WO2020130760A1 - 표시 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

표시 장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2020130760A1
WO2020130760A1 PCT/KR2019/095039 KR2019095039W WO2020130760A1 WO 2020130760 A1 WO2020130760 A1 WO 2020130760A1 KR 2019095039 W KR2019095039 W KR 2019095039W WO 2020130760 A1 WO2020130760 A1 WO 2020130760A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
organic layer
low
refractive organic
disposed
Prior art date
Application number
PCT/KR2019/095039
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
이기준
김상우
손정하
유병한
김기범
안태경
임재익
최천기
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to CN201980085285.4A priority Critical patent/CN113228333B/zh
Priority to US17/416,359 priority patent/US20220077427A1/en
Publication of WO2020130760A1 publication Critical patent/WO2020130760A1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Definitions

  • the present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an organic light emitting display device and a manufacturing method thereof.
  • Electronic devices such as smart phones, digital cameras, notebook computers, navigation systems, and smart TVs that provide images to users include display devices for displaying images.
  • LCD liquid crystal display device
  • OLED organic light emitting diode display device
  • the organic light emitting display device includes an organic light emitting element that is a self-emission type element.
  • the organic light emitting device may include two opposing electrodes and an organic light emitting layer interposed therebetween. Electrons and holes provided from the two electrodes recombine in the light emitting layer to generate excitons, and the generated excitons change from an excited state to a ground state and light can be emitted.
  • the problem to be solved by the present invention is to provide a display device having a process stability of a total reflection layer disposed on a light emitting element.
  • Another problem to be solved by the present invention is to provide a method for manufacturing a display device in which process stability of a total reflection layer disposed on a light emitting device is secured.
  • a display device for solving the above problems is defined by a substrate including a plurality of pixels, a bank layer disposed on the substrate, disposed along the boundary of the pixel, and defining a light emitting area, the bank layer An organic light emitting layer disposed in the light emitting region, a thin film encapsulation layer covering the organic light emitting layer and the bank layer, a base portion disposed on the thin film encapsulation layer, and a side surface protruding in a thickness direction from the base portion and having a reverse taper angle An inorganic layer including a protruding pattern portion, a first low-refractive organic layer disposed on the base portion of the inorganic layer, wherein a side surface contacts the side surface of the protruding pattern portion, and an upper surface protrudes in a thickness direction than an upper surface of the protruding pattern portion And a first low refractive organic layer, and a high refractive organic layer covering the first low refractive organic layer and the inorganic layer
  • the display device is divided into a first region in which the bank layer is disposed and a second region in which the light emitting region is disposed, and the base portion of the inorganic layer is disposed across the first region and the second region, and the inorganic
  • the protruding pattern portion of the layer may be located in the second region, the first low-refractive organic layer may be located in the first region, and the high-refractive organic layer may be disposed across the first region and the second region.
  • the refractive index of the first low refractive organic layer may be smaller than the refractive index of the high refractive organic layer, and the refractive index of the inorganic layer may be larger than the refractive index of the high refractive organic layer.
  • the protruding pattern portion includes the same material as the base portion and may be combined without physical boundaries.
  • the first low refractive organic layer may include at least one of silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, titanium oxide, and aluminum oxide.
  • the protruding pattern portion may include a material different from the base portion and may be formed as a separate layer.
  • the first low-refractive organic layer may include a lower low-refractive organic layer contacting a side surface of the protruding pattern portion and an upper low-refractive organic layer protruding in a thickness direction than an upper surface of the protruding pattern portion.
  • the lower low-refractive organic layer includes a first tapered surface adjacent to the pixel
  • the upper low-refractive organic layer includes a second tapered surface adjacent to the pixel
  • an inclination angle of the first tapered surface is a first tapered angle.
  • the inclination angle of the second tapered surface is defined as a second taper angle
  • the first taper angle and the second taper angle may be 60 degrees to 85 degrees.
  • the second taper angle may be the same as the first taper angle.
  • the second taper angle may be different from the first taper angle.
  • the first tapered surface and the second tapered surface may be disposed on different planes.
  • the first taper angle may be 70 degrees to 75 degrees.
  • the lower low refractive organic layer may be thinner than the upper low refractive organic layer.
  • the buffer film may include the same material as the inorganic layer.
  • the touch sensor layer may be disposed in the first region.
  • the touch sensor layer may be non-overlapping with the first low refractive organic layer.
  • the touch sensor layer may include a first metal layer disposed on the buffer layer and a second metal layer disposed on the inorganic layer.
  • a second low-refractive organic layer disposed on the first region and surrounding the first low-refractive organic layer in a plane may be further included.
  • the inorganic layer may further include a second protruding pattern portion disposed between the first low refractive organic layer and the second low refractive organic layer.
  • a method of manufacturing a display device for solving the above problems is a method of manufacturing a light emitting device and a thin film encapsulation layer disposed on the light emitting device, wherein a base inorganic layer is formed on the thin film encapsulation layer.
  • Step of etching the base inorganic layer forming an inorganic layer including a base portion and a protruding pattern portion, forming a base organic layer on the inorganic layer, and etching the base organic layer to be disposed on the base portion
  • Forming a low-refractive organic layer and covering the low-refractive organic layer and forming a high-refractive organic layer having a higher refractive index than the low-refractive organic layer, wherein the protruding pattern portion protrudes in the thickness direction from the base portion and inverts the taper angle.
  • the protruding pattern portion protrudes in the thickness direction from the base portion and inverts the taper angle. It includes a side having, and the low-refractive organic layer has a side surface in contact with the side surface of the protruding pattern portion, and an upper surface protrudes in a thickness direction than an upper surface of the protruding pattern portion.
  • a display device having process stability is secured by including a protruding pattern portion supporting a side surface of the total reflection layer.
  • a method of manufacturing a display device having secured process stability may be provided by forming a protruding pattern portion supporting a side surface of the total reflection layer.
  • FIG. 1 is a perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 3 and 4 are side views of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 5 is an enlarged plan view illustrating an example of the Q1 region of FIG. 2.
  • FIG. 6 is an enlarged plan view showing another example of the Q1 region of FIG. 2.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a section cut along the line VII-VII' in FIG. 5.
  • FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view showing an example of the Q2 region of FIG. 7.
  • 9 to 11 are enlarged cross-sectional views showing another example of the Q2 region of FIG. 7.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing another example of a cross-section taken along line VII-VII' of FIG. 5.
  • FIG. 13 is an enlarged plan view showing still another example of the Q1 region of FIG. 2.
  • FIG. 14 is an enlarged plan view showing still another example of the Q1 region of FIG. 2.
  • 15 is a cross-sectional view showing an example of a cross-section taken along line XV-XV' of FIG. 13.
  • 16 is a cross-sectional view showing another example of a cross-section taken along line XV-XV' of FIG. 13.
  • FIG. 17 is an enlarged plan view showing another example of the Q1 region of FIG. 2.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing an example of a cross-section taken along line XVIII-XVIII' of FIG. 17.
  • 19 is a cross-sectional view showing another example of a cross-section taken along line XVIII-XVIII' of FIG. 17.
  • FIG. 20 is an enlarged plan view showing still another example of the Q1 region of FIG. 2.
  • 21 is a cross-sectional view showing an example of a cross-section taken along line XXI-XXI' of FIG. 20.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing another example of a cross-section taken along line XXI-XXI' of FIG. 20.
  • FIG. 23 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
  • 24 to 31 are cross-sectional views taken along line VII-VII' of FIG. 5 sequentially illustrating a method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 32 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device according to another exemplary embodiment.
  • An element or layer being referred to as the'on' of another element or layer includes all cases in which another layer or other element is interposed immediately above or in between. On the other hand, when the device is referred to as'directly on', it indicates that there is no other device or layer interposed therebetween.
  • the same reference numerals refer to the same components throughout the specification.
  • first, second, third, fourth, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another component. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be any one of the second component, the third component, and the fourth component within the technical spirit of the present invention.
  • Embodiments described herein will be described with reference to plan and cross-sectional views, which are ideal schematic views of the present invention. Therefore, the shape of the exemplary diagram may be modified by manufacturing technology and/or tolerance. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific shapes shown, but also include changes in shapes generated according to the manufacturing process. Accordingly, the regions illustrated in the figures have schematic properties, and the shapes of the regions illustrated in the figures are intended to illustrate a particular form of region of the device, and are not intended to limit the scope of the invention.
  • 1 is a perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 2 is a plan view of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 3 and 4 are side views of a display device according to an exemplary embodiment.
  • the display device 10 is a device that displays a video or a still image, and includes a mobile phone, a smart phone, a tablet personal computer (PC), and a smart watch and watch phone.
  • portable electronic devices such as phones, mobile communication terminals, electronic notebooks, e-books, portable multimedia players (PMPs), navigation, and Ultra Mobile PCs (UMPCs), as well as televisions, laptops, monitors, billboards, and the Internet of Things , IOT).
  • the display device 10 may be any one of an organic light emitting display device, a liquid crystal display device, a plasma display device, a field emission display device, an electrophoretic display device, an electrowetting display device, a quantum dot light emitting display device, and a micro LED display device. .
  • the display device 10 is an organic light emitting display device, but the present invention is not limited thereto.
  • the display device 10 includes a display panel 100, a display driving circuit 200, a circuit board 300, and a touch driving circuit 400.
  • the display panel 100 may include a main area MA and a protruding area PA protruding from one side of the main area MA.
  • the main region MA may be formed as a rectangular plane having a short side in a first direction (X-axis direction) and a long side in a second direction (Y-axis direction) intersecting the first direction (X-axis direction).
  • the corner where the short side in the first direction (X-axis direction) and the long side in the second direction (Y-axis direction) meet may be rounded or formed at a right angle to have a predetermined curvature.
  • the planar shape of the display device 10 is not limited to a square, and may be formed in another polygon, circular shape, or oval shape.
  • the main region MA may be formed flat, but is not limited thereto, and may include a curved portion formed at left and right ends.
  • the curved portion may have a constant curvature or a changing curvature.
  • the main area MA may include a display area DA in which pixels are formed to display an image, and a non-display area NDA that is a peripheral area of the display area DA.
  • scan lines, data lines, and power lines connected to the pixels may be disposed in the display area DA.
  • the display area DA may be disposed on the curved portion. In this case, an image of the display panel 100 can be seen even on the curved portion.
  • the non-display area NDA may be defined as an area from the outside of the display area DA to the edge of the display panel 100.
  • a scan driver for applying scan signals to scan lines, and link lines connecting the data lines and the display driving circuit 200 may be disposed.
  • the protruding area PA may protrude from one side of the main area MA.
  • the protruding area PA may protrude from the lower side of the main area MA, as shown in FIG. 2.
  • the length of the first area (X-axis direction) of the protruding area PA may be smaller than the length of the first area (X-axis direction) of the main area MA.
  • the protruding area PA may include a bending area BA and a pad area PDA.
  • the pad area PDA may be disposed on one side of the bending area BA, and the main area MA may be disposed on the other side of the bending area BA.
  • the pad area PDA may be disposed under the bending area BA, and the main area MA may be disposed above the bending area BA.
  • the display panel 100 may be flexibly formed to bend, bend, bend, fold, or curl. Therefore, the display panel 100 may be bent in the thickness direction (Z-axis direction) in the bending area BA.
  • one surface of the pad area PDA of the display panel 100 faces upward before the display panel 100 is bent as shown in FIG. 3, but is displayed after the display panel 100 is bent as shown in FIG. 4.
  • One surface of the pad area PDA of the panel 100 is directed downward. For this reason, since the pad area PDA is disposed under the main area MA as shown in FIG. 4, it may overlap the main area MA.
  • Pads electrically connected to the display driving circuit 200 and the circuit board 300 may be disposed in the pad area PDA of the display panel 100.
  • the display driving circuit 200 outputs signals and voltages for driving the display panel 100.
  • the display driving circuit 200 may supply data voltages to data lines.
  • the display driving circuit 200 may supply a power voltage to the power line, and supply scan control signals to the scan driver.
  • the display driving circuit 200 is formed of an integrated circuit (IC) to display the panel 100 in the pad area PDA using a chip on glass (COG) method, a chip on plastic (COP) method, or an ultrasonic bonding method. It may be mounted on, but is not limited to.
  • the display driving circuit 200 may be mounted on the circuit board 300.
  • the pads may include display pads electrically connected to the display driving circuit 200 and touch pads electrically connected to touch lines.
  • the circuit board 300 may be attached on pads using an anisotropic conductive film. Due to this, the lead lines of the circuit board 300 can be electrically connected to the pads.
  • the circuit board 300 may be a flexible film such as a flexible prinited circuit board, a printed circuit board, or a chip on film.
  • the touch driving circuit 400 may be connected to touch electrodes of the touch sensor layer TSL of the display panel 100.
  • the touch driving circuit 400 applies driving signals to the touch electrodes of the touch sensor layer TSL and measures the capacitance values of the touch electrodes.
  • the driving signal may be a signal having a plurality of driving pulses.
  • the touch driving circuit 400 may not only determine whether a touch is input according to the capacitance values, but may also calculate touch coordinates to which the touch is input.
  • the touch driving circuit 400 may be disposed on the circuit board 300.
  • the touch driving circuit 400 may be formed of an integrated circuit (IC) and mounted on the circuit board 300.
  • IC integrated circuit
  • FIG. 5 is an enlarged plan view illustrating an example of the Q1 region of FIG. 2.
  • 6 is an enlarged plan view showing another example of the Q1 region of FIG. 2.
  • 7 is a cross-sectional view showing an example of a section cut along the line VII-VII' in FIG. 5.
  • 8 is an enlarged cross-sectional view showing an example of the Q2 region of FIG. 7.
  • 9 to 11 are enlarged cross-sectional views showing another example of the Q2 region of FIG. 7.
  • 12 is a cross-sectional view showing another example of a cross-section taken along line VII-VII' of FIG. 5.
  • the display area DA includes a plurality of pixels P.
  • Each pixel includes a light emitting area EMA.
  • a non-emission area NEM is disposed between the emission areas EMA of each pixel.
  • the pixel P may include a first color pixel, a second color pixel, and a third color pixel.
  • Each color pixel can be arranged in various ways.
  • the first color pixels (eg, red pixels) and the second color pixels (eg, blue pixels) are alternately arranged in a first row along the first direction (x), and a second row adjacent thereto
  • the third color pixels (eg, green pixels) may be arranged along the first direction x. Pixels belonging to the second row may be alternately arranged in a first direction (x) with respect to pixels belonging to the first row.
  • the number of third color pixels belonging to the second row may be twice the number of first color pixels or second color pixels belonging to the first row.
  • the arrangement of the first row and the second row may be repeated along the second direction (y).
  • the first color pixel may be a red sub-pixel R
  • the second color pixel may be a blue sub-pixel B
  • the third color pixel may be a green sub-pixel G.
  • One red sub-pixel R, one blue sub-pixel B, and two green sub-pixels G may be defined as one pixel P.
  • the emission area EMA includes an emission area EMA_R of the first color pixel, an emission area EMA_B of the second color pixel, and an emission area EMA_G of the third color pixel, and an emission area within each color pixel (
  • the size of EMA) can be different.
  • the emission area EMA_R of the first color pixel is larger than the emission area EMA_B of the second color pixel
  • the emission area EMA_G of the third color pixel is the emission area EMA_B of the second color pixel. It may be smaller than the size, but is not limited thereto, and the emission area EMA_G of the third color pixel may be greater than the emission area EMA_B of the second color pixel.
  • the size of each light emitting area EMA may be the same.
  • each light emitting area EMA is a rhombus
  • the shape of the light emitting area EMA of each color pixel may vary.
  • the shape of each light emitting area EMA may be an octagon, a circular or other polygon, or a polygon with rounded corners.
  • the display area DA may further include a total reflection layer (“TRL” in FIG. 7) that surrounds each emission area EMA and improves light emission efficiency to the outside.
  • the total reflection layer (TRL) includes the inorganic layer 170, the low-refractive organic layer 180, and the high-refractive organic layer 190. Can be reflected.
  • the low-refractive organic layer 180 may be disposed in correspondence with each light emitting area EMA, as illustrated in FIG. 5, but is not limited thereto.
  • the low refractive organic layer 180 ′ may extend over the non-emission region NEM and be formed as a whole.
  • the low-refractive organic layer 180 ′ may have an opening formed in an area corresponding to each emission area EMA to expose each of the sub-pixels R, G, and B.
  • the display panel 100 includes a substrate SUB and a thin film transistor layer TFTL sequentially disposed on the substrate SUB, a light emitting device layer EML, an encapsulation layer 160, and a total reflection layer TRL. .
  • the substrate SUB may be made of an insulating material such as glass, quartz, or polymer resin.
  • polymer materials include polyethersulphone (PES), polyacrylate (PA), polyarylate (PAR), polyetherimide (PEI), and polyethylene napthalate (PEN).
  • PET polyethylene terepthalate
  • PPS polyphenylene sulfide
  • PI polyimide
  • PC polycarbonate
  • CAT cellulose triacetate
  • CAP cellulose acetate propionate
  • the substrate SUB may include a metal material.
  • the substrate SUB may be a rigid substrate or a flexible substrate capable of bending, folding, rolling, or the like.
  • the substrate SUB may be formed of polyimide (PI), but is not limited thereto.
  • a thin film transistor layer TFTL is formed on the substrate SUB.
  • the thin film transistor layer TFTL includes a plurality of thin film transistors 110, a gate insulating film 121, an interlayer insulating film 122, a protective film 123, and a planarization film 130.
  • a first buffer layer BF1 may be formed on one surface of the substrate SUB.
  • the first buffer film BF1 is on one surface of the substrate SUB to protect the thin film transistor 110 and the organic light emitting layer 142 of the light emitting device layer EML from moisture penetrating through the substrate SUB which is vulnerable to moisture permeation. Can be formed on.
  • the first buffer layer BF1 may be formed of a plurality of inorganic layers alternately stacked.
  • the first buffer film BF1 may be formed of a multi-layer film in which one or more inorganic films of a silicon nitride layer, a silicon oxy nitride layer, a silicon oxide layer, a titanium oxide layer, and an aluminum oxide layer are alternately stacked. have.
  • the first buffer layer BF1 may be omitted.
  • the thin film transistor 110 is formed on the first buffer layer BF1.
  • the thin film transistor 110 includes an active layer 111, a gate electrode 112, a source electrode 113 and a drain electrode 114.
  • FIG. 7 illustrates that the thin film transistor 110 is formed by an upper gate (top gate) method in which the gate electrode 112 is positioned on the active layer 111
  • the present invention is not limited thereto. That is, the thin film transistors 110 have a lower gate (bottom gate, bottom gate) method in which the gate electrode 112 is positioned below the active layer 111, or the gate electrode 112 has upper and lower portions of the active layer 111. It may be formed by a double gate (double gate) method that is located in all.
  • the active layer 111 is formed on the buffer film.
  • the active layer 111 may include polycrystalline silicon, monocrystalline silicon, low temperature polycrystalline silicon, amorphous silicon, or oxide semiconductor.
  • oxide semiconductors include indium, zinc, gallium, tin, titanium, aluminum, hafnium (Hf), zirconium (Zr), and magnesium (Mg).
  • It may include a four-component compound (ABxCyDz).
  • the active layer 111 may include ITZO (oxide containing indium, tin, and titanium) or IGZO (oxide including indium, gallium, and tin).
  • a light blocking layer for blocking external light entering the active layer 111 may be formed between the buffer layer and the active layer 111.
  • a gate insulating layer 121 may be formed on the active layer 111.
  • the gate insulating layer 121 may be formed of an inorganic layer, for example, a silicon nitride layer, a silicon oxy nitride layer, a silicon oxide layer, a titanium oxide layer, or an aluminum oxide layer.
  • a gate electrode 112 and a gate line may be formed on the gate insulating layer 121.
  • the gate electrode 112 and the gate line are any of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be formed of a single layer or multiple layers of one or alloys thereof.
  • An interlayer insulating layer 122 may be formed on the gate electrode 112 and the gate line.
  • the interlayer insulating film 122 may be formed of an inorganic film, for example, a silicon nitride layer, a silicon oxy nitride layer, a silicon oxide layer, a titanium oxide layer, or an aluminum oxide layer.
  • the source electrode 113 and the drain electrode 114 may be formed on the interlayer insulating layer 122. Each of the source electrode 113 and the drain electrode 114 may be connected to the active layer 111 through a contact hole passing through the gate insulating layer 121 and the interlayer insulating layer 122.
  • the source electrode 113 and the drain electrode 114 are molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu) ) May be formed of a single layer or multiple layers of any one or alloys thereof.
  • a protective layer 123 for insulating the thin film transistor 110 may be formed on the source electrode 113 and the drain electrode 114.
  • the protective layer 123 may be formed of an inorganic layer, for example, a silicon nitride layer, a silicon oxy nitride layer, a silicon oxide layer, a titanium oxide layer, or an aluminum oxide layer.
  • a planarization layer 130 may be formed on the passivation layer 123 to flatten the step due to the thin film transistor 110.
