミングで駆動させる対象の１次側電気回路である。その他の識別番号１～ｋ１－１及びｋ２～ｎで識別される１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｋ１－１及びＥａｋ２～Ｅａｎは、発振トリガ信号から時間Ｔ２だけ遅延したタイミングで駆動させる対象でない１次側電気回路である。このように設定すれば、ｋ２－ｋ１個の１次側電気回路Ｅａｋ１～Ｅａｋ２－１を同時に駆動したときに、印加電圧Ｖ（Ｔ２）に近い電圧を一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加し得る。
　１．５．２．３　時間Ｔ３において駆動される１次側電気回路
　Ｓ３１０において、レーザ制御部３０は、識別番号ｋ２～ｉで識別されるｉ－ｋ２＋１個の充電器１２ｋ２～１２ｉによる充電電圧の合計値が、印加電圧Ｖ（Ｔ３）以下であるか否かを判定する。印加電圧Ｖ（Ｔ３）は、時間Ｔ３における一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間への印加電圧としてＳ１で設定された値である。ｉ－ｋ２＋１個の充電器１２ｋ２～１２ｉによる充電電圧の合計値は、（ｉ－ｋ２＋１）・ΔＶで表される。そこで、Ｓ３１０の判定は以下の条件が満たされるか否かにより行われる。
　　　（ｉ－ｋ２＋１）・ΔＶ≦Ｖ（Ｔ３）
　レーザ制御部３０は、充電電圧の合計値（ｉ－ｋ２＋１）・ΔＶが印加電圧Ｖ（Ｔ３）以下でない場合（Ｓ３１０：ＮＯ）、Ｓ３１３に移行する。レーザ制御部３０は、充電電圧の合計値（ｉ－ｋ２＋１）・ΔＶが印加電圧Ｖ（Ｔ３）以下である場合（Ｓ３１０：ＹＥＳ）、Ｓ３１１に移行する。
　Ｓ３１１において、レーザ制御部３０は、識別番号ｉで識別される１次側電気回路Ｅａｉの駆動タイミングを時間Ｔ３に設定する。
　Ｓ３１２において、レーザ制御部３０は、識別番号ｉの値に１を加算して識別番号ｉの値を更新する。その後、レーザ制御部３０は、Ｓ３１０に戻る。
　Ｓ３１３において、レーザ制御部３０は、第３の閾値ｋ３を、現在の識別番号ｉの値に設定する。第２の閾値ｋ２以上で第３の閾値ｋ３より小さい識別番号ｋ２～ｋ３－１で識別されるｋ３－ｋ２個の１次側電気回路Ｅａｋ２～Ｅａｋ３－１は、発振トリガ信号から時間Ｔ３だけ遅延したタイミングで駆動させる対象の１次側電気回路である。その他の識別番号１～ｋ２－１及びｋ３～ｎで識別される１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｋ２－１及びＥａｋ３～Ｅａｎは、発振トリガ信号から時間Ｔ３だけ遅延したタイミングで駆動させる対象でない１次側電気回路である。このように設定すれば、ｋ３－ｋ２個の１次側電気回路Ｅａｋ２～Ｅａｋ３－１を同時に駆動したときに、印加電圧Ｖ（Ｔ３）に近い電圧を一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加し得る。
　１．５．２．４　駆動される対象でない１次側電気回路
　Ｓ３１４において、レーザ制御部３０は、識別番号ｉの１次側電気回路Ｅａｉに含まれるスイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍをオフに設定する。すなわち、識別番号ｉの１次側電気回路Ｅａｉを、駆動させる対象でない１次側電気回路に設定する。
　Ｓ３１５において、レーザ制御部３０は、識別番号ｉの値に１を加算して識別番号ｉの値を更新する。
　Ｓ３１６において、レーザ制御部３０は、現在の識別番号ｉの値が１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎの数ｎより大きいか否かを判定する。レーザ制御部３０は、現在の識別番号ｉの値が１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎの数ｎ以下である場合（Ｓ３１６：ＮＯ）、Ｓ３１４に戻る。レーザ制御部３０は、現在の識別番号ｉの値が１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎの数ｎより大きい場合（Ｓ３１６：ＹＥＳ）、本フローチャートの処理を終了し、図３のＳ４に移行する。
　以上のようにしてタイミングデータが生成される。
　１．５．３　タイムチャート
　図５は、駆動タイミングの設定による波形制御を説明するタイムチャートである。図５の横軸は時間Ｔを示す。図５の縦軸は電圧Ｖなどの信号の強度を示す。
　レーザ制御部３０は、発振トリガ信号を回路駆動部６０に出力する。レーザ制御部３０は、発振トリガ信号の他に、タイミングデータも回路駆動部６０に出力する。
　回路駆動部６０は、識別番号１～ｋ１－１で識別される１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｋ１－１に、発振トリガ信号から時間Ｔ１だけ遅延したタイミングで回路駆動信号を送信する。これにより、１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｋ１－１に含まれるスイッチＳＷｉｊがオン状態となる。
　回路駆動部６０は、識別番号ｋ１～ｋ２－１で識別される１次側電気回路Ｅａｋ１～Ｅａｋ２－１に、発振トリガ信号から時間Ｔ２だけ遅延したタイミングで回路駆動信号を送信する。これにより、１次側電気回路Ｅａｋ１～Ｅａｋ２－１に含まれるスイッチＳＷｉｊがオン状態となる。
　回路駆動部６０は、識別番号ｋ２～ｋ３－１で識別される１次側電気回路Ｅａｋ２～Ｅａｋ３－１に、発振トリガ信号から時間Ｔ３だけ遅延したタイミングで回路駆動信号を送信する。これにより、１次側電気回路Ｅａｋ２～Ｅａｋ３－１に含まれるスイッチＳＷｉｊがオン状態となる。
　回路駆動部６０は、識別番号ｋ３～ｎで識別される１次側電気回路Ｅａｋ３～Ｅａｎに含まれるスイッチＳＷｉｊをオフに維持する。
　１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｋ３－１の各々の１次側電気回路Ｅａｉにおいて、スイッチＳＷｉｊがオン状態となると、充電電圧ΔＶをピーク値とするパルス状の電圧が１次側コイルＬａｉの両端に印加される。
　１次側電気回路Ｅａｋ３～Ｅａｎの各々の１次側電気回路Ｅａｉは、駆動されない状態に維持される。
　２次側電気回路Ｅｂに含まれるｋ１－１個の２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｋ１－１においては、発振トリガ信号から時間Ｔ１だけ遅延したタイミングで、誘導起電力による電圧Ｖｓ（Ｔ１）が発生する。電圧Ｖｓ（Ｔ１）は、ｋ１－１個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｋ１－１においてそれぞれ１次側コイルＬａ１～Ｌａｋ１－１に印加される電圧を合計した電圧に相当する。電圧Ｖｓ（Ｔ１）のピーク値は（ｋ１－１）・ΔＶとなる。
　２次側電気回路Ｅｂに含まれるｋ２－ｋ１個の２次側コイルＬｂｋ１～Ｌｂｋ２－１においては、発振トリガ信号から時間Ｔ２だけ遅延したタイミングで、誘導起電力による電圧Ｖｓ（Ｔ２）が発生する。電圧Ｖｓ（Ｔ２）は、ｋ２－ｋ１個の１次側電気回路Ｅａｋ１～Ｅａｋ２－１においてそれぞれ１次側コイルＬａｋ１～Ｌａｋ２－１に印加される電圧を合計した電圧に相当する。電圧Ｖｓ（Ｔ２）のピーク値は（ｋ２－ｋ１）・ΔＶとなる。
　２次側電気回路Ｅｂに含まれるｋ３－ｋ２個の２次側コイルＬｂｋ２～Ｌｂｋ３－１においては、発振トリガ信号から時間Ｔ３だけ遅延したタイミングで、誘導起電力による電圧Ｖｓ（Ｔ３）が発生する。電圧Ｖｓ（Ｔ３）は、ｋ３－ｋ２個の１次側電気回路Ｅａｋ２～Ｅａｋ３－１においてそれぞれ１次側コイルＬａｋ２～Ｌａｋ３－１に印加される電圧を合計した電圧に相当する。電圧Ｖｓ（Ｔ３）のピーク値は（ｋ３－ｋ２）・ΔＶとなる。
　時間Ｔ１のタイミングで駆動される１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｋ１－１の個数ｋ１－１は、時間Ｔ２のタイミングで駆動される１次側電気回路Ｅａｋ１～Ｅａｋ２－１の個数ｋ２－ｋ１より多いことが望ましい。時間Ｔ１のタイミングで駆動される１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｋ１－１の個数ｋ１－１は、時間Ｔ３のタイミングで駆動される１次側電気回路Ｅａｋ２～Ｅａｋ３－１の個数ｋ３－ｋ２より多いことが望ましい。この場合、ｋ１－１個の２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｋ１－１において発生する電圧Ｖｓ（Ｔ１）のピーク値の絶対値は、ｋ２－ｋ１個の２次側コイルＬｂｋ１～Ｌｂｋ２－１において発生する電圧Ｖｓ（Ｔ２）のピーク値の絶対値より高くなる。ｋ１－１個の２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｋ１－１において発生する電圧Ｖｓ（Ｔ１）のピーク値の絶対値は、ｋ３－ｋ２個の２次側コイルＬｂｋ２～Ｌｂｋ３－１において発生する電圧Ｖｓ（Ｔ３）のピーク値の絶対値より高くなる。
　一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加される電圧Ｖｒのパルス波形は、絶縁破壊が起こる直前までは、電圧Ｖｓ（Ｔ１）の波形の略相似形の波形となる。絶縁破壊が起こって主放電が開始されると、電圧Ｖｒは急激に０に近付く。その後、電圧Ｖｓ（Ｔ２）及びＶｓ（Ｔ３）が印加されている間は、電圧Ｖｒは、０にはならず、主放電が継続され得るような電圧に維持される。
　絶縁破壊の直後に、２次側電気回路Ｅｂに流れる電流Ｉがピークとなる。その後、主放電が継続されている間、２次側電気回路Ｅｂにはピーク時の電流より低い電流が流れる。
　この主放電によって、レーザガスが励起されて光を放出し、ガスレーザ装置１からパルスレーザ光が出力される。パルスレーザ光のパルス波形は、２次側電気回路Ｅｂに流れる電流のパルス波形とほぼ相似形となる。
　以上のようにして駆動タイミングを設定することにより、パルスレーザ光の波形制御が行われる。
　１．６　課題
　図２に示されるようにｎ個の２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｎにそれぞれｎ個のダイオードＤｂ１～Ｄｂｎを配置する場合、２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｎの近傍にダイオードの設置スペースが必要となる。２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｎの近傍にダイオードの設置スペースを確保するために、２次側電気回路Ｅｂを大型化しようとすると、パルスパワーモジュール１３の出力インダクタンスが大きくなる場合がある。出力インダクタンスが大きくなると、２次側電気回路Ｅｂに流れる電流を急峻に立ち上げることが困難となり、所望のパルスエネルギーを有するパルスレーザ光を出力することが困難になる場合がある。
　以下に説明する実施形態においては、ｎ個のダイオードＤａ１～Ｄａｎをｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎにそれぞれ配置する。これにより、パルスパワーモジュール１３の出力インダクタンスを小さくすることができ、所望のパルスエネルギーを有するパルスレーザ光を出力することができる。
２．ダイオードを１次側電気回路に配置したパルスパワーモジュール
　２．１　構成
　図６は、本開示の第１の実施形態におけるパルスパワーモジュール１３の電気回路を示す。パルスパワーモジュール１３が本開示の高電圧パルス発生装置に相当する。
　図２においては、パルス発生部Ｐｉｊの両端の端子のうち、コンデンサＣｉｊ側に位置する端子に充電器１２ｉの出力端子が接続されている。これに対し、第１の実施形態においては、コンデンサＣｉｊとスイッチＳＷｉｊとの間に、充電器１２の出力端子が接続されている。充電器１２は、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎに接続される共通の充電器でもよい。パルス発生部Ｐｉｊの両端の端子のうち、スイッチＳＷｉｊ側に位置する端子が基準電位に接続されている。
　図２を参照しながら説明したｎ個のダイオードＤｂ１～Ｄｂｎは、第１の実施形態においては設けられなくてもよい。第１の実施形態においては、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎに、それぞれｎ個のダイオードＤａ１～Ｄａｎが配置されている。ｎ個のダイオードＤａ１～Ｄａｎは、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎに含まれるｎ個の１次側コイルＬａ１～Ｌａｎにそれぞれ並列に接続されている。すなわち、ダイオードＤａｉは、１次側電気回路Ｅａｉに含まれる１次側コイルＬａｉに並列に接続されている。
　ダイオードＤａｉは、カソード側が基準電位となるような向きに接続されている。すなわち、ダイオードＤａｉのアノードは、パルス発生部Ｐｉｊの両端の端子のうち、コンデンサＣｉｊ側に位置する端子とほぼ同電位となる。ダイオードＤａｉのカソードは、パルス発生部Ｐｉｊの両端の端子のうち、スイッチＳＷｉｊ側に位置する端子とほぼ同電位となる。
　２．２　動作