  • the planarization film 130 may be formed of an organic film such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin. have.
  • the light emitting device layer EML is formed on the thin film transistor layer TFTL.
  • the light emitting device layer EML includes the light emitting devices 140 and the bank layer 150.
  • the light emitting devices 140 and the bank layer 150 are formed on the planarization layer 130.
  • Each of the light emitting devices 140 may include a first electrode 141, an organic light emitting layer 142, and a second electrode 143.
  • the first electrode 141 may be formed on the planarization layer 130.
  • the first electrode 141 is connected to the source electrode 113 of the thin film transistor 110 through a contact hole passing through the passivation layer 123 and the planarization layer 130.
  • the first electrode 141 is a stacked structure of aluminum and titanium (Ti/Al/Ti), aluminum and ITO It may be formed of a metal material having a high reflectance, such as a laminated structure (ITO/Al/ITO), APC alloy, and a laminated structure (ITO/APC/ITO) of APC alloy and ITO.
  • APC alloys are alloys of silver (Ag), palladium (Pd), and copper (Cu).
  • the first electrode 141 is a transparent metal material (TCO, Transparent) such as ITO or IZO that can transmit light.
  • TCO transparent metal material
  • Conductive Material or a semi-transmissive conductive material such as magnesium (Mg), silver (Ag), or an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag).
  • Mg magnesium
  • Ag silver
  • Au alloy of magnesium
  • silver silver
  • Ag silver
  • the bank layer 150 may be formed to partition the first electrode 141 on the planarization layer 130 to serve as a bank layer defining each sub-pixel (R, G, B).
  • the bank layer 150 may be formed to cover the edge of the first electrode 141.
  • the bank layer 150 may be formed of an organic film such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin. have.
  • Each of the sub-pixels R, G, and B includes a first electrode 141, an organic emission layer 142, and a second electrode 143 sequentially stacked to form holes and a second electrode from the first electrode 141 ( Electrons from 143) are combined with each other in the organic light emitting layer 142 to indicate a region emitting light.
  • the organic emission layer 142 is formed on the first electrode 141 and the bank layer 150.
  • the organic emission layer 142 may emit a predetermined color by including an organic material.
  • the organic emission layer 142 may include a hole transporting layer, an organic material layer, and an electron transporting layer.
  • the organic emission layer 142 of the red sub-pixel R emits red light
  • the organic emission layer 142 of the green sub-pixel G emits green light
  • the organic emission layer of the blue sub-pixel B 142 may emit blue light.
  • the present invention is not limited thereto, and the organic emission layers 142 of the sub-pixels R, G, and B emit white light, and the red sub-pixel R further includes a red color filter layer, and the green sub-pixel G May further include a green color filter layer, and the blue sub-pixel B may further include a blue color filter layer.
  • the second electrode 173 is formed on the organic emission layer 142.
  • the second electrode 173 may be formed to cover the organic emission layer 142.
  • the second electrode 173 may be a common layer formed in common with the pixels P.
  • a capping layer protecting the second electrode 173 may be further formed on the second electrode 173.
  • the second electrode 173 is a transparent metal material (TCO, Transparent Conductive Material) such as ITO, IZO, or magnesium (Mg), silver (Ag), or magnesium (Mg), which can transmit light. It may be formed of a semi-transmissive conductive material such as an alloy of silver (Ag). When the second electrode 173 is formed of a semi-transmissive metal material, light emission efficiency may be increased by a micro cavity.
  • TCO Transparent Conductive Material
  • ITO In the upper light emitting structure, the second electrode 173 is a transparent metal material (TCO, Transparent Conductive Material) such as ITO, IZO, or magnesium (Mg), silver (Ag), or magnesium (Mg), which can transmit light. It may be formed of a semi-transmissive conductive material such as an alloy of silver (Ag).
  • a thin film encapsulation layer 160 is formed on the light emitting element layer EML. It includes a thin film encapsulation layer 160.
  • the thin film encapsulation layer 160 is disposed on the second electrode 173.
  • the thin film encapsulation layer 160 may include at least one inorganic layer to prevent oxygen or moisture from penetrating into the organic emission layer 142 and the second electrode 173.
  • the thin film encapsulation layer 160 may include at least one organic layer to protect the light emitting device layer EML from foreign substances such as dust.
  • the thin film encapsulation layer 160 includes a first encapsulation inorganic film disposed on the second electrode 173, an encapsulation organic film disposed on the first encapsulation inorganic film, and a second encapsulation disposed on the encapsulation organic film. It may include an inorganic film.
  • the first encapsulation inorganic film and the second encapsulation inorganic film may be formed of a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, a silicon oxide layer, a titanium oxide layer, or an aluminum oxide layer, but are not limited thereto.
  • the encapsulation organic film may be formed of an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin, but is not limited thereto. .
  • the total reflection layer TRL may be disposed on the thin film encapsulation layer 160.
  • the total reflection layer TRL includes an inorganic layer 170 and a low refractive organic layer 180 and a high refractive organic layer 190 disposed on the inorganic layer 170.
  • the inorganic layer 170 may include a base portion disposed on the thin film encapsulation layer 160 and a protruding pattern portion 170p protruding in a thickness direction from the base portion.
  • the second buffer layer BF2 may be generally formed on the thin film encapsulation layer 160.
  • the second buffer layer BF2 is disposed directly on the thin film encapsulation layer 160 to more securely protect the organic light emitting layer 142 from moisture penetrating from the outside and provide a space in which the total reflection layer TRL described above is disposed. have.
  • a space in which the touch sensor layer is disposed may be provided. An embodiment in which the touch sensor layer is further disposed will be described later with reference to FIGS. 17 to 22.
  • the second buffer layer BF2 may be formed of a single layer including an inorganic material.
  • the second buffer film BF2 may be formed of a single film including any one of silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, titanium oxide, and aluminum oxide.
  • the second buffer film BF2 includes silicon nitride, and may be formed to a thickness of approximately 2000 MPa.
  • the present invention is not limited thereto, and in some embodiments, the second buffer film BF2 may be formed of a multi-layer film made of a plurality of inorganic materials or omitted.
  • An inorganic layer 170 including a protruding pattern portion 170p may be disposed on the second buffer layer BF2.
  • the inorganic layer 170 may be generally formed on the second buffer layer BF2 to cover the thin film encapsulation layer 160.
  • the inorganic layer 170 serves as an insulating layer that insulates the first metal layer and the second metal layer included in the touch sensor layer. Can.
  • the inorganic layer 170 may be formed with a contact hole penetrating the inorganic layer 170 to expose the first metal layer.
  • the inorganic layer 170 may be formed of a single film containing an inorganic material.
  • the inorganic layer 170 may be formed of a single film including any one of silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, titanium oxide, and aluminum oxide.
  • the inorganic layer 170 includes silicon nitride and may be formed to a thickness of 3000 mm 3 in regions excluding the protruding pattern portions 170s.
  • the present invention is not limited thereto, and in some embodiments, the inorganic layer 170 may be formed of a multi-layer made of a plurality of inorganic materials or omitted.
  • the protruding pattern portion 170p may be a supporting layer for securing process stability when forming the low-refractive organic layer 180 to be described later. Specifically, when the low-refractive organic layer 180 is formed, the protruding pattern portion 170p may support the side surface of the low-refractive organic layer 180 so that the shape of the low-refractive organic layer 180 does not collapse during a photolithography process. have. When the protruding pattern portion 170p is not disposed, undercut may occur in the lower portion of the low-refractive organic layer 180 or a residual film may be generated in the process of photolithography, thereby deteriorating processability.
  • Both sides of the protruding pattern portion 170p may have an inverted taper shape in general, and at least a portion of the total reflection surface of the low-refractive organic layer 180 may be supported to have an inclined surface. That is, the cross-sectional shape of the protruding pattern portion 170p may be an inverted trapezoid, but is not limited thereto, and may be a shape including a triangle and various polygons or curved surfaces. The shape of the low-refractive organic layer 180 disposed on the protruding pattern portion 170p may be varied according to the cross-sectional shape of the protruding pattern portion 170p.
  • the protruding pattern portion 170p may generally overlap the light emitting region EMA and the substrate SUB in a direction perpendicular to it.
  • the width of the protruding pattern portion 170p may be the same as the width of the light emitting region EMA or greater than the width of the light emitting region EMA.
  • the protruding pattern portion 170p may overlap at least a portion of the non-emission area NEM.
  • the inorganic layer 170 may further include a protruding pattern portion 170p that is also disposed entirely on the non-emission area NEM.
  • the protruding pattern portion 170p may be formed in various ways.
  • the protruding pattern portion 170p may be a portion formed by thickly stacking the inorganic layer 170 and removing a portion of the inorganic layer 170 so that the region overlapped with the light emitting region protrudes.
  • the protruding pattern portion 170p may be a portion protruding from the upper surface of the inorganic layer 170, and the inorganic layer 170 and the protruding pattern portion 170p may be in contact with each other without physical boundaries.
  • the protruding pattern portion 170p may be formed as a separate layer from the inorganic layer 170.
  • the protruding pattern portion 170p When the protruding pattern portion 170p is formed by removing a portion of the inorganic layer 170, the protruding pattern portion 170p may include the same material as the inorganic layer 170. That is, the protruding pattern portion 170p may be formed of a single film containing an inorganic material.
  • the example of the inorganic material may be the same as the example of the inorganic material included in the inorganic layer 170, and a detailed description thereof will be omitted.
  • the protruding pattern portion 170p may be formed to a thickness of 1000 mm to 5000 mm from the top surface of the inorganic layer 170 on which the protruding pattern portion 170p is not formed, but is not limited thereto and may have a thicker thickness. In one embodiment, the protruding pattern portion 170p may have a thickness of approximately 2000 mm 2 from the top surface of the inorganic layer 170. That is, the maximum thickness of the inorganic layer 170 may be 4000 mm 2 to 8000 mm 2.
  • the protruding pattern portion 170p may be formed as a separate layer from the inorganic layer 170.
  • 12 illustrates that the protruding pattern portion 170p_1 is formed as a separate layer on the inorganic layer 170_1.
  • the inorganic layer 170_1 may be disposed to have a substantially uniform thickness along the surface of the second buffer layer BF2, and the protruding pattern portion 170p_1 may be disposed as a separate layer so as to overlap the light emitting area EMA. Can be.
  • the thickness of the protruding pattern portion 170p_1 can be freely adjusted, and the protruding pattern portion 170p_1 has a different weapon from the inorganic layer 170_1. It can be formed of materials. Accordingly, the shape of the low-refractive organic layer 180 disposed on the inorganic layer 170_1 and the protruding pattern portion 170p_1 may be more variously designed.
  • the low-refractive organic layer 180 and the high-refractive organic layer 190 may be disposed on the inorganic layer 170.
  • the low-refractive organic layer 180 is disposed adjacent to the light-emitting region EMA, and can emit light toward the outside of the light emitted from the light-emitting region EMA upward.
  • the low refractive organic layer 180 may have a lower refractive index than the inorganic layer 170 described above and the high refractive organic layer 190 to be described later.
  • the refractive index of the inorganic layer 170 may be 1.89
  • the refractive index of the low-refractive organic layer 180 may be 1.51.
  • the low-refractive organic layer 180 may include a total reflection surface 180tr having a slope at a side adjacent to the emission area EMA.
  • the light L incident on the total reflection surface 180tr is reflected and may be emitted upward.
  • the low-refractive organic layer 180 is disposed adjacent to the light-emitting region EMA, and may be arranged to be non-overlapping in a direction perpendicular to the light-emitting region EMA and the substrate SUB, and the non-light-emitting region NEM ).
  • the low-refractive organic layer 180 is non-overlapping with the light-emitting region EMA, the light-emitting efficiency is not reduced because the light-emitting path in the light-emitting region EMA is not blocked, and light directed toward the outside can be effectively emitted upward.
  • the low refractive organic layer 180 may include an organic material.
  • the low-refractive organic layer 180 is an organic material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin. It may be formed of a single film containing a material, but is not limited thereto. In one embodiment, the low-refractive organic layer 180 may be formed of an acrylic transparent organic film to a thickness of approximately 3 ⁇ m.
  • FIGS. 8 to 11 will be described in conjunction.
  • the low refractive organic layer 180 is disposed on the inorganic layer 170
  • the high refractive organic layer 190 is disposed on the low refractive organic layer 180.
  • the low refractive organic layer 180 may include a lower low refractive organic layer 180p and an upper low refractive organic layer 180q.
  • the lower low-refractive organic layer 180p is a portion supported by the protruding pattern portion 170p of the inorganic layer 170
  • the upper low-refractive organic layer 180q is a portion not supported by the protruding pattern portion 170p.
  • At least a portion of the lower low-refractive organic layer 180p may be disposed in the protection region sa, which is a region supported by the side surfaces 170ps of the protruding pattern portion 170p.
  • the lower low-refractive organic layer 180p is protected by the protection region sa, and for example, it is possible to minimize the occurrence of undercut or residual film that may occur when the organic material is formed on the inorganic material. That is, process stability may be improved when the low refractive organic layer 180 is formed.
  • the shape of the low-refractive organic layer 180 can be maintained without collapsing even when the low-refractive organic layer 180 receives an external force in a later process after the low-refractive organic layer 180 is formed, and thus the reliability of optical properties can be improved.
  • the lower low-refractive organic layer 180p may include a first tapered surface 180ps that contacts the side surface 170ps of the protruding pattern portion 170p.
  • the first tapered surface 180ps may form a first tapered angle ⁇ 1 with the bottom surface of the lower low-refractive organic layer 180p.
  • the first taper angle ⁇ 1 is 60° to 85° in order for the first tapered surface 180ps to effectively reflect the light emitted from the light emitting device 140, and preferably 70° to 75°.
  • the upper low refractive organic layer 180q may include a second tapered surface 180qs contacting the high refractive organic layer 190.
  • the second tapered surface 180qs may form an extension line of the upper surface of the protruding pattern portion 170p and a second taper angle ⁇ 2.
  • the second taper angle ⁇ 2 is also 60° to 85° like the first taper angle ⁇ 1, and may preferably be 70° to 75°.
  • the first taper angle ⁇ 1 and the second taper angle ⁇ 2 may be the same, but are not limited thereto.
  • the first taper angle ⁇ 1 of the lower low-refractive organic layer 180p may be determined by the protruding pattern portion 170p of the inorganic layer 170, and the second taper angle ⁇ 2 of the upper low-refractive organic layer 180q ) May be different depending on the formation process of the low-refractive organic layer 180. That is, the second taper angle ⁇ 2 may be different from the first taper angle ⁇ 1.
  • 9 and 10 illustrate a structure in which the second taper angle ⁇ 2 is different from the first taper angle ⁇ 1.
  • the upper low-refractive organic layer 180qa of FIG. 9 includes a second tapered surface 180qas where the second taper angle ⁇ 2a is smaller than the first taper angle ⁇ 1. Since the second tapered surface 180qas has a smaller inclination than the first tapered surface 180ps, light having a larger incident angle of incident light than the first tapered surface 180ps can be totally reflected and emitted upward.
  • the upper low-refractive organic layer 180qb of FIG. 10 includes a second tapered surface 180qbs where the second taper angle ⁇ 2b is greater than the first taper angle ⁇ 1. Since the second tapered surface 180qbs has a greater inclination than the first tapered surface 180ps, even though light having a smaller incident angle of incident light than the first tapered surface 180ps is incident, it can be totally reflected and emitted upward.
  • the incident light having various incidence angles is compared to the case where the inclinations are the same. Can be lighted.
  • the first tapered surface 180ps of the lower low-refractive organic layer 180p and the second tapered surface 180qs of the upper low-refractive organic layer 180q may constitute the total reflection surface 180tr of the low-refractive organic layer 180 described above. have.
  • the first tapered surface 180ps of the lower low-refractive organic layer 180p and the second tapered surface 180qs of the upper low-refractive organic layer 180q may have one end in contact with each other, as illustrated in FIGS. 8 to 10. , It may not be in contact with each other. That is, the first tapered surface 180ps and the second tapered surface 180qs may not be aligned with each other.
  • FIG. 11 illustrates a structure in which the first tapered surface 180ps of the lower low-refractive organic layer 180p and the second tapered surface 180qcs of the upper low-refractive organic layer 180qc are not aligned with each other. If the upper low-refractive organic layer 180qc is not sufficiently removed during the process of forming the low-refractive organic layer 180c, the second tapered surface 180qcs may protrude outward as in the embodiment of FIG. 11. However, the second tapered surface 180qcs is not limited to the case where it projects outward than the first tapered surface 180ps, and the second tapered surface 180qcs is the first tapered according to the process of forming the low-refractive organic layer 180c. It may be indented inward than the surface (180ps).
  • the second taper angle ⁇ 2c of the second taper surface 180qcs may be the same as the first taper angle ⁇ 1, but may be different from each other as illustrated in FIGS. 9 and 10. .
  • the low-refractive organic layer 180 has the same angle as the first taper angle ⁇ 1 and the second taper angle ⁇ 2, as shown in the structure illustrated in FIG. 8, and the first tapered surface 180ps and the second tapered surface It will be described that (180qs) is a structure that is aligned with each other. However, the structures illustrated in FIGS. 9 to 11 may also be applied to all embodiments to be described later.
  • a high refractive organic layer 190 may be disposed on the inorganic layer 170 and the low refractive organic layer 180.
  • the high refractive organic layer 190 may be formed to cover the inorganic layer 170 and the low refractive organic layer 180 to planarize the total reflection layer TRL disposed on the thin film encapsulation layer 160.
  • the high refractive organic layer 190 may be formed of a material having a higher refractive index than the low refractive organic layer 180.
  • the refractive index of the low refractive organic layer 180 may be 1.51
  • the refractive index of the high refractive organic layer 180 may be 1.65. That is, the light incident on the interface between the high refractive organic layer 190 and the low refractive organic layer 180 may be totally reflected and emitted to the upper side.
  • the high refractive organic layer 190 may include an organic material.
  • the high-refractive organic layer 190 is made of an organic material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin. Although it may be formed of a single film containing, if it is an organic material having a higher refractive index than the low-refractive organic layer 180 is not limited thereto.
  • the high refractive organic layer 190 may be formed to a thickness of 5 ⁇ m or more from the top surface of the inorganic layer 170. That is, the high refractive organic layer 190 may be formed thicker than the low refractive organic layer 180.
  • the low-refractive organic layer 180_2 includes the first low-refractive organic layer 181_2 and the second low-refractive organic layer 182_2. .
  • the differences from the above-described embodiment will be mainly described.
  • 13 is an enlarged plan view showing still another example of the Q1 region of FIG. 2.
  • 14 is an enlarged plan view showing still another example of the Q1 region of FIG. 2.
  • 15 is a cross-sectional view showing an example of a cross-section taken along line XV-XV' of FIG. 13.
  • 16 is a cross-sectional view showing another example of a cross-section taken along line XV-XV' of FIG. 13.
  • the display area DA includes a plurality of pixels P, and each pixel includes a light emitting area EMA.
  • a non-emission area NEM is disposed between the emission areas EMA of each pixel.
  • the display area DA may further include a total reflection layer (“TRL” in FIG. 15) that surrounds each emission area EMA and improves light emission efficiency to the outside.
  • the total reflection layer (TRL) includes the inorganic layer 170_2, the low-refractive organic layer 180_2, and the high-refractive organic layer 190, and proceeds toward the outside of the light emitted from the light emitting region EMA upward. Can be reflected.
  • the low refractive organic layer 180_2 may include a first low refractive organic layer 181_2 and a second low refractive organic layer 182_2.
  • the first low-refractive organic layer 181_2 and the second low-refractive organic layer 182_2 are disposed to surround the light emitting region EMA in a plane, and the first low-refractive organic layer 181_2 is the second low-refractive organic layer 182_2. It can be arranged inside.
  • the first low refractive organic layer 181_2 and the second low refractive organic layer 182_2 may be physically spaced apart from each other.
  • the second low-refractive organic layer 182_2 may be disposed in correspondence with each light emitting area EMA, as illustrated in FIG. 13, but is not limited thereto.
  • the low-refractive organic layer 180_2 includes a first low-refractive organic layer 181_2 and a second low-refractive organic layer 182_2', and the second low-refractive organic layer 182_2'
  • the non-emission region NEM may extend and be formed as a whole.
  • the low-refractive organic layer 180_2 ′ may have openings formed in regions corresponding to the light emitting regions EMA to expose each of the sub-pixels R, G, and B.
  • the total reflection layer TRL may be disposed on the thin film encapsulation layer 160.
  • the total reflection layer TRL includes an inorganic layer 170_2 and a low refractive organic layer 180_2 and a high refractive organic layer 190 disposed on the inorganic layer 170_2.
  • the inorganic layer 170_2 may include a base portion disposed on the thin film encapsulation layer 160 and a protruding pattern portion 170p_2 protruding in a thickness direction from the base portion.
  • the protruding pattern portion 170p_2 may include a first protruding pattern portion 171p_2 and a second protruding pattern portion 172p_2.
  • the low refractive organic layer 180_2 may include a first low refractive organic layer 181_2 and a second low refractive organic layer 182_2.
  • the inorganic layer 170_2 may be formed on the second buffer layer BF2 to cover the thin film encapsulation layer 160.
  • the protruding pattern portion 170p_2 may be a supporting layer for securing process stability when the low-refractive organic layer 180_2 is formed. Specifically, when forming the low-refractive organic layer 180_2, the protruding pattern portion 170p_2 may support the shape of the low-refractive organic layer 180_2 not to collapse during a photolithography process.
  • the first protruding pattern portion 171p_2 supports the total reflection surface 181_2tr of the first low refractive organic layer 181_2, and the second protruding pattern portion 172p_2 includes the total reflection surface 182_2tr of the second low refractive organic layer 182_2. Can support.
  • Both sides of the protruding pattern portion 170p_2 may have an inverted taper shape, and at least a portion of the total reflection surface of the low-refractive organic layer 180_2 may be supported to have an inclined surface.
  • the cross-sectional shape of the protruding pattern portion 170p_2 may be an inverted trapezoid, but is not limited thereto, and may be a shape including a triangle and various polygons or curved surfaces.
  • the shape of the low-refractive organic layer 180_2 disposed on the protruding pattern portion 170p_2 may be varied according to the cross-sectional shape of the protruding pattern portion 170p_2.
  • the first protruding pattern portion 171p_2 is disposed inside the first low-refractive organic layer 181_2, and may be generally overlapped in a direction perpendicular to the light emitting region EMA and the substrate SUB.
  • the width of the first protruding pattern portion 171p_2 may be the same as the width of the light emitting region EMA or greater than the width of the light emitting region EMA.
  • the first protrusion pattern portion 171p_2 may overlap at least a portion of the non-emission region NEM.
  • the second protruding pattern portion 172p_2 is disposed between the first low-refractive organic layer 181_2 and the second low-refractive organic layer 182_2 and may be disposed on the non-emission area NEM.
  • the inorganic layer 170_2 may further include a third protruding pattern portion disposed between the second low-refractive organic layers 182_2 and disposed entirely on the non-emission region NEM.
  • the first protruding pattern portion 171p_2 and the second protruding pattern portion 172p_2 may be formed to a thickness of 1000 mm to 5000 mm from the upper surface of the inorganic layer 170_2, but are not limited thereto and may have a thicker thickness.
  • the first protruding pattern portion 171p_2 and the second protruding pattern portion 172p_2 may have the same thickness as each other, but may have different thicknesses in other embodiments.
  • the protruding pattern portion 170p_3 is formed as a separate layer on the inorganic layer 170_3.
  • the protruding pattern portion 170p_3 includes a first protruding pattern portion 171p_3 and a second protruding pattern portion 172p_3.
  • 16 illustrates that both the first protruding pattern portion 171p_3 and the second protruding pattern portion 172p_3 are formed of a separate layer from the inorganic layer 170_3, but are not limited thereto.
  • one of the first protruding pattern portion 171p_3 and the second protruding pattern portion 172p_3 may be formed as a separate layer from the inorganic layer 170_3 and the other may be formed extending from the inorganic layer 170_3. .
  • the inorganic layer 170_3 may be disposed to have a substantially uniform thickness along the surface of the second buffer layer BF2.
  • the protruding pattern portion 170p_3 may be formed of a different material from the inorganic layer 170_3, and the thickness of the protruding pattern portion 170p_3 can be freely adjusted. Accordingly, the shapes of the low-refractive organic layer 180_3 disposed on the inorganic layer 170_3 and the protruding pattern portion 170p_3 may be designed in more various ways.
  • a low refractive organic layer 180_2 and a high refractive organic layer 190 may be disposed on the inorganic layer 170_2.
  • the low refractive organic layer 180_2 may include a first low refractive organic layer 181_2 and a second low refractive organic layer 182_2.
  • the low-refractive organic layer 180_2 is disposed adjacent to the light-emitting region EMA and can emit light outwardly from the light-emitting region EMA toward the outside L1 and L2 upwards.
  • the low refractive organic layer 180_2 may have a lower refractive index than the inorganic layer 170_2 and the high refractive organic layer 190.
  • the total reflection surfaces 181_2tr and 182_2tr of the low-refractive organic layer 180_2 that meet the protruding pattern portion 170p_2 have a certain slope with the inorganic layer 170_2.
  • the first low refractive organic layer 181_2 may include a first total reflection surface 181tr_2 having a slope and the second low refractive organic layer 182_2 may include a second total reflection surface having a slope (182tr_2).
  • the slope between the bottom surface of the first low-refractive organic layer 181_2 and the total reflection surface 181_2tr of the first low-refractive organic layer 181_2 is 60° to 85°, and the second low-refractive organic layer 182_2
  • the slope formed by the bottom surface and the total reflection surface 182_2tr of the second low-refractive organic layer 182_2 may be equal to or less than the slope formed by the total reflection surface 181_2tr of the first low-refractive organic layer 181_2.
  • the total reflection surfaces 181_2tr and 182_2tr of the low-refractive organic layer 180_2 may be inclined surfaces, and thus may include a tapered surface in cross section of the low-refractive organic layer 180_2.
  • this embodiment may include more light to the outside by including the first low-refractive organic layer 181_2 and the second low-refractive organic layer 182_2.
  • the low-refractive organic layer 180_2 includes a first total reflection surface 181_2tr and a second total reflection surface 182_2tr, and thus can reflect light more effectively than the above-described embodiment, thereby effectively exposing the upper portion.
  • the high refractive organic layer 190 may be disposed on the inorganic layer 170_2 and the low refractive organic layer 180_2.
  • the high refractive organic layer 190 is formed to cover the inorganic layer 170_2 and the low refractive organic layer 180_2 as a whole, so that the total reflection layer TRL disposed on the thin film encapsulation layer 160 may be entirely flattened.
  • the high refractive organic layer 190 may be formed to a thickness of 5 ⁇ m or more from the top surface of the inorganic layer 170_2. That is, the high refractive organic layer 190 may be formed thicker than the low refractive organic layer 180_2.
  • FIGS. 17 to 22 differ in that they further include a touch sensor layer (TSL) disposed on the thin film encapsulation layer 160, unlike the embodiments described in FIGS. 5 to 16.
  • TSL touch sensor layer
  • 17 is an enlarged plan view showing another example of the Q1 region of FIG. 2.
  • 18 is a cross-sectional view showing an example of a cross-section taken along line XVIII-XVIII' of FIG. 17.
  • 19 is a cross-sectional view showing another example of a cross-section taken along line XVIII-XVIII' of FIG. 17.
  • the display area DA may further include a total reflection layer (“TRL” in FIG. 18) that surrounds each emission area EMA and improves light emission efficiency to the outside.
  • the total reflection layer (TRL) includes the inorganic layer 170_4, the low-refractive organic layer 180_4, and the high-refractive organic layer 190, and proceeds toward the outside of the light emitted from the light emitting area EMA upward. Can be reflected.
  • the display area DA may further include a touch sensor layer TSL for sensing a user's touch in a capacitive manner.
  • the touch sensor layer TSL may sense a user's touch using a self-capacitance method or a mutual capacitance method.
  • the touch sensor layer TSL may sense a user's touch and transmit a touch signal to the touch driving circuit (“400” in FIG. 1 ).
  • the touch sensor layer TSL is formed of mesh-shaped electrodes and may be disposed along the boundary of each sub-pixel R, G, and B in the non-emission area NEM.
  • the touch sensor layer TSL may be non-overlapping with the light emitting area EMA.
  • the width of the touch sensor layer TSL may be smaller than the width of the non-emission area NEM.
  • the area exposed by the touch sensor layer TSL may have a substantially rhombus shape.
  • the size of the area exposed by each touch sensor layer TSL may be the same, but it may be different depending on the size of the light emitting area EMA exposed by the corresponding area, or may be different. In the drawing, a case in which one region exposed by the touch sensor layer TSL corresponds to one emission region EMA is illustrated, but is not limited thereto, and may correspond to two or more emission regions EMA.
  • the touch sensor layer TSL is formed on the thin film encapsulation layer 160.
  • the touch sensor layer TSL may include a first metal layer MTL1 disposed on the second buffer layer BF2 and a second metal layer MTL2 disposed on the inorganic layer 170_4.
  • the first metal layer (MTL1) and the second metal layer (MTL2) are a stacked structure of aluminum and titanium (Ti/Al/Ti), a stacked structure of aluminum and ITO (ITO/Al/ITO), APC alloy, and APC alloy and ITO It may be formed of any one of the laminated structure (ITO / APC / ITO).
  • the first metal layer MTL1 and the second metal layer MTL2 may be formed of the same material, but are not limited thereto.
  • the contact layer exposing the first metal layer MTL1 through the inorganic layer 170_4 is formed in the inorganic layer 170_4 disposed between the first metal layer MTL1 and the second metal layer MTL2 to form the first metal layer MTL1.
  • the second metal layer MTL2 may be electrically connected.
  • the touch sensor layer TSL shows only one metal layer, but may include a first metal layer MTL1 and a second metal layer MTL2.
  • the touch sensor layer TSL is directly formed on the thin film encapsulation layer 160, the thickness of the display device can be reduced than when a separate touch panel including touch electrodes is attached on the thin film encapsulation layer 160.
  • the touch sensor layer TSL is not only formed of mesh-shaped electrodes, but is also disposed to overlap the bank layer 150. Due to this, it is possible to prevent the opening area of each sub-pixel (R, G, B) from being reduced.
  • the low-refractive organic layer 180_4 may be disposed to surround the light-emitting area EMA on a plane, and an opening is formed in a region corresponding to each light-emitting area EMA to open each sub-pixel R, G, B. Can be exposed.
  • the total reflection layer TRL may be disposed on the thin film encapsulation layer 160.
  • the total reflection layer TRL includes an inorganic layer 170_4 and a low refractive organic layer 180_4 and a high refractive organic layer 190 disposed on the inorganic layer 170_4.
  • the inorganic layer 170_4 may include a base portion disposed on the thin film encapsulation layer 160 and a protruding pattern portion 170p_4 protruding in a thickness direction from the base portion.
  • the inorganic layer 170_4 may be generally formed on the second buffer layer BF2 to cover the thin film encapsulation layer 160.
  • the protruding pattern portion 170p_4 may be a supporting layer for securing process stability when forming the low-refractive organic layer 180_4.
  • Both sides of the cross-sectional protruding pattern portion 170p_4 may have an inverted taper shape in general, and at least a portion of the total reflection surface of the low-refractive organic layer 180_4 may be supported to have an inclined surface.
  • the cross-sectional shape of the protruding pattern portion 170p_4 may be an inverted trapezoid, but is not limited thereto, and may be a shape including a triangle and various polygons or curved surfaces.
  • the shape of the low-refractive organic layer 180_4 disposed on the protruding pattern portion 170p_4 may be varied according to the cross-sectional shape of the protruding pattern portion 170p_4.
  • the protruding pattern portion 170p_4 may overlap the light emitting region EMA and the substrate SUB in a direction perpendicular to it.
  • the width of the protruding pattern portion 170p_4 may be the same as the width of the light emitting region EMA or greater than the width of the light emitting region EMA.
  • the protruding pattern portion 170p_4 may overlap at least a portion of the non-emission area NEM.
  • the inorganic layer 170_4 may be disposed between the low-refractive organic layer 180_4, and may further include a protruding pattern portion disposed entirely on the non-emission area NEM.
  • the second metal layer of the touch sensor layer TSL may be disposed on the protruding pattern portion 170p_4.
  • the protruding pattern portion 170p_5 is formed as a separate layer on the inorganic layer 170_5.
  • the inorganic layer 170_5 may be disposed to have a substantially uniform thickness along the surface of the second buffer layer BF2.
  • the thickness of the protruding pattern portion 170p_5 can be freely adjusted, and the protruding pattern portion 170p_5 may be formed of a material different from the inorganic layer 170_5.
  • the shape of the low-refractive organic layer 180_5 disposed on the inorganic layer 170_5 and the protruding pattern portion 170p_5 may be designed in more various ways.
  • a low refractive organic layer 180_4 and a high refractive organic layer 190 may be disposed on the inorganic layer 170_4.
  • the low refractive organic layer 180_4 may have a lower refractive index than the above-described inorganic layer 170_4 and the high refractive organic layer 190.
  • the low-refractive organic layer 180_4 When the low-refractive organic layer 180_4 is formed on the inorganic layer 170_4, at least a portion of the total reflection surface of the low-refractive organic layer 180_4 that meets the protruding pattern portion 170p_4 may have a certain slope with the inorganic layer 170_4. .
  • the high refractive organic layer 190 may be disposed on the inorganic layer 170_4, the touch sensor layer TSL, and the low refractive organic layer 180_4.
  • the high refractive organic layer 190 is formed to cover the inorganic layer 170_4, the touch sensor layer (TSL), and the low refractive organic layer 180_4 as a whole, to planarize the total reflection layer (TRL) disposed on the thin film encapsulation layer 160 as a whole. It is possible to cover and protect the touch sensor layer (TSL).
  • the low-refractive organic layer 180_6 includes the first low-refractive organic layer 181_6 and the second low-refractive organic layer 182_6. There is.
  • FIGS. 17 to 19 differences from the embodiments of FIGS. 17 to 19 will be mainly described.
  • 20 is an enlarged plan view showing still another example of the Q1 region of FIG. 2.
  • 21 is a cross-sectional view showing an example of a cross-section taken along line XXI-XXI' of FIG. 20.
  • 22 is a cross-sectional view showing another example of a cross-section taken along line XXI-XXI' of FIG. 20.
  • the display area DA may further include a total reflection layer (“TRL” in FIG. 21) that surrounds each emission area EMA and improves light emission efficiency to the outside.
  • the total reflection layer (TRL) includes an inorganic layer (170_6), a low refractive organic layer (180_6), and a high refractive organic layer 190, the light emitted from the light emitting region (EMA) proceeds toward the outside toward the upper side Can be reflected.
  • the low refractive organic layer 180_6 may include a first low refractive organic layer 181_6 and a second low refractive organic layer 182_6.
  • the first low-refractive organic layer 181_6 and the second low-refractive organic layer 182_6 are disposed to surround the light emitting region EMA in a plane, and the first low-refractive organic layer 181_6 is the second low-refractive organic layer 182_6. It can be arranged inside.
  • the first low refractive organic layer 181_6 and the second low refractive organic layer 182_6 may be physically spaced apart from each other.
  • the second low-refractive organic layer 182_6 may be disposed in correspondence with each light emitting region EMA, as illustrated in FIG. 20, but is not limited thereto.
  • the total reflection layer TRL may be disposed on the thin film encapsulation layer 160.
  • the total reflection layer TRL includes an inorganic layer 170_6 and a low refractive organic layer 180_6 and a high refractive organic layer 190 disposed on the inorganic layer 170_6.
  • the low refractive organic layer 180_6 may include a first low refractive organic layer 181_6 and a second low refractive organic layer 182_6.
  • the inorganic layer 170_6 may include a base portion disposed on the thin film encapsulation layer 160 and a protruding pattern portion 170p_6 protruding in a thickness direction from the base portion. Also, the protruding pattern portion 170p_6 may include a first protruding pattern portion 171p_6 and a second protruding pattern portion 172p_6.
  • the inorganic layer 170_6 may be generally formed on the second buffer layer BF2 to cover the thin film encapsulation layer 160.
  • the protruding pattern portion 170p_6 may be a supporting layer for securing process stability when forming the low-refractive organic layer 180_6.
  • the first protruding pattern portion 171p_6 supports the total reflection surface 181_6tr of the first low-refractive organic layer 181_6, and the second protruding pattern portion 172p_6 is total reflection surface 182_6tr of the second low-refractive organic layer 182_6 Can support.
  • the first protruding pattern portion 171p_6 is disposed inside the first low-refractive organic layer 181_6, and may be generally overlapped in a direction perpendicular to the light emitting region EMA and the substrate SUB.
  • the width of the first protruding pattern portion 171p_6 may be the same as the width of the light emitting region EMA or greater than the width of the light emitting region EMA. In some embodiments, at least a portion of the first protrusion pattern portion 171p_6 may overlap the non-emission area NEM.
  • the second protruding pattern portion 172p_6 may be disposed between the first low-refractive organic layer 181_6 and the second low-refractive organic layer 182_6 and may be disposed on the non-emission region NEM.
  • the first protruding pattern portion 171p_6 and the second protruding pattern portion 172p_6 may be formed to a thickness of 1000 mm to 5000 mm from the top surface of the inorganic layer 170_6, but are not limited thereto and may have a thicker thickness. Further, the first protruding pattern portion 171p_6 and the second protruding pattern portion 172p_6 may have the same thickness as each other, but may have different thicknesses in other embodiments.
  • the protruding pattern portion 170p_7 is formed as a separate layer on the inorganic layer 170_7.
  • the protruding pattern portion 170p_7 includes a first protruding pattern portion 171p_7 and a second protruding pattern portion 172p_7. 22 illustrates that the first protruding pattern portion 171p_7 and the second protruding pattern portion 172p_7 are both formed of a separate layer from the inorganic layer 170_7, but are not limited thereto.
  • one of the first protruding pattern portion 171p_7 and the second protruding pattern portion 172p_7 may be formed as a separate layer from the inorganic layer 170_7 and the other may be formed extending from the inorganic layer 170_7.
  • the protruding pattern portion 170p_7 may be formed as a separate layer from the inorganic layer 170_7
  • the inorganic layer 170_7 may be disposed to have a substantially uniform thickness along the surface of the second buffer film BF2.
  • a low refractive organic layer 180_6 and a high refractive organic layer 190 may be disposed on the inorganic layer 170_6.
  • the low refractive organic layer 180_6 may include a first low refractive organic layer 181_6 and a second low refractive organic layer 182_6.
  • the low-refractive organic layer 180_6 may be disposed adjacent to the light-emitting area EMA, and may emit light toward the outside of the light emitted from the light-emitting area EMA upward.
  • the low refractive organic layer 180_6 may have a lower refractive index than the above-described inorganic layer 170_6 and the high refractive organic layer 190.
  • the low-refractive organic layer 180_6 When the low-refractive organic layer 180_6 is formed on the inorganic layer 170_6, at least a portion of the total reflection surface of the low-refractive organic layer 180_6 that meets the protruding pattern portion 170p_6 may have a certain slope with the inorganic layer 170_6. . Accordingly, the low refractive organic layer 180_6 may include a tapered surface in cross section.
  • the slope between the bottom surface of the first low-refractive organic layer 181_6 and the total reflection surface of the first low-refractive organic layer 181_6 is 60° to 85°, and the bottom surface of the second low-refractive organic layer 182_6
  • the slope formed by the total reflection surface of the second low refractive organic layer 182_6 may be equal to or less than the slope formed by the total reflection surface of the first low refractive organic layer 181_6.
  • the present embodiment includes the first low-refractive organic layer 181_6 and the second low-refractive organic layer 182_6 to emit more light to the outside.
  • the low-refractive organic layer 180_6 includes the total reflection surface of the first low-refractive organic layer 181_6 and the total reflection surface of the second low-refractive organic layer 182_6. I can do it.
  • the high refractive organic layer 190 may be disposed on the inorganic layer 170_6 and the low refractive organic layer 180_6.
  • the high-refractive organic layer 190 is formed to cover the inorganic layer 170_6 and the low-refractive organic layer 180_6 as a whole, so that the total reflection layer TRL disposed on the thin film encapsulation layer 160 can be entirely flattened.
  • the high refractive organic layer 190 may be formed to a thickness of 5 ⁇ m or more from the top surface of the inorganic layer 170_6. That is, the high refractive organic layer 190 may be formed thicker than the low refractive organic layer 180_6.
  • 23 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
  • 24 to 31 are cross-sectional views taken along line VII-VII' of FIG. 5 sequentially illustrating a method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
  • 32 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing method of a display device according to another exemplary embodiment.
  • a method of manufacturing a display device includes forming a thin film transistor, a light emitting device, and a thin film encapsulation layer on a substrate (S101 ), and a base on the thin film encapsulation layer Forming an inorganic layer (S103), forming a photoresist pattern on the base inorganic layer (S105), etching the base inorganic layer to form an inorganic layer (S107), and removing the photoresist pattern ( S109), forming a base organic layer on the inorganic layer (S111), etching the base organic layer to form a low refractive organic layer (S113), and forming a high refractive organic layer on the low refractive organic layer (S115).
  • S103 inorganic layer
  • S105 forming a photoresist pattern on the base inorganic layer
  • S107 etching the base inorganic layer to form an inorganic layer
  • S109 removing the photoresist pattern
  • S111 base organic layer on the inorganic
  • a thin film transistor layer TFTL, a light emitting device layer EML, and a thin film encapsulation layer 160 are formed on a substrate SUB.
  • the first buffer film BF1 may be formed on the substrate SUB.