　充電器１２は、１次側電気回路Ｅａｉに含まれるｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍを充電電圧ΔＶで充電する。その後、１次側電気回路Ｅａｉに含まれるｍ個のスイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍがほぼ同時にオフ状態からオン状態になると、ｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍからほぼ同時にパルス状の電流が流れる。ｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍから流れるパルス状の電流は、ダイオードＤａｉに対しては逆方向バイアスとなるので、ｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍから流れるパルス状の電流がダイオードＤａｉに流れることは抑制される。ｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍから流れるパルス状の電流は、１次側コイルＬａｉに流れ込む。１次側コイルＬａｉにおいて、パルス状の電流は、図６の下側から上方へ流れる。１次側コイルＬａｉに流れるパルス状の電流により、後述のトランスコアＴＣｉに磁束が発生し、この磁束の発生により、２次側コイルＬｂｉに誘導起電力が発生する。
　２次側コイルＬｂｉに誘導起電力が発生することにより、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間にパルス状の電圧が印加される。ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎのうちの同時に駆動される１次側電気回路の数が多ければ、ｎ個の２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｎのうちの同時に誘導起電力が発生する２次側コイルの数が多くなる。
　一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間に電圧が印加されて、絶縁破壊が起こると、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間で放電が起こり、２次側電気回路Ｅｂにパルス状の電流が流れる。図６に示されるように１次側コイルＬａｉと２次側コイルＬｂｉとが同相である場合には、パルス状の電流は、２次側コイルＬｂｉにおいて図６の上側から下方へ流れる。放電が起こると、レーザガスが励起されてパルスレーザ光が発生する。
　図６には、１次側電気回路Ｅａ１が駆動されず、残りのｎ－１個の１次側電気回路Ｅａ２～Ｅａｎが駆動された場合の電流の向きが破線の矢印で示されている。この場合、ｎ－１個の２次側コイルＬｂ２～Ｌｂｎで同時に誘導起電力が発生する。すると、ｎ－１個の２次側コイルＬｂ２～Ｌｂｎに直列に接続された残りの２次側コイルＬｂ１にも、大きなパルス状の電流が流れる。２次側コイルＬｂ１に流れるパルス状の電流により、後述のトランスコアＴＣ１に磁束が発生し、この磁束の発生により、１次側コイルＬａ１に誘導起電力が発生する。
　ダイオードＤａ１が設けられていない場合には、１次側コイルＬａ１に発生する誘導起電力により、１次側電気回路Ｅａ１に含まれるオフ状態のｍ個のスイッチＳＷ１１～ＳＷ１ｍに電圧が印加され、これらのスイッチＳＷ１１～ＳＷ１ｍにダメージを与えるおそれがある。また、１次側コイルＬａ１に発生する誘導起電力により充電器１２にも電圧が印加され、この充電器１２にダメージを与えるおそれがある。このようなスイッチＳＷ１１～ＳＷ１ｍ及び充電器１２のダメージを抑制するためにダイオードＤａ１が設けられている。すなわち、１次側コイルＬａ１で誘導起電力が発生しても、この誘導起電力によってダイオードＤａ１に順方向バイアスの電圧が印加され、ダイオードＤａ１に電流が流れる。このため、オフ状態のｍ個のスイッチＳＷ１１～ＳＷ１ｍがダメージを受けたり、充電器１２がダメージを受けたりすることが抑制される。
　ダイオードＤａ２～Ｄａｎについても同様である。すなわち、ｎ個の１次側コイルＬａ１～Ｌａｎのうちの１つの１次側コイルＬａｉで誘導起電力が発生しても、ダイオードＤａｉに電流が流れるので、オフ状態のｍ個のスイッチＳＷ１１～ＳＷ１ｍがダメージを受けたり、充電器１２がダメージを受けたりすることが抑制される。
　図７は、図６と同じ電気回路において、充電器１２によりコンデンサＣｉｊを充電するときの電流の流れを破線の矢印で示す。このとき、スイッチＳＷｉｊはすべてオフ状態になっている。充電器１２がコンデンサＣｉｊのスイッチＳＷｉｊ側の端子に電圧を印加することにより、コンデンサＣｉｊのスイッチＳＷｉｊ側の端子に電流が流れ込んでコンデンサＣｉｊの充電が行われる。このとき、コンデンサＣｉｊのスイッチＳＷｉｊと反対側の端子には負電荷が流れ込む。すなわち、コンデンサＣｉｊのスイッチＳＷｉｊと反対側の端子から電流が流れ出る。コンデンサＣｉｊのスイッチＳＷｉｊと反対側の端子から流れ出た電流は、ダイオードＤａｉを通って基準電位に放出される。
　２．３　作用
　第１の実施形態によれば、ダイオードＤａｉを１次側電気回路Ｅａｉに配置したので、２次側電気回路Ｅｂを簡素化することができる。これにより、パルスパワーモジュール１３の出力インダクタンスを小さくすることができる。
　また、例えば１次側電気回路Ｅａ１が駆動されず、残りのｎ－１個の１次側電気回路Ｅａ２～Ｅａｎが駆動された場合に、スイッチＳＷ１１～ＳＷ１ｍ及び充電器１２のダメージを抑制することができる。
　また、コンデンサＣｉｊを充電するときに、ダイオードＤａｉに電流が流れるようにしたので、効率的にコンデンサＣｉｊの充電を行うことができる。また、充電時に１次側コイルＬａｉに電流が流れることを抑制できるので、トランスコアＴＣｉに磁束が発生することを抑制し、エネルギーの損失を抑制することができる。
　その他の点については、第１の実施形態は上述の比較例と同様である。
３．円形基板に搭載されたパルスパワーモジュール
　図８Ａは、パルスパワーモジュール１３を円形基板に搭載した第２の実施形態を示す平面図である。図８Ｂは、図８ＡのＶＩＩＩＢ－Ａ－ＶＩＩＩＢ線における断面を模式的に示す。但し、図８Ｂにおいて、２次側コイルＬｂについては断面ではなく側面を示す。図８Ａ及び図８Ｂは、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎのうちの１つの１次側電気回路Ｅａｉと、１つのトランスコアＴＣｉと、２次側コイルＬｂの一部と、を示す。
　トランスコアＴＣｉは、円環状の形状を有する。図８Ａに示されるように、トランスコアＴＣｉを構成する円環に沿って磁気回路ＭＣが形成される。図８Ｂに示されるように、トランスコアＴＣｉは第１の面ＰＬｉに位置する。第１の面ＰＬｉはＨＺ面に平行である。磁気回路ＭＣは第１の面ＰＬｉに沿って形成される。