  • the first buffer film BF1 is to protect the thin film transistor 110 and the light emitting device 140 from moisture penetrating through the substrate SUB, which is vulnerable to moisture permeation, and may be formed of a plurality of alternating stacked inorganic films.
  • the first buffer film BF1 may be formed of a multi-layer film in which one or more inorganic films of silicon oxide film (SiOx), silicon nitride film (SiNx), and SiON are alternately stacked.
  • the first buffer film BF1 may be formed using a chemical vapor deposition (CVD) method.
  • the active layer 111 of the thin film transistor is formed on the first buffer film BF1.
  • an active metal layer is formed on the entire surface of the first buffer film BF1 using a sputtering method or a MOCVD method (Metal Organic Chemical Vapor Deposition).
  • the active metal layer is patterned by a mask process using a photoresist pattern to form the active layer 111.
  • the active layer 111 may be formed of a silicon-based semiconductor material or an oxide-based semiconductor material.
  • the gate insulating layer 121 may be formed of an inorganic layer, for example, a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or multiple layers thereof.
  • the gate electrode 112 of the thin film transistor 110 is formed on the gate insulating layer 121.
  • a first metal layer is formed on the entire surface of the gate insulating film 121 using a sputtering method or MOCVD method.
  • the first metal layer is patterned by a mask process using a photoresist pattern to form the gate electrode 112.
  • the gate electrode 112 may be one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu), or these It may be formed of a single layer or a multi-layer consisting of an alloy of.
  • the interlayer insulating film 122 may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or multiple films thereof.
  • contact holes exposing the active layer 111 are formed through the gate insulating layer 121 and the interlayer insulating layer 122.
  • the source and drain electrodes 113 and 114 of the thin film transistor 110 are formed on the interlayer insulating film 122.
  • a second metal layer is formed on the entire surface of the interlayer insulating film 122 using a sputtering method or MOCVD method.
  • the second metal layer is patterned by a mask process using a photoresist pattern to form source and drain electrodes 113 and 114.
  • Each of the source and drain electrodes 113 and 114 may be connected to the active layer 111 through a contact hole passing through the gate insulating layer 121 and the interlayer insulating layer 122.
  • the source and drain electrodes 113 and 114 are molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu) It may be formed of a single layer or a multi-layer made of any one or alloys thereof.
  • the protective film 123 may be formed of an inorganic film, for example, a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or multiple films thereof.
  • the protective film 123 may be formed using a CVD method.
  • planarization layer 130 for planarizing the step due to the thin film transistor 110 is formed on the passivation layer 123.
  • the planarization film 130 may be formed of an organic film such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin. have.
  • the first electrode 141 of the light emitting device 140 is formed on the planarization layer 130.
  • a third metal layer is formed on the entire surface of the planarization film 130 by using a sputtering method or MOCVD method.
  • the third metal layer is patterned by a mask process using a photoresist pattern to form the first electrode 141.
  • the first electrode 141 may be connected to the drain electrode 114 of the thin film transistor 110 through a contact hole passing through the passivation layer 123 and the planarization layer 130.
  • the first electrode 141 is a layered structure of aluminum and titanium (Ti/Al/Ti), a layered structure of aluminum and ITO (ITO/Al/ITO), an APC alloy, and a layered structure of APC alloy and ITO (ITO/APC) /ITO) may be formed of a metal material having a high reflectance.
  • the bank layer 150 is formed to cover the edge of the first electrode 141 on the planarization layer 130 to partition the pixels.
  • the bank layer 150 may be formed of an organic film such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin. have.
  • the organic emission layer 142 is formed on the first electrode 141 and the bank layer 150 by a deposition process or a solution process.
  • the organic emission layer 142 may be a common layer commonly formed in pixels.
  • the organic emission layer 142 may be formed of two or more stacks of tandem structures. Each of the stacks may include a hole transporting layer, at least one light emitting layer, and an electron transporting layer. Also, a charge generating layer may be formed between the stacks.
  • the charge generation layer may include an n-type charge generation layer positioned adjacent to the lower stack and a p-type charge generation layer formed adjacent to the upper stack and formed on the n-type charge generation layer.
  • the n-type charge generation layer injects electrons into the lower stack, and the p-type charge generation layer injects holes into the upper stack.
  • the n-type charge generation layer may be formed of an alkali metal such as Li, Na, K, or Cs, or an organic layer doped with an alkaline earth metal such as Mg, Sr, Ba, or Ra.
  • the p-type charge generation layer may be formed by doping a dopant in an organic material having hole transport capability.
  • the second electrode 143 is formed on the organic emission layer 142.
  • the second electrode 143 may be a common layer formed in common with the pixels P.
  • the second electrode 143 is a transparent metallic material (TCO, Transparent Conductive Material) such as ITO or IZO that can transmit light, or magnesium (Mg), silver (Ag), or magnesium (Mg) and silver (Ag) It may be formed of a semi-transmissive conductive material such as an alloy of.
  • the second electrode 143 may be formed by a physical vapor deposition method such as sputtering. A capping layer may be formed on the second electrode 143.
  • a thin film encapsulation layer 160 is formed on the second electrode 143.
  • the thin film encapsulation layer 160 serves to prevent oxygen or moisture from penetrating into the organic emission layer 142 and the second electrode 143.
  • the thin film encapsulation layer 160 may include at least one inorganic layer and at least one organic layer.
  • the thin film encapsulation layer 160 may include a first encapsulation inorganic film, an encapsulation organic film, and a second encapsulation inorganic film.
  • the first encapsulation inorganic film is formed to cover the second electrode 143.
  • the encapsulation organic film is formed to cover the first encapsulation inorganic film.
  • the encapsulation organic film is preferably formed to a thickness sufficient to prevent particles from entering the organic light emitting layer 142 and the second electrode 143 through the first encapsulation inorganic film.
  • the second encapsulation inorganic film is formed to cover the encapsulation organic film.
  • Each of the first and second encapsulation inorganic films may be formed of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide or titanium oxide.
  • the encapsulation organic film may be formed of an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin.
  • the base inorganic layer 170a is formed on the thin film encapsulation layer 160.
  • a second buffer film BF2 may be further formed.
  • the second buffer layer BF2 may be formed of a single layer including an inorganic material.
  • the base inorganic layer 170a is, for example, a single film containing any one of silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, titanium oxide, and aluminum oxide, as a whole deposition process on the thin film encapsulation layer 160. Can be formed.
  • the thickness h1 of the base inorganic layer 170a may be, for example, 5000 mm 2, but is not limited thereto, and may be thicker or thinner.
  • a photoresist pattern PR is formed on the base inorganic layer 170a.
  • the photoresist pattern PR may be formed to overlap the position where the protruding pattern portion 170p, which will be described later, is formed.
  • the organic light emitting layer 142 of the light emitting device 140 may be formed to overlap.
  • the base inorganic layer 170a is etched to form the inorganic layer 170 and the protruding pattern portion 170p.
  • the base inorganic layer 170a between the photoresist patterns PR may be etched, except for the portion covered by the photoresist pattern PR. Since the area covered by the photoresist pattern PR is not etched, a protruding pattern portion 170p may be formed. Depending on the etching process, the side portion of the protruding pattern portion 170p may be partially etched, and the side surface of the protruding pattern portion 170p may have an inverse taper shape.
  • the thickness h2 of the region in which the protruding pattern portion 170p is not formed in the inorganic layer 170 may be thinner than the thickness h1 of the base inorganic layer 170a, but the protruding pattern portion 170p of the inorganic layer 170 ) May be the same or similar to the thickness h1 of the base inorganic layer 170a.
  • the photoresist pattern PR is removed.
  • the base organic layer 180aa is formed on the inorganic layer 170.
  • the base organic layer 180aa may be entirely formed on the inorganic layer 170 to cover the inorganic layer 170.
  • the base organic layer 180aa may be formed by a deposition process or a solution process.
  • the base organic layer 180aa may include an organic material.
  • the base organic layer 180aa is an organic material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin. It may be formed of a single film containing, but is not limited thereto.
  • the base organic layer 180aa may include a photosensitive material whose properties change when exposed to light. For example, when the base organic layer 180aa is exposed to light with a negative photoresist (negative PR), the exposed area may harden and not be dissolved by the developer.
  • negative PR negative photoresist
  • the low-refractive organic layer 180 is formed by etching the base organic layer 180aa.
  • the mask M is disposed on the base organic layer 180aa and the light L_ex is exposed to form the low-refractive organic layer 180.
  • the mask M includes a transmissive region MA and a non-transmissive region MB, and only the region for forming the low-refractive organic layer 180 can selectively transmit light L_ex.
  • the low-refractive organic layer 180 may be formed by removing the base organic layer 180aa of the portion where the light L_ex is not exposed through a developer. .
  • the total reflection surface of the low-refractive organic layer 180 may be formed of a double tapered surface or a structure that is not aligned with each other may be formed according to a process margin.
  • the high refractive organic layer 190 is formed on the low refractive organic layer 180.
  • the high refractive organic layer 190 may be formed to cover the inorganic layer 170 and the low refractive organic layer 180 to planarize the total reflection layer TRL disposed on the thin film encapsulation layer 160.
  • the high refractive organic layer 190 may be formed by a deposition process or a solution process.
  • the high refractive organic layer 190 may include an organic material.
  • the high-refractive organic layer 190 is made of an organic material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, or a polyimide resin. Although it may be formed of a single film containing, if it is an organic material having a higher refractive index than the low-refractive organic layer 180 is not limited thereto.
  • the high refractive organic layer 190 may include a material having a higher refractive index than the low refractive organic layer 180, and may be formed thicker than the low refractive organic layer 180.
  • the process of forming the total reflection layer (TRL) illustrated in FIGS. 24 to 31 is a process formed on the thin film encapsulation layer 160 covering the light emitting device 140, the light emitting device 140 is prevented from being damaged. In order to do this, it may be a low temperature process of 100°C or less.
  • FIG. 32 is a view showing manufacturing of the display device when the protruding pattern portions 170p_1, 170p_3, 170p_5, and 170p_7 are separately formed from the inorganic layer 170 as shown in FIGS. 12, 20, 23, and 26. Show differences in method. Illustratively, FIG. 12 will be described in conjunction.
  • a method of manufacturing a display device in which the protruding pattern portion 170p_1 is formed as a separate layer from the inorganic layer 170_1 includes forming a base support layer 170pa on the base inorganic layer 170a. It includes more.
  • the base support layer 170pa is a layer formed to form the protruding pattern portion 170p, and may include an inorganic material.
  • the base support layer 170pa may be formed of a single film including any one of silicon nitride, silicon oxy nitride, silicon oxide, titanium oxide, and aluminum oxide.
  • the base support layer 170pa may be formed by a deposition process, but is not limited thereto.
  • the base support layer 170pa may be formed of a different material from the base inorganic layer 170a.
  • the thickness of the base support layer 170pa may be thinner than the thickness of the base inorganic layer 170a.
  • the present invention is not limited thereto, and the base support layer 170pa may be formed of the same material as the base inorganic layer 170a or may be thicker than the base inorganic layer 170a.
  • the base inorganic layer 170a is formed of an inorganic layer ("170_1" in FIG. 8)
  • the base support layer 170pa is formed of a protruding pattern portion ("170p_1" in FIG. 8).

Abstract

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법이 제공된다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소를 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치되고 상기 화소의 경계를 따라 배치되고 발광 영역을 정의하는 뱅크층, 상기 뱅크층의 의해 정의된 상기 발광 영역에 배치된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 및 상기 뱅크층을 덮는 박막 봉지층, 상기 박막 봉지층 상에 배치된 베이스부 및 상기 베이스부로부터 두께 방향으로 돌출되고 역테이퍼각을 갖는 측면을 포함하는 돌출 패턴부를 포함하는 무기층, 상기 무기층의 상기 베이스부 상에 배치된 제1 저굴절 유기층으로서, 측면이 상기 돌출 패턴부의 측면과 접하고, 상면이 상기 돌출 패턴부의 상면보다 두께 방향으로 돌출된 제1 저굴절 유기층, 및 상기 제1 저굴절 유기층과 상기 무기층을 덮는 고굴절 유기층을 포함한다.

Description

표시 장치 및 그 제조방법
본 발명은 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기발광 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
사용자에게 영상을 제공하는 스마트 폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 내비게이션, 및 스마트 텔레비젼 등의 전자기기는 영상을 표시하기 위한 표시 장치를 포함한다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting diode Display Device, OLED) 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
표시 장치 중, 유기 발광 표시 장치는 자발광형 소자인 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 대향하는 두 개의 전극 및 그 사이에 개재된 유기 발광층을 포함할 수 있다. 두 개의 전극으로부터 제공된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화하며 광이 방출될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 발광 소자 상에 배치된 전반사층의 공정 안정성이 확보된 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 발광 소자 상에 배치된 전반사층의 공정 안정성이 확보된 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소를 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치되고 상기 화소의 경계를 따라 배치되고 발광 영역을 정의하는 뱅크층, 상기 뱅크층의 의해 정의된 상기 발광 영역에 배치된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 및 상기 뱅크층을 덮는 박막 봉지층, 상기 박막 봉지층 상에 배치된 베이스부 및 상기 베이스부로부터 두께 방향으로 돌출되고 역테이퍼각을 갖는 측면을 포함하는 돌출 패턴부를 포함하는 무기층, 상기 무기층의 상기 베이스부 상에 배치된 제1 저굴절 유기층으로서, 측면이 상기 돌출 패턴부의 측면과 접하고, 상면이 상기 돌출 패턴부의 상면보다 두께 방향으로 돌출된 제1 저굴절 유기층, 및 상기 제1 저굴절 유기층과 상기 무기층을 덮는 고굴절 유기층을 포함한다.
상기 표시 장치는 상기 뱅크층이 배치되는 제1 영역 및 상기 발광 영역이 배치되는 제2 영역으로 구분되고, 상기 무기층의 상기 베이스부는 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 배치되고, 상기 무기층의 상기 돌출 패턴부는 상기 제2 영역에 위치하고, 상기 제1 저굴절 유기층은 상기 제1 영역에 위치하며, 상기 고굴절 유기층은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 걸쳐 배치될 수 있다.
상기 제1 저굴절 유기층의 굴절률은 상기 고굴절 유기층의 굴절률보다 작고, 상기 무기층의 굴절률은 상기 고굴절 유기층의 굴절률보다 클 수 있다.
상기 돌출 패턴부는 상기 베이스부와 동일한 물질을 포함하고 서로 물리적 경계 없이 결합될 수 있다.
상기 제1 저굴절 유기층은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄옥사이드, 및 알루미늄옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 돌출 패턴부는 상기 베이스부와 서로 다른 물질을 포함하고 별도의 층으로 형성될 수 있다.
상기 제1 저굴절 유기층은 상기 돌출 패턴부의 측면과 접하는 하부 저굴절 유기층 및 상기 돌출 패턴부의 상면보다 두께 방향으로 돌출된 상부 저굴절 유기층을 포함할 수 있다.
상기 하부 저굴절 유기층은 상기 화소와 인접한 제1 테이퍼면을 포함하고, 상기 상부 저굴절 유기층은 상기 화소와 인접한 제2 테이퍼면을 포함하며, 상기 제1 테이퍼면의 경사 각도는 제1 테이퍼 각도로 정의되고, 상기 제2 테이퍼면의 경사 각도는 제2 테이퍼 각도로 정의되며, 상기 제1 테이퍼 각도 및 상기 제2 테이퍼 각도는 60도 내지 85도일 수 있다.
상기 제2 테이퍼 각도는 상기 제1 테이퍼 각도와 동일할 수 있다.
상기 제2 테이퍼 각도는 상기 제1 테이퍼 각도와 상이할 수 있다.
상기 제1 테이퍼면과 상기 제2 테이퍼면은 서로 다른 평면 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 테이퍼 각도는 70도 내지 75도일 수 있다.
상기 하부 저굴절 유기층은 상기 상부 저굴절 유기층보다 두께가 얇을 수 있다.
상기 박막 봉지층 및 상기 무기층 사이에 배치되는 버퍼막을 더 포함하되, 상기 버퍼막은 상기 무기층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 박막 봉지층 상에 배치되는 터치 센서층을 더 포함하되, 상기 터치 센서층은 상기 제1 영역에 배치될 수 있다.
상기 터치 센서층은 상기 제1 저굴절 유기층과 비중첩할 수 있다.
상기 터치 센서층은 상기 버퍼막 상에 배치되는 제1 금속층 및 상기 무기층 상에 배치되는 제2 금속층을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역 상에 배치되고 평면상 상기 제1 저굴절 유기층을 둘러싸는 제2 저굴절 유기층을 더 포함할 수 있다.
상기 무기층은 상기 제1 저굴절 유기층 및 상기 제2 저굴절 유기층 사이에 배치되는 제2 돌출 패턴부를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 배치된 박막 봉지층을 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 박막 봉지층 상에 베이스 무기층을 형성하는 단계, 상기 베이스 무기층을 식각하여 베이스부 및 돌출 패턴부를 포함하는 무기층을 형성하는 단계, 상기 무기층 상에 베이스 유기층을 형성하는 단계, 상기 베이스 유기층을 식각하여 상기 베이스부 상에 배치되는 저굴절 유기층을 형성하는 단계, 및 상기 저굴절 유기층을 덮고 상기 저굴절 유기층보다 굴절률이 높은 고굴절 유기층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 돌출 패턴부는 상기 베이스부로부터 두께 방향으로 돌출되고 역테이퍼각을 갖는 측면을 포함하고, 상기 저굴절 유기층은 측면이 상기 돌출 패턴부의 측면과 접하고, 상면이 상기 돌출 패턴부의 상면보다 두께 방향으로 돌출된다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 전반사층의 측면을 지지하는 돌출 패턴부를 포함하여 공정 안정성이 확보된 표시 장치를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 의하면, 전반사층의 측면을 지지하는 돌출 패턴부를 형성하여 공정 안정성이 확보된 표시 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 3 및 도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 측면도들이다.
도 5는 도 2의 Q1 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 6은 도 2의 Q1 영역의 다른 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 7은 도 5의 VII-VII' 선을 따라 자른 단면의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 Q2 영역의 일 예를 보여주는 확대 단면도이다.
도 9 내지 도 11은 도 7의 Q2 영역의 다른 예를 보여주는 확대 단면도들이다.
도 12는 도 5의 VII-VII' 선을 따라 자른 단면의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 2의 Q1 영역의 또 다른 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 14는 도 2의 Q1 영역의 또 다른 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 15는 도 13의 XV-XV' 선을 따라 자른 단면의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 16은 도 13의 XV-XV' 선을 따라 자른 단면의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 17은 도 2의 Q1 영역의 또 다른 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 18은 도 17의 XVIII-XVIII' 선을 따라 자른 단면의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 19는 도 17의 XVIII-XVIII' 선을 따라 자른 단면의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 20은 도 2의 Q1 영역의 또 다른 예를 보여주는 확대 평면도이다.
도 21은 도 20의 XXI-XXI' 선을 따라 자른 단면의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 22는 도 20의 XXI-XXI' 선을 따라 자른 단면의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 23은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 24 내지 도 31은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 설명하는 도 5의 VII-VII' 선에 의한 단면도들이다.
도 32는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2, 제3, 제4 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소, 제3 구성요소, 제4 구성요소 중 어느 하나일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 3 및 도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 측면도들이다.
표시 장치(10)는 동영상이나 정지영상을 표시하는 장치로서, 모바일 폰(mobile phone), 스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 및 스마트 워치(smart watch), 워치 폰(watch phone), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기 뿐만 아니라, 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷(internet of things, IOT) 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 사용될 수 있다. 표시 장치(10) 는 유기 발광 표시 장치, 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 전계방출 표시 장치, 전기 영동 표시 장치, 전기 습윤 표시 장치, 양자점 발광 표시 장치, 및 마이크로 LED 표시 장치 중 어느 하나일 수 있다. 이하에서는, 표시 장치(10)가 유기 발광 표시 장치인 것을 중심으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 패널(100), 표시 구동 회로(200), 회로 보드(300), 및 터치 구동 회로(400)를 포함한다.
표시 패널(100)은 메인 영역(MA)과 메인 영역(MA)의 일 측으로부터 돌출된 돌출 영역(PA)을 포함할 수 있다.
메인 영역(MA)은 제1 방향(X축 방향)의 단변과 제1 방향(X축 방향)과 교차하는 제2 방향(Y축 방향)의 장변을 갖는 직사각형 형태의 평면으로 형성될 수 있다. 제1 방향(X축 방향)의 단변과 제2 방향(Y축 방향)의 장변이 만나는 코너(corner)는 소정의 곡률을 갖도록 둥글게 형성되거나 직각으로 형성될 수 있다. 표시 장치(10)의 평면 형태는 사각형에 한정되지 않고, 다른 다각형, 원형 또는 타원형으로 형성될 수 있다.
메인 영역(MA)은 평탄하게 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 좌우측 끝단에 형성된 곡면부를 포함할 수 있다. 이 경우, 곡면부는 일정한 곡률을 갖거나 변화하는 곡률을 가질 수 있다.