　２次側コイルＬｂは、円筒状の形状を有する導電性部材で構成される。図８Ｂに示されるように、２次側コイルＬｂは貫通孔ＴＨを有する。貫通孔ＴＨは、第１の面ＰＬｉに垂直な方向に２次側コイルＬｂを貫通している。
　１次側電気回路Ｅａｉは、基板Ｅ１ｉ及びＥ２ｉと、基板Ｅ１ｉに搭載された構成要素とを含む。図８Ａにおいては基板Ｅ２ｉの図示は省略されている。基板Ｅ１ｉ及びＥ２ｉはいずれも第１の面ＰＬｉに平行である。基板Ｅ１ｉにはトランスコアＴＣｉも搭載されている。基板Ｅ１ｉ及びＥ２ｉはそれぞれ導電性の部材を含む。基板Ｅ１ｉ及びＥ２ｉはいずれも基準電位に接続されている。
　基板Ｅ１ｉに搭載された構成要素は、複数の１次側コイルＬａｉ１及びＬａｉ２と、複数のダイオードＤａｉ１及びＤａｉ２と、ｍ個のパルス発生部Ｐｉ１～Ｐｉｍと、ｍ個のスイッチ駆動部ＤＲｉ１～ＤＲｉｍと、複数の導電部材Ｅ３ｉ及びＥ４ｉと、を含む。基板Ｅ１ｉに搭載された構成要素は、トランスコアＴＣｉとともに、基板Ｅ１ｉ及びＥ２ｉの間に位置する。基板Ｅ１ｉ及びＥ２ｉとトランスコアＴＣｉとはそれぞれ貫通孔を有し、これらの貫通孔を、２次側コイルＬｂが第１の面ＰＬｉに垂直な方向に貫通している。図８Ａに示されるように、ｍ個のパルス発生部Ｐｉ１～Ｐｉｍと、ｍ個のスイッチ駆動部ＤＲｉ１～ＤＲｉｍとは、トランスコアＴＣｉの周りに放射状に配置されている。
　複数の１次側コイルＬａｉ１及びＬａｉ２は、それぞれ導電性の部材を含む。複数の１次側コイルＬａｉ１及びＬａｉ２及び複数のダイオードＤａｉ１及びＤａｉ２は、２次側コイルＬｂより外側で、トランスコアＴＣｉより内側の空間に配置されている。すなわち、複数の１次側コイルＬａｉ１及びＬａｉ２及び複数のダイオードＤａｉ１及びＤａｉ２は、２次側コイルＬｂとトランスコアＴＣｉとの間の空間に配置されている。複数のダイオードＤａｉ１及びＤａｉ２の各々は、複数の１次側コイルＬａｉ１及びＬａｉ２の内のいずれかの近傍に配置されている。複数のダイオードＤａｉ１及びＤａｉ２は、２次側コイルＬｂの周囲にほぼ均等な間隔で配置されている。複数のダイオードＤａｉ１及びＤａｉ２をほぼ均等な間隔で配置することにより、複数のダイオードＤａｉ１及びＤａｉ２に流れる電流の偏りを抑制し、複数のダイオードＤａｉ１及びＤａｉ２のうちの一部に負荷が集中することを抑制し得る。複数の１次側コイルＬａｉ１及びＬａｉ２及び複数のダイオードＤａｉ１及びＤａｉ２は、２次側コイルＬｂの周囲において、周方向に交互に配置されている。
　図８Ｂを用いて、素子の配置を詳細に説明する。
　－Ｖ方向を第３の方向とする。＋Ｖ方向を第４の方向とする。磁気回路ＭＣの位置及び形状は、トランスコアＴＣｉの断面の中心に沿った閉曲線の位置及び形状に一致するものとする。図８Ａに示される平面視で磁気回路ＭＣより内側の領域を「磁気回路より内側」とする。図８Ａに示される平面視で磁気回路ＭＣより外側の領域を「磁気回路より外側」とする。
　第１のノードＮ１及び第２のノードＮ２が、第１の面ＰＬｉよりも第３の方向側であって磁気回路より内側に位置するものとする。
　第３のノードＮ３が、第１の面ＰＬｉよりも第３の方向側であって磁気回路より外側に位置するものとする。第３のノードＮ３は、基板Ｅ１ｉを介して基準電位に接続されている。
　基板Ｅ１ｉは、第１の面ＰＬｉよりも第３の方向側に位置し、第２のノードＮ２と第３のノードＮ３を接続している。なお、基板Ｅ１ｉは、本開示における第１の導電部の機能を有している。
　第４のノードＮ４が、第１の面ＰＬｉよりも第４の方向側であって磁気回路より内側に位置するものとする。
　第５のノードＮ５が、第１の面ＰＬｉよりも第４の方向側であって磁気回路より外側に位置するものとする。第５のノードＮ５は、基板Ｅ２ｉを介して基準電位に接続されている。
　基板Ｅ２ｉは、第１の面ＰＬｉよりも第４の方向側に位置し、第４のノードＮ４と第５のノードＮ５を接続している。なお、基板Ｅ２ｉは、本開示における第２の導電部の機能を有している。
　ダイオードＤａｉ２は、第１のノードＮ１と第２のノードＮ２との間に接続されている。ダイオードＤａｉ２のアノードが第１のノードＮ１に接続され、ダイオードＤａｉ２のカソードが第２のノードＮ２に接続されている。図８Ｂにおいては図示が省略されているが、１次側電気回路Ｅａｉに含まれる他のダイオードも同様でよい。
　ｍ個のパルス発生部Ｐｉ１～Ｐｉｍは、第１のノードＮ１と第３のノードＮ３との間に接続されている。ｍ個のパルス発生部Ｐｉ１～Ｐｉｍは、ｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍと、ｍ個のスイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍと、を含む。図８Ｂに示されるように、ｍ個のパルス発生部Ｐｉ１～Ｐｉｍの各々のパルス発生部Ｐｉｊにおいて、コンデンサＣｉｊとスイッチＳＷｉｊとは直列に接続されている。
　ｍ個のスイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍは、ｍ個のＭＯＳＦＥＴで構成される。ｍ個のスイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍを構成するｍ個のＭＯＳＦＥＴのソース端子は、第３のノードＮ３において基板Ｅ１ｉに電気的に接続され、基板Ｅ１ｉを介して基準電位に接続されている。ｍ個のスイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍを構成するｍ個のＭＯＳＦＥＴのゲート端子は、それぞれ信号線を介してｍ個のスイッチ駆動部ＤＲｉ１～ＤＲｉｍに接続されている。ｍ個のスイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍを構成するｍ個のＭＯＳＦＥＴのドレイン端子は、それぞれｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍの一方の端子に電気的に接続されている。ｍ個のスイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍとｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍとをそれぞれ接続する導電性部材に、充電器１２（図６参照）の出力端子が電気的に接続されている。
　ｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍの他方の端子は、導電性部材を介して第１のノードＮ１に電気的に接続されている。ｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍと第１のノードＮ１とを接続する導電性部材は、トランスコアＴＣｉと基板Ｅ１ｉとの間に位置する。ｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍと第１のノードＮ１とを接続する導電性部材と、基板Ｅ１ｉとの間には、図示しない電気絶縁性部材が配置されている。
　１次側コイルＬａｉ１は、第１のノードＮ１と第４のノードＮ４との間に接続されている。１次側コイルＬａｉ１は、導電部を含む。導電部は、例えば円柱状の形状を有する。この導電部は、磁気回路より内側に位置する。導電部の一端は、第４のノードＮ４において基板Ｅ２ｉに電気的に接続され、基板Ｅ２ｉを介して基準電位に接続されている。導電部の他端は、第１のノードＮ１に接続されている。なお、１次側コイルＬａｉ１に含まれる導電部は、本開示における第３の導電部に相当する。図８Ｂにおいては図示が省略されているが、１次側電気回路Ｅａｉに含まれる他の１次側コイルも同様でよい。
　複数の導電部材Ｅ３ｉ及びＥ４ｉは、基板Ｅ１ｉ及びＥ２ｉの間に電気的に接続されている。
　以上のように配置することにより、図６を参照しながら説明した１次側電気回路Ｅａｉと同等の１次側電気回路Ｅａｉを構成することができる。
　さらに、ダイオードＤａｉ２は、磁気回路より内側に位置することが望ましい。これにより、複数の１次側コイルＬａｉ１及びＬａｉ２で誘導起電力が発生した場合に、短い電流経路で、ダイオードＤａｉ２を介して基準電位まで電流を流すことができる。ダイオードＤａｉ２以外の他のダイオードも同様である。
　さらに、ｍ個のパルス発生部Ｐｉ１～Ｐｉｍは、磁気回路より外側に位置することが望ましい。これにより、磁気回路より内側の空間を、１次側コイルＬａｉ１及び２次側コイルＬｂ等のための設置スペースとして確保することができる。従って、トランスコアＴＣｉと、１次側コイルＬａｉ１及び２次側コイルＬｂ等と、の配置を、磁気エネルギーの伝達を効率的に行えるような配置とすることが可能である。
　その他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
４．ｎ個の１次側電気回路を積層したパルスパワーモジュール
　図９は、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎとｎ個のトランスコアＴＣ１～ＴＣｎとで構成された第３の実施形態に係るパルスパワーモジュール１３の構造を概略的に示す。ｎ個のトランスコアＴＣ１～ＴＣｎは、Ｖ方向に並べて配置されている。ｎ個のトランスコアＴＣ１～ＴＣｎは、それぞれの第１の面ＰＬ１～ＰＬｎがＨＺ面に平行となるように配置されている。
　２次側コイルＬｂは、ｎ個のトランスコアＴＣ１～ＴＣｎの各々の貫通孔を貫通するように配置されている。２次側コイルＬｂの上端Ｌｂｕは基準電位に接続され、２次側コイルＬｂの下端Ｌｂｂは放電電極１１ａに接続されている。本開示において「コイル」とは、巻き数が複数である導電線には限定されない。トランスコアＴＣｉの貫通孔を貫通するだけの導電性部材であっても、トランスコアＴＣｉとの間で磁気エネルギーの伝達ができるものであれば本開示のコイルに相当する。２次側コイルＬｂは、図６を参照しながら説明したｎ個の２次側コイルＬｂ１～Ｌｂｎが直列に接続されたものに相当する。
　ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎは、Ｖ方向に並べて配置されている。ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎの各々の１次側電気回路Ｅａｉに含まれる複数の１次側コイルＬａｉ１及びＬａｉ２が、トランスコアＴＣｉより内側で２次側コイルＬｂより外側の空間に位置する。
　１次側電気回路Ｅａ１に含まれる基板Ｅ１１は、１次側電気回路Ｅａ１に隣接する１次側電気回路Ｅａ２に含まれる基板Ｅ２２と共通の導電性部材を含んでもよい。すなわち、１次側電気回路Ｅａｉに含まれる基板Ｅ１ｉは、１次側電気回路Ｅａｉ＋１に含まれる基板Ｅ２ｉ＋１と共通の導電性部材を含んでもよい。ここで、ｉは１からｎ－１までの自然数である。あるいは、基板Ｅ１ｉそのものが基板Ｅ２ｉ＋１と共通化され、基板Ｅ２ｉ＋１が省略されてもよい。
　ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎのうちの１つの１次側電気回路Ｅａｉにおいて、ｍ個のコンデンサＣｉ１～Ｃｉｍとｍ個のスイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍとをそれぞれ接続する導電性部材に、充電器１２の出力端子が電気的に接続されている。充電器１２と１次側電気回路Ｅａｉのパルス発生部Ｐｉ１～Ｐｉｍとの間には、それぞれ抵抗素子Ｒｉ１～Ｒｉｍが接続されていてもよい。抵抗素子Ｒｉ１～Ｒｉｍが接続されているので、スイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍをオン状態としたときに、充電器１２からスイッチＳＷｉ１～ＳＷｉｍを介して基準電位に大きな電流が流れることを抑制し得る。充電器１２は、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎに接続される共通の充電器でもよい。
　図９において、充電器１２は、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎに含まれるコンデンサＣｉｊを、充電電圧ΔＶで充電する。
　例えば１次側電気回路Ｅａ１に含まれるｍ個のスイッチＳＷ１１～ＳＷ１ｍがオフ状態からオン状態になると、ｍ個のコンデンサＣ１１～Ｃ１ｍからパルス状の電流が流れる。コンデンサＣ１１～Ｃ１ｍから流れるパルス状の電流は、１次側コイルＬａ１１及びＬａ１２に流れ込む。１次側コイルＬａ１１及びＬａ１２において、パルス状の電流は、図９の上側から下方へ流れる。１次側コイルＬａ１１及びＬａ１２に流れるパルス状の電流により、トランスコアＴＣ１に磁束が発生し、この磁束の発生により、２次側コイルＬｂに誘導起電力が発生する。
　２次側コイルＬｂに誘導起電力が発生することにより、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間にパルス状の電圧が印加される。１つの１次側電気回路Ｅａ１が駆動されることにより２次側コイルＬｂに発生する誘導起電力は、充電器１２の充電電圧ΔＶと略同一である。ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎのうちの同時に駆動される１次側電気回路の数をｉとすると、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加される電圧はｉ・ΔＶとなる。
　一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間に電圧が印加されて、絶縁破壊が起こると、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの間で放電が起こり、２次側コイルＬｂにパルス状の電流が流れる。パルス状の電流は、２次側コイルＬｂにおいて、図９の下側から上方へ流れる。放電が起こると、レーザガスが励起されてパルスレーザ光が発生する。
　ここで、１次側電気回路Ｅａ２に含まれるｍ個のスイッチＳＷ２１～ＳＷ２ｍがオフ状態に維持されていると仮定する。２次側コイルＬｂに流れるパルス状の電流に起因して１次側コイルＬａ２１及びＬａ２２で発生する誘導起電力は、ダイオードＤａ２１及びＤａ２２に順方向バイアスの電圧として印加される。これにより、１次側コイルＬａ２１及びＬａ２２からダイオードＤａ２１及びＤａ２２を介して基準電位まで電流が流れる。このため、ｍ個のスイッチＳＷ２１～ＳＷ２ｍ及び充電器１２がダメージを受けることが抑制される。
　その他の点については、第３の実施形態は第２の実施形態と同様である。
５．レーザチャンバに配置されたパルスパワーモジュール
　図１０Ａは、パルスパワーモジュール１３をレーザチャンバ１０に配置した第４の実施形態を示す平面図である。図１０Ｂは、図１０ＡのＸＢ－ＸＢ線における断面図である。図１０Ｂにおいて、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎについては基板Ｅ２１及びＥ１１～Ｅ１ｎのみ示し、その他の回路素子の図示は省略されている。
　図１０Ｂに示されるように、ｎ個のトランスコアＴＣ１～ＴＣｎは、Ｖ方向に並べて配置されている。ｎ個のトランスコアＴＣ１～ＴＣｎは、それぞれの第１の面ＰＬ１～ＰＬｎがＨＺ面に平行となるように配置されている。
　２次側コイルＬｂは、ｎ個のトランスコアＴＣ１～ＴＣｎの貫通孔をすべて貫通するように配置されている。２次側コイルＬｂの上端Ｌｂｕは基準電位に接続され、２次側コイルＬｂの下端Ｌｂｂは放電電極１１ａに接続されている。放電電極１１ｂは基準電位に接続されている。
　基板Ｅ２１及びｎ個の基板Ｅ１１～Ｅ１ｎが、ｎ個のトランスコアＴＣ１～ＴＣｎを挟み込むように配置されている。
　以上の構成により、パルスパワーモジュール１３で生成されたパルス状の高電圧を、放電電極１１ａに直接印加することができる。
　その他の点については、第４の実施形態は第３の実施形態と同様である。
６．トランスコアをＺ方向に長い形状としたパルスパワーモジュール
　図１１Ａは、本開示の第５の実施形態におけるパルスパワーモジュール１３をレーザチャンバ１０に配置した状態を示す平面図である。図１１Ｂは、図１１ＡのＸＩＢ－ＸＩＢ線における断面図である。
　レーザチャンバ１０は、図１１Ａに示される平面視でパルスパワーモジュール１３に含まれる基板Ｅ１１～Ｅ１ｎとほぼ同じ形状となっている。このため、図１１Ａにはパルスパワーモジュール１３だけが図示されている。ｎ個のトランスコアＴＣ１～ＴＣｎは互いに同一の構成であり、ｎ個の１次側電気回路Ｅａ１～Ｅａｎは互いに同一の構成であるので、図１１Ａにおいては、構成要素Ｘ１～Ｘｎを符号Ｘｉで代用している。図１１Ａにおいて、基板Ｅ２１の図示は省略されている。
　６．１　トランスコアの構成
　第５の実施形態において、ｎ個のトランスコアＴＣ１～ＴＣｎの各々のトランスコアＴＣｉの形状は、Ｚ方向の幅ＷｚがＨ方向の幅Ｗｈより大きい形状となっている。Ｚ方向は、第１の面ＰＬ１～ＰＬｎに平行な第１の方向である。Ｈ方向は、第１の面ＰＬ１～ＰＬｎに平行で第１の方向と垂直な第２の方向である。トランスコアＴＣｉは、その長手方向であるＺ方向が、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの長手方向と平行となるように配置されている。
　トランスコアＴＣｉの形状をより詳しく説明する。トランスコアＴＣｉは、第１及び第２のリニア形状部ＴＣｉ１及びＴＣｉ２と、第１及び第２の曲線部ＴＣｉ３及びＴＣｉ４と、を含む。第１及び第２のリニア形状部ＴＣｉ１及びＴＣｉ２は、Ｚ方向に沿って配置されている。第１の曲線部ＴＣｉ３は、第１及び第２のリニア形状部ＴＣｉ１及びＴＣｉ２の＋Ｚ方向側の端部を互いに接続している。第２の曲線部ＴＣｉ４は、第１及び第２のリニア形状部ＴＣｉ１及びＴＣｉ２の－Ｚ方向側の端部を互いに接続している。言い換えると、トランスコアＴＣｉは、レーストラック形状を有する。
　トランスコアＴＣｉの形状は、上記の形状に限らず、長方形でもよいし、楕円形でもよい。
　トランスコアＴＣｉのＺ方向の幅Ｗｚは、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの長手方向の長さＤＥ（図１１Ｂ参照）よりも大きいことが望ましい。トランスコアＴＣｉのＨ方向の幅Ｗｈは、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂのＨ方向の幅よりも大きいことが望ましい。
　６．２　２次側コイルの構成
　２次側コイルＬｂは、第１の面ＰＬｉに垂直な方向の貫通孔ＴＨを有する筒状の形状を有し、Ｚ方向の幅Ｗｚ１がＨ方向の幅Ｗｈ１より大きい形状となっている。一対の放電電極１１ａ及び１１ｂの長手方向の長さＤＥに対する２次側コイルＬｂのＺ方向の幅Ｗｚ１の比率は、０．５以上、２以下であることが望ましい。この比率は、０．８以上、１．２以下であることがさらに望ましい。この比率は、約１であることがさらに望ましい。
　トランスコアＴＣｉと２次側コイルＬｂとの間隙ＧＡＰ（図１１Ｂ参照）は、５ｍｍ以下であることが望ましい。間隙ＧＡＰは、１ｍｍ以上、３ｍｍ以下であることがさらに望ましい。
　６．３　ｍ個のパルス発生部の構成
　図１１Ａに示されるように、ｍ個のパルス発生部は、ｍ１個のパルス発生部Ｐｉａ１～Ｐｉａｍ１と、ｍ２個のパルス発生部Ｐｉｂ１～Ｐｉｂｍ２とを含む。これらのパルス発生部は、トランスコアＴＣｉに形成される磁気回路ＭＣよりも外側に位置する。ｍ１個のパルス発生部Ｐｉａ１～Ｐｉａｍ１は、トランスコアＴＣｉよりも－Ｈ方向側において、Ｚ方向に並べて配置されている。ｍ２個のパルス発生部Ｐｉｂ１～Ｐｉｂｍ２は、トランスコアＴＣｉよりも＋Ｈ方向側において、Ｚ方向に並べて配置されている。ｍ１個のパルス発生部Ｐｉａ１～Ｐｉａｍ１と、ｍ２個のパルス発生部Ｐｉｂ１～Ｐｉｂｍ２とは、トランスコアＴＣｉを挟んで互いに反対側に位置している。なお、図１１Ａにおいては、ｍ個のスイッチ駆動部ＤＲｉ１～ＤＲｉｍの図示は省略されている。