메인 영역(MA)은 화소들이 형성되어 영상을 표시하는 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)의 주변 영역인 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)에는 화소들 뿐만 아니라, 화소들에 접속되는 스캔 라인들, 데이터 라인들, 및 전원 라인이 배치될 수 있다. 메인 영역(MA)이 곡면부를 포함하는 경우, 표시 영역(DA)은 곡면부에 배치될 수 있다. 이 경우, 곡면부에서도 표시 패널(100)의 영상이 보일 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 바깥쪽에서부터 표시 패널(100)의 가장자리까지의 영역으로 정의될 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 스캔 라인들에 스캔 신호들을 인가하기 위한 스캔 구동부, 및 데이터 라인들과 표시 구동 회로(200)를 연결하는 링크 라인들이 배치될 수 있다.
돌출 영역(PA)은 메인 영역(MA)의 일 측으로부터 돌출될 수 있다. 예를 들어, 돌출 영역(PA)은 도 2와 같이 메인 영역(MA)의 하 측으로부터 돌출될 수 있다. 돌출 영역(PA)의 제1 방향(X축 방향)의 길이는 메인 영역(MA)의 제1 방향(X축 방향)의 길이보다 작을 수 있다.
돌출 영역(PA)은 벤딩 영역(BA)과 패드 영역(PDA)을 포함할 수 있다. 이 경우, 패드 영역(PDA)은 벤딩 영역(BA)의 일 측에 배치되고, 메인 영역(MA)은 벤딩 영역(BA)의 타 측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 패드 영역(PDA)은 벤딩 영역(BA)의 하 측에 배치되고, 메인 영역(MA)은 벤딩 영역(BA)의 상 측에 배치될 수 있다.
표시 패널(100)은 구부러지거나, 휘어지거나, 벤딩되거나, 접히거나, 말릴 수 있도록 유연하게 형성될 수 있다. 그러므로, 표시 패널(100)은 벤딩 영역(BA)에서 두께 방향(Z축 방향)으로 벤딩될 수 있다. 이 경우, 도 3와 같이 표시 패널(100)이 벤딩되기 전에 표시 패널(100)의 패드 영역(PDA)의 일면은 상부를 향하고 있으나, 도 4와 같이 표시 패널(100)이 벤딩된 후에는 표시 패널(100)의 패드 영역(PDA)의 일면은 하부로 향하게 된다. 이로 인해, 패드 영역(PDA)은 도 4와 같이 메인 영역(MA)의 하부에 배치되므로, 메인 영역(MA)과 중첩될 수 있다.
표시 패널(100)의 패드 영역(PDA)에는 표시 구동 회로(200)와 회로 보드(300)와 전기적으로 연결되는 패드들이 배치될 수 있다.
표시 구동 회로(200)는 표시 패널(100)을 구동하기 위한 신호들과 전압들을 출력한다. 예를 들어, 표시 구동 회로(200)는 데이터 라인들에 데이터 전압들을 공급할 수 있다. 또한, 표시 구동 회로(200)는 전원 라인에 전원 전압을 공급하며, 스캔 구동부에 스캔 제어 신호들을 공급할 수 있다. 표시 구동 회로(200)는 집적회로(integrated circuit, IC)로 형성되어 COG(chip on glass) 방식, COP(chip on plastic) 방식, 또는 초음파 접합 방식으로 패드 영역(PDA)에서 표시 패널(100) 상에 장착될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 표시 구동 회로(200)는 회로 보드(300) 상에 장착될 수 있다.
패드들은 표시 구동 회로(200)에 전기적으로 연결되는 표시 패드들과 터치 라인들에 전기적으로 연결되는 터치 패드들을 포함할 수 있다.
회로 보드(300)는 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)을 이용하여 패드들 상에 부착될 수 있다. 이로 인해, 회로 보드(300)의 리드 라인들은 패드들에 전기적으로 연결될 수 있다. 회로 보드(300)는 연성 인쇄 회로 보드(flexible prinited circuit board), 인쇄 회로 보드(printed circuit board) 또는 칩온 필름(chip on film)과 같은 연성 필름(flexible film)일 수 있다.
터치 구동 회로(400)는 표시 패널(100)의 터치 센서층(TSL)의 터치 전극들에 연결될 수 있다. 터치 구동 회로(400)는 터치 센서층(TSL)의 터치 전극들에 구동 신호들을 인가하고 터치 전극들의 정전 용량 값들을 측정한다. 구동 신호는 복수의 구동 펄스들을 갖는 신호일 수 있다. 터치 구동 회로(400)는 정전 용량 값들에 따라 터치 입력 여부를 판단할 수 있을 뿐만 아니라, 터치가 입력된 터치 좌표들을 산출할 수 있다.
터치 구동 회로(400)는 회로 보드(300) 상에 배치될 수 있다. 터치 구동 회로(400)는 집적회로(IC)로 형성되어 회로 보드(300) 상에 장착될 수 있다.
도 5는 도 2의 Q1 영역의 일 예를 보여주는 확대 평면도이다. 도 6은 도 2의 Q1 영역의 다른 예를 보여주는 확대 평면도이다. 도 7은 도 5의 VII-VII' 선을 따라 자른 단면의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 8은 도 7의 Q2 영역의 일 예를 보여주는 확대 단면도이다. 도 9 내지 도 11은 도 7의 Q2 영역의 다른 예를 보여주는 확대 단면도들이다. 도 12는 도 5의 VII-VII' 선을 따라 자른 단면의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 5 내지 도 12를 참조하면, 표시 영역(DA)은 복수의 화소(P)를 포함한다. 각 화소는 발광 영역(EMA)을 포함한다. 각 화소의 발광 영역(EMA) 사이에는 비발광 영역(NEM)이 배치된다.
화소(P)는 제1 색 화소, 제2 색 화소, 및 제3 색 화소를 포함할 수 있다. 각 색 화소는 다양한 방식으로 배열될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 방향(x)을 따라 제1 행을 이루며 제1 색 화소(예컨대, 적색 화소)와 제2 색 화소(예컨대, 청색 화소)가 교대 배열되고, 그에 인접하는 제2 행은 제1 방향(x)을 따라 제3 색 화소(예컨대, 녹색 화소)가 배열될 수 있다. 제2 행에 속하는 화소는 제1 행에 속하는 화소에 대해 제1 방향(x)으로 엇갈려 배치될 수 있다. 제2 행에 속하는 제3 색 화소의 개수는 제1 행에 속하는 제1 색 화소 또는 제2 색 화소의 개수의 2배일 수 있다. 상기 제1 행과 제2 행의 배열은 제2 방향(y)을 따라 반복될 수 있다.
예컨대, 제1 색 화소는 적색 서브 화소(R)이고, 제2 색 화소는 청색 서브 화소(B)이며, 제3 색 화소는 녹색 서브 화소(G)일 수 있다. 하나의 적색 서브 화소(R), 하나의 청색 서브 화소(B), 및 두 개의 녹색 서브 화소(G)들은 하나의 화소(P)로 정의될 수 있다.
발광 영역(EMA)은 제1 색 화소의 발광 영역(EMA_R), 제2 색 화소의 발광 영역(EMA_B), 및 제3 색 화소의 발광 영역(EMA_G)을 포함하며, 각 색 화소 내의 발광 영역(EMA)의 크기는 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 색 화소의 발광 영역(EMA_R)은 제2 색 화소의 발광 영역(EMA_B)보다 크고, 제3 색 화소의 발광 영역(EMA_G)은 제2 색 화소의 발광 영역(EMA_B)의 크기보다 작을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 제3 색 화소의 발광 영역(EMA_G)이 제2 색 화소의 발광 영역(EMA_B)보다 클 수 있다. 또한, 도면에 도시된 바와 같이 각 발광 영역(EMA)의 크기가 모두 동일할 수도 있다.
도면에서는 예시적으로 각 발광 영역(EMA)의 평면상 형상이 마름모인 것을 도시하였으나, 각 색 화소의 발광 영역(EMA)의 형상은 다양할 수 있다. 예컨대, 각 발광 영역(EMA)의 형상은 팔각형, 원형이나 기타 다른 다각형, 모서리가 둥근 다각형 등일 수 있다.
표시 영역(DA)은 각 발광 영역(EMA)을 둘러싸며 외부로의 출광 효율을 향상시킬 수 있는 전반사층(도 7의 "TRL")을 더 포함할 수 있다. 구체적으로 전반사층(TRL)은 무기층(170), 저굴절 유기층(180), 및 고굴절 유기층(190)을 포함하여 발광 영역(EMA)에서 방출된 광 중 외측을 향해 진행하는 광을 상측으로 진행하도록 반사할 수 있다. 저굴절 유기층(180)은 도 5에 도시된 바와 같이 각 발광 영역(EMA)에 대응하여 각각 배치될 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
다른 실시예로 도 6에 도시된 바와 같이, 저굴절 유기층(180')이 비발광 영역(NEM)에 연장되어 전체적으로 형성될 수 있다. 저굴절 유기층(180')은 각 발광 영역(EMA)에 대응하는 영역에 개구가 형성되어 각 서브 화소들(R, G, B)을 노출할 수 있다.
이하, 도 7을 참조하여 표시 장치의 전반적인 적층 구조 및 전반사층(TRL)의 동작 원리에 대해 자세히 설명한다.
표시 패널(100)은 기판(SUB)과 기판(SUB) 상에 순차적으로 배치된 박막 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 봉지층(160), 및 전반사층(TRL)을 포함한다.
기판(SUB)은 유리, 석영, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 고분자 물질의 예로는 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate: PA), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene napthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terepthalate: PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate: CAT), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 또는, 기판(SUB)은 금속 재질의 물질을 포함할 수도 있다.
기판(SUB)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉시블(flexible) 기판일 수 있다. 기판(SUB)이 플렉시블 기판인 경우, 폴리이미드(PI)로 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터층(TFTL)이 형성된다. 박막 트랜지스터층(TFTL)은 복수의 박막 트랜지스터(110), 게이트 절연막(121), 층간 절연막(122), 보호막(123), 및 평탄화막(130)을 포함한다.
기판(SUB)의 일면 상에는 제1 버퍼막(BF1)이 형성될 수 있다. 제1 버퍼막(BF1)은 투습에 취약한 기판(SUB)을 통해 침투하는 수분으로부터 박막 트랜지스터(110)와 발광 소자층(EML)의 유기 발광층(142)을 보호하기 위해 기판(SUB)의 일면 상에 형성될 수 있다. 제1 버퍼막(BF1)은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 버퍼막(BF1)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 및 알루미늄옥사이드층 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 버퍼막(BF1)은 생략될 수 있다.
제1 버퍼막(BF1) 상에는 박막 트랜지스터(110)가 형성된다. 박막 트랜지스터(110)는 액티브층(111), 게이트 전극(112), 소스 전극(113) 및 드레인 전극(114)을 포함한다. 도 7에서는 박막 트랜지스터(110)가 게이트 전극(112)이 액티브층(111)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 박막 트랜지스터(110)들은 게이트 전극(112)이 액티브층(111)의 하부에 위치하는 하부 게이트(바텀 게이트, bottom gate) 방식 또는 게이트 전극(112)이 액티브층(111)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 방식으로 형성될 수도 있다.
버퍼막 상에는 액티브층(111)이 형성된다. 액티브층(111)은 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 저온 다결정 실리콘, 비정질 실리콘, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체는 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 액티브층(111)은 ITZO(인듐, 주석, 티타늄을 포함하는 산화물)나 IGZO(인듐, 갈륨, 주석을 포함하는 산화물)를 포함할 수 있다. 버퍼막과 액티브층(111) 사이에는 액티브층(111)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 형성될 수 있다.
액티브층(111) 상에는 게이트 절연막(121)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(121)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(121) 상에는 게이트 전극(112)과 게이트 라인이 형성될 수 있다. 게이트 전극(112)과 게이트 라인은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(112)과 게이트 라인 상에는 층간 절연막(122)이 형성될 수 있다. 층간 절연막(122)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.
층간 절연막(122) 상에는 소스 전극(113)과 드레인 전극(114)이 형성될 수 있다. 소스 전극(113)과 드레인 전극(114) 각각은 게이트 절연막(121)과 층간 절연막(122)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층(111)에 접속될 수 있다. 소스 전극(113)과 드레인 전극(114)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
소스 전극(113)과 드레인 전극(114) 상에는 박막 트랜지스터(110)를 절연하기 위한 보호막(123)이 형성될 수 있다. 보호막(123)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.
보호막(123) 상에는 박막 트랜지스터(110)로 인한 단차를 평탄하게 하기 위한 평탄화막(130)이 형성될 수 있다. 평탄화막(130)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터층(TFTL) 상에는 발광 소자층(EML)이 형성된다. 발광 소자층(EML)은 발광 소자(140)들과 뱅크층(150)을 포함한다.
발광 소자(140)들과 뱅크층(150)은 평탄화막(130) 상에 형성된다. 발광 소자(140)들 각각은 제1 전극(141), 유기 발광층(142), 및 제2 전극(143)을 포함할 수 있다.
제1 전극(141)은 평탄화막(130) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극(141)은 보호막(123)과 평탄화막(130)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(110)의 소스 전극(113)에 접속된다.
유기 발광층(142)을 기준으로 제2 전극(143) 방향으로 발광하는 상부 발광(top emission) 구조에서 제1 전극(141)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.
유기 발광층(142)을 기준으로 제1 전극(141) 방향으로 발광하는 하부 발광(bottom) 구조에서 제1 전극(141)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(141)이 반투과 금속물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity)에 의해 출광 효율이 높아질 수 있다.
뱅크층(150)은 각 서브 화소들(R, G, B)을 정의하는 뱅크층으로 역할을 하기 위해 평탄화막(130) 상에서 제1 전극(141)을 구획하도록 형성될 수 있다. 뱅크층(150)은 제1 전극(141)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다. 뱅크층(150)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
각 서브 화소(R, G, B)들은 제1 전극(141), 유기 발광층(142), 및 제2 전극(143)이 순차적으로 적층되어 제1 전극(141)으로부터의 정공과 제2 전극(143)으로부터의 전자가 유기 발광층(142)에서 서로 결합되어 발광하는 영역을 나타낸다.
제1 전극(141)과 뱅크층(150) 상에는 유기 발광층(142)이 형성된다. 유기 발광층(142)은 유기 물질을 포함하여 소정의 색을 발광할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층(142)은 정공 수송층(hole transporting layer), 유기 물질층, 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 적색 서브 화소(R)의 유기 발광층(142)은 적색 광을 발광하고, 녹색 서브 화소(G)의 유기 발광층(142)은 녹색 광을 발광하며, 청색 서브 화소(B)의 유기 발광층(142)은 청색 광을 발광할 수 있다. 다만 이에 제한되지 않으며, 각 서브 화소(R, G, B)들의 유기 발광층(142)들은 백색 광을 발광하고, 적색 서브 화소(R)는 적색 컬러필터층을 더 포함하고, 녹색 서브 화소(G)는 녹색 컬러필터층을 더 포함하며, 청색 서브 화소(B)는 청색 컬러필터층을 더 포함할 수도 있다.
제2 전극(173)은 유기 발광층(142) 상에 형성된다. 제2 전극(173)은 유기 발광층(142)을 덮도록 형성될 수 있다. 제2 전극(173)은 화소(P)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 도면상 도시되지 않았으나, 제2 전극(173) 상에는 제2 전극(173)을 보호하는 캡핑층(capping layer)이 더 형성될 수 있다.
상부 발광 구조에서 제2 전극(173)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제2 전극(173)이 반투과 금속물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity)에 의해 출광 효율이 높아질 수 있다.
발광 소자층(EML) 상에는 박막 봉지층(160)이 형성된다. 박막 봉지층(160)을 포함한다.
박막 봉지층(160)은 제2 전극(173) 상에 배치된다. 박막 봉지층(160)은 유기 발광층(142)과 제2 전극(173)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하기 위해 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 또한, 박막 봉지층(160)은 먼지와 같은 이물질로부터 발광 소자층(EML)을 보호하기 위해 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 박막 봉지층(160)은 제2 전극(173) 상에 배치된 제1 봉지 무기막, 제1 봉지 무기막 상에 배치된 봉지 유기막, 봉지 유기막 상에 배치된 제2 봉지 무기막을 포함할 수 있다. 제1 봉지 무기막과 제2 봉지 무기막은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 봉지 유기막은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
박막 봉지층(160) 상에는 전반사층(TRL)이 배치될 수 있다. 전반사층(TRL)은 무기층(170) 및 무기층(170) 상에 배치된 저굴절 유기층(180)과 고굴절 유기층(190)을 포함한다. 무기층(170)은 박막 봉지층(160) 상에 배치된 베이스부 및 베이스부로부터 두께 방향으로 돌출된 돌출 패턴부(170p)를 포함할 수 있다.
박막 봉지층(160) 상에는 제2 버퍼막(BF2)이 전반적으로 형성될 수 있다. 제2 버퍼막(BF2)은 박막 봉지층(160) 상에 직접 배치되어 유기 발광층(142)을 외부에서 침투하는 수분으로부터 더욱 견고히 보호하고 상술한 전반사층(TRL)이 배치될 공간을 마련할 수 있다. 몇몇 실시예에서 박막 봉지층(160) 상에 터치 센서층이 더 배치되는 경우, 터치 센서층이 배치될 공간을 마련할 수도 있다. 터치 센서층이 더 배치되는 실시예는 도 17 내지 도 22을 참조하여 후술하기로 한다.
제2 버퍼막(BF2)은 무기 물질을 포함하는 단일막으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 버퍼막(BF2)은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄옥사이드, 및 알루미늄옥사이드 중 어느 하나의 물질을 포함하는 단일막으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 버퍼막(BF2)은 실리콘 나이트라이드를 포함하고, 대략 2000Å의 두께로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 몇몇 실시예에서 제2 버퍼막(BF2)은 복수의 무기 물질로 구성된 다중막으로 형성되거나, 생략될 수도 있다.
제2 버퍼막(BF2) 상에는 돌출 패턴부(170p)를 포함하는 무기층(170)이 배치될 수 있다.
무기층(170)은 제2 버퍼막(BF2) 상에 전반적으로 형성되어 박막 봉지층(160)을 덮을 수 있다. 몇몇 실시예에서, 박막 봉지층(160) 상에 터치 센서층이 배치되는 경우, 무기층(170)은 터치 센서층이 포함하는 제1 금속층과 제2 금속층을 절연하는 절연층으로서 역할을 수행할 수 있다. 또한, 이 경우 무기층(170)은 무기층(170)을 관통하여 제1 금속층을 노출하는 컨택홀이 형성될 수 있다.
무기층(170)은 무기 물질을 포함하는 단일막으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 무기층(170)은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 및 알루미늄 옥사이드 중 어느 하나의 물질을 포함하는 단일막으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 무기층(170)은 실리콘 나이트라이드를 포함하고, 돌출 패턴부(170s)를 제외한 영역에서 3000Å의 두께로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 몇몇 실시예에서 무기층(170)은 복수의 무기 물질로 구성된 다중막으로 형성되거나, 생략될 수도 있다.
돌출 패턴부(170p)는 후술할 저굴절 유기층(180) 형성 시 공정 안정성을 확보하기 위한 지지층(supporting layer)일 수 있다. 구체적으로, 돌출 패턴부(170p)는 저굴절 유기층(180) 형성 시, 포토리소그래피(photolithography) 공정 과정에서 저굴절 유기층(180)의 형상이 무너지지 않도록 저굴절 유기층(180)의 측면을 지지할 수 있다. 돌출 패턴부(170p)가 배치되지 않는 경우, 포토리소그래피(photolithography) 공정 과정에서 저굴절 유기층(180)의 하부에 언더컷(undercut)이 발생하거나 잔막이 발생하여 공정성이 하락할 수 있다.
단면상 돌출 패턴부(170p)의 양 측면은 대체적으로 역테이퍼 형상을 가질 수 있으며, 저굴절 유기층(180)의 전반사면의 적어도 일부가 경사면을 가지도록 지지할 수 있다. 즉, 돌출 패턴부(170p)의 단면상 형상은 역사다리꼴일 수 있으나 이에 제한되지 않으며, 삼각형 및 다양한 다각형, 또는 곡면을 포함하는 형상일 수도 있다. 돌출 패턴부(170p)의 단면 형상에 따라 돌출 패턴부(170p) 상에 배치되는 저굴절 유기층(180)의 형상을 다양하게 할 수 있다.
돌출 패턴부(170p)는 대체적으로 발광 영역(EMA)과 기판(SUB)에 수직한 방향으로 중첩될 수 있다. 돌출 패턴부(170p)의 폭은 발광 영역(EMA)의 폭과 같거나 발광 영역(EMA)의 폭보다 클 수 있다. 몇몇 실시예에서 돌출 패턴부(170p)는 비발광 영역(NEM)과 적어도 일부가 중첩할 수도 있다.
또한, 도면상 도시되지 않았으나 몇몇 실시예에서 무기층(170)은 비발광 영역(NEM) 상에도 전체적으로 배치되는 돌출 패턴부(170p)를 더 포함할 수 있다.
돌출 패턴부(170p)는 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 돌출 패턴부(170p)는 무기층(170)을 두껍게 적층한 뒤, 발광 영역과 중첩된 영역이 돌출되도록 무기층(170)의 일부를 제거하여 형성된 부분일 수 있다. 이 경우, 돌출 패턴부(170p)는 무기층(170)의 상면으로부터 돌출된 부분일 수 있으며, 무기층(170)과 돌출 패턴부(170p)는 서로 물리적 경계가 없이 맞닿아 있을 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 다른 실시예로 돌출 패턴부(170p)는 무기층(170)과 별도의 층으로 형성될 수 있다.
돌출 패턴부(170p)가 무기층(170)의 일부를 제거하여 형성된 경우, 돌출 패턴부(170p)는 무기층(170)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 돌출 패턴부(170p)는 무기 물질을 포함하는 단일막으로 이루어질 수 있다. 상기 무기 물질의 예시로는 무기층(170)이 포함하는 무기 물질의 예시와 동일할 수 있는 바, 구체적 설명은 생략한다.
돌출 패턴부(170p)는 돌출 패턴부(170p)가 형성되지 않은 무기층(170)의 상면으로부터 1000Å 내지 5000Å의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며 더욱 두꺼운 두께를 가질 수도 있다. 일 실시예로 돌출 패턴부(170p)는 무기층(170)의 상면으로부터 대략 2000Å의 두께를 가질 수 있다. 즉, 무기층(170)의 최대 두께는 4000Å 내지 8000Å일 수 있다.
앞서 설명한 바와 달리 돌출 패턴부(170p)는 무기층(170)과 별도의 층으로 형성될 수도 있다. 도 12는 돌출 패턴부(170p_1)가 무기층(170_1) 상에 별도의 층으로 형성되는 것을 예시한다. 이 경우, 무기층(170_1)은 제2 버퍼막(BF2)의 표면을 따라 대략 균일한 두께로 배치될 수 있으며, 돌출 패턴부(170p_1)는 발광 영역(EMA)과 중첩하도록 별도의 층으로 배치될 수 있다.
돌출 패턴부(170p_1)가 무기층(170_1)과 별도의 층으로 배치되는 경우, 돌출 패턴부(170p_1)의 두께를 자유롭게 조절할 수 있으며, 돌출 패턴부(170p_1)는 무기층(170_1)과 다른 무기 물질로 형성될 수 있다. 그에 따라 무기층(170_1) 및 돌출 패턴부(170p_1) 상에 배치되는 저굴절 유기층(180)의 형상을 더욱 다양하게 설계할 수 있다.
무기층(170) 상에는 저굴절 유기층(180) 및 고굴절 유기층(190)이 배치될 수 있다.
저굴절 유기층(180)은 발광 영역(EMA)과 인접하여 배치되고, 발광 영역(EMA)으로부터 방출된 광 중 외측을 향하는 광을 상측으로 출광시킬 수 있다. 저굴절 유기층(180)은 상술한 무기층(170) 및 후술할 고굴절 유기층(190) 보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 무기층(170)의 굴절률은 1.89이고, 저굴절 유기층(180)의 굴절률은 1.51일 수 있다.
또한, 저굴절 유기층(180)은 발광 영역(EMA)과 인접한 측면에서 경사를 갖는 전반사면(180tr)을 포함할 수 있다. 전반사면(180tr)에 입사된 광(L)은 반사되어 상측으로 출광될 수 있다.
일 실시예로 저굴절 유기층(180)은 발광 영역(EMA)에 인접하여 배치되고, 발광 영역(EMA)과 기판(SUB)에 수직한 방향으로 비중첩하도록 배치될 수 있으며, 비발광 영역(NEM)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 저굴절 유기층(180)이 발광 영역(EMA)과 비중첩할 경우, 발광 영역(EMA)에서의 출광 경로를 가리지 않아 출광 효율이 감소되지 않으며, 외측을 향하는 광을 효과적으로 상측 출광할 수 있다.
저굴절 유기층(180)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 저굴절 유기층(180)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 물질을 포함하는 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 일 실시예로, 저굴절 유기층(180)은 아크릴계 투명 유기막으로 대략 3㎛의 두께로 형성될 수 있다.
무기층(170) 및 저굴절 유기층(180)의 구조를 더욱 자세히 설명하기 위해 도 8 내지 도 11을 결부하여 설명한다. 상술한 바와 같이 무기층(170) 상에는 저굴절 유기층(180)이 배치되고, 저굴절 유기층(180) 상에는 고굴절 유기층(190)이 배치된다.
저굴절 유기층(180)은 하부 저굴절 유기층(180p) 및 상부 저굴절 유기층(180q)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 하부 저굴절 유기층(180p)은 무기층(170)의 돌출 패턴부(170p)에 의해 지지되는 부분이고, 상부 저굴절 유기층(180q)은 돌출 패턴부(170p)에 의해 지지되지 않는 부분일 수 있다.
하부 저굴절 유기층(180p)은 돌출 패턴부(170p)의 측면(170ps)에 의해 지지되는 영영인 보호 영역(sa) 내에 적어도 일부가 배치될 수 있다. 하부 저굴절 유기층(180p)은 보호 영역(sa)에 의해 보호되고, 예컨대 무기 물질 상에 유기 물질이 형성될 때 발생할 수 있는 언더컷(undercut) 또는 잔막 발생을 최소화할 수 있다. 즉, 저굴절 유기층(180) 형성 시 공정 안정성을 향상시킬 수 있다.
또한, 저굴절 유기층(180) 형성 후 추후 공정에서 저굴절 유기층(180)이 외력을 받더라도 저굴절 유기층(180)의 형상이 무너지지 않고 유지될 수 있는 바, 광학적 특성의 신뢰성도 향상시킬 수 있다.
하부 저굴절 유기층(180p)은 돌출 패턴부(170p)의 측면(170ps)과 맞닿는 제1 테이퍼면(180ps)을 포함할 수 있다. 제1 테이퍼면(180ps)은 하부 저굴절 유기층(180p)의 바닥면과 제1 테이퍼 각도(θ1)를 이룰 수 있다. 제1 테이퍼 각도(θ1)는 제1 테이퍼면(180ps)이 발광 소자(140)에서 방출된 광을 효과적으로 반사하기 위해 60° 내지 85°이고, 바람직하게는 70° 내지 75°일 수 있다.
상부 저굴절 유기층(180q)은 고굴절 유기층(190)과 맞닿는 제2 테이퍼면(180qs)을 포함할 수 있다. 제2 테이퍼면(180qs)은 돌출 패턴부(170p)의 상면의 연장선과 제2 테이퍼 각도(θ2)를 이룰 수 있다. 제2 테이퍼 각도(θ2)도 제1 테이퍼 각도(θ1)와 마찬가지로 60° 내지 85°이고, 바람직하게는 70° 내지 75°일 수 있다.
제1 테이퍼 각도(θ1)와 제2 테이퍼 각도(θ2)는 서로 동일할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예컨대, 하부 저굴절 유기층(180p)의 제1 테이퍼 각도(θ1)는 무기층(170)의 돌출 패턴부(170p)에 의해 결정될 수 있으며, 상부 저굴절 유기층(180q)의 제2 테이퍼 각도(θ2)는 저굴절 유기층(180)의 형성 공정에 따라 상이할 수 있다. 즉, 제2 테이퍼 각도(θ2)는 제1 테이퍼 각도(θ1)와 달라질 수 있다. 도 9 및 도 10은 제2 테이퍼 각도(θ2)가 제1 테이퍼 각도(θ1)와 상이한 구조를 예시한다.
도 9의 상부 저굴절 유기층(180qa)은 제2 테이퍼 각도(θ2a)가 제1 테이퍼 각도(θ1)보다 작은 제2 테이퍼면(180qas)을 포함한다. 제2 테이퍼면(180qas)은 제1 테이퍼면(180ps)에 비해 작은 경사를 이루고 있으므로 제1 테이퍼면(180ps)보다 입사광의 입사각이 큰 광을 전반사하여 상측으로 출광할 수 있다.
도 10의 상부 저굴절 유기층(180qb)은 제2 테이퍼 각도(θ2b)가 제1 테이퍼 각도(θ1)보다 큰 제2 테이퍼면(180qbs)을 포함한다. 제2 테이퍼면(180qbs)은 제1 테이퍼면(180ps)에 비해 큰 경사를 이루고 있으므로 제1 테이퍼면(180ps)보다 입사광의 입사각이 작은 광이 입사하더라도 전반사하여 상측으로 출광할 수 있다.
즉, 도 9 및 도 10의 실시예와 같이 제1 테이퍼면(180ps)과 제2 테이퍼면(180qas, 180qbs)의 경사가 서로 상이할 경우, 경사가 동일한 경우에 비해 다양한 입사각을 가지는 입사광을 상측으로 출광할 수 있다.
하부 저굴절 유기층(180p)의 제1 테이퍼면(180ps)과 상부 저굴절 유기층(180q)의 제2 테이퍼면(180qs)은 상술한 저굴절 유기층(180)의 전반사면(180tr)을 구성할 수 있다.
하부 저굴절 유기층(180p)의 제1 테이퍼면(180ps)과 상부 저굴절 유기층(180q)의 제2 테이퍼면(180qs)은 도 8 내지 도 10에 예시된 바와 같이 일 단이 서로 접촉할 수 있으나, 서로 접촉하지 않을 수도 있다. 즉, 제1 테이퍼면(180ps)과 제2 테이퍼면(180qs)은 서로 정렬되지 않을 수 있다.
도 11은 하부 저굴절 유기층(180p)의 제1 테이퍼면(180ps)과 상부 저굴절 유기층(180qc)의 제2 테이퍼면(180qcs)이 서로 정렬되지 않는 구조를 예시한다. 저굴절 유기층(180c)의 형성 공정 중 상부 저굴절 유기층(180qc)이 충분히 제거되지 않을 경우, 도 11의 실시예와 같이 제2 테이퍼면(180qcs)이 외측으로 돌출될 수 있다. 다만, 제2 테이퍼면(180qcs)이 제1 테이퍼면(180ps)보다 외측으로 돌출되는 경우에 제한되지 않으며, 저굴절 유기층(180c)의 형성 공정에 따라 제2 테이퍼면(180qcs)이 제1 테이퍼면(180ps)보다 내측으로 만입될 수도 있다.
또한, 제2 테이퍼면(180qcs)의 제2 테이퍼 각도(θ2c)는 제1 테이퍼 각도(θ1)와 서로 동일할 수 있으나, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 서로 상이할 수 있음은 물론이다.
이하에서는 저굴절 유기층(180)이 도 8에 예시된 구조와 같이 제1 테이퍼 각도(θ1)와 제2 테이퍼 각도(θ2)가 동일한 각을 가지며, 제1 테이퍼면(180ps) 및 제2 테이퍼면(180qs)이 서로 정렬되는 구조인 것으로 설명한다. 다만, 후술할 모든 실시예들도 도 9 내지 도 11에 예시된 구조가 적용될 수 있다.
다시 도 7을 참조하면, 무기층(170) 및 저굴절 유기층(180) 상에는 고굴절 유기층(190)이 배치될 수 있다. 고굴절 유기층(190)은 무기층(170) 및 저굴절 유기층(180)을 덮도록 형성되어 박막 봉지층(160) 상에 배치된 전반사층(TRL)을 전반적으로 평탄화할 수 있다.
고굴절 유기층(190)은 저굴절 유기층(180)보다 높은 굴절률을 가진 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 저굴절 유기층(180)의 굴절률은 1.51이고, 고굴절 유기층(180)의 굴절률은 1.65일 수 있다. 즉, 고굴절 유기층(190)과 저굴절 유기층(180)의 계면에 입사된 광은 전반사되어 상측으로 출광될 수 있다.
고굴절 유기층(190)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 고굴절 유기층(190)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등 유기 물질을 포함하는 단일막으로 형성될 수 있으나, 저굴절 유기층(180)보다 높은 굴절률을 갖는 유기 물질이라면 이에 한정되지 않는다.
고굴절 유기층(190)은 무기층(170)의 상면으로부터 5㎛ 이상의 두께로 형성될 수 있다. 즉, 고굴절 유기층(190)은 저굴절 유기층(180)보다 두껍게 형성될 수 있다.
이하, 표시 장치의 다른 실시예들에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이전에 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 부호로 지칭하고, 그 설명을 생략하거나 간략화하고, 차이점을 위주로 설명하기로 한다.
도 13 내지 도 16의 실시예는 저굴절 유기층(180_2)이 제1 저굴절 유기층(181_2) 및 제2 저굴절 유기층(182_2)을 포함하는 점에서 도 5 내지 도 12의 실시예와 차이가 있다. 이하에서는 상술한 실시예와의 차이점을 위주로 설명하기로 한다.
도 13은 도 2의 Q1 영역의 또 다른 예를 보여주는 확대 평면도이다. 도 14는 도 2의 Q1 영역의 또 다른 예를 보여주는 확대 평면도이다. 도 15는 도 13의 XV-XV' 선을 따라 자른 단면의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 16은 도 13의 XV-XV' 선을 따라 자른 단면의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 13 내지 도 16을 참조하면, 표시 영역(DA)은 복수의 화소(P)를 포함하며, 각 화소는 발광 영역(EMA)을 포함한다. 각 화소의 발광 영역(EMA) 사이에는 비발광 영역(NEM)이 배치된다.
표시 영역(DA)은 각 발광 영역(EMA)을 둘러싸며 외부로의 출광 효율을 향상시킬 수 있는 전반사층(도 15의 "TRL")을 더 포함할 수 있다. 구체적으로 전반사층(TRL)은 무기층(170_2), 저굴절 유기층(180_2), 및 고굴절 유기층(190)을 포함하여 발광 영역(EMA)에서 방출된 광 중 외측을 향해 진행하는 광을 상측으로 진행하도록 반사할 수 있다.
저굴절 유기층(180_2)은 제1 저굴절 유기층(181_2) 및 제2 저굴절 유기층(182_2)을 포함할 수 있다. 제1 저굴절 유기층(181_2) 및 제2 저굴절 유기층(182_2)은 평면상 발광 영역(EMA)을 둘러 싸도록 배치되며, 제1 저굴절 유기층(181_2)은 제2 저굴절 유기층(182_2)의 내측에 배치될 수 있다. 제1 저굴절 유기층(181_2)과 제2 저굴절 유기층(182_2)은 서로 물리적으로 이격 배치될 수 있다. 제2 저굴절 유기층(182_2)은 도 13에 도시된 바와 같이 각 발광 영역(EMA)에 대응하여 각각 배치될 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
다른 실시예로 도 14에 도시된 바와 같이, 저굴절 유기층(180_2)은 제1 저굴절 유기층(181_2) 및 제2 저굴절 유기층(182_2')을 포함하며, 제2 저굴절 유기층(182_2')이 비발광 영역(NEM)에 연장되어 전체적으로 형성될 수 있다. 저굴절 유기층(180_2')은 각 발광 영역(EMA)에 대응하는 영역에 개구가 형성되어 각 서브 화소들(R, G, B)을 노출할 수 있다.
박막 봉지층(160) 상에는 전반사층(TRL)이 배치될 수 있다. 전반사층(TRL)은 무기층(170_2) 및 무기층(170_2) 상에 배치된 저굴절 유기층(180_2)과 고굴절 유기층(190)을 포함한다.
무기층(170_2)은 박막 봉지층(160) 상에 배치된 베이스부 및 베이스부로부터 두께 방향으로 돌출된 돌출 패턴부(170p_2)를 포함할 수 있다. 돌출 패턴부(170p_2)는 제1 돌출 패턴부(171p_2) 및 제2 돌출 패턴부(172p_2)를 포함할 수 있다.
저굴절 유기층(180_2)은 제1 저굴절 유기층(181_2) 및 제2 저굴절 유기층(182_2)을 포함할 수 있다.
무기층(170_2)은 제2 버퍼막(BF2)상에 전반적으로 형성되어 박막 봉지층(160)을 덮을 수 있다.
돌출 패턴부(170p_2)는 저굴절 유기층(180_2) 형성 시 공정 안정성을 확보하기 위한 지지층(supporting layer)일 수 있다. 구체적으로, 돌출 패턴부(170p_2)는 저굴절 유기층(180_2) 형성 시, 포토리소그래피(photolithography) 공정 과정에서 저굴절 유기층(180_2)의 형상이 무너지지 않도록 지지할 수 있다. 제1 돌출 패턴부(171p_2)는 제1 저굴절 유기층(181_2)의 전반사면(181_2tr)을 지지하고, 제2 돌출 패턴부(172p_2)는 제2 저굴절 유기층(182_2)의 전반사면(182_2tr)을 지지할 수 있다.
단면상 돌출 패턴부(170p_2)의 양 측면은 대체적으로 역테이퍼 형상을 가질 수 있으며, 저굴절 유기층(180_2)의 전반사면의 적어도 일부가 경사면을 가지도록 지지할 수 있다. 돌출 패턴부(170p_2)의 단면 형상은 역사다리꼴일 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 삼각형 및 다양한 다각형, 또는 곡면을 포함하는 형상일 수도 있다. 돌출 패턴부(170p_2)의 단면 형상에 따라 돌출 패턴부(170p_2) 상에 배치되는 저굴절 유기층(180_2)의 형상을 다양하게 할 수 있다.
제1 돌출 패턴부(171p_2)는 제1 저굴절 유기층(181_2)의 내측에 배치되고, 대체적으로 발광 영역(EMA)과 기판(SUB)에 수직한 방향으로 중첩될 수 있다. 제1 돌출 패턴부(171p_2)의 폭은 발광 영역(EMA)의 폭과 같거나 발광 영역(EMA)의 폭보다 클 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 돌출 패턴부(171p_2)는 비발광 영역(NEM)과 적어도 일부가 중첩할 수 있다.
제2 돌출 패턴부(172p_2)는 제1 저굴절 유기층(181_2) 및 제2 저굴절 유기층(182_2) 사이에 배치되고, 비발광 영역(NEM) 상에 배치될 수 있다.
도면상 도시되지 않았으나, 무기층(170_2)은 제2 저굴절 유기층(182_2) 사이에 배치되고, 비발광 영역(NEM) 상에 전체적으로 배치되는 제3 돌출 패턴부를 더 포함할 수도 있다.
제1 돌출 패턴부(171p_2) 및 제2 돌출 패턴부(172p_2)는 무기층(170_2)의 상면으로부터 1000Å 내지 5000Å의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며 더욱 두꺼운 두께를 가지질 수 있다. 또한, 제1 돌출 패턴부(171p_2) 및 제2 돌출 패턴부(172p_2)는 일 실시예로 서로 동일한 두께를 가질 수 있으나, 다른 실시예로 서로 다른 두께를 가질 수도 있다.
도 16는 돌출 패턴부(170p_3)가 무기층(170_3) 상에 별도의 층으로 형성되는 것을 예시한다. 돌출 패턴부(170p_3)는 제1 돌출 패턴부(171p_3) 및 제2 돌출 패턴부(172p_3)를 포함한다. 도 16는 제1 돌출 패턴부(171p_3) 및 제2 돌출 패턴부(172p_3)가 모두 무기층(170_3)과 별도의 층으로 형성된 것을 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 제1 돌출 패턴부(171p_3) 및 제2 돌출 패턴부(172p_3) 중 어느 하나는 무기층(170_3)과 별도의 층으로 형성되고 다른 하나는 무기층(170_3)으로부터 연장되어 형성될 수도 있다.
돌출 패턴부(170p_3)가 무기층(170_3)과 별도의 층으로 형성될 경우, 무기층(170_3)은 제2 버퍼막(BF2)의 표면을 따라 대략 균일한 두께로 배치될 수 있다. 돌출 패턴부(170p_3)는 무기층(170_3)과 다른 물질로 형성될 수 있으며, 돌출 패턴부(170p_3)의 두께를 자유롭게 조절할 수 있다. 그에 따라 무기층(170_3) 및 돌출 패턴부(170p_3) 상에 배치되는 저굴절 유기층(180_3)의 형상을 더욱 다양하게 설계할 수 있다.
다시 도 15을 참조하면, 무기층(170_2) 상에는 저굴절 유기층(180_2) 및 고굴절 유기층(190)이 배치될 수 있다. 저굴절 유기층(180_2)은 제1 저굴절 유기층(181_2) 및 제2 저굴절 유기층(182_2)을 포함할 수 있다.
저굴절 유기층(180_2)은 발광 영역(EMA)과 인접하여 배치되고, 발광 영역(EMA)으로부터 방출된 광 중 외측을 향하는 광(L1, L2)을 상측으로 출광시킬 수 있다. 저굴절 유기층(180_2)은 무기층(170_2) 및 고굴절 유기층(190) 보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
저굴절 유기층(180_2)이 무기층(170_2) 상에 형성된 경우, 돌출 패턴부(170p_2)와 만나는 저굴절 유기층(180_2)의 전반사면(181_2tr, 182_2tr)은 무기층(170_2)과 일정 경사를 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 저굴절 유기층(181_2)은 경사를 갖는 제1 전반사면(181tr_2)을 포함하고 제2 저굴절 유기층(182_2)은 경사를 갖는 제2 전반사면(182tr_2)을 포함할 수 있다.