　ｍ１及びｍ２の各々は、２以上、ｍ以下の自然数である。ｍ１とｍ２は、異なる数でもよいが、同じ数であることが望ましい。ｍ１個のパルス発生部Ｐｉａ１～Ｐｉａｍ１は互いに第１の間隙Ｇ１を有し、ｍ２個のパルス発生部Ｐｉｂ１～Ｐｉｂｍ２は互いに第２の間隙Ｇ２を有する。第１の間隙Ｇ１及び第２の間隙Ｇ２はほぼ等しいことが望ましい。
　６．４　作用
　以上のトランスコアＴＣｉ及び２次側コイルＬｂの構成により、２次側コイルＬｂから放電電極１１ａの各部までのインダクタンスの偏りが低減され得る。これにより、放電電極１１ａの長手方向におけるパルス電流の偏りが低減され得る。
　トランスコアＴＣｉと２次側コイルＬｂとの間隙ＧＡＰを小さくすることにより、トランスコアＴＣｉと２次側コイルＬｂとの間で磁気エネルギーを効率よく伝達することができる。１次側コイルＬａｉ１及びＬａｉ２（図８Ａ、図８Ｂ参照）はトランスコアＴＣｉより内側で、２次側コイルＬｂより外側に配置されるので、トランスコアＴＣｉと１次側コイルＬａｉ１及びＬａｉ２との間でも磁気エネルギーを効率よく伝達することができる。
　ｍ１個のパルス発生部Ｐｉａ１～Ｐｉａｍ１と、ｍ２個のパルス発生部Ｐｉｂ１～Ｐｉｂｍ２とを放電電極１１ａの長手方向に並べて配置したことにより、放電電極１１ａの長手方向におけるパルス電流の偏りがさらに低減され得る。ｍ１個のパルス発生部Ｐｉａ１～Ｐｉａｍ１の第１の間隙Ｇ１と、ｍ２個のパルス発生部Ｐｉｂ１～Ｐｉｂｍ２の第２の間隙Ｇ２をほぼ等しくすることにより、放電電極１１ａの長手方向におけるパルス電流の偏りがさらに低減され得る。
　その他の点については、第５の実施形態は第４の実施形態と同様である。
７．その他
　図１２は、ガスレーザ装置１に接続された露光装置１００の構成を概略的に示す。上述のように、ガスレーザ装置１はレーザ光を生成して露光装置１００に出力する。
　図１２において、露光装置１００は、照明光学系４１と投影光学系４２とを含む。照明光学系４１は、ガスレーザ装置１から入射したレーザ光によって、レチクルステージＲＴのレチクルパターンを照明する。投影光学系４２は、レチクルを透過したレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピースに結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置１００は、レチクルステージＲＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、レチクルパターンを反映したレーザ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造することができる。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
　本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

  1. 　ガスレーザ装置のレーザチャンバ内に配置された一対の放電電極間にパルス状の高電圧を印加する高電圧パルス発生装置であって、
    　トランスを構成するｎ個のトランスコアであって、ｎは２以上の自然数である前記ｎ個のトランスコアと、
    　前記トランスのｎ個の１次側電気回路であって、前記ｎ個の１次側電気回路の各々は、基準電位に接続された第１の端子と、充電器に接続された第２の端子とを含むとともに、少なくとも１つの１次側コイルと、前記少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのダイオードと、前記少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのパルス発生部と、を含む、前記ｎ個の１次側電気回路と、
    　前記トランスの２次側電気回路であって、２次側コイルを含み、前記一対の放電電極に接続された前記２次側電気回路と、
    を備える、高電圧パルス発生装置。
  2. 　請求項１に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記少なくとも１つのダイオードは、前記２次側コイルを流れる電流によって前記少なくとも１つの１次側コイルで発生する起電力によって、前記少なくとも１つのダイオードに順方向バイアスの電圧が印加されるように配置された、
    高電圧パルス発生装置。
  3. 　請求項１に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記少なくとも１つのダイオードは、前記少なくとも１つのパルス発生部からのパルス電圧が、前記少なくとも１つのダイオードに逆方向バイアスの電圧として印加されるように配置された、
    高電圧パルス発生装置。
  4. 　請求項１に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記少なくとも１つのパルス発生部の各々は、コンデンサと、前記コンデンサに直列に接続されたスイッチと、を含む、
    高電圧パルス発生装置。
  5. 　請求項４に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記コンデンサと、前記スイッチと、の間に充電器が接続された、
    高電圧パルス発生装置。
  6. 　請求項５に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記充電器と、前記少なくとも１つのパルス発生部と、の間に抵抗素子が接続された、
    高電圧パルス発生装置。
  7. 　請求項１に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記少なくとも１つのダイオードの各々は、前記少なくとも１つの１次側コイルの内の１つの１次側コイルの近傍に配置された、
    高電圧パルス発生装置。
  8. 　請求項１に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記２次側コイルは筒状の形状を有する、
    高電圧パルス発生装置。
  9. 　請求項８に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記少なくとも１つのダイオードは複数のダイオードを含む、
    高電圧パルス発生装置。
  10. 　請求項９に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記複数のダイオードは、前記２次側コイルの周囲にほぼ均等な間隔で配置された、
    高電圧パルス発生装置。
  11. 　請求項８に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記少なくとも１つのダイオードは、前記ｎ個のトランスコアの内の１つのトランスコアと前記２次側コイルとの間に配置された、