일 실시예로 제1 저굴절 유기층(181_2)의 바닥면과 제1 저굴절 유기층(181_2)의 전반사면(181_2tr)이 이루는 경사는 60° 내지 85°이고, 제2 저굴절 유기층(182_2)의 바닥면과 제2 저굴절 유기층(182_2)의 전반사면(182_2tr)이 이루는 경사는 제1 저굴절 유기층(181_2)의 전반사면(181_2tr)이 이루는 경사와 같거나 그보다 작을 수 있다.
상술한 바와 같이 저굴절 유기층(180_2)의 전반사면(181_2tr, 182_2tr)은 경사면일 수 있으며, 이에 따라 저굴절 유기층(180_2)의 단면상 테이퍼면을 포함할 수 있다.
도 5 내지 도 8에서 설명한 실시예와 달리 본 실시예는 제1 저굴절 유기층(181_2) 및 제2 저굴절 유기층(182_2)을 포함하여 더 많은 광을 외부로 출광시킬 수 있다. 예컨대, 저굴절 유기층(180_2)은 제1 전반사면(181_2tr)과 제2 전반사면(182_2tr)을 포함하는 바, 상술한 실시예에 비해 더 많은 광을 반사하여 효과적으로 상부 출광시킬 수 있다.
무기층(170_2) 및 저굴절 유기층(180_2) 상에는 고굴절 유기층(190)이 배치될 수 있다. 고굴절 유기층(190)은 무기층(170_2) 및 저굴절 유기층(180_2)을 전체적으로 덮도록 형성되어 박막 봉지층(160) 상에 배치된 전반사층(TRL)을 전반적으로 평탄화할 수 있다.
고굴절 유기층(190)은 무기층(170_2)의 상면으로부터 5㎛ 이상의 두께로 형성될 수 있다. 즉, 고굴절 유기층(190)은 저굴절 유기층(180_2)보다 두껍게 형성될 수 있다.
도 17 내지 도 22에 도시된 실시예들은 도 5 내지 도 16에서 설명한 실시예와 달리 박막 봉지층(160) 상에 배치된 터치 센서층(TSL)을 더 포함하는 점에서 차이가 있다. 이하, 도 5 내지 도 16의 실시예와 차이점을 위주로 설명한다.
도 17은 도 2의 Q1 영역의 또 다른 예를 보여주는 확대 평면도이다. 도 18는 도 17의 XVIII-XVIII' 선을 따라 자른 단면의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 19는 도 17의 XVIII-XVIII' 선을 따라 자른 단면의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
표시 영역(DA)은 각 발광 영역(EMA)을 둘러싸며 외부로의 출광 효율을 향상시킬 수 있는 전반사층(도 18의 "TRL")을 더 포함할 수 있다. 구체적으로 전반사층(TRL)은 무기층(170_4), 저굴절 유기층(180_4), 및 고굴절 유기층(190)을 포함하여 발광 영역(EMA)에서 방출된 광 중 외측을 향해 진행하는 광을 상측으로 진행하도록 반사할 수 있다.
또한, 표시 영역(DA)은 정전 용량 방식으로 사용자의 터치를 감지하기 위한 터치 센서층(TSL)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 센서층(TSL)은 자기 정전 용량(self-capacitance) 방식 또는 상호 정전 용량(mutual capacitance) 방식으로 사용자의 터치를 감지할 수 있다. 터치 센서층(TSL)은 사용자의 터치를 감지하여 터치 구동 회로(도 1의 "400")로 터치 신호를 전달할 수 있다.
터치 센서층(TSL)은 메쉬 형태의 전극들로 형성되고, 비발광 영역(NEM)에서 각 서브 화소(R, G, B)의 경계를 따라 배치될 수 있다. 터치 센서층(TSL)은 발광 영역(EMA)과는 비중첩할 수 있다. 터치 센서층(TSL)의 폭은 비발광 영역(NEM)의 폭보다 작을 수 있다. 일 실시예에서, 터치 센서층(TSL)이 노출하는 영역은 실질적인 마름모 형상일 수 있다. 각 터치 센서층(TSL)이 노출하는 영역의 크기는 동일할 수도 있지만, 이는 해당 영역이 노출하는 발광 영역(EMA)의 크기에 따라 상이할 수도 있고, 그와 무관하게 상이할 수도 있다. 도면에서는 터치 센서층(TSL)이 노출하는 하나의 영역이 하나의 발광 영역(EMA)에 대응된 경우가 예시되어 있지만, 이에 제한되는 것은 아니며, 2 이상의 발광 영역(EMA)에 대응될 수도 있다.
박막 봉지층(160) 상에는 터치 센서층(TSL)이 형성된다. 터치 센서층(TSL)은 제2 버퍼막(BF2) 상에 배치된 제1 금속층(MTL1)과 무기층(170_4) 상에 배치된 제2 금속층(MTL2)을 포함할 수 있다. 제1 금속층(MTL1) 및 제2 금속층(MTL2)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한, 제1 금속층(MTL1)과 제2 금속층(MTL2)은 서로 동일한 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 금속층(MTL1)과 제2 금속층(MTL2) 사이에 배치된 무기층(170_4)에는 무기층(170_4)을 관통하여 제1 금속층(MTL1)을 노출하는 콘택홀이 형성되어 제1 금속층(MTL1)과 제2 금속층(MTL2)을 전기적으로 연결할 수도 있다. 이하의 도면에서 터치 센서층(TSL)은 하나의 금속층만 도시하고 있으나, 제1 금속층(MTL1) 및 제2 금속층(MTL2)을 포함할 수 있다.
터치 센서층(TSL)이 박막 봉지층(160) 상에 바로 형성되므로, 터치 전극들을 포함하는 별도의 터치 패널을 박막 봉지층(160) 상에 부착할 때보다 표시 장치의 두께를 줄일 수 있다. 또한, 터치 센서층(TSL)이 메쉬 형태의 전극들로 형성될 뿐만 아니라, 뱅크층(150)과 중첩하게 배치된다. 이로 인해, 각 서브 화소들(R, G, B)의 개구 영역이 줄어드는 것을 방지할 수 있다.
저굴절 유기층(180_4)은 평면상 발광 영역(EMA)을 둘러 싸도록 배치될 수 있고, 각 발광 영역(EMA)에 대응하는 영역에 개구가 형성되어 각 서브 화소들(R, G, B)을 노출할 수 있다.
박막 봉지층(160) 상에는 전반사층(TRL)이 배치될 수 있다. 전반사층(TRL)은 무기층(170_4) 및 무기층(170_4) 상에 배치된 저굴절 유기층(180_4)과 고굴절 유기층(190)을 포함한다. 무기층(170_4)은 박막 봉지층(160) 상에 배치된 베이스부 및 베이스부로부터 두께 방향으로 돌출된 돌출 패턴부(170p_4)를 포함할 수 있다.
무기층(170_4)은 제2 버퍼막(BF2) 상에 전반적으로 형성되어 박막 봉지층(160)을 덮을 수 있다. 돌출 패턴부(170p_4)는 저굴절 유기층(180_4) 형성 시 공정 안정성을 확보하기 위한 지지층(supporting layer)일 수 있다.
단면상 돌출 패턴부(170p_4)의 양 측면은 대체적으로 역테이퍼 형상을 가질 수 있으며, 저굴절 유기층(180_4)의 전반사면의 적어도 일부가 경사면을 가지도록 지지할 수 있다. 돌출 패턴부(170p_4)의 단면 형상은 역사다리꼴일 수 있으나 이에 제한되지 않으며, 삼각형 및 다양한 다각형, 또는 곡면을 포함하는 형상일 수도 있다. 돌출 패턴부(170p_4)의 단면 형상에 따라 돌출 패턴부(170p_4) 상에 배치되는 저굴절 유기층(180_4)의 형상을 다양하게 할 수 있다.
돌출 패턴부(170p_4)는 발광 영역(EMA)과 기판(SUB)에 수직한 방향으로 중첩될 수 있다. 돌출 패턴부(170p_4)의 폭은 발광 영역(EMA)의 폭과 같거나 발광 영역(EMA)의 폭보다 클 수 있다. 몇몇 실시예에서 돌출 패턴부(170p_4)는 비발광 영역(NEM)과 적어도 일부가 중첩할 수 있다.
도면상 도시되지 않았으나, 무기층(170_4)은 저굴절 유기층(180_4) 사이에 배치되고, 비발광 영역(NEM) 상에 전체적으로 배치되는 돌출 패턴부를 더 포함할 수도 있다. 이 경우, 터치 센서층(TSL)의 제2 금속층은 돌출 패턴부(170p_4) 상에 배치될 수 있다.
도 19는 돌출 패턴부(170p_5)가 무기층(170_5) 상에 별도의 층으로 형성되는 것을 예시한다. 돌출 패턴부(170p_5)가 무기층(170_5)과 별도의 층으로 형성될 경우, 무기층(170_5)은 제2 버퍼막(BF2)의 표면을 따라 대략 균일한 두께로 배치될 수 있다. 또한, 돌출 패턴부(170p_5)의 두께를 자유롭게 조절할 수 있으며, 돌출 패턴부(170p_5)는 무기층(170_5)과 다른 물질로 형성될 수 있다. 그에 따라 무기층(170_5) 및 돌출 패턴부(170p_5) 상에 배치되는 저굴절 유기층(180_5)의 형상을 더욱 다양하게 설계할 수 있다.
다시 도 18을 참조하면, 무기층(170_4) 상에는 저굴절 유기층(180_4) 및 고굴절 유기층(190)이 배치될 수 있다. 저굴절 유기층(180_4)은 상술한 무기층(170_4) 및 고굴절 유기층(190) 보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
저굴절 유기층(180_4)이 무기층(170_4) 상에 형성된 경우, 돌출 패턴부(170p_4)와 만나는 저굴절 유기층(180_4)의 전반사면의 적어도 일부는 무기층(170_4)과 일정 경사를 가질 수 있다.
무기층(170_4), 터치 센서층(TSL), 및 저굴절 유기층(180_4) 상에는 고굴절 유기층(190)이 배치될 수 있다. 고굴절 유기층(190)은 무기층(170_4), 터치 센서층(TSL) 및 저굴절 유기층(180_4)을 전체적으로 덮도록 형성되어 박막 봉지층(160) 상에 배치된 전반사층(TRL)을 전반적으로 평탄화할 수 있으며, 터치 센서층(TSL)을 덮어 보호할 수 있다.
도 20 내지 도 22의 실시예는 저굴절 유기층(180_6)이 제1 저굴절 유기층(181_6) 및 제2 저굴절 유기층(182_6)을 포함하는 점에서 상술한 도 17 내지 도 19의 실시예와 차이가 있다. 이하에서는 도 17 내지 도 19의 실시예와의 차이점을 위주로 설명하기로 한다.
도 20은 도 2의 Q1 영역의 또 다른 예를 보여주는 확대 평면도이다. 도 21은 도 20의 XXI-XXI' 선을 따라 자른 단면의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 22은 도 20의 XXI-XXI' 선을 따라 자른 단면의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
표시 영역(DA)은 각 발광 영역(EMA)을 둘러싸며 외부로의 출광 효율을 향상시킬 수 있는 전반사층(도 21의 "TRL")을 더 포함할 수 있다. 구체적으로 전반사층(TRL)은 무기층(170_6), 저굴절 유기층(180_6), 및 고굴절 유기층(190)을 포함하여 발광 영역(EMA)에서 방출된 광 중 외측을 향해 진행하는 광을 상측으로 진행하도록 반사할 수 있다.
저굴절 유기층(180_6)은 제1 저굴절 유기층(181_6) 및 제2 저굴절 유기층(182_6)을 포함할 수 있다. 제1 저굴절 유기층(181_6) 및 제2 저굴절 유기층(182_6)은 평면상 발광 영역(EMA)을 둘러 싸도록 배치되며, 제1 저굴절 유기층(181_6)은 제2 저굴절 유기층(182_6)의 내측에 배치될 수 있다. 제1 저굴절 유기층(181_6)과 제2 저굴절 유기층(182_6)은 서로 물리적으로 이격 배치될 수 있다. 제2 저굴절 유기층(182_6)은 도 20에 도시된 바와 같이 각 발광 영역(EMA)에 대응하여 각각 배치될 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
박막 봉지층(160) 상에는 전반사층(TRL)이 배치될 수 있다. 전반사층(TRL)은 무기층(170_6) 및 무기층(170_6) 상에 배치된 저굴절 유기층(180_6)과 고굴절 유기층(190)을 포함한다.
저굴절 유기층(180_6)은 제1 저굴절 유기층(181_6) 및 제2 저굴절 유기층(182_6)을 포함할 수 있다.
무기층(170_6)은 박막 봉지층(160) 상에 배치된 베이스부 및 베이스부로부터 두께 방향으로 돌출된 돌출 패턴부(170p_6)를 포함할 수 있다. 또한, 돌출 패턴부(170p_6)는 제1 돌출 패턴부(171p_6) 및 제2 돌출 패턴부(172p_6)를 포함할 수 있다.
무기층(170_6)은 제2 버퍼막(BF2) 상에 전반적으로 형성되어 박막 봉지층(160)을 덮을 수 있다.
돌출 패턴부(170p_6)는 저굴절 유기층(180_6) 형성 시 공정 안정성을 확보하기 위한 지지층(supporting layer)일 수 있다. 제1 돌출 패턴부(171p_6)는 제1 저굴절 유기층(181_6)의 전반사면(181_6tr)을 지지하고, 제2 돌출 패턴부(172p_6)는 제2 저굴절 유기층(182_6)의 전반사면(182_6tr)을 지지할 수 있다.
제1 돌출 패턴부(171p_6)는 제1 저굴절 유기층(181_6)의 내측에 배치되고, 대체적으로 발광 영역(EMA)과 기판(SUB)에 수직한 방향으로 중첩될 수 있다. 제1 돌출 패턴부(171p_6)의 폭은 발광 영역(EMA)의 폭과 같거나 발광 영역(EMA)의 폭보다 클 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 돌출 패턴부(171p_6)는 비발광 영역(NEM)과 적어도 일부가 중첩할 수 있다.
제2 돌출 패턴부(172p_6)는 제1 저굴절 유기층(181_6) 및 제2 저굴절 유기층(182_6) 사이에 배치되고, 비발광 영역(NEM) 상에 배치될 수 있다.
제1 돌출 패턴부(171p_6) 및 제2 돌출 패턴부(172p_6)는 무기층(170_6)의 상면으로부터 1000Å 내지 5000Å의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며 더욱 두꺼운 두께를 가지질 수 있다. 또한, 제1 돌출 패턴부(171p_6) 및 제2 돌출 패턴부(172p_6)는 일 실시예로 서로 동일한 두께를 가질 수 있으나, 다른 실시예로 서로 다른 두께를 가질 수도 있다.
도 22은 돌출 패턴부(170p_7)가 무기층(170_7) 상에 별도의 층으로 형성되는 것을 예시한다. 돌출 패턴부(170p_7)는 제1 돌출 패턴부(171p_7) 및 제2 돌출 패턴부(172p_7)를 포함한다. 도 22은 제1 돌출 패턴부(171p_7) 및 제2 돌출 패턴부(172p_7)가 모두 무기층(170_7)과 별도의 층으로 형성된 것을 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 제1 돌출 패턴부(171p_7) 및 제2 돌출 패턴부(172p_7) 중 어느 하나는 무기층(170_7)과 별도의 층으로 형성되고 다른 하나는 무기층(170_7)으로부터 연장되어 형성될 수도 있다. 돌출 패턴부(170p_7)가 무기층(170_7)과 별도의 층으로 형성될 경우, 무기층(170_7)은 제2 버퍼막(BF2)의 표면을 따라 대략 균일한 두께로 배치될 수 있다.
다시 도 21을 참조하면, 무기층(170_6) 상에는 저굴절 유기층(180_6) 및 고굴절 유기층(190)이 배치될 수 있다. 저굴절 유기층(180_6)은 제1 저굴절 유기층(181_6) 및 제2 저굴절 유기층(182_6)을 포함할 수 있다.
저굴절 유기층(180_6)은 발광 영역(EMA)과 인접하여 배치되고, 발광 영역(EMA)으로부터 방출된 광 중 외측을 향하는 광을 상측으로 출광시킬 수 있다. 저굴절 유기층(180_6)은 상술한 무기층(170_6), 고굴절 유기층(190) 보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
저굴절 유기층(180_6)이 무기층(170_6) 상에 형성된 경우, 돌출 패턴부(170p_6)와 만나는 저굴절 유기층(180_6)의 전반사면의 적어도 일부는 무기층(170_6)과 일정 경사를 가질 수 있다. 그에 따라 저굴절 유기층(180_6)은 단면상 테이퍼면을 포함할 수 있다.
일 실시예로 제1 저굴절 유기층(181_6)의 바닥면과 제1 저굴절 유기층(181_6)의 전반사면이 이루는 경사는 60° 내지 85°이고, 제2 저굴절 유기층(182_6)의 바닥면과 제2 저굴절 유기층(182_6)의 전반사면이 이루는 경사는 제1 저굴절 유기층(181_6)의 전반사면이 이루는 경사와 같거나 그보다 작을 수 있다.
도 17 내지 도 19에서 설명한 실시예와 달리 본 실시예는 제1 저굴절 유기층(181_6) 및 제2 저굴절 유기층(182_6)을 포함하여 더 많은 광을 외부로 출광시킬 수 있다. 예컨대, 저굴절 유기층(180_6)은 제1 저굴절 유기층(181_6)의 전반사면과 제2 저굴절 유기층(182_6)의 전반사면을 포함하는 바, 상술한 실시예에 비해 더 많은 광을 효과적으로 상부 출광시킬 수 있다.
무기층(170_6) 및 저굴절 유기층(180_6) 상에는 고굴절 유기층(190)이 배치될 수 있다. 고굴절 유기층(190)은 무기층(170_6) 및 저굴절 유기층(180_6)을 전체적으로 덮도록 형성되어 박막 봉지층(160) 상에 배치된 전반사층(TRL)을 전반적으로 평탄화할 수 있다. 고굴절 유기층(190)은 무기층(170_6)의 상면으로부터 5㎛ 이상의 두께로 형성될 수 있다. 즉, 고굴절 유기층(190)은 저굴절 유기층(180_6)보다 두껍게 형성될 수 있다.
도 23는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 순서도이다. 도 24 내지 도 31은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 설명하는 도 5의 VII-VII' 선에 의한 단면도들이다. 도 32은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 단면도이다.
도 24 내지 도 31은 도 7에 도시된 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하였다. 동일한 도면 부호를 가진 구성에 대해선 앞서 설명한 바와 동일하거나 유사하므로 구체적인 설명은 생략한다. 이하에서는 도 23 및 도 24 내지 도 31을 결부하여 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 상세히 설명한다.
도 23 및 도 24 내지 도 31을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 박막 트랜지스터, 발광 소자, 및 박막 봉지층을 형성하는 단계(S101), 박막 봉지층 상에 베이스 무기층을 형성하는 단계(S103), 베이스 무기층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계(S105), 베이스 무기층을 식각하여 무기층을 형성하는 단계(S107), 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계(S109), 무기층 상에 베이스 유기층을 형성하는 단계(S111), 베이스 유기층을 식각하여 저굴절 유기층을 형성하는 단계(S113), 저굴절 유기층 상에 고굴절 유기층을 형성하는 단계(S115)를 포함할 수 있다.
첫 번째로, 기판(SUB) 상에 박막 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 및 박막 봉지층(160)을 형성한다.
구체적으로, 기판(SUB) 상에 제1 버퍼막(BF1)을 형성할 수 있다. 제1 버퍼막(BF1)은 투습에 취약한 기판(SUB)을 통해 침투하는 수분으로부터 박막 트랜지스터(110)와 발광 소자(140)를 보호하기 위한 것으로, 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 버퍼막(BF1)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), SiON 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 제1 버퍼막(BF1)은 CVD법(Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 형성될 수 있다.
그리고 나서, 제1 버퍼막(BF1) 상에 박막 트랜지스터의 액티브층(111)을 형성한다. 구체적으로, 스퍼터링법(Sputtering) 또는 MOCVD법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 등을 이용하여 제1 버퍼막(BF1) 상의 전면에 액티브 금속층을 형성한다. 그리고 나서, 포토레지스트 패턴을 이용한 마스크 공정으로 액티브 금속층을 패터닝하여 액티브층(111)을 형성한다. 액티브층(111)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 액티브층(111) 상에 게이트 절연막(121)을 형성한다. 게이트 절연막(121)은 무기막, 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 게이트 절연막(121) 상에 박막 트랜지스터(110)의 게이트 전극(112)을 형성한다. 구체적으로, 스퍼터링법 또는 MOCVD법 등을 이용하여 게이트 절연막(121) 상의 전면(全面)에 제1 금속층을 형성한다. 그 다음, 포토 레지스트 패턴을 이용한 마스크 공정으로 제1 금속층을 패터닝하여 게이트 전극(112)을 형성한다. 게이트 전극(112)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 게이트 전극(112) 상에 층간 절연막(122)을 형성한다. 층간 절연막(122)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 게이트 절연막(121)과 층간 절연막(122)을 관통하여 액티브층(111)을 노출시키는 콘택홀들을 형성한다.