    高電圧パルス発生装置。
  12. 　請求項８に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記ｎ個のトランスコアの各々は貫通孔を有し、
    　前記２次側コイルは、前記ｎ個のトランスコアの各々の貫通孔を貫通するように配置され、前記２次側コイルの一端が基準電位に接続され、前記２次側コイルの他端が前記一対の放電電極の内の１つの放電電極に接続された、
    高電圧パルス発生装置。
  13. 　請求項１２に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記ｎ個のトランスコアの各々と前記２次側コイルとの間隙は５ｍｍ以下である、
    高電圧パルス発生装置。
  14. 　請求項１に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記ｎ個のトランスコアの各々は第１の面に沿った磁気回路を形成するように構成され、前記ｎ個のトランスコアの各々は前記第１の面に平行な第１の方向の幅が、前記第１の面に平行で前記第１の方向と垂直な第２の方向の幅より大きい
    高電圧パルス発生装置。
  15. 　請求項１に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記ｎ個のトランスコアの各々は第１の面に沿った磁気回路を形成するように構成され、
    　前記ｎ個の１次側電気回路の各々は、
    　　前記第１の面よりも前記第１の面に垂直な第３の方向側であって前記磁気回路より内側に位置する第１及び第２のノードと、
    　　前記第１の面よりも前記第３の方向側であって前記磁気回路より外側に位置し、基準電位に接続された第３のノードと、
    　　前記第１の面よりも前記第３の方向側に位置し、前記第２のノードと前記第３のノードとを接続する第１の導電部と、
    　　前記第１の面よりも前記第３の方向と反対の第４の方向側であって前記磁気回路より内側に位置する第４のノードと、
    　　前記第１の面よりも前記第４の方向側であって前記磁気回路より外側に位置し、前記基準電位に接続された第５のノードと、
    　　前記第１の面よりも前記第４の方向側に位置し、前記第４のノードと前記第５のノードとを接続する第２の導電部と、
    をさらに含み、
    　前記少なくとも１つのダイオードの内の１つのダイオードは、前記第１のノードと前記第２のノードとの間に接続されており、
    　前記少なくとも１つのパルス発生部の内の１つのパルス発生部は、前記第１のノードと前記第３のノードとの間に接続されており、
    　前記少なくとも１つの１次側コイルの内の１つの１次側コイルは、第３の導電部を含み、前記第３の導電部は、前記磁気回路より内側に位置し、前記第１のノードと前記第４のノードとを接続するように構成された、
    高電圧パルス発生装置。
  16. 　請求項１５に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記少なくとも１つのダイオードは、前記磁気回路より内側に位置する、
    高電圧パルス発生装置。
  17. 　請求項１５に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記少なくとも１つのパルス発生部は、前記磁気回路より外側に位置する、
    高電圧パルス発生装置。
  18. 　請求項１５に記載の高電圧パルス発生装置であって、
    　前記ｎ個の１次側電気回路は、第１の１次側電気回路及び第２の１次側電気回路を含み、
    　前記第１の１次側電気回路に含まれる前記第１の導電部の少なくとも一部は、前記第２の１次側電気回路に含まれる前記第２の導電部の少なくとも一部と共通である、
    高電圧パルス発生装置。
  19. 　レーザチャンバと、
    　前記レーザチャンバ内に配置された一対の放電電極と、
    　前記一対の放電電極間にパルス状の高電圧を印加するように構成された高電圧パルス発生装置と、
    を備えるガスレーザ装置であって、
    　前記高電圧パルス発生装置は、
    　トランスを構成するｎ個のトランスコアであって、ｎは２以上の自然数である前記ｎ個のトランスコアと、
    　前記トランスのｎ個の１次側電気回路であって、前記ｎ個の１次側電気回路の各々は、基準電位に接続された第１の端子と、充電器に接続された第２の端子とを含むとともに、少なくとも１つの１次側コイルと、前記少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのダイオードと、前記少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのパルス発生部と、を含む、前記ｎ個の１次側電気回路と、
    　前記トランスの２次側電気回路であって、２次側コイルを含み、前記一対の放電電極に接続された前記２次側電気回路と、
    を備えるガスレーザ装置。
  20. 　電子デバイスの製造方法であって、
    　レーザチャンバと、
    　前記レーザチャンバ内に配置された一対の放電電極と、
    　前記一対の放電電極間にパルス状の高電圧を印加するように構成された高電圧パルス発生装置と、
    を備えるガスレーザ装置であって、
    　前記高電圧パルス発生装置は、
    　トランスを構成するｎ個のトランスコアであって、ｎは２以上の自然数である前記ｎ個のトランスコアと、
    　前記トランスのｎ個の１次側電気回路であって、前記ｎ個の１次側電気回路の各々は、基準電位に接続された第１の端子と、充電器に接続された第２の端子とを含むとともに、少なくとも１つの１次側コイルと、前記少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのダイオードと、前記少なくとも１つの１次側コイルに並列に接続された少なくとも１つのパルス発生部と、を含む、前記ｎ個の１次側電気回路と、
    　前記トランスの２次側電気回路であって、２次側コイルを含み、前記一対の放電電極に接続された前記２次側電気回路と、
    を備える前記ガスレーザ装置によってパルスレーザ光を生成し、
    　前記パルスレーザ光を露光装置に出力し、
    　電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記パルスレーザ光を露光する
    ことを含む電子デバイスの製造方法。
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