그리고 나서, 층간 절연막(122) 상에 박막 트랜지스터(110)의 소스 및 드레인 전극들(113, 114)을 형성한다. 구체적으로, 스퍼터링법 또는 MOCVD법 등을 이용하여 층간 절연막(122) 상의 전면에 제2 금속층을 형성한다. 그 다음, 포토 레지스트 패턴을 이용한 마스크 공정으로 제2 금속층을 패터닝하여 소스 및 드레인 전극들(113, 114)을 형성한다. 소스 및 드레인 전극들(113, 114) 각각은 게이트 절연막(121)과 층간 절연막(122)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층(111)에 접속될 수 있다. 소스 및 드레인 전극들(113, 114)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 박막 트랜지스터(110)의 소스 및 드레인 전극들(113, 114) 상에 보호막(123)을 형성한다. 보호막(123)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. 보호막(123)은 CVD법을 이용하여 형성될 수 있다.
그리고 나서, 보호막(123) 상에 박막 트랜지스터(110)로 인한 단차를 평탄화하기 위한 평탄화막(130)을 형성한다. 평탄화막(130)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 평탄화막(130) 상에 발광 소자(140)의 제1 전극(141)을 형성한다. 구체적으로, 스퍼터링법 또는 MOCVD법 등을 이용하여 평탄화막(130) 상의 전면에 제3 금속층을 형성한다.
그리고 나서, 포토레지스트 패턴을 이용한 마스크 공정으로 제3 금속층을 패터닝하여 제1 전극(141)을 형성한다. 제1 전극(141)은 보호막(123)과 평탄화막(130)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(110)의 드레인 전극(114)에 접속될 수 있다. 제1 전극(141)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 화소들을 구획하기 위해 평탄화막(130) 상에서 제1 전극(141)의 가장자리를 덮도록 뱅크층(150)을 형성한다. 뱅크층(150)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 제1 전극(141)과 뱅크층(150) 상에 유기 발광층(142)을 증착 공정 또는 용액 공정으로 형성한다. 유기 발광층(142)은 화소들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 몇몇 실시예에서 유기 발광층(142)은 2 스택(stack) 이상의 탠덤 구조로 형성될 수 있다. 스택들 각각은 정공 수송층(hole transporting layer), 적어도 하나의 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 또한, 스택들 사이에는 전하 생성층이 형성될 수 있다. 전하 생성층은 하부 스택과 인접하게 위치하는 n형 전하 생성층과 n형 전하 생성층 상에 형성되어 상부 스택과 인접하게 위치하는 p형 전하 생성층을 포함할 수 있다. n형 전하 생성층은 하부 스택으로 전자(electron)를 주입해주고, p형 전하 생성층은 상부 스택으로 정공(hole)을 주입해준다. n형 전하 생성층은 Li, Na, K, 또는 Cs와 같은 알칼리 금속, 또는 Mg, Sr, Ba, 또는 Ra와 같은 알칼리 토금속으로 도핑된 유기층으로 이루어질 수 있다. p형 전하 생성층은 정공수송능력이 있는 유기물질에 도펀트가 도핑되어 이루어질 수 있다.
그리고 나서, 유기 발광층(142) 상에 제2 전극(143)을 형성한다. 제2 전극(143)은 화소(P)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 제2 전극(143)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제2 전극(143)은 스퍼터링법과 같은 물리적 기상 증착법(physics vapor deposition)으로 형성될 수 있다. 제2 전극(143) 상에는 캡핑층(capping layer)이 형성될 수 있다.
그리고 나서, 제2 전극(143) 상에 박막 봉지층(160)을 형성한다. 박막 봉지층(160)은 유기 발광층(142)과 제2 전극(143)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 박막 봉지층(160)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.
예를 들어, 박막 봉지층(160)은 제1 봉지 무기막, 봉지 유기막 및 제2 봉지 무기막을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 봉지 무기막은 제2 전극(143)을 덮도록 형성된다. 봉지 유기막은 제1 봉지 무기막을 덮도록 형성된다. 봉지 유기막은 이물들(particles)이 제1 봉지 무기막을 뚫고 유기 발광층(142)과 제2 전극(143)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 제2 봉지 무기막은 봉지 유기막을 덮도록 형성된다. 제1 및 제2 봉지 무기막들 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 봉지 유기막은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다.
두 번째로, 박막 봉지층(160) 상에 베이스 무기층(170a)을 형성한다.
박막 봉지층(160) 상에 베이스 무기층(170a)을 형성하기 전에 제2 버퍼막(BF2)이 더 형성될 수 있다. 제2 버퍼막(BF2)은 무기 물질을 포함하는 단일막으로 이루어질 수 있다.
베이스 무기층(170a)은 예컨대, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄옥사이드, 및 알루미늄옥사이드 중 어느 하나의 물질을 포함하는 단일막으로 박막 봉지층(160) 상에 전체적으로 증착 공정으로형성될 수 있다. 베이스 무기층(170a)의 두께(h1)는 예컨대, 5000Å일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 이보다 두껍거나 얇을 수 있다.
세 번째로, 베이스 무기층(170a) 상에 포토레지스트 패턴(PR)을 형성한다. 포토레지스트 패턴(PR)은 후술할 돌출 패턴부(170p)가 형성되는 위치와 중첩하도록 형성될 수 있다. 대체적으로 발광 소자(140)의 유기 발광층(142)과 중첩하도록 형성될 수 있다.
네 번째로, 베이스 무기층(170a)을 식각하여 무기층(170) 및 돌출 패턴부(170p)를 형성한다.
포토레지스트 패턴(PR)에 의해 덮힌 부분을 제외한, 포토레지스트 패턴(PR)들 사이의 베이스 무기층(170a)이 식각될 수 있다. 포토레지스트 패턴(PR)에 의해 덮힌 영역은 식각되지 않는 바, 돌출 패턴부(170p)가 형성될 수 있다. 식각 공정에 따라 돌출 패턴부(170p)의 측면부도 일부 식각될 수 있으며, 돌출 패턴부(170p)의 측면은 역테이퍼 형상을 가질 수 있다.
무기층(170) 중 돌출 패턴부(170p)가 형성되지 않은 영역의 두께(h2)는 베이스 무기층(170a)의 두께(h1)보다 얇을 수 있으나, 무기층(170) 중 돌출 패턴부(170p)가 형성된 영역의 두께는 베이스 무기층(170a)의 두께(h1)와 동일하거나 유사할 수 있다.
다섯 번째로, 포토레지스트 패턴(PR)을 제거한다.
여섯 번째로, 무기층(170) 상에 베이스 유기층(180aa)을 형성한다.
베이스 유기층(180aa)은 무기층(170)을 덮도록 무기층(170) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 베이스 유기층(180aa)은 증착 공정 또는 용액 공정으로 형성될 수 있다.
베이스 유기층(180aa)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 유기층(180aa)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 물질을 포함하는 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 베이스 유기층(180aa)은 빛에 노출될 경우 성질이 변화하는 감광성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 유기층(180aa)은 음성 포토레지스트(negative PR)로 빛에 노출될 경우, 노출된 영역은 경화하여 현상액에 의해 용해되지 않을 수 있다.
일곱 번째로, 베이스 유기층(180aa)을 식각하여 저굴절 유기층(180)을 형성한다.
상술한 바와 같이 베이스 유기층(180aa)이 음성 포토레지스트(negative PR)인 경우, 베이스 유기층(180aa) 상에 마스크(M)를 배치하고 광(L_ex)을 노출하여 저굴절 유기층(180)을 형성할 수 있다. 마스크(M)는 투과 영역(MA) 및 비투과 영역(MB)을 포함하여, 저굴절 유기층(180)을 형성하기 위한 영역만 선택적으로 광(L_ex)을 투과시킬 수 있다.
베이스 유기층(180aa) 상에 선택적으로 광(L_ex)을 노출한 뒤, 현상액을 통해 광(L_ex)이 노출되지 않은 부분의 베이스 유기층(180aa)을 제거하여 저굴절 유기층(180)을 형성할 수 있다.
본 단계에서 도 9 내지 도 11의 실시예를 통해 설명한 바와 같이 공정 마진에 따라 저굴절 유기층(180)의 전반사면이 이중 테이퍼면으로 구성되거나 서로 정렬되지 않는 구조가 형성될 수도 있다.
마지막으로, 저굴절 유기층(180) 상에 고굴절 유기층(190)을 형성한다.
고굴절 유기층(190)은 무기층(170) 및 저굴절 유기층(180)을 덮도록 형성되어 박막 봉지층(160) 상에 배치된 전반사층(TRL)을 전반적으로 평탄화할 수 있다. 고굴절 유기층(190)은 증착 공정 또는 용액 공정으로 형성될 수 있다.
고굴절 유기층(190)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 고굴절 유기층(190)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등 유기 물질을 포함하는 단일막으로 형성될 수 있으나, 저굴절 유기층(180)보다 높은 굴절률을 갖는 유기 물질이라면 이에 한정되지 않는다. 고굴절 유기층(190)은 저굴절 유기층(180)에 비해 굴절률이 높은 물질을 포함하고, 저굴절 유기층(180)보다 두껍게 형성될 수 있다.
한편, 도 24 내지 도 31에 도시된 전반사층(TRL)을 형성하는 공정은 발광 소자(140)를 덮는 박막 봉지층(160) 상에 형성되는 공정이므로, 발광 소자(140)가 손상되는 것을 방지하기 위해 100℃ 이하의 저온 공정일 수 있다.
도 32은 도 12, 도 20, 도 23, 및 도 26에 도시된 실시예들 같이 돌출 패턴부(170p_1, 170p_3, 170p_5, 170p_7)가 무기층(170)과 별도로 형성될 경우에 표시 장치의 제조 방법 상 차이점을 나타낸다. 예시적으로 도 12를 결부하여 설명한다.
도 32를 더 참조하면, 돌출 패턴부(170p_1)가 무기층(170_1)과 별도의 층으로 형성되는 표시 장치의 제조 방법은 베이스 무기층(170a) 상에 베이스 지지층(170pa)을 형성하는 단계를 더 포함한다.
베이스 지지층(170pa)은 돌출 패턴부(170p)를 형성하기 위해 형성되는 층으로, 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 지지층(170pa)은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄옥사이드, 및 알루미늄옥사이드 중 어느 하나의 물질을 포함하는 단일막으로 형성될 수 있다. 베이스 지지층(170pa)은 증착 공정에 의해 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
베이스 지지층(170pa)은 베이스 무기층(170a)과 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 또한, 베이스 지지층(170pa)의 두께는 베이스 무기층(170a)의 두께보다 얇을 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며 베이스 지지층(170pa)이 베이스 무기층(170a)과 동일한 물질로 형성되거나 베이스 무기층(170a)보다 두껍게 형성될 수도 있다.
이후의 제조 방법은 베이스 무기층(170a)이 무기층(도 8의 "170_1")으로 형성되고, 베이스 지지층(170pa)이 돌출 패턴부(도 8의 "170p_1")로 형성되는 점을 제외하고 상술한 제조 방법의 실시예와 동일하거나 유사한 바, 자세한 설명은 생략한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (20)

  1. 복수의 화소를 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되고 상기 화소의 경계를 따라 배치되고 발광 영역을 정의하는 뱅크층;
    상기 뱅크층의 의해 정의된 상기 발광 영역에 배치된 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 및 상기 뱅크층을 덮는 박막 봉지층;
    상기 박막 봉지층 상에 배치된 베이스부 및 상기 베이스부로부터 두께 방향으로 돌출되고 역테이퍼각을 갖는 측면을 포함하는 돌출 패턴부를 포함하는 무기층;
    상기 무기층의 상기 베이스부 상에 배치된 제1 저굴절 유기층으로서, 측면이 상기 돌출 패턴부의 측면과 접하고, 상면이 상기 돌출 패턴부의 상면보다 두께 방향으로 돌출된 제1 저굴절 유기층; 및
    상기 제1 저굴절 유기층과 상기 무기층을 덮는 고굴절 유기층을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 장치는 상기 뱅크층이 배치되는 제1 영역 및 상기 발광 영역이 배치되는 제2 영역으로 구분되고,
    상기 무기층의 상기 베이스부는 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 배치되고,
    상기 무기층의 상기 돌출 패턴부는 상기 제2 영역에 위치하고,
    상기 제1 저굴절 유기층은 상기 제1 영역에 위치하며,
    상기 고굴절 유기층은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 걸쳐 배치되는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 저굴절 유기층의 굴절률은 상기 고굴절 유기층의 굴절률보다 작고, 상기 무기층의 굴절률은 상기 고굴절 유기층의 굴절률보다 큰 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 돌출 패턴부는 상기 베이스부와 동일한 물질을 포함하고 서로 물리적 경계 없이 결합된 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 저굴절 유기층은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄옥사이드, 및 알루미늄옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 돌출 패턴부는 상기 베이스부와 서로 다른 물질을 포함하고 별도의 층으로 형성된 표시 장치.
  7. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 저굴절 유기층은 상기 돌출 패턴부의 측면과 접하는 하부 저굴절 유기층 및 상기 돌출 패턴부의 상면보다 두께 방향으로 돌출된 상부 저굴절 유기층을 포함하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 하부 저굴절 유기층은 상기 화소와 인접한 제1 테이퍼면을 포함하고, 상기 상부 저굴절 유기층은 상기 화소와 인접한 제2 테이퍼면을 포함하며,
    상기 제1 테이퍼면의 경사 각도는 제1 테이퍼 각도로 정의되고, 상기 제2 테이퍼면의 경사 각도는 제2 테이퍼 각도로 정의되며, 상기 제1 테이퍼 각도 및 상기 제2 테이퍼 각도는 60도 내지 85도인 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 테이퍼 각도는 상기 제1 테이퍼 각도와 동일한 표시 장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 테이퍼 각도는 상기 제1 테이퍼 각도와 상이한 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 테이퍼면과 상기 제2 테이퍼면은 서로 다른 평면 상에 배치되는 표시 장치.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 테이퍼 각도는 70도 내지 75도인 표시 장치.
  13. 제7 항에 있어서,
    상기 하부 저굴절 유기층은 상기 상부 저굴절 유기층보다 두께가 얇은 표시 장치.
  14. 제2 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층 및 상기 무기층 사이에 배치되는 버퍼막을 더 포함하되, 상기 버퍼막은 상기 무기층과 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층 상에 배치되는 터치 센서층을 더 포함하되, 상기 터치 센서층은 상기 제1 영역에 배치되는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 터치 센서층은 상기 제1 저굴절 유기층과 비중첩하는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 터치 센서층은 상기 버퍼막 상에 배치되는 제1 금속층 및 상기 무기층 상에 배치되는 제2 금속층을 포함하는 표시 장치.
  18. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 영역 상에 배치되고 평면상 상기 제1 저굴절 유기층을 둘러싸는 제2 저굴절 유기층을 더 포함하는 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 무기층은 상기 제1 저굴절 유기층 및 상기 제2 저굴절 유기층 사이에 배치되는 제2 돌출 패턴부를 더 포함하는 표시 장치.
  20. 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 배치된 박막 봉지층을 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 박막 봉지층 상에 베이스 무기층을 형성하는 단계;
    상기 베이스 무기층을 식각하여 베이스부 및 돌출 패턴부를 포함하는 무기층을 형성하는 단계;
    상기 무기층 상에 베이스 유기층을 형성하는 단계;
    상기 베이스 유기층을 식각하여 상기 베이스부 상에 배치되는 저굴절 유기층을 형성하는 단계; 및
    상기 저굴절 유기층을 덮고 상기 저굴절 유기층보다 굴절률이 높은 고굴절 유기층을 형성하는 단계; 를 포함하되,
    상기 돌출 패턴부는 상기 베이스부로부터 두께 방향으로 돌출되고 역테이퍼각을 갖는 측면을 포함하고, 상기 저굴절 유기층은 측면이 상기 돌출 패턴부의 측면과 접하고, 상면이 상기 돌출 패턴부의 상면보다 두께 방향으로 돌출된 표시 장치의 제조 방법.
PCT/KR2019/095039 2018-12-21 2019-10-25 표시 장치 및 그 제조방법 WO2020130760A1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201980085285.4A CN113228333B (zh) 2018-12-21 2019-10-25 显示装置和用于制造显示装置的方法
US17/416,359 US20220077427A1 (en) 2018-12-21 2019-10-25 Display device and method for manufacturing same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180167747A KR102635472B1 (ko) 2018-12-21 2018-12-21 표시 장치 및 그 제조방법
KR10-2018-0167747 2018-12-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020130760A1 true WO2020130760A1 (ko) 2020-06-25

Family

ID=71102699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2019/095039 WO2020130760A1 (ko) 2018-12-21 2019-10-25 표시 장치 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220077427A1 (ko)
KR (1) KR102635472B1 (ko)
CN (1) CN113228333B (ko)
WO (1) WO2020130760A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113078191A (zh) * 2021-03-23 2021-07-06 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11500433B2 (en) * 2020-01-14 2022-11-15 Au Optronics Corporation Flexible electronic device
JP2023540880A (ja) * 2020-08-20 2023-09-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Ｏｌｅｄ光照射野アーキテクチャ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009110873A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Toppan Printing Co Ltd 表示装置
KR20140059372A (ko) * 2012-11-07 2014-05-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US20180204892A1 (en) * 2017-01-16 2018-07-19 Japan Display Inc. Display device
JP2018181668A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の製造方法
KR101928646B1 (ko) * 2016-03-22 2018-12-12 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 표시 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4830332B2 (ja) * 2005-03-29 2011-12-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、画像印刷装置および画像読み取り装置
JP2009049135A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Sony Corp 表示装置
RU2483339C2 (ru) * 2008-10-02 2013-05-27 Шарп Кабусики Кайся Подложка устройства отображения, способ изготовления подложки устройства отображения, устройство отображения, жидкокристаллическое устройство отображения, способ изготовления жидкокристаллического устройства отображения и органическое электролюминесцентное устройство отображения
KR102090276B1 (ko) * 2013-08-08 2020-03-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 광학 필름
KR20160034457A (ko) * 2014-09-19 2016-03-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR101695652B1 (ko) * 2016-04-11 2017-01-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그의 제조방법
US10303315B2 (en) * 2016-04-22 2019-05-28 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
KR102518130B1 (ko) * 2016-08-04 2023-04-06 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20180066556A (ko) * 2016-12-09 2018-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009110873A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Toppan Printing Co Ltd 表示装置
KR20140059372A (ko) * 2012-11-07 2014-05-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101928646B1 (ko) * 2016-03-22 2018-12-12 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 표시 장치
US20180204892A1 (en) * 2017-01-16 2018-07-19 Japan Display Inc. Display device
JP2018181668A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113078191A (zh) * 2021-03-23 2021-07-06 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113228333A (zh) 2021-08-06
CN113228333B (zh) 2024-03-22
US20220077427A1 (en) 2022-03-10
KR20200078796A (ko) 2020-07-02
KR102635472B1 (ko) 2024-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020145506A1 (ko) 표시 장치
WO2015072685A1 (en) Display apparatus using semiconductor light emitting device
WO2020130760A1 (ko) 표시 장치 및 그 제조방법
WO2021015306A1 (ko) 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
WO2019151550A1 (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
WO2020111420A1 (ko) 표시장치
WO2020218704A1 (ko) 표시 장치
WO2021242074A1 (ko) 표시 장치
WO2021125704A1 (ko) 표시 장치
WO2022164168A1 (ko) 발광 소자, 발광 소자를 포함하는 발광 소자 유닛, 및 표시 장치
WO2022154517A1 (ko) 표시 장치
WO2020153593A1 (ko) 터치 감지 유닛과 그를 포함하는 표시 장치
WO2023003320A1 (ko) 표시 장치
WO2022260396A1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 검사 방법
WO2021182679A1 (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2022025395A1 (ko) 표시 장치
WO2021235689A1 (ko) 표시 장치
WO2021246572A1 (ko) 발광 소자, 이의 제조 방법 및 표시 장치
WO2021206217A1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2020130368A1 (ko) 표시 패널, 그를 포함한 표시 장치, 및 표시 장치의 제조 방법
WO2020159045A1 (ko) 표시 장치
WO2022240094A1 (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020242004A1 (ko) 표시 패널, 및 그를 포함하는 표시 장치
WO2022164130A1 (ko) 표시 장치
WO2022050512A1 (ko) 발광 소자, 발광 소자의 제조 방법 및 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19901013

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19901013

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1